INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO

“FRANCISCO DE ORELLANA”

INFORME DE PRACTICA
CARRERA:
TECNOLOGÍA SUPERIOR EN ELECTROMECÁNICA.
TEMA:
TRANSISTOR IGBT
AUTOR:
KEVIN ROJAS
DOCENTE:
ING. OCTAVIO EDELBERTO GUIJARRO RUBIO.
FECHA:
27-02-2021

Puyo – Ecuador
2021
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“FRANCISCO DE ORELLANA”
Resolución CONESUP No. 180-05-01-2004
Puyo – Pastaza

1.-TEMA: TRANSISTOR IGBT

2.-OBJETIVO GENERAL

 Simular mediante un circuito el funcionamiento de un transistor IGBT.

3.-OBJETIVOS ESPECÍFICOS.

 Implementar un circuito de control para el transistor IGBT.

 Demostrar el funcionamiento del transistor IGBT mediante el uso de simulación
ISIS Proteus.

4.- MARCO TEÓRICO

TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA (IGBT)

El transistor bipolar de compuerta aislada, IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor,

"IGBT"), es un dispositivo desarrollado a partir de la estructura de los PowerMOSFETs
de IIª generación para combinar las ventajas de los BJTs en el manejo de potencia
(menores pérdidas en conducción, mayor tensión de bloqueo) con las de los
PowerMOSFETs en las características de control (compuerta aislada, manejo por tensión,
consumo de corriente de control mucho mas bajo).

Figura 1.- Representación simbólica de IGBT

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Estructura

Figura 2.- Estructura de un IGBT

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que

son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una
acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye
de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto
la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del
transistor de unión bipolar de PNP.

Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de

efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo.

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5.- DESARROLLO.

1. Mediante el uso del softwareISIS PROTEUS realizar el montaje del circuito de

la siguiente ilustración. El transistor IGBT es el IRG4BC10U.

Figura 3.-Simulación en Proteus con el transistor IGBT.

Realizado por: Kevin Rojas

2. Inicialmente mantenga RV3 y RV4 para que el valordeV1 y V2 sea el mínimo,RV1 y RV2 debe
estar aun 50% del valor total.

Figura 4.-Variación al 50% de potenciómetros

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Análisis.- Al estar al 50% funcionando los potenciómetros observamos que el voltaje

que se mide en el circuito especialmente a la salida del transistor es el 30 V ya que este
el voltaje más grande entre las dos fuentes.

3. Modifique el valor de V1hasta que 𝑉𝐶𝐸=10𝑉

Figura 5.-Variación del V1 para VCE se ha 10 V

Realizado por: Kevin Rojas
Análisis.- Se varió el potenciómetro del voltaje V1 a la entrada del transistor al 78%
fue fijado para que el voltaje de VCE se ha de 10 V.

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4. Mediante RV3, lentamente varíe V2 (𝑉𝐺𝐸)y anote el valor de 𝑉𝐶𝐸 e 𝐼𝐶 en cada

0.5V de cambio, tenga en cuenta que el 𝑉𝐺𝐸máximo debe ser de 10 voltio.

El mínimo voltaje de compuerta 𝑉𝐺𝐸, el cual es requerido para que el IGBT

conduzca es llamado 𝑉𝑇𝐻.

VGE VCE IC
0,5 30 -0,6uA
1 30 -0,6uA
1,5 30 -0,6uA
2 30 -0,6uA
2,5 30 -0,6uA
3 30 -0,6uA
3,5 30 -0,6uA
4 30 -0,6uA
4,5 30 -0,6uA
5 30 -0,6uA
5,5 0,85 -5,48mA
6 0,84 -5,48mA
6,5 0,84 -5,48mA
7 0,83 -5,48mA
7,5 0,83 -5,48mA
8 0,83 -5,48mA
8,5 0,83 -5,48mA
9 0,83 -5,48 mA
9,5 0,83 -5,48 mA
10 0,83 -5,48 mA

Tabla 1.- Voltajes VGE , VCE y corriente Ic en intervalos de 0,5 V

Realizado por: Kevin Rojas

Análisis.- Al medir cada 0.5 V se puede obtener el voltaje de VCE y IC , dese el valor
de 5,5 V podemos observar que eiste una varacion de colatje que empieza desde 0,85V a
0,83 V y la corriente Ic se mantiene constate con el valor -0,60 uA

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5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de 𝑉𝐺𝐸 y dibuje la gráfica de
𝑉𝐺𝐸 vs 𝐼𝐶

En este caso el voltaje v2 de la fuente se ha cambiado a 12 V,los potenciómetros están

al 100% en la parte del circuito IGBT . Se obtuvo la tabla de los valores según como fue
variando el voltaje de 2 el VCE y el IC.

VGE IC
5,04 -0,360mA
5,16 -5,74 mA
5,28 -17,5 mA
5,4 -35,7 mA
5,52 -60,3 mA
5,64 -87,4 mA
5,76 -87,9 mA
5,88 -88,1 mA
6 -88,2 mA
6,12 -88,3 mA
6,24 -88,4 mA
6,36 -88,4 mA
6,48 -88,5 mA
6,6 -88,5 mA
6,84 -88,6 mA
7,32 -88,6 mA
7,56 -88,6 mA
8,52 -88,7 mA
8,76 -88,7 mA
8,88 -88,7 mA
9 -88,7 mA
9,84 -88,8 mA
9,96 -88,8 mA
11,07 -88,8 mA
11,22 -88,8 mA
11,82 -88,8 mA
11,97 -88,8 mA
12 -88,8 mA

Tabla 2.- Voltajes VGE y IC medidos del circuito con alimentación V2 de 12 V

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VGE VS IC
0,00E+00
0 2 4 6 8 10 12 14
-1,00E-02

-2,00E-02

-3,00E-02

-4,00E-02

-5,00E-02

-6,00E-02

-7,00E-02

-8,00E-02

-9,00E-02

-1,00E-01

Figura 6.-Represetanción gráfica del voltaje VGS vs Ic

Realizado por: Kevin Rojas
Análisis.-Se ingresó un voltaje de 12 v, y así se fue obteniendo la corriente Ic. En el
gráfico obtenido VGE vs IC se puede observar que la gráfica está decreciendo la
corriente desde el voltaje de 5,04 V hasta 5,52 V, luego el valor de Ic se comienza a
mantener en un valor aproximadamente -87,4 mA a -88,8 mA.

6.- MATERIALES HERRAMIENTAS Y EQUIPOS.

Herramientas

ISIS PROTEUS

ORDENADOR

MATERIALES EN PROTEUS

MATERIAL NOMBRE EN PROTEUS

POTENCIOMETRO POT-HG
RESISTENCIA RES
TRASITOR IGBT IRG4BC10U
BATERIA BATTERY

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INTRUMENTOS EN PROTEUS

INTRUMENTO NOMBRE EN PROTEUS

VOLTIMETRO DC VOLTMETER
AMPERIMETRO DC AMMETER

TERMINALES EN PROTEUS

 Input, output y ground(tierra).

7.- CONCLUSIONES

 Se implementó un circuito de control para el transistor IGBT, donde se pudo ver

el trabajo del transistor ya que este al variar cada voltaje tamabien influje en su
voltaje VCE.
 Se demostró el funcionamiento del transistor IGBT mediante el uso de simulación
ISIS Proteus. Dentro de esta simulación se cambió e voltaje 2 de entrada del
transistor donde se fue viendo que a medida que el voltaje se aumentaba desde
5.00 V la corriente iba menorando y hubo un punto donde finalmente se mantuvo
constante hasta llegar a su voltaje máximo.
 Los transistores IGBT se ocupan de conmutar la energía eléctrica en
automóviles eléctricos, refrigeradores de velocidad variable, aires
acondicionados, trenes y varios dispositivos modernos; en particular, en aquellas
aplicaciones que exigen una conmutación rápida

8.- RECOMENDACIONES

Es necesario configurar correctamente las puestas a tierra en cada uno de los circuitos y
fuentes porque si no son conectadas la simulación no correrá.

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9.-BIBLIOGRAFIA

 MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

 EcuRed. (2013). Transistor IGBT - EcuRed. https://www.ecured.cu/Transis-
tor_IGBT
 S.V. Kartalopoulos, “The Insulated Gate Bipolar Transistor, Theory and Design”
IEEE Press, 2003.
 International Rectifier,“Application Characterization of IGBTs”, AN-990 rev2,
2009

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