GUIA 10 propiedades eléctricas
Propiedades eléctricas
1)a) Calcular la conductividad eléctrica de una muestra cilíndrica de silicio de 5 mm de diámetro
y 50 mm de longitud a través de la cual pasa una corriente de 0,1 A en la dirección axial. Se mide
un voltaje de 12,5 V entre dos puntos separados 38 mm
b) Calcular la resistencia de toda la probeta (50 mm)
Tabla 1
Metal Conductividad eléctrica
[ Ωm]-1
Plata 6,8 x 107
Cobre 6,0 x 107
Oro 4,3 x 107
Aluminio 3,8 x 107
Latón (70 Cu – 30 Zn) 1,6 x 107
Hierro 1,0 x 107
Platino 0,94 x 107
Acero al carbono 0,6 x 107
Acero inoxidable 0,2 x 107
2)Un hilo conductor de cobre de 100 m de longitud debe experimentar una caída de voltaje
inferior a 1,5 V cuando pasa una corriente de 2,5 A. Utilizando los datos de la tabla 1, calcular el
diámetro mínimo del hilo.
3) Un hilo de aluminio de 5 mm de diámetro no debe presentar una resistencia superior a 2,5 Ω.
Utilizando los datos de la tabla 1, calcular la máxima longitud del hilo.
4)Comentar las razones que justifican la diferencia de conductividad eléctrica entre metales,
semiconductores y aislantes, en términos de la estructura de bandas de energía electrónica.
5) explicar brevemente el significado de la velocidad de arrastre y la movilidad de un electrón
libre.
6) A temperatura ambiente la conductividad eléctrica y la movilidad de los electrones para el
cobre son 6,0 x207 (Ωm)-1 y 0,003 m2 /Vs respectivamente. a) calcular el número de electrones
libres por metro cúbico para el cobre a temperatura ambiente b)¿cuál es el número de
electrones libres por átomo de cobre ¿ suponer una densidad de 8,9 g/cm3
7) Calcular el número de electrones libres por metro cúbico para el oro, suponiendo que hay 1,5
electrones libres por átomo de oro. La conductividad eléctrica y la densidad de Au son
4,3x107(Ωm)-1 y 19,32 g/cm3 respectivamente b)Ahora, calcular la movilidad de los electrones
para Au
8) a partir de los datos de la figura1, determinar el número de electrones libres por átomo para
el germanio y el silicio intrínsecos a temperatura ambiente (298K) la densidad de Ge y Si son
5,32 y 2,33 g/cm3 respectivamente.
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Figura 1: Concentración de portadores intrínsecos (escala logarítmica) en función de la
temperatura para germanio y silicio)
9)Definir los siguientes términos relacionados con materiales semiconductores: intrínseco,
extrínseco, compuesto, elemental. Citar un ejemplo de cada uno.
10) Se sabe que un semiconductor de tipo n tiene una concentración de electrones de 3x1018 m-
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Si la velocidad de arrastre de los electrones es de 100 m/s en un campo eléctrico de 600 V/m,
calcular la conductividad de este material.
10) Explicar cómo las impurezas donadoras en los semiconductores dan lugar a una mayor
cantidad de electrones libres que los generados por excitaciones desde la banda de valencia a
la banda de conducción
b) Explicar además cómo las impurezas aceptoras dan lugar a un número de huecos superior al
generado en la banda de valencia por los electrones excitados a la banda de conducción.
11)Calcular la conductividad eléctrica a temperatura ambiente, del silicio dopado con 5 x 10 23
m-3 de átomos de boro.
12) Un condensador de placas paralelas con un material dieléctrico que tiene un Ɛr de 2,5
presenta una distancia entre placas de 1 mm. Si se utiliza otro material con una constante
dieléctrica de 4,0 y la capacidad no debe cambiar, ¿cuál debe ser la nueva distancia entre las
placas?
