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SN55LBC176, SN65LBC176, SN75LBC176

SLLS067I – AGOSTO DE 1990 – REVISADO EN OCTUBRE DE 2022

Transceptores de bus diferencial SNx5LBC176

1 Características 2 Descripción
• Transceptor bidireccional Los transceptores de bus diferencial SN55LBC176, SN65LBC176,
• Cumple o supera los requisitos de SN65LBC176Q y SN75LBC176 son circuitos integrados monolíticos
Norma ANSI TIA/EIA−485−A y diseñados para la comunicación de datos bidireccional en líneas de
ISO 8482:1987(E) transmisión de bus multipunto. Están diseñados para líneas de
• LinBiCMOS™ de alta velocidad y bajo consumo transmisión balanceadas y cumplen con la norma ANSI
Circuito
• Diseñado para operación de alta velocidad en ambos TIA/EIA−485−A (RS­485) e ISO 8482:1987(E).
Aplicaciones seriales y paralelas
Los modelos SN55LBC176, SN65LBC176, SN65LBC176Q y
• Baja inclinación
SN75LBC176 combinan un controlador de línea diferencial de 3
• Diseñado para transmisión multipunto en
estados y un receptor de línea de entrada diferencial, ambos de los
Largas colas de autobús en entornos ruidosos
cuales funcionan con una sola fuente de alimentación de 5 V. El
• Corriente de suministro deshabilitada muy baja: ..
controlador y el receptor tienen habilitaciones activas altas y activas
200 µA máximo
bajas, respectivamente, que pueden conectarse entre sí externamente
• Entrada/salida amplia, positiva y negativa
para funcionar como un control de dirección. Las salidas diferenciales
Rangos de voltaje del bus
del controlador y las entradas diferenciales del receptor se conectan
• Protección de apagado térmico
internamente para formar un puerto de bus de entrada/salida (E/S)
• Corriente positiva y negativa del conductor
diferencial que está diseñado para ofrecer una carga mínima al bus
Limitante
siempre que el controlador esté deshabilitado o VCC = 0. Este puerto
• Diseño de receptor a prueba de fallos de circuito abierto
cuenta con amplios rangos de voltaje de modo común positivo y
• Sensibilidad de entrada del receptor... ±200 mV máx.
negativo, lo que hace que el dispositivo sea adecuado para
• Histéresis de entrada del receptor... 50 mV típica
aplicaciones de línea compartida. Se puede lograr una corriente de
• Funciona con una única fuente de alimentación de 5 V
suministro baja del dispositivo deshabilitando el controlador y el
• Encendido y apagado sin fallos
receptor.
Protección
• Disponible en Q­Temp Automotive Información del paquete
Aplicaciones automotrices de alta confiabilidad NÚMERO DE PIEZA DEL PAQUETE (1) TAMAÑO DEL CUERPO (NOM)

Control de configuración / Soporte de impresión CCLC (20) 8,89 mm x 8,89 mm

Cualificación según normas automotrices SN55LBC176
CDIP (8) 9,60 mm x 6,67 mm

SOIC (8) 4,90 mm x 3,91 mm

SN65LBC176
PDI (8) 9,81 mm x 6,35 mm

SOIC (8) 4,90 mm x 3,91 mm

SN75LBC176
PDI (8) 9,81 mm x 6,35 mm

(1) Para todos los paquetes disponibles, consulte el anexo de pedido al final de
la hoja de datos.

3
Delaware

4
D
2
RE
6
1 A
R 7 Autobús

B
Figura 2­1. Diagrama lógico (lógica positiva)

Un AVISO IMPORTANTE al final de esta hoja de datos aborda la disponibilidad, garantía, cambios, uso en aplicaciones críticas de seguridad, asuntos de propiedad
intelectual y otras exenciones de responsabilidad importantes. DATOS DE PRODUCCIÓN.
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Tabla de contenido

1 Características..................................................................1 2 6.8 Características eléctricas del receptor............................. 8 6.9 Características

Descripción......................................................................1 3 Historial de de conmutación del receptor............................. 8 7 Información de medición de
revisiones .............................................................. 2 4 Descripción parámetros ............................. 9 8 Descripción detallada...........................................................
(Continuación)............................................3 5 Configuración de pines y 12 8.1 Diagrama de bloques funcionales.................................. 12 8.2 Modos
funciones..................................3 6 Especificaciones.................................................................. funcionales del dispositivo.................................. 12 9 Soporte del dispositivo y
4 6.1 Valores nominales máximos absolutos.............................. 4 6.2 Condiciones documentación .............................. 14 9.1 Soporte del
de funcionamiento recomendadas..................4 6.3 Información térmica: dispositivo.................................................. 14 9.2 Marcas
SN55LBC176..............................4 6.4 Información térmica: SN65LBC176, comerciales.................................................. 14
SN75LBC176.......5 6.5 Valores nominales de disipación.................................. 5
6.6 Características eléctricas del controlador..................5 6.7 Características de 9.3 Precaución sobre descarga electrostática..................................15 9.4
conmutación del controlador.................. 7 Glosario...........................................................................15 10 Información
mecánica, de embalaje y de
pedido .............................................................................. 15

3 Historial de revisiones
NOTA: Los números de página de revisiones anteriores pueden diferir de los números de página de la versión actual.

Cambios de la Revisión H (diciembre de 2010) a la Revisión I (octubre de 2022) Página

• Se agregaron las secciones Configuración de pines y funciones , Tablas de información térmica , Descripción detallada , Modos
funcionales del dispositivo, Soporte del dispositivo y la documentación , y Sección de información mecánica, de empaque y de
pedido. ................................................................................................................................. 1

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4 Descripción (Continuación)
Estos transceptores son aptos para aplicaciones de las normas ANSI TIA/EIA−485 (RS­485) e ISO 8482 en la medida en que se especifiquen en la
sección de características y condiciones de funcionamiento de esta hoja de datos. Ciertos límites contenidos en las normas TIA/EIA−485−A e ISO
8482:1987 (E) no se cumplen o no se pueden probar en todo el rango de temperatura militar.

El SN55LBC176 está caracterizado para funcionar entre –55 °C y 125 °C. El SN65LBC176 está caracterizado para funcionar entre –40 °C y 85 °C,
y el SN65LBC176Q está caracterizado para funcionar entre –40 °C y 125 °C. El SN75LBC176 está caracterizado para funcionar entre 0 °C y 70 °C.

Configuración y funciones de 5 pines

PAQUETE D, JG O P
(VISTA SUPERIOR)

R 1 8 CCV
RE 2 7 B

Delaware
3 6 A

D 4 5 Tierra

PAQUETE FK
(VISTA SUPERIOR)
C.C.
CAROLINA

CAROLINA

CAROLINA
NORTE

NORTE

NORTE
R
DEL

DEL

DEL
V

3 2 1 20 19
CAROLINA DEL NORTE

4 18 CAROLINA DEL NORTE

RE 17 B
5
CAROLINA DEL NORTE
6 16 CAROLINA DEL NORTE

Delaware
7 15 A

CAROLINA DEL NORTE

8 14 CAROLINA DEL NORTE

9 10 11 12 13
D
CAROLINA

CAROLINA

CAROLINA
NORTE

NORTE

NORTE
DEL

DEL

DEL
Tierra

NC – Sin conexión interna

Tabla 5­1. Funciones de los pines
ALFILER

TIPO DESCRIPCIÓN
SOIC, PDIP,
NOMBRE CCLC
CDIP

R 1 2 Oh Salida lógica de datos RS485

RE 2 5 I Habilitar/deshabilitar receptor

Delaware 3 7 I Habilitar/deshabilitar el controlador

D 4 10 I Entrada lógica de datos RS485

Tierra 5 12 ­ Suelo

Pin de bus RS485;

A 6 15 E/S
No inversor

Pin de bus RS485;

B 7 17 E/S
Invertida

CCV 8 20 ­
Voltaje de suministro de 5 V

1,2,3,6,8,9,1
CAROLINA DEL NORTE
­ 1,13,14,16,1 ­ Sin conexión interna
8,19

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6 Especificaciones

6.1 Calificaciones máximas absolutas

por encima del rango de temperatura de funcionamiento al aire libre (a menos que se indique lo contrario) (1)
MÍNIMO MÁXIMO UNIDAD

Tensión de alimentación, VCC (2) 7 V

Rango de voltaje en cualquier terminal de bus –10 15 V

Voltaje de entrada, VI (D, DE, R o RE) –0,3 VCC +0,5 V

Corriente de salida del receptor, IO –10 10 mamá

Disipación total de potencia continua Véase la Sección 6.5

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg

–65 150 °C

(1) Las tensiones superiores a las que se indican en las clasificaciones máximas absolutas pueden provocar daños permanentes al dispositivo. Estas clasificaciones son solo de tensión y no
implican el funcionamiento del dispositivo en estas u otras condiciones distintas a las indicadas en la Sección 6.2 .
La exposición a condiciones nominales máximas absolutas durante períodos prolongados puede afectar la confiabilidad del dispositivo.
(2) Todos los valores de voltaje, excepto el voltaje del bus de E/S diferencial, son con respecto al terminal de tierra de la red.

6.2 Condiciones de funcionamiento recomendadas

por encima del rango de temperatura de funcionamiento al aire libre (a menos que se indique lo contrario)
MÍNIMO NOM UNIDAD MÁXIMA

Tensión de alimentación, VCC 4,75 5 5.25 V

Voltaje en cualquier terminal de bus (modo separado o común), VI o VIC –7 12 V

Voltaje de entrada de alto nivel, VIH D, DE y RE 2 V

Voltaje de entrada de bajo nivel, VIL D, DE y RE 0,8 V

Tensión de entrada diferencial, VID (1) –12 12 V

Conductor –60 mamá

Corriente de salida de alto nivel, IOH

Receptor –400 microamperio

Conductor 60
Corriente de salida de bajo nivel, IOL mamá
Receptor 8

Temperatura de unión, TJ 140 °C

SN55LBC176 ­55 125

SN65LBC176 –40 85
Temperatura de funcionamiento al aire libre, TA °C
SN65LBC176Q –40 125

SN75LBC176 0 70

(1) La tensión del bus de entrada/salida diferencial se mide en el terminal no inversor A con respecto al terminal inversor B.

6.3 Información térmica: SN55LBC176

Por favor JG
Métrica térmica (1) UNIDAD
20 PINES 8 PINES

ROJA Resistencia térmica de la unión al ambiente 61.6 99,5

RθJC(arriba) Resistencia térmica de unión a caja (arriba) 36.8 51.5

RθJB Resistencia térmica de unión a placa 36.1 86,5

°C/O
JT (ψJT)
Parámetro de caracterización de unión a cima 31.0 23.7

ψJB Parámetro de caracterización de unión a placa 36.0 80.2

RθJC(bot) Resistencia térmica de unión a caja (parte inferior) 4.2 11.6

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6.4 Información térmica: SN65LBC176, SN75LBC176

D PAG

Métrica térmica (1) UNIDAD

8 PINES

ROJA Resistencia térmica de la unión al ambiente 116.7 65.6

RθJC(arriba) 56.3 54.6

Resistencia térmica de unión a caja (arriba)

RθJB Resistencia térmica de unión a placa 63.4 42.1

°C/O
JT (ψJT)
Parámetro de caracterización de unión a cima 8.8 22.9

ψJB 62.6 41.6

Parámetro de caracterización de unión a placa

RθJC(bot) n/A n/A

Resistencia térmica de unión a caja (parte inferior)

(1) Para obtener más información sobre las métricas térmicas tradicionales y nuevas, consulte el informe de aplicación IC Package Thermal Metrics , SPRA953.

6.5 Calificaciones de disipación

REDUCCIÓN DE RATEGIA
TÉRMICO Temperatura ambiente < 25 °C TA = 70 °C TA = 85 °C TA = 110 °C
PAQUETE FACTOR
MODELO POTENCIA NOMINAL POTENCIA NOMINAL POTENCIA NOMINAL POTENCIA NOMINAL
POR ENCIMA DE TA = 25°C

K bajo (1) 526mW 5,0 mW/°C 301mW 226mW —

D
882mW 8,4 mW/°C 504 mW 378mW —
Alto K(2)

PAG 840mW 8,0 mW/°C 480mW 360 mW —

JG 1050mW 8,4 mW/°C 672 mW 546mW 210mW

Por favor 1375 mW 11,0 mW/°C 880mW 715 mW 440mW

(1) De acuerdo con las definiciones métricas de conductividad térmica efectiva baja de EIA/JESD 51−3.
(2) De acuerdo con las definiciones métricas de conductividad térmica efectiva alta de EIA/JESD 51−7.

6.6 Características eléctricas del controlador

sobre los rangos recomendados de voltaje de suministro y temperatura de funcionamiento al aire libre (a menos que se indique lo contrario)

PARÁMETRO CONDICIONES DE LA PRUEBA UNIDAD MIN MAX

VIK –1,5 V
Tensión de pinza de entrada II = –18 mA
En voz alta
Voltaje de salida IO = 0 0 6 voltios

| VOD1 | Tensión de salida diferencial IO = 0 1.5 6 voltios

55LBC176,
RL = 54 Ω, Véase la Figura 7­1. 65LBC176, 1.1
| VOD2 | Tensión de salida diferencial V
65LBC176Q

Ver (2) 75LBC176 1.5 5

55LBC176,
Vtest = – 7 V a 12 V, Ver Figura 2, 65LBC176, 1.1
| VOD3 | Tensión de salida diferencial V
65LBC176Q

Ver (2) 75LBC176 1.5 5

Cambio en la magnitud del

Δ| VOD | –0,2 0,2 voltios
voltaje de salida diferencial (1)
COV –1 3V
Voltaje de salida en modo común
RL = 54 Ω o 100 Ω, consulte la Figura 7­1
Cambio en la magnitud del
Δ| COV | voltaje de salida en modo común –0,2 0,2 voltios
(1)

VO = 12 V 1
IO Salida deshabilitada,
Corriente de salida mamá
Ver (3) –0,8
VO = –7 V
IIH –100
Corriente de entrada de alto nivel VI = 2,4 V µA
IIL –100
Corriente de entrada de bajo nivel VI = 0,4 V µA

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6.6 Características eléctricas del controlador (continuación)

sobre los rangos recomendados de voltaje de suministro y temperatura de funcionamiento al aire libre (a menos que se indique lo contrario)
PARÁMETRO CONDICIONES DE LA PRUEBA UNIDAD MIN MAX

VO = −7 V –250

VO = 0 –150
iOS Corriente de salida de cortocircuito mamá

VO = VCC
250
VO = 12 V

55LBC176,
1,75
Receptor deshabilitado 65LBC176Q
y el conductor está habilitado
65LBC176,
1.5
75LBC176
VI = 0 o VCC,
CPI Corriente de suministro
Sin carga
mamá
55LBC176,
0,25
Receptor y controlador 65LBC176Q
desactivado
65LBC176,
0,2
75LBC176

(1) Δ| VOD | | y Δ | VOC | son los cambios en la magnitud de VOD y VOC, respectivamente, que ocurren cuando la entrada cambia de una alta
nivel a un nivel bajo.
(2) Este dispositivo cumple con los requisitos de VOD de TIA/EIA−485−A únicamente por encima de 0 °C.
(3) Esto se aplica tanto al encendido como al apagado; consulte TIA/EIA−485−A para conocer las condiciones exactas.

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6.7 Características de conmutación del controlador

sobre los rangos recomendados de voltaje de suministro y temperatura de funcionamiento al aire libre
SN55LBC176 SN65LBC176
PARÁMETRO CONDICIONES DE LA PRUEBA SN65LBC176Q SN75LBC176 UNIDAD

MÍN TIPO MÁXIMO MÍN TIPO(1) MÁXIMO

td(OD) Tiempo de retardo de salida diferencial 8 31 8 25 ns

RL = 54 Ω,
tt(OD) Tiempo de transición de salida diferencial Ver Figura 7­3 CL = 50 pF, 12 12 ns

tsk(p) Desviación de pulso (|td(ODH) – td(ODL)|) 6 0 6 ns

Ver Figura 7­4

TPZH Tiempo de habilitación de salida a nivel alto RL = 110 Ω, 65 35 ns

Ver Figura 7­5

TPZL Tiempo de habilitación de salida a nivel bajo RL = 110 Ω, 65 35 ns

Ver Figura 7­4

TPHZ Tiempo de desactivación de salida desde nivel alto RL = 110 Ω, 105 60 ns

Ver Figura 7­5

Por favor
Tiempo de desactivación de salida desde nivel bajo RL = 110 Ω, 105 35 ns

(1) Todos los valores típicos están en VCC = 5 V, TA = 25 °C.

Tabla 6­1. Equivalencias de símbolos de los controladores

PARÁMETRO DE LA HOJA DE DATOS RS­485

En voz alta Voa, Vob

| VOD1 | Vo

| VOD2 | Vt (RL = 54 Ω)

| Vídeo a la carta | Vt (terminación de prueba)

Medición 2)

Δ | Vídeo a la carta | || Vt | – | V t ||
COV | Vos |

Δ | COV | | Vos – Vos |

iOS Ninguno

IO Iia, Iib

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6.8 Características eléctricas del receptor

sobre los rangos recomendados de voltaje de entrada de modo común, voltaje de suministro y temperatura de funcionamiento al aire libre (a menos que
se indique lo contrario)
PARÁMETRO CONDICIONES DE LA PRUEBA TIPO MÍN (1) UNIDAD MÁXIMA

Tensión de umbral de
Vitamina+ VO = 2,7 V, E/S = –0,4 mA 0,2 voltios
entrada positiva

Voltaje umbral de entrada

VIT­ VO = 0,5 V, E /S = 8 mA –0,2(2) V
negativo

Tensión de histéresis (VIT+ –

Vhys 50 mV
VIT–) (ver Figura 7­4)

VIK Tensión de pinza de entrada de habilitación II = –18 mA –1,5 V

VID = 200 mV, IOH = –400 µA,

VOH Voltaje de salida de alto nivel 2.7 V
Ver Figura 7­6

VID = −200 mV, LIO = 8 mA,

VOL Voltaje de salida de bajo nivel 0,45 V
Ver Figura 7­6

Corriente de salida en estado

OIO VO = 0,4 V a 2,4 V –20 20 µA
de alta impedancia

VI = 12 V 1
Otra entrada = 0 V,
II Corriente de entrada de línea mamá
Ver (3) –0,8
VI = –7 V

Corriente de entrada de habilitación

IIH VIH = 2,7 V –100 µA
de alto nivel

Corriente de entrada de habilitación

IIL VIL = 0,4 V –100 µA
de bajo nivel

Rhode Island
Resistencia de entrada 12 kiloohmios

Receptor habilitado
3,9 mA
y conductor deshabilitado

VI = 0 o VCC, SN55LBC176,
CPI Corriente de suministro
Sin carga Receptor y SN65LBC176, 0,25
mamá
conductor deshabilitado SN65LBC176Q

SN75LBC176 0,2

(1) Todos los valores típicos están en VCC = 5 V, TA = 25 °C.

(2) En esta hoja de datos se utiliza la convención algebraica, en la que el límite menos positivo (más negativo) se designa como mínimo.
(3) Esto se aplica tanto al encendido como al apagado. Consulte la norma ANSI RS­485 para conocer las condiciones exactas.

6.9 Características de conmutación del receptor

sobre los rangos recomendados de voltaje de suministro y temperatura de funcionamiento al aire libre, CL = 15 pF
SN55LBC176 SN65LBC176
PARÁMETRO CONDICIONES DE LA PRUEBA SN65LBC176Q SN75LBC176 UNIDAD

MÍN MÁXIMO MÍNIMO TIPO(1) MÁXIMO

Tiempo de retardo de propagación, salida

tPLH 11 37 11 33 ns
de un solo extremo de nivel bajo a alto
VID = –1,5 V a 1,5 V,
Tiempo de retardo de propagación, salida
tPHL Ver Figura 7­7 11 37 11 33 ns
de un solo extremo de nivel alto a bajo

tsk(p) Desviación del pulso (| tPLH – tPHL|) 10 3 6 ns

tPZH Tiempo de habilitación de salida a nivel alto 35 35 ns

Ver Figura 7­8
tPZL Tiempo de habilitación de salida a nivel bajo 35 30 ns

tPHZ Tiempo de desactivación de salida desde nivel alto 35 35 ns

Ver Figura 7­8
tPLZ Tiempo de desactivación de salida desde nivel bajo 35 30 ns

(1) Todos los valores típicos están en VCC = 5 V, TA = 25 °C.

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7 Información de medición de parámetros

RL2

Vídeo a la carta 2

RL2 COV

Figura 7­1. Controlador VOD y VOC

375 ohmios

Vídeo a la carta 3
60 ohmios

Prueba V

375 ohmios

Figura 7­2. Controlador VOD3

3V

Aporte 1,5 V 1,5 V

CL = 50 pF
0 voltios
(ver Nota B)
RL = 54 Ω
Generador td(ODH) td(LDO)
50 ohmios Producción
(ver Nota A) ≈ 2,5 V
90%
3V Salida 50% 50%
10%
≈− 2,5 V
tt(OD) tt(OD)
CIRCUITO DE PRUEBA
FORMAS DE ONDA DE VOLTAJE

Figura 7­3. Circuito de prueba del controlador y formas de onda de voltaje

Producción 3V
S1 Aporte 1,5 V 1,5 V
0Vo3V 0V
0,5 V
TPZH
CL = 50 pF RL = 110 Ω
VOH
Generador (ver Nota B)
50 ohmios Producción 2,3 V
(ver Nota A)
tPHZ Voff ≈ 0 V

CIRCUITO DE PRUEBA FORMAS DE ONDA DE VOLTAJE

Figura 7­4. Circuito de prueba del controlador y formas de onda de voltaje

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5 voltios
3V

Aporte 1,5 V 1,5 V

RL = 110 Ω
S1 0 voltios
Producción
3Vo0V TPZL
Por favor

CL = 50 pF
5V
Generador (ver Nota B)
50 ohmios 0,5 V
2,3 V
(ver Nota A) Producción
VOL

CIRCUITO DE PRUEBA FORMAS DE ONDA DE VOLTAJE

Figura 7­5. Circuito de prueba del controlador y formas de onda de voltaje

A. El pulso de entrada es suministrado por un generador que tiene las siguientes características: PRR ≤ 1 MHz, ciclo de trabajo del 50%, tr ≤ 6 ns, tf ≤ 6 ns, ZO =
50 ohmios.

B. CL incluye capacitancia de sonda y plantilla.

C. El pulso de entrada es suministrado por un generador que tiene las siguientes características: PRR ≤ 1 MHz, ciclo de trabajo del 50%, tr ≤ 6 ns, tf ≤ 6 ns, ZO =
50 ohmios.

D. CL incluye capacitancia de sonda y plantilla.

Vídeo

VOH

+LIO ­IOH
VOL

Figura 7­6. VOH y VOL del receptor

3V

Aporte 1,5 V 1,5 V

Generador (ver Producción 0 voltios

51 ohmios
Nota A)
1,5 V
tPLH tPHL
CL = 15 pF (ver
VOH
Nota B)
Producción 1,3 V 1,3 V
0 voltios

VOL

CIRCUITO DE PRUEBA FORMAS DE ONDA DE VOLTAJE

Figura 7­7. Circuito de prueba del receptor y formas de onda de voltaje

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S1
1,5 V
S2
2 kΩ
­1,5 V 5 voltios

CL = 15 pF 5 kΩ 1N916 o equivalente
(ver Nota B)

Generador
50 ohmios
(ver Nota A)

S3

CIRCUITO DE PRUEBA

3V 3V
S1 a 1,5 V S2 S1 a −1,5 V S2
Aporte 1,5 V Abierto S3 Aporte 1,5 V Cerrado S3
Cerrado Abierto 0 V
0 voltios

TPZH
TPZL
VOH
≈ 4,5 V
1,5 V
Producción
Producción 1,5 V
0 voltios

VOL

3V 3V
S1 a 1,5 V S2 S1 a −1,5 V S2
1,5 V Cerrado S3 Aporte 1,5 V Cerrado S3
Aporte
Cerrado Cerrado
0 voltios 0 voltios

TPHZ
Por favor

VOH ≈ 1,3 V
0,5 V
Producción Producción 0,5 V

≈ 1,3 V VOL

FORMAS DE ONDA DE VOLTAJE

A. El pulso de entrada es suministrado por un generador que tiene las siguientes características: PRR ≤ 1 MHz, ciclo de trabajo del 50%, tr ≤ 6 ns, tf ≤ 6 ns, ZO =
50 ohmios.

B. CL incluye capacitancia de sonda y plantilla.

Figura 7­8. Circuito de prueba del receptor y formas de onda de voltaje

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8 Descripción detallada
8.1 Diagrama de bloques funcionales

3
Delaware

4
D
2
RE
6
1 A
R 7 Autobús

Figura 8­1. Diagrama lógico (lógica positiva)

3
Delaware ES1
2
RE ES2

6
4 1 A
D 7
1 B

1
R 2

A. Este símbolo cumple con la norma ANSI/IEEE Std 91­1984 y la publicación IEC 617­12.

Figura 8­2. Símbolo lógico (A)

8.2 Modos funcionales del dispositivo

Tabla 8­1. Tablas de funciones del controlador (1)

CONDUCTOR

APORTE PERMITIR SALIDAS

D Delaware
A B

yo yo yo yo

yo yo yo yo

incógnita yo O O

(1) H = nivel alto, L = nivel bajo, ? = indeterminado, X = irrelevante, Z = alta impedancia (apagado)

Tabla 8­2. Tablas de funciones del receptor(1)

RECEPTOR

ENTRADAS DIFERENCIALES PERMITIR SALIDAS

VID = VIA – VIB RE R

VID ≥ 0,2 V –0,2 V yo yo

< VID < 0,2 V VID ≤ –0,2 V yo ?

yo yo

incógnita yo O

Abierto yo yo

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EQUIVALENTE DE D, RE y TÍPICOS DE PUERTOS A Y BI/O TÍPICO DE SALIDA DEL RECEPTOR

DE ENTRADAS
CCV
CCV
CCV

100 kΩ NOM 3 kΩ
Un puerto solamente
NOM

AoB

Producción
Aporte

18 kΩ
NOM

100 kΩ NOM
1,1 kΩ
Solo puerto B
NOM

Figura 8­3. Esquemas de entradas y salidas

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9 Soporte de dispositivos y documentación

9.1 Compatibilidad con dispositivos

9.1.1 Características térmicas de los encapsulados de circuitos integrados

θJA (resistencia térmica de la unión a la temperatura ambiente) se define como la diferencia entre la temperatura de la unión y la temperatura ambiente
dividida por la potencia de funcionamiento.

θJA NO es una constante y es una función fuerte de

• el diseño de PCB (variación del 50%)
• altitud (variación del 20%)
• potencia del dispositivo (variación del 5%)

El θJA se puede utilizar para comparar el rendimiento térmico de los paquetes si se definen y utilizan las condiciones de prueba específicas. Las pruebas
estandarizadas incluyen la especificación de la construcción de la PCB, el volumen de la cámara de prueba, las ubicaciones de los sensores y las
características térmicas de los accesorios de sujeción. El θJA se suele utilizar incorrectamente cuando se utiliza para calcular las temperaturas de unión para
otras instalaciones.

TI utiliza dos PCB de prueba según lo definido por las especificaciones JEDEC. La placa de baja k ofrece un rendimiento térmico promedio en condiciones
de uso y consta de una sola capa de trazas de 25 mm de largo y cobre de 2 oz de espesor. La placa de alta k ofrece las mejores condiciones de uso y consta
de dos planos de alimentación enterrados de 1 oz con una sola capa de trazas de 25 mm de largo y cobre de 2 oz de espesor. Se puede medir una diferencia
de 4 % a 50 % en θJA entre estas dos tarjetas de prueba.

La resistencia térmica de unión a carcasa ( θJC ) se define como la diferencia de temperatura de unión a carcasa dividida por la potencia de funcionamiento.
Se mide colocando el paquete montado contra una placa fría de bloque de cobre para forzar el flujo de calor desde la matriz, a través del compuesto de
moldeo, hacia el bloque de cobre.

θJC es una característica térmica útil cuando se aplica un disipador de calor al encapsulado. NO es una característica útil para predecir la temperatura de la
unión, ya que proporciona números pesimistas si la temperatura de la carcasa se mide en un sistema no estándar y se descartan las temperaturas de la
unión. Se puede utilizar con θJB en la simulación térmica unidimensional de un sistema de encapsulado.

θJB (resistencia térmica de unión a placa) se define como la diferencia entre la temperatura de unión y la temperatura de la PCB en el centro del paquete
(más cerca de la matriz) cuando la PCB está sujeta en una estructura de placa fría. θJB solo se define para la tarjeta de prueba de alto k.

θJB proporciona una resistencia térmica general entre la matriz y la PCB. Incluye un poco de la resistencia térmica de la PCB (especialmente para BGA con
bolas térmicas) y se puede utilizar para un análisis de red unidimensional simple del sistema de encapsulado (consulte la Figura 9­1).

Nodo ambiental

CA Calculado

Nodo de superficie

JC Calculado/Medido

Unión

JB Calculado/Medido

Placa de PC

Figura 9­1. Resistencia térmica

9.2 Marcas comerciales

LinBiCMOS™ es una marca comercial de Texas Instruments Incorporated.

Todas las marcas comerciales son propiedad de sus respectivos dueños.

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9.3 Precaución sobre descarga electrostática

Este circuito integrado puede resultar dañado por descarga electroestática. Texas Instruments recomienda que todos los circuitos integrados se manipulen
con las precauciones adecuadas. Si no se siguen los procedimientos de manipulación e instalación adecuados, pueden producirse daños.

Los daños por descarga electroestática pueden variar desde una sutil degradación del rendimiento hasta una falla total del dispositivo. Los circuitos integrados de
precisión pueden ser más susceptibles a sufrir daños porque cambios paramétricos muy pequeños podrían hacer que el dispositivo no cumpla con las
especificaciones publicadas.

9.4 Glosario

Glosario de TI Este glosario enumera y explica términos, acrónimos y definiciones.

10 Información mecánica, de embalaje y de pedido

Las siguientes páginas incluyen información mecánica, de embalaje y de pedido. Esta información es la más actualizada
disponible para los dispositivos designados. Estos datos están sujetos a cambios sin previo aviso y a la revisión de este
documento. Para versiones de esta hoja de datos basadas en navegador, consulte la navegación de la izquierda.

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ADICIONAL DE OPCIONES DE PAQUETE

www.ti.com 28 de agosto de 2024

INFORMACIÓN DEL EMBALAJE

Dispositivo que se puede pedir Estado Tipo de paquete Paquete Paquete de pines Plan ecológico Acabado de plomo/ Temperatura máxima del MSL Temperatura de operación (°C) Marcado de dispositivos Muestras
(1) Dibujo Cantidad (2) Material de la pelota (3) (4/5)
(6)

5962­9318301Q2A ACTIVO CCLC Por favor 20 55 No RoHS N/A para tipo de paquete ­55 a 125 5962­
Muestras
SNPB (Sistema Nacional de Protección de los Animales)

& Verde 9318301Q2A

SNJ55
LBC176FK

5962­9318301QPA ACTIVO CDIP JG 8 50 No RoHS N/A para tipo de paquete ­55 a 125 9318301QPA
Muestras
SNPB (Sistema Nacional de Protección de los Animales)

& Verde SNJ55LBC176

SN65LBC176DR ACTIVO SOIC D 8 2500 RoHS y ecológico NIPDAU Nivel­1­260C­UNLIM ­40 a 85 6LB176
Muestras

SN65LBC176DRG4 ACTIVO SOIC D 8 2500 RoHS y ecológico NIPDAU Nivel­1­260C­UNLIM ­40 a 85 6LB176
Muestras

SN65LBC176P ACTIVO PDI PAG 8 50 RoHS y ecológico NIPDAU N/A para tipo de paquete ­40 a 85 65LBC176
Muestras

SN65LBC176QDR ACTIVO SOIC D 8 2500 RoHS y ecológico NIPDAU Nivel­1­260C­UNLIM ­40 a 125 LB176Q
Muestras

SN65LBC176QDRG4 ACTIVO SOIC D 8 2500 RoHS y ecológico NIPDAU Nivel­1­260C­UNLIM ­40 a 125 (J176Q1, LB176Q)
Muestras

SN75LBC176D SOIC OBSOLETO D 8 Por determinar Llama a TI Llama a TI 0 a 70 7LB176

SN75LBC176P ACTIVO PDI PAG 8 50 RoHS y ecológico NIPDAU N/A para tipo de paquete 0 a 70 75LBC176
Muestras

SNJ55LBC176FK ACTIVO CCLC Por favor 20 55 No RoHS SNPB (Sistema Nacional de Protección de los Animales)
N/A para tipo de paquete ­55 a 125 5962­
Muestras
& Verde 9318301Q2A
SNJ55
LBC176FK

SNJ55LBC176JG ACTIVO CDIP JG 8 50 No RoHS N/A para tipo de paquete ­55 a 125 9318301QPA
Muestras
SNPB (Sistema Nacional de Protección de los Animales)

& Verde SNJ55LBC176

(1)
Los valores del estado de comercialización se definen de la siguiente manera:
ACTIVO: Dispositivo de producto recomendado para nuevos diseños.
LIFEBUY: TI ha anunciado que el dispositivo dejará de fabricarse y que entrará en vigor un período de compra de por vida.
NRND: No se recomienda para nuevos diseños. El dispositivo está en producción para brindar soporte a los clientes existentes, pero TI no recomienda usar esta pieza en un nuevo diseño.
AVANCE: El dispositivo ya se anunció, pero no se encuentra en producción. Es posible que haya muestras disponibles o no.
OBSOLETO: TI ha descontinuado la producción del dispositivo.

(2)
RoHS: TI define "RoHS" como productos semiconductores que cumplen con los requisitos actuales de RoHS de la UE para las 10 sustancias RoHS, incluido el requisito de que la sustancia RoHS
No supere el 0,1 % en peso en materiales homogéneos. Cuando se diseñan para soldarse a altas temperaturas, los productos "RoHS" son adecuados para su uso en procesos específicos sin plomo. TI puede
Denomine este tipo de productos como "libres de plomo".
Exento de RoHS: TI define "Exento de RoHS" como productos que contienen plomo pero que cumplen con la normativa RoHS de la UE de conformidad con una exención RoHS específica de la UE.

Adenda­Página 1
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ADICIONAL DE OPCIONES DE PAQUETE

www.ti.com 28 de agosto de 2024

Verde: TI define "Verde" como el contenido de retardantes de llama a base de cloro (Cl) y bromo (Br) que cumplen con los requisitos de bajo contenido de halógenos de JS709B de un umbral de <=1000 ppm. Los retardantes de llama a base de trióxido de antimonio también
deben cumplir con el requisito de umbral de <=1000 ppm.

(3)
MSL, temperatura máxima: clasificación del nivel de sensibilidad a la humedad según las clasificaciones estándar de la industria JEDEC y temperatura máxima de soldadura.

(4)
Puede haber un marcado adicional relacionado con el logotipo, la información del código de seguimiento del lote o la categoría ambiental en el dispositivo.

(5)
Las marcas de varios dispositivos se mostrarán entre paréntesis. Solo aparecerá una marca de dispositivo entre paréntesis y separada por un "~" en un dispositivo. Si una línea está sangrada, es una continuación de la línea anterior y las dos combinadas representan
la marca de dispositivo completa para ese dispositivo.

(6)
Acabado de plomo/Material de la bola: los dispositivos que se pueden pedir pueden tener varias opciones de acabado de material. Las opciones de acabado están separadas por una línea vertical. Los valores de acabado de plomo/material de la bola pueden incluir dos
líneas si el valor de finalización excede el ancho máximo de columna.

Información importante y exención de responsabilidad: La información proporcionada en esta página representa el conocimiento y la creencia de TI a la fecha en que se proporciona. TI basa su conocimiento y creencia en la información proporcionada por terceros y no
realiza declaraciones ni garantías en cuanto a la precisión de dicha información. Se están realizando esfuerzos para integrar mejor la información de terceros. TI ha tomado y continúa tomando medidas razonables para proporcionar información representativa y precisa,
pero es posible que no haya realizado pruebas destructivas ni análisis químicos de los materiales y productos químicos entrantes.
TI y sus proveedores consideran que cierta información es de propiedad exclusiva y, por lo tanto, es posible que los números CAS y otra información limitada no estén disponibles para su divulgación.

En ningún caso la responsabilidad de TI derivada de dicha información excederá el precio de compra total de las piezas de TI en cuestión en este documento vendidas por TI al Cliente anualmente.

OTRAS VERSIONES CALIFICADAS DE SN55LBC176, SN65LBC176, SN75LBC176:

• Catálogo: SN75LBC176

• Automotriz: SN65LBC176­Q1
• Militar: SN55LBC176

NOTA: Definiciones de versiones calificadas:

• Catálogo ­ Catálogo de productos estándar de TI

• Automotriz: dispositivos Q100 calificados para aplicaciones automotrices de alta confiabilidad que apuntan a cero defectos
• Militar: certificado por QML para aplicaciones militares y de defensa.

Adenda­Página 2
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INFORMACIÓN SOBRE LOS MATERIALES DEL PAQUETE

www.ti.com 6 de abril de 2024

INFORMACIÓN SOBRE CINTAS Y CARRETES

DIMENSIONES DEL CARRETE DIMENSIONES DE LA CINTA

K0 P1

Yo
B0

Carrete

Diámetro
Cavidad A0

A0 Dimensión diseñada para acomodar el ancho del componente.

B0 Dimensión diseñada para acomodar la longitud del componente.
K0 Dimensión diseñada para acomodar el espesor del componente.
Yo Ancho total de la cinta portadora
P1 Paso entre centros de cavidades sucesivas

Ancho del carrete (W1)

ASIGNACIONES DE CUADRANTES PARA LA ORIENTACIÓN DEL PIN 1 EN LA CINTA

Orificios de rueda dentada

T1 T2 T1 T2

T3 T4 T3 T4 Dirección del usuario del feed

Cuadrantes de bolsillo

*Todas las dimensiones son nominales.

Dispositivo Paquete Paquete Carrete de pines SPQ Carrete A0 B0 K0 P1 Yo Pin1

Tipo Dibujo Diámetro Ancho (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Cuadrante
(mm) Ancho 1 (mm)

SN65LBC176DR SOIC D 8 2500 330.0 12.4 6.4 5.2 2.1 8.0 12.0 Q1

Materiales del paquete ­ Página 1

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INFORMACIÓN SOBRE LOS MATERIALES DEL PAQUETE

www.ti.com 6 de abril de 2024

DIMENSIONES DE LA CAJA DE CINTA Y CARRETE

Ancho (mm)
yo

Yo
yo

*Todas las dimensiones son nominales.

Dispositivo Tipo de paquete Paquete Chinchetas SPQ Longitud (mm) Ancho (mm) Altura (mm)
SN65LBC176DR SOIC D 8 2500 356.0 356.0 35.0

Materiales del paquete ­ Página 2

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INFORMACIÓN SOBRE LOS MATERIALES DEL PAQUETE

www.ti.com 6 de abril de 2024

TUBO

T­Tubo
altura L ­ Longitud del tubo

W ­ Ancho
del tubo

B ­ Ancho de la ranura de alineación

*Todas las dimensiones son nominales.

Dispositivo Nombre del paquete Tipo de paquete Pines SPQ Largo (mm) Ancho (mm) Espesor (µm) B (mm)

5962­9318301Q2A Por favor CCLC 20 55 506,98 12.06 2030 N/A

SN65LBC176P PAG PDI 8 50 506 13,97 11230 4.32

SN75LBC176P PAG PDI 8 50 506 13,97 11230 4.32

SNJ55LBC176FK Por favor CCLC 20 55 506,98 12.06 2030 N/A

Materiales del paquete ­ Página 3

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ESQUEMA DEL PAQUETE

JG0008A CDIP ­ Altura máxima de 5,08 mm

PAQUETE DOBLE EN LÍNEA DE CERÁMICA

7.11
B
6.22 1,60
A
0,38

6X2,54

1,65
10.16
4X1,14
9.00

4X (0,94)

0,58
8X
0,38
0,51 3,30
minutos minutos 0,25 CABINA

5.08 MÁXIMO
7,87 PLANO DE ASIENTOS
7,37
do

0,36 0­15 TÍPICO

TÍPICO
0,20

4230036/A 09/2023

NOTAS:

1. Todas las dimensiones lineales están en milímetros. Las dimensiones entre paréntesis son solo de referencia. Dimensionamiento y tolerancias
según ASME Y14.5M.
2. Este dibujo está sujeto a cambios sin previo aviso.
3. Este paquete se puede sellar herméticamente con una tapa de cerámica utilizando frita de vidrio.
4. Se proporciona un punto de índice en la tapa para la identificación del terminal.
5. Cumple con la norma MIL STD 1835 GDIP1­T8

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EJEMPLO DE DISPOSICIÓN DEL TABLERO

JG0008A CDIP ­ Altura máxima de 5,08 mm

PAQUETE DOBLE EN LÍNEA DE CERÁMICA

(7,62)

0,05 MÁXIMO
TODO TIPO

1 8
(1.6)

6X (2,54) (R0.05) TÍPICO

SÍMBOLO

7X (1,6)

8X ( 1)
A TRAVÉS DE

METAL
TIPO
4 5

MÁSCARA DE SOLDADURA
APERTURA SÍMBOLO
TIPO

EJEMPLO DE PATRÓN DE TERRENO

DEFINICIÓN DE MÁSCARA SIN SOLDADURA
ESCALA: 9X

4230036/A 09/2023

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VISTA DEL PAQUETE GENÉRICO

20 de febrero LCCC ­ Altura máxima de 2,03 mm
8,89 x 8,89, paso de 1,27 mm PORTADOR DE CHIP CERÁMICO SIN PLOMOS

Esta imagen es una representación de la familia de paquetes, el paquete real puede variar.
Consulte la hoja de datos del producto para obtener detalles del paquete.

4229370\/A\

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ESQUEMA DEL PAQUETE

D0008A ESCALA 2.800

SOIC ­ Altura máxima de 1,75 mm
CIRCUITO INTEGRADO DE ESQUEMA PEQUEÑO

do

PLANO DE ASIENTOS

.228­.244 TÍPICO
[5,80­6,19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ÁREA DE IDENTIFICACIÓN

6X .050
[1.27]
8
1

.189­.197 2X

[4.81­5.00] .150
NOTA 3 [3.81]

4X (0­15)

4
5
8X .012­.020
B .150­.157 [0.31­0.51] .069 MÁXIMO
[3.81­3.98] .010 [0.25] CAB [1.75]
NOTA 4

.005­.010 TÍPICO
[0,13­0,25]

4X (0­15)

VER DETALLE A

.010
[0,25]

.004­.010
0­8
[0.11­0.25]
.016­.050
[0,41­1,27] DETALLE A
TÍPICO
(.041)
[1.04]

4214825/C 02/2019
NOTAS:

1. Las dimensiones lineales se expresan en pulgadas [milímetros]. Las dimensiones entre paréntesis se indican solo como referencia. Las dimensiones de control se expresan en pulgadas.
Dimensionamiento y tolerancias según ASME Y14.5M.
2. Este dibujo está sujeto a cambios sin previo aviso.
3. Esta dimensión no incluye rebabas, salientes ni rebabas de compuerta del molde. Las rebabas, salientes o rebabas de compuerta del molde no deben
superar los 0,006 [0,15] por lado.
4. Esta dimensión no incluye el flash interconectado.
5. Referencia registro JEDEC MS­012, variación AA.

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EJEMPLO DE DISPOSICIÓN DEL TABLERO

D0008A SOIC ­ Altura máxima de 1,75 mm

CIRCUITO INTEGRADO DE ESQUEMA PEQUEÑO

8X (.061 )
[1.55]
SÍMBOLO VER
DETALLES
1

8X (.024)
[0.6] SÍMBOLO

(R.002 ) TÍPICO
[0,05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]

EJEMPLO DE PATRÓN DE TERRENO

METAL EXPUESTO MUESTRA
ESCALA:8X

MÁSCARA DE SOLDADURA MÁSCARA DE SOLDADURA

METAL METAL DEBAJO
APERTURA APERTURA
MÁSCARA DE SOLDADURA

EXPUESTO
METAL EXPUESTO
METAL
.0028 MÁXIMO .0028 MÍNIMO
[0.07] [0,07]
POR TODOS LADOS POR TODOS LADOS

MÁSCARA SIN SOLDADURA MÁSCARA DE SOLDADURA

DEFINIDO DEFINIDO

DETALLES DE LA MÁSCARA DE SOLDADURA

4214825/C 02/2019

NOTAS: (continuación)

6. La publicación IPC­7351 puede tener diseños alternativos.

7. Las tolerancias de la máscara de soldadura entre y alrededor de las almohadillas de señal pueden variar según el sitio de fabricación de la placa.

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EJEMPLO DE DISEÑO DE PLANTILLA

D0008A SOIC ­ Altura máxima de 1,75 mm

CIRCUITO INTEGRADO DE ESQUEMA PEQUEÑO

8X (.061 )
[1.55] SÍMBOLO

8X (.024)
[0.6] SÍMBOLO

(R.002 ) TÍPICO
5 [0,05]
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]

EJEMPLO DE PASTA DE SOLDADURA

BASADA EN UNA PLANTILLA DE GROSOR DE 0,005 PULGADAS
[0,125 MM] ESCALA: 8X

4214825/C 02/2019

NOTAS: (continuación)

8. Las aberturas de corte por láser con paredes trapezoidales y esquinas redondeadas pueden ofrecer una mejor liberación de la pasta. IPC­7525 puede tener alternativas
Recomendaciones de diseño.
9. El lugar de ensamblaje de la placa puede tener diferentes recomendaciones para el diseño de la plantilla.

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