TIRISTOR DE INDUCCIÓN ESTÁTICA (SITH)
Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de activarse con un voltaje positivo de
compuerta y una de sus principales característica es su baja resistencia en estado activo.
Funcionamiento
Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta, como los
tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es
un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja
resistencia en estado activo así como una baja caída de potencial, y se puede aplicar con
especificaciones de voltaje y corriente más altas.
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
FOTOACTIVO (LASCR)
Dispositivo semiconductor de cuatro capas que opera esencialmente como el SCR
normal, solamente que es activado por medio de energía luminosa que incide sobre
una de las junturas PN. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el LASCR se
dispara y permanece en ese estado aunque desaparezca esa luz.
Funcionamiento
Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre el disco de silicio. Los
pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente de
disparo bajo la influencia de un campo eléctrico.
TIRISTORES CONTROLADOS POR FET(FET-CTH)
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se
muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, típicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el
tiristor.
Tiene una alta velocidad de conmutación, un di/dt alto y un dv/dt alto. Este dispositivo
se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar
mediante control de compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que un disparo
óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento eléctrico entre la señal
de entrada o de control y el dispositivo de conmutación del convertidor de potencia.
Tiristor controlado por MOS (MCT)
El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos
del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su
aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.
Está integrado por 2 MOSFET, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga. Existen
diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor PNPN que
determina las propiedades de conducción (y de bloqueo).
Características
• Una baja caída de voltaje directo durante la conducción.
• Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado
rápido, típicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500V.
• Bajas perdidas de conmutación.
• Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
• Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos
de excitación.
• Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con
sólo modestas reducciones en la especificación de corriente del dispositivo. No se
puede excitar fácilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una
polarización continua a fin de evitar ambigüedad de estado.
