UNIDADES TECNOLÓGICAS DE SANTANDER

FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES E INGENIERIAS

TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
ELECTRÓNICA I
GUIA UNIDAD TEMÁTICA IV: TRANSISTOR BIPOLAR BJT
Mg. MABEL ROCÍO DIAZ PINEDA

Competencia Específica:

Analizar y diseñar circuitos electrónicos con transistores BJT, en las diferentes

configuraciones y polarizaciones en DC

Resultados de aprendizaje:

El estudiante:

• Diferencia cada una de las polarizaciones del transistor BJT

• Soluciona circuitos con las diferentes polarizaciones de los transistores BJT

Objetivo de la Guía: Analizar, diseñar y resolver circuitos con el transistor bipolar

BJT

ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

NOTA: NO OLVIDE QUE DEBE DESARROLLAR EL ANÁLISIS MATEMÁTICO

PARA CADA EJERCICIO

1. Un transistor BJT NPN con β =100, se conecta en polarización fija a una

fuente de 30 V de la siguiente manera: el colector se conecta al terminal
positivo de la fuente de voltaje a través de una resistencia de 330 ohmios.
La base también se conecta al mismo terminal positivo de la fuente a
través de una resistencia de 560 kohmios. El emisor de conecta
directamente al terminal negativo de la fuente. Calcule la tensión entre
colector y emisor, la corriente de colector, la corriente de emisor, la
corriente de base. Dibuje el circuito.

RTA: IB = 52,3µA VCE?

30V 30V
IC?

560KΩ 330Ω IE?

vce IB=?

IC= 5.23mA = IE β=100

 VCE= 28.27v

Malla base -emisor:

-30+560k*IB+0.7=0

IB=(30-0.7)/560k=52.3µA

IC=IE= 52.3µA*100=5.23mA

Malla colector-emisor

-30+330IC+VCE=0

VCE=30-(330*5.23mA)=28.27v

2. Dado el circuito de la figura No. 1 determine en que zona de trabajo se

encuentra el transistor (β =100) y por qué? (Explique matemáticamente su
respuesta)
Figura No.1

Fuente: http://www.unedcervera.com/

RTA: El transistor se encuentra trabajando en SATURACION

 VE=0V NPN
Malla base-emisor: Configuración de emi
Ic=βIB Sor común
-10+10kIB+0.7=0
IB=10-0.7/(10K)=0.93mA
IC=IE=100*0.93m=93mA
Vc=10-1k*93mA=-83v

3. Un transistor NPN se encuentra en un circuito electrónico y presenta las

siguientes tensiones entre sus terminales: VEB=-0.7 V y VCB=-0.7 V. En
estas condiciones, ¿en qué zona está trabajando el transistor, por qué?

RTA: El transistor trabaja en la región de saturación porque:

En corte: VBE≤ 0.7v, no se cumple

En activa VCB≥-0.7v, no se cumple ; por lo tanto trabaja en saturación

4. Un transistor NPN en polarización de emisor común, de parámetro β

=100, tiene una resistencia de emisor de 1kohmio alimentada por una
fuente de 15V, la resistencia de base es de 100kΩ y está alimentada por
una fuente de voltaje DC. Calcular la potencia disipada por el transistor en
los dos casos siguientes: a) la fuente de voltaje de la base=0 V b) la
fuente de voltaje de la base=30 V.
RTA: a. P = 0watt
b. P = 0.21mwatt

5. En el circuito mostrado en la figura No 2, calcule: a) El punto de operación

del transistor. b) La potencia que se disipa en el colector del transistor en
reposo. c) El valor máximo de RC con el cual el transistor permanece
trabajando en la región activa, teniendo en cuenta los siguientes
parámetro: β = 150; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,1 V e IC en
corte= 0A
 Figura No.2

Fuente: https://eebasicausacvesp.files.wordpress.com/2014/03/problemas-resueltos-transistores-
bjt.pdf

RTA: a ) El punto de operación del transistor bipolar se caracteriza por la IBQ, ICQ
y el VCEQ por lo cual el Punto de Operación: Q ( IBQ = 10µA ; ICQ =1,5 mA;
VCEQ= 2, 25 V

b) P= I CQ x VCEQ = 1,5mA x 2,25 =3,375 mW

c) RC = 6.36kΩ

DESARROLLO: Se halla el circuito Thévenin

RTH=120K//50K= 35.29k

Vth=12*50k/(50K+120K)=3.53v
 a)Malla base-emisor: EL TRANSISTOR ESTA
TRABAJANDO EN LA REGIÓN ACTIVA
3.53v
12v -3.53+35.29k*IB+0.7+1.5kIE=0

5k -3.53+35.29k*IB+0.7+1.5k(150*IB)=0
35.29k
IB=(3.53-0.7)/(35.29k+(1.5k)*150))=10.87µA

IE=ICQ=10-87µA*150=1.63mA

Β=150 Malla colector-emisor:

1.5k
-12+(5k*1.63mA)+VCEQ+(1.5k*1.63mA)=0

VCEQ=1.405V

VCEQ=
B) ) P= I CQ x VCEQ = 1,63mA x 1.405v =2.30 mWatt

c) VC=VCC-RC IC

-3.53+35.29k*IBsat+0.8+(1.5k*IEsat)=0

IBsat=(3.53-0.8)/35.29k+(1.5k*150))=10.48µA

ICsat=10.48µA*150=1.57mA

VCEsat=12-1.57mA(RC)-1.57mA(1.5k)=0.1

RCmax=(0.1-12+2.35)/1.57mA=/6.08kΩ/

6. En el circuito mostrado en la figura No.3, calcule R1 para que IE = 2 mA.

Teniendo en cuenta los siguientes parámetros: β = 50; VBE = 0,7V; VBE sat = 0,8V;
VCE sat = 0,2V; ICO = 0

Figura No. 3

VBE=0.7=VB-VE

VE=0.1K*2mA

IC=IE=2mA

VE=0.2v

VB=0.7+0.2=0.9V

I2=VB/28k=0.9/28k=32.14µA
LCK VC: i3=ic+i1
RTA: R1 = 62.04kΩ
(12-vc)/3.3k=0.002+(VC-VB)/R1

0.00363-0.00030vc=0.002+(VC-0.9/)R1

0.00363R1-0.00030vcR1=0.002R1+VC-0.9 R1(0.00363-0.00030VC-0.002)-vc= - 0.9

R1(0.00163-0.00030Vc)-VC= - 0.9 (1)

LCK VB:i1=i2+ib

Ic=50ib

Ib=2mA/50=40µA

I1=32.12µA+40µA=72.12 µA

Para hallar la R1 maxima:

El transistor esta en saturación entonces ic, ie, ib son máximas, entonces:

12=VRC entonces:Vc=0v y se reemplaza en (1)

R1(0.00163)= -0.9

R1max=/-0.9/0.00163/=552.15Ω

7. Calcular el punto de operación de un circuito de polarización fija definido por los

siguientes parámetros:

RB = 560 kΩ, RC = 1,8 kΩ, VCC = VBB = 12 V β = 120 y VBE = 0,7 V

RTA: IBQ = 20µA

ICQ = 2.4mA

VCEQ= 7.64v

8. Determine VC y VB para la red

C1 y c2 se cargan y se abren
 Malla base-emisor:

100KIB+0.7-9=0

IB=9-0.7/(100K)=83µA

IC=IE=45*83µA =3.735mA

VC=1.2k*Ic= 1.2k*3.735mA= 4.48v

VBE=VB-VE=0.7

0.7=VB-9

VB=9.7v

9. Determine las corrientes IE e IB y los voltajes VCE y VCB para la configuración

en base común:
En configuración base común- transistor NPN

Los condensadores de entrada y salida se abren al cargarsen con el voltaje DC

Malla base-emisor

0.7+1.2KIE -4=0

IE=4-0.7/(1200)=2.75mA=IC

IC=ΒIB

IB=IE/β

IB=2.75mA/60=45.8µA

Malla emisor-colector:

-10+2.4KIC+VCE+1.2K*IE-4=0

10-IC(2.4K+1.2K)+4=VCE

VCE=4.1V

Malla colector-base:
 -10+2.4KIC+VCB=0

VCB=10-2.4K(2.75mA)=3.4V

10. Determine IEQ para la red

Malla base-emisor:

240KIB+0.7+2KIE-20=0

IB=IE/β

240KIB+0.7+2kIBβ-20=0

IB=20-0.7/(240K+2K*90)

IB=45.95µA

IEQ=45.95µ*90=4.14mA