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Manual de Prácticas: Laboratorio de Fotónica

Este manual describe los procedimientos para caracterizar estáticamente un LED infrarrojo y un fotodiodo PIN. Se explican los componentes necesarios, incluyendo un LED TSUS540 y un fotodiodo BPW34. También se detallan cuestiones teóricas sobre las características de estos dispositivos y sus curvas típicas de corriente-tensión y potencia-corriente. Finalmente, se describen los procedimientos de medición, que incluyen variar la tensión de alimentación del LED y medir la corriente y pot

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Manual de Prácticas: Laboratorio de Fotónica

Este manual describe los procedimientos para caracterizar estáticamente un LED infrarrojo y un fotodiodo PIN. Se explican los componentes necesarios, incluyendo un LED TSUS540 y un fotodiodo BPW34. También se detallan cuestiones teóricas sobre las características de estos dispositivos y sus curvas típicas de corriente-tensión y potencia-corriente. Finalmente, se describen los procedimientos de medición, que incluyen variar la tensión de alimentación del LED y medir la corriente y pot

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LABORATORIO DE FOTÓNICA

Grado en Ingeniería de Tecnologías de


Telecomunicación (GITT)
3er Curso, 2º Cuatrimestre

MANUAL DE PRÁCTICAS

Caracterización estática de Fotodiodo


PIN y LED
Curso 22/23

Integrantes:
OTMANE BRIACH 100429780
DAVID PEREZ ESTEBAN 100429818
ESCUELA POLITÉCNICA SUPERIOR
DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA
1. INTRODUCCIÓN
En esta primera práctica se pretende que el alumno se familiarice y estudie uno de los
dispositivos emisor de luz más empleados en la actualidad en la industria, el LED.

A continuación, se va a trabajar con uno de los foto-detectores más comunes empleados


en montajes opto-electrónicos, especialmente en sistemas de comunicaciones ópticas, como es el
fotodiodo PIN (apartado 3.2).

Se le recomienda al alumno que, para la fiabilidad de las mediciones, coloque tanto el led
de infrarrojos y el PIN fotodiodo dentro de un tubo de plástico de color negro (puede ser empleada
también una funda termoretráctil), con el fin de no permitir la incidencia de la luz externa para no
alterar las medidas que han de realizar. De emplearse un tubo tener en cuenta que su longitud debe
ser como mínima 2cm y como máxima 4cm, y su diámetro deberá ser ligeramente superior que el
diámetro del mayor de los dos componentes, por tal razón el estudiante deberá ir a la hoja de
características provistas y cargadas en el aula global para conocer esta información.

Es deber del estudiante traer este tubo de plástico o encontrar una manera que las
mediciones no sean afectadas por la luz externa del ambiente del laboratorio.

COMPONENTES NECESARIOS

Para la realización de la práctica se necesitan los siguientes componentes:

Material a adquirir por los alumnos:

▪ Resistencias: 150Ω, 270Ω, 10kΩ

▪ Transistores: 2N2222.

▪ Cable rígido unipolar unifilar de 0.5 mm o 0.6 mm de diámetro, para realizar las
conexiones en la placa de inserción. (Es recomendable tener cable de diferentes
longitudes con los extremos pelados y con diferente código de colores. Al menos se
deben prever cuatro cables más largos, más de 30 cm, para realizar las conexiones de la
fuente de alimentación).

▪ Placa de inserción (Protoboard) para el montaje del circuito.

RECOMENDACIÓN: Resistencias, condensadores, transistores o cable se recomienda


comprar unidades adicionales a los mínimos requeridos en la práctica para poder
reemplazar en caso de fallo, malfuncionamiento o destrucción de los mismos.

Material suministrado por los profesores de laboratorio:

▪ LED (TSUS540) y fotodiodo (BPW34).

2
2. CUESTIONES TEÓRICAS PREVIAS

Las siguientes cuestiones teóricas deben ser COMPLETADAS Y MOSTRADAS CON


ANTELACIÓN al comienzo de la sesión de prácticas.

1) Consulte en las hojas de características del TSUS540 la caída de tensión esperada en el LED y
del 2N2222 para ver la tensión base-emisor del transistor BJT. A partir de este valor, y teniendo en
cuenta una alimentación de VB = 5V, determine teóricamente la resistencia de polarización RLED
que habrá que conectar para que circule una corriente de 25mA a través del LED.

3
2) Utilice la gráfica de respuesta electro-óptica del LED (Figura 2) para estimar teóricamente la
potencia óptica que emite cuando se encuentra operando en las condiciones de la pregunta anterior.

Para una Ie=25mA, tenemos una potencia óptica de 4.1mW

3) Determine la responsividad del fotodiodo PIN (BPW34) en A/W a 950 nm a partir de los datos
de las hojas de características (tenga en cuenta que el área sensible del fotodiodo es de 7,5 mm 2).

La sensibilidad de estos materiales se puede expresar con un parámetro llamado "responsividad", la


cual expresa la cantidad de corriente eléctrica generada con respecto a la potencia de la luz que incide
sobre el material (Io=R.Po). A continuación, consultamos el datasheet

Si Ira = m · EE, Si sacamos la pendiente ya tendríamos la relación que podemos usar para
sacar R.

NO OLVIDE PONER LAS UNIDADES EN CADA UNA LAS CUESTIONES


4
5
3. CARACTERIZACION ESTÁTICA

3.1. Caracterización estática del LED

Un LED (Light Emitting Diode, diodo emisor de luz), Figura 1, es un tipo especial de
diodo que se caracteriza por el hecho de que, cuando se polariza en directa, emite una radiación
electromagnética. La cantidad de potencia emitida depende de la corriente que circula por el LED,
siendo la curva Potencia óptica emitida (mW) – Corriente eléctrica (mA) en directa, la
característica de transferencia de este tipo de dispositivos (característica electro-óptica, Figura 2).
El rango de emisión de un LED depende el material con que se fabrica. Existen LEDs que emiten
en el rango visible (típicamente emiten luz roja o verde) y otros en el infrarrojo, rango de emisión
que el ojo humano no puede ver pero que se utiliza en muchos sistemas de transmisión inalámbrica
(mandos a distancia…etc.) o por fibra óptica. En esta práctica, se va a utilizar un LED de
infrarrojos (IRED) tipo TSUS540 donde el pico de emisión está en la zona del infrarrojo, centrado
en torno a 𝜆𝑜 = 950 nm).

Figura 1. LED, símbolo y terminales Figura 2. Curva de respuesta electro-


óptica LED TSUS540

En esta parte de la práctica se va a caracterizar estáticamente un LED infrarrojo mediante


sus curvas características P-I (Potencia óptica vs. Corriente), para ello se utilizará el circuito de la
Figura 4 variando la corriente por el LED a través de la fuente de tensión variable V B que entra
por la puerta del transistor bipolar BJT tipo 2N2222 cuya tensión base-emisor viene detallada en
las hojas de características proporcionada por el fabricante. En la Figura 3 se pueden observar los
terminales de conexión de este transistor.

Figura 3. Transistor Bipolar (BJT). símbolo y terminales

6
Figura 5. Placa con LED y fotodiodo PIN
enfrentados y terminales para conexión
Figura 4. Circuito de polarización del LED

La corriente que circula por el LED puede ser hallada empleado los siguientes métodos:

1. Medir con el polímetro la caída de tensión en la resistencia RLED y mediante la Ley


de Ohm determinar el valor de la corriente que circula por el LED.

2. Abrir el circuito y conectar el polímetro en serie con la resistencia R1 (ver Figura


5) para tener una medida directa de la corriente. Recordar que para las mediciones
de corriente con el polímetro se debe verificar que su terminal de medición rojo está
puesto correctamente en el conector de corriente.

Figura 5. Ejemplo de Montaje de circuito abierto para mediciones de corriente.

Nota: Antes de comenzar con los montajes se le pedirá que utilice el polímetro y anote el valor real
de cada resistencia a emplear:

RLED (real) =
7
1) Rellene la Tabla 1 variando la tensión de alimentación de 2 a 10 V, en pasos de 2V. Tenga
cuidado de no superar la corriente máxima que puede circular por el LED dada por el fabricante
(se aconseja limitar la fuente de alimentación). Para calcular la potencia óptica emitida por el LED
en función de la corriente utilice los datos proporcionados por el fabricante y los conocimientos
adquiridos en teoría.

ILED (mA) ILED (mA)


VB (V) VRLED (V) PLED (mW)
Teórica Experimental
2
4
6
8
10

Tabla 1

3.2 Caracterización estática del fotodiodo PIN

El fotodiodo PIN que se va a estudiar es el BPW34, cuyas hojas de características se incluyen


en el anexo de componentes del presente guion de prácticas. La caracterización se hará teniendo en
cuenta el modo de operación básico de un fotodiodo: el foto-conductivo. Las siguientes figuras muestran
el encapsulado del fodiododo BPW34 seleccionado para esta práctica. La curva característica I-V donde
se pueden apreciar sus regiones de funcionamiento y dos gráficas extraídas del datasheet a través de las
cuales podemos calcular la potencia óptica que está recibiendo en función de la fotocorriente que está
generando.

Figura 6. Fotodiodo, símbolo y terminales Figura 7. Curva característica I-V de un fotodiodo

8
Figura 6. Curvas características de un fotodiodo tipo BPW34. (a) Reverse Light Current vs. Irradiance. (b)
Reverse Light Current vs. Reverse Voltage

Cuando se polariza un fotodiodo con una tensión inversa constante éste proporciona una
corriente proporcional a la luz que incide sobre el mismo. Para caracterizarlo estáticamente realice el
montaje de la Figura 7. Para poder obtener unas medidas “limpias” se recomienda mantener tanto el LED
como el fotodiodo cubiertos como fue mencionado en la introducción, de forma tal que permanezcan
aislados de la luz externa durante el proceso de toma de datos. En este apartado se utilizarán dos fuentes
de voltaje, una para la polarización del LED de infrarrojos a través del transistor BJT y otra para el
fotodiodo.

Figura 7. Circuito para medición de respuesta del fotodiodo PIN con alimentación fija del LED

El fotodiodo PIN bajo estudio se encuentra iluminado mediante el LED de infrarrojos (o IRED)
del apartado anterior, manteniendo fija la tensión de base del transistor VB a un valor fijo de 5V.

9
2) Rellene la Tabla 2 variando la tensión de polarización inversa del fotodiodo, VFD, en pasos de
2.5V, midiendo con el polímetro la fotocorriente en circuito abierto a partir la resistencia RFD, y anotando
los valores obtenidos.

Tenga cuidado de no superar la tensión inversa máxima del BPW34, que es de 30V.

VFD (V) IPD (µA)

2.5

7.5

10

12
Tabla 2

3) Con los valores obtenidos en la Tabla 2 determine y analice los cambios en el incremento que
sufre la corriente por el fotodiodo a medida que aumenta la tensión inversa aplicada al fotodiodo.

ΔVFD (V) ΔIPD (µA)

0 – 2.5

2.5 – 5

5 – 7.5

7.5 – 10

10 – 12
Tabla 3

Justificación:

10
Para la siguiente prueba utilizaremos el esquema mostrado en la Figura 8, ahora manteniendo la
tensión de polarización inversa del fotodiodo fija, VFD = 5V, varíe la tensión de que entra en la base del
transistor al igual que en la Tabla 1, manteniendo el mismo valor de las resistencias RLED y RFD utilizados
en el apartado anterior.

Figura 8. Circuito para medición de respuesta del fotodiodo PIN con alimentación fija del LED

4) Rellene la Tabla y compruebe como la fotocorriente suministrada por el fotodiodo varía


linealmente con la potencia recibida por éste. Calcule las pérdidas de potencia entre el emisor y el
detector (definidas mediante el cociente entre la potencia recibida y a la potencia emitida).

VB (V) IPD (µA) ILED (mA) PRECIBIDA PEMITIDA Pérdidas


(mW) (mW) (%)
1.5

4.5

6
Tabla 4

5) Una vez rellenada la Tabla 4 dibuje como quedaría definida la recta de carga del fotodiodo
sobre su curva característica en la Figura 7.

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