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Amplificador multietapa guia Lab E.pdf

Electrónica Básica (Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia)

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Guia de Laboratorio
Electrónica III –
Laboratorio Lab. No. 1

AMPLIFICADOR MULTIETAPA
M. Garcés1,N. Forero1
1
Escuela de Ingeniería Electrónica, Facultad de Ingeniería, Universidad Pedagógica y Tecnológica de
Colombia
Tunja, Colombia.
[email protected]
[email protected]
Resumen—En siguiente informe, se describe que también facilitan y promueven la amplificación
una breve explicación del diseño y montaje de un de una señal dada [2].
circuito amplificador multietapa siguiendo los
parámetros requeridos por la guía de laboratorio. Como se dijo anteriormente, un transistor de
En total se trabajaron cuatro etapas, para esto se unión bipolar, BJT, como se detalla por su nombre,
hizo uso de dos tipos de transistores (BJT y JFET), denota su naturaleza dual o "bipolar" precisamente
se analizaron datos en cada transistor utilizado y se en que tiene dos puntos de material que transportan
continuó a disponer del valor de cada componente una cierta corriente, y también, estos son de tipo
del circuito, tener los cálculos previos de las semiconductor y se basan en un tipo p, positivo, y
corrientes y voltajes de polarización y un tipo n, negativo. En cuanto a los expuestos
posteriormente realizar la medición experimental de anteriormente, estos pueden ser detallados y
los parámetros de ganancia en voltaje total del caracterizados según el dopaje requerido. La
circuito y de cada etapa. También se observará el construcción de un transistor BJT se basa en un
papel que desempeña la frecuencia del generador bloque de tipo semiconductor que tiene tres partes
en un circuito como el de este caso. diferentes, estas están respectivamente dopadas,
recordando que es básicamente el exceso de cierta
impureza en una región o sección en particular, de
estas tres partes renombradas se pueden
Palabras clave –- Amplificación, etapas, ganancia,
diferenciar en un tipo PNP o tipo NPN [2].
transistor PNP, transistor NPN.

I. OBJETIVOS
● Desarrollar prácticamente el funcionamiento 1. Transistor tipo PNP
de un amplificador multietapa, valiéndose Bien detallado en su acrónimo, este transistor se
de las diferentes configuraciones encuentra con el dopaje en el sentido de
establecidas y aprendidas teóricamente. inicialmente positivo, negativo y positivo en el otro
● Detallar el paso a paso en el diseño e implementación extremo. Sobre los tres terminales precisos con los
de un amplificador multietapa. que está dispuesto en el transistor, y detallando lo
● Especificar prácticamente y relacionar los resultados mismo en su composición como un bloque
con la teoría. semiconductor, estas tres partes del semiconductor
se nombran respectivamente de la siguiente
II. INTRODUCTION manera: la parte extrema inicial se llama emisor, la
Para la correcta ejecución de la presente práctica base central y el terminal final es el colector [3].
de laboratorio, inicialmente es necesario definir y Volviendo a las características de un transistor PNP,
describir los elementos en cuestión utilizados para la en el mismo orden indica la polarización respecto al
guía de referencia, que son transistores, más voltaje para cada parte, como se detalla en la Figura
específicamente, del tipo BJT. Un transistor es un 1, la letra inicial, es decir, P, indica la polaridad para
determinado dispositivo o componente electrónico el emisor, y la letra N, que es el centro, especifica la
de tres terminales, lo cual es particularmente polaridad del voltaje para la base, otra característica
importante ya que, dependiendo de cada terminal de ellos, es que este tipo de transistor DED funciona
predeterminado, puede realizar diferentes funciones cuando no hay señal de corriente en la parte central
[1]. Este dispositivo se describe como un tipo del componente, es decir, la base. Este tipo de
semiconductor y, a su vez, está compuesto por dos dispositivo se puede utilizar como un amplificador o
uniones pn particulares, como un interruptor determinado [3].

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Fig 3. Representación gráfica del símbolo que denota un

Fig 1. Representación gráfica de la estructura de un

transistor de tipo PNP y un transistor de tipo NPN. Fuente [2].
transistor tipo PNP. Fuente [1].
De la misma manera, como se ha mencionado
con respecto a los términos precisos para nombrar
1. Transistor de tipo NPN las partes específicas de un transistor, y también
como se muestra en la Figura 3, los componentes de
Un transistor NPN se basa estructuralmente en
este dispositivo son un emisor, una base y un
capas cargadas respectivamente como negativa,
colector. Como su nombre lo indica, el emisor es
positiva y negativa, para este tipo de componente
responsable de emitir o transferir agujeros o
su activación se realiza mediante un sesgo de
electrones a las otras partes del semiconductor. La
corriente positivo, que se detalla precisamente
base es la parte intermedia de un determinado tipo
desde la parte central del dispositivo en cuestión, la
de transistor, ya sea PNP o NPN, es la parte que está
base, y de tal manera gestiona la cantidad de
menos dopada pero que se encarga de la
corriente que fluye a través del colector [3].
distribución y control de las llamadas portadoras
A diferencia del transistor de tipo PNP, este tipo entre el emisor y el colector [2].
particular de dispositivo se impulsa de tal manera
En cuanto a las diferentes características de los
que funciona cuando una corriente fluye a través de
transistores de unión bipolar, se pueden especificar
la base. Entre sus diversas aplicaciones está su
varios aspectos, como elementos como ganancias,
disposición a la intensificación de señales mixtas
impedancias y ángulos de fase. La Tabla I detalla
puestas a razón de la misma [3]. La Figura 2 detalla
con precisión estos componentes y sus respectivos
con precisión la estructura del transistor de tipo
valores para cada una de las diferentes
NPN.
configuraciones determinadas. En cuanto a las
diferentes configuraciones que se pueden evidenciar
en torno a la conexión de un transistor tipo BTJ, se
puede identificar una correspondiente a cada parte
del transistor: configuración de emisor común,
configuración de base común y, finalmente,
configuración de colector común [2].
TABLA I
PROPIEDADES DE LAS DIFERENTES CONFIGURACIONES
BASE EMISOR COLECTOR

CARACTERÍSTICAS COMÚN COMÚN COMÚN

Ganancia
Baja Muy Medi
Fig 2. Representación gráfica de la estructura de un de
transistor tipo NPN. Fuente [1]. alta a
potencia
La Figura 3 detalla la simbología utilizada para la
denotación de transistores de tipo PNP, que se Ganancia
puede ver en el lado izquierdo de la imagen, Baja Media Alta
mientras que en el lado derecho de la ilustración de
respectiva está el símbolo que designa un transistor corriente
de tipo NPN.
Ganancia
Alta Media Baja
de
voltaje

Desfase 0 180° 0

Impedancia
Descargado por jhon Velez ([email protected]) Muy Alta Baja
de salida alta
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presenta que cuando se detallan circuitos que

Note. Características del transistor basadas en una permiten y favorecen la determinación y
conexión específica. Fuente [2].

La figura 4 muestra con precisión la

configuración dispuesta para una conexión de
emisor común. Para la configuración actual, el
terminal común corresponde al emisor, y de la
misma manera, se detalla que la entrada es la base
y su salida precisa es el colector [1].
Fig 4. Representación grá昀椀ca de la con昀椀guración emisor común. Fuente [1].

La correspondiente Figura 5 muestra

estructuralmente la disposición de un circuito que
se basa en la configuración de una base común,
para los mismos aspectos específicos como su
terminal común expresado por su nombre, la base, y
del mismo modo, el colector es
correspondientemente su entrada y salida es el
emisor. [1].

Fig 5. Representación gráfica de la configuración base

común.
Fuente [1].

La Figura 6 detalla el diseño preciso para una

configuración de colector común, que tiene el
colector como su terminal común, y se caracteriza
esencialmente por proporcionar a la base los
parámetros necesarios para ser la entrada, y por lo
tanto su respectiva salida es el emisor [1].

Fig 6. Gráfico representativo de la configuración de

colector común. Fuente [1].

Con base en las características y otros

componentes detallados concernientes al layout,
estructura y operación de los transistores BJT, se
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configuración del funcionamiento o VALORES LÍMITES DE LOS TRANSISTORES EMPLEADOS.

comportamiento de un transistor preciso, estos
se conocen como redes de polarización, que a
través de diferentes diseños y composiciones
con ciertas resistencias y fuentes de
alimentación permiten. Como se mencionó
anteriormente, el control del funcionamiento del
dispositivo semiconductor y así mismo
aprovechar estas para su implementación en
amplificadores multietapa [1].
Una de las principales aplicaciones de los
transistores es la amplificación, esta consiste en
generar a la salida del dispositivo una señal
eléctrica idéntica a la entrada, pero de mayor
amplitud. Cuando se diseña un amplificador, no
es posible obtener las características deseadas
(ganancia de voltaje y resistencias de entrada y
salida) con una única etapa(configuración), por
lo tanto, será necesario utilizar más de una
etapa, resultando un amplificador multietapa.
Los amplificadores multietapas son aquellos que resultan
de conectar dos o más amplificadores simples en
configuración cascada, es decir, que en la salida de una etapa
se acopla la entrada de la siguiente, quedando una entrada y
una salida global. Además, pueden ser conectadas entre sí
para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, impedancia y
ancho de banda. La técnica de análisis de este amplificador es
sencilla ya que se reduce básicamente a analizar un conjunto
de etapas básicas y a partir de sus modelos equivalentes
obtener el modelo del amplificador completo.
La ganancia de voltaje de un amplificador multietapa
es el producto de las ganancias de tensión de cada una de
las etapas que lo forman:
∆𝑉 = ∆𝑉in * ∆𝑉1 *∆𝑉2 *∆𝑉3 = (
Otro aspecto importante a mencionar sobre los
amplificadores multietapas, es el acoplamiento. Este
establece la forma en que se conectan las distintas etapas,
dependiendo de la naturaleza de la aplicación y las
características de respuesta en frecuencia que se desea. El
acoplamiento capacitivo o por condensador es el más
utilizado en amplificadores de CA. Este se usa para
interconectar distintas etapas en las cuales solo se desea
amplificar señal alterna, ya que la presencia de los
capacitores anula las componentes DC y permite solo la
amplificación de señales en CA. Además de esto, permiten
mayor libertad en el diseño y la polarización de un
amplificador, no afecta a las otras etapas.
En esta práctica para la construcción de un circuito
amplificador, que genere una ganancia superior a 100,
implica la necesidad de construcción de más de una etapa;
un solo amplificador de ganancia abundante es inestable,
por eso debido la ganancia final deseada se diseñó el
amplificador con cuatro etapas. Como criterio universal al
plantearse el diseño la primera etapa tendrá que trabajar
como un preamplificador, es decir, que permita preparar
adecuadamente la fuente de señal para ser posteriormente
procesada y amplificada por eso generalmente se
determina que la ganancia de esa etapa sea de 1, la segunda
y tercera etapa se centraran netamente en obtener
amplificación de las variables involucradas, la etapa final
será exclusivamente una etapa de potencia.
Para las tres primeras etapas se utilizaron transistores
tipo BJT, en la cuarta etapa debido a su función se utilizó
un transistor tipo JFET. Los transistores utilizados para el
diseño fueron:
TABLA II
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III. MATERIALES Y EQUIPOS

● Osciloscopio
● Generador de señales
Teniendo en cuenta que por lo general el funcionamiento
● Multímetro
del circuito suele verse afectado por diferentes factores, se
● Transistores
diseña un poco más alto de lo planteado teóricamente .
● Trimmers
● Resistencias de potencia ETAPA DE COLECTOR COMÚN (TIP3055)
● Protoboard
Se diseña la última etapa, en la cual se utiliza un
● Resistencias
transistor de potencia TIP3055, con una configuración de
● Fuente DC
emisor seguidor (Cuya ganancia sea próxima a la unidad), y
1. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA una polarización por divisor de tensión, para conservar la
estabilidad de la etapa frente a cambios de temperatura. Es
a partir de dicha etapa con la cual se definen algunos
1. Descripción de la práctica y criterios de
componentes para todo el multietapa, entre los cuales está:
diseño VCC = 31v esto debido a que experimentalmente se
Como primera instancia hacia el análisis e recomienda dejar dicho valor como un aproximado de tres
implementación del circuito multietapa se tuvo en veces mayor al Vop. El punto de trabajo Q del transistor
cuenta las especificaciones a la salida, descritas en viene descrito por los siguientes valores:
la guía de laboratorio, en donde se definen los Q = (800 mA, 10V)
siguientes parámetros:
Bajo estas condiciones se garantiza que el transistor no
●
RL = 27 Ω entrará en corte, debido a la magnitud pequeña de la
● PRL = 1.9W corriente de colector, así en la figura 7 se muestra la
simulación para la caracterización del TIP3055 mediante el
● Vin = 50mv uso de un software especializado.
A partir de los parámetros anteriores se determina
el voltaje de salida pico:
Vop =
Teniendo en cuenta los parámetros de diseño se
definió el número de etapas, junto con las
respectivas ganancias de voltaje para cada una.
Avtotal =

TABLA III
ETAPAS, CONFIGURACIONES, FUNCIONES Y GANANCIAS
DEL AMPLIFICADOR MULTIETAPA

Fig 7. Simulación mediante software especializado,

ORCAD para la caracterización del transistor TIP3055
Fuente: Elaboración propia.

Una vez conseguido, se calculó la ganancia

de corriente (hfe), la conductancia de salida
de emisor común (hoe) y la impedancia de
entrada de emisor común (hie) de la siguiente
manera:
hfe
=
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Esto para asegurar que Vce permanezca corriente de 45mA en el colector y una caída de tensión de

constante Hie =
Así entonces
Hoe
=

Dado lo anterior se prosigue a calcular

resistencias necesarias en la polarización con
las cuales se aseguraría el punto de trabajo
del transistor, para lo cual se tomaron las
siguientes ecuaciones que permiten asegurar
las condiciones especificadas en los criterios
de diseño:

● RL = RE

● Rac =

● Rac = Re||RL||

● Rb = R1 || R2

● R2 =
Empleando todo lo especificado
anteriormente el software especializado se
tienen las señales de salida mostradas en la
figura 8, donde las señales son similares
puesto que la ganancia es aproximadamente
de 1 para no afectar la ganancia final pero
que este transistor se encargue de la
corriente.

Fig 8. Simulación mediante software especializado,

ORCAD para la caracterización del transistor
TIP3055, señales de entrada y salida Fuente:
Elaboración propia.

Para los valores de los capacitores, se realizó un barrido

en su capacitancia con el objetivo de obtener la mejor señal
para una frecuencia de trabajo de 1kHz. Destacándose entre
ellos los capacitores de 4700μf, como la mejor opción.

ETAPA DE EMISOR COMÚN (2N3904) AV = -20

Para esta etapa era necesario usar un transistor BJT de

tipo NPN procurando un punto de operación ac de 0.5 con
el fin de obtener una onda final más simétrica con respecto
al eje del tiempo y al eje de voltaje , la resistencia de carga
de esta etapa se toma como la impedancia de entrada en la
etapa descrita anteriormente, para saber su valor, el circuito
se dejó totalmente apagado y con el ohmímetro se realizó la
medida, poniendo una sonda en la base del transistor de
potencia y la otra en tierra, esto dio como resultado la RL
mostrada en la imagen 5.
Las características del transistor con referencia 2n3904
fueron tomadas en el laboratorio con respecto a una
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10V entre el emisor y el colector, para una disipación de

450 mW de potencia en DC, obteniendo lo siguiente:
hie = 1048.3

hfe =

173.18 hoe

= 2.88mS

A partir de este punto, es posible realizar

la polarización en DC para este transistor,
debido a la estabilidad con respecto al calor que
ofrece el divisor de tensión en la base se escogió
dicha configuración siguiendo las siguientes
recomendaciones:
RL = Rc = 463
Ω
RE =

RE2 = 1V + Vin

Vin =
RB = R1 || R2

R1 ≤ 0.1
βRe
Vin =
A partir de acá se hallan los valores de las resistencias,
adicionalmente se encuentra la potencia de cada una para
evitar daños en el circuito dando como resultado la
polarización de la figura 9 y sus respectivas señales de
entrada y salida mostradas en la figura 10:

Fig 9. Simulación mediante software especializado,

ORCAD para la caracterización del transistor
Q2N3904 Fuente: Elaboración propia.

Fig 10. Simulación mediante software

especializado, ORCAD para la caracterización del
transistor Q2N3054, señales de entrada y salida
Fuente: Elaboración propia.

Los capacitores fueron óptimos para las frecuencias de

trabajo requeridas y se tomaron de 1mF a 50V.

ETAPA DE EMISOR COMÚN (2N3904) AV = -

10

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Como segunda etapa se propuso la misma configuración Fig 12. Simulación mediante software
de la etapa anterior, manteniendo la referencia del transistor especializado, ORCAD para la caracterización del
empleado. Sin embargo, el punto de trabajo del transistor de transistor Q2N3904 en la tercera etapa Fuente:
dicha etapa si cambiaria con respecto a la anterior, Elaboración propia.
quedando así:
Q(20 mA, 9V)
El beta (β) de dicho transistor se obtuvo de forma
visual, basado en las gráficas presentes en el datasheet del
mismo.

Fig 13. Simulación mediante software

especializado, ORCAD para la caracterización del
transistor Q2N3054 en la tercera etapa, señales de
entrada y salida Fuente: Elaboración propia.
ETAPA DE SOURCE COMUN (J11) Av = -1.2

Para finalizar el desarrollo del multi etapa, hacía falta

poner al inicio una etapa que tuviera una alta impedancia
de entrada, para esto fue un factor importante la
implementación de un transistor JFET debido a que el
trabajo por corriente que realiza es mucho más bajo con
respecto a los BJT, atribuyéndole una impedancia bastante
alta. Se tuvo en cuenta una ganancia de voltaje baja debido
a que este tipo de transistores no pueden alcanzar altas
ganancias y además las otras etapas realizaban el trabajo de
amplificación más significativo. Se tomó un J111 con una
corriente de drenaje de 2 mA y un voltaje de drenaje y
source de 10V, adicionalmente se tuvo una resistencia de
Fig 11. Curva característica de hfe vs Ic Fuente: Tomado [4] carga (RL) con el valor tomado de la etapa inmediatamente
siguiente, medición realizada de la misma manera que se
Es a partir de la imagen 8, que se obtiene un beta realizó con las anteriores obteniendo un valor de 1KΩ . La
teórico de 160 para una Ic = 20 mA. Así como también se caracterización fue llevada a cabo en el laboratorio y con
encuentra la nueva resistencia de carga 𝑅L, que será la respecto a las fórmulas:
representada por las etapas anteriores, dicho valor al igual
que antes se toma de manera experimental como la 𝑅1 = 1𝑀Ω
resistencia equivalente vista por dicha etapa, para lo cual se 𝑅2 = 5𝑀Ω
emplea el multímetro como herramienta de medición,
VGS = VG – ID * Rs
obteniendo un valor de 1K, para luego realizar la
polarización en DC para asegurarle el punto de trabajo (Q) RD = Vcc – VDS – ID * Rs
al transistor, y para ello se reutilizan las expresiones y Dado lo anterior se llega al circuito de la figura 14 y
recomendaciones mencionadas en la etapa anterior, sus respectivas respuestas en la figura 15
obteniendo así el siguiente circuito simulado mostrado en
la figura 12 junto con sus respectivas señales en la figura
13:

Fig 14. Simulación mediante software especializado, ORCAD

para la caracterización del transistor J111 Fuente: Elaboración
propia.

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Fig 18. Montaje en físico del multietapa Fuente: Elaboración

propia.

2. ANÁLISIS DE RESULTADOS
Al hacer el análisis experimental, se observó que los datos
hallados teóricamente para cada una de las etapas dispuestas,
seguramente fueron eficientes, referenciados con la señal de
salida del multietapa, sin embargo, entre las etapas más
Fig 15. Simulación mediante software
inexactas frente a lo descrito teóricamente, es la etapa de
especializado, ORCAD para la caracterización del
potencia, ya que como se mencionaba debía tener una
transistor J111, señales de entrada y salida Fuente:
Elaboración propia.
ganancia de voltaje de 1, sin embargo la ganancia real en
dicha etapa fue siempre menor, lo que hacía variar la
ganancia general del multietapa hasta incluso generar una
MULTIETAPA ACOPLADO 𝐴vtotal = 140 más baja a la esperada, fluctuando un voltaje pico de salida
menor a 5V .
Es por eso que a pesar de estar en configuración de
Se realiza el acople final de las etapas anteriormente emisor seguidor, es necesario tener en cuenta dicha rebaja en
detalladas como se muestra en la figura 16 y las señales de las etapas anteriores, cosa que se tuvo en cuenta en la
respuesta en la figura 17. realización del multietapa, al aumentar de forma discreta las
ganancias de las etapas anteriores mediante la sintonización
de estas, cosa que no funcionó adecuadamente dado que
aun así no se logró un aumento significativo en la señal de
salida, que se puede atribuir a una capacitancia parásita que
afectó algún acople lo que provocó la pérdida de
eficiencia pero por la señal de salida se muestra con poco
ruido, concluyendo que esta queda como una posible causal .
Se considera también ineficiencias de los transistores por
Fig 16. Simulación mediante software especializado, ORCAD de características ajenas al circuito y su implementación, como
el circuito multietapa completo Fuente: Elaboración propia. lo puede ser defectos de fábrica o desgaste por elevación de
temperatura al ser transistores reutilizados de montajes
anteriores por lo que se sugiere utilizar transistores nuevos de
fabricantes confiables.

Dada la señal de salida se considera que aun cuando los

factores mencionados anteriormente, los filtros y transistores
trabajan óptimamente dentro de lo debido operando dentro
de todo en el punto especificado sin generar recortes
significativos en la señal de salida. Con lo que se puede decir
que el desarrollo de la práctica fue satisfactorio no a un
punto completamente aceptable pero razonable en
consideración a que fue un circuito óptimo afectado por
Fig 17. Simulación mediante software especializado, ORCAD
factores externos.
para la caracterización del transistor J111, señales de entrada y salida
Fuente: Elaboración propia. CONCLUSIONES

Con en lo predicho por el simulador, se acoplaron

las respectivas etapas implementadas ya, y El amplificador multietapa al estar constituido
corrigiendo algunos errores en cuestión de por transistores BJT son muy susceptibles a la
conexiones y ganancias se pone en práctica el temperatura, es por ello que se debe tener en
circuito en la vida real cuenta la potencia disipada en estos elementos, y
de ser posible asegurar mediante disipadores una
temperatura ambiente.

La correcta polarización en DC de cada uno de

los transistores, juega un papel muy importante en
la forma de la señal de salida, ya que depende de la
magnitud de sus corrientes en el colector (IC) como
del VCE, para que el transistor trabaje en la zona
activa, y así no sobrepase la corriente de colector
necesaria (entrando así en la zona de saturación,
reflejándose con un corte por arriba de la onda de
salida) o rebaje dicho valor ( trabajando en zona de
corte, pudiéndose ver en el corte por debajo de las
señal de salida).

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Para un correcto diseño en un amplificador

multietapa se debe realizar el cálculo minucioso y
juicioso de cada elemento usado, ya sean
resistencias, transistores, voltajes de entrada,
caracterización de transistores, etc. ya que dejar
algún componente sin previo análisis de potencia
corriente y voltaje podría causar daños graves al
circuito o simplemente impedir su correcto
funcionamiento.

En caso de necesitar una amplificación más

exacta y en menor espacio es más óptimo utilizar
amplificadores operacionales ya encapsulados ya
que pueden proporcionar más precisión y mejor
amplificación en menos espacio, en caso de
necesitar alta potencia se puede implementar una
fuente de corriente o un seguidor de corriente
ubicando la base de un transistor a la salida del
mismo.

REFERENCIAS
[1] Hernández, A. I. (s. f.). El transistor, Estructura Física y sus
aplicaciones. 1Library. [Online]. Retrieved May 9 of 2023,
Available on: https://1library.co/document/q5m787wy-ec-
teoria-de- transistores-pdf.html
[2] JL, B. (2023, 20 February). Transistor de Unión Bipolar
(BJT): Qué es?, Tipos y Funcionamiento. Electrónica Online.
[Online]. Available on:
https://electronicaonline.net/componentes-
electronicos/transistor/transistor-de-union-bipolar/
[3] SDIndustrial. (s. f.). ¿Cuáles son las diferencias entre un
transistor NPN y un transistor PNP? SDIndutrial. Retrieved May
9, 2023, Available on:
https://sdindustrial.com.mx/blog/diferencia- transistor-npn-
y-pnp/

[4] ¿Puede encontrar una expresión analítica para la

(beta) HFE de un BJT? -
electronica. (s. f.).
https://electronica.guru/questions/85924/puede-
encontrar- una-expresion-analitica-para-la-beta-hfe-
de.
[5] Jackson, H. G. (2002). Transistor Amplifiers. En
Transistor Circuits. https://doi.org/10.1016/b978-
075067291-7/50021-2

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