NOR FLASH应用实验

【NOR FLASH应用实验】是基于S3C2410 ARM处理器的实践教程，旨在帮助用户理解NOR Flash存储器以及SST39VF160型号的NOR Flash器件，并掌握S3C2410对其进行编程的方法。实验的目标是通过编写程序，实现向NOR Flash的特定块写入数据，然后读取这些数据。 **NOR Flash特点：** NOR Flash是一种非易失性存储器，即使断电后仍能保持数据。与易失性存储器（如DRAM、SRAM）不同，NOR Flash在系统中可以电擦除和电编程，且无需特殊高压。相比EPROM，它具有更低的成本和更高的存储密度。广泛应用于嵌入式系统、通信设备、消费电子等多个领域。NOR Flash的独特之处在于支持XIP（Execute In Place），即可以直接从Flash中执行代码，无需先加载到RAM。 **NOR Flash简介：** NOR Flash允许程序和数据同时存储，拥有独立的地址和数据总线，因此可以快速随机读取。它可以单字节或单字编程，但擦除必须按块进行，这导致擦除和编程速度较慢，不适合频繁修改数据的场景。在处理器的bank0地址空间中，NOR Flash通常映射为从0x00000000开始，系统上电后会自动从该地址获取启动代码，执行初始化任务，如设置中断向量、初始化硬件控制器等。 **SST39VF160 NOR Flash简介：** SST39VF160是由SST公司生产的1MB×16bit CMOS多用途NOR Flash，其特点是： 1. 存储容量为1MB，16位宽。 2. 工作电压范围：2.7～3.6V。 3. 可擦写次数达100,000次，数据保留期长达100年。 4. 低功耗设计，静态电流4uA，动态电流15mA。 5. 支持2K word大小的扇区擦除，快速读取操作时间90ns。 6. 提供字编程和扇区/块/整片擦除功能。 **SST39VF160操作原理：** 1. **读操作**：通过/CE和/OE信号线控制，当两者皆为低时，可以从芯片输出端读取数据。/CE为片选线，/OE为输出使能线，高电平时芯片不工作或数据线处于高阻态。 2. **字写入操作**：分三步进行，包括发送数据保护指令、地址和数据，然后内部写入处理，写入过程在20us内完成，期间忽略任何指令。 3. **擦除操作**：支持扇区、块和整片擦除，通过特定指令序列执行，如扇区擦除指令30h。 在进行NOR Flash应用实验时，需要使用S3C2410开发板、ADS1.2集成开发环境、JTAG调试器和串口连接线。实验内容不仅涉及基本操作，还包括理解和应用SST39VF160的特性，这对于嵌入式系统开发者来说是非常有价值的实践经验。通过这样的实验，开发者能够更好地理解和掌握NOR Flash的使用，提高在实际项目中的应用能力。