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Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año MMXXII, agosto 11 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701

Práctica 1 - Dispositivos en conmutación.

Laboratorio de Electrónica de Potencia.

Practice 1- switching devices.

Power Electronics Laboratory.

Autor 1: Mateo Rubio Acevedo.

Autor 2: Marily Hincapie Aguirre.
Autor 3: Jhonatan Gamboa.
Facultad de Ingenierías, Universidad Tecnológica de Pereira, Pereira-Risaralda, Colombia.
Correo-e: [email protected] , [email protected], [email protected]

Resumen— En el presente documento se muestra Prácticamente, la Electrónica de Potencia se puede definir

detalladamente los propósitos generales que tienen los de varias maneras: se ocupa de los dispositivos de estado
dispositivos de conmutación. En esta primera práctica virtual sólido y circuitos para procesar señales y así cumplir con
se enfoca en dar una teoría básica y concreta en el
los objetivos de control deseados, el arte de convertir
comportamiento y característica de: los diodos, sus tiempos
de conmutación, transistores, especificaciones de los circuitos
energía eléctrica de una forma a otra; de manera eficiente,
propuestos, etc. Por último se hace un análisis de las limpia, compacta y robusta a fin de utilizarla para
simulaciones propuestas en este trabajo mediante las señales satisfacer las necesidades deseadas.
que se muestra en el osciloscopio cuando se modifica el valor
de la frecuencia. La electrónica de potencia tiene un importante lugar en la
tecnología moderna y ahora se utiliza en gran variedad de
Palabras clave— Conmutación, diodo, transistor, tiempo de productos de alta potencia, como controles de
retardo, tiempo de subida, tiempo de almacenamiento, calentamiento, controles de iluminación, controles de
tiempo de caída, puntos calientes y RED SNUBBER. motores, artículos de potencia, sistemas de corriente
directa y alto voltaje (HVDC).
Abstract— This document shows the general purposes of
switching devices in detail. In this first virtual practice, he
II. OBJETIVOS.
focuses on giving a basic and concrete theory on the behavior
and characteristics of: diodes, their switching times,
transistors, specifications of the proposed circuits, etc. ● Análisis de las características y comportamiento de
Finally, an analysis of the simulations proposed in this work los dispositivos semiconductores en modo de
is made by means of the signals shown on the oscilloscope conmutación.
when the frequency value is modified.
● Que el estudiante tenga un pensamiento analítico
Key Word— Switching, Diode, Transistor, Delay Time, Rise acerca de los cambio de valores de un circuito como:
Time, Store Time, Fall Time, Hot Spots, and RED Frecuencia, parámetros de tiempo de conmutación.
SNUBBER.
● Utilizar diferentes métodos de aprendizaje como el
I. INTRODUCCIÓN uso programas para el diseño de circuitos de manera
teórica (sin el uso práctico) e interpersonal de forma
La electrónica de potencia combina potencia, electrónica y virtual.
control. Esta rama comenzó con la introducción del
rectificador de arco de mercurio en el año 1900 y la III. CONTENIDO
primera revolución se inició en 1948 con la invención del
transistor de silicio por Bardeen, Brattain y Schockley en
1. DESARROLLO DE LA
Bell Telephone Laboratories y gracias a ello se obtuvo el
desarrollo de la microelectrónica moderna a partir de los PRÁCTICA.
semiconductores de silicio. 2. ANALISIS DE DATOS
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3. CONCLUSIONES. 4. Implemente el circuito de la figura Nº3.

Dibuje las formas de onda para la tensión y
4. REFERENCIAS. la corriente en la carga y para Vce en cada
caso.
VI. WEBGRAFÍA.

3.1 DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

1. Implemente el circuito de la figura Nº2.

Figura 3.
Circuito de conmutación con Transistor.

Aplique como señal de entrada Vi una onda

cuadrada, al circuito de la figura Nº3. Utilice un
Transistor de propósito general T=TIP31, Rc= 47 , 5
Figura 2. vatios, Rb= 250 . para:
Circuito de conmutación con Diodo.
a. Vi=5 V Frecuencia= 1000 Hz.
2. Aplique como señal de entrada Vi una onda b. Vi=5 V Frecuencia= 10000 Hz.
cuadrada, al circuito de la figura Nº2. Utilice c. Vi=5 V Frecuencia= 20000 Hz.
un Diodo de propósito general D= 1N4004, d. Vi=5 V Frecuencia= 50000 Hz.
R= 250 Ω. Para
Obtenga: Para la tensión en la resistencia Rc, en cada
a. Vi=5 V Frecuencia= 1000 Hz. caso:
b. Vi=5 V Frecuencia= 10000 Hz.
c. Vi=5 V Frecuencia= 20000 Hz. - Tiempo de retardo (Rise time, td).
d. Vi=5 V Frecuencia= 50000 Hz.
- Tiempo de subida (tr).
Mida: Para la tensión en la carga Vo en cada
caso: - Tiempo de caída (Fall time, tf).

- Tiempo de subida (Rise time, tr). 5. Repita el punto 4, utilizando el mismo

transistor de propósito general, pero usando
- Tiempo de recuperación inversa (trr). la red Snubber de la figura 4b. Use los
valores calculados para Rs y Cs. Qué
- Tiempo de caída (Fall time, tf). especificaciones debe tener el diodo. Mida
los mismos parámetros del caso anterior y
3. Implemente el circuito de la figura Nº2, y compare los resultados obtenidos en ambos
usando un diodo rápido repita todo el casos. Concluya al respecto.
procedimiento del numeral 2.

Observe y compare los resultados obtenidos

en cada caso y saque conclusiones.
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3.3 DESARROLLO DE LA PRÁCTICA CON
SIMULACIONES.

1. Se diseñó el siguiente circuito que se muestra en

la figura 5, conformado por un diodo 1N4004 y
una resistencia de 250 Ohms. En este diseño
ilustrado se aplicó una señal cuadrada con una
entrada Vi de 5 V con ayuda de un generador de
señales a diferentes frecuencias.

Figura 4.
Circuitos de Protección de los Transistores.

6. Implemente de nuevo el circuito de la figura

3 pero usando un transistor de conmutación.
Aplique como señal de entrada Vi una onda Figura 5.
cuadrada y R=47 , 5 vatios, L= Inductancia circuito de conmutación en el diodo en PROTEUS.
disponible en el laboratorio con núcleo de
hierro y que soporte 1 Amp. D= 1N4004. 2. Con base en el punto uno del procedimiento, se
Para: utilizó un osciloscopio para dar la señal de salida
de Vo con un Vi= 5 V y a diferentes frecuencias
a. Vi=5 V Frecuencia= 1000 Hz. de:
b. Vi=5 V Frecuencia= 10000 Hz.
c. Vi=5 V Frecuencia= 20000 Hz. Frecuencia 1= 1000 Hz
Frecuencia 2= 10000 Hz
d. Vi=5 V Frecuencia= 50000 Hz.
Frecuencia 3= 20000 Hz
Frecuencia 4= 50000 Hz
Dibuje las formas de onda para la tensión y la
corriente en la carga y para Vce en cada caso. Se midió la tensión en la carga Vo para cada caso de señal
para hallar: Tiempo de subida, Tiempo de recuperación
Determine: inversa y tiempo de caída, Las siguientes señales anexadas
son para una frecuencia de 1000 Hz, los valores se
-Tiempo de retardo (Rise time, td). muestran en la tabla 1.

-Tiempo de subida (tr).

-Tiempo de caída (Fall time, tf).

7. Repita el punto 6, utilizando el mismo transistor

de conmutación, pero utilizando la red Snubber
de la figura 4c. Use los valores calculados para Figura 6.
Rs y Cs. Qué especificaciones debe tener el Generador de señales aplicando una señal cuadrada a 1000
diodo. Hz.

Para las señales de salida dadas de Vo se tuvieron que

Mida los mismos parámetros del numeral 6 y ampliar para mostrar un mejor comportamiento de los
compare los resultados obtenidos en ambos tipos de tiempo:
casos. Concluya al respecto.
- Tiempo de subida de la tensión de la carga Vo a una
Nota:Para todos los circuitos implementados frecuencia de 1000 Hz.
Vcc=12 Voltios.
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20 350 ns 24,92 us 0,4 us

50 150 ns 10 us 0,2 us
Tabla 1.
Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias.

3. Se diseñó el siguiente circuito que se muestra en

la figura 7, conformado por un diodo 1N4148 y
una resistencia de 250 Ohms. En este diseño
ilustrado se aplicó una señal cuadrada con una
Gráfica 1. entrada Vi de 5 V con ayuda de un generador de
Tiempo de subida con un valor de 4,31 us. señales a diferentes frecuencias, se utilizó un
osciloscopio para dar la señal de salida de Vo con
-Tiempo de recuperación inversa de la tensión de la carga un Vi= 5 V y a diferentes frecuencias de:
Vo a una frecuencia de 1000 Hz.
Frecuencia 1= 1000 Hz
Frecuencia 2= 10000 Hz
Frecuencia 3= 20000 Hz
Frecuencia 4= 50000 Hz

Se midió la tensión en la carga Vo para cada caso de señal

para hallar: Tiempo de subida, Tiempo de recuperación
inversa y tiempo de caída, Las siguientes señales anexadas
son para una frecuencia de 1000 Hz, los valores se
muestran en la tabla 2.

Gráfica 2.
Tiempo de recuperación inversa con un valor de 502,5 us.

-Tiempo de caída de la tensión de la carga Vo a una

frecuencia de 1000 Hz.

Figura 7.
Circuito de conmutación con diodo 1N4148 y una
resistencia de 250 Ohms en PROTEUS.

Para las señales de salida dadas de Vo se tuvieron que

ampliar para mostrar un mejor comportamiento de los
tipos de tiempo:

- Tiempo de subida de la tensión de la carga Vo a una

frecuencia de 1000 Hz.

Gráfica 3.
Tiempo de caída con un valor de 5,88 us.

KHz tr trr tf

1 4,31 us 502,5 us 5,88 us

10 575 ns 49,75 us 0,57 us

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cual se aplicó un voltaje Vi de 5 V a diferentes
frecuencias.

Éste circuito está conformado por dos resistencia Rc de 47

Ohms y una Rb de 250 Ohms, un transistor de propósito
general TIP31 y un generador de señales.

Gráfica 4.
Tiempo de subida con un valor de 3,7 us.

-Tiempo de recuperación inversa de la tensión de la carga

Vo a una frecuencia de 1000 Hz.
Figura 8.
Circuito de conmutación con Transistor.

Luego, se midió la tensión y la señal de la resistencia Rc

para cada caso, los resultados se colocaron en la tabla 3
para frecuencias de 1 KHz, 10 KHz, 20 KHz y 50 kHz
para hallar los diferentes valores del tiempo de retardo,
subida y caída.

Las siguientes gráficas se trabajaron con un valor de

frecuencia de 1000 Hz.
Gráfica 5.
Tiempo de subida con un valor de 502,75 us.

- Tiempo de subida de la tensión de Rc a una

frecuencia de 1000 Hz.

KHz tr trr tf

1 3,7 us 502,75 us 4,9 us

10 425 ns 51,25 us 0,42 us

20 200 ns 25,4 us 0,3 us

50 100 ns 10 us 0,1 us
Tabla 2. Gráfica 6.
Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias. Tiempo de subida con un valor de 1,83 us.

En las gráficas dadas en las simulaciones, nos damos - Tiempo de caída de la tensión de Rc a una
cuenta de que cuando la frecuencia aumenta, el valor de tf frecuencia de 1000 Hz.
y trr va disminuyendo pero el tr da de forma relativa.

Entre más grande sea la frecuencia los valores de trr y tf

se van perdiendo (valores nulos).

4. Se diseñó un circuito de conmutación con transistor

en PROTEUS (como se muestra en la figura 8), en el
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Gráfica 7.
Tiempo de caída con un valor de 4,9 us a 1000 Hz. Figura 10.
Circuito de protección de los transistores, Red RC
KHz td tr tf polarizada en paralelo con el transistor (RED
1 250 ns 1,83 us 4,9 us SNUBBER).
10 75 ns 650 ns 525 ns - Cálculo del tiempo de subida de la figura 10
20 50 ns 675 ns 350 ns de la red RC polarizada en paralelo con el
50 25 ns 725 ns 275 ns transistor.
Tabla 3.
Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias.

5. Se repitió el punto 4, utilizando el transistor de

propósito general pero usando la Red Snubber de
la figura 4b pero de forma simulada. Se usaron
los valores calculados de forma teórica con Rs=
10 Ohms y Cs= 20 uF.

Gráfica 9.
Tiempo de subida con un valor de 345 us a 1000 Hz.

Los datos trabajados con la RED SNUBBER son los que

se muestran en la tabla 4 y en la tabla 5 fueron son los
resultados de los tipos de tiempo dados a diferentes
frecuencias a nuestro programa.
Figura 9.
Circuito de conmutación con transistor. DATOS RED SNUBBER
R 250 Ohm
Vcc 12 V
Ics 0,048 A
L 100 mH
Cs 20 uF
Tabla 4.
Datos obtenidos del circuito de la figura 10.

KHz td tr tf
1 40 us 345 us 12,5 us
10 5 us 35 us 10,5 us
Gráfica 8.
20 2,17 us 21,51 us 1,33 us
Tiempo de caída con un valor de 12,5 us.
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Laboratorio de Electrónica de Potencia. Año MMXXII, agosto 11 de 2020. Universidad Tecnológica de Pereira. ISSN 0122-1701
50 1,28 us 6,94 us 1,69 us [4]https://toshiba.semicon-storage.com/us/semiconductor/knowledge/
faq/diode/what-is-a-switching-diode.html#:~:text=A%20switching
Tabla 5. %20diode%20is%20suitable,less%20than%20tens%20of%20volts. ,
Valores de cada tipo de tiempo a diferentes frecuencias. Toshiba Electronic Devices and storage corporation, “What is a
switching diode?” [En línea],consultado el 26/08/2020.
F (KHz) Ohm
[5]https://pdfs.semanticscholar.org/5e43/
1 10
e16e1883ec8accee6c9a94dfaa486f94efef.pdf , “Transistor switching with
10 1 a reactive load” , consultado el 27/08/2020
20 0,5
[6]https://upcommons.upc.edu/bitstream/handle/2099/8911/Article02.pdf
50 0,2 , “Diseño de redes snubbers, mediante técnicas de optimización, para la
Tabla 6. protección de tiristores contra sobretensiones”. Consultado el 28/08/2020
Valores de Rs al cambio de la frecuencia.
[7]https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html#:~:text=Tiempo
6. Éste punto dio lo mismo que el 4. %20de%20retardo%20, transistores de potencia. Consultado el 3/08/2020

7. El último punto dio igual al punto 5. [8]https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/65/

Triacsnubber.png, imagen del RED SNUBBER en los TRIAC.
Consultado el 5/08/2020

IV. CONCLUSIONES.

● El diferente uso y aplicación para cada diodo y el

modelamiento en el que se lo puede emplear
sabiendo sus características y se concretó el
conocimientos de los tiempos de conmutación
para el uso de estos.
● Se encontró una gran diferencia entre el diodo
rapido y el de propósito general en los tiempos de
subida y en el de bajada siendo el diodo rapido el
de menor tiempo.
● Se conocieron las aplicaciones de la red snubber
implementada a los circuitos como un filtro
amortiguador que elimina los picos muy altos de
tensión.
● A medida que se aumenta la frecuencia los tipos
de tiempo de conmutación se hacen más
pequeños, hasta llegar a un valor nulo.

V. REFERENCIAS.

[1] H. Rashid. Ed 4, Electrónica de Potencia, Pearson, 2015. Introducción

a la Electrónica de Potencia, pág. 2-5.

V.I WEBGRAFÍA
[1]https://es.rs-online.com/web/c/semiconductores/semiconductores-
discretos/diodo-de-conmutacion/, diodos de conmutación, consultado el
26/08/2020
[2]https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html#:~:text=Tiempo
%20de%20retardo%20(Delay%20Time,10%25%20de%20su%20valor
%20final, circuitos de protección de los transistores. Consultado el
26/08/2020

[3]https://1.bp.blogspot.com/-PC0dxtWPLqI/VHXswetbnhI/
AAAAAAAAHcg/t6nXGxAwbiE/s1600/diodo_tiempo%2Bde
%2Brecuperaci%C3%B3n%2Binverso.PNG, imagen de los tipos de
tiempo de conmutación. Consultado el 26/08/2020