ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECÁNICA,

MECÁNICA ELECTRICA Y MECATRÓNICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICOS

PRACTICA N°: 02

GRUPO N° : 12

TEMA : Características de los Elementos Lineales – Ley de Ohm

PROFESOR :

ALUMNO : Ccopa Villalba Fredy / Cutipe Medina Yeyson / Neyra

Mendoza Wendy Nathalie
INDICE

1. OBJETIVOS .................................................................................................................... 3

2. PROCEDIMIENTO ...................................................................................................... 3

3. CUESTIONARIO FINAL ............................................................................................. 8

4. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES .................................................................. 12

5. BIBLIOGRAFIA ........................................................................................................... 13
 1. OBJETIVOS
Obtener las características de un diodo de silicio y germanio.
Analizar las características técnicas de un diodo.

2. PROCEDIMIENTO
PARTE 1: Prueba del diodo

 Escala de prueba de diodos del DMM

Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

TEST Si 1N4007 Si 1N4148 Ge 1N60

DIRECTO 0.532 0.701 0.237
INVERSO 0 0 0
Tabla 01. Condición de diodos.
  Escala de resistencia del DMM

Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

TEST Si 1N4007 Si 1N4148 Ge 1N60

DIRECTO 2.2 MΩ 1.88 MΩ 4.02 KΩ
INVERSO 0 0 0
Tabla 02. Condición de diodos.

PARTE 2: Características del diodo en polarización directa

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

R medido = 1.006 KΩ

Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V

Mida el VD y calcule ID. Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo.

Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y
germanio.
 DIODO: 1N4007 (Si)

VR (V) 0.104 0.200 0.303 0.402 0.504 0.606 0.701 0.804 0.908

VD (V) 0.5 0.525 0.541 0.552 0.560 0.568 0.574 0.580 0.585

ID = VR / R med (mA) 0.104 0.198 0.301 0.399 0.501 0.602 0.697 0.799 0.903

VR (V) 1.004 2.04 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00

VD (V) 0.590 0.620 0.638 0.650 0.660 0.667 0.673 0.679 0.683

ID = VR / R med (mA) 0.998 2.028 2.982 3.976 4.970 5.964 6.958 7.952 8.946
Tabla 03

DIODO: 1N60 (Ge)

VR (V) 0.104 0.203 0.309 0.401 0.503 0.599 0.705 0.802 0.899

VD (V) 0.161 0.193 0.216 0.233 0.251 0.265 0.279 0.292 0.305

ID = VR / R med (mA) 0.103 0.202 0.307 0.399 0.500 0.595 0.701 0.797 0.894

VR (V) 1.006 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00

VD (V) 0.317 0.422 0.511 0.590 0.666 0.738 0.806 0.874 0.935

ID = VR / R med (mA) 1 1.988 2.982 3.970 4.970 5.964 6.958 7.952 8.946
Tabla 04
PARTE 3: Polarización Inversa

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor

R medido = 0.997 MΩ

 Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación

𝑽𝑹
𝑰𝑫 =
𝑹𝒎𝒆𝒅 ⃦ 𝑹𝒎
Rm es la resistencia interna del DMM (10MΩ)

Si Ge
Rm 0.997 MΩ 1.006 KΩ
VR 19.5 V 19.8 V MEDIDO
ID 21.5 uA 19.68 mA CALCULADO
Tabla 05

 Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.

𝑽 − 𝑽𝑹
𝑹𝑫𝑪 =
𝑰𝑫
  Si 1N4007
𝑉 − 𝑉𝑅 𝑉𝐷
𝑅𝑑 = = = 23.25𝑘Ω
𝐼𝐷 𝐼𝐷
 Ge 1N60
𝑉 − 𝑉𝑅 𝑉𝐷
𝑅𝑑 = = = 10.16Ω
𝐼𝐷 𝐼𝐷

RDC (Si 1N4007) = 23.25 KΩ

RDC (Ge 1N60) = 10.16 Ω

PARTE 4: Resistencia DC

Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en los niveles
de corriente indicados en la tabla 6, 7 y 8

Diodo 1N4007 (Si)

ID (mA) VD RDC
0.2 0.3 4.5
1 0.4 0.4
5 0.5 0.1
10 0.6 0.06
Tabla 05

Diodo 1N60 (Ge)

 ID (mA) VD RDC
0.2 0.08 0.9
1 0.15 0.5
5 0.280 0.056
10 0.3 0.03
Tabla 06

3. CUESTIONARIO FINAL
1. ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?

Los diodos se presentan con distintos tipos de cubiertas. algunos de los cuales exigen la
atención del armador para no hacer inversión o conexión equivocada.

El tipo más común está dotado de una banda que identifica al cátodo o K, que está siempre
marcado en los diagramas o en las vistas de puentes y placas.
Otros tipos, como el que muestra la siguiente tienen el símbolo marcado en lugar de la
banda. En este caso la flecha corresponde al ánodo (A) y la barra al cátodo (K).

En algunos casos puede faltar la marcación de la banda o el símbolo. Para los diodos de
señal (diodos de pequeñas corrientes) podemos hacer la identificación mirando el interior
de la cubierta de vidrio transparente. En este caso según muestra la siguiente figura
tenemos un alambre fino llamado “bigote de gato” que corresponde ánodo y una pequeña
“bolita” de material semiconductor que corresponde al cátodo.
2. ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos analizados
en laboratorio?

Siempre que se habla de continua o directa, se quiere decir que es estática, que nunca
cambia, es una Resistencia Estática.

 Si 1N4007
𝑉 − 𝑉𝑅 𝑉𝐷
𝑅𝑑 = = = 23.25𝑘Ω
𝐼𝐷 𝐼𝐷
 Ge 1N60
𝑉 − 𝑉𝑅 𝑉𝐷
𝑅𝑑 = = = 10.16Ω
𝐼𝐷 𝐼𝐷

3. ¿Qué es la resistencia inversa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos analizados
en laboratorio?

Esta polarización llamada también indirecta o inversa significa que es dinámica, es una
Resistencia Dinámica y difiere aun determinado voltaje y corriente con otro punto.

 Si 1N4007
Δ𝑉 0.6 − 0.3
𝑅𝑟𝑑 = = = 37.5Ω
Δ𝐼 0.01 − 0.002
 Ge 1N60
Δ𝑉 0.28 − 0.15
𝑅𝑟𝑑 = = = 32.5Ω
Δ𝐼 0.005 − 0.001
4. De la ficha técnica de los diodos, anote los valores más importantes y/o usuales a consultar
para los diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en general. Anote los valores de
acuerdo a la elección hecha.

 Si 1N4007
 Voltaje inverso (Vr): 700v.
 Voltaje inverso pico (Vrm): 1000v.
 Corriente directa máx. (Io): 1A.
 Caída tensión directa (Vf): 1,1v a 1A.
 Corriente de sobretensión máxima: 30A.
 Encapsulado: DO-41
 Tensión operativa: -55ºC a +150ºC.
 Si 1N4148
 Voltaje inverso (Vr): 75v.
 Voltaje inverso pico (Vrm): 100v.
 Corriente directa máx. (Io): 200mA.
 Caída tensión directa (Vf): 1v a 10mA.
 Corriente de sobretensión máxima: 4A.
 Potencia disipada (Ptot): 500mW.
 Tiempo de recuperación (Trr): 4ns.
 Encapsulado: DO-35.
 Tensión operativa: -65ºC a +200ºC.
 Ge 1N60
 Tipo: Recuperación rápida de germanio
 Voltaje de tensión de ruptura: 45 V
 Corriente máxima promedio: 50 mA
 Corriente máxima pico: 500 mA
 Temperatura de operación máxima: 125°C
 Encapsulado DO-35
 Axial: 2 puntas

4. CONCLUSIONES

Se obtuvo las características propias de los diodos de Si 1N4148, 1N4007 y el de Ge

1N60 que fueron los usados en el circuito.
Con las características obtenidas pudimos hacer un análisis de sus funcionamientos
para ser comprobados durante esta práctica.
Aprendimos a reconocer el ánodo y en katodo del diodo físicamente y con ayuda del
multímetro.
5. OBSERVACIONES

Se pudo observar y comprobar que los diodos usados necesitan una determinada
cantidad de voltaje para que se polaricen directamente dando así paso a la corriente.
Se debe tener cuidado con el uso de las fuentes; elegir bien las escalas y las salidas
correctas de voltaje.
Se observo que los resistores con los que se trabajó en clase no poseen una Resistencia
fija; esta puede variar por ello debe ser medida antes de ser usada.

6. BIBLIOGRAFIA

CIRCUITOS ELÉCTRONICOS PARA LA INGENIERIA. José L. Polo Sanz. Primera

Edición. Rescatado 01/04/19.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS. Charles Alexander. Sexta Edición. Rescatado el
01/04/19.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS. Antonio José Salazar Gómez. Universidad de los
Andes. Primer Tomo. Rescatado el 01/04/19.
CIRCUITOS ELECTRICOS. Jesús Fraile Mora. Editorial Pearson. Rescatado el
01/04/19