Los objetivos de aprendizaje de este capitulo son los siguientes: ‘© Aprender las limitaciones de los titistores como interruptores ‘+ Comprenciet las caracteristicas de compuerta y fos requisitos de control de compuerta de distin 7A 72 304 cAP{TULO 7 Tiristores Aprender los distintos tipos de tristores ‘ tipos de tiristores, y sus modelos Aprender los modelos de tiristor en SPICE. INTRODUCCION Los tiristores son wna familia de dispositivos semiconductores de potencia. Se usan mucho) circuitos electrénicos de potencia. Se manejan como interruptores biestables, que funcionan un estado no conductor a un estado conductor. Se puede suponer que los tiristores son inter tores ideales en muchas aplicaciones, pero los tiristores précticos tienen ciertas caracteristicas: Los tiristores convencionales se diseftan sin la funciGn de apagado controtada por la puerta, y en ese caso, el tiristor puede pasar dc su estado conductor hasta un estado no cond tor s6lo cuando se hace bajar la corriente a cero por otros medios. Los tiristores de apegado compuerta (GTO, de gare turn-off) se disefian para tener funciones controladas de encendida} apagado, En comparacién con los transistores los tiristores tienen menores pérdidas por cont cin en estado encendido y mayor especificacion de manejo de potencia. Por otra parte,los tt sistores tienen en general mejor funcionamiento en conmutacidn, por su mayor velocidad menores pérdidas de conmutaci6n, Se hacen progresos continues para obtener dispositivos Jo mejor de ambos (tiristores y transistores), ¢s decir, bajas peérdidas en estado eneendido y may cespecificacin de manejo de potencia, CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES Un tiristor es un dispositive semiconductor con cuatro capas, de estructura prpr, con tres uni _pn-Tiene tres terminales: énodo, eétodo y compuerta. La figura 7.1 muestra el simbolo del ti yelcorte de las tres uniones pm. Los ttistores ge fabrican por dispersion difusion,FIGURA 7.1 KE Cétedo —_Simbolo del tristor y tres uniones pn, El orte transversal de un tristor se ye en I figura 72a, que se puede dividiren das seecio~ nes de npr y pnp. como se ve en la figura 7.2b Cuando el voltaje del dnodo se hace positive con respecto al del edtodo, las uniones J, Js tienen polarizacién directa. La unidn J; tiene polarizacidn inversa, y slo pasa una pequetia corriente de fuga de anodo a cétodo. En este caso, se dice que el tiristor esté en Ja condiclén de Dloqueo directo 0 en estado apagado, y la cortiente de fuga se lama corriente en estado apagado, Zp. Si aumenta el voltaje de polarizacin inversa Vx de Anodo a cétodo hasla un valor suficien- temente grande,se dana en forma permanente la unin J. esto se le llama ruptura por avalan- cha, y el voltaje correspondiente se llama Veo, voltaje de avalancha direeto.Ya que las otras uniones J, y Js ya estén polarizadas directamente, hay un flujo libre de portadoes a través de las tres uniones, dando como resultado una gran cortiente anddica directa, Entonces, el dispositivo std en estado conductor, 0 estado encendido. La caida de voltae se debe a la caida dhmica en las cuatro eapas,y es pequefia, normalmente de 1 V.En el estado de conducci6n, la coriente anodi- case limita por una impedancia externa, una resistencia R, como se ve en a figura 7:3a, La co- rriente anddica debe ser mayor que un Yalor lamado corriemte de retencién I, para mantener cl fujo nevesario de portadores a través de la unign; en easo contrario, el dispositivo regresa a la Aniodo (A) ‘Anodo (A) | e | “l | “| cin) comor(6) cis) aap | fcskieerratincinetapx on blecceran otal FIGURA 72 ‘Seecionestransversales do un tisox306 Capitulo? Tiristores Cada de vottaje on SEntido directo (conduecién) Corrente de Voltaede Teel6n. Dispatoen — (Smion upka fcompuerta — gonductora en censentido Corrente de seatide direco inverso qmantenimientol Corsiemte de Corriente de fuga on sentido fuga en sentido deco {@) Grewia () Cacactesiticas e4 FigURA 7.3 (Citenito de isstor y caracteriticas condicidn de bloqueo, cuando se reduce el voltaic de énodo a cétodo. La covriente de retenctin sla corriente anddica minima necesaria para mantener al tiristor en estado de encendido, diatamente después de haberse activado y retirar Ia sefal de la compuerta, En la figura 7.b [i se ve una caracteristica v= tipica de un tirstor. Una ez que un tiristor conduce, se comporta como diodo conductor y no hay contro! so el dispositiva y éste continéa conduciendo porque no hay capa de transicién en fa unién J de do alos movimientos libres de las portadoras Sin embargo, sila corriente en sentido directo nodo se reduce por debajo de un nivel conocido como corriente de retencién Iy, se desat ‘una regidn de transicin alrededor de la unién J> debido al niimero reducido de portadoras y itistor est en el estado de bloqueo. La corriente de retencién esté en el orden de miliamperes ces menor que la cottiente de mantenimiento I. Es decir, I, > I. La corriente de retencién Ing la cotriente minima de dodo para mantener al tiristor en el estado de encendido. Le cortien de retencidn es menor que la corriente de matenimiento, ‘Cuando el voltaje cat6dico ex positivo con respecto al énodo, le unidn J tiene polariz directa, pero las uniones Ay J; tienen polarizacién inversa. Es como dos diodos concctados serie con voltae en sentido inverso a través de ellos. tiristor esta en el estado de bloqueo sentido inverso y pasa por él una orriente de fuga, Tamada corriente inversa Ip. Un tristor se puede encender aumentando el voltae Vag en sentido direcio a més de Vs pero ese encendlido pout ser destructivo. En la préctica, el voltaje en sentido directo se 7 ‘lene menor que Vago y el tiristor se activa aplicando un voltaje positivo entre su compuerts y étodo. Esto se indica en la figura 7.3b eon lineas interrumpidas. Una vez encendido el tris7.3 Modelo del tiristor empleando dos transistores 307 ‘Por una sefial de compuerta, y siendo mayor su corriente anddiea que la corriente de retencién, el dispositivo contintia condueiendo, por retroalimentacién positiva, aun cuando se retire la sefial de compuerta, Un tiristor es un dispasitivo de reteneién Puntos clave de Ia seccién 7.2 Un tiristor pertenece a una familia de dispositivos de cuatro capas, Como es un dispositive de retencién, mantiene la conduecidn total en su sentido ditecto cuando su dodo es positive con respecto al cétodo,y s6lo cuando se apliea un pulso de voltaje 0 ccorriente a su (erminal de compuerta, + Lacottiente en sentido directo de un tiristor debe ser mayor que st cortiente de retenciiny, para quedarse en su estado de conduccién; en caso contrario, el dispositivo se regresa ala condicién de bloquco, cuando baja el vottaje de énodo a cétodo, * Sila corriente anddica en sentido directo en un tiristor se reduce a menos de la corriente de retencidn,el dispositivo deja de conduc y queda en el estado de bloqueo. * Una vez que conduce un tiristor,se comporta como un diodo conductor, v no hay control sobre el dispositive. Esto es, cl dispositivo no se puede desactivar mediante otto pulso, sea ositivo o negative, MODELO DEL TIRISTOR EMPLEANDO DOS TRANSISTORES La accion regenerativa ode retencién debide a la retroalimentacién positiva se puede demostrar on tun modelo de tiristor hecho con dos transistores Se puede considerar que un tristor cquiva- ea dos transistores complementarios, un transistor pnp, Q,,y otro transistor npn, Qs, como se ve en la figura 7.4a, El modelo del circuito equivalents se ve en Ia figuta 7.4b, Lacottiente /¢-del colector de un tristor se relaciona, en general,con la corriente del emisor Jey la corriente de fuga de la unin colestor-base, [ego, como sigue: Jo ol + Teno a Fe 7 I Cel p P is Js a Te K (@) Estruewre boa (©) Cireuito equivalente FIGURA 7.4 Modelo de dos transisiores para el trstor308 Capitulo7 —Tiristores y la ganancia de corrionte ent base comin se define como a~ Io/fg, Pata el transistor Q, la ‘riente del emisor es la corriente anédica 1), y la corriente del colector Jc; se puede determi con la ecuacién (7.1): Fer = als + Tonos @ donde wy es la ganancia en corrente © ono: €s la coriente de fupa para Q). De igual modo, €l transistor Q,, la coriente del eolector cy es dea = one + Iepor G donde a3 es la ganancia en comriente e Jego2 ¢s la corviente de fuga para Q>. Se combinan I Zcy para obtener Is Sila corriente de disparo, control, de compuerta es Lo, Le = Ta + Tc. despejando I, de la e ci6n (7.4), se obtiene Ter + Tea = aula + Tenor + aly + Tepon @ lg + Tew + Ieaor We Tei tad @ La gananeia en corriente a; varia con la corriente del emisor Ly = Ips varia con Ix + Io: En la tigura 7.5 se ve una variacién tipica de la ganancia en corriente a con la corriente cemisor J. Si sumenta en forma repentina la corriente de compuerta Ic, por ejemplo de 0. ‘mA, aumenta de inmediato la corriente anddica Z,, que hace aumentar mAs a; ¥ ap. La ganar en corriente a depende de /4 ¢ ZG. Ell aumento en los valores de a ¥ a, hace aumentar més! En consecuencia, hay un efecto regenerativo, o de retroalimentacion positiva. Si (ay + €3) ti ¢ a la unidad, el deniominador de la ecuacién (7.5) tiende a cero, resulta un valor grande de} corriente anédica 1, y el tiristor se enciende con una pequefa corriente de compuerta. Bajo condiciones transitorias, las capacitancias de las uniones pn, que se ven en la fi 7.6, influyen sobre las caracteristicas del tiristor, Si un tiristar estd en un estado de bloqued, 10 us os oa o2-| a Ama) 10-4) jin) a0 9 pane 1 FIGURA 7.5 ‘Varineion ties de a ganancia de covriento on funcin de la corionte de emer.7.4 Activacién del tiristor 309 FIGURA 7.5 Modelo de dos transistores para trstor en estado transiorig. voltaje que aumente con rapidez aplicado a través del dispositive causaria un flujo alto de éo- siente a través de los capacitores de la unin. La corriente por el capacitor Ca se puede expre- sar con la ecuacién agp) _ d ap Wa ae = alCak a) — Ya + Ca (7.6) ena que Gey Vn son la capacitancia y el vollgje de la unin J, respectivamentes qa es la carea en la union Sia rapidez de aumento de a tasa de del voltaic es grande, entoncesf seria gran de, y es0 causaria mayores corrientes de fuga Tego: ¢ /cgo2. De acuerdo con la ecuaciGn (7.5), los valores suficientemente altos de fepo} © fcaon pueden causar que (a; +23) tienda a la vnidad. y causen un encendido no deseado del trstor. Sin embargo, una corriente grande a través de los capacitores de la unin también puede datiar al dispositive. Puntos clave de ta seccién 7.3 * Durante el proceso de encendido de un tiristor, hay un efecto regenerativo, o de retroali= ‘mentaci6n positive, En consecuencia, un tiristor se puede activar con una corriente de compuerta pequeila, y retener una conduccién con grandes valores de cortiente anddica * Siun tristor est en estado bloqueado, un aumento de voltae ripido que se aplique a través el dispositive puede causar un gran flujo de corriente a través de su capacitor de la union interna. Esta cortiente puede ser Jo suficientemente grande como para daflar al dispositi- ‘vo. Por lo anterior, la tasa dvidt aplicada debe set menor que el valor nominal, ACTIVACION DEL TIRISTOR Un tiristor se enciende, aumentando la cortiente anddica. Esto se hace de una de las siguientes maneras, ‘Térmiea. Sila temperatura de un tristor es alta, hay un aumento en la cantidad de pares electr6n-hueco, que aumenta las corrientes de fuga, Este aumento en las cortientes hace aumen {ar a a y a2. Debido a I accién regencrativa, a, + ay puede tender a la unidad, y el tiristor se310 Capitulo? Titistores puede activar. Este tipo de activacién puede causar avalancha térmica, y en el ease normal evita. Luz, Sise deja incidir luz en las uniones de un tristor, aumentan los pares eleetrén-hu el tiristor puede activarse, Los tiistores activados con luz se encienden dejando que la luzinc sobre la oblea de silico. Alto voltaje. Si el voltaje en sentido directo, de anodo a c&todo, ¢s mayor que el vol de ruptura en sentido directo Vigo, pasa una corriente de fuga suficiente para iniciar Ia activ regenerativa. Esta clase de activacién es destructiva, y se debe evitar, dv/dt, Se ve en Ia ccuacién (7.6) que sila rapidez de aumento del voltaje énodo-cit es alta, la corriente de carga de las uniones eapacitivas puede bastar para activar el tiistar. valor alto de la corriente de carga puede daflar al Gristor,y se debe proteger contra una alia ‘dvi. Los fabricantes especifican la tasa dv/dt maxima admisible en sus tiristores. Corriente de compuerta. Si un tristor esté polurizado en sentido directo, la inyeceia cortiente de compuerta al aplicar voltaje de eompuerta positivo, entre las terminales de la puerta y el edtodo, eneiende al tristor. Al aumentar lacorriente de compuerta, disminuye {aje de blogueo en sentido dizeeto, como se ve en la igure 7.7 La figura 7.8 muestra la forma de onda de la corriente andaliea, que sigue & la apicacioa Ia seta de compuerta. Hay un retardo llamada tiempo de encendido, tay entre la aplicacion sefal a Ia compuerta y la conduecin de un tiristor. Se define a gg com el intervalo de te entre el 10% de le corriente de compuerta en estado estable (0.1/2) y 90% de la corriente liristor, en estado de encendido (0.9/7). fg, es la suma del rlempo de retardo ty y el tiempo se define a 1, como el intervalo de tiempo entre 10% de la corriente de compuerta (0,1/c) 1 de Ia corriente en cl estado de encendido (0-1/7). Es el tiempo nevesario para que lac del dnodo suiba de 10% de la eorriente de estado de encendido (0.1/7) al 90% dela come estado de encendido (0.97;). Estos tiempos se ven en la figura 7.8. Se deben tener en cuenta los siguientes puntos para disefiar el cireuito de coxtrol de puerta, 1, Lasenal de compuerta debe retirarse después que haya encendido el tiristor, Una se control continua aumentaria la pérdida de potencia en la unién de fa compluerta 2. Aunque el liristor esta polarizado en sentido inverso, no debe haber sefial de comp. porque de lo contrario puede fallar 2 causa de un aumento en la corriente de fuga. FIGURA 7.7 Efecios de a coriente de compuesta sobre el volae de blaquen en sentido ciscto7.5 Apagado del tiristor FIGURA 7 Caracteristicas de encensido, 3. El ancho del pukso en la compuerta ig puede ser mayor que el tiempo necesario para que la corriente anddica aumente hasta el valor de la corriente de retencidn I. En la practica, cl ancho fg del pulso se hace, en el caso normal, mayor que el tiempo de activaciOn fey del liristar, 7.1 Determinacién del valor eritico de dv/dt para un tiristor La capacitancia de la unidn J; con polarizacién inversa en un tristor es Cr = 20 pF, yse puede suponer independiente del volige en estadode apagad. El valor limite de Ia corriente de carga para encender el t- stores 16 mA, Caleular el valor critica de la tasa dus. Solucion Cn=20pFein el valor erftco de Ia tasa do/t se puede caleular con la eeua- ibn (7.6) 4 800 Vius APAGADO DEL TIRISTOR Un tiristor que esta en el estado envendido puede apagarse reduciendo la corrieate en sentido directo haste un valor inferior al de la corriente de retencisn Jy, Hay varias técnicas para apagar un tristor, En todas las técnieas de conmutacién, Ia corriente anddica se mantiene inferior @ la corriente de retencidn durante un tiempo suficientemente largo para que todo el exceso de por- tadotes en las cuatro capas fluyan 0 se reeombinen. Dabido a las dos uniones pit exteriores, J, y Jy, las caracteristicas de apagado serfan seme~ jantes a las de un diodo,con un tiempo ¢,-de recuperacién inverso y una corriente pico [gg de re- cuperacion inversa, Jap puede ser mucho mayor que la corriente normal de bloqueo inverso fy. En un circuito convertidor conmutado en linea, donde el voltaje de entrada es alterno, como se312 Capitulo? —Tiristores Ry, (2) Cireuito de tiristor conmutada por tice ‘Tyencendido (©) Cteuito forzado de tistor conmutade por tinea FIGURA 7.9 Carnciristions de apagada. ve en la figura 7.9a, aparece un volaje en sentido inverso a través del tirstor inmediatamé {después que la corriente en sentido directo pasa por el valor cero. Este voltaje en sentido im 80 aceleta el proceso de apagado, arrastrando el exceso de portadores de las uniones prt. /: ¥ ‘Se pueden aplicar las ecuaciones (7.6) y (7.7) para calewlar fy € Tex La umidn pn interior, Ja, requiere un tiempo, llamado tiempo de recombinaci6n, x que se recambine el exceso de portadores. Un voltaje negativo inverso reducirfa este tiempo. recombinacién. El t,; depende de la magnitud del voltaje inverso, Las caracteristicas de apa7.6 Tiposdetiristores 313 se ven en Ja figura 7.98 y b, para un circuito conmutada en lines y un cirenito de conmutacién orzada,respectivamente. Ei tiempo de apagado f, Ia suma del tiempo de recuperacién inverso fy, el tiempo de recombinacion Al final del epagado se forma una capa de agotamiento a través de la unin Ja. Yeltiristor recupera su capacidad de oponerse al voltaic en sentido directo, En todas las téenicas de conmutacin, se aplica un voltaje en sentido inverso a través del trstor, durante el proceso de apagado. El tiempo de apagado, tg es ol valor minimo del intervalo entre el mamento on que la corriente en éstado de encendido ha bajado a cero, y e! momento en que el tristor es cupuz de resist el voltae en sentido directo, sin encenderse El tiempo ty depende del valor pieo de la 6o- rriente en estado encendido y el volta instanténeo de encendid. La carga de recuperacién inverse. Qa. es la cantidad de carga que se debe recuperur durante el proceso de apagado. Su valor lo determina el érea de la trayectoria de la cottiente de recuperaci6n inversa.El valor de Qj depende de la rapide7 de bajada de Ia earriente de encoa- dido y el valor pico de le corriente de encendido, antes de apagar. Qa €s causa de la pérdida correspondiente de energiaen el interior del dispositivo. TIPOS DE TIRISTORES ‘Los titistores se fabrican por difusiGn, casi en forma exclusiva, La corriente anddiva requiere un tiempo finito para propagarse hasta toda el drea de la unidn, desde el punto vereano a Ia compuer ‘a, cuando se inicia Ia sefial de compuerta para encender el tristor. Los fabricantes usan diversas estructuras de compuerta para controlar la di/dr el tiempo de encendido y el tiempo de apagado. Los tiristores pueden encenderse con facilidad con un impulso corto. Para apagarlos,requieren cir- cuitos especiales de control, o estructuras internas especiales para auxiliar en el proceso de apaga- do, Hay varias versiones de tiristares con capacidad de apagado, vel objelivo de todo dispositive nuevo es mejorar la posibilidad de apagado. Con el acvenimiento de nuevos dispositives con posi- bilidades tanto de encender como de apagar, el dispositivo que slo tiene posibilidad ce encender se llama “tiristor convencional” oslo “tiistor”. Otros miembros de la familia de tristor,o rectifica- dores controlados de silicio (SCR, de silicon-conirolted rectifier) han adquitido otros nombres, ba- sados en acrdnimos. Dependiendo de la construccién fisica y el comportamiento en el encendido y cl apagado, se pueden clasiicar los tristores, en forma amplia, en 13 categoria: Tiristores controlados por fase (o SCR). Tiristores bidircccionales controlados por fase (BCT, de bidirectional phase-controlted thyrisiors). ‘Tirstores de conmutacén répida (0 SCR). Reetifcadores controlados de sili fotonctivados (LASCR,lghtactvated slleon-controlled rectifier). Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC), . Tirstores de conduccién en sentido inverso (RCT, de reverse-condueting thyristor) .Tirstores apagados por compuerta (GTO). ‘iristores controlados por FET (FET-CTH, de FET-contrelled thyristor) , Tirstores de apagado por MOS (MTO, de MOS turr-off |. Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO, de emir turn-off ‘iristores conmutados por compuerts integrada (IGCT, de integrated gate-commucared thyristor),314 Capitulo 7 Tiristores 12. Tiristores controlados por MOS (MCT, de MOS-controffed thyristor, 13, Tiristores de induccién estatica (SITH, de static induetion thyristor). Tiristores controlados por fase Esta clase de tristores suele funcionar ala frecuencia de linea, y se apagan por conmutaciéa: tural. Un tristor inicia Ia conduecisn en sentido directo, cuando se aplica un pulso de disparo corriente de la compuerta al cdtodo, ¥ se llega y se mantiene con rapidez a la conduccidn con tna caida pequefia de voltaje en sentida directo, No puede hacer que su corriente regi cero mediante una sefial en su compuerta; en lugar de ello, se basa en el comportamiento ‘al del circuito para que la corriente lege a cero. Cuando Ia corriente anédica baja a cero,el ristor recupera su eapacidad en unas pocas devenas de microsegundos de voltaje de blogueo. sentido inverso,y puede bloquear la corriente en sentido directo hasta que se aplique el sigu te pulso de encendido, El tiempo de apagado f, es del orden de 50 a 100 us. Fs mas acdecundo’ 1a aplicaciones con conmutacién de baja velocidad, y también se le llama tiristor convert Como un tiistor es bésicamente un dispositive controlado hecho de silico, iambign so le rectificador controlade de sitcio (SCR). Elvoltaje Ven estado de encendido varia, normalmente desde tinos 1.15 V paga 600V bs 2.5V para dispositivos de 4000 V,y para un tristor de 1200 V, $500 A, ese votaje suele ser 1 Los tiristores modemos usan tna compueria amplifieadora donde se controla el encendido de litistor auxiliar T, mediante una sefial de compuerta, y a continuaciGn la salida anmplificads T, se aplica como sefial de compuerta al titistor principal Ty. Esto se ve en la figura 7.10 compuerta amplificadora permite tener unas caracteristicas dinémicas altas con tasas du cas de 1000 Vius y tasas did de $00.A/j.s,y simplifica el disefio del cizcuito porque reduce o: himiza el inductor limitador de la tasa dvat y los cireuitos de proteccién contra la tasa did. Debido a su bajo costo, alta eficiencia, robustez y especificacién de alto voltafe y corr esos tiristores se usan mucho en los convertidores de ed-ca,con suministro de 50 0 60 Hz, y aplicaciones econémicas, donde la capacidad de apagado no es un factor importante. Con ‘suencia esa capacidad no ofrece ventajas suficientes para jusificar fos mayores costos y pén de los dispositivos, Susan en casi todas las transmisiones de ed en alto voltaje (HVDC) y em ‘fan porcentaje de aplicaciones industriales. ect EL BCT [5] es un concepto nuevo para control por fase con alta potencia, Su simbolo se ve figura 7.11a, Es un dispositivo nico que combina las ventajas de tener dos tristores en um e sulado, permitiendo disefiar equipos més compactos, simplificando el sistema de entria toy aumentando 1a flabilidad del sistema. Los BCT permiten ¢ los disefiadores cumplir ‘mayores demandas de tamafio, integracisn, fabilidad y costo del producto final. Son adect R pAnodo Io FIGURA 7.10 ‘compusra ‘Tristor de compucrta ampliicadore78 Tiposdetirstores 315 A (presiamente do A previmente sents) ca Lado Lado A Yo (aT, ‘Regidn de Shturacion (a) Simbolo del BCT. (b) Das tistores {ep Vita eaqueméticn de Is oben FIGURA 7.11 ‘Tisstorbigivecional controlado por fas. [Ret 5] en aplicaciones tales como compensadores estaticos de volt-amperes reactivos (VAR) interrup- tores estitcos, arrancadores suaves y controles de motor. La especificacién maxima de voltaje puede ser hasta de 6.5KV a 1 8KA,y la especificacién maxima de corsiente puede ser hasta 3kA aLBKV. El comportamiento eléctrico de un BCT corresponde al de dos tiristores en antiparaleto, integrados en una oblea de silicio, como se ve en la figura 7.11b, Cada mitad de tiristor funciona como el tiristor de oblea completa correspondiente, con respecto a sus propiedades estéticas y inémicas. La oblea del BCT tiene regiones anddicas y catédicas en cada cara. Los tristores A y B se identifican en la oblea con las letras A y B. respectivamente. ‘Un gran desatio para integrar dos mitaces de tiristor es evitar interferencias perjudiciales entre ellas, bajo todas las eondiciones relevantes de funcionamiento, El dispostivo debe tener ‘una gran uniformidad entre las dos mitades, respect a parémetros de dispositivo como carga de recuperacion inversa y caidas de voltaje en estado de encendido. Las regiones | y 2, que se ven en la figura 7.11c, son las més sensibles respecto a transitorios de corriente, y tienen el voltae “inverso” reaplicado y la capacidad de fy de un BCT, Eneendido y apagado. Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e iniciar el flujo de la corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Este tiristor enciende con un pulso de corriente a una de sus compucrtas. Se desactiva si la corricnte and- ica baja del valor de la corriente de detencidn, por el comportamiento natural del voltaje 0 la corriente, Tiristores de conmutacién répida Se usan en aplicaciones de conmutacién de ata velocidad, con conmutacion forzada (por ejem- plo, inversores resonantes del capitulo 8 e inversores del capitulo 6). Tienen un tiempo corto de apagado, porlo general de 5 a 50 us,dependicndo del intervalo de voltae. La caida de voltaje en estado de encendido varia, aproximadamente en funcidn inversa del tiempo de encendido t, ‘Acesta clase de tristor también se le llama tiristor inversor. Estos tiristores tienen alta tasa dwét,normalmente de 1000 V/s, tasadi/de de 1000 Als Elapagado répido y la alta did’ son muy importantes para reducir el tamiafio yel peso de los eom- ponentes de conmutacion 0 del citcuito reactivo. El votaje en estado de encendido, de un tiristor316 Capitulo? Tiristores FIGURA 7.12, ‘Tirstores de eonmutacidn rida, (Cortesa de Powerex, Ine) de 1800 V-2.200 A suele ser de 1.7 V. Los tiristores inversores,con posibilidades muy limitadas bloqueo en sentido inverso, normalmente de 10 V,y que tienen un tiempo de apagado muy « de3 a5 ps.se llaman tiristores asimérricos (ASCRS). En la figura 7.12 se ven titistores de cont tacién répida, de varios tamafios LASCR Este dispositivo enciende por irradiacion directa, con luz, de ls oblea de silico, Los pares el ‘rdn-husco que crea la radiacién producen la cortiente de disparo, bajo la influencia del ca eléctrico, La estructura de Ia compuerta se disefa para proporcionar la sensibilidad sufice para hacer Ia activacién con fuentes tuminosas normales (por ejemplo, diodo emisor de LED), para obtener grandes capacidades de las tasas dt y dud ‘Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltae y gran corriente, por ejempio HV’ ‘wansmisi6n y compensacidn de potencia 0 VAR reactivos. Un LASCR offece un aislamic eléetrico completo entre la fuente luminosa de activacién y el dispositivo de conmutacién de convertor de potencia, que flota a un potencial hasta de algunos pocos kilovolts. La especi cin de voltaje de un LASCR podria lear a4 kV a 1500 A, con potencia de la luz de activa ‘menot a 100 mW. La dvd normal es 250, A/ms y Ia dv/dr podria set hasta le 2000 Vis Tiristores de triodo bidireccional Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y se usa normalmente para control por (por cjemplo, en controladores de ca, que se versin én el capitulo 11). Se puede considerar: dos SCR eonectados en antiparalelo con una conexién de compuerta comin, como se ve en = gura 7.13a, Las earacteristicas ise ven en la figura 7.136. Como un TRIAC es un dispositivo bidireccional, no se puede decir que sus termin: sean nodo y cdtodo. Sila terminal MT; es positiva con respecto a la terminal MT;,cl TRIAC puede encender aplicando una sei positiva entre la compuerta G y la terminal M7;, Si la minal M7; es negativa con respecto a a terminal MT), se enciende aplicando una sefal negzl entre la compuerta G y la terminal MT). No es necesario tener las dos polaridades de sefial compuerta, y un TRIAC se puede encender con una sefial de compuerta que puede ser posit7.6 Tipos de tiristores 317 Mr; Mr, (4) Equivalente de TRIAC —_() Sinbolo del TRIAC “1 Estado encendido Cuadsonte I ‘Cuadrante 1 (MT, + ¥Q) To isparaca v Estado apagado (Cuacrante IIL (MT; = yo} (Cuadraate 1Y Estado encendio (6) Caracteisticas vt FIGURA 7.13 Caracterivcas de un TRIAC. onegativa. En la practica, las sensibilidades varfan de uno a otro cuadrante, y los TRIAC se stc~ len operar en el cuadrante J” (voltaje de compuerta y corriente de compucrta positives), en el cuadrante III” (vottaje y eorriente de compuerta negativos), RCT [En muchos circuitos de convertidor e inversor se conecta un diodo antiparalelo a través de un SCR para permitir un flujo de corriente en sentido inverso, causada por carga induetiva, y para mejorar los requisitos de apagado de! circuito de conmutacién. El diode fia el voltaje de bloqueo ‘en sentido inverso del SCR en 1 02 V bajo condiciones de estado estable, Sin embargo, bajo condi- jones transitorias el voltaje puede subir hasta 30 V debido a yoltaje inducido en la inductancia pardsita del circuito, en el interior del dispositivo. Un RCT es un compromiso entre las caracteristicas del dispositivo y los requisites del cir= cuito; se puede considerar como un tiristor con un diodo antiparalelo ineorporado, como se ve ena figura 7.14.Al RCT también sc le llama ASCR, o tiristor asimétrica, El voltaje de bloqueo ea sentido directo varia de 400 a 2000 V, y Ia especificaciéa de corriente va hasta 500 A. El voltaje tfpico de bloqueo en sentido inverso es de 30 a 40 V. Como la relacidn de corriente en sentido directo a través del tristor, entre la corriente en sentido inverso de un diodo esta fija para deter- minado dispositivo, sus aplicaciones se limitan a disefios de circuitos especificos318 Capitulo? —Tiristores FIGURA 7.14 “instar en conduecicn inversa GTO (Como un SCR, un GTO se puede encender aplicando una seftal positiva ala compuerta, Sin bbargo, el GTO puede abrirse con una sefal negativa de compuerta. Un GTO es un disposi que no retiene, y se puede construir con especificaciones de corriente y voltae parecidas a las un SCR [8-10], Un GTO se enciende aplicando un puso positivo corto, y se apaga con un p negativo corto a su compuerta. Los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los SCR: 1) ei nacidn de componentes de conmutacién, en la conmutacion forzada, que dan como resultade reduccién de costo, peso y volumen; 2) reduecin de ruido aciistico y electromagnético, por la rinacién de reactores de conmutacién; 3) apagado més répido que permite altas rocuen conmutacién, y 4) mejor eficiencia de convertidores En aplicaciones con baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los tores bipolares: 1) mayor especificacién de voltaje de bloqueo, 2) alta relacién de eorriente controlable a corriente promedio: 3) alta relaci6n de pico de corriente de sobrecarga entre rriente promedio, normalmente de 10:1;4) alta ganancia en estaclo encendido (corriente an y cortiente de compuerta); 600 en forma tipica,y 5) una sefal pulsadla de compuerta de corta ‘acién. Bajo condiciones de inundacién sobrecarga, un GTO entra en mayor saturacion debi {a accidn regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salir de la saturacién, Al gual que un tristor,un GTO es un dispositive con retencién, pero también es un di sitivo que es posible apazar. En la figura 7.15a se ve el sfmbolo del GTO, y en la figura 7.156 muestra su corte transversal, En comparacién con un tirstor conveneional, tiene una capa Anodo (A) |cemspuerta (6) Cihtodo (0) Enceadio Apagado atodo Catod {) Simbolo del GTO {(b) Conte traneversal (©) Gieuito equvaleate FIGURA7.15 Tirstorapayado por compucrta (GTO),7.6 Tiposdetirisores 319 adicional cerea del énodo, que forma un circuito de apagado entre la compuerta y cl cétodo, en paralelo con la compuerta de encendido. EI circuito equivalente, que se ve en la figura 7.15c, se parece al del tiristor de la figura 7.4b, excepto por su mecanismo interno de apagado, Si pasa ‘un gran pulso de corriente del edtodo a Ia compuerta, para apartar del edtodo suficientes porta- dotes de carga, esto es, del emisor al transistor npr Qy, el transistor pup Q, se puede sacar de ta accién regenerativa, Al apagarse el transistor Q,,el transistor Q, queda con tna base abierta y¢l GTO regresa al estado no conductor. Encendido, £1 GTO tiene una estructura muy digital sin compuerta regenerativa, como se verd después en la figura 7.19. En consecuencia, se requiere un pulso grande inicial de dispa 10, para activarlo. Un pulso tipico de activacidn en la compuerta, y sus pardmetzos importantes, se ven en la figura 7.160. Los valores minimo y maximo de Jgyse pueden deducir de las hojas de datos, El valor de la tasa diy/dt en funcidn del tiempo de aetivacion se ve en las hojas de datos del dispositivo. La rapidez de aumento de la tasa de cortiente de compuerta, di,/dt, afecta las pérdi das por conduccidn del dispositive. La duracién del pulso de Jgy no debe ser menor que la ra tad del minimo de tiempo que aparezca en las especificaciones de la hoja de datos. Se requicre mayor periodo sila tasa did de la corriente del node es baja, para poder mantener a Joy hasta {que se ¢stablezca un valor suficiente de la corriente anda, Estado de encendido. Una vez que el GTO se activa, debe continuar la corriente en sen: tide directo de la compuerta durante todo el periodo de conduceion, para asegurar que el disp sitivo permanezca en conduccién. En caso contrario, no puede permanecer en conduecién durante el periado en estado de encendido. La corriente de estado de encendido en la compuerta debe ser, como minimo, 1% del pulso de activacion, para asegurar que la compuerta mantengn la retencién. Apagado. El funcionamiento de un GTO en el apagado esta influido por las caracteristi- cas de! circuito de apagado de compuerta, En consecuencia, estas tltimas caracteristicas deben coincidir con los requisitos de apagado. El proceso de apagado implica extraccién de la carga de la compuerta, el periodo de avalancha en la compuerta y la disminucion de la corriente anodica, La cantidad de extraccién de carga es un pardmetro del dispositive, y su valor no se afecta en forma importante por las condiciones del circuito externo. La corriente pico inicial de apagado y el tiempo de apagado. parémetros importantes del proceso de apagado, dependen de los compo: nentes del circuito externo, En la figura 7.16b se muestra una grafica tipica de eorriente anddica «en funcidn del pulso de apagado. La hoja de datos del dispositivo contiene valores tipieos de a9. E1GTO tiene una larga cola de corriente de apagado, al final del apagado, y el siguiente en- cendido debe esperar hasta que se haya disipado la carga residual del anodo, por el proceso de recombinaciéa, En la figura 7.17a se ve un arreglo de eircuito de apagado de un GTO. Como tun GTO re- quiere una gran corriente de apagado, en ¢l caso normal se usa un capacitor C con earga para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para el apagada, El inductor L limita la tasa dvdr de apagado de la corriente de la compuerta, por el circuito formado con Ry, Ro, SW y L.Se debe seleccionar el vollaje de suministro al circuito de la compuerta, Vg, para aleanzar el valor requerido de Vig. Los valores de R; y Ry también deben minimizarse. Durante el petiodo en estado de apagado, que comienza despues de que la cola de corrion- te llega a cero, la compuerta, en cl caso ideal, deberia permanecer con polarizaci6n inversa. Esta polarizacion inversa asegura la maxima especificacion de bloqueo. La polarizacién en sentido in- verso se puede obtener ya sea manteniendo encendido SW; durante tado el perioda de no con- ucvi6n,o usando un cireuito de mayor impedancia SW y Rs, siempre y cuando exista un voliaje320 Capitulo? —Tiristores iama de. a 05194) (2) Puss tipico de encendido \ \ \ \ \ (©) Corziente anda tpica en funeién el plso de apapado FIGURA 7.16 Pukos de enoonslide y apagado tipieos de GTO. [Ref 8] negativo minimo, Este cireuito SW, y Ry de mayor impedancia debe disipar la corriente de de compuerta Ea caso de una falla de las fuentes aux 28 del cireuito de apagado,la compuerta permanecer en condicién de polarizacién inversa, y el GTO podrd no bloquear el voltaje! ‘aseguiar que se mantenga un voltaje de bloqueo para el dispositivo, se debe aplicar una res7.6 Tiposdetirstores 321 Rox (@) Circuito de apagndo (b) Resiseacia de compuertaa eftodo, Ro FIGURA7.17 Un cireuito de apagado de GTO. [Ref ‘minima de compuerta a edtodo (Rg) como se ve en la figura 7.17b. El valor de Rex para determi ‘nado voltaje de linea se puede dediucir de las hojas de datos. Un GTO tiene poca ganancia, normalmente seis, durante su apagado, y requiete wn pulso de corriente relativamente grande, para apagarlo. Tiene mayor voltaje en estado de encendido {que el de un SCR. Este voltaje,on un GTO de 1200 V, $50 A, suele ser 34 V. En la figura 7.18 se ‘Ye un GTO de 200 V, 160 A del tipo 160PFT y las uniones del mismo se ven en Ja hgura 7.18. ‘Los GTO se usan prineipalmente en los convertidores de fuente de voltae, donde se requie- re un diodo en antiparalclo de recuperacién répida a través de cada GTO. Asi. los GTO no necesitan, normalmente, tener capacidades de voltae inverso. A esos GTO se les llama G70 asi- ‘meétricas. Esto se consigue con una capa lamada amortiguadora, que es una capa n™ muy dopada FIGURA 7.18 Un GTO para 200 y 160 A. (Covtesfa de International Rectifier),322 Capitulo 7 —Tiristores FIGURA 7.19 Uniones en el GTO pars 160 A de la figura 7.18, (Cottesta de International Rectifier, al final de la capa n. Los GTO asimétricos tienen menor caida de voltaje y mayores espedi ciones de voltaje y de corriente. La corriente pico controlable de estado de encendido, Lyao, es el valor pico de la cor de estado de encendido que puede apagarse mediante el control de compuerta. El voltaje de lado de apagado se vuelve a aplicar de inmediato despues del apagado, y la tasa duvide apl s6lo se limita por la capacitancia del amortiguador. Una vez apagado un GTO, la corriente! carga [,, que se desvia y pasa por el capacitor amortiguadar y lo carga, determina la tasa aplicada, dv aC, ena que G, es la capacitancia amortiguadora, FET-CTH Un dispositive FET-CTH combina en paralelo a un MOSFET y un tiristor, como se ve e= figura 7.20. Si se aplica el voltaje suficiente a la compuerta del MOSFET, normalmente 3 Vi gencra internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene alta velocidad de conm: ‘in, altas tasas di/de dv/de. Este dispositivo puede encenderse como los tiristores convencionales, pero no prt ‘pagarse mediante control de compucrts. Esto tiene aplicaciones cuando se debe usar dis Sptico para dar aislamiento eléctrico entre la sefial de entrada 0 de control, y el dispositiva ‘conmutacién del convertidor de potencia, 4g Anode (eae FIGURA 7.20 ‘Tirstor controado por FET.Tipos de tiristores Anode Anode Activacién Compveta ~ | of deapando 5S ‘piesa Aativacion adie ts catedo Compucita FET catodo rer Apa decreendide * Compucrta cana, Cétodo de epagido, (9) Simbolo del MTO ——(b) Estvetura del MT (6) GIO MOS_ (4) Cieeaito equivalente al TO. 721 spagudo por MOS (MO). To EIMTO fue desarrollado por Silicon Power Company (SPCO) [16]. Es una combinaciéin de un GTO y un MOSFET, que juntos superan las imitaciones de capacidad de apagado del GTO. El inconveniente principal de los GTO es que requieren un cireuito de eneendido con grandes pulsos de corriente, para Ia compuerta de baja impedancia. Elcireuito de la compuerta debe proporcia- zr la corriente de apagado de compuerta, cuya amplitud pico tipica es 35% de la eorriente que se va a controlar. E] MTO proporciona la misma funcionalidad que ¢l GTO, pero usa un control de compuerta que debe suministrar s6lo el voltaje de nivel de seftal necesario para encender y ‘apagar los transistores MOS, La figura 7.21 muestra el simbolo, la estructura y el circuito equiva- Jente del MTO. Su estructura es parecida a la de un GTO, y conserva las ventajas de Ios GTO de alto voltaje (hasta 10 kV) y gran corriente {hasta 4000 A). Los MTFO se pueden usar en aplicacio- ‘ses de gran potencia, desde La 20 MVA [17-20]. Encendida. Como un GTO, ¢l MTO enciende aplicando un pulso de corriente a la com- puerta de encendido, Este pulso enciende el transistor npn Q,,que entonces a su vez enciende al fransistor pap Q2 y retiene al MTO. Apagada, Para apagarel MTO se aplica un pulso de voltajc en la compucrta del MOSFET, 'Al encenderse el MOSFET, se ponen en corto el emisor y Ia base del transistor npn Qy, dete- sniendo ast el proceso de retencidn, En contraste, un GTO se apaga extrayendo Ia corriente sufi- iente de la base del emisor del transistor npn con un pulso negativo grande, para detener Ia ‘accién de retenci6n regenerativa, El resultado es que el MTO se apaga con mucha mayor ra- pidez que un GTO, y casi se eliminan las pérdidas asociadas con el tiempo de almacenamiento. También, el MTO tiene una mayor tasa du/dt y requiere componentes amortiguadores mucho -menores. En forma parecida a la de un GTO,el MTO tiene una larga cola de cortiente de apagado al final del apagado, y el siguiente encendido debe esperar hasta que se disipe la carga residual en el Gnodo, por el proceso de recombinacién. £10 EIETO es un dispositivo hibrido de MOS y GTO (21, 22] en el que se combina las ventajas del GTO y del MOSFET. EI ETO fue inventado en el Virginia Power Electronics Center, en colabo- racidn coa $PCO [17], Fl simbolo del ETO, sucircuto equivalente y la estructura pn se ven en la324 Capitulo? Tiristores Anodo Compuerta 1 Activacién Activacign Wi Rea swe : Up euine; MOSFET, MOSFET P MOS Citodo SF caiodo (2) Sinboio ©) Circuito equivaeme (6) Barvetura pn FIGURA 7.22 ‘isistor apagado én emisor (ETO). (Ref. 22.Y. Lik Jigura 7.22. Un ETO tiene dos compucrtas: una normal, para encenderlo, y una con un MC: cn serie, para apagarlo, Se han demostrado ETO de alta potencia [23], con especificacio: corriente hasta de 4 kA y de voltaje hasta de 6 KY. Activacién. Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2. tun vollaje positivo en la compuerta 2 el cétodo Qe de MOSFET se enciende y apaga Ie Puerta Qe; del MOSFET. Una inyeccién de corriente a la compuerca del GTO (a través compuerta 1) entiende al ETO, debido ala existencia del GTO. Apagado. Cuando se aplica una seiial de apagado, con yoltaje negativo, al edtodo Qs MOSFET, se apaga y toda la corriente se desvia del cétodo (emisor » del transistor apn del @ hhacia la base a través de la compuerta Q¢ del MOSFET. Esto detiene el proceso de reten sgenerativo y e] resultado es una apagado répido. Es importante hacer notar que tanto el eétodo Ox como la compuerta Og del M' sno estan sujelas a grandes esfuerzos dieléctricos, ndependientemente de lo alto gue sea el Je en el ETO, Eso se debe que Ia estructura-interaa de la compuerta y el cétodo del GTO es lunién PN. La desventaja det MOSFET en serie es que debe condueir la prineipal corriente GTO,y aumenta la cafda de voltaje en aproximadamente 0.3 « 0.5 V, con sus pérdidas corn dientes. En forma parecida a la de un GTO, el ETO tiene una large cola de corriente al fir apagado, y debe esperar el siguiente encendido hasta que se haya disipado la carga resid el lado del Anodo, por el proceso de recombinacién, Iect En el IGCT se integran un tsistor conmutado por compuerta (GCT) y un aetivador de com, con tarjeta de circuito impreso multicapa [24,25]. EI CGT es un GTO de conmutacién perm: con un pulso de corriente de compuerta muy répido y grande, tan grande como la corriente espovificada, que toma toda la corriente del cétodo y la lleva a la compuerta uproximadal con 1 ys, para asegurar un apagado répido, La estructura intema y el citcuito equivalente de un GCT se parecen a los del GTO! ve en la figura 7.14b, En Ja figura 7.23 se ve un corte transversal de un IGCT. Este también7.6 Tipos de tiristores Compuerta FIGURA7.23 (Corte transversl de ua IGCT con dingo inverso, ‘ener un diodo inverso integrado, indicado porla unién.n”1n“p del lado derecho de Ia figura 7.23, En forma similar a un GTO, MTO y ETO, la capa de acoplamiento n~ distribuye cl esfuerzo ieléctrico a través de la capa n reduce el espesor de esa capa, disminuye las pérdidas por con- {GucciSn en estado de encendido, y hace que el dispositivo sea asimétrico. La capa p del énodo se fabrica deleada y ligeramente dopada, para permitir una remocién mis répida de cargas, del Jado del Snodo, durante el apagado. Encendido, Como un GTO, el IGCT se enciende aplicando la corriente de encendido a su compuerta. Apagado, 51 IGCT se apaga con una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuer- ta que aplica un pulso de apagado de subida répida; por ejemplo, una corriente de compuerta de 4 KAlis.sélo con un voltaje de 20V de compuerta a edtodo. Con esta variacién de la corriente de compuerta,cl transistor npn del lado del edtodo se apaga en su totalidad en menos de aproxi- ‘madamente | js, de hecho el transistor pnp del lado del modo se deja con una base abierta, y se apaga en forma casi inmediata. Dehido a la muy corta duraciéa del pulso,se reduce mucho Ja energfa de encendido de compuerta y se reduce al minimo el consumo de la misma. El re {quisito de potencia de encendido de compuerta disminuyc en un factor de cinco, en comparacion ‘con el del GTO. Para aplicay una corriente de subida rdpido y alta corriente en la compuerta. ‘en el IGCT se trata en especial de reducir todo lo posible la inductancia del circuito de Ia ‘compuerta. Esta propiedad también es necesaria en los circuitos de compuerta del MTO y del ETO, mct En un MCT se combina: las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas,y una estruc- ‘ura de compuerta de MOS. Como el IGBT, combina las ventajas de las estructuras bipolares de326 Capitulo 7 Tiristores uni6n con las de efecto de campo, y es una mejoris respecto a un tiristor con un par de Mi que lo enciendan y apaguen. Aunque hay varios dispositivos en la familia del MCT con cs ciones distintas de estrucvuras de canal y de compucrta [26], 1 MCT de canal p se menci cho en las publicaciones [27,28]. En la figura 7.24a se ve un esquema de wna celda p de Mi ireuito equivalente aparece en la figura 7.24b, y el simbolo en la figura 7.24 [29-36], La tura NPNP se puede represcntar con un transistor NPN Q,, y un transistor PNP Q> tructura de compuerta de MOS se puede representar con un MOSFET M; de canal ps MOSFET M, de canal n Debido a que la estructura es PNP, y no es la estructura PNPN de un SCR no: Jinodo sirve como terminal de referencia, con respecto a la cual se aplican toss las se ‘compuerta. Supongames que e! MCT esta en su estado de blogueo en sentido directo, yse ‘can voltaje Vou negative, Se forma un canal p (0 una capa de inversi6n) en el material rn haciendo que los husces fluyan lateralmente, desde el emisor p Ey de Q, (S; de fue MOSFET WY, de canal p),por el canal p hasta la base B, p de Q, (drenaje D, del MOS {de canal p), Este flujo de huecos es la corriente de base para el transistor NPN Qy. Elem E; de OQ, inyecta entonces electrones que aleanzan la base n Bs (y el colector n C;),10 cual ‘que el emisor p de Ez inyccte huccos en la base 1t Bz, de modo que el transistor PNP Q>5 vay retiene al MCT. En resumen, una voltaje de compuerta V4 negativo activa el MOS! de canal p y con ello proparciona la corriente de base para el transistor Q:- ‘Supongamos que el MCT esté en su estado de conduecion, que se aplica un volte tivo Va. Se forma un canal en e! material p dopado, y hace que los electrones pasen! mente de la base m By de Q (fuente S; del MOSFET M; de canal n),a través del canal m ‘emisor n', muy dopado, E; de Q, (drenaje Dy del MOSFET M; de canal n). Este flujo de tones desvia ala corriente de la base del transistor PVP Q, de tal modo que se apaga $2 de base y emisor, y no quedan disponibles huecos para ser recolectados por la base Bh p (¥ por el eolector C, de Q,)- La eliminacién de esta corriente de huecos en la base p Bh se apague cl transistor NPN Q, y el MCT regzesa a su estado de blogueo. En resumen, i positivo Vg, en Ja compuerta, desvia la corriente que enciende a la base de Q; y con ello al MCI, Enla fabricaci6n real, cada MCT se hace con una gran cantidad de celdas (~100,000) ‘una de Ins cuales contiene un transistor NPLV de base ancha y un transistor PNP de base 1, Aunque cada transistor PNP de una eelda esta provisto con un MOSFET de canal ne emisor y st hase, slo un poquefto porcentaje (~4%) de los transistores PNP estén provi MOSFET de canal p entre su emisor y su colector. El porcentaje pequeito de celdas PNG un MCT proporciona justo la corriente para encenderlo, y la gran cantidad de celdas proporciona bastante corriente como para apagarlo. ‘Come se prefiere la compuerta del MCT de canal p con respecto al anodo, y no al 1 veges se Ie llama MCT complementario (C-MCT). Para un MCT de canal p, es un dis PNEN que se sepresentan por un transistor PNP Q; y un transistor NPN Q., La comput MCT de canal m ests referida al cétodo, Emeendido, Cuando un MCT de canal p esté en el estado de bloqueo en sentido se puede encender aplicando a su campuerta un pulso negativo con respecto al dnodo. un MCT de canal 7 esti en el estado de bloqueo en sentido directo, se puede encend=t cando a su compuerta un pulso positivo con respecto al edtoda. Un MCT permanece en encendido hasta que se invierten las corrientes por él, o se aplica un pulso de apagado a sa puerta7.6 Tipos de tiristores 327 Compuen MOSFET M; ~~] —~ MOSFET M, decanaln sdecanal p Cétode (@) Fsquema Q Cétodo todo (©) Circuito equivalente (©) Simboto FIGURA 7.24 Esquema y circuit equivalent para MCT de canal p.328 Capitulo7 —Tiristores ‘Apagado. Cuando un MCT de canal p est4 en estado de encendido, se puede apaget ceando a su compuerta un pulso positivo eon respecto al énodo. Cuando un MCT de canal ™ enestado de encendido, se puede apager aplicando a su compuerta un pulso negativo pecto al eétodo. EI MCT puede ser operado como dispositive controlado por compuerta, si su cor ‘es menor que Ia corriente controlable pico. Sise trata de apagat el MCT con corricntes ‘que su cortiente especilicada, se debe conmutar el MCT para apagarlo como un SCR Los anchos de pulso de compuerta no son criticos con menores corrientes en el dispositivas corrientes mayores, el ancho del pulso de apagado debe ser mayor. Ademés, a compuerta un pico de corriente durante el apagado. En muchas aplicaciones, que incluyen a inve convertidores, se requiere un pulso continuo en la compuerta, durante todo el perioxo de {ido 0 de apagado, para evitar la ambigiiedad en cl estado. ‘Un MCT tiene 1) una baja caida de voltaje en sentido directo durante la eonduccions corto tiempo de encendido, normalmente de 0.4 us, ¥ un corto tiempo de apagado, tipi Ge 1.25 ys siel MCT es de 500 V, 300 A; 3) bajas pérdidas por conmutacién; 4) baja capaci voltaje de bloqueo inverso, y 5) alta impedancia de entrada a la compuerta, lo cual st ‘mucho os circuitos de encendido, Puede funcionar bien en paralelo para conmutar gran rientes, con pocas desviaciones de las especificaciones por dispositive. No puede ence con factlidad desde un transformador de pulsos, si se requiere una polarizacion continua evitar ambigiiedades de estado. La estructura del MOS se reparte en toda la superticie del dispostiva,lo que da coma! tado el encendido y el apagado rpidos, con pocas pérdidas por conmutacién. La pot cenergia requeridas para el encendido o apagado es muy pequetia, y el tiempo de retardo debi almacenamicnto de la carga tambign es muy pequefio. Como dispositive tiristor de retenc ne baja caida de voltaje en estado de encendido. Por consiguiente, el MCT tiene potencial de tinistor easi definitive de apagado con pocas pérdidas en estado de encendido y de conrmutacl tiene una gran velocidad de conmutacién para aplicaciones en convertidores de alta pote SITH EI SITH, llamado también diodo controlado-limado (FCD, de filed-controlfed diode) fue: ducido por Teszner en Ia década de 1960 [41]. Un SITH es un dispositivo de portadores tarios En consecuencia, tiene baja resistencia 0 caida de voltaje cn estado activo, y 82 fabricar con mayores especificaciones de voliaje y corriente. iene grandes velocidades de tacién y mayores capacidades de las tasas dua y difdt, BI tiempo de conmutacisn es del de 1a6 us. La especiticacidn de voltaje [42-46] puede llegar hasta a 2500 V,y la de corrient ita 2 500 A. Este dispositivo tiene una scusibilidad extremadamente alta al proceso, y p perturbaciones en su manufactura producen grandes cambios en sus caracterfsticas. Con la da de la tecnologia SiC se ha fabricado un SITH 4H SiC con voltaje de bloqueo en seat recto de 300 V [47]. Bn Ia figura 7.25a se ve el corte transversal de la estructura de media de un SITH, su circuito equivalente esta en la figura 7.25b,y su simbolo en la figura 7.25. Encendido, En cl caso normal, un SITH se enciende aplicando en la compuerta un jc positivo con respeeto al cétodo. Bl SITH se enciende con rapidez, siempre qué la corric voltaje de encendido sean suficientes. Al principio, se enciende el diodo PiN de comp cétodo e inyecta electrones de Ia regién N* del cétodo ala regién de la base, entre la P* y el eétodo N', que pasan al canal y modulan asf la resistividad del canal. Fl voltaje ‘en la compuerta reduce la barrera de potencial en el canal, que en forma gradual se vue ductora. Cuando los eleetrones llegan a la unién J,,el énodo p* comienza a inyectar hus7.6 Tiposde tiristores 329 Anode Basen fe [Compuerta p* S S t f= itodo Catodo () Corte wansveesal de media celda (©) Chreutto equivatene Anode Compuerts Citodo (©) Simbolo del SITH FIGURA 7.25 Corte transversal yctcuito eqnivalente de un SITH, [Ref 49,3. Wang) la base, proporsionando la corriente de base del transistor Qo, Al anmentar la corriente en la ba- se, Qp€8 llevado a saturacidn, y al final la unin J> queda polarizeda en directamente. Entonces el dispositivo se enciende totalmente La compuerta py Ia regién del canal se pueden modelar como un transistor de unién de «efecto de campo (JFET) que funciona en el modo bipolar. Los electrones pasan del catodo y le~ gan a la base bajo fa compuerta p”, pasan por el canal, proporcionan la corriente de base del transistor p'n-p , Debido al alto contenido de dopante de la compuerta p*,no pasan electrones a ella. Una parte de la corriente de huecos pasa por la compuerta p’ y por el canal, diectamen- te hacia el cétodo. El resto de la corriente de huecos pasa por la compuerta p~ hacia el eanal, co- ‘mo la corriente de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta distancia entre ccitodo y compueria da como resultado una concentracion uniforme y grande de portadores en sa regiGn; en consecuencia, la cada de voltaje es despreciable. Apagado. En el caso normal, un SITHse apaga aplicando a la compuerta un voltaje nega: tivo con respecto al cétodo. Si a la compuerta se le aplica un voltaje negativo de valor suficiente, se forma una capa de agotamiento en tomo a la compueria p*. $e crea en el canal una barrera de potencial, que lo hace més angosto y elimina en él el exeeso de portadores. Sil voltaje de com- puerta es suficientemente grande, la capa de agotamiento de las regiones adyacentes ala compuer- fa se unen en el canal y al final deticnen el flujo de corriente de electrones en el canal. La capa de agotamiento termina por estrechar totalmente cl canal, A pesar de que no hay cortiente de electrones, la corriente de huecos continda pasando, debido al exceso de portadores que queds en la base, que decacn en forma lenta. La eliminacién de la corriente en el canal detiene también330 Capitulo 7 Tiristore la inyeccién de electrones y huecos @ la regién entre la compuerta y l catodo; a contint apaga el diodo PIN parésito en esta regién, En consecuencia, el voltaje negative en la com establece una barrera de poteneial en él canal, que impide el transporte de electrones de a Gnodo. El SITH puede sostener un voltaje anédico alto, con una corriente de fuga pea ciecra por completo el canal. 7.6.14 Comparaciones de tiristores La tabla 7.1 nmestea la comparacién entre distintos tristores, en términos de sus contr ‘compuerta, sus ventajas y sus desventajas Ejemplo 7.2. Determinacién de la corriente promedio en estado activo en un tiristor Us tristor conduce lacorriente que se ve en la figura 7.26, el pulso de coriente se repite con una cia f= SOTz. Determinar i corriente promedio Tren estado de encendido, Solucion Ty Iw = 1000, T= If s= USD = 20 msy 4 = fy ~ 5 ps.La contiente promedio en estado activa a 5) 1000 + x Tr = ppp (OS XS X 1000 + (20000 ~ 2 x 5) % 1000 + 05 x 5 x 1000} = 995A FIGURA 7.26 Forma de onda de cotrente en un tistor OPERACION DE TIRISTORES EN SERIE Pata aplicaciones en alto voltaje se pueden conoctar dos o mis tiristores en serie, para al la especiticacion de voltaje. Sin embargo, debido a las variaciones en la produccién, no soni ticas las caracteristicas de los Uristores: La figura 7.27 muestra las caracteristicas de es! apagado de dos tiristores Para la misma corriente de estado de apagado, son distintos sus jesdo estado de apagado, En el caso de los diodos slo deben compartirse los voltajes de bloqueo en sentido is 0, mientras que en el easo de los tiristores se requieren redes de voltaje de bloqueo com para las condiciones de bloqueo inverso y de estado de apagado. El voltaje compartido seong ed sope(onBe9 wosso12, sa rseppaeg any 10d sopatontins 95 op wep exrencaes ‘ap jones sod zee ‘pond 98 oN m0 os amo vou aod sepuinuaoo souopenqde eed ‘pena3pe SYN Lupine op PePpOHON eee reomeu :04 soperonnc: ‘upseymasuc 243 soy nb pry woo opendy op ‘254304 3092) amd sponve> us ‘0209 850) sp reyos rim sean nae op se supe vied ar] 99 vie uooUpDUATOY wsOUIUN [LES emsodsip ‘qos un ua ep 19 veo yppedsy wOS*P Hung, reumeu. vormynetta3| os oped van ond Tod zope per 2p (ee35 wun seyouarnenpig wos=91snb rns evie weg 7AToeeq woo UpERAIY moose cafauantoa uoeznuo9‘uo raandiioo 9p squ2use> wei un Ay hganu owesou reuse 2p osjnd un oo ised uopend 2» nb oxdaoxs ‘opie osneBau ose unuos opeiody ‘wuonduoo 61 v9 ‘alo so opuiods aris. soqysod peuas eon up epurued weg pomisioy uno ugiseanay op ‘Sp saropniento> ‘red sopensape snp, emer uppernuuos ase oo opuaidy opie: rod sopeyosIN0> YS oped ‘soap 1 eseppareg via we woranisu09 wo opeliody souopanp sequze owoyod 21u2u302 2p og ap ssuopeaice olmrensd enon opstode and oyds0x9 90) pronto us 0d sopeyeniw09 2:95 sepa vio oo Swoaiasp — afeyonep—epepusnus ‘onda eunyu — cuRsW —opuisa 2p e409 ‘uote woes waafeon usedsa —-uisadsa_ op PRED Camara) CLVeasndaos vu sede spun ap ‘cusnbsd ‘na 2oyo4 un ou uagop oper op 07 ‘opedede pd tuionduno 3p w9 ered owes Uo eanpe tind FOLD sono vou aris ‘nme jontuos| sono2psusippama ——spOLuN WO BAYS — vlog wMpoMANU| —Ueo-apuapn ag ‘eUANduOD sq LOL SOW [9 vopenpves copuede ap mand 0 2 af ap oxmaou osind | epoue un woo opefedly a LAISOW 20 Bund su sod ace £ 404 eondcs vous. od sapueaus apand once nborisma°OL VAN “VARLOZ 28s BYih _@AYOL epoutony opeavat 12 aqueaap arneuses ap w09 ‘ey ean 30901 solapseyesoppad 50] ap su) psupwoura salewansecy seraagp basouopeqanuad suanduoa 2p seuonbad £oso30% ‘oae8ou feo sjqsues eruewrepewam copied ‘euonidies sind ono ‘uo onnsiu09 ates opipuanee wind ‘usher ee se ‘ne yoni ‘opejenucs oanisoesr @aonse s ‘euenduios Eun, Hus Koprpuasue wa ‘puonbarertiou ‘oxo afetos ‘un uos eee 28 & “opous pe oizadsax opie uecoaniiou wal oto Afeyon mus opypusous wed ars dye 9p LONE Jost ypowuyay peunetu) 12 wo apusiuo 95 ‘seionduos soc, OW oS ee iodacs — sovdnarul eungu yu opus =p wonsammey apron; pou, ne 9 upateyan epeonaney -aysadeg est PED (onsen vewaw7.7. Operacién de tiristores en serie 335 Estado encendigo pane Estado aj FIGURA 7.27 CCaractertstinr do dos tirstores en estado apagad, lograr conectando resistores en paralelo con cada tristor, como se ve en la figura 7.28. Para com- partir voltajes iguales, las corrientes de estado de apagado son distintas, como se ve en la figura istores en la cadena. La corriente del tiistor T; en estado de apagado es Ip, y la de los demas tiristores es igual, por lo que Ig = Js ~ ing, € fai . PROTECCION CONTRA D/DT Un tiristor require un tiempo minimo para repartir por igual ls conduccisn de I conie! las unlones, Sila rapidez de aumento de la corsiene anSdiea ex muy alta,en comparacion ‘elocidad de repartsin de un proceso de activacion, puede presentarse un ealentamien'a lado, 0 "punto caliente” debido a alta densidad de corient,y el dispositive puede fallar restllado do una temperatura excesiva, Se daben proteger los dispostivos prctioo contra una alta tsa dd Por ejemplo, ve eleireuito de la igura 7.2, Bajo operacia de estado permanente, D, conduc cuando el 1; esid apagado, Si se dapara T, cuando D,, todavia estd conduciendo, la tasa dit puede ‘muy alta, y soo la limita la inductancia pardsita del circuit. Ena prctica, la tsa dV/ar se limita agregando un inductor L, en serie, como se ve figura 7:32,Latasa d/dten sentido directo es a _Y, aL, ¥ donde L, ¢s la inductancia en serie, que incluye cualquier inductancia parésita. 1 FIGURA 7.32 CGiteuita de conmutaciéa tiristor,con indvetores limitadores dela tasa di740. Proteccién contra dit 339 PROTECCION CONTRA DV/DT Sie erm lnterrpto Sen figura 7.35 cuando = 0, spud apie un een de vol tna traes dl stb T 9 pueda er questa dase ulfenteront ete come pa eh ‘Seder apeive Se puede Enitar la tase das conectandelcapatorC,como seve la Hoorn Dale ctor Tao pasa coniems do desta da captor ve ia cel tarsi srua tens ens pus Tin an an RC haan ates anasto ase acauaesta wall i cia cmioan te mule gua 7.se yen ued Gel eee sx pee deem istoa apeainas de 2K, @ RG i in coshons dap et eiotgande stomps ore con oi Eun para un valor soni dela ane doe de fse determina pat e lao miente de descarga Irp. as) ye ia ipa (7.16) Bs posible usar mas de un resistor para la tasa du/de y descargar, como se ve en la figura 7.33d. La tase dv se limita con R, y C, La suma (R + Re) limita la contiente de descarga, de tal modo que Ve Ry + Ry oan In = @ FIGURA 7.33 (Creuitos de proteeidn contra a lasa deta,340 Capitulo? —Tiristores La carga puede formar un circuito en serie con [a red amortiguadora, como se ve en la 7.33e, De acuerdo con las ecuaciones (2.40) y (2.41), la relacién de amortiguamiento 8 de ecuacién de segundo orden es a _R+R IC q oy 2 VL,+L . donde 1.,¢8 la induetancia pardsita y Ly R son lainductanca yl resistencia dela carga, tivamente. Para limitar el sobredisparo de voltaje pico aplcado a través del tiistor, se usa una cin de amortiguamiento en el intervalo de 0.5 a 1.0.Si la inductanein dela carga es alta lo sue serel caso, R, puede ser alta y C, puede ser pequeta, para conscrvarel valor desea relacion de amortiguamiento. Un valor grande de R, reduce la corriente de descarga, y un pequefio de C, reduce Ia pérdida por el amortiguador. Se deben analizar con detenimiento ‘ircuitos de la Figura 733 para determinar el valor requerido de la relacion de amortigua que limite la tasa dv/de al valor deseado. Una vez conocida la relacién de amortiguamie! pueden determinar R,y C, En cl esso normal, sc usa la misma red o amortiguador RC para teceisn contra la tasa doy para suprimie el voltae transitoriodebido al tempo de recupes en sent inverso. La supresisn de voltae transitorio se deseriird en la secci6n 18.6. Ejemplo 7.4 Calculo de los valores del circuito amortiguador, en un circuito de tiristor El voltaje de entrada dela figura 733e es V, = 200V, ya resistencia de carga es R = 5.0. Las indus de carga y pardsita son despreciables y el tristor funciona con una frecuencia f, = 2 kHz. Siel valor ido de La asa dures 100 Vins, la coriente de descarga se debe limitar a 100 A, determinar 2) los 15 de R, y Cy b) la perdida en el amortiguadory c) la potencin nominal del resistor del amortiguador Solucién ddulét = 100 Vins Fro = 100 AR = 5.0, 1 = Ly ‘a, De acuerdo con la figura 733, la corriente de carga del capacitor amortiguador se puede note mie kfidernenoy Con la concn nicil w(t = 0) = 0 a costiente de carga se calcula como 9 =e Rak donde + = (R, + R)C, Fl vate en sentido direst a travds del sristores wrle) = Ve = = es @ ‘Cuando r= 0, »4{0) = V5 ~ RVV(R, + R),y euando = ry(2) = V, ~ 0368 RV./IRy + dp _ vss) — w7(0) __O682RV, de Ss G(R, + RE De acuerdo con Ia ceuacin (7.16), R, = V,iEzp = 200/100 = 2 0. Con la ecuacién (7.21) se: @ 04652 x 5 x 200 x 10 (@+spxio HF7.11 Modelos spice para tiristores 3441 bh. Lapéraida enol amoniguador es Pe = OSCVPf, 50.129 » 10-8 x 200 2000 = 52 W a2) ‘& Suponiendo que toda la enerpiaalmscenads en C, se disipa slo en R,la potencia nominal del re: sistor amortiguador es 52 W. MODELOS SPICE PARA TIRISTORES ‘A medida que se agrega un dispositive nuevo a la lista de la familia de tiristores, surge el asunto ide un modelo auxitiado por computadora. Los modelos para dispositivos nuevos estin desarro- Ilandose. Hay modelos SPICE publicados para tiristores, GTO, MCT y SITH eonvencionales. Modelo SPICE del tiristor Supongamos que él titistor, como se ve en la figura 734, funciona con un suministro de ca, Este liristor debe tener las siguientes caracteristicas 1. Debe pasar al estado de encendido con a aplicaci6n de un voltaje positive pequefto en la ‘compuerta, siempre y cuando el voltaje de anodo a catodo sea positiv. 9. Debe permanecer en estado de encendido mientras pase cortiente anédica, 3. Debe pasar al estado de apagado cuando la corriente anddica pasa por cero, hacia la diree~ cidn negativa La aceién de conmutacisn del tiristor se puede modelar con un interruptor controlado por voltaje y una fuente polinomial de corriente (23].Esto se ve en la figura 7.34b, Bl proceso de en- cendido se puede explicar con los pasos siguientes: 1, Para un voliaje positivo en la compuerta V,,entre los nodos 3 y2, la corriente de compuer- aes p= (VX) = VuRG. Compuerss ly () Citeuito de tiistor (©) Modelo del tiistor FiguRA 7.34 Modelo SPICE del triste.342 Capitulo 7 Tiristores 2 La corriente de compuerta fy activa la fuente de corriente F,, controlada por corre produce una corriente cuyo valor es F, = Pil, = P(VX),de tal modo que F, = f= 3. Lafuente de corriente F, produce un voltae de subida répida, Vga través de la res cia Rp Cuando aumenta cl voltaje Vp ariba de cero la resistencia Re del intertuptor S, cont por voliaje baja de Roge ® Rox Cuando Ia resistencia Rs del interruptor 5; disminuye, la eorriente anddica I, = (VY) ‘menta, siempre que sca postivo el voltaje de Anodbo a cétodo. Esta corriente andice ciente [, produce una cortiente F, ~ Pal, = P31(V¥)-Eso da como resultado mayor del voltaje Vie Esto produce una condicién regenerativa,y l interruptor se leva con rapides.a baja fencia (estado de encendido).B1 interruptor permanece eneendido sise quita el volts de compuerta, . La corriente anélea 7, continsia pasando mientras sea positiva,y el interruptor pe enelesiada de encendido, Durante el apagado, no hay cortiente de compuerta e J, = 0. Esto es, Fy = 0,F, = Fy + F La operaciGn de apagado se puede explicar con los siguientes pasos. 1. Cuando ia corriente anédica 1, se yuelve negativa, la corriente Fj se invierte, siempre ya no haya voltaje V, en la compuerta, 2 Con F; negativa, el capacitor Crse descarga a través de la fuente de cortiente Fy la teneia Ry 3. Con la caida del voltaje Vp un bajo nivel, aumenta la resistencia Ry del interruptor baja (Row) a alta (Roe). 4, Bsta es, otra ver, una condicién regenerativa en que la resistencia del interruptor se bia con rapider al valor Rorr cuando el voltaje Va se vuelve cero. Este modelo funciona bien con un cireuito convertidor en el que la cotriente en el baja a coro debido a las caracteristicas naturales de esa corriente. Sin embargo, para un tidor ca-cd de onda completa con une corriente continua en la carga, que se deseribird en el pilulo 10, 1s corriente de un tirisior se desvia hacia otro tiristor, y puede ser que este mo roduzca la salida correcta. Este problema se puede remediar agtegando el diodo Dr, co ve ena figura 7.34b. Ese dindo evita todo paso de corriente en sentido inverso a través del tor, debido al dispuro de otro tiristor en el cizcuito, El modelo de tiristor se puede usar como un subcireuito, E] interruptor 5; se controle 1 voltaje de control V_, conectado entre los nodos 6 y 2, Los pardmetros del interruptor © diodo se pueden ajustar para producir la cafda deseada en estado de encendido del tirist usardn los pardmetros de diodo IS = 2.2E ~ 15, BV = 1800V, TT = 0; los pardmetros del i tuptor RON = 0.0125, ROFF = 108 + 5, VON = 0.5V, VOFF = OV. La definicién dels cuito para el tiristor modelo SCR se pueden deseribir como sigue: * Subciresito para modelo de tixistor con ca SURKT SR 1 3 2 * “model anode centre! cathode . ane voltage shal 5 6 2 gmp : Intermuptor controlado por voltaie7.41 Modelos spice para tiristores 343, 7 Diodo interruptor ‘our POLY(2) vk ow 0 SO aL + MODEL SMQD VSWITCH (RON=0.0125 ROFF=10RC5 VON=0.5Y YORF-OV) ; Modelo de interptor MODEL BOD D(IS=2.2E-15 BY=L800V TT=0) ; Pardmetros del modelo de diode abs SCR } Termina definieidn de subeirculto El modelo de cireuito, tal como se ve en fa figura 7.34, incorpora el comportamiento de conmutacién de un tiristor sélo bajo condiciones de ed, No incluye los efectos de segundo orden, como sobrevaltaje,la tasa did, tiempo de retardo ty, tiempo de apagado f,, resistencia en estado de encendido Reg y voltaje o corriente de umbral en la compuerta. E modelo de Gracia [4] que se muestra en la figura 7.35 incluye esos parémetros, que se pueden tomar de las hojas de datos, Modelo SPICE del GTO Un GTO se puede modelar con dos transistores, como se ve en la figura 7.15e, Sin embargo, un modelo de GTO [6, 11-13] formado por dos tiristores conectados en paralelo, produce mejores caracteristicas en estado de apagado, on encendido y en apagado. Bsto se ve en la figura 7.36, con cuatro transistores, Cuando el voltaje V' 44 de dnodo a cétodo es positive, y ao hay voltaje en la compuerta, el ‘modelo de GTO esté en el estado de apagado, como un ttistor normal, Cuando se aplica un pe~ quefo voltaje 2 la compuerta, 2 es distinta de cero; en consectencia, cy ~ Teo son distintas de cero, Puede pasar una corriente del énodo al edtodo. Cuando se aplica un pulso negativo en la compuerta, en el modelo de GTO, la unién PNP cerca del eétodo se comporta como un diode. El diodo se polariza en sentido inverso, porque el voltaje de compuerta es nepativo con respecto al cétodo. En consecuencia el GTO cesa de conduct. ‘Cuando el voltaje de dnodlo a cétodo es negativo, esto es, el voltaje del dnoddo es negative con respecto al cétodo, el modelo de GTO funciona como un diodo eon polarizaci6n inversu. Es. tose debe 2 que el transistor PNP ve un voltaje negativo en el emisor,y el transistor NPN ve un voliaje positivo en el emisor. En consecuencia los dos transistores estén en el estado de apagado yel GTO no puede conducir. La descripcidn del modelo GTO en SPICE es la siguiente: “SUECIROET «12 2 } Definicién de subcircuite de oO ‘remminal anode gate DED PP } Transistor PNP con wodelo DPNP exe FAP DNEN NEN ; Transistor PNP con modelo NEN DNC NEY 7 Declaracién de modelo para un transistor PUP ideal, Declaracién de modelo para un transistor NEN dea ; Termina definicién de subcireaite{moe19 «xy 32x] = 9p opryosiuCD ope DyRsA: eed oMsandond orerdiuDD POH, secvunou ‘9p yon oe ono Spinto sabora oven < Pee Anls 3 STs 3 iz Sz wey [2 | ECR Fs > go 5, g g z= as f arena7.11 Modelos spice para tiristores Anode Compuesta FIGURA 7.36 ‘Modelo de eusitotransistoves para GTO. [Rot 12,M. ELAmis] Modelo SPICE del MCT El equivalente al MCT, que se ve en fa figura 7.37, tiene una seccién SCR con dos secciones MOSFET integradas para activarlo y desactivarlo. Ya que la integzacién del MCT es complicada, ‘es muy difcl obtener un modelo exacto de cicuito para el dispositivo [39], EI modelo de Yuvara- jan [37], que se ve en a figura 7.37 es bastante simple y se deduce ampliando el modelo de SCR (2,3) para incluir las caracteristieas de eneendido y apagado del MCT. Los pardmetros del modelo se pueden obtener en la hoja de datos del fabricante. Sin embargo, este modelo no simula todss Jas earncteristicas del MCT. como voltajes de ruptura y de transicién conductora, operacign con alta frecuencia y voltajs pico en el encendida. El modelo de Assov [38] es wna modificacién del de Yuvarajan y se deduce a partir del circuito equivalente del MCT a nivel de transistors, am- pliando el modelo del SCR [3] Modelo SPICE del SITH El modelo de Wang del SITH [49], que se basa en los mecanismos fisicos de operacién interna del dispositivo del circuito equivalente en la figura 7.25b, puede predecir las caracteristicas est4- teas y dindmicas del dispositivo [48,50]. Fl modelo tiene en cuenta los efectos de la estructura, duracién y temperatura del dispositivo. Se puede implementar como subeircvito en simuladores de circuito, como PSpice.346 Capitulo? —Tiristores Anodo PNP, a a Catod (salida) catodo (2) Circuito equivalente a MCT (0) Modelo SPICE del MCT. FIGURA 7.37 Modelo de MCT. [Ret.37,8. Yavarajan]. RESUMEN Hay 13 tipos de tiristores. Sélo Jos GTO, $ITH, MTO, ETO, IGCT y MCT son dispositivos gados por compuerta, Cada uno tiene sus ventajas y desventajas. Las caracteristicas de los ores prdcticos difieren en forma apreciable de las de los dispositivos ideales Aunque distintos medios de encender los tristores, el control por compuerta es el mas practic». Del las capacitancias de las uniones y al limite de encendido, los titistores se deben proteger fallas por altas tasas di/de y dv/dt. En el caso normal se usa una red amortiguadora para tegetlos contra alta tasa du/dt. Debido a la carga recuperada, algo de energia se almaces los inductores pardsitos y la tasa di/dt y, se deben proteger los dispositivos contra 2sa etReferencias 347 almacenada, Las pérdidas de los GTO por conmutacién son mucho mayores que las de los SCR normales, Los componentes amortiguadores de los GTO son criticos para su rendimiento, Debido a las diferencias en las caracteristicas de tiristores del mismo tipo, las operaciones de los tiristores en serie y en paralelo requieren redes de voltaje y corriente eompartidos, para protegerlos bajo condiciones de estado permanente y transitorio. Bs necessrio un medio de ais- lamiento entre el cireuito de potencia y los circuitos de compuerta. Un aislamiento eon transfor mador de pulsos es sencilla, pero efectiva, Para las carges inductivas, un tren de pulsos reduce Ia pérdida en el tiristor, yse usa en el easo normal para activar compuertas de titistores,en lugar de tua pulso continuo, INCIAS [1] General Elects, D.R. 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[82] ‘Transistor Manual, Unijunction Transistor Circuits, ™ edicion, Syracuse, NY: General Eleetric Company, publicacién 450.37350 Capitulo7 —Tiristores PREGUNTAS DE REPASO 1. :Cmo es a caracteristica wide ls tiristores? 72. 1Qué es una condicién de estado apagad de los tristores? 73. {Qué es una condicién de estado encendido de los tiristores? 7.4 {Qué es a corriente le retencin de los tristores? 7S {Qué es una corriente de retenctin de los Urstores? 76. {Cuél 9s el modelo de dos transistores para tvistores? 14 ;Cuéles son los métodos para activar ls tristores? 7.8 ,Qué es al tempo de activacin de los tristores? 79 {Cudl esl objeto de la proteccién contra la tesa did) {Cuil es el método comin de proteccién contra la tasa did? AL {Casi es el objetivo de I protoccidn contra la tasa dua? 72 {Cua es el métodlo comén de proteccién contra la tase dwt? 713 {Qué esl tiempo de apagado de los trstores? {.Cudles som los tipos de tristores? {Qué es un SCR? {.Cual es la diferencia entre un SCR y un TRIAC? {Call es Ia earacteristica de apagado de los trstores? {Culex son Tas ventajas y las desventajas de los GTO? { Cusles son las veniaas y las desventajas de los SITH? {Cusles som las ventajas y las desventsjas de Tos RCT? {:Cusles son las ventaas y las desventajas de los LASCR? {:Cules son Iss veniaas y las desventsjas de los trstoresbidireccionales? {.Cusles son las ventas y las desventajas de los MTO? {Cues som las veniajas y las desventgjas de Tos ETO? ‘Cudles son Jas ventas ylas desventsjas de los CGCT? {Qué es una red amortiguadera? 4 Cuéles son las considcraciones en el disesio de redes amortiguadoras? {:Cudl es a éeniea conan para compartir volisje de tiristores conectados en serie? {{Cusles son las técnicas comunes para compartir corrinte de tiristores conectados en parsielo™ {Cul es el efecto dol tiompo de recuperaciéa en sentido inverso, del voltae transitorio com Ge tsistores conectados en paralelo? {LQué es un Zactor de decaimiento de los trstores conectados en serie? PROBLEMAS 7M Se puede suponer que la capacitancia de union de un tristor es independiente del volaje ex ‘apagado. EI valor limite de la corriente de carga para actvar el tistor es 12 mA. Sil valor Ja tasa adres 800 Vis, determine Ia eapacitancia de la unin. La capacitancia de unién de un tristor es Cp 20 pF, y se puede suponer que es independie vollaje en estado apagade. El valor limite de Ia corrente de carga, para activa el tiistor es 15 se conecta un capacitar de 0.01 uF a través del tiristor, determine el valor eritico de la rasa div [En la figuea P-7.3 se ve um ciruito con trstor. La eapacttancia de unidn del tirstor es KC3x yy puede suponer que os independiente del voltaic en estado apagado.l valor limite de la de carga, para acivar el ttistor, es § mA, y el valor erflico de la tasa davat es 200 Vins. valor de la capacitancia C, tal, que el trstor no pueda aetvarse debido ala tasa dvd.Problemas 351 Figura P73 al FiGURA P7.6 7A Elvoltaje de entrada en a figura 7.33e,es V, = 200V,con una resistencia de carge R = 10 py wna \ductancia de carga L = SO wH Sila relacion de amortiguamiento cs 0,7,y lacotriente de descarga del capacitor es 5A, determine a) los valores de Ry Cyy b) la tasa dwide mina Repita el problema 7.4 scl voltae de entrada es de ca, v= 170sen 377 Un tristor conduce una cortiente que se muestra on la figura P7-6, La frecuencia de conmutaciGn es {f= 10 Hz. Determine ta corriente promedio en estado encendide I>, (Una serie de tiristores se conecta en serie, para resists un vollaje de ed V, = 15 KY. Las diferencias ‘maximas en corrente de fuga y de carga de recuperacin de los tirstores son 10 mA y 150 jC, respec- tivamente Se aplics un factor de decaimiento de 20% pars voltajes compartidos en estado per anen: ‘ey transtorio de los tristoces Si el voltaje maximo compartido en estado permanente es 1000 V, caleule ) la resistencia R de voltae compartido en estado estable, para cads tristor, y b) el voltae transitorio en la capacitancia C, para cada tiisto. Se conectas dos trstores en parallo, para compartir una corriente total de catga Jz, = 600 A. La ca a de voltaje en ua tirstor encenddlo cs Vij = 1.0 8300 A, y lade los dems tristores es Via =1.5V 4300 A. Calcule los valores de las resistencias en serie que oblignen compartir la corriente con una diferencia de 10%. I volta total es w= 2.5 V.