INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

CENTRO DE ESTUDIOS CIENTÍFICOS Y TECNOLÓGICOS 18

“ZACATECAS”

ELECTRÓNICA DIGITAL

COMPETENCIA PARTICULAR 1:
Utiliza las memorias RAM para su implementación como dispositivos de almacenamiento temporal
de la información, en proyectos de sistemas digitales.

RESULTADO DE APRENDIZAJE No. 1:

Identifica las características de las memorias RAM, para su aplicación como dispositivos de
almacenamiento temporal de información binaria.

PRACTICA 3:
Almacenamiento en memoria RAM

Ciclo Escolar: Agosto – Enero

OBJETIVOS
 Realizar en el simulador la escritura y lectura de una memoria RAM.
 Implementar en PROTOBOARD la escritura y lectura de una memoria RAM.

INTRODUCCIÓN
Los conocimientos sobre los conceptos básicos relacionados con los dispositivos de
almacenamiento de información (memorias), se realizará la lectura y escritura de una memoria
RAM 6116 de manera física. Para este propósito primeramente se realizará una simulación con el
objetivo de conocer cuál debe ser el resultado que se espera al término de la práctica.
Para la parte física de la práctica se retoman los conceptos de resistencia de pull up y pull
down analizados en unidades de aprendizaje previamente cursadas con la finalidad de garantizar
las entradas lógicas en las líneas de control y de direcciones.
Finalmente, y de manera similar al funcionamiento de la memoria RAM en la parte de la
simulación, se verifica el desempeño del circuito implementado.

MARCO TEÓRICO
RESISTENCIA DE PULL DOWN.
Una forma de mantener la entrada siempre a un voltaje conocido es usar una resistencia
pull-up o pull down.
En la imagen se presenta el esquema de un arreglo para
resistencia de pull down, en esta configuración, cuando el circuito está
en reposo, la caída de tensión en la resistencia es prácticamente 0V
(LOW), en cambio si pulsamos P1, dejará pasar la corriente y
tendremos una diferencia de potencial de 5V (HIGH). Este es el uso
normal del estado LOW y HIGH.
Se emplea una resistencia de valor intermedio. Lo más
habitual es que sea de 1 o 10 KΩ. Cuando el interruptor P1 está
cerrado, la resistencia que ofrece la rama del circuito que va a los 5 V
es mucho menor que la que va hasta los 0V así que el voltaje en el
nodo donde confluyen las tres ramas del circuito es prácticamente 5V.
Lo bueno es que aquí, cuando el interruptor se abre, el pin de entrada
no queda aislado, sino que sigue conectado a tierra a través de la
resistencia. Cualquier carga que hubiera quedado atrapada en el
circuito se descarga rápidamente a través de la resistencia y la entrada
se pone a 0V.
RESISTENCIA DE PULL UP.
Una resistencia pull-up funciona de manera similar, pero se conecta a 5V como se muestra
en la siguiente figura.
En la configuración pull up, cuando el circuito está en reposo, P1 sin pulsar, la caída de
tensión es de 5V (HIGH), en cambio cuando pulsamos P1 se deriva toda la corriente a masa y la
caída de tensión es 0V (LOW).

1
 Normalmente las resistencias que se utilizan en estos casos
son de 10K. Como hemos comprobado, estas dos configuraciones nos
evitarán que en estado de reposo midamos un valor erróneo
eliminando la influencia de factores externos sobre nuestras
mediciones como el ruido eléctrico.
En este caso con interruptor P1 cerrado la rama de tierra
tiene mucha menos resistencia que la de 5V y el voltaje en el
nodo es de (prácticamente) 0V. Al abrirse el interruptor, la
resistencia mantiene la entrada conectada a los 5V y el voltaje
de entrada sube hasta ese valor.

DESARROLLO
Siga cada uno de los pasos que se mencionan a continuación a
fin de poder efectuar la escritura y la lectura de datos en una
memoria RAM:

Una vez iniciada la aplicación Proteus colocamos los siguientes

dispositivos:
MATERIAL CANTIDAD
Memoria RAM 6116 1
Logic Probe 14
Logic State 8
Tribuffer 8
Realizamos el siguiente diagrama iniciamos la simulación:

̅ ̅ con un cero y deshabilitamos

Para habilitar la escritura habilitamos 𝐶𝐸
̅𝑊̅
̅𝐸̅ y 𝑂̅𝐸̅ con un uno lógico (Bus de control).
Escogemos la dirección de la RAM a guardar el dato (bus de direcciones) mediante los logic
State.

2
A continuación del bus de datos seleccionamos la palabra a guardar con ayuda del tribuffer
al habilitar el control.
Usando el bus de control escribimos la palabra al dar un pulso en ̅𝑊̅𝐸̅ y nuevamente
regresamos al estado anterior.

Para leer apagamos el control del tribuffer y apagamos ̅𝑂̅𝐸̅ para dejar activo
𝑊̅ ̅
̅𝐸̅ y apreciar la palabra guardada.

Una vez entendido lo anterior realizamos la siguiente tabla:

No de Dirección
Dirección (Binaria) Dato
palabra (Decimal)
1 10 1110 0000
2 20 1111 0000
3 30 1111 1000
4 40 1111 1100
5 50 1111 1110
6 60 1111 1111
7 70 0000 1111
8 80 0000 0000
9 90 0000 0001
10 100 0000 0011
11 110 0000 0111
12 120 0000 1111
13 130 0001 1111
14 140 0011 1111
15 150 0111 1111
16 160 1111 1111
Llenar la tabla realizando la conversión de la dirección de decimal a binario.
Tomar captura de las diferentes palabras al momento de guardar y al momento de leer
dicha dirección.

Una vez concluida la simulación realizar la siguiente actividad.

El material a utilizar después de realizar la simulación:

MATERIAL CANTIDAD
Fuente de CD y puntas para fuente 1
Led 8
Protoboard 2
Dip Swith (4 interruptores) 1
Dip Swith (8 interruptores) 2
Dip Swith (10 interruptores) 1
Memoria RAM 6116 1
Resistencias de 𝟏 𝒌Ω. 22

3
 Resistencias de 𝟐𝟐𝟎 Ω. 8
Antes de realizar la practica en físico se realizará de forma virtual por eso se emplea el
software proteus:
1. Abra el simulador de circuitos PROTEUS e inicie un nuevo proyecto.
2. Añada a la simulación los siguientes componentes virtuales:
a. MEMORIA RAM 6116.
b. DIPSW_10.
c. DIPSW_8.
d. DIPSW_4.
e. LED-RED.
f. RESISTOR.
g. LOGICSTATE.
h. LOGICPROBE.
i. POWER.
j. GROUND.
3. Realice cuidadosamente las conexiones que se muestran en el circuito mostrado
en la figura 2.5. Las resistencias de pull up serán todas de 1 𝑘Ω y las resistencias
limitadoras para cada uno de los leds será de 220 Ω.

4. Una vez conectado todo el circuito de la figura anterior, proceda a grabar los datos
presentador en la siguiente tabla. Nótese que en este caso la dirección de memoria

4
 se encuentra en código decimal por lo que habrá que convertirse este número a
binario a fin de realizar el almacenamiento en la dirección correcta. Complete la
columna “Dirección binaria” antes de realizar el grabado de la memoria.
No de Dirección
Dirección (Binaria) Dato
palabra (Decimal)
1 10 1110 0000
2 20 1111 0000
3 30 1111 1000
4 40 1111 1100
5 50 1111 1110
6 60 1111 1111
7 70 0000 1111
8 80 0000 0000
9 90 0000 0001
10 100 0000 0011
11 110 0000 0111
12 120 0000 1111
13 130 0001 1111
14 140 0011 1111
15 150 0111 1111
16 160 1111 1111

5. Pasos para ESCRIBIR una palabra en la memoria RAM 6116:

a. Inicie la simulación.
b. Deshabilite
𝐶̅
̅𝐸̅,
𝑊̅ ̅
̅𝐸̅, 𝑂̅𝐸̅ (con un uno lógico) y deshabilite el tribuffer (con un cero lógico).
En este caso puede notarse que no existe en la simulación el
elemento “tribuffer”, este se ha reemplazado por un un Dip swith de 8
contactos, por cual se tendrá que habilitar o deshabilitar de cada uno de los
contactos según se requiera.
c. Elija la localidad de memoria deseada utilizando las señales lógicas en la
entrada de direcciones de la RAM 6116. Para ello utilice los dip switch
correspondientes.
d. Escriba una palabra de 8 bits en la entrada de datos de la RAM 6116
conectada a través del dip switch correspondiente.
e. Active ̅𝑊̅𝐸̅ con cero lógico, utilizando las señales lógicas conectadas a
las entradas de control de la memoria RAM 6116. Utilice los dip switch
correspondientes.
f. Habilite el tribuffer (dip switch de 8 contactos).
g. Habilite ̅𝐶̅𝐸̅ con cero lógico.
h. Deshabilite ̅𝐶̅𝐸̅ y
̅𝑊̅
5
 ̅𝐸̅.
i. Deshabilite el tribuffer, ̅𝐶̅𝐸̅ y
̅𝑊̅
̅𝐸̅.
6. Pasos para LEER una palabra en la memoria RAM 6116:

6
 a. Habilite ̅𝑂̅𝐸̅ y ̅𝐶̅𝐸̅ para verificar que haya sido guardada la palabra binaria.
Recuerde que para esto el tribuffer (dip switch de 8 contactos) debe estar
deshabilitado.
b. Para comprobar que la memoria ha sido grabada exitosamente, deberá
acceder a cada localidad de memoria descrita en la tabla anterior y verificar
su contenido.
Contesta correctamente las siguientes preguntas:

Referentes a la memoria RAM

1. ¿Qué es una memoria RAM?

2. ¿Qué capacidad tiene la memoria RAM 6116? Consulte la hoja de especificaciones.
3. ¿Cuántas líneas de direcciones tiene la memoria RAM 6116?
4. ¿Cuál es el tamaño de palabra de la memoria RAM 6116?
5. ¿Para qué sirve una resistencia de pull-up o de pull-down?
6. ¿El puerto de datos es bidireccional o unidireccional en la memoria RAM 6116 y por qué?
7. En esta memoria ¿para qué sirven las 𝐶̅
entradas ̅𝐸̅,
̅𝑊̅
̅𝐸̅, ̅𝑂̅𝐸̅?
8. ¿Cuántos y cuáles son los puertos que tiene la memoria RAM 6116?
9. ¿Las líneas de direccionamiento son unidireccionales o bidireccionales y por qué?
10. ¿Cuántas palabras será posible almacenar en la memoria RAM 6116?

Referente a la práctica

1. ¿Cuántas líneas de datos tiene la memoria RAM 6116?

2. ¿Cuántas líneas de control tiene la memoria RAM 6116
3. Si la memoria RAM cuenta con 11 líneas de direcciones, ¿cuántas direcciones posibles tiene?
4. ¿Es posible almacenar 16 palabras diferentes en una memoria que cuenta con solo tres
líneas de direcciones? Explique.
5. ¿A qué direcciones corresponden los siguientes números binarios asociados a las entradas
de direcciones de una memoria RAM 6116?:
a) 000 1111 0000
b) 111 0000 1111
c) 010 0011 0101
d) 111 1010 1010
6. ¿Qué combinaciones binarias harán que se pueda acceder a las siguientes direcciones
de memoria en una memoria RAM 6116?
a) 2000
b) 401
c) 258
d) 2043
7. Una memoria RAM pudiera decirse que es tiene las siguientes características: 2K X 8.
¿Lo anterior es cierto o falso y por qué?
8. Convierta a código hexadecimal cada uno de los números binarios descritos en los incisos de
la pregunta 5.
9. Convierta a código octal cada uno de los números descritos en los incisos de la pregunta 6.

7
LISTA DE COTEJO DE LA PRÁCTICA
INDICADOR REPORTE DE PRÁCTICA PORCENTAJE CUMPLE NO CUMPLE

Portada 5

Índice de contenido 5

Índice de imágenes 5

Introducción y objetivos 10

Imágenes 5

Numero de página 5

Contenido 25

Ortografía 20

Conclusiones individuales 10

Referencias reales en formato APA 10

TOTAL %

TOTAL DE LA PRÁCTICA

ENTREGA DEL REPORTE

 El archivo se entregará de manera electrónica en formato PDF
 El nombre del archivo será:
o ED-5IMX-0Y-ApellidosNombre
 X es el grupo, ejemplo 5IM3, 5IM6.
 Y el número de practica realizada.
 Ejemplo:
 ED-5IM1-08-JuarezGarciaBenito.PDF
 No se recibirán investigaciones después de la fecha señalada de entrega y/o que no
tengan el formato y/o clave antes mencionadas.
 Fecha de entrega será publicada en la plataforma de campus virtual.