UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS DIGITALES II
LABORATORIO 8.- Memorias RAM y ROM
Profesor: Ing. Oscar Casimiro Pariasca I.
OBJETIVO:
1. Analizar el comportamiento de una unidad de memoria RAM y ROM
2. Utilizar los terminales de direccin, control y datos de la memoria para escribir y leer datos.
3. Implementar memorias RAM y ROM usando puertas lgicas convencionales.
II. MATERIALES y EQUIPO :
- Protoboard, cables de conexin.
- CI TTL: 74LS01, 74LS02, 74LS04, 74LS08, 74LS74, 74LS126 74LS367, 74LS244, 74373, 74367 x 2, 74139
74138 74154 , RAM 74LS189, RAM 6116, otros.
- Resistencias : 220 x 8, 330 x 4, 1 K x 12, 470 x 4 , Watt;
. Diodos 1N4001 ( otro) x 12, Diodos Leds x 12. - Display matriz 5 x 7 de 7
segmentos - Microinterruptores x 8 - Protoboard , cables - Fuente C.C. +5 voltios; VOM;
Generador de Pulsos.
III. CUESTIONARIO PREVIO:
1. Que es una unidad de memoria?. Tipos de memoria. Indique en un diagrama de bloques las diferentes lneas
de datos, de direcciones, de control, etc. Explicar las operaciones de lectura y escritura en una unidad de
memoria.
2. En la figura adjunta se muestra una memoria RAM de
4 x 4 . Encierre la RAM de 4 x 4 en un diagrama de
bloques que seale todas las entradas y salidas.
Suponiendo salidas de tres estados, construya una
memoria de 8 x 8 utilizando cuatro unidades de RAM
de 4 x 4 .
3. Las siguientes unidades de memoria se especifican
por el nmero de palabras multiplicado por el nmero
de bits por palabra. Cuntas lneas de direccin y
lneas de entrada-salida de datos se necesitan en cada
caso? a) 4K x 16 b)
2G x 8 c)256 x 64
4. Indique el nmero de bytes que se almacenan en cada
caso anterior.
5. Cuntos chips de RAM de 32K x 8 se necesitan para tener una capacidad de memoria de 256K bytes?
Cuntas lneas de direccin se necesitan para acceder a 256K bytes? Cuntas de esas lneas estn conectadas
a las entradas de direccin de todos los chips?
Cuntas lneas deben decodificarse para las entradas de seleccin del chip?. Especifique el tamao del
decodificador.
6. Qu es una ROM? . Dado un chip de ROM de 32 x 8 con una entrada de habilitacin, indique las conexiones
externas que se requieren para construir una ROM de 128 x 8 con cuatro chips y un decodificador.
7. Indique el modo de operacin del CI 74LS244. Tambin del CI 74367 y CI 74373 8. Explicar el
modo de funcionamiento de los circuitos (a) y (b) de la parte experimental.
9. Indique el modo de funcionamiento de la memoria SRAM 74LS189 y de la memoria SRAM 6116. Analizar
los ciclos de lectura y de escritura y el funcionamiento de los circuitos a implementar en la parte experimental.
10. Presentar los archivos de simulacin de los circuitos de la parte experimental
IV. PARTE EXPERIMENTAL: Verificar solamente (A), (B) y {(C) (D)}
A) Simulador de SRAM:
Implementar el circuito de la figura. Explique su funcionamiento Identifique los principales bloques de
la memoria RAM.
Haga varias lecturas y escrituras sobre la memoria, compruebe su funcionamiento. Mencione los pasos
que se deben seguir para una lectura de informacin Mencione los pasos que se deben seguir para una
escritura de informacin.
Cul es la frecuencia mxima de operacin?
Cmo se introducira un habilitador general de la memoria?, explique con detalle.
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Sem. 2016-II
Qu pasar con la informacin guardada en la memoria si se quita inesperadamente la alimentacin Vcc?
. Compruebe que la memoria RAM alambrada pertenece al tipo de memoria voltil y de lectura no
destructiva.
B) Simulador de ROM:
Implemente la memoria ROM de la figura . Conecte el CI
74LS139 para poder obtener un decodificador 3 x 8 que se
necesita para el circuito . Verifique su funcionamiento y obtenga
la tabla de datos que est almacenada.
En qu momento se guard la informacin?
A qu tipo de memoria ROM pertenece?
Qu pasar con la informacin guardada en la memoria si se
quita inesperadamente la alimentacin Vcc?
Por qu sucede esto?
Qu implica que haya un diodo o no? Explique cul es el
principio de funcionamiento de esta memoria.
Identifique en la figura , los bloques bsicos que integran una
memoria.(bloque de direcciones, bloque de almacenamiento,
bloque I/O, bus de direccin, bus de control, bus de datos )
C) Prueba de la RAM 74LS189:
Las salidas de la RAM, producen valores de complemento, utilize
4 inversores a la salida para cambiar a su valor normal.
2. Almacene unas cuantas palabras en la memoria y luego lalas para
verificar que las operaciones de lectura y escritura estn
funcionando correctamente. Mantenga la entrada WE en el modo
de lectura continuamente, a menos que quiera escribir en la
memoria. La forma correcta de escribir requiere colocar primero
la direccin en el contador y luego las entradas correspondientes.
Para almacenar la palabra en la memoria, cambia WE a la
posicin de escritura y luego se vuelve a la posicin de lectura.
Tenga cuidado de no modificar la direccin ni las entradas cuando
WE est en el modo de escritura.
Para verificar el modo de lectura, utilice un contador en las
entradas de direccin y un display en la salida de datos.
Simulador de ROM:
1. Se obtiene un simulador de ROM con una RAM operndola
nicamente en el modo de lectura. El patrn de unos y ceros se
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introduce primero en la RAM simuladora colocando la unidad momentneamente en el modo de escritura. Se
efecta la simulacin colocando la unidad en el modo de lectura y tomando las lneas de direccin como
entradas de la ROM. Entonces la ROM podr utilizarse para implementar cualquier circuito combinacional.
D) Prueba de la RAM 6116 :
1. Verificar las operaciones de lectura y escritura en forma similar a la RAM utilizada anteriormente:
escribir en la memoria los datos en las direcciones indicadas.
Descripcin de los terminales :
A0-A10: Lineas de direcciones
I/O 0 I/O 7: Entrada y Salida de datos
(CE)' , Habilitador del CI
(OE)' , Habilitador de salidas
(WE)' , Habilitador para la escritura
Vcc Voltaje de alimentacin +5.0 Volts
GND Terminal de tierra 0.0 Volts
2. Conectar un contador (utilize un contador ascendente que cuente desde 00b hasta el 11b) a los terminales
de direccin de la memoria, activar la operacin de lectura y observar el display. Utilizar como Reloj el
generador de pulsos a una frecuencia de 1 Hz.
3. Desconecte la fuente de Vcc, vuelva a conectarla, repita el paso 2 y observe al display.
V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Analize y explique el funcionamiento de los circuitos de la parte experimental.
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2. Expandir la unidad de memoria a una RAM de 32 x 4 usando dos CI 74189.
Pruebe su circuito utilizndolo como simulador de ROM que sume un nmero
de 3 bits a un nmero de 2 bits para producir una suma de 4 bits. Por ejemplo
si la entrada de la ROM es 10110, la salida deber ser 101 + 10 =
0111
Utilize el contador para alimentar cuatro bits de la direccin y un interruptor
para el quinto bit de la direccin.
3. Una ROM de 32 x 6 con una lnea 20, convierten un nmero binario de seis
bits en el nmero BCD de dos dgitos correspondiente. Por ejemplo, el nmero
binario 100001 se convierte en el nmero BCD 011 0011 (decimal 33).
Especifique la tabla de verdad de la ROM.
4. Presentar los archivos de simulacin de los circuitos de la parte experimental y los resultados obtenidos.
5. Explicar el funcionamiento del siguiente diagrama de circuito :
En el diagrama de bloques del circuito, identifique los buses de datos, de direccin y de control. Realizar el
mapeo de direcciones. Indique la finalidad de los latch de tres estados.
VI. Conclusiones.
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