10N62K3-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V；ID：12A；Technology：Plannar；
根据提供的文档信息，我们可以深入探讨这款10N62K3-VB TO220F N-Channel沟道MOSFET的相关知识点。
### 一、产品概述
10N62K3-VB TO220F是一款采用TO220F封装的单通道N-Channel功率MOSFET，其主要特点包括低的导通电阻乘以栅极电荷（Ron x Qg），这使得该器件在开关应用中能够有效减少开关损耗和导通损耗，从而提高整体效率。此外，该MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss）以及超低的栅极电荷（Qg），这些特性进一步减少了开关过程中的能量损失，提升了性能。
### 二、技术规格
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单通道N-Channel
- **最大漏源电压（VDS）**：650V
- **最大栅源电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：680mΩ（当VGS=10V时）
- **最大连续漏电流（ID）**：12A
- **制造工艺**：平面（Planar）
### 三、应用领域
10N62K3-VB TO220F适用于多种电力转换应用，具体包括：
- **服务器和电信电源供应器**
- **开关模式电源供应器（SMPS）**
- **功率因数校正电源供应器（PFC）**
- **照明系统**，如高强度放电灯（HID）和荧光灯镇流器
### 四、绝对最大额定值
为了确保安全运行，必须注意以下绝对最大额定值：
- **漏-源电压（VDS）**：650V
- **栅-源电压（VGS）**：±30V
- **连续漏电流（ID）**：12A（结温为150°C时）
- **脉冲漏电流（IDM）**：45A
- **单脉冲雪崩能量（EAS）**：mJ
- **最大功率耗散（PD）**：取决于散热条件
- **工作和存储温度范围（TJ, Tstg）**：-55至+150°C
### 五、热阻参数
- **结到环境的最大热阻（RthJA）**：0°C/W
- **结到壳体（漏端）的最大热阻（RthJC）**：0.8°C/W
### 六、电气特性
在标准测试条件下（除非另有说明，TJ = 25°C），以下是该MOSFET的一些关键电气特性：
- **静态特性**
- **漏-源击穿电压（VDS）**：当VGS=0V，ID=250μA时，VDS最小值为650V。
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：当VGS=10V时，RDS(ON)最大值为680mΩ。
- **动态特性**
- **栅极电荷（Qg）**：最大值为43nC
- **栅源电荷（Qgs）**：最大值为5nC
- **栅漏电荷（Qgd）**：最大值为22nC
### 七、注意事项与建议
- **重复性评级**：脉冲宽度受最高结温限制。
- **雪崩能量**：在特定条件下测试得到。
- **热阻**：根据实际使用环境可能有所不同。
- **焊接推荐**：峰值温度不超过300°C，持续时间不超过10秒。
通过以上分析可以看出，10N62K3-VB TO220F是一款性能优异、适用于多种电力转换场合的N-Channel功率MOSFET，其低损耗特性使其成为提高系统效率的理想选择。
