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CIRCUITOS RESONANTES Y

ADAPTACIÓN DE IMPEDANCIAS

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CIRCUITOS RESONANTES Y ADAPTACIÓN DE

IMPEDANCIAS
• 3.1.- Introducción
• 3.2.- Circuito RLC serie
• 3.3.- Circuito RLC paralelo
• 3.4.- Circuito (RL//C
• 3.5.- Circuito (RC)//L
• 3.6.- Transformación paralelo-serie
• 3.7.- Circuitos resonantes con derivación
• 3.8.- Transformadores
• 3.9.- Máxima transferencia de potencia
• 3.10.- Cristales de cuarzo
• 3.11.- Filtros de onda acústica de superficie

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INTRODUCCIÓN
• La impedancia o admitancia de una red con R, L y C es una función complicada de la frecuencia:

• La impedancia, en general, presenta parte real (resistiva) e imaginaria (reactiva) Para algunos circuitos, a
alguna frecuencia se anula la parte imaginaria:

• La condición es la “condición de resonancia”

• La frecuencia f0 que hace que se cumpla es la “frecuencia de resonancia”

• Los circuitos para los que existe una o varias frecuencias de resonancia son llamados “circuitos resonantes”
• Los circuitos resonantes se usan mucho en comunicaciones:
• Para separar señales (filtrar)
• Para transformar impedancias (para que haya acoplamiento de impedancias y máxima transferencia de
potencia)

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• La resonancia ocurre a una frecuencia muy concreta f0

• Se denomina “ancho de banda” (B, en Hz) al rango de frecuencias
para las que se cumple aproximadamente la condición de resonancia
(es la anchura del pico o valle de impedancia)
• La selectividad de un circuito resonante se puede expresar en
términos del ancho de banda B o del factor de calidad Q
• Las propiedades de los circuitos resonantes (B, Q, f0, Z(jω0),
transformación de impedancias, etc.) son de gran importancia en
radiocomunicación:
• amplificadores de RF
• osciladores

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CIRCUITO RLC SERIE

• Impedancia:

• Resonancia:

• Impedancia en la frecuencia de resonancia:

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ANCHO DE BANDA B
• Ancho de banda B: se define como el intervalo de frecuencias [f1, f2] tal que en f1 y en f2 la parte reactiva es igual a la
resistiva: X(jω) = ±R
• Esta definición también se denomina “ancho de banda a mitad de potencia”, porque
• |Z(jω1)| = |Z(jω2)| = √2 · Z(jω0) = √2 · R y la potencia disipada en R es la mitad de la disipada en la frecuencia de
resonancia
• Puede demostrarse que (ω2 − ω1)= R y por tanto
L

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FACTOR DE CALIDAD Q
• Factor de calidad Q: se define como:

• Para el circuito RLC serie se verifica:

• Puede verse que el factor de calidad es igual al cociente entre la frecuencia y el ancho
de banda:

• En la frecuencia de resonancia, Vc y VL toman valores de pico Q veces mayores que V R

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• Cálculo del factor de calidad:

• Para la frecuencia de resonancia ω0:

• En la bobina:

• En el condensador el cálculo es similar (en la frecuencia de resonancia, ω0L = 1/(ω0C)):

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CIRCUITO RLC PARALELO

• Impedancia y admitancia:

• Resonancia

• Impedancia en la frecuencia de resonancia:

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• Ancho de banda:

• Factor de calidad:

• En resonancia, la corriente de pico que circula por el condensador y

por la bobina es Q veces la que circula por la resistencia
• Circuito poco realista (por la resistencia serie de la bobina)

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CIRCUITO (RL)//C

• Admitancia:

• Resonancia:

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• Frecuencia de resonancia:
• Impedancia en la frecuencia de resonancia:

• Observamos que la red transforma la impedancia: Rt = L/RC

• El factor de calidad de la bobina en ω0 es:

• La impedancia equivalente (en ω0) puede expresarse como:

• Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R en

una resistencia Rᵼ que es (Q²ᵼ2+ 1) veces mayor

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• EJEMPLO
• Queremos transformar una impedancia de carga R de 50 Ω en una impedancia de 1 kΩ a la
frecuencia de 2 MHz.

• O también:

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POTENCIA SUMINISTRADA A LA CARGA

• Corriente por la rama RL:

• Potencia suministrada a R:

• La potencia suministrada a R es la misma que se suministraría a Rᵼ

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CIRCUITO (RC)//L

• Admitancia:

• Resonancia:

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• Frecuencia de resonancia:
• Impedancia en la frecuencia de resonancia:

• Observamos que la red transforma la impedancia:

• El factor de calidad del condensador en ω0 es:

• La impedancia equivalente (en ω0) puede expresarse como:

• Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R

en una resistencia Rt que es (Q2 + 1) veces mayor (siempre y cuando la
resistencia parásita de la bobina se pueda despreciar, es decir, QL > Qt)
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EFECTO DE LA RESISTENCIA DE LA FUENTE:

• A la frecuencia de resonancia, un circuito RL//C o CR//L presenta una impedancia equivalente

• Si la fuente presenta una resistencia finita Rs, la impedancia vista entre los extremos A y B es ,
y esto afecta al factor de calidad Q y al ancho de banda B:

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TRANSFORMACIÓN PARALELO-SERIE

• Supongamos que queremos encontrar el circuito serie equivalente al circuito paralelo dado por Rp y Xp Rse
y Xse equivalentes serán las partes real e imaginaria de la impedancia del circuito:

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• Supongamos que queremos encontrar el circuito paralelo equivalente al circuito serie dado por Rs y Xs
• 1/Rpe y 1/Xpe equivalentes serán las partes real e imaginaria de la admitancia del circuito:

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RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE:

• Circuito paralelo equivalente a red serie: • Circuito serie equivalente a red paralelo:

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RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RC:

• Circuito paralelo equivalente a red serie: • Circuito serie equivalente a red paralelo:

• Ojo: la conversión depende de la frecuencia (Q depende de ω)

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RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RL:

• Circuito paralelo equivalente a red serie: • Circuito serie equivalente a red paralelo:

• Ojo: la conversión depende de la frecuencia (Q depende de ω)

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EJEMPLO: L // C CON RESISTENCIAS SERIE rL Y rC

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• EJEMPLO: Analizar la red RLC de la figura

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3.7.- CIRCUITOS RESONANTES CON DERIVACIÓN

• Circuitos RL//C y RC//L interesantes (transforman impedancias)
• Sin embargo, una vez establecidos R, RL y ω0, los valores Q y B quedan fijados
• Sería conveniente añadir un grado de libertad que permita también establecer el ancho de banda B (o el factor de
calidad Q)
• Solución: circuitos resonantes con derivación (o “pinchados”)
• circuito con condensador pinchado (tapped capacitor)
• circuito con bobina pinchada (tapped inductor)
• Son circuitos más flexibles, pero también más complejos (análisis exacto complicado) Por otra parte, elegir valores
exactos de L y C va a ser imposible (valores disponibles, tolerancias, etc.)
• Puesto que queremos controlar B, se supone que queremos diseñar circuitos de banda estrecha (Q alto); si Q > 10
podemos usar expresiones aproximadas

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CIRCUITO “TAPPED CAPACITOR”:

Análisis del circuito:

• Conversión paralelo-serie de C2 y R2 a Cse y
Rse (factor de calidad Qp = ω0C2R2)
• Agrupación de Cse y C1 en serie (Cj)
• Conversión serie-paralelo de Cj y Rse a Ct y
Rt (factor de calidad Qt = ω0CtRt)
Diseño de la red tapped capacitor:
dados R2, Rt, f0 y B, hay que calcular L, C1 y
C2:

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• EJEMPLO DE CIRCUITO “TAPPED CAPACITOR”:

• Queremos diseñar un circuito que transforme una impedancia de 100 Ω en 8100 Ω a la frecuencia de 1.5
MHz, con un ancho de banda de 100 kHz

• Diseño:

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• Impedancia del circuito tapped capacitor del ejemplo

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• Impedancia del circuito tapped capacitor (detalle)

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• Diseño para Qt > 10 y Qp > 10:

• Si Qt y Qp son grandes, se pueden hacer aproximaciones:

• Resumiendo: para Qt > 10 y Qp > 10:

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CIRCUITO “TAPPED INDUCTOR”:

• Análisis del circuito:

• Conversión paralelo-serie de L2 y R2 a Lse y Rse (factor de calidad Qp = R2/(ω0L2))
• Agrupación de Lse y L1 en serie (Lj)
• Conversión serie-paralelo de Lj y Rse a Lt y Rt (factor de calidad Qt = Rt/(ω0Lj)) Diseño de la red tapped inductor: dados R2, Rt, f0 y B, hay
que calcular C, L1 y L2:

• Si:

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• EJEMPLO DE CIRCUITO “TAPPED INDUCTOR”:

• Queremos diseñar un circuito que transforme una impedancia de 1 kΩ en 10 kΩ a la frecuencia de 10.7 MHz, con un
ancho de banda de 200 kHz

• Diseño:

• Diseño aproximado (Qp > 10):

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• Impedancia del circuito tapped inductor del ejemplo

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 3.8.- TRANSFORMADORES Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

• BOBINA SIMPLE EN TOROIDE DE FERRITA

• Supongamos una bobina enrollada sobre un núcleo de
ferrita toroidal, conectada a una fuente de corriente que
proporciona I1
• El flujo magnético φ1 inducido por I1 es:

donde K es una constante que depende de las dimensiones y

características de la bobina y N1 el número de vueltas.
• El flujo inducido da lugar a una diferencia de potencial V1
(ley de Faraday):

• Sustituyendo φ1 por su valor, se obtiene la relación entre I1

y V1 para la bobina:

• donde podemos identificar el coeficiente de autoinducción:

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TRANSFORMADOR CON SECUNDARIO ABIERTO

• Supongamos una segunda bobina enrollada sobre el núcleo de ferrita
toroidal
• El flujo magnético φ2 en el secundario es:

donde k es el coeficiente de acoplamiento entre el primario y el secundario

(0 < k < 1)
• La diferencia de potencial V2 debida al flujo φ2 es:

y definiendo la razón de vueltas como n ≡ N1/N2, queda:

• La relación entre I1 y V2 viene dada por:

• donde hemos definido la inductancia mutua M como:

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TENSIONES Y CORRIENTES EN PRIMARIO Y SECUNDARIO

• En general, tanto I1 como I2 contribuyen a V1 (a través de L1 y M,
respectivamente), y también a V2 (a través de M y L2, respectivamente:

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TRANSFORMADOR IDEAL CON RESISTENCIA EN EL SECUNDARIO

• Si Q es grande (podemos despreciar R2 I2):

• Transformación de tensiones y corrientes:

• Transformación de impedancias:

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MODELO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR

• Impedancia del circuito:

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• Impedancia del modelo equivalente:

• Si sustituimos M por αM , L2 por α2L2 y R2 por α2R2, la

impedancia no varía (para cualquier valor de α)
• Para el α particular que cumple:

nos queda:

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• Conversión paralelo a serie:

• Conversión serie a paralelo:

• Otras formulas (útiles para diseño):

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TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO

• Si introducimos un condensador en el primario para sintonizar obtenemos un transformador

monosintonizado
• Proporciona adaptación de impedancias (R2 a Rt) Permite ajustar la frecuencia de resonancia ω0
• A través de Qt permite ajustar el ancho de banda B
• Gracias al transformador, proporciona aislamiento entre los circuitos primario y secundario
• Permite el cambio de polaridad (sentido de bobinado del primario y el secundario)
Consideraremos Qt > 10

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DISEÑO DE TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO

• Dadas las especificaciones f0, B, R2, Rt se pide determinar C, L1, n y k
• Sobra un grado de libertad (habrá´ que fijar algún parámetro de forma arbitraria)
• Diseño: primero calculamos Qt, C y Lt:

• Elegimos arbitrariamente k (entre kmin y 1) o bien elegimos Qp (entre Qp−min y Qt)

• Obtenemos L1 y n:

• El transformador especificado por L1, n y k o bien por L1, L2 y M :

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• EJEMPLO DE DISEÑO
• Dadas las especificaciones f0 = 3,18 MHz, B = 159 kHz, R2 = 50Ω, Rt = 2kΩ se pide determinar C,
L1, n y k
• Calculamos Qt, C y Lt:

• Elegimos arbitrariamente Qp = 3 (entre Qp−min ≈ 1 y Qt = 20) y calculamos k:

• Obtenemos L1 y n:

• Calculamos L2 y M :

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• Impedancia del transformador monosintonizado del ejemplo

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TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO

• Problemas de los circuitos monosintonizados:

• Banda de paso no plana

• Curva de selectividad no adecuada:
• -20 dB/dec a cada lado del pico
• Soluciones:

• Cascada de filtros
• Filtros cerámicos o a cristal
• Filtros de onda acústica de superficie
• Transformador doblemente sintonizado
• Condensador en el primario
• Condensador en el secundario
• Mejor ajuste de respuesta en frecuencia
• Usado para filtro en IF

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TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO

Suposiciones:
• Primario y secundario idénticos:

• .

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• Condición de resonancia:

• Impedancia a la frecuencia de resonancia:

• Máxima transferencia de potencia ⇒

• Acoplamiento crítico si kc = 1/Q

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• Si k ≤ kc la impedancia (módulo) presenta un único pico

• Si k = kc (acoplamiento crítico) el pico presenta anchura máxima
• Si k > kc aparecen dos picos (sobreacoplamiento)
• Hay una caída de 40 dB/déc a ambos lados (doblemente sintonizado) Frecuencia de los picos (fa y
fb) cuando hay sobreacoplamiento:

• Rizado cuando hay sobreacoplamiento:

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TRANSF. DOBLEM. SINTONIZADO: FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA

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3.9.- MÁXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA

• Supongamos una fuente de señal, con Rs, que debe transferir potencia a una carga RL
• Pretendemos que haya máxima transferencia de potencia
• Potencia transferida a la carga:

• Máxima transferencia de potencia:

• La máxima transferencia de potencia a la carga se consigue cuando la resistencia de carga es igual a la resistencia de la
fuente
• Potencia máxima transferida a la carga (RL = Rs):

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POTENCIA SUMINISTRADA POR LA FUENTE

• Máxima potencia que puede suministrar la fuente (fuente en cortocircuito):

• Potencia transferida a la carga:

• Máxima transferencia de potencia (RL = Rs):

• En condiciones de máxima transferencia de potencia, podemos transferir a la carga 1/4 de la

potencia máxima de la fuente

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POTENCIA TRANSFERIDA A LA CARGA

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MÁXIMA TRANSF. DE POTENCIA: IMPEDANCIA COMPLEJA

• Si la impedancia de la fuente y de la carga son complejas (Zs = Rs + jXs; ZL = RL + jXL) la potencia suministrada a la
carga sería:

• Condición de máxima transferencia de potencia:

• Derivadas parciales:

• Condición de máxima transferencia de potencia:

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• Problema de transferencia de potencia con impedancia compleja:

• ZL = ZL(jω); Zs = Zs(jω): dependencia con la frecuencia
• Transferencia de potencia máxima únicamente a ω0
• Adaptación sin reflexión requiere que las impedancias Zs y ZL sean iguales
(“reflectionless match”)
• Adaptación con máxima transferencia de potencia requiere que las
impedancias Zs
• y ZL sean complejas conjugadas (“conjugate match”)
• La verificación simultanea de ambas condiciones es únicamente posible si
Zs y ZL
• son reales (RL = Rs)
• En la práctica, para conseguir máxima transferencia de potencia y evitar
reflexiones en una banda amplia se aplica la condición “reflectionless
match” y se procura que la parte reactiva de la fuente sea lo menor
posible

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3.10.- CRISTALES DE CUARZO

• El cuarzo (y otros cristales) tiene propiedades piezoeléctricas:
• Una deformación mecánica produce desplazamientos de cargas y la aparición de un
potencial eléctrico
• La aplicación de un potencial eléctrico produce deformaciones
• Si se aplica un voltaje senoidal, este da lugar a una deformación mecánica senoidal
(oscilación mecánica; onda acústica)
• Existen frecuencias de resonancia:
• Frecuencias a las que la impedancia presenta máximos o mínimos
• Frecuencia fundamental (f0) y sobretonos (3f0, 5f0, . . .)
• Alrededor de cada frecuencia de resonancia el cristal se comporta como una red RLC
con:
• Q alto (del orden de 105)
• Gran estabilidad térmica (del orden de 0.1 ppm/K)
• Rango de frecuencias: de 20 kHz a 50 MHz (hasta 300 MHz en sobretono)
• Usados para osciladores, filtros en IF y filtros en SSB
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CONSTRUCCIÓN DEL CRISTAL

• Se corta una la 'mina de cuarzo con un determinado ángulo con respecto al eje de simetría del
cristal y se metalizan las caras

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CIRCUITO EQUIVALENTE DEL CRISTAL DE CUARZO

• Alrededor de cada frecuencia de resonancia, el cristal se
comporta como una red RLC con un Q alto
• El circuito equivalente incluye:
• Cs y Ls asociadas a la resonancia del cristal (dependen de las
características elásticas del cristal)
• Rs que representa las perdidas (térmicas) del cristal (y
modelan el factor de calidad finito)
• Cp que representa la capacidad debida a las metalizaciones

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• Alrededor de la frecuencia fundamental (o de los sobretonos) el cristal presenta dos frecuencias de resonancia:
• Cuando se minimiza el numerador (frecuencia de resonancia serie, fs): la impedancia toma un valor mínimo
• Cuando se minimiza el denominador (frecuencia de resonancia paralelo, fp): la impedancia toma un valor máximo

• Puesto que Cp Cs ambas frecuencias están muy próximas

• Las impedancias a las frecuencias de resonancia son:

• Comportamiento en frecuencia:
• Para f < fs y f > fp comportamiento capacitivo
• Entre fs y fp comportamiento inductivo
• En fs y en fp comportamiento resistivo
• Alrededor de las frecuencias de resonancia, transición muy rápida de la fase (de −π/2 a π/2 alrededor de fs y de π/2 a −π/2 alrededor de fp)
• En la frecuencia fundamental se usan los modos de resonancia serie o paralelo
• En sobretono, se suele utilizar resonancia serie

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RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL CRISTAL

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SINTONÍA DEL CRISTAL

• Añadiendo al cristal capacidades o autoinducciones en serie o en paralelo se pueden modificar
ligeramente las frecuencias de resonancia fs y fp
• Condensador en serie, de capacidad C1:

• Condensador en paralelo, de capacidad C1:

La impedancia en la resonancia paralelo disminuye

• Las bobinas en serie o en paralelo con el cristal alteran las características de la respuesta en frecuencia
(presentaran comportamiento inductivo a altas frecuencias o a bajas frecuencias, respectivamente)
apareciendo nuevas resonancias
• Las bobinas en paralelo incrementan fp (y no modifican fs)
• Las bobinas en serie reducen fs (y no modifican fp)

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SINTONÍA DEL CRISTAL CON CAPACIDADES

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SINTONÍA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO

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SINTONÍA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO

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SINTONÍA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE

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SINTONÍA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE

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3.11.- FILTROS DE ONDA ACÚSTICA DE SUPERFICIE

• Los cristales de cuarzo basan el funcionamiento en el intercambio de energía entre la señal eléctrica suministrada y una vibración
mecánica (onda acústica) que se propaga en el cristal
• Las resonancias eléctricas son debidas a resonancias de la onda acústica
• El cristal debe hacerse más fino para incrementar la frecuencia de resonancia:

• Por ello, es difícil hacer cristales de cuarzo con f0 de varias decenas de MHz
• Solución para altas frecuencias: resonadores de onda acústica de superficie (SAW, Surface Acústica Wave)
• Dispositivo: estructura resonante en la superficie de un cristal, constituida por un sustrato sobre el que se depositan unos
electrodos (con técnicas de circuitos integrados)
• Sustrato de niobato de litio (Li Nb O3) o tantalato de litio (Li Ta O3)
• La geometría y dimensiones de los electrodos determinan las resonancias y la respuesta en frecuencia
• Se alcanzan frecuencias de resonancia de cientos de MHz
• El diseño es complejo pero permite flexibilidad en el diseño de la respuesta en frecuencia
• Dispositivos compactos (del orden de λ)

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ESTRUCTURA DE UN RESONADOR DE ONDA ACÚSTICA SUPERFICIAL

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