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Parametros H BJT Explicacion

Los parámetros h que describen el modelo hibrido de un transistor son: hix que representa la impedancia de entrada del emisor, hrx que muestra la dependencia de la curva IB-VBE y usualmente se desprecia, hfx que es igual a la ganancia de corriente hFE, y hox que representa la impedancia de salida e usualmente se especifica como admitancia.

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Parametros H BJT Explicacion

Los parámetros h que describen el modelo hibrido de un transistor son: hix que representa la impedancia de entrada del emisor, hrx que muestra la dependencia de la curva IB-VBE y usualmente se desprecia, hfx que es igual a la ganancia de corriente hFE, y hox que representa la impedancia de salida e usualmente se especifica como admitancia.

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Y los parámetros h están dados por:

 hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del


emisor re).

 hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de


VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se
considera cero).

 hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente


referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (βDC) en las hojas de
datos.

 hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente


especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.

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