Elektronik

Stefan Goßner

Grundlagen der Elektronik

Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen

7. ergänzte Auflage

Shaker Verlag
 Stefan Goßner

Grundlagen der Elektronik

Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen

Ein Lernbuch

7. ergänzte Auflage

Shaker Verlag
Aachen 2008
Bibliografische Information der Deutschen Nationalbibliothek
Die Deutsche Nationalbibliothek verzeichnet diese Publikation in der Deutschen
Nationalbibliografie; detailierte bibliografische Daten sind im Internet über
http://dnb.d-nb.de abrufbar.

Copyright Shaker Verlag 2008

Alle Rechte, auch das des auszugsweisen Nachdruckes, der auszugsweisen
oder vollständigen Wiedergabe, der Speicherung in Datenverarbeitungs-
anlagen und der Übersetzung vorbehalten.

Printed in Germany

ISBN 978-3-8265-8825-9
ISSN 1436-3801

Shaker Verlag GmbH • Postfach 101818 • 52018 Aachen

Telefon:02407 / 95 96 – 0 • Telefax: 02407 / 95 96 – 9
Internet: www.shaker.de • E-Mail: [email protected]
Vorwort zur ersten Auflage
Dieses Buch entstand als begleitende Unterlage zu meiner Vorlesung Grundlagen der Elek-
tronik für Studentinnen und Studenten der Fachrichtungen Elektrotechnik/Elektronik sowie
Technische Informatik im zweiten und dritten Semester an der Technischen Fachhochschule
(TFH) Berlin. Es kann aber auch Studenten an Universitäten den Einstieg in das komplexe
Gebiet der Elektronik eröffnen.
Die Themen Halbleiterphysik, pn-Übergang und Metall-Halbleiter-Übergänge nehmen
einen relativ breiten Raum ein. Mit einfachen modellhaften Vorstellungen wird versucht, die
physikalischen Grundlagen und Vorgänge in Halbleiterbauelementen zu erläutern. Dies
erscheint notwendig, da das Verständnis zahlreicher Eigenschaften von Halbleiterbauele-
menten nur auf der Basis eines ausreichenden Wissens über die physikalischen Zusam-
menhänge möglich ist (z.B. Temperaturabhängigkeit, dynamische Eigenschaften, Kenn-
linienverläufe, sich gegenseitig ausschließende Eigenschaften).
Breiter Raum wird den Teilen eingeräumt, in denen anwendungsbezogenes Wissen über die
Funktionsweise und den Einsatz von Dioden, Transistoren und Operationsverstärkern be-
handelt wird.
Zahlreiche Abbildungen sollen die oftmals komplexe Materie anschaulicher machen.
Entwurf und Analyse elektronischer Schaltungen erfolgen heute grundsätzlich unter Einsatz
rechnergestützter Hilfsmittel, z.B. mit Netzwerkanalyseprogrammen wie PSpice. Dies sind
wertvolle Werkzeuge in der Hand des Fachmannes, sie ersetzen jedoch dessen Wissen über
die Bauelemente und ihre Einsatzmöglichkeiten, über Schaltungen und ihre Eigenschaften,
über Entwurfs- und Analysemethoden in keiner Weise. Nur wenn der Ingenieur in der Lage
ist, eine Schaltung auch ohne Rechnerunterstützung zu entwerfen, zu verstehen und zu ana-
lysieren, wird er die rechnergestützten Werkzeuge effektiv nützen können.
Aus diesem Grunde wird in diesem Buch dem mit traditionellen Mitteln durchgeführten
Entwurf, der Dimensionierung sowie der rechnerischen und grafischen Analyse elektroni-
scher Grundschaltungen großes Gewicht beigemessen. Bei der Berechnung von Schaltungen
werden nicht nur die Gleichungen angegeben, mit denen die wesentlichen Schaltungs-
eigenschaften bestimmt werden können. Vielmehr wird jeweils versucht, die Herleitung
dieser Gleichungen aufzuzeigen. Auf diese Weise sollen die Studenten in die Lage versetzt
werden, in ähnlichen Fällen selbständig die entsprechenden Berechnungen vornehmen zu
können. Da das in der Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik“ erworbene Wissen über
die Methoden der Schaltungsanalyse meist noch nicht ausreichend in anwendbare
Fertigkeiten umgesetzt ist, werden die für diese Berechnungen notwendigen Analyseformen
in einem Anhang dargestellt.
Das Buch ist entstanden, damit die Studenten während meiner Vorlesung keinen Rekord im
Schnellschreiben und Schnellzeichnen aufstellen müssen, sondern ausreichend Zeit zum
Mitdenken und Verstehen erhalten. Vielleicht wird es dem einen oder anderen aber nicht nur
während des Studiums, sondern auch noch während seiner späteren beruflichen Tätigkeiten
hilfreich sein.
Während der Erstellung dieser Unterlage habe ich immer wieder Fehler entdeckt und aus-
gemerzt. Trotzdem ist das Buch ganz sicher auch jetzt noch nicht fehlerfrei. Für entspre-
chende Hinweise bin ich sehr dankbar.
Berlin, im April 2001

Prof. Stefan Goßner

Vorwort zur siebten Auflage
Seit der ersten Auflage konnten zahlreiche Korrekturen und Verbesserungen durchgeführt
werden.
In der dritten Auflage wurden insbesondere Auszüge aus Datenblättern für repräsentative
Typen der meisten in dem Buch beschriebenen elektronischen Bauelemente aufgenommen.
Damit lassen sich viele der qualitativ beschriebenen Eigenschaften quantitativ einordnen.
Weiterhin wurde ein Abschnitt über Stabilitätsprobleme bei Operationsverstärkern und dazu
gehörende Maßnahmen der Frequenzgang-Korrektur ergänzt.
Der Text wurde auf die neue deutsche Rechtschreibung umgestellt.
In den folgenden Auflagen wurden einige weitere Halbleiterbauelemente (z.B. Thyristoren,
Leistungs-FET, IGBT) und Schaltungen (Stromspiegel etc.) hinzugefügt.
Weiterhin wurden Übungsaufgaben zu allen Kapiteln des Buches aufgenommen. Die Lösungen
zu den Übungsaufgaben wurden als Anhang zur Verfügung gestellt. Damit lassen sich die
erworbenen Kenntnisse vertiefen und kontrollieren.
In der vorliegenden 7. Auflage wurde schließlich ein umfangreiches Stichwortverzeichnis
ergänzt. Spezielle Inhalte lassen sich damit wesentlich einfacher auffinden.
Dank zahlreicher Hinweise konnten in den ersten Auflagen enthaltene Fehler und
Inkonsistenzen beseitigt werden. Sollten zusätzliche Fehler bekannt werden, so werde ich sie
unter http:\\www.prof-gossner.de veröffentlichen. Weitere Hinweise und Verbesserungs-
vorschläge können unter dieser Adresse ebenfalls eingebracht werden.
Ich hoffe, dass auch die jetzt vorliegende siebte Auflage möglichst vielen Lesern hilfreich sein
kann.

München, im Juli 2008

Prof. Stefan Goßner

Inhaltsverzeichnis

1 EINFÜHRUNG IN DIE PHYSIK DER HALBLEITER 1

1.1 Einordnung der Halbleiter zwischen Leitern und Isolatoren 1
1.2 Aufbau von Leitern und Halbleitern 1
1.2.1 Aufbau der Atome 1
1.2.2 Kristallaufbau 3
1.3 Leitungsmechanismen in Halbleitern 5
1.3.1 Eigenleitung (Leitungsmechanismen im reinen Halbleiter) 5
1.3.2 Störstellenleitung 7
1.3.3 Ladungsträgerkonzentrationen im dotierten Halbleiter 10
1.3.4 Massenwirkungsgesetz 12
1.3.5 Leitfähigkeit des Halbleiters 12
1.3.6 Erklärung der Leitungsmechanismen im Halbleiter mit Energie-Modellen 13
1.3.7 Energie-Verteilung der freien Elektronen und der Löcher 15
1.4 Übungsaufgaben zur Physik der Halbleiter 19

2 DER PN-ÜBERGANG 20
2.1 Der pn-Übergang ohne äußere Spannung 20
2.1.1 Der ideale abrupte pn-Übergang 20
2.1.2 Ladungsträgerdiffusion - Bildung einer Raumladungszone 20
2.1.3 Ladungsträgerdichte 21
2.1.4 Raumladungsdichte 21
2.1.5 Diffusionsspannung 22
2.1.6 Sperrschichtweite 23
2.1.7 Sperrschichtkapazität 23
2.1.8 Energiebänder-Modell des pn-Überganges 23
2.2 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung 24
2.2.1 Sperrpolung 24
2.2.2 Flusspolung 26
2.2.3 Durchbruch bei hoher Feldstärke in Sperrpolung 28
2.2.4 Gesamtkennlinie des pn-Überganges 30
2.2.5 Temperaturabhängigkeit der Kennlinie 31
2.2.6 Schaltverhalten des pn-Übergangs 31
2.3 Übungsaufgaben zum pn-Übergang 34

3 METALL-HALBLEITER-ÜBERGÄNGE 36
3.1 Schottky-Kontakt (Sperrschicht-Kontakt) 37
3.1.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM > WH) 37
3.1.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit geringerer Austrittsarbeit (WM < WH) 39
3.1.3 Eigenschaften des Schottky-Kontakts 41
3.2 Ohmscher Kontakt 42
3.2.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit kleinerer Austrittsarbeit (WM < WH) 42
3.2.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM > WH) 43
3.2.3 Ohmscher Kontakt durch hochdotierte Halbleiterzwischenschicht 45
3.3 Übungsaufgaben zu Metall-Halbleiter-Übergängen 46

I
Inhaltsverzeichnis

4 DIE DIODE 47
4.1 Allgemeines 47
4.2 Universal- und Richtdiode 50
4.3 Hochsperrende Leistungsdioden 51
4.4 Schaltdioden 52
4.5 Die Z-Diode 52
4.6 Kapazitätsdiode 53
4.7 Tunneldiode 54
4.8 Backward-Diode 55
4.9 Schottky-Diode 56
4.10 Weitere Diodenformen 56
4.11 Übungsaufgaben zu Dioden 57

5 STABILISIERUNGSSCHALTUNG MIT Z-DIODE 59

5.1 Grundschaltung 59
5.1.1 Graphische Schaltungsanalyse 59
5.1.2 Rechnerische Schaltungsanalyse (Betrieb mit Gleichspannung) 62
5.2 Berechnung von Grenzwerten 64
5.2.1 Zulässiger Arbeitsbereich der Z-Diode 64
5.2.2 Grenzwerte für die Einzelbauelemente 65
5.3 Überlagerung von Gleich- und Wechselspannung 69
5.3.1 Wechselanteil der stabilisierten Gleichspannung 69
5.3.2 Verlustleistung der Z-Diode 70
5.3.3 Genauere Betrachtung des differentiellen Widerstandes 70
5.4 Übungsaufgaben zur Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode 72

6 NETZGLEICHRICHTER 73
6.1 Gleichrichterschaltungen ohne Glättung (mit ohmscher Last) 73
6.1.1 Einweggleichrichter 73
6.1.2 Zweiweggleichrichter - Mittelpunktschaltung 75
6.1.3 Zweiweggleichrichter - Brückengleichrichter (Graetz-Gleichrichter) 77
6.1.4 Genauere Berechnung der Zweiweggleichrichter 78
6.2 Gleichrichterschaltungen mit Glättung 80
6.2.1 Glättungsarten 81
6.2.2 Berechnung des Zweiweggleichrichters mit Glättungskondensator 82
6.3 Gleichrichter mit Pufferbatterie 90
6.4 Übungsaufgaben zu Netzgleichrichtern 91

II
Inhaltsverzeichnis

7 DREHSTROMGLEICHRICHTER 94
7.1 Mittelpunkt-Schaltung (Halbbrücke) (3-pulsiger Gleichrichter) 94
7.2 Drehstrom-Brückengleichrichter (6-pulsiger Gleichrichter) 96
7.3 Übungsaufgaben zu Drehstromgleichrichtern 99

8 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG 100
8.1 Spannungsverdoppelung mit der Delonschaltung 100
8.2 Spannungsverdoppelung mit Villardschaltung 101
8.3 Spannungsvervielfachung durch Kaskadierung der Villardschaltung 103
8.4 Übungsaufgaben zur Spannungsvervielfachung 104

9 DER BIPOLARE TRANSISTOR 105

9.1 Aufbau und Herstellungsverfahren 105
9.2 Funktionsweise 107
9.2.1 Der Transistoreffekt 107
9.2.2 Strömungsmechanismen im Transistor 110
9.2.3 Einfluss der Kollektor-Basis-Spannung auf den Kollektorstrom 111
9.3 Schaltzeichen - Richtungspfeile für Ströme und Spannungen 112
9.4 Transistor-Grundschaltungen 112
9.4.1 Basisschaltung 112
9.4.2 Emitterschaltung 114
9.4.3 Kollektorschaltung 117
9.4.4 Umrechnung der Stromverstärkungen 118
9.5 Darlington- oder Super-Beta-Schaltung 118
9.6 Daten von Transistoren 119
9.7 Übungsaufgaben zu Aufbau und Funktionsweise des bipolaren Transistors 120

10 ARBEITSPUNKT DES BIPOLAREN TRANSISTORS /

GLEICHSTROMBETRIEB 121
10.1 Einstellung des Arbeitspunktes 121
10.1.1 Einprägung des Basisstromes 122
10.1.2 Einprägung der Basis-Emitter-Spannung 122
10.1.3 Einstellung der Kollektor-Emitter-Spannung 123
10.2 Stabilisierung des Arbeitspunktes 123
10.2.1 Anforderungen an die Stabilität des Arbeitspunktes 123
10.2.2 Ursachen für Arbeitspunkt-Verschiebungen 123
10.2.3 Gegenkopplungsmaßnahmen zur Arbeitspunkt-Stabilisierung 124
10.2.4 Verfahren zur Berechnung von Abweichungen des Arbeitspunktes 126
10.2.5 Berechnung von Abweichungen des Arbeitspunktes einer gegebenen Schaltung 127
10.2.6 Stabilisierung des Arbeitspunktes bei der Schaltungsdimensionierung 129
10.3 Dimensionierung einer Transistorschaltung und grafische Analyse des Arbeitspunktes 131
10.3.1 Dimensionierung der Schaltung 131
10.3.2 Grafische Analyse des Arbeitspunktes 133

III
Inhaltsverzeichnis

10.4 Beispielschaltungen 136

10.4.1 Konstantspannungsquelle 136
10.4.2 Einfache Konstantstromquelle 136
10.4.3 Einfacher Stromspiegel (Konstantstromquelle) 137
10.4.4 Wilson-Stromspiegel 139
10.5 Übungsaufgaben zum Gleichstrombetrieb des Transistors 140

11 DER BIPOLARE TRANSISTOR IM

WECHSELSPANNUNGSVERSTÄRKER 142
11.1 Grundschaltung eines Wechselspannungsverstärkers in Emitterschaltung 142
11.1.1 Prinzipieller Aufbau und Funktion 142
11.1.2 Analyse des Arbeitspunktes 143
11.1.3 Wechselstromanalyse 143
11.1.4 Verzerrungen und Begrenzungen des Ausgangssignals (Aussteuerungsgrenzen) 144
11.1.5 Technische Realisierung 146
11.2 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Emitterschaltung 147
11.2.1 Grafische Analyse des Wechselstrom-Verhaltens 147
11.2.2 Berechnung der Wechselstromgrößen 151
11.2.3 Wechselspannungsverstärkung bei Stromgegenkopplung 153
11.2.4 Berechnung der Kondensatoren 156
11.2.5 Gesamt-Grenzfrequenzen 159
11.3 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Basisschaltung 162
11.3.1 Die Schaltung 162
11.3.2 Berechnung der Wechselstrom-Kenngrößen 162
11.3.3 Obere Grenzfrequenz der Basisschaltung 163
11.4 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Kollektorschaltung 164
11.4.1 Stromlaufplan und Daten 164
11.4.2 Wechselstrom-Berechnungen 165
11.4.3 Bootstrapschaltung 168
11.5 Vergleich der Transistor-Grundschaltungen 170
11.6 Lage des Arbeitspunktes im Kennlinienfeld 171
11.6.1 Klein- und Mittelsignalverstärker 172
11.6.2 Leistungsverstärker - Transistorendstufen 172
11.7 Übungsaufgaben zum Wechselspannungsverstärker mit bipolarem Transistor 174

12 DER BIPOLARE TRANSISTOR ALS SCHALTER 176

12.1 Der ideale Schalter (zum Vergleich) 176
12.2 Die Betriebszustände des Transistor-Schalters 178
12.2.1 Ausgewählte Details aus der Halbleiter- und Transistorphysik 178
12.2.2 Prinzipielle Ansteuerungsvarianten 179
12.2.3 Der gesperrte Transistor 180
12.2.4 Der leitende Transistor (ungesättigt, UCB > 0) 181
12.2.5 Der leitende Transistor (gesättigt) 184
12.2.6 Kennlinien-Arbeitsbereiche des Transistors als Schalter 186

IV
Inhaltsverzeichnis

12.3 Das dynamische Verhalten 187

12.3.1 Einschaltvorgang 187
12.3.2 Der Ausschaltvorgang 190
12.4 Maßnahmen zur Verbesserung des Schaltverhaltens 195
12.5 Schaltverlustleistung 197
12.6 Transistorschalter bei ohmscher, kapazitiver und induktiver Last 199
12.6.1 Ohmsche Last 199
12.6.2 Ohmisch-induktive Last 199
12.6.3 Ohmisch-kapazitive Last 201
12.7 Transistor in digitalen Grundschaltungen 202
12.8 Übungsaufgaben zum Transistor als Schalter 205

13 DER FELDEFFEKTTRANSISTOR (FET) 207

13.1 Allgemeines / Grundprinzip 207
13.2 Sperrschicht-FET 207
13.2.1 Aufbau und Wirkungsprinzip 207
13.2.2 Einfluss der Kanalspannung auf die Kennlinie 208
13.2.3 Steuerung über das Gate 210
13.2.4 Die Kennlinien des Sperrschicht-FET 211
13.3 IG-FET (isolated gate) 212
13.3.1 Anreicherungstyp 212
13.3.2 Verarmungstyp 216
13.3.3 Vorteile der IG-FET 216
13.4 Übersicht über alle FET-Typen 217
13.5 Daten von Feldeffekt-Transistoren 218
13.6 FET als Analogschalter 219
13.6.1 Ein- und Ausschaltbedingungen 219
13.6.2 Grundschaltung eines FET-Analogschalters 219
13.6.3 Verbesserter FET-Analogschalter 221
13.6.4 Gegentakt-FET-Analogschalter 222
13.7 Arbeitspunkt-Einstellung - Konstantstromquelle (J-FET) 223
13.8 J-FET-Wechselspannungsverstärker in Source-Schaltung 225
13.8.1 Schaltung des J-FET-WS-Verstärkers 225
13.8.2 Wechselstrom-Ersatzschaltbild des J-FET in Source-Schaltung 225
13.8.3 Berechnung des Wechselspannungsverstärkers 226
13.9 CMOS-Technik 227
13.9.1 CMOS-Inverter 227
13.9.2 CMOS-NOR-Gatter 227
13.9.3 CMOS-NAND-Gatter 228
13.9.4 CMOS-Übertragungsgatter 229
13.10 Übungsaufgaben zum Feldeffekttransistor 229

V
Inhaltsverzeichnis

14 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE EINES

OPERATIONSVERSTÄRKERS 233
14.1 Allgemeines 233
14.2 Interner Aufbau 233
14.2.1 Eingangsstufe 234
14.2.2 Koppelstufe 238
14.2.3 Ausgangsstufe 238
14.2.4 Gesamtschaltung des OP 741 241
14.3 Eigenschaften und Daten von Operationsverstärkern 242
14.4 Moderne Operationsverstärker-Typen 245
14.5 Übungsaufgaben zu Aufbau und Funktionsweise des Operationsverstärkers (VV-OP) 245

15 OPERATIONSVERSTÄRKER - GRUNDSCHALTUNGEN 246

15.1 Anwendungsbeispiele ohne Rückkopplung oder mit Mitkopplung 246
15.1.1 Komparator 246
15.1.2 Schmitt-Trigger 247
15.1.3 Astabiler Multivibrator 248
15.2 Niederfrequente Anwendungsbeispiele mit Gegenkopplung 250
15.2.1 Invertierender Verstärker 251
15.2.2 Nicht-invertierender Verstärker 252
15.2.3 Addition (mit Inversion ) 253
15.2.4 Subtraktion (Differenzverstärker) 254
15.2.5 Integration 255
15.2.6 Differentiation 256
15.2.7 Tiefpass oder Verzögerungsglied 1. Ordnung 257
15.2.8 Hochpass 259
15.2.9 Bandpass 260
15.2.10 PI-Regler (Proportional-Integral-Regler) 261
15.3 Fehler-Rechnung 262
15.3.1 Fehler durch Eingangs-Offset-Spannung 262
15.3.2 Fehler durch Eingangsströme (Bias-Ströme) 263
15.3.3 Fehler durch Ungleichheit der Eingangsströme (Eingangs-Offsetstrom) 264
15.4 Stabilitätsprobleme – Frequenzgangkorrektur 265
15.4.1 Schwingneigung durch ungewollte Mitkopplung 265
15.4.2 Die Schleifenverstärkung 266
15.4.3 Frequenzgangkorrektur 267
15.4.4 Stabilität bei kapazitiver Last und beim Differenzierer 270
15.5 Übungsaufgaben zu Operationsverstärker-Grundschaltungen 271

VI
Inhaltsverzeichnis

16 SPEZIELLE SCHALTUNGSBEISPIELE MIT

OPERATIONSVERSTÄRKERN 273
16.1 Instrumentenverstärker 273
16.2 Präzisionsgleichrichter 274
16.3 Logarithmieren 274
16.4 Delogarithmieren 275
16.5 Multiplizierer 276
16.6 Abtast-Halte-Glieder (Sample & Hold – Verstärker) 277
16.7 Fensterkomparatoren 280
16.8 Multivibratoren mit dem Timer 555 280
16.9 Frequenz-Spannungs- und Spannungs-Frequenz-Wandler 283
16.10 Digital-Analog- und Analog-Digital-Umsetzer 285
16.10.1 Digital-Analog-Umsetzer 285
16.10.2 Analog-Digital-Wandler 288
16.11 Übungsaufgaben Spezielle Operationsverstärker-Schaltungen 293

17 MEHRSCHICHT- UND
LEISTUNGS-HALBLEITER-BAUELEMENTE 297
17.1 Thyristor 297
17.1.1 Aufbau und Funktionsweise 297
17.1.2 Haupteinsatzgebiete 301
17.2 TRIAC 302
17.3 DIAC 303
17.4 Leistungs-MOS-FET (Kurzkanalstrukturen) 304
17.4.1 VMOS-FET 304
17.4.2 DMOS-FET 304
17.5 IGBT 305
17.6 Übungsaufgaben zu Leistungs-Halbleiterbauelementen 306

18 OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE 307

18.1 Fotowiderstand (LDR) 307
18.2 Fotodiode 308
18.2.1 PN-Übergang unter Lichteinwirkung 308
18.2.2 Diodenbetrieb der Fotodiode 309
18.2.3 Foto-PIN-Diode 310
18.2.4 Schottky-Fotodiode 310
18.2.5 Foto-Lawinen-Diode (Avalanche-Fotodiode) 310
18.2.6 Elementbetrieb der Fotodiode 311
18.2.7 Solarzelle 312
18.3 Fototransistor 313
18.4 Lumineszenz-Dioden 314
18.5 Displays 315
18.5.1 LED-Displays 315
18.5.2 Flüssigkristall-Displays 316

VII
Inhaltsverzeichnis

18.6 Optoelektronische Koppler 317

18.6.1 Optokoppler (geschlossen) 317
18.6.2 Optokoppler-Lichtschranken 318
18.7 Laser-Dioden 319
18.8 Lichtwellenleiter 322
18.9 Übungsaufgaben zu optoelektronischen Bauelementen 325

19 HALBLEITERBAUELEMENTE OHNE PN-ÜBERGANG

(HOMOGENE HALBLEITERBAUELEMENTE) 326
19.1 Heißleiter (NTC-Widerstände) 326
19.2 Kaltleiter (PTC-Widerstände) 328
19.3 Varistoren (VDR) 329
19.4 Fotowiderstand (LDR) 329
19.5 Feldplatte (MDR) 330
19.6 Hallgenerator 330
19.7 Dehnungsmessstreifen 331
19.8 Übungsaufgaben zu homogenen Halbleitern 332

20 GLEICHSPANNUNGSWANDLER 333
20.1 Drossel-Aufwärtswandler 333
20.2 Drossel-Abwärtswandler 335
20.3 Drossel-Inverswandler 337
20.4 Einschwingvorgänge 338
20.5 Anwendungsbeschränkungen 338
20.6 Übungsaufgaben zu Schaltwandlern 339

21 THERMISCHE PROBLEME / WÄRMEABLEITUNG 341

21.1 Temperaturerhöhung von Bauelementen durch Wärmefreisetzung 341
21.1.1 Verlustwärme - Verlustleistung 341
21.1.2 Wärmekapazität 341
21.2 Wärmeableitung 342
21.2.1 Der Wärmewiderstand 342
21.2.2 Wärmewiderstand bei Wärmeleitung 342
21.2.3 Wärmewiderstand bei Konvektion 343
21.2.4 Wärmestrahlung 343
21.2.5 Kühlflächenberechnung 343
21.3 Der Wärmestromkreis 344
21.4 Berechnung des Wärmestromkreises 346
21.4.1 Analogie thermischer und elektrischer Größen 346
21.4.2 Berechnung von Temperaturen im stationären Betrieb 347
21.4.3 Reduzierung der zulässigen Verlustleistung bei hoher Umgebungstemperatur 347
21.4.4 Thermische Ausgleichsvorgänge 348
21.5 Übungsaufgaben zu thermischen Problemen 351

VIII
Inhaltsverzeichnis

Anhang A - Schaltungsanalyse.............................................................................. 353

A.1 Grundlagen der Zweipoltheorie.................................................................................................... 353
A.2 Einfache Zweipole .......................................................................................................................... 354
A.2.1 Passive Zweipole 354
A.2.2 Aktive Zweipole 354
A.3 Ersatzwiderstand passiver Bauelemente ..................................................................................... 356
A.3.1 Berechnung eines Ersatzwiderstandes bei linearen Elementen 356
A.3.2 Graphisches Verfahren bei nichtlinearen Elementen 356
A.3.3 Linearisierung von Kennlinien 357
A.4 Ersatzschaltungen aktiver Zweipole............................................................................................. 359
A.4.1 Aktive Zweipole mit einer Quelle 359
A.4.2 Aktiver Zweipol mit mehreren Quellen 360
A.5 Zusammenschaltung aktiver und passiver Zweipole .................................................................. 361
A.5.1 Der lineare Grundstromkreis 361
A.5.2 Der nichtlineare Grundstromkreis - Graphisches Schnittpunktverfahren 361
A.5.3 Stromkreise mit bipolarem Transistor 367

Anhang B - Vierpoltheorie ..................................................................................... 370

B.1 Vierpolgleichungen - Vierpolparameter..................................................................................... 370
B.1.1 Die Z-Parameter 372
B.1.2 Die Y-Parameter 372
B.1.3 Die H-Parameter (= Hybrid-Parameter) 373
B.2 Transistor als linearer Vierpol ...................................................................................................... 374
B.2.1 Die h-Parameter des Transistors 374
B.2.2 Ermittlung der h-Parameter aus den Kennlinien des Transistors 376
B.2.3 h-Parameter in Datenblättern von NF-Transistoren 377
B.2.4 Umrechnung der h-Parameter der Emitterschaltung auf die Basisschaltung 378
B.2.5 Theoretisch ermittelte Näherungswerte der Vierpolparameter des Transistors 379

Anhang C - Lösungen der Übungsaufgaben......................................................... 381

C.1 Halbleiterphysik (zu Abschnitt 1) ................................................................................................ 381
C.2 Physik des pn-Übergangs (zu Abschnitt 2).................................................................................. 382
C.3 Metall-Halbleiter-Übergängen (zu Abschnitt 3) ......................................................................... 384
C.4 Dioden (zu Abschnitt 4) ................................................................................................................. 385
C.5 Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode (zu Abschnitt 5)............................................................... 387
C.6 Netzgleichrichter (zu Abschnitt 6) ................................................................................................ 389
C.7 Drehstromgleichrichter (zu Abschnitt 7) ..................................................................................... 390
C.8 Spannungsvervielfachung (zu Abschnitt 8).................................................................................. 390
C.9 Aufbau und Funktionsweise des bipolaren Transistors (zu Abschnitt 9).................................. 391
C.10 Gleichstrombetrieb des Transistors (zu Abschnitt 10)................................................................ 392
C.11 Wechselspannungsverstärker mit bipolarem Transistor (zu Abschnitt 11).............................. 395
C.12 Transistor als Schalter (zu Abschnitt 12) ..................................................................................... 397
C.13 Feldeffekttransistor (zu Abschnitt 13).......................................................................................... 399
C.14 Aufbau und Funktionsweise des Operationsverstärkers (zu Abschnitt 14) .............................. 402
C.15 Operationsverstärker-Grundschaltungen (zu Abschnitt 15)...................................................... 403
C.16 Operationsverstärker-Schaltungen (zu Abschnitt 16)................................................................. 406
C.17 Leistungs-Halbleiterbauelementen (zu Abschnitt 17) ................................................................. 408
C.18 Optoelektrische Bauelemente (zu Abschnitt 18).......................................................................... 409
C.19 Homogene Bauelemente (zu Abschnitt 19)................................................................................... 410
C.20 Gleichspannungswandler (zu Abschnitt 20)................................................................................. 411
C.21 Thermische Probleme (zu Abschnitt 21) ...................................................................................... 412

Anhang D - Verwendete Größensymbole .............................................................. 413

Literaturhinweise ...................................................................................................... 419
Stichwortverzeichnis ................................................................................................. 420

IX
Inhaltsverzeichnis

X
Einführung in die Physik der Halbleiter

1 Einführung in die Physik der Halbleiter

1.1 Einordnung der Halbleiter zwischen Leitern und Isolatoren
Unter elektrischem Strom verstehen wir: Gerichteter Transport elektrischer Ladung durch
bewegliche Ladungsträger in einem Medium
Ein Medium setzt dem Stromfluss einen bestimmten Widerstand entgegen. Dieser lässt sich
durch den spezifischen Widerstand ρ des jeweiligen Mediums ausdrücken.
Wertebereich des spezifischen Widerstandes von Medien

Nichtleiter Halbleiter Leiter

PVC Porzellan Sii(25°C) Gei(25°C) Metalle

1020 1016 1012 108 104 100 10-4

mm 2
ρ in Ω ⋅
m

Halbleiter liegen mit ihrem spezifischen Widerstand zwischen den Leitern und den
Nichtleitern (Isolatoren).
So zeigen z.B. Stäbe (Drähte) von je 1m Länge und 1 mm2 Querschnitt aus Kupfer
(metallischer Leiter), reinem Silizium (Halbleiter) und PVC (Isoliermaterial) folgende
Widerstände:
Cu: 17,5⋅10-3 Ω (17,5 mΩ)
Si-i (20°C): 2,1⋅109 Ω (2,1 GΩ)
20
PVC: 10 Ω (1011 GΩ)

1.2 Aufbau von Leitern und Halbleitern

1.2.1 Aufbau der Atome
1.2.1.1 Elementarteilchen
Alle Atome bestehen aus den Elementarteilchen:
- Elektronen
- Protonen (Anzahl entscheidet über Art des Elements)
- Neutronen (außer bei Wasserstoff immer vorhanden)
Elektronen und Protonen tragen eine elektrische Ladung (Elementarladung):
- Elektron: e − = −1,6 ⋅ 10 −19 As (negative Ladung)
- Proton: e + = +1,6 ⋅ 10 −19 As (positive Ladung)
- Neutron: elektrisch neutral (keine Ladung)
Für jedes Atom gilt: Anzahl der Elektronen = Anzahl der Protonen
⇒ die positiven und negativen Ladungen kompensieren sich in
ihren Auswirkungen
⇒ das Atom ist elektrisch neutral

1
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.2.1.2 Bohrsches Atommodell

Der Aufbau der Atome lässt sich nur in Form von Modellen beschreiben. Eines der
bekanntesten ist das Bohrsche Atommodell. Es geht von folgender Vorstellung aus:
Abbildung 1-1 Atommodell für Silizium
Die Protonen und Neutronen sind im sog.
(zweidimensional)
Atomkern konzentriert.
Die Elektronen umkreisen den Atomkern.
Die Energie der Elektronen bestimmt den
Durchmesser der Elektronenbahnen.
Die Elektronen können nach den Gesetzen
der Quantenmechanik nicht beliebige sondern 14P
14N
nur bestimmte Energien annehmen. Aus
diesem Grunde sind nur bestimmte
Bahnradien möglich.
Das Atommodell geht daher von diskreten
⇒ Elektronenschalen
mit unterschiedlichen Durchmessern aus.

Die maximale Zahl von Elektronen pro Elektronenschale beträgt N max = 2 ⋅ n 2

(mit n = Nummer der Schale von innen aus gezählt),
jedoch nicht mehr als 8 Elektronen auf der äußersten Schale
(8 Elektronen auf der äußersten Schale = Edelgaskonfiguration).
Die Elektronenschalen werden mit den Buchstaben K, L, M, . . . . bis Q bezeichnet
Tabelle 1-1 Maximale Elektronenzahl auf den Elektronenschalen

Schale K L M N O P Q
n 1 2 3 4 5 6 7
Nmax 2 8 18 32 (50) (72) (98) auf den inneren Schalen(1)
Nmax 2 8 8 8 8 8 8 auf der äußersten Schale(2)
(Edelgaskonfiguration)

Für die Energie der Elektronen gilt: kernnahe Schalen ⇔ niedrige Energie
kernferne Schalen ⇔ hohe Energie
Die Atome sind immer bestrebt, den energieärmsten Zustand einzunehmen. Aus diesem
Grunde werden die inneren Schalen zuerst besetzt; je schwerer ein Element ist, umso mehr
Schalen kommen hinzu.
Die Elektronen der äußersten Schale werden Valenzelektronen genannt.
Die folgende Tabelle 1-2 zeigt den Aufbau der Elektronenschalen ausgewählter Elemente.

(1)
Elektronenzahlen von 50 und mehr auf einer Schale werden in der Realität auch bei den
schwersten Elementen nicht erreicht.
(2)
Bei 8 Elektronen auf der äußersten Schale (2 bei K-Schale) liegt ein Edelgas vor.
Edelgase gehen keinerlei chemische Verbindungen ein.

2
Einführung in die Physik der Halbleiter

Tabelle 1-2 Belegung der Elektronenschalen bei verschiedenen Elementen

Kernladung Element K L M N O P Metall Halbleiter Edelgas

2 He 2 X
5 B 2 3
6 C 2 4
10 Ne 2 8 X
13 Al 2 8 3 X
14 Si 2 8 4 X
15 P 2 8 5
18 Ar 2 8 8 X
29 Cu 2 8 18 1 X
31 Ga 2 8 18 3 X
32 Ge 2 8 18 4 X
33 As 2 8 18 5
36 Kr 2 8 18 8 X
47 Ag 2 8 18 18 1 X
49 In 2 8 18 18 3 X
51 Sb 2 8 18 18 5
54 Xe 2 8 18 18 8 X
79 Au 2 8 18 32 18 1 X
Die Tabelle zeigt, dass Metalle durch eine geringe Zahl von Valenzelektronen (1 bis 3)
gekennzeichnet sind.
Für die Herstellung von Halbleitern werden vorzugsweise 4-wertige Elemente verwendet.
Auf Verbindungshalbleiter - z.B. aus 3- und 5-wertigen Elementen (wie GaAs, GaP etc.)-
wird in diesem Buch nur im Abschnitt 18, Optoelektronische Bauelemente eingegangen.

1.2.2 Kristallaufbau
Beim Kristallaufbau in Festkörpern muss zwischen metallischen und nicht-metallischen
Atombindungen unterschieden werden.
1.2.2.1 Metalle
Metalle bilden Kristalle, ohne dass die Valenzelektronen an der Bindung der Atome im
Kristallgitter beteiligt sind.
Einzelne Valenzelektronen können sich daher leicht von den Gitteratomen lösen und sind
dann zwischen den Atomen frei beweglich.
In Festkörpern gilt: Atomdichte ≈ 5 ⋅ 10 22 Atome / cm 3
Bei etwa einem freien (beweglichen) Elektron pro 1 bis 10 Gitteratomen beträgt die
Konzentration beweglicher Elektronen in Metallen somit 5⋅1021 cm-3 < nn < 5⋅1022 cm-3
Metalle sind daher sehr gute Leiter.
Anders stellen sich die Verhältnisse in nicht-metallischen Materialien dar.

3
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.2.2.2 Elektronenpaarbindung
Bei Atomen mit weniger als 8 Valenzelektronen besteht Neigung zur Reaktion (Verbindung)
mit anderen Atomen.
Eine wichtige Bindungsart ist die Elektronenpaarbindung (kovalente Bindung)
Eine Elektronenpaarbindung kann man sich modellhaft folgendermaßen vorstellen:
Zwei Atome (desselben oder auch unterschiedlicher Elemente) ordnen sich so an, dass ein
Elektronenpaar (bestehend aus je einem Elektron beider Atome) wechselweise das eine
bzw. das andere Atom umkreist. Das Elektronenpaar scheint also beiden Atomen zu
gehören; jedes Atom hat scheinbar ein Elektron mehr.
Durch eine geeignete Anzahl von Elektronenpaarbindungen erreicht dabei jedes Atom die
Edelgaskonfiguration auf der Valenzschale. Anschließend besteht kein weiteres
Reaktionsbestreben.
Durch Elektronenpaarbindung werden die beteiligten Atome stark aneinander gebunden; aber
auch die Elektronen lassen sich nur schwer aus den Paarbindungen heraus lösen.
Abbildung 1-2 zeigt die Bildung eines Wassermoleküls aus einem Sauerstoffatom und zwei
Wasserstoffatomen durch zwei Elektronenpaarbindungen.
Abbildung 1-2 Elektronenpaarbindungen im Wassermolekül
Sauerstoffatom

Elektronenpaar
8P
8N
Elektronenpaar 1P

1P
2 Wasserstoffatome

Das Wassermölekül ist bekanntlich sehr stabil. Reines Wasser ist nicht elektrisch leitend.
1.2.2.3 Halbleiter
Die Atome der Elemente Silizium und Germanium besitzen jeweils 4 Valenzelektronen.
Abbildung 1-3 zeigt eine vereinfachte Darstellung eines Halbleiteratoms für die Darstellung
des Kristallgitters. Die Darstellung passt gleichermaßen für Silizium- und Germanium-
Atome.

Abbildung 1-3 Atomrumpf

Vereinfachte Darstellung eines Halbleiteratoms
4+
(Nur die Elektronen der äußersten Schale werden
dargestellt; die inneren Schalen mit dem Kern
zum Atomrumpf zusammengefasst)

äußerste Elektronenschale

Durch 4 Elektronenpaarbindungen mit 4 Nachbaratomen kann ein Halbleiteratom die

Edelgaskonfiguration der Valenzschale erreichen.

4
Einführung in die Physik der Halbleiter

Abbildung 1-4 Vier Elektronenpaarbindungen eines Halbleiteratoms

(zwei verschiedene Darstellungsarten)

4+ 4+ 4+

4+
4+
4+
4+
4+ 4+
4+

Jedes der Nachbaratome kann seinerseits Elektronenpaarbindungen mit weiteren Atomen

eingehen, um ebenfalls die Edelgaskonfiguration der Valenzschale zu erreichen, usw.. Auf
diese Weise baut sich ein Kristall auf.

Abbildung 1-5 Zweidimensionale Darstellung der Atome in einem Halbleiterkristall

4+ 4+ 4+

4+ 4+

4+ 4+ 4+

1.3 Leitungsmechanismen in Halbleitern

Im Halbleiter lassen sich zwei unterschiedliche Leitungsmechanismen unterscheiden: die
Eigenleitung und die Störstellenleitung.

1.3.1 Eigenleitung (Leitungsmechanismen im reinen Halbleiter)

T=0K Bei 0 K sind alle Valenzelektronen im Halbleiterkristall

in Elektronenpaarbindungen fixiert
⇒ keine beweglichen Ladungsträger
⇒ keine elektrische Leitfähigkeit
⇒ Halbleiter ist Isolator

5
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.1.1 Paarbildung (Generation)

T>0K Temperaturerhöhung bedeutet Energiezufuhr:
⇒ Energiezufuhr zu den Atomen
⇒ Energiezufuhr zu den Elektronen
(statistische Verteilung der Energie)
Die energiereichsten Elektronen sind ⇒ sie verlassen ihren Platz im
in der Lage, aus den Elektronenpaar- Kristallgitter
bindungen auszubrechen ⇒ sie werden frei beweglich
(erforderliche Energie: 0,7 eV bei Ge; 1,1 eV bei Si)
Jedes aus einer Elektronenpaarbindung
frei gewordene Elektron hinterlässt ⇒ „Fehlelektron“, „Defektelektron“ oder
an seinem Ursprungsort eine Lücke ⇒ „Loch“
An der Stelle des Lochs verbleibt eine positive Überschussladung des Atomkerns
⇒ Das Loch trägt eine positive Ladung

Abbildung 1-6
Paarbildung 4+ 4+ 4+ freies
Elektron

Loch 4+ 4+ 4+

4+ 4+ 4+

Löcherwanderung
Ein Elektron aus einer benachbarten ⇒ Das ursprüngliche Loch verschwindet
Elektronenpaarbindung kann an die ⇒ Ein neues Loch entsteht in der
Stelle des Loches wechseln Nachbarschaft
Dieser Vorgang wiederholt sich ⇒ Das Loch wandert
⇒ Das Loch entspricht einem
beweglichen positiven Ladungsträger
Ladungsträgerkonzentration
Bei der Ladungsträger-Generation - ein bewegliches Elektron und
entsteht immer ein Ladungsträgerpaar - ein Loch
Der Vorgang nennt sich ⇒ Paarbildung
Die Konzentration positiver
und negativer Ladungsträger n0 = p0
(= Anzahl der Ladungsträger
pro Volumeneinheit) ist n0 = Konzentration der negativen Ladungsträger
bei Eigenleitung gleich. P0 = Konzentration der positiven Ladungsträger

6
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.1.2 Rekombination
Begegnen sich ein freies Elektron
und ein Loch, so wird das Elektron ⇒ Das Loch verschwindet
eingefangen und ergänzt die ⇒ Das Elektron ist nicht mehr beweglich
defekte Elektronenpaarbindung ⇒ Das Ladungsträgerpaar ist verschwunden
Dieser Vorgang nennt sich ⇒ Rekombination

1.3.1.3 Gleichgewicht zwischen Paarbildung und Rekombination (Intrinsic-Dichte)

Pro Zeiteinheit werden genau so viele Ladungsträgerpaare gebildet wie durch Rekombination
wieder verschwinden.
Zwischen Paarbildung und Rekombination Gleichgewichtskonzentration
stellt sich ein temperaturabhängiges n0 = p0 = ni = f(T)
Gleichgewicht ein (Eigenleitungsdichte). (n = Intrinsic-Zahl / Intrinsic-Dichte)
i

Die Gleichgewichtskonzentration (Ladungsträgerdichte) ni steigt annähernd exponentiell mit

der Temperatur.
ni/cm-3
Abbildung 1-7
Temperaturabhängigkeit der 1016
Eigenleitungsdichte bei Silizium,
Germanium und Galliumarsenid 1014
Ge
1012
Si
1010

GaAs
108

106

200 300 400 500 600 T/K

Im Vergleich zu den Metallen mit n ≈ 1 ... 2⋅1022 cm-3 (5⋅1021 < n < 5⋅1022) besitzt der reine
Halbleiterkristall eine sehr geringe Zahl freier Ladungsträger.
Beispiele: T = 300 K
Silizium: ni ≈ 1,5 ⋅ 1010 cm-3 ⇒ 1 Ladungsträgerpaar pro ca. 1012 Atome
Germanium: ni ≈ 2,5 ⋅ 1013 cm-3 ⇒ 1 Ladungsträgerpaar pro ca. 109 Atome

1.3.2 Störstellenleitung
Die Leitfähigkeit eines Halbleiters steigt stark an, wenn dem Kristall Fremdatome zugefügt
werden. (Zugeben von Fremdatomen = Dotieren)
Besonders geeignet sind 3-wertig: B, Al, In
3- bzw. 5-wertige Fremdatome 5-wertig: P, As, Sb

7
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.2.1 Dotierung mit 5-wertigen Fremdatomen

Ein 5-wertiges Fremdatom wird wie ein Halbleiteratom mittels 4 Elektronenpaarbindungen in
den Kristall eingebaut. Das fünfte Valenzelektron des Fremdatoms wird nicht benötigt.

Abbildung 1-8
Dotierung mit
5-wertigem Fremdatom
4+ 4+ 4+

5+ 4+ 4+

4+ 4+ 4+

Da das fünfte Valenzelektron nicht in

einer Elektronenpaarbindung festgehalten
wird, kann es leicht von seinem Rumpfatom ⇒ freies Elektron
abgetrennt werden.
(erforderliche Energie: 10 meV bei Ge; 50 meV bei Si)

Abbildung 1-9
Ionisierung des freies
4+ 4+ 4+ Elektron
5-wertigen Fremdatoms
(n-Leitung) +
positive 5+ 4+ 4+
Raumladung

4+ 4+ 4+

Es bleibt eine ortsfeste, positive ⇒ ortsfeste Raumladung;

Überschussladung des Fremdatoms zurück steht nicht zum Ladungstransport
zur Verfügung
Da das 5-wertige Fremdatom ein Elektron abgibt, wird es Donator genannt
(lateinisch: donare = geben)
Bereits weit unterhalb Zimmertemperatur sind alle Donatoratome ionisiert.

Donatoratome tragen nur durch ⇒ n - leitender Kristall

die abgegebenen Elektronen zur (n = negative Ladungsträger)
Leitfähigkeit bei.

8
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.2.2 Dotierung mit 3-wertigen Fremdatomen

Ein 3-wertiges Fremdatom wird wie ein Halbleiteratom mittels Elektronenpaarbindungen in
den Kristall eingebaut. Allerdings können wegen der 3 Valenzelektronen des Fremdatoms nur
3 Elektronenpaarbindungen gebildet werden. Die vierte Paarbindung kommt nicht zustande

Abbildung 1-10
Dotierung mit 3+ 4+ 4+
3-wertigen
Fremdatomen
4+ 4+ 4+ 4+

4+ 4+ 4+

Da die Elektronenpaarbindungen innerhalb eines Kristalls gleichwertig sind, kann ein

Elektron aus einer Paarbindung eines Nachbaratoms zu dem Fremdatom wechseln und dort
die fehlende vierte Elektronenpaarbindung herstellen.
(erforderliche Energie: 10 meV bei Ge; 50 meV bei Si)

Am Ursprungsort des Elektrons entsteht ein ⇒ Loch

(bewegliche positive Ladung)

Bei dem Fremdatom entsteht eine ⇒ ortsfeste Raumladung;

ortsfeste, negative Überschussladung steht nicht zum Ladungstransport
zur Verfügung
Abbildung 1-11 Ionisierung des 3-wertigen Fremdatoms (p-Leitung)

bewegliche positive
ortsfeste,
3+ 4+ 4+ Ladung (Loch)
negative Ladung

4+ 4+ 4+ 4+

4+ 4+ 4+

Da das 3-wertige Fremdatom ein Elektron aufnimmt, wird es Akzeptor genannt

(lateinisch: accipere = an sich nehmen)
Bereits weit unterhalb Zimmertemperatur sind alle Akzeptoratome ionisiert.

Akzeptoratome tragen nur durch ⇒ p - leitender Kristall

die entstehenden Löcher zur Leitfähigkeit bei (p = positive Ladungsträger)

9
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.3 Ladungsträgerkonzentrationen im dotierten Halbleiter

1.3.3.1 Ladungsträger im thermodynamischen Gleichgewicht
Der homogen dotierte Halbleiter verhält sich im thermodynamischen Gleichgewicht immer
elektrisch neutral, d.h. positive und negative Ladungen kompensieren sich; die
Gesamtkonzentration aller positiven Ladungen ist gleich der Gesamtkonzentration aller
negativen Ladungen (Neutralitätsbedingung)
p0 + ND+ = n0 + NA–
(p0, n0 = Konzentration von Löchern und freien Elektronen;
–
ND+, NA = Konzentration der ionisierten Donator- und Akzeptoratome)
Darüber hinaus gilt –wie wir später sehen werden– im dotierten, ebenso wie im nicht
dotierten Halbleiter im thermodynamischen Gleichgewicht überall das
Massenwirkungsgesetz n0 ⋅ p0 = ni2
Damit erhält man für die Konzentration freier Ladungsträger im thermodynamischen
Gleichgewicht folgende allgemein gültigen Beziehungen
1  +
n0 = ⋅ N D − N A − + (N D + − N A − )2 + 4 ⋅ n i 2 
2  
1 
p0 = ⋅ N A − − N D + + (N A − − N D + )2 + 4 ⋅ n i 2 
2  
Hierbei ist berücksichtigt, dass bei der Bauelemente-Herstellung Kristallbereiche häufig erst
n- und anschließend p- (oder umgekehrt) dotiert werden (Mehrfachdotierung). Wird nur
einfach dotiert, so ist eine der Dotierungskonzentrationen ND bzw. NA gleich Null.(3)
Der Störstellenleitung ist immer die Eigenleitung überlagert.
Die Störstellen werden bereits bei sehr niedrigen Temperaturen ionisiert. Davon ausgehend
wählt man für Halbleiterbauelemente die Dotierungskonzentrationen wesentlich größer als
die im vorgesehenen Temperaturbereich auftretende Intrinsicdichte ni. Die Konzentration
freier Ladungsträger wird dann in dem interessierenden Temperaturintervall von der
Dotierung und nicht durch Eigenleitung bestimmt.
Abbildung 1-12 Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerkonzentration im dotierten
Halbleiter
ln n Eigenleitung
Störstellen- dominiert
Erschöpfung
Störstellen- nges
Reserve
-
NA bzw. ND+
(ionisierte Störstellen)

ni
(Eigenleitung)

200 600 T/K

(3)
Sofern nichts anderes angegeben ist, sind mit den in diesem Buch in der Folge angesprochenen
Dotierungskonzentrationen immer die Netto-Dotierungskonzentrationen gemeint. Z.B. steht ND bei
einem mehrfach dotierten n-Halbleiter mit ND > NA für die Differenz ND – NA der tatsächlichen
Dotierungskonzentrationen.

10
Einführung in die Physik der Halbleiter

Die Abbildung 1-12 zeigt qualitativ den Konzentrationsverlauf freier Ladungsträger aus
-
ionisierten Störstellen NA bzw. ND+, die temperaturabhängige Intrinsicdichte ni, sowie die
Gesamtkonzentration nges, die sich aus der Überlagerung der beiden ergibt.
Zu erkennen sind drei Temperaturbereiche:
1. ein Bereich sehr niedriger Temperaturen (z.B. T < 200 K), in dem noch nicht alle
Störstellen ionisiert sind (Bereich der Störstellenreserve),
2. ein mittlerer Temperaturbereich (z.B. 200 K < T < 500 K), in dem alle Störstellen
ionisiert sind und in dem die Intrinsicdichte geringer ist als die Dotierungskonzentration
(Bereich der Störstellenerschöpfung), sowie
3. ein hoher Temperaturbereich (z.B. T > 500 K), in dem die Konzentration der freien
Ladungsträger aus Eigenleitung die Dotierungskonzentration übersteigt (Bereich
dominierender Eigenleitung; intrinsischer Bereich).
Meist werden Halbleiter im Bereich der Störstellenerschöpfung betrieben. Die Konzentration
freier Ladungsträger aus den Störstellen ist dann konstant und deutlich größer als die Ladungs-
trägerkonzentration aus Eigenleitung. Diese Bedingung ist bei Siliziumbauelementen bis zu
einer Betriebstemperatur von ϑj = 200 °C gewährleistet, wenn die Dotierungskonzentrationen
>>1014 cm-3 gewählt werden (siehe hierzu Abbildung 1-7 und Abbildung 1-12). Mit vergleich-
baren Dotierungen können Germaniumbauelemente nur bis ϑj = 80 °C betrieben werden
1.3.3.2 Majoritätsträger und Minoritätsträger
Die Konzentrationen von freien Elektronen und von Löchern sind im dotierten Halbleiter
nicht gleich.
Die Konzentration nn0 der Elektronen im n-leitenden Material bzw.
die Konzentration pp0 der Löcher im p-leitenden Material ⇒ Majoritätsträger
ist größer als (aus Dotierung)
die Konzentration pn0 der Löcher im n-leitenden Material bzw.
die Konzentration np0 der Elektronen im p-leitenden Material ⇒ Minoritätsträger
(aus Eigenleitung)
1.3.3.3 Ladungsträgerkonzentrationen im n-leitenden Halbleiter
Einfachdotierung
Ein n-leitender Halbleiter liegt vor bei ND >> ni
Majoritätsträger-Konzentration
nn0 ≈ ND+ ≈ ND
Minoritätsträger-Konzentration
Bei reiner Eigenleitung steht im Kristall jedem freien Elektron durchschnittlich genau ein
Loch zur Rekombination gegenüber. Ein Gleichgewicht zwischen Paarbildung und
Rekombination stellt sich dabei ein bei n0 = p0 = ni
Bei Störstellenleitung im n-leitenden Halbleiterkristall stehen den durch Paarbildung
entstandenen Löchern nn0 ≈ ND >> ni Elektronen zur Rekombination gegenüber. Für ein
Loch ist daher die Wahrscheinlichkeit auf ein Elektron als Rekombinationspartner zu treffen
um den Faktor a = nn0/ni ≈ ND/ni größer als bei Eigenleitung.
Die Häufigkeit von Rekombinationen steigt damit um den Faktor a.

11
Einführung in die Physik der Halbleiter

Die Konzentration der Löcher im n-leitenden Halbleiter ist daher um den Faktor a kleiner
als bei reiner Eigenleitung.
Es gilt daher nn0 = a ⋅ ni ≈ ND pn0 = ni /a ⇔ nn0 ⋅ pn0 = ni2
Daraus ergibt sich
pn0 ≈ ni2/ ND
z.B. Silizium mit ni ≈ 1010 cm-3 (T ≈ 300 K)
nn0 ≈ ND = 1014 cm-3 ⇒ a = nn0/ni ≈ 104 Elektronen / Loch
pn0 = ni2/ ND = 106 cm-3
Mehrfachdotierung
Ein n-leitender Halbleiter liegt vor bei ND > NA und (ND – NA) >> ni
Für die Ladungsträgerkonzentrationen gilt:
nn0 ≈ ND+ - NA- ≈ ND - NA und pn0 ≈ ni2/(ND - NA)

1.3.3.4 Ladungsträgerkonzentrationen im p-leitenden Halbleiter

Durch ähnliche Überlegungen wie beim n-leitenden Halbleiter erhält man:
Majoritätsträger-Konzentration
pp0 ≈ NA- ≈ NA (Einfachdotierung mit NA >> ni )
pp0 ≈ NA- - ND+ ≈ NA - ND (Mehrfachdotierung mit (NA – ND) >> ni )
Minoritätsträger-Konzentration
np0 ≈ ni2/NA (Einfachdotierung mit NA >> ni )
np0 ≈ ni2/(NA – ND) (Mehrfachdotierung mit (NA – ND) >> ni )

1.3.4 Massenwirkungsgesetz
Sowohl für eigenleitende wie auch für dotierte Halbleiter gilt das
Massenwirkungsgesetz n0 ⋅ p0 = ni2
Es besagt: Im thermodynamischen Gleichgewicht ist das Produkt der
Konzentrationen von freien Elektronen und von Löchern gleich dem
Quadrat der Gleichgewichtskonzentration bei Eigenleitung.

1.3.5 Leitfähigkeit des Halbleiters

Die Leitfähigkeit κ eines Halbleiterkristalls lässt sich mit Hilfe der Ladungsträgerkonzen-
trationen berechnen.
I dN ⋅ e dx
Mit S= , I= , und
v= A ⋅ dx = dV ergibt sich für
A dt dt
dN v
Ladungsträger der Konzentration n = und der Beweglichkeit µ =
dV E
S I µ I ⋅ µ ⋅ dt I ⋅ µ ⋅ dt dN ⋅ e ⋅ µ ⋅ dt
die Leitfähigkeit: κ= = ⋅ = = = = n ⋅ e ⋅µ
E A v A ⋅ dx dV dt ⋅ dV
Die Leitfähigkeit κ eines Halbleiters mit Elektronen- und Löcherleitung ergibt sich damit
zu: κ = e ⋅ (n ⋅ µn + p ⋅ µp)

12
Einführung in die Physik der Halbleiter

Wegen des komplizierten Bewegungsmechanismus ist die Beweglichkeit der Löcher geringer
als die der freien Elektronen.
Tabelle 3: Ladungsträger-Beweglichkeit in wichtigen Halbleitern bei T = 300 K
für niedrige Dotierung (z.B. NA;D ≤ 1015 cm-3) in cm s cm 2
=
V cm Vs
µn µp
Si 1500 500
Ge 3900 1900
GaAs 8600 480
GaP 450 120
InSb 80000 200
InAs 23000 100
Bei höheren Dotierungen (insb. im Bereich 1016 bis 1018 cm-3) sinkt die Beweglichkeit
deutlich ab (z.B. bei Si annähernd um den Faktor 10 bei ≥ 1019 cm-3). Für die
Temperaturabhängigkeit gilt µ ~ T −3 / 2 .

1.3.6 Erklärung der Leitungsmechanismen im Halbleiter mit Energie-Modellen

1.3.6.1 Energie-Termschema - Energiebändermodell
Die Bahnradien der Elektronen sind ein Abbildung 1-13 Bänder-Schema
Maß für die Energie der Elektronen.
Aus dem Schalenmodell der Elektronen- Radius Energie
bahnen lässt sich damit eine grafische Dar-
stellung der Elektronenenergie ableiten.
N
Ersetzt man die Kreisbögen der Elektro-
nenbahnen eines einzelnen Atoms durch M
gerade Linien, so erhält man das sog. Energie-
Elektronen L
Term-Schema.
-Schalen
Bei Festkörpern / Kristallen aus vielen K
Atomen verschmieren sich die vielen zu
denselben Elektronenschalen gehörenden
Einzellinien zu Bändern; man erhält das sog.
Energie-Bänder-Schema.
Zwischen den einzelnen Energiebändern treten verbotene Zonen auf. Die entsprechenden
Energiebereiche können von Elektronen nicht eingenommen werden.
Am oberen Ende des Energie-Bänder-Schemas folgt auf das Energieband der äußersten
Elektronenschale (Valenzband) ein Energiebereich, bei dem sich ein Elektron vollständig von
seinem Atom löst und dann frei beweglich ist. Man nennt dieses Energieband das
Leitungsband (in Abbildung 1-13 nicht dargestellt).
Für Reaktionen mit anderen Atomen oder für elektrische Vorgänge sind nur die Valenz-
elektronen sowie freie Elektronen bzw. im Energiebändermodell nur das Valenzband und das
Leitungsband von Bedeutung.
Aus diesem Grunde werden üblicherweise nur diese beiden Bänder und das
dazwischenliegende verbotene Band betrachtet und dargestellt.

13
Einführung in die Physik der Halbleiter

Die obere Grenze des Leitungsbandes bildet die Vakuumenergie Wvac. Dies ist jenes
Energieniveau, bei dessen Überschreiten Elektronen den Festkörper verlassen können. Für
Vorgänge innerhalb eines homogenen Halbleiterkristalls ist die Vakuumenergie nicht relevant
und wird deshalb üblicherweise nicht dargestellt.
1.3.6.2 Bändermodelle für verschiedene Stoffe(4)
Halbleiter (nicht dotiert)
Zwischen Valenz- und Leitungsband liegt ein verbotenes Band (Ausdehnung WG).
Verbotenes Band: WG = 0,1 bis < 2,5 eV Abbildung 1-14 Bändermodell eines
z.B. Ge: WG = 0,67 eV Halbleiters
Si: WG = 1,11 eV W
T = 0 K: Valenzband voll besetzt
Leitungsband unbesetzt
Leitungsband
T > 0 K: Durch Energiezufuhr ≥ WG
WC
überwinden einzelne Elektronen das
verbotene Band WG Verbotenes Band
Gleichgewichtskonzentrationen z.B. bei WV
T = 300 K: Ge: ni ≈ 2,3 ⋅ 1013 cm-3
Si: ni ≈ 1,5 ⋅ 1010 cm-3 Valenzband

Die freien Elektronen besetzen Energieniveaus

im Leitungsband. Im Valenzband treten unbesetzte Energieniveaus auf (Löcher).
Nichtleiter (Isolatoren)
Das Bändermodell sieht ebenso aus, wie das eines Halbleiters. Im Gegensatz zu Halbleitern
besitzen sie jedoch einen größeren Bandabstand
WG > 3 eV z.B. Diamant WG = 7 eV
SiO2 WG = 8,8 eV
T = 0 K: keine Leitfähigkeit
T ≥ 300 K: keine Leitfähigkeit
Abbildung 1-15 Bändermodell von
Metalle Metallen
Valenzband und Leitungsband überlappen sich.
W
Kein unbesetztes (verbotenes) Band zwischen
Wvac
Valenzband und Leitungsband.
Übergang der Elektronen vom Valenzband ins Leitungsband
Leitungsband ohne Energiezufuhr möglich. WV
Überlappung
Sehr gute Leitfähigkeit bei 0 K (Supraleitung). WC
(Geringere Leitfähigkeit bei höheren Valenzband
Temperaturen wegen Zusammenstößen der
Elektronen mit den thermisch schwingenden
Atomen).

(4)
In den Bändermodellen bedeuten WC = Energie-Niveau der Unterkante des Leitungsbandes
WV = Energie-Niveau der Oberkante des Valenzbandes
WG = WC – WV = Bandabstand

14
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.7 Energie-Verteilung der freien Elektronen und der Löcher

1.3.7.1 Zustandsdichte und Fermi-Dirac-Verteilung
Zustandsdichte Abbildung 1-16 Zustandsdichte
Die Anzahl besetzbarer Energie-Terme im W
Valenzband und im Leitungsband ist begrenzt.

Die Dichte der verfügbaren Energie-Terme pro

Energieintervall dW wird Zustandsdichte Dn(W)
D(W) genannt. In der Nähe der Bandkanten WC
WC und WV gilt näherungsweise
⇒ D p (W) ~ WV − W WV
Dp(W)
⇒ D n (W) ~ W − WC

Fermi-Dirac-Verteilung - Fermi-Niveau Abbildung 1-17 Fermi-Dirac-Verteilung

Für die Wahrscheinlichkeit P(W), dass ein
verfügbarer Energieterm tatsächlich durch ein W 500 K
Elektron besetzt ist, gilt die Fermi-Dirac-
Verteilung: 300 K
0K
1
P(W) =
W − WF WF
1 + exp
kT

mit k = 1,38⋅10-23 JK-1 (Boltzmann-Konstante)

T = absolute Temperatur
WF = Fermi-Niveau (Fermi-Kante) P(W)
0 0,5 1

T = 0 K: Alle Energie-Niveaus unterhalb WF sind von Elektronen besetzt, alle Niveaus

oberhalb WF sind unbesetzt (Sprungfunktion bei WF)
T > 0 K: - Übergang nicht mehr sprunghaft.
- Besetzungswahrscheinlichkeit bei WF gerade 50% (P(WF) = 0,5)

Lage des Fermi-Niveaus W

Abbildung 1-18 Fermi-Niveau beim reinen

Leitungsband
Halbleiter
WC

Beim reinen (nicht dotierten) Halbleiter WF

liegt das Fermi-Niveau etwa in der Mitte des WV
verbotenen Bandes. Valenzband

15
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.7.2 Energie-Bändermodelle für Eigenleitung

T = 0 K: Nach der Fermi-Dirac-Verteilung sind nur Energiezustände unterhalb der
Fermi-Kante möglich
⇒ Das Valenzband ist vollständig mit Elektronen besetzt.
⇒ Das Leitungsband ist leer.
⇒ Es ist keine Stromleitung möglich.
T > 0 K: Durch Energiezufuhr ≥ WG werden Elektronen vom Valenzband ins
Leitungsband angehoben, es entstehen
Paarbildung ⇒ freie Elektronen im Leitungsband und
⇒ (bewegliche) Löcher im Valenzband.

Rekombination Ein Elektron aus dem Leitungsband fällt in ein Loch im Valenzband.
⇒ Das Elektron gibt Energie ab (Strahlung, Gitterschwingungen).
⇒ Die beweglichen Ladungsträger löschen sich gegenseitig aus.
Zwischen Paarbildung und Rekombination stellt sich ein temperaturabhängiges
Gleichgewicht ein.
Die Energieverteilung der Ladungsträgerkonzentrationen ergibt sich aus dem Produkt aus
Besetzungswahrscheinlichkeit (Fermi-Dirac-Verteilung) und Zustandsdichte.
⇒ n(W) = P(W) ⋅ Dn(W) (Energieverteilung der Elektronen im Leitungsband)
⇒ p(W) = [1 - P(W)] ⋅ Dp(W) (Energieverteilung der Löcher im Valenzband)
(mit n(W), p(W) = Ladungsträgerdichte pro Intervall dW)

W W W Fläche = ni

Abbildung 1-19
Energie-Verteilung Dn(W) n(W)
der Ladungsträger WC
bei Eigenleitung WF WF
WV
Dp(W) p(W)

Pn(W)
0 0,5 1

Integration über das gesamte Leitungsband ergibt die Gesamtkonzentration freier Elektronen,
Integration über das gesamte Valenzband die Gesamtkonzentration der Löcher,
W∞ Wvac
z.B. n= ∫ n(W) ⋅ dW ≈ ∫ Pn (W) ⋅ D n (W) ⋅ dW (= ni für Eigenleitung)
WC WC

16
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.3.7.3 Energie-Bändermodelle für Störstellenleitung

Dotierung des Halbleiters ⇒ es treten Energie-Terme im verbotenen Band auf
mit Fremdatomen ⇒ sog. Störterme

n-dotierter Halbleiter
Abbildung 1-20 Bändermodell des
n-Halbleiters
Es treten Störterme der Donatoratome knapp
unterhalb der Leitbandkante auf W
(Energie-Term (= Energie-Niveau) des nicht
zum Kristallaufbau benötigen 5. Elektrons)
Leitungsband
WD = Energie-Niveau der Störterme
WC
WF
Zur Abtrennung des fünften Elektrons vom WD
Donatoratom reicht die geringe
WV
Energiedifferenz ∆WD zwischen Störterm und
Leitungsband-Unterkante Valenzband

Si: ∆WD = WC - WD = 50 meV

Ge: ∆WD = WC - WD = 10 meV

Das Elektron wird dabei vom Donatorniveau WD ins Leitungsband angehoben und besetzt
ein dort vorhandenes Energieniveau.
Der Störterm ist dann nicht mehr von einem Elektron besetzt. Die Störstelle wird positiv
geladen (ortsfeste positive Ladung; kein bewegliches Loch)
Das Fermi-Niveau verschiebt sich in Richtung auf das Leitungsband und zwar um so mehr,
je höher die Konzentration ND+ ionisierter Donatoratome ist. Der Abstand des Ferminiveaus
von der Leitbandkante beträgt (in Ws):
WC – WF = k⋅T⋅ln(NC/ND+) (Umrechnung in eV durch Division durch 1,6⋅10-19Ws/eV)
Dabei ist NC = 2,86⋅1019cm-3 die effektive Zustandsdichte des Leitungsbandes.

W W W

Abbildung 1-21 n(W)

Energie-Verteilung WC Dn(W)
der Ladungsträger WF
im n-Halbleiter
WV
Dp(W) p(W)
Pn(W)

0 0,5 1

17
Einführung in die Physik der Halbleiter

p-dotierter Halbleiter
Abbildung 1-22 Bändermodell des
Es treten Störterme der Akzeptoratome knapp p-Halbleiters
oberhalb der Valenzbandkante auf
W
(Energie-Term des zum Kristallaufbau
benötigten aber fehlenden vierten Valenz-
Elektrons; zunächst unbesetzt) Leitungsband
WA = Energie-Niveau der Störterme
WC
Zur Herstellung der fehlenden vierten
WA
Elektronenpaarbindung des Akzeptoratoms
WF
durch ein Valenz-Elektron aus einer WV
Paarbindung eines Nachbaratoms reicht die
Valenzband
geringe Energiedifferenz ∆WA

Si: ∆WA = WA - WV = 50 meV

Ge: ∆WA = WA - WV = 10 meV
Das Elektron wird aus dem Valenzband auf das Akzeptorniveau WA angehoben. Der
Störterm wird dabei von dem zugewanderten Elektron besetzt (ortsfeste negative Ladung).
Im Valenzband bleibt das unbesetzte Energieniveau des entstandenen Loches zurück.
Das Fermi-Niveau verschiebt sich in Richtung auf das Valenzband und zwar um so mehr, je
höher die Konzentration NA- ionisierter Akzeptoratome ist. Mit NV = 3,1⋅1019cm-3
(= effektive Zustandsdichte des Valenzbandes) beträgt der Abstand des Ferminiveaus von der
Valenzbandkante (in Ws):
WF – WV = k⋅T⋅ln(NV/NA-)

W W W
Abbildung 1-23
Energie-Verteilung n(W)
der Ladungsträger Dn(W)
WC
beim p-Halbleiter

WF
WV
Dp(W) p(W)
Pn(W)

0 0,5 1

Vergleicht man Abbildung 1-19, Abbildung 1-21 und Abbildung 1-23, so ist zu erkennen, dass
die beweglichen Ladungsträger in allen Fällen vorzugsweise Energien in der Nähe der
Bandkanten einnehmen. Im Inneren der Bänder finden sich kaum bewegliche Ladungsträger.
Wie Sandkörnchen in einer Flüssigkeit zum Boden absinken, so halten sich die freien
Elektronen vorzugsweise am unteren Ende des Leitungsbandes in der Nähe der Leitband-
kante WC auf. Wie Luftbläschen in einer Flüssigkeit zur Oberfläche aufsteigen, so halten sich
die Löcher vorzugsweise am oberen Ende des Valenzbandes in der Nähe der Valenz-
bandkante WV auf.

18
Einführung in die Physik der Halbleiter

1.4 Übungsaufgaben zur Physik der Halbleiter

Aufgabe 1-1: Ladungsträger
(a) Welche Ladungsträger können in Halbleitern an der Stromleitung beteiligt sein ?
(b) Was versteht man unter einem Loch ?
Aufgabe 1-2: Leitungsmechanismen
(a) Was versteht man unter Paarbildung ?
(b) Was versteht man unter Rekombination ?
(c) Was versteht man unter Dotieren ?
(d) Was versteht man unter n-Leitung ?
(e) Was versteht man unter p-Leitung ?
(f) Was versteht man unter Majoritätsträgern und unter Minoritätsträgern ?
(g) Was versteht man unter Störstellenerschöpfung ?
Aufgabe 1-3: Massenwirkungsgesetz
(a) Wie lautet das Massenwirkungsgesetz ?
(b) Berechnen Sie die Minoritätsträgerdichte bei einer Dotierung mit ND = 1,1⋅1016 cm-3
und NA = 1015 cm-3 für einen Silizium- und für einen Germanium-Kristall bei T = 300 K.
Sind die Minoritätsträger Elektronen oder Löcher ?
(c) Wiederhole die Berechnung nach (b) für T = 400 K (≈ 127 °C).
(Beachte die Temperaturabhängigkeit von ni gemäß Abschnitt 1.3.1.3)
(d) Wie groß sind Elektronen und Löcherkonzentration bei NA = ND = 1016 cm-3
und ni = 1,5⋅1010 cm-3
Aufgabe 1-4: Energie-Bänder-Schema
(a) Was versteht man unter Valenzband, Leitungsband und verbotenem Band ?
(b) Was versteht man unter 1 eV (Elektronenvolt) ?
(c) Was versteht man unter Bandabstand ?
(d) Wie viel Energie ist mindestens erforderlich, um in einem Siliziumkristall eine Elektron
vom Valenzband ins Leitungsband anzuheben ? (Dieselbe Aufgabe für Germanium)
(e) Was versteht man unter Störtermen ?
Wo liegen die Störterme beim n-dotierten und beim p-dotierten Halbleiter ?
(f) Welche Bedeutung hat das Fermi-Niveau ?
(g) Wo liegt das Fermi-Niveau beim reinen Halbleiter (keine Dotierung) ?
(h) In welche Richtung verschiebt sich das Fermi-Niveau beim n-dotierten Halbleiter und
beim p-dotierten Halbleiter ?
(i) Wo innerhalb des Leitungsbandes tritt die höchste Elektronendichte auf ?
(j) Wo innerhalb des Valenzbandes tritt die höchste Löcherdichte auf ?

19
Der pn-Übergang

2 Der pn-Übergang
pn-Übergang = Grenzfläche (Grenzschicht) zwischen einer n-dotierten und einer
p-dotierten Zone innerhalb eines monokristallinen Halbleiters.
Der pn-Übergang ist das Grundelement zahlreicher Halbleiter-Bauelemente:
z.B. - Diode, Sperrschicht Feldeffekt-Transistor 1 pn-Übergang
- bipolarer Transistor 2 pn-Übergänge
- Thyristor, Thyristordiode (Vierschichtdiode) 3 pn-Übergänge
- Triac, Zweirichtungs-Thyristordiode 4 pn-Übergänge

2.1 Der pn-Übergang ohne äußere Spannung

2.1.1 Der ideale abrupte pn-Übergang
Beim idealen, abrupten pn-Übergang grenzt eine bis zur Grenzfläche homogen dotierte
p-Zone an eine ebenfalls bis zur Grenzfläche homogen dotierte n-Zone.

Abbildung 2-1
p n
Idealer, abrupter pn-Übergang

Die Dotierung des Halbleiterkristalls ändert sich an der Grenzfläche sprunghaft.

Abbildung 2-2 NA
Dotierungsverlauf (z.B. NA > ND) ND

2.1.2 Ladungsträgerdiffusion - Bildung einer Raumladungszone

Beiderseits des pn-Überganges liegen erheblich unterschiedliche Konzentrationen für jede der
beiden entstehenden Arten freier Ladungsträger vor.
Als Folge des Konzentrationsunterschiedes und ihrer thermischen Bewegung diffundieren
Elektronen vom n-Gebiet ins p-Gebiet und rekombinieren dort mit Löchern. Umgekehrt
diffundieren Löcher aus dem p-Gebiet ins n-Gebiet und rekombinieren dort mit Elektronen.
(Beachte: Nur freie Ladungsträger können wandern; ortsfeste Ladungen bleiben zurück).
Auf der p-Seite reduziert sich die Anzahl der Löcher (durch Abwandern und durch
Rekombination mit eingewanderten Elektronen). Den ortsfesten negativen Raumladungen
steht daher eine reduzierte Anzahl positiver Ladungen (Löcher) gegenüber. Die p-Zone hat
sich damit negativ aufgeladen.
Auf der n-Seite reduziert sich die Anzahl der freien Elektronen (durch Abwandern und durch
Rekombination mit eingewanderten Löchern). Den ortsfesten positiven Raumladungen steht
daher eine reduzierte Anzahl negativer Ladungen (Elektronen) gegenüber. Die n-Zone hat
sich damit positiv aufgeladen.
Das dabei entstehende elektrische Feld wirkt einer weiteren Diffusion entgegen und
verhindert einen vollständigen Konzentrationsausgleich. Es stellt sich ein Gleichgewicht ein
zwischen dem Bestreben, dem Konzentrationsgefälle folgend über den pn-Übergang zu
diffundieren, und der entgegenwirkenden Kraft des entstehenden elektrischen Feldes.
Die elektrisch nicht kompensierten ortsfesten Ladungen stoßen die Majoritätsträger der
jeweils anderen Seite des pn-Übergangs ab. Diese werden vom pn-Übergang weggedrängt.

20
Der pn-Übergang

In der näheren Umgebung des pn-Übergangs tritt eine Zone (fast) ohne freie Ladungsträger
auf (Verarmungszone). Dort finden sich nur die verbliebenen ortsfesten Raumladungen
(Raumladungszone). In größerer Entfernung von der Grenzschicht bleiben die durch die
Dotierung verursachten Ladungsträgerkonzentrationen erhalten.

Abbildung 2-3
Ladungsträger am pn-Übergang

freies Elektron
ortsfeste negative Ladung
elektrisch neutral elektrisch neutral
Loch
ortsfeste positive Ladung negative positive
Raumladung Raumladung
2.1.3 Ladungsträgerdichte
Der Übergang der Majoritätsträger-Konzentration der einen Seite zur Minoritätsträger-
Konzentration der anderen Seite erfolgt stetig in der Umgebung des pn-Übergangs.
Überall gilt das Massenwirkungsgesetz n0 ⋅ p0 = ni2

Löcherdichte Elektronendichte
1016
Abbildung 2-4 pp0 ≈ NA 15
nn0 ≈ ND 5⋅10
Ladungsträgerdichte (pro cm3)
(logarithmischer Maßstab) 1010 ni

2⋅104
104 pn0
np0 xp 0 xn

Abbildung 2-5
pp0
Ladungsträgerdichte nn0
(linearer Maßstab)
np0 pn0
0
2.1.4 Raumladungsdichte
Die Raumladungsdichte hat beim abrupten pn-Übergang auf beiden Seiten des pn-Übergangs
jeweils einen annähernd rechteckigen Verlauf. Sie lässt sich daher mit folgenden Gleichungen
angeben:
ρp ≈ - e ⋅ NA- (Dichte der ortsfesten negativen Ladung in der p-Zone)
+
ρn ≈ e ⋅ ND (Dichte der ortsfesten positiven Ladung in der n-Zone)
ρ ρn
Abbildung 2-6
Raumladungsdichte xp
0 xn x
(linearer Maßstab)

ρp
Die beiden Raumladungen Qp und Qn sind betragsmäßig gleich groß; bei unterschiedlicher
Raumladungsdichte auf den beiden Seiten des pn-Überganges (aufgrund unterschiedlicher
Dotierungskonzentration) dehnen sie sich unterschiedlich weit aus (xp und xn)
xp ⋅ ρp = xn ⋅ ρn

21
Der pn-Übergang

2.1.5 Diffusionsspannung
Durch die Raumladungen wird ein elektrisches Feld hervorgerufen. Den Feldstärkeverlauf
erhält man durch Integration der Raumladungsdichte
1 x
E( x ) = ∫ ρ( x ) ⋅ dx
εx
p

Bei dem rechteckigen Verlauf der Raumladungsdichte ergibt sich ein dreieckförmiger Verlauf
der Feldstärke. E(x)
xp xn
Abbildung 2-7 0 x
Elektrische Feldstärke
am pn-Übergang

Durch Integration der elektrischen Feldstärke erhält man den Verlauf des elektrischen
Potenzials
x
ϕ( x ) = − ∫ E( x ) ⋅ dx ϕ(x)
xp
Abbildung 2-8 UD
Potenzialverlauf und
Diffusionsspannung x
xp 0 xn
Die gegenseitige Aufladung von p- und n-Zone führt zu einer elektrischen Spannung
zwischen den beiden Zonen. Man nennt diese Spannung die Diffusionsspannung UD.
Die Diffusionsspannung wirkt einem völligen Ausgleich der Ladungsträgerkonzentration
durch den Diffusionsstrom entgegen. Sie wird deswegen mitunter auch Antidiffusions-
spannung genannt.
Es stellt sich ein thermodynamisches Gleichgewicht zwischen Diffusionsstrom
dn
ID = A ⋅ e ⋅ Dn ⋅ und entgegengerichtetem Feldstrom I F = A ⋅ κ ⋅ E = A ⋅ e ⋅ n ⋅ µ n ⋅ E ein.
dx
Durch Gleichsetzen der beiden Ströme (ID = - IF) und Integration der darin enthaltenen
Feldstärke über die gesamte Raumladungszone erhält man die Diffusionsspannung:
xn n
D n
dn D n n N ⋅N
UD = − ∫ E(x) ⋅ dx = n ⋅ ∫ = ⋅ ln n0 = U T ⋅ ln A 2 D
x
µn n n µn n p0 ni
p p

Dn k ⋅T
mit = UT = (nach Einstein)
µn e
Die Temperaturspannung UT ist ein Spannungs-Äquivalent für die mittlere Energie der
Elektronen bei der Temperatur T. [Mittl. Elektronenenergie = e⋅UT = k⋅T]
Zahlenbeispiel:
T = 300 K ⇒ k ⋅ T 1,38 ⋅ 10 −23 Ws ⋅ K −1 ⋅ 300K
UT = = ≈ 26mV
e 1,6 ⋅ 10−19 As
Germanium: ni ≈ 2,4 ⋅ 1013 cm-3 NA = 1015 cm-3 ND = 1015 cm-3 ⇒ UD ≈ 200 mV
10 -3 15 -3 15 -3
Silizium: ni ≈ 1,5 ⋅ 10 cm NA = 10 cm ND = 10 cm ⇒ UD ≈ 600 mV

22
Der pn-Übergang

Die Diffusionsspannung kann von außen nicht gemessen werden, da sich an den äußeren
Kontakten ebenfalls Diffusionsspannungen einstellen, die der Diffusionsspannung am pn-
Übergang entgegengerichtet sind. Die Summe aller Diffusionsspannungen ergibt 0.

2.1.6 Sperrschichtweite
Die Raumladungszone dehnt sich aus von xp bis xn. Diese Ausdehnung wird
Sperrschichtweite WS genannt. Im spannungslosen Zustand beträgt die Sperrschichtweite:
2ε 1 1
WS0 = ⋅( + ) ⋅ UD
e NA ND

z.B. Silizium: εr = 11,7 ε0 = 8,854 ⋅ 10-12 F/m

NA = ND = 1015 cm-3 UD = 0,6 V
2 ⋅ 11,7 ⋅ 8,854 ⋅ 10−14 As 2cm3
WS0 = ⋅ ⋅ 0,6V = 1,25µm
1,6 ⋅ 10−19 As ⋅ V ⋅ cm 1015

2.1.7 Sperrschichtkapazität
In der Raumladungszone sind elektrische Ladungen enthalten. Der Raumladungszone kann
daher eine Kapazität zugeordnet werden. In Anlehnung an einen Plattenkondensator kann die
Größe der Kapazität angegeben werden:
A A
C = ε⋅ ⇒ CS = ε ⋅
d WS
Mit der Sperrschichtweite WS0 ergibt sich eine auf die Sperrschichtfläche A bezogene
Sperrschichtkapazität des spannungslosen pn-Übergangs von:
C S0 ε ε ⋅ e ⋅ NA ⋅ ND
c S0 = = =
A WS0 2 ⋅ (N A + N D ) ⋅ U D

z.B. Silizium: WS0 = 1,25 µm ⇒ cS0 = CS0/A ≈ 8,3 nF/cm2

2.1.8 Energiebänder-Modell des pn-Überganges

Für den pn-Übergang lässt sich ein Energiebänder-Schema zeichnen. Charakteristisch für den
spannungslosen pn-Übergang ist, dass sich das Fermi-Niveau beiderseits der Grenzschicht
auf gleiche Höhe einstellt (thermodynamisches Gleichgewicht). W Energieschwelle n
für Elektronen
Abbildung 2-9
Energiebänder-Schema des WC
UD ⋅ e
spannungslosen pn-Übergangs
xp
xn WF
Wn = Elektronen-Energie WV
WC = Leitband-Kante
WV = Valenzband-Kante p
WF = Fermi-Niveau n
Energieschwelle
für Löcher

Da sich die freien Elektronen im Leitungsband des n-Gebiets vorzugsweise in der Nähe der
Leitbandkante aufhalten, können sie nicht ins energetisch höherliegende Leitungsband des p-
Gebiets überwechseln (Energieschwelle ∆W = UD ⋅ e).
Ähnliches gilt für die Löcher im Valenzband des p-Gebiets, die sich hauptsächlich an der
Valenzbandkante aufhalten.

23
Der pn-Übergang

2.2 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung

2.2.1 Sperrpolung

Abbildung 2-10 p n
Spannung in Sperrpolung
am pn-Übergang
UR

Legt man an den pn-Übergang eine äußere Spannung UR so an, dass der Minuspol am p-
Gebiet, der Pluspol am n-Gebiet anschließt, so addiert sich die äußere Spannung zu der
Diffusionsspannung am pn-Übergang:
Upn = UD + UR (Index R: reverse voltage)

Das von der externen Spannung verursachte elektrische Feld übt Kräfte auf die beweglichen
Ladungsträger im Halbleiter aus. Die Majoritätsträger werden von den jeweils angrenzenden
Spannungspolen angezogen. Die Minoritätsträger werden von den angrenzenden
Spannungspolen abgestoßen.
Majoritätsträger
Abbildung 2-11
Kraftwirkungen auf die Minoritätsträger
Ladungsträger bei Sperrpolung

2.2.1.1 Verhalten der Majoritätsträger bei Sperrpolung

- Die externe Spannung vergrößert die durch UD gebildete Potenzialbarriere.
- Es ist kein Strom von Majoritätsträgern über den pn-Übergang hinweg möglich.
- Der pn-Übergang sperrt ⇒ Sperrpolung

Die Majoritätsträger werden vom pn-Übergang weg nach außen gezogen.

Hierdurch vergrößert sich die Raumladungszone.

Abbildung 2-12 Vergrößerung der Raumladungszone durch äußere Sperrspannung

ohne äußere Spannung mit Sperrspannung

WS0 WSR

UR

24
Der pn-Übergang

Die Sperrschichtweite wächst mit der Sperrspannung

2ε 1 1 UD + UR (UR positiv einsetzen)

WSR = ⋅( + ) ⋅ ( U D + U R ) = WS0 ⋅
e NA ND UD

Die Sperrschicht-Kapazität sinkt mit wachsender Sperrspannung

CS ε UD
cS = = = c S0 ⋅ (cS0 = Kapazität des spannungslosen pn-Übergangs)
A WSR UD + UR

2.2.1.2 Verhalten der Minoritätsträger bei Sperrpolung

Die Minoritätsträger werden vom jeweils benachbarten Pol der äußeren Sperrspannung
abgestoßen, vom jeweils entgegengesetzten Pol angezogen. Sie werden daher ins
Kristallinnere in Richtung auf den pn-Übergang verschoben.
Für die Minoritätsträger stellen Diffusionsspannung und angelegte Sperrspannung keine
Potenzialbarriere sondern eine Beschleunigungsspannung dar.
In den Bereich der Raumladungszone geratene oder dort durch Paarbildung entstandene
Minoritätsträger werden daher von dem dort herrschenden elektrischen Feld beschleunigt und
durch den pn-Übergang hindurch bewegt.
Durch die Minoritätsträger wird daher ein kleiner Strom in Sperrrichtung (Sperrstrom)
verursacht.
Da die Minoritätsträger durch das elektrische Feld in der Raumladungszone abgesaugt
werden, aber nur wenige nachfließen, sinkt ihre Konzentration am Rand der
Raumladungszone stark ab. Die Minoritätsträgerdichten am Rande der Raumladungszone
lassen sich nach folgenden Gleichungen angeben:
UR UR
− −
UT UT
n p ( x p ) = n p0 ⋅ e p n (x n ) = p n 0 ⋅ e

Für UR >> UT (z.B. UR > 0,5 . . 1V), also bereits für kleine Sperrspannungen gehen diese
Konzentrationen gegen 0. xp xn
pp
nn
Abbildung 2-13
Konzentration der Ladungsträger ni
bei Sperrpolung UR ≈ 0,1V
UR = 0 pn
(logarithmischer Maßstab) np

UR > 0,5V
Abbildung 2-14 p,n
Konzentration der Minoritätsträger pn0
außerhalb der Raumladungszone bei np0
Sperrpolung (linearer Maßstab)
np0, pn0 = Minoritätsträgerdichten
ohne äußere Spannung 0 x
xp xn
Innerhalb der Raumladungszone und in deren unmittelbaren Nähe gilt das
Massenwirkungsgesetz nicht mehr.

25
Der pn-Übergang

Sperrsättigungsstrom
Bereits bei kleinen Sperrspannungen werden am Rande der Raumladungszone alle
Minoritätsträger abgesaugt und die Minoritätsträgerdichte sinkt auf 0.
Bei steigender Sperrspannung können daher keine zusätzlichen Minoritätsträger abgesaugt
werden. Der Sperrstrom erreicht bereits bei kleinen Sperrspannungen einen Sättigungswert
und steigt bei höheren Sperrspannungen nicht an.
Lp L
I S = A ⋅ e ⋅ (p n 0 ⋅ + n p0 ⋅ n ) mit A = Fläche des pn-Überganges
τp τn

L p, n Diffusionslänge der Minoritätsträger

und mit =
τ p, n Minoritätsträger − Lebensdauer

Bei T = 300K beträgt der Sperrsättigungsstrom bei Silizium IS/A ≈ 10-9 . . 10-11 A/mm2.
Bänderschema des pn-Überganges in Sperrpolung

WC
Minoritätsträger UD ⋅ e
Abbildung 2-15
Bänderschema des pn-Überganges UR ⋅ e
in Sperrpolung WV
UR ⋅ e
WF
Majoritätsträger
Minoritätsträger

p n
Die Energiebarriere (Potenzialbarriere) für Majoritätsträger wächst (z.B. Elektronen können
nicht von n-Zone zur p-Zone übertreten).
Für Minoritätsträger wirkt die Potenzialschwelle beschleunigend (z.B. werden Elektronen aus
der p-Zone durch die Raumladungszone zur n-Zone gezogen)

2.2.2 Flusspolung
p n
Abbildung 2-16 Flusspolung

UF
Legt man an den pn-Übergang eine externe Spannung UF mit dem Pluspol am p-Gebiet und
dem Minuspol am n-Gebiet, so werden die Majoritätsträger von den benachbarten äußeren
Anschlüssen abgestoßen und in Richtung auf den pn-Übergang verschoben.
Majoritätsträger
Abbildung 2-17 Elektronenaustritt Elektronenzufuhr
Ladungsträgerbewegung Minoritätsträger
bei Flusspolung

26
Der pn-Übergang

Dadurch sinkt die Dicke der Raumladungszone; die Sperrschichtweite nimmt ab.
ohne äußere Spannung

Abbildung 2-18
Verkleinerung der
Raumladungszone bei Flusspolung WS0
mit Flussspannung

WSF

UF
Durch die externe Spannung wird die von der Anti-Diffusionsspannung UD gebildete
Potenzialdifferenz über dem pn-Übergang abgebaut:
Upn = UD - UF (Index F: forward-voltage)
Die externe Spannung wirkt der Anti-Diffusionsspannung entgegen. Die Potenzialschwelle
für Majoritätsträger wird reduziert.
Zunächst gelingt es den schnellsten (energiereichsten) Majoritätsträgern den Potenzialwall zu
überwinden; es fließt ein noch kleiner Majoritätsträgerstrom über den pn-Übergang.
Die Majoritätsträger durchdringen den pn-Übergang, dringen in das Nachbargebiet ein und
rekombinieren mit den dortigen Majoritätsträgern.
Mit wachsender äußerer Spannung wird die Anti-Diffusionsspannung mehr und mehr
abgebaut. Der Strom über den pn-Übergang nimmt exponentiell zu ⇒ Durchlassstrom.
Der Flussstrom über den pn-Übergang ist ein reiner Diffusionsstrom (wegen des
existierenden Konzentrationsgefälles), kein Feldstrom.
Löcherdichte Elektronendichte
pp ≈ NA
Abbildung 2-19 nn ≈ ND
Ladungsträgerkonzentration
xp xn
bei Flusspolung ni
p n0 ⋅ eUF UT
n p0 ⋅ e U F U T
pn0
np0
Da sich nun zusätzliche eingewanderte (und noch nicht rekombinierte) Ladungen außerhalb,
aber nahe der Raumladungszone aufhalten, spricht man von einer Diffusionskapazität und
von einer Speicherladung.
Innerhalb der Raumladungszone und in deren Nähe gilt das Massenwirkungsgesetz nicht
mehr.

27
Der pn-Übergang

Abbildung 2-20 zeigt das Energiebänderschema des pn-Übergangs bei Flußpolung. Die
Energiebarriere zwischen p- und n-Zone ist um den Betrag UF ⋅ e reduziert; das Ferminiveau
zeigt zwischen den beiden Seiten dieselbe Differenz. Majoritätsträger diffundieren durch die
Raumladungszone. Wn reduzierte
Energieschwelle
Abbildung 2-20
Energiebänder-Schema WC
(UD - UF) ⋅ e
bei Flußpolung
xp WF

WV xn

p n

Ist die Dotierung von p- und n-Zone unterschiedlich hoch, so stellen sich entsprechend
unterschiedlich hohe Majoritätsströme Ip und In durch die Raumladungszone ein.
RZ
Abbildung 2-21 I Iges
Stromanteile von
Elektronen (In) und Löchern (Ip) Ip In
In der Abbildung ist die Raumladungszone RZ stark
vergrößert dargestellt. Die Rekombination in der RZ
ist vernachlässigbar. x
xp xn
Die außen angelegte Flussspannung baut die dem Diffusionsstrom entgegenstehende
Potenzialdifferenz UD maximal bis auf 0 ab; der Aufbau einer Spannung mit umgekehrter
Polarität über dem pn-Übergang ist nicht möglich.
Wird die außen angelegte Spannung nach völligem Abbau von UD weiter erhöht, so wird der
Durchlassstrom nur noch durch die Bahnwiderstände der p- und n-Zonen begrenzt.

2.2.3 Durchbruch bei hoher Feldstärke in Sperrpolung

Bei geringer Sperrschichtweite treten hohe Feldstärken im Sperrbetrieb auf. Übersteigt die
Feldstärke bestimmte Werte, so wächst der Sperrstrom stark über den Sperrsättigungsstrom
an. Man spricht vom Durchbruch des pn-Überganges.
Für den Sperrstromanstieg sind zwei unterschiedliche Mechanismen verantwortlich:
der Lawineneffekt oder der Zenereffekt.
2.2.3.1 Lawinen-Effekt
Elektronen, die innerhalb der Raumladungszone eines pn-Überganges durch Paarbildung
entstehen oder aus den angrenzenden Halbleiterzonen in die Raumladungszone
eindiffundieren, werden durch ein elektrische Feld innerhalb der Raumladungszone
beschleunigt; sie nehmen kinetische Energie auf.
Bei hinreichend großer elektrischer Feldstärke nehmen die Elektronen soviel Energie auf,
dass sie beim Zusammentreffen mit einem Gitteratom eine Elektronenpaarbindung
aufbrechen und ein Elektron aus dem Gitterverband herausschlagen können.

Abbildung 2-22
Lawineneffekt durch p n
Stoßionisation
Raumladungs-
zone
28
Der pn-Übergang

Aus ursprünglich einem freien Elektron werden durch Stoßionisation zwei freie Elektronen
und ein Loch. Bei ausreichend großer Sperrschichtweite können die beiden nun vorhandenen
freien Elektronen erneut Energie aufnehmen, so dass sie ebenfalls zur Stoßionisation in der
Lage sind. Dieser Vorgang kann sich mehrmals wiederholen.
Ist die Feldstärke ausreichend groß, um die ersten Stoßionisationen auszulösen, so tritt bei
geringem weiterem Anstieg der Sperrspannung ein lawinenartiger Anstieg der Konzentration
freier Ladungsträger und damit des Sperrstromes auf.
Der Lawineneffekt benötigt neben einer hohen elektrischen Feldstärke eine ausreichende
Sperrschichtweite, damit ein Elektron beim Durchqueren der Raumladungszone mehrmals
die zur Stoßionisation notwendige Energie aufnehmen kann.
Die erforderliche große Sperrschichtweite tritt auf bei Dotierungen bis maximal
1017 . . . 1018 cm-3.
Der Lawineneffekt tritt je nach Sperrschichtweite (je nach Dotierung) auf bei
Sperrspannungen von > 5 V . . . 200V . . . 5 kV(!).
Da die freie Weglänge der Elektronen mit steigender Temperatur abnimmt, besitzt die
Durchbruchspannung beim Lawineneffekt einen positiven Temperaturkoeffizienten α U Z > 0
(näherungsweise: α U Z ≈ 0,1% / K ) (Durchbruchspannung steigt mit wachsender
Temperatur)
2.2.3.2 Zener-Effekt
Der Zener-Effekt tritt auf bei sehr hoher Dotierung (Dotierung > 1018 . . . 1019 cm-3). Dabei
ist die Sperrschichtweite zu gering zum Zustandekommen des Lawineneffektes und es
können noch höhere Feldstärken in der Raumladungszone auftreten.
Bei hohen Feldstärken (Ge: 100 kV/cm; Si: 300 kV/cm; GaAs: 400 kV/cm; SiO2: 6
MV/cm) werden die vom Feld auf die Valenzelektronen der Gitteratome wirkenden Kräfte so
groß, dass Elektronen aus ihren Paarbindungen herausgerissen werden (innere Feldemission).
Wie beim Lawineneffekt tritt beim Überschreiten einer bestimmten Durchbruchspannung ein
steiler Sperrstromanstieg auf.
Der Zenereffekt lässt sich auch am Energiebänder-Schema des pn-Überganges erläutern.
W
p RZ n
Abbildung 2-23 WC
Der Zenereffekt WV

x
xp xn
Schon bei geringer Sperrspannung stehen den Valenzelektronen des p-Gebiets freie Plätze auf
gleicher energetischer Höhe im räumlich benachbarten Leitungsband des n-Gebietes
gegenüber.
Bei der sehr geringen Sperrschichtweite können Valenzelektronen der p-Zone auf gleichem
Energieniveau ins Leitungsband der n-Seite tunneln. Der Zener-Effekt ist ein Tunnel-Effekt.
Die Tunnelwahrscheinlichkeit steigt mit wachsender Feldstärke exponentiell an. Daraus folgt
ein steiler Anstieg des Sperrstromes bei geringem Anstieg der Sperrspannung.

29
Der pn-Übergang

Die Durchbruchspannung liegt beim Zenereffekt bei Werten von UZ < 6 ... 8 V. Sie hat
einen negativen Temperaturkoeffizienten α U Z < 0 (näherungsweise: α U Z ≈ −0,1% / K ).

Überlappung von Lawinen- und Zener-Effekt

Im Bereich 5 V ≤ UZ ≤ 8 V treten Zener- und Lawineneffekt nebeneinander auf. Aus
diesem Grunde ist bei Durchbruchspannungen in diesem Bereich ein Temperaturkoeffizient
α ≈ 0 möglich.
Ein pn-Übergang nimmt beim Zener- bzw. Lawineneffekt keinen Schaden, wenn der
Durchbruch gleichmäßig auf der gesamten Fläche des pn-Überganges stattfindet und dabei
keine unzulässige lokale Überhitzung auftritt. Der Durchbruch ist dann reversibel.

2.2.3.3 Thermischer Durchbruch (2. Durchbruch)

Bei einer hohen Sperrschichttemperatur (diese kann z.B. wegen Eigenerwärmung durch
Verlustleistung auftreten) ergibt sich ein hoher Sperrstrom. Ein hoher Sperrstrom bei einer
hohen Sperrspannung führt über die Erhöhung der Verlustleistung zu einem weiteren
Anwachsen der Sperrschichttemperatur, was wieder zu einer Steigerung des Sperrstromes
führt usw. Ab einer bestimmten Belastung tritt ein negativer differentieller Widerstand der
Sperrkennlinie auf, wodurch der beschriebene Ablauf noch verstärkt wird.
Tritt dieser thermische Mitkopplungseffekt auf und fehlt eine Strombegrenzung durch die
äußere Beschaltung, so führt dies zur thermischen Zerstörung des Bauelementes. Man nennt
diesen nicht reversiblen Vorgang den 2. Durchbruch.
Zerstörung durch den 2. Durchbruch tritt auch auf, wenn bei einem nicht völlig homogen
aufgebauten pn-Übergang der Lawinen- oder Zener-Durchbruch zu lokaler Überhitzung führt.

2.2.4 Gesamtkennlinie des pn-Überganges

Die Kennlinie des pn-Überganges umfasst den Flussbereich (Durchlassbereich), den
Sperrbereich und den Durchbruchbereich.
Der Durchlassbereich liegt im ersten Quadranten eines I(U)-Koordinatensystems bei
Spannungen U ≤ 1 V.
Der Sperrbereich findet sich im dritten Quadranten.
Durchlass- und Sperrbereich lassen sich für den idealen pn-Übergang mit folgender
e-Funktion beschreiben:
U
UT
I = I S ⋅ (e − 1)

Dabei ist IS der Sperrsättigungsstrom (siehe Abschnitt 2.2.1.2)

und UT die Temperaturspannung (siehe Abschnitt 2.1.5)
An den Sperrbereich schließt sich der Durchbruchbereich an.
Je nach Dotierung und konstruktiver Gestaltung liegt die Durchbruchspannung im Bereich
zwischen ca. 2,5 V und einigen hundert V (bei Silizium bis zu 5 kV).
Näherungsweise kann die Durchbruchspannung für einen pn-Übergang in Silizium
abgeschätzt werden mit
3
N = Dotierungskonzentration
 10 cm
16 −3 4 (ggf. auf der niedriger dotierten Seite).
U BR ≈ 60V ⋅   + 2V
 N  Gleichung gültig bis N ≤ 1018 cm-3
 

30
Der pn-Übergang

I
Durchlass-
Abbildung 2-24
Bereich
Gesamtkennlinie Durchbruchspannung UZ
des pn-Überganges
Durchbruch-Kennlinie U
Sperrbereich
(Zener- oder Lawinen-
Durchbruch)

Thermischer
Durchbruch

2.2.5 Temperaturabhängigkeit der Kennlinie

Die Temperatur hat Einfluss auf alle Teile der Kennlinie eines pn-Überganges:
- für die Durchlassspannung gilt Uϑ2 = Uϑ1 + Dϑ ⋅ ∆ϑ
Dϑ ist der Temperatur-Durchgriff; er beträgt näherungsweise Dϑ ≈ - ∆UF/∆T ≈ -2 mV/K
∆ϑ
- der Sperrstrom im Sperrbereich verdoppelt sich etwa pro 10 K I S ϑ2 ≈ I S ϑ1 ⋅2 K
10

- im Durchbruch gilt: U Zϑ2 = U Zϑ1 ⋅ (1 + α U Z ⋅ ∆ϑ) mit α U Z ≈ ±0,1% / K

2.2.6 Schaltverhalten des pn-Übergangs

Zur Diskussion des Schaltverhaltens des pn-Überganges (sprunghaftes Ein- und Ausschalten
eines Flussstromes) dient folgende Prinzipschaltung.
0
1
Abbildung 2-25 2 R
Messschaltung zur Analyse des p
Upn
Ein- und Ausschaltverhaltens U1 U2 n

Der Umschalter soll unterbrechungslos zwischen den einzelnen Schaltstufen umschalten.

Die Spannungen U1 und U2 sind betragsmäßig sehr viel größer als die Durchlassspannung
des pn-Überganges, d.h. sofern der pn-Übergang leitet, wird der Strom über den Widerstand
R eingeprägt.
Die Schaltvorgänge sollen anhand der Kennlinie des pn-Überganges diskutiert werden.
I
Abbildung 2-26 3 1
I1
Schaltverhalten
des pn-Überganges U2 0 UF
4 U
2 U1
UR
I6 6
5
I5

31
Der pn-Übergang

2.2.6.1 Einschaltvorgang
Beim Einschalten zeigt der pn-Übergang eine Überlagerung von kapazitiven und induktiven
Eigenschaften.
* Kapazitives Verhalten (Spannung steigt langsamer als Strom) überwiegt beim Einschalten
kleiner Ströme (bei sog. Niedriginjektion, wenn Dichte der über den pn-Übergang
hereindiffundierten Minoritätsträger << Majoritätsträgerdichte)
I, U IF
Abbildung 2-27
Kapazitives Verhalten
beim Einschalten UF

Gründe für das kapazitive Verhalten sind: t

- Umladung der Sperrschichtkapazität
. Aufladung auf UF
. Verkürzung der RL-Zone ⇒ Vergrößerung der Sperrschichtkapazität
- Vergrößerung der Minoritätsträgerkonzentration außerhalb der Raumladungszone
(Aufladung der sog. Diffusionskapazität)
pn(x,t)
Abbildung 2-28 pn(xn,∞) = pn0⋅exp(UF /UT)
Minoritätsträgerdichte
t→∞
beim Einschalten t
t1 2
(nur Löcherdichte dargestellt) t0 pn0
Lp
x
xp xn
Bei kapazitivem Verhalten nimmt der Einschaltvorgang in Abbildung 2-26 den Verlauf
0→3→1
* Induktives Verhalten (Überschwingen der Spannung) überwiegt beim Einschalten großer
Ströme (bei sog. Hochinjektion, wenn Dichte der über den pn-Übergang hereindiffundier-
ten Minoritätsträger ≥ Majoritätsträgerdichte)

Abbildung 2-29 I, U
Induktives Verhalten IF
beim Einschalten
UF

t
2.2.6.2 Ausschaltvorgang
In der Raumladungszone und den angrenzenden Bahnbereichen sind bei Flussbetrieb je nach
Stromstärke größere Ladungsmengen gespeichert (Sperrschichtkapazität und Diffusions-
kapazität). Beim Ausschalten des Stromes müssen diese Ladungen abgebaut werden.
* Ausschaltvorgang 1 → 0 (Unterbrechung des Stromkreises)
Der Strom ändert sich sprunghaft von IF nach Null.
Wegen der gespeicherten Ladungen bleibt die Spannung am pn-Übergang zunächst
erhalten. Wegen des Wegfalls der Spannung an den Bahnwiderständen bricht die
Gesamtspannung UF beim Ausschalten des Stromes geringfügig ein (Bahnwiderstand =
Widerstand des Halbleiterkristalls außerhalb des pn-Überganges).
32
Der pn-Übergang

Die Zahl der gespeicherten Ladungsträger verringert sich durch Rekombination mit der
Zeitkonstanten τp (Minoritätsträger-Lebensdauer). Dies führt nun zu einem Abfall der
Spannung auf Null.
I, U
Abbildung 2-30 IF
Ausschalten durch
Unterbrechung des Stromes
UF
t

In Abbildung 2-26 nimmt der Ausschaltvorgang den Verlauf 1 → 4 → 0.

* Ausschaltvorgang 1 → 2 (Umschaltung von Fluss- in Sperrbetrieb)

- Übergang 1→ 5
Solange die Raumladungszone mit Ladungsträgern überschwemmt ist, kann der pn-
Übergang keine Sperrspannung aufnehmen; der pn-Übergang sperrt zunächst nicht.
Nach dem Umschalten von Fluss- zur Sperrpolung fließt zunächst ein Strom in Rück-
wärtsrichtung. Die Größe des Rückstromes wird durch die äußere Schaltung bestimmt.
Am Halbleiterbauteil bleibt die Durchlassspannung erhalten; sie reduziert sich jedoch
etwas wegen des sich umkehrenden Spannungsabfalls an den Bahnwiderständen
- Übergang 5 → 6
Die gespeicherten Ladungen verschwinden nicht nur durch Rekombination, sie werden
durch den Rückwärtsstrom abgesaugt.
pn(x,t)
Abbildung 2-31 t1
Abbau der Minoritätsträgerdichte
beim Umschalten von Flusspolung
zu Sperrpolung t6 pn0
t→∞
x
xp xn
In der Zeitspanne, in der die Minoritätsträgerdichte an den Grenzen der Raumladungs-
zone auf pn0 bzw. np0 absinkt, fällt der Strom von I5 auf I6 und die Spannung
annähernd zeitlinear von U5 auf 0.
- Übergang 6 → 2
Sinkt die Minoritätsträgerkonzentration an den Grenzen der Raumladungszone unter die
Werte np0 und pn0, so beginnt der pn-Übergang zu sperren.
Der Rückstrom nimmt schnell ab, die Sperrspannung am pn-Übergang steigt schnell.
Der vollständige Umschaltvorgang von Flussbetrieb zu Sperrbetrieb nimmt den Verlauf
1 → 5 → 6 → 2.

Abbildung 2-32 zeigt den Verlauf von Strom und Spannung am pn-Übergang beim
Umschalten.

33
Der pn-Übergang
I
1 Ausräum- Abfall-
zeit tS zeit tf
Abbildung 2-32 t
Verlauf von Strom und Spannung 2
beim Umschalten von I5 5 6
I6
Fluss- auf Sperrbetrieb
U
1
5 6 t
(Abfallzeit = Zeit für Abfall bis auf 10%⋅I5)

2
Sperrerholzeit

2.3 Übungsaufgaben zum pn-Übergang

Aufgabe 2-1: pn-Übergang

(a) Was versteht man unter einem pn-Übergang ?
(b) Was versteht man unter einem abrupten pn-Übergang ?
Aufgabe 2-2: Der pn-Übergang im thermodynamischen Gleichgewicht
(a) Warum tritt Diffusion von Ladungsträgern über den pn-Übergang auf ?
(b) Warum entsteht eine Raumladungszone ? Was versteht man darunter ?
(c) Warum endet die Diffusion trotz eines verbleibenden Konzentrationsgefälles der
Ladungsträger ?
(d) Berechne die Diffusionsspannung UD, die Sperrschichtweite WS0 und die spezifische
Sperrschichtkapazität cS0 für einen pn-Übergang in Silizium ohne äußere Spannung bei
T = 300 K für gleiche Dotierungskonzentration von p- und n-Seite von jeweils
NA = ND = 1014 cm-3, 1015 cm-3, 1016 cm-3 bis 1019 cm-3.
(e) Wie groß ist die Konzentration von freien Elektronen und Löchern unmittelbar an der
Grenze zwischen p- und n-Zone in einem Siliziumkristall ohne äußere Spannung bei
T = 300 K?
(f) Wie verläuft das Ferminiveau am pn-Übergang ohne äußere Spannung ?

34
Der pn-Übergang

Aufgabe 2-3: pn-Übergang mit äußerer elektrischer Spannung

(a) Wie muss die äußere Spannung gepolt sein für Flußpolung und für Sperrpolung ?
(b) Wie groß ist die Gesamtspannung über der Raumladungszone bei Anlegen einer
Sperrspannung UR ?
(c) Wie groß ist die elektrische Feldstärke im Kristall außerhalb der Raumladungszone bei
anliegender Sperrspannung ?
(d) Warum wird die Sperrschichtweite bei Sperrpolung größer ?
(e) Warum fließt bei Sperrpolung ein (kleiner) Sperrstrom ?
(f) Wo gilt das Massenwirkungsgesetz bei anliegender äußerer Sperrspannung und wo nicht ?
(g) Wie kommen bei Flußpolung Majoritätssträgerströme zustande ?
(h) Warum reicht bei Flußpolung eine Spannung von weniger als z.B. UF = 1 V zum
Zustandekommen großer Ströme aus ?
(i) Was versteht man unter Speicherladung bei Flußpolung ?
Aufgabe 2-4: Durchbruch des pn-Überganges
(a) Erkläre die Effekte, die zum Durchbruch des pn-Überganges führen können.
(b) Was versteht man unter 2. Durchbruch ?
Aufgabe 2-5: Temperaturabhängigkeit des pn-Überganges
(a) Wie ändert sich die Durchlass-Spannung eines pn-Überganges für konstanten Fluss-Strom
bei steigender Temperatur ?
(b) Was versteht man unter dem Temperatur-Durchgriff Dϑ der Durchlass-Spannung ? Nenne
einen typischen Wert.
(c) Wie hängt der Sperrstrom eines pn-Überganges von der Temperatur ab ? Nenne eine
Näherungsbeziehung.
(d) Welchen Einfluss hat die Temperatur auf die Durchbruchspannung beim Lawineneffekt
und beim Zenereffekt ? Nenne typische Werte der Temperaturkoeffizienten.
Aufgabe 2-6: Dynamisches Verhalten des pn-Überganges
(a) Wann tritt beim Einschalten eines Stromes durch den pn-Übergang kapazitives und wann
induktives Verhalten auf ?
(b) Erläutere den Verlauf von Strom und Spannung am pn-Übergang beim Umschalten von
Flußpolung nach Sperrpolung.
(c) Was versteht man unter der Sperrerholzeit trr ?

35
Metall-Halbleiter-Übergänge

3 Metall-Halbleiter-Übergänge
Halbleiterbauelemente beinhalten immer auch Übergänge vom Halbleiterkristall zu
metallischen Anschlüssen.
In der Abbildung 3-1 sind die Energiebänder-Schemata für ein Metall und einen nicht mit
dem Metall verbundenen n-dotierten Halbleiter dargestellt.
W Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-1 Wvac
Getrennte Energie- WH Wχ
Bänder-Schemata für WM
Metall und n-Halb- WC
leiter (WM > WH) WFH
WFM
WV

Gemeinsame Bezugsenergie ist die für beide Energiebänder-Schemata gleiche Vakuum-

Energie Wvac (siehe Abschnitt 1.3.6).
Der Abstand des Ferminiveaus WFM zur Vakuumenergie Wvac ist die Austrittsarbeit WM des
Metalles. Die Austrittsarbeit ist eine für das jeweilige Metall charakteristische
Materialkonstante, die allerdings von der Oberflächenbeschaffenheit mehr oder weniger stark
beeinflusst werden kann.
Metall Al Au Ag Pt Th Cu
WM / eV 3,0 – 4,2 4,8 – 5,4 4,05 - 4,7 5,3 – 5,7 3,5 4,3 – 4,5

Eine für jeden Halbleiter charakteristische Materialkonstante ist die sog. Elektronenaffinität
Wχ. Dies ist die Energiedifferenz zwischen Leitbandkante WC und Vakuumenergie.
Halbleiter Ge Si GaAs GaP SiO2
Wχ / eV 4,0 4,05 4,07 4,3 0,95

In Analogie zur Austrittsarbeit des Metalles kann die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-
Niveau WFH des Halbleiters und der Vakuumenergie als Austrittsarbeit WH des Halbleiters
definiert werden. Allerdings halten sich im Halbleiter keine Ladungsträger auf dem Fermi-
Niveau auf. Außerdem ist die Lage des Ferminiveaus WFH und damit die Differenz zur
Vakuumenergie von der Dotierung des Halbleiters abhängig und keine Materialkonstante.
Stellt man nun einen Kontakt zwischen einem Metall und einem Halbleiter mit unterschied-
lichen Austrittsarbeiten (WM ≠ WH) her, so findet eine Diffusion von Ladungsträgern über
den Metall-Halbleiter-Übergang hinweg statt, und zwar so gerichtet und solange, bis sich die
Ferminiveaus von Metall und Halbleiter angeglichen haben (→ thermodynamisches
Gleichgewicht; siehe Abschnitte 2.1.1 und 2.1.5).
Diese Metall-Halbleiter-Übergänge können Sperrschichtverhalten (Schottky-Kontakt) oder
ohmsche Charakteristik zeigen. Welches Verhalten sich jeweils einstellt hängt von der
Dotierung des Halbleiters sowie von der Austrittsarbeit in Metall und Halbleiter ab.

36
Metall-Halbleiter-Übergänge

3.1 Schottky-Kontakt (Sperrschicht-Kontakt)

3.1.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM > WH)
3.1.1.1 Übergang ohne äußere Spannung
Bringt man einen n-Halbleiter mit einem Metall größerer Austrittsarbeit in Kontakt, so ergibt
sich das in Abbildung 3-2 dargestellte Energieschema. Da die Austrittsarbeit des Halbleiters
geringer ist als die des Metalls, sind Elektronen aus dem Halbleiter in das Metall diffundiert.
Der Halbleiter lädt sich dabei um die Kontaktspannung Uk positiv gegenüber dem Metall auf.
Diese Spannung verhindert eine weitere Diffusion von Elektronen vom Halbleiter ins Metall.
Die Energieniveaus im Halbleiter sinken um (WM - WH) = e⋅Uk ab; damit haben sich die
Ferminiveaus auf beiden Seiten der Grenzfläche angeglichen (thermodynamisches
Gleichgewicht).
Das Vakuumniveau Wvac kann sich an der Grenze zwischen Halbleiter und Metall nicht
sprunghaft ändern. Weiterhin sind Elektronenaffinität und Bandabstand im Halbleiter überall
gleich groß. Bei der Angleichung der Ferminiveaus entsteht aus diesem Grunde im Bereich
des Metall-Halbleiter-Überganges (insbesondere im Halbleiter) eine deutliche Verbiegung der
Bandkanten.
Metall n-Halbleiter

Abbildung 3-2 Wvac

Energiebänderschema von WM Wχ
WBn e⋅Uk WH
n-Halbleiter mit Metallkontakt
(WM > WH) WC
ohne äußere Spannung WF

WV

Wegen der Abwanderung von Elektronen entsteht im Halbleiter eine Verarmungszone mit
nicht kompensierten positiven Raumladungen, im Metall entsteht eine Elektronen-
anreicherung geringer Ausdehnung. ρ Positive
Raumladung
Abbildung 3-3 x
Ladungsverteilung am
Metall-Halbleiter-Übergang
Elektronen-
anreicherung

Die freien Elektronen in Metall und Halbleiter nehmen vorzugsweise die niedrigsten
verfügbaren Energieniveaus ein. Die meisten freien Elektronen im Metall halten sich daher
unterhalb oder knapp oberhalb des Fermi-Niveaus WF auf. Die Elektronen im Leitungsband
des Halbleiters finden sich vorzugsweise in der Nähe der Leitbandkante WC.
Nach Angleichung der Ferminiveaus ist ohne äußere Spannung kein weiterer Übergang von
Ladungsträgern über die Grenzfläche hinweg möglich.

37
Metall-Halbleiter-Übergänge

Einem Übergang von Elektronen vom Metall in den Halbleiter steht die sog. Schottky-
Barriere WBn0 entgegen. Die Höhe dieser Energiebarriere beträgt WBn0 = WM - Wχ.
Einem Übergang von Leitungselektronen aus dem Halbleiter in das Metall steht ohne äußere
Spannung die Energieschwelle der Größe e⋅Uk entgegen.

3.1.1.2 Sperrpolung
Durch Anlegen einer positiven Spannung UR zwischen n-Halbleiter und Metall werden die
Leitungselektronen (Majoritätsträger) im Halbleiter vom Übergang weggezogen. Die
Energiebänder des Halbleiters sinken um e⋅UR gegenüber dem Metall ab. Die
Energieschwelle e⋅Uk für Leitungselektronen des Halbleiters vergrößert sich damit auf
e⋅(Uk+UR). Ein Elektronenstrom vom Leitungsband des Halbleiters ins Metall ist daher nicht
möglich.
Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-4 Sperrpolung
Kein Elektronenstrom vom
Halbleiter zum Metall wegen Wvac
e⋅Uk
vergrößerte Energiebarriere
e⋅(Uk+UR) WF
e⋅UR WC

WV

Die Schottky-Barriere verhindert auch einen Elektronenstrom vom Metall in den Halbleiter.

Metall n-Halbleiter

Abbildung 3-5 Sperrpolung

Schottky-Barriere verhindert Wvac
Elektronenstrom vom Metall zum
Halbleiter WF WC

WV

Nur die energiereichsten Elektronen sind in der Lage die Schottky-Barriere zu überwinden
und führen zu einem geringen Sperrstrom. Wegen Oberflächenzuständen (Oberflächen-
ladungen) und komplizierten Einflüssen der Sperrspannung (Schottkyeffekt) weicht die
tatsächliche Schottkybarriere WBn von dem theoretischen Wert WBn0 ab und sinkt mit
wachsender Sperrspannung. Der Sperrstrom nimmt daher mit wachsender Sperrspannung zu.

3.1.1.3 Flusspolung
Durch Anlegen einer negativen Spannung UF = -UF wird die Energieschwelle zwischen n-
Halbleiter und Metall reduziert. Sie beträgt dann e⋅(Uk+UF). Es tritt ein Elektronenstrom vom
Halbleiter ins Metall auf, der mit wachsender Spannung exponentiell zunimmt.

38
Metall-Halbleiter-Übergänge

Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-6 Flusspolung. Wvac
Elektronenstrom vom Halbleiter
zum Metall wegen reduzierter
Energiebarriere WC
WF
WV

3.1.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit geringerer Austrittsarbeit (WM < WH)
3.1.2.1 Übergang ohne äußere Spannung
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-7
Getrennte WH Wχ
Energiebänderschemata von WM
WC
Metall und p-Halbleiter mit
WFM
WM < WH
WFH
WV

Bringt man einen p-Halbleiter mit einem Metall kleinerer Austrittsarbeit in Kontakt, so ergibt
sich das in Abbildung 3-8 dargestellte Energieschema. Da die Austrittsarbeit des Metalls
geringer ist als die des Halbleiters, werden Löcher an der Grenze des Halbleiters durch
Elektronen aus dem Metall aufgefüllt.
Wegen des Verschwindens von Löchern entsteht im Halbleiter eine Verarmungszone mit
nicht kompensierten negativen Raumladungen, im Metall eine Elektronenverarmung geringer
Ausdehnung. Der Halbleiter lädt sich um die Kontaktspannung Uk negativ gegenüber dem
Metall auf. Die Energieniveaus im Halbleiter heben sich um (WM - WH) = e⋅Uk an; damit
haben sich die Ferminiveaus angeglichen (thermodynamisches Gleichgewicht).

Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-8
Energiebänderschema von Wχ WH
p-Halbleiter mit Metallkontakt WM WC
(WM < WH) WBn
ohne äußere Spannung WF
WV
e⋅Uk

Die Angleichung der Ferminiveaus von Metall und Halbleiter führt zu einer Bandverbiegung
(vorzugsweise) im Halbleiter.

39
Metall-Halbleiter-Übergänge

Nach Angleichung der Ferminiveaus ist ohne äußere Spannung kein weiterer Übergang von
Ladungsträgern über die Grenzfläche hinweg möglich.
Einem Übergang von Löchern aus dem Halbleiter in das Metall steht ohne äußere Spannung
die Energieschwelle der Größe e⋅Uk entgegen.
Einem Übergang von Elektronen vom Metall in das Leitungsband des Halbleiters steht eine
Energieschwelle der Größe (WBn + e⋅Uk) entgegen. Die Höhe der Schottky-Barriere beträgt
WBn = WM - Wχ.

3.1.2.2 Sperrpolung
Durch Anlegen einer negativen Spannung UR zwischen p-Halbleiter und Metall werden die
Löcher (Majoritätsträger) im Halbleiter vom Übergang weggezogen. Die Energiebänder des
Halbleiters werden um e⋅UR gegenüber dem Metall angehoben. Die Energieschwelle für
Löcher des Halbleiters vergrößert sich damit auf e⋅(Uk+UR). Ein Löcherstrom vom Halbleiter
ins Metall ist daher nicht möglich.
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-9 Sperrpolung
Kein Löcherstrom vom WC
Halbleiter zum Metall wegen
vergrößerter Energiebarriere e⋅UR
WF WV

e⋅Uk

Die Energieschwelle für Elektronen des Metalls zum Leitungsband des Halbleiters vergrößert
sich ebenfalls um e⋅UR. Damit ist auch ein Elektronenstrom vom Metall in den Halbleiter
nicht möglich.
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-10 Sperrpolung
Kein Elektronenstrom vom
Metall zum Halbleiter wegen WC
vergrößerte Energiebarriere
WV
WF

Bei einer negativen Spannung des p-Halbleiters gegenüber dem Metall kann daher (außer
einem kleinen Sperrstrom) kein Strom fließen (→ Sperrpolung).

40
Metall-Halbleiter-Übergänge

3.1.2.3 Flusspolung
Durch Anlegen einer positiven Spannung UF wird die Energieschwelle für Löcher zwischen
p-Halbleiter und Metall reduziert. Sie beträgt dann e⋅(Uk-UF). Es tritt ein Löcherstrom vom
Halbleiter ins Metall auf (Die Löcher wandern im Halbleiter zum Metall und rekombinieren
dort mit Elektronen). Der Löcherstrom nimmt mit wachsender Spannung exponentiell zu.
Metall p-Halbleiter
Abbildung 3-11 Flusspolung . Wvac
Löcherstrom vom Halbleiter
zum Metall wegen reduzierter
Energiebarriere
WC
WF
WV

3.1.3 Eigenschaften des Schottky-Kontakts

Kennlinie
Wie beim pn-Übergang folgt die Kennlinie des Schottky-Überganges der Gleichung
U
I = I S ⋅ (exp − 1)
UT
Im Gegensatz zum pn-Übergang wird der Sättigungsstrom IS beim Schottky-Übergang aus-
schließlich von Majoritätsträgern bestimmt. Dies hat vielfache Auswirkungen.
Da kaum Hochinjektionserscheinungen (siehe Abschnitt 2.2.6.1) auftreten, folgt die
Kennlinie des Schottkyüberganges der o.g. theoretischen Beziehung über mehrere
Größenordnungen des Stromes.
Der Sättigungsstrom IS ist beim Schottky-Übergang viel größer als beim pn-Übergang.
Durchlassspannung
Wegen des größeren Sättigungsstromes IS ist die Durchlassspannung eines Schottky-
Überganges deutlich niedriger als beim pn-Übergang.
Sperrstrom
Der Sperrstrom ist deutlich größer als beim pn-Übergang. Wegen der Spannungsabhängigkeit
der Schottky-Barriere WBn (siehe Abschnitt 3.1.1.2) nimmt der Sperrstrom mit wachsender
Sperrspannung zu.
Durchbruchspannung
Die Durchbruchspannungen von Schottky-Übergängen sind niedriger als bei vergleichbaren
pn-Übergängen.
Temperaturverhalten
Der Temperaturdurchgriff im Flussbetrieb ist geringer als beim pn-Übergang. Bei T ≈ 300 K
beträgt er:
Dϑ ≈ -1,2 mV/K
Dynamische Eigenschaften
Da langsame Minoritätsträgervorgänge keine Bedeutung haben, sind die dynamischen
Eigenschaften (Schaltzeiten etc.) z.T. um Größenordnungen besser als beim pn-Übergang.

41
Metall-Halbleiter-Übergänge

3.2 Ohmscher Kontakt

3.2.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit kleinerer Austrittsarbeit (WM < WH)
Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-12 Wvac
Getrennte Energiebänder- WH Wχ
Schemata für n-Halbleiter WM
und Metall geringerer
Austrittsarbeit WC
WFM WFH
(WM < WH)

WV

Bringt man einen n-Halbleiter mit einem Metall geringerer Austrittsarbeit in Kontakt, so
diffundieren Elektronen vom Metall in den Halbleiter, bis sich die Ferminiveaus angeglichen
haben. Es tritt eine Elektronenanreicherung auf der Halbleiterseite der Grenzfläche auf.
(Beachte: Keine an freien Ladungsträgern verarmte Raumladungszone sondern Ladungsträ-
geranreicherung). Der Halbleiter lädt sich negativ um Uk gegenüber dem Metall auf. Die
Spannung Uk verhindert eine weitere Diffusion von Elektronen vom Metall in den Halbleiter.
Es bildet sich keine Schottkybarriere WBn oder nur eine solche von minimaler Höhe heraus
(WM - Wχ ist sehr klein oder negativ).
Metall n-Halbleiter
Wvac
WH Wχ
Abbildung 3-13 WM
Energiebänderschema von
n-Halbleiter mit WC
WF
Metallkontakt (WM < WH)
ohne äußere Spannung
WV

Legt man an diesen Übergang eine äußere Spannung, so fließt -unabhängig von der Polarität
dieser Spannung- in jedem Falle ein Elektronenstrom.
Liegt der Minuspol der Spannung am Halbleiter, so fließen die Elektronen zum Metall. Sie
müssen hierzu keine Energieschwelle überwinden.
Da keine Verarmungszone (Raumladungszone mit fehlenden freien Ladungsträgern) vorliegt,
fällt die (geringe) äußere Spannung über den Bahnwiderständen im Halbleiter ab(5). Dies
macht sich in den folgenden Abbildungen durch ein (stark vergrößert dargestelltes) Gefälle
der Bandkanten im Halbleiter bemerkbar.

(5)
Dieser Spannungsabfall am ohmschen Widerstand des Halbleiterkristalls tritt auch in Halbleitern
mit pn- oder Schottky-Übergängen auf. Im Verhältnis zum Spannungsabfall an den vorhandenen
Raumladungszonen fällt der Spannungsabfall an den Bahnwiderständen dort aber nicht ins
Gewicht.

42
Metall-Halbleiter-Übergänge

Metall n-Halbleiter
Wvac

Abbildung 3-14
Ohmscher Kontakt mit
n-Halbleiter - WC
Minuspol am Halbleiter
WF
WV

Liegt der Minuspol am Metall, so wird die interne Spannung Uk abgeschwächt und
Elektronen strömen vom Metall in den Halbleiter. Die niedrige oder gar fehlende
Schottkybarriere stellt kein Hindernis dar.
Metall n-Halbleiter

Wvac
Abbildung 3-15
Ohmscher Kontakt mit
n-Halbleiter -
Pluspol am Halbleiter WF
WC

WV

3.2.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM > WH)

Metall p-Halbleiter
Abbildung 3-16 Wvac
Getrennte Energiebänder-
WH Wχ
Schemata für p-Halbleiter
und Metall höherer Austritts- WM WC
arbeit (WM > WH)
WFH
WFM WV

Bringt man einen p-Halbleiter mit einem Metall größerer Austrittsarbeit in Kontakt, so treten
Valenzelektronen des Halbleiters in das Metall über. Anders ausgedrückt diffundieren Löcher
aus dem Metall in den Halbleiter und reichern sich dort an. (Beachte: Keine an freien
Ladungsträgern verarmte Raumladungszone sondern Ladungsträgeranreicherung). Dies
geschieht solange, bis die sich aufbauende Spannung Uk eine weitere Diffusion beendet und
sich die Ferminiveaus angeglichen haben.

43
Metall-Halbleiter-Übergänge

Metall p-Halbleiter

Wvac
Abbildung 3-17
Energiebänderschema von WH Wχ
WM
p-Halbleiter mit Metallkontakt
(WM > WH) WC
ohne äußere Spannung
WF
WV

Legt man an diesen Übergang eine äußere Spannung, so fließt -unabhängig von der Polarität
dieser Spannung- in jedem Falle ein Löcherstrom.
Liegt der Pluspol der Spannung am Halbleiter, so fließen die Löcher vom Halbleiter zum
Metall. Sie müssen hierzu keine Energieschwelle überwinden.

Metall p-Halbleiter

Abbildung 3-18
Ohmscher Kontakt mit Wvac
p-Halbleiter
Pluspol am Halbleiter

WC
WF

WV

Liegt der Pluspol am Metall, so wird die interne Spannung Uk abgeschwächt und Löcher
strömen vom Metall in den Halbleiter (Valenzelektronen aus dem Halbleiter treten in das
Metall über).
Metall p-Halbleiter
Wvac

Abbildung 3-19 WC
Ohmscher Kontakt mit
p-Halbleiter
Pluspol am Metall WV
WF

44
Metall-Halbleiter-Übergänge

3.2.3 Ohmscher Kontakt durch hochdotierte Halbleiterzwischenschicht

Ohmsche Kontakte lassen sich auch durch eine sehr hochdotierte Halbleiterzwischenschicht
unter dem Metallkontakt erreichen. Insbesondere bei n-leitenden Halbleitern wird dieser
Weg vorzugsweise beschritten.
Die Dotierung der Zwischenschicht wird so hoch gewählt (deutlich > 3⋅1019 cm-3), dass das
Ferminiveau im Leitungsband des Halbleiters liegt („entarteter“ Halbleiter).
n-Halbleiter
W Metall Wvac
-
n
Abbildung 3-20 +
Getrennte Energiebänder- n
WC
schemata für Metall und WFH
n-Halbleiter mit hoch-
dotierter Oberflächenschicht
WFM WV

Bringt man eine Metallisierung auf den Halbleiter auf, so bildet sich wegen der hohen
Dotierung eine sehr dünne Raumladungszone zwischen Metall und Halbleiter. Diese dünne
Schicht kann von Elektronen in beiden Richtungen durchtunnelt werden. Trotz einer evtl.
hohen Schottkybarriere zeigt der Metall-Halbleiter-Übergang rein ohmsches Verhalten.

Metall
n-Halbleiter
Abbildung 3-21
Ohmscher Kontakt durch Wvac
-
Tunneleffekt n
Tunnelstrom +
n
WC
WF

WV

45
Metall-Halbleiter-Übergänge

3.3 Übungsaufgaben zu Metall-Halbleiter-Übergängen

Aufgabe 3-1: Austrittsarbeit, Elektronenaffinität

(a) Was versteht man unter der Vacuumenergie ?
(b) Was versteht man unter der Austrittsarbeit von Metallen und von Halbleitern ?
(c) Was versteht man unter der Elektronenaffinität bei Halbleitern ?
Aufgabe 3-2: Schottkykontakte
(a) Unter welchen Voraussetzungen entsteht ein Schottkykontakt bei n-dotiertem Silizium ?
(b) Unter welchen Voraussetzungen entsteht ein Schottkykontakt bei p-dotiertem Silizium ?
(c) Was versteht man unter der Schottky-Barriere ?
(d) Warum fließt bei Sperrpolung kein nennenswerter Strom durch den Schottkykontakt ?
(e) Wie kommt ein Strom bei Flußpolung zustande ?
(f) Ist der Sperrstrom am Schottky-Kontakt ein Majoritätsträger- oder ein
Minoritätsträgerstrom ?
Aufgabe 3-3: Ohmscher Kontakt
(a) Unter welchen Voraussetzungen entsteht ein ohmscher Kontakt bei n-dotiertem Silizium ?
(b) Unter welchen Voraussetzungen entsteht ein ohmscher Kontakt bei p-dotiertem Silizium ?
(c) Erkläre den Stromfluss in beiden Richtungen am ohmschen Kontakt.
(d) Was versteht man unter einem „entarteten Halbleiter“ ? Welche Rolle spielt er für
ohmsche Kontakte ?

46
Die Diode

4 Die Diode
4.1 Allgemeines
Ein Halbleiterkristall aus p-Zone, n-Zone und dazwischen liegendem pn-Übergang, mit
äußeren Anschlüssen und einem geeigneten Gehäuse versehen, ergibt ein wichtiges
elektronisches Bauelement ⇒ die Diode.
Wie in den Abschnitten 2.2.1 und 2.2.2 beschrieben, unterscheidet man beim Anlegen einer
äußeren Spannung an die Diode die Sperrpolung und die Flusspolung.
- Bei Sperrpolung sperrt die Diode. Es fließt lediglich ein kleiner Sperrsättigungsstrom.
- Bei Flusspolung leitet die Diode. Bereits bei kleinen Spannungen tritt ein mit der Spannung
exponentiell ansteigender Durchlassstrom auf.
Die Diode kann demzufolge als elektronisches Ventil eingesetzt werden (Stromfluss nur in
einer Richtung möglich). Dieser Ventilcharakter kommt im Schaltzeichen der Diode zum
Ausdruck.
Schaltzeichen der Diode
Abbildung 4-1 Anode Katode
Allgemeines Schaltzeichen der Diode

Der p-seitige Anschluss der Diode wird Anode, der n-seitige Anschluss Katode genannt.
Die Diode lässt Strom (konventionelle Stromrichtung) in Richtung der im Schaltzeichen
integrierten Pfeilspitze zu (von Anode zu Katode).
Kennlinie
Der Gesamtstrom durch den idealen pn-Übergang beträgt:
U
UT
I = I S ⋅ (e − 1) mit IS = Sperrsättigungsstrom

In der Gleichung ist die an die Diode angelegte äußere Spannung U einzusetzen. Hierbei ist
eine Flussspannung positiv (U = UF > 0), eine Sperrspannung negativ (U = UR < 0)
einzusetzen.
Reale Dioden zeigen Abweichungen von dieser Idealkennlinie. Im Durchlassbereich lässt sich
dies mit einem Korrekturfaktor m im Exponenten der Gleichung annähern. Im
Durchlassbereich mit UF >> UT kann außerdem die 1 in der Gleichung gegenüber dem
Exponenzialglied vernachlässigt werden. Für die Durchlasskennlinie gilt dann:
UF
m⋅ U T I
I F = IS ⋅ e mit m = 1 . . 2
Ideale Diode
Abbildung 4-2 Reale Diode
Kennlinie der Diode
( für kleine und mittlere Ströme) Durchlassbetrieb
U
IS
Sperrbetrieb

47
Die Diode

Bei großen Durchlassströmen wirken sich zusätzlich zum eigentlichen pn-Übergang die
Bahnwiderstände des Halbleiterkristalls aus. Dies führt dazu, dass sich die Dioden-Durchlass-
Kennlinie bei großen Strömen einer Gerade annähert.
I
e-Funktion
Abbildung 4-3
Diodenkennlinie bei Gerade
großen Durchlassströmen

Der Sperrstrom einer realen Diode ist wegen Oberflächeneffekten immer größer als IS.

Belastungsgrenzen
Der nutzbare Kennlinienbereich der Diode wird im Durchlassbereich begrenzt durch die
maximal zulässige statische Verlustleistung Ptot.
Im Sperrbereich tritt bei Überschreiten eines typabhängigen Wertes der Sperrspannung ein
starker Sperrstromanstieg auf.
Bei den Z-Dioden (siehe Abschnitt 4.5) kann dieser Durchbruch bis zu einer maximalen
Sperrverlustleistung technisch genutzt werden (reversibler 1. Durchbruch).
Bei Überschreitung der maximalen Sperrverlustleistung und bei anderen Dioden besteht die
Gefahr des thermischen Durchbruchs (siehe Abbildung 4-4, 2. Durchbruch) mit Zerstörung
der Diode. Aus diesem Grunde darf eine maximale Sperrspannung UBR bzw. bei Z-Dioden
die maximal zulässige Sperrverlustleistung nicht überschritten werden.
I

UBR Ptot
Abbildung 4-4 U
Belastungsgrenzen der Diode

2.Durchbruch

Dynamisch sind kurzzeitig höhere Belastungen zulässig. Die entsprechenden Grenzdaten

finden sich im Datenblatt.

Gleichstromwiderstand
I

Abbildung 4-5 IAP AP

Gleichstromwiderstand der Diode
RF
U
UAP

Wird die Diode in einem Arbeitspunkt AP betrieben, so fließt der Strom IAP und der
Spannungsabfall beträgt UAP.

48
Die Diode

U AP
Der Widerstand R F = ist der Gleichstromwiderstand der Diode.
I AP
Der Gleichstromwiderstand ist eine reine Rechengröße und besitzt keine große Bedeutung. Es
wird empfohlen, auf seine Verwendung zu verzichten.

Wechselstromwiderstand - Differentieller Widerstand

Tritt im Arbeitspunkt AP eine kleine Spannungsänderung ∆U auf, so führt dies zu einer
Stromänderung ∆I.
∆U
Das Verhältnis rf = für ∆U → 0 ist der differentielle Widerstand im Arbeitspunkt.
∆I

Der differentielle Widerstand rf ist ein Maß für die Steigung der Tangente an die
Diodenkennlinie im Arbeitspunkt.
I
Abbildung 4-6
Tangente an die Kennlinie
AP ∆I

∆U U

Der differentielle Widerstand ist z.B. bedeutsam für kleine Wechselsignale, die im
Arbeitspunkt überlagert werden.

Differentieller Widerstand rf = Wechselstromwiderstand der Diode

Zur Vereinfachung der Behandlung von Dioden bei Schaltungsberechnungen wird die
Diodenkennlinie häufig stückweise linearisiert. Hierzu wird der exponentiell ansteigende
Kennlinienteil durch eine Gerade (Tangente oder Sekante im Arbeitsbereich) ersetzt. Der
Schnittpunkt dieser Geraden mit der Spannungsachse wird Schwellspannung UF0 (in anderer
Literatur oft auch US) genannt. Die Größen UF0 und rf charakterisieren diese lineare
Kennliniennäherung. (Weitere Informationen zu linearen Kennliniennäherungen finden sich
im Anhang A, Abschnitt A.3.3)

Abbildung 4-7 Lineare Kennliniennäherung

I I
rf rf

Tangenten- Sekanten-
Näherung Näherung

U U
UF0 UF0

49
Die Diode

4.2 Universal- und Richtdiode

Universal- oder Richtdioden werden vorwiegend zur Gleichrichtung eingesetzt, z.B. als
- Spannungsbegrenzer,
- Netzgleichrichter,
- Demodulator,
- Signaldioden,
sowie in
- Spannungsvervielfachern usw.
Es gibt zahllose für unterschiedliche Anforderungen ausgelegte Typen und Bauformen.
Anwendungen der Universaldiode als Netzgleichrichter und Spannungsvervielfacher werden
in den Abschnitten 6 bis 8 behandelt.
Die Tabelle 4-1 zeigt ausgewählte Daten einer Diode für kleine Ströme (Signaldiode), einer
Kleinleistungsdiode und einer schnellen Leistungsdiode.
Tabelle 4-1 Daten verschiedener Universal- und Gleichrichtdioden

Typ 1 N 4148 MR 501, MR 502, .. 510 1 N 3913

fast recovery
Anwendung Signaldiode Kleinleistungsdiode
Leistungsdiode

Grenzwerte
periodische Spitzensperrspannung
URRM 100 V 100 V, 200 V, ...1000 V 400 V
(peak repetitive reverse voltage)

Strommittelwert
I0M 150 mA 3A 30 A
(average rectified forward current)

Einmaliger Spitzenstoßstrom
IFSM 500 mA 100 A 300 A
(surge forward current)

Typische Kennwerte (bei 25 °C)

Sperrstrom (leakage current /
IR 25 nA 100 nA 10 µA
reverse current)

Sperrschichtkapazität (UR = 1V)

C 4 pF 40 pF 90 pF
(junction capacitance)

Sperrerholzeit
trr 4 ns 5 µs 150 ns
(reverse recovery time)

Wärmewiderstand(6) 1,2 K/W

Rth 350 K/W 28 K/W
(thermal resistance) (innerer Rth)

Glasgehäuse, Metallgehäuse mit

Plastikgehäuse, axiale
Bauform axiale Schraubanschluss
Anschlussdrähte
Anschlussdrähte

(6)
Der Wärmewiderstand wird in Abschnitt 21 behandelt

50
Die Diode

4.3 Hochsperrende Leistungsdioden

Für die Gleichrichtung sehr großer elektrischer Leistungen müssen Dioden mit hoher
Sperrfähigkeit und niedrigem Durchlasswiderstand eingesetzt werden.
Diese Anforderungen widersprechen sich jedoch:
- Hohe Sperrfähigkeit erfordert eine große Sperrschichtweite, d.h. niedrige Dotierungen,
- ein niedriger Durchlasswiderstand erfordert geringe Bahnwiderstände, d.h. hohe Dotierung.
Um beide Forderungen in einem Bauteil zu erfüllen, wird zwischen hochdotierte p- und n-
Zonen eine dünne niedrig oder nicht dotierte Zwischenschicht eingefügt.
pin-Struktur psn-Strukturen
Abbildung 4-8
p+ i n+ p+ p n+
pin- und psn-Dioden

(i = intrinsic = nicht dotiert; s = soft = schwach dotiert) p+ n n+

p+ p n n+

Diese Zwischenschicht nimmt einerseits hohe Sperrspannungen auf und wird andererseits im
Durchlassbetrieb mit Ladungsträgern derart überschwemmt, dass sie (bei nicht zu hohen
Frequenzen) keinen Beitrag zum Durchlasswiderstand leistet.
Durch solche Strukturen und weitere konstruktive Maßnahmen lassen sich Leistungsdioden
für Durchlassströme bis zu mehreren 10 kA und Sperrspannungen von einigen 1000 V
herstellen.
Tabelle 4-2 Daten der Hochleistungsdiode 5SDD 33L5000 (ABB Semiconductors)
Grenzwerte
Periodische Spitzensperrspannung (50 Hz) URRM 4000 V
Einmalige Spitzensperrspannung (< 5 ms) URSM 5200 V
Strommittelwert (50 Hz) IFAVM 3300 A
Stromeffektivwert (50 Hz) IFRMS 5180 A
50 000 A (10 ms)
Einmaliger Spitzenstoßstrom IFSM
130 000 A (1 ms)
Typische Kennwerte
Schwellspannung UF0 1,0 V
Differentieller Widerstand rf 0,13 mΩ
Durchlassspannung bei IF = 5000 A UF < 1,68 V
Sperrstrom (bei ϑj = 150 °C; UR = 4000V) IRRM < 400 mA
Max. zulässige Sperrschichttemperatur ϑJmax 150 °C
Wärmewiderstand - einseitig gekühlt 16 K/kW
Rth/J-G
(junction to case) - beidseitig gekühlt 8 K/kW
Wärmewiderstand - einseitig gekühlt 6 K/kW
Rth/G-K
(case to heat sink) - beidseitig gekühlt 3 K/kW
Bauform: Scheibendiode ∅ 120 mm Dicke 27 mm

51
Die Diode

4.4 Schaltdioden
Für Schaltanwendungen werden Dioden mit speziellen dynamischen und statischen
Eigenschaften benötigt. Je nach Einsatzfall sind gefordert:
- hohe Sperrfestigkeit, niedrige Durchlassspannung,
- sehr kleine Sperrverzögerungszeit,
- sanftes Abklingen des Rückstromes,
- abruptes Abreißen des Rückstromes,
- kleine Rückstromspitze usw..
Den unterschiedlichen Anforderungen entsprechend existiert ein breites Angebot von
Schaltdioden mit z.T. sehr speziellen Eigenschaften:
- schnellschaltende Dioden mit kurzer Speicher- und Abfallzeit (z.B. mit Golddotierung zur
Verkürzung der Ladungsträger-Lebensdauer),
- Ladungsspeicherdioden, Step-Recovery- oder Snapp-off-Dioden mit extrem kurzer
Abfallzeit,
- fast-recovery-Dioden (GaAs-Dioden mit natürlicher kleiner Ladungsträger-Lebensdauer),
- Schottky-Dioden (siehe Abschnitt 4.9) usw..

4.5 Die Z-Diode

Dioden, die für eine technische Nutzung von Zener- bzw. Lawinendurchbruch hergestellt
werden, wurden früher unabhängig vom maßgeblichen Wirkungsprinzip Zener-Dioden
genannt. Heute gilt die Bezeichnung Z-Diode.
Für Z-Dioden wird folgendes Schaltzeichen verwendet:

Abbildung 4-9 Anode Katode

Schaltzeichen der Z-Diode

Die Sperrkennlinie der Z-Diode hat prinzipiell folgendes Aussehen:

UZ0
Uz A 0
Abbildung 4-10 B IZmin
Sperrkennlinie der Z-Diode
rz
Ptot

C IZmax Iz
Im Verlauf der Sperrkennlinie lassen sich die Abschnitte Sperrbereich (0 - A),
Knickbereich (A - B) und Durchbruchbereich (B - C) unterscheiden.
Im Durchbruchbereich verläuft die Kennlinie in der Regel sehr steil, annähernd gerade und
lässt sich in guter Näherung durch eine lineare Gleichung beschreiben (siehe hierzu
Anhang A, Abschnitt A.3.3: Linearisierung von Kennlinien).
Einer der wichtigsten Anwendungszwecke der Z-Diode ist die Stabilisierung von
Spannungen. Hierzu wird die Diode grundsätzlich im Durchbruchbereich betrieben. Dieser
wird nach oben durch die maximal zulässige Verlustleistung Ptot (entspricht dem Strom
IZmax) und nach unten durch den Strom IZmin begrenzt.

52
Die Diode

Der Strom IZmin grenzt den Durchbruchbereich gegenüber dem Knickbereich ab. Wird IZmin
unterschritten, so geht die stabilisierende Wirkung der Durchbruchkennlinie verloren.
Tabelle 4-3 Daten einiger Z-Dioden-Typenreihen
Baureihe BZX55 BZX85 BZV48 ZX

Bezeichnung BZX 55 C2V7 BZX85 C2V7 BZV48 C3V3 ZX 3,9 ... ZX 200
....BZX55 C110 ....BZX85 C110 ....BZV48 C200
Z-Spannungen(7) UZ 2,7 ... 110 V 2,7 ... 110 V 3,3 ... 200 V 3,9 ... 200 V
Zul. Verlustleistung 0,5 W 1,3 W 5W 10 W (Kühlblech)
Glasgehäuse, Glasgehäuse, Plastikgehäuse, Metallgehäuse
Bauform axiale axiale axiale mit
Anschlussdrähte Anschlussdrähte Anschlussdrähte Schraubanschluss

Z-Dioden mit hohen Durchbruchspannungen (bis in den kV-Bereich) werden meist

Avalanche-Dioden genannt (avalanche = Lawine (engl.)).

4.6 Kapazitätsdiode
Bei den Kapazitätsdioden, auch Varaktordioden genannt, ist die spannungsabhängig
veränderbare Sperrschichtkapazität funktionsbestimmend. Die Maximalwerte der Kapazität
von Kapazitätsdioden liegen im Bereich 5 ... 300 pF.
Durch geeignete Dotierungsprofile (linear, abrupt, hyperabrupt) lassen sich
Sperrschichtkapazitäten realisieren, die durch Spannungsänderungen im Verhältnis 1:3 (bei
hyperabrupt bis 1:30) variiert werden können.
Für die Sperrschichtkapazität als Funktion der Sperrspannung gilt grundsätzlich die
Beziehung:
n
 UD 
cS = cS0 ⋅  
 UD + UR 

Je nach Dotierungsprofil ergeben sich andere Werte für den Exponenten n.

Abbildung 4-11 Dotierungsprofile von Kapazitätsdioden (einseitig hochdotiert)

abrupter pn-Übergang linearer pn-Übergang hyperabrupter pn-Übergang

n =1 2 n =1 3 n = 1,5....2

Kapazitätsdioden kommen zum Einsatz als Abstimmdioden (z.B. zur automatischen

Scharfabstimmung von Rundfunk- und Fernsehempfängern, AFC), zur
Frequenzvervielfachung, in (rauscharmen) parametrischen Verstärkern usw..

(7)
Üblich ist eine Staffelung nach der E24-Reihe: 2,7 / 3 / 3,3 / 3,6 / 3,9 / 4,3 / 4,7 / 5,1 / 5,6 / 6,2 / 6,8 / 7,5 / 8,2
/ 9,1 / 10 / 11 / 12 / 13 / 15 / 16 / 18 / 20 / 22 / 24 / 27 usw.

53
Die Diode

Tabelle 4-4 Daten von Kapazitätsdioden

Typ BB112 BB139 BB631 BB709A
Kapazität Cmax
500 pF 50 pF 50 pF 35 pF
bei UR = 1 V
20 pF 5 pF 3,5 pF 2,7 pF
Kapazität Cmin
bei UR = 9 V bei UR = 25 V bei UR = 25 V bei UR = 28 V
Cmax / Cmin 25 10 14,3 13
Serienwiderstand 0,9 Ω 0,75 Ω
Serieninduktivität 1,5 nH 4,5 nH
KML-
Anwendung UKW-Abstimmung
Abstimmung

Bei Betrieb der Kapazitätsdioden im Sperrbereich ergeben sich hohe Werte der Güte bis in
den GHz-Bereich (Q = 1/(ωCR) = 100 ... 1000).

Abbildung 4-12 Alternative Schaltzeichen der Kapazitätsdiode

(a) (b)
(veraltet) (neu)

4.7 Tunneldiode

Bei der Tunneldiode liegt die Dotierung von n- und p-Zonen so hoch (>> 1019 cm-3), dass
„Entartung“ eintritt.
Hierbei liegt das Fermi-Niveau nicht mehr innerhalb des verbotenen Bandes, sondern auf der
p-Seite innerhalb des Valenzbandes, auf der n-Seite innerhalb des Leitungsbandes.
Bei der Tunneldiode stehen sich daher bereits im spannungslosen Zustand ein Teil des
Valenzbandes der p-Seite und ein Teil des Leitungsbandes der n-Seite gegenüber. Zudem ist
die Sperrschichtweite extrem gering.
Bereits bei kleinen äußeren Spannungen tunneln Ladungsträger durch die Sperrschicht.
Abbildung 4-13 Bändermodell der Tunneldiode
Sperrpolung U < 0 ohne Spannung U = 0 Flussfall U > 0 Flussfall U > 0
Zenerstrom I=0 überwiegend nur noch
Esakistrom Diffusionsstrom

WF WF
WF
WF

(a) (b) (c) (d)

Bei Sperrpolung (a) tunneln Valenzelektronen vom Valenzband der p-Seite ins
Leitungsband der n-Seite (Zenerstrom). Bereits bei kleinen Sperrspannungen tritt ein kräftiger
Stromfluss auf. Die Tunneldiode hat keine Sperrfähigkeit.

54
Die Diode

Bei schwacher Flusspolung (c) tunneln Leitungselektronen vom Leitungsband der n-Seite
ins Valenzband der p-Seite (sog. Esaki-Strom). Bereits bei kleinen Flussspannungen tritt ein
kräftiger Stromfluss auf.
Mit wachsender Flussspannung verringert sich allerdings der Bereich, in dem sich
Valenzband und Leitungsband gegenüberstehen; schließlich hört diese Gegenständigkeit ganz
auf (d). Demzufolge durchläuft der Esakistrom nach anfänglichem Steigen ein Maximum
(„Höckerstrom“) und sinkt dann gegen Null.
Dem Esakistrom überlagert ist der normale Durchlassstrom (Diffusionsstrom) der Diode. An
den Stromhöcker des Esakistromes schließt sich daher ein Stromminimum („Talstrom“) und
dann die normale Durchlasskennlinie der Diode an.
I

(c) (d)
Abbildung 4-14
Kennlinie der Tunneldiode (b) U

(a)

Zwischen Höckerstrom und Talstrom tritt ein Kennlinienabschnitt mit negativem differen-
tiellem Widerstand auf. Dadurch lässt sich die Tunneldiode zur Schwingungserzeugung im
Mikrowellenbereich nutzen.

Abbildung 4-15 Schaltzeichen der Tunneldiode

4.8 Backward-Diode
Eine Sonderform der Tunneldiode ist die Backward-Diode. Durch entsprechende Dotierung
befinden sich bei der Backwarddiode die Valenzbandkante des p-Gebiets und die
Leitbandkante des n-Gebiets im spannungslosen Zustand auf gleicher Höhe. Damit tritt bei
Sperrpolung sofort Tunnelstrom auf, im Flussbereich jedoch nicht.
Die Backwarddiode besitzt daher keinen Stromhöcker im Flussbereich, bei Sperrpolung leitet
sie jedoch bereits bei sehr kleinen Spannungen (keine Schwellspannung).
I
Abbildung 4-16
Schaltzeichen und Kennlinie
der Backward-Diode
U

Aufgrund dieser Eigenschaften ist die Backward-Diode geeignet zur Gleichrichtung von
Wechselspannungen im mV-Bereich. Dabei leitet die Backward-Diode in Sperrpolung und
sperrt in Flusspolung.

55
Die Diode

4.9 Schottky-Diode
Die Schottky-Diode beruht nicht auf einem pn-Übergang, sondern auf einem Metall-
Halbleiter-Übergang (in der Regel n-Halbleiter). Auch hier tritt (im Halbleiter) eine
Raumladungszone mit Gleichrichter-Eigenschaften auf. (siehe hierzu Abschnitt 3)
Abbildung 4-17
Schaltzeichen der Schottky-Diode
Im Gegensatz zum pn-Übergang ist bei Flusspolung praktisch nur eine Majoritätsträgerart
(Elektronen des n-leitenden Halbleiters) beteiligt. Langsame Minoritätsträgerprozesse
entfallen. Dadurch sind die dynamischen Eigenschaften der Schottky-Diode erheblich besser
als bei der pn-Diode (z.B. sehr viel kürzere Schaltzeiten).
Die Schleusenspannung der Schottky-Diode ist deutlich niedriger als die der pn-Diode (z.B.
0,3 . . . 0,4V).
Die Kennlinie folgt über mehrere Größenordnungen exakt dem theoretischen Verlauf der
e-Funktion (sehr viel besser als bei der pn-Diode).
Andererseits hat die Schottky-Diode auch weniger günstige Eigenschaften als die pn-Diode:
Der Sperrstrom ist ein Majoritätsträgerstrom, um mehrere Größenordnungen höher und
wesentlich stärker von der Sperrspannung abhängig als bei der pn-Diode.
Die Durchbruchspannung ist erheblich niedriger als bei pn-Dioden.
Tabelle 4-5 Daten von Schottky-Dioden
Typ 1N 5711 BAT 42 1N5819 MBR 1035
Grenzwerte
Strommittelwert IFAVM 15 mA 100 mA 1A 10 A
Sperrspannung URRM 70 V 30 V 40 V 35 V
Typische Kennwerte

Durchlassspannung UF < 0,41 V < 0,4 V < 0,35 V < 0,57 V

bei 1 mA bei 10 mA bei 100 mA bei 10 A
Sperrschichtkapazität C 2 pF 5 pF
Wichtige Anwendungsbereiche der Schottky-Diode sind:
- Höchstfrequenz-Diode (Gleichrichtung, Mischung),
- Schaltdiode mit extrem kurzer Schaltzeit,
- Leistungsgleichrichter für hohe Schaltfrequenzen (z.B. in Schaltnetzteilen),
- Klammerdiode für bipolare Schalttransistoren (zur Vermeidung einer starken
Übersteuerung),
- Schottky-Logik-Schaltkreise,
- opto-elektronische Bauteile usw..

4.10 Weitere Diodenformen

Die Liste der heute verfügbaren Dioden ließe sich beliebig weiterführen (laufzeitgesteuerte
Bauelemente wie Impatt-, Tunnett-, Baritt- und Qwitt-Dioden, Volumenbarrieren-Dioden,
Shockleydioden, Gunndiode usw.). Diese werden hier jedoch nicht behandelt.

56
Die Diode

4.11 Übungsaufgaben zu Dioden

Aufgabe 4-1: Allgemeine Fragen zu Dioden

(a) Warum weicht die Durchlaßkennlinie einer Diode für große Ströme vom exponentiellen
Verlauf ab und geht in einen annähernd linearen Verlauf über ?
(b) Was versteht man unter dem differentiellen Widerstand der Diode ?
(c) Wozu dient die Intrinsic-Zone bei hochsperrenden Leistungsdioden ?
(d) Wodurch erreicht man kleine Durchlass-Spannungen bei hochsperrenden Leistungsdioden ?
(e) Was ist eine Avalanche-Diode ?
(f) Was versteht man unter einem hyperabrupten pn-Übergang ? Wozu dient er ?
(g) Wozu verwendet man die Backward-Diode ?
(h) Welches sind die speziellen Eigenschaften einer Schottky-Diode ?
Aufgabe 4-2: Grafische Ermittlung des Arbeitspunktes
IF
U = 12 V
R1 R3
R1 = 90 Ω
U R2 UF
R2 = 180 Ω
R3 = 100 Ω
Diode: 1N4148
Ermittle grafisch Durchlass-Strom IF und Durchlass-Spannung UF der Diode.
60
I/mA 1N4148
50

40

30

20

10

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 U/V 10

57
Die Diode

Aufgabe 4-3: Einfache Widerstands-Diodenschaltungen

In vielen Fällen kann man die Funktion einer Diode in einer Schaltung ausreichend
beurteilen, in dem man die nicht lineare (z.B. exponentielle) Kennlinie einer Diode durch
eine lineare Näherung ersetzt (siehe hierzu Abschnitt A.3.3 im Anhang A)
Analysiere mit dieser Vorgehensweise die folgenden Einzelschaltungen und ermittle jeweils
die eingezeichneten Spannungen und Ströme.
Für eine Diode in Flußpolung soll (als Näherung) gelten UF = 0,7 V.
Für eine Z-Diode im Durchbruch soll (als Näherung) gelten UZ = 8,2 V.
+15V
I1 I2 I3 I4 I6 I9 I10 I13 I14 I15
1 kΩ ZD
1 kΩ 1 kΩ
ZD ZD
2 kΩ 1 kΩ
1 kΩ 1 kΩ
ZD ZD 1 kΩ
1 kΩ U4 1 kΩ
U1 U2 U3 U5 U6 U7
ZD I8 I11 I16
I5 I7 I12
Gnd

Aufgabe 4-4: Dioden-Logikschaltung

Die Eingänge E1 sowie E2 der gezeichneten Schaltung
können unabhängig voneinander entweder an Masse (0V) UB = 5 V
oder an UB (+5V) angeschlossen werden (4 Kombinatio-
nen). R1

Trage in die Tabelle A ein, welche Spannung sich dann E1

jeweils am Ausgang A gegenüber Masse einstellt
(berücksichtige UF = 0,7 V für eine leitende Diode). E2 A
Spannungen zwischen 0V und 1V sollen nun als
logisches 0-Signal, Spannungen zwischen 4V und 5V als
logisches 1-Signal betrachtet werden. Übertrage damit ±0
die Werte für das Ausgangssignal aus Tabelle A als
logische Zustände in die Wahrheitstabelle B.
Tabelle A Wahrheitstabelle B
E1 E2 A E1 E2 A
0V 0V 0 0
0V 5V 0 1
5V 0V 1 0
5V 5V 1 1

Welche logische Verknüpfung der Eingangssignale führt die Schaltung durch ?

58
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5 Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

Die Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode dient der Erzeugung einer konstanten,
lastunabhängigen Gleichspannung aus einer höheren, evtl. nicht konstanten und
lastabhängigen Gleichspannung.
In den folgenden Abschnitten sollen anhand der einfachen Stabilisierungsschaltung die
Methoden der grafischen und rechnerischen Schaltungsanalyse (siehe Anhang A) beispiel-
haft geübt werden, damit sie später bei komplexeren Schaltungen beherrscht werden.
RV IV IL
5.1 Grundschaltung
IZ
Abbildung 5-1 UZ RL
UB
Stabilisierungs-Grundschaltung
ZD

Die Stabilisierungs-Grundschaltung besteht aus der Reihenschaltung eines Widerstandes RV

und einer im Durchbruch betriebenen Z-Diode. Diese Reihenschaltung wird aus einer (evtl.
nicht stabilisierten) höheren Gleichspannung UB gespeist.
Im Durchbruchbetrieb der Z-Diode ist die Sperrspannung in einem großen Strombereich
annähernd konstant. An der Z-Diode kann daher eine stabilisierte Gleichspannung UZ
abgegriffen und einer Last (z.B. RL) zugeführt werden. Die stabilisierende Wirkung der
Z-Diode ist um so größer, je steiler ihre Durchbruchkennlinie verläuft.
Abbildung 5-2 Dimensionierungsbeispiel für die folgenden Analysen
UB = 20 V RV = 200 Ω IZ Z-Dioden-Kennlinie
RL = 400 Ω
Daten zur Kennlinien-Linearisierung der rz
Z-Dioden-Kennlinie
(siehe Anhang A, Abschnitt A.3.3:
Linearisierung von Kennlinien
UZ0 = 8 V rz = 20 Ω
UZ0 UZ
5.1.1 Graphische Schaltungsanalyse
Zur graphischen Schaltungsanalyse(8) muss die Stabilisierungsschaltung in einen (möglichst
linearen) aktiven Zweipol und einen passiven Zweipol unterteilt werden. Die Kennlinien der
beiden Zweipole müssen dann zum Schnitt gebracht werden.
Es sind drei Varianten möglich, die Stabilisierungsschaltung in einen aktiven und einen
passiven Zweipol zu unterteilen:

Variante Aktiver Zweipol passiver Zweipol

A UB, RV, Z-Diode RL
B UB, RV, RL Z-Diode
C UB, RV Z-Diode, RL

(8)
Die zahlenmäßigen Ergebnisse aller folgenden Analysen beziehen sich auf die Dimensionierung
gemäß Abbildung 5-2

59
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

* Variante A
Um bei Variante A einen linearen aktiven Zweipol zu erhalten, muss die Z-Diode durch
eine lineare Ersatzschaltung aus UZ0 und rz ersetzt werden. Man erhält dann einen aktiven
Zweipol mit zwei Quellen, der nun in eine einfache Ersatzquelle umgewandelt wird.
Die Stabilisierungsschaltung wird hierbei insgesamt in eine lineare Schaltung überführt.
Diese lineare Schaltung lässt sich sehr einfach rechnerisch analysieren, so dass man sich
eine graphische Lösung sparen kann. Auf rechnerische Analysen wird im Abschnitt 5.1.2
eingegangen.

* Variante B

Abbildung 5-3 Ersatzschaltungen für Variante B

RV IZ RiB IZ

UB RL UZ ⇒ U0B UZ
ZD ZD

Die Komponenten der Ersatzquelle errechnen sich zu:

RL
U 0B = U B ⋅ = 13, 3V RiB = RV // RL = 133,3 Ω
RV + RL

Mittels Schnittpunktverfahren erhält man auf graphischem Wege den Arbeitspunkt der
Z-Diode:
I/mA
Abbildung 5-4 100
Ermittlung des Arbeitspunktes Z-Diode
für Variante B RiB

50
AP
IZ

0
0 10 U0B 20 U/V
Aus der Zeichnung kann abgelesen werden: UZ
IZ ≈ 35 mA UZ ≈ 8,7 V

Ströme und Spannungen für die übrigen Bauteile der Stabilisierungsschaltung lassen sich
anschließend berechnen:
IL = UZ/RL = 21,75 mA UL = UZ ≈ 8,7 V
IV = IZ + IL = 56,75 mA U R V = U B − U Z ≈ 11,3V

60
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

* Variante C

Abbildung 5-5 Ersatzschaltbilder für Variante C

RV IV RiC=RV IV

UB UZ RL ⇒ U0C=UB UZ RLZD
ZD

Z-Diode und parallelgeschalteter Lastwiderstand bilden einen passiven nichtlinearen

Zweipol. Die Kennlinie dieses passiven Zweipoles erhält man, indem man die Kennlinien
von Z-Diode und Lastwiderstand in Stromrichtung addiert.
Anschließend erhält man den Arbeitspunkt AP an den Zweipolklemmen durch Schnitt der
Kennlinien von aktivem und passivem Zweipol.
I/mA RLZD
Abbildung 5-6
Graphische Analyse 100
bei Lösungsvariante C
ZD

IV AP
50
RL
IZ APZD

IL APR L RV

0 UB
0 10 20 U/V
UZ=UL URv

Aus der Zeichnung lassen sich Strom und Spannung im Arbeitspunkt AP ablesen:
UZ = UL ≈ 8,7 V IV ≈ 56,7 mA

Da in der Zeichnung die Einzelkennlinien von Z-Diode und Lastwiderstand enthalten sind,
lassen sich durch Schnitt mit der Linie U = UZ = UL auch die Arbeitspunkte APZD und
APR L einzeichnen und die Einzelströme IZ und IL ablesen:

IZ ≈ 35 mA IL ≈ 21,5 mA

Die Spannung am Vorwiderstand RV ergibt sich aus der Differenz von UB und UZ:
URv = UB - UZ ≈ 11,3 V

Bei Variante C (graphische Zusammenfassung von Z-Diode und Lastwiderstand) lassen sich
alle Ströme und Spannungen graphisch ermitteln. Berechnungen entfallen fast vollständig.
Vorteilhaft ist, dass bei den gezeigten graphischen Lösungen sofort erkennbar ist, ob die
Z-Diode im linearen Teil der Durchbruchkennlinie betrieben wird (siehe Abschnitt 5.2.1).

61
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5.1.2 Rechnerische Schaltungsanalyse (Betrieb mit Gleichspannung)

Für eine rechnerische Analyse der Stabilisierungsschaltung wird die Z-Diode durch eine
lineare Ersatzschaltung(9) ersetzt.

Abbildung 5-7 Überführung der Grundschaltung in eine lineare Ersatzschaltung

Grundschaltung Lineare Ersatzschaltung
RV IV IL IV IL
RV IZ
IZ
RL ⇒ rz UZ RL
UB UZ UB
ZD UZ0

5.1.2.1 Berechnung mittels Zweipoltheorie

Die lineare Ersatzschaltung in Abbildung 5-7 enthält einen Quellenzweipol mit zwei
Quellen. Dieser Quellenzweipol lässt sich weiter zusammenfassen (Siehe auch Abschnitt
5.1.1, Variante A).

Abbildung 5-8 Vereinfachung des Quellenzweipols

IL IL
RV Ri
rz
UB UZ RL ⇒ U0 UZ RL
UZ0

Leerlaufspannung der Stabilisierungsschaltung

rz RV
U0 = UB ⋅ + U Z0 ⋅ = 9, 09V (Überlagerungsgesetz)
R V + rz R V + rz
Innenwiderstand der Stabilisierungsschaltung
Ri = RV // rz = 18,18 Ω

Strom und Spannung an der Last

U0
IL = ≈ 21,74mA
Ri + RL
RL
UL = UZ = U0 ⋅ ≈ 8,7V (Spannungsteilerregel)
Ri + RL
Ausgehend von UZ können anschließend IZ und dann alle anderen Größen in der Schaltung
berechnet werden.

(9)
Für die Linearisierung der Z-Diodenkennlinie werden die Daten gemäß Abbildung 5-2 verwendet.

62
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5.1.2.2 Berechnung mit Kirchhoffschen Gesetzen

Für die Berechnung mit Kirchhoffschen Regeln dient das lineare Ersatzschaltbild nach
Abbildung 5-7.
Maschengleichungen
UZ = UZ0 + IZ · rz
UB = IV · RV + UZ
UZ = IL · RL
Knotengleichung
IV = IZ + IL
Hieraus lassen sich folgende Gleichungen für Ströme und Spannungen an Z-Diode und Last
ableiten:
Strom und Spannung an der Z-Diode
U B − U Z0 − I L ⋅ R V
IL gegeben: IZ =
R V + rz

U B ⋅ rz + ( U Z0 − I L ⋅ rz ) ⋅ R V
UZ =
R V + rz

U B ⋅ R L − U Z0 ⋅ ( R L + R V )
RL gegeben: IZ = ≈ 34,78mA
rz ⋅ R L + rz ⋅ R V + R L ⋅ R V

( U B ⋅ rz + U Z0 ⋅ R V ) ⋅ R L
UZ = ≈ 8,7V
R V ⋅ rz + R V ⋅ R L + R L ⋅ rz
Strom und Spannung am Lastwiderstand
U B ⋅ rz + U Z0 ⋅ R V
IL = ≈ 21,74mA
R V ⋅ rz + R V ⋅ R L + R L ⋅ rz

( U B ⋅ rz + U Z0 ⋅ R V ) ⋅ R L
UL = UZ = ≈ 8,7V
R V ⋅ rz + R V ⋅ R L + R L ⋅ rz
Strom und Spannung am Vorwiderstand
IV = IZ + IL ≈ 56,5 mA
U R V = U B − U Z ≈ 11,3V

Es besteht sehr gute Übereinstimmung zwischen den Ergebnissen der Berechnungen und den
Ergebnissen der graphischen Analysen nach Abschnitt 5.1.1.

63
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5.2 Berechnung von Grenzwerten

Anmerkung
Im folgenden werden Grenzwerte (Grenzdaten), die nicht über- oder unterschritten werden
dürfen, durch die Indices „max“ und „min“ gekennzeichnet. Werden diese Grenzwerte über-
oder unterschritten, so ist die ordnungsgemäße Funktion der betroffenen Schaltung nicht
mehr gewährleistet oder es droht die Gefahr der Zerstörung von Bauteilen.
In der Praxis auftretende Maximal- bzw. Minimalwerte, die nicht Grenzwerte im obigen
Sinn sind (z.B. maximale oder minimale Werte toleranzbehafteter Größen), werden mit
denselben Indices in Klammern „(max)“ bzw. „(min)“ gekennzeichnet.

5.2.1 Zulässiger Arbeitsbereich der Z-Diode

Zur Stabilisierung darf die Z-Diode nur im Bereich IZmin < IZ < IZmax betrieben werden.
Unterhalb von IZmin wird die Kennlinie immer flacher, so dass keine stabilisierende Wirkung
mehr vorhanden ist.
Oberhalb von IZmax wird die maximal zulässige Verlustleistung Ptot der Z-Diode
überschritten; es droht die Zerstörung der Diode. I Z

IZmax
Ptot
Abbildung 5-9
Zulässiger Arbeitsbereich der Z-Diode

IZmin

Ermittlung der Grenzwerte UZmin UZmax UZ

* IZmax lässt sich aus Ptot berechnen (z.B. Ptot = 0,8 W)
Es gilt: Ptot = IZmax ⋅ UZmax = IZmax ⋅ (UZ0 + IZmax ⋅ rz) = IZmax2 ⋅ rz + IZmax ⋅ UZ0
Die Lösung dieser quadratischen Gleichung liefert:
2
U P U 
I Z max = − Z0 + tot +  Z0  ≈ 82,85mA
2 ⋅ rz rz  2 ⋅ rz 
Dem entspricht:
UZmax = Ptot /IZmax ≈ 9,66 V

* IZmin ist aus der Kennlinie zu entnehmen z.B. IZmin = 10 mA

(Ersatzweise kann man auch wählen IZmin = 5 .... 10 % von IZmax )
Dem Strom IZmin entspricht eine Spannung UZmin:
UZmin = UZ0 + IZmin · rz = 8,2 V

Die folgenden Berechnungen zielen auf die Einhaltung des zulässigen Arbeitsbereiches
IZmin < IZ < IZmax

64
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5.2.2 Grenzwerte für die Einzelbauelemente

Im folgenden werden Grenzwerte für die Größe der einzelnen Bauelemente der
Stabilisierungsschaltung berechnet.
Die Grenzwerte für ein Bauelement werden unter der Voraussetzung berechnet, dass die
Größe der jeweils anderen Bauelemente vorgegeben und bekannt ist.
5.2.2.1 Einfluss der Bauelementetoleranzen auf den Z-Dioden-Strom
* IZ nimmt bei toleranzbehafteten Bauelementen den niedrigsten Wert ein für
UB(min), RV(max), IL(max), RL(min)
* IZ nimmt bei toleranzbehafteten Bauelementen den höchsten Wert ein für
UB(max), RV(min), IL(min), RL(max)
Diese Angaben sind bei der Ermittlung der Grenzwerte für die einzelnen Bauteile zu
berücksichtigen.
5.2.2.2 Grenzwerte für die Versorgungsspannung UB
RV
Es gilt U B = (I Z + I L ) ⋅ R V + U Z bzw. U B = I Z ⋅ R V + U Z ⋅ (1 + )
RL
Mit steigender Versorgungsspannung UB steigt der Z-Dioden-Strom IZ.
Der Grenzwert UBmax ist so festzulegen, dass die Grenze IZmax nicht überschritten wird:
RV
U B max = ( I Z max + I L ) ⋅ R V + U Z max bzw. U B max = I Z max ⋅ R V + U Z max ⋅ (1 + )
RL

Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen RV(min), RL(max), bzw. IL(min).

Mit sinkender Versorgungsspannung UB sinkt der Z-Dioden-Strom IZ.
Der Grenzwert UBmin ist so festzulegen, dass die Grenze IZmin nicht unterschritten wird:
RV
U B min = ( I Z min + I L ) ⋅ R V + U Z min bzw. U B min = I Z min ⋅ R V + U Z min ⋅ (1 + )
RL

Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen RV(max), RL(min), bzw. IL(max).

Die Grenzwerte der Versorgungsspannung lassen sich auch graphisch ermitteln:
I RLZD

IZmax
Abbildung 5-10
Grenzwerte der RL
Versorgungsspannung ZD
(ohne Toleranzen für RL und RV)
RV
IZmin RV
U
UBmin UBmax
Zunächst müssen die Grenzen IZmin und IZmax von der Z-Dioden-Kennlinie auf die
Summenkennlinie (RL // ZD) übertragen werden.

65
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

Durch die so gewonnenen Grenzen des zulässigen Arbeitsbereiches auf der Summenkennlinie
zieht man Widerstandsgeraden für RV. Die Schnittpunkte dieser Widerstandsgeraden mit der
Spannungsachse ergeben die Grenzwerte UBmin und UBmax.
5.2.2.3 Grenzwerte für den Vorwiderstand RV
UB − UZ UB − UZ
Es gilt RV = bzw. RV =
IZ + IL I Z + (U Z R L )
Mit steigender Größe des Vorwiderstandes RV sinkt der Z-Dioden-Strom IZ.
Der Grenzwert RVmax ist so festzulegen, dass die Grenze IZmin nicht unterschritten wird:
U B − U Z min U B − U Z min
R V max = bzw. R V max =
I Z min + I L I Z min + ( U Z min R L )
Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(min), RL(min), bzw. IL(max).
Mit sinkender Größe des Vorwiderstandes RV steigt der Z-Dioden-Strom IZ.
Der Grenzwert RVmin ist so festzulegen, dass die Grenze IZmax nicht überschritten wird:
U B − U Z max U B − U Z max
R V min = bzw. R V min =
I Z max + I L I Z max + U Zmax / R L

Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(max), RL(max), bzw. IL(min).

Die Grenzwerte des Vorwiderstandes lassen sich auch graphisch ermitteln:
I RLZD

IZmax
Abbildung 5-11
Grenzwerte des RL
Vorwiderstandes RV ZD
(ohne Toleranzen für UB und RL)
RVmin
IZmin RVmax

UB U
Ausgehend vom Punkt UB auf der Spannungsachse werden Widerstandsgeraden durch die
Grenzwerte IZmin und IZmax auf der Summenkennlinie RL // ZD gezeichnet. Die beiden
Widerstandsgeraden entsprechen den Grenzwerten RVmax und RVmin.
5.2.2.4 Grenzwerte für den Lastwiderstand RL
UZ ⋅ RV
Für RL gilt RL =
UB − UZ − IZ ⋅ R V
Mit steigender Größe des Lastwiderstandes RL steigt der Z-Diodenstrom IZ.
Der Grenzwert RLmax ist so festzulegen, dass die Grenze IZmax nicht überschritten wird:
U Z max ⋅ R V
R L max =
U B − U Z max − I Z max ⋅ R V
Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(max), RV(min).

66
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

Mit sinkender Größe des Lastwiderstandes RL sinkt der Z-Diodenstrom IZ.

Der Grenzwert RLmin ist so festzulegen, dass die Grenze IZmin nicht unterschritten wird:
U Z min ⋅ R V
R L min =
U B − U Z min − I Z min ⋅ R V
Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(min), RV(max).
Die Grenzwerte des Lastwiderstandes lassen sich auch graphisch ermitteln:
RLmin
I
IVmax
IVmin
Abbildung 5-12
Grenzwerte des IZmax
Lastwiderstandes RL
(ohne Toleranzen für UB und RV)
RLmax
ZD

IZmin RV

UZmin UZmax UB U

- Ausgehend vom Punkt UB auf der Spannungsachse wird die Widerstandsgerade für RV
eingezeichnet. Jeder Arbeitspunkt des passiven Zweipols aus Z-Diode und
Lastwiderstand muss auf dieser Generatorkennlinie liegen.
- Im Punkt UZmin auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Der Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der niedrigsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmin, dem niedrigsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmin und dem Strom IVmax wieder. Eine Gerade durch
diesen Arbeitspunkt und den Punkt IZmin auf der Strom-Achse hat die Steigung des
kleinsten zulässigen Widerstandes RL. Eine Parallele dieser Geraden durch den Ursprung
des Koordinatensystems ist die Kennlinie von RLmin.
- Im Punkt UZmax auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Dieser Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der höchsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmax, dem höchsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmax und dem Strom IVmin wieder. Eine Gerade durch
diesen Arbeitspunkt und den Punkt IZmax auf der Strom-Achse hat die Steigung des
größten zulässigen Widerstandes RL. Eine Parallele dieser Geraden durch den Ursprung
des Koordinatensystems ist die Kennlinie von RLmax. Hat die Verbindungsgerade eine
negative Steigung, so ist der höchste zulässige Lastwiderstand RLmax → ∞. Der
Arbeitspunkt IZmax / UZmax der Z-Diode kommt dann bei keinem Lastwiderstand vor.
5.2.2.5 Grenzwerte für den Laststrom IL
UB − UZ
Für IL gilt IL = − IZ
RV
Mit steigender Größe des Laststromes IL sinkt der Z-Diodenstrom IZ.

67
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

Der Grenzwert ILmax ist so festzulegen, dass die Grenze IZmin nicht unterschritten wird:
U B − U Z min
I L max = − I Z min
RV

Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(min), RV(max).

Mit sinkender Größe des Laststromes IL steigt der Z-Diodenstrom IZ.
Der Grenzwert ILmin ist so festzulegen, dass die Grenze IZmax nicht überschritten wird:
U B − U Z max
I L min = − I Z max
RV
Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(max), RV(min).
Die Grenzwerte des Laststromes lassen sich auch graphisch ermitteln:
I
IVmax
ILmax
IVmin
Abbildung 5-13
Grenzwerte des
Laststromes IL IZmax
(ohne Toleranzen für UB und RV )

ZD
ILmin
IZmin RV

UZmin UZmax UB U
- Ausgehend vom Punkt UB auf der Spannungsachse wird die Widerstandsgerade für RV
eingezeichnet. Jeder Arbeitspunkt des passiven Zweipols aus Z-Diode und
Lastwiderstand muss auf dieser Generatorkennlinie liegen.
- Im Punkt UZmin auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Der Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der niedrigsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmin, dem niedrigsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmin und dem Strom IVmax wieder. Die Differenz aus IVmax
und IZmin ergibt den maximal zulässigen Laststrom ILmax.
- Im Punkt UZmax auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Dieser Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der höchsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmax, dem höchsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmax und dem Strom IVmin wieder. Die Differenz aus IVmin
und IZmax ergibt den niedrigsten zulässigen Laststrom ILmin. Ist der Strom IVmin kleiner
als IZmax, so ist der niedrigste zulässige Laststrom ILmin = 0.

68
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5.3 Überlagerung von Gleich- und Wechselspannung

5.3.1 Wechselanteil der stabilisierten Gleichspannung

Häufig ist der Gleichspannung, aus der die Stabilisierungsschaltung versorgt wird, eine
Wechselspannung überlagert, z.B. Welligkeit einer durch Gleichrichtung und Glättung aus
einer Wechselspannung gewonnenen Gleichspannung (siehe Abschnitt 6).
Zur rechnerischen Abschätzung des Einflusses der überlagerten Wechselspannung dient das
folgende Ersatzschaltbild : RV I +i I +i
V v L l

Abbildung 5-14 IZ+iz

Überlagerung von
ub
Gleich- und Wechselspannung rz UZ+uz
RL
UB
UZ0

Nach dem Überlagerungsgesetz kann der Einfluss der einzelnen Quellen getrennt
voneinander betrachtet werden. Zur Analyse des Einflusses der Wechselspannung kann
demnach aus Abbildung 5-14 ein Wechselstrom-Ersatzschaltbild abgeleitet werden. Hierzu
werden alle Gleichspannungsquellen durch Kurzschlüsse (d.h. U = 0) ersetzt.
RV iv il
Abbildung 5-15
Wechselstrom-Ersatzschaltbild iz

ub rz uz RL

Anhand des Wechselstrom-Ersatzschaltbildes lässt sich der Wechselanteil uz der Z-Dioden-

Spannung errechnen:
rz // R L
uz = ⋅ ub
R V + rz // R L
Für eine wirksame Spannungsstabilisierung müssen die Bedingungen (RL >> rz) und
(RV >> rz) erfüllt sein:
Mit RL >> rz erhält man: rz
uz ≈ ⋅ ub
R V + rz
Mit RV >> rz ergibt sich schließlich: rz
uz ≈ ⋅ub
RV

ub R
Der Quotient = V wird Glättungsfaktor bzw. Siebfaktor genannt.
uz rz

Er gibt an, um welchen Faktor der Wechselanteil der Eingangsspannung gedämpft wird.

ub
Zahlenbeispiel: RV = 200 Ω rz = 20 Ω ⇒ ≈ 10
uz
(d.h. der Wechselanteil am Ausgang der Stabilisierungsschaltung ist 10 mal kleiner als am Eingang)

69
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5.3.2 Verlustleistung der Z-Diode

Der Augenblickswert der Verlustleistung an der Z-Diode ergibt sich aus dem Produkt
pZ(t) = uZ(t) · iZ(t)
Mit uZ(t) = UZ + uz(t)
und iZ(t) = IZ + iz(t)
ergibt sich eine mittlere Verlustleistung
1 T 1 T
PVZ = ⋅ ∫ p Z ( t ) ⋅ dt = ⋅ ∫ u Z ( t ) ⋅ i Z ( t ) ⋅ dt
T 0 T 0
T T
Mit ∫ u z ( t ) ⋅ dt = 0 und ∫ i z ( t ) ⋅ dt = 0
0 0

sowie uz(t) = iz(t) · rz

1 T 2 2
u zeff 2
ergibt sich PVZ = U Z ⋅ I Z + rz ⋅ ⋅ ∫ i z ⋅ dt = U Z ⋅ I Z + i zeff ⋅ rz = U Z ⋅ I Z +
T 0 rz
Die gesamte Verlustleistung setzt sich demnach aus einem reinen Gleich- und einem reinen
Wechselanteil zusammen:
PVZ = PV= + PV ~

2 u zeff 2
PV = = U Z ⋅ I Z PV ~ = i zeff ⋅ rz =
rz

5.3.3 Genauere Betrachtung des differentiellen Widerstandes

Die Durchbruchspannung der Z-Diode ist temperaturabhängig.

Näherungsweise gilt UZ(ϑ2) = UZ(ϑ1) · [1 + α · (ϑ2 - ϑ1)]

Eine Änderung der Temperatur führt damit zu einer Parallelverschiebung der
Durchbruchkennlinie.
Maßgeblich für die Durchbruchspannung ist die jeweilige Sperrschichttemperatur ϑj.

In Abbildung 5-16 sind die (linearisierten) Durchbruchkennlinien einer Z-Diode für drei
unterschiedliche Sperrschichttemperaturen dargestellt.
IZ rzu
Abbildung 5-16 ϑj=120°C
Temperaturabhängigkeit ϑu=20°C
ϑj=70°C
der Durchbruchkennlinie
ϑj=20°C
einer Z-Diode
(Lawineneffekt ⇒
positiver Temperaturkoeffizient α)

rzj
UZ

70
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

Jede der drei Kennlinien gilt unter der Voraussetzung, dass die Sperrschichttemperatur
unabhängig vom gerade fließenden Strom einen konstanten Wert hat. Die konstante
Sperrschichttemperatur beim Durchlaufen der Kennlinie kann nur bei schnellen Vorgängen
eingehalten werden, bei denen die Sperrschichttemperatur (wegen der vorhandenen
Wärmekapazität) dem zeitlichen Verlauf der Verlustleistung nicht folgen kann.
Es handelt sich bei den drei Kennlinien also um dynamische Kennlinien. Die dynamischen
Kennlinien sind steil und besitzen den differentiellen Widerstand rz j = rzdyn .
In der Abbildung 5-16 ist eine weitere, flachere Kennlinie eingezeichnet. Diese Kennlinie gilt
unter der Voraussetzung, dass die Diode bei einer konstanten Umgebungstemperatur (im
Beispiel ϑu = 20 °C) betrieben und die Kennlinie sehr langsam durchfahren wird. Bei dieser
Betriebsweise stellt sich bei jedem Wert des Z-Diodenstromes eine von der jeweiligen
Verlustleistung abhängige Sperrschichttemperatur ein. Mit steigendem Strom IZ steigt damit
die Sperrschichttemperatur. Der positive Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung
führt dazu, dass sich eine flachere Kennlinie mit einem deutlich höheren differentiellen
Widerstand rzu ergibt.
Die Kennlinie für konstante Sperrschichttemperatur ϑj = 20 °C lautet:
U Z20 = U Z0 + rzdyn ⋅ I Z

Im statischen Betrieb bei der Umgebungstemperatur ϑu = 20 °C mit dem Strom IZ steigt die
Sperrschichttemperatur proportional zur auftretenden Verlustleistung PV an um
(10)
∆ϑ = PV ⋅ R th
Es stellt sich dann folgende Durchbruchspannung ein:
U Zu = U Z20 ⋅ (1 + α ⋅ ∆ϑ)

Mit PV = U Zu ⋅ I Z
wird daraus U Zu = U Z20 ⋅ (1 + α ⋅ U Zu ⋅ I Z ⋅ R th )
und mit U Z20 ⋅ U Zu ≈ U Z 2
ergibt sich U Zu ≈ U Z20 + α ⋅ U Z 2 ⋅ R th ⋅ I Z

Setzt man die oben angegebene Gleichung für U Z20 ein,

so erhält man: U Zu ≈ U Z0 + rzdyn ⋅ I Z + α ⋅ U Z 2 ⋅ R th ⋅ I Z

Klammert man IZ aus U Zu ≈ U Z0 + (rzdyn + α ⋅ U Z 2 ⋅ R th ) ⋅ I Z = U Z0 + rz u ⋅ I Z

so wird deutlich, dass sich der differentielle Widerstand rzu der Z-Diode für statischen
Betrieb aus zwei Komponenten zusammensetzt:
rz u = rzdyn + rz th = rzdyn + α ⋅ U Z 2 ⋅ R th

Neben dem dynamischen Anteil rzdyn ist ein thermisch bedingter Anteil rz th wirksam:

rz th = α ⋅ U Z 2 ⋅ R th

(10)
Der Wärmewiderstand Rth wird im Abschnitt 21 behandelt.

71
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

5.4 Übungsaufgaben zur Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode

RV IV IL

IZ
Für alle folgenden Aufgaben gilt diese Schaltung UZ RL
UB
ZD

Aufgabe 5-1: Grafische Analyse der Stabilisierungsschaltung

Bei der Ermittlung der Kennlinie einer Z-Diode wurden folgende Meßwerte notiert:
UZ /V 0 1 2 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5

I Z /mA 0 0 0 0,1 0,8 2 5 16 43 71 99

a) Geben Sie für die linearisierte Kennlinie die Werte UZ0 und rZ an.
b) Welchen Wert IZmin würden Sie für diese Z-Diode festlegen?
Begründen Sie den gewählten Wert.
c) Ermitteln Sie grafisch den größten zulässigen Strom durch die Z-Diode (IZmax) für
Ptot = 0,35 W (Verlustleistungshyperbel in das Kennlinienfeld einzeichnen)
d) Darf die Z-Diode mit einem Vorwiderstand RV = 100 Ω an einer Spannungsquelle von
UB = 12 V betrieben werden? (kein Lastwiderstand parallel zur Z-Diode)

Aufgabe 5-2: Grafische Analyse des zulässigen Vorwiderstandes

UB = 24 V ± 2 V; UZ0 = 15 V; rz = 30 Ω; IZmin = 10 mA, IZmax = 80 mA; RL = 500 Ω
Ermittle grafisch RVmin und RVmax (Widerstandswerte angeben)

Aufgabe 5-3: Überlagerung von Gleich- und Wechselspannung

RV = 200 Ω; RL ≥ 500 Ω; UZ0 = 12 V; rzu = 25 Ω ; α = + 0,1 %/K; Rth = 140 K/W
Einer Gleichspannung UB = 20 V ist eine Wechselspannung ub mit der Amplitude
ûb = 2 V und der Frequenz f = 1 kHz überlagert.
Aus der Gesamtspannung uB = UB + ub soll mit Hilfe einer Z-Diode eine Gleichspannung
von UZ ≈ 12 V mit einem Wechselanteil von maximal ûZ = 0,1 V gewonnen werden.
Kann diese Forderung mit der gezeichneten Schaltung erfüllt werden ?
(Berechne hierzu die tatsächlich auftretende Amplitude der Wechselspannung uz)

72
Netzgleichrichter

6 Netzgleichrichter
Netzgleichrichter dienen dazu, aus der Wechselspannung eines vorhandenen Versorgungs-
netzes (50 Hz in vielen Teilen der Welt, 60 Hz in USA, 16 2/3 Hz bei den Eisenbahnen) eine
Gleichspannung zu gewinnen.
Charakteristisch für Netzgleichrichter ist, dass Frequenz und Amplitude der Netzspannung
am Ort des Verbrauchers vorgegeben sind und zwischen dem Wechselstrom-Netz und dem
Gleichrichter grundsätzlich ein Transformator zur Pegelanpassung und zur galvanischen
Entkopplung vorhanden ist.
In diesem Abschnitt wird die Gleichrichtung bei Ein-Phasen-Wechselspannung behandelt.
Am Beispiel der Netzgleichrichter sollen exemplarisch Vorgehensweisen zur
näherungsweisen Berechnung nichtlinear arbeitender Schaltungen aufgezeigt werden.
Eine kurze Einführung in Gleichrichter bei Drehstrom-Netzen erfolgt im Abschnitt 7.

6.1 Gleichrichterschaltungen ohne Glättung (mit ohmscher Last)

6.1.1 Einweggleichrichter
Abbildung 6-1 Einweggleichrichter
ü iD = iL u1 = primärseitige
Klemmenspannung des Trafos
RiT D u20 = sekundärseitige
u1 u20 u2 uL RL Leerlaufspannung des Trafos
u2 = sekundärseitige
Klemmenspannung des Trafos
RiT = Ersatzwiderstand für die
Wicklungswiderstände des Trafos
u20 = u1/ü = û20 ⋅ sin(ωt) R Cu1
(R iT ≈ R Cu2 + )
ü2
6.1.1.1 Graphische Analyse
Die graphische Analyse des Einweggleichrichters erfolgt gemäß
Anhang A, Abschnitt A.5.2.2.
Abbildung 6-2 Graphische Analyse des Einweggleichrichters
ID iD=iL
3 Diodenstrom
2 4

Diodenkennlinie RiT+RL 1
5

0 6 8 10 12 t
UD 7 9 11
u20
0 1 2 3
5 4
6
8 7 Transformator-
9
10 Ausgangsspannung
11 12

t
73
Netzgleichrichter

Aus Abbildung 6-2 wird erkennbar, dass die Diode in jeder positiven Halbwelle der
Netzspannung Strom fließen lässt. Wegen der nichtlinearen Kennlinie der Diode treten bei
Laststrom und Lastspannung Abweichungen von der Sinusform auf. Diese Abweichungen
sind um so geringer je größer die Transformator-Ausgangsspannung im Vergleich zur
Dioden-Durchlassspannung ist.
In den negativen Halbwellen sperrt die Diode; es fließt kein Strom.
Da in jeder Netzperiode nur eine Halbwelle durchgelassen wird, spricht man auch vom
Halbwellen-Gleichrichter.
Abbildung 6-3 zeigt die gegenseitige Zuordnung der Zeitverläufe von Spannungen und
Strömen beim Einweggleichrichter mit ohmscher Last.
u20

Abbildung 6-3
Zeitdiagramme von t
Spannungen und Strömen
beim Einweggleichrichter
iD uL

uD
t

Da der Einweggleichrichter nur jede zweite Halbwelle der Wechselspannung nutzt und daher
eine pulsierende Gleichspannung mit großen zeitlichen Lücken erzeugt, ist er für die meisten
Anwendungen ungeeignet und besitzt nur geringe Bedeutung.
6.1.1.2 Berechnung (Näherungsformeln)
Mittelwerte
Die folgenden Mittelwerte für die Gleichspannung an der Last sind unter der Voraussetzung
u20 >> uF angegeben. Unter dieser Voraussetzung kann die Durchlassspannung der
Gleichrichterdiode vernachlässigt werden. Vereinfachend wird weiterhin unterstellt, dass die
Wicklungswiderstände RiT des Transformators vernachlässigbar klein sind. Unter diesen
Voraussetzungen gilt in der Durchlassphase der Diode u20 ≈ uL(t)
* Arithmetischer Mittelwert
uL
Abbildung 6-4 ûL
Arithmetischer Mittelwert
uL
0 π 2π 3π 4π ωt

Zur Berechnung des arithmetischen Mittelwertes sucht man ein Rechteck der Länge 2π,
dessen Fläche gleich groß ist wie die Fläche unter einer Halbwelle der pulsierenden
Gleichspannung uL(ωt). Die Höhe dieses Rechtecks entspricht dem Mittelwert ūL.

74
Netzgleichrichter

π
u L ⋅ 2π = ³ û L ⋅ sin(ωt ) ⋅ d(ωt )
0
π
1
uL = ⋅ û L ⋅ [− cos(ωt )]
2π 0

ûL
uL = ≈ 0,32 ⋅ û 20 (arithmetischer Mittelwert)
π

* Effektivwert
Der Effektivwert URMS = Ueff einer Wechselspannung entspricht jener Gleichspannung,
die an einem ohmschen Widerstand dieselbe elektrische Leistung umsetzt wie die
Wechselspannung.
Zur Ermittlung der Wechselstrom-Leistung integriert man die Momentanleistung über eine
Periode der Wechselspannung und bildet dann den arithmetischen Mittelwert.
1 2π [u L (ωt )] 2
PL elektr = U L RMS 2 / R L = ⋅ ∫ ⋅ d(ωt )
2π 0 RL

1 π 2
Daraus ergibt sich U LRMS = ⋅ ∫ û L ⋅ sin 2 (ωt ) ⋅ d (ωt )
2π 0

1
Mit sin 2 α = ⋅ [1 − cos(2α)]
2

1 π
ergibt sich U LRMS = û L ⋅ ⋅
2π 2

û L û 20 U 20RMS
U LRMS = ≈ = (Effektivwert)
2 2 2

6.1.2 Zweiweggleichrichter - Mittelpunktschaltung

Der Zweiweggleichrichter vermeidet die Nachteile des Einweggleichrichters:
Er nutzt positive und negative Halbwellen der gleichzurichtenden Wechselspannung.
Eine Variante des Zweiweggleichrichters ist die Mittelpunktschaltung. (Die zweite Variante
(Brückengleichrichter) wird im Abschnitt 6.1.3 behandelt)
iD1 A
iL
Abbildung 6-5 RiT D1
Mittelpunktschaltung u20 u2 uL RL

u1
B
u20 u2
RiT D2

iD2
Die Funktion der Mittelpunktschaltung entspricht dem Einweggleichrichter, wobei für beide
Spannungshalbwellen jeweils eine eigene Transformator-Sekundärwicklung und eine eigene
Gleichrichterdiode vorhanden ist.

75
Netzgleichrichter

6.1.2.1 Grafische Analyse der Mittelpunktschaltung

Abbildung 6-6 Funktion der Mittelpunktschaltung (grafische Analyse der Schaltungsteile)
u20
u20

u20 t

+ iD1
R D1 A
u20 iT RL iD1
0
B
t
positive Halbwelle von u 20
_
_
negative Halbwelle von u 20
B iD2
0u
20

RiT D2 RL t
A
+ iD2

iD1 A iL
uL ∼ iL = iD1+iD2
iD2
uL R
L
t
B

Vorteile der Mittelpunktschaltung

(im Vergleich zum Brückengleichrichter nach Abschnitt 6.1.3)
- Es liegt immer nur eine Diode im Strompfad → Geringere Spannungs- und
Leistungsverluste am Gleichrichter
- Durchgehender Bezugsleiter von Transformator-Ausgangswicklung bis zur Last
Nachteile der Mittelpunktschaltung
- zweite Sekundärwicklung am Transformator erforderlich
6.1.2.2 Näherungsweise Berechnung der Mittelpunktschaltung
Näherungsformeln für die Mittelwerte (für u20 >> UF0 → u20 ≈ û L)
* Arithmetischer Mittelwert
uL
Abbildung 6-7
Arithmetischer Mittelwert

76
Netzgleichrichter

π
1
u L = ⋅ ∫ û L ⋅ sin(ωt ) ⋅ d(ωt )
π 0

2
uL = ⋅ û L ≈ 0,64 ⋅ û L ≈ 0,64 ⋅ û 20
π

* Effektivwert
π
1
π ∫0
U L RMS = ⋅ û L 2 ⋅ sin 2 (ωt ) ⋅ d(ωt )

ûL û 20
U L RMS = ≈ = U 20RMS
2 2

6.1.3 Zweiweggleichrichter - Brückengleichrichter (Graetz-Gleichrichter)

ü ∼
RiT D3 D1
Abbildung 6-8 _ A
Brückengleichrichter u20 u2 +
u1

D2 D4
∼ uL RL

6.1.3.1 Stromfluss bei der Brückenschaltung B

Bei der Brückenschaltung liegen immer zwei Dioden im Stromfluss, zwei Dioden sind
gesperrt.
(a) Positive Halbwelle
ü
∼
RiT D3 D1
Abbildung 6-9 _ A
u1 u20 u2 +
Stromfluss bei
Brückenschaltung
D2 D4 uL
∼ RL

B
(b) Negative Halbwelle

∼
RiT D3 D1
_ + A
u1 u20 u2

D2 D4
∼ uL RL

77
Netzgleichrichter

Für kleinere und mittlere Leistungen werden Gleichrichter mit 4 Dioden in

Brückenanordnung als komplettes Bauteil angeboten
Tabelle 6-1 Daten von Si-Brückengleichrichtern
Typ (Baureihe) B40C800 ... B380C1500 B40C1500 ... B380C5000
Nennanschlussspannung 40 ... 380 Veff 40 ... 380 Veff
Durchlassspannung (Spannungsabfall) ≈ 1,5 V ≈ 1,5 V
Max. Strommittelwert I0AVM 800 ... 1500 mA 1500 ... 5000 mA
Periodischer Spitzenstrom IFM 10 A 10 ... 40 A
Einmaliger Spitzenstoßstrom IFSM 50 A 50 ... 200 A
Bauform Rundgehäuse Flachgehäuse

Vorteile der Brückenschaltung

- nur eine Transformator-Sekundärwicklung erforderlich
Nachteile der Brückenschaltung
- 4 Dioden erforderlich
- jeweils zwei Dioden gleichzeitig stromdurchflossen → doppelte Spannungs- und
Leistungsverluste
- nicht für die Gleichrichtung kleiner Spannungen geeignet
- kein gemeinsamer Bezugsleiter für Transformator und Last.
6.1.3.2 Näherungsweise Berechnung der Brückenschaltung
Näherungsformeln für Mittelwerte (für û20 >> UF0; û20 ≈ ûL)
* Arithmetischer Mittelwert
2
uL = ⋅ û L ≈ 0,64 ⋅ û L ≈ 0,64 ⋅ û 20 (wie Mittelpunktschaltung)
π
* Effektivwert
ûL û 20
U L RMS = ≈ = U 20RMS (wie Mittelpunktschaltung)
2 2

Unter Vernachlässigung der Dioden-Durchlassspannungen gilt für die Brückenschaltung:

Effektivwert Gleichspannung = Effektivwert Wechselspannung vor Gleichrichter
6.1.4 Genauere Berechnung der Zweiweggleichrichter
Eine genauere Berechnung ist erforderlich für
û20 < 20 ⋅ n ⋅ UF0 oder RL < 20 ⋅ (RiT + n ⋅ rf)
Anmerkung: Die folgenden Berechnungen gelten mit n = 1 für die Mittelpunktschaltung
und mit n = 2 für die Brückenschaltung
Für die Berechnung der Gleichrichter verwendet man eine lineare Näherung der
Diodenkennlinie mit Schwellspannung UF0 und differentiellem Widerstand rf gemäß
Abbildung 4-7 bzw. Anhang A, Abschnitt A.3.3: Linearisierung von Kennlinien.

78
Netzgleichrichter

Maschengleichung
(für Durchlasspolung) û20(t) ≥ n⋅UF0 ⇒ uD(t) = uF(t) ≥ UF0 ⇒ iD(t) = iF(t) ≥ 0
û20 - iF · RiT - n⋅(UF0 + iF · rf) - iF · RL = 0

uF uL
uL = RL ⋅ iF = û20 - n⋅UF0 - iF ⋅ (RiT + n⋅rf)

uL
Mit iF =
RL
u 20 − n ⋅ U F0
ergibt sich uL =
R + n ⋅ rf
1 + iT
RL
R iT + n ⋅ rf
Mit k=
RL
u 20 − n ⋅ U F0
wird daraus uL =
1+ k

* Arithmetischer Mittelwert
π
1
u L = ⋅ ∫ u L ⋅ dϕ
π 0
π
1
π ⋅ (1 + k ) ∫0
uL = ⋅ (û 20 ⋅ sin ϕ − n ⋅ U F0 ) ⋅ dϕ

1 2
uL = ⋅ ( ⋅ û 20 − n ⋅ U F0 )
1+ k π

* Effektivwert
π 2
1  û 20 ⋅ sin ϕ − n ⋅ U F0 
π ∫0 
U L RMS = ⋅   ⋅ dϕ
1+ k 

1 û 4
U L RMS = ( 20 ) 2 − û 20 ⋅ n ⋅ U F0 + (n ⋅ U F0 ) 2
1+ k 2 π

* Nutzleistung (am Lastwiderstand)

U L RMS 2
PL =
RL

* Transformator-Leistung
π
1
P2 = ⋅ ∫ u 20 ⋅ i L ⋅ dϕ
π 0

79
Netzgleichrichter

1  û 20 2 2 ⋅ û 20 ⋅ n ⋅ U F0 
Daraus ergibt sich: P2 = ⋅ − 
(1 + k ) ⋅ R L  2 π 
 

* Verlustleistung (an Dioden und RiT)

P V = P2 - PL

* Wirkungsgrad
PL P2 − PV P
η = = = 1− V
P2 P2 P2

* Verlustleistung an einer Diode

π
1
2 π ∫0
PVD = ⋅ i F ⋅ u F ⋅ dϕ

Mit uL = u20 - n⋅uF - iF ⋅ RiT

u20 = û20 ⋅ sinϕ
uF = UF0 + iF ⋅ rf
uL
iF = und
RL
ΣR = R iT + n ⋅ rf + R L
ergibt sich daraus:

U F0  û 20 n ⋅ U F0  r  û 2 2 ⋅ û 20 ⋅ n ⋅ U F0 n 2 ⋅ U F0 2 
PVD = ⋅ −  + F2 ⋅  20 − + 
ΣR  π 2  ΣR  4 π 2 
 

* Gleichrichter-Gesamtverlustleistung PVGl

Einweg- Mittelpunkt- Brücken-

Gleichrichter Schaltung Gleichrichter
PVGl PVD 2 ⋅ PVD 4 ⋅ PVD

6.2 Gleichrichterschaltungen mit Glättung

Zweck: Zur Hilfsenergie-Versorgung elektronischer Schaltungen werden in aller Regel
Gleichspannungen benötigt, die nur innerhalb eines begrenzten Toleranzbereiches
variieren dürfen. Spannungseinbrüche bis auf den Wert Null, wie sie bei den
Gleichrichterschaltungen ohne Glättung nach Abschnitt 6.1 auftreten, sind in diesen
Fällen unzulässig.
Die durch Gleichrichtung gewonnenen Gleichspannungen müssen daher meistens
geglättet werden.

80
Netzgleichrichter

6.2.1 Glättungsarten
Zur Glättung einer durch Gleichrichtung aus einer Wechselspannung gewonnenen
Gleichspannung dienen Energiespeicher in Form von Kapazitäten oder Induktivitäten. Sehr
wirksam ist auch die Gleichrichtung von Drehstrom (siehe Abschnitt 7).
Anwendungsbereich verschiedener Glättungsarten:

Leistung Glättung durch Welligkeit sinkt für Welligkeit steigt für

klein (< 1kW) Kondensator (C) IL → 0 IL > 0
mittel Spule (L) IL > 0 IL → 0
groß Drehstrom- Welligkeit weitgehend lastunabhängig
Gleichrichter
Zur Gleichrichtung mit Glättung am Ein-Phasen-Wechselstromnetz dienen Einweg- und
Zweiweggleichrichter, wie sie im Abschnitt 6.1 beschrieben wurden. Die Glättungsmittel
werden parallel (Kondensatoren) oder in Reihe (Spulen) zur Last geschaltet.
Hier werden ausschließlich Schaltungen mit Kondensatoren als Energiespeicher näher
betrachtet.
D iL
ü
Einweggleichrichter mit Glättung

Abbildung 6-10
Einweggleichrichter u1 u2 uL= uC RL
mit Glättungskondensator C

Der Kondensator wird aufgeladen, solange die Transformator-Ausgangsspannung größer ist

als die Kondensatorspannung (Flussbetrieb der Gleichrichterdiode). Die Spannung am
Kondensator steigt bis knapp unter den Scheitelwert der Transformatorspannung.
Der Lastwiderstand wird aus dem Kondensator gespeist, solange die Transformator-
Ausgangsspannung kleiner ist als die Kondensatorspannung (Sperrbetrieb der
Gleichrichterdiode). Die Kondensatorspannung sinkt entsprechend der entnommenen
Ladung.

Abbildung 6-11 uL mit Glättung

ohne Glättung
Spannungsverlauf
bei Einweggleichrichtung
mit Glättung
t
Entladung
Aufladung
Nachteile des Einweggleichrichters mit Glättung:
- nur ein Ladevorgang pro Netzperiode
- großer Kondensator erforderlich für kleine Welligkeit
- große Verluste an Diode und Trafo
- einseitige Trafomagnetisierung

81
Netzgleichrichter

Zweiweggleichrichter mit Glättung

Eine deutliche Verbesserung stellt die Zweiweggleichrichtung mit Glättung dar. Dies wird am
Beispiel des Brückengleichrichters gezeigt.
ü i2 ∼
Abbildung 6-12 if
Brückengleichrichter RiT
_ iΣ iL
mit Glättung
u1 u20 u2
+ iC

uL RL
∼ C

uL mit Glättung

Abbildung 6-13
Spannungsverlauf bei
Zweiweggleichrichtung t
mit Glättung ohne Glättung

Bei der Zweiweggleichrichtung wird der Glättungskondensator mit der doppelten

Netzfrequenz nachgeladen. Die Welligkeit ist bei gleichem Glättungsaufwand deutlich
kleiner als bei der Einweggleichrichtung.

6.2.2 Berechnung des Zweiweggleichrichters mit Glättungskondensator

Bei den Netzgleichrichtern mit Glättungskondensator liegt im quasistationären Betrieb sog.
„ausgewogener Betrieb“ vor. Hierzu stellen sich automatisch eine solche Kondensator-
spannung und ein solcher Stromflusswinkel ein, dass die in einer Netzperiode dem Konden-
sator zugeführte Ladung der im gleichen Zeitraum abgeführten Ladung gleich ist.
6.2.2.1 Stromflusszeit - Stromflusswinkel
Mit einem linearisierten Verlauf ergibt sich folgendes Zeitdiagramm der Ausgangsspannung
(Spannung an Glättungskondensator und Lastwiderstand):

uL û20
Abbildung 6-14
Linearisierter Verlauf
der Ausgangsspannung ūL 2⋅∆U

α
ωt
Θ Θ
t1 t2

Zwischen den Zeitpunkten t1 und t2 wird der Kondensator vom Transformator aufgeladen.
Die Zeitspanne tF = t2 - t1 wird Stromflusszeit genannt. Der entsprechende Winkel 2Θ = ω⋅tF
wird als Stromflusswinkel bezeichnet.
Die Mitte des Ladestromstoßes ist um den Winkel α gegenüber dem Scheitelpunkt von u20
verschoben.
Die Ausgangsspannung schwankt um den Mittelwert u L (Schwankungshöhe 2⋅∆U).

82
Netzgleichrichter

Für die folgenden Berechnungen wird ein sehr großer Glättungskondensator (C → ∞)

zugrunde gelegt.
Unter dieser Voraussetzung wird die Welligkeit gleich Null (2⋅∆U = 0), die
Ausgangsspannung wird konstant u L (ωt ) = u L und die Mitte des Stromstoßes an der
Transformator-Sekundärwicklung fällt mit der Mitte der Netzhalbwelle zusammen (α = 0).
Für den Transformatorstrom wird näherungsweise ein sinusförmiger Verlauf unterstellt.

Abbildung 6-15 u
u 20
Strom- und Spannungsverlauf uL
für C → ∞

ωt
-π/2 -Θ Θ π/2

|i2|

ωt
-Θ Θ
Anmerkung:
Eine geschlossenen Form der Berechnung der Ausgangsgrößen der Gleichrichterschaltung
aus den Eingangsgrößen [z.B. uL = f(u20), uL = f(RiT)] und umgekehrt ist nicht möglich. Aus
diesem Grunde erfolgt hier die Berechnung unter Zuhilfenahme des Ein- und
Ausgangsgrößen verbindenden Winkels Θ als Parameter.
6.2.2.2 Erforderliche Transformator -Ausgangsspannung
Für die Berechnung des Zweiweggleichrichters dient folgende Maschengleichung:

û20 ⋅ cos(ωt) - uL(ωt) - i2(ωt) ⋅ (n ⋅ rf + RiT) - n ⋅ UF0 = 0

Bei den Winkeln -Θ und Θ ist der Transformatorstrom i2 gerade Null.

Aus der Maschengleichung ergibt sich dann
û 20 ⋅ cos Θ = u L + n ⋅ U F0
Damit ergibt sich die erforderliche Transformator-Sekundärspannung zu
u L + n ⋅ U F0
U 20 RMS =
2 ⋅ cos Θ
Ein günstiger Wert für Θ beträgt 0,6.
Damit wird der gesamte Stromflusswinkel 2Θ = 1,2 bzw. 2Θ = 68,8°

83
Netzgleichrichter

6.2.2.3 Transformatorstrom
(a) Stromverlauf
Der Ausgangsstrom i2 des Transformators wird als näherungsweise sinusförmig
betrachtet:
i2 = î2 ⋅ cos(ω‘t)
Siehe hierzu Abbildung 6-16
Die Frequenz ω‘ der entsprechenden Sinusfunktion ist höher als die Frequenz ω der
Netzspannung u20 T
u20 = û20 ⋅ cos(ωt) T’
u20

Abbildung 6-16
Angenäherter Verlauf i2
des Transformatorstromes ωt
-π/2 -Θ Θ π/2

Aus der Abbildung lassen sich folgende Proportionalitäten ablesen:

T ∼ 2π und T’ ∼ 4⋅Θ
π
Mit ω ∼ 1/T und ω‘ ∼ 1/T’ ergibt sich ω‘ = ⋅ω
2⋅Θ
π
und damit der Stromverlauf i 2 = î 2 ⋅ cos( ⋅ ωt ) für - Θ ≤ ωt ≤ + Θ
2⋅Θ
(b) Stromscheitelwert
Es gilt: Die während einer Netzhalbwelle vom Transformator gelieferte Ladungsmenge Q2
ist gleich der während derselben Zeit durch die Last fließenden Ladungsmenge QL.
Q2 = QL
+Θ

∫ i 2 (ωt ) ⋅ d(ωt) = i L ⋅ π
−Θ

+Θ
π
∫ î 2 ⋅ cos( 2 ⋅ Θ ⋅ ωt) ⋅ d(ωt ) = i L ⋅ π
−Θ

π2
Daraus ergibt sich î2 = ⋅ iL
4⋅Θ
Beispiele:

2⋅Θ î2
60° 4,7⋅ i L
70° 4,1⋅ i L
90° 2,8⋅ i L

84
Netzgleichrichter

(c) Effektivwert des Transformatorstromes

+Θ
1
* Brückenschaltung I 2RMS = ⋅ ∫ i 2 2 (ωt ) ⋅ d(ωt )
π −Θ

Mit cos2ax = (1/2)⋅(cos2ax + 1)

Θ π2
ergibt sich I 2 RMS = î2 ⋅ = ⋅ iL
π 4 ⋅ π ⋅Θ
Beispiele:
2⋅Θ I 2 RMS

60° 1,93⋅ i L
70° 1,8⋅ i L
90° 1,57⋅ i L

Da bei der Brückenschaltung durch eine einzelne Gleichrichterdiode nur jeder zweite
Ladestromstoß fließt, ist der Effektivwert des Stromes durch eine Diode
I 2 RMS
I FRMS =
2
* Mittelpunktschaltung
Bei der Mittelpunktschaltung fließt der Strom abwechselnd durch die beiden Trafo-
Sekundärwicklungen. Für die vom Transformator zu übertragende Leistung ist jedoch
der Strom durch beide Wicklungen maßgeblich. Für die Effektivwerte von
sekundärseitigem Transformator-Gesamtstrom und Diodenstrom gelten daher dieselben
Gleichungen wie bei der Brückenschaltung
6.2.2.4 Leistungsberechnungen
* Sekundärseitige Scheinleistung des Transformators
PS2 = U 20RMS ⋅ I 2RMS

Die Typleistung PT des Transformators muss größer (mindestens gleich groß) sein.
Herstellerangaben zu verschiedenen Trafogrößen:
Kern M42 M55 M65 M74 M85a M85b M102a M102b
PT/VA 5,9 17,1 34,5 58,9 77,6 105 131 189
PFe/W 0,3 0,75 1,35 2,15 2,95 4,15 4,55 6,8

Kern EI42 EI54 EI60 EI78 EI84a EI84b EI92a EI92b

PT/VA 4,3 10,9 16,5 44,5 56,8 83,8 62,9 85,0
PFe/W 0,27 0,56 0,77 1,73 2,13 3,20 1,65 2,3
PFe = Eisenverluste (durch Wirbelströme im Eisenkern des Transformators)

85
Netzgleichrichter

* Wicklungsverluste am Transformator
+Θ
1
PVCu = ⋅ ∫ R iT ⋅ i 2 2 ⋅ dϕ
π −Θ

PVCu = (I 2 RMS )2 ⋅ R iT

* Gleichstromleistung am Lastwiderstand
PL = i L ⋅ u L
* Verlustleistung an einer Diode (Durchlassverluste)
+Θ +Θ +Θ
1 1  
PVF = ⋅ ∫ u F ⋅ i F ⋅ d ( ωt ) = ⋅  U F0 ⋅ ∫ i F ⋅ d (ωt ) + rf ⋅ ∫ i F 2 ⋅ d(ωt )
2π −Θ 2π  −Θ −Θ 

iL
PVF = ⋅ U F0 + (I FRMS ) 2 ⋅ rf
2
6.2.2.5 Glättungskondensator
T
CL wird in der Stromflusszeit tF aufgeladen, in der Zeit ( − t F ) entladen
2
(siehe Abschnitt 6.2.2.1)
Im eingeschwungenen Zustand gilt
zugeführte Ladung = abfließende Ladung
T
CL ⋅ 2 ⋅ ∆U ≈ iL ⋅ ( − tF)
2
T π
i L ⋅ ( − t F ) i L ⋅ ( − Θ)
Hieraus ergibt sich CL ≈ 2 = 2
2 ⋅∆ U ω ⋅∆ U
Wegen der großen erforderlichen Kapazität kommen nur Elektrolytkondensatoren (Elko) in
Frage. Auf richtige Polung der Elkos muss geachtet werden.
6.2.2.6 Welligkeit der Gleichspannung
Bei gegebenem Glättungskondensator beträgt die Welligkeit der Ausgangsspannung
i L ⋅ (π − 2 ⋅ Θ) uL T uL
(absolut) 2 ⋅ ∆U ≈ = ⋅ ( − tf ) (mit i L = )
ω ⋅ CL R L ⋅ CL 2 RL
2 ⋅ ∆U π − 2⋅Θ 1 T
(relativ) w= ≈ = ⋅ ( − tf )
uL ω ⋅ CL ⋅ R L R L ⋅ CL 2

6.2.2.7 Einschalt-Stoßstrom
Wird der Gleichrichter mit Glättungskondensator im Spannungsmaximum der Netzspannung
zugeschaltet, so tritt ein einmaliger sehr hoher Stromstoß zur Aufladung des Kondensators auf.
Der Stromstoß wird nur durch die ohmschen Widerstände im Stromkreis begrenzt.
û 20 − n ⋅ U F 0
I FSM =
R iT + n ⋅ rf

86
Netzgleichrichter

6.2.2.8 Optimaler Wicklungswiderstand des Transformators

Der optimale Stromflusswinkel stellt sich nur dann ein, wenn die ohmschen Widerstände im
Stromkreis einen geeigneten Gesamtwert besitzen. Dies trifft nur bei einer geeigneten Größe
des Wicklungswiderstandes RiT zu.
Ist RiT zu groß, so fließt ein zu kleiner Ladestrom; der Stromflusswinkel steigt; die
gewünschte Größe der Gleichspannung u L wird evtl. nicht erreicht.
Ist RiT zu klein, so fließt ein unnötig großer Ladestrom; der Stromflusswinkel sinkt.
Die folgende Berechnung zeigt den Wicklungswiderstand, der für den gewünschten
Stromflusswinkel Θ erforderlich ist.
Die Berechnung geht von der Tatsache aus, dass während einer Netzhalbwelle die vom
Transformator abgegebene Ladung gleich groß ist, wie die durch die Last fließende Ladung
+Θ

∫ i 2 (ωt ) ⋅ d(ωt) = i L ⋅ π (ausgewogener Betrieb)

−Θ

Berechnung von i2(ϕ)

Die Maschengleichung der Gleichrichterschaltung lautet:
û20 ⋅ cos(ωt) - uL(ωt) - n ⋅ UF0 - i2(ωt)⋅ (RiT + n ⋅ rf) = 0
Legt man wie im Abschnitt 6.2.2.1 einen sehr großen Glättungskondensator zu Grunde
(C → ∞), so wird
uL(ωt) = uL(Θ) = u L
Die Maschengleichung lautet dann:
û20 ⋅ cos(ωt) - uL(Θ) - n ⋅ UF0 - i2(ωt) ⋅ (RiT + n ⋅ rf) = 0
Mit (ωt) = Θ und i2(Θ) = 0 ergibt sich daraus
û20 ⋅ cosΘ - uL(Θ) - n ⋅ UF0 = 0
bzw. uL(Θ) + n ⋅ UF0 = û20 ⋅ cosΘ
Setzt man dies in die Maschengleichung ein, so ergibt sich:
û20 ⋅ (cos(ωt) - cosΘ) - i2(ωt) ⋅ (RiT + n ⋅ rf) = 0
Damit ergibt sich der Transformatorstrom zu
û 20
i 2 ( ωt ) = ⋅ (cos(ωt ) − cos Θ)
R iT + n ⋅ rf
Berechnung des Wicklungswiderstandes
+Θ
û 20
Aus der Integration ∫R + n ⋅ rf
⋅ (cos(ωt ) − cosΘ) ⋅ d(ωt ) = i L ⋅ π
−Θ iT

errechnet sich der erforderliche Wicklungswiderstand des Transformators zu:

2 ⋅ û 20
R iT = ⋅ (sin Θ − Θ ⋅ cos Θ) − n ⋅ rf
iL ⋅ π

87
Netzgleichrichter

6.2.2.9 Abschätzung des Stromflusswinkels Θ bei bekanntem RiT

Aus der Gleichung für RiT lässt sich folgende transzendente Gleichung für den
Stromflusswinkel ableiten:
(R iT + n ⋅ rf ) ⋅ π
A(Θ) = sin Θ − Θ ⋅ cos Θ = ⋅ iL
2 ⋅ û 20

Ist der dem Gleichrichter entnommene Gleichstrom i L bekannt, so lässt sich mit der
Hilfsgröße A(Θ) der Stromflusswinkel Θ aus Abbildung 6-17 ablesen.
u L + n ⋅ U F0 uL
Mit û 20 = 2 ⋅ U 20RMS , U 20RMS = sowie RL =
2 ⋅ cosΘ iL
lässt sich aus der Gleichung für RiT folgende transzendente Gleichung für Θ ableiten:
(R + n ⋅ rf ) ⋅ π uL
tanΘ − Θ = ( iT )⋅( )
2⋅RL u L + n ⋅ U F0
Ist u L >> n ⋅ U F0 , so wird daraus
(R iT + n ⋅ rf ) ⋅ π
B(Θ) = tanΘ − Θ ≈
2⋅RL
Ist der angeschlossene Lastwiderstand RL bekannt, so lässt sich mit der Hilfsgröße B(Θ) der
Stromflusswinkel Θ aus Abbildung 6-17 ablesen.

Abbildung 6-17 Ermittlung des Stromflusswinkels Θ

0,9
Θ A(Θ)

0,8

0,7

B(Θ)
0,6

0,5

0,4

0,3 -2
10 2 3 4 5 6 7 8 9 10-1 2 3 4 5 6 7 8 9 100
A(Θ) / B(Θ)

88
Netzgleichrichter

6.2.2.10 Strom- und Spannungsverläufe beim Brückengleichrichter mit Glättung

Abbildung 6-18 Strom- und Spannungsverläufe beim Brückengleichrichter mit Glättung

u20
Leerlaufspannung am
t Transformator

i2

tf Sekundärseitiger
t
Transformatorstrom
2⋅Θ ω⋅t
(Stromfluss nur,
solange u20 > uC)

u2

t Klemmenspannung am
Transformator (belastet)

if

Strom durch eine Diode

t

iΣ
Gesamtstrom durch die
Gleichrichterdioden
t

Gleich große
iC Strom-Zeit-Flächen

Kondensatorstrom
t

uC = uL Ausgangsspannung des
2⋅∆U Netzgleichrichters
(belastet)
(u20zum Vergleich
u20 eingezeichnet)
t

89
Netzgleichrichter

6.3 Gleichrichter mit Pufferbatterie

Wird eine Gleichspannung benötigt, die auch bei fehlender Wechselspannung zur Verfügung
steht (sog. unterbrechungsfreie Gleichstromversorgung), so wird ein Gleichrichter mit
Pufferbatterie eingesetzt. Beispiele sind die Stromversorgung im Kraftfahrzeug (Batterie zum
Motorstart und zur Versorgung von Verbrauchern bei stehendem Motor) oder
unterbrechungslose Notstromversorgungen (Notstromversorgung für Bankrechner,
Krankenhäuser, Sicherheitssysteme in Kernkraftwerken etc.).
Abbildung 6-19 Netzgleichrichter mit Pufferbatterie
ü ∼
RiT
_ IL
u1
u20 u2 +

+ UL
∼ RL
UBatt

Die Batterie bestimmt die Größe der Lastspannung

UL = UBatt = konst. (Annahme: RiBatt ≈ 0)
U Batt
Der Laststrom beträgt IL =
RL

Ist die Generatorspannung u20 größer als die Batteriespannung plus Schwellspannung der
Gleichrichterdioden, so liefert der Generator Strom an die Batterie. Dies ist in der folgenden
Abbildung z.B. im Bereich - Θ ≤ ωt ≤ + Θ der Fall.
u
u 20
UBatt

Abbildung 6-20
Spannungs- und Stromverläufe ωt
-π/2 -Θ Θ π/2
|i2|

ωt
-Θ Θ
Der Stromverlauf lässt sich aus der Maschengleichung berechnen:
u20 - 2⋅(UF0 + rf ⋅i2) – UBatt – i2⋅RiT = 0
Mit u20 = û20 ⋅cos(ωt) wird daraus
û 20 ⋅ cos(ωt ) − U Batt − 2 ⋅ U F0
i 2 ( ωt ) = für - Θ ≤ ωt ≤ + Θ
R iT + 2 ⋅ rf

90
Netzgleichrichter

Für ωt = ± Θ wird i2 = 0.
Daraus lässt sich der Stromflusswinkel Θ berechnen:
U Batt + 2 ⋅ U F0
Θ = arc cos
û 20

Ist der Laststrom kleiner als der arithmetische Mittelwert des Generatorstromes,
+Θ
1
I L < ⋅ ∫ i 2 (ωt ) ⋅ d(ωt )
π −Θ
so wird die Batterie geladen.
Ist der Laststrom größer als der arithmetische Mittelwert des Generatorstromes,
+Θ
1
π −∫Θ
IL > ⋅ i 2 ( ωt ) ⋅ d ( ωt )

so wird die Batterie entladen.

Ausgewogener Betrieb liegt vor, wenn der Batterie zugeführter und abgeführter Strom (bzw.
deren Mittelwerte) gleich sind.
+Θ
1
I L = ⋅ ∫ i 2 (ωt ) ⋅ d(ωt )
π −Θ
Der Ladezustand der Batterie bleibt dann unverändert.

6.4 Übungsaufgaben zu Netzgleichrichtern

Aufgabe 6-1: Welligkeit der Ausgangsspannung
(Schaltung wie bei Aufgabe 6-3) In dem folgenden Diagramm ist der Verlauf der
Spannung uL bei Belastung mit dem Lastwiderstand RL dargestellt (zusätzlich die
sinusförmige Ausgangsspannung u20 des Netztransformators im Leerlauf als
Orientierungshilfe)
u
uL

u20

Zeichne in das Diagramm den Verlauf von uL für folgende Fälle und kennzeichne sie mit
den Buchstaben (a) bis (c):
(a) Ein zweiter gleich großer Lastwiderstand RL wird parallel geschaltet.
(b) Der Lastwiderstand wird entfernt.
(c) Die Gleichrichterdiode D1 ist unterbrochen (mit Lastwiderstand RL).

91
Netzgleichrichter

Aufgabe 6-2: Ausgangsspannung und Welligkeit verschiedener Gleichrichter

IL
A IL
u1 u2 u1 u2 UC1
C1
UL UL
C1
UC2
B
C2

IL IL
C
u2 UC1 u2 UC1
C1 C1
u1 UL u1 UL
u2 UC2 u2 UC2
C2 C2
D
Für jede der vier Gleichrichterschaltungen gilt:
• Transformator-Sekundärspannung im Leerlauf: U 20 RMS = 27,6V
• RiT → 0 (Innenwiderstand des Transformators)
• C1 = C2 = 2000 µF
• UF = 0,7 V (Durchlass-Spannung einer Diode)
• IL = 200 mA = konstant
Tragen Sie in der folgenden Tabelle für jede Spannung ein den Maximalwert Ûx, die Größe des
Wechselanteils ∆Ux und die Frequenz f(∆Ux) des Wechselanteils ein.

ÛC1 ∆UC1 f(∆UC1) ÛC2 ∆UC2 f(∆UC2) ÛL ∆UL f(∆UL)

A
B
C
D
∆UC
ÛC
tf = 2 ms
tf

92
Netzgleichrichter

Aufgabe 6-3: Dimensionierung einer Gleichrichterschaltung

Gegeben ist folgende Gleichrichterschaltung:

D1
RiT
u1 u2 iL

uL RL
C
Trafo

Die Schaltung ist für folgende Daten auszulegen:

ūL = 24 V; i = 2,5 A; Wechselanteil von uL (Spitze-Spitze): ∆U = 4 V;
Stromflusswinkel Θ = 0,6 rad;
Gleichrichterdaten UF0 = 0,8 V; rf = 0,05 Ω
a) Wie groß ist die erforderliche Transformator-Sekundärspannung (Effektivwert) ?
b) Wie groß ist der optimale Wicklungswiderstand des Transformators ?
c) Für welche Scheinleistung muss der Transformator ausgelegt werden ?
d) Welche Kapazität muss der Kondensator C haben ?
e) Wie groß ist der periodische Spitzen-Stoßstrom durch die Gleichrichterdioden ?
f) Wie groß ist der einmalige Spitzen-Stoßstrom beim Einschalten ?

93
Drehstromgleichrichter

7 Drehstromgleichrichter
7.1 Mittelpunkt-Schaltung (Halbbrücke) (3-pulsiger Gleichrichter)
In Abbildung 7-1 sind die drei Sekundärwicklungen eines Drehstrom-Transformators in
Sternschaltung dargestellt. Der Transformator gibt an den Klemmen L1, L2 und L3 jeweils
gegen den Sternpunkt N die Spannungen u1, u2 und u3 ab (Strangspannungen).
L1 i1

D1
Abbildung 7-1 u1 u2
L2 i2
Einweggleichrichter
am Drehstromnetz D2
u3 i3 iL
L3 A
D3
uL RL
N

Wie in der Abbildung 7-2 dargestellt, sind die Spannungen u1, u2 und u3 jeweils um 120°
gegeneinander verschoben.
u
u1 u2 u3
Abbildung 7-2
ωt
Strangspannungen am π 3π
Drehstromtransformator 2π 4π

Die Strangspannungen werden über drei Dioden (D1, D2, D3) gleichgerichtet, die
Gleichspannung wird anschließend der Last RL zugeführt..
Jede der drei Transformatorwicklungen bildet zusammen mit einer Diode und dem
Lastwiderstand einen Stromkreis mit Einweggleichrichtung. Abbildung 7-3 zeigt dies am
Beispiel der Wicklung 1. uD1
L1 i1

D1
Abbildung 7-3 u1 u2
L2 i2
Einweggleichrichtung
von Strang 1 D2
u3 i3 iL
L3 A
D3
uL RL
N

Da jeweils die positivste Strangspannung von den Dioden durchgeschaltet wird, ergibt sich
durch die Gleichrichtung eine Ausgangsspannung uL = uAN, die der positiven Hüllkurve der
drei Strangspannungen entspricht (Abbildung 7-4).

94
Drehstromgleichrichter

uL uL
Abbildung 7-4 t
Gleichspannungsverlauf
nach dem Gleichrichter
u1 u2 u3

Eine Diode ist jeweils dann leitend, wenn die Spannung im zugehörigen Strang des
Transformators die positivste aller drei Strangspannungen ist. Dies ist innerhalb der positiven
Halbwelle der jeweiligen Strangspannung zwischen 30° und 150° der Fall.
iL
Abbildung 7-5 t
Stromverlauf durch
die Last und die Dioden
(ohne zusätzliche Glättung) i1
t

i2
t

i3
t

In der Sperrphase liegt an den einzelnen Dioden die jeweils negativste Außenleiterspannung
(Spannung zwischen je zwei der Klemmen L1, L2, L3).
Abbildung 7-6 zeigt den Zusammenhang zwischen Strom und Spannung an einer Diode am
Beispiel der D1.
i1
t

Abbildung 7-6 uD1 t

Strom und Spannung
an der Diode D1

u12 u13

Durch eine Drosselspule (Induktivität L) können Strom und Spannung an der Last
weitgehend geglättet werden. i
L1 1

D1
Abbildung 7-7:
u1 u2
Glättung des Laststromes L2 i2
mit einer Drossel
D2
u3 i3 L iL
L3 A

D3
uAN uL RL
N

95
Drehstromgleichrichter

Es ergibt sich dann ein rechteckförmiger Stromverlauf durch die einzelnen Dioden.
u uAN uL ∼ iL

Abbildung 7-8 t
Stromverlauf durch
die Last und die Dioden i1
(mit Glättung) t

i2
t

i3
t

7.2 Drehstrom-Brückengleichrichter (6-pulsiger Gleichrichter)

A iL
Abbildung 7-9
Drehstrom-
Brückengleichrichter L1 D1 D3 D5

u1 u2
N L2
uAB RL
u3 L3

D4 D6 D2

Der Drehstrom-Brückengleichrichter besteht aus zwei komplementären Halbbrücken:

Drei Gleichrichterdioden (D1, D3, D5) bilden die positive Halbbrücke, mit der das jeweils
positivste der Potenziale an den Klemmen L1, L2, L3 an die Ausgangsklemme A gelegt wird.
Zwischen der Klemme A und dem Sternpunkt N des Drehspannungssystems könnte die
positive Gleichspannung uAN gemessen werden (positive Hüllkurve der Strangspannungen u1,
u2, u3 wie bei der Einweggleichrichtung nach Abschnitt 7.1).
Drei weitere Dioden (D2, D4, D6) bilden die negative Halbbrücke, mit der das jeweils
negativste der Potenziale an den Klemmen L1, L2, L3 an die Ausgangsklemme B gelegt wird.
Zwischen der Klemme B und dem Sternpunkt N des Drehspannungssystems könnte die
negative Gleichspannung uBN gemessen werden (negative Hüllkurve der Strangspannungen
u1, u2, u3; Einweggleichrichtung der negativen Halbwellen).

Abbildung 7-10 u uAN

Ausgangsspannungen des t
uAB
Drehstrom-Brückengleichrichters

uBN

96
Drehstromgleichrichter

Grundsätzlich werden jedoch nicht diese beiden auf den Sternpunkt N bezogenen
Gleichspannungen uAN und uBN, sondern die zwischen den Ausgangsklemmen A und B der
Brückenschaltung liegende Gesamtspannung uAB als Ausgangsspannung verwendet. In
Abbildung 7-10 sind diese drei genannten Spannungen eingezeichnet. Die Gesamtspannung
uAB ergibt sich zu jedem Zeitpunkt aus dem Abstand der positiven zur negativen Hüllkurve
der Strangspannungen ⇒ u AB = u AN + u BN = u AN + u NB

Eine an die Ausgangsklemmen A und B angeschlossene Last wird zu jedem Zeitpunkt über
die positive Halbbrücke mit dem jeweils positivsten und über die negative Halbbrücke mit
dem jeweils negativsten der Potenziale an den Klemmen L1, L2, L3 verbunden.
Mit dem Drehstrom- Brückengleichrichter werden daher nicht die Strangspannungen u1, u2,
u3 sondern die Außenleiterspannungen u12, u23, u31 und (da es sich um einen
Zweiweggleichrichter handelt) die dazu entgegengesetzt gepolten Spannungen u21, u32, u13
gleichgerichtet.
Die Ausgangsspannung des Drehstrom-Brückengleichrichters entspricht daher der positiven
Hüllkurve dieser Außenleiterspannungen (Abbildung 7-11).
uAB
u
Abbildung 7-11
Gleichrichtung der t
Außenleiterspannungen

u12 u13 u23 u21 u31 u32

Abbildung 7-12 zeigt den Verlauf der Außenleiterströme sowie die Ströme durch die sechs
Dioden des Gleichrichters. i
1 D1
Abbildung 7-12 t
Ströme am Drehstrom-
D4
Brückengleichrichter i2 D3
t
D6 D6
i3 D5
t
D2
iD1
t
iD2
t
iD3
t
iD4
t
iD5
t
iD6
t

97
Drehstromgleichrichter

Der Spannungsverlauf an den einzelnen Gleichrichterdioden gleicht dem bei der

Einweggleichrichtung (siehe Abbildung 7-6).
Während am Ausgang des Drehstrom-Brückengleichrichters noch eine merkliche Welligkeit
der Spannung vorliegt (siehe Abbildung 7-11), können Strom und Spannung an der Last mit
Hilfe einer Drossel L weitgehend geglättet werden.
A iL

Abbildung 7-13 L
Glättung des Laststromes D1 D3 D5
L1

u2
u1 N L2
uAB uL RL
u3 L3

D4 D6 D2

Die Außenleiter- und Diodenströme nehmen dann Rechteckform an.

Da die Außenleiterspannungen bei Sternschaltung größer sind als die Strangspannungen (z.B.
U12 = U1 ⋅ 3 ), führt der Drehstrom-Brückengleichrichter im Vergleich zur
Einweggleichrichtung (Halbbrücke gemäß Abschnitt 7.1) nicht nur zu einer geringeren
Welligkeit sondern auch zu einem größeren Wert der Gleichspannung.

Bei dem Drehstrom-Brückengleichrichter wird der Sternpunkt N des Drehstromsystems nicht

benötigt. Daher kann anstelle der sekundärseitigen Sternschaltung des Transformators auch
die Dreieckschaltung (bei der ja kein Sternpunkt vorkommt) verwendet werden.
A iL

L
Abbildung 7-14
Drehstrom- L1 D1 D3 D5
Brückengleichrichter u12
bei Dreieckschaltung L2
u31 uAB uL RL
u23 L3
D4 D6 D2

B
Bei der Dreieckschaltung sind Strang- und Außenleiterspannungen gleich. Bei gleichen
Strangspannungen führt daher die Gleichrichtung an der Dreieckschaltung zu kleineren
Gleichspannungen als die Sternschaltung.
Da die Dreieckschaltung keinen Sternpunkt N besitzt, ist eine Einweggleichrichtung (mit
einer Halbbrücke gemäß Abschnitt 7.1) nicht möglich.

98
Drehstromgleichrichter

7.3 Übungsaufgaben zu Drehstromgleichrichtern

Aufgabe 7-1: Welligkeit am dreipulsigen Drehstromgleichrichter

Welches ist der niedrigste Wert der Ausgangsspannung eines 3-pulsigen
Drehstromgleichrichters ohne Glättung mittels Drosselspulen (Angabe in % des
Maximalwertes) ?
Aufgabe 7-2: Stromflusszeit/-winkel des dreipulsigen Drehstromgleichrichters
Wie groß ist die Stromflusszeit und der Stromflusswinkel durch eine Gleichrichterdiode beim
3-pulsigen Drehstromgleichrichter mit ohmscher Last ?
Aufgabe 7-3: Welligkeit am sechspulsigen Drehstromgleichrichter
Welches ist der niedrigste Wert der Ausgangsspannung eines 6-pulsigen
Drehstromgleichrichters ohne Glättung mittels Drosselspulen (Angabe in % des
Maximalwertes) ?
Aufgabe 7-4: Stromflusszeit/-winkel des sechspulsigen Drehstromgleichrichters
Wie groß ist die Stromflusszeit und der Stromflusswinkel durch eine Gleichrichterdiode beim
6-pulsigen Drehstromgleichrichter mit ohmscher Last ?
Aufgabe 7-5: Ausgangsspannung bei Stern- und Dreieckschaltung
Wie unterscheiden sich die Ausgangsspannungen zweier 6-pulsiger Drehstromgleichrichter,
wenn bei einem der Transformatorausgang in Sternschaltung, bei dem anderen ein gleicher
Transformator ausgangsseitig in Dreieckschaltung betrieben wird ?
Aufgabe 7-6: Glättungsdrossel
Der Ausgangsstrom bzw. die Spannung an der Last eines Drehstromgleichrichters lässt sich
durch eine Drosselspule glätten. Wirkt diese Glättung im Leerlauf und bei Nennbelastung
gleich gut ? (Antwort begründen)

99
Spannungsvervielfachung

8 Spannungsvervielfachung
Bei der Gleichrichtung von Wechselspannungen lassen sich Gleichspannungen gewinnen, die
größer sind als die Amplitude der gleichgerichteten Wechselspannung(11).

8.1 Spannungsverdoppelung mit der Delonschaltung

Abbildung 8-1: Delonschaltung

D1
u1 u2 uC1
C1
u

uC2
C2
D2

Mit Hilfe der Diode D1 als Einweggleichrichter wird aus den positiven Halbwellen der
Wechselspannung u2 an dem Kondensator C1 eine positive Spannung uC1 ≈ û2 gewonnen.
Mit Hilfe der Diode D2 als Einweggleichrichter wird aus den negativen Halbwellen der
Wechselspannung u2 an dem Kondensator C2 eine positive Spannung uC2 ≈ û2 gewonnen.
Am Ausgang der Delonschaltung ergibt sich eine Gesamtspannung

u = uC1 + uC2 ≈ 2 ⋅ û2

Abbildung 8-2: Spannungen an der unbelasteten Delonschaltung (mit Einschaltvorgang)

u u

2⋅û2

uC1
uC2
t
u2

(11)
Bei den Schaltungen zur Spannungsvervielfachung wird in den folgenden Darstellungen die
Durchlassspannung der beteiligten Gleichrichterdioden gegenüber der gleichzurichtenden
Spannung vernachlässigt. Es wird also mit UF = 0 gerechnet.

100
Spannungsvervielfachung

Wird an die Ausgangsklemmen eine Last angeschlossen, so führt dies zu einer Entladung der
Kondensatoren C1 und C2. In jeder positiven Halbwellen der Spannung u2 wird C1, in jeder
negativen Halbwellen C2 wieder auf die volle Spannung û aufgeladen. Die
Ausgangsspannung wird wellig. Da nie beide Kondensatoren gleichzeitig nachgeladen
werden, erreicht die Ausgangsspannung bei Belastung nie den vollen Wert 2⋅û2.
Abbildung 8-3: Spannungen an der belasteten Delonschaltung (mit Einschaltvorgang)
u
u
uC2 uC1 2⋅û2

t
u2

8.2 Spannungsverdoppelung mit Villardschaltung

Abbildung 8-4: Villardschaltung

C1 D2
u1 u2 uD1 u
D1 C2

In der ersten Hälfte jeder negativen Halbwelle der Spannung u2 wird der Kondensator C1
über die Diode D1 auf den Amplitudenwert ûC1 ≈ û2 aufgeladen.
D1 leitet ⇒ uD1 ≈ 0.
Die Diode D2 ist gesperrt.
Ist keine Last am Schaltungsausgang angeschlossen, so bleibt die zuvor bereits erreichte
Ausgangsspannung (= Spannung an C2) konstant u = u(t1) = konst.
Während sich u2(t) von seinem negativen zu seinem positiven Scheitelwert ändert (gesamter
Spannungshub = 2⋅û2), wird das Potenzial an der Katode der Diode D1 wegen des
aufgeladenen C1 ins positive angehoben; es tritt eine positive Spannung uD1 auf.
uD1(t) > 0 ⇒ D1 sperrt.
Solange die Spannung uD1(t) kleiner ist als die Ausgangsspannung u(t1), sperrt D2,
C1 bleibt voll aufgeladen und uD1 folgt dem Verlauf von u2. [uD1(t) = u2(t) + û2].
Sobald uD1(t) die Ausgangsspannung u(t1) übersteigt, wird D2 leitend. Ab jetzt sind C1 und
C2 in Reihe geschaltet.
Der weitere Spannungsanstieg von u2 {um insgesamt [2⋅û2 -u(t1)]} teilt sich daher auf C1
und C2 auf (kapazitiver Spannungsteiler).

101
Spannungsvervielfachung

Der Spannungsanstieg am Ausgang beträgt bei einem Nachladevorgang

C ges C1
∆u = u ( t 2 ) − u ( t1 ) = [2 ⋅ û 2 − u ( t1 )] ⋅ = [2 ⋅ û 2 − u ( t1 )] ⋅
C2 C1 + C 2

mit u(t2) = Ausgangsspannung nach der Aufladung

und u(t1) = Ausgangsspannung vor der Aufladung

Bei gleicher Größe der beiden Kondensatoren C1 und C2 beträgt der Spannungszuwachs
u (t1 )
∆u = û 2 −
2

Der Spannungsanstieg pro Aufladevorgang wird daher umso kleiner, je größer die
Ausgangsspannung bereits ist.
Die Ausgangsspannung erreicht für t >> 0 als Grenzwert die Spannung u = 2⋅û2.

Abbildung 8-5: Spannungsverlauf an der unbelasteten Villardschaltung für C1 = C2

(mit Einschaltvorgang)
u 2⋅û2

u
uD1

u2
Ist an den Schaltungsausgang eine Last angeschlossen, so wird C2 zwischen zwei
Nachladevorgängen teilweise entladen. Die Ausgangsspannung erreicht daher den Wert 2⋅û2
nie.

Abbildung 8-6: Spannungsverlauf an der belasteten Villardschaltung für C1 = C2

(mit Einschaltvorgang)
u 2⋅û2

u
uD1

u2

102
Spannungsvervielfachung

Unter der Annahme gleich großer Kondensatoren in den beiden Schaltungen wird die
maximale Ausgangsspannung bei der Villardschaltung nach dem Einschalten der
Wechselspannung langsamer erreicht als bei der Delonschaltung. Bei Belastung sinkt die
Ausgangsspannung der Villardschaltung stärker als bei der Delonschaltung.
Die genannten Nachteile der Villardschaltung lassen sich vermeiden, wenn C1 sehr viel
größer als C2 gewählt wird.

Abbildung 8-7: Spannungsverlauf an der Villardschaltung für C1 >> C2

(mit Einschaltvorgang)
u (unbelastet)
u
2⋅û2

u (belastet)
uD1

u2

Der besondere Vorteil der Villardschaltung liegt darin, dass durch Kaskadierung nicht nur
eine Spannungsverdoppelung sondern eine Spannungsvervielfachung möglich ist.

8.3 Spannungsvervielfachung durch Kaskadierung der Villardschaltung

Abbildung 8-8 Spannungsvervielfachung mit Kaskadierung der Villardschaltung
C C C

u2

C C C

1. Stufe 2. Stufe 3. Stufe

u

Im eingeschwungenen Zustand gilt für die Ausgangsspannung:

u = 2⋅n⋅û2 mit n = Anzahl der Stufen

Da eine vom Transformator abgegebene Ladung in jeder Netzhalbwelle nur um eine Stufe
weitergepumpt werden kann, erfolgt der Spannungsanstieg am Ausgang umso langsamer, je
mehr Stufen hintereinander geschaltet sind.
Aus dem gleichen Grunde ist der Ausgang nur gering belastbar.

103
Spannungsvervielfachung

8.4 Übungsaufgaben zur Spannungsvervielfachung

Aufgabe 8-1: Ausgangsspannung der Delonschaltung

Warum wird bei Belastung der Delonschaltung nicht die volle Ausgangsspannung 2⋅û2
erreicht ?
Aufgabe 8-2: Ausgangsspannung der Delonschaltung
Delonschaltung; C1 = C2 = 1 µF; û2 = 325 V
Wie groß ist ûL im Leerlauf und bei iL = 5 mA ?
Aufgabe 8-3: Einschaltvorgang bei der Villardschaltung
Wie viele Netzperioden vergehen bei der Villiardschaltung, bis nach dem Einschalten die
Ausgangsspannung im Leerlauf den Wert uL = 1,9⋅û2 erreicht wird?
(Diodendurchlass-Spannungen sollen vernachlässigt werden).

104
Der bipolare Transistor

9 Der bipolare Transistor

Der bipolare Transistor ist ein Halbleiter-Bauelement, bei dem mit einem kleinen Steuerstrom
ein großer Hauptstrom gesteuert wird.

9.1 Aufbau und Herstellungsverfahren

Der bipolare Transistor ist ein Bauelement, in dem innerhalb eines Einkristalls drei
abwechselnd p- und n-dotierte Halbleiterzonen mit zwei pn-Übergängen aufeinander folgen.
Entsprechend der Zonenfolge liegt entweder ein npn- oder ein pnp-Transistor vor.

Abbildung 9-1 Schichtenfolge des Transistors

npn-Transistor B pnp-Transistor B

E n p n C E p n p C

Jede der drei Zonen ist mit einem äußeren Anschluss versehen. Diese Anschlüsse tragen die
Bezeichnungen:
- E = Emitter (äußere Zone)
- B = Basis (mittlere Zone)
- C = Kollektor (äußere Zone)
Zur Herstellung von Transistoren wurden/werden unterschiedliche Verfahren eingesetzt:
- Spitzen-Legierungstechnik (historisch) → Spitzentransistor
[auf einen Halbleiterkristall (Basis) wurden zwei
Metallspitzen (Emitter und Kollektor) auflegiert]
- Legierungstechnik (historisch) → Legierungstransistor
[in eine dünne Halbleiterscheibe (Basis) wurde von
beiden Seiten Dotierungsmaterial eingeschmolzen
(Emitter und Kollektor)]
- Diffusionstechnik → Diffusionstransistor, ICs, FET
[bei hoher Temperatur diffundieren Atome der
Dotierungselemente aus einer Dampfatmosphäre in
eine Halbleiterscheibe ein]
- Ionenimplantation → ICs, FET
[Donator- bzw. Akzeptorionen werden im
elektrischen Feld beschleunigt und in den
Halbleiterkristall hineingeschossen]
- Epitaxie → Epitaxialtransistor, ICs
[auf eine Halbleiterscheibe wächst bei hoher
Temperatur eine dotierte Halbleiterschicht aus der
Dampfphase auf]

105
Der bipolare Transistor

Der prinzipielle Aufbau soll am Beispiel eines modernen npn-Transistors, der als Teil eines
integrierten Schaltkreises in planarer Epitaxialtechnik hergestellt ist, gezeigt werden.

Abbildung 9-2 Aufbau eines Planar-Epitaxial-npn-Transistors

In Abbildung 9-1 gezeichneter Ausschnitt
C E B

(d) n++ (f) p (e)

(c) p Epitaxie p
n
burried layer n++ (b)

p-Substrat
(a)

Auf eine p-dotierte Halbleiterscheibe (a) (Substrat; Dicke z.B. 0,2 mm) lässt man eine dünne
n-dotierte Epitaxiezone aufwachsen (c) (Dicke z.B. 10µm). Für die Herstellung von
integrierten Schaltungen aus mehreren Funktionselementen kann die Epitaxiezone durch
Eindiffundieren von bis in das Substrat reichenden p-dotierten Wänden (d) in einzelne
Teilbereiche (Wannen) unterteilt werden. Zur Herstellung eines Transistors wird in eine
solche Wanne eine p-dotierte Zone (e) eindiffundiert. Diese p-Zone stellt später die Basis, die
verbleibende Epitaxiezone innerhalb der Wanne den Kollektor des Transistors dar. In die p-
dotierte Basiszone wird eine hochdotierte n-Zone (f) eindiffundiert, die den Emitter des
Transistors bildet. Der Kristall wird nach außen mit einer isolierenden Oxidschicht versehen.
Durch Aussparungen in dieser Oxidschicht werden die Kollektor-, Basis- und Emitterzonen
mit äußeren Anschlüssen versehen.
Vor dem Aufbringen der Epitaxiezone wird in das Substrat unter die später entstehende
Epitaxiewanne eine hochdotierte n-Zone (b) (burried layer) eindiffundiert, die für einen
geringen Bahnwiderstand der Kollektorzone (Widerstand bis zum Kollektoranschluss) sorgt.
Die einzelnen Wannen innerhalb der Epitaxiezone (d.h. die einzelnen Funktionselemente
eines integrierten Bauelementes) werden gegeneinander und gegenüber dem Substrat durch
Sperrpolung des dazwischenliegenden pn-Übergangs isoliert. Alle Funktionselemente (z.B.
der Transistor) befinden sich daher in der dünnen Epitaxiezone; das Substrat (mit Ausnahme
der zum Kollektor gehörenden burried layer) dient lediglich als mechanischer Träger.
Für eine hohe Stromverstärkung des Transistors (Verhältnis des gesteuerten zum
steuernden Strom) müssen folgende technologischen und konstruktiven Merkmale
vorliegen:
- hohe Majoritätsträgerkonzentration in der Emitter- und geringe Majoritätsträger-
konzentration in der Basiszone (durch entsprechende Dotierungen)
- sehr geringe Dicke der Basiszone.

106
Der bipolare Transistor

9.2 Funktionsweise
Zum Verständnis der Funktionsweise des Transistors ist die Kenntnis der in den Abschnitten
1 und 2 behandelten Halbleiterphysik erforderlich. Es empfiehlt sich daher, diese Abschnitte
nochmals zu studieren.

9.2.1 Der Transistoreffekt

Im Betrieb als Verstärker wird der Transistor grundsätzlich mit Sperrpolung des Kollektor-
Basis-pn-Übergangs und mit Flusspolung des Basis-Emitter-pn-Überganges betrieben.
Die Funktion des Transistors wird im Folgenden schrittweise am Beispiel des npn-Transistors
erläutert. Die Schritte 1 und 2 zeigen den isolierten Betrieb von jeweils nur einem der beiden
pn-Übergänge. In Schritt 3 wird die Funktion des gesamten Transistors dargelegt.
* Schritt 1: - Sperrspannung am Kollektor-Basis-pn-Übergang
- Emitter-Anschluss offen (nicht angeschlossen)
Die interne Diffusionsspannung UD und die von außen angelegte Sperrspannung UCB
verursachen eine ausgedehnte Raumladungszone am Kollektor-Basis-pn-Übergang, sie
stellen eine Potenzialbarriere gegen die Diffusion von Majoritätsträgern dar. Es ist kein
Majoritätsträgerstrom über den pn-Übergang möglich.
Die Sperrspannung bildet jedoch keine Barriere für Minoritätsträger.
Alle Minoritätsträger, die in den Einflussbereich der Kollektor-Basis-Raumladungszone
(RZ) geraten, werden vielmehr von der Sperrspannung durch diesen Übergang hindurch
gezogen. Die Minoritätsträgerdichte an den Grenzen der Raumladungszone geht daher
gegen Null.
Es tritt ein Sperrstrom auf, der von der Anzahl der in der Raumladungszone durch
Paarbildung entstehenden und der Anzahl der von außen zum pn-Übergang
diffundierenden Minoritätsträger bestimmt wird und weitgehend unabhängig von der
Größe der anliegenden Sperrspannung ist. - +
B
Abbildung 9-3 UCB
Minoritätsträgerstrom über
den Kollektor-Basis-Übergang Paarbildung
E
C

n p n
RZ RZ
Der Kollektor-Basis-Sperrstrom bei offenem Emitter wird mit ICB0 bezeichnet. Wegen
der geringen Konzentration von Minoritätsträgern ist dieser Sperrsättigungsstrom sehr
klein. Da er von Minoritätsträgern aus Paarbildung verursacht wird, ist er stark
temperaturabhängig.
Wegen des offenen Emitteranschlusses ist der emitterseitige pn-Übergang bei Schritt 1
nicht an der Funktion beteiligt.

107
Der bipolare Transistor

* Schritt 2: - Flussspannung am Basis-Emitter-pn-Übergang

- Kollektor-Anschluss offen (nicht angeschlossen)
Die außen angelegte Flussspannung UBE wirkt der internen Diffusionsspannung UD
entgegen und baut die Potenzialbarriere über dem Basis-Emitter-pn-Übergang ab.
Dem Konzentrationsgefälle folgend diffundieren daher Majoritätsträger über den pn-
Übergang:
- Elektronen diffundieren von der Emitterzone in die Basiszone (Strom In).
- Löcher diffundieren von der Basiszone in die Emitterzone (Strom Ip).
Da die Dotierung der Emitterzone sehr viel größer ist als die Dotierung der Basiszone, ist
der Elektronenstrom In von der Emitter- zur Basiszone sehr viel größer als der
Löcherstrom Ip von der Basis- in die Emitterzone.
Die Löcher aus dem Strom Ip rekombinieren innerhalb der Emitterzone alsbald mit den
dortigen Majoritätsträgern, mit den Elektronen.
Die Elektronen aus dem Strom In rekombinieren in der Basiszone mit den dortigen
Majoritätsträgern, mit den Löchern. Wegen des größeren Stromes In und wegen der im
Vergleich zum Emitter geringeren Majoritätsträgerdichte in der Basiszone ist die mittlere
Diffusionslänge der Elektronen in der Basis bis zur Rekombination vergleichsweise groß.
Die absolute Größe der Ströme In und Ip lässt sich durch die Größe der angelegten
Flussspannung UBE steuern (pn-Übergang in Flusspolung). Das gegenseitige
Größenverhältnis der Majoritätsträgerströme In und Ip wird dabei durch die Dotierung
von Emitter- und Basiszone bestimmt.
- +
U B
BE

Abbildung 9-4 Ip
Majoritätsträgerströme über
den Basis-Emitter-Übergang Rekombination

In
E C
n p n
RZ RZ
Wegen des offenen Kollektoranschlusses ist der kollektorseitige pn-Übergang bei Schritt 2
nicht an der Funktion beteiligt.
* Schritt 3: - Sperrspannung am Kollektor-Basis-Übergang
- Flussspannung am Basis-Emitter-Übergang
Es fließen folgende Ströme:
- Sperrstrom ICB0 am Kollektor-Basis-pn-Übergang (entsprechend Schritt 1),
- Löcherstrom Ip (sog. Nebenstrom) von der Basiszone in die Emitterzone (rekombiniert
in der Emitterzone mit Elektronen),
- Elektronenstrom In von der Emitterzone in die Basiszone.
Die in die Basiszone eindiffundierten Elektronen breiten sich in der Basiszone
gleichmäßig in alle Richtungen aus.

108
Der bipolare Transistor

Da der Weg zum kollektorseitigen pn-Übergang sehr kurz ist, erreichen die meisten
Elektronen diesen pn-Übergang. Da die Elektronen in der Basiszone von der Art her
Minoritätsträger sind, werden sie von der am Kollektor-Basis-Übergang anliegenden
Sperrspannung zur Kollektorseite abgesaugt (Hauptstrom).
Nur ein kleiner Teil der Elektronen aus dem Strom In rekombiniert in der Basiszone
(Rekombinationsstrom) und erreicht den kollektorseitigen pn-Übergang nicht.
- + - +

UBE B
UCB
CB-Sperrstrom
Abbildung 9-5 Nebenstrom
Ströme im Transistor
Rekombinations-
im Verstärkerbetrieb
Strom

E C
Hauptstrom

n p n
RZ RZ
Die Ströme an den äußeren Anschlüssen setzen sich folgendermaßen zusammen:
Emitterstrom IE Basisstrom IB Kollektorstrom IC
Hauptstrom Nebenstrom Hauptstrom
+ Nebenstrom + Rekombinationsstrom + Sperrstrom ICB0
+ Rekombinationsstrom - Sperrstrom ICB0

Transistor-Effekt:
Durch eine Durchlassspannung an der Basis-Emitterdiode wird ein großer Elektronen-
strom In von der Emitter- in die Basiszone ausgelöst. Der größte Teil dieser Elektronen
wird von der Sperrspannung am Kollektor-Basis-Übergang zum Kollektor abgesaugt
(Hauptstrom), nur ein kleiner Teil rekombiniert mit Löchern in der Basiszone
(Rekombinationsstrom). Am Basisanschluss fließt nur der von der Flussspannung
verursachte, sehr viel kleinere Löcherstrom Ip (Nebenstrom) sowie der Rekombina-
tionsstrom.
Mit einem kleinen Steuerstrom von der Basis zum Emitter (Basisstrom) wird daher ein
großer Strom vom Emitter zum Kollektor (Kollektorstrom) gesteuert.
Damit der Hauptstrom von der Emitter- zur Basis- und dann zur Kollektorzone sehr viel
größer ist als der Nebenstrom, muss die Emitterdotierung sehr viel größer sein als die
Basisdotierung.
Damit der Hauptstrom zum Kollektor sehr viel größer ist als der Rekombinationsstrom,
muss die Basisdotierung niedrig und die Basisdicke gering sein.
Wegen der hohen Emitterdotierung ist die Durchbruchspannung der Basis-Emitter-Strecke
relativ gering. Damit die Durchbruchspannung der Kollektor-Basis-Strecke höher ist, wird
die Kollektordotierung deutlich niedriger als die des Emitters gewählt.

109
Der bipolare Transistor

9.2.2 Strömungsmechanismen im Transistor

U DBE U DCB
Abbildung 9-6 UBE
Interner Potenzialverlauf
im Transistor
Potenzialverlauf ohne
äußere Spannung UCB
Potenzialverlauf mit
äußeren Spannungen

E B RZ2 C
RZ1
Abbildung 9-6 zeigt, dass innerhalb der Emitter-, Basis- und Kollektorzonen des Transistors
kein Potenzialgefälle auftritt. Ein Potenzialgefälle liegt nur vor innerhalb der
Raumladungszonen zwischen Emitter und Basis sowie zwischen Basis und Kollektor.
Am Kollektorstrom sind hauptsächlich Elektronen aus der Emitterzone beteiligt.
Die Elektronenbewegung durch die Raumladungszone (RZ1) zwischen Emitter- und
Basiszone erfolgt aufgrund des Konzentrationssprunges zwischen den beiden Zonen als reiner
Diffusionsstrom. Der Strom durch diese Raumladungszone kann fließen, da die von der
Diffusionsspannung UD gebildete Potenzialbarriere durch die außen angelegte Flussspannung
UBE reduziert ist.
Die Sperrspannung an der kollektorseitigen Raumladungszone (RZ2) saugt alle durch die
Basiszone kommenden Elektronen zur Kollektorzone ab. Innerhalb dieser Raumladungszone
liegt ein Feldstrom vor.
Innerhalb der Basiszone (B) sind die Elektronen Minoritätsträger. Außer den aus dem
Emitter eindiffundierten Elektronen sind kaum weitere vorhanden. Weil innerhalb der
Basiszone kein Potenzialgefälle vorliegt, kann nur ein Diffusionsstrom aufgrund eines
Konzentrationsgefälles dn/dx fließen.
Die Konzentration n p B ( x ) der Elektronen am emitterseitigen Ende der Basiszone (x = 0)
wird von der Spannung UBE bestimmt:
k ⋅T
mit UT = ≈ 26 mV (für T = 300 K)
U BE e
n p B (0) = n p B0 ⋅ exp
UT und n p B0 = Minoritätsträgerkonzentration in
der Basis im stromlosen Zustand
Die Konzentration der Elektronen am kollektorseitigen Ende der Basiszone (x = WB) wird
von der Spannung UBC bestimmt:
U BC
n p B ( WB ) = n p B0 ⋅ exp ≈0 (mit UBC < 0)
UT
Liegt am Transistor eine Kollektor-Basis-Sperrspannung an, so saugt diese -unabhängig von
ihrer Größe- alle Minoritätsträger am kollektorseitigen Ende der Basiszone ab. Die Minori-
tätsträgerkonzentration am kollektorseitigen Ende der Basiszone ist dann immer etwa Null.
Bei vernachlässigbarer Rekombination in der Basiszone ist das Konzentrationsgefälle der
Elektronen entlang des Weges konstant (dn/dx ≈ konstant).

110
Der bipolare Transistor

Innerhalb der Basiszone stellt sich daher ein dreieckförmiger Konzentrationsverlauf der
Elektronen (Minoritätsträger) ein, wie er in Abbildung 9-7 dargestellt ist.
n pB

Abbildung 9-7 E B C
Diffusionsdreieck
(linearer Maßstab)
RZ RZ

0 WB x
Die Elektronen diffundieren ihrem Konzentrationsgefälle folgend durch die Basiszone.
Der Strom durch die Basiszone ist proportional zum Konzentrationsgefälle und entspricht
weitgehend dem Kollektorstrom, der sich damit angeben lässt:
n p B ( 0) A
IC = D nB ⋅ e ⋅ A ⋅ = UT ⋅ µn ⋅ e ⋅ ⋅ n pB 0 ⋅ e U BE UT
WB WB
(mit D n B = UT ⋅ µn = Diffusionskonstante; A = Basisquerschnittsfläche)
Auch innerhalb der Emitterzone (E) und innerhalb der Kollektorzone (C) erfolgt die
Elektronenbewegung als Diffusionsstrom. Das hierzu erforderliche Konzentrationsgefälle
fällt jedoch angesichts der dort vorliegenden sehr hohen Elektronenkonzentration
(Majoritätsträgerkonzentration) nicht ins Auge.

9.2.3 Einfluss der Kollektor-Basis-Spannung auf den Kollektorstrom

Bei konstanter Basisweite ist das Konzentrationsgefälle der Minoritätsträger innerhalb der
Basiszone und damit die Größe des Kollektorstromes in erster Näherung nur abhängig von
der Basis-Emitter-Spannung und weitgehend unabhängig von der Kollektor-Basis-Spannung.
Eine gewisse Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektor-Basis-Spannung tritt
jedoch auf, weil diese Einfluss auf die Sperrschichtweite WS des kollektorseitigen pn-Über-
gangs im Transistor und damit auf die Basisweite WB hat. Bei gleicher Minoritätsträger-
konzentration am emitterseitigen Ende der Basiszone führt eine Verkürzung der Basisweite
zu einer Vergrößerung des Konzentrationsgefälles der Minoritätsträger in der Basis und
damit zu einer Erhöhung des Kollektorstromes (Man spricht von „Basisbreitenmodulation“
bzw. vom sog. „Earlyeffekt“).
npB WS2 = f(UCB2)
Abbildung 9-8
Einfluss der WS1 = f(UCB1)
(dn /dx)1 ∼ I1
Kollektor-Basis-Spannung
auf das Diffusionsdreieck
(Early-Effekt)
(dn /dx)2 ∼ I2
(UCB2 >> UCB1)
0 WB2 WB1 x
Liegt an der Kollektor-Basis-Strecke eine Flussspannung an, so können die Minoritätsträger
aus der Basis nicht zum Kollektor abgesaugt werden und der Kollektorstrom sinkt stark ab.

111
Der bipolare Transistor

9.3 Schaltzeichen - Richtungspfeile für Ströme und Spannungen

In Stromlaufplänen werden folgende Schaltzeichen für den bipolaren Transistor verwendet:

npn-Transistor C pnp-Transistor C
Abbildung 9-9
Schaltzeichen
des bipolaren Transistors B B

E E
Vereinbarungsgemäß zeigen die Richtungspfeile aller drei Klemmenströme zum Transistor.
Die Richtungspfeile der drei Klemmenspannungen können frei gewählt werden und
entsprechen der Reihenfolge der Indices.
IC

Abbildung 9-10 UCB

Richtung von Strömen
und Spannungen am Transistor UCE
IB
UBE
IE
Für die Ströme und Spannungen am Transistor gelten demnach folgende Gleichungen:
* Knotengleichung: IE + IB + IC = 0

* Maschengleichung: UCE = UCB + UBE

9.4 Transistor-Grundschaltungen
Der Transistor verbindet immer einen steuernden mit einem gesteuerten Stromkreis. Da
sowohl für die Verbindung mit dem steuernden, wie auch für die Verbindung mit dem
gesteuerten Stromkreis jeweils zwei Klemmen erforderlich sind, der Transistor jedoch nur
drei Anschlüsse besitzt, muss einer der Transistoranschlüsse sowohl dem steuernden
Eingangs- als auch dem gesteuerten Ausgangskreis zugeordnet werden. Hierfür sind drei
Varianten möglich: Die Basisschaltung, die Emitterschaltung und die Kollektorschaltung.

9.4.1 Basisschaltung
RE IE IC RC
9.4.1.1 Prinzipschaltung

Abbildung 9-11 US1 UEB UCB US2

Transistor in Basisschaltung

Bei der Basisschaltung wird der Transistor am Emitter gesteuert (Eingangsstrom IE), das
Ausgangssignal wird am Kollektor abgegriffen (Ausgangsstrom IC).

112
Der bipolare Transistor

9.4.1.2 Eingangskennlinie
Die Eingangskennlinie IE = f(UEB) ist die Kennlinie der Emitter-Basis-Diode in Flusspolung.

-IE
Abbildung 9-12
Eingangskennlinie
in Basisschaltung

-UEB
0 1V
9.4.1.3 Ausgangskennlinie
Bei der Basisschaltung ist der Kollektorstrom eine Funktion des (eingeprägten) Emitter-
stromes. Hierbei tritt der Earlyeffekt (siehe Abschnitt 9.2.3) nicht in Erscheinung. Eine
Auswirkung der Kollektor-Basis-Sperrspannung auf den Kollektorstrom tritt praktisch nicht
auf. Aus diesem Grunde sind die Ausgangskennlinien IC = f(UCB) mit IE als Parameter im 1.
Quadranten annähernd horizontale Linien (annähernd parallel zur UCB-Achse).
IC

Abbildung 9-13
Ausgangskennlinien
in Basisschaltung -IE

0 UCB
Wird die Kollektor-Basis-Spannung 0 oder gar negativ (Flusspolung statt Sperrpolung des
CB-Übergangs) dann können die Minoritätsträger aus der Basis nicht mehr vollständig
abgesaugt werden und der Kollektorstrom sinkt steil ab (2. Quadrant in Abbildung 9-13).
9.4.1.4 Übertragungskennlinien
Eine Übertragungskennlinie zeigt grafisch die Abhängigkeit einer Ausgangsgröße von einer
Eingangsgröße.
Da sich IC und IE nur um den kleinen Strom IB unterscheiden, ist die Übertragungskennlinie
IC = f(IE) (Stromsteuerkennlinie) eine unter ca. 45° vom Ursprung ausgehende Gerade.

Abbildung 9-14 IC
Stromsteuerkennlinie
in Basisschaltung

-IE

Der Kollektorstrom lässt sich auch als Funktion der Emitter-Basis-Spannung darstellen
(IC = f(UEB); Spannungssteuerkennlinie). Da IC und IE annähernd gleich sind, ähnelt diese
Übertragungskennlinie der Eingangskennlinie in Basisschaltung.

113
Der bipolare Transistor

9.4.1.5 Stromverstärkung
In der Basisschaltung ist der Emitterstrom der Eingangsstrom des Transistors, der
Kollektorstrom der Ausgangsstrom.
IE A ⋅ IE -IC
Abbildung 9-15
Stromaufteilungsschema
für die Basisschaltung (1 - A) ⋅ IE ICB0

-IB
Der Emitterstrom teilt sich auf
- in einen größeren Anteil A⋅IE in Richtung Kollektor (Hauptstrom) und
- einen kleineren Anteil (1-A)⋅IE in Richtung Basis
(Neben- und Rekombinationsstrom)
Zusätzlich zu diesen Strömen fließt noch der Kollektor-Basis-Sperrstrom ICB0.
Das Verhältnis des steuerbaren Anteils des Ausgangsstromes zum steuerbaren Anteil des
Eingangsstromes stellt die Stromverstärkung des Transistors dar.
Die Stromverstärkung A (=Alpha) des Transistors in Basisschaltung beträgt somit:
steuerbarer Anteil von - I C
Stromverstärkung A =
steuerbarer Anteil von I E
− I C + I CB0
A=
IE

− IC
Mit ICB0 << IC ergibt sich näherungsweise A≈ ≈1
IE

Reale Werte der Stromverstärkung A liegen im Bereich 0,95 ≤ A ≤ 0,999

Die Stromverstärkung A ist weitgehend unabhängig von der Größe von Emitter- und
Kollektorstrom, d.h. die Stromverstärkung A eines Transistors ist konstant.
Für kleine Änderungen von Emitter- und Kollektorstrom verwendet man die
di
Wechselstromverstärkung α = − C . Für die meisten Anwendungen gilt α ≈ A.
di E

9.4.2 Emitterschaltung RC
IC
9.4.2.1 Prinzipschaltung RB IB

Abbildung 9-16
Transistor in Emitterschaltung US1 UBE UCE US2

Bei der Emitterschaltung wird der Transistor an der Basis gesteuert (Eingangsstrom IB), das
Ausgangssignal wird am Kollektor abgegriffen (Ausgangsstrom IC).

114
Der bipolare Transistor

9.4.2.2 Eingangskennlinie
Die Eingangskennlinie IB = f(UBE) ist die Kennlinie der Basis-Emitter-Diode.
IB
Abbildung 9-17
Eingangskennlinie
in Emitterschaltung

UBE
0 1V
9.4.2.3 Ausgangskennlinie
Die Ausgangskennlinie stellt die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektor-
Emitter-Spannung UCE z.B. bei konstantem Basisstrom IB dar
Normalbetrieb (UCE ≥ UBE)
Der Kollektorstrom ist in erster Näherung nur eine Funktion des Basisstromes (bzw. der
Basis-Emitter-Spannung). Aus diesem Grunde sind die Ausgangskennlinien IC = f(UCE)
annähernd horizontale Linien (annähernd parallel zur UCE-Achse) mit IB bzw. (selten) UBE
als Parameter. I UCB = 0
C

Abbildung 9-18
Ausgangskennlinien IB
in Emitterschaltung

UCE
Bei genauer Betrachtung ist festzustellen, dass die Ausgangskennlinien in Emitterschaltung
nicht genau parallel zur Spannungsachse verlaufen. Sie steigen vielmehr wegen des
„Earlyeffekts“ (siehe Abschnitt 9.2.3) mit zunehmender Kollektor-Emitter -Spannung leicht
an. Die Steigung ist so, als gingen alle Ausgangskennlinien von einem gemeinsamen Punkt
auf der Spannungsachse aus. Der Spannungswert dieses gemeinsamen Schnittpunktes ist die
Earlyspannung UA. Die Earlyspannung liegt bei npn-Transistoren zwischen 80 V und 200 V,
bei pnp-Transistoren zwischen 40 V und 150 V.
IC
Abbildung 9-19
Earlyspannung IB

UCE
-UA
Ist die Earlyspannung eines Transistors bekannt, so lässt sich die Steigung der einzelnen
Ausgangskennlinien abschätzen; umgekehrt lässt sich die Earlyspannung aus der Steigung der
einzelnen Ausgangskennlinien ermitteln.

115
Der bipolare Transistor

Sättigungsbetrieb (UCE < UBE)

Die Kollektor-Emitter-Spannung ist die Summe aus Kollektor-Basis- und Basis-Emitter-
Spannung. Sinkt die Kollektor-Emitter-Spannung unter die Basis-Emitter-Spannung, so wird
der Kollektor-Basis-Übergang in Flusspolung statt in Sperrpolung betrieben (UCB < 0). Dann
können die Minoritätsträger aus der Basis nicht mehr vollständig abgesaugt werden und der
Kollektorstrom sinkt steil ab. Der Transistor arbeitet in der Sättigung. In der Abbildung 9-18
ist die Grenze UCB = 0 zwischen Sättigungsbereich und normal aktivem Bereich (UCB > 0)
eingezeichnet.
9.4.2.4 Übertragungskennlinien
Die Übertragungskennlinie IC = f(IB) (Stromsteuerkennlinie) ist näherungsweise eine vom
Ursprung ausgehende Gerade
IC
UCE = 10V
Abbildung 9-20
Übertragungskennlinien
in Emitterschaltung UCE = 6V

IB

Der Kollektorstrom lässt sich auch als Funktion der Basis-Emitter-Spannung darstellen
(IC = f(UBE); Spannungssteuerkennlinie). Da IC und -IE annähernd gleich sind, entspricht der
Verlauf dieser Übertragungskennlinie ungefähr dem der Eingangskennlinie in Basisschaltung.
Wegen der bestehenden Abhängigkeit sollte bei den Übertragungskennlinien jeweils
angegeben werden, für welche Kollektor-Emitter-Spannung sie gelten.
9.4.2.5 Stromverstärkung B IC

Abbildung 9-21 IC-ICB0

Stromaufteilungsschema ICB0
für die Emitterschaltung IB

IB+ICB0

-IE

Das Verhältnis der steuerbaren Anteile von Kollektorstrom und Basisstrom wird als
Stromverstärkung B (= Beta) des Transistors in Emitterschaltung bezeichnet.
steuerbarer Anteilvon I C
Stromverstärkung B =
steuerbarer AnteilvonI B

I C − I CB0
B=
I B + I CB0

116
Der bipolare Transistor

Meist sind IB und IC sehr viel größer als ICB0.

Dann gilt für die Stromverstärkung in Emitterschaltung näherungsweise:
I
B≈ C
IB

Werte der Stromverstärkung B liegen im Bereich

(20) . . . 100 ≤ B ≤ 200 . . . (1000)
Die Stromverstärkung B besitzt eine gewisse Abhängigkeit von der Größe des
Kollektorstromes. Sie steigt zunächst mit IC, bleibt dann über ein bis zwei
Größenordnungen von IC annähernd konstant und sinkt bei noch höheren Stromwerten
wieder ab (siehe z.B. Kennlinie B = f(IC) in Aufgabe 12-1).
Die Stromverstärkung B hat einen positiven Temperaturkoeffizienten von ca. 0,66 %/K.
Für kleine Änderungen von Basis- und Kollektorstrom verwendet man die
di
Wechselstromverstärkung β = C . Für die meisten Anwendungen gilt β ≈ B.
di B
Im englischsprachigen Raum wird die Gleichstromverstärkung nicht mit B sondern meist mit
HFE und die Wechselstromverstärkung nicht mit β sondern mit hfe bezeichnet. Leider werden
die Regeln für Groß- und Kleinschreibung hier sehr unterschiedlich gehandhabt (z.B. Hfe oder
hFE). (Zu den sog. h-Parametern siehe Anhang B, Abschnitte B.2.1 und B.2.3).

9.4.3 Kollektorschaltung
UBE
9.4.3.1 Prinzipschaltung IE RE
IB
(a)
Abbildung 9-22
Transistor in UEC US2
US1 UBC
Kollektorschaltung

äquivalente Schaltung
(b) IB

-IE US2
US1 * UBE
UI
UQ
RE

Wie bei der Emitterschaltung wird an der Basis gesteuert (Eingangsstrom IB). Das
Ausgangssignal wird jedoch nicht am Kollektor sondern am Emitter abgegriffen
(Ausgangsstrom IE).

117
Der bipolare Transistor

9.4.3.2 Kennlinien
Für die Kollektorschaltung werden die Kennlinien des Transistors in Emitterschaltung
verwendet.
9.4.3.3 Strom- und Spannungsverstärkung
Für die Kollektorschaltung des Transistors ist keine eigene Stromverstärkung definiert.
Mit -IE = IC + IB ≈ B⋅IB + IB = (B+1)⋅IB ergibt sich eine Stromverstärkung von (B+1).
Die Ausgangsspannung des Transistors in Kollektorschaltung (siehe Abbildung 9-22a)
beträgt:
UCE = UCB + UBE
Da Ein- und Ausgangssignale meist auf Masse und nicht auf das Versorgungspotenzial
bezogen werden (siehe Abbildung 9-22b), gilt:
UCE = US2 -UQ
UCB = US2 - UI
Daraus ergibt sich: UQ = UI - UBE
Da sich die Basis-Emitterspannung des leitenden Transistors (Durchlassspannung der BE-
Diode) nicht oder nur in engen Grenzen ändert, folgt die Ausgangsspannung der
Eingangsspannung etwa im Verhältnis 1:1. Die Spannungsverstärkung der
Kollektorschaltung beträgt daher
AU ≈ 1

9.4.4 Umrechnung der Stromverstärkungen

IC IC
Mit A≈ =
− IE IC + IB
I
und B≈ C
IB
ergeben sich zwischen den Stromverstärkungen in Basis- und Emitterschaltung folgende
Umrechnungsgleichungen:
B A
A≈ und B≈
1+ B 1− A

9.5 Darlington- oder Super-Beta-Schaltung

Die Stromverstärkung eines Transistors in Emitter- oder Kollektorschaltung lässt sich weiter
vergrößern mit der sog. Darlington-Schaltung (auch Super-Beta-Schaltung genannt).
Bei der Darlington-Schaltung werden zwei Transistoren so hintereinander geschaltet, dass
sich ihre Stromverstärkungen multiplizieren.
Die Darlington-Schaltung lässt sich mit gleichartigen oder mit komplementären Transistoren
aufbauen.

118
Der bipolare Transistor

Abbildung 9-23: Darlington-Schaltung

mit gleichartigen Transistoren mit komplementären Transistoren
Iges Iges
IB1
T1 T2
IB1
T2 T1
Iges Iges

Berechnung der Gesamt-Stromverstärkung:

I C1 + I C2 I − I E1 − I C2 I
B ges = = B1 + C2 Bges = = B1 + 1 − C2
I B1 I B1 I B1 I B1
Mit I C2 = B 2 ⋅ I B2 = B 2 ⋅ (B1 + 1) ⋅ I B1 Mit I C2 = B 2 ⋅ I B2 = −B 2 ⋅ I C1 = −B 2 ⋅ B1 ⋅ I B1

wird B ges = B 1 + B 2 + B 1 ⋅ B 2 Wird B ges = B1 + 1 + B1 ⋅ B 2

In beiden Fällen gilt also näherungsweise Bges ≈ B1 ⋅ B 2

und analog für Wechselsignale β ges ≈ β1 ⋅ β 2

9.6 Daten von Transistoren

Tabelle 9-1 Ausgewählte Daten verschiedener Transistoren
BC107 BC 140
npn-Typ 2N6621 2N3055 BC517
A/B/C 6/10/16 Darlington
Grenzwerte
Kollektor-Basis-Sperrspannung UCB0 50 V 80 V 25 V 100V 40 V
Emitter-Basis-Sperrspannung UEB0 5V 7V 2,5 V 7V 10 V
Kollektorstrom IC 100 mA 1A 25 mA 15 A 400 mA
Verlustleistung Ptot 300 mW 3,7 W(12) 200 mW 115 W(13) 625 mW
Sperrschichttemperatur ϑj 175 °C 175 °C 150 °C 200 °C 150 °C
Typische Kennwerte
170 / 290 63 / 100 /
Stromverstärkung B > 25 20 - 60 > 30 000
/ 500 160
Transitfrequenz(14) fT 150 MHz 50 MHz 1,9 GHz 1 MHz 220 MHz
Reststrom (25 °C) ICES < 15 nA < 100 nA < 50 nA <100 nA
Wärmewiderstand
Rth 500 K/W 200 K/W 400 K/W 1,5 K/W(15) 200 K/W
(Sperrschicht-Umgebung)

(12)
Mit Kühlkörper
(13)
Mit Kühlung auf Gehäusetemperatur ϑG ≤ 25 °C
(14)
Frequenz bei der die Stromverstärkung β = 1 wird.
(15)
Innerer Wärmewiderstand Rth/J-G
119
Der bipolare Transistor

9.7 Übungsaufgaben zu Aufbau und Funktionsweise des bipolaren

Transistors

Aufgabe 9-1: Transistorphysik

(a) Warum muss die Dotierung des Emitters sehr viel höher sein als die Dotierung der Basis ?
(b) Warum soll die Dicke der Basisschicht möglichst gering sein ?
(c) Warum wählt man die Dotierung des Kollektors deutlich geringer als die des Emitters ?
(d) Was versteht man unter dem Transistoreffekt ?
(e) Was versteht man unter dem Diffusionsdreieck ?
(f) Wie groß ist die Minoritätsträgerdichte am emitterseitigen und am kollektorseitigen Ende
der Basiszone ?
(Silizium-npn-Transistor;
Basisdotierung: ND = 1015 cm-3 + NA = 1017 cm-3 (Basis in Kollektorzone eindiffundiert)
ni = 1010 cm-3; UT = 26 mV; UBE = 0,52 V; UCE = 10 V)
(g) Wodurch entsteht der Kollektor-Basis-Reststrom ICB0 ?
Aufgabe 9-2: Transistoreigenschaften
(a) Erkläre den Earlyeffekt. Wie wirkt er sich in den Transistorkennlinien aus ?
(b) Wie unterscheiden sich die Transistor-Ausgangskennlinien für Emitter- und
Basisschaltung ?
(c) Ein Transistor hat folgende Dotierungen:
- Kollektor: ND = 1015 cm-3
- Basis: ND = 1015 cm-3 + NA = 1016 cm-3 (Basis in Kollektorzone eindiffundiert)
- Emitter: NA = 1016 cm-3 + ND = 2⋅1018 cm-3 (Emitter in Basiszone eindiffundiert)
In Emitterschaltung hat hat er die Daten: B = 100; UCEmax = 300 V.
Schätzen Sie die Daten B* und UCEmax* für inversen Betrieb (Kollektor und Emitter
vertauscht). Begründung angeben.
(d) Warum sinkt die Stromverstärkung des Transistors bei Sättigung ?
(e) Wie groß ist IC bei Emitterschaltung für IB = 0 (ICB0 nicht vernachlässigen) ?
(f) Was versteht man unter der (in den Datenblättern angegebenen) Transitfrequenz?

120
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10 Arbeitspunkt des bipolaren Transistors /

Gleichstrombetrieb
10.1 Einstellung des Arbeitspunktes

Der bipolare Transistor kann eingesetzt werden zur Steuerung von Gleichströmen bzw.
Gleichspannungen (Beispiel: Konstantstromquelle). In diesen Fällen müssen die gewünschten
Gleichströme und Gleichspannungen durch Aufbau und Dimensionierung einer geeigneten
Transistorschaltung eingestellt werden.
Ein anderer wichtiger Anwendungsfall des Transistors ist der Einsatz in einem
Wechselspannungsverstärker. Dieser wird im Abschnitt 11 eingehend behandelt.
Beim Einsatz im Wechselspannungsverstärker muss berücksichtigt werden, dass die
Eingangs- und Ausgangsströme des Transistors immer nur in einer Richtung fließen können
(z.B. iB ≥ 0 bzw. iC ≥ 0 beim npn-Transistor). Ein Strom in die entgegengesetzte Richtung
ist nicht möglich. Aus diesem Grunde kann ein Wechselstrombetrieb ausgehend vom
Ruhestrom IB = 0 bzw. IC = 0 nicht stattfinden. Ähnliches gilt für die Basis-Emitter- und
die Kollektor-Emitter-Spannung. Auch hier ist ein Verstärkerbetrieb mit negativen Werten
(npn-Transistor) ausgeschlossen.
Für einen Einsatz als Wechselspannungsverstärker muss der Transistor daher mit einem
hinreichend großen Vorstrom (Ruhestrom / Gleichstrom) und mit einer ausreichend großen
Kollektor-Emitter-Spannung betrieben werden, so dass eine Wechselaussteuerung ohne
Begrenzung durch die Werte iB = 0, iC = 0, uBE = 0 und uCE = 0 möglich wird.
Die gleichstrommäßig eingestellten Werte der Ströme IC , IB , IE und der Spannungen UCE ,
UBE und UCB stellen den Arbeitspunkt des Transistors dar.

Zwischen den sechs Größen des Arbeitspunktes gelten folgende feste Beziehungen:
IB = f(UBE)
IC + IB + IE = 0
IC ≈ B ⋅ IB
UCE = UBE + UCB

Von den sechs Größen können zwei frei gewählt werden, die restlichen vier sind dann
automatisch festgelegt. Sehr häufig werden für eine Anwendung die Ausgangsgrößen IC und
UCE vorgegeben (frei gewählt).

Die Steuerung des Transistors zur Einstellung des vorgegebenen Kollektorstromes IC erfolgt
z.B. durch
- Einprägung des Basisstromes IB (hochohmige AP-Einstellung) oder
- Einprägung der Basis-Emitter-Spannung UBE (niederohmige AP-Einstellung)

In der Praxis werden diese Einprägungen nur annähernd erreicht. Die steuernde Quelle liegt
in der Regel zwischen einer idealen Strom- und einer idealen Spannungsquelle.

121
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.1.1 Einprägung des Basisstromes

Abbildung 10-1 Einprägung des Basisstromes
(a) Prinzip-Schaltung (b) Technische Realisierung

RC
RB RC
IB IC US
US IC
IB

UBE
Um einen bestimmten Basisstrom IB einzustellen, muss der Widerstand RB in Abbildung 10-1
(b) folgende Größe besitzen:
U S − U BE
RB =
IB
Der Kollektorstrom ergibt sich dann zu:
U S − U BE
IC ≈ IB ⋅ B = ⋅B
RB
Trotz Einprägung des Basisstromes ist die Stabilität des Arbeitspunktes unzureichend. Der
Kollektorstrom ist hier stark abhängig von der Stromverstärkung B des Transistors.

10.1.2 Einprägung der Basis-Emitter-Spannung

Abbildung 10-2 Einprägung der Basis-Emitter-Spannung
(a) Prinzip-Schaltung (b) Technische Näherungslösung

RC R1 RC

IC I1 IB
US
US
I2
UBE R2 UBE

Bei der Schaltung nach Abbildung 10-2(b) ergibt sich eine Basis-Emitter-Spannung UBE
von:
R2 R ⋅R
U BE = U S ⋅ − IB ⋅ 1 2
R1 + R 2 R1 + R 2
Die Basis-Emitter-Spannung wird umso stärker eingeprägt (und damit unabhängig vom
Basisstrom IB), je niederohmiger der Spannungsteiler aus R1 und R2 (bei gleichem
Teilungsverhältnis) ist.
Damit ergibt sich folgende Dimensionierung:
US − U BE US − U BE U BE
R1 = = R2 =
I1 I2 + IB I2

Der Kollektorstrom ergibt sich dann aus der Spannungssteuerkennlinie IC = f(UBE)

122
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Bei Einprägung der Basis-Emitter-Spannung ist die Stabilität des Arbeitspunktes gering.
Der Kollektorstrom ist hier stark abhängig von der temperaturabhängigen und Exemplar-
streuungen unterliegenden Basis-Emitterspannung des Transistors.

10.1.3 Einstellung der Kollektor-Emitter-Spannung

Die Kollektor-Emitterspannung wird bei den Schaltungen nach Abbildung 10-1 und
Abbildung 10-2 eingestellt mit dem Widerstand RC
U S − U CE
RC =
IC

10.2 Stabilisierung des Arbeitspunktes

10.2.1 Anforderungen an die Stabilität des Arbeitspunktes

- Der Arbeitspunkt soll bei variablen Umgebungsbedingungen unverändert bleiben.
- Der Arbeitspunkt soll sich nicht zeitabhängig ändern.
- Der Arbeitspunkt soll bei gleichen Schaltungen (Serienfertigung) jeweils gleich sein.
- Der Arbeitspunkt soll beim Austausch von Bauteilen (Reparatur) gleich bleiben.
10.2.2 Ursachen für Arbeitspunkt-Verschiebungen
Verschiedene Störeinflüsse können zu Verschiebungen oder Abweichungen des
Arbeitspunktes führen. Solche Einflüsse sind z.B. Temperaturänderungen, Drift,
Bauteiltoleranzen, Exemplarstreuungen.
10.2.2.1 Temperaturabhängigkeit des Kollektor-Basis-Reststromes ICB0 (∆ICB0 -Effekt)
Der Kollektor-Basis-Sperrstrom ICB0 hat Einfluss auf die Größe des Kollektorstromes
entsprechend der Gleichung:
IC = B ⋅ IB + (B + 1) ⋅ ICB0 (siehe Abschnitt 9.4.2.5)
Der Kollektor-Basis-Reststrom steigt exponentiell mit der Temperatur. Näherungsweise kann
∆ϑ
von einer Verdoppelung pro 10K ausgegangen werden I CB0ϑ2 = I CB0ϑ1 ⋅2 10K .

Im Ausgangskennlinienfeld verschieben sich daher die Kennlinien mit steigender

Temperatur.
IC
Abbildung 10-3 ICB0-Effekt

AP
∆ϑ
∆IC

UCE

123
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.2.2.2 Die Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung UBE (∆UBE -Effekt)

Die Basis-Emitter-Spannung sinkt bei steigender Temperatur.
Bei Silizium-npn-Transistoren kann näherungsweise ein Temperaturdurchgriff von
δU BE mV
DϑU = ≈ −2 angenommen werden.
BE δϑ K
Es ergibt sich eine Verschiebung der Eingangskennlinie. IB ∆ϑ

Abbildung 10-4 ∆UBE -Effekt AP

UBE
∆UBE
10.2.2.3 Streuung und Änderung der Stromverstärkung B (∆B-Effekt)
Herstellungstoleranzen führen zur Streuung des B-Faktors bei der Serienfertigung von
Transistoren. Für die Streuungen der Stromverstärkung bei einem Transistortyp gilt etwa:
B max IC
≈ 1,8......2,6
B min
AP2 Tr.2
Abbildung 10-5 ∆B-Effekt auf ∆IC Tr.1
Grund von Exemplarstreuung AP1
UCE

Temperaturänderungen und Alterung führen zu Änderungen der Stromverstärkung eines

Transistors. Die Temperaturabhängigkeit der Stromverstärkung beträgt etwa 1% / K.
Unterschiedliche B-Werte führen z.B. zu Unterschieden im Ausgangskennlinienfeld.

10.2.2.4 Die Schwankung der Versorgungsspannung US (∆US-Effekt)

Schwankungen der Versorgungsspannung müssen bei einfachen Netzteilen und
Batteriebetrieb berücksichtigt werden.

10.2.2.5 Widerstandstoleranzen (∆R-Effekt)

Arbeitspunkt-Verschiebungen können auch aufgrund von Widerstandstoleranzen auftreten.

10.2.3 Gegenkopplungsmaßnahmen zur Arbeitspunkt-Stabilisierung

Ziel der Stabilisierungsmaßnahmen ist das Konstanthalten der Ausgangsgrößen IC/AP und
UCE/AP trotz Schwankungen der verschiedenen Einflussgrößen.
Da IC und UCE in einer gegebenen Schaltungen meist eindeutig voneinander abhängen,
genügt es in der Regel, Maßnahmen zur Stabilisierung einer der beiden Größen vorzusehen.
Im folgenden werden Stabilisierungsmaßnahmen für den Kollektorstrom IC betrachtet.

124
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Zur Stabilisierung werden in allen Fällen Gegenkopplungsmaßnahmen eingesetzt.

10.2.3.1 Basisstrom-Einprägung mit Spannungsgegenkopplung (Parallelgegenkopplung)

US
Abbildung 10-6 RC
Basisstrom-Einprägung
mit Spannungsgegenkopplung
RB
IC
IB

UBE
Gnd

Die Schaltung lässt sich mit folgenden Gleichungen dimensionieren:

U CE − U BE U S − U CE
RB = RC =
IB IC + IB

Bei gegebener Dimensionierung der Schaltung lässt sich der Kollektorstrom wie folgt
berechnen:
IC = B ⋅ IB + (B + 1) ⋅ ICB0
UCE - UBE - IB ⋅ RB = 0
US - UCE - (IC + IB) ⋅ RC = 0
( U S − U BE ) ⋅ B + (B + 1) ⋅ (R B + R C ) ⋅ I CB0
Daraus ergibt sich: IC =
R B + (B + 1) ⋅ R C

U S − U BE + (R B + R C ) ⋅ I CB0
und mit B + 1 ≈ B IC ≈ ⋅B
RB + B⋅ RC

10.2.3.2 Einprägung des Basispotenzials mit Strom-Gegenkopplung

(Reihengegenkopplung) (Emitterstromeinprägung)

Abbildung 10-7 Basisspannungsteiler mit Strom-Gegenkopplung

US US
RC Ersatzschaltung RC
R1

IC IC
IB

RiT

R2 RE
RE U0T
Gnd Gnd

125
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Die Schaltung lässt sich mit folgenden Gleichungen dimensionieren:

U RE U RE U S − U CE − U R E
RE = ≈ RC =
− IE IC IC
U S − U BE − U R E U BE + U R E
R1 = R2 =
IR2 + IB IR2
Empfehlung: Wähle U R E ≈ 2V und I R 2 = (3 . . . 10)⋅IB
(Sofern speziellere Anforderungen gegeben sind, siehe Abschnitt 10.2.6).
Zur Berechnung des Kollektorstromes einer bereits dimensionierten Schaltung wandelt man
zunächst den Eingangskreis in eine Ersatzspannungsquelle um:
R2 R1 ⋅ R 2
U 0T = U S ⋅ R iT =
R1 + R 2 R1 + R 2
Anschließend kann man dann den Kollektorstrom wie folgt berechnen:
I C = B ⋅ I B + (B + 1) ⋅ I CB0
U 0T − I B ⋅ R iT − U BE − (I B + I C ) ⋅ R E = 0
( U 0T − U BE ) ⋅ B + (B + 1) ⋅ (R iT + R E ) ⋅ I CB0
Daraus ergibt sich: IC =
R iT + (B + 1) ⋅ R E

U 0T − U BE + (R iT + R E ) ⋅ I CB0
und mit B + 1 ≈ B : IC ≈ ⋅B
R iT + B ⋅ R E

10.2.4 Verfahren zur Berechnung von Abweichungen des Arbeitspunktes

Der Kollektorstrom IC ist abhängig von verschiedenen Bauelement-Kennwerten und
Schaltungsparametern
I C = f ( U BE , I CB0 , B, U S , R x )
Kollektorstrom-Änderungen ∆IC können durch Änderungen dieser Kennwerte und
Parameter verursacht werden:
∆I C = f (∆U BE , ∆I CB0 , ∆B, ∆U S , ∆R x )

10.2.4.1 Berechnung des Einflusses einzelner Parameter

Ist die Gleichung I C = f ( U BE , I CB0 , B, U S , R x ) bekannt, so lässt sich der Einfluss
einzelner Größen auf die Arbeitspunkt-Stabilität mittels partiellem Differenzial rechnerisch
ermitteln.
Für differentiell kleine Änderungen z.B. von UBE gilt
δI C
dI C = f (dU BE ) = ⋅ dU BE
δU BE
Für hinreichend kleine Änderungen ∆UBE darf näherungsweise angenommen werden
δI C
∆I C = f (∆U BE ) ≈ ⋅ ∆U BE
δU BE

126
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

δI C
Analog ergibt sich ∆I C = f (∆I CB0 ) ≈ ⋅ ∆I CB0
δI CB0
δI C
∆I C = f (∆B) ≈ ⋅ ∆B
δB
δI C
∆I C = f (∆U S ) ≈ ⋅ ∆U S
δU S
Aus der Hauptgleichung I C = f ( U BE , I CB0 , B, U S , R x ) berechnet man hierbei die
partiellen Differenziale. Durch Multiplikation mit den zu erwartenden Änderungen der
zugehörigen Parameter (∆UBE, ∆ICB0, ∆B, ∆US, ∆RX usw.) erhält man die resultierende
Änderung des Kollektorstromes.
10.2.4.2 Berechnung der Auswirkungen aller Einflussgrößen
Der gemeinsame Einfluss aller Einflüsse dI C = f (dU BE , dI CB0 , dB, dU S , dR x ) lässt sich
berechnen über das totale Differenzial:
δI C δI C δI δI δI
dI C = ⋅ dU BE + ⋅ dI CB0 + C ⋅ dB + C ⋅ dU S + C ⋅ dR x
δU BE δI CB0 δB δU S δR x
Für hinreichend kleine Änderungen kann näherungsweise angenommen werden
δI C δI C δI δI δI
∆I C = ⋅ ∆U BE + ⋅ ∆I CB0 + C ⋅ ∆B + C ⋅ ∆U S + C ⋅ ∆R x
δU BE δI CB0 δB δU S δR x
Die Gesamtauswirkung aller Einflussgrößen ergibt sich demnach aus der Summe der
Einzeleinflüsse.
10.2.5 Berechnung von Abweichungen des Arbeitspunktes einer gegebenen Schaltung
Mit Hilfe der im Abschnitt 10.2.4 beschriebenen Berechnungsmethode können die
Auswirkungen unterschiedlicher Einflussparameter auf die Stabilität des Arbeitspunktes einer
vorgegebenen (dimensionierten) Schaltung ermittelt werden. Dies wird am Beispiel der
Transistorschaltung mit Basisspannungsteiler und Stromgegenkopplung demonstriert.
US
Abbildung 10-8 RC
Transistorschaltung R1
mit Basis-Spannungsteiler IC
und Stromgegenkopplung

R2 RE
Gnd
Nach Abschnitt 10.2.3.2 gilt die Hauptgleichung:
U 0T − U BE + (R iT + R E ) ⋅ I CB0
IC ≈ ⋅B
R iT + B ⋅ R E
R2 R1 ⋅ R 2
mit U 0T = U S ⋅ und R iT =
R1 + R 2 R1 + R 2

127
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.2.5.1 Abweichungen des Arbeitspunktes infolge ∆UBE-Effekt

δI C
Für den ∆UBE-Effekt gilt: ∆I C ≈ ⋅ ∆U BE
δU BE
Durch Differenzieren der Hauptgleichung erhält man:
−B
∆I C ≈ ⋅ ∆U BE
R iT + B ⋅ R E
In der Regel ist der Innenwiderstand RiT des Basisspannungsteilers sehr viel kleiner als B⋅RE
und kann daher vernachlässigt werden:
− ∆U BE
∆I C ≈ ⋅
RE
Für den ∆UBE-Effekt aufgrund von Temperaturänderungen ergibt sich
∆U BE = D ϑ U ⋅ ∆ϑ
BE

D ϑU ⋅ ∆ϑ 2mV ∆ϑ
Damit ergibt sich: ∆I C ≈ − BE
≈ ⋅
RE K RE

10.2.5.2 Abweichungen des Arbeitspunktes infolge ∆ICB0-Effekt

δI C
Für den ∆ICB0-Effekt gilt: ∆I C = f (∆I CB0 ) ≈ ⋅ ∆I CB0
δI CB0
Durch Differenzieren der Hauptgleichung erhält man:
(R iT + R E ) ⋅ B
∆I C ≈ ⋅ ∆I CB0
R iT + B ⋅ R E
R iT + R E
Mit RiT << B⋅RE ergibt sich ∆I C ≈ ⋅ ∆I CB0
RE

10.2.5.3 Abweichungen des Arbeitspunktes infolge ∆B-Effekt

Für den ∆B-Effekt gilt:
δI R ⋅ [U 0T − U BE + (R iT + R E ) ⋅ I CB0 ]
∆I C ≈ C ⋅ ∆B = iT ⋅ ∆B
δB (R iT + B ⋅ R E ) 2
Diese Gleichung lässt sich vereinfachen mittels Division durch die Hauptgleichung für IC.
∆I C R iT ∆B
Es ergibt sich dann: = ⋅
IC R iT + B ⋅ R E B
Mit RiT << B⋅RE und ∆B = B(max) − B(min) wird daraus

∆I C R iT B (max) − B (min)
≈ ⋅
IC RE B2

128
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.2.5.4 Abweichungen des Arbeitspunktes infolge ∆US-Effekt

R2
Setzt man U 0T = ⋅ U S in die Hauptgleichung ein,
R1 + R 2
R2 B
so ergibt sich für den ∆US-Effekt: ∆I C = ⋅ ⋅∆U S
R 1 + R 2 R iT + B ⋅ R E
R2 ∆U S
Mit RiT << B⋅RE wird daraus: ∆I C ≈ ⋅
R1 + R 2 R E

10.2.6 Stabilisierung des Arbeitspunktes bei der Schaltungsdimensionierung

Mit Hilfe der im Abschnitt 10.2.4 beschriebenen Berechnungsmethode können die Bauteile
einer Transistorschaltung so dimensioniert werden, dass gegebene Anforderungen an die
Stabilität des Arbeitspunktes eingehalten werden. Dies soll ebenfalls am Beispiel der
Transistorschaltung mit Basisspannungsteiler und Stromgegenkopplung demonstriert werden.
Aus den im Abschnitt 10.2.5 ermittelten Gleichungen für ∆IC lassen sich
Dimensionierungsgleichungen für die einzelnen Widerstände der Transistorschaltung
ableiten.
10.2.6.1 Dimensionierung des Emitterwiderstandes
− ∆U BE
Aus der Gleichung ∆I C ≈ ⋅ (siehe Abschnitt 10.2.5.1) lässt sich eine
RE
Dimensionierungsvorschrift für den Emitterwiderstand ableiten.
Darf eine zu erwartende Änderung ∆UBE zu einer maximalen Abweichung ∆IC führen, so
muss der Emitterwiderstand folgende Größe besitzen:
− ∆U BE
RE ≥
∆I C
Sollen insbesondere die Auswirkungen von Temperaturänderungen auf die Basis-Emitter-
Spannung begrenzt werden, so gilt
− D ϑU ⋅ ∆ϑ 2mV ∆ϑ
RE ≥ BE
≈ ⋅
∆I C K ∆I C
Die folgende Tabelle 10-1 zeigt die erforderliche Größe der Spannung am Emitterwiderstand
RE, um vorgegebene Forderungen an die Stabilität des Kollektorstromes im Zusammenhang
mit der Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung einzuhalten:
Tabelle 10-1 Erforderliche Größe der Spannung am Emitterwiderstand RE

∆I C I C ∆ϑ 20 K 40 K 60 K 80 K
< 2,5 % 1,6 V 3,2 V 4,8 V 6,4 V
<5% 0,8 V 1,6 V 2,4 V 3,2 V
< 10 % 0,4 V 0,8 V 1,2 V 1,6 V

129
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.2.6.2 Dimensionierung des Basis-Spannungsteilers

Aus der Berechnung des ∆ICB0-Effektes (siehe Abschnitt 10.2.5.2) ergab sich die Gleichung
R iT + R E
∆I C ≈ ⋅ ∆I CB0
RE
Hieraus lässt sich folgende Dimensionierungsvorschrift für den Innenwiderstand des
Spannungsteilers ableiten:
∆I C
(a) R iT ≤ ( − 1) ⋅ R E
∆ICB0

Aus der Berechnung des ∆B-Effektes (siehe Abschnitt 10.2.5.3) ergab sich die Gleichung
∆I C R iT B (max) − B (min)
≈ ⋅
IC RE B2
Daraus ergibt sich eine zweite Dimensionierungsvorschrift für den Innenwiderstand des
Spannungsteilers:
B2 ∆I
(b) R iT ≤ ⋅ RE ⋅ C
Bmax − Bmin IC

Damit sowohl die Anforderungen im Hinblick auf den ∆ICB0-Effekt und den ∆B-Effekt
erfüllt werden, muss für die folgende Dimensionierung des Spannungsteilers aus R1 und R2
der kleinere der aus den Gleichungen (a) und (b) errechneten Werte für RiT gewählt werden.
In aller Regel ist dies der Wert aus dem ∆B-Effekt.

Berechnung der Einzelwiderstände:

R1 U S − U R 2 (Basisstrom wegen RiT << B⋅RE gegenüber

Mit ≈ ⇐
R2 UR 2 Teilerquerstrom zunächst vernachlässigt)

U R 2 ≈ U BE + I C ⋅ R E

R1 ⋅ R 2
und R iT =
R1 + R 2
US US
wird R 2 ≤ R iT ⋅ ≈ R iT ⋅
US − U R 2 US − U BE − IC ⋅ R E

US − U R 2
und R1 = (Vernachlässigung von IB rückgängig gemacht)
UR 2
+ IB
R2

130
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.2.6.3 Begrenzung von Auswirkungen des ∆US-Effekt

Der ∆US-Effekt kann nur durch Glättung der Versorgungsspannung verkleinert werden. Es
genügt in der Regel eine Glättung der Spannung für den Spannungsteiler.
R1a
Abbildung 10-9 Gnd US
Reduzierung des ∆US-Effekts CS RC
R1b

IC

R2 RE
Gnd
Anstelle des Glättungskondensators CS kann auch eine Z-Diode verwendet werden.

10.3 Dimensionierung einer Transistorschaltung und grafische Analyse des

Arbeitspunktes
Anhand der folgenden Schaltung sollen Dimensionierung und Analyse einer
Transistorschaltung demonstriert werden.
US
R1 RC
Abbildung 10-10
Transistorschaltung
mit Stromgegenkopplung

R2 RE
Gnd

10.3.1 Dimensionierung der Schaltung

10.3.1.1 Vorgaben:
Transistor: BC107A
Verstärker: US = 12 V
Kennlinien siehe
RC = 10 kΩ Abbildung 10-11
ICAP = 0,6 mA B = 120....170....220

25 °C: ICB0 ≤ 15 nA
Stabilitätsanforderungen für den Arbeitspunkt: 45 °C: ICB0 ≤ 50 nA
∆IC / IC = f(∆UBE) ≤ 5 % (∆UBE-Effekt)
∆IC / IC = f(∆B) ≤ 5 % (∆B-Effekt) Einsatztemperatur:
(∆ICB0-Effekt kontrollieren)
ϑ = 5......25......45 °C

131
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Abbildung 10-11 Kennlinien des Transistors BC107A

IC/mA
6
1,0
5
0,8
4
0,6 3
IB/µA
0,4 2

0,2 1
UCE/V
IB/µA 6 4 2 O 4 8 12
0,2

0,4

0,6

0,8

1,0
UBE/V

10.3.1.2 Arbeitspunkt-Einstellung
(zur Vorgehensweise bei der Dimensionierung siehe Abschnitt 10.2.6)

Berechnung von RE aus ∆UBE-Effekt:

∆ϑ 40K
R E ≥ −D ϑ U ⋅ = −(−2 ⋅ 10 − 3 V ) ⋅ = 2667 Ω
BE ∆I C K 0,05 ⋅ 0,6 ⋅ 10 − 3 A
Gewählt: RE = 2,7 kΩ

Berechnung von R2 aus ∆B-Effekt:

I 0,6mA
Mit IB = C = = 3,5µA und U BE ≈ 0,6V (aus Eingangskennlinie)
B 170

sowie U B0 = U RE + U BE ≈ I C ⋅ R E + U BE = 0,6 ⋅ 10 −3 A ⋅ 2700Ω + 0,6V = 2,22V

ergibt sich
B2 US ∆I 170 2 12
R2≤ ⋅RE ⋅ ⋅ C = ⋅ 2700Ω ⋅ ⋅ 0,05 ≈ 47870Ω
B max − B min U S − U B0 I C 220 − 120 12 − 2,22

Gewählt: R 2 = 43 kΩ

132
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

U R1 U S − U B0 12V−2,22V
Berechnung von R1: R1 = = = ≈ 178000Ω
I R1 IR 2 + IB 2,22V −6
+3,5 ⋅ 10 A
43000Ω
Gewählt: R1 = 180 kΩ

Kontrolle des ∆ICB0-Einflusses: (Ungünstigster Fall: B = Bmax)

ICB0 ändert sich bei Temperaturerhöhung von 25°C auf 45°C (∆ϑ = 20 K) etwa um den
Faktor 3,3 (siehe Vorgaben in Abschnitt 10.3.1.1)
Unterstellt man denselben Faktor für die Temperaturabsenkung von 25°C auf 5°C (ebenfalls
∆ϑ = 20 K), so ergibt sich ein ICB0/5°C ≈ 4 nA.
Damit wird ∆ICB0 = 46 nA.

(R iT + R E ) ⋅ B (34708Ω + 2700Ω) ⋅ 220

∆I C ≈ ⋅ ∆I CB0 = ⋅ 46nA ≈ 0,6µA
R iT + B ⋅ R E 34708Ω + 220 ⋅ 2700Ω
R1 ⋅ R 2
mit R iT = ≈ 34700Ω
R1 + R 2

∆I C 0,6 µA
= = 0,1 % ∆ICB0-Effekt ist vernachlässigbar
IC 0,6mA

10.3.2 Grafische Analyse des Arbeitspunktes

Anhand der in Abschnitt 10.3.1 dimensionierten Schaltung soll nun gezeigt werden, wie bei
einer gegebenen Schaltung der Arbeitspunkt ermittelt werden kann.
Da der Transistor ein nichtlineares Bauelement ist, wird eine genaue Analyse des
Arbeitspunktes grafisch durchgeführt.

10.3.2.1 Ermittlung des Arbeitspunktes im Eingangskreis

Den Arbeitspunkt im Eingangskreis erhält man durch den Schnittpunkt einer Gleichstrom-
Arbeitsgeraden mit der Eingangskennlinie des Transistors. Um dieses Schnittpunkt-Verfahren
anwenden zu können muss der den Basisstrom liefernde Eingangskreis zunächst zu einer
Ersatzspannungsquelle zusammengefasst werden.

* Zunächst wird der Basisspannungsteiler durch eine Ersatzspannungsquelle ersetzt:

Abbildung 10-12: Ersatzschaltung des Basis-Spannungsteilers
IC
R2 RiT IB
Mit U 0T = U S ⋅
R1 + R 2
UBE IE
R ⋅R U0T
und R iT = 1 2 UB0
R1 + R 2 RE

gilt: U 0T + I E ⋅ R E − U BE − I B ⋅ R iT = 0

133
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

* Nun wird der Emitterwiderstand zur Basisseite transformiert:

Mit − I E = I C + I B = (B + 1) ⋅ I B
ergibt sich U 0T − (B + 1) ⋅ I B ⋅ R E − U BE − I B ⋅ R iT = 0
IC
Dem entspricht folgende Schaltung:
RiT (B+1)⋅RE IB
Abbildung 10-13:
Transformation des Emitter- U0T UB0 UBE
Widerstandes zur Basisseite

* Schließlich werden alle Widerstände zusammengefasst:

Mit R iT + (B + 1) ⋅ R E = R ges

ergibt sich U 0T − I B ⋅ R ges − U BE = 0

IC
Abbildung 10-14: Rges IB
Maximal vereinfachtes Ersatzschaltbild
des Gleichstrom-Eingangskreises
U0T UBE
(Ersatzspannungsquelle)

43kΩ
Durch Einsetzen erhält man: U 0T = 12V ⋅ ≈ 2,3V
180kΩ + 43kΩ
180kΩ ⋅ 43kΩ
R iT = ≈ 34,7 k Ω
180kΩ + 43kΩ
Rges = 34,7 kΩ + (170+1)⋅2,7 kΩ ≈ 496 kΩ

Durch Einzeichnen der entsprechenden Gleichstrom-Arbeitsgeraden in das Eingangs-

Kennlinienfeld des Transistors (Abbildung 10-15) erhält man den

Arbeitspunkt: IB/AP = 3,6µA

UBE/AP = 0,6V

Anmerkung: Zum Zeichnen der Arbeitsgerade zeichnet man zunächst eine Hilfsgerade
z.B. durch U0T’ = 1V und Ik’ = U0T’/Rges ≈ 2 µA.
Durch Parallelverschiebung der Hilfsgerade durch Ik = U0T/Rges ≈ 4,63 µA
erhält man die gesuchte Gleichstrom-Abeitsgerade (GS-Arbeitsgerade)..

134
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Abbildung 10-15 Grafische Analyse des Arbeitspunktes

IC/mA
GS-Arbeits-
6
1,0
Stromsteuerkennlinie 5
GS-Arbeitsgerade
0,8
4
AP AP
0,6 3
IC/AP
IB/µA
0,4 2

0,2 1
IB/AP UCE/V
6 4 2 O 4 8 12
IB/µA
UCE/AP
0,2
HG

0,4

0,6 UBE/AP
AP

0,8

1,0
GS-Arbeitsgerade
UBE/V
10.3.2.2 Ermittlung des Arbeitspunkts im Ausgangskreis
* Einzeichnen der Gleichstrom-Arbeitsgeraden ins Ausgangs-Kennlinienfeld
mit Leerlaufspannung U0 = US = 12 V
US 12V
und Kurzschlussstrom Ik = = = 0,945mA
R C + R E 12,7kΩ
* Einzeichnen der GS-Arbeits-Stromsteuerkennlinie (GS-Arbeits-Übertragungskennlinie) im
2. Quadranten (ausgehend von der GS-Arbeitsgeraden im Ausgangs-Kennlinienfeld)
(Zur Ermittlung der Arbeits-Übertragungskennlinie siehe Abschnitt A.5.3.2 im Anhang A)
* Arbeitspunkt von Eingangskennlinie über GS-Arbeits-Stromsteuerkennlinie auf
GS-Arbeitsgerade im Ausgangs-Kennlinienfeld übertragen

Arbeitspunkt: IC/AP = 0,575 mA

UCE/AP = 4,6 V

135
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.4 Beispielschaltungen
10.4.1 Konstantspannungsquelle
Mittels Spannungsstabilisierung mit Z-Diode (siehe Abschnitt 5) und Transistor in
Kollektorschaltung lässt sich eine einfache Konstantspannungsquelle herstellen.

IL
Abbildung 10-16 RV UBE
Einfache Konstantspannungsquelle mit
bipolarem Transistor R0 RL

UB UZ UL
ZD

Die Spannung an der Last ist innerhalb gewisser Grenzen fast unabhängig vom Laststrom.
Die Spannungsstabilisierung wird durch die Z-Diode erreicht.

UL = UZ - UBE ≈ konstant

Ein kleiner Ruhestrom durch den Transistor über R0 stellt sicher, dass die Spannung UBE auch
bei Laststrom IL = 0 nicht auf Null absinkt, wodurch die Ausgangsspannung ansteigen würde.
Der Transistor erlaubt einen deutlich größeren Laststrom IL als die einfache
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode.
Dimensionierung und Betrieb der Schaltung sind so zu gestalten, dass bei dem größten zu
erwartenden Laststrom IL(max)
- die Z-Diode noch ausreichend Strom erhält, um stabilisieren zu können (IZ ≥ IZmin), und
- der Transistor nicht mit zu hoher Verlustleistung (PV(max) ≤ Ptot) beaufschlagt wird.

10.4.2 Einfache Konstantstromquelle

Mit einem Transistor in Basisschaltung und Einprägung des Emitterstromes lässt sich eine
einfache Konstantstromquelle herstellen.

Abbildung 10-17
Einfache Konstantstromquelle mit RV RL
bipolarem Transistor
IL
US

UBE -IE
UZ RE

136
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Am Emitterwiderstand entsteht die annähernd konstante Spannung

U R E = U Z − U BE
und damit der annähernd konstante Strom
U R E U Z − U BE
IRE = =
RE RE
Der Laststrom wird damit
B
IL = IC = IRE ⋅ = IRE ⋅ A (Basisschaltung des Transistors)
B +1
Der Strom IL ist weitestgehend unabhängig von der Größe des Lastwiderstandes RL. Der
Spannungsabfall am Lastwiderstand darf allerdings nicht größer werden als die Spannung an
dem Vorwiderstand RV, sonst gerät der Transistor in die Sättigung (siehe Abschnitt 12.2.5)
und kann den konstanten Kollektorstrom nicht mehr abgeben. Der Lastwiderstand darf daher
folgende Größe nicht überschreiten:
U RV U Smin − U Z
R Lmax = min
=
IL IL
Verwendet man für den Widerstand RE ein Potentiometer, so lässt sich der Konstantstrom in
seiner Größe verändern.
Nachteilig ist bei der gezeigten Schaltung, dass für eine gute Konstanz des eingeprägten
Stromes ein relativ großer Teil der Versorgungsspannung für die Stabilisierung benötigt wird
und daher nicht für die Last zur Verfügung steht. Dieser Nachteil wird bei dem im folgenden
beschriebenen Stromspiegel vermieden.
US
10.4.3 Einfacher Stromspiegel
(Konstantstromquelle) Rk
RL
Ik
2⋅IB
IC1
Abbildung 10-18 Der Stromspiegel IC2
T1 T2

Gnd
Der Stromspiegel besteht aus zwei paarweise gleichen Transistoren, deren Basis-
Emitterstrecken parallel geschaltet sind. Bei einem der beiden Transistoren (T2) sind
Kollektor- und Basisanschluss verbunden; der Transistor arbeitet mit UCB = 0 V und
UCE = UBE an der Sättigungsgrenze (siehe Abschnitt 12.2.5.1).
Fast die gesamte Versorgungsspannung liegt an dem Widerstand Rk; diese konstante
Spannung bewirkt zusammen mit Rk den konstanten Strom Ik.
Der Strom Ik teilt sich auf in den Kollektorstrom IC2 des Transistors T2 und in den Basisstrom
der beiden Transistoren. Am Transistor T2 stellt sich automatisch die für den Basisstrom IB
bzw. den Kollektorstrom IC2 erforderliche Basis-Emitterspannung ein.
Wegen der parallel geschalteten Basis-Emitter-Strecken nimmt der Transistor T1 den gleichen
Basisstrom und damit den gleichen Kollektorstrom auf wie T2. Damit prägt T1 der Last den
konstanten Strom IC1 ein.

137
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

U S − U BE
Es gelten folgende Beziehungen: Ik = ≈ konstant
Rk
I
I C2 = I k − 2 ⋅ I B = I k − 2 ⋅ C2
B
B
Daraus lässt sich ableiten: I C2 = Ik ⋅
B+2
U S − U BE B
Schließlich erhält man: I L = I C1 ≈ I C2 = ⋅ ≈ konstant
Rk B+2
Die relative Abweichung des Laststromes IL vom eingeprägten Strom Ik beträgt 2/B.
Voraussetzung dafür, dass sich gleiche Kollektorströme einstellen, sind völlig identische
Eigenschaften der beiden Transistoren. Dies setzt neben identischen Daten auch bestmögliche
thermische Kopplung der beiden Transistoren voraus. Wegen der u.U. sehr unterschiedlichen
Verlustleistungen der beiden Transistoren würden anderenfalls unterschiedliche
Kristalltemperaturen und dementsprechend unterschiedliche Transistoreigenschaften
auftreten.
Die erforderlichen identischen Transistordaten und die optimale thermische Kopplung sind
am einfachsten innerhalb eines integrierten Schaltkreises realisierbar. Der Stromspiegel
kommt daher vorzugsweise in ICs (z.B. in Operationsverstärkern) zur Anwendung.
Der Vorteil des Stromspiegels ist, dass nur ein minimaler Teil der Versorgungsspannung US
für den als Konstantstromquelle dienenden Transistor T1 benötigt wird. Für den
Lastwiderstand steht fast der gesamte Versorgungsspannungsbereich zur Verfügung
[0V ≤ U R L ≤ (US-UBE)].

Innenwiderstand des Stromspiegels

Der Kollektorstrom des Transistors T1 ist trotz des konstanten Basisstromes IB1 in geringem
Maße von der Spannung UCE1 am Transistor T1 (also von der Größe des Lastwiderstandes)
abhängig. Dies bedeutet, dass der Innenwiderstand (= Ausgangswiderstand) Ra der
Stromquelle endlich ist (nicht ∞). Dies lässt sich an Hand der Ausgangskennlinie erklären.
IC
Abbildung 10-19
Abhängigkeit des IC1* IB1
Kollektorstromes von der ∆IC
IC1
Kollektor-Emitter-Spannung
∆UCE

UCE
UCE1 UCE1*
In Abbildung 10-19 ist die Ausgangskennlinie des Transistors T1 für den eingeprägten
(konstanten) Basisstrom IB1 dargestellt.
Diese Kennlinie ist wegen der Basisweitenmodulation durch die spannungsabhängige
Ausdehnung der Kollektor-Basis-Sperrschicht (Earlyeffekt; siehe Abschnitte 9.2.3 und
9.4.2.3) nicht genau waagerecht, sondern steigt zu höheren Spannungen hin mehr oder
weniger stark an.

138
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Während sich daher bei der Spannung UCE1 der Strom IC1 einstellt, ergibt sich bei einer
höheren Spannung UCE1* bei demselben Basisstrom IB1 ein höherer Strom IC1*.
Das Verhältnis (IC1* - IC1) : (UCE1* - UCE1) entspricht der Steigung der Kennlinie zwischen den
beiden Arbeitspunkten. Der Kehrwert dieses Verhältnisses ist der differentielle Widerstand
rCE des Transistorausganges und kann quantitativ angegeben werden. Er entspricht dem
Ausgangswiderstand des Stromspiegels als Konstantstromquelle.
Es gilt also: Ra = rCE = ∆UCE/∆IC
Da Transistor T2 an der Sättigungsgrenze (mit UCE2 → 0) arbeitet, lässt sich die
Kennliniensteigung mit Hilfe der Earlyspannung angeben:
Abbildung 10-20 Berechnung
IC
der Kennliniensteigung mittels
Earlyspannung

IC2
UCE
(Ua + UCE2) ≈ UA

Es ergibt sich Ra = rCE ≈ Ua/IC2 bzw. Ra ∼ 1/IC2

Je nach Größe des eingestellten Konstantstromes und in Abhängigkeit vom Transistortyp
kann dieser Widerstand Ra Werte im Bereich von einigen 10 kΩ bis zu einigen MΩ betragen.
Die Konstanz des eingeprägten Stromes kann verbessert werden, indem zur Gegenkopplung
kleine ohmsche Widerstände in Reihe zu den Emittern der Transistoren eingefügt werden
(höherer Innenwiderstand der Stromquelle; geringere Temperaturabhängigkeit).
US
10.4.4 Wilson-Stromspiegel
Abbildung 10-21 Wilson-Stromspiegel RL Rk

IL Ik
T3

T1 T2
Es gilt Ik = (US - 2⋅UBE)/Rk ≈ konstant.
Gnd
Der Wilson-Stromspiegel bewirkt eine noch bessere Übereinstimmung zwischen dem
Laststrom IL und dem eingeprägten Strom Ik. Die relative Abweichung beträgt nur noch 2/B2.
Der Ausgangswiderstand des Wilson-Stromspiegels beträgt Ra = B⋅rCE/2, liegt also um den
Faktor B/2 höher als bei dem einfachen Stromspiegel nach Abbildung 10-18.
Voraussetzung für diese Angaben ist wiederum völlige Übereinstimmung der Daten und
optimale thermische Kopplung der Transistoren T1 bis T3.
Der Mindest-Eigenspannungsbedarf des Wilson-Stromspiegels beträgt 2 UBE. Für die Last
steht daher der Bereich [0V ≤ U R L ≤ (US-2⋅UBE)] zur Verfügung.

139
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

10.5 Übungsaufgaben zum Gleichstrombetrieb des Transistors

Aufgabe 10-1: Allgemeines zum Arbeitspunkt
(a) Was versteht man unter dem Arbeitspunkt des Transistors ?
(b) Wie viele Ströme und Spannungen am Transistor sind voneinander unabhängig und
können daher unabhängig voneinander festgelegt werden ?
(c) Welche Ansteuerungsprinzipien können zur Einstellung eines bestimmten
Kollektorstromes angewandt werden ?
Aufgabe 10-2: Grafische Analyse einer Transistorschaltung
UB =10 V
RC
R2 82 Ω
20k Ermittle mittels grafischer Analyse den
Arbeitspunkt (IC , UCE) unter Verwendung
der Arbeits-Übertragungskennlinie.
R1
4,7k
±0
Transistorkennlinien IC/mA

0,6
100
0,5
80
0,4
60
0,3
IB/mA
40 0,2

20 0,1

O UCE/V
IB/mA 0,6 0,4 0,2 4 8 12

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

140
UBE/V
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb

Aufgabe 10-3: Stabilität des Arbeitspunktes bei Einprägung von IB und UBE
(a) Der Kollektorstrom kann durch Einprägung eines konstanten Basisstromes eingestellt
werden. Wie reagiert dabei der Kollektorstrom auf Exemplarstreuungen und
Temperaturabhängigkeiten von UBE und B?
(b) Der Kollektorstrom kann durch Einprägung einer konstanten Basis-Emitter-Spannung
eingestellt werden. Wie reagiert dabei der Kollektorstrom auf Exemplarstreuungen und
Temperaturabhängigkeiten von UBE und B?
Aufgabe 10-4: Gewährleistung der Arbeitspunktstabilität durch geeignete
Dimensionierung
Dimensioniere die Schaltung nach Abbildung 10-8 so, dass sich bei US = 12 V, B = 170
und UBE = 0,65 V ein Arbeitspunkt IC = 5 mA und UCE = 6 V einstellt. Änderungen von UBE
um ∆UBE = ± 100 mV und Exemplarstreuungen von B in der Größe ∆B = ± 50 sollen
jeweils höchstens zu Änderungen von IC um maximal ∆IC/IC = ± 10% führen.
Aufgabe 10-5: Berechnung der Arbeitspunktstabilität
Für den Kollektorstrom einer Transistorschaltung gilt:
R + R2 + RC
US − ( 1 ) ⋅ U BE + (R 1 + R C ) ⋅ I CB0
R2
IC ≈ ⋅B
R1 + B ⋅ R C
Wie groß ist die bei einer Temperaturänderung von ϑ1 = 25 °C auf ϑ2 = 75 °C durch
∆UBE- und ∆ICB0-Effekt verursachte Änderung ∆IC des Kollektorstromes?
(mit R1 = 15 kΩ R2 = 2,2 kΩ RC = 330 Ω B = 170 ICB0/25°C = 500 nA)
Aufgabe 10-6: Erklärung eines Stromspiegels
- Erkläre die Funktionsweise eines einfachen Stromspiegels.
- Worin besteht die Verbesserung durch den Wilson-Stromspiegel?
Hat dieser auch Nachteile gegenüber dem einfachen Stromspiegel?

141
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11 Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.1 Grundschaltung eines Wechselspannungsverstärkers in Emitterschaltung

11.1.1 Prinzipieller Aufbau und Funktion

Abbildung 11-1 zeigt das Prinzip eines Wechselspannungsverstärkers mit bipolarem
Transistor in Emitterschaltung.
Der Eingang (die Basis-Emitter-Strecke) und der Ausgang (die Kollektor-Emitter-Strecke)
des Transistors werden jeweils aus einer Gleichspannungsquelle (US1 bzw. US2) über einen
Widerstand (R1 bzw. R2) mit Gleichstrom versorgt. In Verbindung mit den Kennlinien des
Transistors ist damit der Arbeitspunkt des Transistors (IB, UBE, IC, UCE) festgelegt.
(Siehe dazu Abschnitt 10.1)
R2

Abbildung 11-1 Prinzipschaltung

eines Wechselspannungsverstärkers iC
in Emitterschaltung R1 iB
US2
ug uCE
uBE
US1

In Reihe zur eingangsseitigen Gleichspannungsquelle US1 findet sich eine

Wechselspannungsquelle, die das eigentliche Eingangssignal ug des
Wechselspannungsverstärkers liefert und über den Widerstand R1 an die Basis des Transistors
legt.
Die Wechselspannung ug verursacht am Transistor einen Eingangswechselstrom ib und eine
Eingangswechselspannung ube. Diese Wechselgrößen werden den Gleichgrößen IB und UBE
(eingangsseitiger Arbeitspunkt) überlagert zu den Gesamtgrößen iB = IB + ib und
uBE = UBE + ube.
Die Eingangs-Wechselgrößen werden vom Transistor verstärkt und führen zu den
Ausgangswechselgrößen ic und uce. Diese werden den Gleichgrößen IC und UCE
(ausgangsseitiger Arbeitspunkt) überlagert zu den Gesamtgrößen iC = IC + ic und
uCE = UCE + uce.
Da der Transistor ein nicht-lineares Verhalten zeigt, erfolgt die Analyse der Schaltung in den
folgenden Abschnitten grafisch mit Hilfe eines Vier-Quadranten-Kennlinienfeldes gemäß
Anhang A, Abschnitt A.5.3.1.

142
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.1.2 Analyse des Arbeitspunktes

Für die Analyse des Arbeitspunktes wird die Schaltung für ug(t) = 0 betrachtet.
Zur Ermittlung des Arbeitspunktes des Transistors zeichnet man die Generatorkennlinie des
Eingangskreises (Arbeitsgerade für US1 und R1) in das Eingangskennlinienfeld, die
Generatorkennlinie des Ausgangskreises (Arbeitsgerade für US2 und R2) in das
Ausgangskennlinienfeld des Transistors ein.
Der Schnittpunkt von Generatorkennlinie und Transistorkennlinie im Eingangskennlinienfeld
ergibt den Arbeitspunkt im Eingangskreis (IB und UBE).
Mit Hilfe der Arbeits-Übertragungskennlinie (siehe Anhang A, Abschnitt A.5.3.2) kann
dieser Arbeitspunkt auf die Generatorkennlinie im Ausgangskennlinienfeld übertragen und
damit der Arbeitspunkt im Ausgangskreis ermittelt werden (IC und UCE).

Abbildung 11-2 Graphische Arbeitspunkt-Ermittlung

IC

IC IB
AP

R2

IB
IB UCE
UCE US2
R1

AP UBE

US1

UBE

11.1.3 Wechselstromanalyse
In der folgenden Abbildung 11-3 ist die Wechselspannungsanalyse der Schaltung nach
Abbildung 11-1 für geringe Aussteuerung (kleine Amplitude von ug und uce) dargestellt.
Da sich die Wechselspannung ug(t) einfach zur Gleichspannung US1 addiert und für beide
Spannungen derselbe Innenwiderstand R1 wirksam ist, wird ug(t) bei der graphischen Analyse
im Punkte US1 auf der UBE-Achse überlagert. Arbeitspunkt und Wechselaussteuerung können
mit ein und derselben Widerstandsgerade ermittelt werden.

143
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Abbildung 11-3 Wechselstromanalyse des Wechselspannungsverstärkers

IC

IB

R2

IB UCE
uce
R1

US1 t

ug
UBE

11.1.4 Verzerrungen und Begrenzungen des Ausgangssignals (Aussteuerungsgrenzen)

Bei großen Werten der Eingangswechselspannung (Großsignal-Aussteuerung) kommen die
Nicht-Linearitäten der Transistor-Kennlinien zum Tragen.
Diese Nicht-Linearitäten sind in der Eingangskennlinie insbesondere im Bereich kleiner
Basisströme / Basis-Emitter-Spannungen, sowie in der Ausgangskennlinie im Bereich
kleiner Kollektor-Emitter-Spannungen (Bereich der Sättigungsgrenze) ausgeprägt.
Zwischen Ein- und Ausgangssignalen treten auf Grund der Nicht-Linearitäten Verzerrungen
auf.
Bei Überschreiten bestimmter Aussteuerungswerte treten darüber hinaus Begrenzungseffekte
am Verstärkerausgang auf.
Der Transistor
- geht in die Sättigung(16) (untere Aussteuerungsgrenze der Ausgangsspannung = kleinste
mögliche Kollektor-Emitter-Spannung) oder er
- sperrt (obere Aussteuerungsgrenze der Ausgangsspannung = größte mögliche Kollektor-
Emitter-Spannung).
In der Abbildung 11-4 ist das Verhalten des Verstärkers bei wachsender Amplitude der
Eingangswechselspannung dargestellt.

(16)
Die Sättigung des Transistors wird im Zusammenhang mit dem Einsatz des Transistors als
Schalter in Abschnitt 12 detailliert beschrieben.

144
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Während der ersten Signalperiode erfolgt die Verstärkung weitgehend unverfälscht. Während
der zweiten Periode treten Verzerrungen im Bereich der Ausgangssignalamplituden auf. Das
Ausgangssignal nimmt im Scheitelwert nicht mehr proportional zum Eingangssignal zu. In
der dritten Periode treten Begrenzungen des Ausgangssignals auf. Trotz weiter steigender
Eingangssignalamplitude bleibt das Ausgangssignal auf bestimmte Maximalwerte begrenzt.

Abbildung 11-4 Verzerrungen und Begrenzungen des Ausgangssignals

IC

AP
IB

UCE
IB
Verzerrung durch uce
Nicht-Linearität der
Ausgangskennlinie Verzerrung durch
Nichtlinearität der
Eingangskennlinie
Begrenzung
durch Sättigung
Unverzerrtes
Signal

AP Begrenzung durch
t
ug sperrenden Transistor

UBE

Für einen möglichst großen symmetrischen Aussteuerungsbereich bei Großsignal-

Aussteuerung muss der Arbeitspunkt in die Mitte des verfügbaren Aussteuerungsbereiches
gelegt werden (siehe Abschnitt 11.6).
Für Kleinsignal-Aussteuerung wählt man häufig ein kleineres UCE, wodurch eine etwas
höhere Spannungsverstärkung erreichbar ist.

145
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.1.5 Technische Realisierung

Die in Abbildung 11-1 gewählte Darstellung entspricht der für eine grafische Analyse gut
geeigneten Ersatzschaltung eines Wechselspannungsverstärkers mit galvanisch angekoppelter
Wechselspannungsquelle. Für die technische Realisierung ist die dargestellte Schaltung
jedoch aus mehreren Gründen nicht geeignet. In der Praxis wird man keine getrennten
Spannungsquellen für Eingangs- und Ausgangskreis vorsehen, sondern beide Kreise aus einer
gemeinsamen Gleichspannungsquelle versorgen. Weiterhin ist der Arbeitspunkt eines
Transistors bei reiner Basis-Emitter-Spannungs-Einprägung nicht stabil. Hier wird man eine
bessere Stabilität durch Gegenkopplungsmaßnahmen anstreben. Die genannten Kriterien sind
bei der Schaltung in Abbildung 11-5 berücksichtigt:

R1 RC
Abbildung 11-5
Galvanisch gekoppelter
Wechselspannungsverstärker US

RG uI uQ RL
R2 RE
ug CE

Eingangs- und Ausgangskreis werden aus einer gemeinsamen Quelle US mit Gleichstrom
versorgt. Zur Stabilisierung des Arbeitspunktes (Stabilisierung von IC) dient eine
Stromgegenkopplung durch den Widerstand RE. Damit die Gegenkopplung nur
gleichstrommäßig aber nicht für Wechselsignale wirkt, wird der Emitterwiderstand mit dem
Kondensator CE wechselstrommäßig kurzgeschlossen. (Das Potenzial am Emitter des
Transistors wird durch den Kondensator konstant gehalten; es kann Wechselsignalen nicht
folgen).
Nachteilig an der gezeichneten Schaltung ist, dass das Wechselspannungs-Eingangssignal
über den Basisspannungsteiler des Transistors belastet wird. Außerdem ist dem
Wechselspannungs-Ausgangssignal uq die Gleichspannung (U CE + U R E ) überlagert. Um
diese Nachteile zu vermeiden werden die Wechselspannungs-Ein- und Ausgangssignale wie
in Abbildung 11-6 gezeigt meist galvanisch getrennt zu- bzw. abgeleitet.
Abbildung 11-6 Induktiv und kapazitiv gekoppelter Wechselspannungsverstärker

Im folgenden wird der kapazitiv gekoppelte Wechselspannungsverstärker näher betrachtet.

146
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.2 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Emitterschaltung

US
R1 RC
Abbildung 11-7 Ck2
Schaltung des WS-Verstärkers iq
ii Ck1

RG
RL
ui R2 CE uq
ug RE

Rein~ Raus~

Kern des Wechselspannungsverstärkers ist ein Transistor mit Basisspannungsteiler,

Kollektorwiderstand sowie Stromgegenkopplung durch einen Emitterwiderstand.
Dieser Schaltungsteil entsprich der Schaltung gemäß Abbildung 10-10. Die Dimensionierung
der Schaltung und die Daten und der Arbeitspunkt des Transistors sollen Abschnitt 10.3.1
entsprechen.
Daten:
Signalquelle: RG = 50 kΩ
ûg = 100 mV
Verstärker: US = 12 V Transistor: BC107A
R1 = 180 kΩ IC/AP = 0,575 mA
R2 = 43 kΩ UCE/AP = 4,6 V
RE = 2,7 kΩ
RC = 10 kΩ
Last: RL = 12 kΩ
(Die Last soll nicht niederohmiger sein als RC)

11.2.1 Grafische Analyse des Wechselstrom-Verhaltens

Nach dem Überlagerungsgesetz können gleich- und wechselspannungsmäßige Vorgänge im
Verstärker getrennt betrachtet werden. Für die reine Wechselstrombetrachtung werden daher
alle nur gleichstrommäßig wirksamen Schaltungsteile aus der Betrachtung eliminiert.
Erstellung des Wechselstrom-Ersatzschaltbildes
Für hinreichend
- große Kapazitätswerte der Kondensatoren (mit 1/ωC → 0) und
- niedrigen Innenwiderstand der Gleichspannungsquelle (Ri → 0)
stellen diese jeweils Kurzschlüsse für Wechselspannungen dar.
Kondensatoren und Gleichspannungsquellen werden daher für das Wechselstrom-
Ersatzschaltbild durch Kurzschlüsse ersetzt.

147
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Abbildung 11-8 R1 RC
Wechselstrom-Kurzschlüsse für
Kapazitäten und
Gleichspannungsquellen Ck2 US
RG Ck1
RE CE RL
ui R2 uq
ug

Damit lässt sich folgendes Wechselstrom-Ersatzschaltbild des Verstärkers zeichnen:

Abbildung 11-9 Wechselstrom-Ersatzschaltbild des Verstärkers
Eingangskreis Transistor Ausgangskreis

ic RC~ iq
RiG∼
ii ib

RG R1 R2 RC RL
ui ube uce uq
ug

Rein∼ Raus∼
Signal- Wechselspannungs-Verstärker Last
Quelle

11.2.1.1 Analyse des Wechselstrom-Verhaltens des Eingangs

Ersatzspannungsquelle für den Eingangskreis: ib
Abbildung 11-10 RiG∼
Umformung des Eingangskreises
u0g
in eine Ersatzspannungsquelle ube

Leerlaufspannung û0g der Ersatzspannungsquelle:

R 1 // R 2 34,7kΩ
û 0g = û g ⋅ = 0,1V ⋅ = 0,041V
R 1 // R 2 + R G 34,7kΩ + 50kΩ
û 0g = 41mV

Innenwiderstand RiG∼ der Ersatzspannungsquelle:

RiG∼ = R1 // R2 // RG = RiT // RG ≈ 20,5 kΩ

148
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Für eine graphische Analyse(17) des Wechselstromverhaltens muss nun die Kennlinie der
Ersatzspannungsquelle mit der Kennlinie des Transistors geschnitten werden.

Einzeichnen der Wechselstrom-Widerstandsgerade in das Eingangs-Kennlinienfeld

Die Kennlinien des Transistors gelten immer für die Gesamtgrößen von Strom und Spannung
(nicht allein für Gleich- oder Wechselanteile). Aus diesem Grunde schneidet die
Wechselstrom-Arbeitsgerade (RiG) die Transistor-Eingangskennlinie im Arbeitspunkt.
Die Steigung der WS-Widerstandsgerade beträgt k = 1/RiG∼ ≈ 49µA/V.
Anmerkung: Zum Zeichnen der Arbeitsgerade zeichnet man zunächst eine Hilfsgerade
z.B. durch U0’ = 100 mV und Ik’ = 4,9 µA
Durch Parallelverschiebung der Hilfsgerade durch den Arbeitspunkt
erhält man die gesuchte Wechselstrom-Arbeitsgerade.
Ermittlung der Extremwerte des Eingangs-Wechselstromes
- Schnittpunkt der WS-Widerstandsgerade mit der UBE-Achse markieren.
- Im Abstand von ±û0g zwei Punkte auf der UBE-Achse markieren.
- Zwei Parallelen zur WS-Arbeitsgerade durch diese Punkte zeichnen.
- Von den Schnittpunkten dieser Parallelen mit der Eingangskennlinie das Lot auf die IB-
Achse fällen; die Lote markieren auf der IB-Achse die Extremwerte iB(max) und iB(min) .
- Ablesen des Eingangswechselstromes:
i B(max) − i B(min) 5,15 µ A − 2,15µ A
î b ≈ = = 1,5 µ A
2 2

11.2.1.2 Analyse des Wechselstrom-Verhaltens des Ausganges

* Berechnung des wechselstrommäßig wirksamen Kollektor-Widerstandes

RC∼ = RC // RL = 10 kΩ // 12 kΩ = 5, 45 kΩ

* Einzeichnen der WS-Arbeitsgerade ins Ausgangs-Kennlinienfeld

Anmerkung: Zum Zeichnen der Arbeitsgerade zeichnet man zunächst eine Hilfsgerade
z.B. durch U0’ = 4 V und Ik’ = U0’/ RC∼ = 0,733 mA.
Durch Parallelverschiebung der Hilfsgerade durch den Arbeitspunkt
erhält man die gesuchte Wechselstrom-Arbeitsgerade.
* Einzeichnen der WS-Arbeits-Stromsteuerkennlinie (WS-Arbeits-Stromsteuerkennlinie)
im 2. Quadranten (ausgehend von der WS-Arbeitsgerade im Ausgangs-
Kennlinienfeld)
* iB(max) und iB(min) aus Eingangs-Kennlinienfeld über WS-Arbeitsstromsteuerkennlinie auf
WS-Arbeitsgerade im Ausgangs-Kennlinienfeld übertragen

(17)
Die Analyse des transienten Verhaltens einer Transistorschaltung wird heute grundsätzlich mit
Rechnerunterstützung durchgeführt (z.B. mit Netzwerkanalyse-Programmen wie SPICE). Da eine
solche rechnergestützte Analyse das Verständnis der funktionalen Zusammenhänge voraussetzt und
keineswegs ersetzen kann, wird an dieser Stelle eine grafische Analyse anhand der
Transistorkennlinien vorgestellt.

149
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Abbildung 11-11 Die vollständige grafische GS- und WS-Analyse

WS-Arbeits- IC/mA WS-Arbeitsgerade

Stromsteuerkennlinie 6
1,0
5
iC(max) IB/µA
0,8
4
AP AP
0,6 3
GS-Arbeits-
GS-Arbeitsgerade
Stromsteuerkennlinie 0,4 iC(min) 2

HG
0,2 1

iB(max) iB(min) uCE(min) uCE(max) UCE/V

6 4 2 O 4 8 12
IB/µA
HG
0,2 uce

GS-Arbeitsgerade Ausgangs-Signal
0,4
t
0,6
AP t
WS-Arbeitsgerade u0g Eingangs-Signal
0,8

1,0

UBE/V
* Ablesen der Extremwerte von Kollektorströmen und Kollektor-Emitter-Spannungen
iC(max) = 0,81 mA iC(min) = 0,36 mA îc = (iC(max) - iC(min)) / 2 = 0,225 mA
uCE(min) = 3,4 V uCE(max) = 5,8 V ûce = (uCE(max) - uCE(min)) / 2 = 1,2 V

îc = 0,225 mA
ûce = 1,2 V

* Das hier für die Extremwerte der Signale angewandte grafische Verfahren kann auch für
beliebige andere Augenblickswerte zur Anwendung kommen.
Es kann daher grafisch auch das Zeitdiagramm des Ausgangssignals aus dem
Zeitdiagramm des Eingangssignals abgeleitet werden. (Abbildung 11-11).

150
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.2.2 Berechnung der Wechselstromgrößen

Für Aussteuerung mit kleinen Wechselsignalen können die durchlaufenen Kennlinienbereiche
als annähernd gerade und damit der Transistor als linearer Vierpol und der
Wechselspannungsverstärker als lineares Netzwerk betrachtet werden.

In der Abbildung 11-12 ist der Transistor durch sein lineares Vierpol-Ersatzschaltbild mit
h-Parametern ersetzt.
Abbildung 11-12 Lineares Wechselstrom-Ersatzschaltbild des Verstärkers
ii ib ib⋅β ic iq

RG R1 R2
rbe rce RC RL
ug uce uq
ui ube

Rein∼ Raus∼
Die Behandlung linearer Vierpole und die Ermittlung der Vierpolparameter des Transistors
sind im Anhang B: Vierpoltheorie beschrieben.

Anhand dieses linearen Ersatzschaltbildes können die Wechselstromeigenschaften durch

rechnerische Analyse bestimmt werden.

11.2.2.1 Bestimmung der h-Parameter des Transistors

(siehe hierzu die Kennlinien in Abbildung 11-11)
h11e = rbe = 8,3 kΩ aus Tangente an die Eingangskennlinie im Arbeitspunkt
h21e = β = 152 aus Tangente an die WS-Arbeits-Stromsteuerkennlinie im Arbeitspunkt
h22e = 10 µS aus Tangente an die Ausgangskennlinie im Arbeitspunkt
⇒ rce = 100 kΩ

11.2.2.2 Charakteristische Größen eines Wechselspannungsverstärkers

ii Raus~ iq
Abbildung 11-13
Ersatzschaltung eines
rückwirkungsfreien
ui Rein~ Vu0 ⋅ ui uq
Wechselspannungsverstärkers

Jeder rückwirkungsfreie Wechselspannungsverstärker lässt sich für Kleinsignal-Aussteuerung

durch folgende Kenngrößen charakterisieren:
- Eingangswiderstand Rein~
- Ausgangswiderstand Raus~
- Leerlauf-Spannungsverstärkung Vu0
und evtl.
- Stromverstärkung Vi
- Leistungsverstärkung Vp

151
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.2.2.3 Berechnung der charakteristischen Größen

Für den Wechselspannungsverstärker in Emitterschaltung nach Abbildung 11-12 lassen sich
diese Kenngrößen wie folgt berechnen:
Eingangswiderstand

Rein∼ = R1 // R2 // rbe = RiT // rbe = 34,7 kΩ // 8,3 kΩ = 6,7 kΩ

Ausgangswiderstand
Raus∼ = rce // RC = 100 kΩ // 10 kΩ = 9,09 kΩ

Leerlauf-Spannungsverstärkung

u q0 − i b ⋅ β ⋅ R aus ~ R 9,09
Vu0 = = = − β ⋅ aus ~ = −152 ⋅ ≈ −166
ui i b ⋅ rbe rbe 8,3

Spannungsverstärkung (Ausgang belastet mit RL = 12 kΩ)

uq RL 12
Vu = = Vu0 ⋅ = − 166 ⋅ ≈ − 94,5
ui R L + R aus ~ 21,09

Stromverstärkung (Ausgang belastet mit RL = 12 kΩ)

iq uq R L R ein ~ R ein ~ 6,7 kΩ
Vi = = = Vu ⋅ = Vu 0 ⋅ = −166 ⋅ ≈ − 52,8
ii u i R ein ~ RL R aus ~ + R L 21,09kΩ
Das negative Vorzeichen von Spannungs- und Stromverstärkung zeigt, dass der Verstärker
invertierend arbeitet (Phasendrehung um 180°).
Leistungsverstärkung (Ausgang belastet mit RL = 12 kΩ)
pq u q ⋅ iq
Vp = = = Vu ⋅ Vi = 94,5 ⋅ 52,8 ≈ 4990
pi u i ⋅ ii
Im unbelasteten Betrieb sind Strom- und Leistungsverstärkung gleich Null.
11.2.2.4 Berechnung von Ein- und Ausgangsspannungen und -strömen
Anhand des Wechselstromersatzschaltbildes nach Abbildung 11-13 bzw. anhand der 5
charakteristischen Größen lassen sich auch Ein- und Ausgangs-Ströme und Spannungen
berechnen:
Eingangsgrößen:
R ein ~ 6,7kΩ
û i = û be = û g ⋅ = 100mV ⋅ = 11,8 mV
R G + R ein ~ 56,7kΩ
û g 100 mV û i 11,8 mV
î i = = = 1,76 µA oder îi = = = 1,76 µA
R G + R ein ~ 56,7 kΩ R ein ~ 6,7 kΩ
û 11,8 mV
î b = be = = 1,42 µA
rbe 8,3 kΩ

152
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Ausgangsgrößen:
Bei der Ausgangsspannung ist zu unterscheiden zwischen Leerlauf und Belastung des
Verstärkers.
Leerlauf
ûq0 = ûce0 = ûi ⋅ Vu0 = 11,8 mV ⋅ 166 ≈ 1,96 V
oder û q 0 = û ce 0 = î b ⋅ β ⋅ R aus~ = 1,42µA ⋅ 152 ⋅ 9,09kΩ = 1,96 V
Belastet
RL 12kΩ
û q = û q 0 ⋅ = 1,96 V ⋅ ≈ 1,12 V
R aus~ + R L 21,09kΩ

oder û q = î b ⋅ β ⋅ (R aus~ // R L ) = 1,42µA ⋅ 152 ⋅ 5,17 kΩ ≈ 1,12V

îq = îi ⋅ Vi = 1,76 µA ⋅ 52,8 ≈ 93 µA
û q 1,12V
oder î q = = = 93 µA
RL 12 kΩ

11.2.3 Wechselspannungsverstärkung bei Stromgegenkopplung

Fehlt in Abbildung 11-7 der Emitterkondensator CE parallel zu RE oder wird nur ein Teil
von RE wechselspannungsmäßig kurzgeschlossen, so tritt eine wechselstrommäßige
Gegenkopplung auf. Hierdurch reduziert sich die Spannungsverstärkung u.U. erheblich.
Das Wechselstromersatzschaltbild nimmt folgendes Aussehen an:
ii ib ib⋅β ic iq
Abbildung 11-14
u
WS-Verstärker mit ube r rce ce
Stromgegenkopplung RG be

R1 R2 RC RL
ug ui uq
RE∼

Der Widerstand RE∼ sei der wechselstrommäßig nicht kurzgeschlossene Teil des
Emitterwiderstandes.
Zur Berechnung der Spannungsverstärkung uq/ui werden zunächst der Transistor und der in
Reihe zum Emitter geschaltete Emitterwiderstand zu einem neuen Vierpol zusammengefasst.
Der Emitterwiderstand wird dabei selbst als Vierpol betrachtet.
Nach Anhang B, Abschnitt B.1 bedient man sich für die Zusammenfassung zweier in Reihe
geschalteter Vierpole der Z-Parameter.

153
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

* Berechnung der Z-Parameter des Transistors

u u
Z11′ = be = rbe Z12 ′ = be =0
i b i =0 i c i =0
c b

u u
Z 21′ = ce = −β ⋅ rce Z 22 ′ = ce = rce
ib i =0 i c i =0
c b

* Berechnung der Z-Parameter des Widerstandes RE∼

u u
Z11″ = 1 = R E~ Z12 ″ = 1 = R E~
i1 i =0 i 2 i =0
2 1

u u
Z 21″ = 2 = R E~ Z 22 ″ = 2 = R E~
i1 i =0 i 2 i =0
2 1

* Berechnung der Z-Parameter der Reihenschaltung der beiden Vierpole

Z =Z ′ +Z ″ =r +R
11 11 11 be E~ Z =Z ′+Z ″ =R 12 12 12 E~

Z 21 = Z 21′ + Z 21″ = R E ~ − β ⋅ rce Z 22 = Z 22 ′ + Z 22 ″ = R E ~ + rce

Damit ergibt sich folgende Vierpolmatrix für die Reihenschaltung von Transistor und
Emitterwiderstand
 (R +r ) R E~ 
(Z) =  E ~ be 
 (R E ~ − β ⋅ rce ) (R E ~ + rce ) 
Den zugehörigen Vierpolgleichungen
u b0 = (R E ~ + rbe ) ⋅ i b + R E ~ ⋅ i c
u c0 = (R E ~ − β ⋅ rce ) ⋅ i b + (R E ~ + rce ) ⋅ i c
entspricht folgendes Ersatzschaltbild:

Abbildung 11-15 ib RE∼+ rbe RE∼+ rce ic

Ersatzschaltbild der
Reihenschaltung von
Transistor und ub0 RE∼⋅ic (RE∼-β⋅rce)⋅ib uc0
Emitterwiderstand

Wegen ic ≈ β⋅ib lässt sich die Spannungsquelle RE∼⋅ic im Eingangskreis eliminieren und
durch einen vom Eingangsstrom ib durchflossenen Widerstand β⋅ RE∼ ersetzen.
Der Ausgangskreis lässt sich in eine Ersatzstromquelle mit dem Kurzschlussstrom
R E ~ − β ⋅ rce
⋅ i b und dem Innenwiderstand RE∼+rce umformen.
R E ~ + rce

154
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Wegen RE∼ << β⋅rce lässt sich der Zähler des Kurzschlussstromes vereinfachen und man
erhält schließlich folgende Ersatzschaltung für Transistor und Emitterwiderstand:
−β ⋅ rce
Abbildung 11-16
(β+1)⋅R ⋅ ib
Vereinfachtes ib E∼ R E ~ + rce ic
Ersatzschaltbild
ub0 rbe uc0
RE∼+rce

Das Ersatzschaltbild für den gesamten Wechselspannungsverstärker erhält damit folgendes

Aussehen:
Abbildung 11-17 Ersatzschaltbild des gesamten WS-Verstärkers
−β ⋅ rce
⋅ ib
RG ib (β+1)⋅RE∼ R E ~ + rce ic

ug ui RiT ub0 rbe RE∼+rce uc0 RC uq RL

Anhand dieser Ersatzschaltung lässt sich die Leerlaufverstärkung Vu0 berechnen:

− β ⋅ rce
⋅ i b ⋅ [(R E ~ + rce )//R C ]
u q0 u q0 R E ~ + rce
Vu0 = = =
ui u b0 i b ⋅ [(β + 1) ⋅ R E ~ + rbe ]

− β ⋅ rce ⋅ [(R E ~ + rce )//R C ]

Vu0 = (a)
(R E ~ + rce ) ⋅ [(β + 1) ⋅ R E ~ + rbe ]
−β ⋅RC
Mit rce >> RE~ und rce >> RC wird daraus Vu0 ≈ (b)
(β + 1) ⋅ R E ~ + rbe
RC
Gilt auch rbe<<(β+1)⋅RE~, so ergibt sich Vu0 ≈ − (c)
R E~
Beispiel:
Fehlt in der Schaltung nach Abbildung 11-7 der Emitterkondensator CE, so wird
RE∼ = RE = 2,7 kΩ. Mit den übrigen Daten der Schaltung ergibt sich dann für die
Wechselspannungsverstärkung nach der obigen Gleichung (a):
− 152 ⋅ 100kΩ ⋅ (102,7kΩ // 10kΩ)
Vu 0 = = −3,2
102,7kΩ ⋅ (153 ⋅ 2,7kΩ + 8,3kΩ)
Ein Vergleich mit der Verstärkung Vu0 = -166 nach Abschnitt 11.2.2.3 zeigt wie bedeutsam der
wechselstrommäßige Kurzschluss des Emitterwiderstandes RE durch den Kondensator CE ist.
Es lässt sich ableiten, dass mit Hilfe eines nur teilweise wechselstrommäßig kurzgeschlosse-
nen Emitterwiderstandes die Spannungsverstärkung des WS-Verstärkers eingestellt werden
kann. Ein weiterer Effekt ist eine deutliche Verbesserung der Linearität der Großsignal-
verstärkung.

155
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.2.4 Berechnung der Kondensatoren

Die in dem Wechselspannungs-Verstärker enthaltenen Kondensatoren begrenzen den
Frequenzbereich, in dem der Verstärker mit voller Verstärkung arbeitet.
Koppel- und Emitter-Kondensatoren bestimmen die untere Grenzfrequenz des Verstärkers.
Im folgenden sollen diese Kondensatoren so dimensioniert werden, dass sich für jeden ein
3dB-Verstärkungsabfall (Faktor 1 2 ) für die vorgegebene untere Grenzfrequenz ergibt.
Bei der Berechnung wird berücksichtigt, dass der Widerstand R1 zur Glättung der
Versorgungsspannung im Basiskreis gemäß Abbildung 11-18 unterteilt sein kann.
CS R11
US
Abbildung 11-18 RC
Glättung der Versorgungsspannung
R12 Ck2
im Basiskreis
Ck1
uq
RG RL
ui R2 CE
ug RE

11.2.4.1 Berechnung des eingangsseitigen Koppelkondensators

Abbildung 11-19 Ck1

WS-Ersatzschaltung des Eingangskreises RG
ube rbe
ug
R12 R2

Die Ersatzschaltung lässt sich schrittweise zu einem Hochpass zusammenfassen

Abbildung 11-20 Koppelkondensator als Hochpass

Ck1 Ck1

RG
ug Rein∼ ug Rges

In komplexer Schreibweise gilt : Ug = URges - j⋅UCk1 Rges

und Z = Rges - j/ωCk1 -j/ωCk1

Z
Für die Grenzfrequenz gilt URges = UCk1
bzw. Rges = 1/ωgCk1

d.h. Realteil von Ug gleich Imaginärteil von Ug bzw.

Realteil von Z gleich Imaginärteil von Z

156
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Mit ωg = 2 ⋅ π ⋅ f g

und R ges = R G + (R 12 // R 2 // rbe ) = RG + Rein∼

1
ergibt sich daraus fg =
2 ⋅ π ⋅ C k1 ⋅ [R G + R ein ~ ]
1
bzw. C k1 ≥
2 ⋅ π ⋅ f g ⋅ [R G + R ein ~ ]

11.2.4.2 Berechnung des ausgangsseitigen Koppelkondensators

Das WS-Ersatzschaltbild des Ausgangskreises lässt sich ebenfalls in einen Hochpass

umformen:

Abbildung 11-21 Schrittweise Zusammenfassung des WS-Ersatzschaltbildes

ib⋅β Ck2
Ck2 Ck2

Raus∼
rce RC RL uo RL uo Rges

Es gilt: u0 = − ib⋅β⋅(rce // RC)

Raus∼ = rce // RC
und Rges = Raus∼ + RL

Mit Rges = 1/ωgCk2 (3dB-Abfall bei unterer Grenzfrequenz)

1
ergibt sich daraus fg =
2 ⋅ π ⋅ C k 2 ⋅ [R L + R aus ~ ]
1
bzw. Ck2 ≥
2 ⋅ π ⋅ f g ⋅ [R L + R aus~ ]

157
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.2.4.3 Berechnung des Emitterkondensators

Unter Berücksichtigung des Emitterkondensators ergibt sich folgendes WS-Ersatzschaltbild
des Verstärkers:
Abbildung 11-22 WS-Ersatzschaltbild mit komplexem Emitterwiderstand
Ii Ib Ib⋅β Ic Iq

Uce
RG rbe rce

R12 R2 RC RL
Ug Ui Uq
Ub0 ZE

Der Emitterkondensator wird so dimensioniert, dass für den Betrag der komplexen
Vu (ω → ∞)
Verstärkung Vu(ω) gilt: Vu (ωg ) = (3dB-Abfall)
2
Zur Berechnung der komplexen Verstärkung Vu(ω) kann dieselbe Vorgehensweise gewählt
werden, wie sie im Abschnitt 11.2.3 für einen reellen Emitterwiderstand gezeigt ist.
β ⋅ (rce // R C // R L )
Es ergibt sich: V u (ω) ≈ −
rbe + (β + 1) ⋅ Z E

rbe
Mit = reb (siehe Anhang B, Abschnitt B.2.4.2) und ZE(ω → ∞) = 0
β +1
V u (ω) reb
wird ≈
V u (∞) reb + Z E

V u (ω g ) 1 1
Mit = und ZE =
V u (∞) 2 1 R E + j ⋅ ω ⋅ CE

1 1 2 1
ergibt sich CE ≥ ⋅ + −
2 ⋅ π ⋅ fg (reb ) 2 reb ⋅ R E R E 2

Beachte: Wird CE nach dieser Dimensionierungsvorschrift imaginär, so ist die Größe von
RE zu gering.

158
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.2.4.4 Berechnung für den Siebkondensator CS

CS soll den Eingangskreis des WS-Verstärkers gegen hochfrequente Störungen der
Versorgungsspannung US schützen. CS bildet zusammen mit den in Abbildung 11-23
dargestellten Widerständen einen Tiefpass.

Abbildung 11-23 CS R11

Berechnung der Grenzfrequenz durch CS
Störsignal
R12
(RE∼ = wechselstrommäßig wirksamer Teil von RE)

1
fg =
[ ]
2 ⋅ π ⋅ R 11//(R 12 + R p ) ⋅ C S RG R2 RE∼

mit Rp = RG // R2 // [(β+1)⋅RE∼ + rbe]

Da an der Transistorbasis auftretende Störungen mit der Spannungsverstärkung Vu des WS-

Verstärkers, Störungen im Kollektorzweig jedoch nicht verstärkt werden, genügt meist die
Glättung der Versorgungsspannung des Basis-Spannungsteilers.
Bei sehr niederfrequenten überlagerten Störungen auf der Versorgungsspannung setzt man
eine Z-Diode anstelle von CS ein.

11.2.5 Gesamt-Grenzfrequenzen
Untere Grenzfrequenz
Die durch die einzelnen Kondensatoren im Wechselspannungsverstärker gebildeten
Hochpässe sind voneinander weitgehend entkoppelt (keine gegenseitige Rückwirkung).
Unter dieser Voraussetzung lässt sich aus gleichen Grenzfrequenzen der einzelnen Hochpässe
eine Gesamt-Grenzfrequenz errechnen nach der Gleichung:
1
f gu ges = ⋅ f gu einz mit n = Zahl der Hochpässe
n 2 −1

Umgekehrt lässt sich errechnen welche Einzel-Grenzfrequenzen erforderlich sind, um eine

bestimmte Gesamt-Grenzfrequenz zu erreichen:

f gu einz = f gu ges ⋅ n 2 − 1

Obere Grenzfrequenz
Die Kollektor-Basis-Sperrschichtkapazität („Miller“-Kapazität) sowie weitere wirksame
Kapazitäten (Schalt-, Kabel-, Bauteil-Kapazitäten) begrenzen die Verstärkung bei hohen
Frequenzen.

159
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

US
RC
Abbildung 11-24: Miller-Kapazität
„Miller“-Kapazität C
CCB
RGers B rbb’
uce
ube
E

Einem Wechselsignal ube am Transistoreingang steht ein um den Faktor Vu größeres Signal
uce am Transistorausgang gegenüber.
Dieses Ausgangssignal wird über die transistorinterne Kollektor-Basis-Kapazität CCB auf die
Basis des Transistors zurückgekoppelt.
Da uce gegenüber ube invertiert ist, bewirkt CCB eine starke Gegenkopplung. CCB muss daher
durch das Eingangssignal um die volle Kollektor-Emitterspannung uce = Vu ⋅ ube
umgeladen werden.
Dies wirkt sich so aus, als müsse eine im Eingangskreis liegende Kapazität CCB’ = Vu⋅CCB
um die Basis-Emitter-Spannung ube umgeladen werden.
CCB erscheint um den Faktor Vu vergrößert in den Eingangskreis transformiert
⇒ „Miller“-Effekt.

Abbildung 11-25
RGers rbb’
Transformierte Miller-Kapazität
rbe
ube CCB’

Der transistorinterne Basisbahnwiderstand rbb’ und die in den Eingangskreis transformierte

Miller-Kapazität bilden zusammen mit den übrigen im Eingangskreis liegenden Widerstän-
den einen Tiefpass.

Für eine Transistorstufe ergibt sich damit als obere Grenzfrequenz:

1
f go ≈
2π ⋅ [(R Gers + rbb' ) // rbe ]⋅ Vu ⋅ (C CB + C ex )

(mit Cex = zur Kollektor-Basis-Strecke evtl. parallele externe Kapazität)

Sind mehrere unabhängige Tiefpässe (mit gleicher Einzel-Grenzfrequenz f goeinz ) beteiligt,

so ergibt sich eine Gesamt-Grenzfrequenz:
f goges = f goeinz ⋅ n 2 − 1

Oberhalb der Grenzfrequenz fgo sinkt die Spannungsverstärkung Vu des Transistor-

verstärkers um 20 dB / Dekade. Vu wird frequenzabhängig ⇒ Vu(f).

160
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

R aus ~
Da nach Abschnitt 11.2.2.3 gilt Vu = −β ⋅ = β ⋅ konst , muss damit oberhalb fgo
rbe
auch die Stromverstärkung β frequenzabhängig sein ⇒ β(f).

Oberhalb der Grenzfrequenz fgo gilt:

f ⋅ β(f) = fgo ⋅ βo = fT ⋅ 1 = Verstärkungs-Bandbreiten-Produkt = konstant.

Hierbei ist βo = Stromverstärkung für f << fgo

fT = Transitfrequenz = Frequenz, bei der β(f) = 1
β
103 fgo

βo
2
Abbildung 11-26 10
Frequenzabhängigkeit
der Stromverstärkung β 10

fT
1 f / fgo
2
10-1 1 10 10 103

161
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.3 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Basisschaltung

11.3.1 Die Schaltung

Abbildung 11-27 zeigt den Stromlaufplan eines Wechselspannungsverstärkers mit Transistor
in Basisschaltung
US
RC
R1
Abbildung 11-27:
Transistor in Basisschaltung
Ck1 Ck2 uq
als Wechselspannungsverstärker
RL
RG CB
ui R2 RE
ug

Die Basisschaltung lässt sich erkennen an der Signaleinkopplung am Emitter, der

Signalauskopplung am Kollektor und dem wechselspannungsmäßigen Kurzschluss der Basis
mit Masse durch CB.
Wie bei der Emitterschaltungen im Abschnitt 11.2 wird der Strom IC im Arbeitspunkt über
den Basisspannungsteiler R1 und R2 sowie den Emitterwiderstand RE eingestellt.
Für die folgenden Berechnungen wird derselbe Transistortyp (BC107A) und derselbe
Arbeitspunkt wie bei dem Wechselspannungsverstärker in Emitterschaltung nach
Abschnitt 11.2 zugrunde gelegt. Die Transistordaten und die Schaltungsdimensionierung
werden daher aus Abschnitt 11.2 übernommen:
IC = 0,6 mA RE = 2,7 kΩ rbe = 8,3 kΩ
R1 = 180 kΩ RC = 10 kΩ β = 152
R2 = 43 kΩ RL = 10 kΩ rce = 100 kΩ

11.3.2 Berechnung der Wechselstrom-Kenngrößen

ii E ie ie⋅α ic C iq

Abbildung 11-28 RG
Wechselstrom-Ersatzschaltbild RE reb rcb RC RL
ug
ui ueb ucb uq

B
Rein∼ Raus∼
Im WS-Ersatzschaltbild ist der Transistor durch sein Ersatzschaltbild in Basisschaltung
repräsentiert.
Die Vierpolparameter in Basisschaltung lassen sich aus den Vierpolparametern der
Emitterschaltung ableiten. Die Herleitung findet sich im Anhang B, Abschnitt B.2.4.2.

162
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Berechnung des Eingangswiderstandes Rein∼

rbe 8,3kΩ
Mit reb = = = 54,2Ω
β +1 153

ergibt sich Rein∼ = RE//reb = 2,7 kΩ // 54,2 Ω = 53,1 Ω

Bei diesem Eingangswiderstand ist Anpassung an eine 50-Ω-Quelle möglich.

Berechnung des Ausgangswiderstandes Raus∼

Mit rcb = (β+1) ⋅ rce = 15,3 MΩ ergibt sich

Raus∼ = RC // rcb ≈ RC = 10 kΩ

Berechnung der Leerlaufverstärkung Vu0

u q0i ⋅ α ⋅ (rcb // R C ) α ⋅ (rcb // R C ) R

Vu 0 = = e = ≈ α⋅ C
ui i e ⋅ reb reb reb
β 152
Mit α= = ≈ 0,993 wird daraus
β + 1 153
RC 10kΩ
Vu0 ≈ α ⋅ ≈ 0,993 ⋅ ≈ 183
reb 51,55Ω

Mit RL = 10 kΩ ergibt sich schließlich eine Verstärkung im belasteten Fall

RL 10 kΩ
Vu = Vu0 ⋅ = 183 ⋅ ≈ 91,5
R aus~ + R L 10 kΩ + 10 kΩ

Berechnung der Stromverstärkung Vi (bei Belastung mit RL = 10 kΩ)

iq uq R L u q R ein ~ R 53,1Ω
Vi = = = ⋅ = Vu ⋅ ein ~ ≈ 91,5 ⋅ ≈ 0,486
ii u i R ein ~ ui R L RL 10kΩ

Vi ≈ 0,486

Berechnung der Leistungsverstärkung Vp (bei Belastung mit RL = 10 kΩ)

Vp = Vu ⋅ Vi ≈ 91,5 ⋅ 0,486 ≈ 44,5

11.3.3 Obere Grenzfrequenz der Basisschaltung

Da die Sperrschichtkapazitäten des Transistors bei der Basisschaltung durch den im
Vergleich zum Basisstrom um den Faktor (β+1) größeren Emitterstrom umgeladen werden,
ist die obere Grenzfrequenz der Basisschaltung näherungsweise um den Faktor (β+1) größer
als in Emitterschaltung.

163
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.4 RC-gekoppelter Wechselspannungsverstärker in Kollektorschaltung

11.4.1 Stromlaufplan und Daten
US
R1
ii Ck1
Abbildung 11-29
Transistor in Kollektorschaltung Ck2 iq
als Wechselspannungsverstärker RG
ui R2
RE uq RL
ug

Die Kollektorschaltung ist erkennbar an der Signaleinkopplung an der Basis und der
Signalauskopplung am Emitter des Transistors.

Verstärker: US = 12 V Signalquelle: ûg = 2 V
R1 = 33 kΩ
R2 = 51 kΩ RG = 1 kΩ
RE = 1 kΩ
Last: RL = 1 kΩ
IC/AP = 6 mA
(Die Last soll nicht niederohmiger sein
⇒ UCE/AP = 6V als RE)
(Prinzip der halben Speisespannung)
Transistor: BCY 59 VII

Abbildung 11-30 Vierpolparameter des Transistors BCY 59 VII

Vierpolparameter für IC = 2mA, UCE = 5V, f = 1kHz:
h11e = 2,7 kΩ h21e = 200
h12e = 1,5⋅10-4 h22e = 18 µS
102 2,0
UCE=5V IC=2mA
5 HU
HI
1,5 h11e
1 h11e h21e
10
5 h12e
h12e 1,0

h21e
100
0,5 h22e
5
h22e

10-1 -1 0
0 10 20 30
10 5 100 5 101
IC/mA UCE/V

164
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.4.2 Wechselstrom-Berechnungen

Abbildung 11-31 Wechselstrom-Ersatzschaltbild

Eingangskreis Transistor Ausgangskreis

ii ib ib⋅β ic

ube uce
RG rbe rce
iq
R1 R2
ug ui
RE uq RL

Rein∼ Raus∼
Signal- WS-Verstärker Last
Quelle

Klappt man den Ausgangsteil des Transistor-Ersatzschaltbildes zur Masse, so ergibt sich
folgende Darstellung:

Abbildung 11-32 Vereinfachte Darstellung des WS-Ersatzschaltbildes

ii ib rbe (β+1)⋅ib iq

β⋅ib
RG
ug R1 R2 rce RE RL
ui
uce uq

Berechnung der Vierpolparameter des Transistors:

Für IC = 6 mA
UCE = 6V

ergibt sich mit den Transistor-Daten aus Abschnitt 11.4.1:

[Rechenvorschrift: hxy = HI ⋅ HU ⋅ hxy/(2mA;5V) ]

h11e = rbe = 0,37 ⋅ 1,02 ⋅ 2,7 kΩ = 1,02 kΩ

h21e = β = 1,05 ⋅ 1,02 ⋅ 200 = 214
h22e = 1/rce = 2,8 ⋅ 0,92 ⋅ 18 µS = 46,4 µS
⇒ rce = 21,6 kΩ

165
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Berechnung des Wechselspannungsverhaltens

Aus der Abbildung 11-32 ist erkennbar, dass Eingangs- und Ausgangskreis durch rbe
miteinander verbunden sind. Dies bedeutet, dass nicht nur die ausgangsseitigen Ströme und
Spannungen über ib von der Eingangsseite her gesteuert werden, sondern, dass darüber hinaus
der Eingangswiderstand der Schaltung von der ausgangsseitig angeschlossenen Last und der
Ausgangswiderstand des Verstärkers vom Innenwiderstand der eingangsseitig
angeschlossenen Signalquelle beeinflusst werden.
Aus diesem Grunde können für den Wechselspannungsverstärker in Kollektorschaltung keine
anwendungsunabhängigen Größen für Eingangs- und Ausgangswiderstand sowie
Leerlaufverstärkung angegeben werden. Die genannten Größen sind vielmehr immer in
gewissem Umfang auch von Signalquelle und Last abhängig.
Eingangswiderstand
Der Eingangswiderstand Rein∼ wird außer von R1, R2 und rbe auch von den zum
Ausgangskreis zählenden Widerstände rce, RE und RL mitbestimmt.
Zur Berechnung des Eingangswiderstandes müssen diese zuletzt genannten Widerstände in
den Eingangskreis transformiert werden.

Rein~ = R1 // R2 // [rbe + (β+1)⋅(RE // RL // rce)]

Mit R1 = 33 kΩ, R2 = 51 kΩ, RE = 1 kΩ sowie rbe = 1,02 kΩ, β = 214, rce = 21,6 kΩ
nimmt der Eingangswiderstand in Abhängigkeit vom Lastwiderstand Werte an im Bereich
971 Ω ≤ Rein~ ≤ 18,3 kΩ
Der genaue Verlauf des Eingangswiderstandes des diskutierten Verstärkers in Abhängigkeit
von der Größe des Lastwiderstandes ist der Abbildung 11-33 zu entnehmen.
Abbildung 11-33 WS-Eingangswiderstand als Funktion des Lastwiderstandes
20
Rein~/kΩ
16

12

0
1 10 102 103 104 RL/Ω 105

Für RL = 1 kΩ ergibt sich Rein~ = 16,85 kΩ

Eingangsspannung und Eingangsstrom
Eingangsspannung und Eingangsstrom lassen sich mit den Gleichungen
R ein ~ ûi
ûi = ûg ⋅ und îi = berechnen.
R ein ~ + R G R ein ~

166
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Ausgangswiderstand
Zur Berechnung des Ausgangswiderstandes müssen die Bauteile der Eingangsseite
einschließlich rbe auf die Ausgangsseite transformiert werden. Es ergibt sich dann:

 r + (R G //R 1//R 2 ) 
R aus ~ = R E //rce //  be 
 β +1 

Die Widerstände im Eingangskreis erscheinen mit dem Faktor 1/(β+1) multipliziert in dieser
Gleichung.
In Abhängigkeit vom Innenwiderstand RG der Signalquelle ergeben sich für den Verstärker
nach Abbildung 11-29 Werte des Ausgangswiderstandes im Bereich
4,72 Ω ≤ Raus~ ≤ 88,7 Ω
Abbildung 11-34 Ausgangswiderstand in Abhängigkeit vom Innenwiderstand der
Signalquelle
100
Raus~/Ω
80

60

40

20

0 6
10 102 103 104 105 RG/Ω 10

Für RG = 1 kΩ ergibt sich Raus~ = 9,09 Ω

Spannungsverstärkung
Anhand des WS-Ersatzschaltbildes ergibt sich für die Leerlauf-Spannungsverstärkung:
(β + 1) ⋅ (rce //R E ) (rce //R E ) 21,6kΩ // 1kΩ
Vu0 = = = = 0,995
rbe + (β + 1) ⋅ (rce //R E ) reb + (rce //R E ) 4,7Ω + (21,6kΩ // 1kΩ)

Bei Belastung mit RL = 1 kΩ ergibt sich die Spannungsverstärkung Vu:

RL 1000Ω
Vu = Vu0 ⋅ = 0,995 ⋅ = 0,986
R aus~ + R L 1009,09Ω
Lastwiderstände RL << RE sind nicht sinnvoll.

Stromverstärkung
îq û q R ein ~ R ein ~
Vi = = ⋅ = VU0 ⋅ = 16,6
îi ûi R L R aus ~ + R L

167
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Leistungsverstärkung
pq uq ⋅ iq
Vp = = = Vu ⋅ Vi = 0,986 ⋅ 16,6 = 16,37
pi u i ⋅ ii

Charakteristische Eigenschaften:
Die Spannungsverstärkung ist für hinreichend große Lastwiderstände etwa gleich 1, d.h. Ein-
und Ausgangsspannung sind etwa gleich groß und phasengleich. Die Kollektorschaltung wird
deswegen „Spannungsfolger“ genannt.
Wegen der Kombination
- hoher Eingangswiderstand (d.h. geringe Belastung der Signalquellen) und
- niedriger Ausgangswiderstand (d.h. hohe Lastströme zulässig)
wird die Kollektorschaltung auch als „Impedanzwandler“ bezeichnet.

11.4.3 Bootstrapschaltung
Mit der Bootstrapschaltung lässt sich der Eingangswiderstand der Kollektorschaltung deutlich
vergrößern.
US

R1
Abbildung 11-35
Bootstrapschaltung

R3
C
uI

R2 RE uQ

Schaltungseingang und Basis des Transistors sind hier nicht unmittelbar sondern über den
zusätzlichen Widerstand R3 an den Spannungsteiler aus R1 und R2 angeschlossen. Der
Spannungsteiler ist über den Kondensator C mit dem Ausgang der Schaltung verbunden. Für
hinreichend große Frequenzen stellt der Kondensator einen Kurzschluss dar.
Zur Bootstrapschaltung gehört folgendes Wechselstrom-Ersatzschaltbild:

Abbildung 11-36 Wechselstrom-Ersatzschaltbild der Bootstrapschaltung

R3 R3‘ = an den Verstärkereingang transformierter
Widerstand R3 (ersetzt den Widerstand R3)
u be
B E

rbe ib ib⋅β
RG
rce R1 R2 RE uq RL
R3´
ug ui
uce
C

168
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Während die Signalquelle bei der Schaltung nach Abbildung 11-29 das Eingangssignal ui
nicht nur der Basis des Transistors, sondern auch dem Spannungsteiler R1,R2 aufprägen muss,
geschieht letzteres bei der Bootstrapschaltung über den Kondensator C durch den
niederohmigen Ausgang der Schaltung.
Die Eingangssignalquelle muss am Widerstand R3 nicht die volle Größe von ui, sondern nur
die sehr viel geringere Änderung ube bewirken. Aus der Sicht der Eingangsspannung ui
erscheint der Widerstand R3 daher im Verhältnis ui/ube dynamisch hochtransformiert auf
ui r + (1 + β) ⋅ (R E //R 1 //R 2 //rce //R L )
R 3′ = R 3 ⋅ ≈ R 3 ⋅ be (für z.B. R3 ≥ rbe)
u be rbe
Wie bei der normalen Kollektorschaltung arbeitet auch die Bootstrapschaltung nicht
rückwirkungsfrei, d.h. der Eingangswiderstand wird vom Lastwiderstand, der
Ausgangswiderstand wird vom Innenwiderstand der Signalquelle beeinflusst.

Eingangswiderstand:

Mit R ein ~ = R 3′ //(rbe + (1 + β) ⋅ (R E //R 1 //R 2 //rce // R L )

R 3 ⋅ [rbe + (1 + β) ⋅ (R E //R 1//R 2 //rce //R L )]

ergibt sich R ein ~ =
R 3 + rbe

Mit R1 = 33 kΩ, R2 = 51 kΩ, RE = 1 kΩ, rbe = 1,02 kΩ, β = 214, rce = 21,6 kΩ (Daten wie
in Abschnitt 11.4.2) sowie R3 = 10 kΩ, RG = 10 kΩ und RL = 1 kΩ ergeben sich folgende
Werte:
R3‘≈ 1,02 MΩ und
Rein~ ≈ 94 kΩ
Ein Vergleich mit der normalen Kollektorschaltung nach Abbildung 11-29 (Rein~ = 16,85 kΩ
für RL = 1 kΩ) zeigt bei der Bootstrap-Schaltung eine deutliche Vergrößerung des
Eingangswiderstandes.
Ausgangswiderstand:
Für den Ausgangswiderstand der Bootstrapschaltung erhält man
r + R 3′ //R G
R aus~ = rce //R 1//R 2 //R E // be
β +1

Mit den gegebenen Daten ergibt sich hierbei

Raus~ = 9,29 Ω
(Zum Vergleich: Raus~ = 9,09 Ω für RG = 1 kΩ bei der normalen Kollektorschaltung)

Spannungsverstärkung:
(1 + β) ⋅ (R E //R 1//R 2 //rce //R L ) 102,56 kΩ
Vu = ≈ = 0,99
rbe + (1 + β) ⋅ (R E //R 1//R 2 //rce //R L ) (1,02 + 102,56)kΩ

169
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Stromverstärkung:
R ein ~ 94 kΩ
Vi = VU ⋅ ≈ 0,99 ⋅ ≈ 93
RL 1 kΩ
Leistungsverstärkung:
Vp = Vu ⋅ Vi ≈ 92

11.5 Vergleich der Transistor-Grundschaltungen

In der folgenden Tabelle sind die charakteristischen Eigenschaften der
Wechselspannungsverstärker in den drei Grundschaltungen einander qualitativ
gegenübergestellt.
Zur Verdeutlichung sind jeweils Werte der Größen angegeben, wie sie in den Abschnitten
11.2 bis 11.4 näherungsweise errechnet wurden.

Emitterschaltung Kollektorschaltung(18) Basisschaltung

Rein∼ mittel groß klein

7 kΩ (100 kΩ) 17 kΩ 50 Ω

Raus∼ mittel klein mittel

10 kΩ (10 Ω) 10 Ω 10 kΩ

Vu0 groß ≤1 groß

170 (0,99) 0,993 180

Vi mittel / groß mittel / (groß) ≤1

50 (90) 17 0,5

Vp sehr groß mittel / (groß) mittel

5000 (90) 16 40

ϕ (uq) 180° 0° 0°

(18)
Alle Werte gelten für RL = 1 kΩ. Werte in Klammern gelten für die Bootstrapschaltung.

170
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.6 Lage des Arbeitspunktes im Kennlinienfeld

Bei einem Transistor im Wechselspannungsverstärker bestimmt die Lage des Arbeitspunktes
im Ausgangskennlinienfeld über
- den verfügbaren Aussteuerungsbereich des Ausgangssignals,
- die an die Last abgebbare Leistung,
- die am Transistor auftretende Verlustleistung,
- den Wirkungsgrad des Verstärkers
- das Transistorrauschen usw..
Transistoren in Wechselspannungsverstärkern werden in verschiedenen Betriebsarten
eingesetzt, die sich durch die jeweilige Lage des Arbeitspunktes unterscheiden
(Abbildung 11-37 (a) und (b)).

Abbildung 11-37 Lage der Arbeitspunkte in den Kennlinienfeldern

IC
IC
ICmax

A Ptot

A3
A2
C B AB UBE AB
A1 B
UCEmax UCE
(a) Arbeitspunkte auf der (b) Lage der Arbeitspunkte
Spannungssteuerkennlinie im Ausgangskennlinienfeld

Wechselspannungsverstärker werden im Eintakt- oder Gegentaktbetrieb eingesetzt.

Abbildung 11-38 Eintakt-A-Transistorstufe

(a) Eintaktstufe (b) Arbeitspunkte im A1-, A2- und A3-Betrieb
US IC
ICmax
RL uQ
uI

A3
Ptot
A2
A1
UCE
UCEmax

171
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.6.1 Klein- und Mittelsignalverstärker

Kleinsignalverstärker, insbesondere Vorverstärker, sind gekennzeichnet durch kleine Ruhe-
ströme IC und kleine Ruhespannungen UCE. Der Arbeitspunkt liegt weit entfernt von der Ver-
lustleistungshyperbel im Bereich A1 in Abbildung 11-37 (b) (IC ≈ ca. 10 µA bis einige mA;
UCE ≈ ca. 1 V bis einige V). Thermische Probleme treten nicht auf. Wegen der kleinen
Aussteuerung sind Verzerrungen meist vernachlässigbar.
Mittelsignalverstärker erlauben eine größere Spannungsaussteuerung bei kleiner bis mittlerer
Leistung. Der Arbeitspunkt liegt im Bereich A2 in Abbildung 11-37 (b) (IC ≈ einige mA bis
einige 10 mA; UCE ≈ einige V bis einige 10V).

11.6.2 Leistungsverstärker - Transistorendstufen

Transistorendstufen dienen dazu, aus dem gering belastbaren Ausgangssignal einer Vorstufe
ein hoch belastbares Ausgangssignal zu erzeugen und einem Verbraucher zuzuführen.
Eine Endstufe soll grundsätzlich folgende Forderungen erfüllen:
- hohe Ausgangsleistung bei kleiner Eingangsleistung
- Widerstandsanpassung an Quelle und Last,
- hoher Wirkungsgrad, d.h. hohe Ausgangsleistung bei geringer Verlustleistung,
- geringe Verzerrungen (man spricht von einem geringen „Klirrfaktor“),
- evtl. Kurzschlussfestigkeit
Um diese Anforderungen zu erfüllen, setzt man Transistoren mit hoher zulässiger
Verlustleistung im A3-, im AB- oder im B-Betrieb ein.
(Leistungs-)Transistoren in Endstufen werden im sog. Großsignalbetrieb eingesetzt. Dabei
steuert man diese Transistoren bis an die Grenzen des sicheren Arbeitsbereiches (SOAR)(19)
aus. Die genutzten Kennlinienbereiche lassen sich nicht mehr überall als linear betrachten.
Die Transistoren können daher nicht wie bei Kleinsignalbetrieb durch lineare Vierpole und
lineare Vierpolparameter beschrieben werden.

A3-Betrieb
Der Arbeitspunkt A3 liegt etwa in der Mitte des aussteuerbaren Kennlinienbereiches nahe an
der Verlustleistungshyperbel (siehe Abbildung 11-37 (b)). Die Aussteuerung erfolgt
symmetrisch zum Arbeitspunkt. Nachteilig ist der hohe Ruhestrom ICAP, die damit
verbundene hohe Verlustleistung und der niedrige Wirkungsgrad. Vorteilhaft ist die
annähernd lineare Aussteuerung in beiden Richtungen und der damit verbundene geringe
Klirrfaktor.

B-Betrieb
Der Arbeitspunkt liegt am unteren Ende der Arbeitsgerade im Ausgangskennlinienfeld. Der
Ruhestrom ICAP ist (von dem nicht vermeidbaren Reststrom abgesehen) gleich Null. Die
Aussteuerung des Transistors im B-Betrieb ist nur in einer Richtung, allerdings mit -im
Vergleich zum A-Betrieb- doppelter Amplitude möglich. Durch Gegentaktschaltung zweier
Transistoren lässt sich eine symmetrische Aussteuerung realisieren.

(19)
SOAR = safe operating area

172
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Abbildung 11-39 Gegentakt-B-Endstufe in Komplementärtechnik

(a) Prinzipschaltung (b) Nulldurchgang (c) Arbeitsgerade in den
Ausgangskennlinienfeldern
US IQ
-IE1
npn-Transistor -IE1 npn
uQ
uI T1 RL
UI
UCE1
RL
T2 -UCE2 B
pnp-Transistor -IE2
-US
pnp

IE2
Positive Ausgangsströme werden dabei z.B. von einem npn-Transistor (IQ+ = -IE1), negative
von einem komplementären pnp-Transistor (IQ- = -IE2) geliefert. Nachteilig bei der Gegentakt-
schaltung im reinen B-Betrieb ist, dass für einen Strom-Nulldurchgang an der Last ein Signal-
sprung an der Basis der beiden Transistoren erforderlich ist (siehe Abbildung 11-39 (b)).
Dies führt zu Signalverzerrungen (Stromübernahme-Verzerrungen).
AB-Betrieb
Der Arbeitspunkt liegt zwischen A und B (meist in der Nähe von B). Es fließt daher ein
kleiner Ruhestrom ICAP. Bei AB-Gegentakt-Endstufen lassen sich somit Stromübernahme-
Verzerrungen vermeiden.
Abbildung 11-40 Gegentakt-AB-Endstufe in Komplementärtechnik

(a) Prinzipschaltung (b) Nulldurchgang (c) Arbeitsgerade in den Ausgangs-

Kennlinienfeldern
US IQ
-IE1
T1 npn

uI uQ RL
RE1
-IE1 UI -UCE2 AB UCE1
RE2 RL
-IE2

pnp
T2

-US IE2

C-Betrieb
Der Arbeitspunkt C liegt im Sperrbereich. Die aktiven Bauelemente müssen durch das
Steuersignal erst aus dem Sperrbereich in den leitenden Bereich aufgetastet werden. Es ergibt
sich ein hoher Wirkungsgrad, aber es liegen starke nichtlineare Verzerrungen vor. Zur
Unterdrückungen der Verzerrungen können anschließend z.B. Schwingkreise eingesetzt
werden. Anwendung des C-Betriebes z.B. bei Sendeverstärkern.

173
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

11.7 Übungsaufgaben zum Wechselspannungsverstärker mit bipolarem

Transistor

Aufgabe 11-1: Einzelfragen

(a) Warum werden Ein- und Ausgangssignale am Wechselspannungsverstärker meist über
Koppelkondensatoren oder Übertrager ein- bzw. ausgekoppelt ?
(b) Wozu dient der Emitterkondensator beim gegengekoppelten Wechselspannungsverstärker
in Emitterschaltung ?
(c) Woran erkennt man im Stromlaufplan eines Wechselspannungsverstärkers welche
Grundschaltung (Emitter-, Basis- oder Kollektorschaltung) vorliegt ?
(d) Für Kleinsignalaussteuerung kann der Transistor als linearer Vierpol betrachtet werden.
Formuliere die zwei linearen Vierpolgleichungen mit h-Parametern für den bipolaren
Transistor und zeichne das zugehörige Vierpolersatzschaltbild.
(e) Wie ermittelt man die Vierpolparameter des Transistors in Emitterschaltung aus den
Kennlinien bzw. aus Datenblattangaben.
(f) Wie ermittelt man die Vierpolparameter für die Basisschaltung

Aufgabe 11-2: Auswahl einer Transistorgrundschaltung

US = 12 V
US
R1 = 150 kΩ
R1 RC R2 = 33 kΩ
Ck2 RL = 20 kΩ
ii Ck1 iq
rbe = 9,1 kΩ

uq rce = 120 kΩ
ui RL
R2 RE B ≈ β ≈ 130

Gnd
Auf der Basis der gezeichneten Transistorschaltung soll ein RC-gekoppelter
Wechselspannungsverstärker mit niedrigem Eingangswiderstand und großer
Spannungsverstärkung realisiert werden.
(a) Welche Transistor-Grundschaltung (Emitter-, Basis-, Kollektorschaltung) wählen Sie?
(b) Ergänzen Sie den Stromlaufplan entsprechend.
(c) Zeichnen Sie das WS-Ersatzschaltbild des Verstärkers.
(d) Stellen Sie Gleichungen auf für die Berechnung von Rein∼ ; Raus∼ ; VU ; VI ; VP.
(e) Dimensionieren Sie die Widerstände RC und RE für Rein∼ = 50 Ω und VU = 100.

174
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker

Aufgabe 11-3: Analyse eines Wechselspannungsverstärkers

US US = 15 V
RC1 RC1 = 2 kΩ
RB
RC2 = 1 kΩ
RC2 RE = 820 Ω
RB = 560 kΩ
Ck1 Ck2 UBE ≈ 0,7 V B = 170
RL rbe = 2,2 kΩ rce = 100 kΩ
ui uq β = 160
RE
CB fgu << f << fgo

(a) Ermittle den Arbeitspunkt (IC; UCE) des Transistors durch Rechnung
(b) Zeichne das Wechselstrom-Ersatzschaltbild des Verstärkers
(c) Ermittle die Vierpolparameter des Transistors (Transistor-Grundschaltung beachten)
(d) Berechne für den Verstärker folgende Größen:
Rein∼, Raus∼ und VU für RL = 3 kΩ und RL → ∞

Aufgabe 11-4: Verstärker in Kaskodeschaltung

US
Bei der Kaskodeschaltung wird ein Transistor in
Emitterschaltung mit einem Transistor in Basisschaltung R2
12 k R3
kombiniert. C4
Da hierbei bei der Emitterschaltung kein T2
Millereffekt auftritt, besitzt die Kaskodeschaltung
eine sehr viel höhere obere Grenzfrequenz als der R4
Verstärker mit Einzeltransistor in Emitterschaltung. C1 T1 uQ

Für beide Transistoren soll gelten:

uI C3
h11e = rbe = 6 kΩ R1 R5
h21e = β = 180 C2
h22e = 1/rce = 10 µS Gnd
(a) Welcher Transistor wird in Emitterschaltung betrieben?
Welcher in Basisschaltung ?
(b) Zeichne das Wechselstromersatzschaltbild des Verstärkers
(c) Berechne die Vierpolparameter für die Basisschaltung
(d) Berechne die Spannungsverstärkung der Schaltung
Hinweis: Die Schaltung lässt sich als Kettenschaltung zweier Vierpole interpretieren.

uI VU1 uM VU2 uQ

Bei der Kettenschaltung zweier Vierpole ergibt sich die Gesamtverstärkung als Produkt der
Einzelverstärkungen (VU = VU1 · VU2)

175
Der bipolare Transistor als Schalter

12 Der bipolare Transistor als Schalter

12.1 Der ideale Schalter (zum Vergleich)
US

Abbildung 12-1:
Der ideale Schalter
I1 ; I2

U1 ; U2

Genormte Bezeichnungen:

Index 1: EIN-Zustand Index 2: AUS-Zustand

Schalter geschlossen Schalter geöffnet
z.B. U1 , I1 z.B. U2 , I2
Kennlinie des idealen Schalters

Die Kennlinie des idealen Schalters fällt mit den Koordinatenachsen zusammen

I
U1 = 0
Abbildung 12-2 (Schalter geschlossen)
Kennlinie des idealen Schalters U

I2 = 0
(Schalter offen)
Arbeitspunkte des idealen Schalters

Der ideale Schalter lässt nur zwei diskrete Arbeitspunkte zu.

Der Umschaltvorgang (entlang einer Arbeitsgeraden) erfolgt in unendlich kurzer Zeit, da
Zwischenzustände nicht zulässig sind.
I
U
I1 = S
RL
Abbildung 12-3
U
Arbeitspunkte des idealen Schalters
U2 = US

176
Der bipolare Transistor als Schalter

Der ideale Schalter lässt eine Umkehr der Versorgungsspannung bzw. der zu schaltenden
Spannung zu.
I

Abbildung 12-4
Umkehr der Versorgungsspannung U
-US US

Dem idealen Schalter kommt ein mechanischer Schalter in mancher Hinsicht nahe.

Tabelle 12-1: Kenngrößen des idealen Schalters (Vergleich mit mechanischem Schalter)

Merkmal idealer Schalter mechanischer Schalter

1 R1 = Rein 0Ω mΩ
2 R2 = Raus ∞ > 109 ..... 1012 Ω
3 U2 0 ..... ∞ µV(20) ...... kV
4 I1 0 ..... ∞ pA ...... kA
5 PSchalt 0 ..... ∞ µW ...... kW (MW)
6 Pverl 0 →0
7 Psteuer 0 ≥ 0,1 .... 1% Pschalt
(21)
8 tan 0 ns ..... ms (Prellen)
9 tab 0 ns..... ms (Lichtbogen)
10 tdelay 0 ≥ ms
11 Schaltspiele ∞ > 106 ...... 108
12 Potenzialtrennung ∞ kV

Bewertung:

- Der mechanische Schalter erreicht bei keinem Merkmal die Eigenschaften des idealen
Schalters, kommt ihm aber nahe.

- Wesentliche Schwachstellen des mechanischen Schalters liegen

. in den dynamischen Eigenschaften
. im Verschleiß
. im Störverhalten (EMV)

(20)
Bei kleineren Spannungen ist kein Unterschied mehr zwischen U1 und U2 feststellbar.
(21)
Erreichbar mit Quecksilber-benetzten Kontakten.
177
Der bipolare Transistor als Schalter

12.2 Die Betriebszustände des Transistor-Schalters

Um die Verhältnisse innerhalb des Transistors in den verschiedenen Schaltzuständen und
insbesondere die dynamischen Vorgänge beim Schalten(22) verstehen zu können, ist die
Kenntnis einiger Fakten aus der Halbleiter- und Transistorphysik unerlässlich.
Hierzu sei auf die Abschnitte 1, 2 und 9 verwiesen.
Beispielhaft sollen im folgenden Abschnitt nur einige Details in Erinnerung gerufen
werden.

12.2.1 Ausgewählte Details aus der Halbleiter- und Transistorphysik

* Für die Majoritäts- und Minoritätsträgerdichte im Halbleiter gilt

n0⋅p0 = ni2 (Massenwirkungsgesetz)

* Über der Raumladungszone eines pn-Übergangs entsteht die Diffusionsspannung UD

n ⋅n k ⋅T
U D = U T ⋅ ln A 2 D mit UT = ≈ 26mV bei T = 300 K
ni e

Zahlenbeispiel: Mit den Konzentrationen (ND)E = 5⋅1019 cm-3 (NA)B = 1017 cm-3
(ND)C = 1015 cm-3 ni ≈ 1010 cm-3
errechnen sich folgende Werte der Diffusionsspannung an den
pn-Übergängen eines npn-Transistors:

5 ⋅ 10 36 10 32
U DEB = 26mV ⋅ ln ≈ 996 mV U DCB = 26mV ⋅ ln ≈ 718 mV
10 20 10 20

* Die Sperrschichtweite eines pn-Übergangs beträgt:

2⋅ε  1 1 
WS = ⋅  +  ⋅ (U D − U a ) mit Ua = äußere Spannung
e  nA nD 

Zahlenbeispiel: Dotierung wie oben; Ua = 0 V

WS/EB = 114 nm WS/CB = 969 nm

* Die Sperrschicht eines pn-Übergangs besitzt die Kapazität

A
CS = ε ⋅
WS

Zahlenbeispiel: Sperrschichtweite wie oben; Sperrschichtfläche A = 0,1 mm2

CS/EB ≈ 90 pF CS/CB ≈ 11 pF

(22)
Alle Erläuterungen werden im folgenden am Beispiel des npn-Transistors vorgenommen
178
Der bipolare Transistor als Schalter

* In der Sperrschichtkapazität wird die Ladung QWs gespeichert

QWs = CS ⋅ (UD - Ua)

Zahlenbeispiel: Sperrschichtkapazität und Diffusionsspannung wie oben; Ua = 0 V

QWs/EB ≈ 90⋅10-12 As QWs/CB ≈ 7,9⋅10-12 As

* Dotierung beim bipolaren Transistor

- Emitter sehr viel höher dotiert als die Basis
⇒ hohe Stromverstärkung B
Basiszone sehr dünn
- Kollektor niedrig dotiert ⇒ hohe Sperrspannung UCB
* Transistor-Effekt:
Nach Anlegen einer Durchlassspannung an die BE-Strecke fließt
- ein kleiner Majoritätsträgerstrom (wegen niedrig dotierter Basis) von der Basiszone in
die Emitterzone,
- ein großer Majoritätsträgerstrom (wegen hoch dotiertem Emitter) von der Emitterzone
in die Basiszone.
Dieser
. erreicht wegen der geringen Basisweite zum größten Teil die CB-Sperrschicht,
. ist an diesem pn-Übergang von der Art her ein Minoritätsträgerstrom,
. wird daher von der CB-Sperrspannung zum Kollektor abgesaugt.

12.2.2 Prinzipielle Ansteuerungsvarianten

Abbildung 12-5 zeigt eine typische Anordnung des Transistors als Schalter.
Die Kollektor-Emitterstrecke des Transistors ist in Reihe geschaltet zum Kollektorwider-
stand RC. Der Transistor schaltet den Strom durch den Widerstand RC ein bzw. aus.
Der eingezeichnete Stufenschalter deutet verschiedene Varianten der Ansteuerung des
Transistors an. +US1
RC

Abbildung 12-5 Ansteuerungsvarianten E IC

D IB
UCE
C
B A

-US2
In den Schalterstellungen A bis D wird der Transistor gesperrt:
- In Stellung A liegt eine Sperrspannung an der Basis-Emitter-Strecke,
- in Stellung B ist der Basisanschluss offen,
- in Stellung C ist die Basis-Emitter-Strecke kurzgeschlossen,
- in Stellung D mit einem Widerstand überbrückt.
In der Schalterstellung E wird die Basis mit Strom gespeist, der Transistor ist leitend.

179
Der bipolare Transistor als Schalter

12.2.3 Der gesperrte Transistor

Ist der Transistor gesperrt, dann
- fließt nur ein geringer Sperrstrom ICBsperr über den Kollektor-Basis-Übergang
(Minoritätsträgerströme: Löcherstrom von der Kollektor- zur Basiszone,
Elektronenstrom von der Basis- zur Kollektorzone)
- fällt am Kollektorwiderstand keine Spannung ab U RC ≈ 0 (wegen IC ≈ 0),
- liegt die volle Versorgungsspannung am Transistor und zwar hauptsächlich als
Sperrspannung am Kollektor-Basis-Übergang UCB ≈ UCE = US,

Fallunterscheidung
* Fall A: IE = 0 (Emitter offen oder BE-Strecke in Sperrpolung)
- ICBsperr kann nicht zum Emitter abfließen.
- ICBsperr fließt voll über den Basisanschluss ab.
IC2/A = ICBsperr = ICB0

ICB0 ist der kleinste mögliche Kollektorstrom

Zahlenbeispiel: Transistor BC107A; US1 = 10 V; ϑ = 25 °C

ICB0 = 10 nA
r2/A = raus/A = US1 / ICB0 = 10V / 10-8A = 1 GΩ

* Fall B: IB = 0 (z.B. Basisanschluss offen)

- ICBsperr kann nur über den Basis-Emitter-Übergang abfließen.
- ICBsperr ist am Basis-Emitter-Übergang von der Art her ein Majoritätsträgerstrom.
- Damit ICBsperr fließen kann, wird die Potenzialbarriere UDBE etwas abgebaut; es stellt
sich von selbst ein entsprechendes UBE > 0 ein
- Bei UBE > 0 fließen Majoritätsträger in beiden Richtungen über den Basis-Emitter-
Übergang;
- Wegen ND/E >> NA/B löst der vom Kollektor herkommende geringe Löcherstrom
einen wesentlich größeren Elektronenstrom vom Emitter in die Basiszone aus;
dieser Elektronenstrom wird zum Kollektor abgesaugt (Transistoreffekt)

Es gilt: IC2/B = ICE0 ≈ B⋅ ICB0

Zahlenbeispiel: ICB0 = 10 nA
B = 170
⇒ ICE0 = 1,7 µA
⇒ r2/B = raus/B = US1 / ICE0 ≈ 6 MΩ

180
Der bipolare Transistor als Schalter

* Fall C: UBE = 0 (BE-Strecke kurzgeschlossen)

- Verhältnisse liegen zwischen Fall A und Fall B (näher an Fall A)
- Es stellt sich ein Reststrom IC2/C = ICEK = ICES zwischen ICB0 und ICE0 ein

Es gilt: ICB0 < ICEK = ICES << ICE0

↑ ↑ ↑
UBE < 0 UBE = 0 UBE > 0

* Fall D: Basis über Widerstand mit Emitter verbunden

- Verhältnisse liegen zwischen Fall C und Fall B
- Es stellt sich ein Reststrom IC2/D = ICER zwischen ICEK und ICE0 ein

Es gilt: ICEK < ICER < ICE0

12.2.4 Der leitende Transistor (ungesättigt, UCB > 0)

12.2.4.1 Physikalische Vorgänge in der Basiszone

- Es fließt ein Kollektorstrom IC = B ⋅ IB + (B+1) ⋅ ICB0 ≈ B ⋅ IB

- Zwischen Emitter-Basis-Sperrschicht und Basis-Kollektor-Sperrschicht (d.h. innerhalb

der Basiszone) besteht kein Potenzialgefälle (⇒ kein elektrisches Feld)
dϕ
≈0
dx
- Der Ladungsträgerstrom durch die Basiszone erfolgt also nicht als Feldstrom sondern
ausschließlich wegen eines Gefälles dn/dx der Ladungsträgerkonzentration.
Für die Ladungsträgerkonzentration am emitter- bzw. am kollektorseitigen Ende der
Basiszone gilt:
U BE U BC
UT UT
n pB (0) = n pB0 ⋅ e und n p B ( WB ) = n p B 0 ⋅ e ≈0

Legende: n p B0 = Minoritätsträgerdichte in der Basis im stromlosen Zustand

UCB >> UT ; UCB > 0 ⇒ UBC < 0

Merke: Im ungesättigten leitenden Zustand des Transistors beträgt die Minoritäts-

trägerdichte am kollektorseitigen Ende der Basiszone n pB (WB ) ≈ 0 .

Alle ankommenden Minoritätsträger werden von UCB zum Kollektor

abgesaugt.

dn pB
- Es gilt I(x) ~ und I(x) = konst.
dx
(mit n p B = Konzentration der Elektronen (Minoritätsträger) in der p-dotierten Basis)

181
Der bipolare Transistor als Schalter

dn p B
Daraus folgt = konst.
dx

Es ergibt sich ein linearer Konzentrationsabfall der Elektronen in der Basis, man spricht
vom Diffusionsdreieck: npB(x)

Emitter Basis Kollektor

Abbildung 12-6
Diffusionsdreieck
RZ QB RZ

0 WB x
12.2.4.2 Ladungsträger-Laufzeit durch die Basiszone
Die Ladungsträgerlaufzeit lässt sich durch verschiedene Ansätze für den Kollektorstrom IC
und die in der Basiszone gespeicherte Ladung QB ermitteln.
Aus dem Diffusionsdreieck ist ersichtlich, dass in der Basis eine bestimmte Ladungsmenge
gespeichert ist. Diese Ladung ist bedeutsam für das dynamische Verhalten des Transistors.

Berechnung der Basisladung

* Ansatz (a) QB = Ladungsträgerzahl x Elementarladung

E B C

Abbildung 12-7
npB QB
Basisladung

0 WB
WB WB n p B (0) − n pB ( WB )
Q B = e ∫ n pB ( x ) ⋅ dV = e ⋅ A ∫ n pB ( x ) ⋅ dx = e ⋅ A ⋅ WB ⋅
0 0 2

n p B ( 0)
Q B = e ⋅ A ⋅ WB ⋅ (1)
2
dn
* Ansatz (b) I∼e I∼A I~
dx
n p B ( 0)
⇒ IC = Dn B ⋅ e ⋅ A ⋅ (2)
WB

k ⋅T
Proportionalitätskonstante: D nB = U T ⋅ µ n = ⋅ µn Diffusionskoeffizient
e
z.B. D n B = 35 cm2/s für Si bei 300K und ND ≤ 1016 cm-3

182
Der bipolare Transistor als Schalter

Aus den Gleichungen (1) und (2) ergibt sich:

WB 2
QB = ⋅ IC (3)
2 ⋅ Dn B

* Ansatz (c )
Abbildung 12-8 IC
Berechnung der Ladungsträger-Laufzeit
QB
WB
Strom IC durch Fläche A = Ladung die pro Zeiteinheit durch A fließt

∆Q
IC =
∆t
Wählt man für ∆t die Zeit, in der ein Ladungsträger vom emitterseitigen zum
kollektorseitigen Ende der Basiszone diffundiert ist (d.h. ∆t = τB = Trägerlaufzeit durch
die Basiszone), dann ist in dieser Zeitspanne gerade die in der Basis gespeicherte
Ladung ∆Q = QB durch die Fläche A hindurchgeflossen.
Q
Es gilt dann IC = B
τB
⇒ QB = IC ⋅ τB (4)

Berechnung der Ladungsträger-Laufzeit durch die Basis

Aus (3) und (4) ergibt sich:
WB 2
τB = (5)
2 ⋅ D nB

Zahlenbeispiel:
25 ⋅ 10 −12 m 2
(a) WB = 5 µm ⇒ τB = = 3,57 ns
2 ⋅ 35 ⋅ 10 −4 m 2 s
10 −12 m 2
(b) WB = 1 µm ⇒ τB = = 0,14 ns
2 ⋅ 35 ⋅ 10 −4 m 2 s
Die Ladungsträgerlaufzeit τB hängt mit der Transitfrequenz fT (siehe Abschnitt 11.2.5) des
Transistors zusammen (fT kann meist aus dem Datenblatt entnommen werden).
1
fT ≈
UT
2 ⋅ π ⋅ [τ B + ⋅ (C eb + C cb )]
IE
Bei größeren Strömen verlieren die Sperrschichtkapazitäten an Bedeutung, so dass dann
näherungsweise gilt:
1
τB ≈
2 ⋅ π ⋅ fT

183
Der bipolare Transistor als Schalter

12.2.5 Der leitende Transistor (gesättigt)

Es gilt UCE = US - IC ⋅ RC
Steigert man also den Strom IC bei konstantem Kollektorwiderstand und konstanter
Versorgungsspannung, so sinkt die Kollektor-Emitter-Spannung.

12.2.5.1 Betrieb an der Sättigungsgrenze

Ist UCE bis auf die Größe von UBE abgesunken, so wird UCB = 0.
Die Beschleunigungsspannung für Minoritätsträger an der Kollektor-Basis-Sperrschicht ist
gleich 0.
Die Minoritätsträgerdichte am kollektorseitigen Ende der Basiszone kann nicht mehr auf 0
gehalten werden:
U BC
UT
n p B (WB ) = n p B0 ⋅ e = n p B0 ⋅ e0 = n p B0 >> 0

Es können keine zusätzlichen Minoritätsträger abgesaugt werden.

Das Konzentrationsgefälle der Minoritätsträger in der Basiszone hat seinen höchsten Wert
erreicht (Größte mögliche Steigung der Hypotenuse im Diffusionsdreieck).
Der Transistor arbeitet an der Sättigungsgrenze.
npB(x)
Abbildung 12-9
 dn 
Diffusionsdreieck bei   ~ I C0
 dx  max
Betrieb an der Sättigungsgrenze Betrieb an der
IC < IC0 Sättigungsgrenze
ungesättigter
Betrieb

0 WB x

Der Kollektorstrom kann nicht mehr weiter erhöht werden.(23)

An der Sättigungsgrenze gelten folgende Beziehungen und Bezeichnungen (Index 0 für

Betrieb an der Sättigungsgrenze):
IC = IC0
IB = IB0
IC0 = B0 ⋅ IB0 mit B0 ≈ B

(23)
Im anschließenden Bereich der Sättigung ist nur noch eine geringfügige weitere Steigerung
möglich.
184
Der bipolare Transistor als Schalter

12.2.5.2 Transistor übersteuert

Erhält der Transistor einen größeren Basisstrom als für den Betrieb an der Sättigungsgrenze
erforderlich (IB > IB0) , so wird er übersteuert; der Transistor arbeitet in der Sättigung.
Der Übersteuerungsfaktor ü ist ein Maß für den Grad der Übersteuerung:
I B1
ü=
I B0

Index 0 für Betrieb an der Sättigungsgrenze

Index 1 für Betrieb in der Sättigung (Schaltzustand EIN)
Für den Betrieb in der Sättigung (IB > IB0) gilt:
- erhöhte Ladungsträgerinjektion aus dem Emitter in die Basis
- zusätzliche Ladungsträger können nicht zum Kollektor abgesaugt werden, der
Kollektorstrom kann nicht weiter gesteigert werden
IC1 ≈ IC0
- Basiszone wird überladen
- überschüssige Ladungen müssen über den Basisanschluss abgeführt werden
- die Stromverstärkung sinkt rapide
I C1 I C0 I C0 B0
B1 = ≈ = =
I B1 I B1 ü ⋅ I B0 ü

B0 B
B1 ≈ ≈
ü ü

Ladungsträgerkonzentration in der Basis beim Betrieb in der Sättigung

Da überschüssige Minoritätsträger nicht zum Kollektor abgesaugt werden, führt die erhöhte
Ladungsträgerinjektion aus der Emitterzone in der gesamten Basiszone zu einer gleich-
mäßigen Erhöhung der Minoritätsträgerkonzentration.
Wegen IC1 ≈ IC0 entspricht das Konzentrationsgefälle jenem an der Sättigungsgrenze.
npB(x)

Abbildung 12-10 E B C
Ladungsträgerkonzentration IB1 > IB0
in der Basis beim übersteuerten IC1 ≈ IC0
Transistor IB0; IC0 QS

RZ RZ
QB

0 WB x
Der erhöhten Ladungsträgerkonzentration in der Basis entspricht die Überschussladung
bzw. Speicherladung QS.

185
Der bipolare Transistor als Schalter

Sättigungsspannung UCEsat
Die Überladung der Basiszone führt zu einem Abbau der Potenzialschwelle (gebildet durch
die Diffusionsspannung UD/CB) am Kollektor-Basis-Übergang
⇒ Die Kollektor-Basis-Diode geht (scheinbar) in Durchlasspolung über
⇒ UCB < 0
⇒ UCE1 = UCEsat < UBE1

Im übersteuerten Zustand ist die Kollektor-Emitterspannung am Transistor kleiner als die

Basis-Emitterspannung.
Zahlenbeispiel: IC1 = 0,1 A
UCEsat = 0,1 V
⇒ r1 = rein = UCEsat / IC1 = 1 Ω

Der Transistor hat einen kleinen aber endlichen EIN-Widerstand.

Grenzfall: für ü >> 1
wird UCEsat ≈ IC1 ⋅ (rCC’ + rEE’) (rCC’; rEE’: Bahnwiderstände)

12.2.6 Kennlinien-Arbeitsbereiche des Transistors als Schalter

Der Transistor kann auch als Schalter nur dort Arbeitspunkte einnehmen, wo Kennlinien
des Transistors verlaufen.
Darüber hinaus dürfen bestimmte Grenzwerte von Strom, Spannung und Verlustleistung
nicht überschritten werden.
Damit ergeben sich ganz bestimmte mögliche bzw. zulässige Arbeitsbereiche im
Kennlinienfeld.
IC

Abbildung 12-11 6
ICmax
Arbeitsbereiche des Transistors
1
1 Sättigungsbereich 4
2 Sperrbereich
3 normal aktiver Bereich 7
4 Bereich verbotener Dauerleistung 5
5 Durchbruchbereich 3
6 Bereich verbotener Kollektorströme
7 nicht erreichbare Bereiche 2
7
UBR UCE
Für den Schaltbetrieb werden Arbeitspunkte im Sättigungs- bzw. Sperrbereich des
Ausgangskennlinienfeldes gewählt.

186
Der bipolare Transistor als Schalter

IC

Abbildung 12-12 UCB=0

Transistor-Arbeitspunkte IC1 IC0
im Schaltbetrieb
ICES ICB0

(Sättigungs- und insbesondere ICE0

Sperrbereich stark vergrößert IB=0
dargestellt)
UBE=0
IE=0

IC2 UCE
Aus Abbildung 12-11 und Abbildung 12-12 lässt sich entnehmen:
- Die Koordinatenachsen UCE = 0 und IC = 0 sind durch den Transistor nicht erreichbar.
- Sehr große Spannungen und Ströme dürfen mit dem Transistor nicht geschaltet werden.
- Der Transistor ist demzufolge kein idealer Schalter.

12.3 Das dynamische Verhalten

12.3.1 Einschaltvorgang
Beim Einschalten eines Transistors (durch Einschalten des Basisstromes IB) verstreicht
kurze Zeit, bis der Transistor am Ausgang (IC) durchgeschaltet ist.

IB1

Abbildung 12-13 IB2

Einschaltverhalten des Transistors

td = delay time (Verzögerungszeit) 0,9⋅IC1

tr = rise time (Anstiegszeit) 0,1⋅IC1
td tr

Berechnung der Verzögerungszeit td

Für die Berechnung wird vorausgesetzt, dass vor dem Einschaltaugenblick eine
Sperrspannung U2 an der Basis-Emitterstrecke des Transistors anliegt.
Ansatz:
Verzögerungszeit = Zeit zum Entladen/Umladen von Ceb und Ccb bis uBE = 0 (⇒ td1)
+
Zeit für Stromanstieg bis auf 10% von IC1 (⇒ td2)

td = td1 + td2

187
Der bipolare Transistor als Schalter

* Berechnung von td1:

Die Berechnung erfolgt anhand der Ersatzschaltung nach Abbildung 12-14.
US

Abbildung 12-14
RC
Ersatzschaltbild zur Berechnung von td1

Legende: U1 Ccb
U2 = Sperrspannung vor Einschalten (U2 < 0)
U1 = Signalspannung zum Einschalten uBE
U2 RB
Cbe

Da die Sperrschichtkapazitäten Cbe und Ccb spannungsabhängig sind, erfolgt die

Berechnung nur näherungsweise und unter vereinfachenden Annahmen.
Grundsätzlich ist die Basis-Emitter-Sperrschichtkapazität Cbe deutlich größer als die
Kollektor-Basis-Sperrschichtkapazität Ccb (kleinere Sperrschichtweite des Basis-
Emitter-Übergangs wegen hoher Emitterdotierung und wegen u BE << u CB ).

In erster Näherung können Ccb und RC daher vernachlässigt werden.

Für uBE(0) = U2, uBE(∞) = U1 und uBE(td1) = 0 ergibt sich dann:

U1 − U 2
t d1 = R B ⋅ C be ⋅ ln
U1
Eine genauere Lösung lautet:
U1 − U 2
t d1 = [R B ⋅ C be + (R B + R C ) ⋅ C cb ] ⋅ ln
U1

* Berechnung von td2:

td2 ist die Zeit für den Stromanstieg von 0 auf 10% von IC1.
Der Stromanstieg erfordert Zeit, da sich die für den Stromfluss erforderliche
Minoritätsträgerdichte in der Basiszone erst aufbauen muss:
npB
Abbildung 12-15: C
E B
Aufbau der Ladungsträger-
konzentration in der Basiszone
t

x
0 WB
Für die Berechnung der Zeit td2 wird ein exponentieller Anstieg mit einer Zeitkonstante
τE angenommen.
Solange der Transistor noch nicht in der Sättigung arbeitet, ist die normale
Stromverstärkung B wirksam. Der Kollektorstrom steigt in Richtung auf einen
theoretischen Endwert IC/th = B⋅IB1.
188
Der bipolare Transistor als Schalter

Sobald der Sättigungsstrom IC1 erreicht ist, tritt Strombegrenzung durch die äußere
Schaltung auf; der Stromanstieg endet.
iC
theoretischer Stromanstieg
Abbildung 12-16 ohne Sättigung nach B⋅IB1
Theoretischer Ansatz
zur Berechnung von
td2 und tf 0,9⋅IC1 Betrieb in der Sättigung IC1

(In der Zeichnung ist ein

Übersteuerungsfaktor ü = 2 0,1⋅IC1
berücksichtigt)
t
tr
td2
t
−
τE
Ansatz: i C (t) = I x ⋅ e + Iy
Aus iC(0) = Ix + Iy = 0
und iC(∞) = Iy = B⋅IB1 (theoretischer Endwert ohne Sättigung)
folgt Ix = -Iy = -B⋅IB1
t
−
τE
sowie i C ( t ) = B ⋅ I B1 ⋅ (1 − e )

I B1 ⋅ B
Mit t = td2 und i C ( t )= 0,1 ⋅ I C1 = 0,1 ⋅
ü
ü
ergibt sich daraus t d 2 = τ E ⋅ ln
ü − 0,1

Für τE gilt τE = (τB + RC ⋅ Ccb)⋅B ≈ τB⋅B

(Faktor B, weil Steuerung über die Basis)

Zahlenbeispiel: τB = 0,2 ns
B = 100
⇒ τE = 20 ns
(a) ü=5
5
t d 2 ≈ 20ns ⋅ ln = 0,4ns
4,9
(b) ü=1
1
t d 2 ≈ 20ns ⋅ ln = 2,1ns
0,9
* Gesamtverzögerungszeit td = td1 + td2

U1 − U 2 ü
t d = [R B ⋅ C be + (R B + R C ) ⋅ C cb ] ⋅ ln + τ B ⋅ B ⋅ ln
U1 ü − 0,1

189
Der bipolare Transistor als Schalter

Berechnung der Anstiegszeit tr

Für die Berechnung des Stromanstieges wird die folgende, oben abgeleitete Gleichung
verwendet.
t
−
τE
i C ( t ) = B ⋅ I B1 ⋅ (1 − e )

Es wird davon ausgegangen, dass bei 90% von IC1 die Sättigung des Transistors noch
nicht erreicht ist.
Mit tr = t90% - t10%

ü − 0,1
ergibt sich t r ≈ τ B ⋅ B ⋅ ln
ü − 0,9

Zahlenbeispiel: τB = 0,2 ns
B = 100
(a) ü=5 tr = 3,6 ns
(b) ü=1 tr = 43,9 ns

Berechnung der Einschaltzeit ton

ton = td + tr

12.3.2 Der Ausschaltvorgang

Erhält der Transistor über die Basis den Befehl zum Ausschalten, so folgt der
Kollektorstrom diesem Befehl nur verzögert. npB

Abbildung 12-17
Minoritätsträgerkonzentration
in der Basiszone des gesättigten QS
Transistors vor dem Ausschalten RZ RZ
QB
x
0 WB

- Zunächst muss die Speicherladung QS in der Basiszone abgebaut werden. In dieser Zeit
fließt der volle Kollektorstrom weiter (Speicherzeit).
- Anschließend muss die Basisladung QB abfließen. Erst in dieser Phase sinkt der
Kollektorstrom (Abfallzeit).
- Solange die Minoritätsträgerkonzentration am emitterseitigen Ende der Basiszone stark
erhöht ist, sperrt der Basis-Emitter-Übergang nicht.

190
Der bipolare Transistor als Schalter
IB1

Abbildung 12-18 t
Ausschaltverhalten IB2
IB2M
des Transistors
IB2M = Amplitude des Rückstromes IC1
ts = storage time (Speicherzeit) 0,9⋅IC1
tf = fall time (Abfallzeit)
0,1⋅IC1
t
ts tf

- Beim Umpolen der Steuerspannung bleibt zunächst eine positive Basis-Emitterspannung

bestehen und es fließt ein hoher Rückstrom über die Basis-Emitter-Diode. Durch diesen
Rückstrom wird der Abbau der Minoritätsträgerdichte in der Basis beschleunigt.
- Die Höhe des Rückstromes wird von der äußeren Beschaltung der Transistorbasis
bestimmt.
Berechnung der Speicherzeit
Ansatz:
Speicherzeit = Zeit bis zum Abbau der Speicherladung in der Basis (⇒ tS1)
+
Zeit für Stromabfall von 100% auf 90% (⇒ tS2)

tS = tS1 + tS2

* Berechnung von ts1 (Abbau der Speicherladung)

Annahme 1: Speicherladung ∼ Ausmaß der Übersteuerung

QS = τ ⋅ (IB1 - IB0) (τ = Proportionalitätskonstante)
Annahme 2: Exponentieller Abbau der Speicherladung in Richtung auf den
theoretischen Endwert τ⋅(IB2M – IB0)
Abbildung 12-19 Abbau der Speicherladung
qS QS = τ⋅(IB1 – IB0)

t
0 tS1
theoretischer Abbau der Speicherladung in
Richtung auf τ⋅(IB2M – IB0)

Tatsächlich endet der Abbau der Speicherladung beim Wert qS(tS1) = 0. Eine negative
Speicherladung tritt nicht auf.

191
Der bipolare Transistor als Schalter

t
−
τs
Ansatz: q s (t) = Q x ⋅ e + Qy

Mit qS(0) = QS = τ ⋅ (IB1 - IB0)

und qS(∞) = τ ⋅ (IB2M - IB0) (theoretischer Endwert der e-Funktion)
t
−
τs
ergibt sich q s ( t ) = τ ⋅ [( I B1 − I B2 M ) ⋅ e + ( I B2 M − I B0 )]

Mit qS(tS1) = 0
I B1 − I B2 M
wird t S1 = τS ⋅ ln
I B0 − I B 2 M

I B1
In Analogie zu dem Übersteuerungsfaktor ü = wird ein Ausräumfaktor a
I B0
−I B 2 M
definiert: a=
I B0

a+ü
Damit wird t S1 = τ S ⋅ ln
a +1

Die Speicherzeitkonstante τS kann häufig dem Datenblatt entnommen werden.

Zahlenbeispiel: τS = 100 ns
(a) a=x
ü=1 (keine Übersteuerung)
⇒ tS1 = 100ns ⋅ ln1 = 0 (keine Speicherzeit)

(b) a=0 (kein Ausräumstrom)

ü=5
⇒ tS1 = 100ns ⋅ ln5 = 160ns

(c) a=1
ü=5
⇒ tS1 = 100ns ⋅ ln3 = 110ns

(d) a=5
ü=5
⇒ tS1 = 100ns ⋅ ln(10/6) = 51ns

(e) a = 20
ü=5
⇒ tS1 = 100ns ⋅ ln(25/21) = 17,4ns

192
Der bipolare Transistor als Schalter

* Berechnung von tS2

Ausgangssituation:
QS ist bereits abgebaut. Der Transistor ist an der Sättigungsgrenze. In der
Basiszone befindet sich noch die Ladung QB. Diese muss nun abgebaut werden.
Annahme:
Die Abnahme des Kollektorstromes (Abbau der Basisladung QB) erfolgt nach
einer e-Funktion. Die Abnahme des Kollektorstromes wird maßgeblich durch die
Größe des rückwärts gerichteten Basisstromes IB2M bestimmt. Der exponentielle
Verlauf der Stromabnahme endet daher theoretisch bei dem Wert B⋅IB2M.
Tatsächlich wird aber nur der Wert IC = 0 erreicht. Danach verschwindet auch der
Strom IB2M. Negative Kollektorströme sind nicht möglich.
Abbildung 12-20 Abnahme des Kollektorstromes
iC IC0 = B⋅IB0 ≈ IC1
0,9⋅IC0

0,1⋅IC0 IC = 0
t
tS2 tf
theoretischer Abbau des Kollektor-
stromes in Richtung auf B⋅IB2M
t
−
τE
Ansatz: i C (t ) = I x ⋅ e + Iy

Mit iC(0) = Ix + Iy = IC0 = B ⋅ IB0

und iC(∞) = Iy = B ⋅ IB2M
t
−
τE
wird i C ( t ) = B ⋅ ( I B0 − I B2 M ) ⋅ e − B ⋅ I B2M

Mit iC(tS2) = 0,9 ⋅IC1 ≈ 0,9 ⋅IC0

I B0 − I B 2 M
wird t S2 = τ E ⋅ ln
0,9 ⋅ I B0 − I B2 M

a +1
bzw. t S2 = τ E ⋅ ln (mit τE = B ⋅ τB)
a + 0,9

Zahlenbeispiel: τE = 20 ns
(a) a=0 ⇒ tS2 = 2,1 ns
(b) a=1 ⇒ tS2 = 1 ns
(c) a=5 ⇒ tS2 = 0,34 ns
(d) a = 20 ⇒ tS2 = 0,1 ns

193
Der bipolare Transistor als Schalter

* Gesamt-Speicherzeit tS = tS1 + tS2

a+ü a +1
t S = τ S ⋅ ln + τ E ⋅ ln
a +1 a + 0,9

Berechnung der Abfallzeit tf

Zur Berechnung dient die im Zusammenhang mit tS2 abgeleitete Gleichung für den
Verlauf des Kollektorstromes. Der Abfall von 90% auf 10% von IC1 erfolgt in der
Zeit
a + 0,9
t f = τ E ⋅ ln
a + 0,1

Zahlenbeispiel: τE = 20 ns
(a) a=0 ⇒ tf = 43,9 ns
(b) a=1 ⇒ tf = 10,9 ns
(c) a=5 ⇒ tf = 2,9 ns
(d) a = 20 ⇒ tf = 0,8 ns

Graphische Darstellung der Ergebnisse der Zahlenbeispiele

U1
t/ns
U2
Abbildung 12-21
Ausschaltvorgang für unterschiedliche
Übersteuerungs- und Ausräumfaktoren
IC1

a = 20 5 1 0
ü=5 IC2
t/ns
0 100 200

ü=1 a=20 1 0
t/ns
0 50

194
Der bipolare Transistor als Schalter

12.4 Maßnahmen zur Verbesserung des Schaltverhaltens

Statische Eigenschaften Maßnahmen

IC2 verkleinern a) Si-Transistoren

(Reststrom) b) Kühlung
c) niederohmiger BE-Abschluss IC2 = ICER

Schaltung A

d) Sperrspannung an BE-Strecke IC2 = ICB0

Schaltung B

-US

UCEsat verkleinern a) Spezialtransistoren

b) ü >> 1
c) Überdimensionierung [UCEsat = IC(rCC+rEE)]
(große Transistoren haben kleine rCC und rEE)

195
Der bipolare Transistor als Schalter

Dynamische Eigenschaften Maßnahmen

ton verkleinern a) ü >> 1 statisch

b) ü >> 1 dynamisch

Schaltung C

c) kleine Schaltspannung (US klein)

toff verkleinern a) statische Übersteuerung klein

- ü wenig über 1
(in Verbindung mit Schaltung C )
- Schottky-Diode über BC-Strecke
. niedrige Durchlassspannung
. sehr kurze Schaltzeit

Schaltung D

(Schottky-Diode begrenzt Transistorsättigung)

- ersatzweise normale Dioden einsetzen

Schaltung E

b) ungesättigter Betrieb (z.B. ECL)

Schaltung F UCC

uout
uin
Uref
-UEE
c) Ausräumen der Basis mit BE-Rückwärtsbetrieb
(Schaltung B oder Schaltung C )
d) kleine Schaltspannung (US klein)

196
Der bipolare Transistor als Schalter

12.5 Schaltverlustleistung
Am Schalttransistor tritt Verlustleistung auf
- während der statischen Betriebszustände sowie
- in den Schaltphasen.
Für die folgenden Berechnungen wird ein Betrieb mit ohmscher Last zugrunde gelegt.
USt
U1 U1

Abbildung 12-22 t
U2 U2
Ein- und Ausgangssignale beim
Schalten einer ohmschen Last t1 t2
IB IB1 IB1

IB2 IB2M IB2

Im Transistor wird an der Basis-
Emitterstrecke sowie an der Kol- UBE UBE1 UBE1
lektor-Emitterstrecke während der
statischen Schaltzustände sowie UBE2 UBE2
während der dynamischen Um-
schaltvorgänge Wärmeenergie
IC
freigesetzt.
IC1
IC2 IC2
An der Basis-Emitter-Strecke wird
Wärme im wesentlichen nur wäh-
rend des statischen EIN-Zustandes UCE
erzeugt. Die Energiefreisetzung in UCE2 UCE2
der Sperrphase und während der UCE1
Umschaltvorgänge kann vernach-
td tr ts tf
lässigt werden.

An der Kollektor-Emitter-Strecke wird Wärme freigesetzt während des statischen EIN-

Zustandes sowie während der Umschaltvorgänge. Die Wärmeerzeugung in der statischen
AUS-Phase ist vernachlässigbar.

Die gesamte Verlustleistung des Schalttransistors errechnet sich damit nach folgender
Gleichung
1 tr tf
PVges ≈ [I B1 ⋅ U BE1 ⋅ t 1 + I C1 ⋅ U CE1 ⋅ ( t 1 − t d − t r + t s ) + ∫ i C ⋅ u CE ⋅ dt + ∫ i C ⋅ u CE ⋅ dt ]
T 0 0

Nähert man die Anstiegs- und Abfallflanken von IC und UCE wie in Abbildung 12-22 durch
Geradenstücke an, so lassen sich die Integrale lösen und es ergibt sich die Gesamtverlust-
leistung

1 1
PVges ≈ {I B1 ⋅ U BE1 ⋅ t 1 + I C1 ⋅ U CE1 ⋅ ( t 1 − t d − t r + t s ) + [I C1 ⋅ U CE 2 ⋅ ( t r + t f )]}
T 6

197
Der bipolare Transistor als Schalter

Statische und dynamische Anteile der Verlustleistung eines Schalttransistors.

Zahlenbeispiel:
* Gegebene Daten:
UBE1 = 1 V UCE1 = 0,5 V UCE2 = 60 V td = ts = 0,5 µs
IB1 = 0,1 A IC1 = 1 A tf = tr = 1 µs
t1 = t2 = T/2
* Berechnungen:
Ermittlung der oberen Grenze der Schaltfrequenz:
(Maximal mögliche Frequenz mit voller Aussteuerung des Ausgangssignals.
Es treten nur noch Schaltflanken, keine statischen Zustände mehr auf)
1 1 1
f max = = = ≈ 333kHz
t on + t off ( t d + t r ) + ( t s + t f ) 3µs

Statische Verlustleistung Dynamische Verlustleistung der CE-Strecke

(t1 >> ton ; t2 >> toff) 1 1
Pdyn / CE = ⋅ ⋅ [I C1 ⋅ U CE 2 ⋅ ( t r + t f )]
T 6
BE-Strecke:
f = 104 Hz ⇒ T = 100 µs
Pst/BE = UBE1 ⋅ IB1 ⋅ t1/T = 0,05 W 1 1
Pdyn / CE = ⋅ ⋅ [1A ⋅ 60V ⋅ 2µs] = 0,2W
100µs 6
CE-Strecke:
f = 105 Hz ⇒ T = 10 µs
Pst/CE = UCE1 ⋅ IC1 ⋅ t1/T = 0,25 W 1 1
Pdyn / CE = ⋅ ⋅ [1A ⋅ 60V ⋅ 2µs] = 2W
10µs 6
Statische Gesamtverlustleistung: (statische Verluste auf 0,2W abgesunken)

Pst/ges = Pst/BE + Pst/CE = 0,3 W f = 333 kHz ⇒ T = 3 µs

1 1
Pdyn / CE = ⋅ ⋅ [1A ⋅ 60V ⋅ 2µs] = 6,67W
3µs 6
(bei 333 kHz keine statischen Verluste mehr)

Der frequenzabhängige Verlauf der Verlustleistung ist in Abbildung 12-23 dargestellt

Bereich überwiegend
PV/W dynamischer Verluste

6,7
Abbildung 12-23 6
Frequenzabhängige Verlust-
leistung eines Schalttransistors
4
2,2
2

0,3 0,5 f /Hz

0
1 102 104 106
fmax
198
Der bipolare Transistor als Schalter

12.6 Transistorschalter bei ohmscher, kapazitiver und induktiver Last

12.6.1 Ohmsche Last

Abbildung 12-24 Der Schalttransistor mit ohmscher Last

Schaltung Zeitlicher Verlauf von Arbeitspunkte und Schaltübergänge

Strömen und Spannungen im Ausgangskennlinienfeld
IC
IB B C
US ICmax
A D
t
RL IC B
B C C

A D
t
UCE A D

B C A
t
D UBR UCE

Die Arbeitspunkte liegen im erlaubten Bereich.

Der Übergang zwischen den Arbeitspunkten (A → B bzw. C → D) findet entlang der
Widerstandsgeraden des Lastwiderstandes statt.
Die Schaltzeiten sind kurz und werden von den dynamischen Eigenschaften des Transistors
und der Ansteuerungsart bestimmt.
Der Bereich verbotener DC-Leistung (P > Ptot) darf beim Umschalten durchlaufen
werden
(Vorsicht: Bei höheren Frequenzen kann Ptot durch dynamische Verluste überschritten
werden).

12.6.2 Ohmisch-induktive Last

(Siehe hierzu Abbildung 12-25)
Die Arbeitspunkte liegen im erlaubten Bereich.
Beim Einschalten bricht die Spannung UCE sofort zusammen, der Strom IC steigt
allmählich an (Übergang A → B → C).
Beim Ausschalten ohne Schutzmaßnahmen (Schaltung A ) erzeugt die Induktivität eine
hohe Gegenspannung. Dadurch steigt UCE bis zur Durchbruchspannung an (C → D1), der
Strom IC nimmt trotz abgesteuertem Transistor nur langsam ab (D1 → D2).
Erst wenn der Strom auf 0 abgesunken ist, geht UCE auf US zurück (D2 → E).
Bei dem Betrieb im Durchbruch (D1 → D2) droht die thermische Zerstörung des
Transistors durch den 2. Durchbruch.

199
Der bipolare Transistor als Schalter

Zum Schutz des Transistors gegen die hohe Induktionsspannung kann eine Diode parallel
zur induktiven Last eingebaut werden (Schaltung B ). Damit wird die Gegenspannung auf
die Durchlassspannung der Diode begrenzt. Der Abschaltvorgang wird stark verzögert.
Eine ausreichende Begrenzung der Spannung UCE bei geringer Verzögerung des
Abschaltvorganges wird durch eine zusätzliche Z-Diode erreicht (Schaltung C ).

Abbildung 12-25 Transistorschalter mit ohmisch-induktiver Last

Schaltung Zeitlicher Verlauf von Arbeitspunkte und Schaltübergänge

Strömen und Spannungen im Ausgangskennlinienfeld

US
IB B C IC
L D E ICmax
A A
t
RL IC C/D1
C
AB D2 E D1
t
UCE D1 D2 RL
A E D2
E
BC B A UBR UCE
t

IB B C IC
US
A D E ICmax
t
B L
IC C/D3 C
RL D3
A B D4 E
t
RL
UCE A D3/D4 D5 E
D4/D5
BC B A/E UBR UCE
t

IB B C IC
A D E ICmax
t
L
C
IC C/D6 C D6
RL
AB D7 E
t
RL
D6/D7
UCE D8
A E E
BC B A D7/D8 U
t BR UCE

200
Der bipolare Transistor als Schalter

12.6.3 Ohmisch-kapazitive Last

(Siehe hierzu Abbildung 12-26)

Eine kapazitive Last (Schaltung A ) stellt beim Einschalten des Transistors anfänglich
einen Kurzschluss dar. Der Strom IC springt in Abhängigkeit vom angebotenen
Basisstrom auf den Wert IC = B⋅IB1 (A → B1). Die Spannung UCE sinkt nur langsam in
dem Maße, wie sich der Lastkondensator auflädt (B1 → B2). Erst wenn UCE bis auf die
Sättigungsspannung UCEsat abgesunken ist, geht der Strom IC auf den statischen Wert IC1
zurück (B2 → C).
Beim Ausschalten bricht der Strom IC sofort zusammen, die Spannung UCE steigt erst
allmählich an (C → D → E).
Liegt der Bereich B1 - B2 beim Einschalten im Bereich verbotener DC-Leistung
(PV > Ptot), so droht die thermische Zerstörung des Transistors.

Abbildung 12-26: Transistorschalter mit kapazitiver Last

Schaltung Zeitlicher Verlauf von Arbeitspunkte und Schaltübergänge

Strömen und Spannungen im Ausgangskennlinienfeld

IB B C IC B1

A D E
t ICmax B2
B1 B2
C IC
A RL
C C
A D E
t

UCE A/B1 E RL

D A
t
B2 C/D E UBR UCE

IB B C IC
A D E
t ICmax
B3

RS IC
B3
B RL C C
C A D E
t

UCE A RL RLRS
E
D
D A
t
B3 C E UBR UCE

201
Der bipolare Transistor als Schalter

Zum Schutz des Transistors gegen den hohen Einschaltstrom schaltet man einen
Widerstand RS in Reihe zu der Lastkapazität (Schaltung B ). Der Transistor schaltet
dann sofort vollständig bis in die Sättigung durch (A → B3). UCE fällt sofort auf UCEsat.
Bei geeigneter Wahl des Widerstandes RS bleibt IC im zulässigen Wertebereich
(IC < ICmax). Mit der Zeitkonstante RS ⋅ C sinkt IC anschließend auf den statischen Wert
IC1 (B3 → C).
Der Widerstand RS beeinflusst den Ausschaltvorgang in unkritischer Weise (C → D → E).

12.7 Transistor in digitalen Grundschaltungen

US
Abbildung 12-27 Inverter
Q
E1

Abbildung 12-28 US
NOR-Gatter
(RTL = Widerstands-Transistor-Logik) E1 Q

E2

ODER NOT

US
Abbildung 12-29 10kΩ
NAND-Gatter E1 Q
(RTL = Widerstands-Transistor-Logik) 10kΩ
E2
8,2kΩ

-US

UND NOT

US
Abbildung 12-30
NOR-Gatter Q
E1
(DTL = Dioden-Transistor-Logik)
E2

202
ODER NOT
Der bipolare Transistor als Schalter

US

E1 Q
Abbildung 12-31
ODER-Gatter
E2

ODER NOT NOT

US

Abbildung 12-32 E1 Q
NAND-Gatter
E2

UND NOT

US

E1 Q
Abbildung 12-33
UND-Gatter E2

UND NOT NOT

US
Abbildung 12-34
UND-Gatter Q
(TTL-Transistor-Transistor-Logik)
E1
E2

UND NOT NOT

203
Der bipolare Transistor als Schalter

Abbildung 12-35 US
Schmitt-Trigger
(Schwellwertschalter Q
mit Hysterese)
E
Schaltung Mitkopplungs-
Widerstand

NOT NOT

t
Zeitdiagramme
Q

US
Abbildung 12-36
Flip-Flop Q Q
(bistabiler Multivibrator)

Legende:
S = Setzeingang S R
R = Rücksetzeingang
Q = Ausgang
Q = invertierter Ausgang

Abbildung 12-37 US
Astabiler Multivibrator R1 R2
(Rechteckgenerator )
UQ Q Q
T
C1 C2

0,7⋅R1⋅C1 0,7⋅R2⋅C2

T ≈ 0,7⋅(R1⋅C1 + R2⋅C2)

204
Der bipolare Transistor als Schalter

US
Abbildung 12-38 R1
Monostabiler Multivibrator C1
(„Mono-Flop“)(„one-shot“) Q Q
E
E

t
Q

t
T T

T ≈ 0,7⋅R1⋅C1

12.8 Übungsaufgaben zum Transistor als Schalter

Aufgabe 12-1: Berechnung einer Speicherzeit

Das Datenblatt des pnp-Transistors 2N4033 enthält u.a. folgende Kenndaten:

Dynamische Kenndaten (TU = 25 °C)

Schaltzeiten:
(-VCC = 30V, -IC = 500 mA, -IB1 = IB2 = 50 mA)
Speicherzeit ts < 350 ns
Abfallzeit tf < 50 ns
Stromverstärkung B = f(IC)
IB (UCE = -5 V, TU = 25 °C)
Eingangsimpuls
103
IB1
B
t
IB2
102
IC Ausgangsimpuls
IC1
0,9⋅IC
1 101
0,1⋅IC
t
td tr ts tf
100 -1
10 100 101 102 103
-IC/mA
Mit welcher (maximalen) Speicherzeit muss gerechnet werden, wenn der Transistor
von -IC1 = 1A und -IB1 = 50 mA mit IB2 = 100 mA ausgeschaltet wird ?

205
Der bipolare Transistor als Schalter

Aufgabe 12-2: Transistor mit kapazitiver Last

IC/mA 0,6
US Ptot
24 V
RB RP 100
39 kΩ 1kΩ 0,5
C
2000 µF 80
IC 0,4
1 IB 60
S 0,3
0 IB/mA
Gnd 40 0,2
Z
20 RP 0,1
A
0 UCE/V
0 10 20 30

Mit dem Schalters S kann der Transistor eingeschaltet werden.

(a) Wie groß ist der Basisstrom in Schalterstellung 1 (mit UBE = 0,6 V)
(b) Zeichne in das Ausgangskennlinienfeld möglichst genau ein, auf welchem Weg der
Übergang von dem statischen Anfangspunkt A in den statischen Endzustand Z beim
Einschalten und von Z nach A beim Ausschalten stattfindet.
(c) Markiere spezielle Punkte (z.B. Ecken) entlang dieses Weges und bezeichne sie z.B.
mit den Buchstaben B, C usw.. Welche Übergänge A→B, B→C usw. erfolgen sehr
schnell, welche langsam ?
(d) Wie groß ist der maximal auftretende Kollektorstrom des Transistors ?

Aufgabe 12-3: Allgemeine Fragen zum Schalttransistor

(a) Was ist die Sättigungsgrenze ?
(b) Was versteht man unter dem Übersteuerungsfaktor ?
(c) Was versteht man unter dem Ausräumfaktor ?
(d) Wann und warum tritt eine Speicherzeit auf ?
(e) Wie kann man die Speicherzeit reduzieren oder verhindern ?
(f) Wie kann man die Einschaltzeit und die Ausschaltzeit minimieren ?
(g) Wie schützt man den Schalttransistor vor Überspannungen beim Schalten einer
induktiven Last ?
(h) Wie schützt man einen Schalttransistor vor zu höhen Strömen beim Schalten einer
kapazitiven Last ?
(i) Wovon hängt die Ladungsträgerlaufzeit durch die Basiszone eines Transistors ab ?

206
Der Feldeffekttransistor

13 Der Feldeffekttransistor (FET)

13.1 Allgemeines / Grundprinzip
* FET = Halbleiterbauelement, bei dem der Ladungsträgerstrom in einem Stromkanal
durch ein elektrisches Querfeld gesteuert wird
* Zwei mögliche Wirkungsprinzipien
- Steuerung des Kanalquerschnitts
- Steuerung der Leitfähigkeit des Stromkanals
* Prinzipieller Aufbau
- Grundelement des FET ist ein dünner dotierter Halbleiterkristall mit elektrischen
Anschlüssen an den beiden Enden
- Die äußeren Anschlüsse werden Drain (D) und Source (S) genannt
- Legt man eine Spannung UDS zwischen die Drain- und Source-Anschlüsse, so fließt
Strom in einem gesteuerten Stromkanal (Drainstrom ID).
- Die Steuerung des Querschnitts bzw. der Leitfähigkeit des Stromkanals erfolgt durch
ein Querfeld
- Eine dritte Elektrode dient zur Aufprägung des Querfeldes
- Die dritte Elektrode (Steuerelektrode) wird Gate (G) genannt
- Die Gate-Elektrode ist gegenüber dem Stromkanal isoliert. Hierzu gibt es zwei
Varianten:
. Trennung durch gesperrten pn-Übergang
Bezeichnungen: ⇒ Sperrschicht-FET
⇒ junction FET (J-FET)
. Trennung durch Isolierschicht (z.B. SiO2)
Bezeichnungen: ⇒ isolated Gate FET (IG-FET)
⇒ metall-isolator-semiconductor-FET(MIS-FET)
⇒ metall-oxid-semiconductor-FET (MOS-FET)

13.2 Sperrschicht-FET
13.2.1 Aufbau und Wirkungsprinzip
* Aufbau
- Grundelement des Sperrschicht-FET ist ein länglicher, einheitlich dotierter
Halbleiterkristall (bzw. Kristallbereich), der den Stromkanal bildet. Je nach Dotierung
handelt es sich um einen
. p-Kanal-FET oder
. n-Kanal-FET
- An den Enden des Kristalls/Kristallbereiches sind Drain- und Source-Anschluss
angebracht; an der Längsseite des Kristalls befindet sich die Gate-Elektrode.

207
Der Feldeffekttransistor

- Zur Isolierung des Gateanschlusses wird beim n-Kanal-FET unter der Gate-Elektrode
eine p-dotierte Zone eindiffundiert (beim p-Kanal-FET eine n-dotierte Gatezone).
- An den pn-Übergängen zwischen Gatezonen und dem übrigen Kristall bildet sich eine
Verarmungszone (Raumladungszone) ohne bewegliche Ladungsträger.
- Der verbleibende Teil des Kristalls ist leitfähig und bildet den Stromkanal.
l

Abbildung 13-1 n-Kanal b

Aufbau des J-FET Source Drain

Gate Raumladungs-
p-dotierte
Gatezonen Zonen
* Wirkungsprinzip
Beim Sperrschicht-FET wird durch ein Querfeld die Ausdehnung der Verarmungszone
(Raumladungszone) unter dem Gateanschluss und damit der Querschnitt des
Stromkanals gesteuert.

* Schaltzeichen D D
Abbildung 13-2 G n-Kanal-FET G p-Kanal-FET
Schaltzeichen des J-FET
S S

13.2.2 Einfluss der Kanalspannung auf die Kennlinie

Für die Diskussion des Einflusses der Kanalspannung UDS wird die Funktion bei
kurzgeschlossener Gate-Sourcestrecke (UGS = 0) betrachtet
- Die Polarität der Spannung UDS wird beim Sperrschicht-FET so gewählt, dass der pn-
Übergang zwischen Gate und Stromkanal an allen Stellen in Sperrpolung betrieben wird:
n-Kanal-FET: UDS > 0
p-Kanal-FET: UDS < 0
Unter dieser Voraussetzung fließt kein Gatestrom (außer ein kleiner Sperrstrom)
- Aufgrund der äußeren Spannung UDS fließen Ladungsträger vom Source- zum Drain-
Anschluss.
- Der Stromfluss wird fast ausschließlich von Majoritätsträgern getragen; die
Minoritätsträger sind ohne Bedeutung.
. n-Kanal-FET: Elektronenstrom von Source nach Drain
. p-Kanal-FET: Löcherstrom von Source nach Drain
- Da jeweils nur eine Ladungsträgerart für den Stromfluss benötigt wird, wird der FET als
unipolarer Transistor bezeichnet.
- Der Eintritt der Majoritätsträger in den Kristall erfolgt jeweils am Source-Anschluss
(Deswegen die Namensgebung: Source = Quelle); die Ladungsträger treten am Drain-
Anschluss aus dem Kristall aus (Deswegen die Namensgebung: Drain = Senke).
- Bei symmetrischem Aufbau können Source und Drain vertauscht werden.

208
Der Feldeffekttransistor

Funktion bei kleiner Drain-Source-Spannung

- Der Stromkanal verhält sich für kleine UDS wie ein ohmscher Widerstand
⇒ linearer Kennlinienverlauf für kleine Werte von UDS
- Der Widerstand bzw. der Leitwert des Stromkanals lässt sich für UDS → 0 aus den
Abmessungen des Stromkanals berechnen:

A b⋅d
Kanalleitwert für UDS → 0 G0 = κ ⋅ = e ⋅ n D ⋅ µn ⋅ (n-Kanal-FET)
l l
Legende: e = Elementarladung
ND = Donatorkonzentration
µn = Beweglichkeit der Elektronen
b, d, l = Kanal-Breite, -Dicke, -Länge
κ = Leitfähigkeit = e ⋅ n ⋅ µ
Funktion bei größeren Werten von UDS
- Die Spannung UDS fällt entlang des Stromkanals ab.
⇒ Die Sperrspannung zwischen Gate und Stromkanal wächst in Richtung auf den
Drain-Anschluss
⇒ Die Sperrschichtweite WS ist in Drain-Nähe größer als in Source-Nähe
⇒ Die Kanalbreite b(x) ist in Drain-Nähe kleiner als in Source-Nähe
⇒ Der Stromkanal ist in Drain-Nähe eingeschnürt
Raumladungs-
Zonen
Abbildung 13-3
Kanaleinschnürung durch UDS
b(x)
S D
G
- +
UDS

- Die Kanaleinschnürung verstärkt sich mit wachsender Drain-Source-Spannung

⇒ Der Kanalwiderstand wächst mit zunehmenden Werten von UDS
⇒ Die Kennlinie des FET wird flacher

- Ab einer bestimmten Spannung UDSsat = -Up geht die Kanalbreite in Drain-Nähe gegen 0
⇒ „Kanalabschnürung“
⇒ Der Kanalstrom nimmt bei weiter steigendem UDS nicht mehr zu
(Ende des ohmschen Kennlinienbereiches)

209
Der Feldeffekttransistor

⇒ Die Kennlinie geht in den Sättigungsbereich über

(Kanalstrom IDsat = Sättigungsstrom IDSS)
ID ohmscher
G 0 ⋅ (− U p ) Kennlinienbereich Sättigungsbereich
I DSS =
3
IDSS
linearer
Kennlinien-Bereich
Abbildung 13-4
Kennlinie des FET für UGS = 0
UDS
-UP

Abbildung 13-5 Schematische Darstellung des Kanals für UGS = 0

UDS < (-UP) UDS = (-UP) UDS > (-UP)

13.2.3 Steuerung über das Gate

- Die Ausdehnung der Verarmungszone unter dem Gate lässt sich durch eine
Sperrspannung UGS am Gate zusätzlich steuern
Raumladungs- Raumladungs-
Zone durch UDS Zone durch UGS
Abbildung 13-6 G
Steuerung des Stromkanals UGS
über das Gate
S D

- Bei anliegender Sperrspannung wird der freie UDS

Querschnitt des Stromkanals weiter eingeengt
⇒ Der Kanalwiderstand wird größer.
⇒ Der Kanalstrom wird kleiner.
⇒ Die Abschnürspannung verkleinert sich UDSsat = UGS - Up

2
 U 
⇒ Der Sättigungsstrom nimmt ab I Dsat ≈ I DSS ⋅ 1 − GS 
 U p 


⇒ Für U GS ≥ U p ist der Stromkanal unabhängig von UDS auf jeden Fall gesperrt
(UP = „pinch-off“-Spannung)

210
Der Feldeffekttransistor

13.2.4 Die Kennlinien des Sperrschicht-FET

ID UDSsat=(-UP)+UGS
UGS=0
Abbildung 13-7 IDSS
Ausgangskennlinien
des Sperrschicht-FET(24)
UGS=UP/4

UGS=UP/2

UGS=3UP/4

0 -UP UDS

- Durch die Gate-Source-Spannung lässt sich der Kanalwiderstand bei kleinen UDS
steuern.
Für kleine UDS ist der Sperrschicht-FET ein regelbarer Widerstand
ID 0
UP/4 UGS
Abbildung 13-8 UP/2
Sperrschicht-FET 3UP/4
als steuerbarer Widerstand
UP UDS
-0,5V 0,5V

- Aus dem Ausgangskennlinienfeld lassen sich die Steuerkennlinien ableiten

Abbildung 13-9 Die Steuerkennlinie des J-FET

ID
-UGS/V
Spannungs- IDSS
0
Steuerkennlinie
(UDS=konst.)

0,5

UP 1,0
1,5
UGS/V -2 -1 0 0 2 4 6 UDS/V

(24)
Im Sättigungsbereich weichen die tatsächlichen Kennlinien von dem hier gezeichneten
Idealverlauf ab, sie steigen mit zunehmender Drain-Source-Spannung wegen Verkürzung des
Stromkanales leicht an.
Die Steigung ist so, dass sich die Verlängerungen des Sättigungsteils aller Kennlinien im
Punkt -UA (Early-Spannung) schneiden.
211
Der Feldeffekttransistor

Abbildung 13-10 Arbeits-Spannungs-Steuerkennlinie des J-FET

ID -UGS/V
0
Arbeits-Spannungs-
Steuerkennlinie für
0,25
UDS = f(RD+RS)
0,5
RD+RS
0,75
1
UP
1,5
UGS/V UDS/V
-2 -1 0 0 2 4 6

13.3 IG-FET (isolated gate)

* Wirkungsprinzip
Beim IG-FET wird die Leitfähigkeit des Stromkanals durch ein elektrisches Querfeld
gesteuert.
* Typen
Es kommen zwei Typen zum Einsatz
- Anreicherungstyp
. Transistor ist gesperrt bei UGS = 0
. Leitfähigkeit des Stromkanals durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung
- Verarmungstyp
. Transistor ist leitend bei UGS = 0
. Sperren des Transistors durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung

13.3.1 Anreicherungstyp
13.3.1.1 Aufbau
Abbildung 13-11 Prinzipieller Aufbau des IG-FET (z.B. n-Kanal-MOS-FET)
isoliertes
Source Gate Drain
SiO2-
Isolation

n+ n+
eindiffundierte
Raumladungszonen Source- und Drain-
der pn-Übergänge p Zonen

Bulk p-Substrat

212
Der Feldeffekttransistor

Der Aufbau des IG-FET vom Anreicherungstyp wird am Beispiel eines n-Kanal-FET
erläutert:
- In eine dünne p-dotierte Halbleiterscheibe werden von einer Seite zwei n+-Zonen
eindiffundiert
- Die beiden n+-Zonen werden mit Anschlussdrähten versehen und bilden Source und
Drain des FET
- Die restliche Kristalloberfläche wird mit einer dünnen elektrisch isolierenden Schicht
(Oxid-Schicht) abgedeckt.
- Zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen wird -durch die dünne Oxidschicht vom
p-leitenden Kristall isoliert- eine flächige Gate-Elektrode angebracht.
- Das p-leitende Substrat wird (z.B. auf der Unterseite des Kristalls) elektrisch kontaktiert
(sog. bulk-Anschluss) und (meistens) mit dem Source-Anschluss verbunden.

13.3.1.2 Funktionsweise
- Die beiden eindiffundierten n+-Zonen bilden mit dem p-leitenden Kristall zwei pn-
Übergänge, an denen sich jeweils eine Raumladungszone ausbildet (Abbildung 13-11).
- Legt man eine positive Spannung an die Gate-Source-Strecke, so werden die Löcher
(Majoritätsträger) im p-dotierten Substrat von der isolierten Gate-Elektrode abgestoßen
und ins Kristallinnere zurückgedrängt
⇒ Unmittelbar unter der Gate-Elektrode bildet sich eine Zone weitgehend ohne
Majoritätsträger (Verarmungszone/Raumladungszone)
⇒ Es hat sich damit eine durchgehende Raumladungszone von Source bis Drain
gebildet (Abbildung 13-12).
UGS
S G D
- +

Abbildung 13-12 n+ n+
Verarmungszone unter dem Gate
p

- Wegen der fehlenden Majoritätsträger (Löcher) können die aus der Eigenleitung
stammenden Minoritätsträger (Elektronen) nicht rekombinieren. Ihre Konzentration in der
Raumladungszone unter dem Gate steigt daher stark an.
- Durch das positive Potenzial am Gate-Anschluss werden die Elektronen vom Gate
angezogen; wegen der isolierenden Oxidschicht zwischen Gateelektrode und
Halbleiterkristall können sie jedoch nicht zum Gate abfließen und sammeln sich
unmittelbar unter der Oxidschicht
⇒ Innerhalb der von Source bis Drain durchgehenden Verarmungszone bildet sich eine
Anreicherung freier Elektronen, also ein leitfähiger Kanal. Dieser verbindet die n-
leitenden Source- und Drain-Zonen miteinander (Abbildung 13-13).
⇒ Da sich ein Kanal mit freien Elektronen (n-Kanal) im p-dotierten Halbleitermaterial
gebildet hat, spricht man vom Inversionskanal.

213
Der Feldeffekttransistor

UGS
Inversionskanal
- +

Abbildung 13-13 Inversionskanal n+ - - - - - - - - - - - - - - - n+

Raumladungszone
p durch Ladungstrennung

- Durch die durchgehende Raumladungszone (Verarmungszone) ist der leitfähige

Inversionskanal vom restlichen Halbleiterkristall isoliert.
- Legt man zusätzlich eine Spannung UDS an die Drain-Source-Strecke, so fließt ein
Elektronenstrom im Inversionskanal von Source nach Drain.
- +
UDS
- +
Abbildung 13-14 UGS
Stromfluss im Inversionskanal
−−−→−−→−−→−−−
n+ n+

- Durch die Größe der Spannung UGS lässt sich die Konzentration der Elektronen im
Inversionskanal steuern
⇒ Mit dem von UGS erzeugten Querfeld wird also die Leitfähigkeit des Stromkanals
gesteuert.
- Da der beschriebene Transistor ohne Gatespannung nicht leitet, spricht man von einem
selbstsperrenden Typ
- Da zur Erreichung der Leitfähigkeit erst Ladungsträger in einem Kanal angesammelt
werden müssen, spricht man vom Anreicherungstyp.

13.3.1.3 Kennlinien und Schaltzeichen des IG-FET vom Anreicherungstyp

Abbildung 13-15 Kennlinien des selbstsperrenden IG-FET
ID UDSsat = UGS – UT0
ID
7

UGS/V
5

UT0 4
3
0 2 4 6 8 UGS 0 4 8 12 UDS/V

214
Der Feldeffekttransistor

- Aus der Steuerkennlinie (Abbildung 13-15, links) ist ersichtlich, dass sich ein
ausreichender Inversionskanal und damit der Stromfluss erst oberhalb einer
Einsatzspannung UT0 (trash over voltage) einstellen.
- Die Ausgangskennlinien zeigen einen starken Anstieg für UDS < UGS – UT0.
In diesem Bereich reicht der Inversionskanal von der n-dotierten Source-Zone bis zur n-
dotierten Drain-Zone. Der Strom ist annähernd proportional zur Spannung UDS. Der
Inversionskanal zeigt annähernd ohmsches Verhalten.
- Die positive Spannung UDS schwächt die Potenzialdifferenz zwischen Gate und p-
dotiertem Substrat in Drainnähe. Für UDS = UGS – UT0 reicht diese Potenzialdifferenz
gerade nicht mehr aus, um den Inversionskanal in Drain Nähe aufrecht zu erhalten.
- Ein weiteres Ansteigen von UDS führt daher nicht zu einer steigenden Spannung über der
Inversionszone sondern zum Aufbau einer Sperrspannung (Sperrschicht) zwischen dem
Ende des Inversionskanals und der Drain-Zone.
- Wegen der nicht mehr ansteigenden Spannung über dem Inversionskanal steigt der
Drainstrom bei weiter wachsendem UDS nicht mehr an, er hat vielmehr einen
Sättigungswert erreicht.
- Die Sperrspannung zwischen Inversionskanal und Drainzone saugt alle durch den
Inversionskanal ankommenden Elektronen (Minoritätsträger) zum Drainanschluss ab.
Die Ausgangskennlinien zeigen daher für UDS > UGS – UT0 einen annähernd horizontalen
Verlauf.
- Ein begrenzter Anstieg im Sättigungsbereich der Ausgangskennlinien beruht auf dem
Early-Effekt. Steigt UDS auf größere Werte als zur Sättigung notwendig, so führt das zu
einer größeren Ausdehnung der Sperrschicht zwischen Inversionskanal und Drainzone.
Die daraus folgende Verkürzung der Inversionszone (= Reduzierung des Widerstandes)
hat einen weiteren Anstieg des Sättigungsstromes zur Folge.

Abbildung 13-16 Early-Effekt beim FET

ID

UGS

-UA
UDS

Im Sättigungsbereich ist die Steigung der Ausgangskennlinien so, als gingen sie alle von
einem einzigen Punkt auf der Spannungsachse (Early-Spannung -UA) aus.

Abbildung 13-17 D D
B B
Schaltzeichen des G S G S
selbstsperrenden IG-FET
n-Kanal-FET p-Kanal-FET

215
Der Feldeffekttransistor

13.3.2 Verarmungstyp
- Durch geeignete Herstellungstechnologie (z.B. Phosphor-Implantation ins Kanalgebiet
oder Implantation von positiv geladenen Ionen in die Isolationsschicht unter dem Gate
jeweils beim n-Kanal-MOS-FET) wird erreicht, dass sich ein Stromkanal bereits ohne
anliegende Gatespannung bildet.
- Ein solcher Transistor leitet bei einer Gate-Source-Spannung UGS = 0.
Durch eine negative Gate-Source-Spannung UGS lässt sich die Konzentration der
Elektronen im Stromkanal reduzieren und damit die Größe des Drainstromes steuern.
(Durch positive Gatespannungen lässt sich dieser Transistor noch leitfähiger machen,
doch ist diese Betriebsart weniger üblich).
- Da der beschriebene Transistor ohne Gatespannung leitet, spricht man vom
selbstleitenden Typ
- Da die Ladungsträger zur Steuerung des Drainstromes aus dem Stromkanal verdrängt
werden müssen, spricht man vom Verarmungstyp.

ID ID

Abbildung 13-18 UGS

Kennlinien des
selbstleitenden IG-FET
UGS UDS

Abbildung 13-19 D D
Schaltzeichen des B B
G S G S
selbstleitenden IG-FET
n-Kanal-FET p-Kanal-FET

13.3.3 Vorteile der IG-FET

Vorteile gegenüber dem bipolaren Transistor und gegenüber dem Sperrschicht-FET:
- sehr hoher Eingangswiderstand durch das isolierte Gate
(kein statischer Steuerstrom, nur dynamischer Steuerstrom)
- geringe Schaltzeiten
. Keine Speicherzeit, da keine Überschussladung
. Langsame Minoritätsträger-Prozesse entfallen.
- Kein 2. Durchbruch wegen Stromeinschnürung
- Positiver Temperaturkoeffizient des Kanalwiderstandes
. Kein thermischer Mitkopplungseffekt (kein „Selbstmord“-Effekt)
. Keine Stromteilungsprobleme bei Parallelschaltung (selbsttätige Stabilisierung)

216
Der Feldeffekttransistor

13.4 Übersicht über alle FET-Typen

FET

Verarmungstypen Anreicherungstypen

J - FET IG - FET IG - FET

selbstleitend / depletion selbstleitend / depletion selbstsperrend / enhancement

n-Kanal p-Kanal n-Kanal p-Kanal n-Kanal p-Kanal

D D
D D D D
G G B B B B
G S G S G S G S
S S

S t e u e r k e n n l i n i e n

A u s g a n g s k e n n l i n i e n

217
Der Feldeffekttransistor

13.5 Daten von Feldeffekt-Transistoren

Tabelle 13-1 Daten ausgewählter Feldeffekt-Transistoren
J-FET MOS-FET
BF245
Typ J113 2N4351 BS170
A/B/C
Grenzwerte
Spannung Gate-Drain (J-FET) UGD - 30 V - 35 V - -
Spannung Gate-Source (J-FET) UGS - 30 V - 35 V - -
Gatestrom Durchlass (J-FET) IG 10 mA 50 mA - -
Drainstrom (MOS-FET) ID - - 30 mA 300 mA
Spannung Drain-Source (MOS-FET) UDS - - 25 V 60 V
Verlustleistung Ptot 300 mW 360 mW 300 mW 830 mW
Typische Kennwerte
2-6,5 mA /
Drain-Source-Kurzschlussstrom
IDSS 6-15 mA/ > 2 mA - -
(J-FET)
12-25 mA
-0,5 .. -2,5 V /
Abschnürspannung (J-FET) UP -1,5 ... -4 V / -3 V - -
-3 ... -8 V
Gatestrom (25 °C) (J-FET) IG -5 nA -1 nA - -
Einsatzspannung (MOS-FET) UT0 - - 1 ... 5 V 0,8 ... 3 V
EIN-Widerstand rDSon < 100 Ω < 300 Ω 3,5 Ω
Schaltzeiten EIN/AUS 4 ns 100/500 ns 10/10 ns
Wärmewiderstand Rth 250 K/W 300 K/W
Steilheit S 1 ... 6 mS -
Grenzfrequenz (3 dB-Abfall von S) fy21s 700 MHz

218
Der Feldeffekttransistor

13.6 FET als Analogschalter

13.6.1 Ein- und Ausschaltbedingungen

Da der FET keine Schwellspannung besitzt und auch bei kleinsten Werten von UDS
leitfähig ist, eignet er sich hervorragend als Analogschalter.

Beim Betrieb als Schalter werden die zwei Zustände „leitend“ (EIN, ON) und „gesperrt“
(AUS, OFF) benötigt. Zwischenzustände sollen nicht auftreten.

Um den J-FET zu sperren, muss zwischen der Gate-Zone und dem Stromkanal an allen
Stellen eine Sperrspannung anliegen, die betragsmäßig größer als die pinch-off-Spannung
Up ist. Dies ist nur dann sichergestellt, wenn sowohl |uGS| als auch |uGD| größer als |Up| sind.

FET gesperrt für |uGS| > |Up| UND |uGD| > |Up|

Um den J-FET leitend zu machen, muss die Spannung zwischen Gatezone und Stromkanal
an einem Ende des Stromkanals gleich 0 (oder größer 0, d.h. Flusspolung) sein. Dies
kann sowohl am source- wie auch am drain-seitigen Ende des Stromkanals sein.
FET leitend für uGS = 0 ODER uGD = 0 (ODER Flusspolung einer der Spannungen)

13.6.2 Grundschaltung eines FET-Analogschalters

Abbildung 13-20
Grundschaltung eines RiG
FET-Analogschalters RG RL
uI uQ
uG
ust

uG
t
ust
t
uQ
t

Der FET verbindet die Signalquelle (Spannung uI) mit einer Last (Lastspannung uQ).
Mit Hilfe des Steuersignales ust kann der FET leitend oder gesperrt werden.

Beispiel
Schaltungsdaten: -10V ≤ uI ≤ +10V RiG = 100 Ω
RL = 10 kΩ
RG = 100 kΩ
Up = -4V rDSon = 50 Ω

219
Der Feldeffekttransistor

a) ust = -15V FET-Schalter offen (sperrt)

⇒ u GS min = u st min − u I min = − 15V − ( −10 V ) = − 5V = 5V

⇒ u GS max = u st min − u Imax = − 15V − 10V = − 25V = 25V

|uGS| ist immer größer als |Up|.

Der FET ist daher ständig gesperrt.

b) ust = +15V FET-Schalter geschlossen (leitet)

⇒ ust > uI
⇒ uGS > 0
Der FET ist ständig leitend.
uQ ≈ uI

Nachteil der Grundschaltung:

Die Gate-Source-Strecke des FET wird im ON-Betrieb in Durchlassrichtung betrieben.
Es fließt ein Gate-Strom (Die Größe des Gatestromes muss begrenzt werden).
Der Gate-Strom führt zu Signalverfälschungen.
Berechnung des Gate-Stromes:
u − uI − uF
i G = st mit uF = Durchlassspannung der Gate-Sperrschicht
RG
15V − 10V − 0,6V
⇒ I G min = ≈ 44µA
100 kΩ
15V − ( −10V ) − 0,6V
⇒ I G max = ≈ 244µA
100kΩ

Fehlerrechnung
a) Fehler durch den Gatestrom:
Für die Fehlerrechnung wird vereinfachend davon ausgegangen, dass der Fehlerstrom
(= Gatestrom) am source-seitigen Ende der Gate-Kanal-Sperrschicht eingespeist wird.
iG
Abbildung 13-21
rDSon
Ersatzschaltung zur Berechnung
der Fehlerspannung durch iG RiG
uI uQ RL
uG

220
Der Feldeffekttransistor

Der maximale Fehler der Eingangsspannung uI ergibt sich zu

U I F max = I G max ⋅ [R iG //( rDS on + R L )]= 244µA ⋅ [100Ω //(50Ω + 10kΩ)] ≈ 24,16mV

der maximale Fehler der Ausgangsspannung zu

RL 10kΩ
U Q F max = U I F max ⋅ ≈ 24,16mV ⋅ = 24,04mV
R L + rDS on 10kΩ + 50Ω

Nimmt man an, dass der Gatestrom am drain-seitigen Ende des Stromkanals eingespeist
wird, so ergibt sich ein maximaler Fehler der Ausgangsspannung zu:
U Q F max = I G max ⋅ [(R iG + rDSon ) // R L ] = 244µA ⋅ [(100Ω + 50Ω) // 10kΩ] ≈ 36mV

Da der Gatestrom irgendwo zwischen source- und drain-seitigem Ende des Stromkanals
einfließt, wird der tatsächliche maximale Fehler zwischen diesen beiden Werten liegen.

b) Fehler durch rDSon

Für die Ausgangsspannung sollte gelten uQ = uI
RL
Tatsächlich gilt jedoch uQ = uI ⋅ = u I ⋅ (1 + f )
R L + rDSon

RL rDSon
Der relative Fehler f beträgt: f= −1= −
R L + rDSon R L + rDSon

rDSon
Für RL >> rDSon gilt f ≈−
RL
rDSon 50Ω
z.B. f ≈− =− = − 0,5%
RL 10kΩ

Der absolute Fehler beträgt: uQF = f ⋅ uI

z.B. u Q F ≈ −0,5% ⋅ 10V = −50mV

13.6.3 Verbesserter FET-Analogschalter

Abbildung 13-22 zeigt einen FET-Analogschalter, bei dem der Durchlassbetrieb des Gate-
Kanal-Übergangs vermieden wird.

Abbildung 13-22 FET-Analogschalter

RiG RiG
RG RG
uI uQ RL uI uQ RL
uG A uG
ust ust B

221
Der Feldeffekttransistor

Sperren des Analogschalters: Die negative Steuerspannung wird über eine Diode an das
Gate des FET geführt. Es gilt uGS = ust + uF - uI mit uF = Durchlassspannung
der Diode. Über den hochohmigen Widerstand RG wird am Eingang (Variante
A) oder am Ausgang (Variante B) ein kleiner Strom entnommen.
Öffnen des Analogschalters: Bei positiver Steuerspannung trennt die Diode den FET von
der Steuerspannung. Das Gate wird über den Widerstand RG stromlos auf
Sourcepotenzial (Variante A) oder auf Drainpotenzial (Variante B) gezogen.
Im EIN-Zustand des FET werden weder Eingangs- noch Ausgangssignal durch die
Steuerspannung verfälscht.
Die Verfälschung des Ausgangssignals durch den Widerstand rDSon berechnet sich ebenso
wie bei der Grundschaltung nach Abschnitt 13.6.2.
Nachteil von Schaltungsvariante A:
Im AUS-Zustand des Analogschalters wird das Eingangssignal uI durch den über RG
zur Steuerspannung fließenden Strom iG verfälscht.
u R G u I − u F − u st
Es gilt u IF = i G ⋅ R iG mit iG = =
RG RG
Eine Verfälschung von ui bei offenem Analogschalter stört allerdings häufig nicht.
Nachteil von Schaltungsvariante B:
Im AUS-Zustand des Analogschalters wird das Ausgangssignal uQ durch den über RG
zur Steuerspannung fließenden Strom verfälscht.
uRG −u F − u st
Es gilt u QF = i G ⋅ R L mit iG = =
RG RG + RL
Eine Verfälschung von uQ bei offenem Analogschalter stört häufig, z.B. beim FET-
Analogschalter in einer sample-hold-Schaltung.
Schaltungsvariante B ist daher in der Regel nicht zu empfehlen.

13.6.4 Gegentakt-FET-Analogschalter
Mit zwei komplementären FET (ein n-Kanal-FET und ein p-Kanal-FET) lässt sich ein
Gegentakt-Analogschalter aufbauen.
FET1

Abbildung 13-23 RiG

Gegentakt-Analogschalter FET2
uI uQ RL
uG
ust

FET2 schließt den Ausgang kurz, wenn FET1 gesperrt ist.

Ist FET1 leitend, so wird FET2 gesperrt.
Die Steuerspannung muss so gewählt werden, dass für beide Transistoren die Ein- und
Ausschaltbedingungen erfüllt werden.

222
Der Feldeffekttransistor

13.7 Arbeitspunkt-Einstellung - Konstantstromquelle (J-FET)

Zur Einstellung eines konstanten Drainstromes am J-FET sind mehrere
Schaltungsvarianten möglich. Mit diesen Schaltungen lässt sich auch der Arbeitspunkt des
FET z.B. für einen WS-Verstärker einstellen.

* Schaltung I

Die erforderliche Gate-Source-Spannung wird aus einer eigenen Spannungsquelle

erzeugt.

Abbildung 13-24 Einstellung von UGS mittels Spannungsquelle im Steuerkreis

ID
FET 2
ID
FET 1
AP2
J-FET
UGS AP1

UV
UGS UDS
UGS= -UV
Es gilt UGS = -UV.
Es stellt sich der Strom ID = f(UGS) = f(-UV) ein; seine Größe ergibt sich aus der
Steuerkennlinie.
Die Stabilität des Arbeitspunktes ist gering.
Abbildung 13-24 zeigt den großen Unterschied im Arbeitspunkt für zwei J-FET-
Exemplare mit unterschiedlichen Steuerkennlinien.

* Schaltung II
Der Drainstrom wird durch Stromgegenkopplung mittels Source-Widerstand eingestellt.

Abbildung 13-25 Einstellung des Drainstromes durch Source-Widerstand

US ID
FET 2
RD
FET 1
RS+RD
AP2
J-FET RS
UGS AP1
US0
RS UGS
UDS
-US0 -US0 = UGS

223
Der Feldeffekttransistor

-UGS und U R S = U S0 sind gleich groß.

Die Kennlinie des Widerstandes RS kann daher in das Steuerkennlinienfeld des FET
eingezeichnet werden. Der Schnittpunkt mit der Steuerkennlinie ergibt den Arbeitspunkt
des FET.
U − U GS
Es stellt sich damit automatisch der Strom I D = S0 = ein.
RS RS
Zur Dimensionierung des Sourcewiderstandes RS markiert man den Arbeitspunkt für
den erwünschten Drainstrom ID auf der Steuerkennlinie und ließt den zugehörigen
Wert von UGS ab. Der Widerstand ergibt sich zu
− U GS
RS =
ID

Ein Vergleich von Abbildung 13-25 mit Abbildung 13-24 zeigt, dass die Arbeitspunkt-
Stabilität besser ist als bei Schaltung I.

* Schaltung III
- Einstellung der GS-Steuerspannung mittels Spannungsteiler und
- Stromgegenkopplung.

Abbildung 13-26 Arbeitspunkteinstellung durch Gate-Spannungsteiler und

Stromgegenkopplung
US ID ID
FET 2
RD
R1 FET 1 RS+RD AP2

J-FET AP1
RS
UGS US0
UG0 UGS
R2 RS UDS
UGS UG0
US0

R2
Am Gate stellt sich die Spannung U G0 = US ⋅ ein.
R1 + R 2
Die Spannung UGS für einen gewünschten Strom ID entnimmt man der Steuerkennlinie.
Damit wird US0 = U R S = UG0 - UGS

U S0 U G 0 − U GS
und RS = =
ID ID

U S0 U G 0 − U GS
oder ID = =
RS RS

Abbildung 13-26 zeigt die erreichbare hohe Arbeitspunktstabilität.

224
Der Feldeffekttransistor

13.8 J-FET-Wechselspannungsverstärker in Source-Schaltung

13.8.1 Schaltung des J-FET-WS-Verstärkers US

RD
Ck2
Ck1

Abbildung 13-27
J-FET als WS-Verstärker CS uq RL
ui RG RS

Der Arbeitspunkt des FET wird über die Widerstände RS und RD eingestellt
− U GS
ID = (siehe Abschnitt 13.7) und UDS = US - ID⋅(RS+RD)
RS
Das WS-Eingangssignal wird über Ck1 am Gate eingekoppelt, das WS-Ausgangssignal
über Ck2 am Drain-Anschluss ausgekoppelt.
Der Gleichstrom-Gegenkopplungswiderstand RS wird mit CS wechselstrommäßig
kurzgeschlossen.

13.8.2 Wechselstrom-Ersatzschaltbild des J-FET in Source-Schaltung

Für Wechselstrombetrieb mit kleiner Aussteuerung kann der FET als linearer Vierpol
betrachtet werden.
ig ≈ 0 G S⋅ugs D id
Abbildung 13-28
WS-Ersatzschaltbild des ugs rds uds
J-FET in Source-Schaltung

S
Berechnung der Vierpol-Parameter:
i1 = y11⋅u1 + y12⋅u2 ⇒ ig = y11⋅ugs + y12⋅uds ≈ 0
i2 = y21⋅u1 + y22⋅u2 ⇒ id = y21⋅ugs + y22⋅uds ⇒ id = S⋅ugs + (1/rds)⋅uds

Der Sperrstrom über den pn-Übergang zwischen Gate und Kanal ist vernachlässigbar
gering (ig → 0).
Demzufolge sind Eingangsleitwert y11 und Rückwirkungsleitwert y12 annähernd 0

⇒ y11 = 1/rgs ≈ 0 (⇒ Eingangswiderstand rgs → ∞)

⇒ y12 ≈ 0

225
Der Feldeffekttransistor

Für die Vierpol-Parameter y21 und y22 gilt:

id d (i D )
y 21 = S = = Die Vorwärtssteilheit S entspricht der Steigung
u gs d (u GS ) u = konst der Spannungs-Steuerkennlinie im Arbeitspunkt
u ds =0 DS

Der Ausgangsleitwert bzw. der Ausgangs-

1 i d(i D )
y22 = = d = widerstand rds entspricht der Steigung der
rds u ds u =0 d(u DS ) u =konst
gs GS Ausgangskennlinie im Arbeitspunkt

13.8.3 Berechnung des Wechselspannungsverstärkers

ii G S⋅ugs id D iq

Abbildung 13-29 ui RG ugs rds uds RD uq RL

Wechselstrom-Ersatzschaltbild
des Verstärkers
S
Rein∼ Raus∼
Eingangswiderstand

Rein∼ = RG

Ausgangswiderstand

Raus∼ = RD // rds

Leerlauf-Spannungsverstärkung
u q0 − S ⋅ u gs ⋅ (rds // R D )
VU 0 = =
ui u gs

VU 0 = −S ⋅ (rds // R D )

Spannungsverstärkung belastet
VU = −S ⋅ (rds // R D // R L )

Stromverstärkung
iq uq RL RG
VI = = = VU ⋅
ii ui RG RL

Leistungsverstärkung
VP = VU⋅VI

226
Der Feldeffekttransistor

13.9 CMOS-Technik
Mit Hilfe komplementärer MOS-Transistoren vom Anreicherungstyp (selbstsperrende
MOS-FET) werden digitale Schaltungen realisiert.

13.9.1 CMOS-Inverter
Der Inverter ist das Grundelement der CMOS-Verknüpfungsglieder.
US
S
G p-Kanal-FET
Abbildung 13-30
D
Der CMOS-Inverter

UI D UQ n-Kanal-FET
G
S
Gnd

UI n-Kanal-FET p-Kanal-FET UQ
0V ⇒ „low“ sperrt leitet US ⇒ „high“
US ⇒ „high“ leitet sperrt 0V ⇒ „low“
Ist die Eingangsspannung der Inverterstufe UI = 0V bzw. UI = US, so ist einer der
komplementären FET gesperrt, der andere leitend; es besteht also keine leitende
Verbindung zwischen Gnd und US.

CMOS-Gatter werden häufig mit einer Versorgungsspannung US > 5V (z.B. US = 10V)

betrieben.

Liegt UI (bei US > 5V) etwa in der Mitte des Versorgungsspannungsbereiches, so sind
beide komplementären Transistoren leitend und es besteht eine sehr niederohmige
Verbindung zwischen Gnd und US.

Es ist darauf zu achten, dass solche Zwischenpegel an den Eingängen (außer kurzzeitig
beim Umschalten) nicht auftreten, da dies zur Zerstörung des Bauelements führen kann.

Aus diesem Grunde dürfen CMOS-Gatter auch nicht mit offenem Eingang betrieben
werden.

13.9.2 CMOS-NOR-Gatter E1 US
T1
E2 2x p-Kanal-FET
Abbildung 13-31
2-fach NOR-Gatter T2
Q
UI1 UI2
T3 T4 UQ 2x n-Kanal-FET
Gnd

227
Der Feldeffekttransistor

Elektrische Verhältnisse
UI1 UI2 T1 T2 T3 T4 UQ
0V 0V leitet leitet sperrt sperrt US
0V US leitet sperrt sperrt leitet 0V
US 0V sperrt (leitet) leitet sperrt 0V
US US sperrt sperrt leitet leitet 0V

Wahrheitstabelle
E1 E2 Q
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

13.9.3 CMOS-NAND-Gatter E2 US

T2 T1 2x p-Kanal-FET
UI2 Q
Abbildung 13-32
2-fach NAND-Gatter E1 T3
UQ 2x n-Kanal-FET
UI1 T4

Elektrische Verhältnisse Gnd

UI1 UI2 T1 T2 T3 T4 UQ
0V 0V leitet leitet sperrt sperrt US
0V US leitet sperrt sperrt leitet US
US 0V sperrt leitet (leitet) sperrt US
US US sperrt sperrt leitet leitet 0V

Wahrheitstabelle
E1 E2 Q
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

228
Der Feldeffekttransistor

13.9.4 CMOS-Übertragungsgatter
Das CMOS-Übertragungsgatter ermöglicht eine bidirektionale Übertragung analoger oder
binärer Signale. Das Gatter kann gesperrt oder freigegeben werden. Im leitenden Zustand
beträgt der Durchgangswiderstand rDSon ≈ 50 . . . 500 Ω. Im gesperrten Zustand kann mit
einem Widerstand von 109 . . . . 1012 Ω gerechnet werden.
In digitalen Systemen kann mit dem Übertragungsgatter ein Tri-State-Verhalten realisiert
werden (High, Low, hochohmig).

Abbildung 13-33 CMOS-Übertragungsgatter

+U
St T1

E A

T2

Mit 1- Signal am Steuereingang St ist das Übertragungsgatter leitend, mit 0-Signal

gesperrt.
Der Inverter zur Ansteuerung von Transistor T2 kann als CMOS-Inverter ausgeführt
werden.

13.10 Übungsaufgaben zum Feldeffekttransistor

Aufgabe 13-1: Allgemeine Fragen

(a) Nach welchem Prinzip wird der Kanalwiderstand beim Sperrschicht-FET gesteuert ?
(b) Was versteht man unter der Pinch-Off-Spannung ?
(c) Warum tritt beim Sperrschicht-FET eine Kanalabschnürung durch die Drain-Source-
Spannung auf ?
(d) Nach welchem Prinzip arbeitet ein IG-FET oder MOS-FET ?
(e) Was versteht man unter einem Inversionskanal ?
(f) Was versteht man unter Anreicherungstypen ?
(g) Was versteht man unter Verarmungstypen ?
(h) Warum kann ein Sperrschicht-FET als Analogschalter eingesetzt werden ?

229
Der Feldeffekttransistor

Aufgabe 13-2: Konstantstromquelle RS

UB = 15 V
UB RL RS = 222 Ω
FET: BF 245

(a) Zeichne die Arbeitsgerade der Schaltung für RL = 0 ins Ausgangskennlinienfeld des
FET
(b) Zeichne die Arbeitssteuerkennlinie für RL = 0
(c) Ermittle den Strom ID und UDS für RL = 0
(d) Bis zu welchem Lastwiderstand RLmax liegt Konstantstrom vor ?
(e) Zeichne die Arbeitssteuerkennlinie der Schaltung für RL = 7278 Ω
(f) Ermittle den Strom ID und UDS für RL = 7278 Ω
ID /mA
4 UGS = 0
BF 245 A

- 0,25 V
3

- 0,5 V
2

- 0,75 V

1 - 1,0 V

-1,5 V
0
-3 UGS /V -2 -1 0 5 10 UDS /V 15

Aufgabe 13-3: FET als Analogschalter

A B
RiG uG = + 10 V
RG uQ RL RiG = 50 Ω UF = 0,7 V
uG RG = 120 kΩ RL = 20 kΩ
uI
ust rDSon = 30 Ω rDSoff → ∞

Der Widerstand RG kann eingangsseitig (Variante A) oder ausgangsseitig (Variante B)

angeschlossen werden. Bearbeite die folgenden Aufgaben für beide Varianten.
(a) Ermittle uI und uQ für ust = +15 V
(b) Ermittle uI und uQ für ust = -15 V

230
Der Feldeffekttransistor

Aufgabe 13-4: Wechselspannungsverstärker mit FET

US = 15 V
R1 RD R1 = 150 kΩ
R2 = 20 kΩ
C k2
Ck1 RS = 1 kΩ
RG RD = 2 kΩ
uq
FET: 2N4858
ug ui RS C
R2 S RL
ωgu << ω << ωgo
Gnd

(a) Ermittle grafisch die Größe von ID und UDS (Werte angeben) im Arbeitspunkt unter
Verwendung der Gleichstrom-Arbeits-Spannungssteuerkennlinie.
(b) Zeichne das Wechselstromersatzschaltbild des Verstärkers
(c) Ermittle die Vierpolparameter des FET und berechne die Verstärkung des Verstärkers
im Leerlauf und mit RL = 2 kΩ

0 -0,7 -0,75 UGS /V

6
ID -0,8
mA 2N4858
5 -0,85

-0,9
4
-0,95
-1,0
3
-1,05
-1,1
2
-1,15
-1,2
1 -1,25
-1,3
-1,4
0
-3 -2 -1 0 0 5 10 15 UDS/V 20
UGS/V

231
Der Feldeffekttransistor

Aufgabe 13-5: Wechselspannungsverstärker in Kaskodeschaltung

Bei der gezeichneten Kaskodeschaltung wird ein FET US
in Sourceschaltung mit einem bipolaren Transistor in R2
Basisschaltung kombiniert. 10 k R4
Damit läßt sich ein Verstärker mit sehr hohem C4
Eingangswiderstand realisieren
T2
Für den Transistor T2 soll gelten:
h11e = rbe = 6 kΩ C1
h21e = β = 180 T1 uQ
R5
h22e = 1/rce = 12 µS
uI C3
Für den Transistor T1 gilt: R1 R3
S = 6 mS C2
rds = 18 kΩ Gnd

(a) Zeichne das Wechselstromersatzschaltbild des Verstärkers

Hinweis:
Beachte die Vierpolparameter von Sourceschaltung (FET) und Basisschaltung

(b) Berechne die Vierpolparameter für die Basisschaltung h xyb = h xye /( h 21e + 1)

(c) Berechne die Spannungsverstärkung der Schaltung

Hinweis: Das (richtig gezeichnete) Wechselstromersatzschaltbild läßt sich als
Kettenschaltung zweier Vierpole interpretieren.

uI VU1 uM VU2 uQ

Bei der Kettenschaltung zweier Vierpole ergibt sich die Gesamtverstärkung als Produkt der
Einzelverstärkungen (VU = VU1 x VU2)

232
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

14 Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

14.1 Allgemeines
Operationsverstärker sind universelle elektronische Verstärker, die durch einfache externe
Beschaltung zur Realisierung zahlreicher analoger, binärer und logischer Funktionen
dienen.
+US
Frequenzgang-
korrektur
Abbildung 14-1 Eingang Ep
Anschlussplan des
Operationsverstärkers
Eingang En
Offset-(Spannungs)-
Kompensation
-US
Abbildung 14-1 zeigt einen Operationsverstärker mit Ein- und Ausgangspins, Anschlüssen
für die Hilfsenergieversorgung sowie die evtl. vorhandenen Anschlüsse für
Offsetspannungskompensation und Frequenzgangkorrektur.
Ep ist der „nicht invertierende“ Eingang des Operationsverstärkers;
En ist der „invertierende“ Eingang des Operationsverstärkers;
Der Operationsverstärker verstärkt die zwischen seinen Eingangspins liegende
Differenzspannung UID = (UIp - UIn) und gibt eine entsprechende Ausgangsspannung
UQ ab.
Ist die Spannung UID positiv, so führt dies zu einer positiven Ausgangsspannung UQ, ist
die Spannung UID negativ, so führt dies zu einer negativen Ausgangsspannung.
In Signalflussplänen werden üblicherweise die Anschlüsse für die Hilfsenergieversorgung
sowie die Kompensationsschaltungen nicht dargestellt.

14.2 Interner Aufbau

Wesentliche Bestandteile eines Operationsverstärkers sind
- Eingangsstufe,
- Koppelstufe,
- Ausgangsstufe.
Abbildung 14-2 Grobstruktur eines Operationsverstärkers

Eingangsstufe Koppelstufe Ausgangsstufe

Im folgenden soll der interne Aufbau des weit verbreiteten Universalverstärkers 741
schrittweise hergeleitet und erklärt werden. Grundelemente dieses Verstärkers kommen
auch in vielen anderen Operationsverstärkern vor.
233
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

14.2.1 Eingangsstufe

Die Eingangsstufe muss in der Regel folgenden Anforderungen gerecht werden:

- hoher Eingangswiderstand (kleine Eingangsströme),
- potenzialfrei (Zulässigkeit einer Gleichtaktspannung an den Eingängen),
- symmetrisches Verhalten beider Eingänge,
- geringe Offsetspannung und geringer Offsetstrom (25),
- hohe Verstärkung.
Um diese Anforderungen zu erfüllen, wird die Eingangsstufe grundsätzlich als
Differenzstufe aus paarweise gleichen Transistoren aufgebaut.

14.2.1.1 Historischer Differenzverstärker +US

RC1 RC2 (u Q0 + u q u )
(u Q0 − u q u )
Abbildung 14-3 u qs
Historischer Differenzverstärker
uIn
[Alle nicht mit Richtungspfeilen T1 T2
uID
gekennzeichneten Spannungen
(Potenziale) sind auf Masse bezogen] uIp
-iEges

RE
Es gilt: -US
u Ip + u In
Eingangs-Gleichtaktspannung u IC =
2
Eingangs-Differenzspannung u ID = u Ip − u In

Arbeitspunkte:
u RE
Die beiden Transistoren werden von dem Strom − i E ges = i R E = durchflossen.
RE
u IC − u BE + U S
Für uID << uBE beträgt er i R E ≈ . Er teilt sich auf die beiden
RE
Transistoren auf.
Für identische Transistordaten und uID = 0 sind die Ströme iE1 und iE2 bzw. iC1 und iC2
durch die beiden Transistoren gleich groß; an beiden Kollektorwiderständen fällt die
Ruhespannung uQ0 ab.
u Q0 = u R C1 = u R C 2 (für RC1 = RC2)

Verstärker-Betrieb:
Die Verstärkerstufe verstärkt die zwischen den Basisanschlüssen der Transistoren liegende
Differenzspannung uID und überlagert der Ruhespannung uQ0 an den Kollektorwiderstän-
den eine von uID abhängige Ausgangsspannung.

(25)
Die Offsetspannung ist jene Eingangsspannung, bei der der Verstärker 0V am Ausgang abgibt. Der
Offsetstrom ist die Differenz der Eingangsströme

234
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

Es treten folgende Ausgangsspannungen auf:

u q u = f(uID) = Ausgangsspannung bei unsymmetrischer Auskopplung

u q s = f(uID) = Ausgangsspannung bei symmetrischer Auskopplung

1
Für kleine uID gilt u q u ≈ ⋅ u qs
2
Wegen des geringeren schaltungstechnischen Aufwandes für die Weiterverarbeitung wird
trotz der geringeren Größe des Ausgangssignals in der Regel die unsymmetrische
Auskopplung angewandt.

Nachteil der Arbeitspunkteinstellung mit RE:

Der Gesamtstrom durch die Differenzstufe und damit auch die Spannung uQ0 sind stark
von der Größe der Gleichtaktspannung uIC abhängig.
Zur Eliminierung dieses Nachteils wird die Differenzstufe nicht über einen Emittervor-
widerstand RE sondern mit einer Konstantstromquelle gespeist.

Abbildung 14-4 Speisung

der Eingangstransistoren
-IEges = konst.
mittels Konstantstromquelle

-US
Der Arbeitspunkt (Kollektorstrom) der Eingangstransistoren wird unabhängig von der
Eingangs-Gleichtaktspannung ⇒ u Q0 = U Q0 ≠ f (u IC )

14.2.1.2 Eingangsdifferenzstufe mit Konstantstromspeisung mittels Stromspiegel

Die Konstantstromquelle zur Speisung der Eingangstransistoren soll selbst möglichst
wenig Versorgungsspannung benötigen.
Die Konstantstromquelle soll beliebige Gleichtaktspannungen im Bereich -US < uIC < +US
aufnehmen können.
Aus diesem Grunde wird als Konstantstromquelle ein Stromspiegel verwendet (siehe
Abschnitte 10.4.3 und 10.4.4).
US
RC1 RC2 uQu
Abbildung 14-5
Eingangsdifferenzstufe mit
T1 T2
Stromspiegel-Speisung uID Rk

Ikonst

T3 T4

-US

235
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

14.2.1.3 Eingangsstufe mit großer Verstärkung

Eine hohe Verstärkung der Eingangsstufe erfordert große Kollektorwiderstände der
Eingangstransistoren. Große Widerstände sind jedoch in integrierter Schaltkreistechnik
schwer herstellbar. Außerdem führen große Kollektorwiderstände zu einem großen
signalunabhängigen Spannungsabfall UQ0 und damit zu einer Einschränkung des
verfügbaren Gleichtakt-Eingangsspannungs-Bereiches.
Aus diesem Grunde wird anstelle der Kollektorwiderstände ein Transistorpaar wie in einem
Stromspiegel eingesetzt. U US
S

RC1 RC2
Abbildung 14-6
Stromspiegel als aktive ⇒ T5 T6

Kollektorwiderstände
IC1 IC2
-IC1=IC5+2⋅IB -IC2=IC6

Wegen der gleichen Basis-Emitter-Spannung versucht dieses Transistorpaar gleiche

Kollektorströme IC5 = IC6 aufzunehmen. Einer Ungleichheit der Kollektorströme begegnet
der als Stromquelle arbeitende Transistor T6 mit einem sehr großen differentiellen
Widerstand. Wird z.B. IC6 > IC5 (durch uID > 0 an der Eingangsdifferenzstufe), so lässt T6
den Anstieg von IC6 nicht zu und wird hochohmiger; die Spannung uCE an T6 steigt stark
an. US

T5 T6 uQu
Abbildung 14-7
Eingangsdifferenzstufe mit
großer Spannungsverstärkung
T1 T2
uID Rk

T4 T3
-US
Um eine hohe Spannungsverstärkung und einen hohen Eingangswiderstand der
Eingangsstufe zu erreichen, müssen die Eingangstransistoren eine hohe Stromverstärkung
besitzen. Dies erfordert eine hohe Emitterdotierung. Eine hohe Emitterdotierung zieht
jedoch eine niedrige Durchbruchspannung der Basis-Emitter-Strecke der
Eingangstransistoren nach sich. Aus diesem Grunde sind an der Eingangsstufe nach
Abbildung 14-7 nur niedrige Eingangsdifferenz-Spannungen zulässig (uIDmax < 7 . . . 8V).
Da die Eingangstransistoren T1 und T2 in Emitterschaltung betrieben werden, bewirken die
Kollektor-Basis-Kapazitäten (Millerkapazitäten) schon bei relativ geringen Frequenzen
eine starke Gegenkopplung. Die Eingangsstufe hat daher eine niedrige obere
Grenzfrequenz. Dieser Nachteil entfällt bei der im nächsten Abschnitt vorgestellten
Umstrukturierung der Gesamtschaltung.

14.2.1.4 Eingangsdifferenzstufe mit hoher zulässiger Eingangsdifferenzspannung

Um die genannten Nachteile (geringe Durchbruchspannung am Verstärkereingang;
Gegenkopplung durch die Millerkapazitäten der Eingangstransistoren) zu eliminieren,
erfolgt eine vollständige Umorganisation der Eingangsstufe (Abbildung 14-8).

236
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

Zur Vergrößerung der maximal zulässigen Eingangsdifferenzspannung wird zu jedem Ein-

gangstransistor ein komplementärer Transistor geringer Stromverstärkung (Lateraltran-
sistor) und damit hoher Basis-Emitter-Durchbruchspannung in Reihe geschaltet.
T1 und T2 arbeiten nun in Kollektorschaltung (VU ≈ 1), die Lateraltransistoren T7 und T8
in Basisschaltung (sog. Kaskode-Schaltung). Der Stromspiegel aus T5 und T6 (nun aus
npn-Transistoren) wird an den Kollektoren von T7 und T8 und an -US angeschlossen.
Durch diese Maßnahme entfällt die wechselstrommäßige Gegenkopplung durch die
Millerkapazitäten der Eingangstransistoren. (Die Millerkapazität der Transistoren T7 und
T8 spielt wegen der Basisschaltung keine nennenswerte Rolle). Die obere Grenzfrequenz
der Eingangsstufe steigt. U S

Abbildung 14-8 uID

Fortschrittliche Eingangsstufe T1 T2 Rk
T1 - T2 Eingangstransistoren
T3 - T4 Stromspiegel zur Speisung T7 T8
der Eingangstransistoren
(T5 -) T6 hochohmiger „Kollektor-
Widerstand“ für T8 u Qu
T7 - T8 Lateraltransistoren mit T5 T6 T3 T4
hoher Basis-Emitter-
Durchbruchspannung -US
14.2.1.5 Kompensation der Eingangs-Offsetspannung
Durch Unsymmetrien in der Eingangsstufe tritt die Ausgangsspannung 0 am Operations-
verstärker nicht exakt für uID = 0 sondern für uID = UI0 ≠ 0 auf.
US
uID
T1 T2 Rk
Abbildung 14-9
Offsetspannungs-Kompensation T7 T8
durch Verstellung der
Ruheströme durch die
Eingangstransistoren
T5 T6 T3 T4 u Qu

RE5 RE6
-US

Diese Eingangsoffsetspannung (bis zu einigen mV) kann durch Kompensationsmaßnahmen

beseitigt bzw. kompensiert werden. Bei vielen Operationsverstärkern sind hierfür eigene
Anschlüsse vorgesehen. Zur Offsetspannungskompensation werden z.B. die Ruheströme
durch die Eingangstransistoren durch ein externes Potentiometer so verstellt, bis UI0 = 0
vorliegt.

14.2.1.6 Eingangsstufe mit extrem hohem Eingangswiderstand

Durch Einsatz von Feldeffekttransistoren als Eingangstransistoren kann der
Eingangswiderstand der Eingangsstufe deutlich erhöht werden.

237
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

14.2.2 Koppelstufe
Die Koppelstufe hat folgende Aufgaben:
- Anpassung des Ausgangs der Eingangsstufe an den Eingang der Endstufe (z.B.
Differenzausgang einer Eingangsstufe an unsymmetrischen Eingang der Endstufe
anpassen)
- hohe Eigenverstärkung
Die in Abschnitt 14.2.1.5 beschriebene Eingangsstufe besitzt einen unsymmetrischen
Ausgang. Aus diesem Grunde kann eine sehr einfache Koppelstufe folgen.
US
Abbildung 14-10
Einfache Koppelstufe Ik
mit hoher Verstärkung uout

T9
u Qu
-US
Das Ausgangssignal u Q u der Eingangsstufe wird der Basis des Transistors T9
(in Emitterschaltung) zugeführt. T9 wird aus einem Stromspiegel mit konstantem
Kollektorstrom versorgt; dadurch ergibt sich eine hohe Spannungsverstärkung der
Koppelstufe.
14.2.3 Ausgangsstufe
Aufgaben der Ausgangsstufe sind:
- hohe Ausgangsleistung bereitstellen
- niedriger Innenwiderstand (Ausgangswiderstand)
- niedrige interne Verlustleistung
- Kurzschlussfestigkeit
14.2.3.1 Gegentakt-Ausgangsstufe (Prinzipschaltung)
Abbildung 14-11 zeigt eine Gegentakt-Ausgangsstufe aus den komplementären
Transistoren T10 und T11 (beide in Kollektorschaltung), die unmittelbar an den Ausgang
der Koppelstufe angeschlossen sind. US

Abbildung 14-11 Ik
Koppelstufe und einfache T10
Gegentakt-Ausgangsstufe
T11 uQ RL
T9
u Qu
-US
Steigt das Eingangssignal uQu, so wird T9 stärker leitend und zieht das gemeinsame
Potenzial an der Basis der komplementären Transistoren T10 und T11 ins Negative. Am
Ausgang wird die Spannung uQ negativ. Wird die Spannung uQu kleiner, so wird T9
hochohmiger und die Spannung an der Basis der Transistoren T10 und T11 steigt ins
Positive. Am Ausgang erscheint eine positive Spannung uQ.

238
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

Da die Basis-Emitter-Strecken der komplementären Ausgangstransistoren parallel

geschaltet sind, leitet immer nur einer der beiden Transistoren. In dem Bereich von etwa
-0,5V < UBE < +0,5V sind beide Ausgangstransistoren gesperrt.
Die gezeichnete Ausgangsstufe hat daher den Nachteil, dass für einen Nulldurchgang der
Ausgangsspannung erst von der Schwellspannung der Basis-Emitter-Diode des einen
Transistors auf die Schwellspannung des anderen Transistors umgeschaltet werden muss.
Für einen Nulldurchgang der Ausgangsspannung ist daher eine Spannungssprung von ca.
1 V bis 1,2 V an der Basis der beiden Ausgangstransistoren erforderlich. Während diese
„tote Zone“ durchlaufen wird, sind beide Ausgangstransistoren gesperrt. Danach können
Einschwingvorgänge auftreten (B-Betrieb gemäß Abschnitt 11.6.2).

14.2.3.2 Einstellung eines Ruhestromes (Querstromes) durch die Ausgangstransistoren

Die „tote Zone“ lässt sich vermeiden, indem ein Ruhestrom durch die Transistoren T10 und
T11 eingestellt wird (AB-Betrieb). Hierzu muss zwischen den Basisanschlüssen der beiden
Transistoren eine entsprechende Spannungsdifferenz von ca. 1,2 V aufgebaut werden. Zur
Stabilisierung und Begrenzung des Ruhestromes wird jeweils ein niederohmiger
Gegenkopplungs-Widerstand in Reihe zu den Emittern der Ausgangstransistoren eingefügt.
Abbildung 14-12 und Abbildung 14-13 zeigen zwei mögliche Ausführungen der
Ruhestrom-Einstellung. US

Abbildung 14-12
Ik
Einstellung der Basis-Vorspannung T10
durch Konstantstrom und Widerstand
RE10
ca. 1,2 V RB
RE11

T11
T9
u Qu
-US
In Abbildung 14-12 wird der von dem konstanten Strom Ik an dem Widerstand RB
erzeugte Spannungsabfall zur Einstellung der Arbeitspunkte von T10 und T11
herangezogen.
US

Abbildung 14-13 Ik
Querstromstabilisierung T10
mit UBE-Vervielfacher RE10
RB1
T12
RB2 RE11

T11
T9
u Qu
-US
Abbildung 14-13 zeigt eine verbesserte Stabilisierung durch Verwendung des sog.
UBE-Vervielfachers (T12, RB1 und RB2).
239
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

Bei nicht zu hochohmiger Dimensionierung der Widerstände RB1 und RB2 stellt sich an T12
die Spannung UCE ≈ UBE ⋅ (RB1 + RB2)/RB2 ein. Mit dieser Schaltung wird (bei guter
thermischer Kopplung der Transistoren T10 und T11 mit T12) die Temperaturabhängigkeit
der Ausgangsstufe minimiert.
14.2.3.3 Kurzschlussfestigkeit des Ausganges
In der Regel ist der Ausgang eines Operationsverstärkers kurzschlussfest. Die
Kurzschlussfestigkeit wird dabei durch Strombegrenzung erreicht.
Für positive und negative Ausgangsströme müssen hierbei getrennte Schutzmaßnahmen
vorgesehen werden.
Begrenzung für positive Ausgangsströme
Zur Strombegrenzung wird der vom Ausgangsstrom am Emitterwiderstand RE10
verursachte Spannungsabfall als Steuerspannung dem Transistor T13 zugeführt. Erreicht
der Ausgangsstrom eine voreingestellte Grenze, so wird T13 leitend und begrenzt den
Basisstrom von Transistor T10. US

Ik IB10
Abbildung 14-14 T10
Begrenzung des positiven
Ausgangsstromes T13
RE10

IQ
Begrenzung für negative Ausgangsströme
Operationsverstärker beinhalten hauptsächlich npn-Transistoren und sind daher in
n-leitendes Halbleitermaterial integriert. Die zusätzlich erforderlichen pnp-Transistoren (T7
und T8 in der Eingangsstufe und T11 in der Ausgangsstufe) werden als Lateraltransistoren
(horizontale statt vertikale Schichtenfolge) hergestellt und besitzen nur eine geringe Strom-
verstärkung. Demzufolge fließt ein großer Teil des negativen Ausgangsstromes nicht über
den Kollektorstrom des pnp-Transistor T11, sondern über den ansteuernden Transistor T9.
Aus diesem Grunde greift der Transistor T14 IQ
zur Begrenzung negativer Ausgangsströme
nicht am Lateraltransistor T11, sondern an RE11
der Basis des Transistors T9 ein.
T11
Abbildung 14-15 T9
Begrenzung negativer Ausgangsströme
T14
u Qu
RE9
-US
Hier fließen die Funktionen von Koppelstufe und Ausgangsstufe ineinander.
Um den Eingangsstrom der Koppelstufe/Ausgangsstufe klein zu halten, wird anstelle des
einfachen Transistors T9 eine Darlingtonschaltung eingesetzt (T9 und T15 in Abbildung
14-16).

240
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

14.2.4 Gesamtschaltung des OP 741

Der Universal-Operationsverstärker 741 enthält alle diskutierten Schaltungsteile.
Abbildung 14-16 Gesamtschaltbild des Universal-Operationsverstärkers 741
U+

T16 T17 T19 T20

T10
R7 T13
Input 4,5k
T1 T2 R9
R5 T12 25
C1
39k R6
30p Output
T7 T8 4,5k
R8
50
T18 T9
T11
T15
T5 T6 T3 T4
Offset T14
R4 R10 R11
R1 R2 R3
5k 50k 50
1k 50k 1k
U-
Zur Konstantstromspeisung der Eingangsstufe wird der Stromspiegel aus T3 und T4 durch
einen weiteren Stromspiegel (T16 und T17) ergänzt. Hierdurch wird der Strom durch die
Eingangsstufe unabhängig von der Stromverstärkung der Lateraltransistoren T7 und T8.
Der (zusätzliche) Transistor T18 zur Basisstromversorgung des Stromspiegels T5/T6
verbessert die Symmetrie der Eingangsdifferenzstufe.
Der Widerstand R5 dient zur Einstellung des Konstantstromes für Ein- und Koppelstufe.
Der Widerstand R4 bewirkt jedoch, dass die Eingangsstufe mit einem wesentlich kleineren
Konstantstrom versorgt wird als die Koppelstufe.
Abbildung 14-17 Ströme im Operationsverstärker 741
U+

20µA 10µA 0,7mA

20µA 0,1mA
≤100nA 30µA
0,73mA
0,6mA
15µA 15µA
R5
≤100nA 15µA

11µA 8µA 11µA 1µA

10µA
16µA 10µA 28µA

11µA 14µA 11µA

R4
U-

241
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

Der Kondensator C1 dient zur internen Frequenzgangkorrektur (siehe Abschnitt 15.4).

Zusammen mit anderen internen Kapazitäten (z.B. Millerkapazität von T9) bewirkt C1, dass
der Frequenzgang der Leerlaufverstärkung bis jenseits der Transitfrequenz einem Tiefpass
1. Ordnung entspricht. Der Operationsverstärker 741 neigt daher nicht zum selbsterregten
Schwingen. Darüber hinaus begrenzen C1 und der maximale Ausgangsstrom der Eingangs-
stufe (ca. 30µA – 8 µA = 22µA) die maximal mögliche Änderungsgeschwindigkeit der
Ausgangsspannung (die sog. slew rate) auf etwa 0,6 V/µs.

14.3 Eigenschaften und Daten von Operationsverstärkern

Im folgenden sind die wichtigsten Eigenschaften und Daten von Operationsverstärkern
angegeben. In einigen Fällen sind Zielgrößen für einen (nicht realisierbaren) idealen
Operationsverstärker den Daten realer Operationsverstärker gegenüber gestellt.
Wichtige Eigenschaften eines Operationsverstärkers sind:
* (meistens) ein potenzialfreier Differenzeingang (Potenziale von UIp und UIn dürfen
von Massepotenzial abweichen)
* eine sehr hohe Leerlaufspannungsverstärkung (Idealer Verstärker: VU0 → ∞)

UQ
VU 0 = (z.B. VU0 = 105 . . . 106)
U ID
UQ
UQM+
Abbildung 14-18
Statische Übertragungskennlinie
des Operationsverstärkers
UID/mV
- 0,1 0,1

UQM-

Der Bereich von UID, der zu Ausgangsspannungen innerhalb des Aussteuerungs-

bereiches UQM- < UQ < UQM+ führt, ist sehr klein (z.B. -0,1mV < UID < +0,1mV);
Überschreitet UID diesen schmalen (Proportional-) Bereich, so geht der Verstärkeraus-
gang in die Begrenzung mit UQ = UQM+ oder UQ = UQM-.
* eine sehr geringe Gleichtaktverstärkung (Idealer Verstärker: VC = 0)

UQ U Ip + U In
VC = (mit U IC = )
U IC 2
bzw. eine hohe Gleichtakt-Unterdrückung (Idealer Verstärker CMRR → ∞)

V
CMRR = 20 ⋅ log Udiff (z.B. 80 . . 120 dB)
VC

Meist dürfen Gleichtaktspannungen annähernd die Größe der Versorgungsspannungen

des Operationsverstärkers erreichen, ohne dass Funktionsbeeinträchtigungen auftreten.

242
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

* sehr kleine Eingangsströme (z.B. 10-12 . . . 10-6 A). (Idealer Verstärker: IIB = 0)
Dem entsprechen ein sehr hoher Eingangswiderstand ZID zwischen den
Eingangsklemmen Ep und En sowie sehr hohe Eingangswiderstände ZIp und ZIn
zwischen den Eingängen und Masse (z.B. ZID = 105 . . . 107 . . . 1012 Ω, ZIp ≈ ZIn =
107 . . . 109 . . . 1014 Ω).
* niedriger Ausgangswiderstand (z.B. ZQ = 20 . . 200 Ω) (Idealer Verstärker: ZQ = 0)
* großer Frequenzbereich (z.B. 0 . . 1 MHz . . 100 MHz) (Idealer Verstärker 0 . . ∞)

Einige Eigenschaften des Operationsverstärkers sind frequenzabhängig, z.B. die

Leerlaufverstärkung für Kleinsignalaussteuerung sowie die Phasenverschiebung
zwischen Ein-und Ausgangssignalen. Auf damit zusammenhängende
Stabilitätsprobleme wird in Abschnitt 15.4 eingegangen.
Abbildung 14-19 Frequenzgang der Leerlaufverstärkung des µA741
VU0 dB f0
100
80
60 - 20dB/Dekade
40
20
fT
0
-20 - 40dB/Dekade

-40
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
0°

-90°

-180°
ϕU0
Abbildung 14-19 zeigt Verstärkungs- und Phasengang eines frequenzgang-kompensier-
ten Operationsverstärkers. Hier fällt die Verstärkung oberhalb der Grenzfrequenz f0 mit
-20dB/Dekade ab, bis sie bei der sog. Transitfrequenz fT den Wert 1 (= 0 dB) erreicht.
Im Bereich des -20dB-Abfalls ist das maximal erreichbare Produkt aus Verstärkung und
Bandbreite (Verstärkungs-Bandbreiteprodukt) immer gleich fT.
* eine mehr oder weniger große maximale Änderungsgeschwindigkeit der
Ausgangsspannung (slew rate)
Der in Abbildung 14-19 beispielhaft gezeigte Frequenzgang für Kleinsignalaussteuerung
gilt, solange eine bestimmte maximale Änderungsgeschwindigkeit S = (dU/dt)max des
Ausgangssignals (slew rate) nicht überschritten wird. Die durch interne Kapazitäten
bestimmte slew rate beträgt z.B. S = 1V/µs (bei schnellen Verstärkern bis einige
kV/µs). Die durch die slew rate begrenzte Großsignalbandbreite (z.B. 10 ...100 kHz) ist
immer wesentlich kleiner als die für Kleinsignalaussteuerung gültige Transitfrequenz.
* große Temperaturstabilität

243
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

Die folgende Tabelle zeigt wichtige Daten von Operationsverstärkern, wie sie in Datenblättern
ausgewiesen werden. Beispielhaft sind typische Daten des Universalverstärkers µA741, des
Verstärkers LF411 (Motorola) sowie eines sehr schnellen Verstärkers OPA655 (Burr Brown)
angegeben.
Tabelle 14-1 Daten verschiedener Operationsverstärker
Bezeichnung Bezeichnung Formel- Typische Werte
deutsch englisch zeichen
µA741 LF411 OPA655
Leerlaufverstärkung bzw. open loop voltage VU0 200 000 80 000 1000
Gleichspannungsverstärkung gain
Transitfrequenz unity gain fT 1 MHz 8 MHz 400 MHz
frequency
Anstiegsgeschwindigkeit slew rate dUa/dt 0,5 V/µs 25 V/µs 300 V/µs
Eingangswiderstand input resistance Rin 2 MΩ 1015 Ω 1012 Ω
Eingangs-Offsetspannung input offset UI0 1 mV 0,5 mV 1 mV
voltage
Temperaturkoeffizient der T.C. of input 3 µV/°C 10 µV/°C 10 µV/°C
Offsetspannung offset voltage
Offsetspannungs-Drift offset voltage drift 60 µV/h
Eingangs-Ruhestrom input bias current IIB 80 nA 60 pA 90 pA
Eingangs-Offsetstrom input offset II0 20 nA 20 pA 30 pA
current
Temperaturkoeffizient des T.C. of input 375 pA/°C 3 pA/°C
Eingangs-Offsetstromes offset current
Versorgungsspannung supply voltage VCC;VEE ± 15 V ± 15 V ±5V
Betriebsspannungs- supply voltage PSRR 30 µV/V 70 dB
unterdrückung rejection ratio
Eingangsspannungsbereich input voltage VIN ± 13 V ± 15 V ±3V
range
Gleichtaktunterdrückung common mode CMRR 90 dB 90 dB 70 dB
rejection ratio
Ausgangsspannungshub output voltage Vout ± 14 V +13,9 V ±3V
-14,7 V
Ausgangs-Kurzschlussstrom output short- ISC 25 mA 75 mA
circuit current
Ausgangswiderstand open loop output Rout 75 Ω 15 Ω
impedance
Arbeitstemperatur operating ambient TA -55 to 125 0 to 70 °C -40 to 85 °C
temperature range °C
Wärmewiderstand thermal resistance Rth 100 °C/W 120 °C/W

244
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers

14.4 Moderne Operationsverstärker-Typen

Der bisher und in den folgenden Abschnitten beschriebene Operationsverstärker gehört zu
den Spannungsverstärkern (VV-OP; Voltage-Voltage-Operational-Amplifier). Er besitzt
einen hochohmigen Spannungseingang und einen niederohmigen Spannungsausgang.
Spannungs-Stromwandler (VC-OP; Voltage-Current-Operational-Amplifier), auch
Transadmittanzverstärker oder Steilheitsverstärker genannt, besitzen einen
Spannungseingang und einen Stromquellenausgang. In vielen Fällen lässt sich die
Übertragungssteilheit durch eine Spannung an einem eigenen Steuereingang einstellen.
Damit ist eine einfache Verstärkungseinstellung ohne zusätzliches
Rückkopplungsnetzwerk möglich. Die Ausgänge von Transadmittanzverstärkern können
parallel geschaltet werden (Addition der Ausgangsströme).
Strom-Spannungswandler (CV-OP; Current-Voltage-OP), auch Transimpedanzwandler
oder Strom-Rückkopplungs-OPV genannt, besitzen einen niederohmigen, also
stromgesteuerten invertierenden Eingang und einen niederohmigen Spannungsausgang.
Die Ausgangsspannung ergibt sich aus dem Produkt von Eingangsstrom IN und
Transimpedanz Z.
Stromverstärker (CC-OP; Current-Current-OP) besitzen einen stromgesteuerten Eingang
und einen Stromquellenausgang. Der Ausgangsstrom ergibt sich als Produkt aus
Eingangsstrom IN und Stromübertragungsfaktor kI = 1 ..... 10. In vieler Hinsicht verhält
sich der CC-OP wie ein idealer Transistor.
VC-, CV- und CC-OP werden in diesem Buch nicht weiter behandelt.

14.5 Übungsaufgaben zu Aufbau und Funktionsweise des

Operationsverstärkers (VV-OP)
(a) Warum besitzen die meisten Operationsverstärker einen Differenzeingang ?
(b) Was versteht man unter der Eingangs-Gleichtaktspannung ?
(c) Was versteht man unter der Eingangs-Offsetspannung ?
(d) Was versteht man unter dem Offsetstrom ?
(e) Was versteht man unter der Kaskodeschaltung ? Welche Vorteile hat sie ?
(f) Was versteht man unter einem Lateraltransistor ?
Warum besitzt er eine geringe Stromverstärkung und eine hohe Durchbruchspannung
der BE-Strecke ?
(g) Was ist die Slew Rate ?

245
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15 Operationsverstärker - Grundschaltungen
15.1 Anwendungsbeispiele ohne Rückkopplung oder mit Mitkopplung
Bei Schaltungen ohne Rückkopplung oder mit Mitkopplung treten am Ausgang des
Operationsverstärkers wegen seiner hohen Leerlaufverstärkung praktisch nur die zwei der
vollen Aussteuerung entsprechenden Spannungen UQM+ ≈ +US und UQM- ≈ -US auf.

15.1.1 Komparator
Der Komparator ist ein Operationsverstärker ohne Rückkopplung. Er kann invertierend
oder nicht invertierend beschaltet werden.
Abbildung 15-1 Der Komparator (invertierend)
(a) Schaltung (b) Übertragungsverhalten
uQ
UQM+
uI

uQ URef
URef 0 uI

UQM-
Mit dem Komparator lässt sich feststellen, ob eine Spannung u1 größer oder kleiner
(positiver oder negativer) als eine Referenzspannung URef ist (URef kann auch 0 sein).
Für uI < URef (d.h. uID > 0) gibt der Komparator eine Spannung von uQ = UQM+ ≈ +US
ab, für uI > URef (d.h. uID < 0) ist die Ausgangsspannung uQ = UQM- ≈ - US.
Liegt uI in dem kleinen Intervall URef ± ε (mit ε = UQM /VU0), so treten Zwischenwerte
der Ausgangsspannung auf. uQ
UQM+
Abbildung 15-2
Übertragungsverhalten des URef
Komparators für uI ≈ URef 0 uI

UQM-
ε ε
Ist dieses Verhalten unerwünscht, so setzt man einen Schmitt-Trigger (siehe Abschnitt
15.1.2) anstelle des einfachen Komparators ein.
Spezielle, als Komparatoren ausgelegte Operationsverstärker besitzen eine hohe Slew Rate,
wodurch sehr schnelle Umschaltzeiten des Ausgangssignals (z.B. im ns-Bereich) erreicht
werden.
Um den Komparatoreingang vor zu hohen Differenzspannungen zu schützen, können zwei
anti-parallele Dioden zwischen die Verstärkereingangsklemmen geschaltet werden.

Abbildung 15-3 uI
Schutzbeschaltung uQ
des Komparatoreinganges URef

246
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.1.2 Schmitt-Trigger
Der Schmitt-Trigger ist ein Schwellwertschalter mit Hysterese. Er kann sowohl
invertierend als auch nicht-invertierend beschaltet werden.
Wie beim Komparator schaltet der Verstärkerausgang zwischen UQM+ und UQM- um,
wenn das Potenzial uIn am invertierenden Eingang die am nicht-invertierenden Eingang
eingestellte Schaltschwelle uIp durchläuft, d.h. wenn die Polarität von uID sich ändert.
Durch eine teilweise Rückkopplung des Ausgangssignals auf den nicht-invertierenden
Eingang (= Mitkopplung) ergibt sich in jedem Falle ein sprunghaftes Umschalten der
Ausgangsspannung; Werte der Ausgangsspannung zwischen UQM+ und UQM- sind nicht
möglich. uIn

uID
uI
Abbildung 15-4 uIp
Schmitt-Trigger (invertierend) uQ
R1 R2
Uref

Durch die Mitkopplung ergeben sich unterschiedliche Schaltschwellen für steigendes bzw.
fallendes Eingangs- bzw. Ausgangssignal (= Hysterese).

Schaltschwellen: (Annahme für die Berechnung: UQM+ ≈ UQM- ≈ UQM)

Der Verstärkerausgang schaltet beim Nulldurchgang von uID, d.h. bei einer
Eingangsspannung uI, bei der uIn = uIp wird (= Schaltbedingung)
R1 R2
u In = u Ip = ± U QM ⋅ + U ref ⋅
R1 + R 2 R1 + R 2
(Berechnung von uIp mittels Überlagerungsgesetz)
Mit uI = uIn ergibt sich für die Schaltschwellen uI1 = US1 bzw. uI2 = US2

1 (für steigende Eingangsspannung uI;

U S1 = ( U QM+ ⋅ R 1 + U ref ⋅ R 2 ) ⋅
R1 + R 2 fallende Ausgangsspannung uQ)
1 (für fallende Eingangsspannung uI;
und U S2 = (U QM − ⋅ R 1 + U ref ⋅ R 2 ) ⋅
R1 + R 2 steigende Ausgangsspannung uQ)

Für Uref = 0 liegen die Schaltschwellen symmetrisch zu 0.

R2
Mit Uref ≠ 0 verschieben sich die Schaltschwellen um den Wert U ′ref = U ref ⋅
R1 + R 2
Die Hysterese beträgt

2 ⋅ R1
∆U Hyst = U S1 − U S2 = U QM ⋅
R1 + R 2

247
Operationsverstärker-Grundschaltungen
uQ

Abbildung 15-5 UQM+ U´ref

Hystereseschleife des
invertierenden Schmitt-Triggers US2 US1
uI
UQM-

∆Uhyst
Die Abbildung 15-6 zeigt Signalverläufe am Schmitt-Trigger bei langsam sich änderndem
Eingangssignal ui. u Q

Abbildung 15-6 UQM+

Signalverläufe am
Schmitt-Trigger t

UQM-
uI uIp
US1
U´ref ∆Uhyst
US2 t

uID

Die Abbildung zeigt, dass der Nulldurchgang der Eingangsdifferenzspannung uID durch
die Mitkopplung sprunghaft erfolgt. Damit tritt auch bei langsam sich ändernden
Eingangssignalen ein sprunghaftes Schalten des Ausgangs auf.

15.1.3 Astabiler Multivibrator RF

uIn
uID
C
Abbildung 15-7
Der astabile Multivibrator uIp
uQ
R1 R2

Der astabile Multivibrator besteht aus einem Schmitt-Trigger (Operationsverstärker, R1,

R2), sowie einem RC-Glied (RF , C), das an den Verstärkerausgang angeschlossen ist.
Der Schmitt-Trigger-Ausgang kann nur die Sättigungsspannungen UQM+ oder UQM- abge-
ben. Demzufolge stellen sich am nicht invertierenden Eingang des Operationsverstärkers
über den Spannungsteiler aus R1 und R2 die Schaltschwellen uIp = US1 oder uIp = US2 ein.

248
Operationsverstärker-Grundschaltungen

Der Kondensator C wird über den Widerstand RF nach einer e-Funktion in Richtung auf
das Ausgangssignal umgeladen. Durchläuft die Spannung am Kondensator (= Eingangs-
signal uIn des Schmitt-Triggers) die Spannung uIp , so schaltet der Verstärkerausgang (und
damit auch die Schaltschwelle des Schmitt-Triggers) in die entgegengesetzte Lage um.
Auf diese Weise wird der Kondensator ständig zwischen den beiden Schaltschwellen des
Schmitt-Triggers hin- und hergeladen. Am Verstärkerausgang tritt ein Rechtecksignal auf.
uQ T
UQM+
t
UQM-
Abbildung 15-8
uIp T/2
Spannungsverläufe
am astabilen Multivibrator US1
t
US2

uIn
US1
t
US2

uID

Berechnung der Periodendauer des astabilen Multivibrators

Die Umladung des Kondensators von US2 nach US1 (mit uQ = UQM+) erfolgt nach der
Gleichung
t
−
C⋅ R F
u C ( t ) = u In = U S2 + ( U QM + − U S2 ) ⋅ (1 − e ) mit uC(t) = US2 für t = 0

Nach der Zeit tS = T/2 erreicht die Kondensatorspannung den Wert US1 = - US2
T
−
2⋅C⋅R F
u C ( t S ) = − U S2 = U S2 + ( U QM + − U S2 ) ⋅ (1 − e )

U QM+ − U S2
Daraus errechnet sich T = 2 ⋅ C ⋅ R F ⋅ ln
U QM + + U S2

R1 R1
Mit U S2 = U QM − ⋅ ≈ − U QM + ⋅
R1 + R 2 R1 + R 2

2 ⋅ R1
wird daraus T = 2 ⋅ C ⋅ R F ⋅ ln(1 + )
R2

249
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2 Niederfrequente Anwendungsbeispiele mit Gegenkopplung

Durch Gegenkopplung lassen sich Schaltungen mit einer Gesamtverstärkung aufbauen, die
wesentlich unter der Leerlaufverstärkung des Operationsverstärkers liegt. Damit können
auch Eingangsspannungen proportional verstärkt werden, die sehr viel größer sind als der
Proportionalbereich von UID.
Zur Gegenkopplung wird das Ausgangssignal auf den invertierenden Eingang
zurückgekoppelt (z.B. über den Widerstand RF in Abbildung 15-10).
Solange hierzu Ausgangsspannungen UQ < UQM ausreichen, kompensiert der
Operationsverstärker über den Gegenkopplungszweig den Einfluss des Eingangssignales
auf den invertierenden Eingang, so dass sich eine dem Ausgangssignal entsprechende
Eingangsdifferenzspannung UID einstellt [UID = (UQ / VU0) < (UQM / VU0) → 0].
Für die Analyse von Schaltungen mit starker Gegenkopplung kann also von folgender
Bedingung ausgegangen werden:
UID ≈ 0

In dem Frequenzbereich, in dem die Leerlaufverstärkung VU0 des Operationsverstärkers

deutlich größer ist als die durch Gegenkopplung bewirkte Gesamtverstärkung VUF, ist diese
Gesamtverstärkung VUF unabhängig von den Frequenzeigenschaften des
Operationsverstärkers.

Abbildung 15-9 Frequenzgang der durch Gegenkopplung bewirkten Verstärkung VUF

VU0 dB
120
VU0
100
80
VUF =100
60

40 VUF =10

20 fT
0
-20
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz

In den folgenden Abschnitten werden einfache Anwendungsschaltungen mit

Operationsverstärkern dargestellt und berechnet. Alle Beschreibungen und Berechnungen
gelten für solche Gesamtverstärkungen und solche Frequenzen, bei denen der
Frequenzgang der Gesamtschaltung nicht vom Frequenzverhalten des
Operationsverstärkers bestimmt wird.
Zunächst werden Schaltungen für frequenz- und zeitunabhängige Anwendungen dargestellt
(invertierender und nicht-invertierender Verstärker, Addierer, Subtrahierer). Es folgen
Schaltungen für frequenz- oder zeitabhängige Funktionen (Integrierer, Differenzierer,
Frequenzpässe, PI-Regler)

250
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.1 Invertierender Verstärker IF

RF
I1 IIn
Abbildung 15-10 R1 UID
Der invertierende Verstärker UI
UQ
IIp

Der Operationsverstärker stellt seine Ausgangsspannung UQ so ein, dass der aus UI über
R1 zum Verstärkereingang fließende Strom I1 über den Rückkopplungswiderstand
abgeleitet wird (IF) und sich am Differenzeingang des Operationsverstärkers eine der
Ausgangsspannung entsprechende Differenzspannung UID = UQ/VU0 einstellt. Bei
hinreichend großer Leerlaufverstärkung des Operationsverstärkers wird diese
Differenzspannung UID ≈ 0.
Ist der nicht-invertierende Eingang mit Masse verbunden, so liegt auch der invertierende
Eingang auf Massepotenzial. Man spricht von einem „virtuellen Nullpunkt“ bzw. von einer
„virtuellen Masse“.
Berechnung der Ausgangsspannung:
Knotengleichung
I1 - IF - IIn = 0 Mit IIn ≈ 0 wird daraus I1 ≈ IF (1)
Maschengleichungen
UI + UID − I1⋅R1 = 0 Mit UID ≈ 0 wird daraus I1 ≈ UI / R1 (2)
UQ + UID + IF⋅RF = 0 Mit UID ≈ 0 wird daraus IF ≈ − UQ / RF (3)
Durch Einsetzen der Gleichungen (2) und (3) in Gleichung (1) ergibt sich
RF
U Q ≈ −U I ⋅
R1

Berechnung der Verstärkung:

UQ RF
VUF = ≈−
UI R1
Die Verstärkung ergibt sich aus dem Verhältnis von Rückkopplungswiderstand zu
Eingangswiderstand.
Die Verstärkung ist negativ, d.h. eine positive Eingangsspannung führt zu einer negativen
Ausgangsspannung und umgekehrt. Der Verstärker arbeitet invertierend.
Beachte: Wenn die Leerlaufverstärkung VU0(f) des Operationsverstärkers nicht sehr viel
größer ist als RF/R1 (z.B. mindestens 10 bis 100 mal größer), dann muss
UID(f) = UQ(f)/VU0(f) berücksichtigt werden und es ergibt sich:
RF VU 0 (f )
VUF (f ) = − ⋅
R 1 1 + R f R 1 + VU0 (f )

251
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.2 Nicht-invertierender Verstärker

IF
RF
IIn

UID
Abbildung 15-11
Der nicht-invertierende Verstärker I1
UQ
UI
R1

Berechnung der Ausgangsspannung

Kirchhoffsche Gleichungen
IF − I1 − IIn = 0 Mit IIn ≈ 0 wird daraus IF ≈ I1
UI − I1⋅R1 − UID = 0 Mit UID ≈ 0 wird daraus I1 ≈ UI / R1
UQ − I1⋅R1 − IF ⋅RF = 0
Daraus ergibt sich
RF
U Q ≈ U I ⋅ (1 + )
R1

Berechnung der Verstärkung

UQ RF
VUF = ≈ 1+
UI R1

Der nicht invertierende Verstärker (Ep als Eingang verwendet) besitzt einen sehr hohen
Eingangswiderstand Rein = ZIp .

Sonderfall
R1 → ∞ und / oder RF = 0
0
⇒ VUF ≈ 1 + =1 Die Verstärkung ist gleich 1
∞

Abbildung 15-12
Spannungsfolger,
Impedanzwandler
UQ
UI

Für eine Verstärkung VUF < 1 muss die Eingangsspannung vor dem Verstärker (z.B. mit
einem Spannungsteiler) heruntergeteilt werden.

252
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.3 Addition (mit Inversion )

R1 I1
U1 R2 I2
IF RF
U2 R3
Abbildung 15-13 I3
Addierer (mit Inversion)
U3 UID
UQ

Berechnung der Ausgangsspannung:

Knotengleichung (mit IIn ≈ 0)
I1 + I2 + I3 + IF ≈ 0
Maschengleichungen (mit UID ≈ 0)
U1 − I1 ⋅ R1 ≈ 0 ⇒ I1 ≈ U1 / R1
U2 − I2 ⋅ R2 ≈ 0 ⇒ I2 ≈ U2 / R2
U3 − I3 ⋅ R3 ≈ 0 ⇒ I3 ≈ U3 / R3
UQ − IF ⋅ RF ≈ 0 ⇒ IF ≈ UQ / RF
Daraus ergibt sich
RF R R
U Q ≈ −( U 1 ⋅ + U 2 ⋅ F + U3 ⋅ F )
R1 R2 R3
Die Schaltung bildet die negative Summe der Eingangsspannungen, wobei für jede
Eingangsspannung ein eigener Gewichtungsfaktor (Verstärkungsfaktor) eingestellt
werden kann.
Sonderfall:
R 1 = R2 = R3 = RI
RF
⇒ U Q ≈ −( U 1 + U 2 + U 3 ) ⋅
RI
Bei gleichen Eingangswiderständen gilt für alle Eingangsspannungen derselbe
Verstärkungsfaktor

RF
VUF ≈ −
RI

253
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.4 Subtraktion (Differenzverstärker)

R3
UIn
R1
U1 UID

Abbildung 15-14 R2 UIp

U2 UQ
Subtrahierer
R4

Berechnung mit Überlagerungssatz und Spannungsteilerregel

Wegen UID ≈ 0 gilt UIn ≈ UIp

R4
Mit U Ip = U 2 ⋅
R2 + R4
R3 R1
und U In = U1 ⋅ + UQ ⋅
R1 + R 3 R1 + R 3
R1 + R 3 R4 R3
wird UQ ≈ ⋅ (U 2 ⋅ − U1 ⋅ )
R1 R2 + R4 R1 + R 3
R1 + R 3 R 4 R
bzw. U Q ≈ (U 2 ⋅ ⋅ − U1 ⋅ 3 )
R 2 + R 4 R1 R1

Sonderfall (= Normalfall)
Normalerweise wählt man R1 = R2 = RI und R3 = R4 = RF
Dann gilt:

RF
U Q ≈ ( U 2 − U1 ) ⋅
RI
RF

U1 RI
Abbildung 15-15
Differenzverstärker U2 RI UQ
RF

254
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.5 Integration
uC

iC C
uR
iR iIn
Abbildung 15-16
Integrator R uID
uI
uQ

Mit uID ≈ 0 und iIn ≈ 0 gilt:

uI − iR ⋅ R ≈ 0 ⇒ iR ≈ uI / R
uQ − uC ≈ 0 ⇒ uQ ≈ uC
i R + iC ≈ 0 ⇒ iR ≈ − iC
d(u C )
iC = C ⋅
dt

Daraus lässt sich ableiten:

uI d(u Q ) uI
≈ −C ⋅ bzw. d(u Q ) ≈ − ⋅ dt
R dt R ⋅C
Durch Integration erhält man:

1
R ⋅C ∫
uQ ≈ − ⋅ u I ⋅ dt

Integration einer konstanten Gleichspannung uI(t) = UI

−U I
uQ ≈ ⋅ t + U Q0
R ⋅C
uI

Abbildung 15-17 t
Integration einer
konstanten Gleichspannung
uQ

UQ0
t
0

Die Integration einer konstanten Gleichspannung führt zu einer linear ansteigenden

(abfallenden) Ausgangsspannung

255
Operationsverstärker-Grundschaltungen

Integration einer Sinus-Spannung uI = ûI ⋅ sin(ωt) und UQ0 = 0

Im eingeschwungenen Zustand gilt

û I
uQ ≈ ⋅ cos(ωt )
R ⋅ ωC

Es stellt sich eine frequenzabhängige Verstärkung ein:

ûQ 1
VUF = ≈ = f (ω)
ûI ωC ⋅ R

Niedrige Frequenzen werden höher verstärkt.

15.2.6 Differentiation uR

uC iF R
iC iIn
Abbildung 15-18
Differentiation C uID
uI
uQ

Mit uID ≈ 0 und iIn ≈ 0 gilt:

uI ≈ uC
uQ ≈ uR = iF ⋅ R
iC ≈ − iF
d(u C )
iC = C ⋅
dt

Daraus leitet sich ab:

d(u I )
u Q ≈ −R ⋅ C ⋅
dt

Differentiation einer Sinusspannung uI = ûI ⋅ sin(ωt)

uQ = − ω⋅C⋅R ⋅ ûI ⋅ cos(ωt)

Es stellt sich eine frequenzabhängige Verstärkung ein:

ûQ
VUF = ≈ ω ⋅ C ⋅ R = f (ω)
ûI

Hohe Frequenzen werden stärker verstärkt.

256
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.7 Tiefpass oder Verzögerungsglied 1. Ordnung

iF RF
Abbildung 15-19
Tiefpass bzw. iC CF
Verzögerungsglied 1. Ordnung
R1 i1
UI
UQ
u1
Berechnung im Frequenzbereich: uQ
(Variable ω)
Es liegt ein invertierender Verstärker mit komplexem Rückkopplungswiderstand ZF vor.
Für den Tiefpass gilt daher in Anlehnung an den invertierenden Verstärker

Z
U Q ≈ −U I ⋅ F
Z1
1 RF
Mit ZF = = und Z1 = R1
1 1 + jω ⋅ C F ⋅ R F
+ j⋅ ω ⋅ CF
RF
RF 1
wird daraus U Q ≈ −U I ⋅ ⋅
R1 1 + j ⋅ ω ⋅ C F ⋅ R F

1 ω
Führt man die Grenzfrequenz ω g = und die normierte Frequenz Ω=
R F ⋅ CF ωg

RF 1 R 1 − jΩ
ein, so ergibt sich U Q ≈ −U I ⋅ ⋅ = −U I ⋅ F ⋅
R 1 1 + jΩ R1 1 + Ω 2

Graphische Darstellung des Frequenzgangs des Tiefpasses (Bode-Diagramm)

a) Amplitudengang
Für die Beträge von Ein- und Ausgangsspannung erhält man folgenden Zusammenhang
RF 1
UQ ≈ UI ⋅ ⋅
R1 1 + Ω 2

UQ RF 1
Mit den Verstärkungen VUF (ω) = ≈ ⋅
UI R1 1 + Ω2
RF
und VUF (0) ≈ (Verstärkung für Gleichspannung)
R1
ergibt sich für die auf Gleichspannung bezogene relative Verstärkung

VUF (ω) 1
=
VUF (0) 1 + Ω2

257
Operationsverstärker-Grundschaltungen

VU (ω)
VU (0) -3dB
0
10
-20dB/Dekade
Abbildung 15-20 10-1
Amplitudengang des Tiefpasses
10-2

10-3

10-4
10-2 10-1 100 101 102 103 104 Ω

Im(U Q )
b) Phasengang ϕ = arctan ϕ = arctan( −Ω)
Re( U Q )
ϕ

Abbildung 15-21 0°
Phasengang des Tiefpasses
-45°

-90°
10-2 10-1 100 101 102 103 104 Ω

Berechnung im Zeitbereich:
uI uQ du Q
i 1 + iF + iC ≈ 0 ⇒ + + CF ⋅ ≈0
R1 R F dt

du Q 1 uI
Differenzialgleichung: + ⋅ uQ ≈ −
dt R F ⋅ CF R1 ⋅ C F

Beispiel: uI = Spannungssprung (uI = 0 für t < 0; uI = UI = konstant für t > 0)

t
−
R
Lösung der Diff.Gl.: u Q ( t ) ≈ − U I ⋅ F ⋅ (1 − e τ F ) mit τF = CF ⋅ RF
R1

uI

Abbildung 15-22 t
Spannungssprung am Tiefpass
uQ
t

258
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.8 Hochpass
RF

R1 C1
Abbildung 15-23
Hochpass UI
UQ

In Anlehnung an die Übertragungsgleichung des invertierenden Verstärkers gilt für den

Z
Hochpass: U Q ≈ −U I ⋅ F
Z1
1 1
Mit Z1 = R 1 − j ⋅ = R 1 ⋅ (1 − j ⋅ ) und ZF = RF
ω ⋅ C1 ω ⋅ C1 ⋅ R 1
1 ω
sowie ωg = und =Ω
R 1 ⋅ C1 ωg

RF 1
ergibt sich U Q ≈ −U I ⋅ ⋅
R 1 1 − j ⋅ (1 Ω)

Graphische Darstellung des Frequenzganges des Hochpasses

a) Amplitudengang
RF 1
Der Betrag der Ausgangsspannung ergibt sich zu UQ ≈ UI ⋅ ⋅
R 1 1 + (1 Ω) 2

VUF (ω) 1
Die auf VUF(ω → ∞) bezogene Verstärkung ist =
VUF (∞) 1 + (1 Ω) 2
VU(ω)
VU (∞)
-3dB
100
Abbildung 15-24
Amplitudengang des Hochpasses 10-1

10-2
20dB/Dekade
10-3
10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 Ω
b) Phasengang ϕ
ϕ = arctan(ωg ω) = arctan(1 Ω)
90°

Abbildung 15-25 45°

Phasengang des Hochpasses
0°
10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 Ω
259
Operationsverstärker-Grundschaltungen
CF
15.2.9 Bandpass
RF

Abbildung 15-26 R1 C1
Bandpass UI UQ

Für die Berechnung des Frequenzganges dienen folgende Beziehungen:

Z Z ⋅ e j⋅ϕz j⋅ϕ
U Q ≈ −U I ⋅ F UI = UI (reell) U Q ≈ −U I ⋅ F = UQ ⋅ e Q
Z1 Z1 ⋅ e j⋅ϕ1
1 1 ω 1
Z1 = R 1 + = R 1 ⋅ (1 − j ⋅ ) = R 1 ⋅ (1 − j ⋅ u ) mit ω u =
j ⋅ ω ⋅ C1 ω ⋅ C1 ⋅ R 1 ω R 1 ⋅ C1
1 RF RF 1
ZF = = = mit ωo =
(1 R F ) + j ⋅ ω ⋅ C F 1 + j ⋅ ω ⋅ C F ⋅ R F ω R F ⋅ CF
1+ j⋅
ωo

RF  ω 2 ω 
Damit errechnet sich UQ ≈ UI ⋅ ⋅ 1 [1 + ( ) ] ⋅ [1 + ( u ) 2 ] 
R1  ωo ω 

ω ω
und ϕ Q = arctan( u ) − arctan( )
ω ωo
a) Amplitudengang
UQ RF  ω 2 ω  RF
Es gilt VUF (ω) = ≈ ⋅ 1 [1 + ( ) ] ⋅ [1 + ( u ) 2 ]  und VUFmax ≈
UI R1  ωo ω  R1
VU (ω)
VUmax
-3dB -3dB
0
10
Hochpass Tiefpass
Abbildung 15-27
10-1
Amplitudengang
des Bandpasses 10-2
(ωu << ωo) ω
10-3
ωu ωu ωu ωo 10 ω o 3
ωu 10 ω u 10 ω o
ωo 2
1000 100 10 10 10 ω o

b) Phasengang ϕ
90°

45° Hochpass
Abbildung 15-28 ωo 10 ω o 3
10 ω o
ωo 2
10 10 ω o
Phasengang 0° ω
des Bandpasses ωu ωu
ωu 10 ω u
100 10
-45° Tiefpass

-90°
260
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.2.10 PI-Regler (Proportional-Integral-Regler) RF CF

Abbildung 15-29 R1
Der PI-Regler UI
UQ

a) Frequenzbereich (UI sinusförmig; Variable ω)

Z R − j /(ω ⋅ C F )
U Q ≈ −U I ⋅ F = −U I ⋅ F
ZI R1
RF 1
U Q ≈ U I ⋅ (− +j )
R1 ω ⋅ C F ⋅ R1

RF 1
Komplexe Verstärkung: V UF ≈ − +j
R1 ω ⋅ C F ⋅ R1

b) Zeitbereich (beliebiger Zeitverlauf von uI(t) ; Variable t)

Mit u Q (t) = u R F (t) + u C (t) u R F (t ) = i R F (t ) ⋅ R F
du C (t) u (t )
i C (t) = C F ⋅ i R F ( t ) = i C ( t ) ≈ −i R 1 ( t ) = − I
dt R1

 R 1
t 
ergibt sich u Q ( t ) ≈ − u I ( t ) ⋅ F + ⋅ ∫ u I ( t ) ⋅ dt  + U Q (0)
 R1 R1 ⋅ C F 0 
Proportional Integral
+ + Anfangs
-Anteil -Anteil -Wert

Sonderfall: uI(t) = UI = konstant

 R t 
u Q ( t ) ≈ − U I ⋅ F + U I ⋅  + U Q (0)
 R1 R1 ⋅ C F 
uI

∆U1 ∆U2

t
Abbildung 15-30
Konstantspannungspuls uQ
t
am PI-Regler ∆U1 ∆U2
∆U2 ∆U1

Ein Eingangsspannungssprung führt zu einem proportionalen Spannungssprung am

Ausgang. Außerdem werden von Null abweichende Eingangsspannungen integriert.

261
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.3 Fehler-Rechnung
Bei den bisherigen Berechnungen gegengekoppelter Operationsverstärker wurde verein-
fachend angenommen, dass die Eingangsströme IIp und IIn sowie die Eingangsdifferenz-
spannung UID am Operationsverstärker gleich 0 sind.
In der Realität fließen jedoch geringe Eingangsströme und es tritt eine Eingangsdifferenz-
spannung UID ≠ 0 auf.
Diese Eingangsströme und die Eingangsdifferenzspannung führen zu Fehlern in der Aus-
gangsspannung. Diese Fehler sowie Möglichkeiten für ihre Kompensation sollen im
folgenden betrachtet werden.
15.3.1 Fehler durch Eingangs-Offset-Spannung
Wegen Unsymmetrien in der Eingangsschaltung des Operationsverstärkers tritt die Aus-
gangsspannung UQ = 0 nicht exakt für UID = 0 auf. Man nennt die Spannung UID, bei der
sich die Ausgangsspannung UQ = 0 einstellt, die Eingangs-Offsetspannung UI0. Die
Eingangs-Offsetspannung kann einige mV betragen.
Berechnung des Fehlers durch die Eingangs-Offsetspannung:
IF
RF
Abbildung 15-31 I1
Invertierender Verstärker
mit Eingangs-Offsetspannung R1 UI0
UI
UQ
Knotengleichung
I1 + IF = 0 ⇒ I1 = - IF
Maschengleichungen
U I + U I0
UI + UI0 - I1⋅R1 = 0 ⇒ I1 =
R1
UQ + UI0 - IF⋅RF = 0
Daraus ergibt sich
RF R
U Q = −U I ⋅ − U I0 ⋅ (1 + F )
R1 R1
RF
U QF = − U I0 ⋅ (1 + ) Fehleranteil der Ausgangsspannung
R1
RF
z.B. UI0 = +2mV = 100
R1
RF
U Q F = − U I0 ⋅ (1 + ) = −2mV ⋅ (1 + 100) = −202mV
R1
Bei hohen Genauigkeitsanforderungen kann der Eingangs-Offsetspannungs-Fehler mittels
Widerstandsbeschaltung (z.B. Potentiometer) an dafür vorgesehenen Anschlüssen des
Operationsverstärkers kompensiert werden.
262
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.3.2 Fehler durch Eingangsströme (Bias-Ströme)

Annahme: IIp = IIn ≠ 0 IF
RF
I1 IIn
Abbildung 15-32
R1 UID
Invertierender Verstärker
mit Eingangsströmen UI
IIp UQ

Die Eingangsströme IIp und IIn des Operationsverstärkers verursachen Spannungsabfälle

an dem äußeren Widerstandsnetzwerk und damit Fehler der Ausgangsspannung.
Berechnung des Fehlers durch die Eingangsströme
Knotengleichung
I1 + IF + IIn = 0
Maschengleichungen (mit UID = 0)
UI -I1⋅R1 = 0 ⇒ I1 = UI / R1
UQ -IF⋅RF = 0 ⇒ IF = UQ / RF
Daraus ergibt sich
R
U Q = − U I ⋅ F − I In ⋅ R F
R1
U QF = − I In ⋅ R F Fehleranteil der Ausgangsspannung

Kompensation des Eingangsstrom-Fehlers

Zur Eliminierung des Fehlers wird eine Kompensationsspannung addiert, die den
Ausgangsspannungsfehler gerade aufhebt.
RF
U Q = −U I ⋅ − I In ⋅ R F + U komp
R1
Mit U komp = I In ⋅ R F verschwindet der Ausgangsspannungsfehler.

Die Kompensationsspannung wird über den von IIp an einem Widerstand R+

verursachten Spannungsabfall UIp = IIp⋅R+ gewonnen.

RF
IIn
Abbildung 15-33 R1
IIp
Kompensation des
Eingangsstrom-Fehlers UQ
UI
UIp
R+

263
Operationsverstärker-Grundschaltungen

Berechnung von R+:

Die Spannung UIp liegt am nicht invertierenden Eingang. Sie wird daher mit dem
R
Faktor (1 + F ) des nicht invertierenden Verstärkers verstärkt. UIp muss so groß sein,
R1
dass sich am Verstärkerausgang die Spannung Ukomp ergibt:
RF R
U komp = U Ip ⋅ (1 + ) = I Ip ⋅ R + ⋅ (1 + F )
R1 R1
Mit U komp = I In ⋅ R F und IIp = IIn ergibt sich

R1 ⋅ R F
R+ =
R1 + R F

Die erforderliche Größe von R+ entspricht der Parallelschaltung von Eingangs- und
Rückkopplungswiderstand.

Wandelt man das am invertierenden Eingang angeschlossene Netzwerk aus R1, RF , UI

und UQ in eine Ersatzspannungsquelle um, so entspricht R+ dem Innenwiderstand
dieser Ersatzspannungsquelle.
Allgemein gilt:
Die Innenwiderstände der an den beiden Eingängen des Verstärkers
angeschlossenen Schaltungen sollen gleich sein.

15.3.3 Fehler durch Ungleichheit der Eingangsströme (Eingangs-Offsetstrom)

Wegen Unsymmetrien der Eingangstransistoren sind die Eingangsströme nicht völlig
gleich. Dies führt dazu, dass trotz Kompensation des Eingangsstrom-Fehlers nach
Abschnitt 15.3.2 ein Fehler (Offsetstrom-Fehler) zurückbleibt.
Annahme: IIp - IIn = II0 ≠ 0 (II0 = Eingangs-Offsetstrom)

Nach Kompensation des Biasstrom-Fehlers gilt:

RF
U Q = −U I ⋅ − I In ⋅ R F + U komp
R1

RF R
U Q = −U I ⋅ − I In ⋅ R F + I Ip ⋅ R + ⋅ (1 + F )
R1 R1

RF R
U Q = −U I ⋅ + (I Ip − I In ) ⋅ R F = − U I ⋅ F + I I0 ⋅ R F
R1 R1

Damit ergibt sich der Offsetstrom-Fehler:

U QF = I I0 ⋅ R F Fehleranteil der Ausgangsspannung

264
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.4 Stabilitätsprobleme – Frequenzgangkorrektur

15.4.1 Schwingneigung durch ungewollte Mitkopplung
Schnelle, in ihrem Frequenzgang nicht korrigierte Operationsverstärker können in
gegengekoppelter Beschaltung zum unkontrollierten, selbsterregten Schwingen neigen.
Die hierfür verantwortlichen Bedingungen sind folgende:
* Um mit Operationsverstärkern Schaltungen mit niedrigen bis mittleren
Spannungsverstärkungen zu realisieren, wird das Ausgangssignal des
Operationsverstärkers auf den invertierenden Eingang zurückgekoppelt. Über die
Rückkopplung wirkt damit (bei niedrigen Frequenzen) das Ausgangssignal dem
Eingangssignal entgegen (Gegenkopplung; entspricht Phasendrehung um -180°).
* Ein Operationsverstärker besteht im allgemeinen aus mehreren Verstärkerstufen, die
jeweils Tiefpassverhalten mit unterschiedlichen Grenzfrequenzen besitzen. Jeder
Tiefpass bewirkt oberhalb der Grenzfrequenz einen Verstärkungsabfall um –20dB/Dek
und eine Phasenverschiebung um -90°. In dem folgenden Bodediagramm ist der
Frequenzgang eines Operationsverstärkers mit Polen (Grenzfrequenzen) bei f1, f2 und f3
dargestellt. Es ist erkennbar, dass oberhalb der kritischen Frequenz fkrit eine
Phasenverschiebung von Ausgangsspannung uQ gegen Eingangsspannung uID um -180°
oder mehr auftritt.
VU0 dB f1
100
80 f2
- 20dB/Dekade
60
Abbildung 15-34 40 - 40dB/Dekade
Frequenzgang eines f3
Operationsverstärkers 20
ohne Frequenzgang- 0
korrektur -20 - 60dB/Dekade

-40
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
0°

-90°

-180°
fkrit

-270°
ϕU0

* Zusammen mit der Phasendrehung von -180° bei Rückkopplung des Ausgangssignals
auf den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers kann daher eine
Phasendrehung von -360° und mehr zwischen Eingangs- und rückgekoppeltem
Ausgangssignal entstehen. Aus der vorgesehenen Gegenkopplung wird dann bei hohen
Frequenzen eine Mitkopplung.

265
Operationsverstärker-Grundschaltungen

15.4.2 Die Schleifenverstärkung

Zur Beurteilung der Stabilität einer gegengekoppelten Operationsverstärkerschaltung
bedient man sich der sog. Schleifenverstärkung.
Die Schleifenverstärkung VS eines rückgekoppelten Operationsverstärkers gibt an, mit
welchem Verstärkungsfaktor VS und welcher Phasenlage ϕS ein ohne äußeres
Eingangssignal entstehendes Differenzeingangssignal uID nach Verstärkung durch den
Operationsverstärker und Rückkopplung über das Rückkopplungsnetzwerk auf den
Differenzeingang zurückwirkt.
Zur Ermittlung der Schleifenverstärkung geht man gedanklich folgendermaßen vor: Der
Eingang der Verstärkerschaltung wird kurzgeschlossen (kein Eingangssignal von außen).
Der Rückkopplungspfad wird an einer geeigneten Stelle aufgetrennt, z.B. zwischen dem
invertierenden Eingang des Operationsverstärkers und dem Rückkopplungsnetzwerk. Nun
wird untersucht, mit welcher Gesamtverstärkung eine am Verstärkereingang wirksame
Spannung an der Trennstelle im Rückkopplungsnetzwerk erscheint.
Die Schleifenverstärkung ergibt sich aus dem Produkt aus der komplexen Leerlaufverstär-
kung VU0 des Operationsverstärkers und dem komplexen Rückkopplungsfaktor K des
Rückkopplungsnetzwerks (VS = VU0 ⋅ K).
Die Vorgehensweise soll am Beispiel eines nicht invertierenden Verstärkers demonstriert
werden:

Abbildung 15-35 Ermittlung der Schleifenverstärkung eines nicht invertierenden

Verstärkers

ZF ZF
uI = 0
uQ
⇒ uQ
Z1 uID uS Z1

Die Berechnung der Schleifenverstärkung ergibt für dieses Beispiel:

uS uQ Z1 Z1
VS = = ⋅ = VU 0 ⋅ = VU 0 ⋅ K
u ID u ID Z1 + Z F Z1 + Z F

Der Rückkopplungsfaktor K entspricht dem Kehrwert der Verstärkung VUF der Schaltung:
1 Z1 + Z F ZF
VUF = = = 1+
K Z1 Z1

Ist die Schleifenverstärkung VS ≥ 1 und die Phasendrehung des rückgekoppelten Signals

ϕS ≈ -360°, dann reichen kleinste Rauschspannungen am Differenzeingang des
Operationsverstärkers aus, dass sich durch Verstärkung und Mitkopplung eine
selbsterregte Schwingung am Operationsverstärker aufbaut.

266
Operationsverstärker-Grundschaltungen

Abbildung 15-36 zeigt die Schleifenverstärkung VS eines gegengekoppelten Verstärkers für

verschiedene reelle Verstärkungsfaktoren VUF = 1 ..... 103. Der Rückkopplungsfaktor ist
dann ebenfalls reell und beträgt K =1/VUF = 1 ..... 10-3. Für den betrachteten
Operationsverstärker ist ein Frequenzgang der Leerlaufverstärkung VU0 gemäß Abbildung
15-34 unterstellt.
VUF = 1000
VS dB VS = VU0/1000
100 VUF = 100
VS = VU0/100
Abbildung 15-36 80
Schleifenverstärkung VS 60 VUF = 10
für verschiedene VS = VU0/10
40
Verstärkungen VUF
20 VUF = 1
eines gegengekoppelten
0 VS = VU0
Verstärkers
-20
-40
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
-180°

-270°

-360°
Phasen-Reserve fkrit
-450° bei VUF = 1000
ϕS

Es ist erkennbar, dass die Schaltung für Verstärkungen von ca. VUF < 102 bei hohen
Frequenzen eine Schleifenverstärkung VS ≥ 1 bei einer Phasendrehung ϕS ≥ -360°
aufweist und daher selbsterregt schwingen wird. Erst für Verstärkungen von mehr als
VUF ≈ 103 wird die für einen stabilen Betrieb erforderliche Phasenreserve von mindestens
45° erreicht. Unter der Phasenreserve α = 360° - ϕS versteht man den Abstand von ϕS
von der kritischen Phasendrehung von -360° bei VS = 1.

15.4.3 Frequenzgangkorrektur

Um die Schwingneigung einer Operationsverstärkerschaltung zu eliminieren wird der Fre-

quenzgang so korrigiert, dass die Schaltung bis zur Transitfrequenz fST der
Schleifenverstärkung (VS(fST) = 1) eine Phasendrehung von deutlich weniger als -
360°zeigt. Anzustreben ist eine Phasenreserve bei der Transitfrequenz von mindestens
45°, besser von 60° oder mehr.
Zur Frequenzgangkorrektur wird entweder der Frequenzgang des Operationsverstärkers
oder der des Rückkopplungsnetzwerkes in geeigneter Weise verändert.
In beiden Fällen kann eine Korrektur mit nacheilender Phase oder eine Korrektur mit
voreilender Phase vorgenommen werden.

267
Operationsverstärker-Grundschaltungen

Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker
Bei vielen Operationsverstärkern wird die Korrektur des Frequenzganges durch eine bei der
Herstellung intern eingebaute Kapazität erreicht. Meist liegt diese Kapazität zwischen
Ausgang der Eingangsstufe und Eingang der Ausgangsstufe des Verstärkers. Dadurch wird
eine kapazitive Gegenkopplung an der dazwischen liegenden Verstärkerstufe/Koppelstufe
bewirkt („Miller-Effekt-Schaltung“). Hierbei werden die beiden unteren Pole
(Grenzfrequenzen) des Operationsverstärkers verschoben, ohne dass ein neuer Pol entsteht.
Der niederfrequente Pol wird zu niedrigen, der höherfrequente zweite Pol zu höheren
Frequenzen verschoben. Meist wird dabei die niedrigste Grenzfrequenz (f0) des Verstärkers
(der dominante Pol der Übertragungsfunktion) auf einen so niedrigen Wert abgesenkt, dass
die Leerlaufverstärkung bis zur nächsten wirksamen Grenzfrequenz (oder auch schon
darunter) auf VU0 ≤ 1 abgesunken ist (Dominant-Pol-Kompensation). Die Phasenreserve
bei der Transitfrequenz beträgt dann mindestens 45°. Der Phasenbeitrag dieser
Korrekturmaßnahme ist nacheilend (negativer Winkel). Man bezeichnet dies daher als
Korrektur mit nacheilender Phase (sog. Lag-Kompensation).
Intern frequenzkorrigierte Operationsverstärker neigen nicht zum selbsterregten
Schwingen, sind jedoch relativ langsam bzw. besitzen nur eine begrenzte Bandbreite
(Verstärkungs-Bandbreite-Produkt meist ca. 1 MHz, z.B. beim µA741).
Bei manchen Operationsverstärkertypen (z.B. µA748 und LM101A) ist keine interne
Korrekturkapazität eingebaut, statt dessen sind die entsprechenden Anschlusspunkte nach
außen geführt, so dass eine an die jeweilige Anwendung angepasste Kapazität für die
Festlegung des dominanten Pols extern angeschlossen werden kann. Hierbei lässt sich eine
zum Teil wesentlich größere Bandbreite erreichen.
VU0 dB f0 (f1)
Frequenzgang
100 nicht korrigiert

80 C0 = 3 pF f2
60
Abbildung 15-37 C0 = 30 pF
40 f3
Korrektur des
Frequenzgangs des 20 VUF = 20 dB
Operationsverstärkers 0 VUF = 0
mit nacheilender Phase
-20
(Lag-Kompensation)
-40
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
0°
C0 = 3 pF
Frequenzgang
-90° C0 = 30 pF nicht korrigiert

-180°
Phasen-Reserve
-270°
ϕU0

Abbildung 15-37 zeigt die Wirkung der Dominant-Pol-Korrektur für zwei unterschiedliche
Korrekturkapazitäten. Mit einer Korrekturkapazität von C0 = 30 pF ergibt sich ein stabiler
Betrieb für jede beliebige Betriebsverstärkung (30 pF entspricht der Größe der beim µA741
268
Operationsverstärker-Grundschaltungen

intern eingebauten Kapazität). Selbst bei der Verstärkung VUF = 1 beträgt die
Phasenreserve noch mehr als 45°.
Wird eine Korrekturkapazität von nur C0 = 3 pF vorgesehen (z.B. beim µA748 oder
LM101A extern anschließbar), dann liegt die obere Grenzfrequenz der Leerlaufverstärkung
um den Faktor 10 höher und es ergibt sich bei allen Verstärkungen eine um den Faktor 10
höhere Bandbreite. Allerdings sind jetzt Betriebsverstärkungen von ca. VUF < 10 dB nicht
mehr zulässig, weil sonst bei der Schleifentransitfrequenz keine ausreichende
Phasenreserve mehr vorhanden wäre und die Schaltung instabil arbeiten und unkontrolliert
schwingen würde.
In vielen Fällen kann auch eine Frequenzgangkorrektur mit voreilender Phase am
Operationsverstärker vorgenommen werden. Hierzu muss allerdings der Ausgang der
Eingangsstufe über einen Anschluss von außen zugänglich sein, wie dies z.B. beim µA748
und beim LM101A der Fall ist. Dann kann mittels eines hinzuzuschaltenden kleinen
Kondensators die Eingangsstufe des Operationsverstärkers für hohe Frequenzen überbrückt
und damit ihr Tiefpassverhalten mit Verstärkungsabfall und Phasendrehung unwirksam
gemacht werden. Auf diese Weise lässt sich die Phasendrehung des Operationsverstärkers
bei hohen Frequenzen um bis zu 90° reduzieren und damit eine höhere nutzbare Bandbreite
erreichen. Der Phasenbeitrag dieser Maßnahme ist positiv (also voreilend; feed forward
compensation bzw. Lead-Kompensation).
(a) Lag-Kompensation (b) Lead-Kompensation

Abbildung 15-38
R1 R2 R1 R2
Korrektur des 2 2
Frequenzgangs des 6 6
LM101A LM101 LM101
3 8 3 8
R1 1 1
(K = )
R1 + R 2
C > K⋅30pF 150 pF

Frequenzgangkorrektur des Rückkopplungsnetzwerks

Der Phasengang der Schleifenverstärkung lässt sich auch durch Änderung des
Frequenzgangs des Rückkopplungsnetzwerks korrigieren.

Zur Frequenzgangkorrektur mit nacheilender Phase (Lag-Kompensation) wird eine

Reihenschaltung aus Widerstand und Kondensator zwischen invertierendem Eingang und
Masse eingeschaltet (siehe Abbildung 15-39).
Wählt man bei einem Verstärker mit den Grenzfrequenzen f1, f2 und f3 entsprechend
Abbildung 15-34 zur Lag-Kompensation
RF 1
RK ≈ und CK =
VU0 (f 2 ) 2π ⋅ f1 ⋅ R K
dann fällt die Schleifentransitfrequenz fTS mit der zweiten Grenzfrequenz f2 des
Operationsverstärkers zusammen mit einer Phasenreserve von 45°
(siehe Bode-Diagramm in Abbildung 15-39).

269
Operationsverstärker-Grundschaltungen

Abbildung 15-39 Lag-Kompensation im Rückkopplungs-Netzwerk

VU0 dB f1
80 f2 1/K mit
Kompensation

CK 40 f3 1/K=V ohne
RK RF UF
Kompensation
0

R1
LM101 1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
-180°

45°
-360°
ϕS

Zur Frequenzgangkorrektur mit voreilender Phase (Lead-Kompensation) wird der

Rückkopplungszweig des Verstärkers mit einem Kondensator beschaltet, so dass ein
Hochpassverhalten des Rückkopplungsnetzwerks resultiert (Abbildung 15-40). Damit lässt
sich die Phasendrehung der Schleifenverstärkung in einem begrenzten Frequenzbereich um
bis zu 90° reduzieren und die Transitfrequenz der Schleifenverstärkung bis auf f3 anheben..
CK
Abbildung 15-40
Lead-Kompensation im
Rückkopplungs-
Netzwerk
LM101

Wird allerdings die Kompensation nicht sehr genau eingestellt, so kann sie unwirksam
werden oder gar die Neigung zur Instabilität erhöhen.

15.4.4 Stabilität bei kapazitiver Last und beim Differenzierer

Auch beim Einsatz eines frequenzkorrigierten Operationsverstärkers können
Stabilitätsprobleme auftreten, wenn die äußere Beschaltung den Gesamtfrequenzgang
ungünstig beeinflusst.
Solche Bedingungen können sich z.B. einstellen bei einer kapazitiven Last. Zusammen mit
dem Ausgangswiderstand des Operationsverstärkers bildet die kapazitive Last einen
zusätzlichen Tiefpass. Damit kann die Phasenreserve des Operationsverstärkers
aufgebraucht und Instabilität verursacht werden. Um dies zu vermeiden, wird die Wirkung
der kapazitiven Last mit einem R-C-Glied gemäß Abbildung 15-41 kompensiert.
Der Widerstand R2 wird nach technischen Gesichtspunkten gewählt (niederohmig); für die
Kompensationskapazität wählt man die Größe
Ra + R2
CF = CL ⋅ mit Ra = Ausgangswiderstand des Operationsverstärkers
RF

270
Operationsverstärker-Grundschaltungen
RF

Abbildung 15-41
Frequenzkompensation CF
bei kapazitiver Last R2
R1 µA741

RL
CL

Schwingneigung kann wegen des Tiefpassverhaltens des Rückkopplungsnetzwerkes auch

bei dem Differenzierer nach Abbildung 15-18 auftreten. Zur Abhilfe fügt man einen
(niederohmigen) Widerstand in Reihe zu dem Eingangskondensator ein.

Abbildung 15-42
Frequenzkompensation
beim Differenzierer µA741

15.5 Übungsaufgaben zu Operationsverstärker-Grundschaltungen

Aufgabe 15-1: Allgemeine Fragen
(a) Woran erkennt man Mit- und Gegenkopplung bei einer Operationsverstärkerschaltung ?
(b) Welche Gemeinsamkeiten und welche Unterschiede gibt es zwischen Komparator und
Schmitt-Trigger ?
(c) Welche Bedeutung hat die Eingangsdifferenzspannung UID = 0 V beim Komparator
und Schmitt-Trigger sowie bei gegengekoppelten Operationsverstärkerschaltungen ?
(d) Bei welcher Operationsverstärkerschaltung tritt eine Hysterese auf und was versteht man
darunter ?
(e) Welche Fehler entstehen durch Offsetspannung und Offsetstrom und wie reduziert oder
eliminiert man diese Fehler ?
(f) Was versteht man unter der Schleifenverstärkung ?
(g) Beschreibe den Frequenzgang eines Operationsverstärkers ?
(h) Was versteht man unter Frequenzgangkorrektur ?
(i) Was versteht man unter der Phasenreserve und wie groß sollte sie sein ?
(j) Wie sieht der typische Frequenzgang eines frequenzgangkorrigierten
(frequenzkompensierten) Operationsverstärkers aus ?
Aufgabe 15-2: Subtrahierer
Dimensioniere einen Subtrahierer für UQ = 10⋅U1 - 3⋅U2
Wähle die Dimensionierung so, dass mindestens die Hälfte des maximal möglichen
Ausgangsstromes des Operationsverstärkers (Iout/max = 20 mA) für eine am Ausgang des
Subtrahierers angeschlossene Last zur Verfügung steht (es sei U Q = 10V ).
max

271
Operationsverstärker-Grundschaltungen

Aufgabe 15-3: PI-Regler

 1
t

(a) Dimensioniere einen PI-Regler für u Q = − 3 ⋅ u I (t) + ∫ u I (t) ⋅ dt  mit UQ(0) = 0V
 5s 0 
(b) Wie lange dauert es, bis nach einem Spannungssprung von uI = 0V auf uI(0) = -1V eine
Ausgangsspannung von uQ(t) = +5 V erreicht wird ?
Aufgabe 15-4: Schmitt-Trigger
Zeichne und dimensioniere einen nicht-invertierenden Schmitt-Trigger mit den Schalt-
schwellen US1 = +200 mV und US2 = 100 mV. (Gehe von Werten der Ausgangsspannung
UQM = ± 14 V aus. Der Rückkopplungswiderstand soll die Größe R = 220 kΩ besitzen)

272
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16 Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16.1 Instrumentenverstärker
Abbildung 16-1 Der Instrumentenverstärker

UA
UC
OP1
R4 R6
R1

UR2 R2 OP3 UE

R3 (=R1)
R5 R7
OP2
UB UD

Die beiden gegengekoppelten Verstärker OP1 und OP2 halten jeweils ihre Eingangsdiffe-
renzspannung UID gleich Null. Damit stellen sie am Widerstand R2 eine Spannung ein, die
gleich der Differenz der Eingangsspannungen UA und UB ist.
UR2 = UA - UB
Der Strom IR2 = (UA - UB) / R2 durch den Widerstand R2 wird über den Widerstand R1
vom Ausgang des OP1 geliefert und fließt über R3 zum Ausgang von OP2 ab.
Zwischen den beiden Operationsverstärkerausgängen ergibt sich daher die Spannung
R1 + R 2 + R 3
U C − U D = I R2 ⋅ (R 1 + R 2 + R 3 ) = (U A − U B ) ⋅
R2
Mit R3 = R1 wird daraus
2 ⋅ R1
U C − U D = (U A − U B ) ⋅ (1 + )
R2
Der Differenzverstärker OP3 erzeugt eine zu (UD - UC) proportionale Spannung UE.
Meist sind die Widerstände R4 bis R7 gleich groß. Dann wird
2 ⋅ R1
U E = ( U B − U A ) ⋅ (1 + )
R2

Vorteile des Instrumentenverstärkers sind:

- sehr hoher Eingangswiderstand und niedriger Ausgangswiderstand,
- Verstärkung an einem einzelnen Widerstand (R2) einstellbar.

273
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16.2 Präzisionsgleichrichter
n⋅R
R
C
R (zur Glättung)
Abbildung 16-2
Präzisionsgleichrichter R OP1
R/2 OP2
uI
uQ1 uQ2
R/2 R/4

Einweggleichrichter

Zweiweggleichrichter

Der Operationsverstärker OP1 führt eine Einweggleichrichtung durch (invertierend). Der

Operationsverstärker OP2 verstärkt das Ausgangssignal von OP1 zweifach und addiert
es zum Eingangssignal. Das Summensignal wird n-fach verstärkt und invertiert ausgege-
ben. Die Gesamtfunktion umfasst daher eine Zweiweggleichrichtung mit n-facher Verstär-
kung.
Es gilt:
a) Einweggleichrichter: uI ≥ 0 ⇒ uQ1 = -uI
uI ≤ 0 ⇒ uQ1 = 0
n⋅R n⋅R
b) Zweiweggleichrichter u Q 2 = − (u I ⋅ + u Q1 ⋅ )
R R 2
⇒ uQ2 = - n ⋅ (uI + 2⋅uQ1) = n⋅uI 

Mit Hilfe dieses Präzisionsgleichrichters lassen sich Wechselspannungen im mV-Bereich

gleichrichten.
(Mit einfachen Dioden-Gleichrichtern ist dies wegen der Schwellspannung der Dioden
nicht möglich).

Für die Gleichrichtung von Spannungen im mV-Bereich dürfen die Widerstände in der
Schaltung nur geringe Toleranzen besitzen. Es sind Operationsverstärker mit geringen
Offsetwerten einzusetzen. Zudem ist ein sorgfältiger Offsetabgleich erforderlich.

16.3 Logarithmieren
Zum Logarithmieren setzt man Bauelemente mit logarithmischer Kennlinie im Rückkopp-
lungszweig eines Operationsverstärkers ein. Prinzipiell könnten dies Dioden sein
(Schaltung a in Abbildung 16-3).
In der Praxis verwendet man jedoch die Kollektor-Emitter-Strecke von an der
Sättigungsgrenze betriebenen Transistoren (UCE = UBE) (Schaltung b in Abbildung 16-3),
da deren Kennlinien über eine größere Anzahl (6 – 9) von Dekaden exakt logarithmisch
verläuft, als die von Dioden (2-3).

274
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Abbildung 16-3 Logarithmierer

UBE
b
a IC
IR IIn

R1
UID
UI UI
UQ UQ

U BE U T
Je nach Polarität von UI ist einer der Transistoren leitend I C = I S1 ⋅ (e − 1)

Mit UID ≈ 0, IIn ≈ 0, U Q ≈ U BE sowie IR ≈ IC

U Q / UT
gilt I R ≈ U I / R 1 ≈ I S1 ⋅ (e − 1)

Löst man diese Gleichung nach U Q auf und berücksichtigt die invertierende Arbeitsweise
der Schaltung so ergibt sich
UI  UI 
UQ ≈ − ⋅ U T ⋅ ln + 1
UI  R 1 ⋅ I S1 
Für Eingangsströme IR ≈ UI/R, die deutlich größer sind als der Sperrsättigungsstrom IS1 der
Basis-Emitter-Dioden gilt
UI  UI 
UQ ≈ − ⋅ U T ⋅ ln 

UI R ⋅ I
 1 S1 
Die Schaltung logarithmiert die Eingangsspannung.
Zahlenbeispiel:
UI UQ
T = 300 K
0,01 V - 120 mV
IS1 = 10-10 A 0,1 V - 180 mV
UT = 26 mV 1V - 240 mV
R1 = 1 MΩ 10 V - 300 mV

16.4 Delogarithmieren
Eine logarithmische Spannung Uln kann mit folgender Schaltung delogarithmiert werden:

I3 R3
Abbildung 16-4 UBE IC
Delogarithmierer
Uln
UQ

275
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

U BE U BE
UT UT
I C = I S3 ⋅ ( e − 1) ≈ I S3 ⋅ e

Mit U BE = U ln
U ln
I3 ≈ IC = − ⋅ IC
U ln
UQ ≈ I3⋅R3
U
U Q = − ln ⋅ I C ⋅ R 3
U ln
U ln
U UT
wird UQ ≈ − ln ⋅ R 3 ⋅ I S3 ⋅ e
U ln

Zahlenbeispiel: Uln UQ
T = 300 K 120 mV - 0,01 V
IS3 = 10-10 A 180 mV - 0,1 V
UT = 26 mV
240 mV -1V
R3 = 1 MΩ
300 mV - 10 V

Anmerkung zum Logarithmierer und zum Delogarithmierer:

Die beiden Transistoren im Logarithmierer bzw. im Delogarithmierer müssen
möglichst identische Eigenschaften besitzen und möglichst gut thermisch gekoppelt
werden. Beim Betrieb ist auf möglichst konstante Temperatur zu achten.
Bei den Operationsverstärkern muss auf kleine Eingangsströme und einen sehr
sorgfältigen Offsetspannungsabgleich geachtet werden.

16.5 Multiplizierer
Die Multiplikation zweier Spannungen mit Operationsverstärkern wird auf die Addition
der Logarithmen zurückgeführt. Die Abbildung 16-5 zeigt das Funktionsprinzip:
Abbildung 16-5 Prinzipschaltbild für die Multiplikation zweier Spannungen

Logarithmierer 1 U Q1
U1 U Q1
 U1 
≈ U T ⋅ ln  

 R 1 ⋅ IS1 

Addierer UQ3 Delogarithmierer

U Q 3 = U Q1 + U Q 2 U Q = R 3 ⋅ IS3 ⋅ e
U Q3 U T
UQ
Logarithmierer 2
U2  U2 
U Q2 ≈ U T ⋅ ln 

 R 2 ⋅ I S2  U Q2

276
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Für die Ausgangsspannung ergibt sich:

U1 U2
ln + ln
R1⋅IS1 R 2 ⋅I S 2
U Q = R 3 ⋅ I S3 ⋅ e
Damit erhält man
R 3 ⋅ I S3
UQ = ⋅ ( U1 ⋅ U 2 )
R 1 ⋅ I S1 ⋅ R 2 ⋅ I S2

Der tatsächliche Schaltungsaufbau ist komplizierter, damit Eingangssignale beliebiger

Polarität korrekt verarbeitet und ein Ausgangssignal mit richtiger Polarität erzeugt wird.
Zahlenbeispiel:
R1 = R2 = 1 MΩ IS1 = IS2 = 10-10 A
R3 = 1 kΩ IS3 = 10-12 A
Mit dieser Beschaltung ergibt sich:
U1 ⋅ U 2
UQ =
10V

Ein Multiplizierer mit dieser Auslegung kann Eingangsspannungen im Bereich

-10V ≤ UI ≤ +10V verarbeiten und dabei Ausgangsspannungen im Bereich
-10V ≤ UQ ≤ +10V erzeugen.
Anmerkung zum Multiplizierer:
Im Handel sind integrierte Multiplizierer verfügbar, deren Übertragungsgleichung diesem
Beispiel entspricht und die auch zum Dividieren eingesetzt werden können.
Es ist nicht sinnvoll, einen Analog-Multiplizierer selbst aufbauen zu wollen. Wegen
unlösbarer Probleme bei der Auswahl der erforderlichen logarithmischen Bauelemente und
wegen der nicht erreichbaren optimalen thermischen Kopplung wäre der Versuch auf jeden
Fall zum Scheitern verurteilt.

16.6 Abtast-Halte-Glieder (Sample & Hold – Verstärker)

Abtast-Halte-Glieder dienen dazu, bestimmte Augenblickswerte einer variablen analogen
Spannung für eine gewisse Zeit zu speichern und für eine Weiterverarbeitung (z.B. zur
Analog-Digital-Wandlung für eine digitale Signalverarbeitung) bereitzustellen.
Abbildung 16-6 Abtast-Halteglied mit FET-Analogschalter

FE2
uQ AD-
uA uC Wandler
uI

∼ Signal-
C
Quelle FE1 FE3

uSt

277
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Das Abtast-Halte-Glied besteht aus einem Impedanzwandler (FE1), mit dem das analoge
Eingangssignal uI hochohmig gemessen und niederohmig (uA) der eigentlichen Abtast-
und Halteschaltung (FE2) zugeführt wird. Soll ein niederohmiges Analogsignal uI ausge-
wertet werden, so kann u.U. der erste Impedanzwandler (FE1) entfallen.
Die Abtast- und Halte-Schaltung besteht aus einem FET als Analogschalter und einem
Speicherkondensator. Der FET wird durch ein Steuersignal uSt ein oder ausgeschaltet. Bei
leitendem Transistor folgt die Spannung uC am Speicherkondensator der Spannung uA und
damit dem Eingangssignal uI. Wird der FET gesperrt, so speichert der Kondensator den
zum Zeitpunkt des Sperrens anliegenden Augenblickswert der Eingangsspannung. Die
Spannung uC wird über einen zweiten Impedanzwandler (FE3) hochohmig gemessen und
niederohmig zur Weiterverarbeitung ausgegeben (uQ).
Damit uC (und uQ) schnellen Eingangssignalen uI folgen bzw. sich schnell an uI angleichen
können, wählt man schnelle Verstärker, einen Speicherkondensator mit geringer Kapazität
und einen FET mit niedrigem Widerstand rDSon. Damit der Kondensator in der Hold-Phase
nicht zu schnell entladen wird, muss der angeschlossene Impedanzwandler (FE3) einen
hinreichend großen Eingangswiderstand besitzen. Weiterhin muss ein FET gewählt
werden, der im gesperrten Zustand einen möglichst kleinen Strom IDoff besitzt.
Für besonders schnelle Abtast-Halteglieder verwendet man eine geschaltete Diodenbrücke
anstelle des FET-Schalters. Mit ultraschnellen Dioden und einer entsprechend schnellen
Ansteuerschaltung erreicht man Schaltzeiten von unter 1 ns.
Abbildung 16-7 Abtast-Halte-Schaltung +US
mit Diodenring als Analogschalter
(Prinzip-Darstellung)

uSt

uC uQ
uA
uI
uSt –uSt C
sample

hold
–US
Man unterscheidet zwei Betriebsweisen von Abtast-Halte-Gliedern. Beim Track&Hold-
Modus (T&H) wird über eine relativ lange Zeit das Ausgangssignal dem Eingangssignal
nachgeführt (Track-Modus), ehe in den Hold-Modus (Speichern des letzten Augenblicks-
wertes) umgeschaltet wird. Der T&H-Modus wird z.B. gewählt, wenn nur ein einzelner,
bei einem bestimmten Triggerereignis vorliegender Augenblickswert gemessen werden
soll.
Der Sample&Hold-Modus (S&H) wird gewählt, wenn ein analoges Signal quasi-
kontinuierlich erfasst und digital ausgewertet werden soll. Beim S&H-Modus treten daher
periodisch kurze Sample-Impulse für die Angleichung des Ausgangs- an das
Eingangssignal auf. Zwischen je zwei Sample-Phasen folgt eine Hold-Phase, die gerade so
lang ist, wie dies zur digitalen Auswertung notwendig ist.
Zwischen den beiden Betriebsweisen existiert ein fließender Übergang.

278
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Abbildung 16-8 Betriebsweise von Track & Hold - und Sample & Hold - Verstärker

Track & Hold - Verstärker Sample & Hold - Verstärker

uI uQ
u u uQ
uI

t t

uSt uSt kurze sample-Impulse

track track
t t
hold
Triggerzeitpunkt

Abbildung 16-9 zeigt, welche Probleme aufgrund der dynamischen Eigenschaften eines
Abtast-Haltegliedes auftreten. Während der hold-Phase tritt wegen nicht vermeidbarer
Leckströme eine gewisse Spannungsdrift (Droop) auf. Der Übergang von der hold- zur
sample- oder track-Phase vollzieht sich immer mit einer bestimmten Zeitverzögerung
(switching time delay). Der anschließende Übergang zu einem neuen Signalwert erfolgt mit
einer bestimmten maximalen Änderungsgeschwindigkeit (slew rate). Der neue Signalwert
wird erst nach einem gewissen Einschwingvorgang (overshoot) hinreichend genau erreicht.
Zeitverzögerung, maximale Änderungsgeschwindigkeit und Einschwingvorgang ergeben
zusammen die sog. Einstellzeit (acquisition time). In der verbleibenden sample-Zeit folgt
die Ausgangsspannung der Eingangsspannung (Tracking). Das Umschalten in die hold-
Phase erfolgt wieder mit einer gewissen Zeitverzögerung (Aperture delay). Durch eine
nicht vermeidbare Ladungseinkopplung beim Schalten ergibt sich ein kleiner
Spannungssprung (hold step). Während der hold-Phase können starke Änderungen der
Eingangsspannung auf den Ausgang übersprechen (feedthrough).
Abbildung 16-9 Dynamisches Verhalten eines Abtast-Haltegliedes

Overshoot
uI Settling time
Aperture delay
uQ/Soll

tracking Hold step

Acquisition time
Hold step
Overshoot 0,1% Slew Rate

Feedthrough Switching time delay

uQ/Soll
Slew Rate uQ Droop (du/dt)

Switching time delay

hold sample hold sample hold

279
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16.7 Fensterkomparatoren
Fensterkomparatoren zeigen an, ob ein elektrisches Signal innerhalb oder außerhalb eines
durch zwei Grenzen definierten Bereiches ("Fenster") liegt. Man benötigt dazu zwei
Komparatoren mit einer geeigneten Beschaltung zur Einstellung der Bereichsgrenzen
(Schaltschwellen der Komparatoren). Abbildung 16-10 zeigt eine einfache Schaltung eines
Fensterkomparators

Abbildung 16-10 Prinzip eines Fensterkomparators

UB Fenster
UB u1
UB uM
UB
Uo u2 u2
K
u12 uQ
uM
UB
u12 L-Fenster
uM u1
K
Uu uM
uQ H-Fenster

uM
Uu Uo

Die Halbleiterindustrie stellt integrierte Fensterkomparatoren mit verbesserten bzw.

zusätzlichen Eigenschaften zur Verfügung.
Bei dem als Fensterdiskriminator bezeichneten TCA 965 von Siemens z.B. lassen sich die
Fensterbreite und die Fenstermitte durch jeweils eine extern anzulegende Spannung
einstellen. Hierfür ist eine einstellbare Referenzspannungsquelle integriert. Durch einen
extern anzuschließenden Widerstand lässt sich eine Hysterese der Fensterkanten erreichen,
so dass Schaltflattern vermieden wird (Eine kleine Schalthysterese von ca. 5 mV zur
Verbesserung der Schalteigenschaften der Komparatoren ist voreingestellt.) Der Baustein
hat für die beiden Komparatoren, sowie für L- und H-Fenster open-collector-Ausgänge, die
mit jeweils 50 mA belastet werden können.

16.8 Multivibratoren mit dem Timer 555

Abbildung 16-11 zeigt das Blockschaltbild des Timerbausteins 555, der von zahlreichen
Herstellern angeboten wird. Der integrierte Baustein beinhaltet zwei Komparatoren K1
und K2, ein RS-Flip-Flop, das über die Komparatoren gesetzt oder rückgesetzt wird, eine
invertierende Pufferstufe und einen Einzeltransistor mit open-collector-Ausgang. Je ein
Eingang der Komparatoren ist an einen internen Spannungsteiler aus drei gleichen
Widerständen angeschlossen. Die Komparatoren haben damit Schaltschwellen bei (1/3)⋅UB
und bei (2/3)⋅UB. Die beiden übrigen Eingänge der Komparatoren sind herausgeführt. Das
Flip-Flop kann über einen zusätzlichen Eingang direkt rückgesetzt werden.
Die Anwendungsmöglichkeiten des Bausteins sind vielfältig (Flip-Flop mit
Leistungsausgang, Präzisionstrigger etc.). Die Hauptanwendung liegt jedoch im Bereich
der Multivibratoren.

280
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
UB Reset
8 4
R
Threshold 6
Abbildung 16-11 K2
Control R Q 3
Blockschaltbild des Timers 555 5 -1 Output
R
S Q
2 K1 7
Trigger Discharge
R
1
Gnd
Die folgende Abbildung zeigt eine einfache Zeitstufe (= einfacher Monovibrator)
Abbildung 16-12 Einfacher Monovibrator
UB uTr
untere Schwelle (1/3)UB
R1 t
uC τ τ = R1⋅C
UB
control obere Schwelle (2/3)UB
-1 uQ t
uTr uQ Ti Ti = τ⋅ln3 ≈ 1,1⋅τ
uC
C Rückkippen
t
Im stationären Zustand zeigt der Schaltungsausgang (uQ) L-Potenzial, sofern der
Triggereingang auf H-Potenzial liegt [uTr > (1/3)⋅UB]. Der leitende Transistor im Timer
hält den extern zugeschalteten Kondensator C im entladenen Zustand.
Schaltet der Eingang kurzzeitig auf L-Potenzial [uTr < (1/3)⋅UB], so wird das interne Flip-
Flop gesetzt, der Ausgang springt auf H-Potenzial und der nun gesperrte Transistor gibt
den Kondensator frei, der nun über R1 aufgeladen wird.
Erreicht die Kondensatorspannung uC die obere Schwelle [(2/3)⋅UB], so wird das Flip-Flop
zurückgesetzt. Der Ausgang kippt wieder auf L-Potenzial; der Anfangszustand ist wieder
erreicht.
Die Zeitdauer Ti, für die der Ausgang auf H-Potenzial verharrt, lässt sich aus der
Aufladefunktion des Kondensators berechnen:
Die Kondensatorspannung folgt der Exponenzialgleichung uC(t) = UB⋅(1-e-t/τ)
Setzt man in dieser Gleichung t = Ti und uC(Ti) = (2/3)⋅UB so ergibt sich
2
⋅ U B = U B ⋅ (1 − e − Ti / τ )
3
Löst man diese Gleichung nach Ti auf, so erhält man Ti = τ⋅ln3
Die Laufzeit der Zeitstufe lässt sich über die Zeitkonstante τ = R1⋅C, aber auch durch
Änderung der internen Schaltschwelle des Timers über den Eingang control ändern.

281
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Die Abbildung 16-13 stellt eine nachtriggerbare Zeitstufe dar.

Abbildung 16-13 Nachtriggerbarer Monovibrator

UB τ=R1⋅C
uTr

t
R1
uC UB (2/3)UB
uTr -1 uQ t
uC Ti
uQ Ti
C

t
Ti ≈ 1,1⋅τ
Hier ist das zeitbestimmende RC-Glied dem Triggereingang des Timers vorgeschaltet.
Im stationären Ruhezustand mit L-Potenzial am Schaltungseingang [uTr ≈ 0V] ist der
Kondensator aufgeladen, das interne Flip-Flop ist rückgesetzt, der Schaltungsausgang liegt
auf L-Potenzial.
Mit einem H-Impuls am Schaltungseingang wird der Kondensator schnell vollständig
entladen, das interne Flip-Flop wird gesetzt, der Ausgang nimmt H-Potenzial an.
Nach Ende des Eingangs-H-Impulses wird der Kondensator wieder aufgeladen. Nach
Ablauf der Aufladezeit Ti ≈ 1,1⋅R1⋅C wird das Flip-Flop zurückgesetzt, der
Schaltungsausgang nimmt wieder L-Potenzial an, der Vorgang ist beendet.
Die Laufzeit Ti der Zeitstufe beginnt erst, nachdem der Eingangs-H-Impuls verschwunden
ist. Tritt während der Laufzeit ein erneuter H-Impuls am Eingang auf, wird der
Kondensator sofort wieder entladen und die Laufzeit startet am Ende des
Nachtriggerimpulses neu, ohne dass der Ausgang zwischenzeitlich zurückgekippt wäre.

Abbildung 16-14 zeigt einen astabilen Multivibrator (Rechteckgenerator) unter

Verwendung des Timers 555.
Abbildung 16-14 Astabiler Multivibrator
UB
S τ1 = (R1+R2)⋅C τ2 = R2⋅C
uC τ1
R1 UB
(2/3)UB
R2 (1/3)UB
t
uQ τ2
-1 uQ
Ti0 Ti Tp
t
uC
C
S schaltet Ti0 ≈ 1,1⋅τ1 Ti ≈ 0,7⋅τ1 Tp ≈ 0,7⋅τ2

In der gezeichneten Stellung des Schalters S verharrt der Schaltungsausgang in der

Ruhelage (L-Potenzial), der Kondensator C wird durch den Transistor im entladenen
Zustand gehalten.
282
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Beim Umschalten von S wird das Flip-Flop gesetzt, der Transistor gibt den Kondensator
frei, dieser wird über R1 und R2 aufgeladen, bis die obere Schaltschwelle (2/3)⋅UB des
Timers erreicht ist. Jetzt wird das Flip-Flop zurückgesetzt, der Kondensator wird über den
Transistor und R2 entladen bis zur unteren Schwelle (1/3)⋅UB. Hier wird das Flip-Flop
wieder gesetzt usw..
Es stellt sich ein freischwingender Betrieb mit einer Rechteckspannung am
Schaltungsausgang ein. Der erste H-Impuls nach Umschalten von S ist länger als die
folgenden; das Impuls-Pausen-Verhältnis im eingeschwungenen Zustand ist größer 1:1,
kann jedoch mit einer Diode über R2 auch kleiner oder gleich 1:1 gewählt werden.

16.9 Frequenz-Spannungs- und Spannungs-Frequenz-Wandler

Die Abbildung 16-15 zeigt eine Schaltung mit der aus der Frequenz f eines elektrischen
Signals eine zur Frequenz proportionale Spannung gewonnen wird.
R2
Abbildung 16-15 Frequenz-Spannungswandler

uI R1 C1 D2 C2
uA
Komp
OP uQ
D1

Aus dem Eingangssignal uI(f) erzeugt ein Komparator ein Rechtecksignal uA(f) mit defi-
nierter Amplitude (z.B. uA= ± ûA = ± 14 V).
Ist uA positiv, so wird der Kondensator C1 über die Diode D1 auf + ûA aufgeladen.
Schaltet uA ins Negative um, so wird C1 bis auf - ûA umgeladen. Die zur Umladung
erforderliche Ladung wird dabei vom Ausgang des Operationsverstärkers OP über den
Kondensator C2 und die Diode D2 geliefert. Bei der nächsten Umschaltung von uA auf
+ ûA wird der Kondensator C1 wieder über D1 aufgeladen usw..
Im Prinzip arbeitet die Schaltung so, dass beim Übergang von uA von -ûA nach +ûA dem
Kondensator C1 die Ladung ∆Q = 2⋅ûA⋅C1 zugeführt, und diese Ladung beim Übergang
von +ûA nach -ûA an C2 weiter gepumpt wird.
Die Gesamtladung, die dem Kondensator C2 so pro Zeitintervall ∆t zugeführt wird, beträgt
Qzu = ∆Q ⋅ N = ∆Q ⋅ f ⋅ ∆t = 2⋅ûA⋅C1 ⋅ f ⋅ ∆t
Die im gleichen Zeitraum ∆t über den Widerstand R2 abgeleitete Ladung ist
Qab = IR2 ⋅ ∆t = (uQ / R2) ⋅ ∆t
Im eingeschwungenen Zustand sind zugeführte und abgeführte Ladung gleich. Daraus er-
gibt sich eine zur Frequenz f(t) proportionale Ausgangsspannung uQ(t) des f/U-Wandlers
uQ(t) = 2⋅R2⋅C1⋅ûA ⋅ f(t) = Konstante ⋅ f(t)
Der Widerstand R1 dient zur Begrenzung der Auf- und Umladeströme für die Kondensato-
ren. Damit C1 immer vollständig auf- bzw. umgeladen werden kann, muss die
Zeitkonstante aus C1 und R1 mindestens 8 bis 10 mal kleiner sein als die Periodendauer
der höchsten zu verarbeitenden Eingangssignalfrequenz.

283
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Integrierte Wandler
Es sind integrierte Schaltungen erhältlich, die durch äußere Beschaltung sowohl als f/U-
Wandler, als auch als U/f-Wandler betrieben werden können (siehe Abbildung 16-16).
Diese Schaltungen beinhalten meistens einen Komparator K, einen Operationsverstärker
OP, einen Monovibrator M und eine von diesem impulsweise einschaltbare Stromquelle I.

Abbildung 16-16 Prinzipschaltung eines integrierten f/U- und U/f-Wandlers

R
UB
C

uin(t)
K OP
uout
Ik
Beschaltung als f/U-Wandler M
T

C
UB
R
uin
i = uin/R OP K pull up
Beschaltung als U/f-Wandler Ik
M
Ti uout(t)

Beim Betrieb als f/U-Wandler wird nach jeder negativen Flanke des Eingangssignales ui
über den Monovibrator M für die definierte Zeit Ti ein konstanter Strom Ik (und damit eine
definierte Ladungsmenge ∆Q = Ti⋅Ik) in einen Kondensator C eingespeist.
Wie bei der Schaltung nach Abbildung 16-15 stellt sich auch hier über das Gleichgewicht
zwischen zugeführter und über einen Parallelwiderstand R abgeleiteter Ladung eine zur
Eingangsfrequenz f(t) proportionale Ausgangsspannung ein:
uout(t) = Ik⋅Ti⋅R ⋅ f(t) = Konstante ⋅ f(t)
Beim Betrieb als U/f-Wandler arbeitet der Operationsverstärker OP zusammen mit dem
Kondensator C als Integrator. Zu Beginn des Vorganges wird der Kondensator durch einen
Impuls der Dauer Ti aus dem Monovibrator M mit einem kräftigen Strom Ik auf eine
definierte Anfangsspannung aufgeladen. Danach erfolgt eine Entladung des Kondensators
über den Eingangsstrom i = uin/R. Erreicht die Kondensatorspannung den Wert 0, so wird
der Monovibrator M erneut gestartet und der Vorgang wiederholt sich. Je größer die
Eingangsspannung uin ist, umso schneller erfolgt die Kondensatorentladung und um so
häufiger treten Impulse des Monovibrators auf. Bei jedem Impuls des Monovibrators gibt
die Schaltung einen Ausgangsimpuls ab. Die Frequenz der Ausgangsimpulse ist
proportional zur Höhe der Eingangsspannung:
1
f (t) = ⋅ u in ( t ) = Konstante ⋅ u in ( t )
I k ⋅ Ti ⋅ R

284
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16.10 Digital-Analog- und Analog-Digital-Umsetzer

16.10.1 Digital-Analog-Umsetzer
Digital-Analog-Umsetzer (DAU) bzw. Digital-Analog-Converter (DAC) haben die Auf-
gabe, ein binäres Datenwort in eine analoge Größe umzusetzen.
Viele DA-Converter arbeiten mit einem R-2R-Widerstandsnetzwerk, wie es in Abbildung
16-17 für einen n-Bit-DA-Wandler dargestellt ist.
Uref UB

d(n-1)
(n-1)
2R
R
Abbildung 16-17 d(n-2)
n-Bit-DA-Umsetzer (n-2)
mit R-2R-Netzwerk 2R
R

d2
(2)
2R
R
d1 Rf
(1)
2R
R
d0 iΣ
(0) uQ
2R
2R

Das R-2R-Widerstandsnetzwerk bildet einen Spannungsteiler, der eine von außen zuge-
führte Referenzspannung Uref in Teilspannungen unterteilt.
Der Spannungsteiler besteht aus einer Reihenschaltung von Widerständen mit dem
Widerstandswert R (2R bei dem letzten, mit Masse verbundenen Widerstand). Die Zahl der
(senkrecht gezeichneten) in Reihe geschalteten Widerstände entspricht der Zahl n der
binären Eingänge des DA-Wandlers. Jedem Binäreingang ist somit ein Knoten innerhalb
des Spannungsteilers zugeordnet (Knoten m = (0) bis m = (n-1)).
An jedem dieser Knoten zweigt (horizontal gezeichnet) ein Widerstand mit dem Wider-
standswert 2R ab, dessen zweites Ende über einen Umschalter (meist mit CMOS-FET
realisiert) entweder unmittelbar mit dem Masseanschluss der Schaltung oder mit dem in-
vertierenden Eingang eines extern angeschlossenen gegengekoppelten Operationsverstär-
kers (also mit einer "virtuellen Masse") verbunden wird. Die Belastung der Referenzspan-
nungsquelle Uref und die Spannungen und Ströme innerhalb des R-2R-Widerstandsnetz-
werkes sind daher immer gleich und unabhängig von den Schalterstellungen und damit
unabhängig von der digitalen Eingangsinformation.
Das Potenzial an den Knoten zwischen den in Reihe geschalteten Einzelwiderständen des
Spannungsteilers sinkt von oben nach unten jeweils um den Faktor zwei. Dies lässt sich
nachvollziehen, wenn man die Widerstandsverhältnisse innerhalb des Netzwerkes
analysiert.

285
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Beginnt man am unteren Ende, so findet man zwischen dem Knoten (0) und Masse zwei
parallele 2R-Widerstände mit dem Gesamtwiderstand R. Die Spannung an dieser Parallel-
schaltung sei Ux und wird zunächst als unbekannt betrachtet. Zu der Parallelschaltung von
2R-Widerständen wird ein Widerstand R in Reihe geschaltet, der vom gleichen Strom
durchflossen wird. Diese Reihenschaltung ergibt zwischen dem Knoten (1) und Masse
einen Summenwiderstand 2R, an dem folglich die Spannung 2⋅Ux liegt.
Parallel zu der genannten Reihenschaltung mit dem Summenwiderstand 2R liegt aber auch
der von vom Eingang d1 umschaltbare 2R-Widerstand, wodurch sich zwischen Knoten (1)
und Masse wiederum ein Gesamtwiderstand R ergibt. An dem nächsten in Reihe geschal-
teten (gleich großen) Widerstand R liegt die gleiche Spannung 2⋅Ux, so dass zwischen Kno-
ten (2) und Masse die Spannung 4⋅Ux existiert.
Diese Aufeinanderfolge von parallelen 2R-Widerständen mit anschließend in Reihe ge-
schaltetem Widerstand R und die damit verbundene Spannungsverdoppelung von Knoten
zu Knoten lassen sich fortsetzen, bis zum Knoten (n-1). Dort findet man dann die Ge-
samtspannung Uref = 2(n-1)⋅Ux
Die Spannung Ux errechnet sich damit zu Ux = Uref/2(n-1).
Die Spannungen an jedem der Knoten m = (0) bis (n-1) des Spannungsteilers errechnen
sich nach der Gleichung Um = Uref/2(n-1-m)
Von jedem Knoten zweigt ein 2R-Widerstand ab, über den ein Strom nach Massepotenzial
fließt. Die Größe der einzelnen Ströme ergibt sich zu Im = Um/2R. Die Umschalter in
Reihe zu den 2R-Widerständen entscheiden, wohin diese Ströme fließen. Die Umschalter
werden in Abhängigkeit vom Signalwert dm an den einzelnen Digitaleingängen d0, d1, d2
bis d(n-1) betätigt. Beim Signalwert dm = "0" wird der zugehörige 2R-Widerstand
unmittelbar mit dem Masseanschluss der Schaltung verbunden. Beim Signalwert dm = "1"
werden die entsprechenden Ströme zum Eingang des extern angeschlossenen
Operationsverstärkers geleitet, dort aufsummiert und in ein proportionales
Spannungssignal umgewandelt. Zum Ausgangssignal des Operationsverstärkers tragen
daher genau jene und nur jene Binäreingänge bei, die den Signalwert "1" besitzen.
Der Eingangsstrom des gegengekoppelten Operationsverstärkers beträgt
n −1 n −1
U ref U ref U ref n −1
iΣ = ∑ 2R ⋅ 2( n −1− m) m ∑ 2( n − m) ⋅ R m 2n ⋅ R ⋅ ∑ d m ⋅ 2m
⋅ d = ⋅ d =
m=0 m =0 m =0
n −1
Mit D= ∑ d m ⋅ 2m = d0 ⋅ 20 + d1 ⋅ 21 + d 2 ⋅ 22 + ⋅⋅⋅⋅ + d(n −1) ⋅ 2n −1
m =0

U ref
ergibt sich iΣ = ⋅D (D = Wert des digitalen Eingangsdatums)
2n ⋅ R

Der Operationsverstärker wandelt diesen Strom in die Ausgangsspannung

U ref Rf
u Q = − iΣ ⋅ R f = − ⋅ ⋅D
2n R

286
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Da das digitale Eingangsdatum des DA-Wandlers nur ganzzahlige Werte annehmen kann,
hat der DA-Wandler keine stetige sondern eine stufenförmige Umsetzer-Kennlinie. Erhöht
sich der Wert D um 1, so vergrößert sich die Ausgangsspannung uQ sprunghaft um einen
Betrag ∆U = Uref/2n. Bei einem 10-Bit-ADU mit Uref = 10 V beträgt die Stufenhöhe
∆U = 10V/210 ≈ 9,77 mV.
Die Umsetzer-Kennlinie ist in Abbildung 16-18 am Beispiel eines 3-Bit-ADU gezeigt.
- uQ/V
10
Abbildung 16-18
Umsetzer-Kennlinie 7,5
∆U = Uref/23 =ˆ LSB
des 3-Bit-DA-Wandlers
(für Uref = 10 V) 5

2,5 ∆Umax = Uref/2 =ˆ MSB

0 D
0 1 0 1 0 1 0 1 LSB
0 0 1 1 0 0 1 1
0 0 0 0 1 1 1 1 MSB
Für eine exakte Digital-Analog-Wandlung muss eine sehr genaue Referenzspannung Uref
verwendet werden. Der Widerstandswert R muss bei allen Widerständen in dem R-2R-
Netzwerk sehr exakt gleich sein. Der Absolutwert von R hat keinen Einfluss auf die Größe
der Ausgangsspannung uQ und ist daher von geringer Bedeutung (Er darf große Abwei-
chungen von seinem Nennwert haben). Wichtig ist die Gleichheit des Widerstandswertes
bei allen Widerständen, damit die Eingangsbits des DA-Wandlers bei der Bildung der
Stromsumme am Eingang des Operationsverstärkers korrekt gewichtet werden.
DA-Wandler als Multiplizierer
Wegen der Produktbildung von Referenzspannung Uref und Datenwert D spricht man von
einem multiplizierenden DA-Wandler. Wählt man anstelle einer festen Referenzspannung
Uref eine beliebige Eingangsspannung uI, so lässt sich diese Spannung mit einem digitalen
Datenwert D multiplizieren zu einer Ausgangsspannung
1 Rf
uQ = − ⋅ ⋅ ( u I ⋅ D)
n R
2
Wegen D < 2n wird die Ausgangsspannung für Rf ≤ R immer kleiner als die
Eingangsspannung (Spannungsabschwächung).
DA-Wandler als Dividierer
Schließt man den externen Operationsverstärker so an, dass das R-2R-Netzwerk als Rück-
kopplungswiderstand RR2R dient (Verstärkerausgang mit dem Anschluss für Uref,
invertierender Verstärkereingang mit iΣ-Anschluss verbunden) und führt man dem
invertierenden Eingang eine Eingangsspannung uI über einen Widerstand Ri zu, so ergibt
R
sich: u Q = − u i ⋅ R 2R
Ri

287
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

U ref 2 n R uI
Mit R R 2R = = ⋅R wird daraus u Q = − 2n ⋅ ⋅
iΣ D Ri D
Die Eingangsspannung ui wird dabei durch den digitalen Datenwert D dividiert.
Wegen D < 2n wird die Ausgangsspannung mit Ri ≤ R immer größer als die
Eingangsspannung (Spannungsverstärkung).

16.10.2 Analog-Digital-Wandler
Ein Analog-Digital-Wandler hat die Aufgabe eine kontinuierlich veränderbare analoge
Spannung in einen Digitalwert, z.B. eine Dualzahl umzuwandeln. Zu diesem Zwecke muss
der gesamte mögliche Signalbereich UE der Analogspannung bei einem n-Bit-Umsetzer in
2n gleiche Teile ∆U = UE/2n unterteilt werden. Jedem Teilbereich mit der Breite ∆U kann
dann eine Digitalzahl zugeordnet werden. Erfolgt der erste Übergang vom Wert 0 zum
Wert 1 bereits bei einer Spannung von ∆U/2, so wird der nicht vermeidbare Quantisie-
rungsfehler nicht größer als ± ∆U/2.
Abbildung 16-19 Kennlinie eines 3-Bit-AD-Wandlers für UE = 10 V
D

1 1 1
1 1 0
1 0 1
1 0 0
0 1 1 ∆U
0 1 0
0 0 1
0 0 0
0 2,5 5 7,5 10 uI/V

∆U/2

Es gibt unterschiedliche Konzepte und Verfahren für Analog-Digital-Wandler.

Zu nennen sind:
- Parallelumsetzer
- AD-Umsetzer nach dem Wägeverfahren
- AD-Umsetzer nach dem Zählverfahren
sowie die indirekt arbeitenden
- Einrampenumsetzer
- Zweirampenumsetzer
- AD-Umsetzer nach dem Spannungs-Frequenz-Verfahren
Diese Verfahren sollen hier kurz beschrieben werden.

288
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16.10.2.1 Parallelumsetzer
Beim n-Bit-Parallelumsetzer werden aus einer Referenzspannung Uref mit einem Span-
nungsteiler aus 2n Widerständen gleichmäßig im Abstand von ∆U aufeinanderfolgende
Referenzspannungen für (2n-1) Komparatoren gebildet (siehe Abbildung 16-20).
Überschreitet die allen Komparatoren gleichzeitig zugeführte Eingangsspannung die
unterste Schwelle, so gibt der Komparator K1 ein H-Signal ab. Sofern auch die nächste
Schwelle überschritten wird, geben K1 und K2 ein H-Signal ab usw..
Die Komparatorausgangssignale werden in einer anschließenden Auswertelogik in eine
entsprechende Dualzahl D umgesetzt.
Da die Eingangsspannung von allen Komparatoren gleichzeitig ausgewertet wird, ist der
Parallelumsetzer sehr schnell. In der englischsprachigen Literatur wird er daher flash-con-
verter (Blitz-Konverter) genannt.
Uref

1,5 R
uI
K7
R

K6 K
R o
Abbildung 16-20
d
3-Bit-AD-Parallelumsetzer d2
K5 i
R e
r d1
K4 l
R
o
d0
g
K3 i
R
k
K2
R

K1
0,5 R

Nachteilig ist der hohe Schaltungsaufwand, der sich für größere Auflösungen exponentiell
erhöht (für einen 10-Bit-Parallelumsetzer wären 1023 Komparatoren erforderlich).
16.10.2.2 AD-Umsetzer nach dem Wägeverfahren (Sukzessive Approximation)
Der AD-Umsetzer nach dem Wägeverfahren beinhaltet einen vollständigen DA-Wandler,
dessen Ausgangssignal uV mit dem zu wandelnden analogen Eingangssignal uI verglichen
wird. Über einen Taktgeber und ein Schieberegister werden nacheinander die RS-Flip-
Flops, die den Binäreingängen des DA-Wandlers vorgeschaltet sind, gesetzt.
Zunächst werden alle Flip-Flops zurückgesetzt (Takt 0). Mit dem Taktimpuls 1 wird das
MSB-Flip-Flop gesetzt. Dieses erzeugt über den DA-Wandler eine Vergleichsspannung uV
in der Größe der Hälfte des Bereichsendwertes UE. Ist der Vergleichswert größer als die
Eingangsspannung (uV > uI), so wird über den Komparator das MSB-Flip-Flop beim
Taktimpuls 2 wieder zurückgesetzt. Andernfalls (uV < uI) bleibt es gesetzt.

289
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Abbildung 16-21 3-Bit-AD-Umsetzer nach dem Wägeverfahren

(a) Schaltung (b) Umsetzvorgang für z.B.

uI H für uV > uI uI = 5,6 V und Uref = 8
K
uV UE = Uref
uV/V D
Uref A D 8
MSB d2
uI = 5,6 V 1 1 1
d1
LSB d0 6 1 1 0
1 0 1
S R S R S R 1 0 0
4
≥1 ≥1 ≥1 0 1 1
uV
reset 2 0 1 0
& & & 0 0 1
0 0 0 0
0 1 2 3 4 5 6
G Schieberegister
t/T
0 1 2 3 4 5 6

Beim Taktimpuls 3 wird das nächste Flip-Flop gesetzt und das Ergebnis der DA-Wandlung
mit uI verglichen. Abhängig vom Ergebnis wird beim Impuls 4 dieses zuletzt gesetzte Flip-
Flop belassen oder zurückgesetzt. Dieses Verfahren wird fortgesetzt bis alle n Bits eines n-
Bit-AD-Wandlers abgeprüft sind. Der Dualwert D, der durch die Stellung der Flip-Flops
am Ende des Vorganges erreicht wurde, entspricht der Größe der analogen
Eingangsspannung.

16.10.2.3 AD-Umsetzer nach dem Zählverfahren

Abbildung 16-22 3-Bit-AD-Umsetzer nach dem Zählverfahren

(a) Schaltung (b) Umsetzvorgang für z.B.
uI = 5,6 V und Uref = 8 V
uI H für uI > uV UE = Uref
K uV/V
uV D
8
uI = 5,6 V 1 1 1
Uref A D 6 1 1 0
MSB d2 1 0 1
d1 4 1 0 0
LSB d0
reset 0 1 1
3-Bit-Dualzähler
2 0 1 0
uV
0 0 1
&
0 0 0 0
G 0 1 2 3 4 5 6
t/T

290
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Beim AD-Wandler nach dem Zählverfahren läuft ein Dualzähler von 0 beginnend hoch.
Die hochlaufende Dualzahl wird über einen DA-Wandler in eine analoge Vergleichsspan-
nung uV umgesetzt und mittels Komparator mit dem analogen Eingangssignal uI vergli-
chen. Sobald die ansteigende Vergleichsspannung die Eingangsspannung überschreitet,
wird der Zähler gestoppt. Der erreichte Zählerinhalt gibt die Größe der Eingangsspannung
an.

16.10.2.4 Einrampenumsetzer (single-slope-converter)

Beim Einrampenumsetzer wird über einen Integrator eine bei Null beginnende, zeitlinear
ansteigende Vergleichsspannung uV erzeugt. Gleichzeitig zählt ein Dualzähler die Takte
eines Taktgebers (Frequenz f) und misst damit die ablaufende Zeit. Hat die Vergleichs-
spannung die Eingangsspannung uI erreicht, so wird der Zähler angehalten. Der nach Ab-
lauf der Integrationszeit tx erreichte Zählerstand D ist ein Maß für die Größe der analogen
Eingangsspannung uI. D

d0 d(n-1)
Abbildung 16-23 Freigabe/reset
Einrampenumsetzer Steuerwerk n-Bit-Dualzähler

(Prinzipschaltung)
G &
f
0 tx

R C
Uref uV
H für uI > uV
K L für uI < uV
uI
Am Ende der Integrationszeit beträgt die Vergleichsspannung uV
I R ⋅ t x U ref ⋅ t x
uV = =
C R ⋅C
D
Mit tx = D ⋅T =
f
R ⋅C u u
wird daraus D = uV ⋅ ⋅f = V ≈ I
U ref ∆U ∆U
U ref
mit der Stufen- bzw. Schrittspannung ∆U =
R ⋅C⋅f
Die Ergebnis-Dualzahl D ist proportional zur Eingangsspannung uI, unter der Voraus-
setzung, dass die Werte für R, C, Uref und f konstant sind. Ändern sich eine oder mehrere
dieser Größen (z.B. durch Langzeitdrift), so führt dieselbe Eingangsspannung zu unter-
schiedlichen Wandlungsergebnissen.
Weniger kritisch in Bezug auf die genannten Größen ist das Zweirampenverfahren.

291
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16.10.2.5 Zweirampenumsetzer (dual-slope-converter)

Beim Zweirampenwandler wird die Eingangsspannung uI für eine genau vorgegebene Zeit
(bei Null beginnend) aufintegriert (uint). Die Integrationszeit t1 wird über n1 Impulse eines
Taktgebers vom Steuerwerk vorgegeben (t1 = n1/f). Nach Ablauf der Integrationszeit t1
schaltet das Steuerwerk den Integratoreingang auf eine gegensinnig gepolte Referenz-
spannung Uref um. Gleichzeitig gibt das Steuerwerk einen Binärzähler frei, der bis dahin
gesperrt und auf Null gestellt war. Während sich die Spannung uint auf Null zu bewegt,
läuft der Zähler hoch. Sobald uint nach der Zeit t2 – t1 den Wert Null erreicht hat, wird der
Zähler über einen Komparator angehalten. Der erreichte Zählerinhalt D = (t2 – t1) ⋅ f stellt
das Ergebnis der AD-Wandlung dar.
D
Abbildung 16-24 Zweirampen-AD-Wandler
(Prinzipschaltung) d0 . . . . . d(n-1)
Freigabe/reset
Steuerwerk n-Bit-Dualzähler
t1
t=0
G &
f
t1 t1 t2
0 .. t1
uI ≥ 0 R C uint

Uref < 0 H für uint < 0

t1 .. t2 K
L für uint > 0

Die Spannung uint erreicht bei der Integration der Eingangsspannung den (negativen)
Maximalwert
u u n
û int = I ⋅ t 1 = I ⋅ 1
R ⋅C R ⋅C f
Während der anschließend in der Zeit (t2 - t1) = D/f stattfindenden Abintegration wird die
Spannung uint wieder genau um diesen Betrag bis auf den Wert 0 reduziert
U ref U D
û int = ⋅ ( t 2 − t 1 ) = ref ⋅
R ⋅C R ⋅C f
Durch Gleichsetzen erhält man
uI
D = n1 ⋅
U ref

In dieses Ergebnis gehen R, C und f nicht ein. Diese Größen müssen nur innerhalb der
Wandlungszeit konstant sein. Langzeitdrift ist unkritisch.

292
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

16.10.2.6 AD-Umsetzer mit Spannungs-Frequenz-Wandler

Die analoge Eingangsspannung uI wird mit einem Spannungs-Frequenz-Wandler (siehe
Abschnitt 16.9) in eine proportionale Frequenz umgewandelt. Die Anzahl der während
einer definierten Zeit T0 auftretenden Impulse wird über einen Zähler erfasst und ergibt
eine zur Eingangsspannung uI proportionale Dualzahl D.
D

Abbildung 16-25 d0 . . . . d(n-1)

AD-Wandler mit U/f-Converter
n-Bit-Dualzähler
reset
Steuerwerk
Freigabe &

T0

uI f
U/f-Wandler

16.11 Übungsaufgaben Spezielle Operationsverstärker-Schaltungen

Aufgabe 16-1: Funktionsgenerator

(a) Welche periodischen Signalverläufe ergeben sich an den Ausgängen Q1 und Q2
der folgenden Schaltung ? (Skizze) (Es gilt: UQM = ± 15 V)
Nenne Maximal und Minimalwerte !

C
1 µF
Q1 R4
R1
UQ1 15 kΩ Q2
UI 10 kΩ uIp UQ2
R3

30 kΩ
R2
30 kΩ

UN = - 15 V

(b) Berechne die Periodendauer

293
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Aufgabe 16-2: (Spezieller) Sample & Hold - Verstärker

uQ AD-
FET 1 FET 2 OP 2 Wandler
uI OP 1
D1
∼ Signal-
Quelle

uSt uFr
In dem folgenden Diagramm sind die Eingangsspannung ui = f(t) sowie die Spannungen
uFr (= ± 15 V) und uSt (= ± 15 V) dargestellt.
Zeichne den Verlauf der Ausgangsspannung uQ = f(t)
uFr

t
Freigabe

uSt
sample
t
hold hold

uI

uQ

294
 Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Aufgabe 16-3: Netzsynchronisierung

100 k

UP = -15 V R6
FE4
ü R1
R3
C
1k 14 k
100 nF
u1 R5
Uref OP1
R2 u2 150 k
OP2
1k R4 u3
u4
1k
FE2 FE3
FE1

Die Netzspannung u1 (Amplitude 325 V; 50 Hz) wird vom Transformator im Verhältnis

10:1 herunter transformiert. Die maximale Ausgangsspannung der Operationsverstärker
beträgt ± 15 V. Durchlass-Spannung der Dioden UF = 0,6 V. FET: rDSon < 50 Ω
(a) Welche Funktionen haben die Teilschaltungen FE1, FE2, FE3 und FE4 ?
(b) Skizziere die Spannung u2 in dem folgenden Diagramm und trage den Maßstab an
beiden Achsen ein
u2/V

t/ms

(c) Skizziere die Spannungen u3 und u4 (jeweils auf korrekte Polarität achten)
u/V
15
10
5
0 t/ms
-5
-10
-15

295
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern

Aufgabe 16-4: Dividierer mit R-2R-Netzwerk

d0 d1 d2 d3

2R (0) R (1) R (2) R (3)

R = 10 kΩ

2R 2R 2R 2R 2R = 20 kΩ

0 1 0 1 0 1 0 1 R1 = 25 kΩ

iΣ

uI
R1 uQ

Am Knoten (3) innerhalb des Widerstandsnetzwerkes liegt die Spannung uQ, am Knoten (2)
die Spannung uQ/2, an Knoten (1) uQ/4 und am Knoten (0) uQ/8

(a) Welche Spannung stellt sich am invertierenden Eingang des gegengekoppelten

Operationsverstärkers ein ?

(b) Wie ändert sich der Strom durch einen 2R-Widerstand, wenn der zugehörige
Umschalter von Stellung 0 in Stellung 1 umgeschaltet wird ?

(c) Welche Spannung uQ stellt sich ein für das digitale Eingangsdatum D = 0101 ein ?
(uI = 5 V)

(d) Welche Spannung uQ stellt sich ein, wenn der Wert des digitalen Eingangsdatums
verdreifacht wird (D = 1111) ? (uI = 5 V wie bei (c))

296
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

17 Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

17.1 Thyristor
17.1.1 Aufbau und Funktionsweise
Verbindet man zwei komplementäre Transistoren so miteinander, dass jeweils der
Kollektor des einen Transistors mit der Basis des anderen Transistors verbunden ist (siehe
Abbildung 17-1), so entsteht ein bistabiles Element, das entweder sperrt oder vollständig
durchschaltet.
+US

Abbildung 17-1
Bistabile Transistorschaltung

T2
T1

Solange der Basis des Transistors T1 kein Strom zugeführt wird, sperrt T1. Es fließt kein
Kollektorstrom am Transistor T1 und damit auch kein Basisstrom an Transistor T2. Ohne
Basisstrom sperrt auch T2 und kann keinen Basisstrom an T1 liefern. Beide Transistoren
sperren, es fließt kein Strom.
Führt man der Basis von T1 einen geringen Basisstrom zu, so fließt ein um die
Stromverstärkung B1 größerer Strom am Kollektor von T1. Dieser Strom ist gleichzeitig
Basisstrom von T2. Damit wird ein um die Stromverstärkung B2 mal größerer
Kollektorstrom an T2 ausgelöst. Der Kollektorstrom von T2 addiert sich zum Basisstrom
von T1. Damit vergrößert sich der Kollektorstrom von T1 usw.. Es tritt ein
Mitkopplungseffekt auf; die beiden Transistoren schalten vollständig durch. Der durch die
beiden Transistoren fließende Gesamtstrom wird nur durch den externen Widerstand
begrenzt. Haben die beiden Transistoren durchgeschaltet, so bleibt dieser Zustand erhalten,
auch wenn von außen kein Basisstrom mehr zugeführt wird.
Abbildung 17-2 Aufbau eines Thyristors
Transistor-Modell Schichtenfolge des Transistormodells Schichtenfolge des Thyristors
A

p p
n n n
p p G p
n n

K
Betrachtet man die Schichtenfolge in den beiden Transistoren (siehe Abbildung 17-2), so
erkennt man, dass bei der Verbindung der beiden Transistoren immer zwei n- oder zwei p-
Zonen miteinander verbunden werden.
297
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

Eine entsprechende Struktur kann man durch vier abwechselnd p- und n-dotierte Zonen in
einem einzigen Bauteil realisieren. Man nennt dieses Bauelement „Thyristor“ (26)

Schaltzeichen
Der Thyristor sperrt in einer Stromrichtung. In der anderen Richtung kann er leiten, muss
hierzu aber eingeschaltet werden. Im eingeschalteten Zustand verhält sich der Thyristor
ähnlich wie eine Diode. Auf Grund dieser Eigenschaften wird als Schaltzeichen des
Thyristors ein Diodensymbol mit zusätzlichem Steueranschluss verwendet.
A
Abbildung 17-3
Schaltzeichen des Thyristors mit
katodenseitigem Zündanschluss
G
K

Die Anschlüsse des Thyristors werden

A = Anode K = Katode G = Gate
genannt.

Kennlinie des Thyristors

Wird dem Thyristor kein Zündstrom am Gate angeboten, so sperrt er die anliegende
Spannung UAK in beiden Polaritäten.
Abbildung 17-4 zeigt die Hauptstromkennlinie eines Thyristors. Die Kennlinie zeigt unter-
schiedliches Verhalten für positive und negative Spannungen UAK.
Abbildung 17-4 Hauptstromkennlinie des Thyristors
IA
Vorwärts-Flusskennlinie

Vorwärts-Blockierkennlinie
UBR
UAK
UBF0
Rückwärts-
Sperrkennlinie

Betrieb des Thyristors in (Vorwärts-)Blockierrichtung

Bei positiver Spannung UAK wird die Spannung von dem mittleren pn-Übergang des Thyri-
stors blockiert. Es handelt sich hierbei um den Kollektor-Basis-Übergang der beiden
gedachten Transistorstrukturen im Thyristor.

(26)
Die Bezeichnung Thyristor setzt sich aus Teilen der Begriffe Thyratron und Transistor
zusammen. Das Thyratron ist ein heute nicht mehr gebräuchliches Röhrenbauelement zum
Schalten elektrischer Ströme.
298
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

Bei einer positiven Spannung UAK kann der Thyristor über das Gate eingeschaltet
(gezündet) werden. Zum Zünden muss der pn-Übergang zwischen Gate und Katode in
Flusspolung gebracht und ein positiver Gatestrom (je nach Typ einige µA bis einige
hundert mA) eingespeist werden. Der Thyristor schaltet innerhalb weniger Mikrosekunden
(oder schneller) durch. Ein erhöhter Zündstrom kann die Einschaltzeit verkürzen.
Zum Zünden des Thyristors muss so lange Zündstrom zugeführt werden, bis der Strom an
der Anode einen bestimmten Mindestwert, den sog. Einraststrom (je nach Thyristorgröße
einige bis einige hundert Milliampere) überschritten hat. Danach wird der Thyristor
vollends durchschalten, auch wenn der Zündstrom abgeschaltet wird. Der leitende
Thyristor kann über das Gate nicht ausgeschaltet werden(27). Er geht erst dann wieder in den
gesperrten Zustand über, wenn der von außen kommende Strom den sog. Haltestrom (meist
kleiner als der Einraststrom) unterschreitet.
Liegt eine positive Spannung UAK an, ohne dass ein Zündstrom eingespeist wird, und stei-
gert man diese Spannung immer weiter, so tritt bei Überschreiten der Durchbruchspannung
des mittleren pn-Überganges (Nullkippspannung UBF0) ein Stromfluss auf, der durch den
internen Mitkopplungseffekt zum selbständigen Durchschalten des Thyristors führt (Über-
Kopf-Zündung). Diese Betriebsart sollte vermieden werden, da hierbei durch inhomogene
dynamische Stromverteilung eine Zerstörung des mittleren pn-Übergangs und damit des
ganzen Thyristors auftreten kann. Ein Überkopfzünden kann auch auftreten, wenn der
Spannungsanstieg in Blockierrichtung eine kritische Anstiegsgeschwindigkeit du/dt über-
schreitet (kapazitive Ströme wirken als Zündstrom).
Da der Strom beim Einschalten nicht über den gesamten Kristallquerschnitt gleichmäßig
ansteigt, können beim Überschreiten einer kritischen Stromanstiegsgeschwindigkeit di/dt
lokale Überhitzungen und damit Zerstörung des Kristalls auftreten. Hierbei sind
insbesondere Thyristoren für große Leistungen gefährdet.
Sowohl die kritische Spannungssteilheit du/dt als auch die kritische Stromanstiegssteilheit
di/dt sind vom jeweils vorausgehenden Betriebszustand abhängig.
Betrieb des Thyristors in Sperrrichtung
Bei negativer Spannung UAK kann der Thyristor nicht gezündet werden. Bei dieser Polarität
der Spannung sind die beiden äußeren pn-Übergänge gesperrt. Überschreitet die angelegte
Spannung die Rückwärts-Durchbruchspannung UBR so tritt ein starker Sperrstrom mit ent-
sprechend großer Verlustleistung auf. Hierdurch kann der Thyristor zerstört werden.
Sperrverzugszeit und Freiwerdezeit
Beim Abkommutieren des Thyristors (schneller Übergang vom eingeschalteten Zustand in
Sperrbetrieb) vergeht nach dem Nulldurchgang des Stromes die Sperrverzugszeit, ehe der
Thyristor Sperrspannung aufnehmen kann (Ausräumzeit des anodenseitigen pn-Übergangs
mit Rückstrom wie bei einer Diode; je nach Typ bis zu einigen µs).
Nach dem Stromnulldurchgang vergeht die Freiwerdezeit, bis der Thyristor in Vorwärts-
richtung (Blockierrichtung) wieder sperrfähig ist und Spannung aufnehmen kann (Aus-
schaltzeit des mittleren pn-Übergangs; deutlich größer als Sperrverzugszeit). Tritt die
Spannung in Blockierrichtung früher auf, so zündet der Thyristor wieder von selbst
(Zerstörungsgefahr).

(27)
Spezielle, hier nicht näher beschriebene Sonderformen, sog. GTO-Thyristoren (GTO = gate-turn-
off) lassen sich über das Gate ausschalten. Hierzu ist allerdings ein vergleichsweise großer
negativer Gatestrom erforderlich.
299
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

Konstruktive Eigenschaften (katodenseitig gesteuerter Thyristor)

Ein Thyristor soll unter anderem folgende Forderungen erfüllen:
- Der Thyristor soll mit kleinem Zündstrom eingeschaltet werden können.
- Der Haltestrom soll niedrig sein.
- Die Nullkippspannung UBF0 und die Rückwärts-Durchbruchspannung UBR sollen
möglichst groß sein.
Tabelle 17-1 Wichtige Daten von Thyristoren
BRX 44 / PO 100 DA / T646N
Typ
BRX 49 PO 100 AA
Grenzwerte
UDRM / 30 V / 100 V / 800V /
Periodische Spitzensperrspannung (+/-)
URRM 400 V 400 V 1600 V
800 V /
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung UDSM
1600 V
900 V /
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung URSM
1700 V
Durchlassstrom-mittelwert ITAVM 0,4 A 0,5 A 800 A
Einmaliger Spitzenstoßstrom (10 ms) ITSM 3A 7A 11000 A
Kritische Stromsteilheit diT /dt 120 A/µs
Kritische Spannungssteilheit duD/dt 1000 V/µs
Kristalltemperatur ϑj 125 °C 125 °C 125 °C
Typische Kennwerte
Zündstrom IGT < 200 µA < 20 µA < 250 mA
Nicht zündender Steuerstrom IGD < 10 mA
Zündspannung UGT 0,8 V 0,8 V < 1,5 V
Nicht zündende Steuerspannung UGD < 0,2 V
1,4 V < 1,7 V 2,1 V
Durchlassspannung UAK
(1 A) (1 A) (2500 A)
Haltestrom IH 5 mA 5 mA < 300 mA
Einraststrom IL < 1500 mA
Zündverzug tgd < 4 µs
Freiwerdezeit (bei di/dt = -10 A/µs;
tq - - 250 µs
duD/dt = 20 V/µs)
Wärmewiderstand (Sperrschicht-Umgebung) Rth/J-U 190 K/W 200 K/W -
Wärmewiderstand - beidseitig gekühlt 39 K/kW
- anodenseitig gekühlt Rth/J-G - - 68 K/kW
- katodenseitig gekühlt 82 K/kW
Bauform Kunstoffgehäuse TO-92 Scheibe
Hersteller Phillips TAG eupec

300
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

Damit der Thyristor bei positiver Spannung UAK durch den Mitkopplungseffekt mit einem
kleinen Zündstrom zündet und anschließend auch ohne Zündstrom in dem eingeschalteten
Zustand verharrt, reicht es aus, wenn das Produkt der Stromverstärkungen B1 und B2 bzw.
die Summe der Stromverstärkungen A1 und A2 der beiden in der Thyristorstruktur
verborgenen Transistoren größer als 1 ist.
Bei der Herstellung von Thyristoren wird die n-dotierte Katodenzone hoch dotiert; die übri-
gen p- und n-Zonen werden relativ niedrig dotiert. Dadurch ergibt sich für die
katodenseitige Transistorstruktur eine Stromverstärkung B1 >> 1.
Dies führt zu niedrigen Zündströmen und niedrigen Halteströmen. Der pn-Übergang
zwischen Gate und Katode zeigt dann aber eine niedrige Durchbruchspannung. Die übrigen
pn-Übergänge zeigen die gewünschten hohen Durchbruchspannungen in Blockierrichtung
(mittlerer pn-Übergang) und in Sperrrichtung (anodenseitiger pn-Übergang). Wegen der
niedrigen Dotierung der p-dotierten Anodenzone und wegen der relativ großen Dicke der
mittleren n-Zone besitzt die anodenseitige Transistorstruktur eine geringe
Stromverstärkung (B2 < 1).

17.1.2 Haupteinsatzgebiete
Da der Thyristor zwar gezielt ein- aber nicht mehr ausgeschaltet werden kann, liegen seine
Hauptanwendungsgebiete dort, wo der Strom nach dem Einschalten von selbst wieder ver-
schwindet. Solche Anwendungen sind insbesondere in Wechselstromkreisen möglich. Der
Thyristor macht es möglich, den Strom durch eine Last zu einem beliebigen Zeitpunkt z.B.
innerhalb der positiven Halbwellen einer Wechselspannung einzuschalten. Beim jeweils
nächsten Nulldurchgang des Stromes geht der Thyristor dann wieder in den gesperrten
Zustand über. Durch geeignete Wahl der Zündzeitpunkte des Thyristors lässt sich die
Wechselstromleistung steuern, die der Last zugeführt wird. Man nennt diese Art der
Leistungssteuerung „Phasenanschnittsteuerung“.
Abbildung 17-5 Phasenanschnittsteuerung mit einem Thyristor
ust u2

uL
u2 uL
t
ust

In der Regel sollen beide Halbwellen einer Wechselspannung genutzt werden. Hierzu
müssen zwei Thyristoren in anti-paralleler Anordnung eingesetzt werden (siehe Abbildung
17-6). Für die beiden antiparallelen Thyristoren müssen zwei unabhängige und elektrisch
gegeneinander isolierte Zündstromkreise aufgebaut werden.

Mit Thyristoren können sehr große Schaltleistungen erreicht werden (bis 4,5 kV, mehr als
4 kA, 5 kHz).

301
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

Abbildung 17-6 Phasenanschnittsteuerung mit antiparallelen Thyristoren

ust1 u2

uL
u2
t
uL
ust2
ust1

t
ust2

t
Der relativ große Schaltungsaufwand bei zwei antiparallelen Thyristoren lässt sich für
kleinere elektrische Leistungen vermeiden durch den Einsatz von TRIACs.

17.2 TRIAC
Der TRIAC ist ein Bauelement, in dem zwei antiparallele Thyristoren in einem
Halbleiterkristall realisiert sind. Zusätzlich beinhaltet der Kristall Strukturen, mit denen die
beiden antiparallelen Thyristoren über nur einen Gate-Anschluss gezündet werden können.
Abbildung 17-7 Schematischer Aufbau und Schaltzeichen des TRIACs

Steuer- Normal- Antiparallel-

Bereich Thyristor Thyristor A2
A2
n
p
p

n n G

p A1
p
n n
G A1

Der TRIAC kann sowohl bei positiven wie auch bei negativen Spannungen zwischen den
Hauptanschlüssen gezündet werden. Da dies sowohl mit positiven wie negativen
Zündströmen möglich ist, ergeben sich vier verschiedene Zündarten:
♦ Normal-Plus-Zündung: - positive Hauptspannung - positiver Zündstrom
♦ Normal-Minus-Zündung: - positive Hauptspannung - negativer Zündstrom
♦ Anti-Plus-Zündung: - negative Hauptspannung - positiver Zündstrom
♦ Anti-Minus-Zündung: - negative Hauptspannung - negativer Zündstrom
302
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente
I2

Abbildung 17-8
Hauptstromkennlinie des TRIAC UBRR
U21
UBRF

TRIACs weisen schlechtere Zündeigenschaften auf als Thyristoren. Außerdem nutzen sie
die Halbleiterfläche weniger effektiv aus. Daher werden TRIACs nur für kleine bis mittlere
Schaltleistungen hergestellt (bis 1,5 kV und 150 A, meist bei 50 Hz).

17.3 DIAC
Wie beim Triac besteht der Diac aus zwei antiparallelen Vierschichtstrukturen
(Vierschichtdiode). Es fehlen aber Einrichtungen zum Zünden.
Der Diac kann angelegte Spannungen in beiden Polaritäten sperren; er zündet jedoch in
beiden Spannungsrichtungen bei Überschreiten einer bestimmten Kippspannung.
Abbildung 17-9 Der Diac (Aufbau, Schaltzeichen, Strom-Spannungs-Kennlinie)

M I2
M2
n
p
p
UBRR
n n U21
UBRF
p
p
n
M1
M
Neben der dargestellten Vierschichtstruktur gibt es auch Diacs mit einer symmetrischen
npn-Struktur. Durch Kombination von Lawinendurchbruch und Transistoreffekt ergibt sich
nach Überschreiten der Kippspannung ein negativer Widerstand mit Spannungseinbruch.
Diacs wurden zum Zünden von Thyristoren und Triacs entwickelt. Abbildung 17-10 zeigt
eine entsprechende Zündschaltung. Hierbei wird ein Kondensator über einen einstellbaren
Widerstand aufgeladen. Überschreitet die Kondensatorspannung die Durchbruchspannung
des Diac, so schaltet dieser durch und zündet den Triac. Mit Hilfe der über den Widerstand
R einstellbaren Zeitkonstante des RC-Gliedes lässt sich der Zündwinkel einstellen.

RLast
R
Abbildung 17-10 Diac
Triac-Zündung mittels Diac
C Triac

Da inzwischen von verschiedenen Herstellern integrierte Schaltungen zur

Phasenanschnittsteuerung mit Thyristoren und Triacs angeboten werden, kommt diese
Technik heute nur noch in Ausnahmefällen zum Einsatz.

303
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

17.4 Leistungs-MOS-FET (Kurzkanalstrukturen)

Im Rahmen der technischen Entwicklung entstanden zahlreiche Ausführungsformen von
MOS-Transistoren. Günstige Eigenschaften im Hinblick auf Steilheit und Hochfrequenz-
verhalten bieten z.B. die Kurzkanalstrukturen nach dem VMOS- und DMOS-Verfahren
(double diffused MOS). Darüber hinaus lassen sich -insbesondere mit DMOS-FET- hohe
Strombelastbarkeit erreichen.
S G S
17.4.1 VMOS-FET

n+ n+
p p
Abbildung 17-11 Inversionskanal n-Epitaxie Inversionskanal
Der VMOS-FET
n-Substrat

D
+
- Es liegt eine vertikale Schichtenfolge (n ) - (p) - (n-Epitaxie) vor.
- Durch die vertikalen Schichten verläuft eine V-förmige Rinne. Die Rinne reicht bis in die
n-Epitaxie-Zone, sie teilt die darüberliegenden n+- und p-Zonen jeweils in zwei Hälften.
- Durch die V-Rinne entstehen zwei laterale FET-Strukturen:
. Die n+-Zonen bilden die Source-Bereiche,
. die p-Zonen bilden den bulk-Bereich,
. die n-Epitaxie den gemeinsamen Drain-Bereich.
- Source-, bulk- und Drain-Zonen werden mit externen Anschlüssen versehen, über der V-
förmigen Rinne wird eine isolierte Gate-Elektrode angebracht.
- Legt man eine Gatespannung UGS > UGS0 an, so bildet sich ein Inversionskanal im p-
Gebiet.
- Bei der vertikalen Schichtenfolge lassen sich die Schichtdicken sehr genau einstellen;
damit sind sehr kurze Längen des Inversionskanales erreichbar.
- Durch eine große Länge der V-Rinne ergibt sich ein großer Kanalquerschnitt.
- Kurze Kanallänge und großer Kanalquerschnitt ergeben einen geringen Kanalwiderstand
rDSon bzw. eine große Steilheit S der Steuerkennlinie.

17.4.2 DMOS-FET
Der prinzipelle Aufbau eines in vertikaler DMOS-Technologie hergestellten MOS-FET ist
in Abbildung 17-12 dargestellt. Source und Drain werden auf den beiden
gegenüberliegenden Seiten eines Halbleiterskristall angeordnet. Der am meisten
gebräuchliche n-Kanal-Typ baut auf einem n-dotierten Substrat auf. Dieses dient als
gemeinsamer Drainbereich für zahlreiche parallele FET-Strukturen, die zellenförmig
nebeneinander auf der Source-Seite realisiert werden. Hierzu werden in zwei
Diffusionsprozessen zunächst p-leitende „Wannen“ erzeugt (entspricht dem „bulk“-
Bereich einfacher IG-FET), in die anschließend hochdotierte n-Zellen eingefügt werden.
Diese n-Zellen stellen die Sourcebereiche der vielen parallelen FET-Strukturen dar. Die
n+-Zellen innerhalb einer p-Wanne und der dazwischenliegende p-Bereich werden jeweils
über eine Metallisierung von außen kontaktiert und miteinander verbunden.

304
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

Abbildung 17-12 Der DMOS-FET (n-Kanal-Typ)

G S Poly-Si
Ausschnitt
SiO2
Gate D
+
n n+ p n+ n+ p n+ n+
n+
p
G
n-Substrat n

S
Inversionskanal
+ D
In der schmalen „bulk“-Zone zwischen Source-Zellen und bis unter die Oberfläche
reichendem n-Substrat wird durch die Gatespannung jeweils ein Inversionskanal erzeugt.
Das Gate ist jeweils an geeigneter Stelle in Form von leitfähigem Poly-Silizium in eine
isolierende Oxidschicht über der Kristalloberfläche eingebettet.
Im inversen Betrieb (negative Drain-Source-Spannung) wird der Übergang zwischen
p-Wannen und n-Substrat in Flußpolung betrieben. Dies entspricht einer zum MOS-FET
anti-parallelen Diode.
Durch Parallelschaltung einer sehr großen Zahl solcher FET-Strukturen lassen sich
MOSFET herstellen, die Ströme von mehreren 10 A und mehr leiten können.
Widerstandswerte des eingeschalteten FET von rDSon < 100 mΩ sind heute möglich;
allerdings sind hierfür noch unwirtschaftlich große Chip-Flächen erforderlich.
Dies führte letztlich zur Weiterentwicklung des DMOS-FET zu dem im folgenden
beschriebenen IGBT.
G S
17.5 IGBT
Abbildung 17-13 Der IGBT
C (D) n+ n+ p n+ n+ n+

n
G
p+
E (S)
+ D
Der IGBT (isolated gate bipolar transistor) unterscheidet sich vom DMOS-FET dadurch,
dass auf der Drain-Seite eine hochdotierte p-Zone ergänzt wird. Dadurch entsteht zwischen
Drain- und Source-Anschlüssen jeweils eine pnp-Transistor-Struktur. Diese bipolaren
Transistoren erhalten ihren Basisstrom über die durch das isolierte Gate gesteuerten
MOSFET. Der IGBT entspricht damit einer Komplementär-Darlington-Schaltung aus
bipolarem pnp-Haupttransistor und MOSFET-Vortransistor. Diese Struktur ist in der
Darstellung des prinzipiellen Aufbaus des IGBT in Abbildung 17-13 schematisch
angedeutet (im Kreis). Die MOSFET müssen nicht den Gesamtstrom, sondern nur den
Basisstrom der bipolaren Transistoren liefern. Das Schaltzeichen (links in Abbildung
17-13) deutet einen stromlos gesteuerten npn-Transistor an. Es zeigt nicht den intern
tatsächlich vorhandenen pnp-Transistor.
IGBTs werden für Spannungen bis > 6 kV und Ströme bis 3 kA hergestellt.

305
Mehrschicht- und Leistungs-Halbleiter-Bauelemente

17.6 Übungsaufgaben zu Leistungs-Halbleiterbauelementen

Aufgabe 17-1 Phasenanschnittsteuerung mit Thyristoren oder Triac
Die Helligkeit einer Lampe wird durch Phasenanschnittsteuerung mittels Triac
gesteuert. ust

uL
û1

u1 uL t
α

Berechne den Effektivwert der Spannung uL an der Lampe als Funktion des
Anschnittwinkels α und stelle die Abhängigkeit grafisch dar.

Aufgabe 17-2: Hohe Strombelastbarkeit beim IG-FET

Wodurch erreicht man beim IG-FET eine hohe Strombelastbarkeit ?

306
Optoelektrische Bauelemente

18 Optoelektronische Bauelemente
18.1 Fotowiderstand (LDR)
Fotowiderstände bestehen aus einer Halbleiterschicht auf einem Keramikträgerplättchen.
Als Halbleiter kommen vorzugsweise Cadmiumverbindungen (z.B. CdS und CdSe für
Lichtstrahlung im sichtbaren Bereich) und Bleiverbindungen (z.B. PbS und PbSe für den
IR-Bereich bis 5 µm) zum Einsatz. Für noch langwelligere Strahlung werden Kupfer-do-
tiertes Germanium (Ge-Cu) oder HgCdTe eingesetzt.
Ausgenutzt wird der „innere fotoelektrische Effekt“, bei dem durch Lichteinwirkung
(durch Photonen) Elektronen aus dem Gitterverband herausgelöst werden und die Leitfä-
higkeit des Halbleiters vergrößern (LDR = Light Dependent Resistor).
Genutzt wird entweder die lichtinduzierte Eigenleitung oder die lichtinduzierte Störstel-
lenleitung. In beiden Fällen werden Photonen im Halbleiter absorbiert und führen zur An-
hebung von Valenzelektronen von Halbleiter- bzw. Störstellenatomen ins Leitungsband.
Bei der lichtinduzierten Eigenleitung werden durch Absorption von Photonen in einem
nicht dotierten Halbleiter Elektronen aus dem Valenzband ins Leitungsband angehoben
und damit Elektron-Loch-Paare erzeugt.
Die Energie der Photonen ist umgekehrt proportional zur Wellenlänge. Eine Ionisierung
von Halbleiteratomen kann nur durch Photonen erfolgen, deren Energie mindestens dem
Bandabstand WG zwischen Valenz- und Leitungsband des Halbleiters entspricht. Für jeden
Halbleiter kann daher eine Grenzwellenlänge λg angegeben werden. Licht mit einer kürze-
ren Wellenlänge wird absorbiert und führt zur Generation von freien Ladungsträgern. Licht
mit größerer Wellenlänge durchdringt den Halbleiter oder gibt seine Energie in Form von
Wärme an den Kristall ab. In beiden Fällen werden keine freien Ladungsträger erzeugt.
In der Tabelle 18-1 sind für einige Halbleitermaterialien der Bandabstand WG, die
Grenzwellenlänge λg und der Wellenlängenbereich λ angegeben, für den der eigenleitende
Halbleiter als Fotowiderstand zum Einsatz kommt.
Tabelle 18-1 Eigenleitende Halbleiter für Fotowiderstände
GaP CdS CdSe GaAs Si Ge PbS InSb HgCdTe
WG/eV 2,25 1,9 1,7 1,4 1,1 0,75 0,37 0,18 Über Cd-
Anteil
λg/µm 0,551 0,653 0,73 0,886 1,13 1,66 3,36 6,9
einstellbar
λ/µm 0,4-0,8 0,45-0,75 0,4-3,5 0,4-7,5 ≤ 25

Bei Halbleitern mit niedrigem Bandabstand WG kann die lichtinduzierte Eigenleitung durch
die temperaturabhängige Eigenleitung überdeckt werden. Aus diesem Grunde werden
Fotowiderstände aus Indium-Antimonid oder HgCdTe mit flüssigem Stickstoff auf
T = 77 K gekühlt, so dass die thermische Eigenleitung weitgehend unterdrückt wird.
Für sehr langwellige IR-Strahlung (sehr niedrige Photonenenergie) kommt die lichtindu-
zierte Störstellenleitung zum Einsatz. Hierzu wird z.B. Kupfer-dotiertes Germanium mit
flüssigem Helium so tief gekühlt (T = 4,2 K), dass die Dotierungsatome noch nicht
ionisiert sind. Da die Störstellenniveaus sehr nahe an den Bandkanten liegen, reichen dann
geringe Photonenenergien zur Ionisierung der Störstellen aus. Auf diese Weise kann
Strahlung mit Wellenlängen bis 40 oder 100 µm gemessen werden.

307
Optoelektrische Bauelemente

Ein Nachteil des Fotowiderstandes ist sein äußerst träges Ansprechverhalten. Typische An-
sprechzeiten liegen in Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke zwischen mehreren Milli-
sekunden und mehreren Sekunden. Beim Ausschalten nach längerer Beleuchtung können
15 Minuten vergehen, bis der Dunkelwiderstand wieder vollständig erreicht ist.
1000 lx
20
Abbildung 18-1 IP/mA 300 lx
Kennlinien eines Fotowiderstandes
15
100 lx

10

30 lx
5
10 lx

0
18.2 Fotodiode 0 20 40 U/V

18.2.1 PN-Übergang unter Lichteinwirkung

Die Kennlinie einer Halbleiterdiode wird beschrieben durch die Shockleysche Stromglei-
chung
I = I RS ⋅ (e U UT - 1)
Hierbei ist IRS der Betrag des (stark temperaturabhängigen) Sättigungssperrstroms, UT die
sog. Temperaturspannung (≈ 26 mV für T = 300 K) und U die an den äußeren Klemmen
der Diode anliegende Spannung (positiv für Flusspolung, negativ für Sperrpolung).
Bei der Fotodiode wird der Sperrsättigungsstrom IRS als Dunkelstrom bezeichnet.
Wird der Halbleiterkristall mit Licht geeigneter Wellenlänge bestrahlt, so werden die
Lichtquanten (Photonen) im Kristall absorbiert. Je nach ihrem Energieinhalt führt die Ab-
sorption der Photonen zur Erwärmung des Kristalls oder zur Ionisation von Gitteratomen.
Im zweiten Fall werden Elektronen der Gitteratome aus dem Valenzband ins Leitungsband
angehoben. Es entstehen paarweise Elektronen und Löcher.
Erfolgt die Absorption der Photonen innerhalb der Raumladungszone eines pn-
Überganges, so werden Elektronen und Löcher durch das dort existierende elektrische Feld
getrennt und können nicht rekombinieren. Die entstandenen Löcher driften zur
benachbarten p-Zone, die Elektronen zur benachbarten n-Zone. Die Trennung der
Ladungsträger führt zur gegenseitigen Aufladung von p- und n-Zone und/oder zu einem
Strom in einem äußeren Stromkreis.
Ladungsträger, die in geringem Abstand (< Diffusionslänge Lp bzw. Ln) außerhalb der
Raumladungszone generiert werden, die dann (zufällig) zur Raumladungszone diffundieren,
ehe sie durch Rekombination wieder verschwinden, und die dann vom elektrischen Feld auf
die andere Seite der Raumladungszone getrieben werden, führen zum selben Effekt.
Damit Licht bis in den Bereich der Raumladungszone vordringen kann, wird der Kristall
auf der Einstrahlungsseite des pn-Überganges möglichst dünn gehalten. Außerdem wird die
Dicke der Raumladungszone möglichst groß gewählt, damit dort möglichst viele Photonen
absorbiert werden. In Fotodioden ist daher grundsätzlich mindestens eine Seite des pn-
Überganges niedrig dotiert.

308
Optoelektrische Bauelemente
p+
Abbildung 18-2 RZ
Absorption eines Photons n
in der Raumladungszone
eines pn-Überganges n+

In der Kennliniengleichung des pn-Überganges kommt durch die bei Bestrahlung entstan-
denen freien Ladungsträger ein zur Beleuchtungsstärke Eph proportionaler Sperrstrom
hinzu, der Fotostrom Iph.
I = I RS ⋅ (e U UT
- 1) − I ph
Der Fotostrom Iph führt zu einer mehr oder weniger großen Verschiebung der Diodenkenn-
linie in negativer Stromrichtung. I

Abbildung 18-3
IRS Iph1 Iph5
Kennlinienfeld des
pn-Übergangs bei Bestrahlung Eph1 U

(Eph = Beleuchtungsstärke)
Eph5

Der Quotient S = Iph / Eph wird Lichtempfindlichkeit (oder einfach nur Empfindlichkeit)
genannt und z.B. in der Einheit nA/lx angegeben. Die Lichtempfindlichkeit S ist
mindestens über 7 Größenordnungen der Beleuchtungsstärke Eph konstant.
Die positive Richtung von Strom- und Spannung in den beiden obigen Gleichungen und in
Abbildung 18-3 entspricht dem Verbraucherzählpfeilsystem, bei dem Strom und Spannung
an einem Bauteil gleiche Richtung haben. Gleiche Richtung von Strom und Spannung liegt
in Abbildung 18-3 im 1. und im 3. Quadranten des Kennlinienfeldes vor. Hier arbeitet die
Fotodiode als Verbraucher, sie nimmt eine dem Produkt aus Strom und Spannung entspre-
chende Leistung auf, die in der Diode als Verlustwärme freigesetzt wird.
Bei Bestrahlung der Fotodiode treten in Abbildung 18-3 auch Kennlinien im 4. Quadranten
des Kennlinienfeldes auf. Strom und Spannung haben dann in der Fotodiode entgegenge-
setzte Richtung. Die Diode arbeitet hier als Energiequelle.
Tabelle 18-2 Daten von Fotodioden (BPX..) und Fotoelementen (BPY..)
Typ BPX 63 BPX 90 BPY 11 BPY 64
Empfindlichkeit S 10 nA/lx 40 nA/lx 40 nA/lx 230 nA/lx
Dunkelstrom (20 °C) IRS 15 pA 5 nA 1 µA 4 µA
Max. Sperrspannung URM 7V 32 V 1V 1V

18.2.2 Diodenbetrieb der Fotodiode

Beim Diodenbetrieb wird von außen eine Sperrspannung an die Fotodiode angelegt. Die
Fotodiode arbeitet dann im 3. Quadranten des Kennlinienfeldes. Ist der Betrag der Sperr-
spannung viel größer als die Temperaturspannung UT (z.B. ≥ 0,2 V), so kann in der Glei-
chung für den Diodenstrom das Exponenzialglied vernachlässigt werden, und es ergibt sich
I = − (I RS + I ph )

309
Optoelektrische Bauelemente

Da sich der Fotostrom Iph kaum mit der Sperrspannung ändert, zeigt die Diode bei dieser
Betriebsart einen sehr großen Innenwiderstand; sie prägt dem äußeren Stromkreis einen
weitgehend spannungsunabhängigen Strom auf.
18.2.3 Foto-PIN-Diode
Um die Empfindlichkeit der Fotodiode möglichst groß zu machen, kann anstelle eines pn-
Überganges eine Intrinsic-Zone zwischen hoch-dotierten p- und n-Zonen angeordnet wer-
den. Eine außen angelegte Sperrspannung fällt dann über dieser Intrinsic-Zone ab. Elektro-
nen und Löcher, die innerhalb dieser Intrinsic-Zone generiert werden, werden von dem dort
vorhandenen elektrischen Feld getrennt und in die angrenzenden p- bzw. n-Zonen ab-
geleitet.

p+
Abbildung 18-4
Foto-PIN-Diode
i - UR
+
n+

Die Dicke der Intrinsic-Zone kann deutlich größer gewählt werden, als dies für die Aus-
dehnung der Raumladungszone eines pn-Überganges möglich wäre. Zum Nachweis be-
sonders langwelliger IR-Strahlung wird die Dicke der Intrinsic-Zone z.B. bis zu einigen
Millimetern gewählt.
18.2.4 Schottky-Fotodiode
Die Schottky-Fotodiode beinhaltet keinen pn- sondern einen Metall-Halbleiter-Übergang.
Durch eine sehr dünne, lichtdurchlässige Metallschicht an der Oberfläche können die
Photonen in die darunter liegende schwach dotierte Halbleiterzone eindringen und dort
Ladungsträger generieren. Schottky-Fotodioden ergeben sehr schnelle und empfindliche
Fotodetektoren.
18.2.5 Foto-Lawinen-Diode (Avalanche-Fotodiode)
Bei der Foto-Lawinen-Diode wird zusätzlich zu einer Intrinsic-Absorptionszone (wie bei
der Foto-pin-Diode) die Raumladungszone eines pn-Überganges als Multiplikationszone
verwendet. Den prinzipiellen Aufbau zeigt die folgende Abbildung.
Abbildung 18-5 + -
Aufbau der Foto-Lawinen-Diode UR

n+ p i p+

Multiplikationszone Absorptionszone

Die außen angelegte elektrische Spannung erzeugt in der Absorptionszone ein schwaches,
in der Multiplikationszone ein starkes elektrisches Feld.

310
Optoelektrische Bauelemente

Das einfallende Licht wird in der Intrinsic-Zone absorbiert und erzeugt dort Elektronen-
Loch-Paare, die durch das hier existierende elektrische Feld getrennt werden. Die entstan-
denen Elektronen driften in die Multiplikationszone und führen dort wegen der hohen
Feldstärke zu mehrfacher Stoßionisation (Lawineneffekt). Auf dieser Weise wird jedes
durch Photonenabsorption entstandene Ladungsträgerpaar bis zu mehrere hundert mal ver-
vielfacht.
Mit der Foto-Lawinen-Diode lassen sich daher Empfindlichkeiten erreichen, die um einige
hundert mal größer sind als die einer einfachen pn-Fotodiode.
18.2.6 Elementbetrieb der Fotodiode
Bei Bestrahlung der Fotodiode treten in Abbildung 18-3 auch Kennlinien im 4. Quadranten
des Kennlinienfeldes auf. Strom und Spannung an der Fotodiode haben dabei entgegenge-
setzte Richtung. Die aus dem Produkt von Strom und Spannung sich ergebende Leistung
wird nicht in der Diode verbraucht, sondern als elektrische Leistung nach außen abgege-
ben. Die Diode arbeitet als Energiequelle im sog. Elementbetrieb. Sie wird dann Fotoele-
ment genannt.
Wird die Fotodiode im Elementbetrieb eingesetzt, so stellt man ihre Kennlinie zweckmäßi-
gerweise nicht nach dem Verbraucherzählpfeilsystem, sondern nach dem Erzeugerzähl-
pfeilsystem dar. Dabei wird der Strom positiv gezählt, wenn er in der Quelle der positiven
Spannung entgegengerichtet ist.
Die Kennlinien des Fotoelements liegen dann im 1. Quadranten. Man erhält diese Kennli-
nien, indem man die (in Abbildung 18-3) im 4. Quadranten liegenden Kennlinienteile an
der Spannungsachse in den 1. Quadranten spiegelt.
I

Ik6
. Eph6
Abbildung 18-6
Kennlinien des Fotoelements .
.
.
Ik1
Eph1 U
UL1 . . UL6

Die Kennliniengleichung des Fotoelements in der Erzeugerzählrichtung lautet

I = I RS ⋅ (1 - e U UT
) + I ph

Wird das bestrahlte Fotoelement kurzgeschlossen, so verschwindet der vom Dunkelstrom

IRS abhängige erste Summand und als Kurzschlussstrom verbleibt der reine Photostrom:
I = Ik = Iph
Da über ca. 7 Dekaden ein linearer Zusammenhangs zwischen Beleuchtungsstärke Eph und
Photostrom Iph existiert, wird die Fotodiode (das Fotoelement) zur Lichtmessung
zweckmäßigerweise im Kurzschlussbetrieb eingesetzt.
Wird das Fotoelement im Leerlauf betrieben, so stellt sich an ihr die von der Bestrahlungs-
stärke abhängige Leerlaufspannung UL ein. Ein linearer Zusammenhang existiert hier nicht.

311
Optoelektrische Bauelemente

18.2.7 Solarzelle
Mit Fotodioden kann Lichtstrahlung gemessen werden. Die in der Fotodiode verwirklichte
Erzeugung eines elektrischen Stromes bzw. einer elektrischen Spannung aus Licht ist im
Prinzip auch geeignet, um größere elektrische Energien aus der Sonnenstrahlung zu ge-
winnen. Bei senkrechtem Sonnenstand strahlt die Sonne in südlichen Ländern ca.1 kW auf
einen Quadratmeter Erdoberfläche ein. Auf eine Fläche von 1 km2 entfällt eine Gesamt-
energie von ca. 1 GW. Aus diesen Daten wird erkennbar, dass hier eine unerschöpfliche
Energiequelle vorliegt. Es wird aber auch erkennbar, dass Fotodioden mit einer wirksamen
Absorptionsfläche von einigen mm2 viel zu klein sind, um nennenswerte Energiemengen
einzufangen.
Zur Energiegewinnung aus Sonnenstrahlung wurden sog. Solarzellen entwickelt. Sie sind
prinzipiell ähnlich aufgebaut wie Fotodioden, jedoch mit wesentlich größerer Sperrschicht-
fläche. Als Basismaterial kommt heute vorzugsweise Silizium zum Einsatz.
Eine Solarzelle besteht prinzipiell aus einer großflächigen Siliziumscheibe (Fläche z.B. 100
cm2) mit einem nahe der Oberfläche angeordneten pn-Übergang. Die Scheibe wird auf
Ober- und Unterseite elektrisch kontaktiert. Um die Einstrahlungsfläche möglichst wenig
zu reduzieren, sind die Kontakte der Oberseite (Einstrahlungsfläche) kammartig in Form
dünner Stege ausgebildet. Die Einstrahlungsfläche wird zusätzlich mit einer Antireflex-
schicht versehen, damit möglichst das gesamte auftreffende Licht genutzt werden kann.
Man unterscheidet einkristalline, polykristalline und amorphe Solarzellen. Sie unterschei-
den sich in der Herstellungsart, in den Herstellungskosten und im Wirkungsgrad.
Die folgende Tabelle zeigt die unter günstigen Umständen derzeit bei Silizium-Solarzellen
erreichbaren Wirkungsgrade. Kommerziell hergestellte Solarzellen erreichen diese Wir-
kungsgrade aber meist nicht.
Tabelle 18-3 Wirtschaftlichkeitsdaten für Solarzellen
Erreichbarer
Zellenstruktur Herstellungskosten Zellengröße
Wirkungsgrad
einkristallin 20 – 28 % hoch ≥ 10 cm φ
polykristallin 16 – 18 % mittel 10 cm x 10 cm
amorphe Dünnschicht < 13 % Niedrig

Eine einzelne Solarzelle liefert eine Leerlaufspannung von ca. 0,5 bis 0,6 V. Zur Erzeu-
gung größerer Spannungen werden mehrere Zellen in Reihe, zur Erzeugung größerer
Ströme werden mehrere Zellen parallel geschaltet und zu einem sog. Solarpanel zusam-
mengebaut.

Die Kennlinien eines Solarpanels werden üblicherweise im 1. Quadranten eines I-U-Koor-

dinatensystems dargestellt und ähneln den Kennlinien einer Fotodiode im Elementbetrieb
(siehe Abbildung 18-6).

Um dem Solarpanel möglichst viel Energie zu entnehmen, versucht man es im sog. MPP
(Maximum Power Point) zu betreiben. Es ist dies der Punkt der jeweils aktuellen Kennli-
nie, der eine Hyperbel für konstante Leistung tangiert. In diesem Punkt hat das Produkt
P = U⋅ I den größten Wert (Pm = Um⋅Im).

312
Optoelektrische Bauelemente

I
Abbildung 18-7
Betrieb im Ik
Maximum Power Point
Im
MPP

Pkonst

U
Um UL

Im ⋅ Um
Das Verhältnis FF = wird als Füllfaktor (oder Kurvenfaktor) bezeichnet.
Ik ⋅ UL
Der Füllfaktor ist umso größer, je schärfer der Knick in der Kennlinie ausgebildet ist. In
realen Solarzellen werden Werte von 70 % bis 80% erreicht.
Tabelle 18-4 Daten von Solarmodulen
Typ Sunceram MSX 18 M 40
Technologie Amorph Polykristallin Monokristallin
Zellenzahl 5 8 16 36 33
Fläche 7,9 cm2 30 cm2 60 cm2 2100 cm2 4026 cm2
Leerlaufspannung 3,45 V 5,5 V 11 V 21 V 19,5 V
Kurzschlussstrom 17 mA 44 mA 44 mA 1,2 A 3A
Max. Leistung MPP 35 mW 150 mW 300 mW 18,5 W 40 W
(Eph = 100 mW/cm2)

18.3 Fototransistor
Der Phototransistor besitzt einen großflächigen Kollektor-Basis-Übergang, der in Sperr-
richtung betrieben wird. Die Basis ist häufig nicht nach außen verbunden.
Abbildung 18-8 zeigt den Aufbau eines npn-Foto-Transistors. Durch Photonenabsorption
im Bereich des Kollektor-Basis-Raumladungszone (RLZ) entstandene Elektronen-Loch-
Paare werden durch das dort herrschende elektrische Feld getrennt. Die Elektronen driften
in die Kollektorzone (1), die Löcherin in die Basiszone und weiter über den Basis-Emitter-
Übergang in die Emitterzone (2). Auf Grund des Transistoreffektes wird dadurch ein sehr
viel größerer Elektronenstrom (3) vom Emitter über die Basis zum Kollektor ausgelöst.
E C
B
Abbildung 18-8 n+ p
Bipolarer Fototransistor (2)
RLZ
(1)
n
(3)

313
Optoelektrische Bauelemente

Für den Kollektorstrom ergibt sich:

IC = (B + 1) ⋅ (Iph + ICB0)
oder näherungsweise:
IC ≈ B ⋅ Iph
Wegen der relativ großen Kollektor-Basis-Sperrschicht-Kapazität und wegen des "Miller-
Effekts" ist der Fototransistor relativ langsam. Die 3dB-Grenzfrequenz handelsüblicher
Fototransistoren liegt bei nur einigen hundert kHz.
Tabelle 18-5 Daten von Fototransistoren
Typ BP103 II BPW14 B BPX 99
Technologie Einfacher Transistor Darlington
Basisanschluss nein ja
Grenzwerte
Kollektor-Emitter-Spannung UCE0 35 V 32 V 32 V
Kollektorstrom IC 50 mA 50 mA 500 mA
Sperrschichttemperatur ϑj 125 °C 150 °C 120 °C
Verlustleistung Ptot 210 mW 250 mW 330 mW
Typische Kennwerte
Kollektorstrom bei 1000 lx (2856 K) IC 2,5 ... 5 mA 4,5 mA >100 mA
Dunkelstrom ICE0 < 100 nA < 100 nA < 200 nA
Schaltzeiten t r / tf < 10 µs 1,7 µs 80 / 60 µs
Wärmewiderstand Rth 0,35 K/W 0,4 K/W 0,3 K/W

18.4 Lumineszenz-Dioden
Die bei der Rekombination von Elektron-Loch-Paaren in einem Halbleiterkristall freiwer-
dende Energie kann entweder abgestrahlt oder in Form von Wärme freigesetzt werden.
Welche der beiden Möglichkeiten jeweils auftritt hängt von der Art des Halbleiters ab. In
diesem Zusammenhang unterscheidet man indirekte und direkte Halbleiter.
Bei indirekten Halbleitern findet kein unmittelbarer Übergang eines Leitungselektrons in
das Valenzband statt. Die Rekombination kann nur in Schritten stattfinden über sog. Re-
kombinationszentren (traps) mit Energieniveaus nahe der Mitte des verbotenen Bandes
oder durch Energieabgabe an andere Leitungselektronen (Auger-Rekombination). Bei der
indirekten Rekombination wird die freiwerdende Energie nicht abgestrahlt, sondern in
Gitterschwingungen (Phononen), d.h. in Wärme umgesetzt. Die Elementhalbleiter Silizium
und Germanium sind indirekte Halbleiter.
Bei den direkten Halbleitern findet bei der Rekombination ein unmittelbarer Übergang der
Leitungselektronen ins Valenzband statt. Die freiwerdende Energie wird in Form eines
Photons (Lichtquant) abgestrahlt. Beispiele direkter Halbleiter sind GaAs, GaAsP, GaP,
SiC, GaN.
Lumineszenz- oder Leuchtdioden (LED, Light Emitting Diode) bestehen üblicherweise aus
dem Kristall eines direkten Halbleiters, in dem ein pn-Übergang in Flussrichtung betrieben
wird.

314
Optoelektrische Bauelemente

Im Flussbetrieb diffundieren Majoritätsträger über den pn-Übergang und rekombinieren

anschließend mit den Majoritätsträgern der jeweils anderen Seite. Die bei der Rekom-
bination freiwerdende Energie wird in Form von Licht(-quanten) abgestrahlt.
Die Energie der abgestrahlten Photonen entspricht ungefähr dem Bandabstand von Lei-
tungs- und Valenzband. Dieser für den jeweiligen Halbleiter charakteristische Bandabstand
bestimmt daher die Farbe des abgestrahlten Lichtes.
In der Tabelle 18-6 sind typische Kenndaten verschiedenfarbiger Luminiszenzdioden wie-
dergegeben. Unter dem dort angegebenen externen Quantenwirkungsgrad versteht man je-
nen Anteil der Rekombinationsvorgänge, der zur Abstrahlung von Photonen nach außen
führt. Es ist erkennbar, dass bei den meisten LEDs nur ein relativ geringer Anteil der Re-
kombinationsvorgänge zur Abstrahlung nach außen führt. Die meisten Photonen werden
innerhalb des Halbleiterkristalls wieder absorbiert.
Tabelle 18-6 Kenndaten verschiedener Lumineszenzdioden
externer
Material : Wellenlänge Lichtausbeute Flussspannung
Farbe Quanten-
Donator in nm in lm/W UF/V
wirkungsgrad
GaAs : Si IR 930 12 - 30 % - 1,3
GaP : Zn, O rot 690 4 - 15 % 0,2 - 0,8 1,6
GaAs0,35P0,65 : N orange 630 0,4 - 0,6 % 0,7 - 1,1 2,0
GaAs0,15P0,85 : N gelb 590 0,1 - 0,3 % 0,5 - 1,5 2,2
GaP : N grün 570 0,1 - 0,7 % 0,7 - 4,5 2,4
GaN : Zn blau 440 0,1 % 0,02 4,5

Das von einer LED abgestrahlte Licht ist nicht streng monochromatisch. Das Spektrum hat
auf halber Höhe gemessen eine Breite von z.B. 25 nm (grün) bis 45 nm (IR).
Das Licht einer LED lässt sich über den Diodenstrom modulieren; bei sehr schnellen LEDs
bis ca. 500 MHz.

18.5 Displays
18.5.1 LED-Displays
Eines der Haupteinsatzgebiete von LEDs sind Displays. Abbildung 18-9 zeigt eine Leucht-
balkenanzeige zur groben Analoganzeige sowie Sieben-Segment- und Punkt-Matrix-An-
zeige zur Darstellung alphanumerischer Symbole.
Abbildung 18-9 LED-Displays
Leuchtbalkenanzeige Sieben-Segment-Anzeige Punkt-Matrix-Anzeige

Jedes einzelne Segment wird durch eine eigene LED realisiert.

315
Optoelektrische Bauelemente

Die Dioden einer Anzeigeeinheit werden jeweils einzeln (Balken- und Sieben-Segment-
Anzeige) oder über eine Spalten- und Zeilen-Matrix (Punkt-Matrix-Anzeige) angesteuert.
18.5.2 Flüssigkristall-Displays
Der Aufbau einer Flüssigkristallanzeige entspricht dem eines Plattenkondensators. Zwi-
schen zwei parallelen Glasplatten (Abstand 5 - 15 µm), die mit Elektroden aus einer leit-
fähigen, transparenten Indium-Zinn-Oxid-Schicht überzogenen sind, befindet sich eine
"nematische" Flüssigkeit als Dielektrikum.
Bei den nematischen Flüssigkristallen handelt es sich um aromatische Verbindungen mit
langgestreckten Molekülen. In einem bestimmten Temperaturbereich befinden sie sich in
einem Zwischenzustand zwischen Flüssigkeit (ungeordnet, isotrop) und fester Kristall-
struktur (hochgeordnet, anisotrop). Sie passen sich wie Flüssigkeiten der Form eines vor-
handenen Volumens an. Die Moleküle sind jedoch vorzugsweise parallel ausgerichtet, be-
sitzen also Ordnungsstrukturen, was sonst nur bei Kristallen auftritt.
Die Moleküle weisen schwache elektrische Dipoleigenschaften auf. Da sie sich wie in einer
Flüssigkeit leicht gegeneinander verschieben lassen, können die Moleküle durch ein
elektrisches Feld gedreht und damit die optischen Eigenschaften des Flüssigkristalls geän-
dert werden. Bei einer segmentweisen Unterteilung einer der beiden Beläge des "Platten-
kondensators" lassen sich damit Ziffern und Zeichen darstellen.
Flüssigkristallanzeigen werden vorzugsweise als sog. Drehzellen (TN-Zellen, Twisted
Nematic-Cell) realisiert. Bei diesen Zellen erhalten die Elektroden durch mechanische Be-
arbeitung molekültiefe parallele Riefen. Dies führt dazu, dass die Moleküle des Flüssig-
kristalls sich an der Elektrodenoberfläche parallel zu dieser vorgegebenen Vorzugsrichtung
anordnen. Die beiden Glasplatten werden so montiert, dass die von ihnen vorgegebenen
Vorzugsrichtungen um 90° gegeneinander verdreht sind. Die Ausrichtung der Moleküle
des Flüssigkeitskristalls zwischen den Platten ändert sich daher schraubenförmig.
Die beiden Glasplatten der Drehzelle werden mit Polarisationsfolien versehen, deren Pola-
risationsrichtung jeweils mit der Vorzugsrichtung der Moleküle an der jeweiligen
Glasplatte übereinstimmt. Die Polarisationsrichtung der beiden Polfilter unterscheidet sich
daher ebenfalls um 90°.
Abbildung 18-10 Prinzipieller Aufbau einer Flüssigkristall-Drehzelle

Polfilter
Elektrode mit
orientierter Oberfläche

Flüssigkristallmoleküle

Elektrode mit
orientierter Oberfläche
Polfilter

Tritt nun Licht von einer Seite in die Drehzelle ein, so wird es polarisiert. Beim Durchlau-
fen des Flüssigkristalls ändert sich die Polarisationsrichtung entsprechend der Ausrichtung
der Moleküle des Flüssigkeitskristalls um insgesamt 90°. Das Licht kann daher auf der
zweiten Seite der Drehzelle ungehindert durch das dortige Polfilter austreten. Die Dreh-
zelle ist transparent.

316
Optoelektrische Bauelemente

Legt man nun eine Spannung zwischen die Elektroden, so richten sich die Moleküle des
Flüssigkristalls in Richtung des elektrischen Feldes, also senkrecht zu den Elektroden aus.
Damit entfällt die Drehung der Polarisationsrichtung innerhalb der Zelle und das Licht
kann das zweite Polfilter nicht durchdringen. Die Drehzelle ist lichtundurchlässig.
Flüssigkristallanzeigen können mit Durchlicht (rückseitige Beleuchtung, transmissive Be-
triebsweise) oder mit Frontlicht und rückseitiger Reflektorfolie (reflektive Betriebsweise)
betrieben werden.
Ein Betrieb der Flüssigkristall-Displays mit Gleichspannung würde zu einer elektrolyti-
schen Zerstörung führen, z.B. zu einer Reduktion der transparenten Indium-Zinn-Oxid-
Elektroden zu undurchsichtigen Indium und Zinn. Um dies zu vermeiden, werden Flüssig-
kristall-Zellen mit Wechselspannung betrieben.

18.6 Optoelektronische Koppler

18.6.1 Optokoppler (geschlossen)
Ein Optokoppler besteht aus einem Lichtsender und einem Lichtempfänger, die in einem
gemeinsamen Gehäuse untergebracht sind. Zwischen Sender und Empfänger befindet sich
ein transparenter Kunststoff, der eine optische Kopplung herstellt, Sender und Empfänger
aber elektrisch voneinander trennt. Das Gesamtsystem ist von einem undurchsichtigen
Kunststoffgehäuse (in Sonderfällen von einem Metallgehäuse) umgeben.
Abbildung 18-11 Aufbau eines Optokopplers

Direkter Strahlengang Reflexionskoppler

Als Lichtsender dient eine IR-LED (meist GaAs). Als Lichtempfänger kommen Fotodiode,
Fototransistor (meist als Fotodarlington), Fotothyristor oder Fototriac zum Einsatz.
Abbildung 18-12 Optokoppler mit verschiedenen Empfängern
Fotodiode Fototransistor Fotodiode und Transistor

Fotodarlington Fotothyristor Fototriac

317
Optoelektrische Bauelemente

Ein Optokoppler ermöglicht eine Signalübertragung zwischen Stromkreisen, die elektrisch

gegeneinander isoliert sind. Beispielsweise kann ein auf Hochspannung liegender Strom-
kreis mit einem auf Massepotenzial liegenden Stromkreis gesteuert werden.
Die Spannungsfestigkeit der Koppler (zulässige Spannung zwischen Sender und Empfän-
ger) schwankt zwischen 100 V und 50 kV; die meisten Koppler sind ausgelegt für ca.
2 kV.
Eine der wichtigsten Kenngrößen ist das Stromübertragungsverhältnis CTR (Current
Transfer Ratio). Es gibt das Verhältnis von Ausgangsstrom zu Eingangsstrom an.
Wegen des Millereffekts sinkt beim Einsatz von Fototransistoren die obere Grenzfrequenz.
Tabelle 18-7 Stromübertragungsverhältnis und Grenzfrequenz verschiedener
Optokoppler
Empfänger CTR fg
Fotodiode 0,001 – 0,008 5 - 30 MHz
Fotodiode und Transistor 0,05 – 0,4 1 - 9 MHz
Fototransistor 0,2 – 3 20 - 500 kHz
Fotodarlington 1 – 10 1 - 30 kHz

18.6.2 Optokoppler-Lichtschranken
Neben den geschlossenen Optokopplern kommen auch offene Koppler als Lichtschranken
zum Einsatz.
Bei der Gabellichtschranke durchläuft das Licht vom Sender zum Empfänger geradlinig
eine kurze Luftstrecke. Hindernisse in dieser Luftstrecke unterbrechen den Lichtweg.
Bei der Reflexlichtschranke kann das Licht des Senders nur über Reflexion an einem be-
nachbarten Gegenstand zum Empfänger gelangen.
Abbildung 18-13 Optokoppler-Lichtschranken
Gabellichtschranke Reflex-Lichtschranke

S E

Man verwendet die Optokoppler-Lichtschranken zur Messung mechanischer Größen wie

z.B. Drehwinkel, Drehzahl, Längenkodierung und Stückzahl.
Tabelle 18-8 Daten von Lichtschranken
Typ HOA1879-15 HOA 1404-2 HOA 2498-2
Optimaler Reflektorabstand - 5 mm 13 mm
Kollektorhellstrom / LED-Strom IC / IF >0,5 / 20 mA >0,8 / 30 mA >0,16 / 30 mA
Kollektordunkelstrom (10 V) ICE0 < 100 nA < 100 nA < 100 nA

318
Optoelektrische Bauelemente

18.7 Laser-Dioden
Bei direkten Halbleitern (siehe Abschnitt 18.4) wird bei der Rekombination von freien
Elektronen Energie in Form von Lichtquanten (Photonen) frei. Die bei der zufälligen
(spontanen) Rekombination verschiedener Elektronen freiwerdenden Photonen stellen
voneinander unabhängige kurze Schwingungspakete ohne feste gegenseitige Phasenzuord-
nung dar. Man spricht von inkohärenter Strahlung.
Die Photonen werden zum Teil nach außen abgestrahlt. Ein großer Teil reagiert jedoch mit
Elektronen innerhalb des Halbleiterkristalls. Hierzu existieren zwei Möglichkeiten.
Zum einen kann ein Photon zur Anhebung eines Valenzelektrons ins Leitungsband führen.
Hierbei gibt das Photon seine gesamte Energie an das Valenzelektron ab, es wird absorbiert
und verschwindet. Da die Energie der Photonen etwa dem Bandabstand des Halbleiters
entspricht, ist dieser Prozess nur mit Valenzelektronen in unmittelbarer Nähe der Va-
lenzbandkante möglich.
Eine zweite Möglichkeit besteht darin, dass ein Photon beim Zusammentreffen mit einem
Leitungselektron dieses dazu anregt, unter Abgabe eines weiteren Photons ins Valenzband
zurückzukehren. Dieser Vorgang resultiert im Vorhandensein von zwei Photonen. Man
nennt dies die stimulierte Emission von Photonen. Das hierbei abgestrahlte zweite Photon
hat exakt dieselbe Energie (d.h. exakt gleiche Frequenz bzw. Wellenlänge) und ist phasen-
synchron zu dem ersten Photon. Wiederholt sich der Vorgang der stimulierten Emission, so
tritt eine Lichtverstärkung auf. Es werden nicht mehr einzelne unabhängige Wellenzüge
sondern ein kontinuierlicher synchroner Lichtstrom abgestrahlt.. Man spricht von kohä-
renter Strahlung.
Bei Laser-Dioden wird die stimulierte Emission von Photonen zur Erzeugung kohärenter
Lichtstrahlung genutzt. Die Bezeichnung Laser steht für Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation (Lichtverstärkung durch stimulierte Strahlungsemission).
Laserdioden sind LEDs (in der Regel auf der Basis von GaAs), deren pn-Übergang in
Flusspolung betrieben wird. Im Flussbetrieb diffundieren Majoritätsträger über den pn-
Übergang und rekombinieren auf der gegenüberliegenden Seite (als Minoritätsträger) mit
den dortigen Majoritätsträgern.
Bei dieser Rekombination wird Energie in Form von Photonen frei. Damit kohärente
Strahlung entsteht, müssen folgende Voraussetzungen erfüllt sein:
(a) Vorhandene Photonen sollen möglichst nicht durch Ionisierung von Gitteratomen ab-
sorbiert werden, sondern zur stimulierten Emission weiterer Photonen führen. Dies er-
fordert einen Zustand, bei dem mehr Elektronen im Leitungsband vorhanden sind, die
zur stimulierten Emission angeregt werden können, als Elektronen im Valenzband, die
ins Leitungsband angehoben werden könnten (sog. Besetzungsinversion)
(1. Laserbedingung).
(b) Um eine hohe Lichtausbeute (einen hohen externen Quantenwirkungsgrad) zu erreichen,
soll ein Photon möglichst viele stimulierte Emissionen nach sich ziehen, ehe es den
Halbleiterkristall verlässt. Hierzu muss das Photon den Bereich der Besetzungsinversion
mehrfach durchlaufen (2. Laserbedingung).

Um diese Bedingungen zu erfüllen werden eine Reihe von Maßnahmen realisiert.

319
Optoelektrische Bauelemente

- Die 1. Laserbedingung nach (a) lässt sich erreichen durch sehr hohe Dotierung von p- und
n-Zone (jeweils > 1019 cm-3). Lässt man dann noch einen großen Durchlassstrom über den
pn-Übergang fließen, so tritt Besetzungsinversion im Bereich des pn-Überganges (in der
sog. aktiven Zone) auf. Photonen finden in dieser aktiven Zone nur wenige Valenz-
elektronen in der Nähe der Valenzbandkante und kaum freie Energieniveaus in der Nähe
der Leitbandkante, auf die diese Valenzelektronen angehoben werden könnten. Umge-
kehrt finden sich in der Nähe der Leitbandkante zahlreiche Elektronen, die durch Photo-
nen zur Rekombination unter Abgabe eines weiteren Photons angeregt werden können,
und zahlreiche freie Energieniveaus (Löcher) in der Nähe der Valenzbandkante, die für
die Rekombination zur Verfügung stehen. Im Bereich der Besetzungsinversion ist daher
die Wahrscheinlichkeit der stimulierten Emission größer als die Wahrscheinlichkeit der
Absorption eines Photons.
- Ohne spezielle Gegenmaßnahmen durchdringen die Majoritätsträger den Bereich des pn-
Überganges sehr schnell und dringen als Minoritätsträger weit in des gegenüberliegende
Gebiet ein. In diesem Falle ist ein sehr großer Flussstrom (z.B. > 30 A; Stromdichte 105
A/cm2) über den pn-Übergang erforderlich, um überhaupt Besetzungsinversion und sti-
mulierten Emission von Photonen zu erreichen. Solch große Ströme sind mit sehr großer
Verlustleistung verbunden und dürfen nur impulsweise durch die Laserdiode geschickt
werden.
- Um die Diffusion und Rekombination der Minoritätsträger auf den Bereich der Beset-
zungsinversion, d.h. auf die aktive Zone zu begrenzen, werden p- und n-Zone (GaAs)
sehr dünn ausgelegt (0,1 µm bis 0,5 µm) und auf beiden Seiten von Kristallbereichen mit
einem größeren Bandabstand (GaAlAs) begrenzt (sog. Doppelheterostruktur). Bei dieser
Struktur können die Majoritätsträger bei Flusspolung zwar den pn-Übergang überschrei-
ten, sie können jedoch nicht weit in das gegenüberliegende Gebiet eindringen sondern
stauen sich unmittelbar hinter dem pn-Übergang auf. Es entsteht bereits bei geringen
Flussströmen (≥ 250 mA; Stromdichte einige 100 A/cm2) eine ausgeprägte Besetzungsin-
version und die Rekombination kann im wesentlichen nur in diesem Bereich stattfinden.
Bei Laserdioden mit Doppelheterostruktur kann deshalb Laserlicht im Dauerbetrieb er-
zeugt werden.
p n
+ +
p -GaAs p -GaAlAs GaAs n-GaAlAs n-GaAs
n-GaAs

Abbildung 18-14 0,2µm

Laserdiode mit Doppelheterostruktur

oben:
schematisierter Schnitt durch den Kristall

unten: hf
Bändermodell
hf

- Die in der aktiven Zone erzeugten Photonen müssen daran gehindert werden, sich in Kri-
stallbereiche auszubreiten, in denen keine Besetzungsinversion vorliegt, wo die Photonen
also absorbiert anstatt verstärkt würden.

320
Optoelektrische Bauelemente

- Die bei der Doppelheterostruktur an die aktive Zone aus GaAs angrenzenden
Kristallbereiche aus GaAlAs besitzen einen niedrigeren optischen Brechungsindex als das
GaAs. Aus diesem Grunde werden die Photonen durch Reflexion in der aktiven Zone
gehalten und können sie nicht verlassen.
- Der pn-Übergang ist so gestaltet, dass die aktive Zone nur an zwei gegenüberliegenden
Seiten das Ende des Halbleiterkristalls erreicht. Diese beiden Grenzflächen zwischen ak-
tiver Zone und Umgebung sind völlig planparallel gestaltet. Sie wirken wie zwei Spiegel
(Reflexionsgrad > 30 %), zwischen denen die Photonen mehrfach hin und her laufen, ehe
sie den Kristall nach außen verlassen. Durch diese Führung der Photonen und das mehr-
fache Durchlaufen der aktiven Zone wird die 2. Laserbedingung erfüllt und eine hohe
Lichtverstärkung erreicht.
Damit der Laser-Effekt eintritt, muss ein bestimmter Mindeststrom IFkr durch die Laser-
diode fließen. Bei niedrigen Strömen tritt nur spontane Rekombination unter Aussendung
von inkohärentem Licht auf. Erst bei Überschreitung einer Mindeststromstärke setzt der
Lasereffekt ein und es tritt kohärentes Licht mit einer deutlich größeren externen Quanten-
ausbeute (höhere Steigung der Φph –I-Kennlinie) auf.
Φph/mW
10

Abbildung 18-15 8
stimulierte
Strahlungsfluss Φph Emission
einer Laserdiode mit 6 Laserbetrieb
Doppelheterostruktur
4
spontane
Emission
2

0
0 100 200 300 400
IFkr IF/mA
Laserdioden mit Doppelheterostruktur sind geeignet, kohärentes Licht mit einer Dauer-
strichleistung von maximal etwa 250 mW zu erzeugen Typisch sind Ausgangsleistungen
von Φph = 10 mW bei IF = 300 mA bis 400 mA.
Laserdioden ohne Doppelheterostruktur können nur im Impulsbetrieb arbeiten. Hierbei
können jedoch Ausgangsleistungen bis Φph = 100 W erreicht werden (maximale Impuls-
dauer 200 ns, maximale Wiederholfrequenz 1 kHz).
Das aus der Laserdiode austretende kohärente Licht ist praktisch monochromatisch. So hat
z.B. die spektrale Verteilung der Ausgangsleistung einer Laserdiode eine Halbwertsbreite
von ∆λ ≈ 2 nm bis 4 nm.
Das Licht der Laserdiode sollte eigentlich als völlig paralleler Strahl aus dem Kristall aus-
treten. Wegen auftretender Beugungserscheinungen hat es jedoch einen Öffnungswinkel in
der Größenordnung von 10° bis 50°. Durch Vorsetzen einer Linse lässt sich der Strahl je-
doch bis auf Bruchteile von einem Grad bündeln.
Die Intensität des Laserstrahls lässt sich durch Steuerung des Durchlassstromes der Laser-
diode modulieren. Modulationsfrequenzen bis fM ≥ 1 GHz sind möglich (in der Infor-
mationsübertragung bis zu 10 GBit/s).

321
Optoelektrische Bauelemente

18.8 Lichtwellenleiter
Das Prinzip der optischen Nachrichtenübertragung besteht darin, dass die Strahlungslei-
stung eines optischen Senders (z.B. LED, Laserdiode) durch ein elektrisches Signal modu-
liert, das modulierte optische Signal über ein geeignetes Medium (Lichtwellenleiter) zu
einem optischen Empfänger (z.B. Photodiode) übertragen und dort das elektrische Signal
zurückgewonnen wird.
Vorteile der optischen Signalübertragung über Lichtwellenleiter liegen in der großen
Bandbreite, der Potenzialtrennung von Sender und Empfänger, der Unempfindlichkeit
gegen elektromagnetische Störungen, hoher Abhörsicherheit usw..
Als Lichtwellenleiter werden Glasfasern (für sehr kurze Übertragungsstrecken evtl. auch
Kunststofffasern) eingesetzt. Durch Totalreflexion wird das Licht am Verlassen der Licht-
leitfaser gehindert und in der Faser geführt.
Grundsätzlich werden drei Fasertypen eingesetzt:
* Stufenindexfaser - Multimodefaser
Bei der Stufenindexfaser wird ein Faserkern mit dem Brechungsindex nK (Durchmesser
z.B. 50 µm) von einem Mantel mit dem niedrigeren Brechungsindex nM umgeben. An
der Grenzfläche von Kern und Mantel wird ein im Kern sich ausbreitender Lichtstrahl
vollständig reflektiert, wenn er hinreichend flach auf die Grenzfläche auftrifft.
Abbildung 18-16 Multimodefaser
Mantel
nM
nK
nK
Kern
nM n(r)

Querschnitt Brechungsindex Lichtführung durch Total-Reflexion

In der Stufenprofilfaser werden alle Lichtstrahlen geführt, die unter einem Winkel
Θ < Θmax über die Faserstirnfläche in die Faser eintreten. Allerdings ist nur eine begrenzte
Zahl (z.B. einige hundert) von Schwingungsmoden (Ausbreitungsrichtungen der
Wellenpakete) in der Faser ausbreitungsfähig; alle anderen Wellen löschen sich durch
Interferenz aus. Da bei der Stufenindexfaser eine große Zahl unterschiedlicher
Wellenmoden übertragen wird, nennt man die Stufenindexfaser auch Multimodefaser
oder Vielwellenfaser.
Lichtwellen die sich eher parallel zur Faserachse ausbreiten und nur selten ins Innere des
Faserkerns reflektiert werden müssen, legen beim Durchlaufen der Faser eine kürzere
Strecke zurück als Lichtwellen, die weniger parallel verlaufen und daher eine Zick-
Zackbahn mit häufigen Reflexionen einnehmen.
Die unterschiedliche Weglänge hat eine unterschiedlich große Durchlaufzeit durch die
Faser zur Folge. Als Konsequenz erreichen gleichzeitig in die Faser eingekoppelte
Lichtwellen das Ende der Faser zu unterschiedlichen Zeiten. Ein kurzer in den
Lichtwellenleiter eingekoppelter Lichtimpuls wird daher beim Durchlaufen der Faser
verbreitert. Man nennt diese Erscheinung Modendispersion. Der Laufzeitunterschied
zwischen dem Strahl mit der kürzesten und dem Strahl mit der längsten Wegstrecke
beträgt ca. ∆t/L = 30 ns/km bis 50 ns/km.

322
Optoelektrische Bauelemente

Es ergibt sich für die Stufenindexfaser ein Bandbreite-Länge-Produkt von z.B. B ⋅ L ≈ 30

... 100 MHz ⋅ km (< 200 MHz ⋅ km), d.h. über eine Stufenindexfaser von 1 km Länge
können Signale mit einer maximalen Bandbreite von 30 bis 100 MHz (< 200 MHz)
übertragen werden..
Die Stufenindexfaser ist vergleichsweise billig in der Herstellung und stellt nur einfache
Anforderungen bei der Handhabung (Lichteinkopplung, Spleiße(28), Zentrierung der Faser
in Steckern). Wegen der geringen Bandbreite kommt die Stufenindexfaser jedoch nicht
für die Übertragung großer Datenmengen über lange Entfernungen in Frage.
* Gradientenindexfaser
Die Gradientenindexfaser besitzt deutlich bessere Übertragungseigenschaften als die
Stufenindexfaser. Bei dieser Faser hat der Kern einen zur Stufenindexfaser
vergleichbaren Durchmesser. Im Gegensatz zur Stufenindexfaser nimmt jedoch der
Brechungsindex des Faserkerns kontinuierlich von dem Wert nK(0) in der Fasermitte
nach außen hin ab, bis er am Mantel den Wert nM erreicht.
Abbildung 18-17 Gradientenindexfaser
Mantel
nM
nK(0) nK(r) nK(r)
Kern
nM n(r)

Querschnitt Brechungsindex Lichtführung durch „kontinuierliche Brechung“

Auch bei dieser Faser legen verschiedene Lichtstrahlen unterschiedlich lange Wege
zurück. Dennoch ist die Impulsverbreiterung sehr gering, weil die Strahlen mit dem
größten Weg überwiegend in Gebieten mit niedrigerem Brechungsindex laufen, wo die
größere Geschwindigkeit den längeren Weg kompensiert. Es ergeben sich
Laufzeitunterschiede in der Größenordnung ∆t/L = 100 .... 250 ps/km (<1 ns/km). Das
erreichbare Bandbreite-Länge-Produkt liegt bei etwa B ⋅ L ≈ 1,0 ... 1,5 GHz ⋅ km (< 3
GHz ⋅ km).
Die Gradientenindexfaser verbindet die Vorteile hohe Bandbreite und einfache Hand-
habung. Ein großer Nachteil der Gradientenindexfaser ist ihr hoher Herstellungspreis.
* Monomodefaser
Die besten Übertragungseigenschaften hat die sog. Monomodefaser. Dies ist eine
Stufenindexfaser mit sehr dünnem Faserkern.
Abbildung 18-18 Monomodefaser
Mantel nM
Kern nK

nM n(r) nK

Querschnitt Brechungsindex achsparallele Lichtführung

(28)
Spleiß = Verzweigung durch flaches Anflanschen einer zweien Faser (mit exaktem
Verschweißen von Kern mit Kern und Mantel mit Mantel)
323
Optoelektrische Bauelemente

Der Kerndurchmesser ist mit d ≤ 5 µm so gering, dass sich nur noch eine einzige
Lichtmode (parallel zur Faserachse) ausbreiten kann. Damit tritt keine Modendispersion
mehr auf. Es lassen sich Bandbreite-Länge-Produkte von B ⋅ L > 30 GHz ⋅ km erreichen.
Durch Signalübertragung mit mehreren Wellenlängen werden Übertragungsraten bis in
die Größenordnung von 1 TBit/s möglich.
Herstellung und Handhabung der Monomodefaser sind wegen des sehr dünnen Faser-
kerns schwierig und teuer. Trotzdem gibt es für die Übertragung extrem großer Daten-
mengen über große Entfernungen (insbesondere in der leitungsgebundenen Telekommu-
nikation) keine Alternative zur Monomodefaser.
Koppelt man in eine Glasfaser eine Strahlungsleistung Φo ein, so kommt nach Durchlau-
fen des Lichtwellenleiters nur die geringere Strahlungsleistung Φ am Ende der Faser an.
 Φ  1
Der Dämpfungskoeffizient α = 10 ⋅  log o  ⋅ (mit der Länge L in km)
 Φ  L
gibt die Leistungsabnahme in dB/km an. Verantwortlich für die Leistungsverluste sind
Streuung und Absorption der Photonen im Wellenleitermaterial. Beide sind von der
Wellenlänge des Lichtes abhängig. α/(dB/km)

Abbildung 18-19 4
Dämpfungsverlauf einer Glasfaser
3

0
600 800 1000 1200 1400 1600 1800
λ/nm
Abbildung 18-19 zeigt, dass die geringste Dämpfung bei Wellenlängen von 1,3 µm und
1,55 µm auftritt. Die besten Dämpfungswerte von α ≈ 0,2 dB/km wurden bei der
Wellenlänge von 1,55 µm erreicht. Licht dieser Wellenlängen lässt sich mit Laserdioden
auf der Basis von InGaAsP erzeugen. Bei der Wellenlänge von GaAs-Sendedioden (850
nm) ist die Dämpfung sehr viel größer, so dass diese Wellenlängen für eine
Weitverkehrsübertragung nicht in Frage kommt.
Häufig verwendete Wellenlängen und typische Anwendungsgebiete sind:
• 850 nm LAN (Local Area Network)
• 1300 nm WAN (Wide Area Network)
• 1550 nm Seekabel
Eine Signalübertragung über eine Distanz von nicht mehr als ein paar Metern ist auch mit
billigeren Kunststoff-Lichtwellenleitern möglich. Sie haben ihr Dämpfungsminimum von
α ≈ 100 dB/km bei Wellenlängen von 500 bis 600 nm.

324
Optoelektrische Bauelemente

18.9 Übungsaufgaben zu optoelektronischen Bauelementen

Aufgabe 18-1: Betrieb eines Photoelements im MPP

Eine Fotodiode wird im Elementbetrieb mit einer Lichtleistung von E = 800 lx bestrahlt.

Iph/µA Kennlinien
Schaltung 200
1000 lx

Iph 800 lx

E 600 lx
100
Uph 400 lx
RL
200 lx

0
0 200 400 Uph/mV

(a) Welche maximale elektrische Leistung kann der Photodiode entnommen werden ?

(b) Wie groß muß hierfür der Lastwiderstand eingestellt werden ?

Hinweis: Zur Erleichterung der Aufgabe sind in das Kennlinienfeld Linien konstanter
elektrischer Leistung P = Uph ⋅ Iph eingezeichnet (gestrichelte Linien). Je weiter
rechts oben die Linien liegen, umso größer ist die betreffende Leistung.
Aufgabe 18-2: Fotoelement zur Lichtmessung
In welcher Betriebsart erhält man bei der Lichtmessung mit Fotoelement einen linearen
Zusammenhang zwischen Beleuchtungsstärke und elektrischem Ausgangssignal ?
Zeichne eine entsprechende Meßschaltung mit Operationsverstärker.
Aufgabe 18-3: Luminiszenzdioden
Warum ist Silizium zur Herstellung von Luminiszenzdioden und von Laserdioden
ungeeignet?
Aufgabe 18-4: Betriebsspannung von Leuchtdioden
Warum reicht die Spannung einer Monozelle (1,5 V) nicht aus, um eine Leuchtdiode zum
Leuchten zu bringen?
Aufgabe 18-5: Gradienten(index)faser
Warum tritt bei der Gradientenindexfaser trotz großem Durchmesser des Faserkerns nur
eine geringe Modendispersion auf ?

325
Halbleiterbauelemente ohne PN-Übergang

19 Halbleiterbauelemente ohne pn-Übergang

(homogene Halbleiterbauelemente)
Die speziellen Eigenschaften halbleitender Werkstoffe können in homogen dotierten
Bauteilen (Bauelemente ohne pn-Übergang) genutzt werden. Solche homogenen Halbleiter
kommen je nach Anwendungsziel sowohl mit einkristalliner als auch polykristalliner Form
zum Einsatz.
Genutzt werden z.B. folgende besondere Merkmale:
- Starke Abhängigkeit der Leitfähigkeit von Temperatur und Strahlungseinwirkungen,
- Hohe Trägerbeweglichkeit und hohe Ladungsträgergeschwindigkeit im elektrischen Feld.
Die erste Eigenschaft wird ausgenutzt, um temperaturempfindliche, lichtempfindliche und
strahlungsempfindliche Bauelemente herzustellen, z.B. Thermistoren (temperaturabhängige
Widerstände) und Fotowiderstände. Die zweite Eigenschaft wird bei den sog. galvanomagne-
tischen Bauelementen Feldplatte und Hallgenerator genutzt.

19.1 Heißleiter (NTC-Widerstände)

Ausgangsmaterial für die Herstellung von Heißleitern sind Metalloxide (wie Fe2O3, Zn2TiO4,
MgCr2O4). Die Metalloxide werden in Pulverform mit Bindemitteln vermischt, in die
gewünschte Form gepresst und bei hoher Temperatur zu keramischen Widerstandskörpern
gesintert (polykristalline Mischoxidkeramik).
Der temperaturabhängige Widerstand eines Heißleiters lässt sich beschreiben mit der
1 1 
B ⋅  − 
T TN 
Gleichung R (T ) = R N ⋅e 
mit B = Materialkonstante (1500 K < B < 6000 K)
RN = Nennwiderstand bei der Nenntemperatur ϑN bzw. TN. RN wird üblicherweise
angegeben als R20 für ϑN = 20 °C (TN = 293,15 K) oder als R25 für ϑN = 25 °C
(TN = 298,15 K). 5
10
Abbildung 19-1 R/Ω R25 =2,5kΩ
Widerstand eines Heißleiters 104

103

102

101
0 100 200 ϑ/°C
Durch Differenzieren der o.g. Gleichung erhält man den (temperaturabhängigen)
Temperaturkoeffizient des Heißleiters zu
dR 1 B
α= ⋅ =− 2
dT R T
Der Temperaturkoeffizient eines Heißleiters ist negativ (NTC = Negative Temperature
Coefficient) und beträgt ca. -1 %/K bis -6 %/K (zum Vergleich: ca. +0,4 %/K bei Metallen).
Ursache der Widerstandsänderung ist eine starke Temperaturabhängigkeit der Ladungsträger-
beweglichkeit (nicht die Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerkonzentration).

326
Halbleiterbauelemente ohne PN-Übergang

Heißleiter kommen zum Einsatz als

(a) Messheißleiter (Widerstandsthermometer)
(b) Kompensationsheißleiter (Kompensation des positiven Temperaturkoeffizienten eines
anderen Schaltungsteils)
(c) Anlassheißleiter (Einschaltverzögerung z.B. von Relais oder Einschaltstrombegrenzung
z.B. von Glühlampen, Elektromotoren oder Transformatoren)
Den Anwendungen nach (a) und (b) liegt Fremderwärmung des Heißleiters zu Grunde.
Bei den Anwendungen nach (c) wird die Eigenerwärmung und die thermische Zeitkonstante
des Heißleiters genutzt.
Die Abbildung 19-2 zeigt Strom-Spannungs-Kennlinien eines Anlassheißleiters für jeweils
konstante Heißleitertemperatur (dynamischer Betrieb) sowie eine Kennlinie für
(quasi-)stationären Betrieb bei einer Umgebungstemperatur von 25 °C. Wegen der vom
jeweiligen Arbeitspunkt abhängigen Eigenerwärmung ist die Kennlinie für stationären Betrieb
stark nicht-linear.
Weiterhin ist in Abbildung 19-2 die Widerstandsgerade eines gemäß Abbildung 19-3 (a) in
Reihe geschalteten Relais eingezeichnet. Beim Einschalten nimmt der Heißleiter zunächst den
auf der Kaltkennlinie liegenden "flüchtigen" Arbeitspunkt Af ein. Entsprechend dem
zeitlichen Verlauf der Eigenerwärmung geht der Heißleiter anschließend in den stationären
Arbeitspunkt A über. Die für den Übergang benötigte Zeit führt zu einer Anzugsverzögerung
des Relais.
Kennlinie für
200°C
30 stationären Betrieb
150°C 100°C
Abbildung 19-2 I/mA
Strom-Spannungskennlinien 75°C
eines Anlass-Heißleiters 20
A dynamische
R25 = 2500 Ω Kennlinien
Relais
B = 3000 K 50°C
10
Rth = 2,5 K/mW
25°C
Kaltkennlinie
Af
UB
0
0 4 8 12 U/V
Abbildung 19-3 Relais mit Anzugsverzögerung durch Anlassheißleiter
(a) Schaltung (b) Stromverlauf
S
20
Relais
I/mA
A

US Ian
10

HL
Af
US = 12V 0
RRel = 600 Ω; Ian = 12 mA 0 1 2 3
t/s
R25 = 2500 Ω (HL)
Einschalten Relais zieht an
327
Halbleiterbauelemente ohne PN-Übergang

19.2 Kaltleiter (PTC-Widerstände)

Keramische Kaltleiter bestehen aus polykristalliner Titanatkeramik (z.B. Bariumtitanat
BaTiO3 oder Strontiumtitanat SrTiO3, mit Metallsalzen dotiert und bei hoher Temperatur
gesintert).
Die keramischen Kaltleiter besitzen in einem kleinen Temperaturbereich einen hohen
positiven Temperaturkoeffizienten (z.B. 5 %/K bis 70 %/K im Vergleich zu ca. 0,4 %/K bei
Metallen) (PTC = Positive Temperature Coefficient). Der steile Widerstandsanstieg beruht auf
dem Zusammenwirken von halbleitenden und ferroelektrischen Eigenschaften der
Titanatkeramik. An den Grenzen der Einzelkristalle bilden sich Sperrschichten, deren
Potenzialschwellen bzw. Energieschwellen von der Dielektrizitätskonstante des umgebenden
Materials abhängen (WG ∼ 1/εr). Bei Überschreiten der Curietemperatur sinkt die
Dielektrizitätskonstante stark ab, wodurch der steile Widerstandsanstieg des Kaltleiters
verursacht wird.
R/Ω
Abbildung 19-4 Widerstand eines Kaltleiters
105 RE

ϑA = Anfangstemperatur
ϑE = Endtemperatur 104
Rmin = Mindestwiderstand
RA = 2⋅Rmin = Anfangswiderstand
RE = Endwiderstand 103

RA
102 Rmin
50 100 150 200
Anwendung finden Kaltleiter insbesondere als ϑA ϑE ϑ/°C
(a) Temperaturfühler
(b) Füllstandsfühler für Flüssigkeiten
(c) reversibles Sicherungselement (Überlastschutz)
(d) selbstregelnde Heizelemente
(e) Entmagnetisierung von Ablenkspulen (Erzeugung eines abnehmenden Wechselstromes
aus einer konstanten Wechselspannung)

Abbildung 19-5 Füllstandskontrolle mit keramischem Kaltleiter

(a) Schaltung (b) Kennlinien und Arbeitspunkte

I/mA umgekehrte
Luft Glühlampenkennlinie
60 15V/60 mA
1
KL
UB 40
Öl
Lampe 2
Öl 20 ruhende Luft

0
UB = 20V 0 10 20 30
U/V

328
Halbleiterbauelemente ohne PN-Übergang

Die Abbildung 19-5 (a) zeigt die Anwendung eines keramischen Kaltleiters zur
Füllstandskontrolle eines Ölbehälters.
In der Abbildung 19-5 (b) sind die I-U-Kennlinien des Kaltleiters für (quasi-)stationären
Betrieb bei gleicher Umgebungstemperatur in Öl und ruhender Luft eingezeichnet. Wegen der
unterschiedlichen Wärmeableitung in Öl und Luft wird der Bereich des stark steigenden
Kaltleiterwiderstandes in Luft bei niedrigeren Strömen (d.h. bei niedrigeren Verlustleistungen)
erreicht als in Öl. In der Abbildung ist zusätzlich die Kennlinie des Quellenzweipols aus
Spannungsquelle und Kontrolllampe eingezeichnet. Bei vollem Ölbehälter stellt sich der
Arbeitspunkt 1 (Lampenstrom groß, Lampe leuchtet), bei niedrigerem Füllstand der
Arbeitspunkt 2 (Lampenstrom niedrig, Lampe dunkel) ein.

19.3 Varistoren (VDR)

Varistoren sind aus Silizium-Karbidpulver oder Metalloxiden (z.B. Zinkoxid),
Dotierungsstoffen und Bindemitteln gesinterte nichtlineare Widerstände, deren Widerstand
bei Überschreiten einer bestimmten Spannung durchbruchartig abnimmt (VDR = Voltage
Dependent Resistor).
I/A
1,0

Abbildung 19-6 Kennlinie eines Varistors 0,5

-200
200 U/V

-0,5

-1,0
Die Wirkung der Varistoren beruht auf Potenzialbarrieren an den Korngrenzen benachbarter
Pulverkörner. Der Stromfluss über diese Korngrenzen ist gering, bis eine materialspezifische
Ansprechspannung überschritten wird.
Varistoren werden vorzugsweise zur Spannungsbegrenzung (Begrenzung von
Spannungsspitzen) eingesetzt. Es sind Varistoren mit unterschiedlichen Ansprechspannungen
erhältlich (im Bereich 5 bis 600 V).
Im Gegensatz zu Z-Dioden wird die beim Durchbruch entstehende Verlustleistung nicht an
einer Sperrschicht von geringer räumlicher Ausdehnung sondern über das gesamte Volumen
verteilt umgesetzt. Daher können Varistoren eine im Vergleich zu Z-Dioden erheblich größere
Energie aufnehmen.
Die Ansprechzeiten (<25 ns) sind vergleichbar mit denen von Z-Dioden.

19.4 Fotowiderstand (LDR)

Fotowiderstände werden in Abschnitt 18.1 behandelt.

329
Halbleiterbauelemente ohne PN-Übergang

19.5 Feldplatte (MDR)

Feldplatten sind magnetisch steuerbare Widerstände (MDR = Magnetic Field Dependent
Resistor). In der Feldplatte werden die Ladungsträger durch eine magnetische Feldkraft
(„Lorentz-Kraft“) abgelenkt, wodurch sich eine Verlängerung der Strombahn und damit eine
Vergrößerung des elektrischen Widerstandes ergibt. Diese Wirkung ist besonders ausgeprägt
bei Verbindungshalbleitern mit einer großen Ladungsträgerbeweglichkeit, z.B. in
Indiumantimonid. Um den Effekt noch deutlich zu steigern, baut man in einen
Indiumantimonidkristall quer zur geraden Stromrichtung gut leitende Nickelantimonidnadeln
ein. Ohne Magnetfeld verlaufen die Strombahnen geradlinig und parallel. Bei Einwirkung
eines Magnetfeldes ergeben sich erheblich längere Zick-Zack-Bahnen.
Die Steuerung des Widerstandes durch ein Magnetfeld erfolgt praktisch trägheitslos, so dass
Feldplatten bis zu Frequenzen von einigen Megahertz einsetzbar sind.
Beim Einsatz von Feldplatten ist ihre nicht zu vernachlässigende Temperaturabhängigkeit zu
beachten.

Abbildung 19-7 Funktion und Kennlinien einer Feldplatte

(a) Strombahnen in der Feldplatte (b) Kennlinien
0,1T 0,5T 0,7T
40
I IFP/mA B = 1T
B=0 30

20
I

10
B≠0

0
0 5 10 15
UFP/V

Feldplatten kommen z.B. in Verbindung mit Magneten für die Messung kleiner Wege zum
Einsatz. Zur Kompensation der Temperatureinflüsse können dann zwei Feldplatten in einer
Brückenschaltung verwendet werden.

19.6 Hallgenerator
Ein Hallgenerator besteht aus einem viereckigen Halbleiterplättchen mit je einem elektrischen
Anschluss an den vier Seiten des Plättchens. Über zwei einander gegenüber liegende
Anschlüsse lässt man einen Strom I1 durch das Plättchen fließen. Ein Magnetfeld der Dichte
B, welches das Halbleiterplättchen senkrecht zu dessen Fläche durchdringt, lenkt die
bewegten Ladungsträger quer zu ihrer Bewegungsrichtung ab („Lorentzkraft“). Als
Konsequenz entsteht an den beiden verbleibenden Anschlüssen eine dem fließenden Strom
und der magnetischen Flussdichte proportionale Spannung („Hallspannung“; U2 ~ I1 ⋅ B).

330
Halbleiterbauelemente ohne PN-Übergang

Abbildung 19-8 Wirkungsweise des Hallgenerators (n-Halbleiter-Plättchen)

(a) ohne Magnetfeld I1 I1 U2 = 0

(b) mit Magnetfeld I1 I1 U2 > 0

Die ablenkende Lorentzkraft ist umso größer, je größer die Geschwindigkeit der
Ladungsträger ist. Aus diesem Grunde werden n-leitende Halbleiter mit einer hohen
Elektronenbeweglichkeit eingesetzt (z.B. Indiumarsenid).
I1 = 60 mA
150
U2/mV
Abbildung 19-9 100
Kennlinien eines Hallgenerators
30 mA
50
15 mA

Einsatzgebiete von Hallgeneratoren sind 0

0 0,1 0,2 0,3
- Messung von Magnetfeldern, B/T
- Messung von großen Strömen,
- Kompensationswandler,
- Multiplikation von zwei Größen (Hallmultiplikator) z.B. zur Messung elektrischer
Leistungen.

19.7 Dehnungsmessstreifen

Dehnungsmeßstreifen sind Dünnschichtwiderstände, deren Widerstand von der mechanischen

Dehnung abhängt. Anwendung finden Dehnungsmeßstreifen z.B. im Maschinenbau zur
Messung von Dehnung bzw. Torsion von mechanisch beanspruchten Teilen. In der Regel wird
die Widerstandsschicht mäanderförmig (oder kreisförmig, spiralförmig, etc.) auf einer
nichtleitenden Trägerfolie aufgebracht und mit dieser Trägerfolie auf das zu vermessende
Maschinenteil aufgeklebt.
Die relative Widerstandsänderung des Dehnungsmessstreifens ist proportional zur relativen
Längenänderung:
∆R ∆L
= k1 ⋅
R L
Bei Dehnungsmeßstreifen aus metallischen Schichten beträgt die Proportionalitätskonstante
k1 ≈ 2.

331
Halbleiterbauelemente ohne PN-Übergang

Bei Dehnungsmeßstreifen aus Halbleitern ändert sich unter dem Einfluss mechanischer
Beanspruchungen das Kristallgitter und damit die Bandstruktur. Auf diese Weise ändert sich
der spezifische Widerstand des Halbleitermaterials und k1 kann Werte in der Größenordnung
von 100 bis 200 annehmen.

Abbildung 19-10 Verschiedene Dehnmessstreifen

19.8 Übungsaufgaben zu homogenen Halbleitern

Aufgabe 19-1: Verlustleistung von Varistoren

Warum kann ein Varistor deutlich mehr Verlustwärme aufnehmen als eine Z-Diode mit
vergleichbarer Masse?
Aufgabe 19-2: Feldplatte - Hallsonde
Bei Feldplatten und Hallsonden macht man Gebrauch davon, dass bewegte Ladungsträger
in einem magnetischen Feld von ihrer Bahn abgelenkt werden.
Warum werden Feldplatten und Hallsonden aus Halbleitern und nicht aus metallischen
Leitern hergestellt ?

Aufgabe 19-3: Berechnung Hallgenerator

Stelle für einen Hallgenerator mit einer Kennlinie laut Abbildung 19-9 die Gleichung für
die Ausgangsspannung U2 als Funktion von Strom I1 und Flussdichte B auf [U2 = f(I1,B)].
Aufgabe 19-4: Multiplikation mit Hallgenerator
Welcher Schaltungsaufbau ist erforderlich, um mit einem Hallgenerator eine
Gleichstromleistung P = U⋅I zu messen.

332
Gleichspannungswandler

20 Gleichspannungswandler
Häufig soll eine Gleichspannung definierter Größe aus einer anderen Gleichspannung
gewonnen werden. Eine kleinere Spannung lässt sich im einfachsten Fall mit einem
Spannungsteiler erzeugen. Eine lastunabhängige kleinere Spannung erreicht man mit
einem Längsregler.
Abbildung 20-1 Spannungsteiler und Längsregler
Spannungsteiler Längsregler

UB UB UL
UL

Vorteil: einfach, billig Vorteil: Ausgangsspannung stabilisiert,

Nachteil: Ausgangsspannung lastabhängig, belastbar
wenig belastbar Nachteil: hohe Leistungsverluste im Transistor

Der Nachteil solcher Schaltungen besteht darin, dass relativ große Leistungsverluste in
Kauf genommen werden müssen. Mit Schaltnetzteilen/Schaltwandlern lassen sich diese
Leistungsverluste klein halten. Sie bieten außerdem die Möglichkeit aus einer vorhandenen
Gleichspannung nicht nur eine kleinere sondern auch eine größere oder eine
Gleichspannung umgekehrter Polarität zu gewinnen. Bei den Schaltwandlern wird eine
vorhandene Gleichspannung mit einem elektronischen Schalter mit hoher Frequenz in eine
Rechteckspannung „zerhackt“ und dann mit Kondensator- oder Drosselwandlern in die
gewünschte Gleichspannung umgesetzt. Verwendet man anstelle oder zusätzlich zu einer
Drossel einen Transformator, so kann eine galvanische Trennung der beiden
Gleichspannungen erreicht werden. Im folgenden sollen Drosselwandler zur Erzeugung
größerer, kleinerer oder inverser Gleichspannungen beschrieben werden.

20.1 Drossel-Aufwärtswandler
iL L iD i2

uL DSch
Abbildung 20-2
Aufwärtswandler U1 FET U2 R
C
uRE

Bei der folgenden Funktionsbeschreibung wird vereinfachend angenommen, dass der

ohmsche Widerstand der Drossel, die Durchlassspannung UF der Schottky-Diode und die
Drain-Source-Spannung UDSon des eingeschalteten Feldeffekttransistors vernachlässigbar
seien.
Der schnelle Schalttransistor legt die Drossel periodisch für kurze Zeit (tein) an die
Eingangsspannung U1.

333
Gleichspannungswandler

uL(tein) = U1 – UDSon ≈ U1 = konst.

Dadurch fließt ein linear ansteigender Strom durch die Drossel und es wird Energie in der
Drossel gespeichert. Der Stromanstieg beträgt
u L (t ein ) U U
∆i L ein = ⋅ ∆t ≈ 1 ⋅ ∆t = 1 ⋅ t ein
L L L
Die Schottky-Diode Dsch ist gesperrt.
Im jeweils darauffolgenden Zeitintervall (taus) sperrt der Transistor. Die Drossel erhält
jedoch den Stromfluss aufrecht. Der Strom fließt dann über die Schottky-Diode zum
Kondensator C und der Last R.
uL(taus) = U1 – u2 – UF ≈ U1 – u2
Ändert sich die Spannung u2 während des kurzen Zeitintervalls taus nur unwesentlich, so
gilt
uL(taus) ≈ U1 – U2 ≈ konst.
Während der Zeit taus ändert sich der Drosselstrom um
u L (t aus ) U − U2 U − U2
∆i L aus = ⋅ ∆t ≈ 1 ⋅ ∆t = 1 ⋅ t aus
L L L
Ist die Spannung U2 kleiner als U1, so liegt nach wie vor eine positive Spannung an der
Drossel und der Drosselstrom steigt weiter. Ist die Spannung U2 größer als U1, so erzeugt
die Drossel eine Gegenspannung, die so groß ist, dass die Schottky-Diode leitend wird. Der
Drosselstrom sinkt dann während des Zeitintervalls taus und die Drossel gibt Energie an den
Speicherkondensator und die Last ab.
Quasistationärer Betrieb (Kontinuierlicher Betrieb)
Im eingeschwungenen Zustand stellt sich eine solche Ausgangsspannung U2 ein, dass die
Stromzunahme in der Drossel während der Einschaltdauer tein gleich groß wird wie die
Stromabnahme in der Zeit taus.
∆iLein = - ∆iLaus iL
∆iLein ∆iLaus
Abbildung 20-3 iL
Drosselstrom im
eingeschwungenen Betrieb tein taus
T
Durch Gleichsetzen t
U1 U − U1
⋅ t ein ≈ 2 ⋅ t aus
L L
ergibt sich
t ein + t aus
U 2 ≈ U1 ⋅
t aus
Mit der Periodendauer T = tein + taus ergibt sich daraus
T
U 2 ≈ U1 ⋅
t aus

334
Gleichspannungswandler

Durch geeignete Wahl des Tastverhältnisses taus/T lässt sich also die Größe der
Ausgangsspannung einstellen. Es ist erkennbar, dass die Ausgangsspannung U2 im
eingeschwungenen Zustand immer größer ist als die Eingangsspannung U1.
U2
Durch die Last fließt der Strom I2 =
R
Die elektrische Ladung, die während der Periodendauer T durch die Last abfließt, muss
während der Ausschaltdauer taus des Transistors von der Drossel über die Schottky-Diode
geliefert werden. Daraus lässt sich der Mittelwert des Drosselstromes errechnen:
i L ⋅ t aus = I 2 ⋅ T iD
iL
i L ⋅ t aus
Abbildung 20-4
t
Diodenstrom und Laststrom taus
i2

T I2
iL = I2 ⋅ I2·T
t aus t
T
Die erforderliche Größe der Induktivität L der Drosselspule lässt sich aus den Gleichungen
U − U2 T
∆i L (aus) = 1 ⋅ t aus und U 2 ≈ U1 ⋅ berechnen.
L t aus
U − U 2 U1
Es ergibt sich: L= 1 ⋅ ⋅T
∆i U2
Die Größe der erforderlichen Induktivität hängt demnach außer von Eingangs- und
Ausgangsspannungen von dem zugelassenen Wechselanteil des Drosselstromes und der
Schaltfrequenz f = 1 /T des Feldeffekttransistors ab.

20.2 Drossel-Abwärtswandler FET iL L i2

uL
Abbildung 20-5 U2
Drossel-Abwärtswandler U1 R
uRE C
DSch

Es wird vereinfachend angenommen, dass der ohmsche Widerstand der Drossel, die
Durchlassspannung UF der Schottky-Diode und die Drain-Source-Spannung UDSon des
eingeschalteten FET und Änderungen von u2 während tein und taus vernachlässigbar seien.
Der schnelle Schalttransistor legt die Drossel periodisch für kurze Zeit (tein) an die Spannung
uL(tein) = U1 – U2 – UDSon ≈ U1 – U2 ≈ konst.
Dadurch fließt ein linear ansteigender Strom durch die Drossel. Der Stromanstieg beträgt
u L (t ein ) U − U2 U − U2
∆i L ein = ⋅ ∆t ≈ 1 ⋅ ∆t = 1 ⋅ t ein
L L L
Die Schottky-Diode Dsch ist gesperrt.
335
Gleichspannungswandler

Im jeweils darauffolgenden Zeitintervall (taus) sperrt der Transistor. Die Drossel erhält
jedoch den Stromfluss aufrecht. Hierzu erzeugt die Drossel eine Gegenspannung, die so
groß ist, dass der Drosselstrom über die Schottky-Diode weiterfließt.
uL(taus) = - U2 – UF ≈ - U2 ≈ konst.
Aufgrund der Gegenspannung sinkt der Drosselstrom. Die Stromabnahme beträgt
u L (t aus ) U U
∆i L aus = ⋅ ∆t ≈ − 2 ⋅ ∆t = − 2 ⋅ t aus
L L L
Quasistationärer Betrieb
Im eingeschwungenen Zustand stellt sich eine solche Ausgangsspannung U2 ein, dass die
Stromzunahme in der Drossel während der Einschaltdauer tein gleich groß wird wie die
Stromabnahme in der Zeit taus.
∆iLein = - ∆iLaus
Durch Gleichsetzen
U1 − U 2 U
⋅ t ein ≈ 2 ⋅ t aus
L L
ergibt sich
t ein
U 2 ≈ U1 ⋅
t ein + t aus
Mit der Periodendauer T = tein + taus ergibt sich daraus
t ein
U 2 ≈ U1 ⋅
T
Durch geeignete Wahl des Tastverhältnisses tein/T lässt sich also die Größe der
Ausgangsspannung einstellen. Es ist erkennbar, dass die Ausgangsspannung U2 im
eingeschwungenen Zustand immer kleiner ist als die Eingangsspannung U1.
U2
Durch die Last fließt der Strom I2 =
R
Die elektrische Ladung, die während der Periodendauer T durch die Last abfließt, muss von
der Drossel geliefert werden.
Da die Drossel ständig Strom liefert, gilt:
iL = I2 iL
iL
iL ⋅ T
Abbildung 20-6 t
Drosselstrom und Laststrom
i2
I2
I2·T
t
T
U1 − U 2 U 2
Die erforderliche Induktivität der Drosselspule beträgt: L= ⋅ ⋅T
∆i U1
336
Gleichspannungswandler

DSch i2
20.3 Drossel-Inverswandler FET iD

iL
Abbildung 20-7 uRE
U2
Drossel-Inverswandler U1 R
uL
L C

Es wird vereinfachend angenommen, dass der ohmsche Widerstand der Drossel, die
Durchlassspannung UF der Schottky-Diode, die Drain-Source-Spannung UDSon des
eingeschalteten FET und Änderungen von u2 während tein und taus vernachlässigbar seien.
Der schnelle Schalttransistor legt die Drossel periodisch für kurze Zeit (tein) an die
Eingangsspannung
uL(tein) = U1 –UDSon ≈ U1 = konst.
Dadurch fließt ein linear ansteigender Strom durch die Drossel. Der Stromanstieg beträgt
u (t ) U U
∆i L ein = L ein ⋅ ∆t ≈ 1 ⋅ ∆t = 1 ⋅ t ein
L L L
Die Schottky-Diode Dsch ist gesperrt.
Im jeweils darauffolgenden Zeitintervall (taus) sperrt der Transistor. Die Drossel erhält
jedoch den Stromfluss aufrecht. Hierzu erzeugt die Drossel eine Gegenspannung, die so
groß ist, dass der Drosselstrom über die Schottky-Diode weiterfließt.
uL(taus) = U2 -UF ≈ U2 ≈ konst.
Aufgrund der Gegenspannung sinkt der Drosselstrom. Die Stromabnahme beträgt
u (t ) U U
∆i L aus = L aus ⋅ ∆t ≈ 2 ⋅ ∆t = 2 ⋅ t aus
L L L
Quasistationärer Betrieb
Im eingeschwungenen Zustand stellt sich eine solche Ausgangsspannung U2 ein, dass die
Stromzunahme in der Drossel während der Einschaltdauer tein gleich groß wird wie die
Stromabnahme in der Zeit taus.
∆iLein = - ∆iLaus
U1 U
Durch Gleichsetzen ⋅ t ein ≈ − 2 ⋅ t aus
L L
t ein
ergibt sich U 2 ≈ − U1 ⋅
t aus
Mit dem Inverswandler wird aus einer positiven Eingangsspannung eine negative
Ausgangsspannung gewonnen. Durch geeignete Wahl des Verhältnisses tein/taus lässt sich
die Größe der Ausgangsspannung einstellen.
U2
Durch die Last fließt der Strom I2 =
R

337
Gleichspannungswandler

Die elektrische Ladung, die während der Periodendauer T durch die Last abfließt, muss
während der Ausschaltdauer taus des Transistors von der Drossel über die Schottky-Diode
Dsch geliefert werden. Daraus lässt sich der Mittelwert des Drosselstromes errechnen:
i L ⋅ t aus = − I 2 ⋅ T iL
iL

T t
iL = − I2 ⋅
t aus
iD
iL
i L ⋅ t aus
Abbildung 20-8
Drossel-, Dioden- und Laststrom taus
i2 T
t
-I2·T
I2
U1 ⋅ U 2 T
Die erforderliche Größe der Induktivität ergibt sich zu: L = ⋅
U 2 − U1 ∆i

20.4 Einschwingvorgänge
Liegt bei den Drosselwandlern nach Abschnitt 20.1 bis Abschnitt 20.3 kein quasistationärer
Betriebszustand vor, z.B. beim Aufladen des Glättungskondensators nach dem Einschalten
oder nach plötzlichen Laständerungen, so ist die Gleichgewichtsbedingung ∆iLein = - ∆iLaus
nicht erfüllt. Als Folge ändern sich der Mittelwert des Drosselstromes i L und die
Kondensatorspannung U2 bis der quasistationäre Zustand erreicht ist.
iL
∆iLein
Abbildung 20-9 ∆iLaus iL
Steigender Drosselstrom

taus tein

T
t

Bei konstantem Tastverhältnis tein : taus tritt hierbei ein Einschwingvorgang in Form einer
gedämpften periodischen Schwingung von Drosselstrom i L und Kondensatorspannung U2
auf. Um einen schnellen, aperiodische Einschwingvorgang zu erreichen, muss das
Tastverhältnis mit einer Regelschaltung in geeigneter Form variiert werden (PWM =
Pulsweitenmodulation).

20.5 Anwendungsbeschränkungen
Bei allen Drosselwandlern ist darauf zu achten, dass keine Sättigung des Kernmaterials der
Drossel durch zu hohen Laststrom auftritt.

338
Gleichspannungswandler

Diskontinuierlicher Betrieb / Lückender Betrieb

Den ausgangsseitigen Glättungskondensatoren wird periodisch Ladung zugeführt. Ein
Abfluss dieser Ladung kann nur über den Lastwiderstand erfolgen.
Ist der Laststrom kleiner als die Hälfte der Stromänderung ∆iL bei kontinuierlichem
Betrieb, so fällt der Drosselstrom iL bereits vor Ablauf der Zeit taus auf Null ab (lückender
Betrieb; diskontinuierlicher Betrieb). Dieser wird hier nicht behandelt. Die gezeigten
Berechnungen gelten nicht mehr.
Leerlauf
Der Leerlauf stellt eine Extremform des diskontinuierlichen Betriebes dar.
Beim Abwärtswandler stellt sich im Leerlauf die Ausgangsspannung gleich der
Eingangsspannung ein; beim Aufwärts- und Inverswandler steigt die Ausgangsspannung
im Leerlauf bis zur Zerstörung von Bauelementen.
Kurzschluß
Bei kurzgeschlossenem Ausgang kann die Speicherdrossel bei ausgeschaltetem FET keine
oder keine nennenswerte Gegenspannung aufbauen. Die während tein aufgenommene
Energie kann während taus nicht abgegeben werden. Der Drosselstrom nimmt daher bis zur
Zerstörung von Bauelementen ständig zu (es sei denn, es tritt eine Strombegrenzung durch
einen hinreichend großen Wicklungswiderstand ein). Die dargestellten Drosselwandler sind
daher grundsätzlich nicht kurzschlußfest.

20.6 Übungsaufgaben zu Schaltwandlern

Aufgabe 20-1: Abwärtswandler (Tiefsetzsteller)

uSt

RG
U1 = 20 V
Speicherdrossel
FET
iL L i2 UDSon = 0,5 V (leitender FET)
UF = 0,3 V (leitende Diode)
uDS uL
fSt = 50 kHz
U1 D C U2 RL
uF RL = 120 Ω
iF iC

Mit dem Schaltwandler soll eine Ausgangsspannung u2 mit einem arithmetischen

Mittelwert (Index AV) von U2AV = 12 V erzeugt werden.
(a) Berechne die Spannung an der Speicherdrossel bei leitendem (→ UL(ein)) und bei
gesperrtem (→ UL(aus)) FET (unter Berücksichtigung von UDS und UF).
(b) Welches Tastverhältnis p = tein/T ist erforderlich ?
(c) Berechne die minimal notwendige Größe der Speicherdrossel , so dass der
Drosselstrom iL einen maximalen Wechselanteil von 15 % aufweist.

339
Gleichspannungswandler

Aufgabe 20-2: Prinzipschaltbilder 1 2

(a) Die Abbildung zeigt das Prinzip-

schaltbild eines Schaltwandlers. U1 U2 R
Um welchen Wandlertyp handelt es L C
sich?

Abwärtswandler Aufwärtswandler Inverswandler

(b) Der Wechselschalter im obigen Prinzipschaltbild wird technisch durch zwei Halbleiter-
bauelemente ersetzt. Durch welches Halbleiterbauelement wird die Funktion in
Schalterstellung 1 und durch welches Bauelement die Funktion in Schalterstellung 2
realisiert?
(c) Zeichnen Sie die Prinzipschaltbilder der beiden übrigen Schaltwandler in vergleichbarer
Weise zur obigen Abbildung

Aufgabe 20-3: Schaltwandler

(a) Nenne die wesentlichen Vorteile eines Schaltwandlers gegenüber einer Stromversorgung
mit linear geregelten Transistoren.
(b) Warum werden Schaltwandler mit relativ hoher Schaltfrequenz betrieben?
(c) Warum werden in Schaltwandlern vorzugsweise Schottkydioden und keine pn-Dioden
eingesetzt?

340
Thermische Probleme / Wärmeableitung

21 Thermische Probleme / Wärmeableitung

Wird ein elektrisches Bauelement von Strom durchflossen, so wird Energie in Form von
Wärme (Verlustenergie, Verlustleistung) freigesetzt und führt zu einer Erwärmung des
Bauelementes.
Die zugeführte Wärme muss abgeleitet werden, sonst wird das Bauteil thermisch zerstört.

21.1 Temperaturerhöhung von Bauelementen durch Wärmefreisetzung

21.1.1 Verlustwärme - Verlustleistung

Die in einem Zeitintervall ∆t = t2 - t1 durch Stromfluss freigesetzte und in Wärme umge-
wandelte Energie ∆Wth (Verlustwärme) beträgt:

t2
∆Wth = ∫ i( t ) ⋅ u ( t ) ⋅ dt
t1

∆Wth
Für die Verlustleistung Pth gilt: Pth =
∆t

Bei Halbleiterbauelementen mit pn-Übergängen wird die Verlustwärme im wesentlichen im

Bereich der Sperrschichten frei.

21.1.2 Wärmekapazität
Die durch Energiezufuhr in einem Bauteil bewirkte Temperaturerhöhung ∆ϑ = ϑ2 - ϑ1 ist
proportional zur zugeführten Wärmeenergie.
Die Proportionalitätskonstante ist die Wärmekapazität Cth des betroffenen Bauteils.
∆Wth
C th =
∆ϑ
Sie gibt an, welche Wärmemenge ∆Wth zu einer Erwärmung um ∆ϑ führt.
Q
Man beachte die Analogie zur elektrischen Kapazität C=
U
Für die Wärmekapazität gilt: C th = c ⋅ m

Ws
mit Cth = Wärmekapazität in
K
m = erwärmte Masse in kg
Ws
c = spezifische Wärmekapazität in
K ⋅ kg
Material Si Al Cu
c in Ws/K⋅kg 740 890 380

Je größer die Masse und je größer die spezifische Wärmekapazität ist, um so geringer ist der
Temperaturanstieg, den eine bestimmte Wärmemenge verursacht.

341
Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.2 Wärmeableitung
Die Temperaturdifferenz ∆ϑ zwischen dem Ort der Wärmefreisetzung innerhalb des
Bauelementes und der Umgebung führt zu einer Wärmeabgabe an die Umgebung.
Die Wärmeabgabe (der Wärmefluss) erfolgt durch Wärmeleitung, durch Konvektion
und / oder durch Wärmeabstrahlung.
Im thermodynamischen Gleichgewicht (nach dem Abklingen von Ausgleichsvorgängen bei
Lastwechseln) ist die zugeführte Verlustleistung gleich der abgeführten Leistung. Die
Temperaturdifferenz zwischen Bauelement und Umgebung ist dann konstant.

21.2.1 Der Wärmewiderstand

Beim Wärmefluss durch Wärmeleitung oder durch Konvektion ist die für den Wärmefluss
verantwortliche Temperaturdifferenz ∆ϑ (Ursachengröße) proportional zu der abgeführten
Wärmeleistung Pth (Wirkungsgröße).
∆ϑ
Der Proportionalitätsfaktor ist der Wärmewiderstand R th =
Pth
U
Man beachte die Analogie zum elektrischen Widerstand R =
I
Wegen der Analogie zum ohmschen Gesetz der Elektrotechnik wird die obige Gleichung für
Rth das ohmsche Gesetz der Wärmeleitung genannt.
Zur Ableitung großer Verlustleistungen muss der Wärmewiderstand klein sein.

21.2.2 Wärmewiderstand bei Wärmeleitung

Der Wärmefluss innerhalb eines Materials wird Wärmeleitung genannt. Hierbei handelt es
sich um einen reinen Energiefluss ohne Materialtransport.
Für die Wärmeleitung von einem Ort x1 mit der Temperatur ϑ1 zu einem Ort x2 mit der
Temperatur ϑ2 gilt
∆x
R th =
λ⋅Α
mit ∆x = x2 - x1 = Abstand der Orte x1 und x2
A = durchströmte Fläche
λ = Wärmeleitzahl

Material Al Cu Ms Stahl Si Ge Luft

λ in W/K⋅m 210 380 117 40 ... 60 82 63 0,024 ... 0,028

Man beachte auch hier die Analogie zum elektrischen Widerstand eines Leiters (Länge ∆x)
∆x
R=
κ⋅A
Für einen geringen Wärmewiderstand müssen der Weg ∆x der Wärmeableitung möglichst
klein und die Querschnittsfläche A sowie die Wärmeleitfähigkeit λ des ableitenden
Materials möglichst groß sein. Aus diesem Grunde sind Leistungs-Halbleiter in
Metallgehäusen untergebracht (großes λ), wobei der Halbleiterkristall möglichst großflächig
(große Fläche A) unmittelbar auf dem Gehäuse befestigt ist (kleiner Weg ∆x). Das Gehäuse
stellt dann gleichzeitig einen Bauelementanschluss dar.

342
Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.2.3 Wärmewiderstand bei Konvektion

Der Wärmeübergang von einem Festkörper auf ein umgebendes flüssiges oder gasförmiges
Medium wird als Konvektion bezeichnet. Die Wärmeabgabe wird hierbei durch Bewegung
des umgebenden Mediums beeinflusst (z.B. Abtransport erwärmten und Zufuhr nicht
erwärmten Mediums).
1
Es ergibt sich ein Wärmewiderstand: R th =
α⋅A
mit A = Kühlfläche
α = Wärmeübergangskoeffizient
Übergang von Metall
nach ruhende Luft ruhendes Wasser strömendes Wasser
350 + 2000⋅ v
α in W/K⋅m2 10 350
mit v in m/s
Für einen geringen Wärmewiderstand müssen die Kühlfläche A und der Wärmeübergangs-
koeffizient möglichst groß sein.

21.2.4 Wärmestrahlung
Neben Wärmeleitung und Konvektion trägt die Wärmestrahlung zur Wärmeabgabe bei.
Die abgegebene Wärmeleistung ergibt sich aus:

Pth = σ KF ⋅ A ⋅ (TKF 4 − TUmg 4 )

mit A = Kühlfläche
und σKF = Strahlungskonstante der Kühlfläche
W
z.B. Schwarzer Körper: σ KF = 5,67 ⋅ 10 −8
m ⋅ K4
2

Da die Temperaturen der abstrahlenden Fläche und der Umgebung mit der vierten Potenz
eingehen, lässt sich die Wärmeabstrahlung nicht durch einen linearen Wärmewiderstand
darstellen.

21.2.5 Kühlflächenberechnung
Der Wärmewiderstand eines ebenen Kühlbleches der Fläche A und der Dicke d gegenüber
der Umgebung (ruhende Luft) lässt sich nach folgender empirischen Formel ermitteln:
3,3 650
R th = ⋅ C 0, 25 + ⋅C
λ⋅d A
mit [d] = mm, [A] = cm2, [λ] = W/(K⋅cm), [Rth] = K/W
Der Wert der Konstante C ist folgender Tabelle zu entnehmen:
blank geschwärzt
A senkrecht 0,85 0,43
A waagerecht 1 0,5
Den Wärmewiderstand industriell gefertigter Kühlkörper entnimmt man dem Datenblatt.

343
Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.3 Der Wärmestromkreis

Die Wärmeerzeugung in einem elektrischen Bauteil und die Wärmeableitung in die
Umgebung bilden einen Wärmestromkreis.
Der Wärmefluss vom Bauteilinneren zur Umgebung erfolgt in der Regel durch unterschied-
liche Materialien (Halbleiter, Metall usw.) hindurch, über deren Berührungsflächen hinweg
und mittels unterschiedlicher Mechanismen. Der Gesamt-Wärmewiderstand ergibt sich daher
immer aus dem Zusammenwirken mehrerer Teilwiderstände.
Abbildung 21-1 zeigt schematisch einen zur Wärmeableitung auf einen Kühlkörper mon-
tierten Leistungstransistor (Gehäuseform TO-3). In der Abbildung ist der Transistor durch
eine Glimmerscheibe elektrisch gegenüber dem Kühlkörper isoliert.
Abbildung 21-1 Leistungstransistor auf Kühlkörper (Schnittbild)

Transistor-
Gehäuse Kristall

Glimmer-
Scheibe

Kühlkörper

Die Abbildung 21-2 zeigt den Wärmestromkreis, den ein Halbleiterbauelement mit Kühl-
körper und Umgebung bildet. Wegen der Analogie mit elektrischen Größen, wird der
Wärmestromkreis mit Symbolen, die der Elektrotechnik entliehen sind, dargestellt.
Die Wärmeleistung Pth wird in der Sperrschicht des Bauteils (Index j) freigesetzt und von
dort über den restlichen Halbleiterkristall (Index Si), das Gehäuse (Index G) und den Kühl-
körper (Index K) an die Umgebung (Index U) abgeleitet.

Abbildung 21-2 Wärmestromkreis eines Halbleiterbauelementes mit Kühlkörper

ϑj ϑSi ϑG ϑK ϑU
∆ϑj-Si ∆ϑSi-G ∆ϑG-K ∆ϑK-U

Pth Rth/j-Si Rth/Si-G Rth/G-K Rth/K-U

Cth/Si Cth/G Cth/K

Zur Vereinfachung sind die über das gesamte Volumen eines Teiles verteilten
Wärmekapazitäten jeweils zu einer Gesamtkapazität zusammengefasst. Jedem Einzelteil ist
außerdem eine einheitliche mittlere Temperatur zugeordnet. Auch die über das Volumen
verteilten Wärmewiderstände sind zu diskreten Einzelwiderständen konzentriert.

344
Thermische Probleme / Wärmeableitung

Die Wärmewiderstände von der Sperrschicht eines Halbleiterbauelementes bis zum Gehäuse
bilden den inneren Wärmewiderstand (thermischer Innenwiderstand)
ϑ j − ϑG
R th / j−G =
Pth
Er ist konstruktiv bestimmt und kann nur vom Hersteller, nicht jedoch vom Anwender des
Bauelementes beeinflusst werden.
Im folgenden werden beispielhaft Daten für den inneren Wärmewiderstand von Transistoren
genannt:
* Kleinleistungstransistoren: Rth/j-G > 15 K/W
z.B. Kleinsignaltransistoren: Rth/j-G ≈ 50 ... 1000 K/W je nach Gehäuse
* Leistungstransistoren: Rth/j-G < 15 K/W
z.B. TO-3-Gehäuse: Rth/j-G ≈ 1,5 K/W
TO-66-Gehäuse: Rth/j-G ≈ 6 K/W
Die Wärmewiderstände vom Gehäuse des Bauelementes bis in die Umgebung bilden den
äußeren Wärmewiderstand (thermischer Außenwiderstand)
ϑ − ϑU
R th / G − U = G
Pth
Er kann vom Anwender durch die Bauelement-Montage, durch Kühlkörper und evtl. durch
forcierte Kühlung stark beeinflusst werden.
* Kleinleistungshalbleiter:
Sie werden meist ohne zusätzliche Hilfsmittel zur Wärmeabfuhr montiert. Die
Verlustwärme wird über die Gehäuseoberfläche abgeführt. Jede Gehäuseform hat dabei
einen charakteristischen thermischen Oberflächenwiderstand.
z.B. (Angaben beziehen sich meist auf den thermischen Gesamt(!)widerstand Rth/j-U)
Metall-Gehäuse Plastik-Gehäuse Rth/j-U Anmerkung
TO-18 TO-92 ≤ 500 K/W
TO-72 ≤ 750 K/W
TO-5 TO-126 ≤ 220 K/W
TO-3 TO-3P ≈ 60 K/W ohne Kühlkörper

* Leistungshalbleiter:
Wenn größere Wärmemengen abgeleitet werden müssen, dann werden spezielle
Kühlkörper verwendet. Diese Kühlkörper sind so gestaltet, dass sie sowohl einen
großflächigen und engen Kontakt zu dem zu kühlenden Bauelement (kleiner
Wärmewiderstand für die Wärmeleitung vom Bauelement zum Kühlkörper) als auch
zahlreiche Kühlrippen mit einer sehr großen Berührungsfläche zum umgebenden Medium
besitzen (kleiner Wärmewiderstand für die Wärmeabfuhr durch Konvektion).
Für die Kühlung mit ruhender Luft sind die Kühlkörper so anzuordnen, dass die
Kühlrippen senkrecht stehen und sich eine Kaminwirkung zwischen den Kühlrippen
bilden kann (stärkere Konvektion). Eine weitere Verstärkung der Konvektion ist mit
Ventilatoren möglich. Reicht auch dies nicht aus, kann eine Wasserkühlung vorgesehen
werden.

345
Thermische Probleme / Wärmeableitung

Elektrische Isolation:
Zur besseren Wärmeableitung wird der Halbleiterkristall von Leistungsbauelementen
möglichst großflächig mit dem metallischen Gehäuse in Kontakt gebracht (aufgelötet oder
bei großen Leistungen mechanisch angepresst). Dadurch entsteht eine leitende Verbindung
zwischen Kristall und Gehäuse. Das Gehäuse wird zum Bauteilanschluss.
Bei manchen Gehäuseformen lässt sich mit Hilfe einer Glimmerscheibe (oder Silicon-
kunststofffolie) eine elektrische Trennung von Gehäuse und Kühlkörper erreichen (siehe
Abbildung 21-1). Gehäuse und Kühlkörper können dann auf unterschiedlichen elektri-
schen Potenzialen liegen. Die Isolierscheibe erhöht jedoch den Wärmewiderstand und
kann daher nur für mittlere Verlustleistungen (z.B. bis etwa 100 W) eingesetzt werden.
z.B. Rth/G-K einer Glimmerscheibe für TO-3-Gehäuse:
Scheibendicke ungefettet gefettet
50 µm 1,25 K/W 0,35 K/W
100 µm 1,5 K/W 0,6 K/W

21.4 Berechnung des Wärmestromkreises

21.4.1 Analogie thermischer und elektrischer Größen
An den Größen Wärmekapazität, Wärmefluss, Wärmewiderstand und Wärmeleitfähigkeit
wurde erkennbar, dass im Hinblick auf die thermischen Effekte viele Analogien zu
elektrischen Größen auftreten. In der Tabelle 21-1 sind einige sich entsprechende Größen
einander gegenübergestellt.
Tabelle 21-1 Entsprechung thermischer und elektrischer Größen
thermische Größen elektrische Größen
Wärmemenge ∆Wth = Pth⋅∆t = Cth⋅∆ϑ Ladungsmenge Q = I⋅t = C⋅U
Wärmestrom Pth = ∆Wth/∆t Strom I = Q/t
Temperaturintervall ∆ϑ = ϑ2 - ϑ1 Spannung U = ϕ2 - ϕ1
Wärmekapazität Cth = ∆Wth/∆ϑ Kapazität C = Q/U
Wärmewiderstand Rth = ∆ϑ/ Pth Widerstand R = U/I
Wärmeleitfähigkeit λ Leitfähigkeit σ (= κ)
Die Tabelle zeigt, dass der Ladungsmenge Q im elektrischen System die Wärmemenge ∆Wth
(= Wärmeenergie) im thermischen System entspricht. Konsequenterweise entspricht einer
pro Zeiteinheit transportierten Ladung (= Strom I) eine pro Zeiteinheit transportierte
Wärmeenergie (= Wärmeleistung Pth). In Analogie zum elektrischen System sprechen wir
vom Wärmestrom Pth. Weiterhin entsprechen sich die Ursachengrößen Spannung U und
Temperaturdifferenz ∆ϑ usw..
Wegen der vorhandenen Analogien lassen sich die Berechnungsmethoden elektrischer
Stromkreise auf den Wärmestromkreis übertragen.
Neben dem Ohmschen Gesetz lassen sich daher auch die Kirchhoffschen Regeln, die Rechen-
vorschriften für die Reihen- und Parallelschaltung von Widerständen und Kapazitäten, die
Differenzialgleichungen für Ausgleichsvorgänge an RC-Kombinationen und ihre Lösungen
usw. auf Wärmestromkreise anwenden.

346
Thermische Probleme / Wärmeableitung

Beispiele:
i=n
Reihenschaltung von Wärmewiderständen: R th ges = ∑ R th i
i =1
i=n 1
Parallelschaltung von Wärmewiderständen: G th ges = ∑ G th i mit G th =
i =1 R th
i=n
Parallelschaltung von Wärmekapazitäten: C th ges = ∑ C th i
i =1
d (∆ϑ)
Aufladung der Wärmekapazität: Pth = C th ⋅
dt

21.4.2 Berechnung von Temperaturen im stationären Betrieb

Sind die Wärmewiderstände und die auftretende Verlustleistung bekannt, so können die im
stationären Betrieb auftretenden Temperaturdifferenzen berechnet werden. Ist auch eine
Temperatur bekannt (z.B. die Umgebungstemperatur), so können alle anderen Temperaturen
errechnet werden:
* Berechnung der Sperrschichttemperatur aus der Umgebungstemperatur
ϑ j − ϑU
Aus R th ges =
Pth
ergibt sich ϑ j = ϑ U + Pth ⋅ R th ges

mit R th ges = R th innen + R th außen = R th j−Si + R th Si −G + R th G − K + R th K − U

* Berechnung der maximal zulässigen Gehäusetemperatur aus der maximal zulässigen

Sperrschichttemperatur
ϑ j − ϑG
Aus R th innen =
Pth
ergibt sich ϑ G max = ϑ jmax − Pth ⋅ R th innen

21.4.3 Reduzierung der zulässigen Verlustleistung bei hoher Umgebungstemperatur

Aus physikalischen Gründen darf die Sperrschichttemperatur von Halbleiterbauelementen
einen Maximalwert nicht überschreiten.

Halbleiter Ge Si GaAs
ϑ jmax in °C 70 ... 90 120 ... 200 ≈ 300

Bei Überschreiten dieser Maximalwerte können sich Bauelementedaten unzulässig ändern.

Insbesondere die Sperrströme von pn-Übergängen steigen.
- Dies führt evtl. zu hohen Sperrverlustleistungen mit weiterem Temperaturanstieg, wobei
dieser Mitkopplungseffekt bis zur thermischen Zerstörung führen kann.
- Transistoren verstärken die Sperrströme und schalten evtl. völlig durch.
- Thyristoren und Triacs verlieren ihre Blockierfähigkeit und zünden von selbst usw..

347
Thermische Probleme / Wärmeableitung

Aus diesem Grunde geben die Bauelementhersteller für jeden Bauelementtyp eine maximal
zulässige Verlustleistung Ptot an.
Diese Verlustleistung Ptot ist so bemessen, dass bei Betrieb bis zu einer vorgegebenen
Umgebungstemperatur ϑUmax die maximal zulässige Sperrschichttemperatur ϑjmax nicht
überschritten wird. In der Regel beziehen sich die Leistungsangaben der Hersteller auf
Umgebungstemperaturen von ϑUref = 25 °C
Bei Überschreiten dieser vom Hersteller vorgegebenen Bezugstemperatur reduziert sich die
maximal zulässige Verlustleistung.
Daher gilt PVmax = Pth max = Ptot für ϑ U ≤ ϑ Uref

ϑ jmax − ϑ U ϑ jmax − ϑ U
und PVmax = = ⋅ Ptot für ϑ U ≥ ϑ Uref
R th j− U ϑ jmax − ϑ U ref

Abbildung 21-3 zeigt grafisch den Verlauf der maximal zulässigen Verlustleistung in
Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur
PV/max
Abbildung 21-3
Maximal zulässige Verlustleistung Ptot
(Derating-Diagramm)
R th j − U

ϑU
ϑUref ϑj/max
Bei (Leistungs-)Bauelementen, die grundsätzlich mit Kühlkörper betrieben werden, kann
anstelle einer Umgebungstemperatur ϑ U ref auch eine bestimmte maximale Gehäusetem-
peratur ϑ G ref als Referenz zugrunde gelegt sein . Dies ergibt sich aus dem Datenblatt.

In den beiden o.g. Gleichungen und in Abbildung 21-3 ist dann jeweils der Index U gegen
den Index G auszutauschen

21.4.4 Thermische Ausgleichsvorgänge

Wegen der Wärmekapazitäten ändern sich die Temperaturen der einzelnen Teile im Wärme-
stromkreis beim Ein- und Ausschalten (aber auch bei Lastwechseln) nicht sprunghaft. Das
thermodynamische Gleichgewicht wird vielmehr erst nach Abklingen von Ausgleichsvor-
gängen erreicht.
Der zeitliche Verlauf der einzelnen Temperaturen in einem Wärmestromkreis lässt sich mit
Hilfe von Differenzialgleichungen beschreiben und berechnen. Das Differenzialgleichungs-
system und seine Lösungen sind jedoch bereits für einen stark vereinfachten Wärmestrom-
kreis entsprechend Abbildung 21-2 so kompliziert, dass sie sich ohne Rechnerunterstützung
und ohne geeignete Mathematik-Software kaum lösen lassen.
Häufig sind jedoch die einzelnen Wärmekapazitäten und damit die Zeitkonstanten für die
Erwärmung der einzelnen Teile so unterschiedlich, dass die Ausgleichvorgänge
näherungsweise in Einzelschritten berechnet werden können.

348
Thermische Probleme / Wärmeableitung

Erwärmung oder Abkühlung des Halbleiterkristalls bei konstanter Gehäusetemperatur:

Bei metallgekapselten Halbleiter-Bauelementen ist die Wärmekapazität des Gehäuses meist
sehr viel größer als die des Halbleiterkristalls. Nach dem Einschalten wird sich daher die
Temperaturdifferenz zwischen Kristall und Gehäuse voll aufbauen, ehe die
Gehäusetemperatur merklich zu steigen beginnt. Beim Ausschalten wird sich der Kristall auf
die Gehäusetemperatur abkühlen, ehe die Gehäusetemperatur merklich zu sinken beginnt.
Abbildung 21-4 zeigt das Ersatzschaltbild des Wärmestromkreises für das Zeitintervall, in
dem die Wärmekapazität des Halbleiterkristalls auf- bzw. entladen wird, während sich die
Gehäusetemperatur noch nicht ändert.
ϑj ϑSi ϑG = konst.
Abbildung 21-4 ∆ϑj-Si ∆ϑSi-G
Erwärmung bzw. Abkühlung (29)
des Halbleiterkristalls bei Pth Rth/j-Si Rth/Si-G
konstanter Gehäusetemperatur

Cth/Si

Für die mittlere Kristalltemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverläufe:

* beim Einschalten: ϑSi ( t ) ≈ ϑ G + {Pth ⋅ R th / Si −G ⋅ [1 − exp(− t / τ)]}
* beim Ausschalten: ϑSi ( t ) ≈ ϑ G + {Pth ⋅ R th / Si −G ⋅ exp(− t / τ)}
In beiden Gleichungen bedeutet: exp(x) = ex
und τ = Cth/Si ⋅ Rth/Si-G
Für den zeitlichen Verlauf der Sperrschichttemperatur gilt:
* beim Einschalten ϑj(t) ≈ ϑSi(t) + Pth⋅Rth/j-Si
* beim Ausschalten ϑj(t) ≈ ϑSi(t)

Aufwärmung bzw. Abkühlung des Gehäuses bei konstanter Kühlkörpertemperatur:

Ist die Wärmekapazität des Kühlkörpers sehr viel größer als die des Gehäuses, so wird sich
die Temperaturdifferenz zwischen Gehäuse und Kühlkörper nach dem Einschalten voll
aufbauen, noch ehe die Kühlkörpertemperatur merklich zu steigen beginnt.
Beim Ausschalten wird sich das Gehäuse und damit das gesamte Bauelement auf die
Kühlkörpertemperatur abkühlen, noch ehe die Kühlkörpertemperatur merklich zu sinken
beginnt.
Abbildung 21-5 zeigt das Ersatzschaltbild für das Zeitintervall, in dem die Wärmekapazität
des Gehäuses auf- bzw. entladen wird, während sich die Kühlkörpertemperatur noch nicht
ändert.
Da die Wärmekapazität Cth/Si voraussetzungsgemäß sehr viel kleiner als Cth/G sein soll,
beeinflusst sie den Vorgang nicht wesentlich und wurde weggelassen.

(29)
Für den Fall des Ausschaltens ist die Verlustleistung Pth auf 0 zu setzen (= Unterbrechung der
Quelle). Dies gilt auch für Abbildung 21-5 und Abbildung 21-6.

349
Thermische Probleme / Wärmeableitung

ϑj ϑSi ϑG ϑK=konst
Abbildung 21-5 ∆ϑj-Si ∆ϑSi-G ∆ϑG-K
Erwärmung bzw. Abkühlung
des Gehäuses bei konstanter Pth Rth/j-Si Rth/Si-G Rth/G-K
Kühlkörpertemperatur
Cth/G

Für die mittlere Gehäusetemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverläufe:

* beim Einschalten: ϑ G ( t ) ≈ ϑ K + {Pth ⋅ R th / G −K ⋅ [1 − exp(− t / τ)]}
* beim Ausschalten: ϑ G ( t ) ≈ ϑ K + {Pth ⋅ R th / G − K ⋅ exp( − t / τ)}
In beiden Gleichungen bedeutet: τ = Cth/G ⋅ Rth/G-K
Für die Zeitverläufe der Sperrschichttemperatur gilt:
* beim Einschalten ϑj(t) ≈ ϑG(t) + Pth⋅(Rth/j-Si + Rth/Si-G)
* beim Ausschalten ϑj(t) ≈ ϑG(t)

Aufwärmung bzw. Abkühlung des Kühlkörpers:

Sind die bauelementinternen Wärmekapazitäten sehr viel kleiner als die des Kühlkörpers, so
kann ihr Einfluss auf Erwärmung bzw. Abkühlung des Kühlkörpers vernachlässigt werden.
Abbildung 21-6 zeigt ein entsprechendes Ersatzschaltbild.

Abbildung 21-6 Erwärmung bzw. Abkühlung des Kühlkörpers

ϑj ϑSi ϑG ϑK ϑU
∆ϑj-Si ∆ϑSi-G ∆ϑG-K ∆ϑK-U

Pth Rth/j-Si Rth/Si-G Rth/G-K Rth/K-U

Cth/K

Für die mittlere Kühlkörpertemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverläufe:

* beim Einschalten: ϑ K ( t ) ≈ ϑ U + {Pth ⋅ R th / K − U ⋅ [1 − exp(− t / τ)]}
* beim Ausschalten: ϑ K ( t ) ≈ ϑ U + {Pth ⋅ R th / K − U ⋅ exp(− t / τ)}
In beiden Gleichungen bedeutet: τ = Cth/K ⋅ Rth/K-U
Für die Sperrschichttemperatur gilt:
* beim Einschalten: ϑj(t) ≈ ϑK(t) + Pth⋅(Rth/j-Si + Rth/Si-G + Rth/G-K)
* beim Ausschalten: ϑj(t) ≈ ϑK(t)
Ähnliche Überlegungen und Vereinfachungen sind auch zulässig bei Betrieb der Bauelemente
mit Wechselstrom. Kühlkörper- und Gehäusetemperatur und meistens auch die mittlere
Kristalltemperatur sind bereits bei Frequenzen von z.B. f ≥ 50 Hz konstant und können der
Wechselbeanspruchung nicht mehr folgen

350
Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.5 Übungsaufgaben zu thermischen Problemen

Aufgabe 21-1: Wärmeableitung an einer Diode
Eine Diode mit UF0 = 0,6 V und rf = 60 mΩ wird von einem konstanten Strom IF = 2,5 A
durchflossen.

Wie groß ist die maximal zulässige Umgebungstemperatur ϑUmax und die maximal zulässige
Gehäusetemperatur ϑGmax, wenn eine Sperrschichttemperatur ϑjmax = 175 °C nicht
überschritten werden darf ?
Es sei: Rth(innen) = 20 K/W, Rth(außen) = 50 K/W
Aufgabe 21-2: Thermische Probleme am Transistor
Für den Transistor 2N3055 gilt: ϑjmax = 200 °C;
Ptot = 117 W für ϑG ≤ 25 °C
Bei Betrieb ohne Kühlkörper gilt: Ptot = 3 W für ϑU ≤ 25 °C

(a) Wie groß ist der Wärmewiderstand Rth/j-U ohne Kühlkörper?

(b) Wie groß ist die Sperrschichttemperatur wenn der Transistor ohne Kühlkörper mit
PV = 2,5 W bei ϑU = 80 °C betrieben wird?

(c) Welchen Wärmewiderstand muss ein Kühlkörper besitzen, wenn die maximal zulässige
Sperrschichttemperatur bei einer Verlustleistung von 50 W und einer
Umgebungstemperatur von 55 °C nicht überschritten werden soll?
Aufgabe 21-3: Kühlung mit forcierter Konvektion
Der Microprozessor-Chip in einem Notebook-Computer hat eine mittlere
Leistungsaufnahme von PV = 5 W
Zur Wärmeableitung ist ein Mini-Lüfter (Ventilator) eingebaut, durch den sich ein äußerer
Wärmewiderstand Rtha = 10 K W , eine Umgebungstemperatur ϑU = 45°C und eine
Sperrschichttemperatur ϑ J = 175°C ergibt.

Beim Ausfall des Lüfters steigt der äußere Wärmewiderstand auf Rtha = 20 K W und die
Lufttemperatur in der Umgebung des Prozessor-Chips auf ϑU = 90°C

(a) Wie groß ist der innere Wärmewiderstand des Prozessorchips?

(b) Welche Sperrschichttemperatur ergibt sich bei Lüfterausfall?

351
Thermische Probleme / Wärmeableitung

Aufgabe 21-4: Leistungssprung am Transistor

ϑj ϑSi ϑG ϑK ϑU
∆ϑj- ∆ϑSi- ∆ϑG- ∆ϑK-

Pth Rth/j-Si Rth/Si-G Rth/G-K Rth/K-U

Cth/K

Ein Transistor 2N3055 wird mit Kühlkörper TK30 und 100-µm-Glimmer-Isolierscheibe

betrieben.
Es gelten folgende Daten:
Umgebungstemperatur: ϑU = 25 °C
Transistor: Rth/j-G = 1,5 K/W
Isolierscheibe: Rth/G-K = 0,6 K/W
Kühlkörper: Rth/K-U = 0,68 K/W
m = 800 g (Masse)
890 Ws
c= (Spezifische Wärmekapazität)
K ⋅ kg
Zum Zeitpunkt t = 0 ändert sich die Verlustleistung des Transistors sprunghaft von
PV1 = 25 W auf PV2 = 60 W.
(a) Welche statischen Temperaturen ϑK, ϑG, ϑj liegen vor dem Leistungssprung (Index 1)
und längere Zeit nach dem Leistungssprung (Index 2) vor ?
(b) Mit welcher Zeitkonstante τ ändert sich die Kühlkörpertemperatur ?
(c) Welche Kühlkörpertemperatur liegt zum Zeitpunkt t = 2τ vor ?

352
 Anhang A – Schaltungsanalyse

A Anhang A - Schaltungsanalyse
A.1 Grundlagen der Zweipoltheorie
In elektronischen Schaltungen (auch in komplexen) interessiert häufig nur das Verhalten
von Strom und Spannung an zwei Punkten (Klemmen) A und B. Die an den Punkten A
und B angeschlossenen Schaltungen lassen sich dann als Zweipole betrachten.
Ein Zweipol(1) ist ein Netzwerk, dessen elektrisches Verhalten an zwei Klemmen (Polen)
nach außen in Erscheinung tritt. Ohne Rücksicht auf den inneren Aufbau kann das
Verhalten des Zweipols durch den Zusammenhang I = f(U) beschrieben werden, wobei U
die Spannung zwischen den beiden Polen ist und der Strom I aus einer Klemme heraus und
in die andere Klemme hinein fließt (DIN 1323).
Beinhaltet ein Zweipol Strom- oder Spannungsquellen, so liegt ein aktiver Zweipol vor.
Der aktive Zweipol erzeugt Spannung und/oder Strom an seinen Klemmen. Er kann
elektrische Leistung abgeben (Generator).
A IA
Abbildung A-1 Schaltungsteil mit Quellen,
Aktiver Zweipol aktiver Zweipol, UAB
Generator
B

Beinhaltet ein Zweipol keine Quellen, so liegt ein passiver Zweipol vor. Der passive
Zweipol erzeugt selbst keine Spannung und keinen Strom an seinen Klemmen. Ein
passiver Zweipol kann keine Leistung abgeben, er kann nur Leistung aufnehmen
(Verbraucher).
IA A
Abbildung A-2 Schaltungsteil ohne Quellen,
Passiver Zweipol UAB passiver Zweipol,
Verbraucher
B
Zweipole lassen sich weiterhin danach unterscheiden, ob sie nur lineare Elemente
beinhalten (linearer Zweipol) oder ob auch nichtlineare Elemente beinhaltet sind
(nichtlinearer Zweipol).
In der Regel besteht ein komplettes elektronisches System mindestens aus der
Zusammenschaltung eines aktiven Zweipols (Generator) und eines passiven Zweipols
(Verbraucher).
A I=IA
Abbildung A-3 aktiver Zweipol passiver Zweipol
Generator U=UAB Verbraucher
System aus aktivem
und passivem Zweipol B
Grundsätzlich können bei der Analyse von Zweipolen rechnerische oder graphische
Methoden angewandt werden. Bei linearen Zweipolen werden rechnerische Methoden
bevorzugt, bei nichtlinearen Zweipolen sind graphische Verfahren vorteilhaft.

(1)
Der Zweipol wird nach DIN 1323 auch Eintor genannt.
353
Anhang A – Schaltungsanalyse

A.2 Einfache Zweipole

A.2.1 Passive Zweipole

In der Elektronik kommen lineare und nicht lineare passive Zweipole vor:

Abbildung A-4 Ohmscher Widerstand (linearer Zweipol)

IR
A
IA=IR Rechnerisch:
UAB=UR R UAB = UR = IR ⋅ R
IA = IR = UR/R
B UR

Abbildung A-5 Diode (nichtlinearer Zweipol)

IF
Rechnerisch:
A UF
IA=IF
m⋅U T
D I F = I S ⋅ (e − 1)
UAB=UF
mit m=1...2
B UT ≈ 26 mV UF
Abbildung A-6 Z-Diode (nichtlinearer Zweipol)
IZ
A
IA=IZ
UAB=UZ Z

B
UZ
A.2.2 Aktive Zweipole
Im Zusammenhang mit den Grundlagen der Elektronik ist es ausreichend lineare aktive
Zweipole zu betrachten.

A.2.2.1 Einfache Spannungsquelle

Das Grundmuster einer Spannungsquelle besteht aus einer idealen Urspannungsquelle
(Quellenspannung U0) mit dem Widerstand Null und einem in Reihe geschalteten
Innenwiderstand Ri.

Abbildung A-7 Einfacher Spannungsquellen-Zweipol

I
Beliebiger Arbeitspunkt
A IA U
Ik = 0 Widerstandsgerade für Ri
Ri
Ri Generatorkennlinie
UA IA
U0 Leerlaufspannung U0
(Ursprung)
B UAB IA⋅Ri U

Quellenspannung U0

354
Anhang A – Schaltungsanalyse

Die Klemmenspannung der Spannungsquelle ergibt sich aus der linearen Gleichung:
(Widerstandsgerade Ri) U = U0 - I ⋅ Ri

Die Leerlaufspannung ist UL = U0

U0
Der Kurzschlussstrom beträgt Ik =
Ri

A.2.2.2 Einfache Stromquelle

Das Grundmuster einer Stromquelle besteht aus einer idealen Urstromquelle
(Quellenstrom I0) und einem parallel geschalteten Innenwiderstand Ri.

Abbildung A-8 Einfacher Stromquellen-Zweipol

Kurzschlussstrom Ik = I0
A I (Ursprung)
IA
I0 Widerstandsgerade für Ri
Ri UA U AB Generatorkennlinie
Ri
I0 Beliebiger Arbeitspunkt

B IA
U
UAB UL= I0⋅Ri

Der Klemmenstrom der Stromquelle ergibt sich aus der linearen Gleichung:
(Widerstandsgerade Ri) I = I0 - U/Ri

Die Leerlaufspannung ist UL = I0 ⋅ Ri

Der Kurzschlussstrom beträgt Ik = I0

A.2.2.3 Äquivalenzprinzip
Jede lineare Spannungsquelle kann durch eine lineare Stromquelle ersetzt werden.
Umgekehrt kann jede lineare Stromquelle durch eine lineare Spannungsquelle ersetzt
werde.
Eine lineare Strom- und eine lineare Spannungsquelle sind äquivalent, wenn sie sich im
Hinblick auf ihr Klemmenverhalten gleich verhalten. Dies ist dann der Fall, wenn die
Leerlaufspannungen, die Kurzschlussströme und die Innenwiderstände gleich sind.
Dann gilt: UL = Ik ⋅ Ri

Spannungsquelle Stromquelle Äquivalenz für

UL = U0 UL = I0 · R U0 = I0 · R
Ik = U0 / R Ik = I0 I0 = U0 / R

355
Anhang A – Schaltungsanalyse

A.3 Ersatzwiderstand passiver Bauelemente

Zur Schaltungsanalyse fasst man passive Zweipole zu Ersatzwiderständen zusammen.
A.3.1 Berechnung eines Ersatzwiderstandes bei linearen Elementen
Enthält ein passiver Zweipol mehrere, aber ausschließlich lineare Elemente, so kann ein
Ersatzwiderstand mit den aus den Kirchhoffschen Regeln abgeleiteten Verfahren der
Elektrotechnik berechnet werden (z.B. Reihen- und Parallelschaltung von Widerständen;
Stern-Dreieck-Umformungen etc.).
Abbildung A-9 Beispiel für Berechnung des Ersatzwiderstandes beim linearen Zweipol
A A
R2 Berechnung:
R1 R4 R5 ⇒ Rers
Rers = R1 // {R2 + R3 + (R4 // R5)}
B B
R3
A.3.2 Graphisches Verfahren bei nichtlinearen Elementen
Enthält ein passiver Zweipol nichtlineare Elemente, so gelten nach wie vor die
Kirchhoffschen Regeln.
Die Berechnung der Ströme und Spannungen gestaltet sich jedoch schwierig, selbst wenn
die Strom-Spannungs-Gleichungen für die nichtlinearen Elemente existieren.
Häufig liegen anstelle von Strom-Spannungs-Gleichungen für die nichtlinearen Elemente
Kennlinien vor. In solchen Fällen ist es einfacher, mit graphischen Methoden eine
Kennlinie für den wirksamen Zweipol-Ersatz-Widerstand zu ermitteln.
I I
A.3.2.1 Reihenschaltung A A
Abbildung A-10 UR R
Reihenschaltung eines linearen U ⇒ U Rers
und eines nichtlinearen Elementes UN rN
(rN = nichtlineares Element)
B B
Für die Reihenschaltung eines linearen und eines nichtlinearen Widerstandes gilt
U = UR + UN für jeden Strom I = IR = IN
Gemäß dieser Rechenvorschrift erhält man die Kennlinie des Ersatzwiderstandes Rers,
indem man die Kennlinien der in Reihe geschalteten Einzelelemente in Spannungsrichtung
addiert . I R rN Rers= rN+R

Abbildung A-11
Graphische Ermittlung
der Gesamtkennlinie
bei Reihenschaltung

I=IR=IN
U

UR
UN
356 U=UN+UR
Anhang A – Schaltungsanalyse

A.3.2.2 Parallelschaltung I I
A A
Abbildung A-12 IR IN
Parallelschaltung eines linearen
und eines nichtlinearen Elementes U ⇒ U Rers
R rN
(rN = nichtlineares Element)
B B
Für die Parallelschaltung eines linearen und eines nichtlinearen Widerstandes gilt
I = IR + IN für jede Spannung U = UR = UN

Gemäß dieser Rechenvorschrift erhält man die Kennlinie des Ersatzwiderstandes Rers,
indem man die Kennlinien der parallel geschalteten Einzelelemente in Stromrichtung
addiert .
I rN
Abbildung A-13 Rers=R+rN
Graphische Ermittlung
der Gesamtkennlinie
R
bei Parallelschaltung
I=IR+IN
IR
IN U

U=UR=UN

A.3.3 Linearisierung von Kennlinien

In vielen Fällen haben die Nichtlinearitäten von Strom und Spannung an einem
nichtlinearen Bauelement nur untergeordnete Bedeutung in einer Gesamtschaltung.
Beispiele sind:
- Reihenschaltung von Diode (in Flussrichtung) und Widerstand an einer
Spannungsquelle mit z.B. UQ > 5 ⋅ UF

Ri
Abbildung A-14 UF
UQ
Einfacher Stromkreis mit Diode

- Betrieb einer Z-Diode (ausschließlich) innerhalb der linearen Durchbruchkennlinie

In solchen Fällen können anstelle der nichtlinearen Kennlinien lineare Näherungen
verwendet werden. Hierbei wird das nichtlineare Bauelement durch eine lineare
Ersatzschaltung ersetzt.
Häufig lassen sich dann graphische Analysen erheblich vereinfachen oder durch einfache
Berechnungen ersetzen.
Grundsätzlich ist eine lineare Ersatzschaltung eines nichtlinearen Bauelementes nur
innerhalb eines definierten Arbeitsbereiches (Kennlinienbereiches) gültig.

357
Anhang A – Schaltungsanalyse

* Linearisierung der Kennlinie einer Universaldiode

Zur Linearisierung der Diodenkennlinie legt man im Bereich größerer Ströme eine
Tangente an die Durchlasskennlinie. Anstelle der Tangente kann auch eine Sekante
verwendet werden.
Die Tangente (Sekante) schneidet die Spannungsachse im Punkt UF0.

I
lineare Ersatzschaltung
für UD < UF0
rf rf
Abbildung A-15
Linearisierung der R→∞
Dioden-Kennlinie UF0

U lineare Ersatzschaltung
UF0 für UD = UF ≥ UF0
Als linearisierte Kennlinie verwendet man
- links von UF0 die Spannungsachse I = 0
- rechts von UF0 die Tangente/Sekante U = UF0 + I ⋅ rf
Hierbei ist der differentielle Widerstand rf = ∆U/∆I ein Maß für die Steigung der
Tangente (Sekante).

* Grobe Näherungen der Diodenkennlinie

In der Praxis sind oftmals noch gröbere Näherungen der Diodenkennlinie zulässig.
Abbildung A-16 Grobe Näherungen der Diodenkennlinie

(a) rf = 0 I (b) rf = 0 I
⇒ UF = UF0 UF0 = 0
z.B. UF ≈ 0,7V ⇒ UF = 0

U U
UT0
(Zulässig für IF ⋅ rf << UQ) (Zulässig für UF << UQ)

* Linearisierung der Z-Dioden-Kennlinie

Im Durchbruchbereich verläuft die Kennlinie in der Regel sehr steil, annähernd gerade
und lässt sich in guter Näherung durch eine lineare Gleichung beschreiben:
UZ = UZ0 + IZ ⋅ rz

Hierbei ist UZ0 die Spannung, bei der eine Ersatzgerade für den Durchbruchbereich die
Spannungsachse schneidet, der differentielle Widerstand rz = ∆UZ/ ∆IZ ist ein Maß
für die Steigung dieser Ersatzgeraden.

358
Anhang A – Schaltungsanalyse

IZ
IZ
Abbildung A-17 rz
Lineare Ersatzschaltung für rz
UZ
die Z-Diode im Durchbruchbereich
UZ UZ0
(Gültig für UZ ≥ UZ0)
UZ0

Für Spannungen UZ < UZ0 gilt IZ = 0 bzw. RZ → ∞

In den gezeigten Beispielfällen ist zu beachten, dass die in den Ersatzschaltungen
enthaltenen Spannungsquellen (UF0 und UZ0) keine Leistung abgeben können. Es handelt
sich vielmehr um reine Stromsenken, für die das Verbraucher-Zählpfeilsystem (gleiche
Richtung für Strom- und Spannungspfeile) gilt. Eine Umkehr der Stromrichtung ist nicht
zulässig, da die Ersatzschaltung sonst ihre Gültigkeit verliert.

A.4 Ersatzschaltungen aktiver Zweipole

Um die Zweipolbetrachtung durchführen zu können, müssen aktive Zweipole, die eine
größere Anzahl von Elementen beinhalten, in Ersatzquellen in Form der Grundschaltungen
nach Abbildung A-7 oder Abbildung A-8 („Grundmuster“) überführt werden.
Durch Gleichsetzen der Leerlaufspannungen, der Kurzschlussströme sowie der
Innenwiderstände von realem aktivem Zweipol und einfachem Spannungs- oder Strom-
Zweipol wird der reale aktive Zweipol in eine äquivalente Ersatzquelle überführt.
Nachdem die Elemente der Ersatzquelle berechnet sind, kann mit dem Ersatzquellen-
Zweipol anstelle des realen Zweipols weitergerechnet werden.

A.4.1 Aktive Zweipole mit einer Quelle

* Schaltungsbeispiel S1
Abbildung A-18 Ersatzquellen für einen aktiven Zweipol mit Spannungsteiler
aktiver Zweipol S1
Ersatzspannungsquelle Ersatzstromquelle
R1 A
A A
I0
Ri
UQ R2 U ⇔ U0 U Ri U

B B B

Leerlaufspannungen:
R2
U LS1 = U Q ⋅ U Lers = U 0 ( U Lers = I 0 ⋅ R i )
R1 + R 2
Kurzschlussströme:
UQ U0
I kS1 = ( I k ers = ) I k ers = I 0
R1 Ri
Innenwiderstände:
R ⋅R
R iS1 = 1 2 R iers = R i R iers = R i
R1 + R 2

359
Anhang A – Schaltungsanalyse

Durch Gleichsetzen ergeben sich die Elemente der Ersatzquellen zu:

R2 UQ R1 ⋅ R 2
U0 = UQ ⋅ I0 = Ri =
R1 + R 2 R1 R1 + R 2

* Schaltungsbeispiel S2
Abbildung A-19 R1 R3
Wheatstone’sche Brücke A B
UQ
als aktiver Zweipol U
R2 R4

R2 R4
Leerlaufspannung: U LS2 = U 0 = U Q ⋅ ( − )
R1 + R 2 R 3 + R 4

R1 ⋅ R 2 R ⋅R
Innenwiderstand: R iS2 =R i = + 3 4
R1 + R 2 R 3 + R 4
U0
Kurzschlussstrom: I kS 2 = I 0 =
Ri

A.4.2 Aktiver Zweipol mit mehreren Quellen

Superpositionsgesetz (Überlagerungsgesetz)

Enthält ein aktiver Zweipol mehrere Quellen und nur lineare Elemente, so ist der in
einem Element von einer Quelle verursachte Teilstrom (die zwischen zwei Knoten
verursachte Teilspannung) ohne Vorhandensein der anderen Quellen berechenbar.
Den Gesamtstrom (die Gesamtspannung) erhält man durch die Addition der
Teilströme (Teilspannungen).
Die bei der Ermittlung der Teilströme bzw. Teilspannungen jeweils nicht zu
berücksichtigenden Spannungsquellen werden durch Kurzschlüsse (U = 0), die jeweils
nicht zu berücksichtigenden Stromquellen durch Unterbrechungen (I = 0) ersetzt.
R1
* Schaltungsbeispiel S3
UQ1 R2 A
Abbildung A-20
Aktiver Zweipol
mit zwei Quellen UQ2 R3 U

Leerlaufspannung: (Berechnung von U LS3 mit Überlagerungssatz)

R2 R3 R1 R 3
U L S3 = U 0 = U Q1 ⋅ + U Q2 ⋅
R1 + R 2 R 3 R 2 + R1 R 3

Innenwiderstand: R i S3 = R i = R 1 R 2 R 3

360
Anhang A – Schaltungsanalyse

A.5 Zusammenschaltung aktiver und passiver Zweipole

A.5.1 Der lineare Grundstromkreis

Bei der Zusammenschaltung eines linearen Quellen-Zweipols mit einem linearen passiven
Zweipol können Ströme und Spannungen einfach auf rechnerischem Wege ermittelt
werden.
Aktiver Zweipol Passiver Zweipol
A I
Abbildung A-21 Ri
Der lineare Grundstromkreis
U0 UAB Ra

Aktiver und passiver Zweipol sind an den Klemmen A und B miteinander verbunden. Die
Klemmenspannungen der beiden Zweipole müssen daher gleich sein, ebenso die Ströme an
den Klemmen.
Aktiver Zweipol: UAB = U0 - I⋅Ri
Passiver Zweipol: UAB = UR = IR⋅Ra = I⋅Ra
Durch Gleichsetzen der Klemmenspannungen bzw. der Klemmenströme erhält man:
U0 Ra
IR = UR = U0 ⋅
Ra + Ri Ra + Ri

Anmerkung: Der (angesichts der einfachen Schaltung) scheinbar umständliche

Lösungsweg soll die prinzipielle Vorgehensweise bei der Berechnung
linearer Stromkreise aufzeigen.

A.5.2 Der nichtlineare Grundstromkreis - Graphisches Schnittpunktverfahren

Bei der Zusammenschaltung eines linearen Quellen-Zweipols mit einem nichtlinearen
passiven Zweipol können Ströme und Spannungen in der Regel nur dann einfach auf
rechnerischem Wege ermittelt werden, wenn die nichtlinearen Elemente durch lineare
Ersatzschaltungen ersetzt werden (Berechnung erfolgt dann entsprechend Abschnitt A.5.1).
Sind lineare Ersatzschaltungen für die nichtlinearen Elemente nicht verfügbar (oder zu
ungenau), so arbeitet man meist mit Kennlinien und wendet das graphische
Schnittpunktverfahren an.

A.5.2.1 Nichtlinearer Gleichstromkreis

Aktiver Zweipol Passiver Zweipol
A I
Abbildung A-22 Ri
Der nichtlineare Gleichstromkreis
U0 UAB X
(X = nichtlineares Element)

B
361
Anhang A – Schaltungsanalyse

Auch für Stromkreise aus linearen aktiven und nichtlinearen passiven Zweipolen gilt, dass
Ströme und Spannungen an den gemeinsamen Klemmen gleich sein müssen.
Diese Tatsache nützt man für die graphische Ermittlung dieser Größen.
Die Kennlinien von Quellen-Zweipol und Verbraucher-Zweipol werden in ein
gemeinsamen Koordinatensystem eingezeichnet.
Ströme und Spannungen sind dort für beide Zweipole gleich, wo sich die beiden
Kennlinien schneiden. I Kennlinie des nichtlinearen
passiven Zweipols
Abbildung A-23 Ik
Ermittlung des Arbeitspunktes
AP Kennlinie des linearen
im Gleichstromkreis IAP Quellenzweipols
mittels Schnittpunktverfahren
U
UAP U0

Bei der Zusammenschaltung des Quellenzweipols mit dem passiven Zweipol stellen sich
automatisch - dem Schnittpunkt AP entsprechend - Strom IAP und Spannung UAP ein.
Der Schnittpunkt der Kennlinien von Quellenzweipol und angeschlossenem passivem
Zweipol beim Gleichstromkreis wird Arbeitspunkt genannt.

A.5.2.2 Stromkreis mit zeitveränderlicher Quellenspannung

Aktiver Zweipol Passiver Zweipol
Abbildung A-24 A i = id
Der nichtlineare Stromkreis mit Ri
zeitveränderlicher Quellenspannung
(z.B. mit Diode) u0 uAB = ud D

B
Der zeitabhängige Verlauf von Strom und Spannung an den Klemmen A und B wird durch
Anwendung des Schnittpunktverfahrens für mehrere Werte der Quellenspannung ermittelt.
Beschreibung der Vorgehensweise (siehe Abbildung A-25)
Die graphische Darstellung der Kennlinie des nichtlinearen passiven Zweipols (z.B. der
Diode) wird ergänzt durch ein Zeitdiagramm der zeitveränderlichen Quelle. Dieses
Zeitdiagramm wird außerhalb des eigentlichen Kennlinienfeldes angeordnet.
Bei einem Spannungsquellenzweipol wird das Zeitdiagramm der Quellenspannung so
angeordnet, dass die Spannungsachse parallel zur Spannungsachse des Kennlinienfelds des
passiven Zweipols verläuft. Bei einem Stromquellenzweipol wird das Zeitdiagramm dem
Kennlinienfeld so zugeordnet, dass die beiden Stromachsen parallel verlaufen.
Im Zeitdiagramm wird nun z.B. in äquidistanten Zeitschritten die Höhe der
Quellenspannung (bzw. des Quellenstromes) markiert. Für jeden so ermittelten Wert des
Quellensignales wird mittels Schnittpunktverfahren die Größe der Klemmenspannung und
des Klemmenstromes ermittelt.

362
Anhang A – Schaltungsanalyse

Der Verlauf von Klemmenspannung und Klemmenstrom kann in eigenen Zeitdiagrammen

dargestellt werden.

Abbildung A-25 Schnittpunktverfahren bei veränderlicher Quellenspannung

0 uD
1
Zeitdiagramm der 2
3
Klemmenspannung 4
5
8 6
7
9
10
11 12 t

ID
iD
Zeitdiagramm des
Klemmenstromes
3 3
Kennlinie des nichtlinearen 2 4 2 4
passiven Zweipols
1 5
1 5
10 11 12 0 0 6 8 10 12
UD t
9 8 7 6 7 9 11
0
2 u0
1
3
4
5
8 6
7
Zeitdiagramm der
9 Quellenspannung
10
11
12 t

A.5.2.3 Überlagerung von Gleich- und Wechselspannung (graphische Superposition)

Während in einem linearen Stromkreis eine bestimmte Änderung ∆U0 unabhängig vom
Absolutwert der Spannung U0 immer die gleiche Stromänderung ∆I hervorruft, gilt dies
im nichtlinearen Stromkreis nicht.
Aus diesem Grunde ist es nicht möglich, die Einflüsse mehrerer Quellen auf Ströme und
Spannungen innerhalb der Schaltung unabhängig voneinander zu ermitteln und zu
Gesamtströmen und Gesamtspannungen zu addieren. In nichtlinearen Stromkreisen gilt
demnach das Superpositionsgesetz nicht.
Sind in einem nichtlinearen Stromkreis mehrer Quellen vorhanden, so müssen diese bei der
Schaltungsanalyse gemeinsam betrachtet werden.
Evtl. müssen die in der Schaltung enthaltenen Quellen zunächst in die Grundform einer
oder mehrerer einfacher Ersatzspannungsquellen überführt werden.
Einer der wichtigsten derartigen Fälle ist der Betrieb eines nichtlinearen passiven Zweipols
mit einer konstanten Gleichspannung und einer überlagerten Wechselspannung.

363
Anhang A – Schaltungsanalyse

Bei der graphischen Analyse wird dann zuerst der von der Gleichspannung verursachte
statische Zustand (Ruhepunkt, Arbeitspunkt) ermittelt (siehe Abschnitt A.5.2.1).
In dem Ruhepunkt wird anschließend die Wechselspannung überlagert.
Hierbei muss unterschieden werden, ob die Quellen gleichstrommäßig voneinander
entkoppelt sind oder nicht.
Gleichstrommäßig nicht entkoppelte Wechselstromquelle

Abbildung A-26 Überlagerung von Gleich- und Wechselspannung (Schaltungsbeispiel)

R1 Ersatzschaltung
A iD
UQ R2 A iD Ri
uo
uq R3 uD D ⇒ uD D
U0

B B
R 2 // R 3 R 1 // R 3
Mit U0 = UQ ⋅ , uo = uq ⋅ und R i = R 1 // R 2 // R 3
R 1 + (R 2 // R 3 ) R 2 + (R 1 // R 3 )
ID
* Aussteuerung mit kleiner Wechselspannung rdiff

id Widerstandsgerade
für Ri
AP
t

U0
Abbildung A-27 UD
Aussteuerung mit
kleiner Wechselspannung ud uo

t t
Da sich die Wechselspannung uo(t) im Ersatzschaltbild einfach zur Gleichspannung U0
addiert und für beide Spannungen derselbe Ersatz-Innenwiderstand wirksam ist, wird
uo(t) bei der graphischen Analyse im Punkte U0 überlagert. Arbeitspunkt und
Aussteuerung können mit ein und derselben Widerstandsgerade ermittelt werden (siehe
Abbildung A-27).
Bei kleiner Aussteuerung ist die Steigung rdiff der Kennlinie des nichtlinearen passiven
Zweipols (z.B. der Diode) im gesamten Aussteuerungsbereich etwa gleich groß. Die
Kennlinie kann durch ihre Tangente im Arbeitspunkt ersetzt werden.
Wechselstrom und Wechselspannung an den Klemmen des passiven Zweipols
(Ausgangssignale) sind bei kleiner Aussteuerung proportional zum Signal der
Wechselstromquelle (Eingangssignal). Es treten keine Verzerrungen auf.
Die arithmetischen Mittelwerte von Klemmenstrom und Klemmenspannung sind
identisch mit den Ruhewerten von Strom und Spannung (Arbeitspunkt).

364
Anhang A – Schaltungsanalyse

Ist die Kennliniensteigung rdiff im Arbeitspunkt bekannt, so lässt sich der passive Zwei-
pol durch eine lineare Ersatzschaltung ersetzen und die Wechselstromausgangsgrößen
können auch rechnerisch ermittelt werden.
id
Abbildung A-28
Ri
Wechselstrom-Ersatzschaltbild
uo ud rdiff = rf
für kleiner Aussteuerung

* Aussteuerung mit großer Wechselspannung

Bei Aussteuerung mit großer Wechselspannung wirken sich die Nichtlinearitäten der
Schaltung auf die Ausgangsgrößen aus.
Die Proportionalität zwischen Quellenwechselspannung und Ausgangswechselgrößen
geht verloren; es treten Verzerrungen auf.
Die arithmetischen Mittelwerte der Ausgangs-Gesamtgrößen sind nicht mehr identisch
mit den Ruhewerten ohne Wechselaussteuerung (Arbeitspunkt).
ID

Widerstandsgerade
id
für Ri
t AP

U0 UD
Abbildung A-29
Aussteuerung mit ud uo
großer Wechselspannung

Verzerrter
Spannungsverlauf
t t

Gleichstrommäßig entkoppelte Wechselstromquelle

Sind die Gleich- und Wechselspannungsquellen in einer Schaltung (durch Kondensatoren)
gleichstrommäßig entkoppelt, so sind für Gleich- und Wechselspannung meist unter-
schiedliche Innenwiderstände wirksam.
In solchen Fällen können Gleich- und Wechselspannung nicht einfach wie in der
Abbildung A-26 zu einem einzelnen Ersatz-Quellenzweipol addiert und wie in
Abbildung A-27 mit einer einzigen Widerstandsgerade berücksichtigt werden.
Es müssen vielmehr getrennte Gleich- und Wechselstrom-Ersatzschaltbilder erstellt
werden.
Beim Gleichstrom-Ersatzschaltbild sind alle Schaltungsteile zu berücksichtigen, die
gleichstrommäßig wirksam sind. In dem Schaltungsbeispiel der Abbildung A-30 sind dies
der aktive Zweipol aus UQ, R1 und R3 sowie die angeschlossene Diode D (nichtlinearer
passiver Zweipol).

365
Anhang A – Schaltungsanalyse

Beim Wechselstrom-Ersatzschaltbild sind alle Schaltungsteile zu berücksichtigen, die

wechselstrommäßig wirksam sind. In dem Schaltungsbeispiel der Abbildung A-30 sind
dies der aktive Zweipol aus uq, R1, R2 und R3 sowie die angeschlossene Diode D.

Abbildung A-30 Gleichstrommäßig entkoppelte Wechselspannung (Schaltungsbeispiel)

⇒ Gleichstrom-Ersatzschaltbild
Originalschaltung RiGS ID
R2 Ck A
U0 UD D
uq R1 A iD B

uD D
⇒ Wechselstrom-Ersatzschaltbild (ω >> ωg)
UQ R3 RiWS id
A
B
uo ud DAP
B
Für die Ersatzschaltbilder gilt:
R3 R 1 // R 3
U0 = UQ ⋅ uo = uq ⋅
R1 + R 3 R 2 + (R 1 // R 3 )
RiGS = R1//R3 RiWS = R1 // R2 // R3

Bei der graphischen Analyse wird zunächst anhand der Komponenten des Gleichstrom-
Ersatzschaltbildes (Gleichstrom-Widerstandsgerade RiGS) der Arbeitspunkt ermittelt.
Anschließend wird anhand des Wechselstrom-Ersatzschaltbildes die Wechselspannung
graphisch überlagert. Hierzu wird die Wechselstrom-Widerstandsgerade RiWS für uo(t) = 0
so angeordnet, dass sie durch den Arbeitspunkt verläuft. Hiervon ausgehend kann dann die
Wechselstrom-Aussteuerung analysiert werden.
ID
Abbildung A-31
Unterschiedliche Gleich- und rdiff
Wechselstrom-Arbeitsgeraden

id WS-Arbeitsgerade RiWS
AP
t GS-Arbeitsgerade RiGS

U0
UD

ud uo

t t

366
Anhang A – Schaltungsanalyse

Bei geringer Aussteuerung kann die Kennlinie des nichtlinearen passiven Zweipols durch
ihre Tangente im Arbeitspunkt ersetzt werden.
Ist die Kennliniensteigung rdiff im Arbeitspunkt bekannt, so lässt sich der passive Zweipol
durch eine lineare Ersatzschaltung ersetzen und die Wechselstromausgangsgrößen können
auch rechnerisch ermittelt werden.
id
Abbildung A-32 RiWS
Lineares Wechselstrom-Ersatzschaltbild uo ud rdiff
bei kleiner Aussteuerung

A.5.3 Stromkreise mit bipolarem Transistor

A.5.3.1 Vier-Quadranten-Kennlinienfeld
Für graphische Analysen von Schaltungen mit bipolarem Transistor (insbesondere in
Emitterschaltung) eignet sich eine Darstellungsart, bei der die Kennlinien des Transistors
in die vier Quadranten eines Koordinatensystems eingezeichnet werden.
Hierbei wird jeder der vier Halbachsen des Koordinatensystems eine der vier Ein- und
Ausgangsgrößen des Transistors zugeordnet. Diese Zuordnung erfolgt so, dass die
Eingangskennlinie im dritten, die Übertragungskennlinie im zweiten und die
Ausgangskennlinie im ersten Quadranten liegt.
In den vierten Quadranten kann die Rückwirkungskennlinie eingezeichnet werden
(Eingangsspannung = f(Ausgangsspannung)). Da die Rückwirkung der Ausgangsspannung
auf die Eingangsspannung beim Transistor sehr gering ist, wird auf diese Kennlinie meist
verzichtet.
IC
5
Abbildung A-33
4-Quadranten-Kennlinienfeld Übertragungs- 4
für den Transistor Kennlinie
Ausgangs-
in Emitterschaltung 3 IB
Kennlinien
2

IB 5 4 3 2 1 UCE

IC
Eingangs- Rückwirkungs-
Kennlinie UBE Kennlinien

Die Vier-Quadranten-Kennlinien sind in Datenblättern grundsätzlich nicht dargestellt; sie

müssen vielmehr selbst aus Ein-und Ausgangskennlinien zusammengefügt werden.
Wegen der exponentiellen Form der Eingangskennlinie ist diese in Datenblättern häufig
mit einem logarithmischen Maßstab dargestellt. Sie muss dann erst in einen linearen
Maßstab überführt werden.

367
Anhang A – Schaltungsanalyse

Da der Ausgangsstrom nicht ausschließlich von den Eingangsgrößen, sondern in geringem

Umfang auch von der Ausgangsspannung abhängt, kann keine allgemeingültige
Übertragungskennlinie gezeichnet werden. Anwendungsneutral lässt sich lediglich die sog.
Kurzschluss-Übertragungskennlinie (meist nur Übertragungskennlinie genannt) darstellen.
Sie gilt für konstante Ausgangsspannung, z.B. für uCE = UCE = 6V = konst.
(Wechselanteile kurzgeschlossen).
Zur Ermittlung der Übertragungskennlinie zeichnet man die senkrechte Gerade für z.B.
UCE = 6V ins Ausgangskennlinienfeld ein und überträgt die Koordinaten der Schnittpunkte
dieser Geraden mit den Ausgangskennlinien in den zweiten Quadranten.

A.5.3.2 Arbeits-Übertragungskennlinie
Für die meisten Anwendungsfälle ist die Kurzschluss-Übertragungskennlinie zu ungenau
(z.B. für die Ansteuerung mit Wechselgrößen großer Amplitude). In solchen Fällen muss
die Arbeits-Übertragungskennlinie verwendet werden. Sie zeigt das Übertragungsverhalten
des Transistors bei ohmscher Last. Diese Übertragungskennlinie lässt sich aus den
Schnittpunkten der Ausgangskennlinien des Transistors mit der jeweils zutreffenden
Arbeitsgerade (Generatorkennlinie) ableiten.

Abbildung A-34 4-Quadranten-Kennlinienfeld mit Arbeits-Übertragungskennlinie

IC
5
Arbeitsgerade
4

3 IB

Arbeits-Übertragungs- 2
Kennlinie RC
1

IB 6 5 4 3 2 1 US UCE

UBE

A.5.3.3 Grafische Ermittlung des Arbeitspunktes

Die Ermittlung des Arbeitspunktes des Transistors erfolgt analog Abschnitt A.5.2.1.
Zunächst zeichnet man die Generatorkennlinie des Eingangskreises in das
Eingangskennlinienfeld, die Generatorkennlinie des Ausgangskreises in das
Ausgangskennlinienfeld des Transistors ein.
Der Schnittpunkt von Generatorkennlinie und Transistorkennlinie im Eingangskennlinien-
feld ergibt den Arbeitspunkt im Eingangskreis.
Mit Hilfe der Arbeits-Übertragungskennlinie kann dieser Arbeitspunkt auf die
Generatorkennlinie im Ausgangskennlinienfeld übertragen und damit der Arbeitspunkt im
Ausgangskreis ermittelt werden.

368
Anhang A – Schaltungsanalyse

A.5.3.4 Grafische Analyse des Wechselstromverhaltens

Die Analyse des Wechselstromverhaltens der Transistorschaltung erfolgt analog Abschnitt
A.5.2.3. Hierbei wird die Eingangswechselspannung im Arbeitspunkt des Eingangskreises
(3. Quadrant) überlagert. Die sich ergebenden zeitabhängigen Eingangsgrößen werden mit
Hilfe der Arbeitsübertragungskennlinie (2. Quadrant) ins Ausgangskennlinienfeld
(1. Quadrant) übertragen und daraus die Ausgangswechselspannung ermittelt.

369
 Anhang B – Vierpoltheorie

B Anhang B - Vierpoltheorie(2)
Ein elektrischer Vierpol hat zwei Eingangsklemmen (Eingangstor) und zwei
Ausgangsklemmen (Ausgangstor) (vier Klemmen ⇒ Vierpol).
I1 I2
Abbildung B-1
Der allgemeine Vierpol U1 Vierpol U2

An den Eingangsklemmen treten der Eingangsstrom I1 und die Eingangsspannung U1, an

den Ausgangsklemmen der Ausgangsstrom I2 und die Ausgangsspannung U2 auf.
Besteht zwischen den vier Ein- und Ausgangsgrößen ein linearer Zusammenhang, so liegt
ein linearer Vierpol vor.
Innerhalb eines linearen Vierpols gelten die Kirchhoffschen Gesetze sowie das
Überlagerungsgesetz.

B.1 Vierpolgleichungen - Vierpolparameter

Jeder lineare Vierpol lässt sich durch zwei lineare Gleichungen beschreiben.
Neben den Ein- und Ausgangsgrößen beinhalten diese Gleichungen jeweils vier
Vierpolparameter.
Im allgemeinen sind alle Ein- und Ausgangsgrößen, sowie die Vierpolparameter komplex.
Beispiele von Vierpol-Gleichungspaaren sind:
(Sofern nichts anderes angegeben ist, gelten die Richtungspfeile für Ströme und Spannungen
gemäß Abbildung B-1)
* Vierpolgleichungen mit A-Parametern U1 = A11 ⋅ U 2 + A12 ⋅ I 2
(I2-Pfeil zeigt vom Ausgang weg) I1 = A 21 ⋅ U 2 + A 22 ⋅ I 2
* Vierpolgleichungen mit B-Parametern U 2 = B11 ⋅ U1 + B12 ⋅ I1
(I1-Pfeil zeigt vom Eingang weg) I 2 = B 21 ⋅ U1 + B 22 ⋅ I1

* Vierpolgleichungen mit H-Parametern U1 = H11 ⋅ I1 + H12 ⋅ U 2

(Hybrid-Parameter) I 2 = H 21 ⋅ I1 + H 22 ⋅ U 2
* Vierpolgleichungen mit K-Parametern I1 = K11 ⋅ I 2 + K12 ⋅ U1
(inverse Hybrid-Parameter) U 2 = K 21 ⋅ I 2 + K 22 ⋅ U1
* Vierpolgleichungen mit Y-Parametern I1 = Y11 ⋅ U1 + Y12 ⋅ U 2
I 2 = Y 21 ⋅ U1 + Y 22 ⋅ U 2
* Vierpolgleichungen mit Z-Parametern U1 = Z11 ⋅ I1 + Z12 ⋅ I 2
U 2 = Z 21 ⋅ I1 + Z 22 ⋅ I 2
Zur Vereinfachung werden statt der kompletten Vierpolgleichungen häufig nur die
Vierpol-Koeffizienten in Matrixform geschrieben, z.B.
 A11 A12   Y11 Y12   Z11 Z12 
(A ) =   (Y ) =   (Z) =  
 A 21 A 22   Y 21 Y 22   Z 21 Z 22 

(2)
Der Vierpol wird nach DIN 40124 Zweitor genannt
370
Anhang B – Vierpoltheorie

Diese Form ist ausreichend für die Matrizenrechnung, mit der sich Kombinationen von
Vierpolen z.B. mehrstufige Verstärker einfach berechnen lassen.
Typische Anwendungsbereiche der Vierpolparameter sind:
- A- und B-Parameter Kettenschaltung von Vierpolen (z.B. Übertragungstechnik)
- H-Parameter Reihen-Parallel-Schaltung
- H-Parameter Ersatzschaltungen von Transistoren (insbes. in der NF-Technik)
- K-Parameter Parallel-Reihen-Schaltung
- Y-Parameter Parallelschaltung von Vierpolen (z.B. HF-Res.-Verstärker)
- Z-Parameter Reihenschaltung von Vierpolen (z.B. Gegenkopplungen)

Abbildung B-2 Verknüpfungen zweier Vierpole zu einem neuen Vierpol

I1 I2
Reihenschaltung
( Z' )
Z' + Z" Z'12 + Z"12 
(Z) =  11 11  U1 U2
 Z' 21 + Z"21 Z' 22 + Z"22 
( Z")

Parallelschaltung
I1 (Y ' ) I2
Y' + Y" Y'12 + Y"12 
(Y ) =  11 11  U1 U2
 Y' 21 + Y"21 Y' 22 + Y"22 
(Y")

I2
Parallel-Reihen-Schaltung I1 (K' )
K'11 + K"11 K'12 + K"12 
(K ) =  U1 U2

 K' 21 + K"21 K' 22 + K"22  (K" )

Für die Reihen–Parallelschaltung verwendet man die H-Parameter

Für alle bisher genannten Verknüpfungen zweier Vierpole gilt die allgemeine
Rechenvorschrift (M ) = (M ′ ) + (M ″ ) mit M = M ′ + M ′′ ij ij ij

I1 I2
Kettenschaltung vorwärts (A' ) ( A")
U1 U2

A'11 ⋅A"11 + A'12 ⋅A"21 A'11 ⋅A"12 + A'12 ⋅A"22 

(A ) =  
 A' 21 ⋅A"11 + A' 22 ⋅A"21 A' 21 ⋅A"12 + A' 22 ⋅A"22 
Für die Kettenschaltung rückwärts verwendet man die B-Parameter.
Für die Kettenschaltungen zweier Vierpole gilt die allgemeine Rechenvorschrift
2
(M) = (M ′ ) ⋅ (M ″ ) mit M ij = ∑ (M ′ik ⋅ M ′kj
′)
k =1

Im Folgenden werden die Z-, Y- und H-Parameter in eigenen Abschnitten genauer

behandelt.

371
Anhang B – Vierpoltheorie

B.1.1 Die Z-Parameter

Den Vierpolgleichungen mit Z-Parametern U1 = Z11 ⋅ I1 + Z12 ⋅ I 2
U 2 = Z 21 ⋅ I1 + Z 22 ⋅ I 2
entspricht folgendes Ersatzschaltbild:
I1 Z11 Z22 I2
Abbildung B-3
Vierpol mit Z-Parametern
U1 U2
Z12⋅I2 Z21⋅I1

Interpretation:
* Die Eingangsspannung U1 setzt sich zusammen aus dem Spannungsabfall, den der
Eingangsstrom I1 an dem Eingangswiderstand Z11 hervorruft, und aus einer
Spannung, die proportional (Proportionalitätsfaktor Z12) zum Ausgangsstrom I2 ist
(Rückwirkung von I2 auf U1).
* Die Ausgangsspannung U2 setzt sich zusammen aus einer Spannung, die proportional
zum Eingangsstrom I1 ist (Proportionalitätsfaktor Z21), und aus dem Spannungsabfall,
den der Ausgangsstrom I2 an dem Ausgangswiderstand Z22 hervorruft.
Alle Z-Parameter haben die Dimension von Widerständen.
Diese Widerstände sind folgendermaßen definiert:
Leerlauf-Eingangswiderstand Leerlauf-Rückwirkungswiderstand
U1 U1
Z 11 = Z 12 =
I1 I = 0 I2 I =0
2 1

Leerlauf-Übertragungswiderstand Leerlauf-Ausgangswiderstand
U2 U2
Z 21 = Z 22 =
I1 I = 0 I2 I =0
2 1

Z-Parameter sind für Transistoranwendungen ungünstig, da Leerläufe (insbesondere I1 =

0) messtechnisch schwer realisierbar sind.

B.1.2 Die Y-Parameter

Den Vierpolgleichungen mit Y-Parametern I1 = Y11 ⋅ U1 + Y12 ⋅ U 2

I2 = Y21 ⋅ U1 + Y 22 ⋅ U2
entspricht folgendes Ersatzschaltbild:

I1 Y12⋅U2 Y21⋅U1 I2
Abbildung B-4
Vierpol mit Y-Parametern U1 Y11 Y22 U2

372
Anhang B – Vierpoltheorie

Y-Parameter haben die Dimension von Leitwerten.

Sie sind folgendermaßen definiert:
Kurzschluss-Rückwirkungsleitwert
Kurzschluss-Eingangsleitwert (Rückwärts-Steilheit)
I I
Y11 = 1 Y12 = 1
U1 U = 0 U2 U = 0
2 1

Kurzschluss-Übertragungsleitwert
(Vorwärts-Steilheit) Kurzschluss-Ausgangsleitwert
I I2
Y 21 = 2 Y 22 =
U1 U = 0 U2 U = 0
2 1

Y-Parameter werden überwiegend für HF-Anwendungen von Transistoren benutzt.

B.1.3 Die H-Parameter (= Hybrid-Parameter)

Den Vierpolgleichungen mit H-Parametern U1 = H11 ⋅ I1 + H12 ⋅ U 2

I 2 = H 21 ⋅ I1 + H 22 ⋅ U 2
entspricht folgendes Ersatzschaltbild:

I1 H11 H21⋅I1 I2
Abbildung B-5
Vierpol mit H-Parametern
U1 H12⋅U2 H22 U2

Die H-Parameter sind folgendermaßen definiert:

Kurzschluss-Eingangswiderstand Leerlauf-Spannungsrückwirkung
U1 U1
H11 = H 12 =
I1 U
U2 = 0 2 I1 = 0

Kurzschluss-Stromverstärkung Leerlauf-Ausgangsleitwert
I2 I2
H 21 = H 22 =
I U2
1 U2 = 0 I1 = 0

H-Parameter werden überwiegend für NF-Anwendungen von Transistoren benutzt.

In diesem Frequenzbereich sind die H-Parameter grundsätzlich reell (H11; H12 usw.).
Zwischen den Ein- und Ausgangsgrößen wird damit keine Phasendrehung verursacht.
Deshalb können auch diese als reell eingesetzt werden (I1; U1 usw.).

373
Anhang B – Vierpoltheorie

B.2 Transistor als linearer Vierpol

Der bipolare Transistor ist ein nicht-lineares Bauelement, d.h. die verschiedenen Ströme
und Spannungen am Transistor zeigen keine linearen Zusammenhänge (⇒ nicht-lineare
Kennlinien).
Die grafische und insbesondere rechnerische Analyse von Transistorschaltungen kann sich
wegen dieses nicht-linearen Verhaltens schwierig gestalten.
Wird einem Transistorverstärker im Arbeitspunkt jedoch ein Wechselsignal kleiner
Amplitude überlagert, so können die dabei überstrichenen Kennlinienstücke in guter
Näherung als linear angesehen werden. Für kleine Aussteuerungen darf der Transistor
daher als lineares Bauelement betrachtet werden.

B.2.1 Die h-Parameter des Transistors (Beachte die Fußnote (3))

Da ein Transistor nur drei Anschlüsse besitzt, muss bei der Vierpol-Betrachtung jeweils
ein Anschluss sowohl dem Eingang als auch dem Ausgang zugerechnet werden. Hierfür
gibt es drei Möglichkeiten ⇒ drei Transistor-Grundschaltungen:

Abbildung B-6 Der Transistor als Vierpol in drei Grundschaltungen

ie ic
Basisschaltung
ueb ucb

ic
Emitterschaltung ib

uce
ube

ie
Kollektorschaltung ib
uec
ubc

Die Vierpol-Parameter eines Transistors sind von der Transistorgrundschaltung abhängig.

Durch einen zusätzlichen Index wird angezeigt, für welche Grundschaltung der Parameter
gilt, z.B. h11e, h12e, h21e, h22e für Emitterschaltung.

(3)
Für die Ein- und Ausgangsgrößen des Transistors wird die nach DIN 41785 vorgesehene Groß- und
Kleinschreibung von Größenzeichen und Index angewandt. Größenzeichen und Index der für
Wechselstrom gültigen transistorinternen Vierpolparameter werden nach DIN 41785
kleingeschrieben.
374
Anhang B – Vierpoltheorie

h-Parameter für Emitterschaltung:

Der Parameter h11e gibt den differentiellen

Basis-Emitter-Widerstand rbe des Transistors
u du im Arbeitspunkt an.
h11e = be = BE = rbe Er kann aus der Steigung der
ib di B
u ce = 0 u CE = konst. Eingangskennlinie IB = f(UBE) im Arbeitspunkt
(für uCE = UCE = konst.) abgeleitet werden.
Der Parameter h12e gibt die
Spannungsrückwirkung vr an. Er kann aus der
u du Steigung der Rückwirkungskennlinie
h12e = be = BE = vr UBE = f(UCE) im Arbeitspunkt
u ce du CE i
ib = 0 B=konst (für iB = IB = konst.) abgeleitet werden.
Der Wert des Parameters ist in der Regel sehr
klein und wird meist vernachlässigt.
Der Parameter h21e stellt die Stromverstärkung
β des Transistors im Arbeitspunkt dar.
i di Er kann aus der Steigung der Übertragungs-
h 21e = c = C =β
ib di B kennlinie IC=f(IB) (Stromsteuerkennlinie)im
u ce = 0 uCE =konst Arbeitspunkt (für uCE = UCE = konst.) abgeleitet
werden.

Der Parameter h22e stellt den differentiellen

ic di C 1 Ausgangsleitwert des Transistors dar.
h 22e = = = Er kann aus der Steigung der
u ce du CE rce
ib = 0 iB=konst Ausgangskennlinie IC=f(UCE) im Arbeitspunkt
(für iB = IB = konst.) ermittelt werden

Unter Vernachlässigung des sehr kleinen Parameters h12e = vr ergibt sich folgendes
Wechselstrom-Ersatzschaltbild des Transistors in Emitterschaltung:

Abbildung B-7 ib β⋅ib ic

Wechselstrom-Ersatzschaltbild 1
des bipolaren Transistors in
Emitterschaltung ube rbe rce uce
(Steuerung durch ib)

Ersetzt man in dem Ersatzschaltbild nach Abbildung B-7 ib in der gesteuerten Stromquelle
durch ib = ube/rbe, so erhält man β⋅ib = β⋅ube/rbe = S⋅ube mit der Steilheit S = β/rbe.

Abbildung B-8 ib S⋅ube ic

Wechselstrom-Ersatzschaltbild 2
des bipolaren Transistors in
Emitterschaltung ube rbe rce uce
(Steuerung durch ube)

Die Steilheit S entspricht der Steigung der Übertragungskennlinie IC = f(UBE) (in

Datenblättern meist nicht dargestellt) im Arbeitspunkt.
375
Anhang B – Vierpoltheorie

B.2.2 Ermittlung der h-Parameter aus den Kennlinien des Transistors

Abbildung B-9 Ermittlung der h-Parameter aus den Kennlinien des Transistors

IC/mA
Übertragungskennlinie
(für UCE = konst.) 6
1,0
5

0,8 1 ∆i C
h 22e = = 4
rce ∆u CE
I B / AP
Arbeits-
∆iB 0,6
Übertragungs- 3 IB/µA
Kennlinie ∆iC
AP ∆iC
0,4 AP ∆uCE 2
∆i C GS-Arbeitsgerade
h 21e = β =
∆i B 0,2 1
U CE / AP

UCE/V
6 4 2 O 4 8 12
IB/µA

0,2

Im jeweiligen Arbeitspunkt
GS-Arbeitsgerade werden die Tangenten an die
0,4
einzelnen Kennlinien angelegt.
AP
Die Vierpol-Parameter ergeben
∆uBE 0,6
sich dann aus der Steigung ∆y/∆x
der einzelnen Tangenten.
∆iB
0,8
∆u BE
h11e = rbe =
∆i B
AP
1,0

UBE/V

376
Anhang B – Vierpoltheorie

B.2.3 h-Parameter in Datenblättern von NF-Transistoren

Bei Transistoren für Wechselspannungsverstärker werden die h-Parameter mitunter in
Datenblättern angegeben.
Abbildung B-10 h-Parameter in Datenblättern
Häufig werden in Datenblättern für einen ausgewählten Arbeitspunkt
(z.B. UCE = 5V, IC = 2mA) bei niedriger Frequenz gültige Werte der
h-Parameter angegeben
Characteristics at Tamb = 25 °C

h-parameters Symbol Min. Typ. Max. Unit

at UCE = 5V, IC = 2mA, f = 1kHz

Small Signal Current Gain hfe - 330 - -

Input Impedance hie 3,2 4,5 8,5 kΩ

Output Admittance hoe - 30 60 µS

Reverse Voltage Transfer Ratio hre - 2⋅10-4 - -

Beachte die englischsprachigen Bezeichnungen:

h ie = h11e h re = h 12e h fe = h 21e h oe = h 22e

Für andere Arbeitspunkte müssen diese Werte mit Korrekturfaktoren HU und

HI (z.B. aus Kennlinien zu entnehmen) multipliziert werden.
Relative h-parameters Relative h-parameters
102 2,0
5 UCE =5V IC =2mA
HeU
HeI
1,5 hie
10 1 hie hfe
5
hre
hre 1,0

hfe
100
0,5 hoe
5
hoe

10-1 -1 0
10 5 100 5 101 0 10 20 30
IC /mA UCE /V

Berechnung der h-Parameter für einen bestimmten Arbeitspunkt:

Es gilt h xy e /AP = HeI ⋅ H eU ⋅ h xye/(2mA/5V)

z.B. IC = 0,4 mA, UCE = 10 V

⇒ h11e = 4 ⋅ 1,1 ⋅ 4,5 kΩ = 19,8 kΩ

377
Anhang B – Vierpoltheorie

B.2.4 Umrechnung der h-Parameter der Emitterschaltung auf die Basisschaltung

Während man die Vierpolparameter des Transistors in Emitterschaltung häufig aus
Datenblättern entnehmen kann, trifft dies auf die Vierpolparameter in Basisschaltung meist
nicht zu. Die Vierpolparameter der Basisschaltung lassen sich jedoch aus denen der
Emitterschaltung ableiten.

Abbildung B-11 ie α⋅ie ic

WS-Ersatzschaltung
des bipolaren ueb reb rcb ucb
Transistors in
Basisschaltung

Stromverstärkung
Für die Stromverstärkung α gilt:
ic β ⋅ ib
α= =
− i e (β + 1) ⋅ i b

β h 21e
α= bzw. h 21b =
β +1 h 21e + 1
Eingangswiderstand
u eb
Für den Eingangswiderstand gilt: reb =
ie
u be
Mit ueb = - ube ; ie = - (β+1) ⋅ ib und = rbe
ib
rbe h11e
wird daraus: reb = bzw.: h11b =
β +1 h 21e + 1

Ausgangswiderstand
Die Berechnung des Ausgangswiderstandes ist etwas aufwendiger und geht von den
Ausgangskennlinien in Emitterschaltung aus (siehe Abbildung B-12).
Der Kollektorstrom ist bei konstantem Basisstrom wegen des Earlyeffekts von der
Kollektor-Basis-Spannung (und damit auch von der Kollektor-Emitterspannung) abhängig.
Die Kennlinie IC = f(UCE) für IB = IB1 = konst., auf der der Arbeitspunkt IC1/UCE1 liegt,
folgt der Gleichung:
IC1 U − U CE1 U + U CE
IC = IC1 + ⋅ ( U CE − U CE1 ) = IC1 ⋅ (1 + CE ) = I B1 ⋅ B1 ⋅ A
U A + U CE1 U A + U CE1 U A + U CE1
Löst man diese Gleichung nach IB1 auf und setzt ein in die Knotengleichung IE + IC + IB1 = 0
so lässt sich folgender Zusammenhang zwischen IC und IE herleiten:
B1 ⋅ ( U A + U CE )
I C = −I E ⋅ (für IB = IB1)
(B1 + 1) ⋅ U A + B1 ⋅ U CE + U CE1

378
Anhang B – Vierpoltheorie

Durch Differentiation dieser Gleichung lässt sich (für jeden Punkt auf der
Ausgangskennlinie mit IB = IB1) die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektor-
Emitter-Spannung bei konstantem Emitterstrom ableiten.
dI C B1 ⋅ ( U A + U CE1 )
Es ergibt sich: = −I E ⋅
dU CE [(B1 + 1) ⋅ U A + B1 ⋅ U CE + U CE1 ]2

Im Arbeitspunkt gelten folgende Beziehungen:

UCE = UCE1 ; IE = IE1 ; B1 + 1 und dUCE = dUCB

I E1 = I C1 ⋅
B1

dI C I C1
Für den Arbeitspunkt ergibt sich daher =
dU CB AP
(B1 + 1) ⋅ ( U A + U CE1 )

dI C 1 I C1 1
Mit = = h 22b ; = = h 22e und B1 ≈ β = h21e
dU CB rcb U A + U CE1 rce
wird daraus schließlich:
h 22e
rcb = (β+1)⋅ rce bzw. h 22b =
h 21e + 1
Umrechnung der Vierpolparameter von Basis- in Emitterschaltung
Die Vierpolparameter der Basisschaltung lassen sich in die Vierpolparameter der
Emitterschaltung umrechnen:
h11b reb
h11e = ⇒ rbe =
1 − h 21b 1− α

h 21b α
h 21e = ⇒ β=
1 − h 21b 1− α

h 22b 1/rcb
h 22e = ⇒ 1/rce =
1 − h 21b (1 − α)

Die Differenz (1-α) ist sehr klein (z.B. 0,001 bis 0,05). Deshalb bewirken bereits kleine
Ungenauigkeiten der Stromverstärkung α (z.B. Rundungsfehler) große Fehler bei der
Umrechnung der Vierpolparameter.

B.2.5 Theoretisch ermittelte Näherungswerte der Vierpolparameter des Transistors

Eingangswiderstand
Die Basis-Emitterstrecke des bipolaren Transistors gehorcht der allgemeinen
Kennliniengleichung des pn-Übergangs
U BE
m⋅UT
I B = I S ⋅ (e − 1) mit m = 1 . . . 2
U BE
m⋅U T
Mit UBE >> UT wird daraus I B ≈ IS ⋅ e

379
Anhang B – Vierpoltheorie

Differenziert man IB nach UBE so erhält man den differentiellen Leitwert im Arbeitspunkt:
U BE
dI B 1 IB
≈ IS ⋅ ⋅ e m⋅UT ≈
dU BE m ⋅ UT m ⋅ UT

Der Kehrwert hiervon ist der differentielle Eingangswiderstand des Transistors im

Arbeitspunkt:
dU BE m ⋅ U T
rbe = ≈
dI B IB
Ist kein Wert für m bekannt, so wählt man m = 1 und erhält
UT
näherungsweise h11e = rbe ≈ mit UT ≈ 26 mV (für T = 300 K)
IB

Steilheit
Der Kollektorstrom des Transistors lässt sich darstellen mit der Gleichung
U BE
UT
I C ≈ − I ES ⋅ e
Durch Differenzieren dieser Gleichung lässt sich die Steilheit S ermitteln zu
U BE
dI C UT 1 I IC
S= ≈ − I ES ⋅ e ⋅ = C S≈
dU BE UT UT UT

Ausgangswiderstand
Die Verlängerungen des linearen Teils aller Ausgangskennlinien des bipolaren Transistors
in Emitterschaltung schneiden die Spannungsachse bei der Early-Spannung -UA.
IC
Abbildung B-12 AP
Ermittlung des
Ausgangswiderstandes
mittels Earlyspannung IC1
UCE
UA UCE1
Die Steigung einer Kennlinie ist daher:
1 dI C ∆I C I C1
h 22e = = ≈ =
rce dU CE AP
∆U CE AP
U CE1 + U A

Ist der Ausgangswiderstand rce für einen Arbeitspunkt bekannt, so lassen sich die
Earlyspannung und die Ausgangswiderstände für andere Arbeitspunkte näherungsweise
bestimmen.
UA = rce1⋅IC1 – UCE1
1 I C2
≈
rce2 rce1 ⋅ I C1 + ( U CE 2 − U CE1 )

380
 Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C Anhang C - Lösungen der Übungsaufgaben

C.1 Halbleiterphysik (zu Abschnitt 1)
Aufgaben 1-1 Ladungsträger
(a) An der Stromleitung in Halbleitern können Elektronen und Löcher beteiligt sein.
(b) Ein Loch ist ein durch Ionisierung eines Halbleiteratoms (Abtrennung eines
Valenzelektrons) entstandener positiv geladener Bereich innerhalb eines
Halbleiterkristalls. Durch Zuwandern eines Elektrons von einem Nachbaratom
wandert das Loch dorthin usw..
Aufgaben 1-2 Leitungsmechanismen im Halbleiter
(a) Bei der Paarbildung wird ein Valenzelektron durch Energiezufuhr aus einer
Paarbindung herausgelöst (Ionisierung eines Gitteratoms). Dabei entsteht ein freies
Elektron und ein Loch.
(b) Bei der Rekombination wird ein freies Elektron von einem Loch „eingefangen“. Das
Loch verschwindet; das Elektron ist nicht mehr frei.
(c) Unter Dotieren versteht man das gezielte Einfügen von Fremdelementen in einen
Halbleiterkristall.
(d) Im n-leitenden Halbleiter beruht die Leitfähigkeit vorzugsweise auf freien
Elektronen, die durch Dotieren des Kristalls mit 5-wertigen Fremdatomen erzeugt
wurden.
(e) Im p-leitenden Halbleiter beruht die Leitfähigkeit vorzugsweise auf Löchern, die
durch Dotieren des Kristalls mit 3-wertigen Fremdatomen erzeugt wurden.
(f) Durch Dotierung eines Halbleiterkristalls kann die Konzentration einer
Ladungsträgerart (freie Elektronen oder Löcher) gegenüber der Intrinsic-
Konzentration erhöht werden. Die Konzentration der jeweils anderen
Ladungsträgerart sinkt dabei gegenüber der Intrinisic-Konzentration. Die in der
Mehrzahl vorhandenen Ladungsträger werden Majoritätsträger, die in der
Minderzahl vorhandenen Ladungsträger Minoritätsträger genannt.
(g) Die zur Ionisierung der Fremdatome erforderliche Energie ist bereits bei sehr
niedrigen Temperaturen (< 100 ... 150 K) erreicht, so dass bei höheren Temperaturen
alle Fremdatome ionisiert sind (Störstellenerschöpfung). Die Konzentration der
Majoritätsträger hat daher für übliche Betriebstemperaturen von Halbleitern einen
temperaturunabhängigen, der Dotierungskonzentration entsprechenden Wert.
Aufgaben 1-3 Massenwirkungsgesetz
(a) Das Massenwirkungsgesetz lautet n0 ⋅ p0 = ni2.
(Das Produkt aus Elektronen- und Löcher-Konzentration ist im thermodynamischen
Gleichgewicht gleich dem Quadrat der Intrinsic-Konzentration)
(b) Die Minoritätsträger sind Löcher, mit einer Konzentration (bei T = 300 K) von
p0 = ni2/(ND – NA) = (1,5⋅1010 cm-3)2/1016 cm-3 = 2,25⋅104 cm-3 bei Silizium und
p0 = (2,5⋅1013 cm-3)2/1016 cm-3 = 6,25⋅1010 cm-3 bei Germanium

381
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

(c) Bei T = 400 K beträgt die Minoritätsträgerkonzentration

p0 = (4⋅1012 cm-3)2/1016 cm-3 = 1,6⋅109 cm-3 bei Silizium und
p0 = (1015 cm-3)2/1016 cm-3 = 1014 cm-3 bei Germanium
(d) n0 = p0 = ni = 1,5⋅1010 cm-3

Aufgaben 1-4 Energie-Bänder-Schema

(a) Das Valenzband ist innerhalb eines Energiebänderschemas jener Energiebereich, der
von Valenzelektronen eingenommen werden kann. Das Leitungsband ist der
Energiebereich, den freie Elektronen innerhalb eines Kristalls einnehmen können.
Energieniveaus innerhalb des verbotenen Bandes können von Elektronen der
Halbleiteratome nicht eingenommen werden.
(b) 1 eV = 1,6 ⋅ 10-19 Ws
(Energie, die ein Elektron bei Beschleunigung durch U = 1V aufnimmt)
(c) Bandabstand ist die Differenz der Energieniveaus von Leitbandunterkante und
Valenzbandoberkante.
(d) Mindestenergie zur Anhebung eines Valenzelektrons ins Leitungsband
bei Silizium: WG = 1,1 eV
bei Germanium: WG = 0,7 eV
(e) Störterme sind Energieniveaus innerhalb des verbotenen Bandes.
Beim n-dotierten Halbleiter liegen die Energieniveaus der zum Kristallaufbau nicht
benötigten 5-ten Valenzelektronen der Fremdatome 20 .. 50 meV unterhalb der
Leitbandkante im verbotenen Band;
beim p-dotierten Halbleiter liegen die Energieniveaus der zur Ionisierung der 3-
wertigen Fremdatome zugewanderten Elektronen 20 .. 50 meV oberhalb der
Valenzbandkante im verbotenen Band.
(f) Das Ferminiveau ist jenes Energieniveau bei dem die Besetzungswahrscheinlichkeit
für Elektronen 50 % beträgt. Oberhalb des Ferminiveaus sinkt die
Besetzungswahrscheinlichkeit, unterhalb des Ferminiveaus steigt sie.
(g) Beim reinen Halbleiter liegt das Fermi-Niveau in der Mitte des verbotenen Bandes.
(h) Das Fermi-Niveau verschiebt sich beim n-dotierten Halbleiter in Richtung auf das
Leitungsband, beim p-dotierten Halbleiter in Richtung auf das Valenzband.
(i) Innerhalb des Leitungsbandes tritt die höchste Elektronendichte oberhalb der
Leitbandunterkante, aber in deren Nähe auf.
(j) Innerhalb des Valenzbandes tritt die höchste Löcherdichte unterhalb der
Valenzbandoberkante, aber in deren Nähe auf ?

C.2 Physik des pn-Übergangs (zu Abschnitt 2)

Aufgaben 2-1 pn-Übergang
(a) Der pn-Übergang ist die Grenzfläche zwischen einer p- und einer n-dotierten Zone
innerhalb eines Halbleiterkristalls.
(b) Beim Übergang von einer Seite des abrupten pn-Übergangs zur anderen Seite ändert
sich die Konzentration der Fremdatome sprunghaft von einem konstanten Wert auf
Null. Dies gilt in beiden Richtungen.

382
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgaben 2-2 pn-Übergang im thermodynamischen Gleichgewicht

(a) Auf Grund des Konzentrationsgefälles diffundieren Majoritätsträger über den pn-
Übergang.
(b) Da Majoritätsträger durch Diffusion über den pn-Übergang abwandern, während
die ortsfesten Raumladungen erhalten bleiben, laden sich die beiden Seiten des pn-
Übergangs elektrisch gegeneinander auf. Durch diese gegenseitige Aufladung wird
die Diffusion von Majoritätsträgern über den pn-Übergang beendet (siehe auch
Antwort (c)). Außerdem werden die Majoritätsträger von der gleichartig
aufgeladenen gegenüberliegenden Seite des pn-Übergangs abgestoßen. Unmittelbar
am pn-Übergang entsteht daher eine Zone ohne bewegliche Ladungsträger. Da sich
dort aber die ortsfesten Ladungen der Fremdatome befinden, nennt man diese Zone
die Raumladungszone.
(c) Durch Diffusion der beweglichen Ladungsträger über den pn-Übergang laden sich
die beiden Seiten elektrisch gegeneinander auf. Die dabei entstehende Spannung ist
die Diffusionsspannung. Sie wirkt dem Diffusionsbestreben entgegen und hält
diesem das Gleichgewicht.
(d) nA = nD in cm-3 14 15 16 17 18 19
10 10 10 10 10 10

UD/mV 456 575 694 813 932 1050

WS0/µm 3,44 1,22 0,424 0,145 0,049 0,016
2
cS0 in nF/cm 3 8,5 24,4 71,4 211 647
(e) n = p = ni = 1,5⋅1010 cm-3
(f) Das Ferminiveau liegt beim pn-Übergang ohne äußere Spannung überall auf gleicher
Höhe.

Aufgaben 2-3 pn-Übergang mit äußerer elektrischer Spannung

(a) Flusspolung: Plus-Pol auf der p-Seite; Minus-Pol auf der n-Seite;
Sperrpolung: Plus-Pol auf der n-Seite; Minus-Pol auf der p-Seite.
(b) Upn = UR + UD
(c) E ≈ 0
(d) Durch die angelegte Sperrspannung werden die Majoritätsträger vom pn-Übergang
weggezogen. Die Ausdehnung der Raumladungszone nimmt zu. Durch die damit
anwachsende Raumladung wächst die Spannung über der Raumladungszone bis sie
der äußeren Spannung das Gleichgewicht hält.
(e) Durch Eigenleitung (Paarbildung) entstehen in der Raumladungszone freie
Elektronen und Löcher. Diese werden durch das elektrische Feld in der
Raumladungszone getrennt und führen zu einem kleinen (Minoritätsträger)-
Sperrstrom
(f) Das Massenwirkungsgesetz gilt bei angelegter äußerer Sperrspannung außerhalb der
Raumladungszone, nicht jedoch innerhalb der Raumladungszone.
(g) Eine Spannung in Flusspolung schwächt die interne, der Diffusion entgegenwirkende
(Anti-)Diffusionsspannung. Die Majoritätsträger diffundieren daher ihrem
Konzentrationsgefälle folgend über den pn-Übergang.
(h) Es muss nur die Diffusionsspannung geschwächt werden. Diese beträgt weniger als 1V.

383
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

(i) Bei Flusspolung diffundieren Majoritätsträger über die Raumladungszone. Sie dringen
in die gegenüberliegende Zone ein, ehe sie mit den dortigen Majoritätsträgern
rekombinieren. Die eindiffundierten Ladungsträger erhöhen in der Umgebung der
Raumladungszone die Minoritätsträgerdichte. Dies wirkt wie eine Kapazität.
Aufgaben 2-4 Durchbruch des pn-Überganges
(a) Beim Lawineneffekt werden die Elektronen im Feld der Raumladungszone
beschleunigt bis sie ausreichend Energie aufgenommen haben, um beim
Zusammenstoß mit Gitteratomen Elektronen aus ihren Bindungen herauszuschlagen.
Bei hinreichender Ausdehnung der Raumladungszone wiederholt sich der Vorgang, so
dass ein lawinenartiger Stromanstieg auftritt. Der Lawineneffekt tritt bei gering bis
mittel hoch dotierten pn-Übergängen auf.
Beim Zenereffekt werden Elektronen durch die elektrostatischen Kräfte des
elektrischen Feldes in der Raumladungszone aus ihren Bindungen herausgerissen. Der
Zenereffekt ist ein Tunneleffekt; er tritt bei sehr hoch dotierten pn-Übergängen auf.
(b) Unter dem 2. Durchbruch versteht man die Zerstörung des pn-Übergangs auf Grund
von thermischer Überlastung.
Aufgaben 2-5 Temperaturabhängigkeit des pn-Überganges
(a) Bei steigender Temperatur sinkt die Durchlaßspannung, die für einen bestimmten
Flussstrom erforderlich ist.
(b) Der Temperaturdurchgriff Dϑ gibt an, wie stark sich die Flussspannung des pn-
Übergangs mit der Temperatur ändert. Er beträgt etwa Dϑ = - 2 mV/K
(c) Der Sperrstrom eines pn-Übergangs steigt mit steigender Temperatur. Es gilt
näherungsweise eine Verdoppelung für eine Temperaturerhöhung um 10 K.
(d) Beim Lawineneffekt steigt die Durchbruchspannung mit der Temperatur, weil die
freien Weglängen der Elektronen mit steigender Temperatur abnehmen.
Beim Zenereffekt sinkt die Durchbruchspannung mit steigender Temperatur, weil
bereits geringere Feldstärken ausreichen, Elektronen aus ihren Bindungen
herauszureißen.
In beiden Fällen beträgt der Betrag des Temperaturkoeffizienten etwa 10-4/K.
Aufgaben 2-6 Dynamisches Verhalten des pn-Überganges
(a) Kapazitives Verhalten tritt beim Einschalten kleiner Ströme auf. Induktives Verhalten
tritt auf beim Einschalten großer Ströme (insbes. bei Hochinjektion).
(b) Wird abrupt und niederohmig von Flusspolung in Sperrpolung umgeschaltet, so ist der
von Ladungsträgern überschwemmte pn-Übergang zunächst nicht sperrfähig. Es fließt
Strom in umgekehrter Richtung. Erst wenn der pn-Übergang frei von beweglichen
Ladungsträgern ist, reißt der („rückwärts“ gerichtete) Strom ab und der pn-Übergang
kann Sperrspannung aufnehmen.
(c) Unter der Sperrerholzeit versteht man die Zeit vom Umschalten in Sperrichtung bis
der pn-Übergang 90 % der Sperrspannung aufgenommen hat.

C.3 Metall-Halbleiter-Übergängen (zu Abschnitt 3)

Aufgaben 3-1 Austrittsarbeit, Elektronenaffinität
(a) Die Vacuumenergie ist jene Energie, bei der Elektronen einen Festkörper nach außen
(ins Vacuum) verlassen können.

384
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

(b) Die Austrittsarbeit ist die Energiedifferenz zwischen Ferminiveau und

Vacuumenergie.
(c) Die Elektronenaffinität bei Halbleitern ist die Energiedifferenz zwischen
Leitbandunterkante und Vacuumenergie.

Aufgaben 3-2 Schottykontakt

(a) Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit höherer Austrittsarbeit (WM > WH)
(b) Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit geringerer Austrittsarbeit (WM < WH)
(c) Die Schorrkybarriere ist eine Energiebarriere zwischen Metall und Halbleiter mit der
Größe WBn0 = WM - Wχ (Austrittsarbeit des Metalls minus Elektronenaffinität im
Halbleiter)
(d) Bei Sperrpolung wird ein Elektronenstrom vom Metall zum Halbleiter durch die
Schottkybarriere verhindert; ein Majoritätsträgerstrom vom Halbleiter zum Metall
kommt nicht zustande, da sich die angelegte Sperrspannung zur Kontaktspannung
addiert und damit zu einer Vergrößerung der Potentialbarriere im Halbleiter führt.
(e) Bei Flusspolung wird die durch die Kontaktspannung bewirkte Potentialbarriere
zwischen Halbleiter und Metall reduziert. Es fließt daher ein Majoritätssträgerstrom
(immer) vom Halbleiter zum Metall.
(f) Der Sperrstrom am Schottkyübergang ist ein Majoritätsträgerstrom.

Aufgaben 3-3 Ohmscher Kontakt

(a) Übergang von n-Halbleiter zu Metall geringerer Austrittsarbeit (WM < WH)
(b) Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit höherer Austrittsarbeit (WM > WH)
(c) Es liegt keine oder nur eine sehr kleine Schottkybarriere vor. Es ist daher nicht nur
eine Strom vom Halbleiter zum Metall möglich wie beim Schottkykontakt, sondern
auch vom Metall zum Halbleiter.
(d) Beim entarteten Halbleiter liegt das Fermi-Niveau nicht innerhalb des verbotenen
Bandes, sondern im Leitungsband (n-Halbleiter) oder innerhalb des Valenzbandes
(p-Halbleiter). Dies tritt auf bei extrem hoher Dotierung (> 1019 cm-3). Beim Kontakt
eines Metalles mit einem entarteten n-Halbleiter hat die Schottkybarriere eine so
geringe Ausdehnung, dass sie in beiden Richtungen durchtunnelt werden kann. Es
liegt dann ein ohmscher Kontakt vor.

C.4 Dioden (zu Abschnitt 4)

Aufgabe 4-1 Allgemeine Fragen zu Dioden
(a) Der Spannungsabfall an den ohmschen Bahnwiderständen nimmt proportional zum
Strom zu; dies macht sich mit steigendem Strom in der Kennlinie bemerkbar.
(b) rf = dUF/dIF ≈ ∆UF/∆IF entspricht der Steigung der Diodenkennlinie im Arbeitspunkt.
(c) Entsprechend der Ausdehnung/Dicke der Intrinsic-Zone besitzt die Diode eine sehr
hohe Durchbruchspannung.
(d) Durch sehr hohe Dotierung von p- und n-Zonen erreicht man eine niedrige
Durchlassspannung.
(e) Z-Diode mit hoher Durchbruchspannung

385
 Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

(f) Beim hyperabrupten pn-Übergang ist die Dotierungskonzentration unmittelbar am

pn-Übergang stark überhöht. Dadurch erreicht man eine besonders starke
Abhängigkeit der Sperrschichtkapazität von der Sperrspannung.
(g) Die Backward-Diode kann zur Gleichrichtung von Spannungen im unteren mV-
Bereich ( z.B. < 300 … 400 mV) eingesetzt werden.
(h) Eigenschaften der Schottky-Diode:
(a) geringe Durchlassspannung
(b)sehr schnell (keine Minoritätsträgereffekte)
(c) relativ große Sperrströme (sind Majoritätsträgerströme)
(d)relativ geringe Durchbruchspannungen

Aufgabe 4-2 Grafische Ermittlung des Arbeitspunktes

Ermittlung des Arbeitspunktes als Schnittpunkt der Diodenkennlinie mit der Kennlinie
des aktiven Zweipols (Generatorkennlinie).
[Generatorkennlinie durch die Punkte 8V/0 mA (Leerlauf) und 0V/50 mA
(Kurzschluss)]
60
Kurzschluss
I/mA 1N4148
50 Arbeitspunkt
IF

40

Generatorkennlinie
30

20

10
Leerlauf

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 U/V 10
UF

Ermittelter Arbeitspunkt: IF = 45,6 mA; UF = 0,7 V (abgelesen)

Aufgabe 4-3 Einfache Widerstands-Diodenschaltungen

U1 = 0,7V I1 = 14,3mA I8 = 0 I15 = 12,2mA
U2 = 8,2V I2 = 6,8mA I9 = 0 I16 = 13,6mA
U3 = 6,1V I3 = 4,45 mA I10 = 14,3mA
U4 = 6,8V I4 = 1,65mA I11 = 13,6mA
U5 = 0,7V I5 = 6,1mA I12 = 0,7mA
U6 = 6,8V I6 = 6,8mA I13 = 6,8mA
U7 = 13,6V I7 = 6,8mA I14 = 1,4mA

386
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 4-4 Dioden-Logigschaltung

Tabelle A Tabelle B

E1 E2 A E1 E2 A
0V 0V 0,7V 0 0 0
0V 5V 0,7V 0 1 0
5V 0V 0,7V 1 0 0
5V 5V 5V 1 1 1

Es liegt eine UND-Verknüpfung der Eingangssignale vor.

C.5 Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode (zu Abschnitt 5)

Aufgabe 5-1 Grafische Analyse der Stabilisierungsschaltung

I/mA
100

80
Bereich verbotener
Dauerverlustleistung
IZ
60
IZmax

40 Ptot

IZmin
20

0
0 2 4 UZ0 6 8 10 12 14 U/V

a) UZ0 ≈ 4,75 V rZ =∆UZ/∆IZ ≈ 1,5V/83mA ≈18 Ω

b) IZmin = 15 mA. Für kleinere Ströme wird die Z-Dioden-Kennlinie flacher
c) IZmax = 53 mA
d) IZ ≈ 62 mA > IZmax (d.h. Arbeitspunkt im Bereich verbotener Leistung).
Bei UB = 12V und RV = 100 Ω darf die Schaltung nicht im Leerlauf (RL → ∞)
betrieben werden.

387
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 5-2 Grafische Analyse des zulässigenVorwiderstandes

I/mA ZD//RL
ZD

120

100

IZmax 80
RVmin
RVmax
60
RL

40

20
IZmin
U/V
0
UB(min) UB(max)
0 4 8 12 16 20 24 28

RVmin = 6V/80mA = 75 Ω RVmax = 18V/110mA = 164 Ω

Aufgabe 5-3 Überlagerung von Gleich- und Wechselspannung

rzdyn = rz u − α ⋅ U Z 2 ⋅ R th = 25Ω − 0,001K −1 ⋅ (12V) 2 ⋅ 140K / W = 4,84Ω

rzdyn 4,84Ω
û z ≈ û b ⋅ = 2V ⋅ = 0,048V
RV 200Ω
Die Welligkeit ist geringer als der zugelassene Wert von û z max = 0,1V

388
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.6 Netzgleichrichter (zu Abschnitt 6)

Aufgabe 6-1 Welligkeit der Ausgangsspannung

u20

uL

(a) RL/2
t

uL
RL → ∞

(b)
t

uL

(c) D1 unterbrochen
t

Aufgabe 6-2 Ausgangsspannung und Welligkeit verschiedener Gleichrichter

ÛC1 ∆UC1 f(∆UC1) ÛC2 ∆UC2 f(∆UC2) ÛL ∆UL f(∆UL)

A 37,6V 0,8V 100Hz
B -38,3V 1,8V 50Hz -38,3V 1,8V 50Hz -75,7V 1,6V 100Hz
C -38,3V 1,8V 50Hz -38,3V 1,8V 50 Hz -76,6V 3,6V 50Hz
D -38,3V 0,8V 100Hz -38,3V 0,8V 100Hz -76,6V 1,6V 100Hz

Aufgabe 6-3 Dimensionierung einer Gleichrichterschaltung

u L + n ⋅ U F0 24V + 2 ⋅ 0,8V
(a) U 2 RMS = = = 21,93V
2 ⋅ cos Θ 2 ⋅ cos 0,6

(b) R iT = 2 ⋅ û 2 ⋅ (sin Θ − Θ ⋅ cos Θ) − n ⋅ rf = 2 ⋅ 2 ⋅ 21,93V ⋅ (sin 0,6 − 0,6 ⋅ cos 0,6) − 2 ⋅ 0,05Ω
iL ⋅ π 2,5A ⋅ π

R iT = 448mΩ
π2 π2
(c) I 2RMS = ⋅ iL = ⋅ 2,5A = 4,5A
4⋅ π⋅Θ 4 ⋅ π ⋅ 0,6
PS2 = U 2  RMS ⋅ I 2RMS = 21,93V ⋅ 4,5A = 98,7 VA

389
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

i L ⋅ (π − 2 ⋅ Θ) 2,5A ⋅ (π − 1,2)
(d) C L ≈ = = 3860µF
ω ⋅ ∆U 2 ⋅ 50s −1 ⋅ π ⋅ 4V
π2 π2
(e) î 2 = ⋅ iL = ⋅ 2,5A = 10,28A
4⋅Θ 4 ⋅ 0,6
û 2l − n ⋅ U F0 2 ⋅ 21,93V − 2 ⋅ 0,8V
(f) I FSM = = = 53,7A
R iT + n ⋅ rf (448 + 2 ⋅ 50)mΩ

C.7 Drehstromgleichrichter (zu Abschnitt 7)

Aufgabe 7-1 Welligkeit am dreipulsigen Drehstromgleichrichter
50 %
Aufgabe 7-2 Stromflusszeit/-winkel des dreipulsigen Drehstromgleichrichters
tf = 6,67 ms; Θ = 2π/3
Aufgabe 7-3 Welligkeit am sechspulsigen Drehstromgleichrichter
86,6 %
Aufgabe 7-4 Stromflusszeit/-winkel des sechspulsigen Drehstromgleichrichters
Tf = 6,67 ms; Θ = 2π/3
Aufgabe 7-5 Ausgangsspannung bei Stern- und Dreieckschaltung
UY = 3 ⋅ U∆
Aufgabe 7-6 Glättungsdrossel
Die Drossel glättet die Ausgangsspannung (den Ausgangsstrom) durch Speicherung und
Abgabe von Energie. Die Energie wird im Magnetfeld gespeichert. Ein Magnetfeld
entsteht nur bei Stromfluss. Die Drossel glättet daher nur bei Belastung aber nicht im
Leerlauf.

C.8 Spannungsvervielfachung (zu Abschnitt 8)

Aufgabe 8-1 Ausgangsspannung der Delonschaltung
Bei Belastung der Delonschaltung wird die Spannung ûL = 2·û2 nicht erreicht, weil die
beiden Kondensatoren nicht gleichzeitig sondern abwechselnd aufgeladen werden. Wenn
der eine aufgeladen wird, ist der andere bereits wieder ein Stück entladen.
Aufgabe 8-2 Ausgangsspannung der Delonschaltung
Leerlauf: UL = 650 V
Belastet mit 5 mA: ûL = 600 V
Aufgabe 8-3 Einschaltvorgang bei der Villardschaltung
Nach 5 Netzperioden wird bei der Villiardschaltung im Leerlauf die Spannung uL > 1,9·û2
erreicht.
Nach einer Netzperiode: u L = û2
Nach zwei Netzperioden: uL = 1,5 · û2
Nach drei Netzperioden: uL = 1,75 · û2
Nach vier Netzperioden: uL = 1,875 · û2
Nach fünf Netzperioden: uL = 1,93755 · û2
390
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.9 Aufbau und Funktionsweise des bipolaren Transistors (zu Abschnitt 9)

Aufgaben 9-1 Transistorphysik
(a) Die Dotierung des Emitters muss sehr viel höher sein als die Dotierung der Basis,
damit eine hohe Stromverstärkung des Transistors erreicht wird.
(Majoritätsträgerstrom von der Emitter- zur Basiszone sehr viel größer als
Majoritätsträgerstrom von der Basis- zur Emitterzone. Geringe Rekombinationsrate in
der Basiszone).
(b) Die Dicke der Basisschicht muss möglichst gering sein, damit die vom Emitter
eindiffundierten Ladungsträger nicht in der Basiszone rekombinieren, sondern
möglichst vollständig die Kollektorseite erreichen ?
(c) Die Dotierung des Kollektors wird deutlich geringer als die des Emitters gewählt, um
eine hohe Durchbruchspannung des Kollektor-Basis-pn-Übergangs zu erreichen.
(d) Der Transistoreffekt besteht darin, dass durch eine Flussspannung zwischen Basis und
Emitter nur ein kleiner Majoritätsträgerstrom von der Basiszone zur Emitterzone, aber
ein sehr viel größerer Majoritätsträgerstrom von der Emitter- zur Basiszone ausgelöst
wird. Letzterer wird anschließend durch die Kollektor-Basis-Sperrspannung
größtenteils zum Kollektor abgesaugt. Mit einem kleinen Basisstrom kann damit ein
großer Kollektorstrom gesteuert werden.
(e) Zeichnet man die Minoritätsträgerdichte als Funktion des Ortes innerhalb der
Basisweite auf, so ergibt sich aufgrund des (konstanten) Konzentrationsgefälles der
Minoritätsträger das Diffusionsdreieck.
ni2 10 20
(f) n pB 0 = − +
= 17
cm −3 = 10 3 cm −3
NA − ND 10
520mV
n pB (0) = 10 3 cm −3 ⋅ exp = 4,85 ⋅ 1011 cm −3
26mV
- 10V
n pB (WB ) = 10 3 cm −3 ⋅ exp ≈0
26mV
(g) Bei dem Kollektor-Basis-Reststrom ICB0 handelt es sich um den Sperrstrom des
Kollektor-Basis-pn-Überganges.

Aufgaben 9-2 Transistoreigenschaften

(a) Die Kollektor-Basis-Sperrspannung beeinflusst die Ausdehnung der
Raumladungszone zwischen Kollektor und Basis und damit in geringem Umfang die
Größe der Basisweite. Bei größerer Kollektor-Basis-Spannung verkleinert sich die
Basisweite. Bei gleicher Ladungsträgerinjektion vom Emitter vergrößert sich damit
das Konzentrationsgefälle der Minoritätsträger in der Basis (steileres
Diffusionsdreieck) und damit der Kollektorstrom. Mit zunehmender Kollektor-
Emitter- (und damit wachsender Kollektor-Basis-Spannung) steigt daher der
Kollektorstrom leicht an.

391
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

(b) Basisschaltung:
Die Ausgangskennlinien zeigen den Zusammenhang zwischen Kollektorstrom und
Kollektor-Basis-Spannung, jeweils für konstanten Emitterstrom.
Im ersten Quadranten des Kennlinienfeldes eines npn-Transistors gilt immer UCB ≥ 0
V. Damit können immer alle Minoritätsträger aus der Basis zum Kollektor abgesaugt
werden, der Kollektorstrom ist unabhängig von UCB und die Ausgangskennlinien
verlaufen horizontal.
Im zweiten Quadranten ist UCB < 0, anstelle einer Sperrspannung liegt eine
Flussspannung zwischen Kollektor und Basis. Die Minoritätsträger können nicht mehr
von der Basis zum Kollektor abgesaugt werden; der Kollektorstrom nimmt drastisch
ab, die Ausgangskennlinien fallen steil auf IC = 0 ab.
Emitterschaltung:
Die Ausgangskennlinien zeigen den Zusammenhang zwischen Kollektorstrom und
Kollektor-Emitter-Spannung, jeweils für konstanten Basisstrom.
Für UCE ≥ UBE ist UCB ≥ 0; damit können alle Minoritätsträger aus der Basis zum
Kollektor abgesaugt werden. Der Kollektorstrom ist weitgehend unabhängig von der
Spannung UCE.
Für UCE < UBE liegt Flusspolung des Kollektor-Basis-Überganges vor. Die
Minoritätsträger werden nicht mehr vollständig zum Kollektor abgesaugt; der
Kollektorstrom nimmt ab, die Ausgangskennlinien fallen (im ersten Quadranten) steil
auf IC = 0 ab.
(c) B* << 1, da die Majoritätsträgerkonzentration des jetzt als Emitter arbeitenden
Kollektors 10x kleiner als die Majoritätsträgerkonzentration der Basis ist.
UCEmax* ≈ 60 V wegen hoher Dotierungskonzentration des jetzt als Kollektor
arbeitenden Emitters (zur Abschätzung siehe Abschnitt 2.2.4).
(d) Bei Sättigung (d.h. bei UCE < UBE) können wegen der Flusspolung des Kollektor-
Basis-Überganges nicht alle Minoritätsträger aus der Basis zum Kollektor abgesaugt
werden. Ein Teil fließt zum Basisanschluss, so dass der Basisstrom zu- und damit die
Stromverstärkung abnimmt.
(e) IC = (B+1) · ICB0
(f) Bei der Transitfrequenz ist die Wechselstromverstärkung auf β = 1 abgesunken.

C.10 Gleichstrombetrieb des Transistors (zu Abschnitt 10)

Aufgaben 10-1 Allgemeines zum Arbeitspunkt
(a) Unter dem Arbeitspunkt eines Transistors versteht man die gleichstrommäßig
eingestellten Werte von IB, UBE, IC und UCE.
(b) Von den 6 Strömen und Spannungen am Transistor können nur 2 frei gewählt werden
(z.B. ein Strom und eine Spannung); die übrigen sind dann ebenfalls festgelegt.
(c) Bei der Emitterschaltung Einprägen von Basisstrom oder Basis-Emitterspannung.
Bei der Basisschaltung Einprägen des Emitterstromes.

392
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 10-2 Grafische Analyse einer Transistorschaltung

Generatorkennlinie im Eingangskennlinienfeld:
Ersatzspannungsquelle für den Basis-Spannungsteiler:
R1 R1 ⋅ R 2
U 0T = U B ⋅ = 1,903 V R iT = = 3806Ω
R1 + R 2 R1 + R 2
U
I k = B = 500µΑ
R2
Hilfsgerade (U0T* = 1 V; Ik* = 263 µA) zeichnen und parallel verschieben durch Ik. a
Schnittpunkt mit Eingangskennlinie ergibt den Arbeitspunkt AP (eingangsseitig). b
Generatorkennlinie im Ausgangskennlinienfeld: c
UB = 10 V Ik = UB/RC = 122 mA
Arbeitsübertragungskennlinie zeichnen d
Arbeitspunkt b aus Eingangskennlinienfeld über Arbeitsübertragungskennlinie ins
Ausgangskennlinienfeld übertragen. e
IC/mA

c
0,6

100
Arbeits- 0,5
Übertragungs-Kennlinie
d 80
0,4

60 AP 0,3
I e IB/mA
40 0,2
RC
20 0,1

Ik I UCE/V
O 4 8 UB 12
IB/mA 0,6 0,4 0,2 UC
0,2
HG
RiT
0,4 IB = 290 µA
a
UBE = 795 mV
0,6 IC = 48 mA
AP UCE = 6,05 V
UB
b
0,8

1,0

UBE/V 393
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgaben 10-3 Stabilität des Arbeitspunktes bei Einprägung von IB und UBE
(a) Einprägung des Basisstromes:
Kollektorstrom reagiert kaum auf Exemplarstreuungen und Temperaturabhängigkeiten
von UBE aber sehr stark auf Änderungen der Stromverstärkung B.
(b) Einprägung einer konstanten Basis-Emitter-Spannung:
Kollektorstrom reagiert sehr stark auf Exemplarstreuungen und
Temperaturabhängigkeiten von UBE und B
Aufgaben 10-4 Gewährleistung der Arbeitspunktstabilität durch geeignete
Dimensionierung
100mV
RE ≥ = 200Ω
0,1 ⋅ 5mA
Gewählt wird der Normwert RE = 200 Ω
2 2
B ∆I 170
R iT ≤ ⋅RE ⋅ C = ⋅ 200Ω ⋅ 0,1 = 11560Ω
B max − B min IC 50
US 12V
R 2 ≤ R iT ⋅ ≈ 11560Ω ⋅ = 13403Ω
US − U R2 12V − 0,65V − 5mA ⋅ 200Ω
Gewählt wird der nächst-kleinere Normwert R2 = 12 kΩ
US − U R 2 12V − 1,65V
R1 = U = = 62009Ω
R2
+ IB 1,65V 5mA
R2 +
12kΩ 170
Gewählt wird der Normwert: R1 = 62 kΩ
Aufgaben 10-5 Berechnung der Arbeitspunktstabilität
∆ϑ = + 50 K
∆U BE = D U BE ⋅ ∆ϑ = (−2mV/K) ⋅ 50K = −100mV
∆ϑ
∆I CB0 = I CB0/25°C ⋅ (2 10K − 1) = 500nA ⋅ 2 5 − 1 = 15,5µΑ
δI C δI C − (R 1 + R 2 + R C ) R1 + R C
∆I C = ⋅ ∆U BE + ⋅ ∆I CB0 = [ ⋅ ∆U BE + ⋅ ∆I CB0 ] ⋅ B
δU BE δI CB0 R 2 ⋅ (R 1 + B ⋅ R C ) R1 + B ⋅ R C

∆I C = [
(15kΩ + 2,2kΩ + 330Ω ) ⋅ 100mV + 15kΩ + 330Ω ⋅ 15,5µΑ] ⋅170 = 2,47mA
2,2kΩ ⋅ (15kΩ + 170 ⋅ 330Ω ) 15kΩ + 170 ⋅ 330Ω

Aufgaben 10-6 Erklärung der Funktionsweise eines Stromspiegels

Der einfache Stromspiegel besteht aus zwei gleichen und thermisch optimal gekoppelten
Transistoren, deren Basis-Emitter-Strecken parallel geschaltet sind. Der eine Transistor
arbeitet mit kurzgeschlossener Basis-Kollektor-Strecke an der Sättigungsgrenze. Über
einen Kollektorwiderstand wird diesem Transistor ein eingeprägter (d.h. konstanter)
Referenzstrom zugeführt. Der Kollektorstrom dieses Transistors ist um den doppelten
Basisstrom geringer als der eingeprägte Referenzstrom. Seine Basis-Emitter-Spannung
stellt sich automatisch auf die für den Kollektorstrom notwendige Größe ein. Da dem
zweiten Transistor dieselbe Basis-Emitterspannung aufgeprägt wird, prägt er einer Last
denselben Kollektorstrom auf, der durch den ersten Transistor fließt. Der Eigenspannungs-
bedarf des einfachen Stromspiegels entspricht der Basis-Emitterspannung des zweiten
Transistors.

394
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Beim Wilson-Stromspiegel sind Referenzstrom und eingeprägter Laststrom gleich. Der

Ausgangswiderstand ist um den Faktor B/2 höher als beim einfachen Stromspiegel. Der
Wilson-Stromspiegel hat allerdings doppelten Eigenspannungsbedarf (2⋅UBE).

C.11 Wechselspannungsverstärker mit bipolarem Transistor (zu Abschnitt 11)

Aufgabe 11-1 Einzelfragen
(a) Die Koppelkondensatoren dienen dazu, den Verstärker gleichstrommäßig von
Signalquelle und Last zu trennen. Ohne diese Trennung würden Quelle und Last den
Arbeitspunkt des Transistors im Verstärker beeinflussen und selbst von einem
(unerwünschten) Gleichstrom durchflossen.
(b) Der Emitterkondensator beim Wechselspannungsverstärker in Emitterschaltung dient
dazu, eine (gleichstrommäßig gewollte) Gegenkopplung durch den
Emitterwiderstand wechselstrommäßig zu verhindern.
(c) Das Eingangssignal des Wechselspannungsverstärkers wird einem
Transistoranschluss zugeführt; das Ausgangssignal wird an einem zweiten
Transistoranschluss abgegriffen. Die Grundschaltung ist nach dem dritten Anschluss
benannt. In der Regel ist dieser unmittelbar oder mittels Kondensator auf ein festes
Potential gelegt.
(d) Emitterschaltung Basisschaltung
ube = rbe·ib + vr·uce ≈ rbe·ib ueb ≈ reb·ie
ic = β·ib + (1/rce)·uce ic = - α·ie + (1/rcb)·ucb≈ - α·ie.
ib β⋅ib ic ie α⋅ie ic

ube rbe rce uce ueb reb rcb ucb

(e) Die Vierpolparameter erhält man aus der Steigung der Transistorkennlinien im
Arbeitspunkt; den Eingangswiderstand rbe aus der Eingangskennlinie; die
Stromverstärkung β aus der Übertragungskennlinie IC = f(IB); den
Ausgangswiderstand aus der Ausgangskennlinie.
Für NF-Transistor finden sich häufig Angaben der Vierpolparameter für einen
bestimmten Arbeitspunkt im Datenblatt. Für einen abweichenden Arbeitspunkt
müssen diese Vierpolparameter mittels Korrekturfaktoren (aus Kennlinien zu
entnehmen) umgerechnet werden.
(f) Die Vierpolparameter für die Basisschaltung lassen sich aus denen der
h xye
Emitterschaltung errechnen mit Hilfe der Beziehung h xy b =
β +1

395
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 11-2 Auswahl einer Transistorgrundschaltung

(a) Basisschaltung US
(b) Stromlaufplan RC
R1 iq

Ck2
ii Ck1
uq
RL
ui R2 RE
CB
Gnd
(c) WS-Ersatzschaltbild ii E ie ie⋅α ic C iq

RE reb rcb RC RL
ui ueb ucb uq

B
(d) Rein~ = RE//reb Raus~ = rcb//RC ≈ RC
α ⋅ R aus~ //R L α ⋅ R C //R L R ein ~
VU = ≈ VI = VU ⋅ VP = VU · VI
reb reb RL

reb ⋅ R ein ~ R L ⋅ reb ⋅ VU

(e) R E = = 178 Ω RC = = 10,77kΩ
reb − R ein ~ α ⋅ R L − reb ⋅ VU

Aufgabe 11-3 Analyse eines Wechselspannungsverstärkers

(a) US – (IC + IB)·(RC1 + RE) – IB·RB - UBE = 0
U S − U BE
IB = = 13,72µΑ
R B + (B + 1) ⋅ (R C1 + R E )
IC = B·IB = 2,33 mA UCE = US – (IC + IB)·(RC1 + RE) – IC·RC2 = 6,05 V
(b) Wechselstrom-Ersatzschaltbild
ii E ie ie⋅α ic C iq

RC2
RE reb rcb ucb uq RL
ui ueb RC1 RB
B

(c) reb = rbe/(β + 1) = 13,7 Ω α = β/(β + 1) = 0,994

rcb = rce·(β + 1) = 16,1 MΩ
(d) Rein∼ = RE//reb = 13,47 Ω, Raus∼ ≈ RC2 + (RC1//RB) = 2993 Ω
α ⋅ R aus~ //R L
VU = VU = 108,7 für RL = 3 kΩ
reb
VU0 = 217 für RL → ∞

396
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 11-4 Verstärker in Kaskodeschaltung

(a) T1 in Emitterschaltung
T2 in Basisschaltung
ii B1 ib ib⋅β C1 E2 ie ie⋅α ic C2

(b)
ui R4 R5 rbe rce uce reb rcb R2 u
q
ube ueb ucb

E1 B2

(c) reb = rbe/(β+1) = 33,1 Ω

α = β/(β+1) = 0,994
rcb = rce·(β+1) = 18 MΩ
− β ⋅ (rce //reb ) α ⋅ (rcb //R 2 ) − β ⋅ reb α ⋅ R 2 R
(d) VU0 = ⋅ ≈ ⋅ = −α ⋅ β ⋅ 2 = 358
rbe reb rbe reb rbe

C.12 Transistor als Schalter (zu Abschnitt 12)

Aufgabe 12-1 Berechnung einer Speicherzeit

Berechnung der Zeitkonstanten aus den Datenblattangaben:

Für IC = -500 mA gilt B = 73 ≈ B0.
Damit wird IB0 ≈ IC1/B0 = - 6,85 mA und
I − 50mA −I B2M − 50mA
ü = B1 = = 7,3 und a= = = 7,3
I B0 − 6,85mA I B0 − 6,85mA
a + 0,9
τ E = t f /ln = 487ns
a + 0,1
a +1 a+ü
τ S = (t S − τ E ⋅ ln )/ln = 609ns
a + 0,9 a +1

Berechnung der Speicherzeit für den vorgesehenen Schaltvorgang:

Für IC = -1 A gilt B = 50 ≈ B0.

Damit wird IB0 ≈ IC1/B0 = - 20 mA und
I − 50mA −I B2M − 100mA
ü = B1 = = 2,5 und a= = =5
I B0 − 20mA I B0 − 20mA

a+ü a +1
t S = τ S ⋅ ln + τ E ⋅ ln = 136ns + 8ns = 144ns
a +1 a + 0,9

397
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 12-2 Transistor mit kapazitiver Last

(a) IB1 = 0,6 mA IC/mA B 0,6

Ptot
(b) siehe Zeichnung
100
C 0,5
80
0,4

60 0,3
(c) A-B: schnell IB/mA
B-C: langsam 40 0,2
C-Z: schnell
Z-D: schnell Z
20 RP 0,1
D-A: langsam

0
D A
UCE/V
(d) ICmax = 108 mA 0 10 20 30

Aufgabe 12-3 Allgemeine Fragen zum Schalttransistor

(a) Die Sättigungsgrenze ist ein Betriebszustand des Transistors, bei dem UCE = UBE und
damit UCB = 0 ist, also keine Sperrspannung mehr an dem Kollektor-Basis-Übergang
vorliegt. Wegen der intern noch vorliegenden Diffusionsspannung an diesem pn-
Übergang werden die vom Emitter in die Basis eindiffundierten Ladungsträger noch
zum Kollektor abgesaugt, der Transistor arbeitet noch annähernd mit seiner normalen
Stromverstärkung. Sinkt UCE unter UBE ab, können nicht mehr alle Minoritätsträger
zum Kollektor abgesaugt werden, die Stromverstärkung des Transistors sinkt deutlich
ab.
(b) Der Übersteuerungsfaktor ü gibt an, um welchen Faktor der Basisstrom IB1 des
Transistors im eingeschalteten Zustand größer ist, als der Basisstrom IB0, mit dem die
Sättigungsgrenze erreicht wird.
(c) Beim schnellen Umschalten eines Transistors von der Sättigung in den Sperrbetrieb
tritt kurzzeitig ein Basisstrom in „Sperrrichtung“ auf, mit dem die in der Basiszone
vorhandene Minoritätsträgerladung „ausgeräumt“ wird. Der Ausräumfaktor gibt an,
um welchen Faktor der Ausräumstrom IB2M größer ist als der Strom IB0, mit dem die
Sättigungsgrenze erreicht wird.
(d) Wird der Basisstrom eines in der Sättigung (übersteuert) betriebenen Transistors
plötzlich ausgeschaltet, so fließt der Kollektorstrom solange unverändert weiter, bis
die Speicherladung in der Basiszone abgebaut ist und etwa die Verhältnisse an der
Sättigungsgrenze erreicht sind.
(e) Die Speicherzeit lässt sich verhindern durch Vermeidung des gesättigten Betriebes.
Sie lässt sich bei gesättigtem Betrieb reduzieren durch geringe Übersteuerung und
kräftiges Ausräumen beim Ausschalten.
(f) Sowohl die Einschaltzeit als auch die Ausschaltzeit lassen sich minimieren durch
dynamisches Ansteuern beim Ein- bzw. Ausschalten.

398
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

(g) Der Schalttransistor wird vor Überspannungen beim Schalten einer induktiven Last
geschützt durch Begrenzung der induktiven Gegenspannung mittels Freilaufdiode,
Z-Diode oder RC-Beschaltung.
(h) Der Schalttransistor wird vor zu höhen Strömen beim Schalten einer kapazitiven Last
geschützt durch einen strombegrenzenden Widerstand in Reihe zur Kapazität.
(i) Die Ladungsträgerlaufzeit durch die Basiszone eines Transistors hängt von der
Basisweite ab und ist unabhängig von der Größe des Kollektorstromes.

C.13 Feldeffekttransistor (zu Abschnitt 13)

Aufgabe 13-1 Allgemeine Fragen
(a) Der Kanalwiderstand beim Sperrschicht-FET wird durch Änderung des
Kanalquerschnitts gesteuert.
(b) Die Pinch-Off-Spannung ist jene Sperrspannung an dem Gate-Kanal-pn-Übergang des
J-FET, bei dem der Kanal gerade vollständig abgeschnürt wird.
(c) Die Drain-Source-Spannung fällt entlang des Stromkanals ab. Die Potentialdifferenz
und die dadurch verursachte Ausdehnung der Raumladungszone zwischen Gatezone
und Stromkanal ist in Drainnähe am größten. Bei hinreichend großer Drain-Source-
Spannung führt dies zur völligen Abschnürung des Stromkanals in Drain-Nähe.
(d) Beim IG-FET oder MOS-FET wird der Kanalwiderstand durch Steuerung der
Leitfähigkeit im Kanal (Steuerung der Konzentration beweglicher Ladungsträger)
gesteuert.
(e) Beim IG-FET werden die Majoritätsträger im Kristall unter dem Gate verdrängt, die
Minoritätsträger jedoch angereichert. Unter dem Gate entsteht auf diese Weise ein,
durch eine ladungsträger-freie Zone (Raumladungszone) vom Rest des Kristalls
isolierter, leitfähiger Kanal von Minoritätsträgern (Inversionskanal).
(f) Beim FET vom Anreicherungstyp entsteht ein leitfähiger Kanal erst durch Anlegen
einer geeigneten Steuerspannung (z.B. Entstehung eines Inversionskanals bei
ausreichender Gate-Spannung UGS>UT0)
(g) Bei Verarmungstypen besteht ein leitfähiger Kanal ohne Anlegen einer
Steuerspannung. Durch eine geeignete Gatespannung kann die Leitfähigkeit reduziert
werden (bis zur völligen Sperrung des Kanals)
(h) Ein Sperrschicht-FET ist als Analogschalter geeignet, weil er einerseits vollständig
gesperrt werden kann und andererseits im leitenden Zustand keine Schwellspannung
besitzt, sondern nur einen niederohmigen Widerstand darstellt.

399
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 13-2 Konstantstromquelle

ID /mA
4
BF 245 A UGS = 0 V
c a
RS RLmax + RS
UDS = 15 V b - 0,25 V
3 d

- 0,5 V c

2 f
e - 0,75 V

1 - 1,0 V
RS + RL e
7,5 kΩ
-1,5 V
0
-3 UGS /V -2 -1 0 5 10 UDS /V 15

(a) Arbeitsgerade für RL = 0 im Ausgangskennlinienfeld

(b) Arbeitssteuerkennlinie für RL = 0
(c) RL = 0: ID = 2,25 mA; UDS =14,5 V
(d) ID = 2,25 mA = konstant für 0 ≤ RL ≤ 3,9 kΩ
(e) Arbeitssteuerkennlinie für RL = 7278 Ω
(f) RL = 7278 Ω: ID = 1,83 mA; UDS = 1,3 V

Aufgabe 13-3 FET als Analogschalter

(a) ust = +15 V: Variante A: uI = uG·(RL+rDSon)/(RiG + RL + rDSon) = 9,975 V
uQ = uG·RL/(RiG + RL + rDSon) = 9,960 V
Variante B: wie Variante A
(b) ust = -15 V: Variante A: uI = uG - RiG·(uG-ust)/(RG+RiG) = 9,990 V
uQ = 0
Variante B: uI = 10,000 V
uQ = -1,714 V

400
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 13-4 Wechselspannungsverstärker mit FET

(a) Grafische Ermittlung des Arbeitspunktes

R2
U G0 = US ⋅ = 1,76 V
R1 + R 2
0 -0,7 -0,75
6 6 UGS /V
ID ID -0,8
mA mA 2N4858
5 5 -0,85
RD+RS
-0,9
4 4
RS -0,95
-1,0
3 ID 3
-1,05
-1,1
2 2
-1,15
-1,2
1 1 -1,25
-1,3
-1,4
0 0
-3 -2 -1 0 1 2 0 5 10 15
UGS UG0 = 1,76 V UDS UDS/V US
UGS/V

Aus der Grafik lassen sich folgende Werte ablesen:

ID = 2,78 mA; UDS = 7,3 V; UGS = -1,02 V

(b) Wechselstromersatzschaltbild des Verstärkers

ii G ugs⋅S id D iq

RG
ug ui R1 R2 ugs rds uds RD uq RL

(c) S = ∆ID/∆UGS = 6mA/0,75V = 8mS

rds = ∆UDS/∆ID = 15V/0,63mA = 23,8 kΩ
VU = - S·(rds//RD//RL)
Leerlauf: VU0 = -14,76
Mit RL = 2 kΩ: VU = - 7,68

401
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 13-5 Verstärker mit FET in Kaskodeschaltung

(a) Wechselstromersatzschaltbild
ii G S·ugs D E ie ie⋅α ic C

ui R1 ugs rds uds ueb reb rcb R2 u

q
ucb

S B
(b) Vierpolparameter für die Basisschaltung
reb = rbe/(β+1) = 24,88 Ω
α = β/(β+1) = 0,995
rcb = rce·(β+1) = 20,1 MΩ
(c) Spannungsverstärkung
α ⋅ (rcb //R 2 ) α⋅R2
VU0 = −S ⋅ (rds //reb ) ⋅ ≈ −S ⋅ reb ⋅ = −S ⋅ α ⋅ R 2 = −59,7
reb reb

C.14 Aufbau und Funktionsweise des Operationsverstärkers (zu Abschnitt 14)

(a) Die meisten Operationsverstärker besitzen einen Differenzeingang, damit die Differenz
von Masse unabhängiger Spannungen gemessen werden kann.
(b) Die Eingangs-Gleichtaktspannung ist die Spannung der beiden auf (etwa) gleichem
Potential liegenden Eingänge gegenüber Masse.
(c) Die Eingangs-Offsetspannung ist jene Eingangsspannung, die zu Ausgangsspannung
UQ = 0 führt.
(d) Der Offsetstrom ist die Differenz der beiden Eingangsströme.
(e) Die Kaskodeschaltung ist eine Verstärkerschaltung aus zwei direkt gekoppelten
Transistoren. Der Eingangstransistor wird in Emitterschaltung (oder
Kollektorschaltung), der Ausgangstransistor in Basisschaltung betrieben. Die
Kaskodeschaltung verbindet den hohen Eingangswiderstand von Emitter- bzw.
Kollektorschaltung mit der großen Bandbreite der Basisschaltung.
(f) Bipolare integrierte Schaltungen werden vorzugsweise mit npn-Transistoren realisiert.
Hierbei werden Basis und Emitter in aufeinander folgenden Prozessschritten in einen
n-dotierten Kristall eindiffundiert. Die Schichtenfolge ist vertikal. Der Strom durch die
Basiszone fließt senkrecht zur Kristalloberfläche.
Sollen auf demselben Kristall auch pnp-Transistoren hergestellt werden, so können
Emitter und Kollektor im Rahmen der Basis-p-Diffusion in dem n-dotierten Kristall
nebeneinander erzeugt werden. Die Schichtenfolge ist horizontal. Der Strom durch die
Basis fließt parallel zur Oberfläche. Die Stromverstärkung dieses sog. Lateraltransistors
ist wegen der geringen Dotierungskonzentration des Emitters niedrig; die
Durchbruchspannung beider pn-Übergänge ist hoch.
(g) Die Slew Rate ist die höchste mögliche Änderungsgeschwindigkeit der
Ausgangsspannung eines Operationsverstärkers. Die Slew Rate begrenzt die Bandbreite
des Operationsverstärkers für Großsignalaussteuerung.

402
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.15 Operationsverstärker-Grundschaltungen (zu Abschnitt 15)

Aufgaben 15-1 Allgemeine Fragen
(a) Bei der Mitkopplung wird das Ausgangssignal auf den nicht-invertierenden Eingang
zurückgeführt
Bei der Gegenkopplung wird das Ausgangssignal auf den invertierenden Eingang
zurückgeführt.
(b) Komparator und Schmitt-Trigger gemeinsam ist, dass das Ausgangssignal zwischen
zwei entgegengesetzten Extremwerten umschaltet, wenn das Eingangssignal eine
bestimmte Schwellspannung über- oder unterschreitet.
Unterschiede bestehen darin, dass der Komparator ohne Rückkopplung nur mit seiner
Leerlaufverstärkung arbeitet, während der Schmitt-Trigger eine Mitkopplung beinhaltet.
Der Komparator besitzt daher nur eine einzige, von der Ausgangsspannung
unabhängige Schaltschwelle. Wird diese nur sehr langsam durchlaufen, dann erfolgt das
Umschalten des Ausgangssignals nicht mehr sprunghaft sondern langsam.
Der Schmitt-Trigger besitzt zwei unterschiedliche, vom Ausgangssignal abhängige
Schaltschwellen mit Hysterese. Durch den Mitkopplungseffekt erfolgt das Umschalten
des Ausgangssignales immer sprunghaft (mit der durch die Slew Rate vorgegebenen
maximalen Geschwindigkeit).
(c) Komparator und Schmitt-Trigger schalten am Ausgang um, wenn sich die Polarität der
Eingangsdifferenzspannung ändert, wenn also der Spannungswert UID = 0 V
durchlaufen wird (Nulldurchgang der Eingangsdifferenzspannung des
Operationsverstärkers)
Ein gegengekoppelter Verstärker hält seine Eingangsdifferenzspannung stets
automatisch auf UID ≈ 0 V, solange dies mit den möglichen Ausgangsspannungswerten
möglich ist.
(d) Eine Hysterese tritt beim Schmitt-Trigger auf. Die Hysterese besteht darin, dass der
Schmitt-Trigger in Abhängigkeit von seinen zwei unterschiedlichen
Ausgangsspannungswerten zwei unterschiedliche Schaltschwellen besitzt.
(e) Auf Grund der Eingangsoffsetspannung regelt der gegengekoppelte Verstärker seine
Eingangsdifferenzspannung nicht auf den Wert UID = 0,000V, sondern auf
UID = UI0 ≠ 0. Diese Offsetspannung wird mit dem Verstärkungsfaktor der nicht
invertierenden Schaltung verstärkt und führt zu Fehlern der Ausgangsspannung.
Manche Operationsverstärker besitzen spezielle Anschlüsse, an denen Potentiometer zur
Kompensation der Offsetspannung angeschlossen werden können. In anderen Fällen
werden geeignete Spannungen zur Kompensation der Offsetspannung am Eingang
addiert.
Die Eingangsströme des Operationsverstärkers verursachen (Fehl-)Spannungen an den
angeschlossenen externen Schaltungsteilen. Durch gleiche Innenwiderstände der an
beiden Eingängen angeschlossenen Netzwerke werden Fehler durch gleich große
Eingangsströme eliminiert. Fehler durch den Offsetstrom (Differenz der
Eingangsströme) werden hiervon nicht erfasst. Eine Reduzierung der Fehler durch
Offsetströme ist nur durch Vermeidung stark unterschiedlicher Betriebstemperaturen
und durch Einsatz von Verstärkern mit geringen Offsetströmen möglich.
(f) Die Schleifenverstärkung VS eines rückgekoppelten Operationsverstärkers gibt an, mit
welchem Verstärkungsfaktor VS und welcher Phasenlage ϕS ein ohne äußeres
Eingangssignal entstehendes Differenzeingangssignal uID nach Verstärkung durch den
Operationsverstärker und Rückkopplung über das Rückkopplungsnetzwerk auf den

403
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Differenzeingang zurückwirkt. Die Schleifenverstärkung ergibt sich aus dem Produkt

aus der komplexen Leerlaufverstärkung VU0 des Operationsverstärkers und dem
komplexen Rückkopplungsfaktor K des Rückkopplungsnetzwerks (VS = VU0 ⋅ K).
(g) Operationsverstärker bestehen grundsätzlich aus mehreren Verstärkerstufen. Jede dieser
Verstärkerstufen zeigt Tiefpassverhalten. Ein nicht frequenzkompensierter
Operationsverstärker zeigt daher neben einer ersten oberen Grenzfrequenz mit
anschließendem Verstärkungsabfall um 20 dB/Dekade weitere Eckfrequenzen mit
darauf folgendem Verstärkungsabfall um 40 bzw. 60 dB/Dekade. Da jeder Tiefpass
oberhalb seiner Grenzfrequenz zu einer Phasendrehung um -90° führt, treten beim
Operationsverstärker mit steigender Frequenz nacheinander Phasendrehungen um -90°,
-180° und -270° auf. Treten Phasendrehungen von -180° oder mehr bereits unterhalb
der Transitfrequenz des Verstärkers (VU0(fT) = 1) auf, so treten bei Gegenkopplung
(gleichbedeutend mit einer weiteren Phasendrehung um -180°) Phasendrehungen um -
360° und mehr auf. Damit wird aus einer Gegenkopplung eine Mitkopplung und der
Verstärker zeigt selbst-erregte, unkontrollierte Schwingungen.
(h) Durch geeignete Beschaltungen wird der Frequenzgang von Operationsverstärker oder
Rückkopplungsnetzwerk so korrigiert, dass die zweite Eckfrequenz erst oberhalb der
Transitfrequenz auftritt. Damit treten zu Mitkopplungseffekten führende
Phasendrehungen erst oberhalb der Transitfrequenz auf und führen nicht zum selbst
erregten Schwingen.
(i) Die Phasenreserve ist der Abstand der Phasendrehung des gegengekoppelten
Verstärkers von dem Wert -360° bei der Transitfrequenz der Gesamtschaltung. Die
Phasenreserve sollte mindestens 45° betragen.
(j) Typische frequenzkorrigierte (frequenzkompensierte) Operationsverstärker besitzen
eine sehr niedrige Grenzfrequenz (z.B. 10 Hz). Oberhalb dieser Grenzfrequenz fällt die
Leerlaufverstärkung mit -20 dB/Dekade bis zur zweiten Eckfrequenz, die oberhalb der
Transitfrequenz liegt. Damit lässt sich eine Phasenreserve von 90° erreichen, so dass
unkontrollierte Schwingungen sicher vermieden werden.

Aufgabe 15-2 Subtrahierer

Für einen Subtrahierer nach Abbildung 15-14 gilt laut Aufgabenstellung
R1 + R 3 R 4 R
U Q ≈ (U 2 ⋅ ⋅ − U1 ⋅ 3 ) = 3 ⋅ U 2 − 10 ⋅ U1
R 2 + R 4 R1 R1
Durch Koeffizentenvergleich erhält man: R3 = 10·R1
und damit 8·R4 = 3·R2
Wählt man R1//R3 = R2//R4 zur Vermeidung von Fehlern durch die
Verstärkereingangsströme, so erhält man weiterhin: 10·R1 = 3·R2
Insgesamt gilt also: 10·R1 = 3·R2 = R3 = 8·R4
Für den Subtrahierer werden daher folgende Widerstandswerte eingesetzt:
R1 = 2,4 kΩ; R2 = 8 kΩ; R3 = 24 kΩ; R4 = 3 kΩ

404
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 15-3 PI-Regler

(a) Für einen PI-Regler gemäß Abbildung 15-29 gilt:
 RF 1
t   1
t 
u Q (t) ≈ − u I (t) ⋅ + ⋅ ∫ u I (t) ⋅ dt  = − u I (t) ⋅ 3 + ⋅ ∫ u I (t) ⋅ dt 
 R1 R1 ⋅ C F 0   5s 0 
Damit wird RF/R1 = 3 und R1·CF = 5s.
Mit CF = 10 µF erhält man: R1 = 500 kΩ und RF = 1,5 MΩ
 1  1V
(b) Mit u Q (t ) = − 3 ⋅ u I (0) + u I (0) ⋅ t  = 3 ⋅ 1V + ⋅ t = 5V
 5s  5s
erhält man t =10s

Aufgabe 15-4 Schmitt-Trigger

R1
uIn
UP = 15V
uQ
R2 uIp

uI
R3 R4
Die Schaltbedingung für diesen Schmitt-Trigger lautet: uIp = uIn
R4 R3 R2
Aus der Gleichung u Ip = u I ⋅ ± U QM ⋅ = UP ⋅ = u In
R3 + R4 R3 + R4 R1 + R 2

R3 + R4  R2 R3 
ergibt sich u I1;2 = ⋅ U P ⋅  U QM ⋅ 
R4  R1 + R 2 R3 + R4 

R3
Aus den vorgegebenen Werten von R4 = 220 kΩ und Hysterese 2 ⋅ U QM ⋅ = 100mV
R4
erhält man R3 = 786 Ω
Die beiden Schaltschwellen liegen symmetrisch zu
R + R4 R2
U Ref = U P ⋅ 3 ⋅ = +150mV
R1 + R 2 R 4
Mit einem frei gewählten R2 = 1 kΩ und den Werten von R3 und R4 erhält man damit
R1 = 120 kΩ

405
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.16 Operationsverstärker-Schaltungen (zu Abschnitt 16)

Aufgabe 16-1 Funktionsgenerator
(a) Am Ausgang des Schmitt-Triggers entsteht eine Rechteckschwingung, am Ausgang des
Integrators eine Dreieckspannung.

(b) Berechnung der Schaltschwellen des Schmitt-Triggers:

R 2 //R 3 R 1//R 3 R 1//R 2
Aus UI ⋅ + UN ⋅ ± U QM ⋅ =0
R 1 + R 2 //R 3 R 2 + R 1 //R 3 R 3 + R 1//R 2
R 1 + R 2 //R 3  R 1//R 3 R 1 //R 2 
ergibt sich UI = − U N ⋅  U QM ⋅ 
R 2 //R 3  R 2 + R 1 //R 3 R 3 + R 1 //R 2 
Damit ergeben sich die Schaltschwellen:
US1 = 0V und US2 = +10V
UQ1/V
15

0 t

-15
UQ2/V
10

0 t
(c) Berechnung der Periodendauer
(2 x Dauer der Umladung von C zwischen den Schaltschwellen des Schmitt-Triggers)
C ⋅ ∆U 10 −6 As/V ⋅ 10V
T = 2⋅ = 2⋅ = 20ms
U QM /R 4 15V/15 ⋅ 10 3 Ω

Aufgabe 16-2 Maximalwert - Sample & Hold Verstärker

uFr

t
Freigabe

uSt
sample
t
hold hold

uI

uQ

406
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 16-3 Netzsynchronisierung

(a) FE1: Netzgleichrichter ohne Glättung
FE2: Komparator
FE3: Integrator
FE4: Analogschalter zum Entladen des Integrationskondensators
(b) und (c)
u2/V
15
10
5
0 10 20 30 40
0 t/ms
-5 u2 Uref
-10
-15

u/V
15
10 u4 9V
5
0 t/ms
-5
-10 u3

-15

Aufgabe 16-4 Dividierer mit R-2R-Netzwerk

(a) UIn ≈ 0V (Virtueller Nullpunkt)
(b) Der Strom bleibt unverändert.
u u Q /2 u Q /8 u Q 5
(c) − I = i Σ = 0 + +0+ = ⋅
R1 2⋅R 2⋅R 2⋅R 8
R 16
Daraus ergibt sich u Q = − u I ⋅ ⋅ = −6,4V
R1 5
u uQ u Q /2 u Q /4 u Q /8 u Q 15
(d) − I = i Σ = + + + = ⋅
R1 2⋅R 2⋅R 2⋅R 2⋅R 2⋅R 8
R 16
Daraus ergibt sich u Q = − u I ⋅ ⋅ = −2,133 V
R 1 15

407
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.17 Leistungs-Halbleiterbauelementen (zu Abschnitt 17)

Aufgabe 17-1 Phasenanschnittsteuerung
π π
1 Û 2 1
∫ Û 2 ⋅ sin 2 ϕ ⋅ dϕ =
π ∫α 2
U RMSα = ⋅ [1 − cos(2ϕ)] ⋅ dϕ
πα

1 sin (2α )
U RMSα = Û ⋅ ⋅ [π − α + ]
2π 2
1 Û
α = 0: U RMSα = Û ⋅ ⋅ (π ) = ≈ 0,707 ⋅ Û = U RMSmax
2π 2
π 1 3π sin (π/2) 3 1
α= : U RMSα = Û ⋅ ⋅[ + ] = Û ⋅ + ≈ 0,674 ⋅ Û
4 2π 4 2 8 4π
π 1 π
α= : U RMSα = Û ⋅ ⋅ = 0,5 ⋅ Û
2 2π 2
3π 1 π sin (3π 2 ) 1 1
α= : U RMSα = Û ⋅ ⋅[ + ] = Û ⋅ − ≈ 0,213 ⋅ Û
4 2π 4 2 8 4π
1 sin (2π )
α = π: U RMSα = Û ⋅ ⋅ [π − π + ]=0
2π 2
U RMS (α )
U RMSmax
1,0

0,5

0 α
0 π/2 π

Aufgabe 17-2 Hohe Strombelastbarkeit von IG-FETs

Beim IG-FET erreicht man eine hohe Strombelastbarkeit durch sog. Kurzkanalstrukturen
(FET-Strukturen mit Parallelschaltung zahlreicher extrem kurzer Inversionskanäle).

408
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.18 Optoelektrische Bauelemente (zu Abschnitt 18)

Aufgabe 18-1 Betrieb eines Photoelements im MPP
Iph/µA Kennlinien
200 1000 lx
R
800 lx

600 lx
MPP
100
400 lx

200 lx

0
0 200 400 Uph/mV

(a) Pmax = 115 µA · 270 mV = 31 µW

(b) R = 300 mV / 126 µA = 2380 Ω

Aufgabe 18-2 Optimale Betriebsweise des Fotoelements zur Lichtmessung

Das Fotoelement muss im
Kurzschlussbetrieb eingesetzt RF
werden.
UID = 0
UQ

Aufgabe 18-3 Luminiszenzdioden

Silizium ist ein indirekter Halbleiter. Die Rekombination von Elektronen und Löchern
erfolgt dabei über Rekombinationszentren im verbotenen Band oder durch
Stoßvorgänge mit Gitteratomen. In beiden Fällen wird Energie in Form von Wärme
(Gitterschwingungen), aber nicht in Form von Lichtstrahlung (Photonen) frei.
Aufgabe 18-4 Betriebsspannung von Leuchtdioden
Leuchtdioden haben Durchlassspannungen von > 1,5 V.
Aufgabe 18-5 Gradienten(index)faser
Die Lichtgeschwindigkeit in einem Medium ist abhängig vom Brechungsindex. Bei
niedrigerem Brechungsindex ist die Lichtgeschwindigkeit höher.
Lichtstrahlen, die in der Gradientenfaser nicht achsparallel laufen, legen daher zwar
größere Entfernungen zurück, dies aber vorzugsweise in Gebieten mit größerer
Lichtgeschwindigkeit. Dadurch ergeben sich vergleichbare Laufzeiten wie für
achsparallele Lichtstrahlen. Es tritt daher nur eine geringe Modendispersion auf.

409
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.19 Homogene Bauelemente (zu Abschnitt 19)

Aufgabe 19-1 Verlustleistung von Varistoren
Bei der Z-Diode wird die Verlustleistung PV = ∫ u Z ⋅ i Z ⋅ dt in dem äußerst geringen
Volumen der Raumladungszone frei. Hierdurch treten vergleichsweise hohe
Sperrschichttemperaturen auf.
Beim Varistor wird die Verlustwärme gleichmäßig über das Gesamtvolumen verteilt
freigesetzt. Dabei treten auch bei vergleichweise hohen Verlustleistungen nur geringe
Temperaturerhöhungen auf.
Aufgabe 19-2 Feldplatte - Hallsonde
Wegen der sehr viel geringeren Konzentration beweglicher Ladungsträger bewegen sich
diese im Halbleiter mit sehr viel höherer Geschwindigkeit als in Metallen (höhere
Beweglichkeit der Ladungsträger im Halbleiter).
Je höher die Geschwindigkeit der Ladungsträger ist, umso größer ist die ablenkende Kraft
im Magnetfeld. Der Hall-Effekt ist daher bei Halbleitern stärker ausgeprägt als bei
Metallen.
Aufgabe 19-3 Berechnung Hallgenerator
25 (mit I1 in mA, B in T und U2 in mV)
U2 = ⋅ I1 ⋅ B
3
Aufgabe 19-4 Multiplikation mit Hallgenerator
Der Hallgenerator wird im Luftspalt des Eisenkerns einer Spule untergebracht.
Der Strom I wird durch den Hallgenerator geleitet.
Aus der Spannung U wird ein magnetisches Feld mit der Flußdichte B gewonnen. Hierzu
wird (z.B. über einen ohmschen Widerstand) ein zur Spannung U proportionaler Strom IU
erzeugt. Dieser wird durch die Spule mit Eisenkern und Luftspalt geschickt. Die Spule
erzeugt im Luftspalt ein magnetisches Feld, dessen Flußdichte B proportional zu IU und
damit zu U ist. Das Magnetfeld durchdringt den Hallgenerator im Luftspalt des
Eisenkerns.
Am Hallgenerator kann die Spannung UH = k⋅U⋅I ∼ IU⋅I ∼ B⋅I gemessen werden.

410
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

C.20 Gleichspannungswandler (zu Abschnitt 20)

Aufgabe 20-1 Abwärtswandler / Tiefsetzsteller

(a) UL(ein) = U1 – UDson – U2 = 20V – 0,5V – 12V = 7,5V

UL(aus) = - (U2 + UF) = - (12V + 0,3V) = - 12,3V
U L(ein) t ein
(b) ∆I L(ein) = ⋅ t ein = 7,5V ⋅
L L
U L(aus) t
∆I L(aus) = ⋅ t aus = 12,3V ⋅ aus
L L
∆IL(ein) = - ∆IL/aus)
→ 7,5V ⋅ tein = 12,3V ⋅ taus
→ taus ≈ 0,61 ⋅ tein
→ T = tein + taus ≈ 1,61 ⋅ tein
→ p = tein / T ≈ 1 / 1,61
→ p ≈ 0,62
U L(ein) t ein
(c) Mit ∆i L (ein) = ⋅ t ein , U 2 ≈ U1 ⋅ , ILAV = I2
L T
w = ∆iL(ein) / ILAV und I2 = U2 / RL = 0,1 A
U L(ein) U 2 7,5V 12V
wird L≈ ⋅ ⋅T = ⋅ ⋅ 20µs = 0,006H = 6 mH
∆I L(ein) U1 0,15 ⋅ 0,1A 20V

Aufgabe 20-2 Prinzipschaltbilder

(a) Inverswandler
(b) Schalterstellung 1: Leitender FET
Schalterstellung 2: Schottkydiode bei gesperrtem FET
(c) Aufwärtswandler 1

L 2 U2 R
U1 C

Abwärtswandler
1 L
2
U1
U2 R
C

411
Anhang C – Lösungen zu den Übungsaufgaben

Aufgabe 20-3 Schaltwandler

(a) - Wesentlich geringere Verlustleistung, also höherer Wirkungsgrad.
- Nicht nur Abwärts-, sondern auch Aufwärts- und Inverswandlung möglich.
- Geringere Baugrößen bei gleicher Nutzleistung.
(b) Bei hoher Schaltfrequenz reichen geringe Induktivitäten aus für eine geringe
Welligkeit des Drosselstromes.
Bei hoher Schaltfrequenz lassen sich relativ große Induktivitätswerte mit geringer
Baugröße der Drosselspule erreichen.
(c) Schottkydioden sind schnell und besitzen geringe Durchlassspannungen; damit
ergeben sich geringe dynamische und statische Verlustleistungen.

C.21 Thermische Probleme (zu Abschnitt 21)

Aufgabe 21-1 Wärmeableitung an einer Diode
PV = IF · UF = IF · (UF0 + IF · rf) = 1,875 W
ϑUmax = ϑjmax – Rth(gesamt) · PV = 175 °C – 70 K/W · 1,875 W = 43,75 °C
ϑGmax = ϑjmax – Rth(innen) · PV = 175 °C – 20 K/W · 1,875 W = 137,5 °C

Aufgabe 21-2 Thermische Probleme am Transistor

200°C − 25°C
(a) R th/oK = = 58, 33 K/W
3W
(b) ϑj = ϑU + PV ·Rth/oK = 80 °C + 2,5 W ·58,33 K/W = 225,8 °C
200°C − 25°C
(c) R th/j−G = = 1,496 K/W
117W
200°C − 50°C
R th/G − U = − R th/j−G = 1,504 K/W
50W

Aufgabe 21-3 Kühlung mit forcierter Konvektion

ϑ j − ϑU 175°C − 45°C
(a) R th/j−G = − R th a = − 10 K/W = 16 K/W
PV 5W
(b) ϑj = ϑU + PV · Rth(gesamt) = 90 °C + 5W · (16 K/W + 20 K/W) = 270 °C

Aufgabe 21-4 Leistungssprung am Transistor

(a) PV = 25 W: ϑK1 = ϑU + PV1 · Rth/K-U = 42 °C
ϑG1 = ϑK1 + PV1 · Rth/G-K = 57 °C
ϑj1 = ϑG1 + PV1 · Rth/j-G = 94,5 °C
PV = 60 W: ϑK2 = ϑU + PV2 · Rth/K-U = 65,8 °C
ϑG2 = ϑK2 + PV2 · Rth/G-K = 101,8 °C
ϑj2 = ϑG2 + PV2 · Rth/j-G = 191,8 °C
(b) C = m· c = 712 Ws/K
τ = C · Rth/K-U = 484,2 s
(c) ϑK(2τ) = ϑK1 + (ϑK2 - ϑK1)·[1-exp(-2τ/τ)] = 62,6 °C

412
 Anhang D – Verwendete Größensymbole

D Anhang D - Verwendete Größensymbole

Größensymbol Bedeutung Größe bzw. Einheit

A, α Transistor-Stromverstärkung in Basisschaltung (Alpha)
α Wärmeübergangskoeffizient W/K⋅m2
α Dämpfungskoeffizient eines LWL dB/km
αU Temperaturkoeffizient einer Spannung %/K
B, β Transistor-Stromverstärkung in Emitterschaltung (Beta)
ε Dielektrizitätskonstante (Epsilon) As/Vm
ε0 Dielektrizitätskonstante des Vakuums 8,854⋅10-12 As/Vm
εr relative Dielektrizitätskonstante (ε/ε0)
η Wirkungsgrad (Eta)
Θ Stromflusswinkel bei Gleichrichterschaltung (Theta) rad
ϑ Temperatur (Theta) °C
ϑj Sperrschichttemperatur °C
κ Leitfähigkeit (=1/ρ) (Kappa) S⋅m/mm2
λ Wärmeleitzahl (Lambda) W/K⋅m
λ Wellenlänge µm
µn, µn, Beweglichkeit der Elektronen / Löcher (My) cm2/Vs
ρ spezifischer Widerstand (Rho) Ω⋅mm2/m
ρp, ρn Raumladungsdichte auf der p- bzw. n-Seite des pn- As/cm3
Übergangs
σSK Strahlungskonstante des schwarzen Körpers (Sigma) 5,67⋅10-8 W⋅m-2⋅K-4
τB Ladungsträgerlaufzeit durch die Transistor-Basis (Tau) s
τp, τn mittlere Lebensdauer der Minoritätsträger s
ϕ(x) elektrisches Potential am Orte x (Phi) V
Φph abgestrahlte Lichtleistung (Phi) W
Ω normierte Frequenz (z.B. ω/ωg) (Omega)
ω Frequenz (Omega) s-1
ωg, fg Grenzfrequenz s-1, Hz
a Ausräumfaktor beim Ausschalten eines Transistors
ADC analog digital converter (Analog-Digital-Wandler)
AP Arbeitspunkt
AU Spannungsverstärkung (amplification)
Axy, Bxy, Yxy, Vierpolparameter Ω, S, dimensionslos
Zxy, Hxy, hxy (je nach Parameter)
B magnetische Flussdichte T (Tesla)
Ck Koppelkondensator beim Wechselspannungsverstärker µF

413
Anhang D – Verwendete Größensymbole

cs, (cS0) Sperrschichtkapazität pro Fläche pF/cm2

CS, (CS0) Sperrschichtkapazität mit (ohne) elektr. Spannung pF
Cth Wärmekapazität Ws/K
CMRR common mode rejection ratio dB
CTR current transfer ratio (Stromübertragungsverhältnis)
d0, d1, d2....d(n) Digitaleingänge
D digitales Datum (digitaler Zahlenwert)
DAC digital analog converter (Digital-Analog-Wandler)
Dϑ Temperaturdurchgriff der Dioden-Flussspannung ∆U/∆ϑ ≈ -2 mV/K
Dn(W), Dp(W) Zustandsdichte = Dichte der Energie-Terme Ladungsträger / cm3
Dn, Dp Diffusionskoeffizient Dn = UT ⋅ µ n bzw. Dp = UT ⋅ µ p cm2/s
e Elementarladung 1,6⋅10-19 As
E(x) elektrische Feldstärke am Orte x V/cm
E1, E2 Eingänge einer Logik-Schaltung
Eph Beleuchtungsstärke lx (Lux)
eV Energieeinheit „Elektronenvolt“ 1 eV = 1,6⋅10-19 Ws
FET Feldeffekttransistor
fT Transitfrequenz Hz
S Vorwärtssteilheit des FET S
GS- Gleichstrom-
GTO-Thyristor gate-turn-off Thyristor
IAV, UAV arithmetischer Mittelwert von Strom / Spannung
IB, ib Basisstrom A
IC, ic Kollektorstrom A
ICB0 Kollektor-Basis-Reststrom (für IE=0) A
ICE0 Kollektor-Emitter-Reststrom (für IB=0) A
ICEK, ICES Kollektor-Emitter-Reststrom (Basis-Emitter-Kurzschluss) A
ICER Kollektor-Emitter-Reststrom (R zwischen Basis-Emitter) A
ID, id Drainstrom des FET A
IE, ie Emitterstrom A
II0 Eingangs-Offsetstrom des Operationsverstärkers (IIp – IIn) A
IIp, IIn Eingangsströme des Operationsverstärkers A
Ik Kurzschlussstrom A
Ip, In Löcherstrom, Elektronenstrom durch den pn-Übergang A
Iph Fotostrom nA
IRMS, URMS Effektivwert von Strom / Spannung A bzw. V
IS, IRS Sperrsättigungsstrom des pn-Übergangs A
IG-FET isolated-gate-FET
IR Infrarot

414
Anhang D – Verwendete Größensymbole

J-FET Sperrschicht-FET
K Bolzmannkonstante 1,38⋅10-23 Ws/K
K Rückwirkungsfaktor 1/VUF
Lp, Ln mittlere Diffusionslänge der Minoritätsträger cm
LDR light dependent resistor (Fotowiderstand)
LED light emitting diode
LSB least significant bit (niederwertigstes Bit)
LWL Lichtwellenleiter
MDR magnetic field dependent resistor (Feldplatte)
MOSFET metal-oxid-semiconductor-FET
MPP maximum power point (Arbeitspunkt maximaler Leistung)
MSB most significant bit (höchstwertiges Bit)
m, n Zählvariablen
n, n0 Elektronenkonzentration, Index 0 für thermodynamisches Elektronen / cm3
Gleichgewicht
NA Akzeptorkonzentration (p-Leiter) Akzeptoratome / cm3
- Konzentration ionisierter Akzeptoratome (negativ geladen)
NA
NC Effektive Zustandsdichte des Leitungsbandes 2,86⋅1019cm-3
ND Donatorkonzentration (n-Leiter) Donatoratome / cm3
ND+ Konzentration ionisierter Donatoratome (positiv geladen)
NV Effektive Zustandsdichte des Valenzbandes 3,1⋅1019cm-3
ni Intrinsic-Dichte (Ladungsträgerdichte bei Eigenleitung) Ladungsträger / cm3
Nmax maximale Elektronenzahl
NTC negative temperature coefficient
nn Elektronenkonzentration im n-Leiter (Majoritätsträgerdichte) Elektronen / cm3
np Elektronenkonzentration im p-Leiter (Minoritätsträgerdichte) Elektronen / cm3
np0, pn0 Minoritätsträgerdichte im thermodynamischen Gleichgewicht Ladungsträger / cm3
p, p0 Löcherkonzentration, Index 0 für thermodyn. Gleichgewicht Löcher / cm3
pn Löcherkonzentration im n-Leiter (Minoritätsträgerdichte) Löcher / cm3
pp Löcherkonzentration im p-Leiter (Majoritätsträgerdichte) Löcher / cm3
Pth thermische Leistung W
Ptot maximal zulässige statische Verlustleistung bei vorgegebenen W
Kühlbedingungen
PTC positive temperature coefficient
PV Verlustleistung W
P(W) Besetzungswahrscheinlichkeit der Energie-Terme im Energie-
Bänder-Modell
Q, Q Ausgänge einer Logigschaltung
QB in der Basiszone des Transistors gespeicherte As
Minoritätsträgerladung (Basisladung) ohne Sättigung

415
Anhang D – Verwendete Größensymbole

QS in der Basiszone des Transistors gespeicherte As

Überschussladung (Speicherladung) bei Sättigung
R Rücksetzeingang einer Logikschaltung
R ohmscher Widerstand Ω
RB, RC, RE Basiswiderstand, Kollektorwiderstand, Emitterwiderstand Ω
rbb rcc, ree Bahnwiderstände des Transistors Ω
rbe differentieller Basis-Emitter-Widerstand Ω
rce differentieller Kollektor-Emitter-Widerstand Ω
RD, RS Drainwiderstand, Sourcewiderstand in einer FET-Schaltung Ω
rds differentieller Drain-Source-Widerstand des FET Ω
rDSon Widerstand des eingeschalteten FET Ω
rf Steigung der linearisierten Diodenkennlinie Ω
rf differentieller Widerstand (Wechselstromwiderstand) der Ω
Diode im Arbeitspunkt
RiT Innenwiderstand eines Transformators Ω
RiT Innenwiderstand eines Spannungsteilers Ω
Rth Wärmewiderstand K/W
rz differentieller Widerstand der Z-Diode im Durchbruch Ω
S Steilheit v. Transistoren d (i C ) d (u BE ) u. d (i D ) d (u GS ) S = 1/Ω
S Lichtempfindlichkeit Iph / Eph nA/lx
S Setzeingang einer Logikschaltung
T absolute Temperatur K
td Verzögerungszeit (delay time) beim Einschalten s
tf Abfallzeit (fall time) beim Ausschalten s
toff Ausschaltzeit s
ton Einschaltzeit s
tr Anstiegszeit (rise time) beim Einschalten s
ts Speicherzeit (storage time) beim Ausschalten s
ü Übersteuerungsfaktor beim gesättigten Transistor
U0T Leerlaufspannung eines Spannungsteilers V
u2l sekundärseitige Leerlaufspannung eines Trafos V
UA Earlyspannung V
UAP, IAP Spannung und Strom im Arbeitspunkt
UBE, ube Basis-Emitter-Spannung V
UBF0 Nullkippspannung des Thyristors
UBR Durchbruchspannung V
UCB, ucb Kollektor-Basis-Spannung V
UCE, uce Kollektor-Emitter-Spannung V
UD Diffusionsspannung des pn-Übergangs V
UDS, uds Drain-Source-Spannung des FET V

416
Anhang D – Verwendete Größensymbole

UF Flussspannung am pn-Übergang (forward voltage) V

UF0 Einsatzspannung des Stromes bei linearisierter V
Dioden-Kennlinie
UGS, ugs Gate-Source-Spannung des FET V
UGS0 Einsatzspannung beim IG-FET (Anreicherungstyp) V
UI, ui Eingangsspannung V
UI0 Offsetspannung des FET V
UID, uid Eingangs-Differenzspannung eines Operationsverstärkers V
UP pinch-off-Spannung des FET (UGSmin zum Sperren) V
UQ, uq Ausgangsspannung V
UR Sperrspannung am pn-Übergang (reverse voltage) V
US Versorgungsspannung einer Schaltung V
UT Temperaturspannung UT = k⋅T/e V
UTO Mindest-Gate-Source Spannung beim selbstsperrenden V
IG-FET, damit sich ein Inversionskanal bildet und Drainstrom
fließt (trash-over-voltage)
UZ Durchbruchspannung einer Z-Diode V
vr Spannungsrückwirkung (Vierpolparameter)
Vi Stromverstärkung
Vp Leistungsverstärkung
VS Schleifenverstärkung
VU Spannungsverstärkung
VU0 Leerlauf-Spannungsverstärkung
VDR voltage dependent resistor (Varistor)
WA Energie der Störterme von Akzeptoratomen eV
Wbn Schottky-Barriere am Metall-Halbleiter-Übergang (WM - Wχ) eV
WC Energieniveau an der Unterkante Leitungsband eV
WD Energie der Störterme von Donatoratomen eV
WF Fermi-Niveau eV
WG Energiedifferenz von Valenz- zu Leitungsband eV
WH Austrittsarbeit des Halbleiters (Wvac - WF(Halbleiter)) eV
WM Austrittsarbeit des Metalls (Wvac - WF(Metall)) eV
WS, (WS0) Sperrschichtweite mit (ohne) elektr. Spannung µm
WS- Wechselstrom-
WV Energieniveau an der Oberkante Valenzband eV
Wvac Energie, bei der Elektronen den Festkörper verlassen können eV
(sog. Vakuumenergie)
Wχ Elektronenaffinität des Halbleiters (Wvac- WC) eV
∆WD, ∆WA Ionisierungsenergie der Dotierungsatome eV
xp, xn Grenze der Raumladungszone auf der p- bzw. n-Seite des pn- cm
Übergangs

417
Anhang D – Verwendete Größensymbole

Schaltzeichen für Quellen

Unabhängige Spannungsquellen

UA ua

Gleichspannung Wechselspannung

Abhängige Spannungsquellen (z.B. Spannungsquelle gesteuert von anderer Spannung)

UB = VU⋅UA ub = vu ⋅ua

Gleichspannung Wechselspannung

Unabhängige Stromquellen

IA ia

Gleichstrom Wechselstrom

Abhängige Stromquellen
(z.B. Stromquelle gesteuert von anderem Strom oder von einer Spannung)

IB = B⋅IA ib = β⋅ia ib = gf⋅ua

Gleichstrom Wechselstrom Wechselstrom

418
Literaturhinweise

Literaturhinweise

[1] R. Müller
Grundlagen der Halbleiter-Elektronik
Springer-Verlag - Berlin/Heidelberg
ISBN 3-540-53200-5

[2] R. Müller
Bauelemente der Halbleiter-Elektronik
Springer-Verlag - Berlin/Heidelberg
ISBN 3-540-16638-6

[3] R. Paul
Elektronische Halbleiterbauelemente
Teubner Studienskripte - Stuttgart
ISBN 3-519-10112-2

[4] U. Tietze, Ch. Schenk

Halbleiter-Schaltungstechnik
Springer-Verlag - Berlin/Heidelberg
ISBN 3-540-19475-4

[5] Mike Cooke

Halbleiter-Bauelemente
(aus dem Englischen übersetzt)
Carl Hanser Verlag - München
ISBN 3-446-16316-6

[6] Michael Reisch

Elektronische Bauelemente
Springer Verlag - Berlin/Heidelberg
ISBN 3-540-60991-1

[7] Erwin Böhmer

Elemente der angewandten Elektronik
Verlag Vieweg
ISBN 3-528-01090-8

[8] Lindner, Brauer, Lehmann

Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektronik
Fachbuchverlag Leipzig
ISBN 3-343-00761-7

[9] N. Fliege
Lineare Schaltungen mit Operationsverstärkern
Springer-Verlag – Berlin/Heidelberg/New York
ISBN 3-540-09824-0

419
Stichwortverzeichnis

Stichwortverzeichnis
A Planar-Epitaxial-Transistor.................... 106
Stromverstärkungen - Umrechnung ........ 118
AB-Betrieb ....................................................173 Transistoreffekt ....................................... 107
A-Betrieb .......................................................172 Bode-Diagramm............................................ 257
Abtast-Halte-Glieder....................................277 Bohrsches Atommodell..................................... 2
Abwärtswandler ...........................................335 Boltzmann-Konstante .................................... 15
aktiver Zweipol .............................................359 Brückengleichrichter...................................... 75
Akzeptor ............................................................9 burried layer ................................................. 106
Analog-Digital-Wandler...............................288
dual-slope-converter ...............................292 C
Einrampenumsetzer.................................291
flash-converter ........................................289 C-Betrieb....................................................... 173
mit Spannungs-Frequenz-Wandler..........293 CMOS-Technik............................................. 227
Parallelumsetzer......................................289 Inverter .................................................. 227
single-slope-converter.............................291 NAND-Gatter .......................................... 228
Sukzessive Approximation .......................289 NOR-Gatter............................................. 227
Wägeverfahren ........................................289 Übertragungsgatter................................. 229
Zählverfahren..........................................290
Zweirampenumsetzer...............................292 D
Anode ...........................................................47
Antidiffusionsspannung .................................22 Darlington-Schaltung................................... 118
Äquivalenzprinzip ....... Siehe Schaltungsanalyse Dehnungsmessstreifen .................................. 331
Arbeits-Übertragungskennlinie...................368 Delogarithmieren.......................................... 275
Astabiler Multivibrator ...............204, 248, 282 Delonschaltung ............................................. 100
Periodendauer.........................................249 Derating-Diagramm ..................................... 348
Aufwärtswandler ..........................................333 DIAC ......................................................... 303
Austrittsarbeit.................................................36 Differentieller Widerstand............................. 49
Diffusionsdreieck .......................... 111, 182, 185
B Diffusionskapazität......................................... 27
Diffusionsspannung ........................................ 22
Bahnwiderstand......................................48, 106 Diffusionstechnik .......................................... 105
Bandabstand ...................................................14 Digital-Analog-Umsetzer ............................. 285
Bandpass .......................................................260 Digitale Grundschaltungen.......................... 202
Amplitudengang ......................................260 Astabiler Multivibrator ........................... 204
Phasengang.............................................260 Flip-Flop ................................................. 204
Bandverbiegung..............................................39 Inverter .................................................. 202
Basis .........................................................105 Mono-Flop .............................................. 205
Basisladung ...................................................182 Monostabiler Multivibrator..................... 205
Basisschaltung...............................................112 NAND-Gatter .......................................... 202
Stromverstärkung A.................................114 NOR-Gatter............................................. 202
Bauelementetoleranzen ..................................65 ODER-Gatter .......................................... 203
B-Betrieb .......................................................172 one-shot .................................................. 205
Beschleunigungsspannung .............................25 RTL .................................................. 202
Besetzungsinversion ............Siehe Laser-Dioden Schmitt-Trigger ....................................... 204
Beweglichkeit ..................................................12 UND-Gatter ............................................ 203
Bipolarer Transistor.....................................105 Dimensionierung einer Transistorschaltung131
Arbeitspunkt ............................................121 Diode ........................................................... 47
Basis ..................................................105 Abstimmdioden.......................................... 53
Basisbreitenmodulation...........................111 Anode .................................................... 47
Basisstrom ...............................................109 Avalanche-Dioden..................................... 53
Diffusionsdreieck.....................................111 Backward-Diode ....................................... 55
Earlyeffekt ...............................................111 fast-recovery-Dioden................................. 52
Emitter ..................................................105 Hochsperrende Leistungsdioden ............... 51
Emitterstrom............................................109 Kapazitätsdioden....................................... 53
Epitaxialtransistor...................................105 Katode .................................................... 47
Kollektor..................................................105 Kleinleistungsdiode ................................... 50
Kollektorstrom.........................................109 Ladungsspeicherdioden ............................ 52

420
Stichwortverzeichnis

Leistungsdiode...........................................50 Elektronenpaarbindung................................... 4
Richtdiode .................................................50 Elektronenschalen ............................................ 2
Schaltdioden..............................................52 elektronisches Ventil ...................................... 47
Schottky-Diode ..........................................56 Elementarteilchen............................................. 1
Snapp-off-Dioden ......................................52 Emitter ......................................................... 105
Sperrsättigungsstrom ................................47 Emitterschaltung .......................................... 114
Tunneldiode...............................................54 Stromverstärkung B................................. 116
Universaldiode ..........................................50 Energiebändermodell ..................................... 13
Z-Diode ....................................................52 Energieschwelle .............................................. 23
Displays .........................................................315 Energie-Termschema ..................................... 13
Flüssigkristall-Displays...........................316 Entarteter Halbleiter...................................... 45
LED-Displays ..........................................315 Epitaxie ......................................................... 105
DMOS-FET...................................................304 Ersatzschaltungen ........................................ 359
Donator .............................................................8 Esaki-Strom .................................................... 55
Doppelheterostruktur..........Siehe Laser-Dioden
Dotieren .............................................................7 F
Dotierungsprofile............................................53
Drehstromgleichrichter..................................94 Feldeffekttransistor ...................................... 207
3-pulsiger Gleichrichter ............................94 Abschnürspannung.................................. 210
6-pulsiger Gleichrichter ............................96 Anreicherungstyp ............................ 212, 214
Drehstrom-Transformator.........................94 Arbeitspunkt-Einstellung......................... 223
Dreieckschaltung.......................................98 Drain .................................................. 207
Drosselspule ..............................................95 FET als Analogschalter........................... 219
Halbbrücke................................................94 Gate .................................................. 207
Sternpunkt .................................................94 Grundprinzip........................................... 207
Sternschaltung...........................................98 IG-FET .................................................. 212
Drehstrom-Transformator.............................94 Inversionskanal ....................................... 213
Außenleiterspannung.................................95 Kanalabschnürung .................................. 209
Dreieckschaltung.......................................98 Kanalleitwert........................................... 209
Sternschaltung...........................................98 Kanalspannung ....................................... 208
Strangspannung ........................................94 Konstantstromquelle ............................... 223
Drehzellen............. Siehe Flüssigkristall-Displays n-Kanal-FET ........................................... 207
Drossel ...........................................................95 p-Kanal-FET ........................................... 207
DTL .........................................................202 Querfeld .................................................. 208
Durchbruch.....................................................28 regelbarer Widerstand ............................ 211
Durchbruchspannung................................30 Sättigungsstrom....................................... 210
Innere Feldemission ..................................29 selbstleitender Typ .................................. 216
Lawineneffekt ............................................28 selbstsperrender Typ ............................... 214
Thermischer Durchbruch ..........................30 Source .................................................. 207
Tunnel-Effekt .............................................29 Sperrschicht-FET .................................... 207
Zener-Effekt...............................................29 Steuerkennlinie........................................ 211
Durchbruchbereich ......................................186 Stromkanal .............................................. 208
Durchbruchspannung ....................................30 Verarmungstyp ........................................ 216
Durchlassstrom ...............................................27 Feldplatte ...................................................... 330
Fensterkomparatoren................................... 280
E Fermi-Dirac-Verteilung ................................. 15
Fermi-Niveau .................................................. 15
Earlyeffekt.............................................111, 215 Flüssigkristall-Displays ................................ 316
Edelgas .............................................................3 Drehzellen ............................................... 316
effektive Zustandsdichte ..........................17, 18 nematische Flüssigkeit ............................ 316
Eigenleitung ......................................................5 Flusspolung ..................................................... 26
Eigenleitungsdichte...........................................7 Fotodiode....................................................... 308
Einschalt-Stoßstrom .......................................86 Diodenbetrieb.......................................... 309
Einschaltvorgang ............................................32 Dunkelstrom ............................................ 308
Einweggleichrichter........................................73 Elementbetrieb ........................................ 311
Arithmetischer Mittelwert..........................74 Fotoelement............................................. 311
Effektivwert................................................75 Fotostrom ................................................ 309
Mittelwerte ................................................74 Fotoelement................................................... 311
Schaltung...................................................73 Fototransistor ............................................... 313
Elektronenaffinität .........................................36 Fotowiderstand..................................... 307, 329
Elektronenanreicherung ................................42

421
Stichwortverzeichnis

Frequenzgangkorrektur...............................265 Eigenleitung ................................................ 5

Dominant-Pol-Kompensation..................268 Einfachdotierung....................................... 11
kapazitive Last.........................................270 Elektronenpaarbindung .............................. 4
Lag-Kompensation ..........................268, 269 Energiebändermodell................................ 13
Lead-Kompensation ................................269 Fermi-Dirac-Verteilung ............................ 15
Phasenreserve .........................................267 Fermi-Niveau ............................................ 15
Generation .................................................. 6
G Intrinsic-Dichte ........................................... 7
intrinsischer Bereich ................................. 11
Gabellichtschranke.............. Siehe Optokoppler- Ladungsträgerkonzentration ..................... 10
.....................................................Lichtschranken Leitungsband............................................. 13
Galvanischen Entkopplung............................73 Loch ...................................................... 9
Gegenkopplung .............................................250 Majorititätsträger...................................... 11
Gegentakt-Ausgangsstufe ............................238 Massenwirkungsgesetz .............................. 12
Generation.........................................................6 Mehrfachdotierung.................................... 12
Glättungskondensator ....................................86 Minoritätsträger........................................ 11
Gleichrichter mit Pufferbatterie ...................90 Paarbildung ................................................ 6
Gleichrichterschaltungen...............................73 Raumladung ................................................ 8
Gleichrichterschaltungen mit Glättung ........80 Rekombination ............................................ 7
Einschalt-Stoßstrom ..................................86 Störstellenerschöpfung.............................. 11
Einweggleichrichter ..................................81 Störstellenleitung ........................................ 7
Glättungsarten...........................................81 Störstellenreserve...................................... 11
Glättungskondensator .........................82, 86 Störterme................................................... 17
Optimaler Wicklungswiderstand ...............87 Valenzband................................................ 13
Stromflusswinkel........................................88 Verbotenes Band ....................................... 14
Stromflusszeit ............................................82 Zustandsdichte .......................................... 15
Trafogrößen...............................................85 Halbwellen-Gleichrichter .............................. 74
Transformator -Ausgangsspannung ..........83 Hallgenerator................................................ 330
Transformatorstrom ..................................83 Hauptstrom................................................... 109
Wicklungsverluste......................................86 Heißleiter....................................................... 326
Zweiweggleichrichter ................................82 Hochinjektion ................................................. 32
Gleichspannungswandler.............................333 Hochpass ....................................................... 259
Abwärtswandler ......................................335 Amplitudengang ...................................... 259
Anwendungsbeschränkungen ..................338 Phasengang............................................. 259
Aufwärtswandler .....................................333 Höckerstrom ................................................... 55
Einschwingvorgänge ...............................338 Homogene Halbleiterbauelemente .............. 326
Inverswandler..........................................337 Dehnungsmessstreifen............................. 331
Golddotierung .................................................52 Feldplatte ................................................ 330
Gradientenindexfaser.... Siehe Lichtwellenleiter Fotowiderstand ....................................... 329
Graetz-Gleichrichter ......................................77 Hallgenerator.......................................... 330
grafische Analyse des Arbeitspunktes.........131 Heißleiter ................................................ 326
Graphische Superposition............................363 Kaltleiter ................................................. 328
Grenzdaten......................................................64 Varistoren................................................ 329
Grenzfrequenz (WS-Verstärker) ................159
Miller-Effekt ............................................160 I
Miller-Kapazität ......................................160
Obere Grenzfrequenz ..............................159 idealer Schalter............................................. 176
Untere Grenzfrequenz .............................159 IGBT ......................................................... 305
Grenzwerte......................................................64 Impedanzwandler......................................... 168
Großsignal-Aussteuerung ............................144 Instrumentenverstärker............................... 273
Intrinsic-Dichte................................................. 7
H intrinsischer Bereich ...................................... 11
Inverswandler ............................................... 337
Halbleiter...........................................................1 Ionenimplantation ........................................ 105
Halbleiterphysik ...............................................1
Akzeptor ......................................................9 K
Bandabstand..............................................14
Beweglichkeit ............................................12 Kaltleiter ....................................................... 328
Donator ......................................................8 Kaskode-Schaltung....................................... 237
Dotieren ......................................................7 Katode ........................................................... 47

422
Stichwortverzeichnis

Kleinsignal-Aussteuerung ............................145 Netzgleichrichter ............................................ 73

kohärente Strahlung........... Siehe Laser-Dioden Brückengleichrichter................................. 75
Kollektor .......................................................105 Einweggleichrichter .................................. 73
Kollektor-Basis-Sperrstrom.........................123 Galvanische Entkopplung ......................... 73
Kollektorschaltung .......................................117 Graetz-Gleichrichter ................................. 77
Kontaktspannung ...........................................37 Halbwellen-Gleichrichter.......................... 74
Konvektion ....................................................343 Mittelpunktschaltung................................. 75
kovalente Bindung ............................................4 Zweiweggleichrichter ................................ 75
Kühlflächenberechnung...............................343 Niedriginjektion.............................................. 32
normal aktiver Bereich ................................ 186
L NTC-Widerstände .....................Siehe Heißleiter

Ladungsträgerdiffusion .................................20 O
Ladungsträgerkonzentration.........................10
Ladungsträger-Laufzeit ...............................183 Obere Grenzfrequenz................................... 163
Laser-Dioden.................................................319 Oberflächenzustände...................................... 38
kohärente Strahlung ................................319 Operationsverstärker –
Lateraltransistoren.......................................240 Aufbau und Funktion............................ 233
Lawinen-Effekt ...............................................28 Ausgangsstufe.......................................... 238
Legierungstechnik ........................................105 Current-Current-OP ............................... 245
Leistungs-Halbleiter-Bauelemente ..............297 Current-Voltage-OP................................ 245
DMOS-FET .............................................304 Eingangs-Differenzverstärker ................. 234
IGBT ..................................................305 Eingangsstufe .......................................... 234
Thyristor..................................................297 Gegentakt-Ausgangsstufe........................ 238
TRIAC ..................................................302 Gesamtschaltung..................................... 241
VMOS-FET..............................................304 Gleichtaktspannung ................................ 234
Leitfähigkeit des Halbleiters..........................12 Gleichtaktunterdrückung......................... 242
Leitungsband ..................................................13 Gleichtaktverstärkung ............................. 242
Lichtwellenleiter ...........................................322 Interner Aufbau ....................................... 233
Linearisierung von Kennlinien....................357 Koppelstufe.............................................. 238
Loch .............................................................9 Kurzschlussfestigkeit ............................... 240
Logarithmierer .............................................274 Leerlaufspannungsverstärkung ............... 242
Lumineszenz-Dioden ....................................314 Offsetspannung........................................ 237
slew rate .................................................. 243
M Transadmittanzverstärker ....................... 245
Transimpedanzwandler ........................... 245
Majorititätsträger...........................................11 Voltage-Current-OP................................ 245
Massenwirkungsgesetz ...................................12 Voltage-Voltage-OP................................ 245
Metall-Halbleiter-Übergänge ..................36, 56 Operationsverstärker - Grundschaltungen 246
Bandverbiegung ........................................39 Addierer .................................................. 253
Schottky-Barriere ......................................38 Astabiler Multivibrator ........................... 248
Schottky-Kontakt .......................................37 Bandpass ................................................. 260
Miller-Effekt .................................................160 Differentiation......................................... 256
Minoritätsträger .............................................11 Fehler-Rechnung..................................... 262
Minoritätsträgerdichte...................................25 Frequenzgang ......................................... 250
Mittelpunktschaltung .....................................75 Gegenkopplung ....................................... 250
Monomodefaser ............. Siehe Lichtwellenleiter Hochpass................................................. 259
Multimodefaser.............. Siehe Lichtwellenleiter Integrator ................................................ 255
Multiplizierer ................................................276 Invertierender Verstärker........................ 251
Multivibratoren mit dem Timer 555 ...........280 Komparator............................................. 246
Astabiler Multivibrator............................282 Kompensation Eingangsstrom-Fehler..... 263
Einfacher Monovibrator..........................281 Mitkopplung ............................................ 247
Nachtriggerbarer Monovibrator .............282 Nicht-invertierender Verstärker .............. 252
Offsetspannungs-Kompensation.............. 262
Offsetstrom .............................................. 264
N PI-Regler................................................. 261
Schmitt-Trigger ....................................... 247
n - leitender Kristall .........................................8 Subtrahierer ............................................ 254
Nebenstrom ...................................................109 Tiefpass .................................................. 257
nematische Flüssigkeit..................................316 Verstärkungs-Bandbreite-Produkt .......... 268

423
Stichwortverzeichnis

Verzögerungsglied...................................257 Ladungsträgerdiffusion ............................. 20

Operationsverstärker – Niedriginjektion ........................................ 32
spez. Anwendungen ...............................273 Raumladungsdichte................................... 21
Abtast-Halte-Glieder...............................277 Raumladungszone ..................................... 20
Analog-Digital-Wandler..........................288 Speicherladung ......................................... 27
Delogarithmierer.....................................275 Sperrpolung............................................... 24
Digital-Analog-Umsetzer ........................285 Sperrsättigungsstrom ................................ 26
Dividierer mit R-2R-Netzwerk...............296 Sperrschichtkapazität.......................... 23, 25
Fensterkomparatoren ..............................280 Sperrschichtweite ................................ 23, 25
Frequenz-Spannungswandler..................283 Temperaturabhängigkeit ........................... 31
Funktionsgenerator .................................293 Temperaturspannung ................................ 22
Instrumentenverstärker ...........................273 Verarmungszone........................................ 21
Logarithmierer ........................................274 Präzisionsgleichrichter................................. 274
Multiplizierer...........................................276 Einweggleichrichter ................................ 274
Multivibratoren mit dem Timer 555 ........280 Zweiweggleichrichter .............................. 274
Präzisionsgleichrichter ...........................274 PTC-Widerstände...................... Siehe Kaltleiter
Sample & Hold – Verstärker ...................277
Spannungs-Frequenz-Wandler................284 R
Operationsverstärker –
Stabilitätsprobleme ...............................265 Raumladung...................................................... 8
Frequenzgangkorrektur...................265, 267 Raumladungszone .......................................... 20
kapazitive Last.........................................270 Reflexlichtschranke ............. Siehe Optokoppler-
Schleifenverstärkung ...............................266 .................................................... Lichtschranken
Optoelektronische Bauelemente ..................307 Rekombination.................................................. 7
Displays ..................................................315 Rekombinationsstrom .................................. 109
Fotodiode ................................................308
Foto-Lawinen-Diode ...............................310 S
Foto-PIN-Diode ......................................310
Fototransistor..........................................313 Sample & Hold – Verstärker....................... 277
Fotowiderstand .......................................307 Sättigung ....................................................... 185
Laser-Dioden...........................................319 Sättigungsbereich ......................................... 186
Lichtwellenleiter......................................322 Sättigungsspannung ..................................... 186
Lumineszenz-Dioden ...............................314 Schalenmodell ................................................. 13
Schottky-Fotodiode .................................310 Schaltungsanalyse......................................... 353
Solarzelle.................................................312 Ersatzwiderstand..................................... 356
Optokoppler ..................................................317 Graphische Verfahren............................. 356
Optokoppler-Lichtschranken ......................318 Transistor als linearer Vierpol................ 374
Gabellichtschranke..................................318 Schaltzeichen für Quellen ............................ 418
Reflexlichtschranke .................................318 Schleifenverstärkung.................................... 266
Schleusenspannung ........................................ 56
P Schmitt-Trigger ............................................ 247
Hysterese................................................. 247
p - leitender Kristall .........................................9 Mitkopplung ............................................ 247
Paarbildung.......................................................6 Schaltschwellen....................................... 247
passiver Zweipol ...........................................361 Schnittpunktverfahren................................. 361
Pegelanpassung ...............................................73 Schottky-Barriere........................................... 38
Phasenanschnittsteuerung ...........................306 Schottky-Kontakt ........................................... 37
pn-Übergang ...................................................20 Schwellwertschalter ..................................... 247
Abrupter pn-Übergang..............................20 Siebkondensator ........................................... 159
Ausschaltvorgang......................................32 slew rate ........................................................ 279
Diffusionskapazität....................................27 Solarzelle ....................................................... 312
Diffusionsspannung...................................22 Füllfaktor ................................................ 313
Durchbruch ...............................................28 Maximum Power Point............................ 313
Durchlassstrom .........................................27 Technologie............................................. 313
Einschaltvorgang ......................................32 Spannungsfolger ........................................... 168
Flusspolung ...............................................26 Spannungsquelle.......... Siehe Schaltungsanalyse
Hochinjektion ............................................32 Spannungsverdoppelung...................... 100, 101
Induktives Verhalten..................................32 Delonschaltung ....................................... 100
Kapazitives Verhalten ...............................32 Villardschaltung...................................... 101
Ladungsträgerdichte .................................21 Spannungsvervielfachung.................... 100, 103

424
Stichwortverzeichnis

Kaskadierung der Villardschaltung ........103 dynamisches Verhalten............................ 187

Spannungsverdoppelung .........................100 Einschaltvorgang .................................... 187
Speicherladung .......................................27, 185 Einschaltzeit ............................................ 190
Sperrpolung ....................................................24 Induktive Last.......................................... 199
Sperrsättigungsstrom ...............................26, 47 Kapazitive Last........................................ 201
Sperrschicht-FET .........................................207 Ohmsche Last.......................................... 199
Sperrschichtkapazität ..............................23, 25 Sättigungsgrenze ..................................... 184
Sperrschichtweite .....................................23, 25 Schaltverlustleistung ............................... 197
Sperrstrom ......................................................25 Speicherladung ....................................... 185
Stabilisierung des Arbeitspunktes...............123 Speicherzeit ............................................. 191
Parallelgegenkopplung ...........................125 Verbesserung des Schaltverhaltens......... 195
Reihengegenkopplung .............................125 Verzögerungszeit ..................................... 187
Schaltungsdimensionierung ....................129 Transistor-Arbeitspunkt .............................. 121
Spannungsgegenkopplung.......................125 Einprägung der Basis-Emitter-Spannung122
Strom-Gegenkopplung.............................125 Einprägung des Basisstromes ................. 122
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode ...........59 Stabilisierung des Arbeitspunktes ........... 123
Glättungsfaktor .........................................69 Transistor-Gleichstromanwendungen ........ 136
Siebfaktor ..................................................69 Konstantspannungsquelle ....................... 136
Störstellenerschöpfung...................................11 Konstantstromquelle ............................... 136
Störstellenleitung ..............................................7 Stromspiegel............................................ 137
Störstellenreserve ...........................................11 Wilson-Stromspiegel ............................... 139
Störterme...................................................17, 18 Transistor-Grundschaltungen..................... 112
Stromflusswinkel ............................................82 Basisschaltung ........................................ 112
Stromgegenkopplung....................................153 Emitterschaltung ..................................... 114
Stromquelle .................. Siehe Schaltungsanalyse Kollektorschaltung .................................. 117
Stromspiegel..................................................137 Transitfrequenz ............................................ 161
Ausgangswiderstand................................138 TRIAC ......................................................... 302
Einfacher Stromspiegel ...........................137 Phasenanschnittsteuerung....................... 306
Wilson-Stromspiegel................................139 TTL ......................................................... 203
Stufenindexfaser ............ Siehe Lichtwellenleiter Tunnel-Effekt.................................................. 29
Substrat .........................................................106
Super-Beta-Schaltung ..................................118 U

T Überlagerungsgesetz ...................................... 69
Übersteuerungsfaktor .................................. 185
Talstrom ..........................................................55 unipolarer Transistor................................... 208
Temperaturdurchgriff............................31, 124
Temperaturspannung.....................................22 V
Thermische Ausgleichsvorgänge .................348
Thermischer Durchbruch ..............................30 Vakuum-Energie....................................... 14, 36
thermodynamisches Gleichgewicht ...............36 Valenzband ..................................................... 13
Thyristor .......................................................297 Valenzelektronen .............................................. 2
Aufbau und Funktionsweise ....................297 Varaktordioden .............................................. 53
Haupteinsatzgebiete ................................301 Varistoren ..................................................... 329
Phasenanschnittsteuerung.......................306 Verarmungszone............................................. 21
Tiefpass .........................................................257 Verbindungshalbleiter ..................................... 3
Amplitudengang ......................................258 Verbotenes Band ............................................ 14
Bode-Diagramm......................................257 Verlustleistung .............................................. 341
Phasengang.............................................258 Verlustwärme ............................................... 341
Tiefsetzsteller .................. Siehe Abwärtswandler Verzerrungen................................................ 144
Trafogrößen ....................................................85 Vierpolgleichungen....................................... 370
Transistor .................. Siehe Bipolarer Transistor Vierpolparameter ......................................... 370
Transistor / Gleichstrombetrieb ..................121 A-Parameter............................................ 370
Transistor als Schalter .................................176 B-Parameter............................................ 370
Abfallzeit .................................................194 H-Parameter ................................... 370, 373
Ansteuerungsvarianten............................179 h-Parameter aus Kennlinien ................... 376
Anstiegszeit..............................................190 h-Parameter des Transistors................... 374
Ausräumfaktor.........................................192 h-Parameter in Datenblättern................. 377
Ausschaltvorgang....................................190 K-Parameter............................................ 370
Diffusionsdreieck.............................182, 185 Theoretische Näherungswerte................. 379

425
Stichwortverzeichnis

Y-Parameter ....................................370, 372 Emitterkondensator ................................. 158

Z-Parameter ....................................370, 372 Emitterschaltung ..................................... 147
Vierpoltheorie ...............................................370 Grenzfrequenz ......................................... 156
Vier-Quadranten-Kennlinienfeld................367 Großsignal-Aussteuerung ....................... 144
Vierschichtdiode ...........................................303 Kaskodeschaltung ................................... 175
Villardschaltung ...........................................101 Kleinsignal-Aussteuerung ....................... 145
VMOS-FET...................................................304 Kollektorschaltung .................................. 164
Koppel-Kondensatoren ........................... 156
W Lage des Arbeitspunktes.......................... 171
Leistungsverstärkung ...... 151, 163, 168, 170
Wärmeableitung ...........................................341 Siebkondensator ...................................... 159
Derating-Diagramm................................348 Spannungsverstärkung .... 151, 163, 167, 169
Kühlflächenberechnung ..........................343 Stromgegenkopplung............................... 153
Verlustleistung.........................................341 Stromverstärkung ............ 151, 163, 167, 170
Verlustwärme ..........................................341 Transistorendstufen................................. 172
Wärmekapazität.......................................341 Transitfrequenz ....................................... 161
Wärmestromkreis.....................................344 Verstärkungs-Bandbreiten-Produkt ........ 161
Wärmewiderstand....................................342 Verzerrungen........................................... 144
Wärmekapazität ...........................................341 Wechselstromanalyse - grafisch.............. 143
Wärmeleitung ...............................................342 Wechselstrom-Ersatzschaltbild ............... 147
Wärmestrahlung...........................................343 Wechselspannungsverstärker mit FET ...... 225
Wärmestromkreis .........................................344 Source-Schaltung .................................... 225
Wärmewiderstand ........................................342 Wechselstromwiderstand............................... 49
äußerer Wärmewiderstand ......................345 Wilson-Stromspiegel..................................... 139
innerer Wärmewiderstand .......................345
Konvektion...............................................343 Z
Wärmeleitung ..........................................342
Wärmestrahlung ......................................343 Z-Diode ........................................................... 52
Wechselspannungsverstärker......................142 Zener-Effekt.................................................... 29
AB-Betrieb...............................................173 Zenerstrom...................................................... 54
A-Betrieb .................................................172 Z-Parameter des Transistors ....................... 154
Ausgangswiderstand........151, 163, 167, 169 Zustandsdichte................................................ 15
Aussteuerungsgrenzen.............................144 Zweipole ........................................................ 354
Basisschaltung.........................................162 Aktive Zweipole ....................................... 354
B-Betrieb .................................................172 Passive Zweipole..................................... 354
Bootstrapschaltung .................................168 Zweipoltheorie .............................................. 353
C-Betrieb .................................................173 Zweiter Durchbruch....................................... 30
Eingangswiderstand ........151, 163, 166, 169 Zweiweggleichrichter ..................................... 75

426