
嵌入式多媒体设备(e-MMC)电气标准 4.51
RPMB:重发保护存储器块
SSO: 同步开关(指某种噪声类型)
Secure Purge:在指定范围所有可选址单元以同一字符重写,然后将同一范围擦除的操作。
取决于场合的一或多写块或写保护分组。
注:安全清洗的定义是依赖于工艺的(上述定义假定为 NAND flash)。详 见 DoD 5220.22M
和 NIST SP 800-88。
stuff bit:填入比特 0 以保证命令和应答的固定长度
TAAC:定义数据访问时间的时间依赖系数
three-state driver:一种有三个输出启动状态的驱动器段:HIGH、LOW 和高阻(表示接
口对接口电平没有任何影响)
token:代表一个命令的码字
TRIM:一个从写分组移除数据的命令。当 TRIM 被执行时,区域应读为 ‘0’。这是原始的数
据移除命令(见提高性能的 Discard 命令)。
Tuning Process:一个通常由主机完成的找到数据输入信号优化采样点的过程。设备可提
供专用于 HS200 模式的调谐数据块。
UI:单元间隔;1 比特的标称时间。例如,UI=5ns at 200MHz
UTC:通用时间坐标
VDD:在单一电源(VCC=VCCQ)设备情况下代表公共电源,或当有关耗损电流时代表
VCC 和 VCCQ 的总耗损电流。设备
VSS: 核设备的 + 电源电压
VCC: 核的 + 电源电压
VCCQ:I/O 的 + 电源电压
VSSQ: I/O 的 + 电源电压地
Write Protection, Permanent:写和擦除保护方案,一但使能,就不能恢复
Write Protection, Power-on:写和擦除保护方案,一但使能,只能在引起设备重启的掉电
事件或使用复位引脚复位时恢复
Write protection, Temporary: 可以使能和恢复的写和擦除保护方案
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