芯片工艺PVT STA分析 OCV分析

博客介绍了PVT(process, voltage, temperature),它是考虑工艺、电压和温度形成的条件组合。还阐述了STA(Static Timing Analysis)的三种分析方法及不同的STA分析条件。此外,说明了OCV(On - chip Variations)体现的差异及对芯片的影响,可用于考虑长距离走线对时钟路径的影响。

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PVT (process, voltage, temperature)

在一片wafer上,不可能每点的载流子平均漂移速度都是一样的,随着电压、温度不同,它们的特性也会不同,把他们分类就有了PVT(Process,Voltage,Temperature)。

设计除了要满足前文所说的工艺角 Process Corner外,还需要满足电压与温度等条件, 形成的组合称为PVT (process, voltage, temperature) 条件。

  • 电压如:1.0v+10% ,1.0v ,1.0v-10%
  • 温度如:-40C,0C,25C,125C

设计时设计师还常考虑找到最好最坏情况. 时序分析中将最好的条件(Best Case)定义为速度最快的情况, 而最坏的条件(Worst Case)则相反

STA (Static Timing Analysis)

三种STA分析方法(核心思想是为了实现在比较极限的最坏情况下仍然保证有效性):

  • 单一模式, 用同一条件分析setup/hold
  • WC_BC模式, 用worst case计算setup,用best case计算hold
  • OCV模式, 计算setup 用计算worst case数据路径,用best case计算时钟路径;
    计算hold 用best case计算数据路径,用worst case计算时钟路径;

STA分析条件

根据不同的仿真需要,会有不同的PVT组合。以下列举几种标准STA分析条件:

  • WCS (Worst Case Slow) : slow process, high temperature, lowest voltage
  • TYP (typical) : typical process, nominal temperature, nominal voltage
  • BCF (Best Case Fast) : fast process, lowest temperature, high voltage
  • WCL (Worst Case @ Cold) : slow process, lowest temperature, lowest voltage

在进行功耗分析时,可能是另些组合如:

  • ML (Maximal Leakage) : fast process, high temperature, high voltage
  • TL (typical Leakage) : typical process, high temperature, nominal voltage

OCV (On-chip Variations)

由于偏差的存在,不同晶圆之间,同一晶圆不同芯片之间,同一芯片不同区域之间情况都是不相同的。造成不同的因素有很多种,这些因素造成的不同主要体现:

  • IR Drop造成局部不同的供电的差异
  • 晶体管阈值电压的差异
  • 晶体管沟道长度的差异
  • 局部热点形成的温度系数的差异
  • 互连线不同引起的电阻电容的差异

OCV可以描述PVT在单个芯片所造成的影响。更多的时候, 用来考虑长距离走线对时钟路径的影响。在时序分析时引入derate参数模拟OCV效应,其通过改变时延迟的早晚来影响设计。

参考文献

工艺角,PVT, TT,SS,FF,FS,SF_白山头的博客-CSDN博客

Corner · 芯片基础 · 看云

SoC芯片流片验证的经验分享 | 电子创新网 Imgtec 社区

SS、 TT、FF - 知乎

半导体fab“黑话” 续1 - 知乎

### 芯片 PVT 工艺角的定义与应用 #### 1. PVT 工艺角的定义 PVT 是指 Process(工艺)、Voltage(电压)和 Temperature(温度)三个关键参数的组合。在芯片设计中,PVT 条件用于描述芯片工作时可能遇到的各种环境变化。为了确保芯片在所有可能的条件下都能正常运行,设计需要满足不同PVT 工艺角。例如,电压可以设置为标称值、高于标称值或低于标称值,而温度则可以从低温(如 -40°C)到高温(如 125°C)。这些条件的组合形成了多个工艺角,每个工艺角代表了一种特定的工作环境[^1]。 #### 2. PVT 工艺角的应用 PVT 工艺角的应用主要体现在以下几个方面: - **时序分析**:通过静态时序分析Static Timing Analysis, STA),设计师可以在不同 PVT 条件下验证芯片的关键路径是否满足时序要求。这包括检查信号的建立时间和保持时间是否符合规范。 - **信号完整性分析**:在不同PVT 条件下,芯片的输入输出(IO)信号可能会表现出不同的特性,如眼图闭合、时序抖动增加或过冲现象加剧。因此,仿真工具被广泛应用于观察这些参数的变化,并确保信号的完整性[^2]。 - **蒙特卡洛仿真**:通过蒙特卡洛方法,设计师可以评估芯片在随机工艺偏差下的性能表现。这种方法特别适用于分析全局随机性和局部随机性对芯片性能的影响。例如,晶圆上不同位置的阈值电压(Vth)分布可能导致全局随机性,而加工误差引起的管子不对称则会导致局部随机性[^3]。 #### 3. PVT 工艺角的仿真 PVT 工艺角的仿真通常依赖于先进的EDA工具,如SPICE仿真器。以下是一个简单的SPICE仿真代码示例,展示如何设置不同PVT条件: ```spice * SPICE仿真示例:设置PVT条件 * 工艺角:Slow-Slow (SS) * 电压:1.0V - 10% * 温度:125°C .include "model.lib" ; 引入工艺模型库 VDD VDD 0 DC 0.9V ; 设置电源电压为0.9V TEMP 125 ; 设置温度为125°C M1 OUT IN VDD VDD NMOS L=0.18U W=10U ; 定义一个NMOS晶体管 R1 OUT LOAD 1K ; 定义一个负载电阻 .tran 1n 10n ; 运行瞬态分析 .end ; 结束仿真 ``` #### 4. 总结 PVT 工艺角的概念和应用是芯片设计中的重要组成部分,它帮助设计师预测和优化芯片在各种极端条件下的性能表现。通过结合静态时序分析、信号完整性分析和蒙特卡洛仿真等技术,可以确保芯片在实际应用中的可靠性和稳定性。
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