COMPONENTE PRÁCTICO DEL CURSO ELECTRÓNICA DE POTENCIA – 203039

NOMBRES:
DAYAN FARID VILLANUEVA
COD: 1047224522
EUDEL JOSE PEREZ
COD: 1129538781
IVAN MANUEL BOLAÑO
COD: 1083018258

TUTOR:

EDWIN BASTO

GRUPO: 3

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

SALGAR ATLANTICO (UNAD)
MAYO 2022
 INTRODUCCIÓN

El presente trabajo desarrollaremos cada uno de los interrogantes planteados en las

diferentes actividades del componente práctico del curso, las cuales están asignadas en

rubrico y tienen como objetivo el desarrollo habilidades de selección y utilización de circuitos

convertidores y acondicionadores de señales; basados en el uso de semiconductores de

potencia.
 OBJETIVOS

Objetivo General:

Comprender el funcionamiento de los principales dispositivos semiconductores de potencia,

a través del estudio de sus principios de operación y montajes reales el componte práctico

in situ.

Objetivo Específico:

 Comprender el funcionamiento de los principales dispositivos semiconductores de potencia,

a través del estudio de sus principios de operación y montajes reales el componte práctico in

situ.

 Desarrollar un análisis teórico-práctico sobre el comportamiento de estos componentes bajo

diferentes voltajes e intensidades de corriente.

 Realizar las actividades prácticas propuestas para contextualizar el desarrollo de los

componentes teóricos del curso de Electrónica de Potencia.

Los recursos con los que debe contar para el desarrollo de la actividad son los siguientes:

1. Dispositivos electrónicos: los circuitos que se describen a continuación presentan

los valores y referencias de los dispositivos que cada estudiante debe adquirir

previamente para realizar los respectivos montajes, además debe disponer de

protoboard, cables de conexión y multímetro para realizar las mediciones.

2. En cada centro donde se desarrolle el laboratorio in situ, se facilitará fuentes de

continua, generadores de señales, osciloscopios y multímetros adicionales.

3. Recuerde que de acuerdo al reglamento de laboratorios se debe ingresar al

laboratorio con bata blanca y vestimenta pertinente para este tipo de prácticas.

4. Se presentará un único informe que dé cuenta del desarrollo de la totalidad de las

prácticas, el informe se presenta en formato PDF, de acuerdo a los grupos de 2

estudiantes que hayan efectivamente trabajado en el desarrollo de las actividades.

El informe se podrá presentar de forma individual o máximo de tres estudiantes. El

nombre del archivo será el siguiente: Grupo_Letra_Fase 5_203039_Centro.pdf, la

letra de cada grupo, será asignada por el tutor asignado para el acompañamiento

del componente práctico, por ejemplo: Grupo_A_Fase 5_203039_Bucaramanga.pdf

5. El tutor asignado para el acompañamiento del componente práctico, podrá dar

mayores detalles sobre la consolidación del informe, organización de los grupos y

medio por el cual se enviará al tutor el informe para ser evaluado, esto de acuerdo

a las condiciones particulares de cada centro.

La actividad consiste en:

Desarrollar las siguientes prácticas de acuerdo a las especificaciones que se

presentan a continuación:

Práctica No.1 Características del SCR

Procedimiento:

1. Realice el montaje del circuito de la figura 1, anexando los voltímetros y

amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el

análisis del circuito.

2. Ajuste el voltaje de la fuente “V2” de modo tal que el voltaje VAK del SCR sea

aproximadamente 15 voltios
3. Con el potenciómetro “RV1” de 2K, vaya aumentando lentamente la corriente

que ingresa por el pin de disparo del SCR (IG), justo hasta que el SCR

conduzca. Responda a las siguientes preguntas:

¿Cuánto fue el valor de la corriente de puerta que hizo conducir al SCR?

Nuestra corriente Inicial fue de 0.8 mA

Componentes que utilizamos

- Este caso utilizamos un SCR (IG) S8010R

- Utilizamos una fuente de 15v

- Adicionalmente utilizamos 2 potenciómetros de 10k

- Board para montaje

- Cables para caimán – Bananas

¿Qué sucede con el valor del VAK y por qué?

Una vez realizado el montaje logramos notar que el voltaje empieza a caer a los

20v. Evidenciando que el SCR empieza a excitar.

¿Cuál era el voltaje VAK y la corriente IAK justo antes del cierre del SCR y

justo después del cierre del SCR?

Logramos notar que nuestros valores eran de:

15v – 0.8 después al momento de variar del 1.6 a 20m.A

 4. Siga aumentando la corriente IG (la que ingresa por el pin de disparo) y vaya

observando lo que ocurre con el voltaje VAK y la corriente IAK, responda la

pregunta: ¿hay o no hay cambios? Explique esta situación, desde lo que sabe

del comportamiento de los diodos

R// El voltaje de VAK sigue el comportamiento del diodo 0.8V no cambia.

La corriente cambio un poco hasta un umbral de 2.3mA a 2.5mA.

5. Una vez haya analizado el SCR en estado de conducción, ahora reduzca

lentamente la corriente de disparo, observando en cada momento tanto el

voltaje VAK como la corriente IAK. Explique: ¿por qué no se vuelve a abrir el

SCR (es decir pasar a estado OFF), si la corriente de excitación de la puerta se

volvió a reducir? Ahora realice una reconfiguración en el circuito de disparo

(circuito del lado izquierdo) de forma tal que el SCR pase a estado OFF, y

explique la forma en que se debe proceder.

R// la última forma de desactivación es que quiten la alimentación o corto circuitemos ánodo

y cátodo.

Laboratorio practica 1

Link: https://youtu.be/9yrtikT4pSA

Link: https://youtu.be/yerWv6UlX00
6. En la figura 2, se muestra un circuito de control con SCR partiendo del diseño

de la figura 1, en este caso la fuente de voltaje V2 se ha cambiado por una

fuente de corriente alterna de onda senoidal con 120 VRMS y 60Hz. Construya

un circuito similar a este, según sus capacidades de diseño; coloque a la salida

del cátodo del SCR una carga para corriente alterna (motor, bombillo, etc.).

Instale un osciloscopio en los puntos A, B, C, u otras posiciones que considere

importantes analizar, para que identifique el funcionamiento del SCR con

corriente alterna. Analice los valores de frecuencia, amplitud y forma de onda

que presenta el osciloscopio, y presente dos observaciones argumentativas

sobre el comportamiento del circuito (cada una de al menos cinco renglones),

puede guiarse con las preguntas que se le suministraron en los numerales

anteriores.
Lo que podemos decir del circuito anterior es que utilizamos un voltaje de 15 V,

resistencia de 100 Ω, un bombillo de 12 V, un alternador, también un S8010R.

También podemos decir que el bombillo está en off cuando la corriente está en 34.0

mA y el voltaje en 1.39 V
Y el bombillo está en on cuando la corriente está en 35.7 mA y el voltaje 1.43 V.

Práctica No.2: Características del MOSFET

Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura 3, anexando los voltímetros y

amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros

en el análisis del circuito.

2. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente V4 de forma tal que el voltaje del

MOSFET sea VDS1 = 10 V, y teniendo el potenciómetro RV2

aproximadamente al 50% de su escala.

Video explicativo del potenciómetro al 50%

Link: https://youtube.com/shorts/qSWEUq71HP0?feature=share

3. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente de V3 de forma que VGS inicie en

cero voltios. Posteriormente, con el ajuste del potenciómetro RV3 (que

hará las veces de ajuste grueso), vaya observando como disminuye el

valor de VDS y aumenta el valor de IDS en la medida que se va aumentando

el valor de alimentación de la puerta VGS, hasta llegar a 5 voltios. Al

acercarse al valor de voltaje VGS en el cual conmuta el Mosfet, 7 puede

hacer uso del potenciómetro RV5 (ajuste fino), para que logre identificar

de mejor forma las condiciones eléctricas al momento del cierre.

4. Repita los pasos 2 y 3 anteriores para diferentes valores, de VDS

VDS2 = 12V

VDS1 = 15V

VDS inicial = 10 V VDS inicial= 12 V VDS inicial = 15 V

VGS (V) IPS (mA) VDS (V) IDS(mA) VDS(V) IDS(mA) VDS(V)
0.4 0.172 10.6 0.166 11.9 0.165 15
1.0 0.159 10.6 0.188 11.9 0.176 15
3.1 0.105 10.6 0.175 11.8 0.178 15
3.6 0.542 9.4 0.706 10.4 0.752 13.4
3.8 2.358 5.1 1.910 7.8 3.428 7.5
4.1 4.460 0.1 5.490 0.2 6.817 0.1

Tabla 1. Comportamiento VGS versus IDS en el MOSFET

En todos los tres casos, seleccione un incremento gradual del voltaje VGS de forma

tal que pueda ir observando los cambios en IDS.

A partir del análisis de la anterior tabla concluya entonces ¿cuál es la mínima tensión

de disparo de puerta? que asegura la correcta conmutación del Mosfet.

R//. La tensión mínima de disparo de la puerta del Mosfet para asegurar la correcta

conmutación es de 1.0 Voltios.

Consulte en las hojas de características de los fabricantes, ¿cuál es el valor típico

del voltaje VGS (llamado VGS(th) voltaje umbral) ¿qué asegura un correcto

funcionamiento del Mosfet sin riesgo de apertura?

Características de drenaje:

5. Ajustar el divisor de voltaje de V4 de forma tal que se tenga un VDS = 10 V. Luego

incrementar el VGS desde cero variando el divisor de voltaje de V3 hasta encontrar

el valor de corte a VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral). Registre este valor como

VTH = 3.5
6. Con voltaje VTH entre puerta y surtidor (VGS1), varíe desde cero el voltaje VDS y

en cada paso registre el valor de la corriente IDS, hasta encontrar que la IDS se

mantiene constante, diligenciando estos valores en la tabla dada.

7. Repetir el paso anterior (6) en variaciones de (VGS2 = VTH +0.5 V), (VGS3 = VTH +1

V), (VGS4 = VTH +1,5 V)

Diligenciar la siguiente tabla

VGS1 =3.5 VGS2 =4.0 VGS3 =4.5 VGS4 =5.0

VDS IDS VDS IDS(mA) VDS(V) IDS(mA) VDS(V) IDS (mA)

(V) (mA) (V)
9.7 0.455 0 5.2 10.5 12.8 0 6.236
mA
7.0 0.380 9.0 5.5 7.3 9.6 0 6.236
mA
5.1 0.320 7.8 5.5 6.8 22.6 mA 0 6.236
mA
3.0 0.271 6.2 5.4 4.1 22.6 0 6.236
mA
2.0 0.22 4.9 5.4 3.3 23.7 0 6.236
mA
0.0 0.192 2.2 6-0 2.3 22.3 0 6.236
mA
0.1 0.183 1.5 5.8 1.1 24.8 0 6.236
mA

Tabla 2. Comportamiento voltaje VDS VERSUS IDS en el MOSFET

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de

elevadas potencias?

Respuesta: Debido a los voltajes, corrientes y disipación manejadas por el MOSFET que

son bajos no podemos aplicarlos a elevadas potencias, teniendo en cuenta que en dichas

potencias manejamos voltajes, corrientes y disipaciones de valores altos.

Actividad 3: Control de Velocidad de un Motor DC por PWM

Figura 5. Control de velocidad PWM

El circuito de la figura 5, presenta un sistema de modulación PWM para controlar la

velocidad de giro de un motor DC. La modulación se logra a partir del 555 configurado como

oscilador estable, a partir de las siguientes ecuaciones dadas por el fabricante:

𝒕𝑶𝑵 = 𝒍𝒏(𝟐) ∗ (𝑹𝟏 + 𝑹𝟐) ∗ 𝑪𝟐

𝒕𝑶𝑭𝑭 = 𝒍𝒏(𝟐) ∗ (𝑹𝟐) ∗ 𝑪𝟐

𝑻 = (𝒕𝑶𝑵 + 𝒕𝑶𝑭𝑭 ) = 𝒍𝒏(𝟐) ∗ (𝑹𝟏 + 𝟐𝑹𝟐) ∗ 𝑪𝟐

 𝟏⁄
𝟏 𝒍𝒏(𝟐)
𝒇= =
𝑻 (𝑹𝟏 + 𝟐𝑹𝟐) ∗ 𝑪𝟐

Otros aspectos especificados en el datasheet señalan que:

Vcc = 5 – 16 V
Potencia de disipación máxima = 600 mV
R1 ≥ 1KΩ
R1+R2 ≤ 6.6 MΩ
C2 ≥ 500Pf
Procedimiento:

1. Describa en un párrafo y apoyándose en gráficas en qué consiste la modulación

PWM.

La modulación por ancho o de pulso (en inglés pulse-width modulation PWM) es un tipo de

señal de voltaje utilizada para enviar información o para modificar la cantidad de energía que

se envía a una carga, esta acción tiene en cuenta la modificación del proceso de trabajo de

una señal de tipo periódico, puede tener varios objetivos, como tener el control de la energía

que se proporciona a una carga o llevar a cabo la transmisión de datos.

La modulación por ancho de pulsos es una técnica utilizada para regular la velocidad

de giro de los motores eléctricos de inducción o asíncronos.

Mantiene el par motor constante y no supone un desaprovechamiento de la energía

eléctrica. Se utiliza tanto en corriente continua como en alterna, como su nombre lo

indica, al controlar: un momento alto (encendido o alimentado) y un momento bajo

(apagado o desconectado), controlado normalmente por relés (baja frecuencia) o

MOSFET o tiristores (alta frecuencia).

2. Varíe el valor de potenciómetro RV2, a fin que observe en la salida (pin 3) del 555,

el ciclo de trabajo de la señal de control PWM. Identifique el Duty cicle Máximo y

mínimo del sistema de control del circuito dado, y verifique estos valores con los

ecuaciones dadas por el fabricante.

Simulación en físico del laboratorio

Link: https://youtu.be/Up6jGUh4IyI

3. Haga los cálculos correspondientes y de ser necesario modifique el circuito dado

inicialmente, de forma que, logre un control entre el 20% y el 80% del Ducty cicle.

Especifique cuáles serían los valores seleccionados para R1, R2, C2, de forma que

se cumpla lo solicitado, y este efecto se vea en el control de la velocidad del motor.

𝑡𝑂𝑁 = ln(2) ∗ (𝑅1 + 𝑅2) ∗ 𝐶2

𝑡𝑂𝑁 = ln(2) ∗ (1000 + 100000) ∗ 1.0 × 10−6

𝒕𝑶𝑵 = 𝟎. 𝟎𝟕𝟎𝟎

𝑡𝑂𝐹𝐹 = ln(2) ∗ (𝑅2) ∗ 𝐶2

𝑡𝑂𝐹𝐹 = ln(2) ∗ (100000) ∗ 1.0 × 10−6

𝒕𝑶𝑭𝑭 = 𝟎. 𝟎𝟔𝟗𝟑
𝑇 = (𝑡𝑂𝑁 + 𝑡𝑂𝐹𝐹 ) = ln(2) ∗ (𝑅1 + 2𝑅2) ∗ 𝐶2

𝑇 = (0.0700 + 0.0693) = ln(2) ∗ (1000 + 2.100000) ∗ 1.0 × 10−6

𝑻 = (𝟎. 𝟏𝟑𝟗𝟑) = 𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟔𝟗𝟒

1⁄
1 ln(2)
𝑓= =
𝑇 (𝑅1 + 2𝑅2) ∗ 𝐶2

1⁄
1 ln(2)
𝑓= =
7.178 (1000 + 2.100000) ∗ 1.0 × 10−6

𝟏
𝒇= = 𝟏𝟒𝟑𝟗. 𝟔𝟕
𝟕. 𝟏𝟕𝟖
4. Revise los fundamentos teóricos de la configuración puente H, para realizar el

control de giro de un motor. Implemente el puente H con cuatro Mosfet, como

complemento al control de velocidad PWM dado, de forma que obtenga un circuito

de control de velocidad y sentido de giro de un motor monofásico.

 CONCLUSIÓN

Con el desarrollo de este componente práctico de electrónica de potencia se comprendió el

funcionamiento de los principales dispositivos semiconductores de potencia, a través del

estudio de sus principios de operación y montajes reales el componente practico in situ.

Se desarrollaron cada una de las actividades propuestos dentro del componente realizando

los circuitos propuestos y resolviendo cada uno de los interrogantes planteados.

Conclusión Práctica 1:

En este laboratorio tuvimos la oportunidad de trabajar con el SCR, ya que es un dispositivo

semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn.

La conducción entra ánodo y cátodo está controlada por el terminal de puerta. Es un

elemento unidireccional, conmutador casi ideal, amplificador y rectificador a la vez

funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la

corriente en un solo sentido, lo que nos permitió trabajar de manera exitosa el laboratorio.

Conclusión Practica 2:

Al momento de realizar la practica 2, tuvimos la oportunidad trabajar con el MOSFET

IRFZ44N, donde logramos profundizar más su funcionamiento. Considerando de manera

general, un transistor MOSFET tiene dos tipo, el canal N y el canal P. Tomando en cuenta

que partimos de que ya estamos en la estructura de un MOSFET de enriquecimiento de su

funcionalidad.
Conclusión Practica 3:

En este último laboratorio tuvimos la oportunidad de trabajar con el PWM que es

un control que regula la velocidad de giro en los motores DC, el sentido de rotación y el

frenado del motor. Para el control de velocidad de un motor DC utiliza una señal cuadrada

la cual permite determinar a qué velocidad debe girar el motor en un tiempo de señal alta,

y asimismo terminar de manera exitosa nuestro laboratorio de electrónica de potencia.

 Bibliografía

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