光刻胶的选择 光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻

光刻胶是半导体制造中的关键材料，主要分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在曝光后，受紫外线照射的部分在显影过程中会被溶解，而未曝光的部分则保持稳定，因此可以形成精细的图形。负性光刻胶则相反，曝光后未受紫外线照射的部分被溶解，曝光区域则保持固态，形成图形。选择光刻胶的类型取决于所需图形的复杂性和精度要求。 光刻工艺包含一系列精确步骤。硅片需经过严格的清洗，以去除表面的污染物和杂质，确保光刻胶能够良好粘附。预烘和底膜涂覆是为提高光刻胶的粘附性，通常使用HMDS处理硅片表面，以去除表面的-OH基。接着，光刻胶通过离心涂覆技术均匀覆盖在硅片上，前烘则是为了去除溶剂，增强胶膜与SiO2的粘附性和耐磨性。 对准过程至关重要，确保硅片上的图形与掩模版上的图形精确对应。曝光阶段，光通过掩模版照射到光刻胶上，引起化学变化。后烘是为了消除曝光过程中可能产生的驻波效应，提高分辨率。显影过程则溶解掉曝光后软化的光刻胶部分，形成所需图形。坚膜步骤进一步提高光刻胶的稳定性，填充针孔，增强耐刻蚀能力，并通过SEM和OM检测图形质量，如有问题需要重新开始。 湿法刻蚀使用化学溶液溶解硅表面的材料，适用于刻蚀多种材料，但精度较低，一般用于较大尺寸的线条刻蚀。相比之下，干法刻蚀，尤其是各向异性腐蚀，如溅射刻蚀和等离子体刻蚀（包括反应离子刻蚀RIE），能实现更高的分辨率和更好的线宽控制，适用于微米级别甚至纳米级别的精细结构。这些方法利用等离子体中的活性离子与材料发生化学反应或物理轰击，实现精准的材料去除。 光刻胶的选择和光刻工艺的精确执行是半导体制造中确保微电子元件精度和性能的关键环节。不同的刻蚀方法各有优缺点，需要根据具体应用需求进行选择。光刻技术的不断发展对于推动微电子行业的发展起着至关重要的作用。