IGBT的退饱和的学习

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的退饱和（De-saturation）是指当IGBT在工作时，由于电流过大或其它因素，导致它从饱和区回到线性区的过程。在饱和状态下，IGBT的集电极和发射极之间的电压非常低（接近于零），这时它充当一个开关，几乎没有电压降。

退饱和的背景：

在IGBT的开关过程中，如果开关动作过慢或负载电流过大，集电极电流可能会使IGBT进入一种过载状态，这种状态下集电极电压会升高，IGBT的电流承载能力受到限制，导致器件从饱和区退回到线性区。此时，IGBT的工作效率下降，功率损耗增大，甚至可能引发过热或器件损坏。

退饱和的表现：

1. 过电流保护：IGBT驱动电路通常会监测IGBT的集电极电压（V_CE），如果V_CE超过一定阈值，表明IGBT可能进入了退饱和状态，此时电路会采取措施，例如通过调整栅极驱动电压或关闭IGBT来避免损坏。

2. 热损失增加：退饱和状态下，IGBT的V_CE不再接近零，电流经过时会产生较大的热损失，降低电路的效率。

3. 开关频率限制：过慢的开关操作可能导致IGBT在关闭时出现退饱和现象，因此提高开关频率时需要特别注意这个问题，通常会配合合理的栅极驱动电路来确保IGBT能够快速打开和关闭。

如何避免退饱和：

1. 合理设计栅极驱动电路：确保IGBT的开关速度足够快，避免长时间处于过载状态。
2. 使用过电流保护：电路中加入过电流检测电路，在退饱和现象发生前进行关断。
3. 降低负载电流：合理选择负载电流，避免过大电流导致IGBT退饱和。

简而言之，退饱和是指IGBT从饱和开关状态变为线性工作状态，这会增加功率损耗和热量，影响IGBT的正常工作，因此需要通过合理的设计来避免或减轻这一现象。

饱和状态是IGBT的理想工作状态，退饱和状态CE两端电压急剧增加，损耗加大，所以应该避免IGBT进入退饱和状态。

IGBT工作状态分为三个部分：

1、截止区：CE间电压小于一个门槛电压，即背面PN结的开启电压，IGBT背面PN结截止，无电流流动

2、饱和区：CE间电压大于门槛电压后，电流开始流动，CE间电压随着集电极电流上升而线性上升，这个区域称为饱和区。因为IGBT饱和电压较低，因此我们希望IGBT工作在饱和区域。

3、线性区：随着CE间电压继续上升，电流进一步增大。到一定临界点后，CE电压迅速增大，而集电极电流并不随之增长。这时我们称IGBT退出了饱和区。在这个区间内，IGBT损耗增加，发热严重，是需要避免的工作状态

退饱和区域：CE电压迅速增大，而集电极电流并不随之增长。

        当 IGBT 工作在正常导通时，器件处于电压饱和状态，两端的电压为正向饱和电压 VCE,sat。当流过器件的电流由于其他因素突然升高时，例如过流或短路，器件两端的电压也会随之升高。当 IGBT 的电流上升到器件对应栅极电压的饱和电流之后，VCE 将会快速上升至母线电压，该过程称为退饱(desaturation)过程。

IGBT进入退饱和状态的原因：

IGBT进入退饱和状态的原因通常与其工作条件、驱动信号或外部负载的变化有关。当IGBT的工作环境发生某些变化时，可能导致其集电极电压（V_CE）上升，进入退饱和区，而不是保持在饱和区的低V_CE状态。这会使IGBT的开关效率下降，导致过热甚至损坏。下面是一些常见的导致IGBT进入退饱和状态的原因：

1. 负载电流过大

当负载电流超出IGBT的承载能力或过大的负载电流发生瞬时变化时，IGBT的集电极电压会迅速升高。特别是在开关过程中，负载电流的急剧变化可能导致V_CE突然升高，从而使IGBT从饱和状态退回到线性工作区域。常见的过载情况包括：

• 瞬间负载电流激增，如电感性负载（例如电机或变压器）的启停时。
• 短路事件导致负载电流剧增。

2. 开关速度过慢

如果IGBT的开关速度过慢（例如栅极驱动电压不足或驱动电路设计不良），则在开关过程中可能导致其在导通和关闭的过渡期间长时间处于不完全饱和的状态。这种状态下，集电极电压不再接近零，而是增加，从而导致进入退饱和状态。

IGBT的正常开关频率通常在几十千赫兹到100 kHz左右，但是这取决于具体应用和驱动条件。对于大功率应用，IGBT的开关频率一般不会超过50-100 kHz，因为更高的频率会导致较大的开关损耗和热损失。而在要求更高开关频率的场合，如高频开关电源，通常会选择MOSFET而不是IGBT。

3. 栅极驱动信号不充分

IGBT的开关性能直接受栅极驱动信号的影响。如果栅极驱动信号的电压过低，或驱动电流不足，IGBT的栅极无法迅速充电或放电，这可能导致IGBT的开关过程滞后，使其处于饱和和非饱和状态的过渡区，从而进入退饱和状态。

4. 电源电压波动

电源电压波动可能会影响IGBT的正常工作。当电源电压降低时，IGBT可能没有足够的电压维持饱和状态，这可能导致V_CE升高，使IGBT进入退饱和状态。此外，电源的电压瞬间变化可能影响栅极驱动电压，进而导致退饱和现象。

5. 高频开关操作

在高频开关情况下，由于开关时间较短，电流和电压的变化较快，可能导致IGBT在导通时未能完全进入饱和区，特别是在高开关频率下，电路内的电压波动较大，可能引起退饱和。

6. 温度过高

IGBT的导通特性与温度有关。当工作温度过高时，IGBT的开关特性可能下降，导致其无法保持低V_CE状态而进入退饱和状态。高温也可能导致栅极驱动电流不足，从而影响开关速度。

7. 死区时间问题

在一些半桥或者全桥的电路中，两个开关器件（如两个IGBT）之间需要有一定的死区时间（Dead Time），即确保在一个IGBT关闭时，另一个IGBT才开始导通。如果死区时间设置不当，可能会导致IGBT在导通时受到另一端IGBT关断过程中出现的电压波动影响，从而进入退饱和状态。

8. 电流反向冲击（反向恢复电流）

当IGBT处于关断状态时，如果存在反向恢复电流（通常由二极管的反向恢复效应引起），它会导致集电极电压瞬时升高，可能会导致IGBT进入退饱和状态。尤其是在具有反向电流的应用中，如逆变器、电机驱动等，反向恢复电流的管理尤为重要。

防止退饱和检测：

        驱动芯片内部的电流源与 Vdesat 端口连接，在 Vdesat 端口之外通常会由限流电阻 R 以及阻断二极管 VD 组成。该阻断二极管的击穿电压应大于等于器件的击穿电压，当器件为高压期间时，可采用多个二极管串联的方式提高击穿电压。

        当器件正常工作时，两端导通压降为饱和压降 VCE,sat。此时，芯片内部电流源电流流过电阻 R 以及阻断二极管 VD，最终流过 IGBT。电容 C 两端的电压约等于 VCE,sat。而当器件两端 VCE 由于电流的上升升高时，该电流源的电流则会对电容 C 充电。最终当 Vdesat 端的电压高于设定的阈值电压时，就可以实现对错误的检测。

        需要设置一个 检测延迟（Blanking Time），来避免误触发。这是因为，IGBT的集电极电压（V_CE）在进入退饱和状态后，会经历一个过渡过程，因此直接监测V_CE可能会误判为IGBT工作不正常，而在短时间内误触发保护机制。设置检测延迟时间能够确保这个过渡过程完全消失，避免由于正常的电流波动或瞬时的电压变化而产生误判。

为什么需要检测延迟（Blanking Time）？

        在IGBT切换过程中，特别是在高功率、高频率的应用中，开关动作可能引起电流或电压的瞬时波动。这些波动有可能会使IGBT的集电极电压短暂升高，产生类似退饱和的特征。此时如果立即触发退饱和保护，可能会造成误触发，导致系统的不必要停机或关闭。

        为了解决这个问题，通常会设置一个 Blanking Time，即延迟一定时间后再对IGBT的集电极电压进行监测，只有在这个时间过去后，电压保持在某个阈值以上时，才认为IGBT进入退饱和状态，从而触发保护机制。通常使用一个定时器或者计时电路来实现Blanking Time。当监测到V_CE的变化时，系统会先启用定时器，延迟一定时间后再对电压进行判断。如果在延迟时间内电压保持过高，系统才会触发退饱和保护。

        IGBT短路检测通常是检测开关管主功率两端的C-E电压—检测VCE，也称为退饱和检测，即当出现短路发生时，电流急剧增加，IGBT的C-E两端电压VCE从饱和状态进入线性区。这个原因是门极VGE电压和集电极电流IC是跨导的关系，比如像厂家给的15V正向驱动电压，短路时最大电流就是在额定电流的4~6倍会退出饱和区，因为需要再增加电流，15V的幅值就不够放大相应的输出电流了。各种设计电路的检测遵循“开通检测”、“关断不检测”是有意义的，因为只有开通开关管才有不要检测短路与否。

1、短路检测的电阻检测法

        若发生短路，则T1退出饱和开始进入线性区，B点电压升高，并通过RCE电阻给电容C1充电，为了保持良好的滤波效果，配合充电电阻给C1可以分配2us左右的充电时间；为了保证充电时间可控，易于计算，利用箝位二管对C点箝位，让C点电压保持在驱动电压VDD+VF，这样充电时间可以容易计算，如下红色虚线是是充电路径，充电随之A点电位上升到超过参考电平Vref，从而比较器发生反转，在经过一定滤波时间后，判定为短路故障发生，驱动进而实行保护动作—执行软关断或者有源箝位，同时对MCU发出的驱动信号进行阻断（blocking time），上传故障信号，让控制系统再次执行保护。

2、二极管检测法

短路后由于T1电流急剧增加，VCE从饱和状态或者在进入饱和的过程开始退保和，B点会快速上升，原来通路会被截断（图中红色虚线），随之A点电位上升到超过参考电平Vref，从而比较器发生反转，在经过一定滤波时间后，判定为短路故障发生，驱动进而实行保护动作—执行软关断或者有源箝位，同时对MCU发出的驱动信号进行阻断（blocking time），上传故障信号，让控制系统再次执行保护。