13N95K3-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：900V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V；ID：9A；Technology：SJ_Multi-EPI；
根据提供的文件信息，我们可以深入探讨这款名为13N95K3-VB TO220的N-Channel沟道TO220封装MOS管的关键技术特性及其应用场景。
### 核心特性概述
#### 低功耗指标 (Ron × Qg)
该MOS管具有低功耗指标(Ron × Qg)，意味着在导通状态下的电阻(Ron)与栅极电荷(Qg)的乘积较低。这一特性使得器件在工作时能够减少能量损失，对于需要高效率电源转换的应用非常有利。
#### 低输入电容 (Ciss)
输入电容(Ciss)是指栅极至源极之间的电容，它是决定MOS管开关速度的一个重要因素。13N95K3-VB TO220具有低Ciss，这有助于降低开关损耗，提高开关频率，适用于高频开关应用场合。
#### 减少开关和导通损耗
该器件设计为减少开关过程中以及导通状态下的能量损失，这对提高系统的整体效率至关重要。通过优化内部结构和材料选择，可以显著改善这些特性。
#### 超低栅极电荷 (Qg)
栅极电荷(Qg)是栅极驱动信号所需的能量。低Qg意味着驱动电路可以更简单、更高效地操作MOS管，这对于需要快速开关的应用尤为重要。
#### 具有雪崩能量等级 (UIS)
UIS (Unclamped Inductive Switching) 表示该器件可以在未钳位的电感负载开关测试中承受一定的能量冲击。这一特性使得13N95K3-VB TO220适用于那些可能遇到瞬态高压情况的应用环境。
### 主要参数详解
#### 封装形式：TO220
TO220是一种常见的功率半导体封装形式，其特点是散热性能好、机械强度高，适合大电流、高电压的应用场景。
#### 构型：单N-Channel
这意味着该MOS管只有一个N-Channel的沟道，适用于单向电流控制的应用。
#### VDS (漏源电压)：900V
VDS的最大额定值为900伏特，表明该器件能够承受高达900V的漏源电压差。
#### VGS (栅源电压)：±30V
栅源电压的绝对值最大可达±30V，为驱动电路提供了较宽的电压范围。
#### Vth (阈值电压)：3.5V
阈值电压(Vth)为3.5伏特，意味着当栅源电压达到3.5V时，MOS管开始导通。
#### RDS(ON) (导通电阻)：750mΩ @ VGS=10V
在VGS为10伏特时，导通电阻RDS(ON)为750毫欧姆，表示在正常工作条件下MOS管的导通电阻较低。
#### ID (连续漏极电流)：9A
连续漏极电流(ID)的最大值为9安培，即该MOS管能够持续承载的最大电流为9A。
#### 技术类型：SJ_Multi-EPI
采用Super Junction Multi-Epitaxial技术，这是一种高级工艺技术，旨在通过优化器件结构来提高性能并降低损耗。
### 应用场景
- **服务器和电信电源供应器**：由于其高效率和稳定性，该MOS管非常适合用于高性能服务器和电信设备中的电源模块。
- **开关模式电源(SMPS)**：适用于需要高开关频率和低损耗的开关电源设计。
- **功率因数校正(PFC)电源供应器**：对于需要改善功率因数的电源应用，13N95K3-VB TO220是理想的选择。
- **照明应用**：包括高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器等，其低损耗和高耐压特性使其成为这类应用的理想选择。
### 绝对最大额定值
- **最大漏源电压(VDS)**：900V
- **最大栅源电压(VGS)**：±30V
- **连续漏极电流(ID)**：8A (TJ = 150°C)
- **脉冲漏极电流(IDM)**：28A
- **最大功耗(PD)**：156W
- **工作温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C 至 +150°C
### 总结
13N95K3-VB TO220是一款高性能N-Channel沟道MOS管，拥有低功耗指标、低输入电容、超低栅极电荷等一系列优异特性。其高电压、大电流的能力使其成为服务器电源、电信设备、开关电源及照明等领域不可或缺的关键组件。通过采用先进的SJ_Multi-EPI技术，该器件不仅提高了系统的整体效率，还能够在复杂的工作环境中保持稳定可靠的表现。
