ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE.

"2018"
"Créé" LE GRADATEUR.
1) Définition :
Un gradateur est un appareil de commande qui permet de contrôler la puissance absorbée par un
récepteur: lampe, moteur, chauffage, etc et ceci en régime alternatif.

2) Structure d’un gradateur en monophasé :

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N Ph
220 V

Ce système se comporte donc comme un interrupteur commandé: " Le triac ". Il établit ou
interrompt la liaison électrique entre la source de 220 volts alternatif et la charge.

3) Constitution d’un gradateur :

Il se compose d’une partie puissance et d’une partie commande intégrées dans le même bloc.

fortes
La partie puissance est constituée de deux thyristors montés « tête-bêche » pour les
puissances ( > 10 kW ) ou d’un triac pour les puissances inférieures.

 d’élaborer
La partie commande est constituée de divers circuits électroniques permettant
les signaux de commande des thyristors à partir d’un ordre de
commande extérieur. Suivant les types de gradateur, ce signal de commande sera de
type Tout Ou Rien de type: [ T.O.R ] ou bien analogique.
- - -
La tension aux bornes de la charge évolue suivant la séquence de commande, ainsi on différenciera
deux types de gradateurs :

{  GRADATEUR A ANGLE DE PHASE:

 GRADATEUR A TRAIN D’ONDES:

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?
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4) GRADATEUR A ANGLE DE PHASE:

4.1) Définition :

C’est un appareil qui, alimenté sous une tension sinusoïdale de valeur efficace constante,
fournit à la charge un courant alternatif non sinusoïdal de même fréquence que la tension
d'alimentation, mais de valeur efficace réglable.
Donc :

GRADATEUR A
SOURCE
ANGLE DE PHASE.
LE RECEPTEUR
Tension Tension alternative
sinusoïdale de non sinusoïdale de
fréquence 'f' et de fréquence 'f' et de
valeur efficace valeur efficace
constante. réglable.

4.2) Principe de fonctionnement d’un gradateur à angle de phase

monophasé débitant sur une charge résistive :

Dans ce type de gradateur, le signal envoyé sur l’entrée de commande du gradateur est analogique.
Le thyristor Th1 est amorcé durant l’alternance positive avec un angle de retard α par rapport au
passage par zéro de la tension secteur. Le thyristor Th2 est amorcé durant l’alternance négative avec
le même angle de retard.
On obtient alors aux bornes de la charge le tension suivante :
Ü

Ü

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4.3) Principales relations:

✓ Valeur de la tension efficace aux bornes de la charge :

U =U 1−α + sin 2α
ch source π 2π

Avec Usource : Tension efficace fournie par la source.

✓ Puissance moyenne dissipée dans la charge :

( )
2 2

P =U =Uch source
× 1−α + sin 2α
moy R R π 2π

Avec R : Valeur de la résistance de charge.

4.4) Domaine d’utilisation de ce genre de gradateur:

{  Le chauffage électrique...
 L'éclairage...
 La variation de vitesse des moteurs alternatifs de faibles puissance ( perceuses,
aspirateurs de quelques centaines de Watts )...
 En règle générale, ils sont utilisés sur des systèmes ne présentant pas ou peu
d’inertie thermique ou mécanique...

Les inconvénients :

{  La tension aux bornes de la charge est alternative non sinusoïdale, donc le courant


absorbé sera aussi alternatif non sinusoïdal. La présence d’harmonique de courant
absorbés sur le réseau sera donc importante.
La relation entre la puissance moyenne dissipée dans la charge et le signal de
commande α n’est pas linéaire.

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5) GRADATEUR A TRAIN D'ONDES :

5.1) Définition :
C’est un appareil qui, alimenté sous une tension sinusoïdale de valeur efficace constante,
fournit à la charge des salves de tension de manière à faire varier la valeur efficace de la tension
aux bornes de la charge.
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Donc :

GRADATEUR A
SOURCE
TRAIN D'ONDES.
LE RECEPTEUR
Tension Salves de tension
sinusoïdale de sinusoïdale de
fréquence 'f' et de fréquence 'f' et de
valeur efficace valeur efficace
constante. réglable.

5.2) Principe de fonctionnement d’un gradateur à train d’ondes

monophasé débitant sur charge résistive.
Dans ce type de gradateur, le signal envoyé sur l’entrée de commande du gradateur est de type
TOR.

Le thyristor Th1 et le thyristor Th2 sont amorcés de manière continue pendant le temps Ton
( période de conduction ) et ils sont ensuite bloqués jusqu’à la fin de la période de modulation
On obtient alors aux bornes de la charge la tension suivante :

T : période de la tension source ( secteur )

Ton : durée du train d’onde ( salve )
Tc : période de modulation

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5.3) Principales relations :

✓ Valeur de la tension efficace aux bornes de la charge:

U =U ch
× β
source

U source : tension efficace fournie par la source.

Avec
β : rapport cyclique.

✓ Puissance moyenne dissipée dans la charge:

P = P ×TT = P on
×β avec P =U source
moy max max max R
c

Avec R : valeur de la résistance de charge.

5.4) Domaine d’utilisation de ce genre de gradateur:

 Le chauffage électrique...
 Utilisés sur des systèmes présentant une inertie thermique importante...

Les avantages:

 La tension aux bornes de la charge est alternative sinusoïdale, donc le courant

absorbé sera aussi alternatif sinusoïdal. La présence d’harmonique de courant sera
donc nulle.
 On a une relation linéaire entre la puissance moyenne dans la charge et le signal de
commande β.

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La fin de ce poly !
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Notes personnelles...

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ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE.
Caractéristiques techniques

SemiWell Semiconductor BT138-600

Bi-Directional Triode Thyristor

Symbol
○ 2.T2
Features

◆ Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V ▼▲

○ 3.Gate
◆ R.M.S On-State Current ( IT(RMS)= 12 A )
◆ High Commutation dv/dt 1.T1 ○
◆ Non-isolated Type

TO-220

General Description

This device is suitable for AC switching application, phase

control application such as fan speed and temperature mod-
ulation control, lighting control and static switching relay.
1
2
3

Absolute Maximum Ratings ( TJ = 25°C unless otherwise specified )

Symbol Parameter Condition Ratings Units

VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 600 V

IT(RMS) R.M.S On-State Current TC = 101 °C 12 A

One Cycle, 50Hz/60Hz, Peak,

ITSM Surge On-State Current 100/110 A
Non-Repetitive

I2 t I2t for fusing t =10ms 50 A2 s

PGM Peak Gate Power Dissipation 5.0 W

PG(AV) Average Gate Power Dissipation Over any 20ms period 0.5 W

IGM Peak Gate Current 2.0 A

VGM Peak Gate Voltage 10 V

TJ Operating Junction Temperature - 40 ~ 125 °C

TSTG Storage Temperature - 40 ~ 150 °C

Mass 2.0 g

Jan, 2004. Rev. 0

copyright@SemiWell Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE. Caractéristiques techniques

BT138-600
Fig 7. Gate Trigger Current vs. Fig 8. Transient Thermal Impedance
Junction Temperature
1
10 10

Transient Thermal Impedance [ C/W]

o
IGT (25 C)
IGT (t C)
o
o

1 + 0
I GT1
10
_
I GT1

_
I GT3

-1
0.1 10
-50 0 50 100 150 10
-2
10
-1 0
10
1
10
2
10
o
Junction Temperature [ C] Time (sec)

Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit

10Ω 10Ω 10Ω

▼▲ ▼▲ ▼▲
● A ● A ● A
6V 6V 6V
RG RG RG
V V V

● ● ●

Test Procedure Ⅰ Test Procedure Ⅱ Test Procedure Ⅲ

Electrical Characteristics TECHNIQUE
Ratings
Symbol Items Conditions Unit
Min. Typ. Max.

Repetitive Peak Off-State VD = VDRM, Single Phase, Half Wave

IDRM ─ ─ 2.0 mA
Current TJ = 125 °C

VTM Peak On-State Voltage IT = 15 A, Inst. Measurement ─ ─ 1.65 V

I+GT1 Ⅰ ─ ─ 25

I -GT1 Ⅱ Gate Trigger Current VD = 6 V, RL=10 Ω ─ ─ 25 mA

I -GT3 Ⅲ ─ ─ 25

V+GT1 Ⅰ ─ ─ 1.5

V-GT1 Ⅱ Gate Trigger Voltage VD = 6 V, RL=10 Ω ─ ─ 1.5 V

V-GT3 Ⅲ ─ ─ 1.5

VGD Non-Trigger Gate Voltage TJ = 125 °C, VD = 1/2 VDRM 0.2 ─ ─ V

Critical Rate of Rise Off-State TJ = 125 °C, [di/dt]c = -4.0 A/ms,

(dv/dt)c
Voltage at Commutation VD=2/3 VDRM
10 ─ ─ V/㎲

IH Holding Current ─ 15 ─

Rth(j-c) Thermal Impedance Junction to case ─ ─ 1.5 °C/W

ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE.
Caractéristiques techniques
A2

A1

® BTA/BTB12 and T12 Series

SNUBBERLESS™, LOGIC LEVEL & STANDARD 12A TRIACS

MAIN FEATURES: A2

Symbol Value Unit

G
IT(RMS) 12 A
A1

VDRM/VRRM 600 and 800 V A2

IGT (Q1) 10 to 50 mA
A1
A2
DESCRIPTION G

Available either in through-hole or surface-mount D2PAK

packages, the BTA/BTB12 and T12 triac series is (T12-G)
suitable for general purpose AC switching. They
can be used as an ON/OFF function in
applications such as static relays, heating A2
regulation, induction motor starting circuits... or for
phase control operation in light dimmers, motor
speed controllers,...
The snubberless versions (BTA/BTB...W and T12
series) are specially recommended for use on A1
A2 A1
inductive loads, thanks to their high commutation G A2
G
performances. By using an internal ceramic pad,
the BTA series provides voltage insulated tab TO-220AB Insulated TO-220AB
(rated at 2500V RMS) complying with UL (BTA12) (BTB12)
standards (File ref.: E81734)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter Value Unit

IT(RMS) RMS on-state current (full sine wave) D²PAK/TO-220AB Tc = 105°C

12 A
TO-220AB Ins. Tc = 90°C
ITSM Non repetitive surge peak on-state F = 50 Hz t = 20 ms 120 A
current (full cycle, Tj initial = 25°C)
F = 60 Hz t = 16.7 ms 126

I ²t I²t Value for fusing tp = 10 ms 100 A² s

Critical rate of rise of on-state current

dI/dt IG = 2 x IGT , tr ≤ 100 ns F = 120 Hz Tj = 125°C 50 A/µs

VDRM/VRRM
VDSM/VRSM Non repetitive surge peak off-state tp = 10 ms Tj = 25°C V
voltage + 100

IGM Peak gate current tp = 20 µs Tj = 125°C 4 A

PG(AV) Average gate power dissipation Tj = 125°C 1 W

Tstg Storage junction temperature range - 40 to + 150

°C
Tj Operating junction temperature range - 40 to + 125
ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE.
Caractéristiques techniques

A1
A2
G

TO-220AB Insulated BTA/BTB12 and T12 Series

(BTA12)

THERMAL RESISTANCES
Symbol Parameter Value Unit
Rth(j-c) Junction to case (AC) D²PAK/TO-220AB 1.4 °C/W
TO-220AB Insulated 2.3
Rth(j-a) Junction to ambient S=1 cm² D²PAK 45 °C/W
TO-220AB
60
TO-220AB Insulated

S = Copper surface under tab

PRODUCT SELECTOR

Voltage (xxx)
Part Number Sensitivity Type Package
600 V 800 V
BTA/BTB12-xxxB X X 50 mA Standard TO-220AB
BTA/BTB12-xxxBW X X 50 mA Snubberless TO-220AB
BTA/BTB12-xxxC X X 25 mA Standard TO-220AB
BTA/BTB12-xxxCW X X 35 mA Snubberless TO-220AB
BTA/BTB12-xxxSW X X 10 mA Logic level TO-220AB

T1235-xxxG X X 35 mA Snubberless D²PAK

BTB: non insulated TO-220AB package

ORDERING INFORMATION

BT A 12 - 600 BW
TRIAC
SERIES
SENSITIVITY & TYPE
INSULATION: B: 50mA STANDARD
A: insulated VOLTAGE: BW: 50mA SNUBBERLESS
B: non insulated 600: 600V C: 25mA STANDARD
800: 800V CW: 35mA SNUBBERLESS
CURRENT: 12A SW: 10mA LOGIC LEVEL

T 12 35 - 600 G (-TR)
TRIAC
SERIES
PACKAGE:
CURRENT: 12A G: D2PAK
VOLTAGE: PACKING MODE:
600: 600V Blank: Tube
800: 800V -TR: Tape & Reel
SENSITIVITY:
35: 35mA
ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE.

Caractéristiques techniques

UTC PCR406 SCR

DESCRIPTION

The UTC PCR406 silicon controlled rectifiers are high

performance planner diffused PNPN devices. These parts
are intended for low cost high volume applications.

TO-92

1:CATHODE 2:GATE 3:ANODE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETERS SYMBOL TEST CONDITION RATING UNITS
Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM Tj=40 to 125°C
PCR406-6 (RGK =1kΩ) 400 V
PCR406-5 300
On-State Current IT(RMS) Tc=40°C 0.8 A
Average On-State Current IT(AV) Half Cycle=180, Tc=40°C 0.5 A
Peak Reverse Gate Voltage VGRM IGR=10uA 1 V
Peak Gate Current IGM 10us Max. 0.1 A
Gate Dissipation PG(AV) 20ms Max. 150 mW
Operating Temperature Tj -40~125 °C
Storage Temperature TSTG -40~125 °C
Soldering Temperature TSLD 1.6mm from case 10s Max. 250 °C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX UNIT
Off state leakage current IDRM VDRM(RGK=1KΩ), Tj=125°C 0.1 mA
Off state leakage current IDRM VDRM(RGK=1KΩ), Tj=25°C 1.0 µA
On state voltage VT IT=0.4A 1. 4 V
IT=0.8A 2.2
On state threshold voltage VT(TO) Tj=125°C 0.95 V
On state slops resistance Rt Tj=125°C 600 m
Gate trigger current IGT VD=7V 200 µA
Gate trigger voltage VGT VD=7V 0.8 V
Holding current IH RGK=1KΩ 5 mA
Latching current IL RGK=1KΩ 6 mA
Critical rate of voltage rise DV/DT VD=0.67*VDRM(RGK=1KΩ), V/µs
Tj=125°C

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE.

Caractéristiques techniques

Exemples de réalisations de gradateur

Le composant TRIAC :

Gradateur économique :

Gradateur à forte plage de variation :

 ELECTRONIQUE / ROBOTIQUE. Triac A1 i(t)
Schéma de principe :
v(t ) = V 2 ⋅ sin (ωt ) A2 G
2π v(t) u(t)
ω = 2π ⋅ f = vTr(t)
T R
v

T
2 tψ
T
0
t
ψ π 2π θ=ωt
Valeur efficace :
 cos(2ψ ) 1   ψ sin (2ψ ) 
2 2
i I1
=  −  + 1 − + 
I0  2 π 2 π   π 2π 
A 
Argument du courant : ϕ1 = Arc tan  1 
T  B1 
0 t
T
2 Puissance réactive : Q1 = V ⋅ I1 ⋅ sin (ϕ1 )
Puissance apparente : S = VS eff ⋅ I C eff S1 = VS eff ⋅ I1 eff
vTr
Puissance déformante : S = (P1
2
+ Q1 + D 2 =
2
) (S 1
2
+ D2 )
2 2
D I   I1 eff 
=  C eff  −  
T V ⋅ IO  I0   0 I
0
T t
R ⋅ I C eff
2
2 P I
Facteur de puissance : Fp = = = C eff
S VS eff ⋅ I C eff IO
Calcul du fondamental du courant :
2π
i1 (t ) = A1 ⋅ cos(ωt ) + B1 ⋅ sin (ωt ) avec ω = 2π ⋅ f =
T
2T 4 π
B1 = ∫ i(t ) ⋅ sin (ωt ) ⋅ dt = ∫ i(θ ) ⋅ sin (θ ) ⋅ dθ avec θ = ωt
T0 2π ψ
4 π ( )
A1 = ∫ i θ ⋅ cos(θ) ⋅ dθ
2π ψ
vS (θ) V 2
on pose i(θ) = = ⋅ sin (θ) pour θ ∈ [ψ ; π]
R R
V 2  cos(2ψ ) 1  V 2  ψ sin (2ψ ) 
A1 = ⋅ −  et B1 = ⋅ 1 − +
R  2π 2π  R  π 2π 