【硬件相关】Flash存储技术总结

本文探讨了Flash存储技术在不同层次的应用,包括其作为主存储器、缓冲层和持久性存储的角色。文章分析了Flash的特性,如写入慢、有限的擦除次数,并介绍了两种管理Flash的软件体系结构。内容涵盖了Flash的分类、地址映射、垃圾回收、磨损均衡策略以及对传统数据结构和算法的挑战。此外,还讨论了基于Flash的缓冲区管理、文件系统和事务处理技术,指出优化Flash性能的关键在于减少写操作和提高垃圾回收效率。

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FLASH地位:三个层次,主存储器、RAM与磁盘间的BUFFER cache层、持久性存储层。

FLASH每个存储单元必须擦除后才可写,且每个存储单元允许的擦除次数有限,

两种管理FLASH存储器的软件体系结构:

1.设置FLASH转换层为FLASH存储器提供设备接口,不需要修改已有文件系统,转换层可以地址映射、垃圾回收、磨损均衡。

2.设计专门的FLASH文件系统。

两大问题:1.写太慢。2.操作系统、文件系统、数据库管理系统等大量上层软件的设计和实现都是基于底层采用磁盘存储系统的假设,大量的数据结构和算法的设计和实现都以优化磁盘系统的性能为目标。如B+树、buffer cache管理策略等,将这些软件直接用于基于Flash的存储系统无疑将无法有效地发挥Flash存储系统的性能,因而
 

修改或设计新的数据结构和算法以提高Flash存储

系统的性能是另一个需要研究的问题.

 

Flash分类:AND NAND NOR NINOR。主要是NOR和NAND。两种的存储单元组织为块阵列,最小擦除单元为块,最小读写单元为页,对块擦除相当于所有位变为1,写页时先看页的所有位置是否都为1,不都为1就擦除,

NAND Flash页大小通常为512B,2KB,4KB,一个块有32、64或128个页,每个页包含数据区和外带区。NOR Flash可以以字节为单位访问。

NOR Flash并行连接存储单元,有数据线地址线控制线,快速度,片上执行,写和擦除时间长,且容量低价格高,多用于手机,BIOS等代码的存储。

NAND  FLASH串行连接存储单元,读取慢但写和擦除相对较快,容量大价格低,多用于手机,相机等的数据储存。

Flash 与RAM和磁盘的比较的有点:读写延迟低、随机读性能和顺序读一样快、低能耗、高可靠、适应恶劣环境。

Flash地位的研究:1.内存的部分或全部代替。2.磁盘的读CACHE或预写日志。3.持久性存储(windows readyboost)。

 

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