M25P80数据手册

### M25P80 数据手册关键知识点解析 #### 一、概述 M25P80 是由 ST（意法半导体）公司开发的一款串行闪存存储芯片，该产品首次发布于2002年12月。作为一款初步阶段的产品文档，其规格和特性在后续版本中可能会有所调整。M25P80 是一个 8Mbit (1M x 8) 的低电压串行闪存存储器，支持高速 SPI 兼容接口。 #### 二、主要特点 1. **8Mbit Flash Memory**：该芯片拥有 8Mbit 的闪存容量。 2. **Page Program**：支持页编程操作，单次编程大小可达 256 字节，典型时间约为 1.5 毫秒。 3. **Sector Erase**：支持扇区擦除功能，单个扇区（512Kbit）擦除时间为 2 秒。 4. **Bulk Erase**：支持全芯片擦除，即一次性擦除整个芯片中的所有数据，耗时约 10 秒。 5. **工作电压范围**：单电源供电，电压范围为 2.7V 至 3.6V。 6. **SPI Bus Compatible Serial Interface**：采用与 SPI 总线兼容的串行接口。 7. **最大时钟频率**：最高支持 25MHz 的时钟速率。 8. **Deep Power-down Mode**：具有深度省电模式，此时电流消耗低至 1 微安。 9. **电子签名**：提供电子签名功能，标志为 13h。 10. **耐用性**：每个扇区支持超过 10 万次的擦写周期。 11. **数据保留能力**：数据可保持至少 20 年不变。 #### 三、逻辑结构及操作方式 - **逻辑图**：M25P80 的逻辑图展示了其内部结构以及各个功能模块之间的连接关系。 - **封装形式**：提供了两种封装类型，包括 SO8（MW）和 VFQFPN8（MP 或 MLP8），其中 SO8 封装宽度为 200mil。 - **信号名称**： - C：串行时钟输入，用于控制数据的传输节奏。 - D：串行数据输入，接收指令、地址和待编程的数据。 - Q：串行数据输出，用于输出数据。 - S：片选信号，用于选择特定的存储器芯片。 - W：写保护信号，控制芯片的写入功能。 - HOLD：保持信号，当此信号有效时，可以暂停正在进行的操作。 - VCC：电源电压输入端。 - VSS：接地端。 #### 四、操作模式详解 - **页编程**：M25P80 支持对 1 到 256 字节的数据进行编程操作，每次编程的时间约为 1.5 毫秒。这种方式允许用户以较小的数据块进行数据更新，提高了灵活性。 - **扇区擦除**：芯片被分为 16 个扇区，每个扇区包含 256 页，每页大小为 256 字节。这意味着整个芯片共包含 4096 页或 1,048,576 字节的数据空间。用户可以选择单独擦除某个扇区，而不是整个芯片，这样可以减少不必要的数据丢失，并提高效率。 - **全芯片擦除**：使用 Bulk Erase 指令可以擦除整个芯片中的所有数据，适用于需要快速清空芯片全部内容的场景。 #### 五、性能参数 - **擦写次数**：每个扇区支持超过 10 万次的擦写周期，这表明 M25P80 在耐用性方面表现出色。 - **数据保留**：即使在断电的情况下，存储的数据也可以保持至少 20 年不发生变化，非常适合长期数据存储应用。 - **功耗**：在深度省电模式下，芯片的电流消耗仅为 1 微安，这对于电池供电的应用尤其重要，有助于延长设备的工作时间。 M25P80 是一款高度集成且灵活的串行闪存存储器，特别适合于需要快速读写操作且对耐用性和数据保留有较高要求的应用场景。