ESCUELA SUPERIOR DE INGEMIERIA MECANICA ¥ ELECTRICA INGENIERIA EN COMUNICACIONES ¥ ELECTRONICA, iNDICE Se sieriicisGcescina So BeUEccineadorcomrcind desiicioy)> = S70 imerruptor por Control de Puerta) Bo To nienisctarcinare slit nits) = Bind foiode PRIRE (rriodo de Comiente Alterna) = ht Detinicién. Los tirstores son una familia de dispesitives semiconductores de varias capas ‘Que prerentan una accion de conmutacion biestable, debido a su inherente: realimentacion regenerativa, Los materiales de los que se componen 07 de tipo semiconductor, e decir, dependiende de Ia temperatura a ia que se fencuentren pueden furcionar come alsiantes o como conductores. En st) tpran mayoria son dispositivos unidirecciorales porque solamente transmiten, |a corriente en un nico sentido aunque existen combinaciones de ellos que conectades de forma anti paralels se comporian de manera bidireccional esto quiere decir que la corriente puede viajar a través de ellos en dos Sentidos distintas. Se emplea generalmente para el control de potencia eldetrica Funclonamiento basico. El tirister es 1 equivalente electrénice de los interruptores macsnicas: por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente 0 bloquear por completo e! paso ce la corrienta sin tener nivel Inter medio alguno, aunque no sen capaces de soportar grandes sobrecargas de cornente. El disefio del tiristor permite que éste pase répidamente a encencdo al recitir un pulso momenténeo de corriente en su terminal de control, Cenominads puerta (0 en ingles, gate).a medida que aumentale corriente de puerta se desplaza el punto de dispar,tapreacion. Técnica de Difusién-Aleacion: La parte principal del tristor esté compuesta por un disto de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operacién de difusién con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara evtarine ca forma tina uniAn ran tin cantarta arnantimnnin Lac cantactne Técnica "Todo Difusion”: Se trata de la técnica més usada, sobre todo en dispositivos de mediana 0 baja intensidad, el problema principal de esta técnica reside en los contactos, ccuya construccién resulta mas delicada y problematica que en el caso de difusion-aleacion. Las 2 capas P se obtienen por difusion del galio o el aluminio, mientras que las capas N se obtienen mediante el sistema de mascara: de éxide. El problema principal de este método radica en la multitud de fases que hay que realizar. Aungue ciertas técnicas permiten naralelizar ecto nracesa, Esta Gicnica €5 una variante de la anterior. Se parte de un sustrato de siicio tipo N que se oxida por las dos caras, despues en cada una de las 2caras se tempersturas produce la unin de las 2 zanas P. Despucs de este proceso se bSlimina todo ef Sxido do una do las carazy se abre una ventana on la otra, £6 Fealiza entonces en orden a aisiar mas zonas de tipo N, una aifusion tips P. Después de una ultima difuslén Nol tristor ya ests terminado a falta de establecer las metalizaciones, cortar les dads y enecapsularios. Aplicaciones Normatmente son usados en disefios donde hay corrientes © voltajes muy grandes, también son comunmente usedes para controlar corriente alterna Gonde ct cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexion 0 Gesconexién del dispositive. Se puede decir que el dispositive opera de forma Sincrone cuando, una vez que el dispositive esta ablerto, comienza a conducle Corriente en fase con sl voltaje aplicado sobre Ia union catods-anodo sin Ia Receriiad de replicacion de Ia modulacion de Ia pure. En eate momento cl Uispositive tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe mencion6 anteriormente es unidireccional y va solamente del catodo al Svitar que lor componentes on Ia direecion del flujo de corriente aucden, La primera aplicacion a gran excala de los tiristores fue para controlar Ia por ejemplo. A comienzo de los “70 se usaron tos tiristores para estabilizar et Flujo de tension de entrada do lor roceptores de telavisian on color Se suelen usar para controlar la rectificacion en corriente alterna, es deci Bara transformer esta coriente alterna en coriente continua (siendo en este unto los tristores onduladores "o inversores), para la realizacion. de Eonmutaciones de baja potencia en circultas electranicas: Otras aplicaciones comerciales son en electrocomésticos ( Sentiiadores), herramientas eleetricas (para acciones controlndas tales come Velocidad de motores, cargadores de baterias), equipos para exteriores (nspersores “de agua, encentide de motores de gas, parntalins electrenicas, Shere otros)luz: $i un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el numero de pares electron-hueco aumentard pudiéndose activar el Para un tiristor polarizado en drecta, Ia inyeccion de una carriente de compuerta al aplicar un voltaje positive entre compuerta y cétodo lo activard Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuiré el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacion del dispostivo. Térmica’ Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del numero de pares electrén-hueco, por lo que aumentaran las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia ertre anodo y cétodo, y gracias a la accion regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 2, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacién podria comprender una fuga térmica, normalmente cuando en un disefio se establece este método como método de activacion, Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el snodo hacia el ctodo es mayor que el voltajede ruptura directo, se crearé una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se iniciela activacién con retroalimentacién. Normalmente este tipo de activacién puede dafiar el dispositivo, hasta el punto de destruirlo. Elevacién del voltaje snodo-catodo: Si la velocidad en la elevacién de este voltaje es lo suficientemente alta, entonces la corriente de as uniones puede ser suficiente para activar el DIODO SHOCKLEY Nombre Oficial TTiristor Diodo de Bloqueo Inverso tect (Reverse Blocking Diode Thyristor) ‘Nimero de Terminales 2 [4 Suniones Disparo Principal Mediante Tension mas alta que la de ruptura dal nodo Valores Maximos Disponibles 00v, 300A... de impulso. Principales Aplicaciones Disparadar SCR circultos de temporizacién, generadores de impulsos Unidireccional / Bidireccional K Catodo « Secci6n Circuito Longitudinal Equivatente‘Dende: que acepta el dispe en conduccion Fax Veo — Voltaje @ part cual et dispositive fen conduccion Va —Veltaje de rupt ‘Gaando se polarizainvenamerte Snedo-citodo. A. + a destuccién del dispostivo se puede dar por un valer negative — que supere al vokaje de rupture Ve 0 bien si se supera la Corte = Siempre queno sesupere be hecho esto, no disminuirla corrlentede sosteriniento ls Conducci6n thw np TF Cireultos de apagado para el scs 2) E! transistor conduce plenamente, y ocasiona una caracteristica de baja Impedancia desvia la corriente del aado del Sc, lo que provoca que este chiga por debsjo desu nivel de sostenimiente y porconsecuencia lo spage. ») £1 puleo: postive en la compuerta del dnedo apegard al SES mediante el ©) Este circuito puede ser tanto de encendido como de apagado mediante un Bulso con la maginitud aciecuada en la compuerta de catods. La caracteristica de apagado sera posible s6lo si se aftiliza el valor correcto de Ry el cual Controlara la cantidiad de retroalimentacion regenerative, donde la magnitud de erta or eritica para este tipo de oparacion-Diac Nombre Ofeiat Tiristor Diode Biaireccional tec (Bidirectional Diode Thyristor) Nombre Caman DIAC. = Sduniones 2 Tondion mas alta queladeruptars en cualquier dirocei de “A00v, GOOA Eficaces Principales Aplicaciones Prateccion de sobre-tension en disparo del TRIAG, control de fase de CA, Unidireccional / Bidireccional Bidireccional = , : “es Veo — Voltaje que perm $h 8] CONDICIONES DE CONMUTACION _——_ “Mire a hansen cigars de om ston Con un voltae aplicado entre MTL y MT2 (o bien de MT2 a MT) ‘que supere @ Vic, alcanzando asi por lo menos al. Siempre que |, se mantenga. | YyrinYure > Yao Fara leera 2 hy Conduccionparis = Baca de proximidad 0 sensor al tacto A medida que el cuerpo humano se acerca al electrodo sensor, ia eapacitancia entre el electrodo y la terra se incementara. el UsT programable (PUT) es un dispositive que cispararé (entrars al estado de Eireuite cerrado) cuando el voltaje del anode V. sea al menos 0.7v (silicic) mayor que el voltajede compuerta Ya TRIAC Nombre oficial lect Valores Maximos Disponibles Unidireccional / Bidireccional Tiristor Triodo Bidireccional [Bidirectional Triode Thyristor) TRIAC Sefial de compuerta '1000v, 200A Eficaces Conmutaciny control de fase de suministro de CA @60H2 tal como motores y calefactores de CA Bidireccional tne orgentasin de mormatsnion ex es cagen ocanc, eleince y tino wiconnas Rome Ssormas eden conjntamente con SO [nae O/C} Anodo2 ba: a2 - s T PL z i 3 odo a Seccisn Cireuito Simbolo Laneitudinal Fouivalente EL TRIAC es fundamentalmente un DIAC con una terminal de compuerta para controlar las condiciones de encendido del dispositive bilateral en cualquier direccin. La corriente de rmanterimiento no estd presente en cada direccién como lo es en el DIAC. Se puede disparar mediante un pulso de corriente de compuerta yno requiere alcanzar el valtaje Vso (Vea) como ef DIACConduccion . vance En la siguiente figura el interruptor esta cerrado. Si el TRIAC se ha disparado, écusl es aproximadamente la corriente que circula por la resistencia de 220? a2 ke: wv SOLUCION. En el caso ideal, el TRIAC tiene Ov a través de éI cuanda conduce. Por consiguiente, Ia corriente que circula por los 220 es: 7Sv ‘32a B41A Incluso si el TRIAC tiene 1 0 2v a través de él, la corriente que cireula por los 220 es muy cercana a 3.41A debide a la elevada tensién de alimentacién que cculta el efecto del TRIAC en ta tension. Ss " fmonkeres de position’ ineerrupeores + Eittre ats mpticactones prineinIBLIOGRAFIA + Principios de Electronica, 6ta Edicion. Malvine, + Electronica, teoria de circuitos, Sta Edicién, Robert Goylestad. = profesormotina.com.ar/tutoriales/enica_pot htm ectificador_gobernade.silicio SCR.asp = es.wikipedia.ora/wikisolac + www.getbme.husedu/subjects/V1AU0030/final/3.2_PSO_Oudrik_EN_F INAL/htmI/sekundarne/3_sek_en.htm + datateca.unad.edu.co/contenides/201419/contLinea/ieccin_28_otras_ + netp://temporizadoressebastian blogspot.mx/2011/12/gto-gate-turn- loff-thyristor-pesor-de.htm!