基于MM32SPIN060G的无感FOC

注意：本项目以个人名义申请学习，与所处公司无关。

【一】简介：

近期收到了灵动微的电机驱动开发板，验证了基于无感FOC功能。后续根据学习进度，陆续更新其他收获和感悟。

电压范围：5.5V~18V

电流范围：60V/40A MOSFETs

控制算法：支持霍尔方波、霍尔FOC_单电阻、无感方波(ADC)、无感FOC_双电阻、无感FOC_单电阻

下面是运行无感FOC的运行视频：

【二】原理图部分：

2.1MCU部分：

主控芯片是MM32SPIN060G，芯片内置：100V 6N预驱、5.0V LDO(50mA)、一路ADC(12位)、两路模拟比较器、两路运放等，是电机驱动的天选MCU芯片，功能丰富，降本增效。

内置MOS驱动是真的厉害！

下面是芯片最下系统的原理图：

2.2三相全桥部分：

选用的MOS性能其实不怎么样。。。

为什么有些MOSFET驱动电路栅极电阻要并联一个二极管：最主要的作用是加速关断MOS。

加速关断： MOSFET关断时，栅极电荷需要被移除才能使其从导通状态切换到关断状态。二极管并联在栅极电阻上，可以提供一个更低阻抗的路径，帮助栅极电荷更快速地从栅极移除，从而加速关断过程，缩短关断时间。

防止电压尖峰： 在关断过程中，栅极电荷的快速释放可能会产生一个电压尖峰。二极管可以起到吸收尖峰电压的作用，避免对电路中的其他元件造成损害。

提高开关效率： 加速关断可以提高MOSFET的开关频率和效率，尤其是在高频开关应用中，这一点非常重要。

【MOS管栅极二极管加速关断原因】https://www.bilibili.com/video/BV1Bh4y1p7qv?vd_source=3cc3c07b09206097d0d8b0aefdf07958

2.3利用分压电阻进行反电动势检测：

电流采样用的是MCU内置的运放：