MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf

"MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf" MOS管的米勒效应是 MOSFET栅极驱动过程中的一个重要概念。米勒效应是由于MOSFET中的栅源极电容（Cgs）和栅漏极电容（Cgd）引起的。这些电容会对MOSFET的驱动过程产生影响，使得MOSFET的开通速度变慢。 米勒效应的影响可以简单地理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程。在这个过程中，MOSFET的栅源极电压（Vgs）会上升，直到达到门槛电压，然后MOSFET就会进入开通状态。但是，由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，这时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值。 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，它是由MOS管的米勒电容引发的。米勒电容会阻止Vgs的上升，从而也阻止Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。 米勒平台是MOSFET中的一个典型标志，用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。米勒平台是由于MOS的gd两端的电容引起的，即MOS datasheet里的Crss。 在MOSFET的驱动过程中，米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。因此，选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。 米勒效应的影响可以通过增加驱动电路中的电容来减少，但是这也会增加开关时间。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有益的。 米勒效应也可以用数学公式来描述。例如，式（1）I=C×dV/dt，描述了电压V施加到电容C上的电流I。式（2）I1=Cgd×d(Vgs-Vds)/dt，描述了栅-源极电压Vgs对MOSFET的输入电流I1的影响。式（3）I2=Cgs×dVgs/dt，描述了栅- 源极电压Vgs对MOSFET的输入电流I2的影响。式（4）Av=-Vds/Vgs，描述了MOSFET的负增益。式（5）I1=Cgd×（1+Av）dVgs/dt，描述了米勒效应对MOSFET的输入电流I1的影响。 米勒效应是MOSFET驱动过程中的一个重要概念，影响MOSFET的开通速度和损耗。了解米勒效应对MOSFET的驱动设计和选择MOSFET的参数具有重要意义。