CIRCUITOS INTEGRADOS
INTEGRANTES
Acarapi Flores Tatiana Vanessa
Carvajal Yucra Brayan Abel
Clemente Alejo Orlando
INDICE:
• ESTRUCTURA FISICA
• TECNOLOGIA EN SU PROCESO DE FABRICACION
• FILOSOFIA DEL FUNSIONAMIENTO
• APLICACIÓN
• NORMAS DE FABRICACION
1. ESTRUCTURA FÍSICA
• Son elaborados como una sola pieza por
fotolitografía a partir de una oblea,
generalmente de silicio
• Contiene alrededor de 275,000 transistores,
ademá s de una multitud de otros componentes
como son transistores, diodos, resistencias,
condensadores y alambres de conexió n, y
medir desde menos de un centímetro a poco
má s de tres centímetros.
Son tres las ventajas má s importantes son:
• Menor costo;
• Mayor eficiencia energética
• Reduccion de su tamañ o.
El bajo costo es debido a que los CI
, permitiendo la producció n en cadena de grandes
cantidades, con una muy baja tasa de defectos. La
elevada eficiencia se debe a que, dada la
miniaturizació n de todos sus componentes, el
consumo de energía es considerablemente menor,
a iguales condiciones de funcionamiento que un
homó logo fabricado con componentes discretos.
2. TECNOLOGÍA DE SU PROCESO DE FABRICACIÓ N
OBLEA
FORMACION DE CAPAS:
Oxidos , semiconductores y
metal
DOPADO CON
IMPUREZAS
LITOGRAFIA
GRABADO
• Resistencias en un circuito integrado
En consecuencia, el valor de la resistencia en un circuito integrado depende por :
• Un lado de los pará metros geométricos W y L, y por otro
• Un lado del valor de la resistencia laminar, , que depende a su vez del proceso de implantació n.
TIPOS DE TECNOLOGÍA
• Tecnología NMOS
• Tecnología CMOS
• Tecnología SOI
• Tecnología BiCMOS
• Tecnología MESFET
3. FILOSOFÍA DEL FUNCIONAMIENTO
• Antes de definir que es un circuito integrado debemos diferenciar entre un
componente discreto; es un componente unitario es una resistencia, un
transistor, un condensador, un diodo.
• Todo esto en contra posició n al concepto del circuito integrado que por
definició n son dos o má s componentes en una misma superficie de forma
rectangular o cuadrada de silicio o de un material semiconductor.
La representación de un circuito integrado es la
siguiente:
• Diagrama Interno de un Circuito:
3.1 CLASIFICACIÓ N DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
• Circuitos integrados analó gicos:
Los circuitos integrados analó gicos amplifican, filtran y modifican
señ ales eléctricas.
Por ejemplo; teléfonos y celulares.
• Circuitos integrados digitales:
Los circuitos Digitales trabajan con señ ales que solo pueden tomar uno
de dos valores posibles
4. APLICACIÓ N.
• Aplicación de los circuitos
integrados:
• El uso de los circuitos cubre una infinidad de tipos y
funciones. Siendo omnipresentes en ordenadores,
celulares, comunicaciones, manufactura, transporte,
internet.
4. NORMAS DE FABRICACIÓ N
• Oblea:
La oblea es una fina plancha de material semiconductor
Cilindro solido de silicio Oblea circular de espesor 6μm
Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en
un semiconductor
dopaje se representa con la nomenclatura n
Una oblea de silicio tipo n
• excesivamente impurificado n+ (dopaje pesado)
• regió n levemente impurificada se designaría n-(dopaje ligero)
• Oxidación
Es el proceso químico para forma dióxido de silicio
• Difusió n
Es un método mediante el cual se introducen á tomos de impurezas en el
Silicio para cambiar su resistividad
Dopantes de tipo N: P, As, Sb
Dopante de tipo P: B
• Implantación de iones
Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso
del perfil del dopaje es esencial para la operació n del dispositivo
• Deposición por medio de vapor químico
Se utiliza para que actú e como aislante térmico
• Metalización
Su propó sito es interconectar los diversos componentes
• Fotolitografía
Proceso usado para seleccionar las zonas de una oblea que
deben ser afectadas.
• Empacados
Es la parte final en la cual se montan en capsulas, luego de
separarlas rebaná ndolas (las obleas), quedando así:
se sella el paquete con plá stico o resina epó xica al vacío o en
una atmó sfera inerte
GRACIAS
