【愚公系列】《生产线数字化设计与仿真》006-颜色分类站仿真(配置颜色分类站的气缸和传送带)

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🚀前言

在智能制造浪潮席卷全球的今天,颜色分类作为产品质量控制的关键环节,正经历着从人工经验判断向数字化、智能化转型的深刻变革。传统生产线中,颜色检测依赖人工目视或简单机械装置,存在效率低、误差率高、柔性不足等痛点。当产品颜色种类超过三种,或需要应对小批量、多品种的生产需求时,传统模式的局限性愈发凸显。而颜色分类站仿真技术的诞生,正是以数字化手段破解这一难题的核心工具。

在消费升级与智能制造的双重驱动下,颜色已从产品属性演变为品牌竞争力。通过仿真技术实现颜色分类的数字化重构,不仅是技术升级,更是企业构建质量壁垒、抢占高端市场的战略选择。本专栏将陪伴您踏上这场色彩与数字交织的变革之旅。

完成颜色分类站仿真设计需要三个步骤:

  1. 配置颜色分类站的基本机电对象
  2. 配置颜色分类站的气缸
  3. 配置颜色分类站的传送带

本节讲解【配置颜色分类站的气缸】

🚀一、配置颜色分类站的气缸

真实设备有其确定的运动方式和工作范围,并在产线中发挥其作用,所以在NX MCD中的仿真思路如图所示。
在这里插入图片描述

🔎步骤1:料仓推出机构运动学模型的创建

料仓推出机构中只有料仓气缸是运动部件,完成伸出和缩回动作,因此可以使用“滑动副”指令进行创建。料仓气缸做伸出缩回动作,只有两个位置,因此执行器选用“位置控制”。

料仓推出机构的运动学模型创建步骤如下所示。

①单击“滑动副”按钮,系统会弹出“基本运动副”对话框;刚体连接件选择料仓气缸的刚体;“指定轴矢量”为气缸伸出的方向,“偏置”为0;限制“上限”为40mm,“下限”为0mm;将“名称”改为“料仓气缸”,单击“确定”按钮,完成滑动副的创建,如图所示。
在这里插入图片描述

②单击“位置控制”按钮,系统会弹出“位置控制”对话框;“机电对象”选择刚才创建的料仓气缸滑动副,“速度”为100mm/s,将“名称”改为“料仓气缸”,单击“确定”按钮,完成位置控制的创建,如图所示。

在这里插入图片描述

🔎步骤2:推料气缸

推料气缸与料仓气缸的创建方式相同,可参考创建。

🚀二、配置颜色分类站的传送带

真实传送带在输送时有确定的传送范围、方向和速度,所以在NX MCD中配置传送带的思路如图所。
在这里插入图片描述
(1)创建碰撞体

传送带的碰撞体已经在步骤1创建完成,经检验,符合传送带的传送范围。

(2)创建传输面

①单击“传输面”按钮,系统会弹出“传输面”对话框。

②“传送带面”选择皮带的上表面;“运行类型”选择“直线”,“指定矢量”为传送带的输送方向:在“速度”中“平行”为50mm/s;将“名称”改为“传送带”,单击“确定”按钮完成传输面的创建,如图所示。
在这里插入图片描述

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/d0b0340d5318 在模拟集成电路设计中,模拟CMOS集成电路是核心技术之一,其核心在于N沟道场效应晶体管(NFET)P沟道场效应晶体管(PFET)的运用。本问题重点研究这两种器件在漏源电压(VDS)保持不变时,漏电流(ID)随栅源电压(VGS)变化的规律,主要以NFET为例进行分析。 当VDS固定为3 V时,NFET的漏电流VGS的关系可通过以下步骤确定:首先,绘制NFET的电路图,此时器件处于关闭状态(off condition),漏电流ID近乎为零。其次,漏电流的通用表达式为ID = μnCox(W/L)(VGS - VT)^2(VDS - VGS),其中μn为电子迁移率,Cox为单位面积栅氧化层电容,VGSVDS分别表示栅源电压漏源电压,VT为阈值电压,λ为通道长度调制系数,W为宽度,L为长度(此处L = 0.5微米)。接着,计算Cox的表达式,它是氧化层介电常数εox栅氧化层厚度tox的乘积。然后,将εoxtox的具体数值代入Cox公式,并从教科书表2.1中获取其他参数值,如μn、VT、λ等,以计算ID。之后,将所有数值代入ID公式,得到ID随VGS变化的函数关系,并针对VGS从0.8 V到3 V的不同取值,计算出对应的ID值,将这些数据整理成表格。最后,利用这些数据绘制VGSID之间的曲线,形成NFET的漏电流曲线。 对于PFET,其工作原理NFET相似,但PFET仅在VGS > VTP时导通,VTP为P沟道的阈值电压。计算PFET的漏电流ID时,需考虑其特有的参数,如空穴迁移率(μp),并采用类似的步骤处理VGSVDS的关系,最终绘制漏电流曲线。 通过这种分析,设计者能够理解并预测模拟CMOS集成电路中NFETPFET在不同工作条件下的性能表现,这对于优化电路设计、降低功
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