知识点：
1. 非易失性存储器概念：非易失性存储器（Nonvolatile Memory）是一种即使在断电情况下也能保持所存储数据的电子存储器。与易失性存储器（如DRAM或SRAM）不同，后者在断电后会丢失数据。
2. 自由浮栅结构：文中提到的“自由浮栅非易失性存储器”是指存储器件中没有传统的浮栅（floating gate）结构，而是使用了其它技术来实现电荷的存储与保留。
3. I型核/壳量子点：I型核/壳量子点（Type-I core–shell quantum dots）是一种特殊设计的半导体纳米材料，核心材料和壳层材料之间存在I型能带结构。I型能带结构允许电子从核心材料向壳层材料转移，但阻止空穴的反向转移，这样可以有效避免电子的自发恢复。
4. 离散电荷俘获/隧穿中心：在存储器中，离散电荷俘获/隧穿中心是用来存储和控制电荷的区域。隧穿中心是指可以实现电荷的隧穿传输，即在电场作用下，电荷能够穿过薄层介质材料到达另一侧。
5. 隧穿介电层：在浮栅型存储器中，隧穿介电层（Tunneling Dielectric Layer）是电荷注入或移除时，电子必须穿过的一层绝缘材料。隧穿介电层通常比较薄，以便允许量子隧穿效应的发生。
6. ZnSe@ZnS核/壳量子点：这是一种特定的I型核/壳量子点，其中ZnSe是核心材料，ZnS是壳层材料。利用这种量子点作为存储单元中的电荷俘获和隧穿中心，可以有效提高存储器的性能和稳定性。
7. 电荷保持和耐久性：在存储器的性能评估中，“电荷保持”是指存储的电荷在没有外部作用的情况下能够被保持多久而不流失，“耐久性”（Endurance）是指存储器在经过多次写入和擦除循环后，其存储性能保持不变的能力。
8. 成本效益与灵活性：使用I型核/壳量子点作为存储中心可以简化浮栅存储器的加工过程，因为这种结构的量子点同时具有电荷俘获和隧穿能力，并且可通过溶液合成和加工获得，这对于降低成本和提高制备过程的灵活性具有重要意义。
9. 系统性研究和自发恢复：文中提到了“系统性研究”，指的是对新型存储器材料或技术进行全面深入的研究。自发恢复（spontaneous recovery）是指存储器中捕获的电荷可能会因材料内部能态的变化而意外返回，影响存储器的性能。
10. 新型存储器概念：文中提到了“memristor”和“opto-electronic memory”，这些是新型存储器概念，旨在寻找具有更高性能、更低能耗、以及更多功能的下一代非易失性存储技术。
11. 商用固态驱动技术：浮栅晶体管（FGT）在主流商用固态驱动（如闪存）中占据了主导结构，这对于现代电子设备变得越来越重要。通过采用先进的材料，如量子点，来实现浮栅结构的潜力，可以提升存储器的性能。
12. 学术研究与应用潜力：研究指出，I型核/壳量子点在非易失性存储器中作为电荷捕获和隧穿中心的使用，展示了它们在性能、成本和灵活性方面的应用潜力，是学术研究到工业应用的一个有力证明。
