LABORATORIO DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

PRÁCTICA No. 01
DIODOS Y BJT – CARACTEÍSTICAS ESTÁTICAS
INTEGRANTES PROFESOR
__________________________________________ ______________________________________
____. ____.
__________________________________________ GRUPO: _______. FECHA:
____. ________________.
__________________________________________ INSTRUCTOR:

OBJETIVOS
1. Conocer algunas características de los diodos y los transistores de doble juntura BJT.
2. Interpretar algunas especificaciones de los diodos y los BJTs
3. Realizar mediciones del diodo en conducción directa
4. Realizar mediciones en conducción inversa alcanzando la ruptura (Zener o ruptura)

REQUISITOS
 Conocer el comportamiento voltaje-corriente, de un diodo ideal.
 Conocer el modelo simplificado de un diodo real (Diodo ideal – fuente de voltaje – resistencia serial)
 Conocer el principio de funcionamiento del BJT

EQUIPO Y COMPONENTES NECESARIOS

1 DVM o Multímetro Digital
1 Protoboard
1 Cortafrío o pela cables
1 Pinza pequeña
1 Resistencia de 8.2k k (1/4 W)
1 Diodo referencia 1N4148)
2 BJT 2N2222
1 Diodo Zener referencia 1N4744
8 Caimanes (varios colores)

PROCEDIMIENTO
I. IDENTIFICACIÓN Y USO DE HERRAMIENTAS BÁSICAS
De acuerdo con lo solicitado en la presente guía de laboratorio, describa de manera breve cuales son las
regiones de operación de un diodo

Guía de Laboratorio No. 01 Circuitos y Dispositivos Electrónicos Julio, 2023 1

Elaborado por: Germán Yamhure.
 Un diodo simple solo tiene dos (2) regiones operativas, a saber, 1. polarización directa y 2. polarización
inversa. Bajo la polarización directa, actúa como un cortocircuito (interruptor de encendido). Bajo el
polarizado venerado, actúa como un circuito abierto (interruptor de apagado). Idealmente, para aplicar
una polarización directa, solo necesitamos aplicar un potencial (voltaje) más positivo en el lado del
ánodo que en el lado del cátodo.

II. PREGUNTAS Y CÁLCULOS PREVIOS

1. Calcular la corriente y el voltaje sobre cada componente del circuito de la Figura 1 y de la Figura 2,
utilizando primero el modelo del diodo ideal y luego teniendo en cuenta el voltaje de conducción
del diodo. Este parámetro lo puede obtener de las hojas de especificaciones (VF Forward Voltage).

Figura 1. Polarización Directa 1N4148

2. Explique, ¿cómo se pueden determinar las terminales de un diodo semiconductor utilizando un

DVM o VOM?

 Configurar el DVM en la escala de medición de resistencia (Ohmios).

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Elaborado por: Germán Yamhure.
  Colocar las puntas de prueba del DVM o VOM en ambos extremos del diodo, sin importar la
polaridad inicial.

 Observa la lectura en el DVM o VOM. Si el diodo está conectado en la dirección directa (áodo
en la dirección de la flecha del símbolo del diodo), el DVM debe mostrar una resistencia baja o
cercana a cero. Si está conectado en la dirección inversa, la lectura del DVM mostrará una
resistencia alta o "infinito" (normalmente se indica con el símbolo ∞).

 Si la lectura del DVM muestra una resistencia baja en una dirección y alta en la otra, el terminal
conectado al extremo con resistencia baja es el ánodo, y el terminal conectado al extremo con
resistencia alta es el cátodo.

III. IDENTIFICACIÓN DE LOS TERMINALES DE UN DIODO

1. Tome el diodo1N4148 y numere sus terminales.

Figura3. Diodo 1N4148

2. Con el DVM configurado como óhmetro, en la escala de medición de juntura, realice las mediciones
indicadas en la Tabla 2 y observe si la juntura está polarizada directamente (Resistencia baja) o
inversamente (Resistencia alta).

Tabla 2.
1.152k
0.315m
PI-1. De los resultados obtenidos en la Tabla 2, qué puede concluir sobre la ubicación del ánodo y el cátodo
del dispositivo.
ÁNODO: Terminal No _____ CÁTODO: Terminal No _____

IV. INTERPRETACIÓN DE LAS HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS SEMICONDUCTORES

1. El monitor realizará una introducción (demostrativa) en cuanto a la forma de presentación de las hojas
de especificaciones del diodo 1N4148, su importancia y una descripción general de los parámetros más
importantes que contienen.

A continuación, se muestra un ejemplo de hojas de especificaciones para el diodo 1N4148. Es importante

que identifique los valores máximos de voltaje y corriente directo e inverso, (VRRM, IF(AV), IFSM);
características eléctricas, como VF, IR, CT, trr, y curvas típicas de funcionamiento.

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Elaborado por: Germán Yamhure.
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Elaborado por: Germán Yamhure.
Tomado de http://www.datasheets360.com/pdf/-3714019930688064748?comp=6237

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V. CARACTERÍSTICAS DEL DIODO EN CONDUCCIÓN (POLARIZADO DIRECTAMENTE)

Figura 4. Diodo en conducción

1. En el circuito de la Figura 4, ajuste VB para obtener los diferentes valores de corriente indicados en
la siguiente tabla, y mida el voltaje sobre el diodo para cada corriente especificada. El voltímetro
debe conectarlo entre el ánodo y el cátodo del diodo.

Id(mA) 0.1 0.2 1.0 1.5 2.0 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.58 0.578 0.578 0.578 0.579 1.2
0
Resistencia 43M 43.049 13.760 No se
llega
Vγ (equivalente)

Compare sus resultados con los datos suministrados por el fabricante en las hojas de especificaciones.
Remplace ahora la fuente de 5V por un generador de onda rampa, a una frecuencia cercana a 1kHz y
amplitud 10Vpp. Mida el voltaje sobre el diodo. Observe simultáneamente la señal del generador y el
voltaje sobre el diodo Vd.

2. Según la tabla anterior, grafique Vd contra Id. No olvide marcar algunos voltajes y corrientes de referencia

En el modelo simple del diodo directo de una fuente de tensión (o voltaje de encendido) y una resistencia,
¿cuál sería el valor aproximado de dicha resistencia?
Grafique sobre la característica V-I obtenida atrás la característica V-I del modelo propuesto por usted
(diodo ideal-Fuente de V y R)

CONCLUSIONES:
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________.

VI. DIODO EN INVERSA ALCANZANDO RUPTURA (ZENER)

1. Monte en el protoboard el circuito mostrado en el esquemático figura 6, identificando previamente cual es
el cátodo y el ánodo del diodo.
2. Variando ahora el voltaje VB obtenga los valores indicados en la tabla.

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Elaborado por: Germán Yamhure.
 Figura 6. Diodo Zener en conducción

Idz(mA) 0.1 0.2 1.0 1.5 2.0 5.0 10.0 15.0 20.0
Vdz(V) 9mlv 9.3m 9.8m 9.6M 9.4m 9.1m 8.6m 8.3m 7.9m
Resistencia rz 6.7K 8.5M 9.3M 8.5M 10M
Vz (equivalente)

Con los valores medidos, grafique VDZ contra IDZ.

Con los valores tomados, calcule la resistencia equivalente del diodo en cada par de puntos y el Vz
equivalente del modelo lineal del diodo: (Diodo ideal, resistencia rz y fuente de voltaje Vz)
Invierta ahora los terminales de diodo y repita las mediciones y compárelas con las realizadas al diodo
1N4148
Con el diodo de 3.3V, remplace ahora la fuente VB por un generador de onda triangulo con amplitud 10VPP
y mida simultáneamente VB y Voltaje sobre el Zener

VII. VERIFICACIÓN DE CARACTERÍSTICAS DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES BJT

OBJETIVOS

1. Identificar los terminales de dispositivos semiconductores de más de dos terminales.

2. Observar las curvas características de componentes semiconductores
3. Determinar los parámetros necesarios de un componente semiconductor específico, utilizado para el
diseño de circuitos electrónicos.
COMPONENTES NECESARIOS

* 2 Transistores BJT 2N2222A

* 1 Resistores de ½ W.

PREGUNTAS Y CÁLCULOS PREVIOS

1. ¿Cómo se pueden determinar cada una de las terminales de los componentes semiconductores BJT?
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Elaborado por: Germán Yamhure.
 Explique los métodos propuestos.
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2. ¿Cuáles son los valores máximos de voltaje y corriente de los componentes a utilizar?

 BJT 2N2222A

VCE = 40V VCB = 75V VEB = 6 V IC = 800 mA

NOTA: No olvide consultar las hojas de especificaciones del BJT 2N2222A

CARACTERIZACIÓN DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

1. Mida las características de voltaje-corriente para las junturas del transistor bipolar 2N2222A,

Siguiendo un procedimiento igual al que se realizó con los diodos en la primera parte, realice los siguientes montajes y
realice las mediciones de voltaje y corriente para las dos junturas del BJT.

Para la juntura Base-Emisor Figura 7, V1 varía entre -10V a +3V. Mida varios voltajes base emisor y las corrientes.
Grafique la característica V-I de la juntura

Q1
R1
Q2N2222
10k
V1

Figura 7. Montaje para la Juntura Base Emisor

Estime el valor aproximado de:

VBE (ON): 0,61

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Elaborado por: Germán Yamhure.
 Figura 1: Voltaje Vbe vs Entrada Se puede ver el punto de activación en donde se
encuentra el codo de la gráfica

R1
V1 10k
Q1

Q2N2222

Figura 8. Montaje para la Juntura Base Colector

Para la juntura Colector Base, Figura 8. V1 varía entre -3V (polarizando directa la juntura) y el máximo valor positivo
que de la fuente. Mida varios voltajes colector-base y las corrientes. Grafique la característica V-I de la juntura

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Elaborado por: Germán Yamhure.
Figura 2: Voltaje Vbe vs Entrada, en esta configuración cambia la forma de polarizar este BJT e
igual su punto de activacion o corte.

CONCLUSIONES:
Compare los valores medidos con los reportados en la sección de “preguntas y cálculos previos”
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________.

2. Mida la ganancia de corriente (β) del transistor BJT en diferentes regiones de operación:

R1 Q1

Q2N2222 V2

10k 5Vdc
V1

Figura 9. Montaje para Activa Directa

Para el BJT operando en región activa directa, Figura 9, ajuste el valor de V1 para tener una corriente de base
del orden de 50uA. Mida la corriente de base, la de colector la de emisor y calcule la ganancia de
corriente. Remplace el transistor por otro de la misma referencia y calcule el nuevo valor de β.
IB IC IE
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Elaborado por: Germán Yamhure.
 49.95uA 7,83mA 7,91mA

IB IC IE
49,98uA 8mA 8,05mA

β1= 156 β2=160

Para el BJT operando en región de saturación: Basado en el montaje de la figura 9 disminuya el valor de V2
que es el voltaje Colector Emisor, hasta que la corriente de colector disminuya a 0.9 del valor medido con
V2=5V y continue disminuyendo V2 para llenar la tabla.
VCE IC IE IB β
5V 8m 8,05mA 50,1uA 160
4V 7,87mA 7,92mA 49,95uA 157,4
2V 7,74mA 7,65mA 49,95uA 154,8
1v 7,47mA 7,52mA 50,01uA 149.4
0,201V 7,19mA 7,28mA 50,025uA 143,8

Para el BJT operando en región Activa Inversa, realice el montaje mostrado en la Figura 10 y calcule de nuevo
la ganancia de corriente β para dos transistores de la misma referencia.

R1
V2
Q2N2222
Q1
10k 5V
V1

Figura 9. Montaje para Activa Inversa

IB IC IE
3,39pA -6,71pA -10,1pA

IB IC IE
3,8pA -4,94pA -8,75pA

Βr1= 1,979 βr2= 1,3

CONCLUSIONES:

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Al polarizar en inversar las corrientes cambian de sentido y además los Betas son muy bajos, esto es debido a
que estamos cambiando el sentido de la corriente con el que viene diseñado el BJT

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Elaborado por: Germán Yamhure.