TIPOS DE DIODOS

1. Diodo LED: Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado

voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una recombinación de huecos y
electrones cerca de la unión NP; si este se ha polarizado directamente la luz
que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su
composición.

Figura 1 Símbolo Diodo LED

Figura 2 Curva Característica del Diodo LED

1.1 Aplicaciones

 Pantallas para televisores y celulares.

 Faros para la iluminación de coches.
 Linternas en general.
 Iluminacion de exteriores e interiores.
 Semáforos de control de tránsito.

1.2 Parámetros

Figura 3 Párametros del diodo LED

2. Diodo Zener: Un diodo Zener es un semiconductor que se distingue por su
capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se
encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de
control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para tensiones
de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se
comporta como un diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

Figura 4 Símbolo del Diodo Zener

Figure 5 Curva Característica del Diodo Zener

2.1 Aplicaciones
 Regulador de voltaje en fuentes de alimentación de Corriente Continua.
 Como Elemento de Protección de un Circuito.
 Se utiliza en la Ruptura Inversa.
 Se usan para recortar señales variables que vienen de elementos de
medición (sensores).

2.2 Parámetros

 IF(AV): 1A – 6000 A
 VRRM: 400 – 3600 V
 VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
 trr: 10 µs
3. Diodo Varactor: El diodo varactor también conocido como diodo varicap o
diodo de sintonía. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado
inversamente y actúan como condensadores variables controlados por voltaje.
Esta característica los hace muy útiles como elementos de sintonía en receptores
de radio y televisión.

Figure 6 Símbolo Diodo Varactor

Figura 7 Curva Característica del Diodo Varactor

3.1 Aplicaciones
 Radio de sintonización
 Receptores de televisión
 Sustituir a complejos sistemas mecánicos de condensador variable
en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y
recepción.

3.2 Parámetros
 Tensión máxima inversa repetitiva: 120-400 V (Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 30 A (Io).
 Máxima corriente directa contra sobretensiones: 100 A (Ifsm)
 Tiempo de recuperación inverso: 8 µseg (Trr).
 Tensión Umbral: 0.9 - 1 V.
4. Diodo Túnel: Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se
caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y
tener en su curva una región de resistencia negativa donde la corriente disminuye
a medida que aumenta el voltaje. Esta última propiedad los hace muy útiles como
detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en
aplicaciones de alta frecuencia. El diodo tunel se utiliza para caracteristicas
especiales Osciladores de altafrecuencia parte de la característica directa tiene
resistencia negativa.

Figura 9 Símbolo del Diodo Túnel

Figura 10 Curva Característica del Diodo Túnel

4.1 Aplicaciones
 Osciladores de Alta frecuencia.
 Disminuye la corriente de un circuito aumentando su voltaje.
 Es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y
que están relativamente libres de los efectos de la radiación.

4.2 Parámetros

 IF(AV): 30A – 200 A

 VRRM: 400 – 1500 V
 VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
 trr: 0,1 - 10 µs

5. Diodo PIN: Su nombre deriva de su formación P (material P), I(zona

intrínseca)y N(material N) Los diodos PIN se emplean principalmente como
resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores.
También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. Son dispositivos
desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de
respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de tránsito, es decir
el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unión PN.

Figura 11 Símbolo del Diodo PIN

Figura 12 Curva Característica del Diodo PIN

5.1 Aplicaciones
 Fotodetector.
 Interruptores de RF y Microondas
 Es utilizado para conmutar corrientes muy intensas o tensiones muy grandes.

5.2 Parámetros

 IF(AV): 0,45A – 2 A
 VR: 7,5kV – 18kV
 VRRM: 20V – 100V
 trr: 150 ns

Figura 13 Tabla de Parámetros del Diodo PIN

6. Diodo Schottky: Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también
conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee",
es decir, rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria
para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de
lado la región Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo
suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa éste opere
de forma similar a como lo haría regularmente.

Figura 14 Símbolo del Diodo Schottky

Figura 15 Curva Característica del Diodo Schottky

6.1 Aplicaciones
 Rectificación de ondas métricas.
 Deteccion de pequeñas señales.
 Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje permite
poco gasto de energía.
 Circuitos integrados en lógica TTL.
6.2 Parámetros

 IF(AV): 1A – 120 A
 VRRM: 15 – 150 V
 VFmax: 0,7V (a IF(AV)max)
 trr: 5 ns

Figura 16 Tabla de Parámetros del Diodo Schottky

7. Fotodiodos: Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando un
haz de luz de suficiente energía incide en el diodo, excita un electrón dándole
movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona
de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores
son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo
una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama
polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y
prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía
con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la
juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de
manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el
diodo es excitado por la luz. En ausencia de luz la corriente presente es muy
pequeña y recibe el nombre de corriente de oscuridad

Figura 17 Símbolo del Fotodiodo Figura 18 Curva Característica del Fotodiodo

7.1 Aplicaciones
 Detectores de proximidad, calor, humo, etc.
  Turbidímetros.
 Detectores de Lluvia para automóviles.
 Sistemas de comunicación por fibra óptica.
 Instrumentación analítica.

7.2 Parámetros

Figura 19 Parámetros del FOTODIODO

8. Diodo 1N1198: Es un diodo rectificador de corriente alterna de potencia

fabricado de silicio, su encapsulado es metalico sellado con vidrio de tipo DO-5.
Muy utilizado en infinidad de equipos electrónicos.

Figura 20 Símbolo del Diodo 1N1198

Figura 21 Curva Característica del Diodo 1N1198

8.1 Aplicaciones:
 Fuentes de alimentación.
 Circuitos que requieran Rectificación de voltaje.
 Utilizado en la infinidad de equipos electrónicos como radios, mouse para
pc, equipos de sonido, etc.

8.2 Parámetros
 Tensión máxima inversa repetitiva: 600 V (Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 25 A (Io).
 Máxima corriente directa contra sobretensiones: 125 A (Ifsm)
 Tiempo de recuperación inverso: 5000 nseg (Trr).
 Tensión Umbral: 1.7 V.

9. DIODO OPTOCOPLADOR
Un optoacoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente,
es un dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor
activado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente
optoelectrónico, normalmente en forma de fototransistor o fototriac. De este modo
se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un
fotorreceptor cuya conexión entre ambos es óptica. Estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Figura 22 Símbolo del Diodo Optoacoplador

Figura 23 Curva Característica del Diodo Optoacoplador

9.1 Aplicaciones
 Aislamiento Eléctrico.
 Reveladores de estados sólido, limita la corriente aplicada a los
componentes electrónicos dentro de un circuito como el diodo Led
realizando así una protección para el dispositivo electrónico como Tambien
para el circuito.
 Proteger al circuito de salida frente a picos de voltajes o tensiones elevadas
en su entrada que pueden dañar al otro circuito.

9.2 Parámetros
 Tensión máxima inversa repetitiva: 400-1500 V (Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 30 A (Io).
 Máxima corriente directa contra sobretensiones: 200 A (Ifsm)
 Tiempo de recuperación inverso: 0.1 - 10 µseg (Trr).

10. Diodo Rectificador:

Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo

conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no
conducen. Estas características son las que permite a este tipo de diodo rectificar
una señal. Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el
voltaje en inverso que pueden soportar.

Figura 24 Símbolo del Diodo Rectificador

Figura 25 Curva Característica del Diodo Rectificador

10.1 Aplicaciones
  Convertir la corriente alterna en corriente continua.
 Los diodos rectificadores se usan principalmente en: circuitos rectificadores,
circuitos fijadores, circuitos recortadores, diodos volantes.
 Conexión de dos circuitos diferentes.
 Protección de polaridad dentro de un circuito eléctrico y/o electrónico.

10.2 Parámetros
Depende del tipo de diodo es decir para un diodo rectificador existen
muchos modelos tales como el 1N4007 entre otros que tienen sus propios
parámetros de utilización como la tension umbral que es diferente uno de
otro, para este caso utilizaremos el diodo 1N4007 y 1N4148 ambos actúan
como diodos rectificadores pero a distintos parámetros.

Figura 26 Comparación entre dos Diodos rectificadores (1N4007 – 1N4148)

11. Diodo Backward: Este diodo presenta una relación de corriente pico a corriente
valle mucho menor, que los demás, pero tiene su punto de ruptura en cero volts. Es muy
útil cuando se necesita una acción rectificadora en combinación con ondas de pequeña
amplitud, pues el rendimiento mejora grandemente.
Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una zona de resistencia
negativa similar a las de los diodos túnel.

Figura 27 Símbolo del Diodo Backward

11.1 Aplicaciones
 Calculadoras digitales.
 Circuitos lógicos en los cuales se necesita una conmutación sumamente
rápida.
 Actúa como una acción rectificadora en combinación con ondas de
pequeña amplitud para el mejoramiento de las velocidades en componentes
de Pc.
11.2 Parámetros
 Tensión máxima inversa repetitiva: 400-2500 V (Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 50 A (Io).
 Máxima corriente directa contra sobretensiones: 700 A (Ifsm)
 Tiempo de recuperación inverso: 10 µseg (Trr).
 Tensión Umbral: 2 V.

12. Diodo Gunn:

Es una Modelo de diodo usado en la Electrónica de alta frecuencia. A diferencia
de los Diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente
tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como
Diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo
N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente
dopado. Cuando se aplica un Voltaje determinado a través de sus terminales, en
la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos.
Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta
una zona de resistencia negativa.

Figura 29 Símbolo del Diodo Gunn Figura 30 Curva Característica del Diodo Gunn
12.1 Aplicaciones
 Se utilizan generalmente en frecuencias de microondas y superiores
logrando así amplificar las señales del microondas.
 Es usado en los osciladores y amplificadores de un circuito eléctrico.
12.2 Parámetros
 Tensión máxima inversa repetitiva: 100-500 V (Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 40 A (Io).
 Máxima corriente directa contra sobretensiones: 300 A (Ifsm)
 Tiempo de recuperación inverso: 0.2 - 12 µseg (Trr).
 Tensión Umbral: 7 V.

13. Diodo Shockley:

Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de
bloqueo o de alta impedancia y de conducción o baja impedancia. Hay que tener
en cuenta que no es lo mismo que el diodo de barrera Schottky. El diodo Shockley
está formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas
alternadamente. Podemos categorizarlo como un tipo de tiristor.

Figura 31 Símbolo del Diodo Shockley

Figura 42 Curva Característica del Diodo Shockley

13.1 Aplicaciones
 Puede ser utilizado como oscilador de relajación.
 La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente
que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensión.
 13.2 Parámetros
 Tensión máxima inversa repetitiva: 120-400 V (Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 30 A (Io).
 Máxima corriente directa contra sobretensiones: 100 A (Ifsm)
 Tiempo de recuperación inverso: 8 µseg (Trr).
 Tensión Umbral: 2.3 V.

14. Diodo Varistor:

Un varistor es un componente electrónico con una curva característica similar a la
del diodo. El término proviene de la contracción del inglés variable resistor. Los
varistores suelen usarse para proteger circuitos contra variaciones de tensión al
incorporarlos en el circuito de forma que cuando se active la corriente no pase por
componentes sensibles. Un varistor también se conoce como Resistor
Dependiente de Voltaje o VDR. La función del varistor es conducir una corriente
significativa cuando el voltaje es excesivo.

Figura 33 Símbolo del Diodo Varistor

Figura 34 Curva característica del Varistor de
óxido de Zinc (ZnO) y carburo de silicio (SiC)

14.1 Aplicaciones
 Protección de protección de redes eléctricas, tanto de transporte como de
distribución.
 Se utiliza como elemento "pararrayos" situado en los propios apoyos de la
línea, desviando las sobretensiones a tierra.
 Se utiliza elemento de protección en los bypass de los bancos de
condensadores compensadores de reactancia de línea.
 14.2 Parámetros
 Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una
selección fácil del componente correcto para una aplicación específica.
 Alta capacidad de absorción de energía respecto a las dimensiones del
componente.
 Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el
instante que ocurre.
 Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
 Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la
protección de circuitería en conmutación digital.
 Alto grado de aislamiento.

15. Diodo Varicap:

Es un diodo que aprovecha determinadas técnicas constructivas para
comportarse, ante variaciones de la tensión aplicada, como
un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrónico
presenta características que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C),
donde son necesarios los cambios de capacidad. Cuando un diodo Varicap es
polarizado en inversa, la barrera de potencial o juntura que forman los materiales
N y P a partir del punto de unión de las junturas se produce una capacitancia.
Visto en forma metafórica y práctica, es el equivalente a dos placas de un
condensador que van separándose a medida que la tensión de alimentación se
incrementa. Este incremento de tensión provoca una disminución de la capacidad
equivalente final en los terminales del diodo (a mayor distancia entre placas,
menor capacidad final).

Figura 35 Símbolo del Diodo Varicap

Figura 36 Curva Característica del Diodo Varicap

15.1 Aplicaciones
 Es empleados como sintonizador en sistemas de comunicaciones.
  Se utilizan en circuitos resonantes, los cuales permiten seleccionar una
señal de frecuencia específica, de entre muchas señales de diferentes
valores.
15.2 Parámetros
 Tensión máxima inversa repetitiva: 120-400 V (Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 30 A (Io).
 Máxima corriente directa contra sobretensiones: 100 A (Ifsm)
 Tiempo de recuperación inverso: 8 µseg (Trr).
 Tensión Umbral: 0.9 - 1 V.
 Frecuencias en la Electrónica y sus Aplicaciones
La luz visible es una onda electromagnética, que consiste en oscilaciones
eléctricas y campos magnéticos que viajan por el espacio. La frecuencia de la
onda determina el color: 4×1014 Hz es la luz roja, 8×1014 Hz es la luz violeta, y
entre estos (en el rango de 4-8×10 14 Hz) están todos los otros colores del arco iris.
Una onda electromagnética puede tener una frecuencia de menos de 4×10 14 Hz,
pero no será visible para el ojo humano, tales ondas se llaman infrarrojos (IR).
Para frecuencias menores, la onda se llama microondas, y en las frecuencias aún
más bajas tenemos las ondas de radio. Del mismo modo, una onda
electromagnética puede tener una frecuencia mayor que 8×10 14 Hz, pero será
invisible para el ojo humano, tales ondas se llaman ultravioleta (UV). Las ondas de
frecuencia mayor que el ultravioleta se llaman rayos X, y con frecuencias más
altas aún encontramos los rayos gamma.
Todas estas ondas, desde las de radio de baja frecuencia hasta los rayos gamma
de alta frecuencia, son fundamentalmente las mismas, todas ellas son
llamadas radiación electromagnética y viajan a través del vacío a la velocidad de
la luz.
Otra característica de una onda electromagnética es la longitud de onda. La
longitud de onda es inversamente proporcional a la frecuencia, por lo que una
onda electromagnética con una frecuencia más alta tiene una longitud de onda
más corta, y viceversa.

Figura 37 Rango de ondas y frecuencias

Radares y sus bandas de frecuencia

Figura 38 Radares y sus rangos de frecuencias

Banda A y B (Banda Radar HF y VHF)

Estas bandas de radar por debajo de 300 MHz tienen una larga tradición histórica,
porque estas frecuencias representan la frontera de la tecnología de radio en el
tiempo durante la Segunda Guerra Mundial. Hoy en día estas frecuencias se
utilizan para los radares de alerta temprana llamados radares sobre el horizonte
(OTH).
Utilizando estas frecuencias más bajas, es más fácil obtener transmisores de alta
potencia. La atenuación de estas ondas electromagnéticas es más baja que el uso
de frecuencias más altas. Por otra parte, la precisión es limitada, ya que una
menor frecuencia requiere antenas físicamente muy grandes, las cuales
determinan el ángulo de precisión y el ángulo de resolución. Estas bandas de
frecuencia son utilizadas por otros sistemas de comunicaciones y por los servicios
de radiodifusión también, por lo tanto, el ancho de banda de este radar es limitado
(a expensas de la precisión y la resolución).
Estas bandas de frecuencia están experimentando actualmente un regreso y se
les está dando un significado especial en aplicaciones militares, mientras que las
tecnologías de ocultación utilizados actualmente en el „bombardero Stealth” no
tienen el efecto deseado en las frecuencias extremadamente bajas.

Banda C (Banda Radar UHF)

Existen algunos conjuntos de radares especializados, desarrollados para esta
banda de frecuencia (300 MHz to1 GHz). Es una buena frecuencia para el
funcionamiento de los radares, para la detección y el seguimiento de satélites y
misiles balísticos cubriendo largas distancias. Estos radares funcionan para alerta
temprana y detección de objetivos como radar de vigilancia para el Sistema de
Defensa Aérea Extendida Media (Medium Extended Air Defense
System, MEADS). Para algunas aplicaciones como radar meteorológico, ejemplo:
perfiladores de viento trabajan con estas frecuencias ya que las ondas
electromagnéticas son muy poco afectadas por las nubes y la lluvia.
La nueva tecnología de radares de banda ultra ancha (Ultrawideband, UWB) utiliza
todas las frecuencias de las bandas A-a-C. Los radares UWB transmiten pulsos
muy bajos en todas las frecuencias simultáneamente. Estos son utilizados para
examinar técnicamente materiales y como Radar de Penetración
Terrestre (Ground Penetrating Radar, GPR) para exploraciones arqueológicas.

Banda D (Banda Radar L)

Esta banda de frecuencias (1 a 2 GHz) es la preferida para el funcionamiento de
los radares de vigilancia aérea de largo alcance por encima de 250 NM (≈400 km).
Estos radares transmiten pulsos de alta potencia, ancho de banda amplio y una
modulación intrapulsada. Debido a la curvatura de la tierra, el rango máximo
alcanzable es limitado para los objetivos que vuelan con baja altitud. Estos objetos
desaparecen muy rápido tras el horizonte del radar.
En el manejo del tráfico aéreo (ATM), los radares de vigilancia de largo alcance
como el radar de vigilancia de ruta aéreas (ARSR) trabaja en esta banda de
frecuencia. Acoplado con un radar de vigilancia de mono pulso secundario
(MSSR) que utilizan una proporción relativamente grande, y muy lenta rotación de
antena. Como una especie de rima nemotécnica se puede recordar que los
radares de banda L tienen antena de gran tamaño o largo alcance.

Banda E/F (Banda Radar S)

En la banda de frecuencia de 2 a 4 GHz la atenuación atmosférica es ligeramente
superior que en la Banda D. Los equipos de radar en esta banda necesitan una
potencia de transmisión mayor a la usada en los rangos más bajos de frecuencia
para lograr un alcance máximo bueno. Como ejemplo dado, el radar de energía
media (MPR), con una potencia de impulso de hasta 20 MW. En este rango de
frecuencia la influencia de las condiciones meteorológicas es mayor que en la
banda D. De cualquier modo, algunos radares meteorológicos trabajan esta
Banda E/F, pero sobretodo en condiciones climáticas subtropicales y tropicales,
porque es aquí donde el radar puede ver más allá de una fuerte tormenta.
Radares Especiales de Vigilancia en Aeropuertos (ASR) se utilizan en los
aeropuertos para detectar y mostrar la posición de la aeronave en el terminal
aéreo con un alcance medio de hasta 50…60 NM (≈100 km). Un ASR sirve para
apoyar a los controladores aéreos pues detecta la posición de las aeronaves y las
condiciones meteorológicas en las proximidades de los aeropuertos civiles y
militares. Como una especie de rima nemotécnica se puede recordar que los
radares de banda S (contrario a la banda L) tienen una antena pequeña o corto
alcance.

Banda G (Banda Radar C)

En la banda de frecuencia G hay muchos sistemas móviles de vigilancia usados
en el campo de batalla militar, control de misiles y conjuntos de radares de
vigilancia con un corto o mediano alcance. El tamaño de las antenas proporciona
una excelente precisión y resolución, además que su tamaño no es un
inconveniente para un rápido traslado. La influencia de condiciones
meteorológicas adversas es muy alta. Por lo tanto los radares de vigilancia aérea
son en su mayoría equipados con antenas de polarización circular. Esta banda de
frecuencias está predeterminada para la mayoría de los tipos de radares
meteorológicos usados para localizar precipitaciones en zonas templadas como
Europa.

Banda I/J (Banda de Radar X & Ku)

En esta banda de frecuencia (8 a 12 GHz) la relación entre la longitud de onda
utilizada y el tamaño de la antena es considerablemente mejor que en las bandas
de menor frecuencia. La Banda I/J- es una banda de radar relativamente popular
para aplicaciones militares como radares aerotransportados para el ejercicio de las
funciones de interceptor, caza y ataque de combatientes enemigos y objetivos en
tierra. El tamaño de la antena muy pequeña proporciona un buen rendimiento.
Sistemas de guía de misiles en la banda I/J son de un tamaño conveniente y por
tanto de interés para las aplicaciones donde la movilidad y el peso ligero son
importantes y el alcance lejano no es un requisito importante.

Banda K (Banda Radar K & Ka)

Cuanto más alta es la frecuencia, más altas son la absorción y la atenuación
atmosféricas de las ondas. Por otra parte, la exactitud y la resolución en
distancia se incrementan también. Los usos del radar en esta banda de frecuencia
proporcionan muy poco cubrimiento en distancia, resolución muy alta y datos de
alta tasa de renovación. En el ATM estos sistemas de radar son
llamados: Radares de Movimiento en la
Superficie (Surface Movement Radar, SMR) o Equipo de detección en la superficie
del aeropuerto (Airport Surface Detection Equipment, ASDE). La utilización de
pulsos de transmisión muy cortos de unos nanosegundos permite una resolución
en distancia que deja visualizar el contorno del avión en la pantalla de los radares.

Banda V
Debido a la dispersión molecular (En este caso se trata de la influencia de la
humedad del aire). Esta banda de frecuencia genera una alta atenuación. La
aplicación para los radares esta limitada para una corta distancia de un par de
metros.

W-Band
Aquí aparecen dos fenómenos de atenuación atmosférica: un máximo de
atenuación de alrededor de unos 75 GHz y un mínimo relativo a unos 96 GHz
Ambos rangos de frecuencia prácticamente están en uso. En la ingeniería
automotriz pequeños dispositivos de radar que funcionan a 75…76 GHz para
asistentes de frenado y asistente de estacionamiento. La atenuación alta (aquí la
influencia de las moléculas de oxígeno O2) mejora la inmunidad a la injerencia de
estos conjuntos de radar.
Hay conjuntos de radar operando de 96 a 98 GHz como equipos de laboratorio
aún. Estas aplicaciones ofrecen una vista preliminar para un uso del radar en
frecuencias extremadamente más altas como 100 GHz.
Radio Motorola EP450

Figura 39 Radio Motorola EP450

La em400 esto es una base que va con una fuente de alimentación conectada a la
red eléctrica en caso de ser base fija o móvil en un vehículo conectada a la batería
del mismo.
Transmisor Baja Potencia Alta Potencia
- 25W 45W (VHF)
25W 40W (UHF)
el tema del alcance en vhf es mayor que el de uhf pero tranquilamente alcanza a
cubrir una ciudad (7 km de radio) si tenemos en la base una buena altura en la
antena 30 - 40 metros
Radio Portátil Profesional PRO5150-Motorola

La Pro5150 tiene un alcance en vhf es

mayor que el de uhf, pero tranquilamente
alcanza a cubrir una ciudad (12 km de radio)
si tenemos en la base una buena altura en la
antena 30 - 40 metros
Alcance estimado de las Emisoras de FM y TV abierto
El alcance de una estación de radio de FM (88 a 108 Mhz) y de una estación de
TV en VHF (60 a 88 mhz y 174 a 216 mhz) estará dado por varios factores a
saber:
La señal puede llegar algo más allá del mismo modo que en una noche levemente
brumosa, se puede ver las luminosidad de los faros de un automóvil que se halla
detrás de una barranca en la ruta, pero es conveniente considerar a esa zona más
allá del radiohorizonte como “de cobertura marginal”.
No es extraño que alguna noche de verano la emisión alcance algunos cientos de
Km, ello debe comprenderse como una interesante condición anómala, debido a
condiciones atmosféricas y con una probabilidad de ocurrencia bastante baja.
Supóngase, para simplificar, un equipo emisor de 25W, acoplado a un antena sin
ganancia mediante un cable sin pérdidas, con una altura de 20 m.
Se tiene:
 Alcance de la vía óptica 23,5Km
Se toma una distancia de prueba de 20 Km y se efectúa una medición de la
potencia recibida en una antena “testigo” situada a 1,5 m de altura obteniéndose:
 Potencia recibida 3,8 E-13W
 Potencia recibida en dBW -124,2 dBW
Duplicando la altura de la antena los resultados son:
 Alcance de la vía óptica 31,2 Km
 Potencia recibida 1,51 E-12 W
 Potencia recibida en dBW -118,2 dBW
Si se compara la potencia recibida en dBW se nota una diferencia de +6 dB. ¡Esta
diferencia equivale a emitir con un trasmisor de 100 W en la antena con 20 m de
altura! Al duplicar la altura se ha logrado el equivalente a multiplicar por cuatro la
potencia del emisor y además se extendió el radiohorizonte en casi un 33%.
Potencia efectiva irradiada
La potencia efectiva irradiada llamada “El Salario de Bolsillo”, es lo que le queda a
alguien después que le han descontado para la jubilación, el sindicato, la obra
social y le agregaron por familia numerosa, escolaridad, etc., etc. Ahora saber el
sueldo “nominal”, nada dice acerca de si le alcanza para llegar hasta fin de mes…
Lo mismo acontece con la potencia de su trasmisor. Desde ya que cuanto mayor
sea la misma, mayor será el alcance pero, al igual que el sueldo, el tema pasa por
tratar de achicar lo que se quita y aumentar lo que se agrega.
 La potencia efectiva irradiada AUMENTA cuando:
 Aumenta la potencia nominal del trasmisor.
 Se emplea antenas con mas “ganancia”.
 La potencia efectiva irradiada DISMINUYE cuando:
 El cable coaxil que va del trasmisor a la antena se “alarga”.
 El mismo tiene altas pérdidas por unidad de longitud.
ELECTRONICA I PROFESORA MARIA ISABEL SCHIAVON

FUNDAMENTOS DE DIODOS

El diodo ideal
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la
Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento
del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de ánodo (a) a cátodo (k).
iD
+ vD -
a k vD

iD

FIGURA 1: SÍMBOLO Y CURVA CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE DEL DIODO IDEAL.

El diodo ideal es un componente que presenta resistencia nula al aso de la corriente en un

determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del
símbolo de la figura 1 indica el sentido permitido de la corriente. En los circuitos de la figura 2
se ejemplifica el funcionamiento de un diodo ideal.

FIGURA 2: EJEMPLO DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO IDEAL.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite la circulación de corriente, la corriente circula de

ánodo a cátodo y el diodo se comporta como un interruptor cerrado, la corriente que circula por
la resistencia es de 5 mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente,
comportándose como un interruptor abierto, y la caída de tensión en la resistencia es nula: los
10V determinan la tensión inversa que soporta el diodo.
La Juntura PN
Si se divide un monocristal de silicio puro en dos zonas cuya frontera queda definida por un
plano, una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (figura 3). La zona P tiene
un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por
ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de átomos del grupo
V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario (portadores
minoritarios), aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior que la de los
portadores mayoritarios.

FIGURA 3: IMPURIFICACIÓN DEL SILICIO PARA LA OBTENCIÓN DE DIODOS PN

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Dado que en cada zona la carga total es neutra, por cada electrón hay un Ion positivo, y por
cada hueco un Ion negativo, no existen distribuciones de carga neta ni campos eléctricos
internos. Al crear dos zonas de diferente concentración de portadores, entra en juego el
mecanismo de la difusión que tiende a llevar partículas de donde hay más a donde hay menos.
El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y
se instalan en la zona contraria, es decir que electrones de la zona N pasan a la zona P y
huecos de la zona P pasan a la zona N. Este movimiento de portadores de carga tiene como
efecto que a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es positiva en la
zona N y negativa en la zona P tal como se muestra en la figura 4. La distribución de cargas
formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P.

FIGURA 4: FORMACIÓN DE LA UNIÓN PN

El campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo

conforme pasan más cargas a la zona opuesta, hasta que la fuerza de la difusión y la del
campo eléctrico se equilibran y cesa el traslado de portadores. En ese momento está ya
formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se ha obtenido una zona
semiconductora tipo P con una resistencia RP, una zona semiconductora tipo N con una
resistencia RN, y una zona de agotamiento que no es conductora puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o sea que existe una barrera de
potencial. Este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se generan las
zonas N y P por agitación térmica, o sea que no necesita ningún aporte de energía externa.

Polarización directa
El bloque PN descrito en el apartado anterior en principio no permite el establecimiento de una
corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es conductora. Si
se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los
huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de agotamiento (Figura 5a).
Sin embargo, mientras ésta exista la conducción es casi nula. Si la tensión aplicada supera a la
de barrera, desaparece la zona de agotamiento, electrones y huecos se dirigen a la unión y se
recombinan. En estas condiciones la corriente queda determinada por el circuito externo ya que
la tensión en bornes de la juntura permanece prácticamente constante. (Figura 5b):
V V

0<V<VBARRERA ⇒ I ≈ 0 V>VBARRERA ⇒ I >0

FIGURA 5: (a) DIODO PN DURANTE LA APLICACIÓN DE UNA TENSIÓN INFERIOR A LA DE BARRERA

(b) DIODO PN BAJO LA ACCIÓN DE UNA TENSIÓN MAYOR QUE LA DE BARRERA
En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la zona P y negativa
a la zona N. Un diodo PN conduce cuando está polarizado directamente, si bien recién cuando
la tensión aplicada vence la barrera de potencial los portadores de carga tienen un movimiento
suficiente para que la zona de agotamiento se inunde de cargas móviles.

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Polarización inversa
Al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores
mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos
aumentando la anchura de la zona de agotamiento, y la corriente debido a los portadores
mayoritarios es nula (figura 6). Dado que en ambas zonas hay portadores minoritarios, y un
diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios, estos portadores
minoritarios son atraídos hacia la unión. Este movimiento crea una corriente cuya magnitud es
muy inferior a la que se obtendría en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

FIGURA 6: DIODO PN POLARIZADO EN INVERSA

Al aumentar la tensión inversa, hay un nivel de tensión, al igual que sucede en un material
aislante, en que se produce la ruptura de la zona de agotamiento: el campo eléctrico puede ser
tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de
silicio, originando un proceso de ruptura por avalancha. Esta ruptura, no necesariamente
conlleva la destrucción de la juntura, mientras la potencia disipada se mantenga en niveles
admisibles.

DIODO DE UNIÓN PN
Se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas,
es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos
para la conexión con el resto del circuito. En la figura 7 se presenta el esquema de los dos tipos
de diodos que se fabrican comúnmente, el diodo vertical y el plano.

DIODO VERTICAL DIODO PLANO

FIGURA 7: ESQUEMAS DE DIODOS DE UNIÓN PN

El comportamiento de un diodo real presenta algunas desviaciones con respecto al del diodo
ideal.

Característica tensión-corriente
La Figura 8 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

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Polarización Directa vD>0

Polarización Inversa vD<0

vD
ηVT
iD ≈ I o e
iD ≈ − I o
IT
VBr

Vγ

Curva
característica

FIGURA 8: CARACTERÍSTICA V-I DE UN DIODO DE UNIÓN PN.

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento.

En polarización directa (PD, vD>0), se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la tensión
aplicada no supera la barrera de potencial, la corriente que circula es muy pequeña y podría
considerarse nula, si bien va creciendo gradualmente. Cuando se va alcanzando la tensión de
la barrera de potencial, la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente
disminuye progresivamente, hasta que al alcanzar esa tensión queda limitada sólo por las
resistencias intrínsecas de las zonas P y N y la intensidad de corriente que circula por la unión
aumenta rápidamente, grandes variaciones de corriente para pequeñas variaciones de tensión.
En el caso de los diodos de silicio, la tensión que corresponde a la barrera de potencial se sitúa
entre los 0,6V y 0,7V, en los de germanio en el orden de los 0,2V y en los de arseniuro de galio
alrededor del V.
En la gráfica se identifica el punto de trabajo de plena conducción para el cual el fabricante
realiza el ensayo y brinda los datos de la corriente de test (IT) para la cual mide la tensión que
definimos como umbral (Vγ). Normalmente esta corriente está en el orden del 10% al 20% de
la corriente que circularía cuando el diodo disipase la máxima potencia permitida.
PMAX
I MAX ≈ IT ≈ 0,1I MAX
Vγ
En polarización inversa, tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es prácticamente nula
(mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, ya que
los responsables de esta conducción son los portadores minoritarios) hasta llegar a la ruptura
en la avalancha, en la que la corriente aumenta en forma abrupta.
En la Figura 9 se representan esquemáticamente las diferencias entre los comportamientos del
diodo de unión PN y el diodo ideal.

FIGURA 9: DIFERENCIAS ENTRE EL COMPORTAMIENTO DEL DIODO DE UNIÓN PN Y DEL DIODO IDEAL

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Principales características comerciales

A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas
características apropiadas para dicha aplicación. Para ello, se debe examinar cuidadosamente
la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las características comerciales más
importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:
1. Potencia máxima que puede disipar (PMAX)
2. Corriente máxima en directa, IFMAX o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño, puesto
que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los
fabricantes suelen distinguir tres límites: Corriente máxima (IFM, Forward Maximum Current),
Corriente de pico no repetitivo (IFP, Peak Forward Current), en la que se especifica también
el tiempo de duración del pico, Corriente de pico repetitivo (IRFP, Recurrent Peak Forward
Current), para la cual también se especifica la frecuencia máxima de repetición del pico.
3. Tensión de ruptura en polarización inversa (VIP, Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse
Voltage, PIV). Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha.
4. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión
que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura.
5. Corriente en inversa (IR, reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensión inversa.
6. Caída de tensión en PD en plena conducción, (Vγ, o VF, Forward Voltage): Pese a que se
han señalado anteriormente los valores típicos para los distintos materiales, en
ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión, mediante
la gráfica i-v del dispositivo.
Además, los fabricantes pueden suministrar datos adicionales acerca del comportamiento del
dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal.

MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el
funcionamiento de un diodo de unión PN.
Modelos para señales continuas
Bajo el término señales continuas se engloban en este caso tanto las señales constantes en el
tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja.
Modelo del diodo real
( v ηV
)
La expresión I = I o e D T − 1 es un modelo matemático que aproxima satisfactoriamente el
comportamiento del diodo real.
En esta expresión, Io, es la corriente inversa de saturación del diodo que depende de la
estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.
η, es el factor de idealidad cuyo valor, que depende de las dimensiones del diodo, del material
semiconductor, de la magnitud de la corriente Io y de la potencia que disipa, está entre 1 y 2.
VT, es el potencial térmico del diodo que a temperatura ambiente (T=25ºC) tiene un valor de
25.71mV. Su valor se obtiene de la siguiente expresión: VT = K T , como función de la constante
q
de Boltzmann (K=1,38 10 J/ºK), la carga del electrón (q =1,6 10-19C) y la temperatura absoluta
-23

del diodo T[ºK], según

La representación gráfica de este modelo se muestra en la figura 10. Como puede apreciarse,
este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa. Tener en cuenta que la tensión
VON , no se corresponde exactamente con la tensión Vγ definida anteriormente.
El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos
no contemplados en la teoría básica. Algunos modelos empleados en los programas simulación
por ordenador constan de hasta quince parámetros, sin embargo, a la hora de realizar cálculos
sobre el papel resulta poco práctico utilizar un modelo complejo, por lo cual se utilizan modelos
básicos para obtener soluciones de modo más simple.

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iD

vD
VON

FIGURA 11: REPRESENTACIÓN GRÁFICA DEL MODELO DEL DIODO REAL.

Modelo ideal del diodo de unión PN

El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo que el factor de idealidad es
unitario, η=1, suponiendo que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que, por lo
tanto, la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña, frente a la caída de tensión en
la unión PN.

(
I = I o ev D VT
)
−1

Para V<0, el término exponencial es muy pequeño, despreciable frente a la unidad. Entonces la
intensidad tiende al valor Io, que es la corriente inversa del diodo.
Para V >0, la exponencial crece por encima de la unidad, lentamente para valores <VON y más
rápidamente para valores >VON.

Modelo lineal por tramos

Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su carácter no
lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del
diodo de unión PN, considerando la corriente a través de la unión es nula cuando la tensión en
el diodo no alcanza la tensión umbral (vD ≤ Vγ), mientras que, para tensiones mayores en
directa, la caída de tensión en la unión PN (vD =Vγ) es constante e independiente de la
intensidad que circule por el diodo
Tomando como variable independiente la intensidad i en la ecuación ideal del diodo se puede
calcular la caída de tensión en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los
circuitos electrónicos.

 i 
vd = VT ln + 1
 Io 

A partir de esta expresión, si se considera un diodo de unión PN de silicio con una Io=85fA a
una temperatura ambiente de T=25ºC, y en consecuencia, el potencial térmico VT=25.7mV, para
un intervalo de corrientes 1 mA ≤ i ≤ 1 A se tienen tensiones en el diodo entre 0,6V y =0,77V.
Este es el intervalo en el cual se encuentran los valores de Vγ para un diodo de silicio.
Como se puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 1000 veces, la tensión apenas
ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la caída de tensión
en la unión PN a un valor constante de 0,6V o 0.7 V.
Con estas simplificaciones se divide el modelo en dos tramos lineales denominados corte y
conducción, cada uno de los cuales responde a diferentes condiciones: el diodo queda
convertido en un componente biestado.
El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:
Corte: vD < Vγ ⇒iD=0 Conducción: vD ≡ Vγ ⇒iD>0
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La figura 11 se muestran los modelos lineales por tramos para el diodo, en una primera y otra
segunda aproximación. En ambas se reflejan los dos posibles estados del diodo el diodo: "On"
o Conducción, donde la tensión es Vγ para cualquier valor de la corriente, "Off" o Corte, donde la
corriente es nula para cualquier valor de tensión menor que Vγ. En la primera aproximación el
valor de Vγ se considera nulo. Este es un modelo que permite realizar un análisis simplificado
del circuito y que incluso permite determinar valores aproximados de las corrientes que circulan
(la desviación respecto al valor real dependen de la relación entre las tensiones que alimentan
o excitan el circuito y la tensión umbral).

SEGUNDA APROXIMACION
PRIMERA APROXIMACION

iD > 0 ⇒ v D = 0 iD > 0 ⇒ vD = Vγ
iD = 0 ⇒ v D < 0 iD = 0 ⇒ v D < 0

IT

Vγγ
Cuando el diodo está cortado, el diodo fija su corriente iD= 0
vD <0 depende del circuito externo
Cuando conduce, el diodo fija la tensión en sus bornes vD ≅ Vγ ≈ 0
iD depende del circuito externo

FIGURA 11: MODELO LINEAL POR TRAMOS DEL DIODO.

Modelo para pequeñas señales de alterna

Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza con una tensión continua en un punto de
trabajo en la zona de conducción, y sobre ese punto se superpone una señal alterna de
amplitud tal que no provoca un cambio en la zona de funcionamiento del diodo (figura 12), o
sea el diodo permanece en la zona de plena conducción.

R
vi(t

FIGURA 12: DIODO POLARIZADO CON UNA SEÑAL ALTERNA SUPERPUESTA

En la figura 13 se representa gráficamente el funcionamiento del diodo.

La tensión en el diodo está dada por: vD = VDQ + vd ( t ) , la corriente que lo atraviesa puede
calcularse aplicando cualquiera de los modelos anteriores.
(V + v ) V
Si se utiliza el modelo exponencial ideal: iD = I o e DQ d ( t ) T . Suponiendo conocida la amplitud
de las oscilaciones de la tensión sobre el diodo (vi) la amplitud de las oscilaciones de la
corriente (id) queda dada por:
  VDQ + ∆v2D  VT
 ∆v 
 VDQ − D  VT 
∆iD = I o  e 
− e 2  
 
 
El cálculo resulta complicado, e incluso es posible que no se pueda obtener una solución
analítica.

2012 7/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS

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iD
(V-Vγ)/R

∆i D

vD
V

∆v D
FIGURA 13: TENSIÓN Y CORRIENTE EN UN DIODO POLARIZADO CON UNA SEÑAL ALTERNA SUPERPUESTA

Para obtener una solución de una forma más simple se linealiza la curva del diodo en el
entorno del punto de operación, es decir, se sustituye dicha curva por una recta cuya pendiente
es la de la tangente en el punto de operación, según se muestra en la Figura 14.

iD

∆iD

vD

∆vD

FIGURA 14: APROXIMACIÓN DE LA CARACTERÍSTICA DEL DIODO POR LA TANGENTE EN EL PUNTO DE OPERACIÓN

Teniendo en cuenta esta aproximación, la relación entre los incrementos de tensión y de

 dvD 
corriente pueden relacionarse por: ∆vD =   ∆iD
 diD  Q
Esta aproximación será tanto más cierta cuanto menores sean las variaciones. La derivada de
la tensión con respecto a la corriente en el punto de operación se la identifica como la
resistencia dinámica del diodo rD, y su expresión puede determinarse a partir del modelo
exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si el diodo está en la zona de conducción, VDQ
es lo suficientemente mayor que VT y puede despreciarse la unidad frente al término
exponencial:
 ∂v 
(
iD = I o ev D VT
)
− 1 ≈ I oev D VT ⇒ rd =  D  ≈ T
V
 ∂iD  Q I DQ
Como VT es aproximadamente 25 mV, la expresión válida para el cálculo de la resistencia
dinámica de un diodo en función de la corriente de polarización continua puede calcularse
mediante la aproximación de Shockley:
25mV
rd ≈
I DQ
Recordar que este cálculo aproximado sólo es válido en la región de conducción en
polarización directa.

2012 8/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS

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APLICACIÓN DE LOS MODELOS AL ANÁLISIS DE CIRCUITOS

A continuación se detallan algunos métodos válidos para el análisis de circuitos con diodos,
basándose en los modelos expuestos en el apartado anterior, suponiendo que se dispone de
un circuito como el de la figura 15.

FIGURA 15: DIODO POLARIZADO

Modelo exponencial
1. Sustituir el diodo por una fuente de tensión vD con el signo positivo en el ánodo, y nombrar
como iD a la corriente que va de ánodo a cátodo del diodo
2. Resolver el circuito empleando las variables vD e iD como si fueran conocidas para:
1. Obtener la expresión que relaciona vD con iD
2. La ecuación del modelo exponencial del diodo proporciona otra relación entre vD e iD
3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas.
Modelo lineal por tramos
Se parte de que el diodo está en conducción, se sustituye el diodo por el modelo (una fuente de
tensión de valor Vγ que se opone a la circulación de corriente) y se calculan las tensiones y
corrientes del circuito. Una vez calculado el punto de polarización del diodo se comprueba la
validez de la hipótesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condición de
existencia (la corriente debe circular en el sentido que corresponde a la fuente V). En el caso
de que no lo sean, la hipótesis de partida no es correcta y es necesario rehacer todos los
cálculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario.
Método gráfico
El procedimiento para el cálculo sería:
1. Determinar la expresión de la recta de carga calculando el circuito equivalente de
Thevenin que ve el diodo.
2. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado superpuesta al
gráfico de la curva característica del diodo.
3. Hallar el punto de intersección de ambas curvas
Pequeñas señales de alterna
Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra
alterna de pequeña amplitud se resuelven aplicando el principio de superposición (figura 16),
partiendo de la hipótesis de que el diodo estará en una de la zonas de funcionamiento y no sale
de la misma por efecto de la señal de alterna.

vi

V iD

vi
id

FIGURA 16: ANÁLISIS DEL CIRCUITO POR SUPERPOSICION

2012 9/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS
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1. Análisis DC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes de alterna y se determina el punto

de operación del diodo.
2. Si el diodo está en conducción, se determina la resistencia dinámica del diodo utilizando
los datos del punto de trabajo.
3. Se cortocircuitan las fuentes de continua y se realiza el análisis del circuito de alterna
sustituyendo el diodo por su resistencia dinámica. De ese modo se obtiene el modelo
equivalente en pequeña señal que permite determina las variaciones que se producen
en el diodo.

DIODOS ZENER
El diodo zener es básicamente un diodo común que se diseña para aprovechar la tensión
inversa de ruptura, con una curva característica brusca o afilada. Esto se consigue
fundamentalmente a través del control de los dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura
de 2V a 200V, y potencias máximas desde 0.5W a 50W. La curva característica de un diodo
zener no se diferencia mucho de la del diodo idea, como puede verse en la figura 17. La
filosofía de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya
que mantiene constante la tensión entre sus terminales en el valor de su tensión zener, VZ,. Sus
aplicaciones básicas son como regulador de tensión o bien como recortador.

Polarización
como diodo
común
Polarización
como zener

Vz Vγ

FIGURA 17: CARACTERÍSTICA V-I DE UN DIODO ZENER.

Los parámetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, salvo
que se identifica la tensión de zener, VZ, y no una tensión de pico inverso.
El diodo zener es un dispositivo de tres estados operativos: conducción en polarización directa
(como en un diodo normal), corte en polarización inversa (como en un diodo normal), y
conducción en polarización inversa donde mantiene constante la tensión en su valor de tensión
de zener (VZ) con una corriente entre 0 y la corriente máxima que corresponde a la máxima
potencia que puede disipar.
EJEMPLO DE APLICACIÓN DEL DIODO: RECTIFICACIÓN
La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. Esta
energía se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de distribución. Sin

2012 10/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS

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embargo, en muchas ocasiones, se requiere una tensión de alimentación continua. Un

rectificador es, básicamente, un dispositivo que transforma la tensión alterna en continua.

vo = continua
vi = VM sen ωt
(no cambia de signo)

FIGURA 18: ESQUEMA GENERAL DEL PROCESO DE RECTIFICACIÓN.

El rectificador es un circuito muy utilizado. En general, llevan incorporado en primer lugar un

transformador de tensión. El transformador permite obtener a partir de tensión de la red (220V
eficaces) una tensión del valor deseado. Una vez reducida la tensión, el rectificador convierte la
tensión alterna en continua en el sentido matemático. Para los análisis, en la salida del circuito
rectificador se coloca una resistencia de carga (RL), ya que todo aquello que vaya a ser
alimentado por este circuito puede reducirse a una simple resistencia de carga mediante su
circuito equivalente de Thevenin. Un rectificador funciona en vacío cuando no se le conecta
ninguna carga, es decir, cuando la RL no está unida al circuito. En caso contrario funciona en
carga.
El esquema de la Figura 19 es el más sencillo de los rectificadores: el rectificador de media
onda.

FIGURA 19: ESQUEMA DE UN RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.

Cuando el valor de la tensión de entrada es superior a la de conducción del diodo se crea una
corriente, y se cumple que la tensión sobre la carga esta dada por: vL = vi -Vγ.
Si se utiliza el modelo en primera aproximación, Vγ =0, cuando la tensión de entrada sea mayor
que cero, vL = vi. Si la tensión de entrada es negativa, vi <0, el diodo esta en cortado y no
circulara corriente por lo cual la caída de potencial en RL será nula (vL =0). (figura 20).
Como se puede apreciar, la tensión de salida vL no tiene un valor constante en el tiempo (no
responde a lo que en electrónica interpretamos como continua, pero lo es en el sentido
matemático pues no cambia su signo o polaridad). Aunque no es constante, siempre es mayor
que cero, y su valor medio es diferente de cero. Con circuitos más complejos, se intenta que
esta onda de salida se parezca lo más posible a una línea horizontal, pero siempre tendremos
una desviación de la ideal, que se cuantifica por el rizado o ripple de la onda de salida que se
define como el valor eficaz de las componentes de alterna de la salida sobre el valor medio de
la misma, y en este caso queda determinado por:
Vefca
Fr =
Vmed

En este caso, el rizado es casi del 100%. Para disminuir el rizado, se recurre agregar un filtro a
capacitor.

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FIGURA 20: TENSIONES EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA 19.

Rectificador de media onda con filtro capacitivo

El condensador o capacitor es un componente que almacena energía, cuando se somete a una
diferencia de potencial, esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas, en el momento en
el que cesa el potencial, las cargas pueden retornar a un circuito y comportarse como un
generador de tensión. En la figura 21 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio
a la rectificación. Lo que se pretende es que sea el capacitor el que alimente a la carga cuando
el diodo no permita la conducción desde la fuente de alimentación.

vi=VM sen ω t

FIGURA 21: ESQUEMA DE RECTIFICADOR CON CAPACITOR.

Primero se analizará el funcionamiento en vacío, es decir, sin carga (figura 22).

FIGURA 22: FUNCIONAMIENTO EN VACÍO.

Sea vi= VM·senωt, y considerando la caída de tensión en el diodo en conducción despreciable,

en el instante inicial el condensador se encuentra descargado. Cuando ωt está entre 0 y π/2, el
diodo está polarizado en directa y por el circula una corriente que carga al capacitor. El
capacitor sigue a la tensión de entrada.
Cuando la tensión de entrada empieza a decrecer el condensador, cargado con una diferencia
de potencial VC = VM no puede entregar la energía que almacenó pues el circuito está en vacío
y la corriente no puede circular dado que el diodo está en inversa para ese sentido de
2012 12/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS
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circulación, C no puede descargarse y mantiene fija la tensión en VM, y el diodo permanece

cortado, y la tensión en la salida es constante. La figura 23 muestra las formas de onda.

vi

vC

vD

FIGURA 23: TENSIONES EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA 22.

Para el análisis del funcionamiento en carga se recurre al circuito de la figura 24, en el cual
se ha agregado una carga (RL) al rectificador con filtro capacitivo.
ii iL

vC vO
vi=VMsen ω t

FIGURA 24: DISPOSITIVO EN CARGA.

Cuando el diodo conduce, una parte de la corriente que lo circula carga al capacitor y otra
circula por la resistencia de carga. La corriente que circula por RL, y si se considera el diodo
vi VM senω t
ideal resulta: iL = = , y la corriente que circula por el condensador tendrá forma
RL RL
v
senoidal con un desfasaje de noventa grados respecto a la entrada ⇒ iC = i = ω CVM cos ωt
XC
Cuando ωt >π/2, la tensión de entrada comienza a disminuir y el capacitor comienza a entregar
la energía almacenada a la carga intentando seguir el decrecimiento de la alimentación, la
corriente por el diodo comienza a disminuir, y en el instante en que esa corriente se hace cero
el diodo se corta y queda contratensionado dado que se supone que el decrecimiento de la
tensión de alimentación es más rápido que la descarga del capacitor a través de la carga según
una ley exponencial determinada por la constante RLC. O sea que el valor de C debe ser lo
suficientemente grande como para que su descarga sea lo suficientemente lenta y la tensión en
sus bornes decrezca a un ritmo menor que la senoide de entrada, en esta condiciones el diodo
queda contratensionado y permanece cortado hasta que la tensión de entrada creciente en el
semiciclo positivo haya alcanzado la tensión decreciente del capacitor. De esta manera la
carga recibe potencia durante todo el período de la senoidal.

2012 13/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS

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vC iL
vi=VMsen ω t

FIGURA 25: DESCARGA DE C A TRAVÉS DE RL.

El condensador va perdiendo su carga y el diodo permanece cortado. Cuando la tensión de

entrada comienza a crecer nuevamente, llega un momento en que alcanza el valor de la
tensión decreciente del capacitor y el diodo entra en conducción nuevamente volviéndose a
repetir la secuencia. En la figura 26 se muestran las formas de onda para el caso en que la
constante de tiempo de descarga del capacitor es mucho mayor que el semiperiodo de la
senoidal (τ=RLC>>T/2=π/ω).
vi

vO

vD

FIGURA 26: TENSIONES EN EL RECTIFICADOR CON FILTRO CAPACITIVO Y CARGA.

Tal como se aprecia en la figura 26, el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior.
Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a través de la resistencia. Como se
recordará, cuanto mayor sea el valor de C, mayor será el tiempo que necesita para
descargarse, y menor el rizado. Como contrapartida, si C es muy grande, el tiempo de
conducción del diodo disminuye y las condiciones de funcionamiento para el diodo son más
exigentes ya que aumenta su pico de corriente repetitivo, y en consecuencia la potencia
instantánea que disipa.

Selección de los componentes

Diodo.

Corriente de pico no repetitivo, IFMAX.

Corriente de pico repetitivo, IFPR

Corriente media, IO

Tensión máxima en inversa, VIP. En el caso del rectificador con filtro VIP=2VM
Condensador
El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado
máximo admisible en el circuito. Para una frecuencia de excitación fijada, por ejemplo la de la
2012 14/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS
ELECTRONICA I PROFESORA MARIA ISABEL SCHIAVON

red eléctrica doméstica, es posible emplear la siguiente expresión para estimar un valor
adecuado para el capacitor:
I Otc
C≈
Vrizado
donde tc: tiempo de descarga del condensador, Vrizado: diferencia entre la tensión máxima y
mínima admisible.

Rectificador de onda completa

Si bien el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, se desaprovecha
medio ciclo de la red. La potencia transmitida a la carga se limita, y el rizado. En el circuito de
la figura 27, puente de diodos, se consigue que la carga reciba potencia de la entrada en el
semiciclo negativo y permite obtener un menor rizado sobre la carga.

vi=VM senω t

FIGURA 27: RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA.

Dado un valor positivo de la tensión de entrada, vi=VM senω t > 0. El punto A está sometido al
mayor potencial del circuito mientras que D se encuentra a potencial nulo, el menor en ese
instante. Por lo tanto, los puntos B y C se encontrarán a un potencial intermedio entre 0 y VM
voltios. Los diodos D2 y D4 conducen, mientras que D1 y D3 están inversamente polarizados. La
corriente circula por RL de C a D. En la figura 28 se muestra el circuito equivalente en este
semiciclo.

ii

vi=VM senω t

vO

FIGURA 28: RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA DURANTE LOS SEMICICLOS POSITIVOS.

Mediante un razonamiento análogo se determinó el esquema equivalente mostrado en la

Figura 29 para el semiciclo negativo de la entrada. Conducen D1 y D3 mientras que D2 y D4
están cortados. La corriente circula por la carga en el mismo sentido que antes (de C a D).
iL

vi=VMsenω t

vC

FIGURA 29: RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA DURANTE LOS SEMICICLOS NEGATIVOS.

En ambos casos, la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido, en consecuencia la
caída de tensión sobre ella siempre es del mismo signo.

2012 15/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS

ELECTRONICA I PROFESORA MARIA ISABEL SCHIAVON

El rizado, como puede observarse en la figura 30, resulta la mitad del obtenido en el rectificador
de media onda. Si ahora se filtrase esta señal mediante un condensador, mejoraría el rizado y
el condensador necesario es de menor capacidad que en el circuito de media onda, puesto que
el tiempo que el diodo permanece cortado es menor que en el rectificador de media onda.
vi

vO

FIGURA 30: TENSIONES EN EL RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA.

2012 16/16 FUNDAMENTOS DE DIODOS

 Material recopilado de Internet con fines educativos . Prof: DJB
EL DIODO - TIPOS DE DIODOS - CARACTERÍSTICAS
Función

Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad solo en un sentido.
La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la corriente. Los diodos son
la versión eléctrica de la válvula o tubo de vacío y al principio los diodos fueron llamados realmente
válvulas.
Ejemplos: Símbolo de
circuito:

Caída de tensión en directa. Curva característica

La electricidad utiliza una pequeña energía para poder pasar a través del
diodo, de forma similar a como una persona empuja una puerta
venciendo un muelle. Esto significa que hay un pequeño voltaje a través
de un diodo conduciendo, este voltaje es llamado caída de voltaje o
tensión en directa y es de unos 0,7 V para todos los diodos normales
fabricados de silicio. La caída de voltaje en directa de un diodo es casi
constante cualquiera que sea la corriente que pase a través de él por lo
que tiene una característica muy pronunciada (gráfica corriente-voltaje).

Tensión inversa
Cuando una tensión o voltaje inverso es aplicado sobre un diodo ideal, este no conduce corriente, pero
todos los diodos reales presentan una fuga de corriente muy pequeña de unos pocos µA (10 -6 A) o
menos. Esto puede ignorarse o despreciarse en la mayoría de los circuitos porque será mucho más
pequeña que la corriente que fluye en sentido directo. Sin embargo, todos los diodos tienen un máximo
voltaje o tensión inversa (usualmente 50 V o más) y si esta se excede el diodo fallará y dejará pasar una
gran corriente en dirección inversa, esto es llamado ruptura.
Los diodos ordinarios pueden clasificarse dentro de dos tipos:
– diodos de señal los cuales dejan pasar pequeñas corrientes de 100 mA o menos, y
– diodos rectificadores los cuales dejan pasar grandes corrientes
Además hay diodos LED (light emitter diode: diodo emisor de luz) y diodos zener, estos últimos suelen
funcionar con tensión inversa y permiten regular y estabilizar el voltaje.

Conexión y soldadura
Los diodos deben conectarse de la forma correcta, el diagrama puede ser
etiquetado como (+) para el ánodo y (–) para el cátodo. El cátodo es
marcado por una línea pintada sobre el cuerpo del diodo. Los diodos están
rotulados con su código en una pequeña impresión, puede que necesites una
lupa potente para leer esta etiqueta sobre diodos de pequeña señal!
Los diodos de pequeña señal pueden dañarse por calentamiento cuando se
suelden, pero el riesgo es pequeño a menos que estés usando un diodo de
germanio (su código comienza con OA...) en cuyo caso deberías usar a: ánodo
k: cátodo
un disipador de calor enganchado al terminal entre la unión y el cuerpo del
diodo. Un simple terminal metálico de tipo cocodrilo puede ser usado como
disipador de calor.
Los diodos rectificadores son bastante más robustos y no es necesario tomar precauciones especiales
para soldarlos.

1
 EL DIODO
Prueba de diodos
Puedes usar un multímetro o un sencillo tester (batería, resistencia y LED) para verificar que un diodo
conduzca en una dirección pero no en la otra. Una bombilla puede usarse para comprobar un diodo
rectificador, pero NO USES una bombilla para probar un diodo de señal porque la gran corriente que
podría pasar destruiría el diodo!!

Tipos. Aplicaciones

Diodos de señal (pequeña corriente)

Los diodos de señal son usados en los circuitos para procesar información (señales eléctricas), por lo
que solo son requeridos para pasar pequeñas corrientes de hasta 100 mA.
Un diodo de señal de uso general tal como el 1N4148 está hecho de silicio y tiene una caída de tensión
directa de 0,7 V.
Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene una caída de tensión directa más baja, de 0,2 V, y esto lo
hace conveniente para usar en circuitos de radio como detectores los cuales extraen la señal de audio
desde la débil señal de radio.
Para uso general, donde la medida de la caída de tensión directa es menos importante, los diodos de
silicio son mejores porque son menos fácilmente dañados cuando se sueldan, tienen una más baja
resistencia cuando conducen, y tienen muy baja corriente de pérdida cuando se les aplica un voltaje en
inversa.

Diodo de protección para relés

Los diodos de señal son también usados para proteger transistores y
circuitos integrados del breve alto voltaje producido cuando la bobina
de un relé es desconectada. El diagrama muestra cómo un diodo de
protección es conectado “al revés” sobre la bobina del relé.
La corriente que fluye a través de la bobina de un relé crea un campo
magnético el cual cae de repente cuando la corriente deja de circular
por ella. Esta caída repentina del campo magnético induce sobre la
bobina un breve pero alto voltaje, el cual es muy probable que dañe
transistores y circuitos integrados.
El diodo de protección permite al voltaje inducido conducir una breve corriente a través de la bobina (y
el diodo) así el campo magnético se desvanece rápidamente. Esto previene que el voltaje inducido se
haga suficientemente alto como para causar algún daño a los dispositivos.

Diodos rectificadores (grandes corrientes)

Los diodos rectificadores son usados en fuentes de alimentación para
convertir la corriente alterna (AC) a corriente continua (DC), un
proceso conocido como rectificación. También son usados en circuitos
en los cuales han de pasar grandes corrientes a través del diodo.
Todos los diodos rectificadores están hechos de silicio y por lo tanto
tienen una caída de tensión directa de 0,7 V. La tabla muestra la
máxima corriente y el máximo voltaje inverso para algunos diodos
rectificadores populares. El 1N4001 es adecuado para circuitos con
más bajo voltaje y una corriente inferior a 1A

Puentes rectificadores
Hay varias maneras de conectar los diodos para construir un rectificador y convertir la AC en DC. El
puente rectificador es una de ellas y está disponible en encapsulados especiales que contienen los cuatro
diodos requeridos. Los puentes rectificadores se clasifican por su máxima corriente y máxima tensión
inversa.

2
 EL DIODO
Tienen cuatro pines o terminales: los dos de salida de DC son
rotulados con + y -, los de entrada de AC están rotulados con el
símbolo ~.
El diagrama muestra la operación de cómo un puente rectificador
convierte la AC en DC. Nota como va alternando de a pares los diodos
que conducen la corriente en cada semiciclo.

Varios tipos de puentes rectificadores

Note que algunos tienen un agujero a través de su centro para montar el puente a un
disipador de calor Photographs © Rapid Electronics

Diodos zener

Ejemplo: Símbolo de circuito:

A: ánodo; k: cátodo

Los diodos zener se usan para mantener un voltaje fijo. Están

diseñados para trabajar de una forma confiable y no destructiva
dentro de su zona de “ruptura” de manera que pueden ser utilizados
en inversa para mantener bastante fijo el voltaje entre sus terminales.
El circuito muestra cómo debe ser conectado, con su resistencia en
serie para limitar la corriente.
Se los puede distinguir de los diodos comunes por su código y su
tensión inversa la cual está rotulada en el diodo. Los códigos para
diodos zener suelen ser BZX... o BZY... Su tensión inversa de
ruptura está grabada con una V en lugar del punto decimal, así por
ejemplo 4V7 significa 4,7 V.
Los diodos zener están clasificados por su tensión de ruptura y su máxima potencia:
• El mínimo voltaje o tensión de ruptura disponible es 2,4V
• Los rangos de potencia más comunes están entre 400mW y 1,3W
Diodo LED (Light Emitting Diode)

Función
Los diodos LED emiten luz cuando una pequeña corriente eléctrica pasa a través de ellos.

Conexión y soldadura
Los LED deben conectarse de una forma correcta, el diagrama muestra que a es
el ánodo (+) y k es el cátodo (-). El cátodo es el terminal más corto y puede tener
una parte plana sobre el cuerpo del LED. Si observas el interior del LED, el
cátodo suele ser más grande y tiene forma triangular.
Los LED pueden ser dañados por calor cuando son soldados a una placa, pero el riesgo es pequeño al

3
 EL DIODO
menos que tú estés muy lento. Ninguna precaución especial es necesario tomar al soldar la mayoría de
los LED.

Cómo probar un LED

Nunca conectes un LED directamente a una batería o fuente de alimentación!!
Será destruido casi al instante porque el exceso de corriente que pase a través de
él lo quemará.
Los LED deben ir siempre acompañados por una resistencia en serie para limitar
la corriente a un valor seguro, con el propósito de probarlo rápidamente, una
resistencia de 1 kΩ es suficiente para la mayoría de los LED si lo vas a alimentar
con una fuente de 12 V o menos. Recuerda conectar el LED de la forma
adecuada!

Colores de los LED

Los LED están disponibles en color rojo, ámbar, amarillo,
verde, azul y blanco. Los LED de color azul y blanco son
mucho más caros que los otros colores.
El color del LED está determinado por el material
semiconductor, no por el color de su encapsulado plástico.
Los LED multicolor están disponibles en encapsulado incoloro
el cual puede ser difuso (lechoso) o claro (a menudo descripto
como “agua clara”). Los encapsulados de color están también
disponibles como difusos (el tipo estándar) o transparentes.

LEDs tricolor
Los LED tricolor más comunes tienen un LED rojo y uno verde combinados en el
mismo encapsulado y con tres terminales. Son llamados tricolor porque la luz roja
mezclada con la luz verde forma el amarillo y esto se produce cuando ambos LED, el
rojo y el verde, están encendidos.
El diagrama muestra la construcción de un LED tricolor. Nota la diferente longitud de
sus tres terminales. El terminal del centro (k) es el común y el cátodo de ambos LEDs,
los otros terminales (a1 y a2) son los ánodos para permitir a cada uno iluminarse de
forma independiente, o iluminarse ambos a la vez para dar el tercer color.

LEDs bicolor
Un LED bicolor tiene dos LEDs cableados en “paralelo inverso” (uno en directa, el otro en inversa)
combinados en un mismo encapsulado con dos terminales. Solo uno de los LED puede iluminarse a la
vez y son menos útiles que los LED tricolor descriptos anteriormente.

Tamaños, formas y ángulos de visión de los LED

Los LED están disponibles en una amplia variedad de tamaños y formas. El LED
estándar tiene diámetro de 5 mm en su sección circular y es probablemente el
mejor tipo para uso general, pero los de 3 mm de diámetro son también muy
comunes.
Los LED de sección circular son usados frecuentemente y son muy fáciles de
instalar en una caja mediante la perforación de un agujero de diámetro del LED LED Clip
añadiendo un poco de pegamento que ayudará a mantener fijo el LED si fuera
necesario. Los LED clips están también disponibles para asegurarlos en agujeros. Otras formas
disponibles para LED son las de sección cuadrada, rectangular y triangular.

4
 EL DIODO
Así como la variedad de colores, tamaños y formas, los LED también varían en su ángulo de visión.
Esto te dice cuánto se extiende el haz luminoso. Los LEDs comunes tienen un ángulo de visión de 60º
pero otros un haz angosto de 30º o menos.

Cálculo de la resistencia limitadora del LED Depende de la condición de trabajo elegida

Un LED debe tener una resistencia conectada en serie para limitar la
corriente a través de él, de otra manera se quemará casi al instante.
El valor de dicha resistencia, R está dado por:
R = (VS - VL) / I
VS = voltaje de la fuente alimentación
VL = voltaje sobre el LED (usualmente 2V, pero 4V para los LEDs azules
y blancos)
I = corriente a través del LED (por ej.. 10mA = 0,01A, o 20mA = 0,02A)

Hay que asegurarse que la corriente del LED elegida sea menor que la máxima permitida y convertirla a
amperios (A) así el cálculo del valor de R dará en ohmios (Ω). Para convertir mA a A debes dividir la
corriente expresada en mA por 1000, porque 1mA = 0,001A.
Si el valor calculado no está disponible elige la resistencia estándar más cercana cuyo valor sea más
alto que el calculado, así la corriente será un poco menor que la elegida. En efecto puede que desees
elegir un valor de resistencia más grande para reducir la corriente (e incrementar la duración de la
batería por ejemplo) pero esto hará que el LED brille menos.

Por ejemplo
Si la fuente de alimentación es de VS = 9V, y tú tienes un LED rojo (V L = 2V), que requiere una
corriente I = 20mA = 0,020A,
R = (9V - 2V) / 0,02A = 350 Ω, así eliges 390 Ω (el valor estándar más cercano por encima de 350 Ω ).

Elaboración de la fórmula de la resistencia del LED usando la Ley de Ohm

La Ley de Ohm dice que la resistencia, R = V/I, donde:
V = caída de voltaje sobre la resistencia (= VS - VL en este caso)
I = la corriente a través de la resistencia

Así nos queda: R = (VS - VL) / I

Si te interesa saber un poco más puedes acceder a la Ley de Ohm (en inglés)

Leyendo una tabla de datos técnicos para LEDS

Los catálogos de proveedores comúnmente incluyen tablas de datos técnicos para componentes tales
como los diodos LED. Estas tablas contienen una gran cantidad de información útil de una forma
compacta pero puede resultar difícil de comprender si tú no estás familiarizado con las abreviaturas
usadas. La tabla de abajo muestra datos técnicos típicos para algunos de los LED de 5 mm de diámetro
con encapsulado difuso. Solo son importantes tres de las columnas, que son mostradas en negrita. Por
favor mira a continuación para las explicaciones de las cantidades.

5
 EL DIODO

IF max. Máxima corriente directa, es decir con el LED conectado correctamente

VF typ. Típico voltaje en directa, VL para el cálculo de la resistencia limitadora. Suele ser de al
rededor de 2 V, excepto para los LED de color azul y blanco para los cuales vale 4 V.
VF max. Máxima tensión directa
VR max. Máxima tensión inversa (puedes ignorar este valor para LEDs conectados correctamente)
Luminous intensity Brillo del LED para una dada corriente, mcd = milicandela.
Viewing angle Los LEDs estándar tienen un ángulo de visión de 60°, otros emiten un haz más
angosto de alrededor de 30°.
Wavelength El pico de la longitud de onda emitida, esto define el color del LED, nm = nanometro.

LEDs intermitentes (Flashing LEDs)

Los Flashing LED se parecen a los LED ordinarios pero tienen un circuito integrado (IC) además del
LED. El IC hace destellar el LED a baja frecuencia, tipicamente a 3 Hz (3 destellos por segundo). Están
diseñados para ser conectados directamente a una fuente, usualmente 9 a 12 V, y no requiere resistencia
en serie. Su frecuencia de destello es fija así su uso está limitado y tú podrías preferir construir tu propio
circuito para hacer destellar un LED ordinario, por ejemplo tu propio proyecto Flashing LED el cual
usa un circuito astable conocido como 555.

Displays a LED

Los displays a LED son encapsulados de muchos LED dispuestos en un patrón, siendo el patrón más
familiar el display de 7 segmentos que muestra los números decimales (dígitos de 0 a 9). Las imágenes
de abajo ilustran algunos de los diseños más comunes:

Gráfico de barras
(Bargraph) Matriz de puntos (Dot
7-segmentos Starburst matrix)

6
Tema 2. Teoría del Diodo.

Tema 2

TEORÍA DEL DIODO.

1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar.

2.- Polarización del diodo.
2.1.- Polarización inversa.
2.2.- Polarización directa.
3.- Curva característica del diodo.
4.- El diodo como elemento de un circuito.
5.- Aproximaciones del diodo.
5.1.- Primera aproximación.
5.2.- Segunda aproximación.
5.3.- Tercera aproximación.
5.4.- Cuarta aproximación. Diodo ideal.
6.- Capacidades y tiempo de conmutación en el diodo.
7.- Diodos LED y diodos Zener.

17
Tema 2. Teoría del Diodo.

1.- UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR.

La situación de partida es la del cristal semiconductor representado en la Figura

2.1, es decir, tenemos un semiconductor con una zona tipo p junta a una zona tipo n.

Suponemos que todas las impurezas están totalmente ionizadas y que los
portadores que tenemos en cada una de las zonas provienen de las propias impurezas, es
decir, prescindimos de momento de los pares e- - h+ que se forman por agitación
térmica.

Como ya se ha comentado en el capítulo anterior, en la zona n cada átomo de

impureza donadora (átomos con 5 e- de valencia) al introducirse en la estructura
cristalina del silicio, produce un e- libre, quedando, por tanto, el átomo cargado
positivamente. Así, podemos representar un semiconductor tipo n como se muestra en el
lado derecho de la figura 1.

De manera similar, en la zona p cada átomo de impureza aceptadora (impurezas

-
con 3 e de valencia) al introducirse en la estructura cristalina del silicio, dejan un enlace
sin completar, con lo que tienden a captar un e- para satisfacer dicho enlace. O lo que es
lo mismo tienden a ceder un hueco. El átomo de impureza aceptadora, al captar un e-
queda cargado cediendo un h+ (carga positiva), de manera que podemos observar como
el cristal sigue siendo eléctricamente neutro.

Figura 2.1.- Unión p-n

En la zona p existen gran cantidad de huecos (en una primera aproximación

tantos como impurezas aceptadoras, ya que suponemos que a temperatura ambiente
todas ellas están ionizadas). Por el contrario, en la zona n el número de huecos que
tendremos serán muy pocos (debidos a la formación de pares e- - h+ por rotura térmica
de enlaces). Por tanto se establecerá una corriente difusión de h+ de la zona p hacia la
zona n.
18
Tema 2. Teoría del Diodo.

Análogamente, en la zona n tendremos gran cantidad de e- (tantos como átomos

de impurezas donadoras). En la zona p también existirán e- pero en un número muy bajo
(como en el caso anterior debidos a la rotura térmica de enlaces). Esto originará una
corriente de difusión de e- de la zona n hacia la zona p. Es importante remarcar que los
iones originados por la ionización de los átomos de impurezas están fijos en la red
cristalina, es decir, no se pueden mover, por lo que no intervienen en la corriente
eléctrica.

Debido a esta difusión los huecos al abandonar la zona p y pasar a la zona n

(donde son portadores minoritarios) tienen una gran probabilidad de recombinarse con
un e- aniquilándose ambos. Igualmente los e- que proceden de la zona n al pasar a la
zona p y en las proximidades de la unión se recombinarán.

Así, en las proximidades de la unión aparecerá una zona donde no existirán

cargas libres. Esta zona se denomina región de carga espacial, zona de deplexión, zona
de vaciado.

Figura 2.2.- Al poner en contacto una zona p y una zona n aparece en las proximidades de la unión una zona en
la que no existen cargas libres. Es la zona de carga espacial.

Sin embargo, el proceso de difusión tiene un límite. Debido a los iones de las
impurezas que están fijos en la estructura cristalina, aparecerá una diferencia de
potencial, positiva del lado de la zona n negativa del lado de la zona p que tenderá a
frenar la difusión de portadores de una zona a otra.

En la zona de carga espacial aparecerá un campo eléctrico que tiende a alejar

tanto a los e- de la zona n como a los h+ de la zona p de la unión. Por tanto la difusión de
portadores seguirá hasta que el campo eléctrico generado en el interior de la zona de
carga sea lo suficientemente grande como para impedir el paso de los mismos.

19
Tema 2. Teoría del Diodo.

Figura 2.3.- En la zona de carga aparece un campo eléctrico que se opone al movimiento por difusión de h+ y e-.

2.- POLARIZACIÓN DEL DIODO.

2.1.- Polarización Inversa.

Figura 2.4.- Polarización inversa de una unión p-n. Consiste en poner una tensión positiva del lado de la zona n
y negativa del lado de la zona p.

Para polarizar inversamente una unión p-n colocamos una tensión continua con
el lado negativo de la misma en la zona p y el lado positivo de la tensión en la zona n.
La polaridad aplicada de esta manera es tal que tiende alejar a los h+ de la zona p y a los
e- de la zona n de la unión. De esta manera, la zona de cargas fijas negativas se
extenderá hacia el interior de la zona p y de forma análoga la zona de cargas positivas
tenderá a penetrar en la zona n.

20
Tema 2. Teoría del Diodo.

Figura 2.5.- Polarización inversa. A medida que aumentamos la polarización inversa aumenta la anchura de la
zona de carga zona dipolar

Al aumentar la zona de deplexión aumentará el potencial de la barrera. Este

aumento continuará hasta que el potencial que aparece en la zona de carga espacial se
iguale con la tensión aplicada.

La distancia que la zona de carga espacial penetre en cada una de las zonas
dependerá del nivel de dopado de las mismas. Cuanto más dopada esté una zona menos
se adentrará en la misma la zona de deplexión.

Figura 2.6.- En la figura se aprecia como la zona de carga (área sombreada) penetra más en la zona n (menos
dopada) que en la zona p (más dopada).

Por lo tanto, en principio resultará una corriente nula. Sin embargo, debemos de
tener en cuenta a los portadores minoritarios (e- en la zona p y h+ en la zona n
provenientes de la formación de pares e- - h+ debida a la rotura térmica de enlaces). Así,
el campo eléctrico aplicado tenderá a llevar a los e- de la zona p hacia la zona n y a los
huecos de la zona n hacia la zona p. Esto supone una corriente resultante que se
denomina corriente inversa de saturación o corriente de fugas. Esta corriente depende
de la temperatura y no de pende de la tensión inversa aplicada.

21
Tema 2. Teoría del Diodo.

Figura 2.7.- En polarización inversa los e- de la zona p y los h+ de la zona n formados por rotura térmica de
enlaces atraviesan la unión dando lugar a la corriente inversa de saturación.

Si representamos el perfil de minoritarios en polarización inversa

Figura 2.8.- Perfiles de minoritarios en la unión p-n polarizada en inversa.

2.2.- Polarización directa.

Cuando aplicamos una tensión directa V a una unión p-n, es decir, una tensión
positiva del lado p y negativa del lado n. En primer lugar, la anchura de la zona de carga
disminuye, disminuyendo también la barrera de potencial que aparece en dicha zona.
Esta tensión aplicada rompe el equilibrio establecido entre las fuerzas que sobre los
portadores ejerce el campo eléctrico y las fuerzas que tienden a producir la difusión de
los portadores minoritarios.

Para valores pequeños de la tensión de polarización (valores de tensión menores

que la barrera de potencial) la circulación de corriente no será apreciable. Esto se debe a
que el campo eléctrico que aparece en la zona de carga es más fuerte que el campo
exterior aplicado, por lo tanto los portadores mayoritarios no podrán atravesar la zona
de carga.

22
Tema 2. Teoría del Diodo.

Figura 2.9.- Polarización directa de la unión p-n. La zona dipolar es más estrecha que la que aparece en la
unión sin polarizar.

A medida que la tensión exterior aplicada aumenta y superamos el valor de la

barrera de potencial, los portadores mayoritarios atravesarán la unión. Los h+ de la zona
p se verán arrastrados hacia la zona n y los e- de la zona n hacia la zona p creándose una
corriente grande (debida a los mayoritarios) en el sentido de la zona p hacia la zona n.

Figura 2.10.- Polarización directa de la unión p-n. Cuando V >V la corriente crece exponencialmente con la
tensión aplicada.

23
Tema 2. Teoría del Diodo.

Por último nos fijamos en el perfil de los portadores minoritarios.

Figura 2.11.- Perfiles de minoritarios en la unión p-n polarizada en directa.

3.- CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO.

Puede demostrarse mediante la física del estado sólido que las características
generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente ecuación:

 q  VD 
I D  I S exp  1 Ecuación de Shockley
  K  T 

Donde

ID = Corriente que atraviesa el diodo

VD = Tensión (diferencia de potencial) entre los extremos del diodo

p n

Anodo VD Cátodo

ID

Figura 2.9.- Símbolo del diodo (unión p-n). Sentidos de tensión y corriente para la curva característica de la
Figura 2.10.

q = carga del electrón en Culombios = 1,6 E-19 C

K = constante de Boltzman = 8,62 E-5 eV/K
T = Temperatura en Kelvin.

24
Tema 2. Teoría del Diodo.

Para niveles bajos de tensión (en o bajo la rodilla de la curva)

 = 1 para el Ge
 = 2 para el Si
Para niveles relativamente altos de corriente (zona de ascenso rápido de la
curva)
 = 1 tanto para Si como para el Ge.
Por otra parte, se denomina “tensión equivalente de temperatura” a:

K T T
VT  
q 11600

Así, por ejemplo, para temperatura ambiente (T = 300 K)

VT = 0,026 V = 26 mV.

La ecuación del diodo se suele escribir a veces en la forma

 V 
I D  I S exp D  1
   VT 

ID (mA)
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
Región de polarización
7 directa
6 (V D > 0 V; I D > 0 mA)

5
4
3
2
Is 1

-40 -30 -20 -10 0 0,3 0,5 0,7 VD (V)

0,1 A
0,2 A No polarización
Región de polarización inversa (VD = 0 V; ID = 0 mA)
0,3 A
(VD < 0 V; ID = -IS)

Figura 2.12.- Curva característica del diodo.

25
Tema 2. Teoría del Diodo.

Para valores de tensión positivos y varias veces superior a VT, puede

despreciarse el 1 del paréntesis de la ecuación de Shockley, de forma que, salvo para un
pequeño margen en las proximidades del origen, la corriente aumenta exponencialmente
con la tensión.

Cuando polarizamos el diodo en inversa con una tensión cuyo módulo sea varias
veces superior a VT tendremos que ID  - IS para cualquier valor de VD.

Tensión Umbral V.

También es conocida como tensión de codo.

Para valores de tensión inferiores a V la corriente es muy pequeña (aún en

polarización directa). El diodo no conduce bien hasta que la tensión aplicada sobrepasa
la barrera de potencial. Por esto, para las primeras decenas de voltio la corriente es muy
pequeña. A medida que nos acercamos al valor de V los portadores mayoritarios de las
respectivas zonas (e- de la zona n y h+ de la zona p) comienzan a atravesar la unión en
grandes cantidades, por lo que la corriente crece rápidamente (de forma exponencial,
como ya se ha comentado). Para tensiones superiores a la tensión umbral, pequeños
aumentos de tensión producen grandes aumentos de corriente.

El valor de esta tensión de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge.

Corriente inversa de saturación IS.

También se la conoce como corriente de fugas (IO).

Está originada térmicamente, no depende de la tensión aplicada, sino de la

temperatura.

Se puede decir que su valor se duplica cada 10 ºC.

Corriente de pico.

Es la máxima corriente que puede soportar el diodo en directa sin quemarse.

Es un dato que proporciona el fabricante en las hojas de características del

dispositivo (datasheets) y nos da distintos valores dependiendo del tipo de corriente que
circule por el diodo (no será lo mismo si la corriente es continua, si es alterna o si son
picos de sobrecorriente).

26
Tema 2. Teoría del Diodo.

Tensión de ruptura.

Cuando en un diodo aplicamos una tensión inversa, a su través circula la

corriente inversa de saturación (IS) y en la zona de carga aparece una tensión igual a la
tensión inversa aplicada. Sin embargo, esta tensión no puede aumentarse todo lo que se
desee ya que existe un valor de tensión (tensión de ruptura) a partir del cual el diodo
comienza a conducir intensamente. Para pequeños aumentos de tensión inversa se tienen
grandes incrementos de corriente.

Si no conseguimos evacuar toda la potencia calorífica generada por efecto Joule,

el diodo se rompe. Esta ruptura se puede deber a dos efectos:

 Efecto avalancha.
 Efecto zener

Efecto avalancha.

Al mismo tiempo que la tensión a través del diodo se incrementa en la región de

polarización inversa, la velocidad de los portadores minoritarios (responsables de IS)
también se incrementa. A la larga, sus velocidades y sus energías cinéticas serán
suficientes para liberar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras
atómicas de otro modo estables. Esto es, resultará un proceso de ionización por medio
del que los e- de valencia absorberán energía suficiente para abandonar el átomo padre.
Estos portadores adicionales pueden así ayudar al proceso de ionización, hasta el punto
en que se establezca una elevada corriente de avalancha y se determina la región de
“ruptura de avalancha”.

Efecto Zener.

Cuando un diodo está muy dopado la zona de deplexión es muy estrecha. A

causa de ello, el campo eléctrico en esta zona es muy intenso.

Cuando el campo eléctrico es muy elevado ( 300 000 V/cm) el campo puede
extraer los e- de sus órbitas de valencia. La creación de e- libres de esta manera recibe el
nombre de efecto zener (también conocido como “emisión de campo intenso”).

Este efecto es diferente del efecto avalancha que requiere que los portadores
minoritarios con grandes velocidades desliguen e- de valencia mediante choques. El
efecto zener depende solamente de la intensidad del campo eléctrico.

27
Tema 2. Teoría del Diodo.

El efecto zener ocurre para valores de tensión inferiores a 4 V, mientras que el

efecto avalancha requiere tensiones superiores a 6 V. Para valores de tensión
comprendidos entre los 4 y los 6 V pueden coexistir ambos efectos sin prevalecer uno
sobre otro.

A la mayoría de los diodos no se les permite llegar a la ruptura (usualmente >

50 V ). Sin embargo, en otros casos, se busca trabajar en la zona inversa (diodos zener.
Se verán en el apartado 7 de este capítulo)

Resistencia estática o de corriente continua.

ID (mA)

Es la resistencia que presenta el diodo en el punto de

ID Punto Q
operación.
VD
RD 
VD

ID

VD (V)
Varía ampliamente dependiendo de la zona de trabajo.

En la zona de polarización inversa RD es del orden de los M.

En la zona entre 0 y V RD es del orden de las centenas de .
En la zona de conducción ( VD > V) RD es del orden de las decenas o unidades de .

Resistencia dinámica o de corriente alterna.

Viene definida por la pendiente de la curva en el punto de funcionamiento.

d vD vT
rd  
d iD Q
ID

28
Tema 2. Teoría del Diodo.

4.- EL DIODO COMO ELEMENTO DE UN CIRCUITO

Vamos a resolver el circuito de la figura

vi i RL vo

vi  vo  v

En la resistencia vo  R L  i

 v 
En el diodo i  I S  exp  1
 VT 

 v 
i  I S  exp  1 Sistema de ecuaciones no lineales. Se resuelve por métodos
 VT 
vi  R L  i  v  iterativos.


i
 v 
i  IS  exp  1
vi   V T 
RL

iD A
vi  R L  i  v

v
vD vi

El punto A intersección de la recta de carga con la curva del diodo es el punto de

funcionamiento.

29
Tema 2. Teoría del Diodo.

5.- APROXIMACIONES DEL DIODO

5.1.- Primera Aproximación.

ID (mA)

m=1/Rf

VD (V)
A V
m=1/Rr

Podemos distinguir 3 zonas distintas de funcionamiento:

a) Diodo en polarización inversa (VD  0)

En esta zona la curva del diodo es una recta que pasa por el origen de pendiente
1/Rr, por tanto, el diodo se comporta como una resistencia de valor Rr.

A A
Cuando un diodo esté en inversa lo sustituiremos en el
Rr
circuito por una resistencia Rr.
C C

b) Diodo en directa con tensión menor que la tensión umbral (0  VD  V)

En esta zona el diodo se comporta como un circuito abierto (la corriente a su

través es nula independientemente de la tensión).

A A
Por tanto cuando un diodo esté en inversa lo sustituiremos
por un circuito abierto.
C C

30
Tema 2. Teoría del Diodo.

c) Diodo en conducción (VD  V)

En esta zona la curva característica del diodo es una recta que corta al eje de
tensiones en el punto V y tiene una pendiente 1/Rf. Es decir, se comporta como una
resistencia en serie con una fuente de tensión de valor V. (Es importante observar que
el polo positivo de esta fuente debe estar del lado del ánodo y el negativo del cátodo)

A
A Por tanto, cuando un diodo esté en conducción podremos
Rf sustituirlo en el circuito correspondiente por una
resistencia de valor Rf y una fuente de tensión de valor
V V.
C
C

5.2.- Segunda Aproximación.

ID (mA)

m=1/Rf

Rr =  VD (V)
A V

Surge al despreciar el efecto de la resistencia en inversa (esta es de un valor muy

elevado, del orden de los M). El valor de esta resistencia normalmente es mucho
mayor que los valores de las resistencias utilizadas en los circuitos más habituales, por
tanto podremos aproximar que su valor es infinito.

Ahora podemos distinguir 2 zonas de funcionamiento.

a) Diodo en corte (VD  V)

A A

El diodo se comporta como un circuito abierto.

C C

31
Tema 2. Teoría del Diodo.

b) Diodo en conducción ( VD  V)

A En esta zona la característica del diodo es exactamente

A
Rf igual al caso c del la primera aproximación, por tanto,
habrá que sustituir al diodo por una resistencia de valor Rf
V
C y una fuente de tensión de valor V.
C

5.3.- Tercera aproximación.

ID (mA)

Rf = 0

Rr =  VD (V)
A V

Cuando un diodo está en conducción la resistencia que opone al paso de la

corriente es muy pequeña (Rf es del orden de unos pocos ). Si en el circuito en el que
se encuentre el diodo, las resistencias presentes son de valores muy superiores al de Rf
(esto sucede habitualmente en la mayoría de las aplicaciones prácticas), podremos
despreciar esta resistencia haciendo Rf = 0. De esta forma surge la tercera
aproximación.

Seguimos teniendo dos zonas de funcionamiento.

a) Diodo en corte ( VD  V)

A A

El diodo se comporta como un circuito abierto.

C C

32
Tema 2. Teoría del Diodo.

b) Diodo en conducción ( VD  V )

A A
El diodo se comporta como una fuente de tensión de valor
V
V. (Tenemos lo mismo que en la aproximación anterior
C C haciendo Rf = 0.

5.4.- Cuarta aproximación. Diodo ideal.

ID (mA)

Rf = 0

Rr =  VD (V)
A V =0

Si el diodo es de Si, sabemos que V = 0,7 V (0,2 V si fuese de Ge). Por tanto, si
las tensiones con las que trabajamos en el circuito son muy superiores a este valor,
podremos despreciar estos 0,7 V sin cometer un gran error. La cuarta aproximación,
conocida como diodo ideal, surge al despreciar V.

a) Diodo en corte ( VD  0 )

A A

El diodo se comporta como un circuito abierto.

C C

b) Diodo en conducción ( VD  0 )

A A
El diodo se comporta como un cortocircuito.
Si VD  0  I D  
C C

33
Tema 2. Teoría del Diodo.

Cuando se utiliza la aproximación de diodo ideal, podemos observar como el

funcionamiento de un diodo se asemeja al de un interruptor.

Diodo en inversa Diodo en directa

Interruptor abierto Interruptor cerrado

6.- CAPACIDADES Y TIEMPO DE CONMUTACIÓN.

Los modelos anteriormente descritos son para gran señal, es decir, cuando las
variaciones de la tensión aplicada son grandes respecto al nivel de polarización. Cuando
la amplitud de la señal aplicada es pequeña respecto a la de polarización se utilizan los
modelos de pequeña señal que aparecen representados en la Figura 2.13.

A A
A A

rd CD rr CT
C C
C C
a) b)

Figura 2.13.- Modelos de pequeña señal para el diodo a) polarización directa y b) polarización inversa.

Donde:

rd = resistencia incremental o dinámica en directa.

rr = resistencia incremental o dinámica en inversa.
CD = capacidad de difusión
CT = capacidad de transición o de unión.

6.1.- Capacidad de transición o de unión.

Aparece cuando se aplica al diodo una tensión inversa. Como ya se ha

mencionado, la polarización inversa provoca que los portadores mayoritarios se alejen
de la unión, dejando descubiertas más cargas inmóviles. De ahí que el espesor de la
zona de carga espacial aumente con la tensión inversa. Esta variación de carga con la
tensión aplicada puede considerarse como un efecto de capacidad. Así se define la
capacidad CT como
34
Tema 2. Teoría del Diodo.

dQ
CT 
dV

CT llamada capacidad de la región de transición, de la barrera o de la carga

espacial representa la variación de la carga almacenada en la región de carga respecto a
la variación de la tensión en la unión.

A
CT 
W

a) b)

Figura 2.14.- a)Capacidad de la región de transición. En la zona de carga aparece una carga almacenada cuyo
valor depende de la tensión de polarización inversa. b) Expresión de la capacidad de transición
para una unión abrupta. Su valor coincide con el de la capacidad de un condensador plano de
placas paralelas.

6.2.- Capacidad de difusión.

Cuando estamos en polarización directa aparece una capacidad CD mucho mayor

que la vista anteriormente CT. El origen de esta capacidad reside en el almacenamiento
de cargas inyectadas cerca de la unión. (Figura 2.15.). La cuantía de este
almacenamiento de carga viene determinado por el grado de polarización directa. Es
decir hay una variación de la carga almacenada con la tensión aplicada.

Zona p +
pn
Zona n  I
++
+++ CD 
np ----- ++ +
+ + ++  VT
---------
--- -- --- ---

a) b)

Figura 2.15.- Capacidad de difusión. a)Aparece una concentración de cargas en las cercanías de la unión.
Cargas negativas del lado de la zona p (debida al exceso de e-) y positivas del lado de la zona n
(debida al exceso de h+). b) Expresión de la capacidad de difusión.

35
Tema 2. Teoría del Diodo.

Ambas capacidades descritas aparecen a la vez con polarizaciones directas e

inversas, sin embargo, en directa CD >> CT y en polarización inversa CD << CT.

Hay que señalar que el efecto de las capacidades sólo se tiene en cuenta cuando
se trabaja con pequeña señal y frecuencias elevadas (recordar que la impedancia que
presenta un condensador es inversamente proporcional a la frecuencia ).

1
XC 
2 f  C

6.3.- Tiempo de conmutación del diodo.

Supongamos una tensión de entrada escalón al circuito de la figura

Vf

vi RL
0 t

-Vr

En el instante t = 0 la tensión aplicada pasa súbitamente de Vf a –Vr

manteniéndose a este nivel para t > 0. Si suponemos que Vf y RL son mucho mayores
que V y Rf respectivamente, la intensidad que circula por el diodo será:

Vf
iD 
RL

La polarización directa motiva una alta concentración del exceso de minoritarios

en las proximidades de la unión. Con polarización inversa el exceso de minoritarios en
las proximidades de la unión es virtualmente nulo. Cuando hay un cambio de
polarización deben retroceder a través de la unión hacia el lado original.

Este movimiento de carga produce una corriente en sentido inverso (de cátodo a
ánodo). El periodo de tiempo durante el que el exceso de portadores minoritarios
decrece hasta cero se denomina “tiempo de almacenamiento”. Durante este tiempo el
diodo conduce fácilmente y la corriente a su través es –VR/RL. Esto continua hasta que

36
Tema 2. Teoría del Diodo.

el exceso de portadores minoritarios desaparece, a continuación la corriente de crece

hasta IS.

Figura 2.16.- La tensión de (b) se aplica al circuito de (a); (c) representa el exceso de portadores en la unión (d)
corriente por el diodo y (e) tensión en el diodo

7.- DIODOS LED Y DIODOS ZENER.

El diodo emisor de luz (Light Emitter Diode) es, como su propio nombre indica,
un diodo que produce luz visible cuando se encuentra en conducción.

En cualquier unión p-n polarizada en directa, dentro de la estructura y,

principalmente, cerca de la unión se producen recombinaciones de h+ y e-. Esta
recombinación requiere que la energía que posee el e- libre se transfiera a otro estado.

37
Tema 2. Teoría del Diodo.

En todas las uniones p-n parte de esta energía se convierte en calor y otra parte se emite
en forma de fotones. En el Si y el Ge la mayor parte de esta energía liberada se
transforma en calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el
fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o el fosfuro de galio (GaP) el número de fotones de
la energía luminosa emitida es suficiente para crear una fuente luminosa muy visible.

Esta radiación puede tener distintas longitudes de onda, radiándose luz roja,
verde, amarilla o incluso en el espectro infrarrojo. Los leds que emiten en infrarrojos se
suelen utilizar en aplicaciones de alarmas, telemandos, etc. O como optoacopladores.

Los diodos zener están diseñados para funcionar en la zona de ruptura y disipar
las potencias que se producen. Este tipo de diodos se utilizan polarizados en inversa. La
ubicación de la zona zener se puede controlar variando los niveles de dopado. Una
aplicación típica es el empleo de los zener en circuitos reguladores de tensión.

38
 TEMA 4
DIODOS Y APLICACIONES
(Guía de Clases)

Asignatura: Dispositivos Electrónicos I

Dpto. Tecnología Electrónica
 CONTENIDO

UNIÓN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

UNIÓN P-N POLARIZADA

En sentido inverso
En sentido directo

CARACTERÍSTICAS TENSIÓN-CORRIENTE

RESISTENCIA ESTÁTICA Y DINÁMICA DE UN DIODO

MODELOS DEL DIODO

Diodo ideal
Diodo real

CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL O TRANSICIÓN

Diodos de capacidad variable (Varicaps)

CAPACIDAD DE DIFUSIÓN

TIEMPOS DE CONMUTACIÓN DEL DIODO

DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS

DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIÓN

FOTODIODOS SEMICONDUCTORES

DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

CIRCUITO BÁSICO. CONCEPTO DE RECTA DE CARGA

CIRCUITOS RECORTADORES

CIRCUITOS FIJADORES O LIMITADORES

CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador en puente

DOBLADOR DE TENSIÓN

FILTRADO CON CONDENSADORES

Filtrado. Explicación cualitativa
Aproximaciones al filtrado
Ejemplo de cálculo
Detector de picos o demoduladora de AM
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 1

UNIÓN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

Zona de transición
o de carga espacial
Ion aceptor Ion donador
Unión

Hueco
- - - - + + + +
Electrón

- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 2

UNIÓN P-N POLARIZADA

a) En sentido inverso
Aumenta la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo + VI. Se produce una corriente inversa debido a los
portadores minoritarios y a los pares electrón-hueco creados en la zona de carga espacial. Esta corriente se
denomina corriente inversa de saturación (Io).

VI
_ +

I0
- - - - + + + +
- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 3

b) En sentido directo
Disminuye la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo - VD. Si VD ≥ Vo entonces se produce una corriente
debida a los huecos que son “empujados” por el terminal positivo de VD hacia la zona N, y a los electrones
que son “empujados” por el terminal negativo de VD hacia la zona P.

VD

+ _

- - - - + + + + I

- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 4

En cortocircuito el potencial de contacto se compensa con los potenciales en los contactos óhmicos de los
terminales => I=0.

+ _
P N
V0’_ V 0” V0 - V0’ - V0” = 0
_ V + +
0
I=0

Grandes tensiones directas -> necesidad de limitar la corriente

Símbolo del diodo:

ÁNODO CÁTODO

P N

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 5

CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE

V
η ∗VT
Ecuación característica del diodo: I = I 0 (e − 1) se deduce de la ley de la unión

I0 : corriente inversa de saturación (constante a T constante)

η : constante. Su valor es aproximadamente 1 para el Germanio. En el caso del Silicio su valor es 2 para
corrientes pequeñas y 1 para corrientes moderadas o grandes.
VT : Tensión equivalente de la temperatura VT = T/11.600
a temperatura ambiente (T=300 ºK) VT = 0’026 V

I (mA) Vγ => Tensión umbral

0,2 V (Ge)
Tensión de ruptura 0,6 V (Si)

VZ
I0 0,4 (Ge) V (volt)
Vγ
0,8 (Si)

(µA) -> Ge
(nA) -> Si

Tensión umbral (Vγ): tensión directa mínima para que se inicie la conducción.
La corriente inversa I0 aumenta con la temperatura aproximadamente un 7% por ºC para el Si. La corriente
inversa de saturación se duplica aproximadamente por cada 10 ºC de aumento de temperatura. Si I0 = I01
cuando T = T1, cuando la temperatura es T I0 viene dado por:
I 0 (T ) = I 01∗ 2 ( T − T1 )/10

La Tensión equivalente de la temperatura VT también aumenta con la temperatura.

Para mantener constante I con T => dV/dT ≈ -2’5 mv/ºC.

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 6

RESISTENCIA ESTÁTICA Y DINÁMICA DE UN DIODO

Resistencia estática (R) : R = V/I -> parámetro muy variable y poco útil

Resistencia dinámica (r): r = dV/dI

V
η ∗VT
I = I 0 (e − 1)
V
η ∗VT
1 dI Ie I +I I
g= = = 0 = 0 ≈
r dV η ∗ VT η ∗ VT η ∗ VT
η ∗ VT K
r≈ = K es constante a temperatura constante.
I I

Para modelos de pequeña señal se puede suponer r constante

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 7

MODELOS DEL DIODO

a) Diodo ideal

I Directa Inversa
A A A

I
+
V
_
V
K K K

Vγ = 0
V ≥ Vγ -> Rf = 0
V < Vγ -> Rr = ∞

b) Diodo real

+ A
I
I

1/Rf D1 D2

V
V Rf Rr
1/Rr Vγ

D1 y D2 son ideales Vγ
V ≥ Vγ -> V = Vγ + I Rf
_
V < Vγ -> V = Vγ + I Rr K

Modelos intermedios: Rf = 0 ó Rr = ∞ ó Vγ = 0 ó combinaciones.

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 8

CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL O TRANSICIÓN

La anchura de la zona de carga espacial y por lo tanto la carga aumenta con la tensión inversa, lo cual
equivale a un efecto de capacidad:

dQ
CT = donde CT es la capacidad de transición
dVI
Supongamos unión abrupta con NA >> ND y polarizada inversamente con VI :
q . NA . Wp . A = q . ND . Wn . A => NA . Wp = ND . Wn VI
Si NA >> ND => Wp << Wn ≈ W

p n
dE q. N D q. N D
= ⇒ E= x+ K
dx ε ε ND

q. N D Densidad de carga -Wp 0 Wn x

E (x=W) = 0 => K = − W
ε NA >> ND
-NA
q. N D
=> E = ( x − W)
ε Intensidad de campo W
E -Wp 0 Wn x
dV q. N D q. N D ⎛ x 2 ⎞
− = ( )
x − W => V = − ⎜ − Wx⎟ + K ' Wp << Wn ≈ W
dx ε ε ⎝ 2 ⎠

( x − 2Wx)
q. N D 2
V(x=0) = 0 => K’ = 0 => V = −
2ε Potencial
V Vj
q. N D .W 2
2ε 0
x=W -> Vj = V0 + VI = => W = V x
2ε q. N D j
W aumenta con la VI aplicada

2ε dW 2ε dW ε
W2 = V j ⇒ 2W = ⇒ =
q. N D dV j q. N D dV j q. N D .W
Q = q.ND .W. A => dQ = q.ND.A.dW

dQ dW A
CT = = q. N D . A. =ε
dVI dV j W

Capacidad de condensador plano con placas de superficie A y distancia entre ellas de W. Resultado también
válido para unión gradual.

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 9

Diodos de capacidad variable (Varicaps: Variable capacitors):

A ε.A cte
CT = ε = = => Si Vj aumenta entonces CT disminuye (rango de pF)
W 2ε Vj
. Vj
q. N D

Aplicación de los varicaps: Filtros variables, sintonizadores LC de radiofrecuencia (VHF, UHF)

CAPACIDAD DE DIFUSIÓN

En polarización directa si VD aumenta implica que aumenta la concentración de minoritarios en ambos lados,
y entonces aumenta la carga almacenada Q produciéndose también en este caso un efecto capacitivo:

Q
I= ≡ Modelo de control de la carga de un diodo
τ Concentración
dQ τ . dI τ
CD = = =
dV dV r
τ: tiempo de vida medio de los portadores
P N
r: resistencia dinámica de la unión
τ p τn
CD = CDp + CDn = + pno
r r
npo
CD (orden de µF) es mucho mayor que CT (puede llegar a nF)
x=0 x

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 10

TIEMPOS DE CONMUTACIÓN DEL DIODO

CD >> CT => Es mucho más importante el tiempo de recuperación al pasar de conducción directa a inversa
que al revés.

Vi
VD _
+ VF
+
I
Vi RL t1 t2 t3 t
_
-VR
pn - pno
en la unión

trr ≡ tiempo de recuperación t

en inversa (ns o µs) ts
I
V
Tiempo IF ≈ F
almacenamiento RL

trr = ts + tt
t
I0
− VR
− IR ≈
RL
VD tt
Tiempo
transición t

-VR

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 11

DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS

Son diodos con suficiente capacidad de disipación para trabajar en la zona de conducción inversa. Se utilizan
como estabilizadores de tensión.

R IL
ID +
I IZ
R L VZ
V
-VZ
_
IZmin
VD
RL ↑ => IZ ↑
IZ Si => VZ ≈ constante
RL ↓ => IZ ↓

IZmax V ↑ => IZ ↑
Si => VZ ≈ constante
V ↓ => IZ ↓

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 12

Hay dos mecanismos para que se produzca la avalancha del diodo: Multiplicación por avalancha y Ruptura
Zener.

Multiplicación por avalancha (creación por choque):

Este mecanismo es el utilizado en diodos poco impurificados y que tienen una tensión Zener Vz mayor a 6
voltios. La zona de carga espacial es ancha. Tienen un coeficiente de temperatura positivo, es decir, con el
aumento de la temperatura aumenta la tensión Zener

Ruptura Zener:
Este mecanismo es el que se produce en diodos muy impurificados y que tienen una tensión Zener Vz menor
a 6 voltios. La zona de carga espacial es estrecha. Tienen un coeficiente de temperatura negativo, es decir,
con el aumento de la temperatura disminuye la tensión Zener.

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 13

DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIÓN

a) Tensiones de referencia inferiores a 2 V.
R
+

V RL Vz < 2 v.

b) Pequeño coeficiente de temperatura

R
+

V RL Vz

Zener (multiplicación por avalancha): coeficiente de temperatura positivo

Diodo (en directa): coeficiente de temperatura negativo

c) Tensiones de referencia altas

R
+

V RL Vz

- Menor disipación que con un único zener de Vz elevada

- Menor coeficiente de temperatura combinando los dos tipos de zener
- Menor resistencia que con diodos en directa

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 14

FOTODIODOS SEMICONDUCTORES

I = I0 + IS

ID
RL
+
VA
-

VD = VA – ID RL -> recta de carga

Si ID = 0 => VD = VA
Si VD = 0 => ID = VA/RL

La respuesta espectral es la misma que las células fotoconductoras:

% de pares e--h+ creados

λC λ

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 15

DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

- Uniones P-N polarizadas en sentido directo con elevada impurificación (Vγ ≈ 1 v.)
- Materiales especiales para producir luz en la recombinación, como es el AsGa
- Se denominan diodos LED (Light Emitting Diode)
- Tensiones inversas bajas -> destrucción por sobretensión
- Corrientes reducidas (típicas de 10, 20 mA) -> destrucción por sobrecorriente

A continuación se pueden ver dos montajes prácticos de este tipo de diodos:

R
V V

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 16

CIRCUITO BÁSICO. CONCEPTO DE RECTA DE CARGA

+ v _

+ +
i
Vi RL Vo

_ _

recta de carga: v = Vi – i RL
Su intersección con la característica del diodo da el punto de trabajo de éste.

ID
Vi/RL

IQ Q

VQ Vi VD
Si Vi = Vm sen α ; α = ω t ; ω = 2 π f
Y utilizando el modelo lineal aproximado del diodo:
A A
I

Vγ
1/Rf
Rf Rr

V K K
1/Rr Vγ
V > Vγ V < Vγ

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 17

Para Vi ≥ Vγ : Para Vi < Vγ :

Vγ Rr
Vγ
Rf

I
RL
I RL Vi
Vi

Rr >> => I ≈ 0 (orden µA o nA)

Vi

Vγ
I
π 2π
φ π/2 π-φ α

Vm senα − Vγ
i=
RL + R f

para α = φ -> Vm sen φ - Vγ = 0

φ = arcsen (Vγ/Vm) -> ángulo de inicio de c onducción

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 18

CIRCUITOS RECORTADORES

Circuito recortador que transmite la parte de la señal de entrada que es más negativa que VR + Vγ

Vo Rf Vo
p=
Rf + R
Rr
p= ≈1
Rr + R VR+Vγ
Vi t
VR+Vγ

Vi
+ R +
D
Vi Vo
VR
_ _

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 19

Circuito recortador que transmite la parte de la señal de entrada que es más positiva que VR - Vγ

Rr
Rf Vo p= ≈1 Vo
p= Rr + R
Rf + R

VR-Vγ
Vi t
VR-Vγ

Vi
+ R +
D
Vi Vo
VR
_ _

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 20

Otros circuitos recortadores

+ R + + +
D R
D
Vi Vo Vi Vo
VR VR
_ _ _ _

Vo

DIODOS VR
IDEALES
t

+ R + + +
D R
D
Vi Vo Vi Vo
VR VR
_ _ _ _

Vo
DIODOS
IDEALES VR
t

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 21

Circuito recortador a 2 niveles (circuito rebanador)

Vo Vo
p=1
VR2
VR1

VR1 VR2 Vi t
D1 ON D1 OFF
D2 OFF D2 ON
D1 OFF
D2 OFF
Vi
+ R +
D1 D2 Vo
Vi
VR1 VR2 > VR1
_ _

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 22

CIRCUITOS FIJADORES O LIMITADORES

Cambian el nivel de continua de la señal de entrada.

C
_
+ +
+ Vm - VR
R D
Vi Vo
_
VR _

Suponiendo el diodo D ideal, y cumpliéndose que R⋅C >> T y Vm > VR

Vm Vi Vi = Vm ⋅ sen ωt → Vidc = 0
VR Vo es senoidal con valor medio no nulo

VR - V m
t Vodc = VR − Vm
Vo = Vi − Vc = Vi − (Vm − VR ) =
Vo

VR - 2Vm
Vm (sen ωt − 1) + VR

La ventaja de los circuitos fijadores con respecto a los recortadores es que limitan la señal de entrada pero sin
deformarla.
Ejemplo: D ideal, RC>>T/2, valor práctico RC=5T => en T/2 el condensador no se descarga prácticamente.

C Vi

V
+
+ t
R D
Vi Vo
_ -2V
_

Primer semiperíodo
C

+ _ +
V
V R D
Vo Vo
_

Segundo semiperíodo
C t

+ _ +
V
2V D -3V
R
Vo
_

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 23

CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador: Circuito que convierte una onda senoidal de entrada en una señal unipolar con componente
media no nula.

Rectificador de media onda

Vi
VD _ Vm
+
+ I 0
Entrada π 2π α = ωt
Vi RL
c.a.
_
I
Im
Idc
0
π 2π α = ωt

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 24

Regulación: Representa la variación de la tensión continua de salida en función de la corriente continua en la

carga.

Vdc vacio − Vdc c arg a

% reg. = 100
Vdc c arg a

Im Vm 1 V V
I dc = = ⇒ m = I dc R f + I dc RL = I dc R f + Vdc ⇒ Vdc = m − I dc R f
π R f + RL π π π

El resultado anterior implica que el equivalente Thevenin del rectificador de media onda es el siguiente:

Rf
+
Idc
Vdc RL
Vm/π
_

Si RL = ∞ ó RL >> Rf entonces Vdc vacio = Vdc carga => % reg. = 0

Si RL = 0 entonces Vdc carga = 0 => % reg. = ∞

Teorema de Thevenin:
Dos terminales cualesquiera de una red lineal pueden reemplazarse por un generador de fuerza electromotriz
igual a la tensión en circuito abierto entre los terminales, en serie con la impedancia de salida vista desde
estos puntos.

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 25

Rectificador de onda completa

Vi
Vm

0
π 2π α = ωt
I1 D1
I1
+ Im
Vi RL I
Entrada _
0
c.a. + π 2π α = ωt
Vi I2
_ Im
I2 D2
0
π 2π α = ωt
I
Im
Idc
0
π 2π α = ωt

Rectificador en puente

D1 D2 I

Vi _
+ RL

C.A.
D3
D4

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 26

DOBLADOR DE TENSIÓN

C1

_ + +
Vm
C2 2Vm

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 27

FILTRADO CON CONDENSADORES

A partir de una señal rectificada es posible obtener una tensión continua. El mecanismo para obtener la
misma es el filtrado en baja frecuencia de dicha señal rectificada. En este apartado se aborda el análisis del
filtrado empleando condensadores. De dicho análisis se obtendrá por un lado un conocimiento del
funcionamiento del mismo, y por otro un método de obtención de las características de la señal de salida y de
las distintas aproximaciones que son habituales en este tipo de análisis.

Filtrado. Explicación cualitativa

A partir de un circuito rectificador de media onda, como el de la figura, es posible obtener a la salida una
señal continua. Esto se logra con la simple adición a dicho circuito de un condensador que actúe como filtro.
La misión del condensador es almacenar energía y entregarla a la carga cuando sea preciso.

D (ideal)

C
Vi = Vm*sen α RL Vo

En la siguiente figura se puede ver la salida obtenida en el

Vo
circuito anterior, si se supone que la carga tenga un valor Sin C
Con C
infinito (RL = ∞). Como se aprecia, la tensión a la salida queda V
m
fijada al valor continuo Vm, debido a que el condensador se
carga a dicho valor y, al no tener camino para su descarga,
queda con esa tensión indefinidamente. π 2π 3π

En el caso en que la resistencia de carga tenga un valor finito (RL<∞), el condensador de filtrado se
descargará durante el intervalo de no conducción del diodo. En la siguiente figura podemos observar la onda
rectificada (I), y la señal a la salida (II) que muestra cómo se descarga el condensador de forma exponencial.

En función del valor del condensador usado, y de la resistencia

Vo
de carga, la descarga será más o menos rápida. El efecto final es (I) (II)
una tensión de salida variable entre unos márgenes superpuesta a Vm
una tensión continua. La tensión variable se denomina rizado, y
es un parámetro muy importante a la hoja de comprobar la π 2π 3π
calidad de un filtro.

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 28

Aproximaciones al rizado
El cálculo del rizado producido en un circuito rectificador con filtro es sencillo pero puede resultar laborioso;
por ello generalmente se realizan aproximaciones al mismo, con el objetivo de simplificar los cálculos. Si el
condensador se descarga poco, dichas aproximaciones proporcionan unos resultados muy similares a los
obtenidos si se realizasen los cálculos completos.

Rizado alto
Si el rizado del circuito es grande, es decir, la parte variable de la tensión de salida es grande comparada con
la parte continua, no es posible realizar aproximaciones de ningún tipo, y se hace necesario emplear el
modelo real. En la figura se aprecia el aspecto de la señal de salida. En ella podemos observar que la tensión
de salida coincide con la del rectificador hasta un punto, a partir del cual la tensión de salida disminuye
exponencialmente. En cuanto las tensiones de salida y del rectificador vuelven a igualarse, la tensión de
salida pasa otra vez a seguir la onda senoidal.

Exp. Senoidal

Rizado bajo
En los casos de pequeño rizado, se realizan 3 aproximaciones, que nos proporcionan una onda como la de la
figura. En primer lugar se supone que la descarga del condensador es lineal, en segundo lugar que dicha
descarga comienza justo en el punto de tensión máxima de la señal rectificada, y en tercer lugar se supone
que el condensador se descarga hasta el instante en que la tensión rectificada vuelve a alcanzar su máximo
valor.

Lineal

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 29

Rizado medio
En el caso de tener un rizado medio, se suele aproximar tal y como aparece en la figura, es decir, se
considera una descarga exponencial, que dicha descarga comienza cuando la señal rectificada pasa por su
punto máximo, y que el condensador se descarga hasta que encuentra de nuevo la señal rectificada.

Exp. Sen.

Ejemplo de cálculo
Supongamos un rectificador de onda completa, en el que se verifica RL*C>>T/2 (por lo que suponemos un
rizado bajo, y tomamos la aproximación lineal comentada anteriormente). El análisis sería el siguiente:

Vo
VDC
Vr

t
tdescarga → próximo a T/2

En la figura anterior podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearán en el análisis. Hay que
tener en cuenta que, como se supone un rizado bajo, la señal que consideramos de salida es una onda en
diente de sierra como la siguiente:

Vm
Vr

T/2

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 30

A partir de esta señal, deducimos que la tensión de continua a la salida viene dada como: Vdc = Vm − Vr / 2 ,
donde Vm es la tensión de pico de la señal rectificada. Se observa de dicha tensión de continua es la tensión
de pico menos el valor medio del rizado, el cual en este caso sencillo coincide con Vr/2

T
El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se puede expresar como: Idc ,
2
y nos queda que la tensión de rizado y de continua vienen dadas por las ecuaciones:
Q IcdT Icd
Vr = = =
C 2C 2 fC
Vr Idc
⇒ Vdc = Vm − = Vm −
2 4 fC
En las fórmulas anteriores podemos observar que el rizado aumenta con Idc (↑ cuando RL↓), y disminuye con
C y f.

El rizado se puede definir como:

Vrms ⎧Vrms : Valor eficaz de la componente alterna (root mean square)

r= →⎨
Vdc ⎩Vdc : Componente continua

Obtenemos el valor eficaz de la componente alterna aplicando la definición, y nos queda:

⎡ ⎤π
1 ⎢⎢ α α 3 α 2 ⎥⎥
2
1 π ⎡Vr Vr ⎤ Vr
Vrms =
π ∫
0 ⎢ 2 − π α ⎥ dα = Vr π ⎢⎢ 4 + 2 − 2π ⎥⎥ = 2 3
⎣ ⎦ 3π
⎢⎣ ⎥⎦
0

Ahora substituimos el valor Vrms obtenido en la fórmula del rizado:

Vr Idc 1
⇒ r= = =
2 3Vdc 4 3 fCVdc 4 3 fCRL

De nuevo se deduce que r disminuye con f, C y RL

ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 31

Detector de picos o demodulador de AM

El circuito rectificador de media onda con un filtro condensador se puede emplear para detectar los valores
de pico de las ondas de entrada. Sirve para extraer la señal de información que se modula en amplitud (por
ejemplo en transmisión radiofónica), denominándose a este proceso demodulación.

D (ideal)

C
Vi = Vm*sen α RL Vo

Para esto el periodo de la portadora tiene que ser mucho menor que la constante de carga del condensador y
esta mucho menor que el periodo de la señal moduladora:
T portadora << RC << T moduladora

ANOTACIONES