Resumen Potencia
Resumen Potencia
Podemos encontrar dos tipos distintos de dispositivos de potencia en el mercado. El cambio entre ellos, esta dado en su tecnología de funcionamiento. Tenemos entonces los dispositivos de PORTADOIRES MINORITARIOS, y los dispositivos de PORTADORES MAYORITARIOS. Las principales características que se buscan obtener en estos dispositivos, es una baja
resistencia de conducción, altas tensiones de ruptura y bajos tiempos de conmutación. Tenemos entonces, que la tensión de ruptura de una juntura, es función de su nivel de dopado, debido a que a menor dopado se obtenga, la región contara con mayor resistencia al paso de la corriente, y por ende, permitirá trabajar con mas potencia. Pero no podemos excedernos en esto, sino
tendremos una resistencia de conducción muy grande, y no queremos eso. Aquí es donde entran las distintas tecnologías de fabricación. Un dispositivo de portadores minoritarios, cuando entra en conducción, los portadores minoritarios son inyectados en la región de escaso dopado, polarizando la juntura p-n en directa. Esto reduce la resistencia aparente de la región, y reduce por
ende, la resistencia de conducción. El problema de estos dispositivos, es que la inyección de los portadores minoritarios, conlleva mucho mas tiempo que la inyección o evacuación de los portadores mayoritarios, debido a la gran cantidad de carga que hay que inyectar, por el hecho de manipularse los portadores minoritarios y no los mayoritarios.
En resumen, LOS DISPOSITIVOS DE PORTADORES MINORITARIOS, SE EMPLEAN EN APLICACIONES QUE REQUIERAN ALTA TENSION Y BAJOS TIEMPOS DE CONMUTACION, Y LOS DISPOSITIVOS DE PORTADORES MAYORITARIOS, SE ENCUENTRAN EN APLICACIONES DE BAJOS NIVELES DE TENSION Y ALTAS
FRECUENCIAS DE CONMUTACION.
DIODOS DE POTENCIA
SCR’s DE POTENCIA
De uso general: trr = 10 a 25 us Los tiristores cumplen varias funciones en la electrónica de potencia: SCR control de fase y tiristores rápidos. Unidireccional
diodos De recuperación rápida: trr = 0,8 a 5 us • Rectificación controlada, semi-controlada y fuentes de poder Tiristores GTO de apagado por compuerta (gate turn off)
De recuperación ultra rápida: trr = 30 a 800 ns • Controles de motores de CC y CA MCT Controlados por MOSFET
• Inversores, cicloconvertidores
Schottky: trr = en orden de los ns - tienen baja caída de tensión en directa • Retroalimentación de la energía de la carga hacia la fuente de RTC de conducción inversa (tiristor con diodo en antiparalelo)
energía y recuperación de la energía atrapada, etc. TRIAC bidireccionales
• V_RSM Maxima tensión inversa pico no repetitiva • V_RSM Maxima tensión inversa pico no repetitiva
• V_RRM Maxima tensión inversa pico repetitiva • V_RRM Maxima tensión inversa pico repetitiva
• V_R Tension inversa continua (>= 0,5 V_RRM) • V_DRM Maxima tensión de pico repetitiva en estado de OFF
• V_(BR) Tension de ruptura por avalancha. Aplica a picos de gran duración o repetitivos. • I_T(AV) Maxima corriente en estado de ON. Corriente máxima permitida en condiciones de aumento de temp. Ambiente. Se recomienda 80% I_T(AV)
• I_F(AV) Maxima corriente directa en polarización directa. Corriente máxima permitida. (si hay muchos dispositivos cerca, por tema de temperatura, se recomienda utilizar 0,8I_F(AV)) • I_T(RMS) Maxima corriente RMS en estado de ON. Depende del angulo de conducción elegido y la forma de onda.
• I_F(RMS) Maxima corriente RMS de polarización directa. (en operación continua) • I_TSM Maxima corriente en estado de ON, para señal de media onda de 10ms
• I_FSM Maxima corriente de un semiciclo. Valor pico máximo de corriente en una señal de media onda de 10 ms • I_T(OV) Maxima corriente de cresta no repetitiva, en un tiempo de entre 1 y 10 ms
• I_F Corriente instantánea en polarización directa • i^2 t Valor para selección de fusible.
• i^2 t Se utiliza para dimensionar el fusible. • (di/dt)_cr Velocidad de subida de corriente critica. Deben limitarse las corrientes al valor de I_TSM en corriente alterna.
• V_T0, r_T Tension umbral y pendiente de resistencia directa. Se utilizan para calcular la potencia pico, P_F, y la potencia continua directa, P_FAV. • (dv/dt)_cr Velocidad de subida de tensión critica en estado de OFF. Valor menor a 2/3 V_DRM.
• I_H Corriente de mantenimiento. Corriente que mantiene en ON al tiristor. Crece inversamente con la temperatura.
• I_L Corriente de enganche. Minima corriente de anoda para que el dispositivo pase de OFF a ON, con un pulso de compuerta de 10us.
𝐼𝐹2 𝑅𝑀𝑆 360º 𝐼𝐹2 𝑅𝑀𝑆 •
𝑃𝐹 = 𝑉𝑇0 𝐼𝐹 + 𝑟𝑇 𝐼𝐹2 𝑃𝐹𝐴𝑉 = 𝑉𝑇0 𝐼𝐹(𝐴𝑉) + 2
𝑟𝑇 𝐼𝐹(𝑅𝑀𝑆) donde = Para pulsos senosoidales de media onda, = 2,5
V_T(T0) Tension umbral y pendiente de resistencia directa. Definien las características en ON, y pueden ser usados para calcular la potencia en estado de
𝐼𝐹2 𝐴𝑉 𝜃 𝐼𝐹2 𝐴𝑉 ON, P_TAV.
𝑡𝑝 2𝑉𝑇 𝑇0 𝑟𝑇 2
𝑃𝑇𝐴𝑉 = 𝐼𝑇𝑀 + 𝐼𝑇𝑀 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑜𝑛𝑑𝑎
Tiempo de recuperación inversa del diodo, trr 𝑇 𝑝𝑖 2 tp= duración del pulso ; T= tiempo de duración
𝑡𝑝 2
𝑃𝑇𝐴𝑉 = 𝑉𝑇 𝑇0 𝐼𝑇𝑀 + 𝑟𝑇 𝐼𝑇𝑀 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑜𝑠 𝑡𝑟𝑎𝑝𝑒𝑠𝑜𝑖𝑑𝑎𝑙𝑒𝑠 ≅ 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑜𝑠 𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎𝑛𝑔𝑢𝑙𝑎𝑟𝑒𝑠
𝑇
𝑉𝐹
𝑖= = 𝐼𝐹 En t1, se invierte la tensión de entrad a (–V_R) • Rth Resistencia térmica.
𝑅𝐿
• I_GT, V_GT Corriente y tensión de cebado d ecompuerta. Para un pulso rectangular de 100us, con tensión de anodo mínima de 6V. Se recomienda utilizar de 4
a 5 veces I_GT.
𝐼𝐹 • I_GD, V_GD Corriente y tensión máxima de puerta sin disparo. El circuito de disparo deberá exitar con tensiones y corrientes mayores a estos parámetros.
• tq Tiempo de desactivación. Tiempo necesario entre disparos, para que tiristor llegue a apagarse. Tq = trr + trc (trc: tiempo de recombinacion).
• Qrr Recuperacion de carga. Carga total que fluye a travez del circuito de anodo durante el tiempo de recuperación en inversa trr, que se define de la
Los portadores se están reacomodando misma forma que en los diodos.
BJT DE POTENCIA
Especificaciones importantes: Puntos de trabajo Modulación de la conductividad
• Regimen lineal (no saturado) Se define como modulación de la conductividad, al aumento significativo del área efectiva de la base, al
• V_CEO(SUS) Maxima tensión de mantenimiento con base abierta. • El transistor se comporta como amplificador de corriente → Ic = Ib.β aumentar su corriente, e invasión y disminución del área efectiva del colector. Este efecto se observa con mayor
• V_CER(SUS) Maxima tensión de mantenimiento con resistencia en base • Tiene elevada caída de tensión Vce peso en el estado de saturación y sobresaturación. En el grafico se observa al colector comprendido por una
• V_CEV o V_CEX Maxima tensión con tensión negativa en base • El pasaje a la conducción en zona lineal y el apagado es muy rápido, región n+ y una n-. La base comprendida por una región p, y el emisor por una n.
En una situación en la qaue el BJT esta bloqueado, ya sea por cualquiera de las causas mencionadas en la base, esta representa la tensión máxima que puede tener entre colector y emisor. debido a la pequeña cantidad de portadores de carga que maneja en Lo que sucede en la modulación de la conductividad, es que al ser elevada la
• V_EB Maxima tensión inversa admisible emisor-base este estado. corriente Ib, el flujo de portadores de carga minoritarios hacia el colector
• Ic Maxima corriente continua directa admisible • Tiempo de retardo en el bloqueo en el orden de los 100ns aumenta, invadiendo la región n-. Esto produce una extensión de la región
• I_cm Maxima corriente pico repetitivo admisible con un ancho pulso especificado (x1 ms, ciclo de trabajo < x%) • Casi saturado de la base, logrando un aumento de su área efectiva, y reduciendo la del
• I_B Maxima corriente continua directa de base admisible • Se obtiene aumentando Ib. Este aumento hace que parte de los colector.
• I_BM Maxima corriente pico repetitivo admisible con un ancho de pulso especificado portadores de la base, invadan el colector Nosotros, queremos que el transistor opere en estado de casi saturación.
• P_D Maxima potencia total admisible, para una determinada temperatura de carcasa • Se reduce la caída de tensión colector-emisor De esta forma, el tiempo de bloqueo no se ve tan degradado como en
• R_thjc Resistencia térmica juntura-carcaza • Tiempo de retardo en el bloqueo entre 100ns y 1us saturación y sobresaturación. Para lograr mantener al transistor en esta valor,
• Area de operación segura • Saturado se implementan las redes Baker, que son lazos de realimentación regulador de
• Aumentos de corriente de base, no modifican la corriente de colector. la corriente de base.
• FBSOA Área de operación segura en polarización directa. La misma varia con el ancho de pulso aplicado. • La base invadió gran parte del colector, lo que hizo perder resistividad
• La caída de tensión colector-emisor es muy pequeña debido a la Del circuito del enclavador Baker, podemos deducir, que cuando la tensión
Limite por máxima corriente reducción del sustrato del colector (menor resistencia) de colector desciende por debajo de la tensión de base + 0,7V (caída en el
de colector admisible • Grandes tiempos de bloqueo. Alrededor de 1us. diodo de base),parte de la corriente de base se inyecta en el colector (I_D1).
• Sobresaturado Esto asegura que la tensión de colector nunca se encuentre por debajo de
Limite por máxima disipación
• La corriente de colector disminuye sin disminuir la corriente de base la tensión de base, y esto evita el estado de saturacion y sobresaturación.
de potencia admisible
• La juntura base-colector pasa a conducción directa, es decir, Vbe-Vce
Limite por la ruptura secundaria. La >0
energía absorbida excede el nivel • Se empeora el SOA
critico • Gran tiempo de apagado.
Limite por la máxima V_CE
Admisible. El dispositivo falla por
ruptura o avalancha
Esta curva de operación segura, varia en sus limites 2 y 3 con la temperatura. Es por eso, que debe complementarse la curva anterior con la de la derecha, para obtener los limites MOSFET DE POTENCIA
nuevos para ruptura secundaria y máxima disipación.
• RBSOA Área de operación segura en polarización inversa. En el apagado la corriente de base no se anula instantáneamente con polarización inversa en la juntura, la corriente de El transistor MOSFET, es un dispositivo controlado por tensión. A diferencia de el BJT, este necesita muy poca corriente para el mantenimiento una vez encendido, alrededor de los nA o
colector no decrece rápidamente y la tensión de colector aumenta. pA. Además, estos cuentan con una mayor velocidad de conmutación. Para altas tensiones drenador-surtidor, la resistencia R_DS(ON) se torna demasiado grande, por lo que conviene el uso
de BJT. En cuanto al driver del dispositivo, son mucho mas sencillos que el del BJT.
Especificaciones importantes:
Limite debido a la máxima corriente de colector admisible, inmediatamente antes del bloqueo.
• I_D Maxima corriente continua de drenador. Para pequeños valores de tensión drenador-surtidor, V_DS, la
corriente de drenador incrementa linealmente.
Limite debido a la segunda ruptura provocada por la construcción de la corriente.
• I_DM máxima corriente pico de drenador. Limitada por la R_CD(on)
Limite por al tensión de sustentación con tensión de polarización inversa Vclamp. Depende de como se da el bloqueo del transistor, puede ser • V_DSS máxima tensión drenador-surtidor
VCEV(SUS) (que da el mayor valor de tensión de sustentación), VCE0(SUS) o VCER(SUS). • BV_DSS o V_(BR)DSS Tensión de ruptura.
• V_G Maxima tensión continua compuerta-surtidor. Se suele limitar con un Zener.
• V_GSM Maxima tensión no repetitiva compuerta-surtidor
• R_DS(on) Resistencia drenador-surtidos de encendido. Determina la cantidad de corriente que
el dispositivo puede manejar sin que supere la máxima disipación de potencia (para MOSFET de mayor potencia,
la resistencia aumenta). Esta resistencia tiene un coeficiente de temperatura positivo.
• En conmutación
• V_F Diodo parasito drenador-surtidor
• VGS(th) Tensión umbral. Es la mínima polarización de compuerta requerida para producir la
• td tiempo de retardo. De 0 a 10%
conducción del canal entre las regiones del drenador y surtidor.
• tr tiempo de crecimiento, o subida. De 10 a 90%. Se busca que sea lo mas pequeño posible, ya que la disipación se incrementa
• Pd Disipación de potencia. Varia con la temperatura.
en proporción a este tiempo. Se lo puede lograr llegando a la saturación con un pulso (1 a 3us) de alta intensidad (3 veces la corriente de
• Características dinámicas
saturación) y luego solo manteniendo al corriente necesaria para que quede saturado.
• R_G resistencia distribuida de la compuerta
• ts tiempo de almacenamiento. De tope a 10%. Puede reducirse con una corriente de base negativa de aproximadamente 3 veces la
• Ls y L_D inductancias de perdida de fuente-drenador
corriente de base que esta saturando. La única importancia en bajar este tiempo, esta en la velocidad de conmutación, no influye en un
• Ciss capacidad de entrada. C_GS + C_GD, con C_DS en corto. C_DSS = C_GD
aumento de la potencia disipada por el dispositivo.
• Coss capacidad de salida. C_DS + C_GD
• tf tiempo de caída. De 90 a 10%. Esta directamente vinculado con el aumento de la tensión de colector. Se busca que sea lo mas
• Crss capacidad de transferencia inversa.
pequeño posible, que se logra con el valor ideal de corriente de base, ni mas, ni menos. Ya que si nos excedemos en la corriente para
• C_GD capacidad de Miller. Es una función no lineal, provee un lazo directo con el circuito de salida
desactivar, se generara un flujo de portadores que tendrán que recombinarse, y llevara mas tiempo.
y entrada.
• tt tiempo de cola. De 10 a 2%. El aumento de la resistencia de la base-emisor, al desactivar el transistor, hace que aumente este
• t_d(on) tiempo de retardo durante el encendido. Tiempo necesario para cargar la capacidad de entrada
tiempo final de apagado. Se logra mediante un driver de base.
antes de que la corriente de drenador comience a conducir.
• ton tiempo de encendido. ton = td + tr = tr.
• Tr tiempo de subida, del 10% al 90% del voltaje drenador máximo.
• tc tiempo de cruce. Del 10 % de subida de Vce al 10% de caída final de Ic.
• t_d(off) tiempo de retardo durante el apagado. Tiempo necesario para descargar la capacidad luego que
• toff tiempo de apagado. toff = ts + tf
el dispositivo fue apagado.
• Tf tiempo de caída del 90% al 10% del voltaje drenador máximo.
• Disipacion de potencia
• Q_G Carga de compuerta. Q_G = Q_GS + Q_GD. En el encendido del dispositivo, el voltaje de
• Won perdida en el encendido. Podemos considerar 3 casos:
compuerta comienza a subir. De forma reciproca, comienza a cargar la capacidad C_GS, mientras que la
corriente de drenador comienza a aumentar. Cuando se alcanza la cargad e esta capacidad, comienza a
𝑘𝑜𝑛 = 2 1𝑟𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑜 cargarse C_GD, hasta que se carga, y posteriormente la compuerta alcanza la tensión de compuerta. La
𝐼𝐶𝑀 𝑉𝐶𝐶𝐸 𝑘𝑜𝑛 = 6 2𝑑𝑜 𝑐𝑎𝑠𝑜 cargad e compuerta, es entonces, la carga mínima requerida para llevar el dispositivo al estado de encendido.
𝑊𝑜𝑛 = 𝑡
𝐾𝑜𝑛 𝑜𝑛 𝑉𝐶𝐶𝐸 Esto nos permite diseñar drivers que controlen la corriente de compuerta en el encendido, con el fin de
𝑘𝑜𝑛 = 2 3𝑟𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑜
𝑉𝑐𝑜𝑛𝑑 mejorar el tiempo de encendido.
∆𝑄𝐺
𝐼𝐺 =
𝑡𝑜𝑛 𝑜 𝑜𝑓𝑓
• Woff perdida en el apagado. Se consideran casos similares a Won. toff en este caso es el tiempo de cruce tc. 𝑑𝑣
• Capacidad 𝑑𝑡𝑑𝑠 estática define la máxima subida de tensión drenador-surtidor permitida. Pueden darse 2 casos:
𝑘𝑜𝑓𝑓 = 2 1𝑟𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑜 • A travez de C_GD. Un pico de tensión en V_DS, puede cargar la capacitancia C_GD, que se desarcgara por R_G. Esto ocasionara una tensión en la compuerta, que si supera
𝐼𝐶𝑀 𝑉𝐶𝐶𝐸 𝑑𝑣 𝑣
𝑊𝑜𝑓𝑓 = 𝑡 𝑘𝑜𝑓𝑓 = 6 2𝑑𝑜 𝑐𝑎𝑠𝑜 Vth, puede activar el transistor, 𝑑𝑡 = 𝑅 𝐶𝑡ℎ .
𝐾𝑜𝑓𝑓 𝑜𝑓𝑓 𝐺 𝐺𝐷
𝑉𝐷𝐷 • La segunda forma de autoencenderse es por el BJT parasito que contiene el MOSFET,
𝑑𝑣
=𝑅
𝑣𝐵𝐸
.
𝑘𝑜𝑓𝑓 = 𝑘𝑜𝑓𝑓 = 2 3𝑟𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑜 𝑑𝑡 𝐵 𝐶𝐷𝐵
𝑉𝑐𝑜𝑛𝑑
• Avalancha drenador-surtidor.
• Área de operación segura
• Westatica perdida de potencia estatica • SOA área de operación segura. Varia con el ancho de los pulsos.
• Woff perdida en el apagado. Se consideran casos similares a Won. Tenemos en el apagado, y en el tiempo de cola.
Rectificadores de Potencia Este circuito solo rectifica la mitad de la tensión de entrada. Tendremos en la salida entonces:
1 𝜋 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐴𝑉 = න 𝑉𝑚𝑎𝑥. 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 𝑑 𝑤𝑡 =
2𝜋 0 𝜋
La componente de corriente continua en la carga es:
𝑉𝐴𝑉 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐴𝑉 = =
𝑅 𝜋𝑅
La tensión y corriente RMS en la carga será:
𝜋
2
1 2
𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑟𝑚𝑠 = න 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 𝑑 𝑤𝑡 −→ 𝑉𝑟𝑚𝑠 =
2𝜋 2
0
𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑟𝑚𝑠 = =
𝑅 2𝑅
Vmax se la considera como la tensión pico de la onda de entrada, por ende, se multiplica la tensión RMS por 2^(1/2), en caso de ser una tensión
senusoidal.
𝑤𝑡
𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑖 𝑤𝑡 = [𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 − 𝜃) + 𝑠𝑒𝑛(𝜃)𝑒 −𝑤𝜏 / 0 ≤ wt ≤ β
𝑍
𝑖 𝑤𝑡 = 0 / β ≤ wt ≤ 2pi
𝑤𝐿 𝐿
Donde 𝑍 = 𝑅2 + 𝑤𝑡 2 , 𝜃 = tan−1 ; 𝜏= ; 𝑤𝜏 = 𝑡𝑎𝑛𝜃 y β=wt define el Angulo menor de conducción del diodo, es decir, el valor
𝑅 𝑅
en el que la corriente de la malla se anula. Este valor es distinto al de la caída de tensión en el diodo, debido a que al tener un inductor, este se opone a
los cambios bruscos de corriente, por lo tanto en la carga, cuando el diodo deje de conducir, tendremos tensión que se deba a la suavización de la
corriente por parte del inductor.
Rectificadores de media onda, q=3 Rectificadores de onda completa, q=3 • Carga resistiva-inductiva-generador (RLE)
El diodo permanece en corte siempre y cuando la tensión de alimentación se mantenga por niveles inferiores a los de la tensión V2. El punto en el que
V1=V2, se da para un Angulo α, que se define como:
𝑉𝑐𝑐
𝛼 = 𝑠𝑒𝑛−1
𝑉𝑚𝑎𝑥
Una vez alcanzado este punto, el circuito se comporta como un RL normal, con cero en V1.
𝑤𝑡
𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑖 𝑤𝑡 = 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 − 𝜃 − 𝑠𝑒𝑛 𝛼 − 𝜃 𝑒 −𝑤𝜏 / α ≤ wt ≤ β
𝑍
𝑖 𝑤𝑡 = 0 / para cualquier otro valor
La potencia absorbida por la resistencia es P_R(AV) = Irms^2 * R
La potencia absorbida por el generador es P_CC = IrmsVcc
La potencia total entregada por el generador de ca es Pac = P_R(AV) + Pcc
La tensión sobre el inductor tiene un valor medio nulo, se observa en el grafico. Por lo que el valor medio de la corriente esta referido directamente a la
resistencia
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑐𝑐
𝐼𝐴𝑉 =
𝑅
• I_h(rms) corriente armonica eficaz → I_1 * THDi , donde I_1 es la componente de la primer armonica de la corriente esta dada por la sumad e las formas de onda de las corrientes de los diodos D1 y D4.
• I_in(rms) corriente eficaz de entrada → I_in(rms) = ((I_inAV)^2 + (I_1(rms))^2 + (I_h(rms)^2))^(1/2) • Carga Resistiva-inductiva-generador (RLE)
La tensión de salida es siempre la misma , independientemente de la carga, pero la tensión aplicada a la resistencia varia según ciertas condiciones.
• Corriente continuada en la carga
𝜋
1
𝐼𝐷 𝑟𝑚𝑠 = න 𝑖 2 𝑑(𝑤𝑡) −→ 𝐼𝑟𝑚𝑠 = 𝐼𝐷2 𝑟𝑚𝑠 + 𝐼𝐷2 𝑟𝑚𝑠 = 2 𝐼𝐷 𝑟𝑚𝑠
2𝜋
0
Factor de potencia
donde los diodos conducirán por semiciclos.
• Factor de potencia con cargas dinámicas no lineales y tensión sinusoidal
• Corriente discontinua en la carga
Cuando la carga no es lineal, y la tensión de entrada es sinusoidal, genera una forma de corriente no sinusoidal. El factor de potencia se puede expresar entonces como una resultante del corrimiento
Solo circulara corriente en la carga durante un periodo wt1 ≤ wt ≤ wt2
de fase de la componente fundamental DF y la resultante de las armónicos de corriente.
3 3
RECTIFICADORES CONTROLADOS 𝑉𝐴𝑉 =
2𝜋
𝑉𝑚𝑎𝑥 1 + 𝑐𝑜𝑠𝛼
1
3 2𝜋 2 2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 3𝑉𝑚𝑎𝑥 + 3𝑐𝑜𝑠𝛼
4𝜋 3
Se utilizan tiristores, con el fin de tener control sobre el angulo de conducción de cada diodo. Cuentan con un rendimiento superior al 95%.
2𝜋
Principio de control de un rectificador controlado • Tension de salida discontinua, 𝛼 ≥ 𝜋 −
𝑞
3 3
𝑉𝐴𝑉 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 1 + 𝑐𝑜𝑠𝛼
Al tener el control del angulo de conducción del diodo, lo que obtenemos es tener control sobre el valor medio de la tensión continua aplicada a la 2𝜋
1
carga. Tenemos que la tensión media puede variar, pero la correinte tiene un solo sentido, por ende, si la tensión sobre la carga es positiva, este se 3 1 2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 3𝑉𝑚𝑎𝑥 𝜋 − 𝛼 + 𝑐𝑜𝑠2𝛼
comportara como rectificador. Caso contrario, Tension sobre la carga negativa, se comportara como inversor. En el caso de un motor como carga, 4𝜋 2
necesitamos que el rectificacador funcione en los 4 cuadrantes. Para lograr esto, será necesario conectar dos convertidores en antiparalelo.
• Rectificador de 12 pulsos
Rectificadores monofásicos
• Rectificador monofásico de media onda
El convertidor funciona en un solo cuadrante.
Se combinan 2 puentes trifásicos de onda completa. Si se conectan los convertidores
• Carga resistiva
con un
transformador con secundarios en estrella y el otro en triangulo, tenemos un desfasaje
Cuando se aplica una señal de compuerta en α=30º,
de 30º entre ambos bobinados. Al estar ambos convertidores en serie, la tensión en la
𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝛼 𝑠𝑒𝑛 2𝛼
𝑉𝐴𝑉 = 1 + cos 𝛼 ; 𝑉𝑟𝑚𝑠 = 1− + 𝜋 salida es la suma de las salidas de los dos puentes. Los armónicos generados son
2𝜋 2 𝜋 2
múltiplos de 12 veces la frecuencia del generador (12k, k=1,2,3,…), por ende, es
mucho mas fácil de ser filtrados para obtener una tensión de salida mas pura.
3𝑉𝑚𝑎𝑥 𝜋
• Rectificadores monofásicos de onda completa 𝐼𝑟 = 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 − − 𝑠𝑒𝑛𝛼1
𝑤𝐿𝑟 6
• Carga resistiva
Esta configuración es conocida como el puente de Graetz. En el semiciclo positivo, se polarizan directamente los SCR 1 y 2, y conducirán
recién cuando se les aplica el pulso de compuerta. De forma similar, en el segundo semiciclo, conducen los SCR 3 y 4. Para Alpha
igual a cero, la forma de onda es igual a la rectificación no controlada.
𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐴𝑉 = 1 + cos 𝛼
𝜋
1 𝛼 2𝛼
𝑉𝑟𝑚𝑠 = − + 𝑠𝑒𝑛
𝜋 2𝜋 4𝜋
La corriente eficaz en el generador es igual al de la carga.
• Carga R-L
Dependiendo do el valor del inductor, la corriente es continua o discontinua.