Gianluca Giusfalisi

Gaetana Palumbo

INTRODUZIONE
AI DISPOSITIVI
ELETTRONICI

Caflana scientifica

FrancoAngeli
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Gianluca Giusfalìsì
Gaetano Palumba

INTRODUZIONE
AI DISPOSITIVI
ELETTRONICI

FrancoAngeli
 Ccpjfriglit 2005 by 1'- ranccétngcli s.r.l._._ Milanc, Italy.

___ Fcistainpa .-*mnu ___

3 4 5 ti 'I-' S 9 lü 2012 2(}l3 201-1 2015 2016 Elli? 2018 2019 20212'

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Indice

Presentazione
di E-1na.n uele Rimini 15

P refeß ione 17

1 Elementi di fisìca dei semiconduttori 23

1.1 Forza.. campo e potenz-iale I I I I I I 23
1.2 Conduzione elettrica . _ _ I I I 26
1.2.1 Coeflficicnte clin1obilit.a _ 2?'
1.2.2 Legge di Ohm. _ _ 1 I II- 30
1.3 Setnittontlnttori _ _ _ _ _ _ I 1 I' -I' 31
1.3.1 Sen1ico11o1utt.o1*i int1¬ínseeì _ 35
1.3.2 Soiiiicoiniuttori eatrìiisecfi _ _ _ _ _ _ _ _ 3'?
1.3.3 l\›'1ob_ilil.a nei seinicottdut-tori o:sI';tinsec-i _ _ 41
1.4 Equilibrio termico e legge dolliaaioiie di iznassa. . _ _ 113
HI'

Leggo dolla.t1eut1¬alit-adi carica _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ . _ :L4

1_íi Gene1*a2-iotie-1*iconibinaziono o itiieaione. di po1'ta_to1'i _ _ _ 46
1.? Diffusiotle tli po1'ta_to1'i _ _ I. I I I I I I I I il I -Il *II I 51
1.T.1 Relazione di E-instoin I I II I I -Il Q D O I I 1 I I I I I

1 .8 Equazione di conti11t1it.à. (legge della c.onsetva_zio:1o della carica.)

1.9 C-a.rioa iniettata e ptol-ilo dei port-atoti n1i11orita.1'i _ _ _ _ _ _ Ut12''=.`.!›"lGt<;¬'íìü
1.10 Potenziale a.1lii1:1te1'1'1o di un niat-eriale con co1'icot|tt'-aaitine
non ttnifotine tli po1'ta.to1'i I I I I 61 I I I I I I II *II Q F I I I I

1._1U.1 Potenziale cli Fe1'1'i:1i o potenziale di contat-to _ 63

1_11 l\-lodcllo a. bande di energia I. I I I I I I I I I I -Il -Il I F I I

1_11_1 Diagrainnia a bande di soinicondiitttiri estrinsoci _ _ 65

1.112 Popolazione delle ba_11tle e11e1*get.ic11e e disttibnaioiie
f:liFetn1i-Ditac _ _ I. I. I 69I I. I I I. I I I I I *II I *II *II I

ai
 1_11.3 Lit-"elle di Perini e potenziale di Perini _ _ _ _ _ _ _ _ T3
1.11.21 Bande di energia in presenza di un potenziale elettrico 211

Dìecli 77
2.1 Giunzione pn _ _ _ _ _ _ _ _ _ TT
2.2 Regione di carica spaziale _ _ _ _ _ - T3
2.3 Elettrostat-ica della giunzione pn _ _ 31
2.3.1 Giunzione agradino _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 32-
2.3.2 Largliezza della regione di eariea spazia-le _ _
2.3.3 Ginnzione lineare. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 90
2.»-1 Giunzione pn fuori tlall“et1uilib1'io _ - 22
2.4.1 Polaiiizzazione diretta _ _ _ líllsl
2.4.2 Pol-arizzaz-iotie ins-'ersa _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 9'?
2-_-4.3 Portatori al cent-orne della regione s'~_-'ttotata _ _ _ _ _ 9';-1
2.5 Profili dei po1't.at.ori Itiiiiorilari e caratt.eristica. eorreI?1t.e-†.en-
-sionedeldiotlo 101
' Diode a. base lunga _ _ 102
_ Diode a base corta. _ _ _ _ _ _ _ _ 1119
_ Cttra-'a earalteristiea del diodo _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 11='1
-LJl“-J'ls»¬set-¬
l“.___
¬--Il o~-.J»¬ Effetti di generazione-ritzeinbinazione ed alti livelli di
iniezione....__.__._...__.._...___ 115
2.5.5 Dipendenza dalla ten1pe1'at.t1ra. _ _ 115
2.6 Eilett.i capacitivi _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ L12
2.l_i.1 C-a.pa.eitÈ-1 di svt1ot.aI1'1eI1t.o _ - 120
2.6.2 Capacità. di diffusione _ _ _ 124
2.6.3 Tetnpi di eoniniutazione _ _ _ _ _ 127'
Hotittlra della giunzione e diodi Zener. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 129
[XIIl_`¬-JIl¬--I Giunzioni Inetallo-se1'nieondut.t.ore: Diocli Scl'iott1~:y e eon-
“ta.ttioln'nici._.__._____._...._.__...... 133
2.3.1 Contatto olnnieo _ _ . 13?
lt-ledelli circtiitali _ _ _ _ _ 13?
2.9.1 l\,-lodellistatiei _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 1351
2.9.2 .analisi di piccolo segnale e Inodello per bassa fre-
quenza._____.____._._._.__..._._ 1¢1U
2.9.3 _ 14?
È.-'ledello di piccolo segnale per alta frequenza _ _
2.10 lt-lodelle a bande di energia. della giunzione pn _ _ _ _ _ _ _ _ 143
2.11 lt-ledelle a bande di energia della giunzione met allo-seniieen-
duttore 151
2.11_1 E-ffet-t-o {iol.oelettrico e funzione lat»-*tiro _ _ _ 151

o'
 2-.l1.2 _4ttli11ità.elet-tronica _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 154
2_11.3 Diode Sel'iol.i;-lq,-*_ effetto tunnel e contatto olnnico _ _ 155
2_11.4 Potenziale di Contatto intrinsef;'o di tn1 inetallo _ _ _ 166

Transistore bipolare a giunzione 161

3.1 11 transistore bipolare _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 161
3.2 ll transistore bipolare in condizioni di equililìrrio _ _ _ _ _ 163
3.3 Le regiotii di funziorianlento del transistore bipolare _ _ _ _ 165
3.4 Ftiiizionaniento e caratteristiclie del transistore bipolare in
regione at-tiva. diretta. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 166
Transistore pnp in regione a.ttiva_ diretta _ _ _ _ _ _ _ 163
3.4.2 Correnti ai terminali e eolnportarnento ideale. del
transistorepnp...._____._.__._.._.. 171
3.4.3 E-itfieionza. di einettitore e fattore di trasporto in base 173
3.4.4 Guadagni di corrente ofzg e __-3. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 1'T5
3.4.5 Setisitit-*it.à_ del guadagno _.-3. _ _ _ _ _ _ _ _ 1??
3.4.6 Transistore npn in regione a.t.tiva. diretta. _ _ _ _ 1Tl51
Relazioni corrente-tensione nel transi-store bipolare _ _ _ _ _ 132
3.5.1 Proñlí dei portat-ori rnine1'it.ari nel tra_nsistore pnp _ 132
oo -í£.r|_2 Studio della eotliigurazione F(i1¬a-*a1'd di un transisto-
repnp.._...__.._._._._____..___ 136
3.5.3 Studio della eo1ilig1_1ra.zio11e Ret-'e1*se di un tra_nsist-ore
1.92
Correnti ai ter1nina.li in un l_ra11sistore di tipo pnp _ li-16
Correnti ai terminali in un tra.nsistore di tipo npn _ 123
HI

<__¬¬: .o
UI
Modello di E-bers.-l\--'loll _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 2111
3.6 Modelli eircuitali statici del transistorc bipolare _ _ _ _ 265
3.6.1 1-'lodelli eireuit.a1i in regione di int-erdi-zione _ 266 I I I

3.6.2 11-'lodelli eireuitali in regione attiva diretta _ 2là 3 I I

3.6.3 Modelli eireuitali in regione a.1.ti1-fa inversa _ 211 1. I I

3.6.4 l\-lodelli eireuita_1i in regione di saturazione _ 214 I I I

3.? Effetti del secondo ordine _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 213 I I

3.T".1 Etfet-toEa1'1y ._ 22-U

3.T.2 Dipendenza di 1i';_¬ dalla corrente di collettore _ _ _ _ 223
3.3 Ctlrve earatterisl_icl1e nella configurazione ad eniiettitore oo*
111111115 _ I I + I I 1. I I I I -I I- I Q Q
226
| 1 I I I I I I I I I I I I I

3.9 Effetti capacitivi _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 229

3.9.1 Tenfipi di eotnniutazione _ _ _ _ 232
3.16 Rottura della giunzione _ _ _ _ _ _ 236

7
3.11 Dipendenza dalla teinperat-ura _ 239
3.12 l\-lodelli di piccolo segnale . _ . _ _ _ _ _ 240
3.12.1 l\_-lodelli per lì›a.ssa frequenza. _ _ _ _ I 241
12.2 E-lotlello per alta frequenza _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ I 24?
12.3 1-lodclli di piccolo segnale per il transistore pnp I 249
12.4 Frequenza di transizione del transistore bipolare 251
3_`_2.5 Resistenze distribuite e capacita di subst-ra.t.o _ 1- -I 256
3.13 l\-lodello a 1.¬›ande di energia del transistore bipolare _ _ 261

Transistore NIOS 265

4.1 ll eo11de_nsat-ore l\-'105 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ . . _ _ _I 266
-4.1.1 Potenziale di banda. piatta. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ -I 263
4.2 Effetto della tensione ga_t.e-s1_1bstra_t.o nel condensatore 1-'IOS 2?6
4.2.1 Regione di funzionarnento in acct11nt1la.z-ione _ _ I 2?9
4.2.2 Regione di fttnzionaniiento in si-fttota-tiietito _ _ 231
4 .ii Regione di fu11ziona.rnent.o in inversione _ _ _ _ 1

lopo ›-l=- Regioni di funzionaniento e potenziale di superfn¬..ie _ 291

Tensione di -soglia. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
I 293
1.2.6 Clo11densatore l\--'IOS a canale p _ _ _
I 296
4.3 Il tra.1'1sist-ore l\.-103 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
-I 10
4.3.1 Principio di fu11ziona1ne11t-o del transistore l\-1OS 34
4.4 flelazioni eor1'ente-tensione nel transistore lx-'IOS _ _ _ _ I 6
4.4.1 Effetto della polarizzazione delle regioni diffuse I C.QD
*Lf-3 -ü ?
-CfCt_1:_:
4.4.2 Carica. nel canale di conduzione _ _ _ _ _ _ _ _ _ I 309
-1.4.3 Regioni di fttnzionarnento del transistore N11-'105 313
4.4.4 Transistore 1\ll\--103 in regione di triodo _ _ _ _ _ I

4.4.5 Transistore X1--IOS in regione di sat.urazione _ _ 320

4.4.6 11-lodula-zione della l1111gl1ezza di canale _ _ _ _ _ 323
4.4.? Dipendenza della tensione. di soglia dalla tension E
source..______...._.___.____. 326
T_ra.nsistore P3-'IOS _ _ _ . _ _ . _ _ _ _ _ 32'?
4.5 .ånalogia flnidodinainica del transistore l\-IOS _ 330
Sirnboli cireuitali del traiisistore l\-*TOS _ _ _ _ _ _ _ _ _ 333
4.? Ctirve ca-ra.tteristiel1e 11e11a eoniifl`uI'azio1'1e a source eoinune _
D 335
4.6 lt-lodello di piccolo segnale per bassa frequenza _ _ _ _ 336
4.3.1 ;\-lodello di piccolo segna.le del transistore Plk-IOS 342
4.9 Effetti eapacitivi nel transistore l\--106 _ _ _ _ _ _ _ _ _ 344
4.9.1 Transistore 3-'IOS in tecnologia planare _ _ 344
4.9.2 C:-_-.tpacita gate-canale _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 346

S
 (f.`-apacita. di ot-*erlap_ _ 343
4.9.4 Capacita di giunzione _ _ _ _ _ _ _ _ 346
4.10 11-'lodelli di iccolo segnaleÉ' Jer alta fr-.eouenz-z't
_- _ _ 352
410.1 3-'lodello in regione di saturazione _ _ _ _ I. I I 352
4_10.2 3-'lodelli i11 regione di interdizione e di t-riodo _ _ _ 354
4.11 FunzionaIne1'.1to sol.i_osoglia_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ I I I I 356
4.12 Effetti di elevato ea-rnpo nel t-ransistore 1105 _ 361
4_12.1 Calnpo verticale e inobilita superficiale _ . I 361
412.2 Canipo laterale e Inobilit-5. efiet_t-iva. _ _
4.13 E-ffetti di canale corto _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 366
4.13.1 Lo scaling dei disposit_i1-'i _ _ _ 366
4.132 E-ifetti sulla tensione di soglia _ _ _ _ _ _ 3?0
Effetto della tensione drain-source: DIBL 3'?`5
4.14 lt-lotlello a bande di energia del condensatore 1-'IOS _ _ _ _ _ 376
4.141 Creazione del condensatore e potenziale di b_-anda
piatta 3?9
4.14.2 Regioni dift111zio1'1a_II1ent-o _ _ _ _ _ _ _ _ 362I I

4.1:'_: “if
-lode.il o a b-'ande
'_ di energia d..el tlansistote
-.l\_-"I OS 365I I I I

4.16 Approfondiinenti: C-c›rrent_e in regione di sottosoglia. _ _ 366

Tecnologia planare 393

5 1 Ossidazioiie termica. _ :ass
'__."`l! 2
I.
Diffusione tertnica _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ -in
5.2.1 L-:equazione di diffusione: leggo di Eick _ I I 431
5.2.2 Profili di diffusione _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ I I aaa
5.2.3 Processi di diffusione nei circuiti int.egrat.i I .I I aos
53 Iinpiantazioneionica _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ I I

5.3.1 Profondità. di penetrazione _ ¦

_.

54 Deposizione di strati sottili _ _ _ _ _ _ _ _ _

-I-I
-_-
5.4.1 Deposizione ehilnica i11 fase va.pore _ _
_.

Deposizione fisica. in fase vapore _

È
Tratt-anienti per migliorare la fetta _ _
I.|-

o5
JI

5.5.1 Ànnea-ling _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
5.5.2 Gettering _ È›4=~nI:›-tr=-_t=._t:=._e¬Iu:¢ -:ts'.-r:t. ›-_': ›o_'.¦|~
56 liotolitograxlia _ _ _ _ _ 420
5.6.1 1.-'laselieratura _ _ 421
5.6.2 At-tacco_._.._......_..._. 423
5.6.3 E-sernpio di una sequenza fotolitograftca 424
1-' ›-_
il l Processo Bipolare. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 426

9
 5.6 Processo C11.-103. _ _ 433

Proprietà quantistiche della materia 441

6.1 .4.lcune tessere del puzzle. _ _ _ _ _ _ _ 442
6.1.1 Spettri discreti _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 442
1.2 Rigidita dei sistemi quantistici _ _ _ 443
.`__ Proprietà..ondulatorie _ _ _ _ _ _ _ 445
oso:-5.1_
: Proprietà. statistiche _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 44?
6.1. c_¬_r ~_o.: Comportamento quantistico: istruzioni per liuso _ 446
6.2 Esperimento di Young _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ . _ _ _ 449
6.2.1 lnterferenza di due sorgenti coerenti _ _ _ _ _ _ _ 450
6.2.2 Coerenza_.____._._____. _ 452
6.2.3 Proprietà ondula_torie della materia . . _ _ _ . _ _ _ 455
6.2.4 Dualismo onda particella _ _ _ _ _ _ 456
6.3 St.:-ato di un sistema fisico _ _ _ _ 456
6.4 Spettri discreti, rigidità. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 461
6.4.1 Spettro dellia-tonlo di idrogeno _ . . _ _ _ _ _ 461
6.4.2 Coníinamento e spettri discreti _ _ _ 463
6.4.3 Rigidita negli atomi _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 465
La materia e quantistica, ma a 1-'olte non lo da
ai-fodere.._...__.__.__..____... 46?
6.5 Proprietà. statistiche degli elettroni _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 466
6.5.1 Il principio di Pauli in azione negli atomi _ _ _ 469
6.5.2 ll principio di Pauli in azione nei solidi _ _ _ _ _ _ _ 4?1
Il legame :ron-'ale1'1te _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 473
6.5.4 1.-a strada_*~_-°ersoi solidi. _ _ _ _ _ _ 4?6
6.6 Distribuzione di Fermi _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 4??
6.6.1 lt-'1etalli_ _ _ _ _ _ 4??
6.6.2 Semiconduttori _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 460
6.6.3 Altro sulla distribuzione di Fermi in semiconduttori 463
6.? z'1spett.iquar1t›istir::i nei semiconduttori bulk _ _ _ _ _ _ _ _ 465
6.'?.1 C-hiiniea., Scienza dei Materiali e
Chimica Quantistica _ _ _ _ _ _ _ _ _ 436
6.7.2 Fisica e Tecnologia. dei disp›osil.i¬_-'i. _ _ _ _ _ 466
6.'?.3 Futuro quantistico _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 46'?

Verso la Nanoelettronica 469

?.1 Verso la ULSI _ _ _ _ . . . . . _ _ _ _ _ _ _ _ _ 491
'?'.1.1 la-liniaturizz-a.zione e i suoi indicatori _ _ 492

16
 il

:.1.2 Lilnformazione à fisica _ _ _ _

- .-

_ 494
7.1.3 Fisica l\-'lesoseopiea e _\fat¬.r.e1†'TT::t_*;_-'. _ _ 495
7.1.4 1-ie1*so la ULS1_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 496
7.2- E-ffetto tunnel _ _ _ _ _ _ _ 496
|--I

I .2.1
' r'
Giunzioni tunnel _ _ _ _ _ _ _ _ 500
7.2.2 Proprietà generali del tt'_1¬.r_e1ì1'_g _ _ _ 505
7.3 EffettidiCl1arging._________.___.___..___ 509
7.3.1 Esempi di dispositivi: la Éingle eiet-iron boot e il FSE-T 511
7.3.2 Limiti dei dispositivi SET _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 15
7.3.3 lnteresse e applica_zioni _ _ _ _6
7.4 Effetti di dimensionalità _ _ _ _ _ _ {'1'.'LZ.-"I-'"t1 16

7.4.1 Scale energeticherilevanti _ _ _ 519

?.4_2 Sistemi tridimensiona_lì_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 519
7.4.3 Sistemi bidimensionali e unidi1'nensionali _ _ _ 521
Sistemi zero-dimensionali _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 523
7.4.5 Esempi di dispositit-i _ _ _ _ 524
7.5 Conclusioni _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 526

Bibliografia 531

A Costanti 535

11
 Ai 1'1+:I:›5t1'í ge:1ítü1'ì
P.-á.-rm 1:-: L-“Lf;T¢:z--r°i=:¬: ¢-
C'ü~n..cr-.¬.†t0 ed E-n.,:ffl.
punti di rífL¬:I'ì1'1'1c11i.ü
+1: Sülifli sostegni
Presentazione
1' Enisriii ele Rimini

Le conoscenze, dei dispositivi za. se1'nico1:1dL1t-tore, del loro tiirizioiisnien-

_ T.. delle loro res1i22a.sic)11e e delle diverse li11'1it.uzio11i poste dt-Llls, tec11olo-
e delle fisica. si pone come questione fonde.111enta.le per gli studenti di
L:;geg11e.1'ie i11teressu.t-i allo diverse t-e1na.t-iclic del settore dell°iI1foI'I'r1esione_
li.-'industrie, Inic1'oclctt1*onice. negli ultirni cfiiique-nt*e.11ni si È- sviluppe-
'.==.. d:~1ll°invc11zio1*1e iniziale dei circuiti integra.ti._ t.1"f1I1'1it.c principelrnent-e le
1- 3'~11ti111_1a. riduzione delle diniensioni (-m.á°r1.-:ía-ì~z:.†¬iz,:'o:io-ne) dei tm-1:sis1.ori sl
silicio. Il processo c stato regolato dalla cosiddette legge di l\-loore clic
prevede il Ieddoppio delle de1'1sità s1_1perficia.le dei dispositivi elementari
'gni 18 inesi circa. Le rivoluzione i1'1formatice. si e 1*ea.lizza,t.a, e,ppunt.o con
ii' sviluppo dei circuiti Clk-'IOS e con la loro 1'idu:›:io11e di diinensioni iino
sgli st-tuali 60 nenonietri delle lungliessa di (renale 21.livello prot.otips.le, i
fiispositivi ftlilzioiiã-mo coniunquc nei 1a.bo1*ato1'i di 1'ice1'cu iino ai-1. 10 nsno-
:net1'i}. Ogni nuove geriersziorie di dispositivi con migliori cure-tt.c1'ist.icl1c
elettriclie sccrescc lo pI*cst.e.2›ioni delle n1e1no1'ic c dei Jnicroprocessori si costi
¬.-is vis ridotti.
Le. pervesivitzìi della Inicroolettronic.:'-L e seIiz`ultI'o lai-1. ce,1'el'.t-erist-ice pe-
culisrc dolls nostre societši clic potrebbe essere indicutu corno quelle. del
"silicio" essendo f;1uest711lt›i111o ad_opeI'u.to per le 1*es,1i:-of:-e.zione di que-si tutti
i dispositivi s seiniconduttore. Il futuro dellie1'o. dclliinforinesioiie richiede
une. e.t-t-elite. v:-'-1.l11ts.zio1'1e delle lirnit-azioni tecnologiclie c tisiclic conseguenti
le 1'r1i1'1iutu1*i:ocs2.ione dei dispositivi c come sia possibile supersre te-li vincoli
ricorrendo :ft nuovi nisterisii e s nuove st-1'ut.t.u1"c.
Il test-o Irafiociu-,s-i-o'rte oi l}-ispos-itit=-i- Elett-ro'n.'i.r:-i eFFro11t-si iu ineniers siste-
rnstics le suddette te1'n.=;1.tic21e_¬ si pone coine guida utile per le forinesione
di progettisti di circuiti e sisterni elettronici oitrendo loro une, eseust-ivo,
trst-ts,zio1'1e delle fisice. dei sen1iconduttoI'i_._ delle giunzione p-n, dei dio-

15
di a giunzione, dei transistori hipolari e di quelli ÃIOS 1netallo-ossido-
seinicouduttore. opportuna la descrizione degli aspetti essernsiali della
tecnologia planare e dalla loro ilifiileiisa sulle caratteristiche elettriche dei
dispositivi. In eliietti due principi fisici sono alla base del funzionainento
dei dispositivi a.l silicio: la giurie-ione p-11 e la variazione di resistivita indot-
ta dal earnpo elettrico est-erno nel seniiconduttore. Lestrenla varietit delle
caratteristiche elettriche dei dispositivi, di potenza: di segnale, digitali,
ece.¬ dipende dalla conibirlaeiorie intelligente “processi tecnologici e rnate-
riali;"'pr'esta.zioni". Il testo si conclude con due capitoli aggiuntivi; il prirno
tratta gli aspetti della íisica q11ar1t-ist-ica. necessari per la. cornprensione del
cornportarnerlto dei dispositivi con dimensioni nanornetriehe [non..oelcttre-
niori), il secondo descrive un insieme di esempi del futuro della elettronica
a stato solido.
Il libro si presta come utile testo, anche di consultazione, per gli studenti
di ingegneria elettronica e di fisica con int.cresse alla inieroelettronica, forni-
sce un quadro cornpleto dell'attualc sviluppo dei dispositivi e gli strunienti
necessari per la prosecuzione. degli studi in questo settore cosi rileva.nLe
ai settori della tecnologia delliinforinazìone. Di notevole ausilio didattico
sono i nunierosi eselnpi nu1neric.i insefit-i alliinterno del testo cl1e so11o par-
ticolarrnente utili in quanto forniscono gli ordini di grandezza. delle diverse
grandezze fisiche caratteristiche del dispositivo in esaine. Gli scopi che gli
autori si sono prefissi sono stati pìcnarnente raggiunti ed È: stato realis-sato
un testo pregevole che si inserisce aiitorevolinerite nella vasta ietteratura¬
quasi esclusivaineilte in inglese_._ dei dispositivi a sernicoilduttore e che col-
rna. attuali lacune createsi a seguito del presente ordina,n1ent-o delle lauree
triennali e specialistiche.

16
Prefazione

La recente riforma universitaria che ha introdotto la laurea triennale ed

LI concetto dei crediti didattici ha deterrninato un radica.le canihiarnento
1.-Elle Inodalita di insegnarnento. In questo nuovo scenario, l°ei*Ietto princi-
;=_=_le e stata la rilnodellaztione e la riduzione dei contenuti delle nuove di-
fìipline in n1a11iera da poter' nleglio soddisfare gli obiettivi forrnativi dello
specifico corso di laurea cui la. disciplina i11 oggetto appartiene.
Negli ultirni anni, inoltre, gli obiettivi forrnativi dei corsi di laurea in
fi:;g'eg1'1eria elettronica si so11o ir1clir'i::z:a.t.i verso la form oz'-ione di pr'o_qetti-sti di
;:'.tc-siti c sistemi elett-ro-n_.i.c-'i e, quindi, in qucstiottica, le singole discipline
iovrebbero essere rirnodellate.
Il presente libro prende spunto dalle esigenze sopra descritte e cerca di
rispondere alla necessita di avere u11 corso di D-ispr›.s'it-i-ti Elett-ro-nic-i. che
_-:ia suliieienteniente senlplice e, contcrnporaneaniente, propedeutico ai suc-
:essivi corsi di progett-as-ione di circuiti e sisterni. Lo scopo del testo
1391-1;,a_11to, quello di porsi come punto di riterirnente per gli studenti che
ievono preparare il corso di dispositivi nel priino triennio, presentando i
contenuti fondamentali di tale disciplina con una prospettiva più rnirata
a chi dov1*a suceessivainente concent.rare l“atten:rione sulla progettazione
-_¬ircuitale.
Una tale preniessa iniplica che liirnpostaeione del testo si debba. neces-
sarialnente difiì`eren-.ziare da quella degli altri eccellenti volinni gia pre-senti
11ella letteratura internazionale e nazionale che, adeguati ai corsi di di-
spositivi per i vecchi progrannni di laurea di cinque anni, non solo non
io1'1'1ir'ehber'o un percorso naturale verso i contenuti inerenti liapplicfaeitirie
dei dispositivi [oggetto dei successivi corsi di elettronica) ina risulterehhe-
re eccessivamente impegnativi e dispersivi per le studente indiriee-ato ad
un corso di laurea triennale.

.fil fine di soddisfare le esigenze descritte. il testo cerca di coniugare tre

1'?
caratteristiche fondamenta-li:
I ridurre la dispersione dei contenuti focalizzando Tattenzione sullo studio
dei dispositivi elettronici di uso comune in ambito industriale;
I sernpliiicare, ove possibile, la. trattazione della fisica dei dispositivi elet.-
tronici;
I enfatizzare la modellistica dei dispositivi a livello circuit-ale ofirendo un
valido legame propedeutico con i successivi corsi di elettronica..
Specifica-tarnente al primo punte, si e focalizzata l"attenzionc sullo stu-
dio dei componenti fondamentali realizzati in silicio: diodi, transistori bi-
polari e tra.nsistori M05. Questi, difatti, rappresentando gli elementi in-
dispensabili su cui si basa la moderna microelettronica, consentono di co-
prire abbondantemente la stragrande rriaggioranz-a. delle apparecchia.ture
elettroniche presenti sul mercato.
Cltiri lo scopo di semplificare c rendere maggiorment-e fruibile la trat-
t-azione, si e preferito prediligere il concetto di poteri.:-tale di co-n.te.tto per
spiegare rnolti dei fenomeni fisici che intervengono nel funzionamento dei
dispositivi elettronici e, solo successiva1ne1'1te._ i1:1trodu1're e riaifrontare lo
stesso studio trarnite l°approccio a bande di energia. Entrambi gli approcci,
difatti, consentono la modellazione delle fenonienologic fisiche necessarie
per lianalisi dei dispositivi elettronici, sebbene con una rappresentazione
cognitiva diversa..
Pa. giudizio degli autori, no11 vi e un approccio corretto ed uno incorretto
(o uno obsoleto ed uno adeguato), quante piuttosto due diverse modali-
ta rappresclitative che vanno utilizzate secondo le esigenze e gli obiettivi
culturali, formativi e speeulativi che si intende raggiungere. X-"ero le che
la rappresentazione a bande di energia. rappresenta uno strurncnto con-
cettuale piil rafli nato ed evoluto rispetto a.ll"uso dei potenziali di contatto.
Tuttavia, si e ritenuto che liuso sapiente dei potenziali di contatto consente
una più irnrnediat-a e semplice comprensione di alcuni aspetti della iisica
dei se1nicond11tt.ori. In questiottica, la teoria della struttura a bande trova
comunque spazio, all"int-erno del libro, come complemento di quelle cono-
scenze acquisite utilizzando il concetto di potenziale di contatto, qualora
si rendesse necessario approfondire gli strumenti element ari della ñ-sica dei
materiali.
Per arrnonizzare i contenuti della fisica. dei dispositivi con lielettronica
eireuitale ed oifrire uniat.leguata piattaforina propedeutica per i successivi
corsi, il testo tratta ir1 modo esaustivo la modellistica. dei componenti, spa-
ziando dai modelli per grande e piccolo segnale. per bassa ed alta frequenza.

.E3
_;_'_:re. considerando le problematiche dovute ti-;;.;iI gif :-7-Iíuali, par-
*;: .'_ia_re enfasi e stata data ai modelli di piccolo ssg;=_=_'s si alla modellistica
'Egli efietti di elevato campo e di cana-le corto csì †:';'-.::__=istc-ri BIOS.

I testo e strutturato in sett-e capitoli. di cui due invitati e realizzati dal

;:;f. Giuseppe Falci e dalla dott.ssa Elisabetta Paladino.
il primo capitolo, partendo da principi elementari di iisica e dalle pro-
_. ì;-;-ia dei tnateri-ali semiconduttori, introduce quei concetti di base neces-
_-:i per la successiva analisi dei dispositivi elettronici. Il capitolo tratta
_í:*_"_.'.{paln'1ente la conduzione elettrica e le prop1*ieta dei semicondutto-
.-. ;'?esenl.a.ndo, i11oltre, il gia citato concetto di potenziale di conta.t-to.
I..-_ ff;-.;~ria del modello a bande di energia, sezione facoltativa in un corso
*:;s¬¬¬ ale, chiude la breve introduzione offerta da quest.o capitolo.
L secondo capitolo e dedicato ai diodi. In particolare, partendo dallie-
-ff: ; statica della giunzione p11, si ricava la relazione corrente-tensione del
-'_' _ i_~ e se ne discutono gli effetti capaeitivi. Successivamente si analizza il
2'-1'. ' ::'_›.=no di 1'ott.ura della giunzione (sfrut.tat-o per la realizzazione dei diodi
I-L.-;:' e si discutono le giunzioni Inetallo-seiniconduttore diodiSht_itt.l¬:jv' e
_ ;::-.atti olnnici). Il capitolo prosegue dedicando ampio spazio alla model-
__='i.?-a eireuitale dei diodi riportando tanto i modelli statici quanto quelli
i- ;_ izicolo segnale. Infine, il modello a bande di energia delle giunzioni pn
+ ifiie- giunzioni metallo-semiconduttore chiude il capitolo.
il terzo capitolo tratta il transistore bipolare discutendo, inizialmente,
.-1f.›;- regioni di funzionamento ed analizzando in dettaglio Fefiette t-ra-n-s-i-
ed il funzionamento i11 regione attiva diretta. Suecessi¬va1'r1ente ven-
:;:: ricavate le relazioni corrente-tensione c viene introdotto il modello
'_ Èoe1's-llloll. Tenendo conto delllobiet-tivo didattico del testo, la trat-
'..';ì.í:1e e svolta sia per i t-rarlsistori npn che pnp, anche al prezzo di una
'_-_,-,'gs1'a. ripetitività. Il comportamento del tra.sistore bipolare e ulterior-
;;:'_t.- discusso presentando la rnoclellist.ica eireuitale per grandi segnali,
gli effetti di secondo ordine, le curve caratt-eristiche, gli effetti capacitivi,
-_ is. dipendenza dalla temperatura. Quindi, in modo completo ed ampio
f-1 ==fronta la modellazione del transistore per piccole segnale e si conclude
_' '-_'-.pitolo ridi-scutendo il comportament.o del dispositivo in regione attiva
Lietta tramite il modello a bande di energia.
Il transistore li-IOS e presentato nel capitolo quattro. Al fine di intro-
i'_::e gradualmente il comportamento di tale dispositivo, il capitolo si apre
L1.-;-:utcndo le proprieta del condensat-ore ;\lÖÉ`›. Per esso vengono deiinitc la
'-_:'.sione di banda piatta, le regioni di funzionamento e la tensione di soglia.

19
Quindi, si passa alla trattazione completa del transistore BIOS ottenendo
le relazioni corrente-tensione nelle diverse regioni di fimzionamento ed in-
cludendo gli effetti di secondo ordine. Tante per il condensatore che per
il transistore lv-IOS, le relazioni vengono rieava.te per entrambi i dispositivi
complementari [canale n e canale p). La presentazione di uniinteressante
analogia fluidodinamica del transistore l\--IOS, ra.fforza i concetti or.a elen-
cati. Larga enfasi e dedicat.a alla modellistica sia di grande che di piccolo
segnale (questlultirna include anche i complessi effetti capacitivil. Sia per
motivi di completezza che per motivi di atttlalita, sono aifrontati il fun-
zionamento del transistore in regione di sottosoglia e gli edetti di elevato
campo e canale corto, cui sono soggetti i transistori di ultima generazio-
ne. Infine, come per gli altri dispositivi, sia per il condensatore cl1e per il
transistore l\-IOS se ne presenta la modellazione tramite modello a bande
di energie.
Il capitolo cinque introduce la tecnologia planare c presenta in modo
sintetico i diversi passi elementari di lavorazione.: ossidazione, difi`usione,
impiantazione ionic.a, deposizione di strati sottili. Inoltre, dopo la pre-
sentazione della metodologia fotolitografia vengono riportate le sequenze
di lavorazione per la realizzazione. dei t.ra.nsistori di moderne tecnologie
bipolari e CMOS.
lÉl.ela.ti¬.--arnente ai capitoli aggiuntivi, scritti dal prof. Giuseppe Falci e
dalla dott.ssa Elisabetta Paladino, questi hanno llobiettivo da un lato di
completare gli argomenti trattati nel manuale con informazioni più appro-
fondite su teinatiche di ambito fisico, dallialtro in linea con l`obicttivo pri-
mario del manuale possono servire da riferimento agli studenti dei corsi di
fisica che trattano argomenti propedeutici a.l corso di dispositivi elettroni-
ci. In particolare, il capitolo sei presenta concet.ti fondamentali della ñsica
quantistica., puntualizzando quelli rilevant.i nella micro e nano elettronica,
elle hanno portato e precedono liavvento dclliera dei semiconduttori, sot-
tolineando la forma in cui tali effetti quant-istici agiscono. Il capitolo sette
-scandaglia ed affronta il dominio dei futuri e diversi dispositivi nanometri-
ci, presentando una pa.nora1nica sui nuovi sviluppi della nanoelettronica,
e discutendo dove e come nella risposta macroscopica dei nuovi dispositivi
gli effetti quantistici risultano evidenti.
Llauspicio degli autori e che questo testo possa riuscire di facile c.om-
prensione e di utilita sia agli studenti che conseguono la laurea triennale
sia a quelli che completeranno il quinquennio di studi.
Un ringraziamento speciale va all"amico e collega prof. Giuseppe Fal-

E30
ci, eccellente e prestigioso fisico teorir-: L-_-I :L-.gg-:';; _: _' "Fisica della
materia") che, oltre ad aver scritto- 1;-5. :'. -'_'íí-::_-_ .jine capitoli
che impreziosiscono il volume sia dal p';.:'.*. _ _- _sì_-. É.: 'I-atti;--; che culturale,
ci ha fornito un continuo e costante s';.p§;-.1:' i i';:=.-'.:'.tf.í- la fase di stesura,
suggerendoci spesso la strada migliore per _¬.:›«';.f~;-:' esp;ín;e:'e e rappresentare
taluni concetti in una forma semplice senza T:.tta¬.'ia contraddire le cono-
scenze, ben più ampie ed approfondite. clic attualmente fa11no pa.rte della
fisica della materia. Resta a nostro carico. comunque. l`e-vcntuale presenza
di errori e sviste, di cui egli 11on ha alcuna responsabilita.
Itingraziamo inoltre liing. Melita Pen11isi che con il suo tradizionale
entusiasmo, profondo acume e non comune cultura umanistica, rileggendo
le bozze finali del testo, ci ha permesso di ridurre gli errori di stile c di
migliorare ulteriormente la qualita dello scritto.
Infine, ringraziamo calorosamente il prof. Einanuele Rimini, punto di
riferimento culturale ed organizzativo 11el -settore della Fisica della materia,
e specific.a.ta.mente dei dispositivi elettronici, per la generosa. c puntua.le
presentazione al testo.

.iii
1. Elementi di fisica dei semiconduttori

al fi11e di preparare quegli strumenti che c.onsen1;.iranno una corretta

analisi e comprensione dei dispositivi elettronici che a.ndremo ad a.naliz-zare
nel corso del presente testo, in questo capitolo si intro durrarmo le proprieta.,
É principi fisici ed i modelli inerenti i materiali semiconduttori. Tuttavia.,
prima di affrontare direttamente le suddette problematiclie, iniziererno il
presente capitolo con brevi richiami sulla forza dovuta alliinterazione tra
fatiche elettriche, sul campo elettrico, sulla definizione di potenziale e sul
movimento di cariche visto con1e corrente elettrica alllinterno dei materiali.
Cio consentirà. di focalizzare e íissare meglio alcuni concetti fondamentali
the saranno propedeutici per buona parte degli argomenti tra.tt-ati nel testo.

1.1 Forza, campo e potenziale

Il modulo della forza. elettrica, F, tra due cariche puntiformi, gg e ql,

poste nel vuoto ad una distanza r, e dato dalla legge di C'-oulomb

F gli
-I'.-Te.3 -rr (Ln
love eg la co.stc.-ntc d-ielcttrrce del vuoto, pari a circa fs: 1{l_1l Il`__r"crri.
Piii in generale, dett.o rm il vettore che ha come direzione la retta
.T-'ne uni-sce le due cariche e verso da gl a qa. indicando con fn,-1 il versore
.-nrrispondente, la forza, FW, cui le soggetta eg a causa della presenza di
e data dalla seguente legge vettoriale

1 fr fr .. _
Fei = †%1"v.1
álí='Tc.[] 'lfil
(lil
Se le cariche sono statiche, la forza cui i: - s-;.ggetfa r_,›; a causa della
1';-resenza di eg e uguale ir1 modulo ma di vsrsc _'p_:.--L'-si cssía Fm I -FM.

z7".i'
 Eli supponga adesso di avere -rr cariche, e1,t_rg, _ _ _ , gn, poste nel vuoto e
di voler identificare la forza, F, c.he esse impongono ad una ca.rica q.ç_~, posta
nel medesimo spazio. Sfruttando la (1_2} e sommando vettorialrnente le
forze risultanti, si l1a
'lrli H-
Él .» .
F = :Fe_-r. I ìqi' É Fgifez'
' I -Im _. _ .HIL- (1-3)
-t=1 “ EU -r=1 Us

dove -ru; rappresenta la dista.nza. tra la generica caric.a 91,; c la caric.a. carn-
pione gg. ed 1”f*.;,_.,¢ il corrispondente vettore unita..rio con verso da Q, a gg.
Il concetto di campo elett.rico, E, viene dedotto d.a.lla. (13), intendendo
c.or1 esso proprio quella forza cui le soggetta una c.a.rica positiva. unitaria in
un punto dello .sp.a.zio a causa della presenza. di a.lt.re c.a.riche_ Pertanto,
nel c.aso precedente, il c.an1po prodotto dalle ca.ric.l1e g1,rjg_, _ _ _ ,g.,.,_ risulta
essere
'T1-
:1' [fl I
E- -- _' f'.f],' ll..-"Ill

Dalla definizione segue che la forza risult ante cui soggetta una ge.ncric.a
carica, tg, nello spazio e univocamente determinata da.] campo elettrico e
dalla c.arica, e puo essere espressa come

F = QE

Tjna c.a.rica. si muove in un c.a.n1po elettric.o fissato, E, secondo le equa.-

zioni della dinamica, ossia, ricordando il legame che intercorre t.ra. forza e
accelerazione
l
gE = 'Ing {1_fil
di

dove -rn. e dv _,-l dt rappresentano, rispettivamente, la massa e liaccelerazionc

della carica.
Per u11 campo conservativo possibile definire il potenziale de.l campo.
Nel caso del ca.mpo elet.trico, si definisce differenza di potenziale tra. due
punti, _-*1 e B, il lavoro cambiato di segno compiuto dalle forze del ca.mpo
per sposta.re llunita di carica positiva da _-l a. B _ Quindi, supponendo che
si e E siano due punti post.i lungo l'asse .r_ si puo scrivere

£'¬-1'
 E ' ._`_¬-_ Lì- -.'____J._ _

A E
l.f'_.-, l _:

Fig_ 1.1 - Campo elettrico e differenza ci ::.:se_zšsåe.

a
I-Éf_,f_.ç, : l.-È - l-il, = - f E-,,. dz 1 : 1 _ Ti
1
.iove Ei. ra.ppresenta la componente del campo E lungo liasse -.r_ Si osservi
;-he la (1_T_l stabilisce la difierenza di potenziale t.ra due punti e non il
potenziale in un punto.
Il potenziale ir1 un punto P dello spazio viene convenzionalmente defi-
:iito come il lavoro carnbia.to di segno eseguit.o dalle forze del campo per
portare nel punto P liunita di carica positiva partendo da una distanza
infinitamente lontana dalla regione di carica ossia. da una regione infi-
nitamente lontana dalle cariche r_;r1,qg, _ . . , ei;-,-, che generano il campo). I.-a
iefinizione assume che, ad una distanza infinitamente lont.ana dalla regione
:ii ca.ric.a, il potenziale, sia nullo. Pertanto ha
P

I. C5:

Dalla |:1.S} e possibile ricavare il campo elettrico come

:I"

z., = -fili, n.@j,›

che nello spa.zio tridimensionale diventa

E = - gr.a.d if' (1.10)

Il segno meno indica che il ca.rnpo le rivolto da regioni a potenziale più

alto a regioni a pot.er1z-iale più ba.sso, come in Fig_ I.l.
lina carica g in un campo di potenziale l-7 ha unenergia potenziale U
pari a

2.5
 tr = sv (rin
Risulta comodo misurare questienergia anziche in J (louis) in elv' (elet.-
troni.folt]_ L°elet.t.ronVolt le uniunita di misura. naturale, nel senso che, per
i fenomeni di interesse, llenergia degli elettroni in gioco e sempre prossima
a qualche el-I. Poiché la carica dellielettrone e pari a 1.602 z 10-19 Cl, vale
la relazione lei? = l.íl[lì2 zi 1f.l_lil .I.

1.2 Conduzione elett.rica

La corrente, I, e. una gra.r1dczza. scala.re che rappresenta. il moto delle

cariche Q a.ttraverso un condut.tore ossia la loro va..ria.zione nelliunita di
t.err1po

1
I: EQ {1.12`_›
dt ' ”

Considerando un flusso di N particelle di carica cf lungo la direzione

delliasse z i11 un conduttore di sezione .›-il, la corrente e quindi definita.
come la carica totale che passa attraverso A, nell'unita di tempo. ad
esempio, se nel tempo t pa.ssano _-iv" particelle di carica gf, si ha che

_-vg = _.-v _
r=_ . t
, fi L f. 1.13 J
dove -r.¬_,, e la velocita media c.o11 c.ui le cariche percorrono la lunghezza I.-
nella. direzione delliasse z.

Possiamo definire il vettore de.nsitii di corrente, j, come quel vet.torc

con direzione e verso della velocita v e modulo dato da.lla. corrente per
area unitaria list..-""t1r1if]_ Nel c.aso di moto unidimcnsionale si ha

_ I _-"lv" _
,iz I = mg-E-.=,,, = -rrqtçfl {,1_1il}
_I.

dove -n.. rappresenta la concent.ra.zione di cariche (positive) in movimento

per unita di volume. In forma vettoriale, la densita. di corrente viene
espressa da

j: nov (1.15)

225
 I.-a densita di corrente puo anche essere ss; :--- -_ _ _* _;'_ ;-- _-_-Â'. -_ i.-¬'_~=ìta
:ii carica nel volume (C,ftfrr1'l). dciir.š†_a -_'-':'_'_+
.I .'.

,o_,, :tig _.lc~

Itisulta. quindi

j: ,o.,v -;_l_lT}

Si noti che la valuta.zio11e fatta sinora della cccreiite o della sua den-
sita prescinde dalla tipologia. delle cariche e dalla natura dei movimento.
Inoltre, sia la densita di carica che la velocita potrebbero essere grandezze
variabili nel tempo.

1.2.1 Coefficiente di mobilita

Un conduttore e caratterizzato da.lla presenza di elettroni liberi in grado

di muoversi e di gencra.re una corrente sotto liazione di un campo elettri-
co. Se il campo elet.t.rico e nullo, il moto degli elettroni dovuto a.lla. sola
.agitazione termica e puo essere immaginato come una rapida successione
di urti alllinterno del reticolo che compone la struttura del materiale cen-
~_'iuttore_ Una descrizione qualitativa del moto di un elettrone puo essere
interpretata. come in Fig_ 1.2. f\ìe:lllint.ervallo di tempo, rc, che media-
mente intercorrc tra due collisioni, un elettrone si muove rapidamente c.on
una veloc.ita media, -"tag, e percorre una dista.nza media .l (if : -'r:,,,f¬,t,.,._}_ La
grandezza -n_,;,_ rappresenta la velo cita della part.icella. dovut.a alliagit azione
termica. mentre la lunghezza l viene detta l-iter-o o:nn.ni.'in.e tn..ed-io.
.›'är1alizza.I1tio il fenomeno da un pun_to di vista macroscopico, il moto di
un elettrone appare come un moto c.asuale nel quale non esiste una direzio-
ne preferenziale. Quindi, in un arco di tempo abbastanza lungo (parecchi
1,), la velocita media di una particella dovuta alliagitazione termica e nul-
ia, cioe fr.=.;;,_i : fl. Tuttavia, non e nullo il valore quadratico medio di
questa velocita, ossia <1-'t›;f,,} 75 U.
Ifn modello semplice ma efficace rappresenta il moto degli elettroni
in un condutt-ore come il moto di particelle gassose prive di carica. La
loro energia cinetica. is a.llora data da lfT__..-"É per ciascun grado di liberta (o
direzione in cui si muove l:elettrone)_ da cui

2?'
 -I
rh ,
-1-ir
~*=›~¬~*f::'

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:-¬¬.¬-._
"\.'\.
¬.

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_ __.-_ š-'_"¬¬.
__-:__
,-=-'*" :__ "ii-2,,

Fíg_ 1.2 - Mete di un elettrone devute elle eele egiteziene termica.

l _ _ _
1 _ Ei-š;1'T mete im1d1me.rie1eiie.le
_ I" 12 _ *"' “ -¬:
š'lll"'re- {L'l"'rli..> '°"
EÈJ1" mete tridimerieieiiele

dei-fe -re ;j¬¬-

{'-¬-1,! le. me-eee efiìee-ee dellielettrerie e le È le. eeere-ri.re di Belreme.-rrri.
[peri e 1.1581 re lU`É3' J,-*' Tele eepreeeierie eeneerite di et-tenere le vele-::ite_
t-ermiee -i. =_;_h_ iri furieierie delle †_emperet11re_ A tem}¬_›ereti1re. eiriliierite (T =
300 ieh ie di eiree lil? erI1ƒe_
Ešetfeperiende il eeiidutiere ed mi eempe elettriee eeet.er1te_ E, egrii
elerrreiie e eetizepeete ed mie feree_ -qE__ ehe preduee imieeeelereeìerie nel
-feree eppeeie el e.e_rripe epplieete (eeeie ime eerrerit-e nelle eteeee. direeierie
del 1;-empe}_ Qui1idi_ elle eempeiierite di veleeite. rlevute e.ll*egiteeier1_e ter-
mir-e. ei eei_-'repperie uiiiiilteriere eeiiiperierite eeiieete del eempe ele1':tri-ee.
Tele eemperierite È dette 1-'eleeit-e di ere-er:i'ri..e-m.eri.iEe e di fieri-rie.. e1:remit.e
il termine erigleeeeeerie di rl-r-i_,fitl_ e il eue veler medie; iri im eree di tempe
eìnbrieteriee. lurige, e em-fi.e_r'i1ei11:e di*~_-'eree de e-ere. _
Eeeeiide gli ele"r1:reiii eettepeeti ed ime. feree ele1:triee._ le *~_-'eleeite di de-
rive de†~_=re'el:›e ereeeere iridefir1i†_emem'_e_ Ti1tt.e*~_-*ie_ e eeiiee de;e;li urti, eie
ehe ei ettierie ii: urie 1-*eleeite di deri†~_-fe. eeeterit-e. Difetti, egrii 1-'elte ehe im
elettreee url-e_ perde le eee energie eirietiee e mediíiee le eee. direeie1ie_ ri-
diieeride e eddirittiire eiirmlleride le veleeite lunge le direeierie del ee.mpe_
Q1iir1di_ eempre e eeiiee delle feree eeete11†_e eeee rieemirieie e mue¬rerei eeri
mi eeete_r1te irieremeriLe delle 1_†eleeit.e_ Il rieult-ete di teli eeeelereeieei e
hrueehi erreeti ii: ime veleeile medie. prepereieriele el eempe elett-riee liirige
le direeierie del eempe_
 Le †~_-'eleeite di deri¬=_-'e degli elettreiii ¬.'eT_'_-_ ;; _ _ _' -" _ 7*
Éertente, in nn mete nnidimeneienele 5*

i -ul _

ll-ne: _ "_ƒ'-15-.e»'l“-'fr * - l

:_-_ più in gerierele. nelle tre dimeneie::.i

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r ~¬;« ¬
._-¬-l-_-'l-

ieve le eeetenííe di prepereienelite _n._. fe ie:-'_;'_i;.:-.'_i-_ ' ':-'_ fi ree-

i-ii'-›itri- degli elettreni [e eemplieenienre rneizff e ei ir. =;-1;: Ye. Ei
rieti elie il eegne mene e deviite el ferite eiie i p-.:_~:':ef.:=:*i ._*-;_:;5~i«;íe1¬e.ri eene
Ierielie Iieget-ii-fe.
Ceneiderende le legge del mete {l__El} per nn 1:e-nipe finire me pieeele_
_\i_ ei he

À _
ri'i;fí: = -gE {l.E*-1)

Se il eempe eeeelere. le. eeriee eele tre due nrti euee.eeei¬ri. ei pn-E`;› eeen-
:nere ehe dei eie. peri e fT___¬ e ehe le eerieeiene di veleeite -::eineif;le een le
'-'ele=::it:`?`-i di de1'i¬ee, eeeie, iv = vg. Quindi. nel eeee unidimeneienele
E' Tr - ,_ _

rn... -'_

Di eeneegnenee il eeellieiente di Inebilite rienlte ngnele e

:ETC " i' |=

llln

ln 1'eelte_ il eeeflieieiil-e di meliilite e eeetente eele per beeei eempi elet-

friei, inferieri e l_[l3 "'~.-1.-*'+:':1Ti_ Be-ee pile eeeere eeennte inveleemeiite preper-
zienele elle rediee del eempe elettriee per veleri ehe venne de IU3 E-i,_.f'eni
e lllj' VJ..-ilefli, mentre per i-'eleri enperieri e 104 VJ,-frein rienlte inveieeniente
prepereieriele el eernpe elett1¬iee_ e¬fi_¬:ei'e

,i.r. -_;__ per E ~=-rl 103 Vƒerii

,i._r.fi_(J';-ll : ;;_n{E] ef: lƒx/E per lU3 lffeni -ti E ei lil* Vƒerri |f_1_2e]
,u--,,_{E_l ec 1,-“E per E le lü É em

239
 '_ - _-¬ _-- -- -- - _--_" -- -- -l-F.- - ___ _ . . . . ..__

C-ie eigniiiee ehe per eenipi elettriei enperieri e 10* V/'t¬1ri_ il 1:net.e degli
e-lettreni ell`interne di 1.111 ee11d1_1t.t-ere lie une veleeite indipendente del ve-
lere del eempe epplieet-e. Tele veleeite vie11e dette. veleeite di eetnreeiene
ed e indieete een i.f_m._m¢_

1.2.2 Legge di Ohm

lÉ.eplieite.nde greeie elle [1.2(l] le veleeit Iì':_"|:||›" ÉTJ lett.reni in lnneiene del
eempe elet.t.riee_ le deneite di eerrente nelle feg-{_.ü*'I1 l-_-'-3I
`¬¬¬_.-P' ei pile e.er1vere eerne

j I ,e_.;ii..g_E = e'E l;l_2-fl]

deve et reppreeente. le. ee-i'i-d'e-tftlltlttd del een-:lnttere__ eepreeee. in .Q_1em_1,

mentre il ene inver-ee. indieete een ,e (de. 11e11 eenferidere een le tleii-eite.
di eeriee. ;:g.l_ re.ppreeente le. r*ee1i.5't-ii-'t.='itd. del eendnt.tere_ Pe:rte.ni1e le een-
dneileilite e fendeiinentelmente intlneneete delle. eeneent-reeiene di ee1'iel"1e
tperteteril diepenilnli e delle lere reel:¬=ilite.
lpetieeende elie le deneite di eerrent.e deeeritte delle releeiene 1.25]
ettreverei une enpertieie, fl. ert.egenele elle. direeiene del mete, ei pne
ettenere le legge di Uhni. eeeie

I = e-ee = (1.25)
deve L e le lnnglieeee del eendnttere e lf' e il peteneiele e.ppliee.te ei enei
eepi_ ll t-e1'1nir1e e_=-"l_,f'L repp1'eeenl_:e. le ee-edettri.-ri-e-e del rneteriele {_£'l_ll e
quindi il ene inveree le -re.v-i..ete-n_ee-

L L
efl A '
Fil ereeeere delle t.emperet1.ire le nieleilite delle eerielie dimini1ieee_ Cie le
epiegete del fette ehe. ellie11rnent.e1'e delle t.empereti1re.. il reggie di *~.-'ib:e.-
eiene degli etemi del met.e1'iele eendnt.te1*e tende ed enment-ere. Liinere-
n1ent.e di qiieet-e reggie di vilereeiene perte. ed un ineremente delle. prebe-
bilite ehe nn elett-rene eellide een nn et-eme dnrente il eee libere eemrnine
medie. ridneende eeiieegiient-ernente il tempe medie tre due eellieieni, Tg.
Pertente. llineremente delle. l_emperet.nre tende ed eeteeelere il mete delle
eeriee. Cie e in linee een le net.e dipendenze delle legge di Olnin el veriere
delle temperetnre elie prevede nn ineremente delle reeietenee el ereeeere
delle. temperetnre_

30'
1.3 Semieendutteri

De un punte di viete meereeeepire. É 1.111:-__-_i_ ~ '_ H _' ___-___:~.T_'_'-_¬† in

`:;=eee elle lere eendueil:›ilite in eendutt::§_ e-f;:'_; _'- " †-__ _+ __-Ji. Le
T--_n1=:l11+;':il:›ilite-__ in pertieelere__ dipende .fiei Q- -- "T 'L :_:-L-f+:'_Ti nel
gueeie etemiee eeterne. eeeie degli eletír :'_i il ";-_'+:;-_ __ _ 1 :e;i:;_ ;;:e:-te
.alle lerineeiene dei legenii elliinterne de-_. :;'._5-_'+:;_'-_;_
}~Iei metelli, ed eeenipie. gli elettreni er. 1'. :_ erre 1;; _-_;'__ 1'-___ '- f ::;:;_»_:i-_;-:ie di
11:1 legeme e quindi ri1ne.ngene liberi di ;¬›-.:=ìe:'5i :;'_1_'_'.'e:e 1' _ "' L'_efeíí.';† di un
ernpe ele-tt-riee_ TK-"Tieeve1'ee_ negli ieelenti tutti gli _eleií:'::;i ~;_:._j_- rflinvelti in
le-geini eevelenti e rieulte ditlieile evere elettrer-_: :neri i:_ g':*e:_-l-:I di generere
'_:1'1e eerrente, e mene di eelle:eit.ere il ineteriele r-en e`_e*-reti ii'-_'r-:li di ener
l 1net.erieli e.emieenrlut-t-eri eene rniere;=.eepieemente einiiii egli ieelenti
:;el eenee ehe gli elettreni di velenee. eene tutti eeinvelti in legemi eevelenti_
:ne le eele energie devute elllegiteeiene terrriiee e eu_tlfLeie1'ite e lilfierere un
1-erte numere di elettreni e e renderli dieperiibili elle eenduzie1iel_ Quindi.
flel punte di viete delle prepriete. elettriehe. ef-'ei peeeene divenire eimili ei
mete.lli_
l rneterieli eemieendutteri eempef-ati de eteini di une eingele epeeie ee-
:e elementi delle IV eelenne delle tebelle periediee degli elementi qu eli il
sflieie ed il gernienie [Q-el. E-eietene tuttevie enelie nieterieli eemieen-
iutteri r:e11'1pe~e.ti in eui entreml?›i i eeetiluenti tenne perte delle lle' eelerme
ielle telnelle- periediee degli elementi. ed eeernpie il eilieie ee1'l_¬:« enie (SKI), e
:_ne.terie.li eernieeudutteri_ eeme ed eeernpie liereeniure di gellie (Geåel ehe
e eeinpeete de gellie ed ereeniee, i eui elementi ei trevene riepettivernente
nelle Ill e nelle V eelerme_._
Oggi il eilieie re-ppreeente il prineipele ineteriele per le reelieeee-iene di
:_-empenenti e eernieenduttere, greeie elle ene prepriete elettrielie. elle pee-
eibilite. di reelieeere feeilmente un ineteriele ieelente di elevete t1uelit.È“1 lil
leieeeide di eilieie. Sifllgl, ed el eue beeee eeet.e riepette ed eltri rne.terieli2_
Attuelmente le teenelegie per le eue levereeiene le di greu lunge le più
e'~.-'ene-ete 1*iepettri e quelle degli eltri eernieendutteri.
_\Tenee.tente tele preden1ine.nee_ le etudie e le eviluppe di teenelegie per
eemieendutteri eernp eeti e eentinuemente ereeeente in quente eleuni di eeei
preeentene prepriete elettrielie ed ettiehe eeeenti nel eilieie. ed eeernpie_

lll livelle di energie per rernpere nn legetne eevelerite di un eeniieend11tte1'e e leen el

di sette di Èfelf.
E Il eilieie. nelle ferme di eiliee e di :=.ilieeti_ eeetiluieee il Èetfli delle ereete ter1'eetre_

ill'
 I

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3/ l
Fig. 1.3 - Dieeeeiziene degli eterni di eilicie el1'ir|1:erne del erietelle.

l“ereeniure di gellie rieulte. pertieelermente indieete per reelieeere eernpe-

nenti elett.rer1iei nei eetteri delle miereende e delllepteelettrelliee.. ln tele
teete, t.uttevie., nen ei epprefern:lir*e11ne ulteriermente. queeti eepetti prefe-
rende eeneent.rere l"etten_tiene eui diepeeitivi e.l eilieie. Quelelie eenne verre.
fette per il germenie e.l1e, nel periede in eui i tr.-eueieteri inieievene e fere
le lere ee1'npe.re-e.. eul mereete (eeeie nei primi ermi 550), lie. r.e.ppreeer1l.elze
le teenelegie di lìaeee di epielliepeee..
l 1ne.t.erieli e.en'iieendut.l.eri d°interee.e.e henne une. et.1_'uttu re erietelliiie in
eui le diepeeieiene degli eterni lie une per*ierlieit.e. tridimeneienele {evvere
.vene n'1rire:+e1'iet.elli_)_ Le etruttiue degli e.t.erni ehe eeneerrene e fermere
il e1'ie.t.elle e deneminete. strette.-re. er*ietr.r_llrfr.te. e. nel eeee del eilieie_ he le.
.I .I -'

terme di un tetreedre eeme in Fig. 1.3.

ln tele et.rutt.ure gli etemi eene legeti tremite i legemi eeveleriti elie ei
termene t.re i quettre eletlarerli del gueeie e_t.erniee eeterne, eeme meetret-e
in ferme bidimeneienele in Pig. 1.4, deve egni eteme, nel ene interne, pee-
eiede quettre elet-t1*eI1i ehe eendivide een quelli degli et.emi vieini. Queeti
elet.treni ei t.reve.ne nelle. eeee dt eeleeee (eentreeeegnete. in figure delle
eree in grigie) e prendene il neme di elettre-rei eli er1.le'eee.
Le eitueeiene deeeritte delle Fig_ 1.4 reppreeente il eeee in eni il ee-
mieendutt.ere e peete elle ter_e_pereture di I[ll*~_[_ ln queete eeee, tut.ti gli
elettreni del meteriele ei t.reve.ne elliinterne delle. eene di velenee e neeeu-
ne eendueiene elettriee. e prieeilìile in quente un eveiitilele met.e di elet.treni

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Fig_ 1.4 - Reppresenteziene hidirrreesierlele di un erietelle di eilicie_

-.°.¬-°=e1¬1'el'_:›be tremite une eee.mlì:›ie di peeteeiene (eeme evidenrfziete degli elet-

rr.:-iii el ed eg; di Pig. 1.4) e nen verrel:~l;~e pereepit-e dellieeterne eeme un
;-irvimeute nette di eeriee.
Un elettrene e in grede di eendurre eerrent-e r_1ue.nde divente l-ellerre, eeeie
__':ende, per vilereeiene termiee, .=_¬1.r:r111iet.e. elJb.eet.e11ee energie de rempere
__ Èegeme eevelent.e elle le lege. el ret.ieele_ Ogni velte elie r1ueet-e evvie-
:;e_ l`elett.rene e.l;¬›lJenden.e_. le eene di velenee leeeiende in eeee u11e epee-ie
'."_†.e«te ehe prende il mmie di le.-eeee (il riepettive termine e:r1gleeeeeene e
L 1'-l Pertente, per vihreeiene terrniee., ei generene nel met-eriele eeppie
-_-:ettrene-leeune., eeme eel1eme.ti:-:eete in Pig. 1.-5 deve, ed eeempie, elle
zeiiereeielie delllelett-rene lil:=ere el eerriepen de le. genereeiene delle leeuue
'13. Sette llepplieeeiene di un eempe elettriee, ie elilieetenee eempliee i11-
'fiire elie eene preprie gli elettreni liberi e perteeipere el_le. eendueiene di
"-:›rrente muevendeei, eeme llelettrene e1 di Pig. 1.6, in direeiene eppeete
_-'_l eempe epplieete Teli elettreni lilìveri prendene il neme di elettrerei rlt
feed-tr.eterr.e, per dietinguerli degli elett.reni di velenze.
Cie ehe e mene intuit-ive e eenriprende1'e eeme le eerrente elett.riee peer-ie
eeeere eree.te enehe greeie e.l_lle_~_-1:-_=.er1ee. di u11 elett1'e›re?- delle :rene di velenee.
Que:-:te evviene in quente liee-eenee di un elettrene- tie eueete :ene Iíeeeie., le_.
preeen-r.e_. di une leeune.) rende peeeibile e pereepie-ile 1-3- ;<pe:=re1iir~r1t.e degli
eltri elettreni di velenee. Per ee.pire nieglie È; fez:-¬::'_e:'_ =:ì-=:ì.-n;-I-iderie.rne gli
elettreni di velenee eg, eg ed ee di Pig. 1.5.3. 7_='-_ }_í;_ __"f- mestre eeme
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Fig. 1.5 - Genereziene di une eeppie elettrene-leeune in un eristelle di sili-::ie_

qiieeti ei e-iene epeeteti veree deetre pur vie.ggie.ude elllinterne delle eene
di ¬-.-*elenee efrnttende le epeeie lilíiere venutee-.i e. eree.re [ee-eie efruttende le.
leeune el). ll eenfrente tre le due ligure ei int.erpret.e eeme le epeetemente
nette di un elettrene veree deetre. ed eeeupere il peete preeedentemente
eeeupete delle leeune.. Le eteeee fenemene pere pue eeeere interpretete
enelie in un mede diveree. Nelle, infetti, viete di eltermere elie eie etete
le le_eune e epeeterei veree einietre__ In eeeteriee, e eeme ee une pertieelle
peeitive, reppreeentete. delle leeune, ei eie epeet-et.-e nel veree eppeete e
quelle degli elettreni di eendueiene (eeeie, nellieeernpie, in veree eppeete
ellielettrene di eendueiene el).
Si pu-:`_`:› pertent.e dire ehe in un eemieenduttere eeietene due pert.e.t.eri di
eeriee elie, eette lietlette di un eempe elettriee, pert.eeipe.ne el treeperte di
eerrente: gli elettreni [di eeriee negetive) e le leeune [di eeriee peeitive).
Ceme ei eenetetere in eeguite, il eeneet.t.e di leeune È melte irnpertente e
verre ueete eeteneivemente per eeemplifieere le tieiee dei eemieendutt.eri_
Le. leeune, quindi, verre epeeee immeginete e deeeritte eeme une per-
tieelle elie pee.e.iede un mete preprie ed une ee.riee peeitive di velere peri
in medule e quelle dellielettrene.
Si rieerdi, eemunque, ehe le leeune e di fette u11e queei-pert-ieelle, ev-
vere u11 eeneette ert.ifi-eieee intredette per eemplifieere le deeerieiene dei
meti di eeriee elllinterne dei eemieendutteri_ e reppreeente eemplieemente
lieeeenee di un elet-t-rene elllinterne di un legeme eevelent.e_

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Fig_ 1.6 - Mevimente delle eeriehe in presenze di un eempe elettriee.

1.3.1 Semi-eendutterì intrìneeei

ln un eeinieenduttere pure (dette enelie iin_.tr"i*ri.eeee) per egni elettrene

"ee ei lilìiere del legeme eevelente ei viene e ereere u11e. eerriependente
'__=_enne._ Di eene.eguenee il numere delle leeune e uguele e quelle degli
-lettreni liberi. Teli eerielie (leeune. ed elett.reni) vengene enelie eliie.me.ti
_: '*¬tr.f_.te-rii, in quente eene in gre.de di eendurre eerrente.
Detinende rie-pettiven1e11t.e een p ed -ri. il numere di leeune e di elett.reni
unite di velume preeenti in u11 eemieendutt.ere, ei lie

ri :p:'n.,..; (1.28)

ii-ve rt., prende il nerrie di eeeeen_.t're..eteee rIri.t-r*tee eee. det perte.ter*r§ e, eempli-
_-fmerlt-e, ee'eeeri.tree:ie'rte tri-t'rte.eeee._ Le eeneeutreeieni vengene in genere
5-1=pree.e-e in u1'iit.eƒr:1n3 e, più eemplieemente, in em_3_
Le eerreentreeiene ri.,~_ dipende delle eeret.t-erietielie del eeinieenduttere
e-::l e fune-iene delle tempereture_ lnletti. in un eeniieendut-tere int-rine-eee
nen eeggette ed un eempe e.lettriee_ lenire lente di energie. eepeee di
;je1iere.re delle eeppie elettrene-leeune e l'ener_gie termiee_ Ovviemente,
in eendieiene di equililerie termedinemir_¬e_ le nueve eeppie ehe ei fermene
_'engene eernpeneete de eltrettente riren:`ein.e:i-eni di elettreni een leeune,

-JC!
 i __.í..í_.í_ -._ _ ii le 'i

feeende ei de mentenere eeetente le eeneentreeiene intrineeee ed une eerte.

tempereture..
Per il eilieie, il germenie e llereeniure di ge.llie_ il velere delle eeneentre-
eiene int-rineeee elle t.empereture embiente (SUO K) e riepett.iven'ie_nte peri
e. 9.55 e ltlll em_3, 2.4 le 1013 em_3 e 2.2-5 e lllü errflil.
Ovviemente le eeneentreeiene intrineeee ereeee een lieumentere delle
tempereture [ì in quente ef meggiere l`energie teriniee in gieee). l.e rel e ar-iene
generele ehe lege *ng elle t.en1pereture pue eeeere eepreeee nelle eeguente
ferme

-rt, = CTTÉ er-rp l- Ely J (1.29)

Qlrlr' ' '

deve C e une. eeet-ente, le e le eeete.n.te dt Belte'-rr'i-e'ri.ri- e E5; e l"eri.r:-r"r,†rfe- dal

lJr;r.'r.&.rí5,"rr:-1.,r_:«3 del eemieeuduttere elie dipende delle etrutture del erietelle. ln
pe.rtieelere, e. eeuee. dei tenerneni di dileteeiene termiee., EG- dipende delle.
tempereture e, e tempereture embiente, vele 1_12el.-"T per il eilieie, el.-'T
per il germ-e.nie e 1.42 el.-"' per liereeníure di gellie.
ll grefiee delle eenee1'itreeiene im-rineeee el veriere delle tempereture
nel eeee del eilieie meetrete in Fig. 1.7.
Peielie in 1111 2-aemieenduttere eett.epeet.e ed un eempe elettriee ei mueve-
ne eie gli elettreni ehe le leeune, entremlei i meti deterrninene une eerrente
di derive. Le releeiene elie eepI'i1rie le deneil-e di eerrente deve tener eente
di queete deppie eentrilmt-e ed eee-111'ne une ferme eimile e.lle (1.25), eeeie

j : tg(-ri.,u..,,_ + p,n_.,,.)E- (1.3[})

deve ,r_.f_._, _ e ,r._f_,., reppreeentene le mebilite riepettive.rnente degli elett.reni e

delle leeune. Le due ii'1el:›i1ite lienne veleri dillerenti e, generelment.e, le
mel:-ilite. delle le.eune e inferiere e. quelle. degli elettreni. Nel eilieie, ed
eeempie, le inehilite degli elettreni e eiree t.re velte meggiere di quelle
delle leeune. ..ånelie le niebilit-e ,ug pue eee-ere eeritte in une terme eimile
elle (1.23) deve, evviemente, eembiene i ve.leri delle meeee efdeeee e del
tempe medie tre due eellieieni.
1 veleri delle mebilite e tempereture ernbiente per ele ttreni e leeune nel
eilieie, nel germenie e nelliereeniure di gellie eene ripertete in Tele. 1.1

ill.-*e11ergi.e di lnendgep ¬-_-'erre trettete in meggiere detteglie nel peregrefe- 1.11, per ere
lire:-;ti eepere ehe reppreeente le rninime energie neeeeeerie per predurre un elettrene
libere.

35
 1e“'¬l « †
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Temperature {"G]|

`:ìg. 1.? - Ceneentreziene intrinseca nel silieie el veriere delle tempereture.

šsempie 1.1
Determinere le reeietivite del eilieie intrineee.e e SUE] lí-
šeluzie ne
Le mebilite degli elettreni e delle le.e.une nel eilieie ìntrineeee e 3l_l{'}l~í e peri
riepettivernente e ri... = 1¢15[l einliƒ 1-le e ,n.,. = Fill-5 e1112,»“v'e_ Quindi eepende elie n.
e p eene ugueli e = 9.65 e 1l_ll'le.111`3, ei lie
e., = .;,=~[_,_-r. . _ + n,.j|e.- = ie - ie-“l :-:_ leer- e ere - nr* = eee - 1e"“r'i'1.;_-1-I. 1
de eni

,e, = lfer., :.¬ 331 - 'lttl El em

1.3.2 Semieendutteri eetrineeei

ln u11 eemieenduttere intrineeee eeiete le peeeibilite di intredurre elt.ri

-1-Ãement-i eliimiei e di pee.ieiene.rli elllinterne del preee.ietente ret.ieele eri-
¬_-telline in mede de eltererne le eeret.terietiel'1e elettrielie_ Teli elementi
'-.'engen_e detti dre_ge.etf.i e enehe -:impnrttrl e il eemieenrluttere ehe ei viene e
fermere viene dett.e dregete, lrrtpere e eet-r-ln_.eeee.
Le eeneentreeieni (eterni per unite di velnrnel degli elementi dregent.i
eene inferieri di elmene E 3 erdini di g1*ende.tee riepette elle reneentreeiene
di eterni del eemieenduttere pure. Nel e.ilieie_ ed e:se1npie_ elle preeente une

37
 Tell. 1.1 - lvlebilìte del perteteri in eleuni eemieendutteri puri e 300 K

semi-eeneullere mubliee (ßmf,-rve)

_ elet.treni leeillle
Slilee ' lee eer-
Germenie 3000 1000
li*-lre-.elliiire di gellie 0200 32['l

eeneentreeiene di 5.02 le 1022 etenii/elrrl_ le eelieentreeieni degli elementi

dregellti nen euperene lne.i i lllgü .e.temi /em3 _ ln queete eendieiene lililite,
ei lie. ilrl eteilie di dregente egni 500 et.emi di eilie.ie_
Dieltre eente, le eem:erlt.l'e.:-:ieni degli elementi dregerlt.i eerle eempre
euperieri elle eeueeiitreeiene intrineeee del eemieei'ld=_lttere (r.i..,;) di elmene
il-il erdiili di gra-lrldeeee_ ll elle vuel dire, nel eeee del eilieie, nell inferieri
e eiree. 10l J' l'l.l.r.'lll1i,"enl3.
Gli elementi dregenti elle eene ill grede di elt.ere.re le pl'r:›pi*iel:.ù. elettri-
elle di illl e.elnieenduttere, eppe.l't.engene e.l V e e.l lll gruppe delle t.e.llelle.
pel:*ir;idie.:-l. degli elellienti. Teli elementi eene ;llen.tel.¬e.le-et-l e tr-lil.felerlt:i in
qiie.llt.e peeeietlrll'le riepet.tivelnent.e eillqiie e tre elett.reni elle peeeelle fer-
lnere legemi eevele.nti een gli etemi edie.eellti_ Gli elementi più ueeti elle
fenne pe.rt.e del V gruppe eene l"eiitimenie (Sh), il feefere (P) e llereeili-
ee {"_i“-lei). .el Ill gl¬iippe eppertengene inveee il ll-ere (B), il gellie (Ge) e
l'ilidie (ln). Le teenelegie lleeete eul eilieie prediligene lluee del feefere,
dellereeriiee e del llere.

Url elemente peilt-eve.lellte ell`interne del retieele erietellille di eilieie ei

die-pene eenle ill Fig. 1.8. Eeee ei lege el retieele efruttende eele qilettre dei
einqile elettrelli del e-ue gueeie eeterne. Llelettrene ill più eeree di mente-
nerei nelle vieinerl-ee dellieteme dregent.e llle, nen eeeende leget.e irl e.leun
lllede el ret.ieele, pile Feeilmente diventel*e i_in elettrelle lililere ill grede di
perteeipere e.lle eendueiene. Nelle pretiee. le eele energie terlliiee. e eiiffl-
eiente e fernire llenergie. neeee.ee.rie e liherere l'elettrene del elle et.eme di
erigine. Queete impurità “de-nelle" un eeeeeerl di elettreni diepenillili per le
eendue-iene e vellgene ehiemeti dregel:lt.i de'ri.er'if e dl tipe rl.. ll eemieendilt-
t.ere eeel trettete viene dette c.l'regete dll tipe -rl.. Le eeneentreeiene (etelni
per iinitiil di velullle) di un elelnelite dregente di tipe il intredette ill un
erietelle di eilieie viene illdieete een .ù-'Tg e. eeiiven-.tiellelmellte, ei mieilre
ill etenli ,fel'rl3.

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-:ig 1.8 - lnserimente di un elenlente pentevelente ln un semieenduttere

Il rlregeggie di illl eelliieendiltt.ere eerl et.elili deneri, eltre e fernire iill

--1.:-eeee di eerielle libere llegetive, preeellte e.lt.re due inlperte.llti peeulie-
:tie ed ill pertieelere: 1) intreduee eerielie lleee peeitive; 2) e.e.iiee. i_me.
iìnlillileielle delle eeneent-reeiene di leeune.
L'irlti'erllleierle di eerielle fieee peeitive ei evinee eelieiderellde le Fig_ 1.8
L :eippellellde elle l'elel_.l.rene delllelemente perll_.eve.lent.e, erlnei libere, ei
=_iÃenteni del ei_le et.elne_ Giù elle rililene e ilrle e.e.riee peeit.ive. reppreeeil-
' -=.r.e de illle ielie peeitive elle, eentre.rie.ment.e elle leeiille di Fig_ 1.0, llen
__.=lieerlt.e ill eleun mede le epeetemente di elettrelli. Eeee, pertente, lieli ti
i: grede di perteeipere e.lle eendueiene di eerrente e e.eetituieee. ilne. ee-rlee
_¬_--'-erl. pes-ltlerl_
Le diminileieiie delle eeneelitreeiene di leeune eeiiee.te. del dregeggie
.en et.emi deneri le le diret.t.e. eeneeguenee delle legge dell *eelene dl rrleeee
'ile eerù. dieeueee nel peregrefe 1.4. ll fenemene ei epiege. ill qiiente lleu-
:lleiite degli elettrelli liberi eeiieete del dregeggie ilinell-:e le prelle_l;lilit..:-ll.
_-ee une leenlle ele “ine.entre.te`° de illle dei melri elettreni preeenti nel ee-
nlieendut-tere drege.te. ln eltre pe.rele, lielevete eelleentrezielie di elet.treni
Liberi eumente le prebebilite elle un leeilne ei rieembini een iui elet.treIie.
Le ripereueeiene di eiù e un eillnente del llilnlere di leeune elle eiibieeelle
rieembineeiene e le eeneeguent.e diminueielie delle lere fìelir-elltl'eeieiie ri-
epette e quelle eriginerie.illente preeente nel eel¬riepel¬.dr-nre :_=elnieeiidilttere
intrineeee.

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Fig. 1.9 - lnserimente di un eleniente trivelente in un eernieendilttere

lil eeeteli:-ze. liineerimente di etemi deneri eeilee:

I ilil eiimellt.e delle eeneelitreeielie di elet.treni liberi;

I le ereeeieiie di eerielle tleee peeitive;
1 iille diminueiene delle eeneentreeiene di leeiilie.

Quindi. epplieellde illl eelilpe elettriee ed uil eenlieeildilttere di tipe

ll. le eerrente di derive. rieillte.lite prilieipellllelll..e rleviite. el mete degli
elettreni.

Dregende illl eemieenduttere een illl meteriele trivelente ei ettiene le

eitueeielle eppeete, er_:llelllel'.ie-eete in Fig. 1.9. 1 tre elet.trelii del gueeie
eeterlle dellletelne dregellte ei legelle el ret.ieele ternlende eltretteliti lege-
lrli eevelellti. Tuttevie, nelle etruttiire vi e illl legeme llen ferinete e eeuee
dellieeeeliee di un elettrelle (evvere le preeenee di ilrle leeune). Nell“inter-
ne dellleteme rlrege.llt.e pertente le leeillle. eeree di ettrerre e ee gli elet.tre11i
vieilii mettellde e diepeeieiene iill nileve epeeie per le epeetelnerlte delle
eerielle libere edieeellti. Qiieete impilriti`-l. eelle ill grede di “eeeettereil elet-
t.relli e vengelle elliemete dregenti e.r:eette-ri' e di tiprl p. ll eelllieeildilttel lre
eeel t.rettete viene dette dregrlte di tipe p. Ovvielllente, le eitileeiene pile
elielle eeeere viete eeme liintredueiene di line ilileve. “pertieelleii di ee.riee
peeitive. Le eelieentreeielle di uil elenlelite dregent.e di tipe p intredette
in un erietelle di eilieie viene indieete een .T1 e ei rilieilre in etemiƒeln3. -L

40
 ll dregeggie di un eenlieelldilttere eerl etemi eeeett.eri preeerƒr-_ ;-=_-
Ãierite eneleglle e.l ee.ee preeedente ed ill pe.rtieele.re: 1) intredilre r-:=.:'i-_:-1'
ieee iiegetive; 2) eeuee ilne dimiilueiene delle. eeneentreeiene di e'.+_'-rr":-._--lli.
Le eerie.e iiegetive. elle intreduee llelemente dregellt-e di Fig. 1.0 ii- fiere
ielle iene 11ege.t.ive elle ei viene e ferlrlere une velte elle le leeulie ei e
ailelitenete de.ll°et.eme (vellende eeei_ipete de un elettrene). Tele eeriee
;eget-ive., eeeende legete. e.lll.=_¬l.l.ellle di drege.lite, e ilrle eeriee ilniiiebile elle
_: ln pile prendere pe-rte elle eendileiene quindi differente de. iln.e eeriee
:legetive libere. fermete de un elett.rene elle ei et eeee del lege.nle eeveleiitel.
Le iene llegetive, pertelite, eeetituieee iille eeriee fieee ri.egel.iile._
Le diminileiene. delle. eeneentreeielle di elettreni ei epiege ill qi_le.nte
leiimente di le.eillle ee.iieet.e del dregeggie innelee le prebebilite. elle lle illl
elettrene libere di “ine.ell1..rerel" une delle melte le.eune preeent.i nel eerrlieell-
diittere dregete. Pertente, lieleve.t.e eeneentreeiene di leeilne eiilnellte le
prebebilite. elle un elettrene ei rieembilli een lille. le.eilne. Le ripereueeiene
di eie e un e.ilrnei_it.e del mlmere di elettreni elle eubieeelle rieelnbilleeiene
le eeneegiient.e dimillileiene delle. lere eeneei-ltreeiel'le riepette e quel-
le erigille.rie.meilte preeente nel e.erriependent.e eelnieendutt.ere intrineee.e.
.imehe in qiieete ee.ee, le dimillueielie delle eeneentreeiene degli elet.trelli e
lille dirette eeneeguenee di qiiente eere. dieeileee nel per-e.grete 1.4.
ln eerlelileielle_ llineerilineiite di e.t.enli ee.e.et.t.eri eeuee:

I illl eiiinelite delle eeneelltreeielie di leeulie;

I le ereeeiene di eerielle lieee negetive;
I iilie. diminueiene delle. e.eneerlt.reeiel'le di elettreni liberi.

.epplieende un eempe elettriee e.d im eeinieendi_itt.ere di tipe p, le

-_'-errente di derive. riei_ilt.ente e prilleipelinellt.e devi_lt.e. e.l lliet.e delle le.eil1le.

1.3.3 1%-*Iebilite nei eemieendutteri eetrineeei

Nel peregrefe 1.2.1 e etet.e dieeueee eeme nei :=en°_ie-:_¬llr_li_iI'tere pure le

:llellilite eie dirette.mente leg.-e.l':-e e.l tempe =:'-'ee il;-*_ei*r=.¬_›rre tre dile
eellieiel:li intendellde een qileete iiltinle gli urti fre i ':-T-_'-.T-':-ri ed il retieele
erietellilie. ln pertieelere, e etete evidellziete -7 "-11;. _.:f_'_~=:=. di que-eri ilrti,
ie pert.ieelle ill mete vengelie dietilrbete delle L r' '_:_›_i-_-" 'rie netiirele e
perdene le lere energie eilletiee.

41
 2.000 _

1000 E

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Ceneentreeiene di dregente (crei)

Fig. 1.10 - Nlebilltà del eilieie e 300 K in tunziene delle eeneentreziene di

dregente.

lll eggiilllte. e qliente eeeede in uii eelnieelidllttere plire, ill llli eelllieerl-
dilttere eetrilieeee eeiete unllllteriere ferite di diet.lirbe e.l mete dei perteteri
eelieete. preprie degli elelnellti dregent.i preeellti nel elle retieele.
ll diet.i_lrbe e.l mete e.vvielle qllende lill pert.etere peeee vieille ed illl
elemeiite dregente ienieeete. Difetti, e eeilee del eerrlpe elettriee gelleret-e
delle iene, le pertieelle elibieee lille. feree eelilembielle. vellende ill queete
iliede dieturbete. ll dietilrlle, eeeie le perdit.e di energie eilletiee de perte
delle pertieelle, viene reppreeelltete de illl ilrte een le iene. Ulrvriellieil-
te peielle ed i_ine nieggiere eelleelltreeieile di dregente eerriepellde nrle.
lneggiere pl'ebebilit.e di ineentrere un dieturbe, ei ei eepette elle i perte-
teri ei mlleve.ne een rneggiere ditfieelte. elllinterne di illl eelnieellduttere
eetrilleeee e elle il lere nlet.e eie più “libere” ill i_lli eemieendlitt.ere pure.
Qilente dette treve rieeei_it.re llelle i_nieiire eperinlente.li del eeellieiellte
di mebilite, eeprettutte e beeee telnperetlire. ln Fig. 1.10 e lrleetrete
le nieljlilite dei due perteteri nel eeee del eilieie e tempere.ture emllierlte.
Celne etteee le mebilite dilninilie-ee ellie.ill'llentere delle eeneentrell'-.iene di
dregente. Nel eilieie, e.d eeempie, per dregeggi lneggieri di 10lil eterni,/eln3,
il eeellieiente di mebilit-e degli elettrelii pile errivere eette i 100 emg /Ve
mentre quelle delle leeilne eette i 40 ellli.-"Te. eeeie ilne dilnini__i:-lielie di
eiree iln erdille di grelldele-:.-e ill entrenlbi i eeei.

42
1.4 Equilibrie termiee e legge dellieeiene di meeee

Per quente liegrii.-ilill-r-ie te~rir.iiee nen eie feeile de definire, un eggette pile
-L-_-T-eere pelleet-e nelle eendieiene di equilibrie terrriiee qliende nen rieeve eti-
2:'.-eli e eelleeiteeieni dell`eeteriie (lilee, ee.lere, vibreeiene eee). Ovviemente
:ln vi eene eitueeieni reeli in eui im eggette e in grede di treverei nelle
2;-ndieieni di eqllilibrie termiee, ille. vi peeeerie eeeere eitueeieni in eili t.e.le
'i-:ldieiene e ben eppreeeiinete. Nei eenlieendiltteri, l'eqililibrie termiee e
fi riemente legete ei preeeeei di genereeieiie e rieembineeiene.
È etete gie dieeueee eeme le ereeeiene di perteteri liberi eie iln preeeeee
15. quele gli elett.rerii di velenee rieeeene e guedegnere ebbeetenee ellergie.
le ll libererei degli e.temi di eilieie ereellde eeppie elet-trene-leelilie, e
_'. libererei de e.telili delleri ereellde ele.tt.reni liberi e eerie.lie peeitive tieee,
ì J_l_ libererei de. llri e_teille di eilieie per fernire il qlierte legerlle eevelellt.e
-_í illl etenie eee.ettere ereende ilrie leeune e i_irle ee.riee llegetive íieee._
_-l. elle. velte., il preeeeee di rieembineeiene evvieile quende lin elet.t.relie
1':-ere (ee-eie im elettrene pert.et.ere di iln"e.nergie. elle gli he. pe.rnleeee di
`_'-_=-eie.re lili lege.llle eevelente) eede le elle energie e.l retieele erietelline
1 :ientre e ter pert.e di iln llueve legenle eeveleine. In qileete preeeeee
- '-ì-:llpere uile eeppie elettrene-leelllie.
Se le eelieentreeielle di ele-l-treni liberi e elte, divellte. elt.e elle.lle le
:_r_1:-bebilitii e.lle lille le.eune eie. ““illeentre.te.'"' de lin elettrelle. È›'ir_nilinellt.e, ee
if. -reneentreeierie di le.ellne e elte., lili elettrene libere lie llnielte prebebilit-e
"_i "illee1'itrere“ illle leeiine_ ln entrembi i eeei il t.eeee di rieembineeiene,
_=-_--ie il llumere di rieembineeieni pe.r unite. di tempe. ereeee.
llieulte evidente eeme il preeeeee di genereziene preeedellt.en1ellt.e de-
: :fitte eie. in qilelelie mede bileneiete del pi*eeeeeil di rieelnbilleeiene. Per-
'_:-_nte, lille ebileneiemente nelle eeneentreeiene di elettreili__-'ile.ei_iile per-
°z=_ eilternetieelllellte ed lin iilerenlente del lee-ee di liieelnbiliiieieile line e
i di_le preeeeei nell eeeilmene le eteeee teeee_ ln qlleeie eendieiene
L eemieenduttere ei treve in equilibrie termie-:-_ -'_':eeÉi=_. Ãieqililiiflliie terlni-
2:- in lln eemieenduttere e.vviene quende il 'e=-_=: gene:-ezielie di eeppie
elettrene-leeiiile. e ilgliele e.l teeee di liieelniiz-i:¬.._=._ti':+_
E-ntrelnbl l teeei eelle dipendenti delle re per ef _: 5:- _: e.-temple, eene
nulli e 0K. lnereriientende le teri'ipei*erilre. e:í:f_::'_'::: 1 ':;-__-'-5-È eimlentene
feeelide elllnelltere le eeiieentreeiene di p-11:'. I-_'_-:ii '_"í-;?i L;:';'.›ì- ed eeenlpie
el¬~_'ielie nei eemieeridutteri intrineeei l¬.'r_'-di Éig. L _ :ei __-__†_ 'L-T-Â E-ilieiel.
l preeeeei di genereeiene e rieeinbine_ri;:-_ T-_:__ '-.;_“_'_e *_¬'_-__-_1en.-rei-i del
Liregeggie. etete gie eenetetete infetti =_-`;e_ 1 +-'-;'___' Éiittere di ti-

flii"
pe n, e nlelte prebebile elle illle leeulie eie “ineentret-ei: de un elet-trene e
evveiige. une rieembineeiene Ceme eeneegilenee, ei ere enelie giunti elle
eenelueiene elle le eelieentreeieile di leeune in un eemieenduttere di tipe
n e melte inferiere riepet.t.e e quelle elle ei evrebbe nel eemieelldllttere in-
triileeee, ill quente le leei_llle ei rieembillene nell eele e eeuee degli elett-relli
geliereti termieemente, me ellelle (e prilleipellnellte) e eeuee delle greiide
preeenee. degli elettrelli liberi pert.eti del dregente.
Le diminlleiene delle eeneentreeiene di leeline e eeuee delliineremente
delle eelleeiltreeielle di elettreni pile eeeer eepreeee eerile p : C-'__r"'ri- deve C'
e lille eeete.lite di prepere-ienelite ereeeeiite een le tempereture.
Une. einlile releeiene pue eeeere eeritte. enelie per im eemieei1di_lt.t.ere
drege.t.e di tipe p, deve ei lle -ri. = C2.-ill e deve C e eenlpre le et.eeee_ eeet e.ilte.
Le eeeterite C-' pile eeeere detern"iil'le'te eeneiderellde le dlle releeieni nel
eeee del eernieenduttere intrineeee deve vele le releeiene -il = p : 'i'i..,;__ Le
eeetente C divente pertente C = e, di eeneeguenee

-rip : .
(1.31)
'l-i. .-'

Le (1.31) viene eliiemete leggil dellie.e'ie'ne di -iiieeee. e vele eie. per lirl
eemieendlittere iritrilleeee elle per ilile dregete peeti ill equilibrie termiee.
Le legge evideneie e.enle, dregende lill nieteriele eeillieelldilttere, vi e
un pertetere di eeriee preve.lent.e elle ei e.l1ienle pe'r'tete'r'e di -in.-e.gg-i.ere.'ri.-
eri (e -rrie._<;i_i;i-ie-r'ite-rie) mentre l`e.lt.re, ehe de iln eentribute treeeurebile, e
dellelllillet.e pe-rtete'i¬e di ill.-iri.rl'r*rl'riee (e rri.-i~ri.e'r'i.tii.rie)_

1.5 Legge delle nelltrelite di eeriee

Le telnpereture e.lle quele leverelle i eenipelleilti elettrelliei (_illterne e.i

.fl0[_lK) e le eeneentreeieni elle entre.ne ill gieee nei preeee;~;¬'i di dregeggie
(l-ND e .-"`v"__.¬,) eeile teli de permettere e tut.ti gli etemi di dregente intre-
detti di eeeere ienieeeti_ Sette queete ipeteei, per nile eelleentre-.tielle di
dregente di tipe p, .-Wie, ei lie ulie eerriependente eeriee peeitive eempeete
de leeliile peri e l';_-"*»-'i_.-1, lnelltre, per ulie eeneentreeiene rli dregente di ti-
pe n, .-Ni;-, ei lle lille eerriependente ee.riee negetive eempeete de elettrerli
liberi peri e g.-ùigi. Peielle llerl vi e et-et-e eemunqlie intredueiene di eeri-
ee dellieeterne, per gerentire le neutrelitù elettrire del erietelle, il velere
t.etele delle ee.riee deve reetere iliveriete. Difetti. eeme dieelieee preeeden-

il
fe-mente, llineremente di elettreni liberi e 'li __=_ì';-: '_ __- _ _:'_'_j.' L"-=e:e delle
_-erielle fieee eeeie degli ielli int-redetti degli e';e_=: -_:-;:';_-:_: i: _ genti-
Rieerdende elle gli ierli iieei ptieitili ee-1;": ' -Ti _=_:ii _' 1¬'_* ebl';ei*i e elle
gli ieni fieei neget-ivi eene devliti egli eterni _1†f::*i. ei 1::-1=_ elle le eeneen-
free-iene delle ee.rielle lieee peeit.ive (.`¬._,i_~;,_ più Elli I": Il_ _.-! _ en'. :ieri-_:-ne delle eerielle
:_-ebili peeit.ive (p) deve eeeere ilgilele elle eeilr-entreeiene delle eerielle lieee
:Legetive (NA) eemme.te e.lle eeneentreeielie delle eerielle mebili negetive
-. eeeie

.vg + p = _-“l-ll, + -rl (1.32)

lil un eemieendllttere dreget.e eeil i_ille eerieenlreeiene di etemi delleri

:'_eggiere delle eeneentreeiene intrineeee [:l“¬Fp le- til e .~`l"__.1 = 0) ei lle elle
_ perteteri di meggierenee eene gli elettrelii e le lere eeneelltreeielle e.
_›__:'iileiree. pe.ri e

.`f'lT, H flfgl (1.33)

_i;'-ve een r.i.._.._ identifiee le eeneentreeielle di pert.e_teri di eeriee. llegetive

J; liil eemieendlittere di tipe n.
Tellende eente delle legge dellieeiene di meeee ei lle lille eelleentl'e.eierie
iei pert eteri di minerenee

lil
2
li' _,›.1|_,___:_ -_ .

i:r.-e een pn ei identilieene i perteteri di ee.riee peeitive ill iiil eemieendut-

T:|re di tipe n.
ln eenelueiene il dregeggie een etemi pellt.eveleilti ille.re.lnent.e il livelle
ii elet.t.relli liberi e ridile.e le eeneentreeiene di lee.illie riepette ei lere veleri
lil lin eenlieerldutt-ere intrineeee.
ln meniere. enelege, per un eemieenduttere dreget.e een e.eeet.teri de-
..-“v"_l, 31::-« ni evvielneilte .-"`i",f;l = 0) le eeneenireeieni dei perteteri di
:tleggiereliee e di minerenee eene ellineiree peri e

¬- -' r_¬-.

pp 21 l“'l"_;1 l .dll l

-ri-È _ ,_
-rip m (1.3e)

,alii
deve een pp e een -ng. ei ideiitiñeene, riepettivemente. le eeneentreeieni di
perteteri di eeriee peeitive. e iiegetive. in un eeniieendiittere di tipe p.
lil qlieete eeee il drege.ggie een etellii triveleiili iiiereinente il livelle di
leeulie e riduee le eeneentreeiene di elettreni riepette ei lere veleri in iln
eeniieendutt-ere intriii eeee _

Eeempie 1.2
De†.el'rllille.i'e le i:liliireril:.i'e.eil'iiie di perteteri nel eilieie dregete een lille l_'elieeritre-
eiene di ereeriiee peri e. l01l" e.teili_i,~“'i;'.lii3 (eeeumende Line. t-elnpeietnre di 300

Seluziene
Liereeiiiee e lin elemente denere Telielllle lrelite elle e.lle leniperetllre einbieiite
l-lil-ti gli etemi di dregente peeeeile ee:-lere eeneidereti ieiiieeeti, le eelleelitrezielie
di elettreni rielilte l ieri elle. l':lllil:eliLi2eeil'llie di dre ente,_ lvp._ eeeie
,___ - _ iii -e
lllrll--_|'_|_ "'¬I-': Elllllll i _

eeilie eeneeguenee, le eeneelltreeiene delle leei_ine ei riduee e

lg" È
ig (eee - le-) _3 , _ _ ,, ,,
pe m - -- -' _,. em = 0.51- 10 em
Jill p l U' l

Si eeeervi ehe nen e eele eulrlelitete le eelleentreeieile degli elettreni me e enelie

dinliili_iite le eeneentreeiene delle lel_'.u_ne_ ll numere degli elettreni e di eiree 12
erdini di gl-elldeeee enperiere e quelle delle leeune evvere lle line leeune egni
mille llliliei'›:li di eletlreiii.

1.0 Genereeierie-rieemlJi1'ieziene e inieeiene di perteteri

_-filllieqiiilibrie terniiee ei e enelieeete e.elrie eeiete un bileiieiemente dei

preeeeei di genere:-tiene e rieeinbineeiene delle eeppie elettrelie-leeiliie per
eui il te.eee di genere:-:iene viene erl eeeere eeettenieiite ugue.le e.l l:-eeee di
rieeinbine.eiei'ie.
Subite depe le lere genereeiene, lln elet.trene ed lille. leei_liie, prime. di
rieenibilier.ei, eeprevviveiie medie.meiit-e per un tellipe peri e T., e Tg, dene-
niineti riepettivemente terripe di liite *rriedie flellielettte-ii.e e te-rripri rli liite
reeli-ie delle leeil.-lie. 1 due tempi di vite lliedi reppreeente.ne perelnetri
imperteiiti pel' le reppi'eee1iteeieiie dei fenenieiii fl-eiei ell`interiie dei eemi-
eendutteri in qi1e.nte denne indieeeieni elil tempe elle le eeneeiitre-.i'ieiii di
elettrelii e di leeune inipiegene per riterliere ei livelli di equilibrie.
Eli euppeilge edeeee elle, e eeuee di lin fettere eeterne e.l eemieeli rl lil-tere,
ei rieeee ed iiieremeiitere entrembi i t-eeei di genere;-:iene e rieeinbineeie-
ne, deteriiiiiliende eeei une eelieelitreeiene di elettreni liberi e di leeune

45
fiiiperiere el livelle di e.qililibrie_ Te;-1 ;:. ':-'_-'_*: _ -†- T- ai ee-eilipie
i_¬.ipeete illliiiiinende il nie.teriele 5-e::'_iì::'i';" ' :L '_ - i_ì__;: ii- energie
agl_i elettreni del eeinieendlittere. pe:*:e*_*_-E : "_ :_:';_§ -:e j.'ii_; feeillileiite
'_ iegelni eevelenti).
Per rleeerivere il feliemene. ei iii-il:-_;-.e-7:-`ì-_ _'-T.: il-_ _'-1;--;-:'_'rerielie tetele
ii elett.reni eet-te lieeielie del fettere e=_=T'-_'r:'_-j :'_eiiiì-_'.-I--_'-:i'_jeie. le luee), een
le eeiieeiitreeiene di elet.t-reni elle ei prime deii'er_ielie del fettere
-1-elerne (tele velere reppreeent_e le eeiieeiilrerielie ellieqiiilibrie) e een ii."
i`ineremente nelle. eeneentreeiene .ilnelegemeiit e ei indieliereiilie een p, pg.
1 pi le eneleghe eeneentreeieni delle leeune. Pertelite ei lle

ril = ii.. - -ri.l_l

,lil = p - ,tig (1.3šš)

ln queete eitueeiene, lieli e.vende iiitredette eerie.lie de.llieeterne, il prin-

-ipill delle. neilti'elit-e delle. e.eriee deve eelitililiere. e velere. Clie eignili-
elle liinereniente nelle eelieelltreeielie degli e1et.treni, deve eeeere peri
_=_il`ineremeiite nelle eeneelitreeiene di leeulie, eeeie

lil = pl

I termini rii e pl reppreeentelle le eelieentre.eielii di perteteri in eeeeeee e

vengene detti enelie pe-r*tri.l.e-ri -i-li.-i.ettr.it-i. ll preeeeee di inerelnenie dei teeei
ii geliere:-1-ieiie e rieembineeieiie viene dette i-li.-i.e.iie-ne di pel¬tetr.iri.
lii illi eernieeiidut.tere drege.t.e_ det.e il beeee livelle pree.eieteilte dei per-
teteri di iiiiliereiiee, ulie. inieeiene di perteteri determine un gre.nde in-
'.-remeiite nelle r:eiieeiitl'e.eieiie t.et.ele di queeti i_lltillii_ l.e. eeiieenl_-reeiene
fetele dei perteteri di lneggierenee inveee pile eeeere iliediñeete eppree-
eebilnielite e eeeende del livelle di inieeieile. ln beee el verilleerei e me-
ne di qileete qlieet"ultilne evelit-e, e peeeibile dietinguere due tipelegie di
iiiieeiene.
Si lie i_ln -l›e.e:'-le l-ilfelle di -irii.eeie-lie ee le eeneentreeielie dei pert.et.e-
ri iniett-et.i e melte lninere delle eeneelitreeiene dei pertet-eri di rlleggie-
renee elliequilibrie. (if-entrerielnente, ei lie iin elle li-i_.'elle di in.-i.ee-ie-r.i.e ee
le eelieentreeiene dei perteteri inietteti e peregenebile e ineggiere delle
eeiieentre-:-1-iene dei perteteri di meggiereuee ellieqliilibrie.
}.-'letemetieemente le dile eelidieielii peeeene eeeere eepreeee delle rele.-
tieni eegilent.i_

4'?
 Per un eelnieenduttere di tipe n, deve per le I 1..“.?›9_'II vele = pf,'.,_, ei lie
lili beeee livellll di inieeiene ee

'till '-'-'É-1' 'l'?..,-gi '-E _-'l l~."__i_*_;|

1.-lelitre, per lln eelnieenduttere di tipe p { deve ee.re pi, : -ri.i,), ei lie. illi
beeee livelle di inieeiene ee

.F _ 1' , 1

Lielte livelle di inieeiene e inveee eei'etteri.t.eetrl delle dlie eendir-.ieni

'ì'ì_.l,,__ È 'Ifi.--,gi 121'- i“*›'T_[_l 1

P; È ll}_gl_3 È _-'illa-lJ_

elle ve.lgerie riepettivemente per im eeiilieelidlittere di tipe il e per i_liie di

tipe p.
Dunque, eiippeliende un beeee livelle di iiiie:-tiene, in un eemieendlittere
di tipe li, le eeneentreeieni dei perteteri lieiilie le eeguente eepreeeieiie

ri.,-. 2 .-"`l.~"_;_q (1
_ i .ll _ _,_____, _ il _, ,fi
i['lfi'- _ pri 1_pii.-0 ”`"' pri (1"'l'~l›l

mentre in un eeiliieeridilttere di tipe p ei lle

gig H .-"*.-i___.1 {_' 1

_ 'Hi

-rip = ri; + 'r'.i._.,.,g m -ni, (1.-4'r¬',]

Une 'velte interrette le eeilee ehe he det-etniiiiet-e llinieeiene, le een-

eenti*e.e-ieiii dei pert.eteri ei ridlirrenne e, depe un eerte leeee di tempe,
riternereilrie el lere velere di equilibrie erigine-le. Eeiete pertente l_liie feee
treneiterie elle inieie nel iiierlierite in eui ei interrempe le eeuee elle eveve
deterniiliet-e liiliieeiene e iinieee nel lneiliente in eui i pert.eteri riteriierie
ei lere livelli erigiiieli.
Si eeeniiiii queete. feee treneiterie nel eeee di bileei livelli di inieeiene.
Sette queete ipeteei i perteteri di meggierenee elle e eeuee delliinieeiene

-if?
nen eveve.lle eubit-e eleilii inerelliei'.t;'- _:-_; :_ _- -_ '_-_;-_ i_:_ ____;-:eiitl_eeili-
ne, lieli eubieeene eleuiie rnedifìee :=e_-:_ I;_-"-'L _+ _ ___;+:___re_rielii dei
_eert.et.ei'i di niinere.ri.te. ei inedil_ieen-.__- e :=i :ii_;_ ;;_ 1:. :;'__-_:'_i-__:_=. eppre.ree.bile_
Ovvienient-e, le ridueiene delle l_--__e__=__--_:T::;i_;-_- iei j ___.:_teteri di rliiiie-
ìeiiee, e teilte più veleee quente ii__e.gf-;_i_;-re É1- ii. '.i_.'_;ii: ii perteteri iiiietteti,
e rieulte invereemente prepereienele ei te-:__.;_:=; :ii vite iiiedie dei perteteri
__-eiieideret.i_ Pretieemente, elippelielide- ii; ee::iier_li__di_iitei_e di tipe n, nel-
i`intervelle di teliipe dl, le eeneeiitreeielie dei perteteri minerite.ri inietteti
~_-i riduee di illie quentite dpi, elle e preperi-tieiiele elle eteeee livelle di per-
teteri iniet.te.t-i, pf,l.,, e irivereenieiite prepereieiiele el terripe di vite medie
__,_. lii ferrlie enelitiee eie ei eeprime

Z _å il lei
dt ig. `

lili regielie.nielite eiiliile per lin eeiliieendiitt.ere di tipe p, perte e.lle.

eeguente equ.eeiene dif_ferei'ieiele per i eilei perteteri mineriteri

d-li.,. -rl; _
À' = -- 1.40
dt il-,, l

fši lieti e.lie pf,'.,__ e -'ri-É, eene filiieieiii del tellipe_ 1 termini pi_,_,f~r._,,, e tig,-"irg
:s.ppreeentelie riepettiveliriente il te.eee tetele di riee-rn.lJ-i-n_.e.e-ierie delle leeulie
e degli elettreni. Tele termine, e eeeende. del pertetere eeneiderete, viene
1;-Ilieete eiielie een RP e R.,.,_.
Ceneiderende elle termiiii eeet.eiiti elllinterne di ilrie derivet-e ileii deririe
;-_i:iiii eentribllte, le equeeieni e (1.49) peeeeiie eeeere rieeritte

= -iii il.:-..el
tl-ii_.i, -ill,
_ : __- 1,.-_1
dl. T., l J l

_i__e rieelte delirie

__, Â _ __, __. .__ _t___,-',_ __- __ -._

pri : liti llill _ l'l'ri0 _ P-ri_ E lp

per llinieeiene di leeune e

.ll-ll
 11;1;1) = -11.111) _ -11-..W = -11:;(11)E-†«*"††› (1,511)
per l“i11ie:«_›:ie11e di elettreni liberi. Le =:1111111tit-È1- pf.i1_UI e 11;{l_l) re1pp1'eee11re.1'1e
i pertet-eri i11ie1:1:e.ti el1e eene presenti nel ee111iee11d11tt-ere el 1nen1ente i11
eni eeeee, le rrenee ehe lie det.ern1inete l`iniezie11e.
ln eenel1_11-1iene= nel eeee di l;1r1-eei livelli di inieriene. 111 e1111ee11tr:£1.;›1iene di
11r11'te.te1'i di Illeggierenee reere p1'eeeeel1e i11e,lter1š~1te, Inentre ei lie 1111 eenei-
etente ine1'e1nent-e nel livelle di eeneentr1~1zie11e dei pertlev-Le1*i di n1in11renee.
In perrieel1~1.re: in 1111 ee111iee11d111;1ere di tipe n: erzggette ed une. lnieeiene
di pe1'te1te1*i; le eenee111:r1~1:ier1e delle le-e111'1e e rle-te. :lalla [ 1.éL5)1 rrientre per
11n 1n11-1:e1'iE1le di tipe p le e.c1n1:entr111rier1e degli ele1;t.re11i liberi i1'1iette=ti È:
de.-te delle [11-1'?). Teli veleri :=;e11e pre1:1rie le q111'1.1'1titÈ1 g1;_{U:J e -11;{íl;l 11111-11:e
1'ie};1et-tiv-=e,111ent.e nelle. |f_1.-'521' e 1:1ell:51 {l.53'}. Ceeeefße le ee.11ee.. ehe €letern1i-
ne lli1'1ierie11e, ei 111-1. 11n riterne ei livelli di r:r111ee11t.1*e.zi1111e dei pertet.eri in
equilibrie een 1111 e.11d11111ente eepeneneiele evente een1e 1¬.e1-:~1:1~1.1'11:e di tern-
pe il t-elnpe di vite rnedie del pr11*1ef;ere [i'e,nd1›1111er1t.e delle ee11ee11tre1eieni
dei pe1'tet.1;11*i i11iet-te,ti in f11r1.rie11e del l-einpe he 1111 1:111r11Je1't11111e1”1“[.e ei1nile
alle ee1¬1rir:.e. di 1.111€-1 teneiene innr1e,gj11:zi11et.11 eu 1111 ee11rle11e11†,ere ehe viene
ee1*t.eei1*e1_1itet11 da-1 111111 1'eeiel;-e11ee.].
Al fine di veleeizz1=1re 111. riee111bi11£e::ie11e bieegna. clirninnire il t-ernpe di
vita rnedie dei perl1e.t.e1*i e eie ei pne ett-e11e1'e i11tred11-:ende nel ::=.e1'11iee11+:;l1111-
tere in1p1_1rità ¬:1u:=1.li llere .åulehe egevele11e le ri1:1e1'11lJì111?-111.-iene tra elettreni
e leeurie.
I11fine, ei neri ehe per alti livelli di inieeiene le eq11a.zie11i (1.50) e (1.51)
11en 1-'elg1111e più. Fei e:51e1j1 di 1;-1lti livelli di i11ieziene_¬ 1111151 rlef-:~r:.1*izie11e lnete-
111ei.iee dellie.11_de.111ente te1nperE1le delle eenee11tr11zie1'1i di peri eteri eendnee
ed eq11e.zie11i difl'erenei1'_†1li 11e11 li11ee1'i elle denne rie11it.f;1ti Llifle1'e11ti rie 1'.111elli
ette1111ri rielle, (1.52) e nelle

Eeempie 1.3 1 in _ _
À eeliee, di nna eergente l111nineee,, 1:1llii11Ler11e di nne, ln-1.1'rett:_~1 di eilieie di tipe
11 [_-"~.~'j-3, : lU_“5et.e1ni,.-“en13] ei vengene e, ereere 'lülll eeppie elet-t1*e11e-1ee111'11-1 per
unità di velume.
Peste tg = U eerne 1*iete,n1.e in eni eeeee le fente l11n1i11eee; ee.1e:_11111¬e le ee11eentre,-
Eieni di pe1'tnteri per: 1513 = Ue: lil] 151 = lil e el ig = f1lÉ111.'=1 eeeuirlende ehe i
ternpì di vite dei perteteri eìe.11e *rn = 1,, = E |.1e_
Seluziene
In eeeenzza delle eergenLe lureineea, il 1-zerriieendntrere pre-ee11ta n11:=1 -:e11ee11t1'e,:-:iene
di¬ pert11t1_1r1~ 11.1111- a1 11.115. L":_ ..-`v11
,F _'
= l1†}li"c:1n - _ 1"
3 e 11 pn.-_:. 1: r1?ƒI`~›-L1 = 9.31 › ll] É em -Fl
-1:1-'ede1'e Be. 12:1.

55*
 el .i'111e1npe 111 = Ue. e ee1_1ee 1le11`í1`;';;-__ '_- -_ = ' = L. ':-_ “
de eni le eeneeni-re?!ie11i in presenze 'if di ;_ -_: _ ' __' _ '_ _-_:

11-_. = -11.,.U +-1-1; = 111** +111* e ;_'_1'-

pn. : Fifa-Il lil ' `É_ il-.-il ___: _- :___

C¦vvie111e111e, 111':-ì1¬:11e le ee11een11'e:É-:_-:e .ii ; tra-__:i ;;-T'-j_"-:* -_:-.ri :i:'_:;:e "eree-

eeelìe inelterete rieL1l1:e velide l`ep;.-r~_'_~_=__=_fir:'__'-;i::e ii }_ :__--_ .Belli di iilieeieee.
Si neri i11ve1:e eerne le e.enee111re.1:ie1¬_e ei gl.-_:;;_f_:i ;"_;::*it. -ì 1je'_er111i11e1e
delllinieziene di leeune.
}~le11 eL1be11de i 1:1erLeLeri fneggierireri eienne epjjrereeb-ile 1:1e1¬iifiee nelle lere
ee11ee11tre.†›:i1111e le rieelneiene dei 11111111 1:11 el interesse :~_1el-e le 1ee1111e_
l;1_l .el teinpe 11 = È' 1.15. le leeiine i11ie1.1e1e si rid1_1ee11e eeeende le (1.52).
.¬

_» ¬. _» . ¬ -Â-" 13 -.-_-_ -e -3
;11__.,_1É;1 = 31,. 1111 e = 111 e 2-H1" -* = E11.-1-111 ein
T-51113 1-3_1.;_;.1-1+ È t_111_1,e1-'ie eneere de1ní11e111e riepette e 11-,.,_1;. per 11111 ei he
_ . -.ì ,f _,__, _ -gi _3
;13'fif__1†1,. ß p..!1k1ì1,; : e1.=1- 1|] ere

el .el te1111111 le = 115 1.15. le leeune i11iette1:e ei rid11ee11e 111-111111re eeeen-::le le '].521
me e_11e;~_1te velf.-e le lere ee11een1:reziene vele
H _ -1:.-1_e *5 . 3
1'-'i1iÉ2l = 1U` e 2-:WH = 1.159* 1U`l en1 _

Tele velere queste velte. 1-:el1be11e rninere. ríeizlte 1:e111're111ebile een 11-1111 Del'
eni neeeune eppreeeirriezieiie eppere leeite. [li 1:1111eeg1.1e1:1:-:e- si he

;1._.._[e`1 = ;1›e« + 1.11.1121 =11_:3.11 111** _ 1.1111-1e3 = '1_11'1~111* 1-111**

1.7 Diflìleiene di perteteri

ln 1111 ee111iee11d11tte1'e ei 1.1et.1'ebbere evere ee1'1ee11t1'e1<-i1ì1ni ne11 11nifern'1i

"_i perteteri [elet-t1'eni liberi e le.e11ne¬_l e eie deternnnerebbe un 1ne†.e di
_†;-_r1_iee11e. evvere une ee1*1*e111e e1et1.1'iee de11e1n111et-e ee-1'-re-11.15e al-1 d-1fi'iee-1-e-
Le eerre11te di diffneiene reppreeente 1111 fenen1ene rnelte in11_¬1111'te111.e
_-;`ånt-er11e dei eelnieendiirteri e dei eernpenenri elet-tre11iei.
Éii ee11eideri ed eeenlpie le Pig. 1.11 in eni 1: ripertete le ee111:e1'1tr11;rie11e
2 elelítreni liberi di nn 1-1en1iee11d111:1.'ere lunge le direriene dellleeee 11.'. Gli
*Ã:¬1treni liberi e eeuee delllegiteeierie rerrniee 1endene 1-1 n111everei ellii1'11:-er-
:-_› del een1iee11dnttere ir1 rneriiere del rntre eee11el1-_¬. S111;1111?1ne111.l11 1111 n1ete
';idin1eneie11ele. gli elettreni i11 1111 det-er1'ni11e1Ie rnmre ei 1n11eve11e e veree
ieerre e veree einietre .E7nen eeeendevi elenn :11e1ive 1¬.1er 1:›recliligere une
1-elle due direeieni. niete degli elettreni ei 11111-.';1ve-:¬_~_j_| *.'er.=›r1 einiet-re e 1r1etÈ1

51
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Fig. 1.11- Preiile di eeeeentrsziene nen uniferme di elettreni.

verse rlestre. De quente dette. peielie le ee11ee1'1trez-ie11e 1'e1:›p1*ese11tete i11

Pig. 1.11 inestrs. u11 ineggier 1111n1ere di elettreni nelle perte destre. e pre-
suinibile el1e_. depe 1111 eerte lesse di ternpe. gli elettreni elle si 1n11eve11e
de cìestre verse sinistre seren11e in nuniere 111eggiere di quelli elie si n111e-
vene nel verse eppeste. Cenie eenseguense. vi une densite di eerrente
nette. ll verse delle eerrente e eppeste el 111ete degli elettreni. pe1'te11te
de sinistre verse destre.

ln n1s.11iere 1111s.11titetive. il preblerne pu1"í1 essere deseritte e.en1e seg1_1e.

Gli elei_tre11i. per egitesiene ter1niee_. 11enne une veleeite inedie -'1.=†,11_ e per-
eerrene u1:1 libere eennnine 111edie._ 1. depe un ten1pe -T.: [peri 11 1|,.-“'-1_1.;1._i].
Quindi, depe un teinpe 11;. inete degli elettreni elie si t1¬eveve11e tre il pun-
te -l e l"erigine ettreverserenne llerigine (eree 1 in figure), deter1nins.nde
1111 ilusse di pertieelle per 11nit:`-11. di siiperiieie de sinistre verse destre 11.:-_1.1'i
e niete delleree 1 divise il tempe di pereerreris-e, 'f`1 1-“1ne.lege1nente. gli
ele1.treni tre lierigine ed il punte 1 [eree 2 ir1 figure_:|.¬_ _ . detern1ineren11e nel-
lierigine un tlusse s11 u11itš1 di superfieie ds. rlestre verse sinistre peri elle
rnete dellleree 2 divise le stesse ten111e di pereerrense.

Peielie il libere ee1n11:1ine n1edie 1'e.ppresente u11e lu11gl1e.s-se 111elte pie-

eele. si pub eppressiniere lie1e.=_1. delle due regieni in Fig. 1.11 een quelle.
dei rettengeli in Pig. 1.12, eesi il liusse su rinite di su1.1e1'lieie verse destre

52
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11*'-~1 C1

Tg. 1.12 - .iippressimsziene delle sree in uns eeneentrsziene nen uniferme.

† '_;'_1elle verse sinistre. sene elllineiree 11s.1'i e

1 '-11 1
1;g¬2“rl_5eeee dm)

1:1 - 1-.fill
_. 11
_'
1
- 5111111111111.
JE-.- _'
(1-551
;_'-se il fettere 11'? e devute el fette elie si ste eensiderende sele rnetà degli
e-%1It1*e11i delle regiene l {:_qL1elli ehe si rnuevene verse destrel e 111et.e degli
f.-1-iireni delle regie11e E [quelli el1_e si 1111_1eve11e verse sinistre). l\lellierigine
si 1111 u11 ilusse nette peri e

_ 1_ _ _ __ _
1-_ = F_..__;..1- _l*'.;1_.3 : -¢:;._'111`-1)--r1(ljJ-1_.=¬;,1.,; [1.5b]

É`›viluppe11de i11 serie di Te_vler etter11e el punte L1: = il i livelli di

I_-neenl:1'e:«-:ie11e i11 -1 ed 1. il flusse nette si p11e serivere eerne

1 . . fl-11. dn- dn- ._

F _ E M-1.1-till _ di ) - ('1'1(U} -.-
" " -11 -
1-fe. = -DHE n
(1.-57]
1|. 1.1

L;-ve D-,-._ e dellnite de

DH = -11É11l {l.5lÈi)

-:lei
ed e eliiernete eeefifil1::11j1n.l-e di dífiie-s-1e11.e le d-1fi"1.1s1'1'1'f1i_I degli elettreni. lvlel-
riplieeride il fiusse per le eeriee. degli elettreni si ettiene le densiti-1. di
eerrente* dette de-n..s-itti di eerrente di 11lf1Éfi"11.sf1e-ne elie. lunge liesse rr risulte

dn- _
.J-`.m..= fl DH-
dm l'1..'E~}`
'J l

C11 regie11e.n1ent11 enelege pue fersi nel eese di eeneeiitresierie 11en

eestente di leeune. ettenende le seguente espressiene

_-1%.. : -qlìpä llíilll

ee11 Di.. 1_111efi1e.ie11t.e di difiusiene (e tliflfiisivitej delle leeune. Ovviernente. e

difierense del n1ete di ele ttreni. per il 1n.ete di leeune le eerrente risnltente
lie le stesse verse del n1ete dei perteteri.
Si rieti ehe il rnete di eerielie per diPf11sie1'1e. e il ris11ltete di 1_111 fenernene
stetistiee.
ln fernie più generele, nel eese in eui il ineteriele se.1niee1111l1_1r.1.e1*e sie
seggette enelie ed 1_111 eernpe elettrie.e_. le densità di eerrente di elettreni e
di leeurie ris1_1ltene

_ l' - .
_;1.,._w = q'n.,11.nE;,; + qfleíå 11.51)

. . dif» . -. ¬.
.'lp;1: : 511315-på": _ 'ílßüyiä ll.-Lf-lg)

Esempie 1.-il _ __ _ _ _ _ _
Eli eensideri 1111e be1'rett.e di silieie eve1'1te 11ne eenee11†.resiene nen uni1'ern1e di
elettre11i lu11ge liesse delle eseisse.
Euppenende elle il preiile di e.e11ee11tre1ie11e pesse essere deseritte i.re111ite le
relesi ene li11eere 11l_;1:f} = 1.1-;r deve e: = 11113 enfl. eeleelere le rlensite di eerrente
di diilusiene devuts. egli elettreni. Assurnere 11n eeeflie.ie111.e di ditlusiene, DH.
peri e le e1nÈ__›"s.
Seluziene
Le 1¬le11site di eerrente devute el 111ete diffusive degli elettreni pue essere 1'ieevete.
diretteiiiente delle relesiene [:1.eEJ}. Perte.nte_. si bs
. 'ílfl . -- . *_ H -*1 -
= 'iffleã : 111151. :1.11-111 1° _-11 111” 11 1.:. -_ se-1-111 “ _›-1_.-'eni
'151 1¬i1_:er1li ehe. per 1:enve11siene_. le eerrente lie verse eppeste e quelle del n1e1e degli
elettreni e elie quindi eeinbie il segne delle. eerrente riepette e quelle del lílusee.

54
1.7.1 Relesiene di Einstein

Esplieitende il eeefrleierite di dii1"t1eÉ;_:'_e Lr. 511112 ___. _-_ 1 ei: :ire 111edie
* 'enende eente delle '[123] si 1'ieeve

_ 1'
E 3 ,11 ,-111. _
-D11 _ l-*¦¢,I`1_Tr: : l*l1f;.l1.%

L; ssplieiteride 11,511 delle (1.18) per il eeee u11idi1ne11sienele, si ettie11e le

_-›'_:-_=._1iene di Einstein
1-

ltf
_..

_ _ _
Bla : íJ{_1_n : ll,-'É-|,[,{._].,__ ILl.f1e'l/l
'fl

__'.'e : š†'T,.-le e de1'1e1nineI.-e te-n.s-1en_.e te1*'1'r1.-i1':11-. peri i11 1-'ltilt e

1' = _r _ 1.111
T 11111111 I* J)
-1 Tele eiree 25 n11-'T elle tenipereture einbiente di SUE! K.
ll regieneniente pue ripetersi per il eeeíiieiente di dil*l'usiene delle leeune.
'fi 'se quindi

D = _!
_” D., : 1_.»__T ¬
{_1_5ü)
.U11 l'-í",L'1

Esempie 1.5 _ _ _ ._ __
ljn sen1ieend11ttere di silieie dregete presents e te111perei.11re einbiente une inebili-
te degli elettreni peri Tllfl 1;*1r13__."`l.-"'s ed une inebilite delle leeune peri e ÉUU einig.-"É-is.
Csleeisre i rispettivi 1:ee11leienti di diiiusiene elle tenipersture.

Éeluzie ne
.filpplieende le rispettive relesieni di Einstein si treve

, Filllü H 3 _.
D... = L*-311.1. = llfiüfl 1-1. 11111 = 1S.1e1n

_ 3111:! -_ .
D31 = l-“-1-1111 = 2:-1: Elllfl = -_'ì.lTe1ni_.'s
i í _

.lššíia

¦ =5E§š§š§š5: -il
È È ""§¦1P

,
.A

x ,t+dx
Fig. 1.13 - Velume per il eeleele elell'eque:iene di eentinuità.

1.8 Equeiziene di eentinuità (legge delle eeneervnzieiie della

eeriee.) -

Nei pe,1*ei;;;1¬e.fi p1¬e.eedenti eene eteti e.eneidernt.ì gli effetti iiidividueli delle
eerrenti didei'i¬.-'e. e di diflueieiiel e delle I'iee111bi1:ie.:«:iene finiedieint-e i eeef-
ñeieuti RF ed Rn). Si e.-:n1eide.re.1"Èi edeeee lieilet-te ee1npleeei¬~.-fe di queste
eenipenenti quende eene ee1it.en1peri1.1'ieeniente presenti in un eeniieendut-
tere. Liequeeiene ehe ei etterrà viene. e.l1ie.:rne.te. egu-e.,efie-n.e di ee-nti-nu-'itii. ed
e iuie equueiene differeiiziele nelle. qiiele le eue eeinpenenti rieultetne eeeere
iuneieni eie del tenipe ehe delle epeeie. Tele eque..eiene le inelte geiiere-
le e eeneente di deeerh-†e1'e in detteglie nielti preeeeei iieiei ehe e*~.n-feiigeiie
u.ll'int.e1“ne dei eeiiiieendiitttiri.
Quelle ehe ei rieet-*età e uiiiequeeiene eeineliiieete.. nelle. quelle ei eeneide-
re un inete uniclinieiieieriele. Perte-nte, le ve1¬ie.bili ehe entre1*e.nne in gieee
eene funeieni del tenipe, t¬ e dellluniee.. e.eerdinet.e epe.x.iele_¬ :i::.
Per 1'it:e,i-'e,1'e tele 1¬e.le,ziene¬ ei eeneideri un velunie di nn¬ttei'iule di lun-
gliez-ee. intlniteeiinn dei e eu'e:«;t eeine in F'iej. l.13. Éši ipetizni ehe il 1-'eluine
ein utti'nve1'eute dei unu eerrente di eletti:*eni e ehe le eenfreiite e1'it1*e.11te eie-
diveren de. quelle ueeente. Si eiippengu ineltre ehe ell"inte.1¬ne del *eeluine
vi eieine dei preeeeei di geiiereizieiie e 1'iee1uhinez-ieiie. Peielie nel veliinie
le ee.rie.e nen può eeeere ne generate. né. diet-_tut.t.e,, llinereineiite del nuinere
di elettreni nelle i*eg;*iene. eeneideretu iìr det-'ute ein el eentriliute nette delle
eerrente ent-relnte eie el eeiitribute nette di genereziene di perteteri. Il
teeee tetele di inereinente degli elettreni ei pue quindi deeerivere Inediunte
ln eeininei e,lgel_u~iee, di q11e.ttre eenipenent-i: il nuniere di elet-treni ehe entre,
nel velunie in 5:, niene il nun1e1*e di elettreni ehe eeee del velurne in Le -'r dee,
più il tneee di geiierenieiie degli elettreni: niene il t.eeee een eui gli elettI'eni
ei rieeinbineuie een le leeune.
L-e priine due ee1n1:-enenti ei treveine divideiide le eerreiiti ed egiii let-e

fífl'
 '_;'_ Telunie per le ee1¬iee_ iilellleletti"-ene: nientre i due if-_== Tefteniie in-
___;_sti 1*ispettive_1“i:1ente een GH ed Rn. Di tì.tinse_e,¬_1eme_ -Â 'E-_=:'-í~_í› tetele di
;_:eineI1te degli elettreni e.ll*iI1tei'ue del 1-'elurne e dete de
_.-

':: '_ In " il 'I 4 Il _! , _ _ _

åfldgr : I-J llll Jul: - LL) ll' I [GH -F R_,___| _4_e_1_* [1_{iTj
fit -ff -e '
Èffiliippitilde in serie di Tegfler le +:le1'1sit.i-I1_- di eerreiite din [ef + d:t], si lie

ee) = ;.,__(_:f_~._; _ :jii-ee

(_1:_ e ,_ + - --
."\
(1_ss_ì_

-- _=_ìetit.11endele- nelle [:1_Él'T:1

i'}ri_. 1 Ö“j.,,_ _ _
- I -_+ G'-“_ - R,._ l_í:i9

1*epp1'ese1ite. liequeeiene di eentiuuitå. per gli elettreni. Une siinile

+;_';eeiene pue essere rieevete. per le leeune e, tenende eente delle lere
:lee piesitive, si ettiene

ôp : _____e
_
gi G1 5'Eh:
_;i _ - _ _
{_c_;f_;. ep) (1 _ ve)
Teli releeieni pessene essere seinpliiieete. In pe1¬tie.e1ere, ipetieeencle
:'_'_:lli i preeeesi di genereziene ed esplieiiíeiide quelli di rieeiiibineerieiie eenle
fieseritte nel pe.reg1:'efiji 1_tl_ essie

-rtl -n. - -ti-U __ _ _

R†j_ 1 :_ : i |l\l_..|'l:l_)l
J -n. 7'-ri.
_r _ ___

TF. Ti-J

si ettiene rispettit-†.=11'11eI1te per gli elettreni e per le leeune

Ö-n 1 f";9_;,r'___,_ -n -_-ti-U

(i_v-3)
öt gr ti=“_ft: Tn

gg : 1- âjju ll] _ pifi

(iti)
St g 8:1: 1-3,,

QI! H?
 Ineltre, eeesiderende e.1'iel'ie le (1.61) e le I[_'l_fÉiÈ si lie

Ö - FE Ö* 32- - - _ ,___
: .}li£._;tlr&-7;: `l` + Dirt ll il _ l_l.'i'C+:J

ölp í_'}E_›,~_ Se iiìgp p - gi _ __

E = -p,ii.;,í - ,i_i.J-QEIEE + DF amg T È {_l_ fil)
_ - F,

Per eeinpleteee-e: in eggiunte elle equesieni (1.'T3)-[l.'i'ti:I deve essere

seddisiette enelie lieeuesieiie di ll.-'ie.:<:vv*ell [Teerenie di Gs_uss)

,es __
E v le W”
deve eg e le pe1'1nett_ivit.e dielett1'iee del se111ieendutte1“e e ,tig e le densità.
di ee1'iee spesiele dete delle seinine. elgebr*iee delle. deiisite di ee.1*iee dei
pe1“teteI'i e delle. eeiieent-1'e.sie11e. degli eteini ieniseeti devuti el n1e.teriele
..
d1“egente_¬ essie-_
_ qße _ - _it- -r .NB
_ _~*+ - _-\___j
_- ?-L

1.9 Ceriee iniettete e prefile dei perteteri niinerit-eri

ljequeeieiie di eeiitinuit-ii i¬ieevet.e p1*eeedent.en1e11t-e eensente di deseri-

vere eleuni preeessi ñsiei nei seI1'1ieendutte1'i_ Si eensideri ed esenlpie il
velunie di seinieenduttere dregete di tipe n ee11 eeneeiitreeiene lì-13;, e si
illuinini le superiìeie e1'tegeee.le elliesse st: e pesieienete e.llleI*igiI1e__ eenie
inestrete in Fig_ l_l_il_ Élleuni dei feteni ehe eel1;iiseeI1e le superfieie selle
eet-tu1'eti de elettreni ehe sene pertente in grede di 1'eInpe_1'e i legenii ee-
ve-lenti in eui erene eeinvelti_ Si ereene eeppie elett.1Ie11e-leeulie e quindi si
ettiene uniieiesiene di eeriee. elliinterne del velu1:ee_
A bessi livelli di iniesiene le ee1'i:'eni_e dei perteteri di 1"ninerensee devute.
prineipelniente el feneniene delle difliusi-ene (eie 11en e vere per i perteteri
nieggieriteri i11 =;11ue.nte il livelle di pert-e_teri iniettete È eeinueque inferiere
el livelle devute el dI'egs_ggie)_
le 1'egi1'ne__ evvere depe un eette te1"epe_ e nieeteneede inelteiete nel
tempe le eendisieni diilluniinesiene sulle s1_1pe1"fieie_ i livelli di eeiieentre-
:iene nelle speeie resterenue ineltereti ed indipendenti del teinpe. Ossie

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Fig_ 1.14 - lnieziene di eeriee e pretile dei perteteri mineriteri.

die = 1
.se l l ie; l
:;'_1indi Yequesiene di eentinuite per i peI't-eteri di n1ineI*e11se si sernpliiiee.

_ -'il .H.[1 _
Pri. 1
__J.}_rJ __ _ _
{li8U}
rp e de:

Rie.ei;'dee de liespressiene delle densità di eerrente di diiiusiene

_ clp

f teeende eente elie pn - pm; : pil e ehe ôlpfiqjåìer : ƒôe,

le {1_?'ti) si
gf-.ie ri-seI'ive1*e eeeie

E3132 _ L-É, ' il

:leve le quentite

59
i _ ' "'_"'_'___ "" '_ :I ____

,ii-ui
I

LP = ._`__»-~.~_._._._11:›__._._. tres)
e denerninete i-t_t-tigh_.eeee. d-ifitts-ie-ne delle leeune.
Le selueiene delliequesiene differeneiele di seeende erdine dete delle.
l:1_52] i: del tipe

pete) : K1 E-I»-"LF + le -:fs-"'Lf [lee

ehe ve riselte tenende eente delle eendisieni el eenterne. Neu essendevi
elliinterue del nieteriele nessune eeu-se ehe deterniine uniulteriere inieeieue
di e.eriee__ e evidente el'1e__ e_.llente..:eendesi del punte in eui si deterrnine
l”iniesiene__ le eeneentresiene degli elet.treni liberi deve neeesserieinente
dirninuire_ Le eendisieni el eenterne ellere sene dete. de = ll) = piliül
e -_ti*;___if_;t_† ->~ = il de e.ui si ettiene Itrg = U e K1 = pi.__{U}_ essie

.t:f;w.+> = @1410) (1.85)

L-e. eeneentresiene dei perteteri ntineriteri diniinuisee espeuensielniente
een le. diste:eee_ Si pue dirnestr ere ehe le lunghezze Lp reppresente le lun-
glieeee rnedie. ehe pereerre un pertetere ntineriterie prirne di rieeniliinersi
een un pertetere ineggieriterie.

Esetnpie 1.6 _ _
Eli eensideri une ltierrette di silieie uniferniernente dregete. di tipe n een _-“v`_;_› :-
ìüifi ei:.enti__.-"eius e suppenge ehe. e e.euse di un lenernene esterne, ed une delle
superiiei ertegeneli elle sue lt1r'igl1ee-tnt. si venge e ereere u_ne densità di 1ü'3 errfs
eeppie elettrene.-leeune. Trevere le ee:|'1›:_:entreeietie dei perteteri e lllü un:-_ di
distenee delle superiieie
Si essuree ehe le tneliilite del se1uieendutt.ere sie peri e 1--1tl[}et1i?“_,.-"R-is per gli
elettreni e e Llüil t:n1'i per le leeune e ehe i tetnpi di rieerneineeieiie siene peri
e. E us per entrernbi i perteteri.

Seluziene
Per tìueiite riguerde gli elettreni, essi presentene une. densite peri e ."'~«";_-,_ Petten-
te le ›::ree.t›~:iene di 1ü'3 eeppie elettrene-leeune per eni” nen rnedii-lee. eppreeeebil-
niente il lere preiile elie pue ritenersi itnrnutete_ Di eenseguetiee sere ni; m ü e
ne _ nen = Ni;›.
Un diseerse diverse ve. Fette per le leeune il eui numere prirne delle. ereeeiene
dellieeeesse di perteteri peri e. peu = tri.-'“.`¬~'_f_i f= 9.31 te' lüll etn_H_ ln queste
eese_ int`et.ti liinereinente dei perteteri nen ie più treseure'eile_
Le lungl'ie;›ree di diiìfusiene delle leeune risulte essere peri e.
._-_ _ see __ __ _
Le : `~..f""'*":fll':›' Hr : V' E “ ll] 'll in ivi -l'3JLl = è.-il-fi - lil 313111 = 45.-fa ,ein

__._ _

et-'
 P1

l ›
;t=U .r
Fig_ 1.15 - Semieencluttere een eeneentreziene nen uniferree di perteteri.

e delle l1.Éš5l si ettiette

_ I _ '|i'i|'i-in-E
' 1l:l_ll:l = fjtrtü `l' ' E LP :
lee-1u_*l _
-
-H = i2e.1e s ee -s
= sei-1e1`* + let- E `"*'.›.=..=-lu
Di eenseguenee._ mentre il numere di perteteri tneggìeriteri teste eestente e peri
e lülü elettreniƒetnß il nurnere di leeune deeresee espeneneieltnente e depe .ever
pereerse lüü uni divente peri e 12ü :ei 'lüll en1_3, quent.ite ben diverse de. quelle
presente in superfieie e de quelle presente in eendieiene di equilibrie.

1.10 Petenziale alliinterne di un rneteriele een eeneentre-

eiene nen uniferrne di perteteri

Si eensideri un 1'ne.teriele seniieenduttere eerne quelle i11 Fig_ 1.15 e si

snppenge di e.vere une eeneentreeiene nen unifernte di leenne lunge le dire-
:iene delllesse er. In pertieelere le perte di destre elebie une eeneenttee-iene
peri e pg e quelle di sinistre peri e pl leeune/enti'.
Le nen uniferniite dei perteteri deterniine une eerrente di difl`nsiene,
:ee peielie lieleniente reppresente un eireuite eperte le e.errente nette ehe
seerre deve neeesserien1ent.e essere peri e eere_ Queste vuel dire ehe
ieve esistere unieltre eernpenente di eerrente elle eenipense le eerrente
diliusiene. Liuniee eentribute pessibile e det.e delle eerrente di derive,
ed. esse-eiete ed esse deve esistere e.1l`interne dellielernente un eenlpe elet-
íriee (evvere une differenze di peteneiele tre le due perti). Ptieliierneride
_eertente le (1.52) si he

qpnpE_.fl - qDF.E : U
de . _
(1.86)

til
e_ riselvende in funeiene del eetnpe elettriee si ettiene

D 1 - 11
e' P fl?-te-5-il
11.5. p der p de
t 1.'_"T
ll l

]Él_ieerdende le deiinieiene di dillerenee di peteneiele nelle [1_T:i si lie ehe

il pet.er1eiele interne t.re le perte di destre e le perte di sinistre e
11g11ele e
È p-
tel = -f .ex ee- = - -.Lf-'l"¬l4
|
fl 3 easy
. .-

1 .fe P

de. eui, riselvende liintegrele, risulte.

t-e-i._._ = 1..-@1115 ij1_e.s)

Pe
Si 11eti ehe il peteneiele indipendente di-ille distenee e dipende sele
de.i livelli di eeneentreeiene delle due pe.rti_
Il regieneniente fette perte egli stessi risulteti enelie eensiderende le
eeneentreeieni degli elettreni eneielié delle. leeune per eui il pet-eneiele si
pue enelie espriniere eerne

tel = le le È
.nq 111.90)
Le tliFle1'*er1v:e_ di pet-etieiele là; e net.e eerne petene-ie.le di ee-ntette, ed
e preprie quelle tlii*fe1'ene.e. di peteneiele elle eppe1'e ei eepi di due niete-
ri.eli sernieendutteri diilerenteinente dregeti e pesti e eente.tte tre di lere.
Tele eeneette sere di in1perte.t1e-e. fendetnentele nelle st.udie delle giuneie-
11i pn, dei eentetti rnet.elle-seniieenduttere e dei eentetti 1net-elle-esside-
se1nieendt1ttere_
lnvertende l_e. [l.8Él] si ettiene liequeeiene di Belte1ne.11r1

pl : se el"s1›*"l'T (1.91)
e evvietnente une siinile releeiene vele per gli elettreni invertende le (l.E}U]

e. = -si Q-ls' “T (1_ta2ji

_›'3t11t:l1e le releeieni di Btilterrierirn eerne si eenstetete in segt1ite_ si rivele~
ne un petente strure ente di e_nelisi_ Per edesse si neti ee111e esse seddisfene

52
le legge dellieeiene di rnesse, gie t1'e¬.e:;-_ :_+'_:-_ s_:; -_+ '_ 1. :ì:'e_tti. essu-
mende elie le regiene (2) sie un se11;i~_ì-_ì_:_i';-7 _ :-1 _;-_::_~e: _ -;- :-';e le regiene
1) sie le stesse sernieenduttere =.111if~;::;'.%:;e;i-_- f_::_:_-_? ì. 1-.;='_tipliee11de le
1.91] e le {1_92}_ si l1e elie il predette _:'.-_ *_-_ _; '_;;;_-'_ì;- -_'-_ :'.-;~_; ee eui. tenende
eente ehe pg = 11.2. = n_.._.___ si rieeve iet-ìI::1e;T'† le 1.151 _

1.1{].1 Petene-lele cli Fermi e peteneiele di eentette

il peterteirde di Fe-rei..-i inisure le difierenee di peteneiele ehe si viene e

ereere unende._ eerne i11 Fig. 1.1-5: 1111 sernieenduttere dregete e il rispettive
sentieenduttere intrinseee. l\`elle speeifiee esse e quelle diil`ere11.se. di pe-
fene-iele elle si n1e.niieste. tre il se1'r1iee11dt1ttere pure e quelle dregete. Tele
:;:1entite viene i11diee.te een erp e__ de quente dette, e feeilniente rieeve.lJi-
Le delle. e {'_1_i}l'l} essurnende eente regiene intrinseee. le. regiene
_ 5513.

eqr = l-fiyln = -l«-E~ln (1.93l

"lie 'i"l.g

Le ditlereiiee di petensiele elle si viene. e ere.ere tre due regieni dii-l`eren-

'_sn1er1te dregete p ue e queste punte essere espresse 111edier1te le diil`erenee
;-e1nbiet.e di segne dei p eteneieli di Fermi delle d11e regieni. Difetti t.reve
:`et-il1r1ent.e ehe

l-“ei = -[tese _ f-jfleil l1›94l

Per nietivi di pretieite, risulte eernede definire le grendeeee

È) = -t_tl›_,v = -lf1~lr'1 : l="7_-f 111 {l.Él5l

_-111 si de il nente di petee_.eie.le di ee-n.tette i':'t.t-ei-n.seee_ Queste reppresente

Le diiierenee di peteneiele ehe si nieniieste tre. il seniieenduttere dregete
_; quelle pure que.11de questi ve11ge11e e eentet.t.e tre. di lere. Cetne si
:-.ntstetere nteglie in seguite, esse perniette di eeleele.re egevelrnente il
_:-nteneiele di ee11t..ett.e tre due n1eterieli_ Difetti. delle (1.94) e tenende
_¬e11tt1 delle {1.l:l5l, si lle

ten : -:eg _ «pl {1_gf_=,}

Ö-il
 Quindi, une velte rieti i petensieli_ <TJ_É_ e 1113-. elle si generene tre. i nie-
terieli i e _-jr' eett il silie.ie intrittseee_ e pessibile rieevere il petensiele di
eent-et-te epplieende le (1.96).

Esentpie 1.? _ _
Si eensiderine due regieni di silieie uniteretetneute dregete di tipe p een _-"lt-'_..11 =
11113 e1n_3 e f'v__4g = 1431? t'1rt_ll. fieleelere i petettzieli di l:`er1”ni delle due regieni
e le differense di petettsiele tre. le regiene 2 e le regiene 1.
Seluzieee
1 petensieli di Fertni risultene espressi delle i.:1.F:lIil deve pi = ,71-"_.1_1 e pg = 1""~›-1.13,
essie
- p= «t itlill
fjipl = l--"-1-¬ ln -. Èfi ~ 1i`J'"" K ln : 131] 1†Ut,-'

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f_l}_F'2 _ 1]' .lil
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1-11-'lr'

Le differenze di petensiele si pile ri-severe tnediente le {:1.l__-Jelll. eiee

t-si = _ tje..-_¬2 _ se--_jt = - t_e.ee - e.ts'} = -ste mt.-'

1.11 lvíedelle e bende di energie

Sinere. e stete pessibile dese.rivere tnelti dei prineipeli fenenteni elle ge-
vernene i sentieettdtttteri ieeertde rit`et'it'ttt:t'ttt1 eselttsivetnente el ntedelle e
legente eevelertte. Tuttevie tele ntedelle presente dei li1nit.i itt quente nen
esprinte eltieretnente gli ste.t.i di energie. etti sene segget.t.i i perteteri. Une
piit pretende. eernprensiene delle fisiee dei sernieendutteri si pue evere in-
tredueettde il -ntedeilie e be.-n_.de di etteeg-ie.. Per quente nel eerse del presente
t.est.e si eereltere di eviterne il riferintente_ eletttti preeessi pessene essere
eerrettetnettte deseritti sele feeende rieerse e questfttltinte. :fel seguite se
tte tle.1*e quindi ttne breve deserieiene.
È nete: del prepedetttiee eerse di eltin1iee._ elte 1111 elettrene epperte-
nente e.d ttn etente e vi tt_eelete e.d essuntere un ittsietne diseret.e di energie.
Questi livelli er1e1'get.iei pesserte essere reppresenteti trernite ttne serie di
riglte dispeste eetne in Pig. 1.115 e sene reggruppeti in p-t.f..se-i. etete-iei di
1_ EL eee. livelli5_ I11 tttt seiide le st-esse interesieni deterrninene le eesid-
fill printe gueeie et.e1niee e ferntete dellierllit ele ed lite ttn sele livelle energetiee; il
seeende gttseie etetniee e ferntete degli erltiteli s e ,tt e eentprende 1 - il = si livelli; il
teree gttseie etentitre e ferrnete degli erliiteli p e ti -1-: tt:-trlprentie 1 - "'11-I. - 5 = El livelli_
ECC.

€34
 L

Livelli di
energie
I

O OO GDO UGG GDC! üüü UGG üüü UDC)

te) (bl lvl

Tg. 1.16 - Livelli di energie ammissibili: al in un singele etetne; le] in due

etemi; e) in un etistelle_

lette strutture e bende: le energie pessene essutnere veleri itt det.erntiueti

_:'_Tervelli e si dispertgene eetne illustrete in Fig. 1.16 (el ferntende delle
:-_-1-_-_-'ietti dette iien.de di e-n.er1gie. Une 1r1e.t1iere di 1.-fistt.-='t.li:e-:ere il pesseggie
if_É1`insiente diserete di Fig. 1.16 elle strut-ture e bende di Fig_ 1.16 [el ie
:_°;elle. di eensiderere elte, nel legente eltintiee fre. dtte etenti, i livelli energe-
ií:-i di eiesettn etetne diventene due livelli ettergetiei tneleeeleri een energie
_;-1--.-e1ttent.e diíl:`eret1ti. eetne in Pig. 1.16 (lit). E-stendende il regienen1ente_
f: fntuisee e.e1ne il lege.nte tre N etenti elle ferntene il eristelle die. lttege e
.T-fitppi di N livelli ertergetiei tnelte vieini tre lere e.lte ferntene le bende di
Éìg 1.16
ll eentpertentente elte si eertesee di etenti e selidi, eltre ehe delle .strut-
*_';::e dei livelli energetiei, deterntinet.e preveletttentettte del p-ri-tte-ip-ie eli
-'=-'il-t_i.st'ett.e di Pe.t'.r.li. Per i eesi di etti e.i si t1t:t:upe1'e, esse intpene elte 1111
;".°elle er1e1'get-iee tten pesse. essere eeeupete de. più di due elettreni. _.fitrl
ssetttpie, un etetne neutre eentiette Z elettrenili elte si dispettgene e due
due stt livelli eerrispendenti ed energie ereseenti_ rietnpiende pregressi-
":-_n1ente i gttsei e.ten1iei_ È rtete elte le prepriete degli e.ten1i dipendette
essetteielntertt-e del ttuntere di elettreni nel gttseie più esterne_ ehe deterrni-
le velense. ln pertieelere il eetnpertetnettte dei ges nelitili, il etti guseie
-'__~'_-terne e eetnpletentettte eeeupete de elettreni. dillerisee drestiee.ntente de
;j1elle degli elernenti eventi il gttseie esterne perrieltttente eeeupete.

EZ e il nttntere etentiee ed e peri el nurnere di pt*eíe¬.¬_f nel :tz-:_"iee_

66
 Étnelte in ttrt selide gli elettreni si dispenge:-_-_. due e dtle su livelli
eerrispendenti ed energie ereseenti_ rientpie1:e~_:| E-'~.“eItttteln1ent.e le ber1de_
Quindi tlne bende, elte e ferrnete de N livelli. ee¬_t†_iene el piit Éfv elettreni.
Cetne nel eese dei gusei eten'1iei__ le prepriete dei selide dipendene essert-
zielntente delle bertde eeettpete ed energie più elte. ln ttn sitnile seenerie,
ptte eeeedere elte le bende più esterne sie sele perzielrnente eeeupete de
elettreni. In qtteste eese il selide e t.tn ntetelle. lnfetti tttte bende perziel-
ntente eeeupete perntette il tresperte di eerrente e.nelegentente e quente
evviene in ttne bettiglie perzielntente piette. d'eeqtte nelle quele_ se egitete_
si esserve un tlusse ttette di eerrente. Le bentle energetiee. itt qttestienez
tnestrete i11 Fig. 1.1T_ e dette. iJe'n.de- di ee-rt.dn._:-nie-n.e_ Dietnettelntente pue
ee.e.edere elte tutt.e. le bende siene eentpletetnente eeeupete. ln queste eese
il selide e un iselente. Infetti ttrte. bende een1plete.n1ertte eeettpete 11e1t
tresperte eerrente enelege.n1ente e. quente evviene irt t111e bettiglie piene
dleeque nelle qt1ele__ se egitete_ nen si esserve elettn fltlsse Itette. Le l'_te.n-
de. eentplete.1t1e1tte ee.eupet.e ed energie piit elte e dette. iJe.tt.de. di -t1e.ie'nee.
iFig. 1.1?).
Per i sernieendutteri le sitttezierte sitnile e quelle degli isele.nti een
ttnlitnpertente differenze querttitetive. L-lettergie elte sepere le bende. di
vttlettze de. quelle. sueeessive ie reletiventente pieeelel. ellere ebbestenze
feeile prentuevere 1111 elettrette delle bende. di velenze elle bende sttperie-
re, ed esentpie per egiteziene terntiee. Si reelizze eesi une. sittte.zie11e in
etti sette presenti dne bende perzieln1e1tt.e eeettpete, eerne in Pig. 1.17, ed
entrernbe eentribttiseene el tresperte di eerrente. Lienergie ehe sepere le
due bende irt questiene si eltiente er1.etp-ie. di iie.'tt.dge.p e si indiee een E51.
Per ertelegie. een i ntetelli, le bende stlperiere, perzieltnente eeeupete de
elettreni._ prende il netne di be.ttde di eenduziene.
.elle tentperetttre di UK, in ttrt sernieendtttt ere le bende di velenze È
teteln1ent.e piette di elettreni ntentre nesstnt elettrene ie presente itt bettde.
di eenduz-iene. In queste situeziene, nessun elettrene eppertenente elle
bende di velenze e in grede di perteeipere elle eenduziene Sitniltnettte,
nentntette le bende di eendt1ziet'te e intere.-_¬'_-_¬'ete el tresperte elettriee, in
quente ir1 esse. nen e presente eleun elettrene. Quindi. elle zere esselute,
nen vi e difierenz-e tre. un sernieenduttere eri 11:: Éselettte.
rl. ternpereture finite_ nulle. verie negli is-_:-lenti. :tentre nei sernieendut-
teri llegiteziene terrniee e in grede di tres:`e:"`_re. ed ttne pieeele freziene
'F . . 1. ¬¬- -
Per ttn setnteettduttere dette energie e det. :T: _ _i 1›:-"~.' :nentre per gli iselettti e
i-ine e eiree lil velte supe-riere_

66'
 Bande tlieenduzieee ]3aet_¬7= it ;:.-1;;_ 7-_
GGGGGGGG F
GÉGGGGGÉ -

Ei; _ 12.; W;'

pre :`:š:s l_ __ __ E
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GGGGGGGG GGUU GGG eeee UGG GIGli.'J'l.'J GG GGGG
meeeeeede e1¬~e.e:z_: UDC GGGGG
_ 1-UGGtt
iiiÉGUGI di velenze

lvletel li Sernieendutteti lselettti

3 g. 1.1? - Nei metalli la banda di eenduzieee parzialmente eeeupete da lue-

g: a trasperte di eerrente. Negli iselanti la bande di valenze, eempletamente
: esa, nen dà luege a trasperte di eerrente. Nei semieeridutteri entrambe le
:sede eentribuiseene al trasperte di eerrente.

_-ì-gli elettreni presenti in bende di velenze, lienergie stiírieiettt-e per pe-

-: retnpere il lege.nte eevelente e “st-1lte.re*" in bende di eettdttziene eente
.1-
|

-u.
Étetnetizzete itt Fig. 1.16. Gli elettrerti trensite.ti in bettde di eetulttzte-
1% leseiene dietre di lere u11 egtte.l nuntere di leetttte irt be.ttde di telertfe
fili elettreni nelle bende di eettdttziene reppreseutette pertente le per tt-
-lle libere di eeriee negetive, ntetttre le leetttte nelle bende di talettze
:_=_j:›p1¬ese1'ttet'te le pertieelle libere di eeriee. peeitive..
L'energie di bendgep, E3, e tentperet-ure e1nbier1t.e vele 1.12 el' pet tl
-;Ãìt'ie_, le? el.-'T per lierseniure di gellie e 6.66 el.-"° per il gertttenie. Le stesse
- e ttrea
1' Se.V petEli est-.tt
;"`i e dt st tete [_ɬf1O;_l__
.i « _ e.l te e t1r1 iselent.e_ Si taptsee
;_';_i11di eerne negli isele.nti sie diriieile elte l'egiteziette terrrtiee. eettst tl selte
il ttn ele.tt.re1te delle. bende di velenze. e quelle. di eendttziene

C-en rii`eri1nente ei sentieendtttteri__ si indielterit eett Etf; liestrente tnie-

:itire delle bende di eenduz-lette e een Ep liestrerne superiere delle bend.-t
-'_i velenze.
Fernende energie. el erietelle, gli elett.rer1i t.ettde11e e. rnuever*-1 tetse
'ivelli energetiei superieri. E bertele quindi e1°l'errnere elte un eletti ene
J-:intenti le stte energie ntuevendesi de un livelle energetiee ed une pnt
|._

6'?
 1.*
elellreni liberi

e ig;-. Bettde di eenduziette

eeee
Ei-
Livelli di Ef; Benda preibite (ge_p}
energie li* “li
E ._-
ee ee ee GU ee ee Bende di velenze
/'e \`*ee
e lettreni vitteelati
in le genti ee vele nti

Fig_ 1.16 - Bande di energia in un materiale semieenduttere

ll livelle energetiee E;-__~_¬ ehe reppresente il rttirtirrte livelle energetie.e

e.nttttissibile nelle. bende di eenduziene_ eeretterizze quindi llenergie pe-
tenziele di tttt elettrene e_ itt eltri terntini_ Éienergie. elte ttn elettrene lte.
quettde e ripese. Llenergie. einetiee di tnt elett.ret1e e dunque tnisurete el
di sepre di 11.53.
ln bende di velenze eettviene riferire lietttnent-e di energie del tneteriele
el eetttpertentettte delle leeune piutt-este elte e quelle degli elettreni. ln
queste eese_ eett riferirnente elle Fig. 1.19_. si esserve elte une spesternente
verse llel te di tttt elettrene irt bende. di velenze eerrispende ed tttte speste-
ntertte verse il besse di ttne. leeune.. ljne leeune; pertente, etttttettte le. sue
energie ntnevettdesi de un livelle ertergetiee ed tttte piit besse.
Cerne eenseguenze, il livelle energetiee Er,-_ reppresente il ntinitne livelle
energetiee ettttttissibile per le leeune nelle. bende. di velenze.. 111 tnettiere
dttele e. quente dette per gli elettreni, esse ee.retterizze l"energie p etettziele
di une leettne e, irt eltri tertnini, lienergie elle tttte leeune lte quende e e
ripese_ Lienergie eittetiee di ttne. leetttte e dunque tttisuret.e e.l di sette di
Er..-'_

1.11.1 Diegrentrne e bende di serrtieendutteri estrinseei

C-ettte deseritte itt preeedenze._ le eend'=_tttivite di un sernieettdtlttere

pue essere ineretnen1_.et.e tnedie.ttte lieggittnte di e-le1'tte1'tti dregenti. De.. un
punte di viste del diegrentrne e bende. etente denere intredttee t1tt
nueve livelle energet-iee elllinterne delle É:-e:=_te preibite, nte tnelte vieine

del
 .lt .lt

li

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E 'iui
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Leett et E_ E5 '
energie
ET;
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Fig_ 1.19 - Energia delle leeune.

Ile bettde. di eertdttziene. Date le vieinertze, e tert1pere.tnre etnbiente,

*elettrene seltere intntedietentente rtelle bende di eertdttziene leseiettde
:sl live.lle intredette tttte iene pesit.ive elte, e.ert1e viste_ e une. eerie.e.
ztttttebile. Il eerrispettdente diegrerttrtte. e. bende. e tnestrete in Fig. 1.20.
ln tt1e.1tiere. en elege_ il dregeggíe eett eterni eeeetteri_ ittserisee un tttteve
ivslle ettergetiee ell'interne delle bende. preibit.e_ tne vieine elle- bende di
*J-_'_ettze_ .ft ternpereture entbiente_ queste livelle viene feeilrttent-e eeperte
:f-_ ttn elettrene preveniente delle bende. di ve.let't:››:e elte leseie e.l sue pe-
in une. leettne itt grede di p.e.rteeipe.re elle. eenduzierte 11 eet'rispendet_tt-e
'III

_;-egt'etttrne e bende e ntestrete sernpre itt Fig_ 1.21).

1_11.2 Pepeletziene delle bende energetiehe e distribuziene di

Fernti-Diree

lfne grendezze ntelte itnpertente del ntedelle e bende di energie. e le

j_:ebe.bilit.e. elte t_tn livelle energet.iee sie e ntene eeettpete de tttt elettrette.
:ale preb.ttbilite e funziene delllenergie del livelle irt eggett-e e prende il
:ante di di.st-r'tfiJ-n.ete'n.e di Ferrrti-.Uir'ee e_, più setnplieetnente, di d'i.s't-rtl;-tt.eie-n_e
f' Fe-rrrt-tf
. . 1 _. _
.l(E.l I .fr-"r-.¬E l_l'9lll
1-i-e H

:t esse T e il: repprese1tt.ette rispettiventettte le te1ttpere.tttre esselttte e le

Jtstente di Beltzntenn. ll perentet-re Ep ie un'energie di rìiferitnettte dette

69
 .lt .it

nun'-.e eleåtåeiie

Et e el e È, Et e e
' nueve
I livelle *"' 1" ' iene ne getti-'e
Livelli di 1“l'"'3'fl“3*Hü E' tisse
energie I_ iene pesitive Umm menù \,,
l fisâü initetiette *I*
G G G G 'El 'G - G 'G E É' 'É G
e e e e e e : e e e e e e'\
I1l.l'lÃÉI"r"lì
lee utni

dregeggie een etemi dregeggie e en etenti

deneri eeeeiieri

Fig_ 1-26 - Effetti del dregaggie nel diagramma a bande.

erierpiie di Feriri.-i.' e iiiielle di Ferrri.-i_ iiteglie definite tiel seguite.

Le funziene _,†'{_E} reppresente le prebebilite di trevere titi elet.trene itt
tttt dete livelle di energie E. E-ese. vele eiree 1 per energie ttielte tttiiteri di
Ep e eiree. ll per energie ntelte nte.ggieri. Esse lie tttie sintntetrieil t-ispette
ellienergie. di Fernti Ep, deve essutne il velere f{Et-:l :
Il site reeip1'e¬ee_ 1 - reppresettte le prebebilite di trevere titie
leeune. in un de.te livelle di energie E e le sue espressiene ie

. ._ _ l _
.liil-Ell : 1 _ _ ' .e_._.--s llgäl
1+

deve een il pediee .li si idetttitiee elte le distribuz-iene e legete e.lle. eeneen-
trezieiie di le.ett1ie {ii_.eie.s in inglese).
Il greíiee delle fuitz-iene ƒ{E) per le ternpereture di 3['J(}1¬'~'~I e 12601( ti
ripertet.e in Fig. 1.21. Le stesse rlgure riperte ettelte le disti¬ibttziene delle
leeune; ƒi,_l:E} : 1 - ƒ[El, seinpre per 366
Èille zere esselute_ le iutizierie e peri e 1 per E si Ep ntentre ie
pe_ri e il per E is- Ep. 'CJ-ie iiiipliee elte in uit seiiiieeiiduti'-ere intrinseee,
per T = U, Ep si t.reve. e.lllinterne delle gep. 1nfetti_ il eetiiperternente
di e T = U intpliee ehe ti_itt-i i livelli een energie niinere di Ep serie
een eertezze eeeupeti de elettreni_ e ttitti qttt-ti een energie ti'ieggiei'e di
Ep sene een e.ertezze vtteti_ Queste risultete e eettsisteiite een le iisiee di

adi veriiiee ieeilinetite elte ƒ[E_f.= - H] = 1 -- _r" E; - E

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 1_.E| ______ __ __hh E ____"\ ___ ___
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-ee -e..-i -ee e.e ee e_=i. ns
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Fig_ 1.21 - Distribuziene di Fermi-Dirae a differenti temperature.

;_:_ setnieendutt-ere intrinsee.e e T = U, deserit-te iti preeedenze, sele se il

'ii-.tire di E1.- si treve de quelelte perte nelle bettde. preibiteg.
Per deterniinere Ep bisegne ese.niine.re il preblenie per T il e regie-
_ere eente segue. ln un sentieendutt.ere intrinseee le eeiieeitttezietie degli
_-1-1-ttreni egtte.glie quelle. delle le.ettrie ed entretnbe sette besse. Eli ptie per-
:i`:- supperre elte le energie degli elett.retti siene tutte E se Ep, it1ent.re le
+:ergie delle leeune siette tt1t.te E se _'-^tllera._ se Il-'*._f_j_r ie il ttttniere di st eti
li.-Ipettibili in pressitnite di E.;;_;« ed Nr..-f e il nuniere di steti dispenibili in
_í:.;issiinite di Et..-'__ dire elte -rt : p itiipliee

_v_.;. -5 E_
- F1 Et t_1_.f.ejt
1+ e .rr 1+ e er'

Assutnende elte _.-“ ~.-}_~__¬ sie tiguele ed _-"`¬.-†t,_. - e riselvende le {l.99] riepette ed
Er si lie

e +.e_.- _,
ee : 11.1110)
lille nen vuel tlire elte esistene elettreni een energie nella bende. preibite. I1tl`e.tti_
il :ttiitiere di elettreni een energie E e dete de p - _'" E' deve p e il nuntere di livelli
;-_lÃ'energie E elte, per energie elliinterne delle bende pr~:tìbite_ e nulle.
essie_ il livelle di Perini in un seiiiieeiidttttere i:"_Tri:'.seee e peste e itiete
delle bende preibite. ln queste eppressit'iie_riei';e_ il livelle di Feritii nel
silieie si treve ed une dist-enze di eiree iliiñel' delle due bende.

1"-lei ee.si pretiei si levere een livelli di enei'gie ebbestettze letiteiii del
livelle di Feritii. In queste eese le distribuzietii ¦I1_i}T:i e (1961: velutete
i'ispettiveniente nell`interne di Egg ed Et.-'_ pessene essere ben e.ppressi1nete
de

_
ƒt__e.;_-jt -.=.-.l E ir (_1_1iti)
.Ep--.E .-
ƒ.__i_ee-1 = 1 _ ƒ(.e__.-jr e it*-“A
ir ' [_1.1U2]

Le eppressintezieni sette velidelll ptti'e.lid il livelle di Fernti sie dist.eiite

delle bende. di veleiize e de quelle di eendizierie di elntene 3l'tT_ essie
purelte le qiientit.ii EU - Ep ed Ep - Et: sie.iie tneggieri di 3lt:T.
Évlelt-iplieende le [1.1[l1] e le [1.1U2_l per le rispettive densitit degli st-et-i
si et.tietie le eeneentreziette degli elett.rerii e delle leeuite

"11. I JI_-"1l||T|.`-Z:

3;. : _.-v.___. E- - [i_1n.-1)

Le equezieni (1_1U3) e (L11111) sene velide eri-elte itel eese di seniieeii-

dtitteri dregeti iteit pesententeiite e inestrene eleune prepriete de.l livelle
di Fermi. lit pert.ieelere_ iti uit seinieettdtittere dregete di tipe it_ il livelle
di eetteeittreziette degli elettreni, -ri., it iitelte iiieggiere rispet.te el livelle
del sernieenduttere iittriitseee. Devetide ve.lere le l:1_1U3_l ed essettde ttitti
i perentetri eesteiit.i iisielie, lliiieieitieiite -di ri. si spiege. eett un ittereinente
del livelle di Fernti. Pertente in un sernieenduttere di tipe n, il livelle di
Fernti si evvieiite elle bende di eendi_iziene_ Queste spiega. enehe il fette
elte le eeneetttreziene di leetine si ebbesse_ lnfetti, elze.tide il livelle di
Fernti_ rispett.e elle nietii delle bende preibite_ le prebebilite di evere delle
leettne ttelle bende di velenz e diini1tuisee_
llllfel eese iti eui Et; . 3il¬.T si E-'if -si Ei; - 3.171" perle di .senti-eendti.tte-re ne-ir. de-
geriere. 11 seitiieeridtittere viene definite depe-n.ere -qttettde il livelle di Fermi si treve
pertieelerineitte vieine e Ep e e Erg.

1:1
 Vieeverse_ in un sen1ieendttt*_::-_ _* : _ '_ ' j __ - :_ tttttnere
ii leeune eurnente__ il livelle di É-L-7 -_ "_'; -_ -_ '_'-_;i;-_ velettze.
-: le prebebilitii di evere degli el›'_=íí- __ er- 1-: '-_;-__=. '_' _'-:ineittziene
iitttinuisee
ffel prime ee.se (dregeggie di tip: 1 st :_-.-_;-_ " = ff- - :_ '_i'.'siir_t di l:¬ernii
_í'_t-ii essere rieevete delle (1_1I[lf;l I. es.-1-21-'-_

.v
es = ef; - it-rie 1 ff
(_i_1iis)

Éíel seeende eese (dregeggie di tipe p fi si ev1¬e p = _`\†__.1 e il livelle di

Esrnii, delle (1.10-1)_ risttlte

es = et- _ erie ;
|
_.-
.'
{1_iee)

Le (1._lUii) e le (1166) sene velide firitetite elte i livelli di dregeggie

=i;'-ttte tnirieri delle rispettive densitifi. degli steti (_~"*~.-È. .-1 <1 .-"*.7;__.-' e 117;; «ai _-"*~.'}_7:].
1-'el e.ese in etti queste tteti sie vere vtiel dire elte il livelle di Ferttii si ste
=_*.¬."ieitt.'›t.1'tde treppe e.lle bende di velenze e elle. bende di eeiidttziene e
ìsegtte ttsere le fuitzietti di prebebilitit. dete delle (1.97) e if_1.5_lEi)_
'Csende le (1.1U.'.l) e le (1.1ll='l:], si pue ditnestrere itieltre elte il predette
tele eetieetittezieni di elett.retti e le.etttie e t_ttte eestetit.e indipendent-e del
_".'sile di eenee1ttre.ziet1e essie indipendente del livelle di Fermi). Iiiie.tt.i__
::-_'1:-ltiplie.ende tre lere le due relezieni_ si lie
i›_: ._e _
ep = _-'~»-'._-_-_-vt› r_1_itn')
e peielte E5; -- Ep = EL; sepeiide elte rip : riff; pe-ssietne esprintere il
"fiere di eeneentreziene itttrinseee
E-.†'
_
rt; _ ~._.-r _~`*v.;¬__-_-\ti
. r . r _ _T'
_.« e ln-T "
(1.1'[}d)

:Le mestre eetite un meteriele een ttn'ernpie bende. preibite sie un bueii
_= _'.-Ãettte.

1.11.3 Livelle di Fermi e petenziale di Fermi

Esiste uite. releziene tre il petenziele di F-.=rtt1_i_ ep. rieevete nel pere-
:eie 1.1ll.1 e il livelle di Fernti edesse 'Itt':*:ì~|'_'i-:-†t~:-_ Per ben eeinprendere
___..
ti-J
tele i'eln.i:ione ei Lleiiiiieoo il li-vello di Fetvni -il-iitiviìs-ec-.:i. Ei: eoine il livello di
Pernii nel eeiiiieoiin:iii1:toi'e pino. A i'igoi*e quindi le tlefinizione de,t.e, nelle,
(l.1UU) cleíinieoe proprio il livello di Perini iiitriiieeeo.
In un eeiiiieoiioliittoie intiineeoo ei lie d-fi.ll.1i {l.lt'J3) e delle [1.10=l_}

- _ Eri' *Ei _ _ E-f.-Ei-'

-mi = _-'H-'.; ; e vr' : 1,-
e [1.l(J9j

e, tenendo eonto eoiiipie delle [:l.lU3) e delle (l.1Uá}, ei puo eei'ivoi*e

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liiti'odiioeIinClo t.e.li ee reeeioiii nelle 1.93 ei t-rove. liee reeeione elie leve.
C5

il pot.enziaile di Foiini el livello di Fernii eci al livello di Foiiiií íntriiieeoo.

üâãlízl.

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vi-f=%“ .
tini)

Il pot-oiioie.-le di Perini pei*te.nto niin iiiieure, :ii c:lL.ie.nto il livello energe-

tieo di Perini ei ciieeoete del livello di Foriiii iiitriiieeooi oeeie, del livello di
Feiiiii nel eeiiiiooiifliittore puro. É-.liieiiit-o dott-o titove iiiie reliipreeeiitenioiie
g;i'nfie.::i in Figi 1.22 ove ei note eliieiviineiite il ve.loi'o del Poteiiì-iele tli Perini
e dei livelli eiiei'g;etioi nel eeieo di un t1i*ogeggio di tipo n e di tipo p.

1.11.41 Bande di energia iii presenza di nii potenziale elettrìe-o

ll inoclello ei beiide di eiiotgin rieiiltzi inolto utile poi* illiletrere il po-

tenziale elettrico :¢ill=in†;ei'no di nn eetnieondnttore. Coine cleeoritto 1ireoe-
denteineiite, il livello eiieiyfgotieo E5; reppi'eeeiitn l`eiiei'_e;ie lioteniiiele tli nn
olett.i'one in beiiide. di oontliizione. Lieiiorgiei eil tli eiipre di E5; E3 doi.-'nte
e.llieiiei”gie, eiiietitzei elie liolottroiie eoqi_iiete e =:'en~;@ei di forze eeterne (pei-
ngit-nziono tei*iiii-oe o per e,eeelei'nzioii-o in preeenze di ini eniripo elet.i;i¬ieo
eeterno). Aiielogaiiiioi'ito Etf reppi*eeente l'ent=:' ;ioten:«›:i:-'-ile tli une laioniie.
e le iflifi`ei*enee, tre E1; ed i livelli eottoehiiiti ìnojoe l'eiiei*g;ie einetiee di une

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lfiooeeeo 'oooooe
eoeeeo oooooo

ore eevffie eoii etemi drovev~2=i'o een etemi

deiiori eeeeitori

Fig. 1.22 - Rappresentazione grefice del Fiotenriele di Fermi.

Iiieniie.. Ii*eiiei*gie poteiirziele di une eeriee e rep1ii*eee.iitete. eltreei delle

l.ll'} ehe. nei eeeo di iiii elettrone. diveiite

U _: -gif +ji.iie}
In questo eeeo. ee ei eeprìiiie Teiiergie poteneíe.le in ei.-T. il pote.iizie-le
-1-lettrieo, if. e l"energie poteri-i:-iele. U. eeennioiio lo eteeeo ve.lore iiiinieri-
:-o nie. eoii eegiio clifi'ei*eiit-e (ee.._ line teiieìoiie di 1 V produee 11ii`eiier_g;íe.
šiieteiieiele di lei.-ill.
Con riferiiiieiite elle. Pig. 1.23. si ei_1ppoiige di eppiiee.i*e iiiie. differen-
:ii iii poteiiiziele. if. ed ini eeiiiieoiicliitl.oi'e di liiiigiieeee. L- eiie eliiiie iiiie.
:¬::-iieeiitre.eioiie iiiiiforine :iii perteteri. ll pot-eiieiele elettrieo verie linee.r-
:ente een le tlieteiiee. ed e peri e. if' per :iz : U e e zero iier 1: : L. C-enie
'-oiieee;iienee delle (:1.l13]. eiielie lieiiergie. poteiieiele degli elettroni ve.rie
°_ìiieeriiient.e eoii le dietenee. _-'äeeiiiiieiirio iiiiieiiergie potei'i:f:ie.le iiiiiie. per
.:' : L. l:energ;ie pot-eneiele in :r = U e pert-eiit.e peri e. -eif'. Qnìiicli. ii li-
:iiite iiiiiei*ioi*e delle bencle. di eonrlnvcìone. Ep. ei rliepoiie eonie in Fig. 1.23.
1:?-.eie in ei = U. e inferiore di -gif ei.-"T riepette el velere eeeiinto per rr = L.
Il gep. evvienieiiir.-e, deve riiiieiiere eoereiire. qiiincii eiieiie il liniíte en-
;-eriore delle bende. di veleiiee. E1-. ei rii_~;joone een le eteeee peiideiiee. Si
ieì.-ieri-fi inoltre ehe il eeiiipe elettriee. E: = -rii_ e proprio rlet-o delle
j:›eni:lei'1:-ie rli Eg; eri EV. eeeie. EI : eE._~_¬ ri.: = :if-; :f..r.
Iii qneete. eítiieeioiie. il iiiote di or. eleff:;;-:- ;:¬:-Li ee-'er_=¬_*e peregoiieto el
:noto di inie. efere. po-ete. eii nn pieno iio:-Li:=_-_-_ 1. 5.11' ;=Te:'-_+'_:- niodo. il inoto rli
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Fig. 1.23 - Ban-:le di un semiconduttore in presenza di un potenziale epplieeto.

une. leeinie. puo eeeere p.eiz=;i-goiieto el inoto di iine. bolle -:lierie elie, iiiinieree
in nn liquido. tenrle e. eelire vereo le enperfieie.
Le Fig. 1.23 nioetre. in nieniere. più rlet-1: e..glie.t.e il niot-o tli un elet,Lrone in
preeeiize. di nn eeinpo elettrieo. Lielettrone. nel eno pereoreo tre. due eolli-
eionil ei inuove orieeoiitelniente eeeuíeteiido inie. eenipre ineggiore energie.
einetiee. Eg.m_. dovute. e.1l*eeeelere.zíone ìinpoete del eeinpo elettrico. Une.
volte elie evviene iine. eollieione: lieleitrone eede el retieolo tntte. o nne.
perte delle ene energie einetìee. treefoi'iiii¬inrlole. in eelore.

T6'
 2. Diodi

1 Giunzione pn

Una giunzione pn si forma quando un cristallo di semiconduttore .viene

to da un lato di tipo n (con atomi donori) e dalllaltro lato di tipo
(con atomi accettori). La realizzazione di una giunzione pn da origine
dispositivo elettronico denominato diodo e la superficie che identifica il
e tra le due regioni si chiama giunzione metallurgica o semplicemente
giunzione del diodo.
La giunzione pn ha un ruolo importante nei dispositivi. elettronici sia
perché, nelle applicazioni elettroniche, si fa largo uso dei diodi sia perche
il suo studio consente la comprensione del funzionamento di molti altri
dispositivi elettronici.
La schematizzazione classica cui si ricorre nel rappresentare una giunzio-
ne pn e riportata in Fig. 2.1. Il diodo che ne deriva è realizzato affiancando

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Fìg. 2.1 - Giunzione pn.

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x=0 X

Fig. 2.2 - Schema unidimensionale di una giunzione pn.

due parallelepipedi di semiconduttore differentemente drogato. La parte

drogata di tipo p presenta una concentrazione di atomi accettori pari a
NA, mentre la parte di tipo n presenta una concentrazione di atomi donori
pari a ND. La superficie di contatto dei due parallelepipedi, che coincide
con Porigine dell°asse delle ascisse (zi: - O), e la giunzione pn. La base dei
due paralleiepipedi, di superficie AD, identifica l”area del diodo (0 della
giunzione). Il terminale elettrico del diodo connesso alla parte di tipo p è
chiamato (modo (A) mentre quello connesso alla parte n è chiamato cotodo
(K)-
Le equazioni che descrivono il comportamento del diodo, essendo fun-
zioni del tempo e delle tre coordinate spaziali, risultano parecchio comples-
se da risolvere. Esse, tuttavia, si semplificano notevolmente riportando il
problema ad un livello unidimensionale, ossia, assumendo che tutte le gran-
dezze varino nello spazio lungo il solo asse z. Questo vuol dire assumere
che tali variabili siano indipendenti dalle coordinate y e z, ovvero costanti
rispetto a tali assi di riferimento. Nei seguito pertanto si fara ampio uso
di questa ipotesi semplificativa e le equazioni risultanti saranno esclusiva-
mente funzioni del tempo e dell”unica coordinata spaziale considerata. Il
modello del diodo di Fig. 2.1 si riduce pertanto al modello in Fig_ 2.2.

2.2 Regione di carica spaziale

Quando due regioni drogate con portatori complementari vengono a

contatto tra di loro, nelle vicinanze della regione di giunzione si avvia un
processo di ricombinazione nel corso del quale alcuni elettroni liberi del lato
drogato di tipo n transitano nei lato drogato di tipo p e si ricombinano
con altrettante lacune. Con riferimento alla Fig. 2.3 (a), si ha un flusso di

78
alcuni elettroni da destra a sinistra e la ricombinazione avviene nella parte
a sinistra della giunzione. Lo stesso processo può ovviamente aiializzarsi
anche considerando le lacune, ossia, un certo numero di lacune transita da
mistra a destra e si ricombina con gli elettroni liberi della regione di tipo
n-
Qualunque sia il modo di descrivere questa evoluzione, alla sua con-
clusione ed in prossimità della giunzione rimangono degli atomi ionizzati.
Xello specifico, a destra rimangono degli ioni positivi (gli atomi pentava-
lenti privi di quegli elettroni liberi che sono passati a sinistra) mentre a
mistra rimangono degli ioni negativi (atomi trivalenti che per completare
i legami covalenti con i restanti atomi di silicio hanno acquisito gli elettro-
ni transitati). Tali cariche sono cariche fisse e determinano una regione di
carica spaziale detta anche regione suuotota (in quanto priva di portatori
liberi).
Qualitativanient.e_ il profilo di concentrazione di queste cariche fisse e
riportato in Fig. 2.3 In prossimità. della giunzione e da entrambi i lati,
la concentrazione di carica è massima, poi, oltre una certa distanza, esiste
una regione di transizione dove tali profili decrescono in modo repentino.
Ailontanandosi sempre più dalla giunzione non vi sono ulteriori cariche
ionizzate e le regioni sono neutre.
Si noti che, nella condizione di equilibrio termodinamico, ovvero a re-
gime, temperatura uniforme e nessuna sollecitazione esterna (tensione ap-
plicata, luce, campi elettromagnetici, ecc.), poiché nel dispositivo non è
stata introdotta alcuna carica delllesterno, la carica totale deve essere nul-
la. Quindi, la carica dovuta agli ioni positivi deve essere uguale a quella
dovuta agli ioni negativi, e ciò significa che le due regioni in grigio in
Fig. 2.3 (b) devono avere uguale area.
Il profilo di Fig_ 2.3 (b) è abbastanza verosimile, tuttavia le due regioni
di transizione indicate in figura, da un punto di vista. matematico, non
consentono una semplice analisi del dispositivo. Per ovviare a questo in-
conveniente si assume che le due concentrazioni di carica siano costanti in
un breve intervallo di spazio, ossia che da -mp a O tutti gli atomi accettori
siano ioiiizzati e che, ugualmente, tutti gli atomi donori siano ioniz-zati
nelliintervallo che va da O a :rr,,. Inoltre, si assume che per z <1 -31,, e per
.ir > 32,, le due regioni siano neutre. I profili vengono quindi semplificati
cosi come mostrato in Fig. 2.3 (c) e la regione svuotata viene definita co-
me quella regione compresa nell”intervallo [-fit,-,,:i:,,]. Ovviamente, anche
in questo caso, le due regioni in grigio di Fig. 2.3 (c) hanno uguale area.

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regione carica spaziale › regione
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neutra di i _ neutra di
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J*È-7a'ivi:
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= = -'
-«

transizione i G) transizione
densità di carica do vute
agli atomi ionizzatí
(b)
L regione di
regione carica spaziale regione
___l___
neutra di l-› neutra di
tipo n “ tipo n

Ici “e ›
TR

i*-l i -_._-È-4
_.

(¢)
Fíg. 2.3 - Creazione della regione di carica spaziale.

80
 2.3 Elettrostatice della giunzione pn

Nell'intorno della giunzione metallurgica vi sono due regioni con cariche

fisse distribuite ed il loro studio puo essere condotto tramite Fequazione
di ivi.-ixweii
aiv(E) = É (2.1)

che, per il caso unidimensionale diventa

__,d (wi : _*
-E
ps
,S < 2.2 >
dove E rappresenta liandamento del campo elettrico lungo liassel, es
la costante dielettrica del semiconduttore (pari a 1.04 >< 10"” F /cm per il
silicio) e p,(a:) la densità di carica, funzione anchiessa della sola variabile
I. Quest'ultíma, nella forma più generale, deve tener conto di quattro
contributi: le cariche positive libere composte dalle lacune con concentra-
zione p(:c), le cariche positive immobili composte dagli ioni positivi con
concentrazione NÈ(r), le cariche negative libere composte dagli elettroni
con concentrazione e le cariche negative immobili composte dagli ioni
negativi con concentrazione NÃ(:r). Pertanto si ha

mi - q [pei - mi + Nile - Nm] (2.3)

Tenendo conto inoltre della (1.9) che lega il potenziale al campo elettrico
(E = -dV/dz), Fequazione (2.2) si può scrivere anche sotto forma della
ben nota equazione di Poisson, ossia

ågi/(e) : -@ (ii)
Le due equazioni differenziali (2.2) e (24) consentono, nota la densità.
di carica e le relative condizioni al contorno, di ottenere il campo elettrico
ed il rispettivo potenziale.
1De.to che si lavorerà con grandezze che variano lungo una sola dimensione spaziale si e
omesso il pedice _-1: che nel capitolo precedente indicava la componente del corrispondente
vettore lungo Paese delle ascisse. Si userà. pertanto la dicitura E invece del più
appropriato ma pleonastico per indicare la componente del vettore E lungo liasse
:r:.

› 81
 2.3.1 Giunzione a gradino

Per risolvere liequazione (2.2) si fara uso di alcune ipotesi semplificative,

ma comunque abbastanza realistiche. Si assumerà. pertanto 1) che nella
regione di carica spaziale la concentrazione di drogante vari bruscamente
passando, nel punto z = O, da NA a ND e che si mantenga costante all°in-
terno del semiconduttore; 2) che la regione di carica spaziale sia comple-
tamente svuotata di portatori liberi e che tutti gli atomi di drogante siano
ioiiizzati (ipotesi di approssimazione di svuotamento); 3) che al di fuori
della regione di carica spaziale, la concentrazione di portatori liberi diven-
ti bruscamente uguale alla concentrazione di drogante (approssimazione di
quasi neutralità).
L°ipotesi 1) implica che ND(z) _ ND e che NA(z) : NA. L”ipotesi
2) implica che, alliinterno della regione svuotata, nel computo di p,,.(z),
i contributi dovuti a e siano trascurabili e che inoltre le con-
centrazioni di atomi ionizzati, NB' (ic) e N; siano pari rispettivamente
a ND e NA. Liipotesi 3) implica che, al di fuori della regione svuotata,
= NA e = ND e che p,(:i:) _ 0. La regione di carica spaziale è
quindi compresa alllinterno delliintervallo [-:1:,,,:i:,,].
Le suddette ipotesi permettono di esprimere la densità. di carica come

-qNA per -.rp ííxíü

p_,(a:) = qND per O 5 :I: § az, (2.-5)
0 altrove

Inoltre, poiché per la neutralità. della carica all°interno del materiale, la

totalità. della carica a destra deve essere uguale a quella di sinistra, si ha
anche

Npín = NAíIp (26)

Nell”analisi che segue si farà. riferimento alla Fíg. 2.4. La determinazione

del campo elettrico nella regione di carica spaziale si ottiene risolvendo
liequazione differenziale (2.2) utilizzando la (2.5). Poiché la definizione
della densità. di carica è una funzione lineare a tratti, conviene risolvere
la (2.2) lavorando differentemente nelle due regioni, ossia cercando le sue
soluzioni prima per ar compreso nell°intervallo [-:rp,O] e successivamente
per .ii compreso in [0, znl. Le due soluzioni generali verranno poi completate
sfruttando le opportune condizioni al contorno. banale verificare che, al

82
di fuori della regione di carica spaziale, il campo elettrico e nullo in quanto
È nulla la densità. di carica.
' L°equazione da risolvere è del tipo

E(z):/dE=fE-íildz (2.7)

le cui soluzioni generali nei due intervalli considerati risultano

N N
= f-9?'-4-dz = -g?'í:c+C'1 per -:rp 5 :c É O (2.8)

N N
E(:r:)=ƒg?p-da:=g(?,-:z:+C2 perüflzflzn (2.9)

dove C1 e C2 sono le due costanti arbitrario che vanno calcolate tenendo

conto delle condizioni al contorno. Nello specifico, il campo elettrico nei
punti -mp e aan deve essere nullo, ossia

E(-ep) = -ílši(-_¬«.-_) + ci = o (2.10)

E(i.›.,) I 9%e., + ci = 0 (2.11)
S

Risolvendo la (2.10) e la (2.11) e sostituendo i valori di C1 e C2 nella

(28) e nella (2.9), si ottiene

N
-ggí(:i:+zp) per -:rp É zi: § U
5

= Q-l2i(:i: - zn) per 0 íí z § 93,, (212)

O altrove

Il campo elettrico decresce linearmente con :I: nelliintervallo [-xp, O] per

poi ricrescere nel successivo intervallo. Il suo andamento è mostrato in
Fíg. 2.4
Le due condizioni al contorno impongono Fannullarsi del campo elettri-
co agli estremi della regione svuotata. Nulla pero e stato detto per quanto

83
 V
b
E
,I la
U),,m,_UÈ
,ha_)),
,_il| | | |
xp
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X_I_ h&¢”l|_ | _Mu, P FN_ “\L"_”Wh" _
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Hm gflo 2 4 _ H C3 rmE C3 U W C E p Ot E H Z E E M Ht E r H 0 d d bu
OHE Im C 3 H C 3 5 DI B E a E p E r U H 3 ma U H Z w H E B 3 FB m H Q
riguarda il punto di giunzione dei due segmenti, ossia per 2: I 0. Nel-
liintorno di tale punto deve valere la continuità della funzione descritta
dalla (2.12), ossia deve essere E (O-) = E (D+). Una semplice sostituzione
consente di verificare che anche questa condizione e soddisfatta. Difatti si
ha

E(0-) : -geN.*mp (2.13)

N
E(0+) = -2;”-.rn (2.14)

e. poiché vale la (26), è facile verificare la continuità. del campo anche nel
punto .ar = O. Il valore di E(O) rappresenta la massima intensità che il
campo elettrico raggiunge all”interno del semiconduttore. Si indicherà tale
valore con EM, ossia

N N
EM = |E(o)| = “ìiwp = alan (2.15)

Dall*andamento del campo elettrico si può determinare Pandamento del

potenziale all°interno del diodo in funzione della variabile z. In prima ana-
lisi, poiché il potenziale e dato dall“integrale del campo elettrico cambiato
di segno, esaminando la (2.12), si può già. dire che esso è costante al di
fuori della regione di carica spaziale ed ha un andamento quadratico al
suo interno. La sua valutazione quantitativa presuppone la risoluzione del
seguente integrale

1/(fi) = _ f E(x)d.†.~; (2.16)

dove il campo elettrico è definito dalla (2.12). Svolgendo la (2.16) si ottiene
la seguente soluzione generale

C3 per :I: § -mp

N
%(z+zp)2+C4 per-:cp§::r§0
I/(ff) = qìv (2.17)
-TP-(z-:rn)2+C5 perüízíízn
*fs

C5 per :I: 2 zu

85
 dove le costanti C3, C4, C5 e Cf-3; vanno determinate in base alle condizioni
al contorno.
La prima condizione al contorno viene imposta dalla scelta di un po-
tenziale di riferimento (potenziale nullo). Prendendo come riferimento il
potenziale nella regione di tipo p si ottiene subito che C3 : 0.
Il potenziale nella regione di tipo n è anchiesso un valore costante e
la sua espressione verrà. ricavata fra breve. Per ora. si assuma che il suo
valore sia noto e sia pari ad una quantita che si indicherà. con I/gi. Quindi
la seconda condizione al contorno impone C6 = Vin.
Le altre due condizioni al contorno vengono imposte tenendo conto che
la funzione espressa nella (2.17) deve essere continua. Quindi, imponendo
che V(-xp) = 0 e che I/(;1:.n,) = I/5.), si ottengono le rimanenti costanti

C4 = 0 (2.18)

C5 = Va (2-19)

Liespressione finale del potenziale all°interno del semiconduttore assume

quindi la seguente forma finale

0 per r 5 -:rp
N
E-A(z+zp)2 per -:L'p_§z§0
255
I/(zc) = (IND (2.20)
_? -$n)2 + I/3,; per 0 § :r § zu
(fs

V51 per .cr 2 .rn

disegnata in Fíg. 2.4

Per concludere lianalisi resta solo da determinare il valore del potenziale
I/bi. Per calcolarlo ci si può riferire a quanto già trattato nel paragrafo 1.10,
dove si era giunti alla conclusione che un gradiente di concentrazione. in
condizione di equilibrio termodinamico, porta alla creazione di una dif-
ferenza di potenziale funzione delle concentrazioni di portatori tramite
l°equazione (1.89) nel caso delle lacune e (1.90) nel caso degli elettroni.
Considerando le lacune, nel presente caso si può assumere come regione
1 la regione del diodo drogata di tipo p con concentrazione di lacune NA, e
come regione 2 la regione del diodo drogata di tipo n con concentrazione di

86
lacune ng/ND. Applicando tali valori alla (1.89) e ricavando la differenza
di potenziale tra la regione 2 e la 1, si ottiene2

NN
Vu = 1/Tln (2.21)
Tale quantità. prende il nome di potenziale di contatto della giunzione o
anche di potenziale iiutefrno. Esso, in maniera analoga a quanto discusso nel
paragrafo 1.10, rappresenta quel potenziale necessario affinché il sistema
si mantenga in equilibrio termodinamico, ossia aflinché il diodo si presenti
esternamente come un circuito attraverso il quale la corrente totale sia
nulla. Esso, difatti, è proprio quel potenziale che permette di bilanciare,
mediante una corrente di deriva, la corrente di diffusione che si viene a
creare a causa della diversa concentrazione di portatori presenti nel diodo.
Il potenziale I/2,, puo anche essere visto come una sorta di barriera che
impedisce ai portatori maggiorita.ri di una regione (elettroni nella regione
drogata di tipo n e lacune nella regione drogata di tipo p) di transitare
liberamente nella regione a drogaggio complementare forzando un flusso
di portatori (corrente di deriva) che bilanciano Popposto flusso dovuto alla
differenza di concentrazione (corrente di diffusione).
In sostanza, in un diodo il raggiungimento della condizione di equilibrio
termodinamico viene ottenuto mediante la generazione di un potenziale
interno pari a I/5,.
Si osservi inoltre come liespressione (2.21) si sarebbe anche potuta ri-
cavare facendo uso del potenziale di contatto intrinseco delle due regioni.
Difatti, per la (1.95) la regione di tipo p presenta un potenziale di contatto
intrinseco pari a <I>,, : -V;,~ln(N,,1/n,-_), mentre la regione di tipo n presenta
un potenziale di conta.tto intrinseco pari a <É,, = V1-¬ ln(ND/ Tenendo
conto della (1.96) si ricava facilmente la tensione V5., descritta dalla (2.21).

Esempio 2.1 .
Data una giunzione pn con NA = 1016 cm"3 e ND = 1015 cm_3, ritenendo valida
Papprossimazione di giunzione a gradino, valutare il potenziale di giunzione.
Soluzione
Il potenziale di giimzione è definito dalla relazione (2.21) per cui

va = VT In N - ..v_- 1016 1018

= 0.026 X111( (9.65 X- 109)? = 0.s4v
nt

2Un risultato analogo si può ottenere utilizzando le concentrazioni di elettroni liberi

anziché quelle delle lacune.

87
2.3.2 Larghezza della regione di carica spaziale

La differenza di potenziale ai capi del diodo in condizione di equili-

brio può anche essere valutata integrando direttamente il campo elettrico.
Tenendo conto che V5, = V(:r,,) - V(-erp), il potenziale interno ricavato
dalliintegrazione del campo elettrico è dato da
3-:ft

1/5,: -_ f_.,, 1J(e)de~ (2.22)

Da un punto di vista geometrico, come ben noto, liintegrale rappre-
senta l”area sottostante la funzione integrata e compresa tra i suoi estremi
di integrazione. Quindi, la differenza di potenziale I/5,, a meno del segno,
non è nient°altro che liarea racchiusa dalla funzione del campo elettrico
lungo il diodo. Facendo riferimento al grafico in Fíg. 2.4 (c), V5., è l“area
del triangolo in grigio che ha per altezza il valore di EM e per base la
larghezza della regione dz' carica spaziale, W = :rn + :rp

Sostituendo nella (2.23) il valore di EM dato dalla (2.15), si può scrivere

263 I
qTDl/tt - l'†_›,l/I (2.24)

inoltre, tenendo conto, mediante la (2.6), delliuguaglianza tra le quantità.

di carica presenti a destra e a sinistra della giunzione, si ha

2. : W 2 2. = W g N
(2.25)
che, risolta per zu, fornisce

NA
:È T. = íw
iv); + NA (2 _ 26)
Sostituendo liespressione (2.26) nella (2.24), si ottiene la larghezza della
regione di carica spaziale

265 ND -l-IVA
W =. V, 2.27
l/ Q' NDNA b ( )

88
 Allo stesso risultato si sarebbe giunti sostituendo alliespressione di EM
valore qNA.:rD/es, e ricavando :rp in funzione delle concentrazioni di
gio e di W, ossia

ND +1)NA
3;, = iu/ (2 _ 28)

Nel caso in cui una concentrazione di drogante sia molto maggiore del-
l*altra3, dalla (2.26), (2.27) e (2.28) si deduce facilmente che la regione
svuotata si collocherà. prevalentemente nella regione a più bassa concen-
trazione di drogante. Inoltre, la larghezza della regione svuotata, data
dalla relazione _(_2,27), puo essere ulteriormente semplificata in

2 S
il/D, se ND >> NA
1/ (INA
W= (2.29)
/2 S
-6-I/ti se NA >> ND
(IND

mpio 2.2 r. _
- Data una giunzione pn con NA = 1016 cm_3 e ND = 1018 cm_3, ritenendo valida
Fapprossimazione di giunzione a gradino, valutare la larghezza della regione di
carica spaziale, W, le estensioni :rn e :UD di tale regione ed il massimo valore del
campo elettrico, EM.

UZIOHE
Avendo già calcolato nelliesempio 2.1 V2., = 0.84 V, la larghezza della regione di
carica spaziale W è data dalla (2.27), ossia

' W -. \/26,
D q ND + ND 2 >< 1.04~ 10-12 101fi + 1018 0.s4 =
NDND V,*' l/ 1.0-10-19 X ti 101fi >< 1018 X
= 33.2- 10"6 cm = 332 nm
Le estensioni xD, e xD possono essere quindi determinate dalla (2.26) e dalla (2.28),
da cui
NA 1.016
.D _ _ * W- ~ 332 = 3.29
x ND + N.. 1015 + 1018 X nm

1: P -I NDND -_ W - 4-1018
+ N.. 1016 + 10lB >< 332 =329nm
311 caso in cui si abbia N.4 >> ND o ND )`> NA è molto frequente nella realizzazione
dei circuiti integrati. La differenza è di almeno uno o due ordini di grandezza.

89
 Si osservi come la zona svuotata si estende nella regione di tipo n per soli 3.29 nm
circa mentre la maggior parte di essa, ossia circa 329 nm, si estende. nella re-
gione p. Questo giustifica appieno le approssimazioni presenti nelle relazioni
semplificate (2.29).
Per ricavare il Inassirno valore del campo elettrico, infine, si può fare uso della
relazione (2.23) dalla quale si ricava
il/E;-,gj _ 3
Efl.ƒ :2 X V/CIB

In questiultimo caso si sarebbe potuta usare anche la relazione (2.15) dove si può
approssimare la larghezza :rp con W, cioè

Q-ND
Eñ,f : ímp .-U
N qN,.
ES W
_ 1.6-10-19 >< 1016
_ 10-12 X
, '
_., _
__.

= 51.1-103v/em
Entrambe le relazioni forniscono risultati molto simili tra loro. La piccola discor-
danza numerica è dovuta sia alliaver posto :JD pari a I/V sia agli arrotondamenti
numerici.

2.3.3 Giunzione lineare

In molti casi pratici può essere utile adottare uniapprossimazione li-

neare4 per la concentrazione di drogante piuttosto che liapprossimazíone a
gradino. In tale ipotesi, come mostrato in Fíg. 2.5 (a), la densità di carica
varia linearrnente, ed, indicando con a il coefficiente di linearità., si può
scrivere

ps = qaz (2.30)

Ovviamente, per il principio di neutralità. della carica alliinterno del

dispositivo, le due aree di Fig. 2.5 (a) devono essere uguali, quindi la
regione di carica spaziale è equamente distribuita tra la parte p e la parte
n. Come conseguenza la regione di carica spaziale è simmetrica, ossia si
ha :cp=;rD:l/V/2. '
Integrando liequazione (2.2) e sostituendo in essa la distribuzione di
carica espressa dalla (2.30), si ottiene la seguente soluzione generale per il
campo elettrico

E(1:): äe-2 + Cv (2.31)

4l\iel caso si desideri unianalisi più dettagliata si può ricorrere ad altre approssimazioni
come ad esempio una polinomiale.

90
 Vw
__¦,_W_
|_¦_,w _¦ì|_l _m__" WU
m"MwväfiÈ
___
_U___
_ _"m$_ ___'{
_ (a
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E m d 3 S DI 3 É 3 E DI E r U H 3
da U H Z _m H G H E 3 r E

_
 dove C7 va calcolata imponendo che il campo elettrico si annulli per i punti
di ascissa z = :l:l/V/ 2, da cui

qal/V2
C7 : -E (2.32)

e, di conseguenza, il campo elettrico e

1
= -È» (-l/V2 - m2) (2.33)
2(-:D 4

Integrando nuovamente la (2.33) e cambiando di segno per ottenere il

potenziale all°interno del diodo si ottiene la seguente soluzione generale

1 1
l/(fc) = % (Ãlfl/2.9___: - 59:3) + C3 (2.34)

La costante C8 si determina imponendo nullo il potenziale per 2: =

-W/2. Svolgendo i calcoli si trova la formula finale del potenziale pari a

._%_l_3
I/(:r)_ 1W2_l8)
268 (121/V +4 z 339 2
(.35)

Il potenziale interno, I/2,,-,, mantiene sempre liespressione definita dalla

(2.21) e, anche in questo caso, è possibile metterlo in relazione alla (2.35)
valutando questiultima per :r : W/ 2, ossia

W qui/V3
vz=v(í)= QE
_ _,
(2%)
da cui, con una semplice inversione, si può determinare la larghezza della
regione di carica spaziale, pari a

m,
W=fl-im an)
qfl

5| I
2.4 Giunzione pn fuori dall equilibrio

L°applicazione di una tensione, VD, ai capi del diodo come mostrato in

Fíg. 2.6, porta la giunzione fuori dalla condizione di equilibrio. In questa

92
 Vi: - Vo
P'
"_ " ' ._ _ :: _ _;: v-_-_~-:-_»~_-:-.¬_»______--=<<~¦<_¦_¦<\-.I.?¦I_I¦:5.
( -_ ._ .., : _._:_ :__,;:;;_,:,___._Y=:1,11_::
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.t.._..-.......;.-. .-.-.¦..-,.-.,.;._.¦.;.›,_-,.-,;-›;H.-_
1

'Va

Fig. 2.60- Giunzione pn in presenza di una tensione applicata.

situazione, il diodo puo comunque essere analizzato e descritto ricorrendo

alle equazioni gia determinate in zona di equilibrio, assumendo ancora va-
lida l°ipotesi di approssimazione di svuotamento (ovvero che tutti gli atomi
di drogante dentro la regione di carica spaziale siano ionizzati), e trascu-
rando le cadute di tensione all°esterno della regione svuotata. Quest°ultima
ipotesi è equivalente ad assumere che il materiale delle regioni quasi neutre
(esterne alla zona di ca1_ica spaziale) abbia una resistenza nulla (o molto
piccola), e che tutta la tensione applicata ai capi del diodo risulti applicata
alla regione svuotata.
Sotto le ipotesi suddette, al preesistente potenziale interno, VD,;, che
appare tra gli estremi della regione svuotata, si va a sovrimporre la tensione
applicata, VD. In particolare, con riferimento alla Fíg. 2.6, la differenza di
potenziale che è presente ai capi della regione di carica spaziale è pari a
_ VD.
Quindi, poiché liequazione di Poisson è ancora valida, le soluzioni sono
quelle già trovate sotto la condizione di equilibrio, nelle quali al potenziale
interno in equilibrio, VD,, bisogna sostituire la differenza tra il potenziale
interno in equilibrio e la tensione applicata, VD, - VD. Ad esempio, la
larghezza della regione di carica spaziale, I/V, che per una giunzione brusca
veniva espressa tramite la (2.27), risulta

2,.ND +N_"*(1/D;-VD)
1/1/\/E (2.33)
(Z NDN/1
o, per la (2.29), nel caso di diodi con un lato molto più drogato dell'altro

95'
 2 Q
E' (vb) ~ VD) Se ND >> NA
GNA
W= (2.39)
25
S€NA>>ND

Esempio 2.3 ._
Data una giunzione pn con NA = 1015 0m_3 e ND : 1018 c1n`3, ritenendo valida
Fapprossirnazione di giunzione a gradino, valutare la larghezza della regione di
carica spaziale per a) una tensione Vp pari a 0.65 V; b) una tensione VD pari a
-3V.

Soluzione
Per i calcoli si farà. uso dell°equazione approssiniata. data dalla (2.39). Il potenziale
VM è stato calcolato nell”esempio 2.1 e risulta pari a 0.84V. e. per VD = 0, la
larghezza W è stata valutata in 332 nm.

255 2 >< 1.04 - 1U_12

EL.) W: _ VD) _ 1O_19 X 1016 X _” =

= 15.7- 10-'5 cm = 15711111

2 _. 2 1.04-10-12
b) W: \/Úiì (VM _ VD) _ \/1.e>f10-19 >< 1016 X (O'84+3) I
= 70.6 - 10-6 Cm = 700 nm
Appare evidente come si abbia u11”an'1pia variazione della regione svuotata in
funzione della tensione applicata.

2.4.1 Polarizzazione diretta

Con riferimento alla Fig. 2.7, nel caso in cui ai capi del diodo è applicata
una tensione positiva (VD > O), cioe un potenziale all°anodo superiore a
quello del catodo, si dirà. che il diodo si trova in polarizzazione diretta (o
che è polerizzeto direttamente). In tale condizione il potenziale applicato
dalliesterno, VD, si oppone al potenziale interno all“equilibrio, V5), e quindi
il risultato complessivo è la riduzione della differenza di potenziale che si
sviluppa ai capi della regione di carica spaziale. In accordo con la (2.38),
una delle prime conseguenze è la riduzione della larghezza della regione
svuotata che passa dal valore WU (larghezza della regione svuotata per
VD = O) al valore W.

94
 Va- - V0
_,
1
+'.É *É .,, É 'L
.-1-,.,_'P -¬nn.mmmnww
.If

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_ _ _ _ ND
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52
ii.EE
-«maine in l ~ ~›
'xpü "xp O xn xml 'x

Fíg. 2.7 - Giunzione pn in presenza di polarizzazione diretta.

I nuovi estremi della regione svuotata si trovano alle coordinate che ver-
ranno indicate con -rp e .z.,.,, mentre i vecchi valori di coordinate verranno
indicati con -zpg e zng (Fíg. 2.7).
Come discusso in precedenza, in equilibrio e per ogni tipologia di porta-
tore, sono presenti due flussi di corrente perfettamente bilanciati. Il primo
è causato da una differenza di concentrazione e genera una corrente di dif-
fusione, mentre il secondo è causato dal potenziale interno, l/ig, e genera
una corrente di deriva in verso opposto. La somma algebrica delle due
correnti è pari a zero. Il potenziale V5, pertanto forma una barriera che,
generando una corrente di deriva, controbilancia il moto diffusivo dei por-
tatori causato dalla differenza di concentrazione presente tra una regione
e l°altra.
In polarizzazione diretta, una tensione VD positiva applicata ai capi del
diodo fa diminuire il potenziale da V5., a V5, - VD riducendo quella corrente
di deriva che controbilanciava la corrente di diffusione. Di conseguenza,
il contributo di corrente dovuto al fenomeno di diffusione prevale e, nelle
due regioni, si verifica un effetto di iniezione di portatori minoritari.

95
 Ciò che accade agli estremi della regione svuotata è mostrato in Fig. 2.7.
Considerando il moto degli elettroni, liabbassamento di l/È, provoca, per
diffusione, un°iniezione di elettroni dalla regione n alla regione p, ossia verso
il potenziale positivo. Indicando con An la concentrazione di elettroni
iniettati, la concentrazione di portatori minoritari nel punto di ascissa
-zp, ossia nel punto di iniezione, diventa

?i,,(-:1:,,.,) : npg + An (2.40)

Similmente, Fabbassamento di V5, provoca, per diffusione, uniiniezione

di lacune dalla regione p alla regione n. Indicando con Ap la concentrazione
di lacune iniettate, la concentrazione di portatori minoritari nel punto di
ascissa mn, ossia nel punto di iniezione, diventa

pn (inn) : pnü + Ap

Per quanto riguarda i portatori maggioritari, le potenti forze elettro-

statiche in gioco, manterranno la neutralità. della carica nelle regioni p ed
n. Di conseguenza, l°aumento delle concentrazioni dei portatori minoritari
deve essere accompagnato da un analogo aumento nelle concentrazioni dei
portatori maggioritari. Questi ultimi pertanto variano secondo le relazioni

nn (rr,-,) = ong + Ap (2.42)

pp (-xp) = ppg + An. (2.43)

Tuttavia, mentre liaumento percentuale delle concentrazioni dei porta-

tori minoritari è normalmente elevato, Faumento percentuale delle concen-
trazioni dei portatori maggioritari è generalmente infinitesirno. Ciò è dovu-
to al fatto che zo.,-,Q >> png e ppg >> npg. Pertanto le relazioni (2.42)-(2.43)
si possono semplificare in

nn (mn) ß ntriü

PP (-3110) ß PPU (2-45)

Inoltre, dato che Paumento percentuale delle concentrazioni dei porta-

tori minoritari è cosi alto, e che quello delle concentrazioni dei portatori

96
ma-ggioritari è trascurabile, è ovvio che si restringe-ra liattenzione alle va-
Iiaz-íoni prodotte dalle concentrazioni in eccesso dei portatori minoritari.
Quanto detto mantiene la sua validità fintantoché si e sotto la condizione
di bassi livelli di iniezione. In presenza di alti livelli di iniezione, le appros-
ámazioni (2.44)-(2.45) perdono di validità. e lo studio del dispositivo deve
tenere in considerazione anche le variazioni dei portatori maggioritari.
Qualche cenno del comportamento del diodo i11 presenza di alti livelli
di iniezione verrà. dato nel paragrafo 2.5.4. In questa sede si prenderà in
considerazione solo l”ipotesi di bassi livelli di iniezione. Si assumeranno
pertanto valide le relazioni (2.44)-(2.4-5).

2.4.2 Polarìzzazione inversa

Con riferimento alla Fig. 2.8, nel caso in cui ai capi del diodo è applicata
una tensione negativa, cioè un potenziale all°anodo inferiore a quello del
mtodo, si dirà. che il diodo si trova in polarizzazione in/versa (o che è
polarizzato inversamente). Questa volta il potenziale applicato (VR >
0) si somma al potenziale interno all°equilibrio (I/5,) e quindi il risultato
complessivo è liaumento della differenza di potenziale che si sviluppa ai
capi della regione di carica spaziale. La prima conseguenza evidente è che,
in accordo con la (2.38), la regione svuotata aumenta la sua larghezza5.
Per quanto riguarda il moto di cariche, Paumento della barriera di po-
tenziale (che passa da I/},, a Vi, + VR) interdice il passaggio di elettroni
dalla regione n alla regione p e quello di lacune in direzione opposta. Cio-
nonostante, ai bordi della regione svuotata è presente un elevato campo
co (generato dalla tensione inversa applicata) che preleva. le cariche
ti ai bordi di suddetta regione e le riversa clall'altro lato sotto forma
corrente di deriva. In particolare, gli elettroni in prossimità. del punto
ascissa -:rp sono riversati nella regione n e le lacune in prossimità. del
pinto di ascissa zn sono riversate nella regione p.
Supponendo che An elettroni siano spinti verso la regione n e che Ap
hcune siano spinte verso la regione p, le concentrazioni di elettroni e lacune
nei punti -:cp e :rin diminuiscono secondo le relazioni

"P (*33i1›l : "PU _ A" (246)

pn (3-71:.) = P110 _ Ap

5Basta porre VD : -Vizi.

97
 íív
Via +VR
* se=-:.5f::..::-ri s-zeezfiii1
r;;;;;;;,;;r;;.-_.-. ~
1 i'.»--.--›----.›-g;f_«_~_å
- -1
""g-=a
i':':-;-:::.f.:'r:=::es:0n.
- .â _ 1--~«- -- "a

lacune

i
_D
,=;_5_›§;5-;_~1;¢5;§;=_-.š:==: -* l *.r:::;::.t:::::::::f::"'
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Ff"?-f2i=;:lf?i;-=-1=f: ;:f:; ;1:-š"-fi;: :;-_=f:l;*j; ;

ivo A
Hp i
” Ap Pr
-xp 'xpü G .xflfl xy 'x

Fig. 2.8 - Giunzione pn in presenza di polarizzazione inversa.

È evidente che, poiché np(-rp) e non possono essere quantita

negative, non e possibile far transitare più di npg elettroni verso il catodo
e più di png lacune verso lianodo. Di conseguenza, la corrente risultante 1
è sempre composta da un numero contenuto di portatori e perciò è molto
piccola. Inoltre, una volta che la tensione VR riduce a zero il valore delle
concentrazioni ap(-xp) e p.,,(:1:.,.,), la corrente raggiunge il suo massimo
valore e rimane costante e indipendente da qualunque ulteriore aumento
da-la tensione applicata.

Come in precedenza, per mantenere la neutralità. della carica, anche i

portatori maggioritari ai bordi della regione di carica spaziale subiscono
una variazione nelle loro concentrazioni. Tuttavia, dati i bassi valori di An,
e Ap, le relazioni (2.44) e (2.45) continuano a mantenere la loro validità..

98
2.4.3 Portatori al contorno della regione svuotata

Nel paragrafo precedente si è appreso che Papplicazione di un potenziale

esterno ai capi di una giunzione pn causa una variazione della concentra-
zione dei portatori agli estremi della regione di carica spaziale. In parti-
colare si è giunti alle seguenti conclusioni qualitative: 1) la concentrazione
dei portatori maggioritari rimane immutataög 2) in polarizzazione diret-
ta la concentrazione di portatori minoritari aumenta; 3) in polarizzazione
inversa la concentrazione di portatori minoritari diminuisce.
Tali considerazioni qualitative, pur aiutando a comprendere i fenomeni
fisici che entrano in gioco, non permettono di descrivere quantitativamente
quale sia rlieffettiva variazione che subiscono tali concentrazioni. La rispo-
sta a questa domanda si può ottenere tramite liequazione di Boltzmann
espressa rispettivamente per le concentrazioni delle lacune e degli elettroni
nella (1.91) e nella (1.92).
Con riferimento alle due formule ora citate, si assuma che la regione 1
si trovi nel punto -xp e la regione 2 nel punto rn. Sotto Papplicazione
di una tensione nulla (VD = 0), le equazioni di Boltzmann forniscono le
seguenti equazioni

png : ppo e-*Vai/VT = NA e-i*'i›-i./Vr (248)

11,0 = n..0e-iii/vr : ND ervn/VT (2.49)

che legano il potenziale interno alle concentrazioni di portatori.

Poiché quando si applica una tensione VD tra anodo e catodo, la diffe-
renza di potenziale tra 22,, e -.rp è data da Vb, - VD, se si assumono nulli
o comunque trascurabili gli effetti di generazione-ricombinazione nella re-
gione svuotata, si possono generalizzare le equazioni di Boltzmann come
segue

p,,(2:,,) = pp(-rp) e`m“i_VD)/VT (2.50)

ai-fl:p> - n.a-,> <2-50

6Questo `e vero solo per bassi livelli di iniezione. Nel caso di alti livelli di iniezione le
approssimazioni (2.44) e (2.45) non sono più valide.

99
 Sotto l°ipotesi di bassi livelli di iniezione, la concentrazione dei portatori
maggioritari non muta apprezzabilmente, ossia pp(-rp) : NA e 'n..,,(z,,) =
ND. Si possono quindi riscrivere le (2.50)-(2.51) come

i›..<:››..) : Nile-(Verve)/VT (2-52)

n,<¬i,,) = ND@~<v9~VD›/VT (2.53)
e, tenendo conto della (2.48) e della (2.49), si ottengono le relazioni

pn($'rL) : pnü el/D /VT (254)

'ap(~:1:,,) = npg el/D/VT (2.55)

che esprimono le concentrazioni dei portatori minoritari in funzione dei

livelli in equilibrio.
La (2.54) e la (2.55) confermano Panalisi qualitativa dedotta nel prece-
dente paragrafo, ossia, in presenza di un potenziale esterno, la concentra-
zione di portatori minoritari agli estremi della regione svuotata aumenta.
se VD > 0 e diminuisce tendendo a zero per VD < 0.
Le variazioni delle concentrazioni dei portatori minoritari rispetto alle
concentrazioni in equilibrio (cui nel paragrafo precedente si era fatto rife-
rimento con An e Ap), che verranno indicate di seguito con ng, e p§,, agli
estremi della regione svuotata, assumono le seguenti espressioni

pin.) - 9.0 (ae/VT - 1) = (evßfs - 1) (2.56)

né(-xp) = npg (el/D/VT - 1) = -là (el/D/VT - 1) (2.57)

Esempio 2.4 -
Data una giunzione pn con NA = 1017 cm_3 e ND : 1019 cm_3, ritenendo valida
Papprossimazione di giunzione a gradino, valutare le concentrazioni dei portatori
iniettati assumendo una tensione VD pari a 0.7V.
Soluzione
Si ricavano intanto le concentrazioni dei P ortatori minoritari in e uilibrio ¬ ossia
na (9.95 - 109) 2 __.,
p., 0 .- -fi
ND - 10,9 _ 93
.1 cm

190
 _
npn _ gl
9 * (
9.65-109 2
10-17 ) - _ 931 cm 3
_

Le concentrazioni dei portatori iniettati agli estremi della giunzione vengono

quindi determinate dalla (2.56) e dalla (2.57)
,- _
la V
pi, ra.) = p..@(@V† _ 1) fa pina?? = 9.31 >< 19%" = 4.59-101%m¬3
f
ap(-zp):n.,,0( nn ala-1) ßnpge ¬i;i›QT
<1'-'¬' E :459-10 12 cm -3
:'931 >< e26

Si noti come le concentrazioni ora ricavate siano maggiori delle concentrazioni

dei portatori minoritari in equilibrio di circa 11-12 ordini di grandezza.

2.5 Profili dei portatori minoritari e caratteristica corren-

te-tensione del diodo

Si consideri un diodo e si applichi ad esso una tensione positiva, VD. Per

quanto detto precedentemente, le concentrazioni dei portatori minoritari
valutate ai capi della regione svuotata aumentano e il loro incremento è
dato dalla (2.56) e dalla (2.57).
Il fenomeno può essere descritto come un°iniezione di portatori e può
essere analizzato in maniera analoga a quanto fatto nel paragrafo 1.9. Di-
fatti, è come se lacune venissero iniettate in un semiconduttore di
tipo n nel punto di ascissa 2:.,-, e, contemporaneamente, ng(-.rp) elettro-
ni venissero iniettati in un semiconduttore di tipo p nel punto di ascissa
-rp. Da quanto discusso nel paragrafo 1.9, si sa già. che tali concentrazio-
ni diffonderanno all”interno del semiconduttore e si ricombineranno con i
portatori maggioritari presenti. La loro concentrazione, inoltre, diminuirà.
man mano che ci si allontanera dal punto di iniezione.
L”equazione differenziale che governa il profilo della concentrazione di
lacune è data dalla (1.82) e una simile relazione vale anche per gli elettroni.
Riscrivendole per maggior chiarezza si ha

52 Pt.(flf)
fißlfil-fiifl : (2-58)

52 'fi' (H1)

dove Lp e Ln sono le lunghezze di diffusione, rispettivamente, delle lacune

e degli elettroni.

191
 A ,_ K
P
Vo
.V4
u.-¢ ¬.u| ¢.u _ |¬_

fi .o |
.u .lu.| .lù.=¬.u
m.
-¬ v.r¬n»vfrn¢|r

_..

*ii"i
¬.
¦
È
il ¬.
-1.

fi, ,U = Pini) = -"ll"'1i.°.i

10€ _- ,Ups = f\'l»1

Figi( 'Ã{_;.1n'
piiirifri "H-_- "
_T_ _ _ _ _ _

hä
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L__-

1 _____: _____ __ ~
fi-igiü i'
¦
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T
H
_____:_«°'='.
: '11
É :È-<1

f--_ 3,: ís-

___:-1-,_____ _
.¬1íf,,íi-1_

Fig. 2.9 - Profilo dei portatori in un diodo a base lunga polarizzsto

direttamente.

I.a risoluzione della e della (2.59) va ricercata ric.avando la solita

soluzione generale e applicando lc opportune condizioni al contorno. Lo
studio vicnc classicamente distinto in rlue casi: 1) il diodo a fisse is.ngc:
2-) il diodo a iiase corta.

2.5.1 Diodo a base lunga

Con riferimento alla Fig. 2.9, un diodo viene detto 0. tese fango. se le
lunghezze delle regioni neutre, ii, ed i_',,, sono molto maggiori, rispct.tivs-
mente, delle l1.1ngl1ez-zo di diffusione dcllc lacune c degli elettroni, ovvero
ii,_ F2*-f Lp c sc i_í_,'., ì>ì> L,-,. Idealrnente, n11 diodo a base lunga piio essere trat.-t.s-
to come una giunzione pn le cui regioni neutre si estendono indefinita-inente
lungo liascis-sa.
I11 questo caso, f.accni.'io riferimento alle lacunc, la soluzione gerieraie
dcila (2.58) e data dalla (1.84). La prima condizione al contorno necessa-
ria per risolvere liequazione iii data dal ve.ic:-1*e che la concentrazione dclìe

19;-il
'-..rime iniettate assume per :r _ z.,,_, ossia dalla (2.50). La seconda eon-
L.:ionc al contorno tiene invece conto del fatto che lontano dalla regione
--.zotata la concentrazione delle lacune iniettate deve tendere a zero, ossia
_ _, .
';s- p.,,_l_+-oo) I 0.
Il profilo delle lacune iniet.t.ate per z `.:› ;r,,__ a.ssumc quindi liespressione

_:›);m = .r›):.e...:» = pa lfllü I il “P<2-99)

L`andamcuto di p,-,(z) = pi,(;:c) -'.- p,.,_.;;¬ e mostrato in Fíg. 2.9.
Dalla (2-.ti0) ie possibile risalire alla densitii. di corrente di diffusione
'.=.°;sata dalliiniezione di lacune. Essa risulta pari a

_j_,,(;];_]› : _g,DP-__ãçpf:,__(_;1:_) _: (el-n_..-i.f _ 1) E, [I-.1...,›._J_.-L-9 (2_{§1___]

;. _' fi -,~_;.

Tale densitii. di corrente, a causa della ricomi:›inazione delle lacune con

;I elettroni, diminuisce tendendo a zero man mano che c.i si .allontana dalla
;í'_¬.nzio11e e risulta avere un valore massimo per :ir = .z,,_

_ _ _ _ ¬. _ gDp'ft-È (_.-'_|___,__,'*i__.',:_,_ _ _ .,_:}¬.

_.i'_u _ la-iii:-r1.,l _ ___.í" E ' _ l (2-il-,l

Ifandamento di _;i,,(:i†) e mostrato in Fig. 2.10. Si osservi come, in figura,

* '-Le grafico sia stato esteso anche alla regione di tipo p in cui tale corrente
_-_ -Lo essere ritenuta cost ante e pari al valore massimo espresso dalla (2..Ei2-_).
Z ritenere cost-ante il valore di j,,(z_) lungo la regione di tipo p si spiega con
_' fatto che, nelliattraversare la regione di tipo p, le lacune non subiscono
-;:_a apprezzabile diminuzione causata dai processi di riconibinaz-ione.
La (_2.61_) mostra come, lontano dalla regione di carica spaziale, la cor-
rente di lacu11c j,,.(:i:r) diventi nulla dando liimpre.ssione che at-traverso il
:_-.todo non fluisca nessuna corrente. Seinbrerelfibe pertanto che vi sia
': contrasto con quanto si misura sperimentalmente, ossia con l*eifet.tiva
:_ :esenza di una corrente che attraversa il catodo.
In realta, attraverso il catodo fluiscono un numero di cariche ncgativc
:-':.e conipensano le lacune iniettate inizialmente al confine della regione
_-=*.-notata, ossia una concentrazione di cariclie negative esattamente pari
J-_' valore assunto da pi,_(;1:.,.,_). Tale flusso di cariche negative rimpiazza gli
-1-lettreni che si ricombinano con le lacune iniettate e compensa in ogni
j_'=¬-.into la diminuzione di j,,i,z) mantenendo costante la corrente totale ad
'ni valore pari a quello dato da.lla (2.02).

193
 ___J

A
Vs o-¬ if __,
:H

si rl -Il

.u.u.

.
-_ soit. -
-išfìfi- 1
corrcntcdicatiche E" corrcritedicariche _:
positive eniranti negative entranti dal '
i¬-.._
dal_l_“/siiodo catodo
-I-›

57.. Jliiiììi _________,.*"' _ ___,†`__,_,

-" '_" _
7" it
7+..;~= -__-P_.- _ _ _ f_ _?__ _ _ _ J _- -
=-i
-' il-á 1-i '.¬i-- iii ri

Fíg. 2.10 - Profili delle densità di corrente in un diodo a base lunga polarizzato
direttamente.

il profilo della densita di corrente di cariche negative entranti dal catodo

ie niostrato in Pig 2.10. Tale corrente di elettreni e nulla p er sr: = z-,,, cresce
gradualmente man mano che ci si allontana dalla giunzione cd ti pari a _;i,,
al catodo.
Concludendo, applicando una tensione VD, le dc-ri.s-ita di co-rrente che
si 'e-ie-ec e. creo.-re eiiii-ti-te-rrio dei diede e con-se d'eitiin_.-iez-iene di ie-enne ti
peri ei eeierc dciia fu.-tizio-ue sei'ute.te nei in-ti.n.;le di 'in-iezio-r.1e, ossia
per z = z.,,__. Quinrli tale densita di corrente e pari al valore di _-;i_-, ,. della
relazione (2.02).
Un ragiorianieiito sitnile si puii fare per gli elettroni iniettati nella rc-
gionc di tipo p. Llequazione da risolvere e la che ha la seguente
soluzione generale

ie)
: H1 e`*f="'f'†i + H2 e””-“iL"'*-

Le condizioni al contorno sono espresst-' dalla [2.5T) e dal fat-to che

lontano dalla regione svuotata la coin-e:'_trazione degli elettreni iniettati
deve tendere a zero, ossia. che ng(-:rc : L-
Ifandamento di , per :r <1 -.r;. rísiía quindi

19.4
 ~. _. '- .f .,. _;--;-_ ;- . _¬ -.

Time mostrato in Fíg. 2.9.

.analogamente a quanto fatto per le lacune. la dc-:sita di corrente di
fiifiiusione. causat.a da-ll'iniez-ione di elettroni e pari a

~ d I _
i ri z
D11- 'ii VD
- :I--.r-_I La I .¬ '
.l'n.(*f') _ _ (il ' T _ 1) È '

_' -:ui va.lore massimo si ottiene per ;c = -zp, ossia

-Jin : j__r1_[___-;Ij_T____] : ( ,[1'__.- 'J' _

_.-1 .,.¬__

Il grafico di _;i.,,(;r_) ti mostrato in Fig. 2.10 dove. .analoga-niente a quanto

7-.T-cade per le lacune, il valore della densita di corrente nella regione di tipo
: costante cd e pari al valore massimo espresso dalla (2.60).
In maniera duale a quanto trattato per le lacune, anche qui la corrente
.ii elettroni diminuisce man mano che ci si allontana. dalla giunzione a causa
ici processi di 1'ic.ombi1'1azio11e. Pertanto, attraverso lianedo si ha un flusso
ii cariche positive che con*1pensa questa diminuzione e che, contempora-
;samentc, rimpiazza le lacune ricombinatc. Il profilo d_i questo contributo
ii cariche positive provenienti dallianodo ie mostrato in Fíg. 2.10. Tale
Ijirrente di lacune e nulla per rr: _ -:r,,,, cresce gre.dualn1entc man mano
:-'ze ci si allontana dalla giunzione ed e pari a _-1'., al terminale dellianodo.
C-oncludendo, applicando una tensione VD, le. dc-ri-sito di cor-r-cate cite
eie-ue e. c-reere eiii-i-n.tern.e dei diede e. cease deii*-i-n..-iezio-ri-e di eiettroni e
_; e ri ci eeiore rieiie.. ƒc.-ri.-z-ie-ee _,i,,(:1:r) ce.i-ate.te.- nei pc.-nte di in.-iczz-io-ne, ossia.
_:-er -.ir _ -;r,,.. Quindi t.alc densiti-1. di corrente ie pa.ri al valore di j.-,, della
relazione- (2.fiij).
(lI_I,11a.nto sinora detto ie scbeinatizzato in Fíg. 2.10 dove si distinguono
T-hiaramcnte i diversi contributi di corrente. Èfello specifico, le corren-
fl provenienti dai terminali (anodo c catodo) sono evidenziate in grigio, le
_'-orrenti dovute al movimento di cariche positive sono indicate da linee con-
tinue mentre q1_1elle dovute al movimento di cariche negative sono indicate
ia linee tratteggiata.
I.-a somma dei vari contributi genera la densiti-1 di corrente totale del
diodo, _;iD, cl1e risulta essere costante in ogni punto e pari a

195
 _ _ _ _. D D _» _- _
in = si +19 = se-.È _.,__.__:if_ † .†.,..-_,,È ) (slfi"'lT - 1) (2-fifi
e _* -ri. -' p

Nel caso in cui una delle due regioni risulti molto più drogata dell*a.ltra.,
vi sara uno dei due contributi dominante rispetto all"altro, e la relazione
(_2.0T_) si semplifica in

. D, _ - _
el'-9*' l' *" - 1) se .ND >? .-Vi), (diodo p-11+)
aio = A il _ _ _ (2.68)
.-1;-nf --_
fi (el"'-f“"'il'T - 1) se _-V_.›, Il-`..> ND (diodo p+-ni)
1\'_[)1i;-__._,

Esempio 2.5 _ _ _ _ _
Data. una giun.:io11e pn con ff_.1 = 101? c1'u_3 e ND -_ 10:5 cn1_3, supponendo
applicata. una tensione VD di 0.7 V, valutare la densità. di corrente totale del diodo.
81 assuma che la mobilita sia pari a 050 t:11:1f_,f' Vs e a 130 cn1f,.f"i»-"'s ríspet.tivan'1e11tc
per gli elettroni e le lacune e che i tempi di ricombinazione siano pari a 0.5 us per
entrambi i portatori.
Soluzione
Dalla relazione di Einstein si ricavano i valori dei coclficienti di didusione
o,. = 1e¬,.1,. = se - 10-3 s ise = ass ssd.-'ii
if-fi-,s..._ = ss ~ 10-ti s ese _-. 1s.ses1È__e
e le ltmghezze di diffusione dei portatori risultano

L, = ,L-,.,e,, = ,/0.s.10-fi sf sfss =1.s›10-E ae = is sia

L-.,,._ = -rrr,,i':i†_ 2 1,//0.5~ 1043” si 10.9 = 2.91 - 'li_l_3 cin = 29.1 |.1.1'n

Quindi, la densità. di corrente si trova applicando la 2.07)

_ *J _ _ .., _ _ -. ' 3
JU -_- .gr-]r,1__š _ (E, LT _ : . 19 :__: _ :___:

1e.s _
ff (11J1†s;z.s:-111-3 'l 11119:-:.1.s-1o--'iii ff ff' 1 _

= ce - 10-1* s__.--'ese

Lianalisi fin ora svolta ie stata effettuata nell'ipotesi di VD positiva. In

realta le stesse equazioni valgono anche quando la tensione applicata e
negativa. Cio che cambia e solo il signiñcato fisico da attribuire a.i termini
p§_,_ e , che non indicheranno più unfiniezione di portatori minoritari

190'
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iii.

_ _|. u-nr u- rn-ur _l:,_ _ _ _ _ n.|_|. _|_|_-.u.| .| u.u .u.-u.

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pusiiiwfe uz-:canti üäiüüü
fl:-IH* almdü

3 g. 2.11- Prüfilü dei pürtatürì e delle densità di corrente ìn un dìüclü H base

ƒga pülarìzzatü ìnversamente.

'__i:;;<1111;«;:› 1Jiutt.ust.ü una dìII1ìI1112-ímlü di Erãsí. Dì C.nnseg11eI1za :_11'1|:;fl'1:3 ì prüfilì

-Fi pn1*ta.türì el-fícìellzíwßi in 2.53' E i plwírfilì cììülle densità di c:»:11're11tH in
Éig. 2.10 an-=1'EL11nü un andalnentü fìívf;~.1'5ü +:.ì1«: 1-'iürle Illüstlfla-tü in Fíg. 2.11?
In q11:?::at.1-.1 sít.11a.z;ì+;'JI1e_, ì prüfilì (ici pü1*tat.ü1”í mínmít:-1.1*í all?-Ht.re1'11ítšL cìella,
:%gí¬:›nE 51-'1_1üta.ta llallnn dei va1¬:::1'i Inultü baääì .'21. musa dai. Lf::1*111ini fiäpünell-
:gli 51119 t;end0111:› 3, 2e.1*ü per I--“R >> Lülltz-3,110 dalla gíuI1fiiüI1E_,_ ì plfifili
t-:-Ildürlü Ilum-fa.II1üI1te al lürü 1-'a.lü1¬E in eq11í1íb1'iü.

«-

" Si :*1=:=urc1i ~:;:h~:: la tensì›::n1e I-"}.; fipnsìtíx-fa.'] as.:¬;11me lu stesso sígllilíc-atm di una. t.~:=.nsìc:›n=:~.
'. ';. nGga.tì1-Ta.. Quindi 111:-Elle füIn'111l›:-1 si dum-*rà 5051-ìtuír-E E1 1];-,I ii ¬.'a1ü1`I3 di -I-gn.

lil?
 1.5 1151151111 di 501101115 11115515 1.-1111151 50110 1151,f51.11-'0, 1111110511110 1111111111
0115 111 0111101115 510111105. 51 1111101-*5 111 11110510115 01111115111 5111151550 11:: 055111
11511 05.1-0110 115150 111110110. P51 111151110 11g115.1115, 15 150111151 51 115551115 0115
5550 50110 1111111115 111-111?11.110d11 5 0115 11111115 111 11115510 01150 51 115111110 11115
1:0111111111t1: 11 11111110 111.1151110 11111 13011111115 055111 1111. 11115115 1100110 111011115
[1111110111-51115) 0115 1151111 15gi0115 11 11*5.1151111.1'10 115115. 1'0g10n5 11 1111011.00111111115
111 11015110), 111011115 il 550011110 115.10 1151115 111011115 I: 1111-1gg101'1t 111151 0115 1-11.1'1110
1151111 15gi0110 11 115150 1111110110 (11110.-31 001111111111 111 11115111] 5 0115 0011111511511110
15 11í11111111510115 111 ;.1}.1(;1:). 111 1115.111515. 11115151 1111 5101110111 {'11111101111111}, 0110
1151115 1-05110115 11 11115511110 51111 15g10110 111 1011115110 111 11111101115 _;1`n[;11} 1111511
1.15115g1115.t5. 111 1151511011 111511115 11 51¬.1:11111ì0 0011111111110 11 111110 1151111-1. 1:01151115
111 5151110111 1'115.gg101'11511*1) 0110 11111111 15g10110 11 51 1111101.-'01111 1.-'5150 11 01110110
(1111115 1111115ggi515. 111 _g11gi0) 5 0115 001111151155110 15 1111111111_15111110 111 _-11111111.
1 11115 111111111 1151111 51:00551 111 001100111:-111510115 1151 110111-11011 11111101115.11 1111
0 1111.11, 1105111111 115115t.t.i1.11111151110 115115 [2.ßU} 5 115115 (2.fii¢1:J1 051155110 115111
5111111111011 111 0111105. 11.11`1111-51110 1151 111511051111.-*0 0115 1-15111151110 1111010551111t1 115
551111111'11115. 111 11511'111:015.15, 001115 1110511510 115,115 11155 111 g1'111_;10 111 F1112.91
1111115510115 111 111011115 01511 1111 5001111111111 111 115111111 115115 1'5gi10115 11; 1101101-1115,
0011 Q51.1 111511110 111115510110 111 5151110111 01551 1111 1100111111110 111 01111011 1151111
1'5,1;10115 11, 115110111111. 01111 @1111.
L11 1151105 QUE, [11110511 001115 00-1-1011 1151* -11-11.1111 111 5-5.115-111111-15 0 11511511111.
111 011.-1100] 51 11110 d01011111115115 1111.51_11511d11 110005550 111 001105111151510110 115115
1515.1111* 11. 115111110 11111 11111110 111 111155101101 1111111111, 1011011110 00111-0 1101111 (2.60):
15 d5115111=1. 111 01111051 1101-*11111 5111111110-11111115 111 111011115 11511111"-1
+35 _ :I:-r:.'¬» 1

@1111/ 1›:111f111f= -1111111111

' :EW -I-'U-11
=111p1:1111»1:+12.@@1
01111, 1151 15. {215(1}, 111111 055515 11501-1115 001115
_ 1
Q _ L 1"1--1 1--11 1-1-'T 1
--D5-11 H ' "- [1-I”-1 -..__'| .""'1-__¬I.-' "-¬¬,_1-'
_-15
C011f1'01111111110 111 { 2.111) 0011 1`5511155510115 (2.62), 51 111111 1150111-'5111 15
115551111 111 001151110 _j.1'1;, 001110

_ Qflp _ Qflp (,31

*F19 -__ H'-Â' 1' -
.tf횃-'I 'JIP

1111115 110115. 551:011d5 5511155510110 51 5 151-10 1150 1151111 (1.83) 1151 551111011510 11
15111110 111 1-1115. 11151110 115110 111011115, 1-11.

10-S
 Ls relssierie 2-.Tlj ferriisee uiiie-spressiene alterristivs per rs_e_:=:e¬-_=e:1ts1*e
derisits. di eerrerite jp esseiide que-sts psri elle. densità di esries deviits
'-.lie lseurie iriiettsite: Q5? dit-'ise il tempe di t-'its medie delle lseiirier rp.
lri 111s11iers sirriile, si può serivere ehe ls derrsitit di eeriee. gne dsts

-._-›_ *I*
Q.DH _
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ii” _n"p'l*i-1')
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1-fs ' 1--'T_ ' _ -f=;.
(2-7*)
~ -ee -'

É-_=;=. tenende eente delle {2.5T:] e della {_2.5fi_}= perte s serit-*ere

. _ |Q.esi _ L1-sl .-,

J' i -_ .f _ 3
J 1 -†-L JT-;|-'É ( I )

quale ferriisee urüespressieiie slterristivs per ls densità. di eerrsrite de-

'"_11Ls sllliniesierie di elettreni, ju.
Di eensegurrriss, ls derisitåt di eerrente del die-del jüi pile essere espresse-
:edisrite serrirris delle [2.'T'lj e 2.T3fJr essie

_ _ _ IQ ._ Q _,
Je - .rs + gs. I '-TL'
-rt
+ -riií
"ri
'52-'f-'il

2.5.2 Diede si base eerta

Nel esse in eui le regierii qussi iieutre risultirie più eerte delle lurigliesse
ii rlifiìisiene dei perteteri: più preeiss.1r1erite E; -<: L-H e -á L-TH il diede si
-_¬li1':}`t e bess ee-rte.
l11 queste esse i fsrierrielii diffusivi .smfengene in uris. regiene spssisle
;:+s1*t-ieelsirrrierite ristretts, ehe rieri perrriette più slle relssierii (2.60) e (2.54)
di essere selusieiii i-'slide delle ec_11_1ssie11i e 2.59). Tiitt-sft-'is._¬ i prefili
dei pert steri r11i1ierits.ri pessene essere iigiislinents deterrriiristi sssiirrisrid e
elie 1) gli eeeessi di eerieeritrssierie dei perteteri rriirieritsri 1-'sliitsflti egli
estrerrii delle regiene sviiei.-s.ts, serie sempre cisti delle (2.55) e delle {2.ñT];
È':} gli eeeessi di eerieeiitrssieile dei perteteri rriieeritsri si sririullsiie s.i due
eer1ts.tti elettriei del diede? essis. jJ';1{I_1.† 1- = il -_'_; = U; 3} le lurigliesse
di diffusierie L-.H ed Lp selle tslrrlerite gretìdi -if. 'Ls-2-:iíirsehe le eqiissieiii
e si pesssrie se1111_¬›li{ies..re ii;

52 , H Hr
51:-2Ps_{'~Él : U K2-"sl

IU9
 32 ,›- = U
ãttì-Etr1lt,{_;rr) _ _
(2.75)

Sette teli ipetesi, i prefili degli eeeessi di rerlf:-eritresieiie dei perte-

teri rriirieriteri essuruerie url eridesrierite lineere elle: per le eeridisierii el
eeriterrie sepre espester diveriterie

i›;i<:f¬) = villes (1 ~
5,, ** ) ~
I _ I 'rr

_,-' :Ill: _ _ _ ___rr_|

_: pnl] (ül.f,:_,.lí1¬ _ 1) (1 ___ (2.1, U

,. . ,. ;r†+;r.
'TE-;r3,1`iJIf} = 'ìlíüli-1393) 1+ _?-E "-_
.s

= -ri-_se (el'il*`›”il'iT - 1) (1 4 L
È IP (ZTE)
s

il eui erlderrierite e rriestrete iri Fíg. 2.12.

Dei prefili di perteteri i11ietteti_¬ det-i delle relesierii [2.T?'] e (2*..?É›:}: si
pesserie rieevere le due deusite di eerrente di diifusierie devute ei perteteri
rriirrerit-eri lulige le regieni quesi rreutre

, .D ` I _-' .' , .-
: jp : (E1»e«-ì;s¬ _ 1) Life)

.jriímì : .Ji-'I1. : íüilüflii _ 1)

".='-l--*ie _

In queste eese? e jn serie eesterrti lung;-::› liesse :r e neri si esserve

riessurie diruiruisierie di eerrente iriee rrrerie elie ei si elleriterie delle i*e_s;ie-
ne di eeriee spesie.le. Giù signifiee elle -r.r.e›l diede e be-se se-rte. -:i pri-rteie-r*t
-È-rt-tested-;i rie-rt .sir-öisr:erz.e ele-se fe-res'rr'ese.e di -rieerr:-bi-'rr-e_s-ie'e.s nel lere 1-*ieggie
verse i teruíiirleli di eeritette. Queste in reelte 11e11 e del tutte vere e dipen-
de de. querite siene velide le eppressi1'r1e.:5ier1i delle equesierii diJ.Ter'e1'1s-ieli
[2.T5) e {2.TÉi). De url pulite di viste iisieer le espressierli {2.T“'T:¦| e «[2-.TÉå:}_, e
erielegerrlerite le (2.79) e (2.80), esprirrierie il fette ehe le regierii rieutre del

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5. 2.12 ¬- Prefile dei perteteri in un diede s esse certe eelsrìzzste-
:Ã'ettemente.

iierle ed lg) sene telniente pieeele elle le eerielle iniettete 11en lienne il
fsnipe di rieeinbinersi.
ìlenestente lles.sen:«:e del fenernene di rieeinbinesiene: enehe in queste
:ese si pile efierniere ehe, epplieende une tensiene ll-*}3_, le ele-n_.s-nei. di eer-
-"-:nte elte sl trlee_.e e er^es.i"e elll-interne clel diede e sense clsll"l:s.'lesfiien_e di
'fe-tf..-ne edal elel-lren.-IE. ri peri- el se-le-re delle fu.-r.ts-lens jF[$} edellr1_ftI--rt-s-le-es
_'l_ ee..lnte.le nel p-'s.'e-le rl-l -:š~n.ie_s-le-rte.
Le densità. di eerrente tetele di diFf1_1siene elie fiuisee nel diede e dunque
peri elle sennne dei due eentril:›ut-i_ essie.

_ _
_-M3, = _-3.1, -I .ls = g'rt;l _ e _

+ D ...

(el -'-JT - lì
|
_ _
_ _ _
(2.ë_š1_J
-1 _-` 'p " "'11

_enelege.nie11te e quente fette per i diedi e eese lune;e. nel eese in eui
une delle due regieni risulti rnelte più dregefe -íi›.=l'eltre le eerrente di
difftisierle pue essere eppressiniete sele del E-e:':'ri°;¬_'_:f d-:Iinsìe

ill'
 N
_ E (el D-' l *' - 1) se P1.-'_;_,; en- _"¬._1, [diede p-11+ J'
.e-_» = t' _ _ _ {2.s2)
qnt? “___ I; íel'i'-`“"l'i'1" - 1) se .l`\lg Išše IR-';;. [diede pf-n:]
›-' 'D--s
.»'f'lnehe in queste eese e prissiliile deterlnirlere gli eeeuniuli di eeriee. de-
vuti ei perteteri inietteti presenti nelle regieni quesl neutre. Le densite
di eeriee eeeuinulete nelle regiene di tipe n si ee.leele veleeeniente eensi-
derende ehe esse li: peri e.ll"eree in grigie delirnitete del preiile di in
Fíg. 2.12, de eui

ee = <1 ll“*“fì'
" fi
* “l_' = È llT1'rl-_?in (@*f“f
_» _*
2
~ 1)' 2l"'\";_}
(Em
Sirnilinente, per le eeriee eeeuniulete nelle regiene p si lie

I l ¬'Ii
E -:r:.;_ì qll -11.3 _. __- _ _
iQss_. = sei = (sis-«lr -1) (ss-11;
.-"_`¬-¬
"-É'-u

Pertente, tenende eente delle [ÈÉÈJ] e delle 2.80):si pue serivere

.ft-» ~ @ efi-fi)
-in = í|Q““*| (essi
l Tir: n

deve le quentite

-..|'_|!_:|rf_¬:.|:_;| : _ --¬_- ir

sf _
Ts~_s_ = {2-881

sene eliiernete te-rrtp-l rl-l tren-silte dei perteteri rnineril-eri nel diede, in
quente 1"e1:=pr'eser1ter1e preprie i tenipi iri1piegs_.t.i dei perteteri inietteti per
reggiungere i terrnineli di eentette.
Si pue quindi esprirnere le densità- di eerrente L1nelle seguente ferrne
elternetive

Il/“2
 1.. = +1? = lÉ9““l 9.5? " .l'.f'.-ra. 1' r-dp
<2-el

Èsrrl pie 2.5 - _

Dete une giunsiene pn e liese eerte. een _-`~."_å : 1l_`J;'l r:.r:n`:l, _-"'~."f_~. = lljll' ›:_fII1'3 H le =
3;. = 1 uni, suppenende e1:›plieeL.e une rensiene li-il di 11.? 1?, velutere le densità.
di eerrente telele del diede. la-'lelLL1.e.re ineltre i ternpi di trensite dei perteteri. Eli
esserne elle le meleílità peri e 6-Il] einlì-ls e e 131'] r:rr1l,-"Vs rispettivernente per
gli elettreni e le leeune.

:eluziene
l° LEHE
¬ tF1_.`e11ti
F1 di diiiiirslerle e le lungliesze di diiiuslene sene gli stessi delllesenì-
pie 2.5. ll diede e evidenternente e eese certe. E neeesserie tuttevie rrevere le.
lergliesze l-l-'_' per
' deternnnere
" * ` " " *
lesette - ' *. dl' llF e__ ll.
velere ___ _il pp lieende le fernuile
nete si treve prinie il peteneiele di giuneiene
li" :___: lülll-

- te is åll = eese e in lílü

_ E = eee v
ì[s_†3e ~ 1_e*-*}
e sueeessivsinente le lergliesse delle regiene svuetete per 151:. = U.T`l.-"_ eine
. .I _ _ _
“FI _ ,' i
Il
ll:-" f f _ ID-Iie 1-I 1_s~iu-le
1- et-*_.»_ 1 *
2l`:1'ül*'i'“ “_ se1.es-ri.-rJ=
e rev
_ _ _

= s_s1-1s"lsm= sei sis

Tele lergllesee si estende Ineggierrnente nelle- regl ene mene dregete. essie nelle
regiene p. Tuttevie il sue velere e treseureleile sie riepette e lp ehe e ln. C-eine
eerrseguen-se à leeite essinnere li? se lp Q l__f__ 2 ln. l_'eiel1e ineltre il diede preseiite
_-`¬«lp 3? I*-"'_e_ si pun usere lleppressiniesiene dete. delle |f2.i¬ìl*2'} per il eeleele delle
densità di eerrente. eiee

_ e D-ffi V _--:_| I r É E
JLJÈ I ' Il E ' K E 'È 3|-la :

2
-_ 12.4 àƒeln

Si esservi eerne nel eeleele siene stete fette delle eppressiineeieni le eui epiege-
ziene e leseiete el lettere.
Per eernpletere lienelisi si velute-ne i ternpi di rrensire dei perteteri e-ppliee-nde
le [2.ET} e le [1-Eiëll

2 (ire - in- “jd

1'¢.fi___;. se L =
se.. s_ e- ess_ _ i.-'lens

__ ___ ,gg _ ['1eü-iii-'“)l_2_____ _

"""'=“"“2r;+... eeree _ * Pi

115”
2.5.3 Curve emetteristiee del diede

Dete. le densità di eerrente. _-,iD_ nieltiplieende =:1uesti1_1ltin'1e- per lleree

delle. giunsiene__ Ag. à pessibile rieevete le. eerrente elettriee.
Delllesserves-iene delle densità di eerrente rieeve.te sie. per il diede e bese
lunge. ehe e bese eerte, si pue nete.re ehe in en1r*e.rn`ei i eeei le relesiene
tensiene-eerrente à L1gL1e.le, e pue esser repprese.ntete. delle. releziene

rp = rs (el"d1v"l"'1" - 1) {2.e1)
deve il terrnine l_-;;_. ehieinete ee-r're'e.te -i-n-sense. di se.t-rr.'r*e.eie-n.e. à peri e

. D D. _
r¬__e -¬_-=`* _“- -L 2.91
L5 Dgni illfílifi-n_ + _"ll›f'T,f)I__-F3,

per i diedi e eese lunge., e

_ È en I e
I_.;_- : _›lflqs. __________,_____ _ _ _ _ _ _ _ _ _ l“š_ _
_
12.92)
_

per É diedi e ljiese eerte.. Ovviernsnte, i terniini in pe.rer1tesi nelle 1:2*-.91] e

:ui-ile -2.92) pessene essere sernpliiiee.ti_ in eeeerde. rispettiveniente, een le
È.Éiì~.- e een le [2.Éš2). nel eese in eui une delle due regieni sie rnelte più
dregete delleltre..
A Inene delle eerrente inverse di set-uresiens__ elle pue essere pensete
eerne un fettere di seele. tutti i diedi henne un eernperteinente deseritte
delle. (2.90) e ripertete in l¬"ig. 2.13. Tele eurve. elle pe.sse per llerigine.
lle un ee1“nperte1'nente di tipe espenensiele nel sernipiene destre ed un
.ern;le.r1'1e11te eestente nel sernipie.ne sinistre.
Nel eese di tensieni epplieete elle detsrrnine.ne le peleri:see.sie1'1e dirette.,
il terinine espenensiele risulte derninente rispette e -l. lriietti, een une
tensiene lifiçi peri e quettre velte le tensiene terrniee- FT lquindi une lffp
di eiree 1UU1nV_l. treseurere il ter1nir1e uniterie rispette elllespenensie-le
deterniine un errere inferiere el 2% elle, el ereseere di li--fp, riduee espe-
nensielrnente. Quindi. in pelerisses-iene dirette le eerrente del diede pue
essere eppressiinete. Inediente un endernente pureniente espenensiele

rp = IS s`*'f~ “T 1ess)
sense eernrnettere grendi erreri_

nu;
 il-ITI; | | 1 | |

3m_ , __.

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-2.43 -1.5 -1.ü -E15 U_U ü.5 1 .El
VU Wi

Pig. 2.13 - Curve eeretteristiee di un diede el silieie [Ig = 1l_l_15.-à).

Delle Fíg. 2.13 `e et›l¬.«est ene e evidente ehe. e eeuee dell'endernent-e espe-
Lsnsiele, esiste un velere di tensiene_ dette te-es-le-ee di s eglzie., lflƒ-_ el di sette
islle quele le eerrent.e à essei pieeele ed el di sepre delle quele le eerrente
.resse inelte veleeentente. Tele tensiene viene i11 genere delinite eerne quel
'fslere el di sette del quele le eerrente risulte- inferiere elllune per eente del
:nessinie velere tellerete. E-sse, per diedi el silieie_ à eernprese tre 0.6 lv' e
-.il-T. e pue essere generelrnente essunte pe.ri e U.T`\.l _ Le tensiene di seglie
_tsr i diedi el gernienie puà inveee essere essunte. peri e [l.2`ll.
Nel eese di peleriesesiene inverse lergernente del terrnine espenensiele
-'- negetive. L-:espenensiele rplinrli deeresee veleeernente e.l ereseere del tne-
iule delle tensiene e.ppliee.t.e. sine e risult.ere treseurebile rispette elliunit à.
1:: queste situes-iene, llespeneneiele pue essere treseure-te e. essurnende une
1-1-nsiene in niedule peri e. quettre velte le tensiene terrniee lffii. llerrere
:-:inirnesse à inferiere el 2-lt. Quindi, in pelerisses-iene inverse ls. eerren-
fs pu-à essere eppressin1e.te seniplieernente de un velere eestente peri elle
_'--.:›rrent.e di set-uresiene inverse

lp = -.lg [2_9e_}

ln eenelusiene, il dispesitive, il eui si1n`eel›._- :ir:-::_itele e ripertete in

Éig. 2.14; à un eenipenente 11en lineere elle pf;-"_. ess-.ì-rs sentplitieete se si

.F15
 _ ' i _ _

= ß5 I¦
A p = e 5
5 _E K
_ .. r'1l|",[_1

_ _. '

A K

Fíg. 2.14 - Diede e simbele eireuitele +::errispendente_

eenesee le tipelegie delle tensiene epplieet.e. e.i suei eepi. Ulterieri seinpli-
tieesieni dell°eqiie.eier'ie eeretteristiee del diede utili per lienelisi eireuitele
serenne tre.ttete nel peregrefe 2.9.

2.5.-il Effetti di genereeiene-rieenileineeiene ed elti livelli di inie-

eiene

Le relesieiii rieevete siiiere. sene stete etteniit.e velutende le eeneen-

tresieni di perteteri iniett.eti ei eeniini delle regiene sviiete.t.e t.reniit.e l'e-
quesiene di Belts1nenn_ e set-te llipet-esi seinplitieetive elie i perteteri nen
siiliiseene eltetti di generesiene e rie.ernl:›ir1e.eiei1e ell"int-erne delle regiene
di eeriee speeiele. lneltre, ii stete eiielie ipetissete elie nen ei si trevi nelle
eendisieni di elti livelli di iniesiene_
Xelle reelt-à, le suddette ipetesi velgene in niede siitfit:ient.ernerit.e eeeu-
_ret.e nel eese di diedi el gerrnenie_ rne per giunsieni el silieie e e.ll"erseiiiure
di ge.llie nen risultene serripre edeguete.
Nei eesi reeli, eleune delle eeriehe elie et.t.re.verse.rie le regiene sviiete-
t.e si rieenibinene inentre eltre vengene genere-te elllinterne delle regiene
stesse, deterniinende, ei berdi delle regiene svuetete, un livelle dei perte-

liti
' :ri niineriteri diverse de quelle utilissete ed espresse delle {2.àé1} e {2.eti}_
'; pertieele1'e_ per bessi livelli di densità di eerrente, i tenerneni di gene-
Jsiiene e rieenil::›inesiene elie evveiigerie elllinterne delle regiene di eeriee
fljesiele nen risultene più t-reseurebili_
Per ineludere gli effetti devuti elle generes-iene e rieernbinesiene di per-
' _'-.T eri elllirit-erne delle. regiene svuetete, biseg1'ier'el2ilie veliiterrie il lere een-
-rieiite nette e, nel eese in eui le i'ieeriil?iiiie-siene sie. preveleiit.e rispette
:-.Le gf;¬.rier*.e;:iene leerne evviene nei eesi reeli}_ settrerle e.i livelli di iniesiene
_'-_'eeleti preeedenternente.
Tele eeleele à erierese e_, spesse, peee etlieiente per deserivere il eeniper-
'_:-;nente del diede. Pertente si preferisee tener eente di queste eentribute
1;;-.T-die.nte liintredusiene di un pereinetre eerrettive einpiriee iielllequesiene
_;-.:'et.t-eristiee del diede. ln ge.nerele_ si à trevete elie il eentriliiute devute
;e genere-siene e rieernbine-siene nelle regiene sviietete pue essere feeil-
:;'__=nte eensiderete intredueende un eeeíideieiite, ri., eliieniete eeefilrrierr-
fs- ill sei.-lssileee nelle relesiene eerrente tensiene del diede (2.90), eerne
;';'__-.1stret.e nelle releziene ripert-ete di seguite

..EL _
.lp I .lg (EHVT -1)

ll eeetfieiente ri à presslrne e due per bessi veleri di densità di eerrente;

'ssie quende deiniiiene gli effetti di generesiene-rieeinljinesiene fà peri
-_-setteniente e due nel eese in eni il eentribute devute elle generesiene-
:ieerribii'ies-iene e rnessirnel. Velr: line nel eese in eui il livelle di generesie-
;s-rieenilJii'ie.sierie à esseiite e treseurel:=ile_
Per quente riguerde l`ipetesi reletive ei livelli di iniesiene_ nel eese in
.ui le densità. di eerrente sie suflieienteniente elte de inediiieere eppres-
:ebilrrierite il livelle dei pert.eteri ineggieriteri [elti livelli di iniesiene)_ le
1- srrente elie ettreverse. il diede presente e.nelie une eeinpeiiente di deri-
eltre elle eenipenente di ditfusiene. Di eeiisegiierise. nen e più velide
Éipetesi di evere une eedute di tensiene nulle nelle regieni quesi neutre.
Éie signiiiee el1e_ epplieende el diede un petensiele esterne l/1-_›_ une pert.e
.ii tele peteneiele eede nelle regieni quesi neutre e ei eepi delle regiene di
_-eriee spesiele si lie sele une persiene delle tensiene epplieete. ll eentri-
eiite di l»-le nelle 2.90]à dunque rriinere del ¬.'elere epplieete dell"est-erne.
De r1ue.nte dette_ si eepisee ehe enelie tele etfett-;. pz:-fi' essere deseritte del-
le in quente il eeeítieiei'ite di ernissier._e_ .;_:._: ::"_';;;s1nente velutete,
rende il velere effettive di V¬_p iriiriere rispr-ii-_; ;-'-_'i:-. fs"_-ils epplieete ei

11"?
 rnersel:-ti del dispesitive_ tenende eente, quiridi_ di quente evviene per .e.1-
ti livelli di iniesiene. _-àiiehe in queste eese. il eeeflieiente di erriissieiie à
pressiine e due nel eese di elti livelli di iniesiene rnent-re vele une nel eese
in e.iii i livelli di iniesiene siene be.ssi_
ln eenelusiene_ sie gli edel:-ti di genereeiene-rieenil'.+i1ie.:eiene deniineiiti
per bessi livelli di eerrente] sie. le dirninusiene delle tensiene e.i ee.pi delle
regiene svuetete. rispette e.lle. tensiene epplieete lderninente per e.lti livelli
iniesienel pessene essere deseritti rieerrende ed un eppertune fettere ri.
nelle (2.95), elie serà pressiine e due nel eese in eui questi effetti nen
sie-ne piii treseurel?.=il_i. Il eeeitieiente ii. pet-rà essere peste e- une per livelli
interinedi di eerrente deve sie. il priine feneinene ehe il seeende risiilte.11e
treseiire_l:_›ili_

2.5.5 Dipendenze delle tempereture

Le releziene eerrente-tensierie [2.9[l} e le piii generele (2.95) sene funsie-

ni irrrplieite delle tenipereture_ diperidende de questlultiine sie le tensiene
terrniee, lfl;-_ ehe le eerrente inverse di setureeiene, lg.
Le tensiene terrniee l»'i1¬_ per sue. detinisiene, à diretteinente prepereie-
ne.le elle- ternpereture esselut-e_ T. Le eerrente inverse. di seturesiene I
dete. delle (2.91), dipende delle teinperetiire in quente i eeeffieienti di dif-
fusiene [DP e DH) ed il livelle intrinseee di perteteri (~n.;} dipendene de
ll".
.àiiehe in queste eese_ une deterininesiene enelit-iee delle funeiene l_q[T}
risulte eernplesse e peee utile in queste sede. Si preferisee quindi, per re-
gieni di sernplieità_ deserivere ernpirieeinente liendernente di I5-[T:J. Spe-
riinente.lrriente si veriiiee elie, in un interne delle. teniperetiire ernbien-
te, 'Te = 300 le. eerrente inverse. di seturesiene reddeppie. egni 1l]`i`C
di t.eri1pereture. Il sue eiideinente puà quindi essere reppresentete delle
releziene

if.-( ..ils-_ (it) (we)

deve .1'_5f{'Ti3_} re.ppreserite il velere delle eerrent.e inverse di sel..i_1r'e.sieiie ini-
surete e 3l}l_lK. Le quindi reppresente le dipeiiden.'re. delle teriipe-
reture del diede peleriss-e.te inversernente_ in quente in teli eendisieni_ e
een lniene eppressi_rneeiene_ le eerrente del diede à peri sele.niente e.lle
eerrente inverse di setureeierie.

115”
 ln pelerissesiene dirette, inveee, bisegne enelie t.enere eente delle. di-
jendense devute. elle tensiene terrniee là; elie risulte presente nel terniine
'-spenensiele. Fšuppenende il die de pelerissete dirett.eniente e ettreversete
ii-_ une eerrente eest-ente, lp, rriisure sperinient-eli rivelene ehe le tensiene
` ';_ in pressiniità deliri teriiperet.iire. erril.iiente, Ti; : 3110 lt, dirninuisee di
'lire 2.2 iril.-"' per egni grede di ternpereture. Quindi, per diedi pele.1'iss-e.ti
;'_ regiene dirette si lie

di-"li __ii1`l.-"' .___ _ ,__

- H ' .É_ _..-l'
tir 2 se l 'J
Tele edette ee.use, ellle.iiinentere delle ternpereture, le treslesiene ver-
.-- sinistre delle eere-tt.e1¬istiee eerrente-tensiene del diede, detei'rniiieridi¬.›
*; eensegiiense une ridusiene delle tensiene di seglie. Quindi, in rriede
eì,';|_ivele1'ite, si piie etlerrnere elie in i_iii diede pele.r'iesete diretteniente,
Ttzerit-eiiende eesteiite le tensiene epplieete, le eerrent.e elie le e.ttre.verse.
sunierite- ellleunientere delle t-einpereture.

2.6 Effetti eepeeitivi

Le rele-siene eerrente-tensiene del diede perinette di deserivere il eern-

_"_:|i¬te1iierite di une giunziene pn e besse frequenee. lt-lediente le {2.9U:i
si pue quindi ettenere le eerrente lg risiilt.ente ilellleppliees-iene di un
:_-.~ten-.riele lf“lf;;› e, vieeverse, le tensiene id; risulteiite delllepplieesiene di
:ne eerrente Ip. Tele legenie lunsienele à un legiirrie di tipe -st-etiee nel
s-_'-nse elie, eerne nel ee.se di un resistere lineere, eeinliiende il velere del-
le tensieiie_,lt1er'rent.e epplieete si ineditiee istent-eneeniente il ve.lere delle
1-:irrerit.e,ltei1siene risiilte1it.e_ Le {_2.l}ll), quindi, deserive il diede eerne un
:esistere nen lineere e nen presuppene llesistense. di eleun legenie dine-iniee
ire le vei'ie.l':.~ile stinielete e le verie'eile di useite..
ln effetti, in un diede sene presenti degli e.eeurnuli di eeriee elie le
:-:=iidene nielte siinile ed un eendensetere. Un prinie eseinpie di tele eeeu-
:_;ule di ee.riee à preprie le eeriee innnegessinete nelle regiene sviietete,
'_-lie pue essere ininiegiiiete eerne le eeriee iiiii1'iege:›::›:iiie.l_-e in un eenden-
setere e feeee piene e perellele. Per eseininere qiielitetiverrieiite Yeflette
il quest-i eeeuinuli di eeriee, si suppenge. elie le eerrente elie ett.reverse un
iíede pessi reperitinerneiite de ID1 e Im. iie;;L:;ìsiì":|:'iiìi pertente een l/*"-gl
s l-'bg le teiisieni elie si gerierene ei eepi -:lei zi-:
1; -.:~errispei'idenz-e dei
Jiiie veleri di eerrente e een l-*lil e il-le le rispstti'.'s 1-s:;';sr:e delle. regiene

Ill?
svuetete, dete delle (2.38). ln queste trensieiene, le eerielie elllinterne
delle regiene sviietet.e niedifieene le lere dispesisiene spezie-le e, peiehe e
eeiise degli effetti eepeeitivi henne une eerte inersie el rriete, eeeerrerà un
eerte teinpe effinelie si pessi delle. lergliesse il-"1 elle lergliesse. l--V3. Quindi,
eeeerrerà un eerte t-ernpe e.ffinehe si pessi delle tensiene lfñpl e.lle. tensiene
l-flgg. Tele tenipe, se pur lìireve, fà sernpre une que-ntità linite..
Se le veriesiene di lp à nielt.e lente [besse freqiieri:«:-e), le eerielie rieseerie
e seguire l:›ene le veriesieni teinpereli delle stirnele eppliee-te e nen esser-
verà eleune inersie el niete, evvenende queste in un tsnipe pretieernente
treseurebile_ ln queste eendisieiie, le eques-ieni rieevete finere rieseene e
deserivere effieieriteinente il eerriperternerite del diede. ìiel eese in eui le
veriesiene evvenge in un tenipe eernperel:-ile een quelle elie eeeerre elle
eerielie per speste.rsi e.ll"intei"ne delle regiene sviietete (elte fi'eqiiei1sel, si
esserverà elie, une velte pesset.i de I,51 e lpg, eee.errerà i_iii eerte lesse di
terripe perelie il diede pessi delle. tensiene lffi-_~.1 e.lle tensiene lfpg in queiit-e
liinersie del inevirneiite delle eerielie nen perniette lere di seguire le eelere
veriesiene del segnele epplieete. ll.-'li se.rà, quindi, un intervelle trensiterie
di tenipe nel quele, pur esseride irripest.e le eerrente lpg, il diede nen
presente llettese tensiene finele lfifig, rne une tensiene interinedie tre il
velere inisiele e quelle finele. Tele fenerriene à eernperel.'›ile ei fenenieni di
eeriee e see.riee di un eerider1setere_
Biel diede pere le situesiene nen à eesi senipliee eerne nel eese di un
eendensetere e feeee piene e perellele in quente i suddetti eeeuinuli di
eeriee. nen dipendene lineerrnerite delle tensieni epplieete. Quelle elie si
viene e ereere ei eepi del diede à quindi un eepeeitere nen lineere di eui
tener eente nelle epplieerrieni ed e.lte frequens-e.
l eentril:›uti eepeeitivi devi_iti egli e.eeuniuli di eeriee elllinterne del die-
de seiie due. Il prirne tiene eente, eerne deseritte quelite.tiven'ierit-e in
preeedense, delle ee.riee e.ll"interne delle. regiene svuetete. Esse à seinpre
presente e deterinine le eesiddet.te. ee.pe.eitd rl-i .s-irii.ete.~ei.eete e di _r;fiiiri.eie-ii.e.
ll seeende eentrileute tiene eent.e delle eeriee devute ellleeeesse di perte-
teri inietteti e, per sue. netiire., si nienifeste- sele in pelerissesiene dirette.
Esse deterinine. le eii.pe.r':iiEri rl-ii il-i,fiFii.s-ierie.

2.Ei.1 Cepeeità di svueterriente

essiiniende seinpre ve.lide. llipetesi di e.vere gl_i etenii nelle regiene di

eeriee spesiele eerripleternerite ienisseti, le densità di eeriee. (eeriee per

.1'š2(J
 :nità di .siiperfieie
_ ' ellliiiterrie delle regiene svueteie nelle perte p ed 11
s-s1'à uguele 11' 1 niedu l e e_ pe.ri e gf velte
- le eeneentreriene di dregente per
' sie
Ls lergliesse delle. regiene, es

Qi : '-llim"'Tl}5ll'ri : ll}"i.*1IP
[2_0l'l_)

Per deflnisiene tele grendesse reppresente le eeriee. eenteriute. in une

seriene di eree uiiit.erie. e viene espresse in genere in C-__.-“ieniE_ Per ettenere
eeriee teteie elllinterne del velurne beste 1r1elt.iplieere Q_.,~ per lleree delle
=_:iuneiene .»'l.,r;i.
Treniite le releziene e le releeieiie (2.28), elie espriirieiie le ler-
;;°r_es-ee delle regiene svuetete del le.te 11 e p, ed utilissende le relesiene
2.32), elie fernisee l"intere lungliesse delle regiene svuetete, si lie elie il
:;edule delle de11sit.à di eeriee nelle regiene svuetete del lete p e 11 à

2 .-¬¬»-*et-*.,
Q-_] = . ,II' 2-gif-s --í`
_ T _ _† [là
le - ifLi,l (2 -~99)
f
2' fl» D -|- 12154

Tele relesiene esprinie une dipendense quedretiee tre le densità di ee-

riee irnniegess-irie.te e le tensiene epplieete. Le eepe.eità risiilter1t.e ii: quindi
ii tipe 11e11 li1ieere_
Si definisee le eepee-itii di ese-eteeieete e di pi-e.ri.e-ie-e.e, G,-, eerne le ve-
:ieziene delle ee.riee, .dpQ_,, rispette elle tensiene epplieete tre il ee-tede
-:- Lenede, essie -P1-_›. Èfel eese di un diede e. giuiieiene brusee si he

d _ _. _; ' __.¬`_.*___,_______71¬__r___ _ _
C-__; : .flij _ ~l_ _ ~ _ _ _ ,~ (2_10U_}
(lt-l*,f_i) 2~._,filf{;.,j _ lg .-“Mg fl _.-1

Si neti elie le terisiene à veliitet.e tre il e.e.t.ede e l`e.nede in quente le

:erielie pesit.ive nelle regiene sviiet.et.e sene delle perte del sernieenduttere

Ue.
' = u ri punte di vist.e eireuite.le, une rneniere. più ut-ile per espriniere le
;-epeeite` di ___.viunsiene
, l ' e" riielle
1 di reppresenterle in funsiene del velere elie
le. eepeeità essiirne elleq ` uilibrie, essie
" 1:er l--"jp = 0. Definende quindi

(1-,_,: __L¢l : .,l €'E.i_ -Nei-'¬*-l_i

_
_
_¬__.__ {_2_101)
J =:1i-le) 1.. .-«._l:f:› 1' mi ._-. + _
le (2,100) risulte

lidi
 C_;11:1f1L1 .È_-.l
0.1 _ `-
U2)

I.-11 13.1111:-;1.1:it111 Cig 15111 1::-1.1p1-112.115 che p1¬e111=.111.a u11 1111.11111 di 1111p1:11*fi1::ì1:1 11111111115.
111 E1&::1111'1z1†1. di p1t11E1.1'izz11..1'.i1?11'1e 5 Sì 11111-111111 111 g1:1111§11"11 111 F'_,-5131112.
La 1351111151151 di _g__ji1111zì1;111e¬ 11111511151 E11: 111.111 11111911;-1.1"1£1, si p1'e11t11 5.111 111111. 51:-1111111111191
ì11t1í11'p1'1et11zíc111e1. E5511., i11f1-1.t.1:1_. p115 essere ì11111111.gí11111:.11 pari 11.1111. 1.'.11.111~11i:it-È1. di
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11111:11*e 1-.=15ì11t1;1tì1;11.1 par F51 = `[«1'T_1w_-. O111†ì:€f11111311†-1: 1.1111": 1¬.1:111d1.'.1ì1:1111: 5 fif-1í1:151111E111:1:1
1111p1?1:?›:'šìbí113 1111 1;1t1;E11E1*13 111 11115111121 1151. 1::1111'1e11t-1?: 131112 [*11.1ì1^1'.1b}1e 1111-111.1-*121*&11:1 il
1:1í51p1:15iti111.1 1:5.111=;1;=_11'eb}_1ü 111. 1^:-1':†,111*131 1111311111 111351111111.

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1522
 zoon - . . 1 . E
Giunzíone Jnrueoe X- E
Gìunzlone lineare É

15ün - -

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É'-¬'

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I _ - J ' I - '-
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U 1 1 1 _ - 1
-11--U -E-.ü -2.121 -1.EI E.`I=.ü 1.11
Vo il-il

52g. 2.15 - C5,-_1'f'1_,1;1 in funzione della tensione ifb per un dioclo con: 1.1) giunzione
orusca; lo) giunzione lineere.

L1) ll Calcolo 1lelle1 1211311111151 111 gí1_11'1zio11o i11 presenze 1_lì 1.1.1111 1;1111olo11e e1ppli1;111;11 sl
11115 el'fe1111e11e 111e1lìo.11te le If 2.1112] 1111.- 12111

1¬ 21 1 12 1o-“-E
131- _, '*-1“if'_-“`:`___ = '- =1:1o_21e
___; 1 _ 111;. _,- 11m ___; 1 _ 1j_ _:=1_.-111.21
.1'7'11111loge111:1e11te 111:*-l 13115121 111 pol111'l:›1z11zio11o dirette

1.1_ .- = 1“_í-*1__.;1._-1_1;~, _ - 1.1.2

_ - 11.1 '12 11.22 1111-_
J ¬.___.1'1 _ 1-11111.; 1,11 _ 1_:1_1'__111_2

Nel oeeo di 111111 111111112-ío11e lí11e11.1*o le. 1:le11eì1:Èì1 di 1'.e.1'ì1111 11olle1 regione e1111o-
111111. 11111 loto 11 o1l 11 ei 1-111.1111311. oo11eí1le1'11111lo l'e_1¬e1-1. del †.1í:111e_;olo 111 grigio
:el 2.111111 111111 1ìíe:L1*il†›11zìo11e 1lell11 de11:-5115 di 1:e1ìee 111 Fíg. 2.5. Te11e11do oo11-
to delle. (2.30) e 11111111 [È.3i'], 11.1111 111111111 l:1íeog11e1 í111.*l1_1d1;11"1;1 lleffot-1.11 11ell11
íe1111ìo11o l1:1_;._ le. oe1.1'i1;:11 í11111111_e;11zzí1111tz-1 per 1111115 di :í~111:1e1*ñ1;ìo 1'ì1111l1.1-1

Qi _ É.-; .1.1_.1____ 1 : E 13.- 1211111 {_1«1,1,__.; _ 1 _;

l Ti.. 1 . 1'! - ' 1- -"I .=' 1
12.1111)
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Derì1111.1'1do le I:2.1[}e1} 1'ì5pet1.o elle. 1e11;=i1_1::_-_'- _; ::lffi_: °_i:e.:11.l11 por' lloree.

del di:-1pooì1:11-'o_, 1515;, 1-11 ottíono le oe1pe11¬_ì1:È1 oi ;;i';:_:ìL';e

153
 ci = AD dg-if - A3'-U -,jfí_”'}8g“""E:=“ fjzica)
` C1 [_Tf“£1} Ö ifwaii _ VD

cha mcatra. una |::iipa1i«:ia1'1aa= dalla tanaicna ccri iiim-'crac dalla radicc cubi-
cac Éu1a.1c›ga.1i1a1ita a. qua.nt.c› fattc pci* il dicdc a. giiiiiaiciia hruaca., ai 1:-11i";›
capriiliclc la. c.a.1†›acita di giiinaicmc in fiiriaiünc dcl auc 1.-'alcvrc a11"ac111i1ihric+

, Unfln
G-ci - 1:!!-íl
_-I FDƒ_,L,,a.M ( aiaßì,

Il g;|;'aficc› di (l'j:_f}1D in filllaiüiia dalla tcaiairanc c rrlüatratü in Fíg. È 'LJ1|_l.

par 1111 diüciü a. giilllaiüna liliaarc cc›1'1 un cccfiiciaiita ar. = 2.5 ai lüäl c1*i1_"I_,
_="\f__i-1 = l[}“*" atünliƒciiiä a _-Tg : 1019 a1ìüII1i__,-"'cIr13. Âiiclic i11 qiiaatc caaü
Q,-__,›""i-¢1Ji=_:~› craacc ccin PE; c Lcmic. ad iiifiiiitci par i«'”}_j,› = 1%.

Nal caaü in cui la giiinaìüiic abbia un prüfilcr di c-1Tmcc1'1t.1'a,ain1ia a.rbit1^aI'iu:

la capacita di giiiiiaiciic c daacrit-ta. dalla aagiicatc 1'ciaaic«1ic gcncralc

ci-*-= Ö"F'c-*la a _ _
-F' (1 - L›a,a«a)"“fi* ( 2.10*'J
dava Cig, cha 1*a.p1:›i-caciita la capacita di giuiiaiciia par arca. uiiitaria iii
aaacriaa cli pc+1a.riaaaa-icna, vicnc in gan-ara ¬=.='a.lL1ta.ta traiiiiic Iriiaiircf -aperi-
Iriant-ali aci il 1;›a.ra111at-rca -iifij È: un cppc†1'tu1'1c› cc›cflìcic~.I1t.c c1:ri]f;:iricc caiiiprcaci
†ra1__f3 a H2.

2.6.2 Capacita di diffuaicina

Il aa~::c.›1idc› cüI1t1"ibutc› capacitifi-*U di una giuilaiüiia pn ai ma.11ifc=.ata. an-

10 in pc1a.i*ia-aaaiüria dirai-ta. a ticiia cniitci clcllc cariche fica-'L1t-c al1°cc.ccaaü
di 1:›c›1*tat.c›ri iniettati. La ca.pa.cita riaultanta la quincìi Lula. fuiiainna dalla
qiiamita- Qgp a Q,ç;¬,,_ iiit-rc¬dc›Lt.c iii pracadciiaa- aia- par il dicdc a baaa
luiiga cha pci' quella a baac ccvrtai
:fai prcccdciiti paragrafi È atatca ri1c›at'.ratü cha, scatta pc›}a.t'iaaaaic›11a di-
1'at-ta (ici: a ,-g;ii11;izic|11c¬ riclla ragiciia p ai accuiiiiila ima carica, QDM Far-
mai-a dai Fiiiiaaicmc di aiatìrcriii 1T1ci1t1'a nella rcgic›r1c 11 ai accuniula. una.
carica, Q' pfl, fcwmlata ›:ia.i1*i1¬1icaic›11e di lacmic. La aapraaaicniii i'.i'ca-fiata per
Qi?-';a E Q gn Iiannü 1'i'¬.-'c1at.ü cha QDH <1 U [iii qilantü cüfllpüata da. clct-
trcmi} c 125? 1:-› O (iii quaiitc carnpcata da lacuna) cz pciczha: in gciicra,

ia;
 gp' Q;;n| een1h1'e1"ehl;+e ceeerci una viclazieiac del priiicipie di lieu-
fralita della carica. 111 elletti, liailaliei avelta nen tiene eeeie dei per1:a1;e1'i
_';'.aggic›1'ita1'i i quali, ai può cli1'11eat1'a1”e, ai Lliepeilgeiie iii iiicncle tale cia crea-
:-;- una carica 1iega.ti¬».-'a. pari a -Q;-gp nella regicfiie 11 ed una carica peeitive.
j;a::i a -Qgn nella 1'e_e_;ie11c p.
Da. un p11I1t.c› di vieta. pI'a1:=iccc tu1;ta*~.-'iai afJ1"1e eele i perta.tc›I'i miiierit-a1¬i
_; fe1*i1ii*e un cc|I1t1'il;›1_it.e capa.c.iti1.='e in qualita cla. eeei clipeiicleiie i precfeeai
:É riccniihiiiaaieiies". Sulla base cli ciel c peeeibile et.t.encre 1111 meclelle
.eeiiipliiicai-c› per la cleec.1'iaic+11e degli effetti capacitivi devuti ai pci1¬i.ai.eri
.:_iettati, aeeuiilciide che nella 1'egiene p vi aia una carica peeitive pari a

QD : QD-la + |(f-gli-ri.-i (2-lgs)

- clic nella 1'egiei'ie ri vi eia. una. c:;1rif::a_ iiegativa. pari a -Q5.

Per le relaaieiii [È.TU) e [È-.'TÉf]: valide per il cliecle a baec liliiga, e le
:eiaaierii e {Ef.8alj= valide per il diede a. ba;-ae ctcirtac la carica Q5 e
ëeiiipre eepriiiiiliile nella feriila

QD : Qüíh ( ül,.ƒ;J',="l.-ɬ _ È HG üT|,»='gJ|_,.-T|;I|_'¬

i-:we l°ii.ppi'eaaimaaiene vale in pelariaaaaic-Ile diretta. Di ceI1aegiie1ir.a¬ la

ieiieitii di carica Q3, funaieiie della teiieieiie appliczata, lfiji, ceiieeiitc iìli
iefiuire la eeguente capacitåi iI1c1*e1Tie11†,ale :letta cepeciäii elfi clifitea-ie'a.e

cl Q
CD : .aa dv; (alia)
i

Hiaeli-'ende la clerii-'ata nella [2.llUl cc›I1 liealìireeeieiie {:2.`lUQ:I, ei ettiene

fi _
0;; = ..aa-`i`_†Qa¢.ai›>-if =
ci Q
= iam-2 (alii)
da D I--T la
i111.e.1'eaaa111:e analizz-are la 12.111] nel caae [nielte cc›1i1uI1e nei diedi
reali] in cui una delle clue 1'cgie11i sia I11eltc› più Llicgata dellialtra.. Si
:eiiei-:ieri qiiiiiclì il case di 1111 diede in cui la parte 13+ eia più cl'fegata. della
;ia1*te 11 {_cliecle 11+-ni). Per le relaaieni [2.5-S) e {_2.Tl'}_, valicle per un cliecle
a baae lunga, la cleiieità di ce1¬1'e11t.e, _;i;;1_¬ e pi'ei-'alciitemente duvut.a alla.
:c›i're11te di diliueiene delle la.cu11c_, jp: eci iiieltre Qi; E DP-Qiliiicli ei puù
IÉ-Cl`1T3T?`1 TE

Häuriü c'-iee i püfiateri 1'_r1i11c~1'ita-ri che llanlin '*i1ie1¬:ia ai 1010

F--ai H: 'Ln
 QIJ 7:: Qfljcr : T;e.ii;e E Tj'J.f.E?' (2-lìíil

che, eeetiteita nella (2111): ferniece

je-*111 fe ,. _ _ .

:fel caee di un diede 13:;-n a haec cena. un ragienaeneilte analege perte.

alla acgeent-e eapreaaiene

I c
CQ : 'Tg_-I-:på

È facile ¬i-*e1'ifica.1*e clic, eia la. {2.1l3] che la [2-.ll4:J_¬ peeeene eeeere 1'icen-
dette al caae di en diede di tipe p-n_ eeetituende 'rp c Tim.: i'i-enet-tiva-nierite,
cen In e ~n,,..:-H. Qeincìii in genccale, la capacita- di diiiii-aiene CU pile eeeere
ecritta nella. fernia-

CD =
I , _
i2.i1a_1
.

dei--e T c un ce-mac eppe-rlaae :Tac-re-reìe if pe-riaa:1r~i -;†aia.e-r-ififc.-ci aella. :reg-ieee

eie-ae dregete che I'app1'e:-aenta e un tcinpe di 1-'ita Inedie (nel caee di un
diede a baec lenga] e un ternpe di traiiaite nclca-ee di un diede a l:›aee
certa).
In pelariaaaaiene di1'ei'.t-ai ei lianne quindi due centrihI_1ti. ll priniie e
clet,ei*1nieate dalla. capacita- di ginnaiene; n:1cnt1¬e il eecende e dcte1“niina†.e
da.lla ca.pa.cita di diliiieieiie ed e preper:«:iena.le alla. ce1*1*eni:.e Ig. ln genere;
a-nclie ee la capacita. di giuneiene creece ra.1:›idan1ent.c cen la teneiene ap-
plicata, il cent1*ibe†:e della ca-pacit-il di diffueienc c Inelte 1:›ii`1 grande taiite
da cenaentire di t-1*a.5ci1ra.re lieffett-e ca.pa.citive di giniiaienc.

Eaempie 2.8 _. c __ _
Ual-a una giLLn:»;.'iene pn een i"`~f_i1 = 1llmcI1'1 :li .-""-."_r_;.| = lU1Hc:II1_3 e .-51 U = 5 ~
lil _5 cing. 1.-'a.l11tare la capacita di diffileierle che ei 1-'iene a cI*ea.1'e in presenza di una
tensiene a.pplicaLa di 0.? A eeenicrc il diede ha.ac certa cen in = in = l ein
e la inelìrilitå degli elettreni e delle lacune 1“iepettivamet1ic pa-ri a- T|f}l:lf:n12__.="\-fa c
Éüfl f:n'12,-"R-"e- Cenaiderare trascurabile la larglieaza della regiene ai-'iietatac ll-V.

E26'
2-.._Ll2|üI'lÉ
La giunsiene pe lerina un diede p-n_ a. base certa nel quale la eerrente e prin-
cipalmente data dal mete di elettreni. Lireitande le studie alla regiene ineee
dregata [essia la regiene pl, en semplice calcele censente di ricavare dalla rne ei-
lita il eeei-liciente di diH°usiene DR = 'l<“'_%.2~::1i-xigƒs. lneltre. peiclie la largliesza I-if'
`; 1.1-35.;-_urahile_, ai pue assineere lil se E... e ricavare per il teinpe di traiisiie degli
-:-lcrtrerli nella regiene p
_. _4._| 2

-?-l|:_I'_-:É _- Il __ í I __. --_ U :ln

Il-La

'_ lijri 2 H '

la densità. di cerrenie _',i;;. e data dalla relaziene [2.S|fJ') elie. trascuraude rispette
;=_ll'espener1.¢-ziale il terrniee -1. diventa.

igm _:_ _ qDn.,.._j_; É_L___ü_____ì_____I_ _ La - ic-1'-2* a isa a {_a_f-is ~ 1cg)" E pF,.,r__,____.E5 _

~.†=.-.í-- - ' ¬_ ';_-4 -- -
.'_“"›'_J1-ll_†; ll.-.lib .-ff.

= 1 :asa a___.-'salt
La eerrente nel diede e pertaiite
rs = ..isa = a~1c-5 a iaaaa = aasma
Èipplicande infine la {2.llf¬l]. ettiene

_ rs _.2a_aa ~ ie-1* ,_ _
Q-_,í_;| : “.'_|'_-,--_“-† - ' _ : l'[l.5È Ill'-I
li*']¬ Ãü * .lil-

fii esservi cenie. rispette alliesenipie 2.2'. nel case di pelar*i?:-easierie direL1.a la
capacira di diffusierie rappresenta il centribute derninante essende Up circa 2ü
velte lnaggiere di Gi.

2.6.3 Teinpi di cenlniutasiene

Quande un diede vicnc pertate veleeernente dalla cendisiene di pela-

:ìszasiene inversa a quella diretta e viceversa.: la sua riepesta e a.ccernpa-
;:;.ata da una fase transiteria e il raggiiirigirrieiit-e delle state st-asienarie si
_¬:reseeta sele depe un certe inter-valle di tenipe.
lfnianalisi rlettiigliata. di questi transit-eri rivela elle il Èenipe di cerninu-
fasieiie verse la cenduaiene e niinere rispette al ternpe di ceinreutaaiene
verse l”iní:erdiaiene. È pertarite interessante esaniinare i due fenenieni
_-.ache sele da un piinte di vista qualitative.
Si censideri per lianalisi del tempe di cennnut asiene verse la cendusiene
rernpe di È-i.rr¬u-ee_.} il circuite in Pig. 2.16 {:_a:}. cernpeste da un generatere
ii segnale; -'i.=;;, u_u diede e una resistensa. R. Si ipetis:-1:-i quindi clic la
'ensiene -i.=_-5:, alliistante ti . vari brusearnente da 1.-:ere ad un valere elie ¬=.-*e1'1'i-1.
indicate een VF eeme niest-rate in Fíg. 2.16 (lil.

12'?
 I _ _ _ _ __

+ lil] - +
I
'LI fl.. R 11? ..................... .
. . :I

(H) [bl
I lr EL] ì.Irr1 -I

_____________ __ _! I
I] Il

(12) id)
Fíg. 2.16 - Tempe di cemmutaziene verse la cendeziene.

É:`›uppeuende elie la tenaieue di seglie del diede sia rnelte rninere di lffxr.
ai piie irnrnaginare che quasi tutta la tensiene applicata cada ai capi della
resistensa lffg= T/E; - lfp H 155:). Quindi, il generatere feraa sulla rnaglia.
una eerrente Ip = lif;-.¬;".l?É. eerne rneat-rate in Fíg. 2.16 Cie che ha
bisegne di ternpe per variare e invece la tensiene ai capi del diede clic.
a causa degli efletti capacitivi analiss-ati nen pue niutare bruacza-1'r1c1'1te.
Occerre quindi un certe teinpe perche la tensiene -ep ra-ggiuriga il valere
finale lx1_,.. eerne rnestrate in Fia: 2.16 Tale tenipe e deiinite cenie
tempe di -rec-eaìere dtrrftte ed e indicate een tƒ... ln genere. eerne erdine di
grandezza.. esse È: circa due velte il ternpe di vita dei perteteri niineritari.
Ben diversa- e più cernplessa e la situasiene relativa alla ceulniutasiene
dalla regiene di pelarissasiene diretta alliinterdisiene lfitcrnpe di tu.-ru-e
Difatti, -si ce11sideri il circuite rnestrate in Fíg. 2.17 {a} e si ipetis-ai che. allii-
stante tg. la tensiene passi dal valere lfirr al va-lere 1-*'13 ceine in Fíg. 2.17 {|:›].
111 questa situasiene il diede nen pue passare ininiedia-ta-rnente alle state
di interdisiene in quante deve prima svuetare della carica. Diinnla-
gazsina.ta nelle regieni neutre. Le s¬.-'uei.arIier1t.e della carica Davvi-ene
quindi nelllintcrvalle ceniprese tra tg c tg ed indicate in Pig. 2.1? ln
queste intervalle, la eerrente si inverte. l:›rusca.rnente e passa. trascuran-
de la caduta. ai capi del diede, da Ip = l{:.¬_;"R a IR = l=É,_:;_~,-”'R.. eerne in
-r

Fig. 2.1? :Rei uiedesirne intervalle di ten1pe_ la tensiene ai capi del

IE.-L5”
 I l-FI; _ 1.-'F
P _

%- 1%) H
+
I`¬ T
li E R Fa

f lffi
¦---u--|--

(H) (bl
1

¬. fii J
Jfl
P* H+_ J ".""ha

_¬'-"¬l¬.
_u ¬ - ¬
¬

IR ¦ -:¬. -'F21
_ _ _ _ _ -J _____. ..nl

(El (Ii)
Fíg. 2.1? - Tempe di cemrnutazlene verse Finterdiziene.

iade dinunuisce lcggerrnente niantenende questlultirne in pela1*is-aasiene

iiretta. nenestante il verse negative della eerrente. eerne in Pig. 2.1? (dj.
Una. velta svuetate le regieni neutre della carica Q5: il diede pue ini-
T__-irc a.d entrare nella :tena di interdisiene. La eerrente e la tenaiene ai capi
ie: diede si pertane quindi rispettivamente a tere e a lficg.
L'intervalle di ternpe tå. = tg -tg viene cliiainate te-rupe di t-;†u.etegeaa-i-ne-
-'-fa-te del diede ed e il ternpe necessarie a svuetare la regiene neutra. della
_=:ic.a Q5. Esse dipende dai tcnipi di vita dei pertateri inineritari e dai
----.ieri Ip e IH. ll tempe eltre lliataute tg necessarie per il raggiungirnente
falla. situaaiene di reginie e il ternpe di tre--u..a-tate-ue, indicate een ti.
Inline il tenipe tetale per il passaggie da.lla. cendusiene. alliinterdisienc
“iene dette tctu-pe dt -rec-epc-re tufee.-rse ed e indicate een l.-..¬.. ed e pari a.lla.
e.j=u1n1a di t., c ti. Tale tenipe pile caacre anche un erdinc di grandezza
:aggiere del tempe di recupere dirette. e nelle cerrnnutasieni ad elevata.
"_=lecita (alt a frequenza] e eie che liinita le presta :ieni in velecita. del diede.

2.7 Rettura della giunaiene e diedi Zener

.a.ll"aurnenta-re della pelariss.a.-tiene inversa zfivaleri di lì; rnineri di sere)

ii cernpertarnente del diede si discesta- da quante pre'-.'iste e descritte si-

129
nera. Difatti, raggiunte un certe valere di tensiene denerninata te-na-iene
ei-if rett-teu. (e te-ns-te-nc dt li-reeeiie-ar-ri-, utiliaaande la disiene anglesassene
ed indicata cel sirnbele BV, la eerrente 11en e pie trascurabile e pari ai
valere della eerrente di sat L11¬a.-ir-ie11e inversa, Ina ceinincia a crescere in nia-
niera brueca i11 rnede quasi speculare a quante accade nella regiene di
pelarisaasieiie diretta.
Tale feneinene viene dette 'rette--re dellla- g-t-'tt--ti-a'-te-n.e9 e pue essere deter-
Ininate da due distinte cause deneniinate etfette (e rettura) -ee.le--n-_r;fe- ed
efiette (e rettura) Z-'eu-et".

Lfeffctte valanga- si veritiea quande i pertateri liberi che at-l.-ra.versa.ne

la regiene di carica spasiale, a causa dellielcvate carnpe clettrice cui se-
ne seggetti, acquistane un`energia cinetica. sufdciente da deterrninare la
rettura. di un leganie ceva_lente durante le cellisieni c.en gli ieni nel reti-
eele. Gerne censegucnsa, per egni legarne cevalcnte rette ai genera una
nueva ceppia elettrene-lacuna-, essia due nuevi pertateri elie a lere velta
acquistane dal canip e elettrice applicate sufficiente energia da deterrninare
ulterieri ceppie di pertateri nelle cellisieni een altri ieni.
Quindi, per ciascun pertatere si generane altri due nuevi pertateri che
assienie a quelle eriginale pessene cencerrere durante nueve cellisieni a
renipere nuevi legami. Da eie si capisce la deneniinae-iene data al licne-
niene, in quante si ha una rneltiplicasiene espencnsiale di pertateri liberi
(eerrente che attraversa- il diede), een uu cernpertarnente sitnile a quelle
di una va.la.nga. Tale fenernene si ha per cainpi dellierdine di 3 ai 105 lfƒcni
e livelli di cencentraaiene di dregeggie di 1015-llll-5tr.1'r1_3.
Llaltre fenernene di rettura., dette Zener, si ruanifesta in presenta di alti
ea.n1pi elettrici (nelllerdine di 2 la 107 ll.-*',,.fc.1'r1), case frequente nel case in cui
le regieni sene fertcrnente tli*egat.t†m. ln questa eituaaiene, lielevate carnpe
elettrice pue essere in grade di strappare alcuni elettreni che ferrna-ne i
legarni cevalenti, generande anche in queste case riucvc ceppie elettrene-
lacuna elie sene in grade di partecipare alla cendusiene della eerrente
inversa di saturasienc. L-ietiette della rettura nen e quindi devute alle
cellisieni dei pertateri, rna e causa-te eselusivainente dalla elevata intensita
del earnpe.

“.'~*'i dispette del nerne, quande interviene il teneniene di rettura della giuneiene, nen
e dette che il dispesitive venga danneggiate e ceinprernesse. Esistene in eenunercie
nunieresi diedi elie struttane il tenenie-ne di rettura della gi unsiene per laverare in questa
regiene di tuuaienainente.
lüåi ricerdi che iiinterieite del calnpe cresce ceu la cencent-raafiene di dregaute.

130
 À K

Fíg. 2.18 - Simbele circuitale del diede Zener.

Eiecende le caratteristiche eestruttive del diede prevarre. une dei due

:;eccanisn1i di rettura. l dispesitivi che presentane rettura Z-ener lianne
:L generale tensieni di rettura., BV, pie basse di quelle devute alla rettura
_-:-r ettette valanga. (interiere a per i diedi a.1 silieie).
1 cernpenenti che sfrutt.ane une dei due effetti di rettura vengene de-
;_'n1inati diedi Ze'n.e-r prescinde.nde da.l tipe di lfeneniene clic dcterniina. la
_- I Ttura (elie si pue evincere dal valere della tensiene di rettura Elf) ed il
I :e siinbele e quelle in Fíg. 2.18.
La ca.ra.tteristica. eerrente-tensiene di tali ceinpenenti e niestrata. in
.Ti-g. 2.1111. ln pratica, in pelarissaeiene diretta, il diede Zener iunaiena
í;:ne un nerniale diede, 1nent.re. in pelariasasiene inversa iunsiena. ancera.
"-lne un diede een eerrente e tensiene invert-ite ed avente una tensiene di
¬¬1 glia pari a BF.
Per quante i due effetti di rettura ne11 sia.r1e distinguibili dalla ferrna
isda. caratteristica. eerrente-tensiene (a niene dei diversi va.leri di BF),
essi si ditierensiane per la diversa. dipendensa della tensiene di rettura.
ialla ten1pera.tura. :fel case dellietfctl'-e valanga., peiclie aliiaurnentare del-
ternperatura si riduee il libere carnrnine inedie dei perta.l_-eri, si riduce
ì-:clic llenergia elie un pertatere c.ede al retieele in c.ase di cellisiene een
_;'_1estiultirne. T.}i censeguensa. si riduc.e anche la pr'ebabilita di i11nesc.e del
7'-_-neniene di rett-ura.. Queste causa liincreinente della tensiene B c.en
i`a.u:rnente della te1npera.tura increinentedi circ.a 0.1% per grade). lnvece,
;sl case dell"effette Zener, a.ll*a.un1entare della teinperatura. la tensiene di
rìlttura dirninuisce (-0.1% per grade) in quante. auinentande la ternpe-
tatura, a.11rnent.a lienergia degli elettreni ceinvelti nei legami ceva.lent.i, e
f-:nie necessari carnpi inferieri per liberare lelettrene.
L"cfliett.e valanga viene ni1_a.teniaticaniente deseritte inediante un iattere
:ii nieltiplicasiene, ill, cl1e rappresenta. il rapperte tra la eerrente, I;j›g...,
1-ne seerre nel diede in presensa del fenernene di ret†_u_ra e quella ideale,
_';;., prevista da.lla legge espenensiale (2.9Ul. essia

131
 il-lTl I I I I*

Em 1- «

-É.--) J.
i-

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-4.ü -3.ü -2.43 -`l.II¦I IÉII.ü l.ü
l~"el'“~"l'

Fíg. 2.19 - Curva caratteristica di un diede Zener (BV = V).

fee fee» _
ilf -_ IL,
- ß ,-5- ( 2.116 )

deve lappressiniaeiene tiene cente del fatte clic la (2..'-JU) si riduce alla
eerrente inversa di sa-turaaiene del diede per l-fl; -:Ii ll.
11 ceetficiente il-if e a sua velta rappresentate dalla seguente relaeienc
enipirica

__
Il-[_ 1_ (š,%),,,5,,_ 1 ._ __
(2.11I')

deve l-*TR e la tensiene inversa applicata. alla giun:-›:-iene (l-ia; = -lfip), Elf"
e la t.ensiene di rettura precedenternente intredetta ed il pararnetre -ng-1,:
mr un ceetticiente enipirice che dipende dai preiili--di cencentrasiene e clic
generalrnente e cernprese tra il e 5.
lrdiiie, la tensiene di rett.ura devuta alliei-fette valanga nelle giunz.-:ieni
in cui una delle due regieni e ferternente dregata (diedi p-n+ e p 1 -n) pue
esser va-lutata tra.n1ite la seguente relaaiene
-| ' I'

ev = 5*3.53.-
mf- .a
2g,-“F
3~1UJT`i-F-c1n¬i
-- EH.-'T
'ana
(`
 "-: ¦:-:-:-:-._ '
" _ +e=. - :=:›:;=š:š:š:š=!:šii:=I
i

- ;=; s .la5s55=:;:;:;:;:;:=:š:;aš:šs=ë sia

À ,É :ag ...Hat
¦_.¦¬- -- 1-1--.gg-.-.šš H E
|
.
1.- 2
1. ɦ: ':-É:-šš. ì * È
. -.=g}:¦:¦: -:¦:¦:¦:¦:¦:¦É¦É¦É¦. . . .
- -.- '7'ì-.7;ììÉìì1'-"'É-""'É"- '- '
1'-._.__ . E:¦:-:¦:1:-:¦: '-: '-:¦:_È:-È.¬¦È.¬¦ -.
D .- I 'r'- *Y¦.
-_ -..- .- : -' -:-.¦' -. '=

2 .fllfia
5
I '-¦'iÉ:-i"- ' :- -
-- -
_.
'21-I: È '=' '
- =-atta
lu. ___
- :-:'
ha

+||||ii|_ _.
I II-
_1':[J| .I

Zig. 2.20 - Schema unidìmensienale di una giunziene metalle-sernieenduttere.

ij-ve E,._,._,;_,I, e il carnpe elettrice eritice per il quale -si innesca. lietfette valanga
É._.,...-É = 3 fa 1U'“ "-."",.*"I::rr1:I ed N rapprese.nta la cencentraaiene di dregante nel
-ate rnene drega.te espressa in ate1'r1i,-"c1n*i.

2.8 Giunzieni rnetalle-seniieenduttere: Diedi Schettky e

eentetti ehinici

Ceine si e viste ñnera una giuna-iene pn realista un diede a seinicen-

iíittere rne-diante la crea.tiene di una barriera di petenaiale (il petensiale
-'_i giur1;tiene:] elie pue essere ridetta e a-unientata da una tensiene esterna
j.ern1ettcnde, rispettivarnente, il passa.ggie e di una grande eerrente dipen-
i-:rI.te dalla tensiene a.pplicata e di una piccela eerrente indipendente dalla
ísnsienc applicata.
Ntzlla giun.t-iene pn ta-le barriera di petensiale, a.ssu1ne la ferma. de-
scritta nella qua.ntite- clic, cen1e accen nate, pue essere ricavat.a anche
'lalla ditl`erei1sa. tra i petensiali di centatte intrinseci dei seinicendutteri
çiregati, essia.

I” .v .v .v v
va = 1-ff.--It = fa-111 + v†11i (E) = - e,.(2._1ia}
|'
|3.-
__-
I I

In eliietti, unire dI1e rnaterìali senncendurteri nen e il sele niede per

:Ittene.re. una barriera di petensiale, difatti un sin:-.iie risultate si pue ette-
nere, sette eppertune cendisieni, anche 1ner_iiae'.c cf.-¬;te.tte tra I_1rI inetalle
un sernieenduttere.
Si suppenga pertante di unire, cenie in Fíg. 2.2] 2: ::.-f-:alle e I_1n se-
rnieenduttere debelrnente drega.te di tipe n _`I'_-;- -1:1 Lf* -:._:i . Cie che

13.5*
accade unende i due rna.teriali e, eerne nel case della giunsiene pn, il pas-
sa.ggie di alcuni elettreni dalla parte n verse il nietalle. Ovviainentc, in
queste case gli elettreni transit-ati nen crea.ne alcune iene negative e cer-
rispendenteniente nen sare. presente. alcun pesseggie di la.-cune da.l niet-alle
al seniicendI_1t-tere.
Tuttavia in p1¬essirnit-e. della giunsiene il passa.ggie di elet-trerI_i causa
da.l la.te del sernieenduttere una regiene svuetata. di anipieasa :.t.,,_ e, dal
late del rnetalle, un accuniule di ca.ricl1e negative. La carica negativa- ac-
cuniulata nel rnetalle pue essere vista cenie una carica di niedule pari a
¬-f_.g.~"\~"p:I:r_,. _,_ C-_;*'I::.1n2 tutta eencentrata nel punte :t = U-. E-ssa quindi nen e
visibile in Fig. 2.21 (fb) in quante sarebbe un rettangele di base infinite-
siina (praticaniente rnelte piccela), di alteaaa inñnita nella direeiene delle
erdina.te negative (pratieanlente rnelte grande), Ina. di area finita e pari a
t;._I.=“'»-'*,p::f:.,._.
Liaecurnule di ca.rica anche in queste ca.se genera un carnpe elettrice
cl1e pere presenta I_1n punte di diseentinuite. in ct = ll a causa della carica
ivi eencentrata. Di fatte, vi e una varia:-:iene rnelte ripida del canape che
asaunle la ferrna niestrata in Fíg. 2.21 e che deterinine- un petensiale
een la terniia descrit.ta in Fig. 2.21 (rl).
ll calcele del petensiale lfÉ.._.; questa velta. nen pue essere effettuate rne-
diant.e lluse della (2.2-1) in quante nel rnetalle nen e defiuila nessuna cen-
centraaiene N__.i_._. Si pue evviare alliincenveniente tacende rieerse alla rela-
aiene (2119) nella quale li, viene espresse eerne difl:`erensa tra due peten-
siali di centatte intrinseci. Se quindi riuscis-siine a definire una quantite
siinile a fl? anche per i rnet alli, si petrebbe ricavare il petensiale di centatte
di una giunsiene nietalle-sernicendut-tere niediante la. dillerenea. di due pe-
t-erisiali di centat.t.e intrinseci. ln generale, neti i petensiali (11., e '-'Ig di due
rnateria.li t c il petensiale di centatte si treva applic.a.nde la (1.95)
che si riperta per inaggier cl1ia1¬es-.ta.

I T3 - 21.; (2-.12U)

Si definisce pertente il ;eeten..tt'e.le di centatte -ettcin-sece di un Ina.t-criale

(nen necessariatnente quindi silieie dregete) e le si indica een 111, e.erne. quel
pet.en;.›:.ia.lIe di centatte che si viene a- creare unende il rnat-eriale in esarne e
il silieie intri11sec.e.
Ovviarnente, per egni niateriale, tale valere e una cest ante lisica. .alcu-
ni valeri del petenaiale di centatte intrinseee per differenti niateriali sene
ripertati in Tab. 2.1. Quindi, anche una giun:-›:-iene rneta.lle-sernieenduttere

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I

(H)
Il
densità dI I-il etti;
carica _ ¬._ _ _ .-,11

iíìi
-
Il
| I I
,
U I.. fl

|
,
-
cb) _ .
.
-I.
I
.IL
l
E -t.
I
campe
elettrice
|-

|.
1
I

(H)
petenrial c
J; lia
." - II-
,ll 1 If

(dì
I:ig. 2.21 - Densità di carica, campe elettrice e petenziale all Interne dI una
gi LI nziene metal le-sernicend uttere_

1:-:a
 Tab. 2.1 - Peteriaiale di centatte intrinseee per diversi materiali.

lvlateriale g 'E' (V)

Ag -III'.-ill)
.au -0.30
Gu 'fiullll
:ii 'lle
.ill Ilfill
t-ig I, lat
Pelisilicie 11+ ilefi
Peiiaiieie 1:.-.+ -eta
Si intrinseee U.[lU
Si dregate -tap

crea una barriera di petensiale che pue essere rnedilica-ta. trarnite un pe-
tensiale applicate. ll di-spesitive cl1e si ettiene viene dcnen1in.ate diede
Scltiittlcy e il sue sirnl::›ele circuit.ale e rappresentate in Fig. 2.22.

Eivitande di entra.re in dettaglie nella lisica del dispesitive verra-nne

seniniariainente esaInina.te le ca-ratteristiclie principali di tale diede. ln
prirne luege il traspert.e di carica. 11en dipende più da.i pertateri niineritari
ma dai p ert-ateri 1na.ggieritari. .applica.nde un petenaiale pesitive allianede
si ha infatti une spestarnente degli elet.treni lniaggieritari) dal seinicen-
duttere al nietalle ed e il lere flusse a causare una eerrente dal inetalle al
sernieenduttere. Viceversa, I_1na ter1sie11e inversa., aunienta la barriera. di
petenaiale e interdice il lere passaggie.
La relaaiene eerrente-tensiene pue essere espressa trarnite una relasiene
siinile alla 2.90) nella quale evviainente la c.errente Ig ha uniespressiene
diversa da quella ricavat.a per le giunaieni pn. In genere, in I_1n diede
St:hett.l¬:jv' la eerrente inversa di saturasiene e rnaggiere che in un diede
l:Ia.sate su una giunsiene pn. La cerisegiieiiaa. e una niinere tensiene di
seglia
-I._ |

Peiehe la eerrente ca-usa.ta da.l niete dei pertateri rnaggieritari, diffe-

rent.err1e.nte da quante accade 11ella giunsiene pn, nen vi sene aeeuniuli di
pertateri 1ninerita.ri (essia nen vi e il cerrispettive di una ca.rica Q5). La
niancanaa di tali aec.u1nuli rende il dispesitive pie velece in cernniutaaiene.

lift?
 A K

Fig. 2.22 - Simbele circeitale del diede Schettky.

2.8.1 Centat-te ehmice

La giunsiene rnetalle-sernicenduttere diventa rettific-ante e fernia u11

ifude Stzliiìitt-lqv sele nel case in cui il sernieenduttere sia debelniente dre-
;.-:te (__.-“\.-"p ff-il 10-12 c.ni`3).
:fel ca-se in cui il sernieenduttere presenta livelli di dregaggie ben più
_-.iti l:.¢"“†.-1-_-I la 1012 c.rn`3), il dispci-t~;=.i_t-i_¬.:e nen si ceniperta più da diede ina
jresenta una bassa resistensa al íiusse di eerrente in entrarnbe le dire:-ieni.
ifelle speciíice, il pa.ssa.ggie di eerrente da.l n1et.alle al sernieenduttere av-
'iene sernpre tran1it.e liabbassaincnte della lìiarriera di pet-enaiale, ntentre
Li passaggie inverse e causate dal cesiddette efitfitte tre.-'nn-el. .ad alti livelli di
Èregante infatti la barriera di petenaiale che devrebbe irnpedire il pa.ssag-
gíe de-gli elettreni dal rnetalle al sernieenduttere (e c-ausa.re una cerrent.e in
:lrcaiene eppest-a.) e cenfinata in una regiene spaa-iale rnelte rist-retta. Hi-
suita. pertante pessibile che degli elettreni abbiane una energia sutl:lciente
È-_ passare attraverse tale barriera- partecipa-nde cesi alla eerrente inversa
_-ec nen risulta più lirnitata dalla eerrente di satI.1ra.:›:ii;ine. 1 due lenerneni
isiei cernbinati tra. lere creane u11 tipe di centatte che, esterna-inente, ap-
pare cenie 11na resistenaa di valere rnelte basse da cui il nerne di eentat-te
'_ 1111]_1l.¬1{}.

2.9 lx-"Iedelli cireuitali

In queste paragrafe saranne ricavati dei lnedelli senipliñcati del die-

Lie utili per lianalisi c.ireuitale part.cnde dalle equasieni che tleserivene il
:ernpert-aniente llsice della giunaiene pn.
Si iriiaiera ricavande dei niedelli statici che. seinpliticande liequaaie-
ne eerrente-t.ensiene data. dalla (2.9U_). descrivene il dispesitive een1e un
:esistere ne11 lineare. Suecessiva.n:1e1'1te si pas.-P-:i-re alla iì'etsiiìldctt-a. Inedelli-
stica. per pieeele segnale nella qua.le ¬~.-'erranr_'~e inf: ;-fi : iii gli e-iietti dinarnici
devuti alle capacita parassite.

1.??
2.9.1 lvledelli statici

Le qua-ttre principali cenligurasieni cireuitali che censentene di .analis-

sare veleeernente e ceri sutticiente precisiene un c.ircuite nel quale siane
presenti dei diedi sene scl1e1nat.iv:-vi-a.te in P'ig. 2.23.
La cara.tteristi=::a espeneneiale eerrente-tensiene data dalla (2.2l'J) e n1e-
strata in Pig. 2.13 e a.ppressi1'nata een delle curve caratteristiche eerrente-
tensiene li11eari a tratti. ln queste mede nellianalisi 11en figurere. più I_1na-
funaiene trascendente ma, una velt-a individuata la regiene di fI1n-.tie11a1ne11-
te del dispesitive, una funsiene line.a.re. La diiiieelte dell'analisi diventa
quindi la cerretta identiiieasiene della regiene di funaiena-niente del diede.
La prima appressirna.aiene mestrat-a in Pig. 2.23 (a), presenta il diede
eeme I_1n eempenente pura.n1ente ideale nel quale si ha una eerrente nul-
la per l/lp si ll, e I__1n.a. te11siene nulla per .lp `.'I2› ll. La prima cendisiene
cerrispende ad avere un cireuite aperte in presenta di una tensiene lflp ne-
gativa, mentre la secenda cendivziene eerrisp ende ad avere un eert-e circI.1ite
quande fluisce una eerrente dallianede verse il catede.
Tante per fissa-rc le idee sulliuse del prirne rnedelle, queste verre applica-
te al cireuite rettilicatere i11 Pig. 2.24. .e.ppa.re evidente eerne il diede, per
tensieni -'tig pesitive, diventi un c.erte cireuite essende la eerrente ip ia ll.
ln queste case quindi la tensiene ai capi della resistena a e preprie pari alla
sergente. lv“_icei.-"crea, per -eg negative, peiche si avrebbe *ep si U', il diede
si cempert-a cen1e un cireuite aperte e la tensiene ai ea.pi della resistcnaa
diventa pari a aere, eerne mestrate in Pig. 2.2-il.
La secenda. appressimaaienc, rnestrata in Pig. 2.23 (b), tiene eente della
tensiene di seglia l›f1,.. ln queste case, il diede viene appressiniate eeme un
cireuite aperte per Vi; si ment-re, qualera iiuisca I_1na eerrente dalliane-
de verse il catede, il diede viene appressi1na.t-e tramite un genera.tere di
t-ensienc ideale di va-lere pari preprie a
ll rnedelle, applicate alle stesse c.ircuite mestrate in Pig. 2.25, avende
una t-ensiene di seglia nen nulla, nen permette la cenduaiene del segnale
finche la tensiene del generatere, -"eg, nen superi il valere della suddetta
seglia (Pig. 2.25). lneltre, durante la cendusiene, la tensiene ai capi
del resistere e pari a.lla- tensiene della sergente mene la tensiene di seglia,
eeme mestrate in lniine, durante la. fase di interdisiene, essia
per t=_5- «=-'Z l-2-, il diede nen permette la cendusiene e si presenta cen1e un
cireuite aperte.
La ter-.aa appressirnaaiene mestrata in Pig. 2.23 intreduce una resi-
stenaa Rg__=¬,.f nel diede in cenduaiene diretta per tener eente della cadut-a di

133
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fc) td)
Fig. 2.23 - Àppressimaaieni lineari a tratti della curva caratteristica di un
diede e cerrispendenti medelli cireuitali.

I 3.9
tensiene ai suei capi. Tale caduta e tuttavia nen cesta.nte ma dipendente
dalla tensiene applicata. lfel case del cireuite rettilicatere di esempie, le
ferme dienda di uscita e di ingresse sene mestrate in Fig. 2.2ti (a) deve si
neta. che tqq e ti--i..i_;:,~ velte inferiere a.lla. sergente. llisulta facile verificare che
tit' = Rrjjt-' ,=“i(R-il-“..~' "i-
Inline, la qI_1arta appressima-siene, mestra.ta. in Pig. 2.23 d), ma.ntiene
la caratt.eristic.a. di un cireuite aperte per lf"}_-_› <1'. mentre, per Ip la U.
aggiunge l.a. resi-stenca R_,f;;_.e in serie a.l genera.t-ere in mede da tenere
eente di una pendenaa finita nella caratteristica del diede. C-ensiderande
le stesse csenipie, le ferme dientla. di ingresse e di uscit.a sene mestrate in
Fig. 2.26 h). ln queste case lierrere che si cemmette, rappresentate da e,.
e pari a ct-'t-Pg -la (1 - tt)l-*'Ã,..
Ovviamente, le appressimasieni rnestrate nen sene mai in grade di
enn1l.a.re perfettamente la cI.1rva caratteristica di Im diede ma, se ben usate.
censentene unianalisi melte velece dei circuiti elettrenici sensa perdere
melte in termini di precisiene.
Spetta in genere al pregettista e a celui che anali:-isa un cireuite trevare
il miglier metlelle da a.pplicare ad un dispesitive in mede da et.t.enere da
un late dei risultati quante più pessihile accurati e dall`altre uniana-lisi
velece da peter svelgere anche ct:In strumenti elementari quali un feglie di
carta e una penna.

2.9.2 Analisi di pieeele segnale e rnedelle per bassa frequenaa

Nel paragrafe precedente si sene tliscussi alcuni semplici medelli matt-

matici ed i lere cerrispettivi metielli eircuit.ali che permett.ene di sempli-
licare l'analisi di un circuit.e nel quale sene preseriti tlei diedi e di evita.re
censeguentemente liuse della relasiene espenensiale (2.90).
E-sistene delle. aq:Iplica.sitini in c.ui le variasieni di segnale presenti nel
cireuite mantengene cemunque il diede sempre i11 pelaria-aa.aieI1e diretta.
In tali situaaieni risulta- cenveniente scernperre il segnale applicate al diede
in un centribute cestante ed une variabile. ll prime ra-ppresent a u11a serta
di va.lere medie del segnale applicate, mentre il seeende tiene eente delle
liuttuasieni att-erne a queste valere medie.
ll funsienarnerite del diede, tenende eente del sele ceiiitribute cestante,
identiiica il pe-n.te di le--et":-re (dette anche punte dai- pela.-ri_.tae.a-ie-n.e e, usan-
de i termini anglesasseni, q-teiesce-rtt pe-int e l)-tes pet-nt). Viceversa, eeme
meglie spiegate in seguite, il fun-.tienamente tiel diede, applicande il se-

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:ig 2_2='l - Circeite rettificatere e tensieni di ingresse e di uscita applicande

prime medelle.

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Zig. 2.25 - Circeite rettiiicatere e tensieni di ingresse e di uscita applicande

_ seeende medelle.

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lis '--...-f -H 1 -._ J'

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Fig. 2.26 - Tensieni di ingresse e di uscita nel circeite rettiticatere_ (a) Terze
medelle; (b) Quarta medelle.

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 .Il ,Ip-lr_l`:l

-l-
lfirlllil'

+ I “re (ll È

Pe ii _

Fíg. 2.27' - Circuite per l'analisi di pieeele segnale.

le cent-ribute vai-iabile, identiiica l`andamente del di-spesitive per pictrtile

.se§rn.ti.le.
ll vantaggie della scempesisiene nasce dal fatte che, sette liipetesi di
diede sempre in cendusiene, si pue ipetiaaare il cempenente ceme avent.e
un cempertamente lineare [vedi le appressimas-ieni trattate precedente-
mente) e quindi adettare una serta di priucipie di sevrappesiaiene degli
ciiiet-ti. Difatti, una velt.a individuate il punte di lavere (funaienamente del
diede in aena diretta inserite in I1n cireuite a tensieni e cerrent-i cestan-
ti). si pue limitare llanalisi del cireuite alle sele t:empenenti varia-bili. ln
queste case. il diede viene ben descritte da una cenduttanaa ugua.le alla
pendenza della tangente geemetrica passante per il punte_tli lavere della
carati eristica- cerrente-ten-siene _
Prima di entrare nel vive dellianalisi di pieeele segnale e del relative
medelle cenviene int-retlurre delle cenvensieni che permett-ene di deiinire
univec-a.mc.nte le grandeaae i11 gieee. Si indicheranne een lettere e pe-
dici maiusceli le variabili valutate nel punte di lavere: quindi lr); e Ip
individueranne la tensiene e la cerrente del diede valiita-te nel punte di
pela1*iv:aa.aiene. W.-licei.-rersa, si useranne lett-ere e pedici minusceli per in-
dica.re le grandesse tempe varianti sevrappeste al punte di la.vere, essia.
-tig e -ig indicheranne la tensiene e la c.errente t.empe varia.nte che si a.n-
dranne a senm1a.re rispet-tivamente a l-Q7. e Ip. lniine, si indicheranne cen
lettere minuscele e pedici maiusceli la semma tra la grandesaa valut.ata
in pelarisaasiene etl il segnale tempe variante applicate, essia ep e -:ip
determinera.1me, rispettivamente, la tensiene tetale ai capi del diede e la
sua cerrent.e tetale. Rappresentande a11a.liticament.e quante dette si pue
scrivere

ep (t) I lffp - t.=,,.;(t) (2121)

.na
 ill' .
I.-gm :I * tangente
- In Q
I pendenza = gg
1.2' 2
.¦
punte di -'
pelariaaaaie ne- . -.
lg Q \ ,it
1.. - - _ =:= P I
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'"'ii_i"å'§,\
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"- -:-'ij-:_F
"`i'¦"

Fíg. 2.28 ~ Rappresentaaiene grafica deltanalisi di piccele segnale.

?p(t) = lp -l--t_5i_(t) (2.12-2)

Si esservi che le grandcsse l-“jp e lp nen sene dipendenti da.l tempe. Esse
-'-ì:;e cempenenti i11 centinua (e cempenendi dc) del segnale teta_le e, una
--'Ita lissate, nen subiscene alcuna variaaiene t-emperale. ll diede qI_1indi
'_ :vera att.erne a.d un punte di lavere, dette Q, definite univecamentc da.lla
_ Ippia. il 1 segnali tempe va.riant.i, t.=,,; e -ig, vengene invece riferiti.
::n1e c.en1penenti in alt.erna.ta. (ti cempenenti ec) del segnale tetale. Biel
=-†gL1itt_:I si emettere per semplicita di trattaaiene la variabile t sia da.lle
1:-:npenenti ac che tla-i segnali tetali.
Patte que-ste premesse, si censideri il circuit-e di principie di Fig. 2.27
s la cerrispendente ra.ppresentaaiene grafica. di Fíg. 2.28. ll diede viene
:antenute in un determinate punte di lavere. graaie ad un generatere
ii tensiene le;-I ed I_1n segnale tempe variante r,,¬ lfnell'esempie di ferma.
-riangelare) viene ad esse sevrappeste.
ln assensa del segnale -eg, la tensiene ai capi del d_iede e lib e la sua
'_-errente di pelariasasiene si pue ricavare direttamente dalla (2.90), essia.

l..,l3
 ID .-._ fs J'-*-»""f""›" (1123)
Qumldü vìëlle 1-mvrappüätü il :-:~egI1a.]ü Lfng, la tensíüllrše ìså'.-:-3L1“1taL11eaL del clim-
dü, -':.›,f;›_, è flat.:-1 dalìa {2.121_) e, in 1:=|:1a.1:1ìera «:rürrìs1:+onde11te_, la f:m~1~¬::1-11:e
ì5tELI1t.:.-Lllea, -155; 1*í:§:L111:.f;1. ea-:self

in 2 L; (21241
=:111r;~¬ terlenclü fìülltü della 112.121), È Im:-;s-:~íhìlr5: 1*í:€›+::1:'쬻-'L=rI'~:e =;1u1'11e
_.-_ -.-- .._ |,. -_

-ig: = Is ›:;1U-"'r:†1*dJ-WT = Is f:11'"*`f“I*"'† TFT

= In ü““"'T':T (2.12-lì)

SE: il sügrlale -'LH È Illültü picfcülü [-::í1¬ü:TL lUI11†\-U: È pm:-,=:-;íbílE: 5*»-'í1uppE1.1'& ì11
5e1*ìE& di Teljflcal' l:E5püI1eI1zìz¬1=,le nella. üttelwnflü

-; I
-Épäfü (1+-i-fi) :Ig-i-å1'_,†[í (ìlfißìl
1'; THQ;

che fc›1*11í:=;Pf:: la +:;:f;†I'I'e11te tütalfl -É-L1 ì11 una fü1'1'n-.E1 ãL11a.lü,g_;a, alia (2.12Ãf:+; f:›55i:iL
+::«f:~11"1ü süfllflla di una f:üI¬np›::›I1eI1te cünt-i1111:a. pE1I'í alla, cürränte di pü1aI'ízzaLzìü-
nf: F: I'L1I1zíuI1e della 5-+:::|1EL Tr"}j,? e di 1111:êL cfülnpünente tenlpü 1-fE1.1*iz1.1'1te iìlnziüne
d:;1l1.'¢1 :aula fa-1,33.
Il cìcnnfrüntü della {2.12Z2) 121311 1:51. [2.l2ñ:} parnlüttü di tI'uvH,1'e la relax-ìü11ü
che lëfgfl if: üülxlpunentì all: üssìa

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duve la. quäuilt-ít.ÈL

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d¬9fi1”1ìt.E1- cüule la rin-T1-:í'u-šÉr:1'rr.,:fL ci-:È píficüšü mg-T1.-ILIG da-:I ci-iüfíü ea si lniäural in

.E1 "1 (cm aruthe in Sie1I1e11s). L*ínvn1*sü di _g;;: defirlìs-:ze ìnmfecc 1:51. -res-ás1€e2r1.zu
uffi ;r:=-Iflfìfìüåü say;-rauåfi ftffëå díüdü, -TU, Cha v:~1.le

l V5" .- ¬
-JU; : _ = - |[~2.1ÉÈEì)
.Em ID
U11 Símilfër I*ì511lt:›Lt+;í: si pütm.-'51, f;›tte11e1*e appìiífã-lrlcìü díI*e†.ta,I1'1e11te 1-:= svi-
luppü in serie di 'Taylül' :»3Lll*ec111:~1.i'.in11f: '[2-.l2éL) .£|,I're:-¦t:¬Lt=::› al prilnü tflrrnínü.
Dif:-1tti¢ per 111151. fL1I1zíc;-11% ƒ(;1:_) si ha.

léßi
 Tab. 2.2 - Traefermerìeni per |'es|:.¬ar|sier|e ìn serie di Teyier.

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(r - ag] (2.13l};|

1;1e1'ar1de gli epperl-uni earebi di ¬'~,-'arìabìle rleeerìttì dalla 'l"al?›. 2.2† ai e'r,tier1e

_ Ll';l,r;1
Pa = À,~ "I-1.:: (21:31)
dre ;.r_,J.j=r»;_, `
quale eerreerrte di rìear-*are la relarìene più generale per la eerlclrlttarlra
.:: ',, l , ¬'['l
__ p1-:eele aegaalr, , gg

_ rl-15
er: = _ (2,132)
È É. 'C31 I

alla luee fli eie: appare evíclerrte llírrt-erpretaeíelre grafiea el1e 1-'íerle
fata alla eeru:lut.t.ar1aa gg, ehe rappresenta la penrlenea della t-angelae
;leerr1e1:ríea alla eu1'*~.-fa di F'i§,`+ 228 nel Ifiurlte Q.
L-:analisi di pieeele eegnale eeaeerrte a eeeere punte di peter valet-are
La qrrrrlurlque cireuite a rlìerlí ír1 due faeí eee.-er Èíella prima ai valutarle
“Si neti elle rìeafi.-'are la derìr-=aLa dl 'ig rì5]3erIe ; j rl;í£::'le j.1:er rp. = l-"';;› È: del
*fate eerúvalente a rìea¬»-'are la eteaea =:1erì-.-'ata e '-.:: ' *___ _: “ '_-_ : I;-_ essia ~.-'alutarla
:el punte di lavere,
É”er†.an1'.e; eene eemuni anche le seguenti r1efiní:›:íe:¬_í; - = L - _='__ - 5" = Cl1_'D Q

145
 .|`:,|';r:.|l5|-l' I-H' R

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+ ig. 2-
L?-5 __: VI; 1-'ii $ -*'n Va

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(11) (E)
Fíg. 2.29 - analisi di pieeele segnale.

le eenipenenti de uaanfle une dei inewílelli aeinpliiieati int.redei;t.i nel para-

grafe 2.9.1. Éíella aeeenda faae. nete il punte eli lai-*ere rli egni eleinente
eireuitale nen lineare. ai aeetitniaee ad eaae il eer'1'iape1'1Lle1'1te parainetre di
pieeele aegnale e ai *~.falnta1'1e le eenipenenti ae in nn eirenit-e elie a qiieaie
punte i.-ferie eeirivelti aele elernenti lineari.
Si eenai-:Ieri a ritele di eaenipie il eirenite in Fíg. 2.29 (a) nel quale una
reeiat-enza in eerie arl un rlieiìle e pilei.a.t.a- dalla aernrna Lli una teneiene rle
T/'75 e nn pieeele aegnale -e__.._. U11'-a.na.liai niediant-e l*a.1?:p1ie.a.ziitiiie rleììe leggi di
líirelierl een il medelle rlel rliede ¬:leae-ri1:t.e dalla 12.90) nen ai rivela agei.-rele
apeeialineni.-e per una prima anali-ai elie e bene ei faeeia eart-a e penna..

É-ìeilriririci applieare quante viete nel preaente paragrafe. ai aepari il eir-

enite nei rlne eirei1it.i (li) e eli in iignra.. C5ei:n_e ai pile net.are. il prirne
eent-iene eaeliiaii.-'arr1eI1t.e le eernpenenti rie delle grandezze in gieee. 1nent.re
il aeeenrle le eernpenenti ae. Si net-i eerne al eireiiite rli Fíg. 2.29 5-:ia
atate aeatitnite il nierlelle atatiee di Fig. 2.23 [b}. eve ai pue aupperre una
¬-

tipiea. tenaiene rli aeglia. Ta... di 13.? 1.-É

146
 ljanaliai del prime eirenite eenaente tli treirare releeeniente

- l«*"Ã,- . É
li; = .

Peete, qninrli

if? ia
FD = -I -D -R _
'l!"__.-HI- 22.132' JJ
L .

ai lia. per il aeeende eirenite

ai_ : il-ila
R+ TD L. (2-.13fi_}

. 'U.~.- , . ,T
EL-_!†_ I R+_?uD

Éennnande i eenizribaizi della (2-.lL¦3) een la. [2.l3ß:] e della {2.l34) eeri
if. I1:2.l3T), ai et.t.engene 1'iapet.t-ivanieiite la teneiene d'i1aeiEa e la eerrente
iella niaglia.

2.9.3 lvíeclelle di pieeele aegnale per alta frequenza

ll nieclelle di pieeele aegnale rlel clierle ad alta treqneiiza eeinprenrle

_=.:1el'1e gli effetti ea1_ia.eit.i¬'~:i gia rieavaizi nel par'ag1*afe 2.5. In partieelare, il
iierle in pelarizzaziene inr.-*eraa ¬›.-'iene rappreeentate traniite la eapaeita rli
giíinziene rleiiiiita., nella ana ferrna generale. dalla (E-.l{]T). Si neti eenne
'rnelie _; fnnziene del punte rli lai.-*er'e ed in parlieelare della tenaiene l»-fe.
ln pela-rizzaziene tliretta, im-"eee, al eent-ribnt-e di CJ- ai aeinlna anelle la
:-apaeita di Lliflnaiene. C5. rleiinita, nella ana fernia generale. dalla [2.1 15')
;Èe¬.'e_, iienende eente elie ILi ,fl 1-"Éf = gg. ai pue ae1'iver'e

C35 = -rgg (2-.l3ëš)

ln qneata aitnaz-ierie. ineltre. peielnji Cf; 5;* nielte niaggiere di C3,-, ai e

.éeliti t.raee11rare riueeizinltiiria e appreaaiinarla een ÈCH-giåg.
l rnerlelli di pieeele eegriale eeinpleti eene quindi ex-'irleiiz-iat.i in Pig. 2.3{l.

M 'F'
 _-
'if+ _È
1.1.
T_T
al ._'lރi
J _-
':+
|È'-:lu

_.
P1

(H) Uil)
Fig. 2.30 - Mecielli di pieeele segnale per alta frequenza. (a) Pelarizzaziene
diretta; [ta] Pelarizzaziene inversa.

2.10 1»-“Iedelle a bande di energia della giunzìene pn

In queste paragrafe 1-'erra esaniinata la giunz-iene pn utilizza-nde il rne-

delle dei diagraninii a bande gia- intredetti nel paragrafe 1.11.
Rieapitelande quante t-rei.-'ate nel paragrafe 1.ll. i diagrannni a bande
di due seniieendutteri dregat-i in rnaniera eernplernentare appaiene een1e in
Pig. 2.31. Nel seniieenduttere di tipe p si lia un eeeesse di laeune. il iii-'elle
Ferrni e pressinie alla banda di i.-'aleriz-a. Ep». ed il petenzial e di Ferrui. aly...
e pesii'-ire. Tieei-fersa. nel sernieenduttere di tipe n. si lia un eeeesse di
elettreni. il li*-:elle di Ferrni e pressirne alla banda di eenduziene. E5. ed il
petenziale di Fernii. gip... is nega.tii.-'e.
Quande due sernieendutteri dregati in nianiera eernplernentare sene
uniti per ferinare una giunziene pn. si e 1-'iste ehe si erea- una regiene di
si-uetarnente. Da un punte di t~'ist.a del diagrarrnna a bande eie e faeilnien-
te intnibile in quante i nunieresi elettreni nella banda di eendiiziene- del
sernieenduttere di tipe n si ineentrane e si rieernl:›ina.11e een le la.eune del
seniieenduttere di tipe p. Queste fenernene iinpliea elie. in pi*essiir1iLa della
giunz-iene. il sernieenduttere di tipe p lia rnene la.eune. quindi la distanza
tra il livelle di Fernii e la barida di *~.-'ale11za- atunenta eenseguent-einente ed
il valere del peteriziale di Fermi deeresee.
ln rnaniera analega. il sernieenduttere di tipe n lia niene elettreni in
p1¬essin1it-a della giunziene e il lis-elle di Ferrni si a.lleni.a.na dalla banda. di
eenduziene.
Una velta elie si raggiunge la eendiziene di eq1_1ilil:›rie terinedinarniee.
il livelle di Farini e iuiii.-'eee all"interne del sisterna.. essia. in egni punte del
sernieenduttere i preeessi di rieenibinaziene sene eenipensati da un ugual
nurnere di preeessi di generaziene.

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:Ég. 2.31 - Elementi di un diede prima di essere eennessi per ferniare una
gfunziene pn e lere diagramma a bande.

ll diagraninia a bande di un diede va quindi eestruite eerne segue: ll si

Traeeia il livelle di Perini eestante lunge tutte il dispesit-ive; 2) si trar:eia.ne
is bande di valenza e di eenduziene lentane dalla regiene di giunziene
_i.ia.zzandele in nianiera apprepriata per la parte n e quella p in funziene
dei rispettivi livelli di dregaggie; si uniseene le bande di valenza e di
_'-finduziene delle due regieni. ll risultate e niestrate il Fíg. 2.32 Cerne
viste nel paragrafe 1.1191. la eurva.tura. delle bande irnpliea liesistenza di
:Lu peteu:«›:i.a.lr:. La differenza t.ra. i livelli e difatti il petenziale interne
La eendiz-iene di equilibrie e faeilrnente visibile nel diagrainina a bande.
Gli elettreni nella banda di eenrluz-iene elie eereane di passa.re verse destra
sane niessi dalla difi'eren:aa di peten ziale i-Â.. e generane una eerrente di de-
:*ìva.1È. Gli elettreni elie inveee eereane di passare verse sinistra s=:::›ne rnessi
ia una dlfferenz-a di eeneentraziene e generane una eerrente di rliítusiene.
:esatte liilaneiarnente di questi due eentributi eausa liequilibrie terrnedi-
:arniee del sistenia. Un diseerse analege vale per le laeune. Quelle elie
passarie verse destra sene devute a rneti dillusivi rnent re quelle elie passa-

ljåi rieerdi llanalegia een il mete di una sfera in 11:. i:_'~;-i2;.›.'iie.

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(C)
Fig. 2.32 - Diagramma a bande di una giunziene pn. (a) Equilibrie
termedinamiee; (la) Pelarizzaziene diretta; (e) Pelarizzaziene inversa.

150
:;e verse sinistra sene devute a rneti di deriva eattsriti dai pet.enziale W... Éii
:eti eerne id... laeeia da barriera per le eariehe nel sistenia irnpedende agli
elettreni nella regiene 11 di seerrere verse la regiene p e alle laeune della
:sgiene p di fluire nella regiene n. Si esservi. inline. eerne iti.. sia. preprie
tguale alla r_litlei'e11za. eanibiata. di segne dei p etenzia.li di Ferrni F...e dp...
L-*applieaziene di una tensiene di pelarizzaz-iene diretta. l-'75. ea.usa una
:ìduz-iene della eurvatura delle bande faeende diininuire la barriera. di pe-
-_.;-iizìale da lag; a H..-if";.1. ee1nernest.ral.e in Fig. 2.32 appare evidente.
:nelle da un punte di vista. grafiee. eerne inelti elettreni siane adesse li-
:eri di passare 11ella regiene n e nielte laeune sia.ue libere di passare nella
71;'-giene p.
lu queste ea.se. llequilibrie terrnedinaniiee ne11 esiste più e i livelli di Fer-
nen devrebbere essere traeeiati. Tuttavia. per riferirnente si traeeiane
i {fue.s-i-liuellt di Fe-r¬rn;:i la eui rlifÉe1'eriz.a ra.ppreser1t.a preprie la tensiene
F-pplieata.

Una tensiene di pelarizzaz-iene inversa nen fa alt-re elie innalzare la

arrieradi petenziale da iti... a l-2.; + lffgi. eeine niestrate in Fig. 2.32 (rt). ln
'__uest.e ease il passaggie di elei.-t1*eni da destra. verse sinistra. ië tetalrnente
*_*;terdel.te a eausa dellielevata barriera energetiea. Le stesse avviene per
is laeune elie eereane di transitare nel verse eppest.e. ll eainpe elettriee
:veee faeilita il passaggie di quei Ilpeeliij pertateri rninerita.ri [:elet.treni
'lie vanne da sinistra a destra e laeune nel verse eppestej ehe eausane la
_-;irrente di saturaz-iene.

2.11 Medelle a bande di energia della giunziene rnetalle-

sernieenduttere

Prirna di preeedere alla trattaziene delle giunzieni rnet alle-sernieenduttere

:ediante l'ausilie dei diagrarrinii a bande. le eppertune eernplet.a1'e la trat-
taziene dei niateriali eeinvelti intredueende i eeneetti di ƒ-t.i.ri.aie-ria-1 ietfere e
ii efii-nritd. elettr*e'r.r-lieu..

2.11.1 Effette feteelettriee e funziene lavere

Lleitliette feteelet-triee venne sperirnentate da Einstein elie. in queste

niede. diinestre ehiararnente la natura diserete dalla iure ipetizzata da

151'
 Era* .
luce eicureue
P; v .e E...
_`-. ` pendenza = lt
¬'I.

Metal le
2 .- ››
V
-gl (pra. 'I

(H) (lì)
Fig. 2.33 - EfFette feteelettrice. (a) Elettreni espulsi dai'a superficie di un
metalle; (b) Energia degli elettreni emessi in funziene della frequenza della
luce incidente.

Pla.ncl~:l'3. L-lesperirnente riguarda liasserbiinente di energia lurninesa da

pa.rte degli elel.i.reni in un rnet-alle e fernisce. eerne risultate iinale. la re-
laz-iene clic intercerre tra la quantita di energia .asserbit.a e la freql_1er1za
della ra-diaziene incidente. i.-'_ In particelare. lietiette feteelettrice si veriti-
ca quande. facende incidere un fascie di luce 1nenecrernat.ica sulla superfi-
cie di uu ruetalle peste nel vuete. alcuni clctt.reni del rnetalle. asserbende
uufencrgia sufficiente. vengene espulsi da.lla superiicie del inetalle verse il
vuete eerne scl1en1atizz-ate in Fig. 2.33
ll»-'lisu1*a.1ide licncrgia degli elettreni eniessi da.l inetalle. si pue c.estruire
il graiice di Pig. 2.33 I[:l¬.›]. che niestra una prriprtrzienalita. diretta tra la
frequenza della radiaziene incidente. Lf. e lienergia inisurata. E.,.,...
Cliifi clic il interessante netare in questa sede e clic licnergia niisurata e
ntinerc dcllienergia incidente .lt.r..f seeende la rclaziene

E... I il.u..f - um... [2139]

la quale atierina elie. per indurre lleltliette feteelettrice. e necessarie fernire-

unienergia pari alniene a gt.-a...-..
La qua.ntita. :.-an.. e diinensienalniente un pcitcr'izia.le cd il: una cestante
cara-ttcr'istica del particelare ntetalle i_1t.iliaaate. La- quantita «:_'. ;¬r.am_ viene
cliiarnata ƒuu.z~ie-ne le-nere ed. in base a quante discusse. rappresenta. la
n1ini1na energia. clic eccerre fernire a.d un elettrene afinclie queste pessa.

l3Pla.11cl~; esserve clic la radiaz-iene prevenieuie da un cerpe ca.lde vicnc cincssa. in unita
discrete di energia c che tale energia e pa.ri ad hu deve fa e la frequenza. di radiazienc ed
ir. e la qua.ntit.`a. erntai nera ceine cestante dt Pleu.c.t lit = 6.525 z lILl“l"l .l s]

1' 52
 Tab. 2.3 - Funziene lavere e affinità elettrenica per diversi materiali

lvlateriale qrp... (ev) qxg (eV)

Ag -ÉLU1
.›'3i.ii 11.91
Cin 11.61
Ni 11.45
.al 11.111
1.-'lg i 2.26
Pelisilicie n 11.05 -1.' [Ia
i-*hf

Pelisilicie p 5.1? 11' ..TJ

eu'›.Jr
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Siüa 1.' ÉIU

essere estratte dal iriet.alle verse il vuete. 1 valeri di funziene -at-ur: per
_-.ieuni dei niet.alli inaggierinente usati nella laveraziene dei sen v_..«_iu __
s.:ne ntestrati in Tab. 2.3.
Da un punte di vista dei diagraiiiirni a bande. la fuiizieiie lat ere t eni;
íizppresentata. eerne differenza tra il livelle encrgctice del t iiete 1:..¬..l`
-1-7'. il livelle di Ferrni del nietalle. Questliiltiine. si ricerdi iappresenta il
'_"'.-elle energetice nel quale la prebabilitti di trevare un elettrene libeie e
pari a 1_.*"2 e. nei irietalli. a differenza di quante avviene nei seinir eiidutteii
-L piii valere energetice aiririiesse in quante cade alliinterne della banda di
: :.-nduzierie l' "J _
Da quante discusse. una pessibile rappresentazieiie grafica del diagraiii-
:;'.a a. bande di un inet.alle e quella rnestrata in Fig. 2.311. det e si ei. idenziane
2 '._ivelle energetice inedie degli elettreiii. rappresenta.te dal lit clle di Fernii
L livelle energetice del vuete. E...-.._... e la lere differenza che cestitiiistc la
iinziene lavere del nietalle. ciee

téll pedice -eee. usate dalla letteratura anglesassene. sta per il latine recuuni eva. ere
-_ie-Le.
is .N ei nietalli il livelle di Perini e una specie di valere energeiice inf. die degli elettreni
lift:-cri e. per essi. rappresenta una serta. di “baricentre eiiergetice". Da un punte di tista
:-.acrescepice. e pessibile assuniere che lienergia di tuiii gli elettreni liberi del r endutteie
sia pari ad un unice livelle energetice ceincidei'i1.e preprie ceci il livelle di Feiini

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(11)
Fig. 2.3-H, - Elementi di una giunziene metalle-semicenduttere prima di essere
messi a centatte.

: -Erre-c _ -EFW.

2 . 1 1 .2 Affinitå elettrenica

anche per i seniieeiidutteri e pessibile rleñnire la funziene lavere cenie

differenza. tra il livelle energetice del vuete ed il livelle di Ferrni del seini-
ceiiduttere stesse. Analiticaniente essa si relaziena ai livelli E..._.._.. ed Ep.
seinpre traniite la (2.lé1U]. Si neti elie. eerne rappresentate in Fig. 2.34. si
iiseraiine Ep. e q-'..s_.. per indicare. rispettivainente. il livelle di Ferini e la
funziene lavere del seniicendi_1ttere.
Nel case dei seniicendi1tt.eri. la fiinziene lavere e dipenderite da.l dregag-
gie. in quante da questiultinie dipende il livelle di Fcrnii. lneltre. diiferen-
teinente da qua.iite avviene nei nietalli. essa nen rappresenta piii l`energia
necessaria per estrarre un elettreiie dal sernieenduttere verse il viiet.e in

15.1
__'_iante a nessun elettrene e ceiisentite il livelle energetice di Ferntii che
'ade alllinterne della banda preibita.
lu queste case. il ceiicette di energia necessaria per estrarre un elet-
trene dal seniicendiittere viene espresse dalla graiidezaa qpg.. neta ceine
rjdniitri. eiettrteri.-ice.. L-"afl-iiiit.š`i elettrenica. rappresenta lienergia necessaria
_ìer estrarre dal serniceiiduttere un elettrene libere .avente energia cinetica
jari a zere. evvere un elettrene peste nel liniite iiiferiere della banda di
undiiziene. Erg. Facende riferiniente .a.ll.a. Fig. 2.34. si lia

_ Et.Iu_c _ -Elfi?

Latfiiiita. elettreiiiea quindi una cestant.e eara.tteristica del particelare

si-inicenduttere iitiliz-z-ate ed e indipendente da.l dregaggie. Ètlciiiii valeri
ii alliiiita. elett.reiiica per i seinicendutteri più ceniuni sene ripertati in
fab. 2.3.
1n un seiiiiceiiduttere dregate e pessibile inet tere in relaz-iene la funziene
:avere een liaffii'iiti`-i elettrenica. ln particelare. ricerdande che EQ - E. 2
É_5;..l2 e elie r_-"rp = _E7_._ - Ep.. e facile verificare la relaziene

E _
ae. = rn. + ~:- ev (È-1-111'?

2.11.3 Diede Sehettky. effette tunnel e centatte elirniee

Quande un iiietalle een fi_inziei1e lavere que-H.. viene pertate a centatte

Lari un seinicendiitt.ere cen fun-z.iene lavere gta... avvierie un trasferiniente di
:arica tra i due rnateriali line a elie il livelle di Perini nen diventa cestante
1';-.nge tutte il sistentia.
L-*allineaniente del livelle di Perini nella g_'iunziei'ie cenipesta dai ina-
teriali di Fig. 2.3-il. avviene. eerne descritte nel paragrafe 2.8. grazie al
passagjgie di alcuni elettreni dal sernieenduttere verse la regiene nietallica.
Di eeiisegueiiza. in pressiiiiita. della giiiiiziene e dal late del serniceiidiittere.
si crea la regiene di svuet.aineiit.e rappresentata in Fig. 2.21.
Da un punte di vista dei diagrainiiii a. bande. in pitessiniitå della giun-
ziene. peiclie il sei'iiicendt_it.tei'e lia un niiiier nuniere di elettreni. il live.lle
:ii Fernii si allentaria dalla banda di cendiiziene. ll dia.gTarriina a bande va
quindi cestruite tenende ceiit.e delle ceiisiderazieni clie seguene: 1) avvi-
:inandesi alla giiiiiz.-ziene. le bande di valenza c di ceiiduzieiie del seniiceii-
-:luttere si piega.i:ie fa-ceiide iii inede elie la secenda si allent-ani dal livelle

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(b)
Fig. 2.35 - Diagramma a bande di una giunziene metalle-sernieenduttere in
equilibrie terrnedinamice_

di Fernii; 2) la funzierie lavere del nietalle rirriaiie inalterata garaiitende

che qge....._ = i'.*._-'.-. ._. ;. - E_i.¬....._; 3) l*a.ffiiiita elettrenica del se.niic.enduttere rinia-
ne iiialtera.ta ga.rant.ende che e_t;j_.. = Em... - E-5; il livelle energetice del
vuete. E._..._._. deve essere centinue. Il diagrainnia risultante e inesti'ate in
Fig. ass.
Si esserviiie a queste punte alcune preprieta della giunziene nietalle-
seniicendiittere di Fig. 2.35. ln prinie luege si iiet.a elte la. barriera di
pet.eiizia.le creata dal pieganiente delle bande di valenza e di eenduzieiie
e pa.ri alla difierenza di altezza. dei rliie eriginari livelli di Fernii E1:.. e
.Elie-a.. Tale barriera. e preprie il petenziale di centatte Fi... discusse nel
paragrafe 2.8. che risulta

1.56'
 -i_Fl'iii = Ein-.~ _ E1-'ii-i. = flfv-'~`¬~†:-. _ 'f1"~.-'Fa ll?-143)

iällliriterne del inetalle nen si esserva alcun ca.inbiainei1te del diagranirna

3-. bande e la barriera energetica elie vedene gli elettreni nel niet.alle e
iiffc.rente dalla barriera ql-"ig vista dagli elettreni nel seiniceiidiittere. essia

Éllllfi : Il-Tri." "' Er:-rri. : lÉ'i†”='litt_. _

ll petenziale fb g le una grandezza indipendente dalla ceiiceiit.razieric

ii dregaiite del seniic.enduttei'e sia dallleveiituale pelarizzazierie este.rna
applicata in quante tante i.a....._ clic X3 sene cestanti fisiche.
C-eine si esserva. si raggiunge la situazierie di equilibrie tei'niediiiarriice
quande. nelle stesse istante teinperale. il nuiriere di elettreni pi'eveiiieii-
Ti dal nietalle elie supera la barriera. di pet.eiiziale qífig e pari al nuine-
te di elettreni preveiiienti da.l seinicendiittere che supera la barriera di
peteiiz-iale gi-fi...
Se si censidei'ane gli effetti della pelarizzaz.iene. un”eventuale teiisieiie
i_¬._ji. applic.ata tra la regiene riieta.llica ed il seniicenduttere di tipe n. ine-
.;lula la barriera di petenziale vista dagli elettreni nel seiriieeiiduttere elie
diventa pari a i-fi... - lf'}_i. Se V5 la U. il dispesitive si ti'eva in pelai'izza.z.iene
diretta ed il sue diagrarnina a bande si dispene ceine iii Fig. 2.35 iii). ln
tale sitiiaziene. liii.bl:›a.ssaniente della barriera censente il passaggie degli
elettreni dalla regiene n al niet-alle eaiisa.ride una cerrente in verse eppeste
al inete delle ca.r'iel1e. À dilferenza di quante avviene nelle giunzieni pn.
nelle giunzieni rnetalle-sernieenduttere la cerrente e ceinpesta esclusiva-
:nente da elettreni. evvere da pertat.eri inaggieritari. lneltre. una velta
elie gli elettreni diffendene nel inetalle. nen creane nessun accuinule di
:_'ai'ica. cenie avviene nella regiene p di una giunziene pii. ll dispesitive e
eertante piii velece in ceniniiitazieiie. Invece. aiialegarrieiite alle giunzieni
pri. la relaziene eerrente-tensiene e di tipe esperienziale ed lia la fernia.

in = r_._.-.- i;i""`1'-"ff tz. iis)

Se li-'131 I -H.. --il U. il dispesitive si ii'eva in pelarizzaziene inversa ed
il sue diagraninia a bande si dispeiie eerne in Fig. 2.36 Llinnalza-
ine.nt.e della barriera interdic.e il passaggie degli elettreni dalla regiene n
al nietalle. Di centre. prevale il passaggie rii peci_iii elettreni dal nie-
talle al seiniceiiduttere. L'ei|t.ii.a di questa c=;'c¬:'›'_'-:;tc- dipende dalllaltezza
della barriera q'1D 5. funziene esclusivaniente dela s_"¬L-ita dei due niateria.li

1552
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(H)
Fig. 2.36 - Diagramma a bande di una giunziene metalle-semicenduttere
[a] Pelarizzaziene diretta; (bl Pelarizzaziene inversa; (c) Effette tunnel.

1.58
:ne realizzane la giunziene inetalle-seinicendiit.tei'e. Seguende dei i'agie-
uantenti analeglii a quelli svelti per le giunzieni pn. si pub afferniare clie
I nuinere di elettreni in g1'ade di siipe1'ai'e tale barriera iii in qualche inede
1_'c'elf)erzir_ii1ale a e lffi-WT. La. cerrente inversa di sat.iii'aziene clie ne deriva
-__-isunie pei'tante la fei'iiia

r.. : r.-..Da “PH-""l"'t {z.iiai

Ceine acceniiate nel pai'agrafe 2..Éš.'l. nel case in cui il sernieendutte-

:s presenta livelli di dregaggie elevati [_-“".1_i `_:=› 1012 cni_3_). il dispesitive
_-:;ii'iseiii'_.e un flusse di cerrente in enr.i'a.nibe le direzieni. ln pelarizza.zieiie
iiretta il passaggie di cei'rente avviene piii e inene cen le stesse inec.c.arii-
s'_ne discusse in precedenza. (È-i si eccupera. pert-ante. di descrivei'e cesa
ì-.¬.-viene in pelai'izzar.ieiie inversa.
11.):-ii. un punte di vist.a dei diagrairirni a bande. ip etizz ande di censiderare
un sernieenduttere ferteniente dregate. le barriere di petemiale in pelerìz-
:aziene inversa si dispengene eerne in Fig. 2_3ti [f.c'.i. Qliiesta sìtuazi-;:-s s
:ielte siinile a quella di Fig. 2.35 lb). i'ela-tiva al case di ui: sen'_i.I¬T_:i'_:tt_:-_-
iebelinente dregate. nella quale un clett.i'ene peste ne. nic-tafiic.-. per p its:
transitare nel seinicendiittere. deve acqiiistar'e uireiiergia a_i:ei_='; 1;;-.rl
."1> E _
Rispette al case di seinicenduttere debelinente dregate. la situazienc
ii Eig. 2.36 inestra clic la barriera di petenziale vist.a da-gli elettreni
:tel nietalle lqfiìtirl si estende per una i'egieiie spaziale. iiidicat.a in figura da
._:'-. elie e inelt.e più rist-r'etta rispett.e al ease precedente. facile verificare
Elie llestensiene di ir.. si riduee increnicntande la tensiene iiivei'sa. lfg. Essa.
ineltre. ti tante piii piccela quante piii piccela e llanipiezza della regiene di
_'-arica spaziale rr... evvere. diininuisce all"aurnentare del dregaggie.
La sit.uazie1ie nella quale si lianne delle cai'iclie (elettreni) ti'a.tteriut.e da
una barriera di pet.enziale nen particelarrnente elevata lgìlgii clic si esten-
íe per una regiene di spazie particelarinente settile (ati) e favei'eve1e al
_'-esidrlette efiìatte išuii-n.el. Una desei'izieiie esauriente del fenerriene richie-
iierebbe liuse della nieccanica quantistica e nen verr.'.Éi. t1'att.ata in questa
sede. _›'-*i grandi linee. la teeria dellledette tunnel pi'evede elie sia ceiisent.it.e
parte di alcuni elet.t.reiii vic.irii alla barriera il superanieiite di questlulti-
Lua pur nen avende acquisite energia siifflcicnte. ln altre pai'ele. e pessibile
:be alcuni elettreni riesca.iie a transitare verse il seniiceiidiittere pur nen
avende acquistate unlenergia pari a gfbg. ll fenerrieiie e t.aiite più preba-

1519
bile quante piii piccela e la regiene at. ed e in grade di c.a.iisare cerrentì
talrnente elevate da i'ealiz.z.a.re. di fa.tte. un cent.atte eliiriice.

2.11.4 Petenziale di centatte intrinseee di un inetalle

Tra il petenziale di centatte iiit.riiisece di un iriet.a.lle e la sua fiinzienc

lavere esiste una i'e.lazieiie. ben pi'eeisa.
Il petenziale di centatte iiit.i'iiisece di un inetalle e sta.te definite centr-
il petenziale di giunziene che si sviluppa unende il nietalle in questiene
cen il silicie iiitrinsece. Di censeguenza. esse si ricava carnbiande di segnc
il petenziale li-"}...ç della [2.1H13] nella quale il terrriine. ra.-:.'_... rappresenta la
funz.ieiie lavei'e del silieie iiit.i'iiisece

Er;'i'.t'i` _ _. _
iii.-'-'itiiii = atiisii E = iti av (2.lH'-
Si ettiene pert.ante

Eeijsii _ _ . _. _ -.
2*-ai. = *fitti _ fl1_.`-riisiji + T' _ tieni- - 4-Ö1l."s`3f) _ *§"'evi (2-1'1i`1'

Si neti elie i valeri di petenziale di centatt.e intrinseee di Tab. 2.1 seri.:

stati ricavati applic.a.nde la (2143) ai 'valeri di Tab. 2.3.

160
3. Transistore bipolare a giunziene

ll t'n:in.s-i.stei"e lì-ipriiu.-r'c ri _gt.'ii.'ri.sten.e (dette anclie più senipliceniente t-ra.-n-

=í`ster'e ti-ipelri.-re e BJT. acreiiiine dall"inglese Situata..-r .lu=ri.r:tie-ri- Tre'n..sisle-r)
ft; inverit.at.e nel 19-1'? da if-È. Slieclilejv. J . Bardeen e l.-lv". Brattain. ricercat.ei'i
ici la.berateri della Bell Telepliene. clic venriere insigniti del preinie :Teli cl
çer il lere lavere. Tale dispesit.ive e state il c.enipene.nte clettrenice priii-
ìipe nella realizzaziene di circuiti integrati per un periede clic va dalla sua
t_5=.seita sine alla line degli anni settanta allerquande. specie iiellanibite dei
:*_“cuiti digitali. si iinpesei'e le teenelegie 1-'IOS e C1.-IOS]-. _1itti_ie.Âi:ti'-tire. E
'.ransistei'e bipelare treva inipiege nella realizzaziene di cir-cu_:ti s'.-I-'fa' '-_
"-T-lecita sia analegiei che digita.li. per i quali nen È' pessibile ¬=¬.tiÂi_t:-.I-:'† Ã-
_-.ttuali teenelegie C-1*»-103.

3.1 Il transistere bipelare

Da un punte di vista striitturale. un transistere bipelare ii' realiz.zat.e

:iìiancande tre ele.ine.iiti di sernieenduttere di'egat.i in iria.iiici'a alternata
i-ande cesi erigine a due pessibili tipelegie di transisteri bipelari: quelle
:'_pii. inestrate in Fig. 3.1 (al. e quelle pnp. niest.ra.t.e in Fig. 3.1
.fiinehe se entrairibi i transisteri bipelari da un punte di vista t.epelegice
:an rappreseiitaiie alti'e elie due diedi cei1ti'appesti een un t.ei'iriiriale in
-_-iiritiria aeeessibile dalllesterne [lanede per llnpn e il catede per il pnp).
se rispettate delle ceiidizieni cestruttive discusse nel seguite di queste ca-
yìiele. si ei'igina un ceinpertantente clic da un pi iiit.e di vist.a funzieiiale si
lifferenzia ferteriierit.e da quelle di due seiriplici diedi pest.i liurie di fi'ente
_=.`_l`altre_
ill transistere ltlüå. eleniente su cui si basane le enieiiiine teenelegie. e il terze
ie-i dispesitivi elettrenici che sa.raniie discussi in queste libre. Esse sara trattate nel
'-tpitele 4.

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(lil)
Fig. 3.1 - Transistere Bipelare a (šiunziene (a) Tipe npn; (b) Tipe pnp.

ll traiisistere bipela.r'e. ceriie si esserva dalla Fig. 3.1. e un dispesitive a

tre terniinali chiamati rispettivaincnt.e eniett-ite-re brise [1-_i'›_]| e ririlictten-:
(Cl). lneltre. ceine inestrate in Fig. 3.1. per entrainbi i transisteri pnp e
npn liarea del dispesitive il indicata een .H1-1* e la lai'glie:-sia della regiene di
base cun i'l-ig.
Il terininale di base ceiiicide seinpre cen quelle centrale. n1eritr'e lieniet-
titerc c il cellettere. dregati cen le stesse tipe di dr'egaiite [denerc per
linpn ed accetterc per il pnp). si dist.irigueiie tra lere dal dilferente livelle
di dregaggie. ln pa.r'ticela.i'e. eeine si neta dalla Fig. 3.1 ta). la ceiicen-

152
'taaiene di elettreni dellieinettitere e ceiitrassegnata :_ iiieiitre quella
ísl cellet-tere da ii_. intendende in queste niede ene la ceiicenti'az-ieiie di
itegante N35 nelliernettitere e nielte niaggiere della ceiicentraziene di
Litegante _-"'~.-'†_r_-_i,;¬_f nel eellettere. Un disc.erse analege vale per il transistere
_t'_ip in 1'-¬ig. 3.1 }ielle speciiice la cencentrazieiie di dregaiite della
:sgiene di eniettit-ere e sernpi'e inaggiere della ceiiceiitraaiene di dregaiite
lella base la quale lia una cericenti'aziene di drega.nte rnaggiere di quella
eellettere. Quindi. si lia senipi'e elie

N'.-.gig .`33= N.43 fâ"-H _-'“'v"__›_¬..§j_1 lnpnl

_ (5_ _ 1 __

-bla I-.1 2;' N55 FF' N.H.ci (P1113

(Il-eine si vedra in seguite. queste sene alcune delle c.endizierii clie assi-
:'_'_tane a.l dispesit.ive (npn e pnp) un ceri'el.-te fiinzieiianieiit-e.

3.2 Il traiisistere bìpelare in eendizierii di equilibrie

ln assenza di pelarizzaziene il transistere si ceinperta eerne di_ie giun-

iìeni pn eenI_.rappeste. Quiiidi. eeine per i diedi. si vengene a ci'ea-
:-3 due regieni svi_ieta.te in pressiniitii. delle giunzieni base-einet.tit.ere e
'T ase-eellettere.
Rifereride l'a.nalisi al ti'a.nsistere di tipe pnp in Fig. 3.2 e assi_iineiide
'.'appressirnaziene di giunz'.ieiie a gradiiie. si ha un aiida.nient.e qualitative
delle ceiicentraz-ieni di caric.a nelle due regieni svi1eta.te cenic inestrate in
Fig. 3.2 lb). Quindi llaiidarneiite del carnpe elettrice e quelle in Fig. 3.2 lc)
fandaniente del petenziale e lasciate al lettere eeine esercizie)_
Ceine niesti'ate iu Fig. 3.2. al fine di serriplifieare la trattaziene. nel
_-'-eguite si indieherili een il punte ir: : (1 liestrerne della regiene svuetata
"_'ase-ernettitere dal la.t.e della base (si ricerdi che nelllanalisi dei dierli si
era peste een ir = il la pesiziene della giunziene inetallurgica). Si assuirie
pertante che la larghezza della regiene svuetat.a tra base ed einettit.ei'e si
estende per irg. e elle la larghezza della regiene svueta.t-a. tra base e cel-
Ãeitere si estende per .t'.ç_i - li-ig. Seinpre dalla 1-`ig_ 3.2 si neti che i due
peteiiaiali di giunziene. indicati ceii l'i...-[55-, e l'-_..-_ _,-__.. -_- ._ lcen evvie signiíicate
:lei pedici). sene pesit.ivi. Ovvian'iente.i nel ease del traiisistere npn. affin-
fiie i peteiiziali risiiltine pe-sitivi. e necessarie indicarli nel verse eppest.e
essia een la regiene n seinpre a petenziale pii: alte _

153
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(E)
Fig. 3.2 - Densita di carica e campe elettrice alI'interne delle regieni di carica
spaziale per una transistere bipelare pnp.

ll valere assunte dai due peteriziali di giunziene pub essere calcela-

t.e faceiide riferinieiit.e alllanali-si svelta nella seziene 2.3. ln particelare.
sestituciide nella (2.21) gli eppertuni valeri di eeneentraziene. si lia

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3.3 Le regiünl' di funzionamento del transßtnre

` bipulare

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_? 65
Tab. 3.1 - Regioni di funzionamento ciel transistore lznpolare |n base alla
polarizzazione delle giunzioni.

Regione e-E B-C

lnterdiz-ione nn-'erea irnferaa
At-tiafii diretta diretta inveraa
.attiva in*~_-'eree i1'n_-'eri-aa direi-ta
Satiirazioiie dirett a ›:3lir'ett a_

elie eoneente di utilizzare il diapoeith-'o per la realizzazione di anipliiieatorf

di tenaione o di oorrent-e. in 1'ria_niera duale, la regione aiƒuiifa im-'erea pre-
eenta la giunzione baee-ernettitore pola-rizzata. iin-'eraai1'1er1te e la. giiinzionff
haee-eollei:tore polarizza.1:a_. ciiret†_an:1erite. Il f1inzio1ian1e1'ito del rliepoei†.ii-fc»
in tale regione Ö eoiieettiialiiieme aiinile a quello elie ei ha nella I'eg;ione
a.ttiva diretta., nia, a eauea cieiliaaininietria. del riiapoaitivo, preaenta pre-
ataz-ioni inolto eearlenti_ Per qiieato ino1:i*~.-'o il tranaietore pola.rizzato in
regione :-it.ti1-fa. i11vor'aa. raraniente utilizz-ato.
Le q'L1att.1'o regioni di lai-†or'o del traneietore bipolare in funzione dei
tipo di polarizzazione eono ra_ppreee1it.ate in Tali. 3.1, e in F'ig_ 3.3 ne aone
rip ortaiíe le eelieniat-izzazioni cireuitali per i due tipi rii trarieiat-ore bipolare
nelle i¬_111a_tt.no rfoiiiigiirazioiii.
app.=_=1.re evidente che il t.1-ariaiat.oi¬e npn funziona in 1na_niera_ rliiale
tra1ieietoi*e pnp, oaeia eon le teneioni haee-en1eLL.itor'e e laaee-eollet1;ol`e in-
¬i-'eri_it-e r'iepett-o al tranaiatore pnp. Per questa ragione, nei aeguito_, ai ane-
lizzera. in riet.taglio aolo il traiiei:-;=..i:ore rli tipo p1'ip_, r'ieaa-*anclo le eqiiazioiii
ehe go†~_-'er11a_11o il fuiiz-ioiianiento ciel i:ra.neieT;.ore npn eernplieeinente tra.1'nitf:-
oonaiderazioni ehe efi'utta_no la d1ia.lira riei due diepoait.ii-fi.

3.4 Funzionamento e earatterietiohe del traneietore bipola-

re in regione attiva diretta

Tfa.na.liei del tranaiatore bipolare in regiorio at-tiva. -:iireti-a riehiede lo

atudio delle riue eoniigiiraz-ioni irioatiate in Fig. 3.3 (lil. Si iiiiziorili lianaliei
non-í*_entr'a_riclo liatiìenzione eul tranaiatore pnp? rnentre il tranaiatore npn
aara. afiroiltato eiierzeeeivaniente airuttarido la nienzionata riualita elie eeiete
tra_ i rlue diapoeitii-fi.

156
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1
¢_
I¦'. -I-J Regioni di funzionamento del transistore bipolare. (al lnterdizione
ai tiva diretta; [C] attiva inversa; [ci] Saturazione_
~_É:nšÈ

16'?
3.4.1 Transistere pnp in regione attiva diretta

Una sel'iernatizza.z-ione dettagliata del transistore bipolare pnp polariz-

zato in regione attiva. diretta È": rnestrata. in Fig. 3.4. Si noti ehe, a- differenz-a
di quanto indicato in Fig. 3.3 (bl, si fa rii`orin'1ento alla i'_ensione tra base e
oollet-tore. lfggg, inveee elle alla tensione tra collettore o base. lfigfg. Cio fa
si ehe enti":-_-_irnbe le tensioni di pola1“iz-zazione, lffgg e lf'};›.g, siano positive.
Si os-se1'vi inoltre elio la sorrento di einettit-oro. Ig, viene assunta positiva
se entrante, inentre le oorrenti a.i teriniiiali di base e di collettore, IB e Ig.
vengono assunte positive iiseeiiti.
In inaniera. analoga a quanto fatto nel paragrafo 3.2. si possono rica-
vare le estensioni delle due regioni di carica spaziale sotto le oondizioni di
polarizzazione. Pertanto. iitilizzanrlo nella relazione (2.38) al posto di lfl;
lo tensioni tra la. regione p e la regione n del transistore, si lia

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Corno atteso. eonfroritando le relazioni (BIS) e si puo verifieare

elie la. regione di carica spaziale relativa alla giunzione liase-eniettitore ii
rnolto più stretta di quella relativa alla giunzione base-collettore. sia per
la polazizzazione applicata elie per i diversi livelli di oonoontrazioiie di
drogante nello tre regioni dati dalla.
Si analizzi il oireuito da un punto di vista. qua.lita.ti*~_-'o. Il ooniportanion-
to della. giunzione base-e1i1et-t-it.o1*e ii quello di un diodo polarizzato diret-
tarnente. Vi il quindi un inoto di laeune QPE] ehe attraversa la giunzione
nnioveiidosi dalla regione di eniettit-ore a quella di base. Coritoinporanea-
Inente un inoto di elettroni (Qmgrj a.ttra.versa la stessa. giunzione in senso

168
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zig. 3.-'il - Transistere bipolare cll tipo pnp in regione attiva diretta. ll/loto dei
:ortatori_

;pposto. Coins indicato in Fig. 3.4, al moto delle laeune Qpg e asset-:.=;-:ia
La eorrente IPE. Inentre al moto degli elett reni QPHE E-1 associata la eorr›'.=1if›'_-
5.Ovvia-inente le eorrentì associate al nioto delle laeune presentano r-.::
'.':_¬-rso eoneorde al loro inoto, viCeversa._ le eorrenl_.i assoeia.t_e al moro degli
†iiettro11i presentano verso opposto. eeine mostrato in Fig. 3.5.
Eiitranilie le eorrenti Ip; e IM; contribuiscono a formare la eor1'enl:e di
=:nettitore_. IE, elie. ovviainente. va dallieriiettitore verso la regione di ba-
si-. Tntt-avis., essendo la regione di einet-titore rnolto più drogata. di quella
base. la eerrente totale elie a.ttra.versa. la giunzione base-einettitore e
_:|revalente1nente dovuta. al inoto delle laeune (eariea QPJ5 e eorrente IPE]
indieato appunto in iigura. da una freeeia. più larga. Questo spiega la no-
::ienelat.ura› “regione di eniettitore" elie trae origine proprio dallioperazione
ii errt-isa-lo-ne di portatori eitettuata. da tale regione.
Le laeune iniettate in base da.ll'eniettitore (ossia. la eariea IQI35 elie eorn-
j:-one la. eerrente Ii__.;.7) a.ttraversano la regione di base e. nel loro eanirriino
verso la. giunzione base-eollet-tore. tendono a. rieoinliinarsi een gli elettroni
presenti in questa regione. Ta.le fenoineno sottrae la eariea QHH a.lla ea-
ríea QPE ed e rappreseiitat-o dalla eerrente I1.-,›_E,› elie fuoriesce dalla base.
Tuttavia. se la largliezza della regione di base e eontenuta, inolte laeune
:ion fanno in t-enipo a. rieoniliiinarsi e rieseono a. raggiungere la. giunzione

l6.9'
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Fig. 3.5 - Transistere bipolare di tipo pnp in regione attiva diretta. Correnti
associate al moto dei portatori.

base-collettore. Questo è t-anto più vero quanto più pieeola e la largliezza-

della regione di base, l-l-Q3.
Le laeune elie rieseono a raggiungere la regione di eariea spaziale del-
la giunzione base-collettore, vengono a questo punto attirate dallielevato
eainpo elettrico (eausato dalla polarizzazione inversa lffgg) presente nella
giunzione. e sono riversato nel collettore eeine niostrato dalla eariea Qpg
e dalla eerrente Ip.;f_r rispettivanlente in Fig. e Pig. 3.5. Quanto detto
spiega il nerne dato alla “regione di eollettore” elie ha appunto la funzione
di -ro.eeogEter'e le earielie provenienti rlalliernettitore ehe non hanno subito
rieoinbinazione in base.
La giunzione base-eollettore è att.raversa-ta anelie da un :noto di elettroni
ehe, provenendo dal eollettore. si riversaiio in base. Tale rnoto tr indieato in
Fig. 3.4 dalla freeeia assoeiata alla eariea Qnr-__† nientre la eorrente risultante:
I.._.;j~; e rnestrata in Fig. 3.5. La eerrente I.1¢;_;_f e niolto pioeola. e eorrisponde
al inoto rli olel_troni elie eonipone la. eerrente inversa di saturazione di una
giunzione pn polarizzata inversainente.
ll fenorneno rnediante il quale le la.eurie elie eonipongono la eorrente Ipfjg
vengono spinte verso il eollettore puo essere eolnpreso faeilrnente riesaini-
nando il eoniportarnento di una giunzione pn polarizzata. inversanient-e.
Difatti, una giunzione pn pola.riz-z-ata inversainente non fa altro elle pre-

170
levare tetti- i portatori niinoritari presenti agli estrenii della giunz-ione e
ri-_-ers.a1"li dallialtro lato. Èšello speeifieo: tutti gli elettroni presenti nella
regione p in prossiriiita della giunzione vengono riversati nella regione n
vie.eversa_ tutte le laeune presenti nella regione n in prossiniita della
giunzione vengono riversare nella regione p. Ovvianiente, in un diodo. i
;-:Irtatori ininoritari presenti agli estrenfii della giunzione sono inolto po-
Èii e. pertanto: qiiaiirlo questo viene polarizzato in†~.-'ersarnente._ i rrioti dei
_-_*ortar_ori sono eontenuti e eausane il passa.ggio di una Ininirna ouantit.a di
_;:~rrent.e elie e appunto la eerrente inversa di saturazione.
È*-lella. giurlzione base-eollettore di un transistore. pnp funzionante in re-
:lone attiva. diretta. dal lato del eollettore (analogainente a quanto avviene
zzellianodo di un diodo polarizzato iin.-ersaniente) vi e una scarsa presenza
iii portatori Ininorit-ari elettroni] elie, favoriti dal eanlpo elettrieo. attra-
'rersano la. giunzione forrnando l"esigua eerrente I..__,;_;. Dal lato della base.
_-'nitrariainente a quanto avviene nel eat-odo di un diodo. il nuniero di por-
fatori niinoritari ljlaeune) e niolto grande in quanto e pari a.lla differenza
fra quelle laeune (:1nolte) elie pro¬i.-*eriivano dallieniettitore [e.o1*1*e1'1te IPE) e
'çielle laeune fpoehej elie hanno subito rieoinbinaz-ione in base [eerrente
I; gl. Pertanto: attraversando la giiinzione, a.gevola.te dal eainpo elettrieo_.
_;t_1est-e eoneorrono alla forma-z-ioiie della eerrente Img; elie risulta. rilevante.
ll eoinportarnento deseritt-o è noto eonie efietto ti"onsi.s'tore. intenden-
io een esso quel fenoineno ehe consente di prelevare e spingere verso il
:ollettore la eerrente generata nella giunzione base-eniettitore.
Da quanto detto, osserva ehe lieifetto transistore dipende forteniente
i-alla larghezza della regione di l--i---FB. Difatti, nel ease di strutture
¬::-n unieeeessiva largliezz-a. di base. la rieoir1bina.ziorie dei portatori [rap-
presentata dalla eerrente Img) esaurirebbe la eerrente IPE a. sea-pito della
_-f;u'rente Ipg e non eonsentirebbe più alle la.eune i_nietl_at.e dallieniettil_-ore
ii raggiungere la giunzione. base-eollet-tore estinguendo il fenorneno. in
questo easo non si lia più un transistore bipolare. nia sernplieeinente una
5~r_rut.tura elie funziona eonie due seniplioi diodi eontrapposti.

3.4.2 Correnti ai terminali e eomportarnento ideale del transi-

store pnp

Una volta deseritte il eoinportaniento i:p_1alita.tivo del transistore loi-

nolare in regione att-iva diretta. si individueranne quali possono essere le
peoiiliarita funzionali ed applicative del dispositivo. Si iniziera rioavando le

I ”i'í
oorrenti ai terniinali del dispositivo, IE, IE e IE-._ in funzione delle eorreuti
di portatori. IPE, IPE. IPE, IPE e IEE, introdotte nella sezione preeedente.
La relazione ehe lega le eorrenti ai terniinali si trova faeilinente appli-
eando la legge di Kirelioff delle eorrentif alla superfieie S1 di Fig. 3.5. ln
partieolare si lia

IE=IB+I,g_fi'

.5'i.pplieando la stessa legge alle supertiei Sg ed S3 si ottengono le espres-

sioni di IE e IE. ossia

: Ipfi † I-nE

Ig = IPC' - Ing; (3.10)

Quindi. sostituendo la e la nella [3.3) e risolvendo per IE,

si ha

IB : (I-pE;7 _ Iptf.-T) """ I-n_l¬.7 ""' n.(_L` _ II-IH 'l' I'ri1:.` _ Iriiif

dove si È teinito eonto della relazione

IEEIIPE-IPC

ll dispositivo deve niassiniizzare l`efl:`et.to t.ra.nsisto1'e. In partieolare.

si desidera elie tutta la eerrente generata nella giunzione base-eii1etti1.ore
vada a. eonlluire nel eollettore senza aleuna perdita. Irlealrnente, quindi. si
vorrebbe elie:

«I la eerrente elie at-traversa la giunzione base-ernettitore sia data eselusi-

varnente da IP E (ossia: IPE : U);
I la eerrente IPE ehe attraversa la base non subisea aleuna rieoinbinazione
(ossia. IPE = IPE o¬ eq1_1ivalenten¬_ente, IEE = 0);
in la eorrente elie a.ttraversa la giunzione base-Collettore sia data eselusi-
~.-ainente da IPE (ossia, IPE = U).

lia legge di lFíirr_:l'ioff delle correnti enuneia elle la semina algebrica delle |::orrenl.i
entranti attraverso una siiperiieie eliiusa deve essere pari a zero.

17;?
 .-f~"""O
Vari

I
Eo ai @ ti oe
fa = fr- =_f( l""za')
:ig 3.6 - Modello del comportamento ideale di un transistore di tipo pnp.

ll eonteinporaneo verifiearsi di tutte e tre le Condizioni renderebbe nulla

_ =_ -:rorrente di base e ridurrebbe il dispositivo ad un generatore di eerrente
'ìntrollato in tensione eon una legge di e-ont-rolle non lineare. Difatti:
'..;. oneste eondizioni, la. eerrente IE, essendo eoinposta solo da IPE (piu-i
;=. IPE) risulterebbe uguale alla eorrente IE, ed, essendo generata da una
-__'_';.nzione pn polarizzata direttaniente. avrebbe la dipendenz-a. esponenziale
il un diodo eon ai eapi la tensione VEE.
Da un punto di vista eireuitale_, un inodello del eoniporta.1nenl_o del
*Lspositivo appena deserit-to è inostrato in Fig. La eerrente ehe tluisee
-ffraverso i terininali di eniettitore e di collettore generata dalla tensione
“ra einottitore e base ed e legata a qiiesta mediante la funzione non lineare
_" ll terininale di base agisee solo da terininale di controllo e attra*~.-'erso
i_i esso non fluisce aleuna eorrente.

3.-1.3 Efficienza di emettitore e fattore di trasporto in base

L-a oondizione ideale descritta. nel precedente paragrafo e ovvianiente

T.siea.inente irrealizzabile. Tuttavia? un transistore bipolare reale presenta.
in eorn.portarnenl_o niolto siniile a quello appena esposto.
Un paranietro rnolto iinportante ehe eonsente di valutare la qualita.
ir-llieffetto transistore [e quiridi quanto il tra_nsistore si avvieina a_l fun-
?Éona.inenl_o ideale) e il rapporto tra la eerrente di laeune elie entra nel
;--allettore e liint-era eerrente di ernettitore. Tale parainetro. indieato eon
e quindi definito eonie

I
org = if; 'I
J'

173
 e rappresenta la. frazione di corrente che provenendo dalliernettitore riesce
a raggiungere il collettore.
Il parainetro on viene detto, per motivi che saranno chiariti in seguito,
_oae.degno di cor~re-n_t.e 'rrciia config-a'r“ezion.e e. bose corn..an..e. Esso dipende
dai due fenorneni che non perinettono alla corrente IPE di essere idealrnen-
te pari alla corrente IE, e difatti lo si puo esplicitare coine prodotto dei
seguenti due terrnini

_ _ I-pfÃ` Ipƒif I-,UÉI7

og -
J-rnE `l` Ipo? IriE `l' Ipl'_É I-rpI3 L )

Il prinio terrnine che eonipone la parte di dest-ra delliequazione [3.l=*-ill

prende il norne di r-:;fiicie›nze. di eni-cttitr.›re, c,-E, ed espriine quanta della
corrente che transita a.ttra.¬.-'erso lieniettitore e eoinposta- da lacune [ossia i
portatori utili ai iini della creazione della corrente finale di collettorel

"r .- = E
1,.E _ 3.l5 _
IE I-ri_I*.7 "i` -gpl; L J

Il secondo terniine elie coniponc la parte di destra. dell“equazione

prende il nonie di fiitte-re di zi-re..spe-rio -in £›e..se, ely, ed indica la percentuale
dei portatori utili iniettati in base (laeune) che riescono a raggiungere il
collettore [ovvero la percentuale di corrente elie riesce a sopravvivere al
fenoineno di ricoinbinaz-ione in base)

I .
sa. = li* (sie)_
1,., .J-,_

Dalle definizioni segue che tanto lieflieienza di ernettitore, '¬_.-"E, quanto il

fattore di trasporto in base, d-T, sono seinpre niinori di uno, e che si puo
riscrivere la relazione (3.14) eeine

CEE I *"¦f',›¬¬j * Gif' (3.17)

Ovviarnent-e il transistore tanto nngliore (ossia avvicina alla con-

dizione di idealit-a_l quanto il-'E e o.-T, c quindi o.-U, risultano prossiini a
T.1I_l'i_J.

in
 li -IF Il ~ la
+ 1 il l H fl +
l'1 I 132

'OZ _O'
se se ease__ _ -
Fig. 3.7 - Configurazione a base comune di un transistore pnp.

13.4.4 Guadagni di corrente or-0 e ,53

Irarnite la relazione (3.13), la corrente di collettore data dalla 3.li_l prio

essere riscritta e.orne

IE = iTrgIE -l- IPE* (3.l8)

ll contributo di corrente IPE, talvolta. indicato con IEEE. rappresenta

i_-. corrente che fluisce nella giunzione base-collett.orc quando oiiestiiltinia
L ¬,"i-olarizzata inversainente- e l"e1nettitore È: aperto nellanotazione I.-5-E È
grinii due pedici indicano i terniinali attraverso i quali Éiiisce := :::~_-:;†-;-.
:entre l'ultiIno open _ indica lo stato del terzo terroiziaie _ Fei ii-
spasitivi polarizzati in regione attiva diretta funzionari co:":'i'_'-tfr-_::__+:'.'_+ T-_=_i+
1 -.nr-ributo e ovviarneiite trascurabile, e la corrente di collettore ;¬"` -'-==-'-:=
_'-pprossinfiata

.ra 2 «:›.-..iz i:;=fi-1-fa

Questa relazione giustifica il fatto di aver cliiarnato cfg guadagnoa di
::1'rente del transisl.ore nella configurazione a base eornune. Difatti, rea-
_'-zando una rete a due porte con il transistore collegato eoine niostra.to
;:; Fig. 3.? [ossia con il terininale di base in coinune), a nieno del segno,
rappresenta. proprio il guadagno di corrente dato dal rapporto della
;:rrente in uscita rispetto a quella in ingresso, -igƒ-i1.
Per quanto la configurazione a base coinune possa dare delle inforin azio-
;'_ì in più sulliuso e le possibili applicazioni del dispositivo, la configurazione
f_'e fornisce la chia.ve di lettura sulle vere potenzialità del transistore bipo-
_:e È quella ad ernettitore coinune, rnestrata in Fig. 3.5% per un tra.nsistore

E'.-liriclie se la nomenclatura e ornlai più elie consolidata, si noti elie il pararnelro oae.
_¬'-_;presenta uniattenuazione piuttosto che un guadagno.

1 iti'
 _.l:_'
! P-
¦ '

5 ii _
- a " la _
I1;Iƒ;
.
;
'
E _- .I.,f_,I1
-1'

iv-'ii
-l- ' ` +
vL P vg

<É> _V ti
rete due porto _

Fig. 3.8 ¬- Configurazione a emettitore comune di un transistore pnp.

di tipo pnp. In questa configurazione e l"cn'1ett.itore il terniinale condiviso

tra la porta. d`ingresso e quella d"uscit-a, corrispondenti rispettivainente al
terininale di base e a. quello di collettore. Quindi, il guadagno di corrente
in questa configurazione e pari al rapporto tra la corrente di collettore e
quella di base. Per analizzare le pec11lia.rit.a di questa configurazione si de-
vono niettere in relazione queste due correnti. Tenendo conto della †~.-'alidit-iii
generale della si puo riscrivere la (3.18)

e trarnite qualche passaggio algebrico si ottiene

-Io = _=3I.e + Iozo f3-Èll

dove il para.nietro ,denoininato gru-oelegno di cor'r'cn.tr: n_.ello. corij'i_g'u'r'ez-iri-r'l_e
o. ernettiito-rc co-rr.i-fu-ne, È pari a

= il-
l. _ (lg
(3.22)
e la corrente IEEE e

Igrgg = T-:E-IPE = (__:'_7' -l- 1) IPE (5.23)

_ o
che, in accordo con la nonienclatura gia adottata per IE EE, rappresenta
il contributo di corrente che iluisce tra collettore ed einettitorc quando il
terniinale di base le aperto.

Iiló'
 Poiché ci-E e prossinio ad uno, il paranietro .Ji rappresenta rea.ltnent.e
'in guadagno i cui valori tipici sono generalinente conipresi tra ot] e BUU.
Quindi, aiiclle la corrente IEEE puo approssiniarsi con il valore _fiIP,E o
enalogainente __dIEEE_) e la (3.21) puo essere riscritta eonie

Ir: = (IB -l- Iflgjrj)

In regione attiva, il contributo di corrente IEEE e trascurabile rispetto

alla corrente di base IE, cosi da consentire uniulteriore semplificazione
nella relazione che diventa

Ig? E

La relazione ottenuta, most-ra la pr'op1“ieta. del t-ransist-ore bipolare pre-

-:alenternente sfruttata: in regione attiva, rielliipot-esi di ti-E c quindi di
.i costanti, la corrente di collettore dipende linearnlente dalla corrente di
`:_¬.~ase.
proprio la relazione che consente di utilizzare il dispositivo
:enie arnplilieatore. Difatti, riprendendo la not-azione usata nellianalisi di
piccolo segnale del paragrafo 2.9.2, il dispositivo è polarizzat-o in zona
attiva con correnti costanti di collettore e di ba.sc, IE e IE puntodi lavoro
esse sono legate dalla relazione \-"ariando quindi la corrente di base
rispetto al valore di polarizzazione, ovvero applicando alla base un ulteriore
I-ontributo di corrente, -ig-,, che cornunquc non niodifica le condizioni di
polarizzazione in zona att-iva, seinpre per la (3.25) la corrente totale nel
:'oilet.tore e pari a -iE = __-fi (IE - -ig). Tenendo conto elie per la corrente di
.i-ollet-tore si puo scrivere ~iE = IE + i,_., con banali passaggi algebrici risulta
É; : _i'fi-'i,:,. ln conclusione, variazioni della corrente di base (rispetto ad
:ui valore costante) generano variazioni nella corrente di collettore volte
:na-ggiori.

3.4.5 Sensitìvìtà del guadagno _."_5'

Coine verra discusso in seguito quando si anali-zzeranno le relazioni che

legano il guadagno di corrente a base eo1nune._ dg, con le caratteristiclle fi-
siclie del dispositivo, due transistori bipolari con caratterist-iclic costruttive
_-_~ín1ili hanno valori di ozg rnolto vicini tra loro, con errori inferiori a qualche
punto percentuale. Contraria.n1ente, per gli stessi transistori, il valore del

I TI
guadagno di corrente a crnettitore eoinune, Ö”, puo essere forternent-e diffe-
rente (non ir strano il caso in cui due transistori dello st-esso tipo .abbiario
¬valori di elie si differenziano di svariate decine).
La differenza, clle si osserva per transistori siinili, nelliaccuratezza dei
due guadagni sta nel tipo di relazione che intercorre tra t.u_¬, e Ö, rappresen-
tata dalla Difatti trarnite la funzione serisititfitaf di _.-fi, rispetto ad
ag, che risulta

P :id tig 1
Sg 'I = ed 3.26
U _ dflfl 3 il_'&fl I 2 ì

si e in grado di valutare le variazioni relative nel guadagno di corrent-e

ad einet-tit-ore coniune rispetto a quelle del guadagno di corrente a base
coinune

_ : 5,3 _ Clflr] . ___

l 2 0"” Â ee 2 (3 3?)

elio risultano, quindi, _.'I`5° volte maggiori.

Per avere uniidea del significa-to della 3.27),si considerino, a.d esernpio,
due transistori elie vengono pr'ogettati in nianiera uguale. Il causa di
piccole variaz-ioni nel processo costruttivo, il prirno presenta un guadagno
di correrite a base coinune pari a om = 0.993 ed il secondo ha o_.;E = U.Él92.
La variazione percentuale del guadagrio di corrente a base coinunc del
prirno transistore rispetto al secondo, valuta.ta corno _ e
U _ _
di circa lo U.l/fi, quindi inolto piccola.. Ciononostante questa variazione
relativa., per quanto contenuta, lia ripercussioni i1o11 trascurabili sullicrrore
relativo del guadagno a.d cinottit-ore comune. In particolare, considerando
clie _i'_i°1 = l-o; I 142 c ,'32 = l-og = 124, la variazione per'ceritua.le del
guadagno di corrente a einettit-ore cornune del prinie transistore rispetto
_ --3 , _-:-_. __ __ _
al secondo, valutata. come : e del l-4.-flirt, valore che e circa
tig volte maggiore della 1.-aiiazione percentuale di cin, eonie previsto dalla
(_3.2T).

'lLa. sensitivita di una funzione E rispetto ad una variabile rr: e dcñnita. da

sr = lia iii' = Èt
H .-la: --1-il å;_.'f_iJ."ifff Clfff '_lJl'

e rappresenta. la variazione rela-l.iva (o percentuale) della funzione 1; rispett-o ad una

variazione relativa. lo percentualc_l della variabile

175
 far." v tris* v

li B fa
-l
W--_ -“lfioz ti-il-,,.I. -.I.. _
Il-_ Il-"aa
-
= ti'. Ninì'
.*“.=~P;_,g«;`-_`*a.*:r`3=Èi fi_*§_'l3' _., _ _ E _- ;._ _ ti ,___,..,.- P- *it --.-.-.--.
_ , '
_- e I1 .-- 'f'-"P _ ...,;..r..,.r.r.r.ì.t,~.g§.,
-:-:.-ifi.='.._:É_IEišiši¦išišiši¦iši'¦ši-i¦iši-I-I' .'-I-: P--i".=« lg'¦'¦- ' ¦ . É il' __ _
Ir.-' fat- i Ia. Ic
O¢-lr tt* ¢-O
lT.l -
2° 1
1:'
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I Isa zz :
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i af
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ì ¦ ¦ :

i I i '
.. 1. - -.

"I"
'\ /" *\ I
l=~'l\
:.:: _'I '.
S- É cs*_ ._ H 1'":

Fig. 3.9 - Transistere bipolare di tipo npn in regione attiva diretta.

3.4.6 Transistere npn in regione attiva diretta

ll transistore bipolare di tipo npn pola.1'izzato ir1 regione _-'_

-_iì:'_;TT-_'-_
ij- inostrato in Fig. 3.9. Àrichc in questo caso, per lavoraie coi; †_-;-:';sÉ 1.111
positive, rispetto alla Fig. 3.3 (b), la tensione tra base e collettore vir-:ie
riferita con l-"EE la U. Si noti inoltre clic, rispetto al transistore pnp di
Fig. 3.5, tutte le correnti e le tensioni sono invertite.
}~lel transistore npn, la giunzione base-ernct-tit-ore, polarizzata diretta-
ziente, causa un nroto di elettroni elie attraversa la. giunzione inuovendosi
lalla regione di einet-titore verso quella di base. Ne risulta l.a. corrente IPE
:ii verso opposto al nioto degli elettroni. Centeniporaneainente un rnoto
lacune transita attraverso la stessa giunzione causando la corrente IPE.
-:ivi-fianiente, poiche liernettitore e niaggiorinente drogato della base, si lia
Fire IP E Ira- IPE. Gli elettroni che eornpongono la corrente IP E, giunti in ba-
se. iniziano a riconibinarsi con i portatori niaggioritari lacune) generando
la corrente IEE. Se la larglficzza di base, l--'l--IE, e piccola, la rnaggior par-
íc di questi elettroni non hanno il tempo di ricoinbinarsi e, arrivando nei
:nessi della giunzione base-collettore, a causa del cainpo elettrico causato
ÉEE, sono spinti nel collettore eonie corrente IPE. Conternporaneanien-
ie. la piccola corrente inversa di saturaz-ione, IPE, attraversa la giunzione
':ia.sc-collet.t.ore verso la base.
anche per questo dispositivo vale la e le relazioni e (3.l'[l).

179
 _-I _ __

lat

E Q @ O C
fili = IC' :Il

Fig. 3.10 - Modello del comportamento ideale di un transistore di tipo npn.

La relazione (3.11) va invece riscritta coine

In = (fair _ farti) + fps -- Ipo = Iso + -Iper _ Iper (333-l

in quanto, in questo caso, e

IEE = IPE - IPE (3.29)

analogarnente a quanto gia discusso per il transistore pnp, anche per il

t.ransist.ore npn i terrnini che compongono la. corrente di base sono terniini
indesiderati elie, idealnieute, dovrebbero essere nulli. Se fosse possibile
eliniinare questi effetti, il transistore npn si ridurrebbe al generatore di
corrente pilotato ir1 tensione lnostrato in Fig. 3.10.
Il guadagno di corrente nella configurazionc a. base cornune e definito
CGll11E

i. - _ _
ai = IE
rasta'

c rappresenta la frazione di corrente elie, provenendo dalliernettitore, riesce

a raggiungere il collettore.
Ragionando in rnaniera analoga a quanto fatto nella sezione per il
transistore pnp, lieflicienza di eniettitorc ed il fattore di t.rasporto in base
risultano

Infl f
"r.LI PRE *EI IPE 'Â 3.31 l

Iv.. _
se _ -É (3.32)
In-E

180
 51 :iii-Ti E fc? É:
+©"_4“` Il P H' +
1.1 __- ._ T.:

z rete due porto =

(H)

. H. _ Z

fiiffi foi:
O›=-I›i- P
+; =+
iv ]_ I E : 1'?

O _|_
rete due porte

(bi)

Fig. 3.11 - Configurazioni del transistore npn. (za) Base ::.'†¬._"e.-

ih) Emettitore comune.

:iovo ooiiitiiiua- :-31 1-fa,1e1*e ia (3.17).

'Toiieiido conto del pam-iiiietro an, la oorrelite Ig: puo os:=;e1¬e sr_*.1'it.tii iii
fiiilzioiio della-1. IE como

Lf; _ flglig + IP-,(;,f

E oontiniia za vziloI'o liapprossiiiiazioiie (3.19), dove ofg si iI1to1'p1^ot:êi omne

gliaidagiio della Coiifigurazioiio Iiiostrata, in Fig. 3.11 (-21).
Siiiiiiiiiioiitoì È possibile. flefiiiiro il giiadeì-1.g11o di coi'1:'oI1'uo nella +::oIií'igi1I'£i.-
:ione ai eIi'1ot†-i†-o1'o oofliiiiie -- 1I1os1:1'a,ta in Fig. 3.11 [ii] _ partendo dalla
Telai-ioififr che i1itoI'oo1'I'o tra lg e IB. Qiiostiiiitiina. ri111::1.11o seiiipro o5p1*essa
«Jonio Iioll-fi i:3.È1}i ai patto Lii 1'ido1i11i1¬e 1a {_iš.23) como

1 , _ _ ,
Ifìfßfii = íílfllipfli' : + 1) Ipü 13541

131
 Continneno inoll-re ai-1. ve.loro le relazioni e [3.Éèfi} fliove pero 1515553
ie peri ei Ipg¬. (ih-¬.f'ie.rrier1te, lleineliei rli eeneitivite del gueideigrio gi] riniene
inelterete.

3.5 Relazioni corrente-tensione nel transistore bipolare

ln qiieete. eeeiono ei rioan-'e1'e.n11o le eepreeeioni delle oorrenli in i'nneioI1e

delle li-eneioni di pole.1'izze.zioIie e delle cìaratteriet-iohe fieiolie del t1'e.11eiet-oro.
C=on'io in p1'eeedenze-, lieneliei ee1*à. eo11doi'.i,e per il t-1'e.neieto1'o pnp eeten-
denclo, eiio-:eeeive,1ne11t.e, i rie1_1l”ce.ti Hovati e,:riohe el treneieizore npn. Lo
eeopo e quello di rioe.ve.ro 1111 modello euilioieriternent-e eernpliee ine. effioeeo
del oo1r11.ioI't-ëirrierito del trnneietore nelle qilettro regioni di fune-io11e.n1ento.
Nel eoguito. ei eeeuIrioI'a.1'1I1o noti i ooeffic.ie1'1ti di diffiieione, le liingheezo
di tliflueiollo od i tornpi di vite Inedi, inerenti i portefcori n1i11o1*iteri delle
tre dii'fe.1'eI1ti regioni.

3.5.1 Profili dei portatori minoritari nel transistore pnp

Ferzendo riferirnento alla Fig. 3.12, verranno 1*ioe.ve.ti i profili dei porte.-
tori ininoriteri nelle tre regioni del treiieietore in equilibrio. Per le legge
Iilollieeiorio di Ilieese., lo oorlooiitraziorii dei po1'te.to1'i rni11orite.ri rieiiltz-ine

"iii, EU = ƒ«"l_.-“\:l1Jr_;r _ So)

J'_ì?.H gg = '??.?J_«"l_-"`\'T;J} H ~.

'rlpgg = J,-51"*-"*_,.›-1(j: (3.37)

Si oeeervi elie, oorne r1«1pp1'eeenteLto in Fig. 3.12. 1-'elle.nrici le {Ú.1]. ei lie

flpee *if P-een *ii 'neon-
Éipplienriclo nl diepoeitivo due teneioni generielie lfgg e l«*'}j;;;›, i proñli
rlei portatori n1inorite.ri nelle tre regioni nniteno rispetto elle. oondieione
di equilibrio ed henno degli e.11de.n1ent.i eirnili e. quelli già- treti'-ei'-i per i
diodi. ln pei1:'tiooleI'oi ee ei ipot«izze.r1o le regioni di orr1eti:ito1'e o di oollottoro
e.l3l:›e.etenze eeteeeä. le ooiloeiitrezioiii di elettroni hanno un enrleniento di

5Hioo1'Liie1n1o elie per regione e.l'_›l;›eei:er1ze. eeteeei. ei intende rnolto Iiiiei-ggiore delle
riepettii.-'e luiigliezee, di cliilneione.

182
 rp" J.-.PJ 'L-.L-'

i I
“I B Ii
F-i'__._ ='l\'l,] ƒ._' IL .'v:[)B I P-r *lllll-'lllli
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-I r r /F L\ 'F
I
-Jig U . Hš?i\_ ef-
Fig. 3.12 - Profili generici dei portatori minoritari in un transistore di tipo pnp.

Tipo espoiieiiziele. Per le. stesse ragione. poiche le regione di fue.-se 3:- j "
estese. il profilo delle lacune i11 beso ha un e.ride.n1ento lineere.
lÃ:|:'1e. prinie e.ne.li:si consente di ai't`er1ne.re che lontano -i-.a'_I'† _=;i'_;:_.:_' ' :_;
essie. ei terminali di ernettitoro e collettore. le L'o11t'e:iì:'e:_i::'_i rL:_=;:_'__
'_1gue.li el loro ve.lo1*o di equilibrio. lnolt-re. cronosoendo *_-1-:'.:.::'--1 i; _? '__'-.-
:ize-e.sio11e l›-fgg. -si puo deterniinare il valon? di c-onc-e:1tre:ì;~*_.~;- i-;-L , 7° -_'. :_
:iirioriteri nei punti :I: = -:tg e ir = O e_._ erieloge1'i1er;.r-. 1:..-.†;=_ le Ten:-1-;-;
7.133 si possono scrivere le c:oIn:o11t1'e,:«sioI1i nei punti .r : ll';; e = ;-.
Riprendendo qinirito tetto per le giunzioni pn od. in pertit-ole1'e. sosti-
Tuendo nelle. (2.56) e nelle (2.-57') le tensioni e.pplioe.t-e elle giunzioni nl po-
sto rli lfü. si li:-.milo le seguenti ¬ve.1"iaz-ioni nelle co1'1ooI1tI'e.:¢iiì›11i dei por'te.tori
:ninorit-e.ri

_|l' __ __ -'-,

n'eEl_~I†.f_~J _ “PEG te FE
 1.-"_ _-_ |___." 1,-"_

T
i

)
(see)
ii-JLEI-x=} : U (it:-39)

elieíüfi = il-.lee (i=Fi-if-f-I-"i'I'“f' _ 1) {3.4Uì

Pile ti-ifel = 111-eee (elite VT- 1) (3.41)

I f ~ _ if' - (3.12)

S
 .I'.'?' ' J'.-.l.I'
il.
B

' lei-¬
_ ¬.
I'

F ' . N.4:
I
I fi›=e.=l_U_l ri: j\,-'DB .D1 fili C
.».-.¬.- P.-1.6:-(lil
lf.'.r~' *I il;:II'.'."-l:'-i'l~'.›'-.') lr;.'rf'
É
-v\.¬ .-¬ . ¬. I
-c Qi-F 1"1_s›;¬-ze = I?sr¬r-lx) -›-CJ
E ??pe'.f«l.I
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1 pƒrßll
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p.H›w».~› I-
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FT1 . .-.n.
:__ UT-.ì*\._ - /'
gf
Fig. 3.13 - Profili dei portatori minoritari in un transistore bipolare di tipo pnp
nella configurazione Forward = O).

-s_;._†(+.¢>eji = U (3.43

l 1-'e..lo1'i delle eoI1oo11t1'e;sioI1i dei portet-ori Illinorit:-;-tri noi punti -eg. U.

ll'5 e .ifç sono inostreti i11 Fig. 3.12 per il caso in cui sie lfigg olio l›“`.};;†,:; sont-
ineggiori di zero. ossie con il t.re.nsistore nelle regione di seturezione difet-
ti †_°._1t:«::- le f:?onr~ei'itregioni dei port.et.ori 1ninorit.eri ei bordi delle regioni di
~:-eril:-e speziele euinenteno ris-pet.t.o ei ve.lori di equilibrio). Pur re.ppresen-
tendo le iigure questo oeso speoifioo, lienelisi che se.gue del tutto generele
e Tele per qtieliiriqiie regione di funzionerneiito.
Une. volte identiiicete le ooncent.1'e.zioni dei portatori rninorite..ri nei pun-
ti di iniesione, si puo tre.ooie1'e il loro endeniento ehe, de un punt.o di triste
quelitetix.-o. e 1nostre.to delle linee ooutinue ed in gressetto delle Fig. 3.12.
C-orne er:r:eri11et.o in pineedorize, .si t1:'e.oeie un eridenlonto osponensiele per
i profili -rip e n.i..f;¬;(;t_l nientre p.13(_.'e) lie un profilo lineere. Liende-
Inonto di questi profili eeuee il Inoto di eerielie e produoe le oorrenti nel
dispositivo.
Lo studio diretto delle. situezione deseritte in Fig. 3.12 tr eblfiesten-
se oneroso. Tutt.e*~.rie esso puo essere seinplitieeto se si tiene conto delle
seguenti eonsiderezioni:
I il profilo -ii.;E{ E-E ) e funeione delle. sole tensione T/175;
I il profilo -ii.;G(-' *ilEE-*e funzione delle sole tensione lfjgp;

ie;
 ` B 1.;

' 'Ts il.

.-. '5:" .* nf- ee fu = il.l"l.fl'f.' i

ii il lil; l I . I
fr-.'e¦i_ P mi 5)' P1sr¬e(Ir~J .Li-`i"i`!
se
E Here = rezslll
l
P.zee(-Y) i`~
* _.-"'
.-
-~ -

____ ____________
_ -

C
`¦ . f' H_r-C`l.l
O______ _ _ _ JQHBLI I ¬...

¬ P .,.-H..
-3'; U
A t
l'l"'i,5 .If
P .:
. ig. 3.14 - Profili dei portatori minoritari in un transistore bipolare di tipo pnp
nella configurazione Reverse (i--Lig : O).

1 il profilo Bier), essendo liiloere. puo essere oonsidereto eeine le .-:-..1.-:':'.::'-_-

di due profili lineeri, uno funzione delle. sole l-›'fg_;_-,¬ o l`eÈr;o f'.:;:i:;e del;
Sole. l-“ijj_.†,f-,i.

l.e oonseguenze di cio è olio Ö possibile enelizzerr- il -ii;=;.'_sif_°. _. :__---

'Serie regioni di funzionenlento e sotto diverse Condizioni si-.effrif-i;e. tri-.:¬_;it-_
in studio di duo oonligureziolii pertiooleri: le prinie. dette eonfigurezioiie
iirette o Fo'r'u.1o.~rd, nelle quele le tensione V55 e diverse de. zoro e 3
uguele e z-oro? le seoonde, det.te oonfigu1'e.zioIio inve1'se o Re-eeree. nelle.
;;'.ie.le lffijgg e dit-forse. de zero e B e peri e. zero.
Le eorifigureziono l:i`oi*we.1*d e n1ost.1'et.e in Fig. 3.13. Si osservi elie e
1-feto e.ggiunto il podioo F e tutte le ve.1'iebili prosonti in queste eonfigure.-
ione. ln queste situezione. oontinueno e velere le rele-zioni (3›.3É'›]-l__l'_i.L'l§š]
'lelle quell si ossorve elie. per l-"big : 0, le e le (_3.›-12) ennulleno
espriniendo il fetto elie le oonoontiezioni egli estrerni delle regione st-'uotete
:ese-oollettore sono peri elle conc-.ontrezioni in eouililnio.
Siinilnlentez le eonligureziono Reverse e n1ostre.te in Pig. 3.111 dot-re il
;erlioe R. 1.-'iene eggiunto e. tutto le *~.-'e.rie.l:›ili. ln queste situezione, ossie.
per trpp = U, le (3.38:} e le (3.el(l) si ennulleno. esprinienclo il tetto ehe
le r:onoe11trezioni egli ostreini delle regione s*~.-'uote.te. beso-on1el'..t.it.ore sono
peri elle oonoentrezioni in equililorio.
Cio elle e estreinernente intorossente not ere e elie i profili -till); ( -r1.;._C[e:)

185
e pllglir). di Fig. 3.12, sono dati de

i'il;›r;?l*`iil : 'ii'l;›.eFl1il + ii--_l.›E_r-.zlfiil

ii-_ir."l1iil : 'R-lie"FlIl f ii-lion(-fl I3-451

rìtelilfl = r.I..ei=-lei) + IJi..eel-T) (3-45)

ossia? i prolili delle oonfigurazione generioe sono peri e.lla. sornn1e dei ri-
spettivi profili velut.eti nelle due oolifiguraziorii Forv.-'ard e Reverse.
Coins oonsegiierize: poiché le correnti sono proporzionali e.lle derivate
dei profili dei portatori ed la derivata. È: un operatore lineare. si lie.

IE = Igp' +I_r_-jp; [3.¢1I)

Ig = Ig;-¬ -I-ICH

Ig = Igp +I5R_ (3.49)

Tele risultato è pertieolerinente iinportento in o_ue.nto consente di otte-

nere le eorrenti ai tre terinineli di uI1 transistore, trernite lo .studio di due
roiiñgnrezioiii pertieoleri o molto soiiipliei.

3.5.2 Studio della configurazione Forward di un transistore pnp

Lo studio di questa oonfigurezione perrnette di rioevero le Correnti ei ter-

niinali di e1nettit.ore._ oollettoro o beso indicate rispettivamente da IEF, I,gfp
e I5F. ll flusso delle oorronti interne, riportato per ohierezze in Fig. 3.15? o
siniile e quello visto in Fig. L-iiniiee diiferenze ie liessenze delle eerrente
Is.r'.*-
ln rneniere analoga e quanto t.retta.to nel paragrafo 3.4.1. le tensione
V5 5 eeuee un passeggio di oorrente ettrevorso le giunzione base-e1nett.it.ore.
Queste oorrente È dete da due oornponenti: le prinle, indioete non IPE1:.
oonst-e. di leeune provenienti dellieinettitore inentre le seoonde. Inpp. e
oeusete del passeggio di elettroni provenienti de.lle bese.
Pert.e delle leeune provenienti dellierriottitore si ri oonili:-ineno eon gli
elettroni presenti nelle beso o gonoreno le pieeele oorrente Iggy. Infine, le
leeune sopravvissut.e el processo di rieoinbinezione vengono riversete nella

185
 +l B

les
PT. I'›'l4z Fi. -Vitis I I "'-ti ' -=`”›-'i r'
_. .i ni. .fl--gli È J'

e
ff-.r
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1- il
HI* -. £.. . ›.
iisiiidli"Ȭ.fÉIÉilililIii:iÉ$`i`ii.i'7l°"
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E _ ___`.I Issa .
E ww ...i -.

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I
I : : ::--
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._.-1-. |. _

/I K0
-:cf =l-f`i*`*\._.
K 5
Pig. 3.15 - Transistere bipolare di tipo pnp in configurazione Forward. Correnti
associate al moto dei portatori.

re gione di collettore creando la corrente Ipg).-. Questo :_-›:;.:::_':.-;T†s:';;-'-:-'

;';for-istanze i11t.uitivo se si considera che il treiisistore si 1: °;_:._-. re _;: _ '_-_
;'..i›lto prossime alle regione att.ive dirette.
ll profilo dellieccesso dei portatori minoritari nella 1*egi~:›:;e di ;- _ if _ ?-
:'.¬-.'ien1ente nullo, rnentre per la regione di omcttir ore si lie un p:'oilo di Tip-_.
-1¬;;'1-one11zia.lc. I.-iergoniento del terrnine esponenziale include os¬i.'ie1nei1te
_."-_ rispettive. lunghezza. di diífusione. LHE. Tenendo conto delle relazioni
ljßti)-(3.39), per le concentrazioni degli eccessi di portetoriü si ha

,I ' s _ 1.-"F E, _.-"`IL.-Il-. _ I1'-'f_:_E~`) _.-"_[,.1,__1: . ..» *~

n__É__EF[_J:) _ 'ri.j,;;U(e1 › 1) ei "` ~ 'r' (doll)

ri.;,¢»__;_;¬¬[:;i:) = O

ll profilo dellieccesso di lacune in beso lle un andeinento lineere. Per-

'..;-_nto, tenendo conto delle (3.40) e del fatto cl1e le 3.41)risulte nulle per
È'--~;=,› = O. si he"
- .-

ill profilo dei portatori niinoriteri nell"en1etti†.ore e analogo a. quello ricevete per i
11.;-di e beso luege.
'll profilo dei portatori minoritari in liese e analogo e quello riceve.to per i diodi e
: :se corte.

187
 . __ _ _ I _ ._
Pileelllil = Pz-.ee (€lE”' I ' -1) (1 _ lil-52.-“

Le corrente di elettroni, I.._ grF, e generate delliiriiezione di elet.troni da.lle

base a.llien1ettil.ore. Quindi, applicando la e valutando il risult.ato
nel punto di iniezione, ossia per ;r.' : -mg, si ha

d '
I-ser = ei-lrfl-se ;1;li'l-.s1rlIf.l| I
- * ;r=-:tg

_ -.
_ i_lfƒl'l¬-D'r11lI."l7-'pl-Tifl
(Q EB __›'1.-T.I _
1) i_»,:.>,. _.:.~.3)

Le corrente di lacune Ipg1:- si ot.t.iene sostituendo nella 1.60) il profilo

dato delle l_3.o2_l e valutando il risultato per :1: _ U, ossia

d
I;-EF = -fi-iTDi›B íifiilsr-¬ IT). I
I' I;1T=fl

Q-`lID :JB I-111.30 1,.--'EB .-"L-1,. «

= --
il B (Q
-I f - 1) ; .re
J

La eerrente Igp; e generate dalla ricoinbinazione dei poitatori rnino-

rite.ri (lacune) con gli elet.troni presenti i11 base. Si puo diinostrere elie
esse. e direttainente proporzionale alla eeriee accunnilata in lt-ese dovuta
ellieccesso di lacune, Qi. p ,_ e inversainente proporzionale al loro t.ernpo di
vite niedio rpg, ossia

IBBF = Qbr
___ ..
(zie)
› r .e

Difetti, al ereseere del nuniero di lacune iniettate, euniente la carica

in eccesso eeennnilata in base, Q1.,F, e, cont.e1nporanean1ent.e, aurnenta il
tasso di rir-..ornloinazione (in altri terinini, più lacune vi eo11o in base, più
se ne ricoinbinano). \.="ic.eve1'sa, un rneggiore ternpo di vite rnedio cause un
aliliassainento del tesse di ricon1l:›inazione in quanto aurnente il nurnero di
le.cur1e elie perrnengono in base senza subire ricornbinezione.

ISI?
 Da un pun.to di viste
c analitico _ Qbf- 11o11 e altro clic liintegrele,
_ , la_ eeriee
_.
esteso alla regione di base, del profilo dellieccesso di portatori, pl,_B_;_¬(.r),
Tier la c.arice unitaria, g, per la superficie del transistore, AT, ossiafl
1.

I i _ . f-l›4rll___BPeeo ( Eii~_z,.f1_.T _ 1) (3__,__ö_

Qer = f.;'_-41" lu-
Pilar .lil f~lI='iF = .-1

Sostituendo la (3.=f:fi) nella si lie

pn BU ( e1_____._____ ___ ____._____:___ _ _

Iee ,e : 2______B

lnfinc, la corrente Ipgp puo essere calcolata con1e differenza tra I_,._.,f.;,f.- c
_ 351.-, ossia

D E irE) ( 1,15 _ 1) ,_
__3_____8)
I ¬r=fl1*f1-r '_ - P-eno @-
l'”*'r 1-1-I E 2¬-...B
Delle relazioni precedenti e sfruttando la. legge di Kirclioif delle correnti.
e irnrncdiato ricavare le correnti ai termine li di ernettitore, collettore e l'1a.se.
_-Le risulta.no

fee = Ip:~.fr~¬ + Iene =

= .el- Df““f“'B“ :_ D“E"PEf') ( Jfß--"i*I`ii' _ 1) iz.ss_i

Q T ( l"il"ifi L-HE

IIÉÉIT : I1r_1t'fif.l¬` :

= füfl-T DPE _ fr-

*__ Wi* ) 101-
f ne (s*ill"flBfW _ 1) (3.60)
Il 35 27;, B L

fee = fee - Itri' -

D-free'-»i›EU Llißpnml l@i-I-1ss_.='i-f.- _ ll [Sell
: *I-'ilríf P.
L~r1.I;-
+ Q..
- I -ADB

Trattando il treiisistore nella regione at-tiva dirette, le stato definit.o il

-1adarfno
e e di corrente nella con f1,3111
U" ¬azione e base cornunc, o:U. ln ineniere
_'-_naloga_ e possibile definire il seguente guadagno di corrente
''“i L ='integr
__e ale di ;r1,_p_
I - s(;r`}
- . tra D e I--I--"ii, puo essere
_ calcolato velocernenle considerando
."_e esso coincide con l'arca del trieng ' ol o di tiese I-'ll-“H e altezze tìlìpl.-(U).

I 89
 si .= . fece s.e2:=_
F IpEF `l` Iii.EF' l I

Tenendo conto clie il nuineratore della 3.62) e esattaniente uguele alle

corrente di collett.orc nella configurazione For¬ivard e che il denoniinetore
rappresenta la corrente di crricttitorc nella stessa coiiflgurazione, un niodo
elt.er1ia.t.ivo per definire oi-_;.¬ e il seguente

ee = (3.e3“=
E i”i::1i=U

Eleljiticnc le definizioni try e ci-'U presentino qiielclie differenz.a__ i due ter-

nriini sono conccttualniente e nuniericaincnte niolto siniili, al punto clie
spesso vengono usati iiidistintainente per indica.re il guadagno di corrente
iiclle. configurazione a base coinune. Dialtrondc, eonie sere conferinato in
seguito, non vi e niolta differenza tra il fi_1nziona1ncnt-o del transist.ore in
regione e.t.tive. diretta ed ii1 corifigurazioiic Forvvard.
Dividendo e nioltiplìcando la (3.62) per Ipgp, si puo riscrivere oi F nei
seguente iuodo
_.-

_ _ Ig.-›t;:i-¬ Iper _ I-,†›i::†.L-¬,«"l'-;.›s1~¬ 36

“F I--ri
si-...r per-"f I-n.1-:F 1-I
-l- .~._eF,f*ii
per l' -'
dove. sotto le spccificlie condizioni cli polarizzazione ipotizzate (`lf"}5 13 lia- U e
l}j~,›; = Oi. la frazione al iiiiinerat-o1¬e ha lo st.e.sso significato del pararnetro
og definito nella (3.16) e liinvcrso dol termine a.l de11oniina.tore lia. lo stesso
significato del pa.ra.incl;.ro 1.-'E definito nella 3.15). ln pert.ic.olare, poiche
la regione attiva diretta puo essere approssiniata. con il fun-zioneniento
in coriiiguraz-ione Forivard, sostituendo e.lla i valori delle correnti
trovati nella (3.-53), nella si possono ottenere per 1.-'E e of
le scgiicnt-i espressioni

.-- _ È
Ipgp 1 È 1 5 _ _,
i'Ti:1¬."-ti-i .__1--í:1-- i (3.Öi1)
I_Uj_-?_,§J` 2 Tpgppg 2 L-P3

___ _ _ _ 1 _ i _ 1 _, ___)
IE W
1+ Ifili*¬ ' _ Dea ti-pen I-"lie _
* 1+ D-si-'. _-""~"i.i.'›_›e›' Il-fe
“ _ li i il
I_p-P.fl'¬` DPE I-_'I'.†1Bl:l -Dpl-É' *\|.f'iE' Lnß

dove si e fatto i_iso delle (3.35)-(3.3ti:l e. del fatto che L-pp = ¬,_,r"i}_.gDpp.
Conseguentenicnte, per o:;.¬ e cn; si ha

190
 W = 15. = «111-:5¬ 13-1-11
Q11111111. 1101 1111 1ì11=110 111511051111-'0 11 g1111d11g1'10 111:- 11110 e55e1e 11te11111:0 00-
-:~:.':1.11te e 111pe11d011te e501115111~11'1'1e11t.e 1:15. p5.111111e.1:1'1 115101, ge0111et.111;1 11 1111110
301100111-1'e.1110111 111 c110g,1;11.11t0.
Le. 1e111z10110 (3.07) 0011 10 (_3.05)-(3116) pe11110t-te di e1-*111e11z10.10 1 0111011
ii 111'1:›_.=::=;e1í.te151011e f0111'111111e1'1tzf-1.11 per 11 1111011 11111:-11011£1.111011t0 del 1.1'5.115151.01*0.
1. pa-1't10015.1e. per 111.1* 111 1110110 che 110 5111 q115.111:0 più p10:?¬511110 11 11110.
si c1e1-fe 111-'010 111 1eg1011e di 011101-111010 1110110 più 1110.-gate. 1101111 1e,g1011e di
'.'.5.5e 015515., 1“\-113 2:) _-\"'D5) e 111 15.1g11e.v-ma 111 1111.50 1110110 più 111100015. 110115.
L'111g110z55. di 1111111510110 1:1e11e 1511.11110 (05515. 1--'1--“'13 <í<.í L-PH).

É5empi0 3.1 . _ _
Ce1001e11e 11 gL1e.131.=.¬1.g110 dì 001'1¬e11te_. 13. 12101 1_111 transistore pnp [0-",11 = 1019 0111 H1
.TUE = 101? 01114. 1"1'*_.¬_f; = 1015 0.1114). 1~1ve11t-e 11110 513055010 di 1-'T-"'B = 2 11111.
1515511111010 per 15- 111-150 11.73 - 200 01112_.-'W-T5. per 1°e11101.t1t01e 11...; = 100 01112 ,-*'11-'75 0 0110
1 1.e1111:11 di 1-'11.'-1 111e111 dei 1:.›0115.1011 5111.1'111 1,, : 15,. : 1 11.5.
.|-n.

::›|11zi0r1e
S1 1151111511111 1 00ef110i011t1 di d11'1'111¬:101'1e, .[}._..E 0 133,11

DHE = 1-"if :U..._ = 211 - 10_3 >< 100 = 2.Ö1:11121"5

.
.-' . I - 3
D-pg = 111-,11p = 20-10 >< ;200 = 020111
'-" 2 '
fâ

1311 00115eg11e11;.-15.. le 11111g}10r›'.ze 111 1111111510110. Lug 0 LP11. 501111 115.11

L._,,_,__- = 1,.-'r.¬,D†-.,_13 = 1,.-"'10 H >< 2.6 = 1.111 - l0_3 0111 = 10.1 11.111

L-pg _- «._,.=“'†pD;.L; = -~.,«”'1{1_'5 :-1 = 2.2-55 - 10"'J'1:111 = 22.31.1111

Per 111 {_3.E15j. 11 11111010 111 111-15110111: 111 115.50. 11-T, 0

ef = 1 - 11 1j1›-1.--'B _.11._1.B)2 = 1 _ 11.5 >< 12,.-'22.5;1” = 0.591115
111e1111e. per 1:21 [3.00,'¦-. 1:0fl:10101'1:›11«1 111 e11'1eL1;11'.01'0. 111-1111151

¬.- =
11.11:
'
.-1.-1,. F. 1-1-›-'B " L
2.11 1111?_ -
2 -1 = _ E1938
'E (1 _ 1DI._.f_-; f\-1.13 (1+ X 111119 K 16.1 U 9

11111111111. 11 g;1111c15.g110 0:0 È

0211 = ";f'1=_r1í1*_.fl = 0.É1É1Q3É `.>-<1' 0.011010 = 0.119553

111fi11e. 110.110 51 110110. per

ff: = 113111..-"I 1:1 - 111111) -' 0.9Q053|1"1':1 - f1'.ÉÃ}É10531 1 223

S1 11011 0110, per 1:011'1p11t:11'e e£110a.~:.e111e11te _."3_. 1 g115.115.g111 01-¬. 1';-'13 e 11-U 501111 515111
1111111111111 1151111110 1-111.110110 -É' 01110 C1e01111£-111.

191
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Fig. 3.16 - Transístore bipolare di tipo pnp in configurazione Reverse. Correní

associate al moto dei portatori.

3.5.3 Studio della configurazione Reverse di un transistore pnp

Lo studio delle.. eo11fie;11re,zio11e Reverse e.11rl1'ebhe svolto rieeo-'elriclo lr-

espressioiii eriailitiolle dei profili di (:o11oe11t1'a.z:ioI1e di Fig. 3.1-il dei r11111li.
eorrie ferro precederitorriente_ e_11drebbe1'o rieav11.te lo czorreiiiíi di portatori
eri iriiiiie le eorrellri ai terrriinali. T1_1tta_'1-fia, le. coiifiglireziorle Rm-*e1'se if-
s;:eeolar111e1'1re iriloiit-ioa .ff-1.ll.:f-1. eonfig111¬az-ione Fo1'wzì-J.rd_ ossia con le 1'egio11i di
eriieitrirore e eollet-to1'o sca.1nbis1te tra loro, come 111ost-re.-to in Fig. 3.15.
1151111 e11e11rlo le. corn-'erizioile sul 1-'erso delle correriti analogo. al osso pre-
eederlto {o1-*vero oo11sicle1'e_r1do posit.i1-fe la eorreiite cli collettore. I.;_1;R_ e le
eorrerite di liase, IgR__ se 11:-;oe11ti, e la oorrelite rli eiriettitoro, IER_ se eri-
t1*s.r1te}_ e possibile 1*ioe_¬rs..1¬e veloeemerite le cforrenti delle forrriule ott-o1'111te
ir1 p1'eeede11z:=_1. s. pet†.r1 di sr::~1r11bis_1-e 1.111.-ti i terroirii riferiti e_ll'e111e†.-titore. eor.
quelli del oollettore e di sost.il.11ire le. te11sio11e E73 alle te11sio11e V;_«_1;ll_
De. 1111 1¬.›11r1to di viste. (111s.lit-ai-ii-fo. il f1111:«;io11e1rr1e1'1†,o del diepositii-fo È
Iriolto simile ei quello ä1r1a.li;s:sa_t.o in preeerlerise.-_ 111 pa1*t-ioolelre, f11eer1Clo ri-
ferirrierito alle Fig. 3.151 lo pola.1'isv:e2io11e l»-'Egg e1'111se. 1111 moto di le.e11111.-
del eollettore *~fo1'so ls: l;ia_se_ cleterrr1i11e.11do le eor1'e11te Im-;R__ erl 1111 moro «li
elo1;1.ror1i dalla belse 1-*orso il eollet1:ore, dot.er111ir1e_11rlo le. oorreril-e Ing_~R_ T111-

iil-li 11oti il cliverso sistema. di riferimento rlelliasse :12 ehe riittevie 11o11 ho. eleune
i11ilL1e113e_ nella treitaziorie.

I
ist-'is__ poielle i11 q11est:£1 situssiorie le- bose È nisggiorineiite r_ìrogs.ts rlel eol-
Lettore__ ls. eorrente rli elettroni e di grs.11l1111gs rrisggiore di qnolls. di 1se1111o_
ls oorronto IIJQR s.ttrst-'ersn ls. líisse e snbisoe. 1111 processo di 1'ioo111binssio-
:e rlsl qn:-:ile si genere. le Correrite IEEE. l111'i11e, le l1~1r:11ne sririritvtfissiite 11
Questo prooesso 1-†e1'1gr111o rivorss_te nellieinettitore eonie eorrente _i'F,gR_
Ln eo1*1*e111.e di elettroni. Ingfi, si trot-'11 eipplienriclo le sostituzioni clo-
s-:ritte in preoecleriz-s. s..1ls. da cui

Inc?-E 1 gli s_o W ¬

T' -Lfiflf U , ti
(E-lf(__,¬,r;,¬_; l» 1- _ _
'rtfl-T

ln 1nsnier:.~1 sirnile, I;,@H_ si riesvs. dalle. ossis.

QÂTD- BP-«Bo - __

lnfine_ le correnti Iggg e IPHH sono rlste niodiiiesrido 1*ispott.irs111e11to

Â;-'_ [3_ñT) e la (3.58)

I-B-B R _ gšíßlì-n.BG ( C1..--'C.B___.-fr..--*T _ 1.) :I |_†

I

D B 1r __ .` _ _d

Ines = flflfr _. B _ 27.?'_E P-11.50 leliwli ll _ ll,_ :`-*- - -

Corne fatto nel osso delle. eonfig;ura,zioI1e Fc11'Ward_, le leggi rli l<_i1*el¬1off
":1se11to11o di 1'iost's1*e le oorre11ti si tre ter111ins.li elie risult.ano

fss. = -Ifnss =
.D_ H kr 1,-2_ _ . _ 1
=-s -JL-"__ ,_ wwfl-1 ses
g1¬ sw aoslplmli l l il
fr_:.'s. = -fsr_'f1¬1 _ L-›.r.'1s =
: _q Â? äflsslflnso . D-s~.cì"T?-pC'o) ( Q1--f'f_fB,»-'1-f_[-- _ 1) (33:-.f3\J
l"'l"?B L'-ri-C 3

Ios = fissi _ Ios: =

_ 4 -D111"-" ?1.j:›(_-lil H"'TBP†1BU ( 1.--fc, H i,-'1_.:I_ _3 T
1 g -Il -J gi + r I E il i -I Il i
L-?1.ífJ' 2Tp}3

193
 lfol esso delle oonfig1.1rs.sio11e l:ìove1'se e possiliile definire il seguente
gL1s.ds.g1'1o di oorre1'1t.e

I ER _
o-R : _ : e- 3.T'o
1»«wEB=o Iprrs. + I-s.r:'R

il eni sig11iiieeto e simile el giisdsgrio o.-F iiitrorlot-to s proposito delle eon-

iig11rs.sio11e `l:7o1"s-*s.1'tl. Esso difsitti rs.pprese11ts. quelle. peree11t11sle rli eor-
rento di eollettore elie riesce ad s.1'1'it-fare slliernettitore grs.sie sllioffot-1|;
t1'nr1sistore.
Dix-'iclorirìlo e rrioltipliosnrlo ls. 3.75) per Ipfj_.†Hg, 1:1: R dit-ferite

QR _ Ipsfs fpf:'s__ _ _ Tpi-.'s.«"'f;sc;*s. (3 T6

Ip-rss f;:›f:;'s + Iseo 1 + fsrí.†e_.U;›r_.:*s1

dove ln frazione sl n1_1n1ers.t.o1'e tiene conto delle pe1*ee11t11s1le rli rforronts.

perduto. in bose per 1'ieo1'11bi11s.zione {:sin1il1nente srl (11-H) e dove liint-*ers::
rl-el termine al r.'le1'1o1'11iI1s.tore rsppresellto quello pe1'oer1t11.s.le di oorrente
oollottore elle e i11 grado di subire l”0fl'ett.o t1'a.11sisto1'e [sirnilrnente s ^,-'E_}_
Sostit11e11do alle i vs.lo1'i rlelle correnti t1*ovs.ti nelle. (3.68). {3.TU
e nelle 3.Tl]. si p11r`:› rise1'i1--'ere of-R nella Seg'11e11te fornls.

il;-3 I 1-'(jC1T (3.77

ot-"vero, oorne plptlotto tre. il già. noto fattore di tr.'›1spo1'to i11 bose. of.
esplieits.-to 11ells. 3.65),ed n11 r111ot-fo pe1*e.111etro_. 1-C, ehe prende il 11o111e
efiìe-ie'r1so. di colletto-re_ detto rls.

l
.-.r,. I : _|_T __?
IF 1 + D-rtif i""_I}H H l

Ds 1-; È" Aof Lstii'

Qiiestinlt-in1o_ eonie s.eCe1111s.to in preeevilorlz-e._. 1's.pp1'ese11t11 q11olls.- pe1'ee11-

tnnle di oorrente (li eollett-o1'e olio fl: i11 grettlo di subire lleffetto trs.nsi-store.
É-sso eg pert.s.11to_ 1111 ps.1's.1'11et1'o duale s.-llieflfiicienzs di e111ettitore_ 'T11t-teorie.
rlit-'e1'ss.11'1ente clsl ps.rs.1netro of-"E, elie e 111olto prossiirio s. uno; l'el`.:E1oion:r.s.
di oollettore e molto 111i11ore clelliuriità ir1 qns.11to le. ooncentrssioiie di clro-
gs..r1to delle regione di ln--.1se___ _?\"'5›B_ e niolto 1r1e-ggiore dolls. eor1ee11t1's.sio11e
¬-

tli drogniite delle. regiorio di eolletto1'o_._ .7\'__.-15;.

191€
 Étnclie ir1 questo esso; per 1111 Cleto flispositit-'o_ il g11s.rls.gno ozgg puo
=--1-re ritenuto cost.s.nt.e +:lipe1'1Lle1'1clo esel11si1.-'s.r11_e11t-e ds. ps.rs.1r|et-ri fisici, geo-
Letrici e delle ooncentrseioni rli tlrogs.-11tc. T11tts.¬›.--is_ s. diitorcnss. di of-_ il
jsisrrietro o:;¬›, e rninore rlelliilnit-È|._ ir1 qns.11t-o lieflieierizs di eollettore. '*_r.g_r_ ie
less. stesse niinore «:lell`n11itÈ1-_ Poiché ls conñg11rs.zione Reverse puo essere
-;1isirle1's-ts eorrie 1111 esso ps.1*tic.olsre, Ins. molto simile s.-lle. regiorle s.t-tive.
:_'-:erss, il rr1ot.it-fo per cui il transistore 11on viene 1r1s.i ussto i:r1 queste. regio-
;e rli fnnsionsinerito ib det-o rls.l pessimo eflfett-o tra-nsistore elie cornports.
2 :*ests.zio11i inolt-o ses.dc11ti_

šsernpio 3.2 .. _. _
Cs.lcols.re ll- gusr] sgno di- corrente, r.1_r;___ per un transistore
_- - - _-
pnp {_1-1.15 = lüli''- cin -s _
_`“¬.1;.L,¬ = 10” cro_3_ _-"\-'M-; = llllñ c111_3}._ at-'e11te u11o spessore di bose T-li-"E = 2 _u.rn.
_-"1ssL1111e1'o per ls. l:›e.se ,LI- __-.~ = ÉUU 111112 fl Vs. per il collettore ,11.,¬_ = l-BDU errig,-“Fs e ehe
ì tempi di 1-its rnedì dei portatori siano 'rp = in = 1 us.

: ol uzione
Sì 1-'sliitsno ì coefiieionti di diltusione, D-sg: e Dps

o,.__f_¢_- _- 1--s;1.._ = es- 10* ;~< 1300 = ess emfüs

Dpg = l-"7;.g-_n_fi = 26 - l[}"3 ><i ÈUU = 5.2 c1;r1i'l_/s

rìì co11segue1Lz-s., le lunghezze di diffusione. I.-».. «.f_'.r e Lsu. sono pari s

_,-ii ' _ __ _.

I.-...Lv _ o"..,,_D_.,.f_›
nl- ì
-of lü ` ><: 33.8 _ (1.82 - 1D
Il *U À dl
eni _ ¬.›8.1 11n1
i ll-I

1.._.H = .._,.-*"e,._o.u.s = «gio-B s se = ess-1o_3 sm = 2.2.s1m.¬

ll fe.t†.ore di trasporto in li:-ise si cz:-tlcoln eonie 11ell'ese1:|:1pio 3.1 ed il C1-:T = U.Él'l}5l="'.i.

Lieffieienzs di collettore e flat:-1. delle l3.T8l_ e 1*is11lt.s 'I . '

-.-1: = l ¦ D†1r._-Nos Us _ l__. = 1+›5H.›.öx 10

1
K 2 - Dm'-*S
-Elp-E -'Tl'*'T_-1|'_'-' L†1.|f_`.' 13.2 1015

1-F,
Q11i111li_ per le 1:3.: rl. il g11n1'la.g1111 rirfl 1“isL1lL-E1

r1:,†f_ = ff-'fjfrizr = fl.f}4ÈT5š >=: fl.l3lFlfil5 UD*-135

Genio s.1teso_ og, e 1nolto ininore del gtisdsgno 11:1; [= oi.-] es.lcols.to nell'esercì-
sio 3.1.

1 .95
3.5.4 Correiiti ai termitleli in 1.111 transistore di tipo pnp

Le correnti si ter111i1'1s.li di emettiifore e collettore di 11n transistore p11p

sottoposto srl uns. generica. pols1*iz-znziorie possono essere 1'ics.vs.-te sosti-
tnelldo nelle [3.¢l'T)--(BALPÉ) le espressioiii (`3.59)-(3.50) e le [_3_T2)-{3.?3)_
Perts.nto._ si lis

fs = fee + fee = (ipse + I-p..e1¬¬) _ Ipse l_3-79"

fe' = feif + fee = Iper _ (fpcrs -ir Isc-fs) (3-SUE

Queste, tenendo conto del fotto che Ip-,ER = r1H(Ipg_rH +l'gg_fR) e che Ippjp- I
op (Iggy + I-,-_pf1:), possono essere riserit-te come

fs = (Ipse + I-pes) _ Ufs Upcrs + I-ms) = f_e.L¬ + ofnfen {_3+3l:_I'

fe = UHF (Ipse + I-psw) _ (fpcn. _ fpcfs) = Oo-=I.L.r.f + fee (3-Sil

rlot~*e per ls. (3.59) e la. (3.73) si ha

_ :B lo DTLE ..›'_. . ._.

IIJEF `l' IHE-F : f.-le;-l'TTl-'«' (A,-D;l__.1{__.-.-B + *_.†\.†AEL_nE) (elflgl ll- '_ 1)

.D B _D.n_(`* 1." _ .I .'__

I¬¬-I..-- = '~'|~.: ._ P _ -* .fe-flff-«i :ess
"fâ 'LH q In (_-'"`«"osl-"l-'B + N.4r.:L›-...f::) (É l ` 'l

Le relssione (3.83) ha 11n preciso sigriificeto iisico. Difs.tti_ un confronto

con le rels..'tior1i eo1're11t.e-tensione 1'ics.t*n.te per i diodi 11el cspitolo 2 rivels
che esse. esprime le. corrente che scorre s.tt1's.verso una. giunzione pn c.ostr11l3-
tit-'s.111er1t.e uguele elle giunzione lìisse-ernett-it-ore del trsnsistoro elle. quale
sis spplicste. le tensione lrlrg. A11s.logs.1nenle le rels.zione rs..ppre-
serits. ls. corrente che scorre s.tt1's.verso uns. giunzione pn cost-r1_1t.ti¬rs.roente
ngnsle elle. gi1111z¬io1'1e bese-collett-ore del tre.nsistore elle. qnsle sis. s.pplics.ts
ls. tensione lf'}j_rH. Definendo quindi i seg11enti termini

D- H DHE -
I _¬ = .fl 1- -e-1¬.: | -:lle -l- ii)
E il il I ll i*«"iisl-'Vs N.11): L--se l ll
D 5
1. = A- Â P : -_D- ff
) _
ses
mi il Till f¬
In ^~Ҡ.osl~"l-"is ' Nsel--p.r:'
l'-
I- l l
19.6'
_-':.e ra.1_1p1'ese11ta.no le correnti inverse di sa.t11rasione dei d11e diodi forinati
ialle due giunzioni del transistore, si possono risc1'i¬¬.-fere le {3.Sl) 3.82)
Time

le = Ins Qellffl - 1) - o-aIe.s* {el"iG`B-f'll'iT - l) l3.š:š'T}

lg __
_ 11,rrIp;_q C V.ssi"'l"ir - 1 _
- IUS Er Vcfe ' V1- _ l ' "S25
(È-.Ö.__l

Tramite le relazioni (3.85) e e le relazioni che esprimono cpp- e

_'. 5;; in fune-ione dei pa.ra.111etri tlsiei. del tra.nsist-ore, si puo dimostrare la.
-asiddetta -r-elo.sfi.on.e di reciproc.-itr`1 elie lega. le correnti di sa-turazione delle
;:".uns-ioni base-ernettitore e be.-se-collettore, I e L;__†__¬=,~. ossia

clip-uljgf-_? = Ctflffjfg- -f=.?i'*':*

ln pa.rt.icolare, detirierido la. co-rre-nte di sarurecíc-~i›.= :° __ ~ ~' -- __

FIE5 =cr;;,¢I¢f_:_=,~) e i1'1dica.-ndola con I5, si ha

_ __ -1 ¬ _- ?-
.lr,f-?=£ì1',r¬"Jlr_,{§j'¬=1O<:R1lgf-11'-
fllfìrfß-.-_Dpe
_ -` _ l__
- ' i1' 5'
" il “ -W1›el-"ll-""B 3 L;-:_

Esempio 3.3- __ -_ -
Calcolare la corre11te di sa.t11ra.zione di un t1'a.11sistore di tipo pnp, per il quale
si assurne N__†,,13 = lülg en1_3, N,f;;¬; = 1017 c1n_3, I\f__«,._-_-_~ = lillã crn ll, at.-'erite uno
spessore di base l-'l›";; = 2 um ed una superlicie zig- = 5 ~ 104* cm2_
.1'1ss11mere per la lìiase up _- ÉUU c1112__.-*Vs ed un ternpo di vita. rnedio delle lacune
'rp = l ps.

Soluzione
Il coetí-iciente di diifusione dei portatori minoritari in base, IJpn¬ e

Dpg = l.fT†¬;1_., = 26 - 'lü' il :›<: 200 = 5.2c1112,-"s

di conseguenz-a.. per la. hmghes-.za di diffusione, Lpg, si ottiene

.cpp - \/'†,._o,,p = ¬,.›*"1o-H sf se = ass - io* pp = sas pm

1.9?
 ƒ' 1|" ' l.I:.- J:I1_.

hl ì

:hci--l
|
_ 5 _ - _

,H -'lfris' § I1.125lo) P. Nei; 1.-1.

F? . ›'"`~'or.'
F _ 'l"l_z›B('x_:l 2 :
'IE pƒrE('-TE l Jnfflxí l 'lllq
-_¬., ,._.
-.1-.1 n.-M 1.

E Pe-*J r; ,rsIr
.
.pp .-
I III II I II I
e
.._....... III II I I
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I I II l

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I
-
|-ru-|¬.w›.-

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1-¬.» . ._.

' r

-.Tg 0 l"l'_r_=; _I|ff_'j'

Fig. 3.1? - Profili generici dei portatori minoritari in un transistore di tipo npn.

Dalla. I:3.EllJ) si ottiene per Ip

I:¬_. -
_ í..í_í
frfìrrrilflpe _, _ _
1 *_
I--'Va 2 -
_
' -3 .o .fr lle 2 I-'PB

1.r1-io-lt' sf. .=;~1o-1* X (ass-1o“)2 >< :3.2 X [q ( 2 )2

_ ___' ___.. - ' 1 -*_ :
in-T ›< 200 - io U 2a.s
= 19.3 - 111-11'* A

3.5.5 Correnti ai terrniiialì in un trailsistore di tipo npn

Urra. t1*a.tta.sio11e equivalente può essere svil11ppata anche per il t-1'a.11-

sistore npn. Conviene, tuttavia., sfr11tt.a1'e la dualità esistente tra. i due
dispositivi per ricavare le correnti ai t-ermina.li di quest-o t-ra.nsistore_
I profili dei port-a.to1*i rninorit-a.ri, nelle tre regioni ed in preserlzza. di po~
lariazazione generica, sono mostrati in Fig. 3.l'T. Come si 11ota, t11tti i
termini ir1 p1'eceden:«:-a. der1ota.ti con la. lettera p sono adesso riferiti con la
lettera. ri., e viceversa. Lo stesso dicasi per le eoncentra.zioni, dove _-T.-1, so-
stituisce .-"\-Tg e viceversa.. Per quanto riguarda. le tensioni di pola.riazazio11e_
E55 ie sostituito da. lf_o,¬:_- e 'lr"};-_fg da. V,of_:. Si nota, altresì, che le correnti ai
I;-er11n`nali hanno verso opposto rispetto a. quelle del transistore pnp.

198
 rftnclie per questo tipo di dispositivo e possiliile deiinire i g1_1ada.gni oq.¬
L ng, come

1 iírfpìfi
[LF :: lkrl :: 2 -Lflfiš _
il _ _ `T| M. l3¬gl)
-7 ll›"se=o 1 _¦_ DPE "l\'††flB lililß i
Das Ö~'o.e Lps
1(wp2
: 1- _ _ "i
fs, _ 2 _L-.,15
ri-:H = _ ,_ ) _ _† (3.92
1|_.'BE:{} 1 _: .DPI-fl." H J

I DHE -NJDC Lpifl'

L. di co11seg11ensa_ per oc;-, of-'E e '*_.-vj, si lia.

1 ( ) 2 _ ¬

er- ¬ _ _ ~
T 2 'rl-B

Il L _ 1 + Das -“`*f"_fi._s›_ I-'Ve :

D-11.5 -'N-DE Lpfi

1 _
ffi _jQeNwep
l¬'- -_
Dps N_r›f:r L-pe

Come in p1'eeeclensa, o:p¬ e r11olto simile al guadagno org ed e prossimo

:.:unit-È.. .51naloga1'11e11te, org e di 111olto inferiore alliunita. in quanto la.
'ì-ncentraaiorie di drogante i11 base e maggiore di quella. del collettore.
Le correnti Ip; e Ip; sono da.t.e da.

IE : IES ( el_..H _ _ QR I-GS ( gf _

G21? _lrE_5f (gig), EJ,-"1.--'T _ 1) - L;f_'.'_¢; (Cl'i?BC"'l'|l.ll-T _ ll)

fiove I,f;_:;† e Igp ra.ppresenta.r1o sempre le correnti inverse di saturazione

:eiative alla giunzione base-ernettitore e alla gi11nz-ione base-collettore. In

1.99
p:êL1¬tif:ü1a1'e esse ha111'1ü 113 51;:_g;11e11tí ef-1p1*e55i1'J11i

. D3 131,, _
11: A--.+* 1+-_-*L 3.95
LS Q THE 51115 WB -*fa 1~:L1:›E I(

I~_~«.~=
1. Gf A 1111
-2 NABI__ì_,†B
1 F* .: NDGL_pC___
P f 3.99

La 1'e1a1zì1:111e dì recìp1'0uìt.å1 cüntínlla 11. 1.-'a.1c1'1: 1:, la. defi11í2í011e 111111111 131.11-
1'e11te di sat1,11'11zìü110 del tra11siSt.1_¬.›1'e, I;-;:, a1ssu1'11e 1:~1 fü1*111a 5eguG11tu

15 = @11=1,:,§,† _ GBIC-E - Q 1 “:1H_1_

211,1 B [1 _ 51 2'J _
13.100
_-' '_-- -' L; _. -.H

Esempio 3.4 1 1
Per un transisf-Orc npn ä1¬=.-'e11te _-'X-7;; 1.; = 1Ol9<;r1I'1”3, 1"'--21,*-3 = lüwcnfg G N11;-.;" -
11115 11.111 "E, uno spc5so1*e di base I-ii; = 2 pm ed L11121 supe1'fi1:í1-1 ..#1-T = 5~ 'lU`3 1111121
cfalculare ì gilaflaghí di =;1ü1'1'e11te 1'? 1-1 11:11, 1101101145 la £“ür1:*e11te di 5at1.1I¬aEì+:›1'1E3 I
_ä5S11t11f:1"e per l'1-:1.1_1ett.it0rc, ,11-pm = 50 1.'1112,.-"'\-Ts, pm" 1:1. mgiülle di 11a-se ;.:,.,_-¬: =
T1JIf_}1:111'3__.-"\`s, 1301* 11 1:11111-1†.t11re ,11p¢~ = 400 c:1112__1"'x-"ss ed 1 segue11t.ì tc-111131 di vita medi
fl-;-'i gm-.-›1'1.«†¬.11:11*ì- - †,, = [1.1 115.
,rn

:noìuzí-Une
51 ~.';1l1;1an1i1 1 cocíficìenti di 11ií'F1_1sìm1f:¬ DFE, DHH e D;,f;.~

11,15 = 1-†1-1111: = :za - 10-3 >< 511: 1.3 111112,.--'11.

D,,_ ,L1 = 1-f-211115 = 211- 111 " 1-* >< 100 = 111.2 1.-1112,--'H
1111- = Ifi-1% = 211- 10 f* ›< 4110 = 10.4 11112,.-*'11
di ::ü11seg11e11:›:a., le 11111g11c*;«1:1e di 11iff1_1si::›11e, L-pg, Lng 1: L-;,.;;~, ;-1111111 pari a.

LW; = ¬\,f'1'pD;.E -_ flílfl - 10-” >< 1,3 361 - 11') 'ii 1:111 = 3.61 1.1111

1.1,-1 = ~.f».¬._,_111† 1 ~,,=""1f1L1- 111-H 11 15.2 _ 1.35-10'* 11111 = 13.5 pm

L-,fm Tpfipg = \,-"€11.10 - 1U_9 E 10.4 = 1.02 - 113-312111 = 111.2 1.1111

Per la, [3.É_~3§7É›]_¬ 11 fa.t1':ü1`£: di t1':=1spo1¬tü 111 basfi,-._ 1.1'-I, È'

G:-1¬ 2 1 - {1_ƒ'2f] [1-1-Ffgff-“gf 2 1 - 0.5 2-<; [È_;"l3.5]2 = 11.138*-.ÈUB

.:1?00
 P1-.r 1.3. {.`1-11»'1]1 1"e1-1-11'1e11za. 1:11 e1111=.t.11t1:›1¬:~._._ 1.-1.; 111111111-1.
._† -1 - › 11 _-
»~-TE' *-- 1 ~1 D15 *HB
1- H H1j = 1+ Lf;
1 -11.2
11 L.
1 0*”
_* = 11 1111111111
' D1-15 -""'›' 111: L-på

111111151. 13.1151. 1'1e1-11111211211. 1:11 1;1111et.1orc 111

_ _ D mi _-"'
Y_=1.11 1'1-"'151 \1 _i _ 111.4 111117 __ _
_r{__. _ -Ding JNTDC-I Iipü/ _ + X X TU? _

C-11111113111 il g1_1a.c111g111:› 11:11 11:

1111 = *¦.-',:1*.1'-;- = UBQQGE1 11 1_1.93äà903 = 0.915853

13, sF1'11tta.111;1111 111 13.22), si t1'1;1\.-'E1

._.-1 = 111,-' -11 - 111;.) = 11.11s111~1:1__1' 11 _ 11.11111131 = 111

11 g111111ag11n 113 è
15111 = 111-3-:1-›1¬ = 111.118111 211 UI-18903 = 11.081

Ed 111111113, da.11a. 13.1001; 51 Ott-iene

1I-'I31 If".1"1Él7
'11 HB _
15 = 1- 1131- =
Â-'_.1 5 13

1.11-111-11* 11 11-111'” 11 (9.61 1u°)2 >< 1.1.2 _ 1 _ _

= - _ _ .. ' :>:_ I.. -* = ' _ -_
101" ><I 200- 10-'-'
É-1 111111 11111. êì 5-tam :1fr111:.ta11.1:› il fa-1.11.11 1.-he 11 1=_1j1111c1ag111› 11.- ›1--_.~.:: __ ~j--~~ -
111 Ig.

23.5.6 Ikfícrdello di Ebers-1\/Ioll

Le 11111:-111111 {:3.88] 111211* 11 1.111111-11st01'11 pnp 1= 1e 13 96 - 3 QT 11111 11

“?5=.1'1:=_111š;1.111"e 111311 151 1:›1*E::?1t:f-1.1111 ad 111'1”i11t-e1*e1a1a1111t-11 c1cS1r1z11111e 111111|1.a11=-
31 1:1111s11de.1¬1 11 111.10 11111 t1*a.11111st1:›1*1:1 pnp. L-`11.11.¢1111-.1 11131 111111111 ter11111'11=-
ii-11151 1'11-111111 11111: 111111 p:511'1'-1.: 11111111 1:1:›1"1¬e11t.1: di e1111=-11111112 1:: 11:-11.-=1 111111111111
ia-11121. gì1111:1111:1111 1111 1:01111:›01=.1t.1~.1 11:21 base ed elnettítüre Da 1111 1311111111 1:11 11~'¬1.~1
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Fig. 3.18 - 11/|111:1el111 di Ebers-Meli del transistere bipolare 1:11 tipe pnp.
(1-1) Ferme classica; (11) Ferma alternativa.

1111111111: eeee 1*e.pp1*eee11t.e. u11 ge11e.1111:1;11'e 111 1:111'1'e11t1e 1:11111t111.1:1 111 e1111'e11111;-
en.-'e111-e 1:e111e 1:01-1-e111;e p1111t-11 quella. che ee111'1*e e.1t1e1-e1'e11 11 111111111 111:›1111eee11
1111 1:1:111ett1?11“e e beee e g11edeg11U peri 11 1111. 11-1:1 e1.eee1;1 1-'ele 11.11111111 per 11
1111111111 1:e1'111111e delle 11.1.88) ehe legge le. c01*1*e111:11 che seerre 11111 131111111 111111111.
111 1'111:111.11)111:11. 11131' 11111 e 111 11ve1'ee. 1311 1_:1:›11ett1::›1'e.

Le 1;e»11figu1*ez1ü11e e11'e111te.1e di c111e.111}11 e,1:›pe11e. 11ee1*.1*1”1t11 11111e1.1'11t11 111

Fìg. 3.18 1: pre1111e 11 1'11;1I11e 111 1111:1c1e111:1 di 1É~be1'e-1111111.

111.111:-1111111111 111 1:111'1'e11te 111 e11.t-u1¬e11-11111e c1e1 tre.11e1et111'e_. 15: le 1111111.:-'-1.2-111111

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11
1-
3.l9 - Medelío di Ebers-Moi! del transistore bìpoìare di tipe npn.
'- _-* Ferme classica; (En) Forma alternativa.
IJJ._ qll;

3.87) e pf;1ee¬011e essere rise:-ìtte come

11-¬ = | :›|
(e**"'f-fff-»""~"'-1' _ 1) _ I1; (1-.¬*~111)1'-†B›“fi¬ _ 1) (31101)

Lf; = I;,,~ (e'**"flB›-"'*"ìf _ 1) _ (.-Jflf _ 1) 13.102)

ed il 11:1f:›1í1e11f1 di Eì:›e1'e,-1\-11111 p11È1 essere re.pp1*eee11t.e1t~:1 nella fU1'11111 e.1†.e1¬11:›1-

five, II11í1›:=_-:~t1^:-;1'1'..:-=1 in Fíg. 3.18

;°?{)3
 In rneniere. e.11s.loge. le (3.96) 1'lese1*i1.-fe il fette elie le. oorrerite di enietti-
tore e eorrlposts. rl.-i=1.lls. eo1'1'o11te elie scorre 11.ttrs1verso un diorlo eon1'1oeso tre
hese e collettore eui si eggiiirige il eontributo di 1111 ,g_;e11ere.tore di eerrente
piloteto delle. eorrorite ehe scorre ettrei-'e1¬so un secondo diodo eoniiesso
tre. l:›s.se e Collettore. Sirnilrriente, le clese1¬ive eo1'11e le eor1*e11te di
eellettore sis. dei-e del oo11i:1*il11.1t-o di un cliorlo e di u11 geiiere-to1'o pilots.to.
ln questo esso il Inoriello È: descritto in Fig. 3.19 lie).
lÃÃt.iliss:£1-Iitio le eerrerlte di ss.i:-u1'ez-io11e, Ig, le oqrlezioiii (3.95) e [_3.9T
possorio essere riseritte eonie

IE : (Élf'1=1E,f"l*':P _ 1) _ (Dl--'.scír_.-"'1-'71' _ 1) (3103

1.: = Is [el'-self _ 1) _ i (ei-ef-i"f1 _ 1) (sine

O15*

rlelle qiieli si ottiene il rnorlello e.lte1'11e.t.ivo niostreto in Fig. 3.19 (li).

Si osselw-fi eorne tra i clue rnoclelli esiste una cliielità. ehe 1'E1pp1*ese111.-11. le
d1_1eli1.e. íisiee dei due clispositivi.
:fel nloclello di E-bere-Moll i diodi 1'e.pp1'esente.11o proprio le _e;i11nsio11i
pn elie Pisi(-e1'11e11te esistono nel t1*s.nsisto1'e, lnent-re i ge11ers.t-ori piloteti
tengfozio corno flelliefliet-to tn;-111sisto1'e, ossia del fe.t-to elie perle delle eeri-
elie ìeiettete in lnese riescono ed att1¬:-11-=e1*s11_.1"11 questa regione e e ri*~.-'erse.rsi
nelle regiorie opposte .:-31. quelle di provo11ie1'1ze.. Il ge1'1e1'e.-tore pilote.L-o eon-
nesso tra bese e Collettore tiene quindi conto di q11e.nt-e. eorre-11te ereete
£ls.ll.-51. s;i1111s-io11o bese-en¬_et.tito1'e riesce 11 1'egginnge1*e il ter111i11e.le di eol-
lettore. Visor.-*e1'se. il gerier-s.tore piloteto eonnesso tre. bese erl eniettitore
tiene eonte di q11e.11te. eorrerite oreets. delle. giilnz-io11e bese-eollet.t.o1'e riesee
e 1'eg;g;i1111g;ere il terininale di e11'1et†,-it-ore. I +;li1.-†er1-ai g11e.ds.g11i di eerrente dei
rlne generator-i pilot.e.ti, ossie ozp e 1:1.-H, evidenziano il retto ehe le corrente
_gene1's.ts. elle, giurizsione base-erriottitore subisce un e1:1:ellente ei'fet.to tren-
sisi:o1'e 171:;H 1) rnentre le. corrente geno1“e.t11. alle giiinzzioiio beso-eolletto1*e
presente un effetto l_re.11sisto1'e niolto soe1'so R <1
ll rnodello di Ebers-l\-lell riveste uniirnports.-rize fontlesnent-e.lo nelle. nio-
rlellistiee. del clispositivo. Esso, infs.tti, consente une. 1lese1*izio11e eoeulet-e
rli quel111'1q11e trensistore bipolare cle uns. seiripliee rnisurs. di tre pe.1'e111et1'i
Ele. 11:; e 1ì1:;¬›_;l. lrioltre. dete. le sile. soliiplioitå, 1.-'iene e.noo1'e. oggi useto
eonie elenierito eliiei.-'e per 1iese1*i¬1-†e1*e il eo1nporte.1nento cli nn trensistore
l¬.›ipols.1'e nei n1or;ler1'1i p1*o_gjre111n1i (li sin111l.:-'-1.zione el ee.leoletore.

20.1'.
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Išg- 3.20 - Transistere bipolare e simbolo eireuitale corrìspe-seerre s :":
:1) npn.

3.6 ll.-*Iodelli cireuitali statici del transistore bipolare-

ll lnoclello di E-l1e1's-la-'loll e un inoclello del tutto ;ge:1e1*e.ie e. sei:-f': -'_ 1'. -_

efieiente per lienelisi el eeltfolet-o1^e. preseiita. delle tliišieoltš-1 per '.111'e:¬1eii.-.=i
ì-erte e perins. o di prirne s.pprossi1'11ezi1*111e. Si ee1'el1e1':È1.. quirirli. fli fornire
ielle se11'1plific:esioni e.pp1*op1'iete di tele inoclello nelle q11e.i;.1_.1'o regioni di
:"_111z-io11s.Ine1'1to. Cfontrs.rie.1nente et qll-mito fatto i11 preeeLle11;re._. si p1*e11de1*È1.
iti ese.n1e ds.ppri1'11e il transistore npn. e sueeessiveinente si este11rie1“en11o i
:isnlteti el tI'e.nsistore prip.
Nel seguito si fe.r.-È1. uso dei simboli eireuits.li eo1nune1'11e11te 1111-iliz.s.e.ti per
Le 1¬eppresent›e.sio11e dei †_.-rensistori bipolswi. E-sei sono n1ostre.ti in Fig. 3.2U
;1er i rlne tipi di tr.s.11sistori. ln e11t-1's.n1bi i (tesi. le. regione (li erriettitore
s eoritressegnstte de. une. ireeeis. ehe indice il verso delle eerrente nelle.
I'onlig11re.?1io11e 1ne.e;giL11'111e11t.e utilizze†.s.. ossie. le 1'egio1'1e e.ttive. flirettsi.
ll diverso orienteinento tlei due dispositivi 11o11 e ee.sue.le. rne. 1*i-speeeliie.
snello eorriunernente edotteto nel disegno rli sel:1en1i elettriei (love i ter-
:11ineli e 1.1ot.en;sis.le più elevefito. dei qneli in genere proviene o seende le
Torrente. si trovs.11o in elte.

205
 Â-;-*if-'f-?†1§f~' Ö) üše
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Fig. 3.21 - Modello di Ebers-lvloll del transistore bipolare di tipo npn in regione
di interdizione.

3.6.1 lflodelli cireuitali in regione di interdizione

ll trensistore liiipolere si trova. i11 regione di i11t_e1'di;«1_io11e i11 preseri-

se di une. pole.1'isse.z-io11e i11ve1'se. di e11tra.1nbe le gi11n.rio11i. :fel eeso del
trs.11sistore 111311, quindi: si lie l-'i135 < O e l-"'50 <1'. O.
Feeendo riferilnent-o alle Fig. 3.19, e.tt1':e1ve1's11 i due diodi seorrorio due
eorre11t.i i11verse di sa-1t111's.sio11e. quindi molto pieeele. Inoltre. eorrenti dello
stesso ordine di gierldesse flui:-;soo11o et-t-1'e.ve1'so i due ge11e1'e.to1'i pilots.t.i di
eerrente. ln prirne. e.pprossi1r1s.zione. possibile s.ss111nere elie il disposit ivo
si eo111po1*te- eorne se: s.t.t-re.verso i tre terniinf-1.li, non seerre. alcune eerrente.
l tre terniinali sono quindi isole.t.i tre loro e possono essere deseritti de
eireuiti epert.i.
Tiittevie. per e.leune e.pplir:s.sio11i puo essere int-eressent-e e.11de.re e. ve-
lL1te.re uguelrrierite lie1'r1111onts.re delle eorrenti in gioeo ei tre ter111i11eli. ln
questo es.:-zo il eire11it.o di El)e1¬s-1-'loll di Fig. 3.19 puo essere ridisegneto
eonie in Fig. 3.21. Si osservi eonie le eorrenti e.tt.re.verso i diodi siene ste.te
prese eo11 un verso di riferirnerito op1:1osto e. quello di Fig. 3.19. es.1nlJi.=:111do
il segno delliespressione ris11lt.ente. U11 levoro enelogo e steto i`etto erielie
per i d11e genere.tori di eerrente.
Applieendo le. legge di Kirelioff delle- eorrenti si ries.vs.no le espressioni
per le eorrenti di eniettitoro. eollettore e beso

1 _ 15- = -15
IE = _;
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1 _ _1) ._ ,
1.1.10.:-1)

1.; = È _ 15 = 15 Qi _ 1) 13.106)
o: H o;H

12306
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fsl. lfile- lil F-'-lr_:s-.::

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3 g. 3.22 - Modello in regione di interdizione per un transistore di tipo npn.

l l .
.lg I Ig _ Ig = -Lf; - 'lì _ I;§.~ - 1) lk3.l[l'T)

Teriendo eonto ehe o-F e rnolto prossinio elliiiriità., si trova. elie le quen-
';T 1l"_g(1__.›“'-:11g.¬ - 1) e pressiine e. zero. Come eonseg1_1ense. le eerrente l'_;_- e
; Lie e t11t.ts. le. eerrente. I,g[1,-'o:R - l)_._ elie entre. del Collettore esee dels.
:_-1-_~e. Questiult-inie. eerrente e rnolto pressiine. alle corrente I-ƒ-5-_-ƒ 'i%i¬i:'_É°-
;á eeregrefri 3.11.-fl.
ll rnodello eirenit.:-1le corrispondente e inostrsto in Fig. 25.22- I.'=._"_;' -
__-.Lie rnedello per un trarisistore pnp e lasciato el lettore ì-:::*.~: se-:_-1 'L

È-ernpio 3.5 -
Fer un tr:-:111sistore npn avente _-\"'pE ¬ lülg enfß- .\'_1;5 = l{l:'_e1:1_l e _`f_:..f;- =
Ill" e1n`i}. uno spessore di bese I--i--'B _- 2 um ed 11ne.s1_1perfi1:ie .sir = -É1~ 10'* eroi.
:ele-olere le eerrente di ernett-itore, beso C eollettore in regione di interdizione.
_11ssL11'11ere per liernettitore. ,(155 = 50 e.1112,.-"W-.-is. per le regione di lìese 11.15,; =
Till eni? per il collettore 11.555; Lll'l(lr:rn2_,1""l.-'Ts ed i seguenti teinpi di vite lnetli
fiei 1111rt.:«1t.ori. T5 = T15 = U.l iis.

E : _ 11:-rione
Per risolvere il Tfiroblelrie. lífisogne val11ts.re i g1_1e.dE1.g11i oz): e rr,-5 e ls. corrente di
set-11rs.:ri¢_111e I Poielie teli greridesze so11o s1.s.1.e già riee.ve.te nell'ese1npio 3.4. il
:sleolo 11o1'1 verrà. fette. Eli he perterito

r1»:_1† ll .il li S G3

E1151: l_l.Ul'2il_

15 = sr-111 1*'*.¢1
Le eriirrenti di eniettitore, laeee eollettore i11 regione di interdizsione si rieeveno
delle relesioni -[I:'›.lílF1) 1f3.lIÉlT). De. eui
15 = _151j1_,.»"s.,.. _ 11 _- -sr-10-15 15 (1,-'r1.sssss _ 1) ..¬ 11--rr 111'* A

se?
 1.5- = 15- (1151-5. 1) = sr- 111 1* s (1,-*e.es1 11 = rss- 111 11
rs = rs _ re - -11.11-10 _ rse-1o"'i = _rs1- 111-15 .-1
Cor11e 1~11†.eso. le eorrenre di einer-titore e treseiirelìiile. rnent-re ls- eerrente di eol-
lettore e quelle. di beso sono prsties1'r1er1te L1gL1s.li tre. loro. Essendo queste |_1l1.i111e
peri e-lle eerrente 1.1.1.-131. puo 'f_1nel1e serivere
1.5-5.5. e 1.5- = rss-111 A
Eli noti infine ehe I5;-B1-;. e nieggiore delle corrente di setiirezíorie del Lrsnsist-ore
I

3.6.2 lvloclelli cireuitali in regione at-tive dirette.

Per qiiento le regione attiva. di1*et.t-e. sis. stst 1-1. già. erielizsete, in questo pe-
1¬s.grs1fo ss.1's-1111o riesvsti i più eornulii modelli ei1'e11it.s.li elie eonsentono une
deserisiorie effieiente del trs1-nsistore in questa regione di f1111:-1:ions.1nento.
Le regione e.ttiv:-L1 di1'et.t-e. e e-s.1'at.t.e1'izzs1.te. da-lls. giunzione. base-e-r11et.t-it-ore
polerisz-e.t-s. dirett.s11r1ente e delle. giunzione b11.se-eollett-ore pols1.risss.-t-s. i11-
verss.n1er1te. Pe1*t-13.111-o. eon riferirrionto ad un tra.nsistore di tipo npn. si he
l-"}5_1.; ..">- U e l›"}_;›¢;f -á 0. ln queste sit11azio11e le corrente I è 111111 eerrente
i1'r:e1'ss. di setiirezione ed il ge11ers.tore da essa. pilot-sto e dello stesso ordine
di greride;-c;«:e. Entrs.n1bi i eo11tril'_111ti sono pertanto t1'ese111*el1ili ed il rnodel-
lo di Ebers-}~Ioll di Fig. 3.19 si riduee e. quello most-re.t.o in Fig. 3.23 dove
e presente 1111 diodo elie modelle ls. giunzione pn e 1111 ge11e1'e.t.ore pilote-tr.
elie tiene eonto dellielietto transistore trernite il pe.rs.1net-ro o:F.
Le eorrenti di eollettore e di ernettitore possono essere espresse i11 une
delle segiienti fornie

Ig: I BE* T = 1'1'1.¬JlE_{;Ef BE- T (._)›.ilUS

15 = 11.-5-el = 1.5.- *ll* 13-109

dove si e tr'51se11re.-to il t.er1ni11e -1 rispetto e-lliesporierisiele.
Ds. un punto di *~.-'iste delle niodellistiee st-etiee-. il diodo puo essere
11lte1'ior1nente senipliliesto fe.ee11do uso di nno dei modelli iritrodott-i nei
eepitolo 2. Le. deserisione eirenit-s.le più eflieiente. i11 t-errnini di seniplieit-ii
e s.ee111's.t-esse-_. e quelle. elie sostitnisee el diodo 1111 ge11ereto1'e di tensione
eostente di vs.lore l fr-_,:-___›E,|-`:,;,_.¬._.†[~) 2 0.7)-T. Ovvie.1nente 5,;:gi-¬5-¬),
re.ppresent-e. le
t-e11sio11e di soglie. del diodo ed lie. lo stesso sigriifiee-to delle. tensione l-fl

2208
 g.

` -F": F* .Sé I
I
1--

f":-O
6?' -4O
oil' BC)-›-I

E _ , , , _
ff " U..~'~'-"ff-'3f+.)*3`7":PLI"'ne'FT)
H

3;. 3.23 - Modello in regione attiva diretta per un transístore di tipo non.

c
ff;
ÉI"_r1T_~

BQ-fi-

šfi-
E

Fig. 3.24 - Modello statico dì un transistore npn in regione attira o fette

us =L=¢¬-*wu *ff ' .ff H- ¬ *H ~

E 5:1-(H1 B(}¬ C
+i
L H 3"-.=;›'f¦j-;';.~.'j›"í ›Öìf¬irifi'

1-'F I1.'
1-:O E
(H) th)
_:ig. 3.25 - Modello in regione attiva diretta per un transistore clí tìpo non
a) Tvìodeìlo ad emettitore comune; (b) Modello statico.

209
introdotte. nel enpitolo 2. 'Lele modello viene spesso useto per riee.vn.re in
rnnniers veloce il punto rli levoro cli un circuito nel quele sono presenti più
transistori. ll circuito equivalente e most.1'et.o in Fig. 3.211.
ll modello cli Fig. 3.23. per quanto corretto. non evicienzie. le cfisrnt-
teristiclie cli empliiiceit-ore del transistore bipolare. in po.1'ticols.r'e qunnclo
«questo e useto nelle c:onfig1_1rez-iorle ed emettitore comune discusse. nel pe.-
regreio 3.4.4. Per f.1uest.o tipo di corifigureziorle si preferisce utilissere un
moclcllo elle eviclenzie le. rele.zio1'1e tra la. corrente rli collettore e quelle rli
eese. piuttosto che il modello di 3.23 el1e mette in 1¬ele.tione Ig con
IH. ll legerrie furl-.tiorlnle tre. Lg e IB puo essere calcolato come seglie

IE = IE _ IC = (E _ 1) IC = íwrcv
1 1_ _
(sile)
_

Deiinenrlo

_.;-ap = i-[EF {3.t111j;~

1 - cry:

si lis.

_lgj_' = -Ö)_;.'I_.5 (31121

ff = I'.l_r+l}IB (3.l13}

Si osservi che. come il gnedagrio org e .approssi1r1s.to del pe.re.111e”t.1*c:› ci.-',L¬.

cosi il giledegrio 3. clefinito nel pe.1*a.,§__1;r'n-fo 3.*-"Lil, È spprossirnst-o del nuovo
pe.re.rnetro 3;.-. In realtà. ,il e _.~'3;.¬ sarebbero legge1'111e11te ciifierenti, i11 quente
;¬¬È clefinito nelle. c.o11fig11rszi()ne pe.rtieele.re: dove lffgg- = O, mentre il
g;;11edsgnr1_£3e stete definito per l»-fgg -2: 0. Tutt.a-vis, le riiii`erense sono legete
E-L piccolissime correnti cli se.turezio1:1e che sono ininfiuenti nel computo ciei
due gusclngrii, clic, di fntto, risultano 11_g11a.li. Nel seguito qilinfli si userà
indistintamente fip e _:'? cosi come e si-ato fatto per o;1: e ctu.
Per le (3108) e le [3112] le corrente. di base nssurne quindi ln segue1'1te
espressione

Ig : I35 eT'“l'_*¬-*~!`f*`*"l'l«*" lle]

:love

IB;-.; = Igfiìp [:3.1_15fJ

210
 _ -__-' -35:' =33'iPl i ls.s-"lftl

T
_I:
to B

| 1.
4--

to
1':

m
a. @-
F1.¬¬.
._ ."| 'È

Fig. 3.26 - Modello in regione attiva diretta per un transistore di tipo pnp.

La corrente di base pue quindi essere descritta- da una giunsione pn la

iui corrente di sat-uraz-ione e 1:volte inferiore della corrente cli saturazione
Lel transistore. ll modello risultante e mostrato ir1 l7'i.s_;. 3.25 (aj ed e del
tutto equivalente a quello di Fig. 3.23.
Ètriclie in questo caso e possibile sostituire al diede uno dei modelli
statici ini_roclot.ti nel capitolo 2. ln palticolare, usando un _g.-“;e11e:*eT|.i.:*+ .ii
tensione costante del valore l-*'323E10.-vj E UFV si ottiene il model: _:';-_'-
-_¬;ostrato in Fig. 3.2-5
Per quanto riguarda il transistore pnp possono essere s°~.-íl'.:pp:-.ff __-
+ì-dera.:›~:ioni simili a quelle tlatt-e per il tra.nsistore npn che po1*I.s:=.:¬_-:= s
lei moclclli analoghi del dispositivo. ln particolare. tenendo conto clic- in
:e§'._;ior1e att.iva di1'et1ta. si ha l»-*EB ì> O e Vcire <1' O. il rnoclello di Ebers-lloll
ii Fig. 3.15 si selnplifica ed mostrato in Fig. 3.26.
_›'3.-.cl esso. ovviamente. possibile sostituire il diodo con il 5;_;er1e1'ai.o1'e di
Tensione costante del valore B(O__.¬g}2 0.? V ed ottenere il corrisponclente
:oclello statico.
lÈì.in1a11enclo inalterate le relazioni (21110)--(3.l15:}, e possibile costruire
-. modello che mette in relazione la corrente di collet.t.ore con la corrente
ii base come most-rat-o in Fig. 3.27 la cui sempliiicazione statica 'lr
riportata in Fig. 3.2?

3.6.3 lt-*Iodellì cireuitali in regiolle attiva inversa

I.-a. regione attiva inversa per un transistore di tipo 11p11 prevede V55 -si U
f lfirggjr 3- U. In questa sitllasiorrc la corrente Ii; e una corrente inversa
fi saturazione ed il generatore da essa pilotato ir dello stesso ordine di
rranrlee-sa. lÉ;ntra.mbi i contrilimti so11o pertanto trascurabili ed il nleclelle

211
 E. E
.t-
1:- 1;-

!-rlltfrs V5_n;r1.1.'j. L ßn-l

B _- c BO-<J c
fa _ 1'B5 €XPi.l"'.s.s"' Vr;-"l ft." fa fc'

(H) (ll)
Fig. 3.2? - Modello in regione attive diretta per un transistore di tipo pnp.
(ei) Modello ad emettitore comune; (b) Modello statico.

di Ebers-lì-"Ioll di F'ie;. 3.19 si riduce a quello mostrato in Fig. dove È'.-

presente ur1 diede che modella la giunzione pn e un generatore pilotato cl1e
tiene conto dellletfeti.-o transistore t-ramjte il pa1:'a-metro ogg.
Tra.sc11ranclo il termine -1 rispetto a.lliesponenzi.ale, le correnti di e1net-
titore e di collettore si 1'id11coI1e a

IE = 15 f.~F%=1† = aRim etls' (3..11sf;~

rc 1- iijls,-.ssR) si"i'f«f~†i*f = rc EW-fif {:1.11v)
ll modello È?-. equivalente a quello ricavato per la regio11e attiva diretta di
Fig. 3.23 co1:1 la differenza che l"emettit.ore e sean1biat.o con il collettore. la
ter1sione V55 e sostit11ìta dalla l»"1;(j; ed il gt1e1.t1ag_;1'1o o;-3.- e sostituito da org.
Da queste consiclerazioni banale. ed e pe1't.a.nt.o lasciate come esercizio al
lettore. ricavare il modello st-at.ieo equiva.le11t.e corrispor1dente a quello in
Figi 3.24.
E utile introdurre un parametro corrispotitlente al gtiadagno Fche, in
questo caso. esprime il les;a.n1e funzionale tra IE e Ig. Co11sitierar1do cl1e
1 1 ._ __
IB = Lf, _ rt; = (E _ 1) nf _ T5515 13.118)
si rleñnisce

ss = __*-il-L
l. _ CER
(3119)
mediante il quale si ha

Le _ ,SRIB (3120)

32-122
 J
*Â
“U
E I .
' ffáfeft'

E :> Hc
C
J C.
5 il-" se
f-*P~I1;1¢1'*f"t-z.›"f»*'-1')
Fig. 3.28 - Modello in regione attive inversa per un transistore cli tipo npn.

Jil-ri In) \Ja"l.1J'\`l' 5:- I J:

B E

,ßßffi

1.» -
ci `
32-U*-1 . 3.29 - Modello alternativo in regione attiva inversa per un transistore
ton.

C
Q le = U.t~"'íl'.*?l eepi l'lf?a""l”?T)

Ii?
2
B E Q-4_-

Ifflslt'
E IE

ls

Fig. 3.30 - ivioclello in regione attiva inversa per un transistore di tipo pnp.

/*'21-1?
 lg = -l- lllfl (3.l2l_l

ll modello corrispondente e mostrato in Fig. 3.29 dove la corrente l'35

assume il seguente valore

Ig : I5_;'_1-ER ij:-3.1221:
Gonfroritarido le espressioni (3.1 ll] e (3.l19l_. unit-arnente a quanto det-
to i11 merito ai va-lori tipici assunti da try e 1:1-;1›_. e- interessante rilevare elie.
n:1ent-re _fi;›¬ e un valore di guadagno part.icolarn1ent-e elevato, il corrispon-
dente guadagiio in regione attiva inversa, ,«¬;_›__.e contenuto. Questo spie-
ga perche il tra.nsistore e diilicilinente utilizzato in questa eoniigurazione
eireuitale.
ll modello circuitale inerente la corifiguraz-iolie statica corrispondente
alla Fig. 3.29 viene las-e.ia.te come esercizio al lettore. Sirnilrnent-e viene
fatto per quanto riguarda il funzionamento del t-ransi-store di tipo pnp in
questa regione del quale si inestra in Fig. 3.30 la senipliflca-zione ricavata
dal modello di E-be1's-Moll di Fig.

Esempio 3.6 _ . - .
Per un transistore npn avente _-"x-lm:; = 1019 cn1`3: P*-'_1«.ri = 1017 cn1`3. r`¬.ü_;›.¢;- =
lllllš' cm il ed uno spessore di base l--l-"g = 2 pm. calcolare il guadagno cli corrente
Z-_.°:- _
.1'iss¬._1n¬.ere per la regione di base png; = TOO cn12_.-*'l'~«~"s. per il collettore ;i.I,f,- ¬
l.If}i_l cnr; Ts ed i seguenti tempi di vita medi dei portatori. T, = 'rn = Uli us.

Soluzione
ll calcolo di ng È: stato svelte nell'eseInpio 3.4 per il quale e ottellute

CER = |:}.l_lÉil_

Di conseguenza, dalla [_3.1l'Él:}. si ottiene

se = a_s,.-'{1- as)=f1.0s1,›-'(1 - 0.081) = ss - in-3

dalla quale appare eviciente perche un tra.nsistore 11on venga rnai usato in regione
attiva inversa.

3.6.4 Modelli cireuitali in regione di saturazione

La regione di saturazione e deiinita come la. regione nella quale

tanto la giunzione base-ernet-titore quanto la giunzione base-collettore sono

2214
 fc

ri. +
+ trai.
V
BE l

'o o
_-
_|
.rg-
-|...r
3.31 - Transistere di tipo non nella configurazione ad ernettitore comune.

f. Llarizzate direttament-e. Secondo questa definizione, un transistore npn

._'_e presenta. la giunzione base-ernet-tit-ore piiilarizz'-a.t.a di1*et.taInent.e (cioe,
_-_;_e.ç.;;i,-¬~r1 2 [l.TV] si trova in regione attiva diretta per Var? si il e in
.saturazione per l›'fgf;~ ìfi- U.
Questo, in etfet-ti. non ha una precisa corrispondenza con il reale fun-
-_*.-inaniento del dispositivo elie; per u11a. debole polarizzazione diretta della
;¬l'.1nz-ione base collettore eoritiriua a funzionare come Jc fo;'-›. 1:; 1'-2 gi 1-:'_-1-
_ G... _ 1-., """-.C1 _

_-.ìtiva diretta. 111 particolare, per osservare lingresso nella re 1+; s_-.T';-
:.=._zione. la tensione l«']g(_3 deve essere alnleno pari a Ill.-1-{'.~É T :':'_+:'.*:-ì. 1 L:
_.°_;:r_¬ positiva. ma inferiore a. 0.11 -l.l.iiV. il transistore cc-:ti;°;f. _-'. .*;:'_"; _ 1
:; regione attiva diretta.
Accettando moment-anearnente questo fatto. che s.a:~å-. z-.:°.al*_::s.t: -_ -_ -: :+-
si consideri il circuito inestrate in Fig. 3.31 elie 1'ip1'cì1<fi:_1r-r- il 1:;-.;'..-=;st _' :s
'.°.~n11esso 11ella configurazione ad en'1et.t.it.ore con'1u11e. ln questa c~iì›i';Ég:_;-
:azione il dispositivo e usato come a1r1plifica.t.ore ed è caratterizzato dalla
1.-. tensione. V35 = l«-':5;5rf;_,.-.=~, e dalla corrente Ig legata alla corrente IH
'tainite la relazione lineare Ig = _Ö';¬~IH.
Tale relazione iii fondameritale per il funzionan'1ento del t.ransist-o1¬e eonie
*-Jnplificatore tanto elie? da un punto di vista p1'atico, e possibile atferinare
1-se -il t-ra-n..sislo-re pe-r¬in.a-nc nella regio-n-e atti~1io.- dif-i¬ette. fi-iitri.-iitor;lie r:oritii'.1.'u.n-
; parma..-rie-r'r: -il legante lin.ca-rc tra If; e IH espresso da Ig = _i'3pI5.
La relazione di linearita tra la eerrente di collettore e quella di base
fornisce quindi u11 modo alternativo per stabilire quando il dispositivo si
trova ir1 regione attiva diretta. Di contro, essa fornisce anche un metodo
per identiiicare quando il tra.nsistore abbaridona questa regione per entrare
:ella regione di saturazionew. Da un punto di vista pratico; quindi? la
regione di saturazione del dispositivo di Fig. 3.31 e caratterizzata dalla
:ton validita della relazione Ig : _i'3pI5.
'flfii noti cbe, lib;-J = lf":r;,=;1|'r;›.-v*, le U; le unielie regioni di funzionaineizit-o possibili
sa_ran1'1o o la regione attiva diretta o la regione di saturazione.

215
 EU 1 . 1 1 _ __

5[l= -

4G _... __

orcetl DJ C3'

se- -

11:1- -

U _..4- 1 __________ _ _1 1 '

UU' U.`l 0.2 Q3 U.-'il 'U.5 UJB

VsclVl
Fig. 3.32 - Variazione di __1'I3_fU.m3d_1 (=Ig,f"IB) in funzione della tensione l›-*'1L;.¢¢;1

U.4 _ 1 1 1 1 _' _

U.3i- _

e.z-- ¬
*lil*

VosVl

0.1 - '

ao F l----------
' se ' '
ao as 111.4 as as in 1.2
ßforoedlß F

Fig. 3.33 - l-ígg in funzione di _£àf;*O.,.,H,†;"_£:lF per un transistore in regione cl

saturazione.

216'
 -L-E J _

B( )-Dj C

V1:1-5;1:1.'1';. l L llca-111
(UT V)
T fr
(112 V]

E
.:ig. 3.34 - Modello in regione di saturazione per un transistore di tipo npn.

Per capire come la relazione I1;; : _.-3;.-I;_; perda di validita ir1 saturazio-
si ipotizzi il dispositivo di Fig. 3.31 polarizzato da 11na tensione lffgg
::›st-ante e si esamini il comportarrierit-0 di If; e Ig al variare della tensione
T5113. Con riferimento al modello di E-bers-l\--loll di Fig. 3.19. si osserva
íÉ".e. se V35 e maiiteluita costante, le correnti I e 1::1<;.¬l non subiscono
_-L-curia variaz-ione. Di contro; un aurnento della tensione lfig.-. causa un
Lcreniento espo1:1enz-iale della corrente I
Da una semplice analisi ai nodi applicata al modello di Ebers-11-:I si
__--1.

lr; = 15 (elfiifl - 1) - [I_g,r"tr;g_) (el"'_"°`“5-"ll-*_ - ll ---ÃÃÉ

la = lis.-i'..-dal _ 1) + (I.s1-".='3al (el-mi il _ 1 ii1.L'.`-'-l

islle quali e abbastanza intuitivo notare elie, a.ll'au1'1'1e1'1ta.rc di `l-':1_;g_.¬_, I1;-_: di-
;'_inuisce mentre Ig auinenta. Di eonseguenza_._ il rapporto Ir_.¬,r"I;1;› e Ininorc
Ãi quello che si aveva per l-~"}gr_;.~ <1 O, cioe in regione attiva diretta. In altri
íerininip per l»-"F55 la U si ha

lg; , _ _
_ -ci ,tip {3.12-5)
fa
ll rapporto reale I.ç_;†_,f"IL; viene spesse cliiainat-o _.-If? forzato; deiinito come

*ìlortfcd :

Da quanto detto si deduce cl1e e sempre __3ƒ_,;,;.¬¢€g É F,dove l'uguaglian za

_-sie solo in regione attiva diretta..
Per quanto la relazione _1'3_;¢,.,-.L-fa-_ il _1"3p sia inatematicamente valida: nella
:eticail valore di ,dj-€,1¬.;m; non varia rispetto a 3;: íintaiitoche la tensione

231'?
 l-'I
Tr

'F-.:..1'?|._ü."1›r:l I + F-'¬.'|I' .'.~;r:1'

1111.? vi T -E re-: v)
B C
In 4.-
li»
-1.

Fig. 3.35 - Modello in regione di saturazione per un transistore di tipo pnp.

l»*'}_.;-1-gf 11on raggiunga almeno 0.11.-U.-5 V. Quanto detto trova riscontro 11el
grafico di Fig. 3.32 dove e riportato llandaniento di __1"iJr,m.fi_:,-_1 in funzione di
lfggr per ur1 transistore avente 113;: tt 50 e ,53 = 0.1.
Questo coinportaniento giustillca anello il fatto di aver assunto che ii
transistore nella configurazione Forvvard si comporta in maniera del tutto
sim ile ad un t.ransisto1'e funzionante ir1 regione attiva diretta. Difatti nella
eonfiguraziorie Forvvard, il transistore presenta la tensione. base-collet-l'.ore
pari a il e, per quanto discusso in precede11za_._ si ha ,if31|rf,.]-mi = F= 13.
alla luc.e di quanto esposto. definisce regione di saturazione quelle.
zona. di funzionan'1ent.o del transistore per la quale il valore di _i'5'f._-,;.~,:¬_,£_L; i-
inferiore :-1 [L9 ~ __-'I'3;†.
l`¬¬lel caso della configurazione ad emettitore eoinune di Fig. 3.31. si
preferisce indicare la condizione di saturaz-ione in funzioile della tensio-
ne collettore-einett-it-ore piuttosto che in funziorie del parametro _.-fif.m._3,J_1_ 1:1-
deila tensione l-"',L;1j_r: in quanto ,13È' proprie la tensione di uscita delle
porta.
ll valore assunto da l-fQ;,1j«; in un transistore in sat1_1raziene pue essere
derivato dalle relazioni (3,123) 3.124) sostituendo in esse Ig; _ _i`3J1~_:,Tm,,;I
e tenendo conto elie el"":BE-WT È-`3> l e ev-3'-'7-'=""'l"ll` )};> l.. ln questo tnodo si
¬-

ottengono due equazioni elie possono essere risolte per ricavare l/5,15 e lfgg
dalla cui differenza si trova

1 -l- [i9fU.,.Cmj + ll flßg

vs 1: v 1 ' _ - “ 3.12-
flå T H 1 _ ,ll-_ld1'io-r1:col,f`l.*'|-fili" 3 I

ll grafico della (3.12T:1 e riportato i11 Fig. in funzione di _dƒm..,3€gf_.-3;

per un transistore avente F-- 50 e ,.-.'33 = 0.1. Come si rileva._ in regione di
saturazione. os-sia per _1f{r£,.,w5 fr'_,.-1'3;.¬ -il 0.9; la tensione lff;-,¬J13 si rnantiene al di
sotto di 0.2-11.3 V. Liandainento asintotieo elie si osserva per ƒG..,._¬_.m1_,1"__t'v°_1=-:
1 indica invece che il transistore. lia lasciato la zona di saturazione e si
trova in regione attiva diretta.

318
 La tensione l»-“hg al di sotto della quale il transistore si trova ir1 regione
2 saturazione si indica con l/ig,13,.,,_1_ e p11i`1 essere trovata sostituendo nella
E-.12T:1, ,1Él_,-¬,;, .¬,._;,., 1 I 0.0 ~ _1'f1'p, da cui

ll; › + ƒ."3 , _ _ _ ,
1-'t.†r:.ai = 111 l -1'_-ro 9 if” H a if,-.11~111f1(1 † e.a_i-3F__.«'_.-sali (s.1zs}
i:-ve si e assunto 0.0 + FI:>}.`> 1. 'Tale relazione, per valori tipici del rapporto
."_.-,_..,:,.,,;,_-“',1'§'R e a temperatura ambiente, fornisce per l-fÉ_7;;_,,,_† il valore di circa
l .È É-"_
.analizzando il grafico di Fig. 3.33, si nota elie., in prima approssimazio-
la tensione lrhg puo essere ritenuta costante e pari a l-f2__¬,L_:,-mi in tutta la
:f;_=;ione di saturazione. Pertanto un e.ff`u;:.ie11t_e modello in regione di satu-
:szione 1'app1'esenta la porta di uscita del transistore come un generatore
*_* tensione costante pari a 150,1:;_,.,,_,_ rs 0.2 V, come mostrato in Fig. 3.3-1.
La giunzione base-emettitore continua. ad essere descritta is ';.:'.i-
L; generatore di tensione pari a l-f"}_-.;E(0__¬1,-~). ln iriatiít'-ra _-í~ì::'.Éi+ è _'::ssi':i-
-s descrivere il transistore pnp il cui circuito eqiiivadente s ri: -:_..-_'
_-_. I

::g.

:_=empio 3.7 _ . __
Per 1111 transistore npn avente __-3,-¬ -_ 00 e R= 0.5, valutare la tensi-:1:e `.`_-3,,

E :lozione
Per la (3.12-3:1 si ha
l*'ifg_,¬a¬; = lf;._-¬ ln [10 [1 + [J.9_.'I'31.-__.-"_3Rl: =

_ se - 1o_3 si 1i~.[1e ›< 1f 1 + 0.9 ›< 90,.-'e.s)] = un so.-*

Come atteso, il valore di lfiçf,-›;_._=fl¢ e prossiino a 0.2V.

3.7 Effetti del secondo ordine

ll rnodcllo di E-bers-lvloll de-scrive eflieaceniente il tra.r1sistore bipolare

;sile quattro regioni di funzionamento. Tuttavia, specie per quanto ri-
-È'-._:arda la modellistica del dispositivo i11 regione att.iva diretta, no11 tiene
..anto di alcuni importanti fenomeni che meritano di essere esaminati in
dettaglio. ln particolare il modello di Ebers-lvloll trascura:
I la dipendenza della corrente di collettore dalla tensione tra base e
collettore (elfetto E-arlvlg

219
111 la dipendenza di __1“É1'1-.¬ dalla corrente di collettore.
l"~lel seguito si analizzeranno i fenomeni sopra citati cercando, ove pos-
sibile, di descriverne il funzionamento mediante modelli appropriati.

3.7.1 Effetto Early

(31111 riferin1e11t-o a.l funziona.n:1e1'1to di un tra.11sist-ore 11pn in regione at-tive

diretta,. il modello di Ebers-l\--ioll prevede per la corrente di collettore le
seguente espressione

re = La aver--"l-*t (_ 3. 1251
ir1 quanto il contributo dovuto alla dipendenza della tensione tra base t-
collett.ore e tra.sc1_1raloile. ln realtà, si ha un effetto non considerato da
modello di Ebers-I\›'loll che dete.rn1ina liaumento della corrente di collettore
al diminuire della tensione l--fgç. Questo fenomeno fu spiegato da J. E-a-rljr
nel 1952 ed e causato dalla dipendenza della larghezza di base, l-l--ig, cialis
terisione inversa base-collettore. Il fenomeno prende il nome di rn.ocl~11.lazion-:
dell-r.1. larjg}1..ezze. di liasc o effetto E111.-rly.
Per spiegare il fenomeno, si consideri un transistore npn polarizzatf
in regione attiva diretta. La corrente di collettore e pertanto data. dalla
3.123 che. tenendo conto della (3100), puo essere riscritta come

È _ _.-* 2 I
.re - g"lf_nf [35 1 _ 0 l Il H l lit
a
H -3* .-1 H B L'11.B

2 lg Etvƒfi HT

__.m_.†AB[_.-11...-*B -

dove llapprossimazione vale in quanto l-'l--"'113 415.1 L-1,, 1:3.

31 supponga adesso di inantenere costa.r1te la VB,13 e di aumentare is
tensione inversa l~"f_7,1_:,› (o, in maniera equivalente, di diminuire la tensic-
11e l-«'“'p.;;f_l. Come rr1ostrat.o in Fig. 3.315, a causa delliauniento di lriçfp, Lt
regione sv11ota.ta tra base e collettore espande seguendo 11na legge sì-
mile alla [3.T)ll, provocando una dirninuz-ione della larghezza di base 15;'
“Si ricordi che la 3.T} e valida per u11 transistore pnp. La corrispondente relazioze
valida per un transistore npn si ricava sostituendo l-fiçgrg a lf1¬,›1fr.

i320
 L
rar. E, B . Il .
I E ; H H -.,z1onc1:l1
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.†_-_1_:ÃI 1--1»-1, - zi 1121,, H*r
/_l_.._
2:5'~ _ a,

Fig. 3.36 - Modulazione della larghezza di base.

ill-F5. Comic facile verificare dalla (3130), tale diminuzione porta ad ur

izicreinento della corrente di collettore elie risulta essere 1'-rest-ente -_'-::; la
t.-_'-nsione inversa 5.
Da un pu1:1to di vist-a più strettamente analitico. il :È-_-1__.-::;~'.:;- ; -_
essere esa111i11ato nel seguente modo. La ridiizione della la:;"_'e:::-_ "_" '_' .-_s-
s'.1n1enta la pendenza del profilo dei portatori rniiioritari iz'. `:;-=.f-..-j~-ì-. ,_
:-se passa dalla linea tratteggiata a quella continua in lll,`=-°_'.†st_
stifica. liincrernento della corrente di collettore in quanto lg e din;-'tte.1';s¬;Ts
jƒ.-roporzionale alla derivata del profilo dei portatori minoritari in base.
La dipendenza della corrente di collettore dalla li-'ig,13 puo essere espressa
ierivando la (3130), ossia

ilfcr : ed-'r¬D-1-1_11'f E1.--,, ,_,1---:,- _ 1 __ fe dl-"l-"ls (3.1:¬11)

fil lfigj? 3 1\'T__z1 1-; Cl B l-“l-“T5 l~'l"TB dlfijj 5

Si noti che siccome la la.1'gl1ez-za di base decresce al crescere di l»-"hg,

ill-"T,1;1,›ldlrÉB nella (3131) e una quantita negativa e percio I1;¬/il-231,5 e posi-
tiva.
Liefietto E-a.rl§.-' e ovviainentc un efietto indesiderato perche allontana. il
transistore da quella condiz'-ione ideale che le vorrebbe come 11n generatore
.ii corrente pilotato dalla sola tensione l«iH,1.;:, come mostrato dai model-
I equivalenti di Fig. 3.23 o di Fig. 3.25 La (3131) rivela, inoltre,
.¬i1e transistori con larghezza di base, lil--"'05, piccola risentono inaggiorrriente
-Zielllelfetto Early in quanto si ir1c1'en1c1:1ta la dipendenza di Ig; rispetto a
lice-

2221
 Quanto det-to giustifica la riecessit-a di mantenere il livello di droga11tc-
della regione di collettore inferiore a q11ello della regione di base. Difatti, se
cosi r1o11 fosse, un iricrernent-o della tensione l-“E73 causerebbe una niaggiere
espansione della regione svuotata dal lato della base piuttosto elie dal lato
del collettore incrementando l'effei.to E-arljv ed inficiando negativamente
le prestazioni del dispositivo. ll maggior dregaggie della base rispetto a
quello present-e nella regione di collettore ga-rantisce che solo una minime.
parte dell`espansione della regione svuotata interessi la regione di base.
1'-lissurnendo la corrente I1;- come funzione della variabile lfl;-_~3, si pu1i`1 rap-
presentare tale corrente t.ra1.mit.e uniespan-sione in serie di Taj.-'lor arrestate.
a.l primo ter1:ninc

_ _ 31 _..f __ _
ff; = I(,?l¬L.†fi_B=U _ l*"r_'_.*ß (3132

dove il prirne termine dellicspansione ideritifica la corrente di collettore

nella configurazione l-"ortva.rd, ossia la (-3.120). Sostituendo la (3131) nella
(3132), si lia

V: __
ff-* IC' 1-›'1›1,›=f*` ll + lam

dove il termine Va, definito da

1 111-i-fa _l
1'.-`* _ l 1-ra
_ 1;11›-CB,
_ l l 3.13;
prende il nome di ten.s1fo-n..e di Eor'lj1,r. Tale. tern'1i11e puo essere corisiderati
costante i11 un ampio intervallo di variazione della l/13;; ed e compreso tra
circa 50 e 200 V nei moderni processi di realizzazione di dispositivi bipolari.

Da u11 punto di vista della modellistica eireuitale e più comodo espri-

mere la variazione della corrente di collel_.l.ore causata dallieffetto E-arlj; ir.
funzione della t.ensione l-f"[†;__† 1,: piuttosto che della tensione lf§;_fB. Questo p1_: *
essere fatto tenendo conto che l»f};_-E = V51; + 11315 e ricordando che in re-
gione attiva. diretta l-*pg se ,¬.;(@_,.¬,,-~1
= 0.7 V. Cio consente di riscrivere le
(a.1s3) I
1- lies _ l-fs1«¬1o.v*-
I,-1 = r,,†@`res›=iT - (1 + _ ,,' se * -' (siss-
*1 H.
 eee?-¬¬†~¬ -›~¬-¬ ¬¬ ¬-

-15€] _.. _

'|5U " ¬

LI.
fl14e-

120 - -

1||=|=|_.|_.| 1 |

1 üüu 1m iürn `lüOm

IC (A

Fig. 3.3? ~ _ö;¬~ in funzwene d| I(

_';f-_'-, nei ì eaeí p1'a1;ící in cui l«-23;.: è Irlaggiere dl FI `\. **_;_= _*t:'_-~____ _

1,,-E .¬ 1,51. . _
I.-jj 7-“Ii ISC 5"' ' (Â † _1 - _
l-*Q1
I

'le 1ne;51:1*a: in regiene attiva di1*Gt.1ì›a, una d1pf.¬11df~11?a l111r~are della re11e11†e
.Ii collettore dalla. teI1:sío11e collettore-en1ett1te1c~

3.7.2 Dipendenza di _3;..= dalla corrente d1 collettore

Il lnedelle di E-bere-l\-Iell in regiene at.t1xa dlxetta pra ede che 11 guada-

-__¬_1e di ee1'1'e1:1te nella ee1fig111*azíe11e ad en1e†t1†e1'e <;en1nne jp ela 1nd1-
j_›ì-nclente dalla pelarízaaz-ìerle del cìrc:uite 0 qu1nd1 cesta11te Nella leaìra =-,1
ìseelwfa una dìpelldenaa di _i':ìf¬ dalla cerrente -:ll eellettele Ig Un eeen1p1e
lì questa dipemlellaa È Ineetrate in Fíg. 3 37' done 1l glladaglle dp dl un
í:aI1eì:-:mere npn di tipe 2:\'2222 È riportate 1n fllnzmne della cerr ente |:ì1
T- Jllettere.
Il gnadag11e ,HF presenta tre regieni fendalnentall La reglene centrale
ìnierne a Ig = 2[}rnA in figuI'a:] Ö £:a1*a.t«te11.ffata dal n1a*¬~=›11ne xalere del
èíxadagne _3;¢ che risulta. preaeeellé cestante QL11 11 nledelle d1 Ebel e-Hell
«-

25'
:_.

I'-d'
 l ' I I I- I I- I I
È |G
lüüm EE -------~

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Ffi 1üüu
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In l .-
4-
I
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lüüe I I ._ Lf' I I -4 I I_
UU UÂ U2 Q3 UÀ- Q5 UE BJ' UE 'Q9
Vss (V)
Fig. 3.38 - Correnti di collettore e clì base in funzione dì T»-EE

eentinua a 1'na.11t-enere la sua validità. Le altre due regioiii si trovaiie ai la _

della prirna. e sono ea1*a.tteI'iz-z-ate da un guaclagno rninore.
L-"est.e11sione delle tre regioni dipende i`orten:1ent-:=:. dal processo teenel -
giee. Pe1¬ta.r1t-e si possono avere transistori nei quali gip è eestante anth-
eer È-3 fleeadi di fsariazione della corrente di eellettere. Sirnilniente anel-
ifl §'r-:Lite =:ie¬I'e il guadagno assume il suo valore rnassiino tlipeiicle dal pr -
~:-et-ss~:I te-e11e-logico. le ogni ease tutti i tra1f'Isistori presentano un anrlarrien*
siniiie a quello 1nost1"a.to in Fig. 3.3?
Per il buon funsionaniente del transistore il dispesitive aritlrebhe fari-
lasrorare nella regione eentra.le. Sarà. quindi cura del progettista di I;11I?u_'_
garantire questa eondizioiie in fase 1Jroget-t1_1a.le.
Per eornp1¬endere,_ seppure in nianiera q11alit.ativa, il perehé di ques*
eeniportarnento si fara uso del _g;ra.fieo niestrate in Fig. ehe riporta
in seala lcigi1rite1iea¬ le eorrenti di collettore e di base in funzione ds -
tensiene l,-“'55 per lo stesse transistore npn cli tipo ÈN2222.
Se, eerne previsto dal rnodello di Eloers-l\--lell, entra.rnl:Ie le eorrenti e_-
Den-:lesse1'e linearrnente da el"'lHEl'lT, il íåìralieo Presenterebbe due eurte ee_
an›:la.n1ento lineare la eui I:listan::a re.pprese1:1terel:›be proprio il giiadsfle
_.-'fi_I_'r. ln effetti, la- eerrente (li collettore lia un a-ndainent-o lineare solo iui:
ad un eerte valore. di polaris-sasiorie eiree.0.8 V) inentre la eerrente di ba:-~
inantiene un arirlanieiite lineare een la stessa. penclensa della eoriente f
 Lfleíßsì
L

= f.-- M mi-ìf..f.-.I-'f'.I'i fi- =-= -:eII;..P.fi:†II f.¬ M i›»=i›[i«1;. i,«'i›«=›-†.†;I¬:

'rs E lHlrJi:l-'l'='.«'='I"l[:'lTIl",ll_. -'T5 E Expillflšiƒllli I-'i E '3-xpiile;='1“

"I I-

LUEU-ci
Ig. 3.39 - Andamento qualitativo di ßp in funzione della Corrente di eellettere.

__'iiettore solo in un intervallo eoInp1¬eso tra eirea U.5 e 0.8 V.

Per bassi livelli di polarizzaz-io11e._ dunque, la- eerrente di ba-se È cieeeri-
'ieile trarriite una dipendenza del tipo ellifi-""`"'l""T eon -ri :=› 1. Di eo:1†:-I-7.
_'-_ eerrente di eollettore eo1'1tiI1ua. a i11a.I1l'.e11e1¬e una dipenclema del tfi_¬::
; _- le F VI 1.

Da un punto di vista fisieo, il eoniportarnento di I; si sp-f-;-;=;-_ Ti 1 _?-

flìndo quanto trattato nel pa1*a;f__›;ra.fo 2.5.4 nel ease dei rii-erii =:;=e:1=.:fi 1:;
gzidisiene di bassi livelli di iniezione. Il Iriiìggiore valere della e._¬_›:':*+r_†.; ii
t ese. rispetto al valore atteso, e dato dal fenoineno di 1'ie0I11iJi:n azione nella
Fgione di eariea spaziale. ln pa.1'tieolare= la rieoInl:Iinazione avviene nel-
regioue svuotata. base-ernettitorc ed intereeea quella porzione di If; elle
_=_firaversa tale giunzione. ossia la eorreiitc Im: nel ease di un traiisistere
:j:=¬_i.
Per quanto 1'ig*L1.arda- la eerrente Ig. la. rieoinbinazione iiit-ereaeerelihe
Ltella eeniponente di Ig; elie attraversa la giunzione base-eniettitore. eiee
eerrente Img: nel ease di un transistore npn. Tuttavia, essendo i porta-
T:ri minoritari ehe fo1'1ì1t1a.no la- eerrente Ing inolto I1'1aggio1'i di quelli ehe
"nipongcinci la eerrente IPE, lieffetto di rieoinbinazione per Ig non rieul-
' '-. app1*ess-alìile. Di eoilsegiieiiz-a, Ig; Continua a dipendere linearinente da
_ '- le .i.?.-'ll-"'71"
_ 'II

A-:i alti livelli di polarizzaaierle. intervellgoiio fenoineni di alti livelli di

.:'.ier-ione elie tendone a far diniinuire le eorrenti in gieee riepette ai valori
L-:tesi da una niedellistiea proporzionale a. el_*""_J`5*'J'3-il-TL". Tuttavia. poielie la
:ürrente di eollettere È'-. rnolto 1'i1a.ggio1'e di quella di base, gli efletti di alta
;iesione iniziano a farsi sentire prineipalniente su Ig. Pertanto: ad alti

225
|¬.
ímií-I III-31| _ _ _

1.- *
ƒc regione di
. i ÉL IE
F'.-EllIl.l1'H11U Il-'325 ii-

ilg + 1

¬i- Vfš I [ I-E

Vas i ' i
i regiene attiva
O. O dneua

II›
1--L-g., I,fü__.
(H) (bl

Fig. 3.40 - Configurazione ad emettitore comune per un transistere npn.

(a) Circuito; (ln) Curve caratteristiche Ifjf-1-f'i;;¬;¬_: (IB parametro).

livelli di polarizzazione e la corrente If; ad avere una dipendenza. da ifgi

del tipo evfifi-“'r"“F-1" [ri `:> 1) mentre IB continua a dipendere da el""1`*"“-="'rl'_T_
Liulteriere diminuzione. della pendenza di IH. che osserva dal grafice ci
Fig. 3.38 interno a (1.91.-"` tr¬` ggI"`ustifica in quante, per <:p.1estivaleri_. anche li-_
J-
I-' I-"

corrente di base entra in zona. di alti livelli di iniezione. L-“anrlamcnto quali-

tative di lein funzione della corrente di collettore e mostrate in Fig. 3.315
deve si identificano le tre regioni di funzionamento e la propc›1¬zie1'ialits
esj.ionenziale delle correnti di base c di collettore.

3.8 Curve caratteristiche nella configurazione ad emettite-

re comune

Si consideri il transistere np11 nella configurazione ad emett.itore coniu-

nei riportate per maggior chiarezza in Fig. 3.40 (ai. Le caratteristiche
staticlic del dispositivo sono tracciate rappresenta.ndo liandamente delle
cerrente Ig in funzione della tensione 1-"içp per differenti valeri della va-
riabile della porta di ingresso: dett-a parametro o va.riabile parametrica. 1.
grafico risultante presenta una famiglia di curve (una per ogni valere del pa-
rametro) ognuna delle quali rappresenta la caratteristica corrente-tension:-_'
della porta di uscita.
Da un punte di vist.a cencett-ua.lc, la scelta della variabile parametrice.
ia indifferente. Puo essere presa iiidistintaniente sia la tensiene lim; che
la corrente Ip in quante: fissata una delle due, lialtra resta determinate
dalla (3114). Tuttavia: poiché il legame esponenziale che esiste tra le

226
 È
EJ

Vos (Vi
I " 3 41 - Curve carattenstiche di un transistore npn I3 : _ _ ...ii _" ...-
Jiifli, 400 ua .iüü ufii

:rrenti e la tensione ibg non peimette a quest ultiiiie I..- v ' “

¬prezza.bili al vaiiaie della cori ente di collertoie -~i p- e:e___ - 1 --___ :
iiente IB come paiairietro
Le tuite risiiltanti soiio dette tum( ctircificrisíiefie rif-«ln fo*¬,¬'e.. r: " _
: rrnettifore torrione e pei un ti aiisistoie npn liai:ino l aiidaiiieiiio ideale
:_:1s†rato iii l¬if .3 -IU lb)
La iegioiie per piccoli valoii di if 5 [img <1 lggflf sr: il 2 1 ] nella zoiia
I" sia dei Hi afir o rappreseiita la regione di satuiazioiie del tiansistore iipii
_; questa iegioiic la torre-iire della poita di usriti I( pieseiita giandi
-iiazioni iii Loiri*-iptiiideiiza di piccole variazioni della teiisiorie di usrita
_ 5 Qiiesto troia iiscoiitio con quanto deseiitto nel par.-ivrafo 5 t› -i In
__ fiirticolare come diseiisso l aiidanieiito della iìoiiente lp e siinile a quello
;:sciitto dalla ciiiia in Pig 5 33 oppoitiinamente ribaltata
L aiidameiito di Ip iii funzione di 1:55 per una data torreiite Ig puo
-šseie rieaiato analitii amente im eiteiido la 5 12: eene ifüwg = Lr gig
É ottiene pertanto

ri-wir _ _1
it- = si-IB P.W,.h R ii ist)
Pei iti;-E le U 2-U 3*» la L3 lšij tende al *valore asintotico espresso dalla
 ft; L
regione di
l*'}.'s
ian-
satiirazionc
¬_______›
l

1.

Tüglülìñ EllI]TEi
eìrciizi

_
I "'A
» -
Iliil.I'É.'ani'
Lf i.
Fgif.:-
`

Fig. 3.42 - Curve caratteristiche in presenza dell'efFetto Early.

113.1 12.), indicando così liingresso dei transistore in regione attiva diretta
lii qiiesta regione. di fuiizieiiarrierito la correiite Ig: in Fig. 3.40 [iii] lia ii:
aiidaiiient-o parallelo a.ll*asse delle ascissa essendo indipcridente dalla 1-'Erg
La porta di uscita pue quindi essere descritta dal generat.orc di correrit-_
,fipfg di Fig. 3.25 (iii.
ia causa dellieifctto Early. liaridaniento reale deile curve carattcristicl'_-e
di uii t-ransi-store si discosta leggeririeritc da quello di Pig. 3.40 ed app.ar~:-
eoriie mostrato iii Fig. 3.41? dove sono r'ipoi*tat-e le curve caratteristiclie de.
transistore iipn 23.2222. Corric atteso, in regione at.tiva. diretta, la corrente
ci t--:lettore -le line-ai*ri'icnt.e crescente con l--"'(__†_;.,:_. in accordo con la relaz-ioi;e
-Él.13r.Éì . Tale faiiiiglia di curve e ben descritta dalla relazione

eli-7'*5-'ill-l¬ - (1 + lillfig) lfbg _

I 1:3-I . " '- l†-"-' 3.133:

che si puiìi ritenere valida per ;.;

I:-› 0.
Per if”[«;;g¬ le if"ig_f,i1¬.__.;mg, ossia in regione attiva diretta.. la rcla.-ziorie [3.l3~f~
si sciiipliiica iri

Vf . . _
ra a avis- (1 + .__,1 I.
i:i.i3i›

È da notare elie in regione attiva dir-et ta., liandamento della corrcrite ri;
collettore e rappresciitato da un insieme di rette passanti per il punto ci
ascissa lfijm; = -lfig, corric indicato in Fig. 3.42 dove liasse delle ascisse e
stato compresso per motivi di visil:›ilitii.

2325
3.9 Effetti capacitivi

* .senti nel tr ansistore bipolare sono dovuti alla

` ` pie-
Gli effetti capacitivi
¬_¬i;eseriz-a delle due giunzioni pn. Essi' peita *' nto posson o essere ricondotti
faeilniente a qnarito studiato per i diodi nel capitolo 2.
Si consideri il caso di nn ti'ansist.ore npn operante in regione at tiva diret-
La capacita di sviiotamerito associata alla giunzione ljase-erriettitore,
fi,-,-,g, puo essere ottenuta diret-tainente dalla (2101) e dalla 2.102) come

Giri v I Cjiiiiüfliif ~ e 2'í7.ii›:».<i-*ir (3440)

1”.Il 1 _ VEE il ifis E a 1-_-fi

É -:Sn-'e

C,_ific0 : - ,I. fi* Es~ Ni; 1-.: 1'i`f.›i.s

_ N Ii' qfi.i-Tie __
; _, ,- _ , _.-
J_ \|Il B E .I -
\' 21-'i›i[Bi3} -l"='IJƒ-_? v 'N.45 _

Liapprossiiriaz-ione nella (i-1.140) e sirriile a quella ff-'_':`e†_'_::-_.=_'-_ 1%- __

grafo 2-.EL3 e vale solo se la giunzione e polarizzata r_iÉr›:'-ff _ :'_'. :';'_-'-:_':-
l'approssiina.zioiie nella (3.`l-iii) tiene conto del fatto che _`f;:;- ;__-
_
In nianiera siinile, la capacita di svuotarnerito associate. alla _._:_i°.:;'_:i.' :-:-
'fase-colle ttore, C3-im, il definita da

Cjlieü -"HIT
i '__ (31421
*vi 1 _ V-13€? l""i›-›.<.f.'_ Bisi

:love
É Ill _'l\«'Tjj('__“ _~Tl\~T___._1H |,i (255 ,__ _ .
l:'_f,i:fJ'fi1Tü : ' lil .r txt' ¦ , T â ' ,Ii __?
\~ 2l~*i,~i(ac-*i -' 'oe -.- Pain Qta-iijsc.'i

ln entrarnbi i casi, fly rappresenta liarea della giuiizione che, per quanto
'ra-ttato sinora., e uguale per entrambe. "1`iit.tavia, si vedrà. iii seguito clie_
1;:-ei' ea1'atteristic_l:ie costrntt-ive, liaifca della giunzione base-erriettitore. 14 pg,
i_'- spesso diversa e niinore di quella della giunzione base-collettore, flgg". In
ìniesto caso, nella (3140) e nella (-3.142) liisogria sostituire rispettivamente
-+1gg e _e'l5f_-r al posto di _f'1†. liioltre, poiclie sia la (3,140) elie la (3,142)
Tlescrivorio le capacita di svuot.arrierit.o nel caso di giunzioni brusclie, esse
non sono utilizzabili nel caso di profili arbit-rari. In questo easo_ soprattutto

22.9
in arriiiito della inodellistica eireuite.le, si preferisce usare le espressioni
derivate dalla (2107), ossia

C'T;1'oI='-0-'11i':›°_P7 .
Ujie _ ` i -i_,.-,,, fa QC',-ia.nf1ez.† L3-l41
1 _ 1*“lsE,=*i1”ii-iiiiiiri)

Ca.-.efl-er.:
1 1 ',i"]".l1..¬',¬-_.|.¬_

(1 _ 1”r=cff1"i›i.;i_ic:†i)

dove Cijhfig, e C-'ficü vengono in genere valutate tramite inisure sperimenta;

ed i parametri -ni._5;b,3 e rTi›_;,fii.f†_ serio opportnrii coefficienti erripirici cornpreeì
tra 1,53 e 1,12. Si noti clic il valore 1,.-"2 descrive la giiinz-ione briisca, nieritre
il valore 1,13 si applica. nel caso di giunzione lineare.
Éi causa. delliiniezione di carica in base, aiialogancieritc a quanto avvieiie
per i diodi polarizzati direttainentc, vi e un coiitributo diffusivo elie
pende principalmente da.lla carica acciiinulata nella regione rrierio drogati"-_.
cioe dalla carica accurriulata in base. Apprfissiinando il filnzioiiaineiito del
transistore in regione attiva diretta con quello della conflguraziorie For-
¬=.vard, questa carica non e altro clic la carica Qbp valutata nella (3.55) e
riadaiiaia al traiisistoi'e npn, ossia

Q__F : L_'_~lT111_I†_3
il Ti il' gg (Ci_ei-:iii
.- _
_ l) 2 (1 -T1-'1-415'?
_ _
i e1aI¬_.=1.f _
(åhlilü_

La capacita di diffusione associata alla giunzione base-einettitore, che

tiene conto della va.1'ia.ziorie di carica diffusa rispetto alla variazioiie r'_*
tensione nella stessa giunzione, È: pertanto data da

Ci H: If z"l~]¬ Ti-2 ¬ . __
Oria _ Q-"--- ~ ti _ ,L ele-I-fil" = Q” ijaii.
'51 ifnij -'1`~".›i ii 21-*T 1f'1_'i¬
Questa ielaziorie e tuttavia poco utile da un punto di vista eireuitale in
quanto il termine Qgp non e di iiriinediat-a valutazioiie. Un inodo alternati-
vo elie consente di esprii'nci“e la capacita C355 si ott-iene i'appr'eseritarido Ii-_
carica Q;,;¬¬ in funzione della corrente di collettore. ln particolare, divideridc
la (3,130) per la (3145) e risolveiido pei* Qbry si ha

Q"tF_- L11I-
2n,,s L' 1'sia
'
230
5. sostituendo la (3143) nella (3,147), si ottiene

I -~ _
Crisis _ 'TF t_.»_T 13-1491

L :'150

ii-tg
TF 1 -

rappresenta il ternpo di transito dei portatori minoritari in base analoga-

:;'_eiil;-e a quanto ricavato per i diedi.

Esempio 3.3 ._
Lin transistore di tipo npn (N95 = 1019 cni_3, _'\'__1_;.- : für _¬t¬:__:_ _-- =
1011 ci'n_3:], avente uno spessore. di base 1-'i--"-5 = 2 lim ed '=_:.*_e. _-l_- =
5 ~ 1[}_:1 crrif, e attrae.-'ei'sai-o da una corrente di collettore If- = -'if :'_1_ e _T:=_-'-+11 _=_
una tensione 1-*_.;;-E 11 3 1'»-"_
_-'tssiirrieriilci un coefiicieiitc di diifusieiie in base. I)-;-; = ÉFÃ "Ill .¬ " '_'*
capacita di giunzione e la capacità. di difFi_isione_

E : I u zi o n e
ll trarisistore si trova. cert-ainente in regione attive. dirette. :_-_ qu _=;t: e _'-_-_' _ - --
da una coi'i`ente di collettore positive. e presente. 1-5-;¬ I> 1';-5,, a 1.1 '._.
Per ricavare la tensione 1-f"';_,~.;-; si puo assuriiere che T5-5 _ 1';-,; _- -_ 2 É."
cui

1-"'12 c' _ 1-"nn - 1-*i::,s = 1f"ea.ici.vi _ Vos = 0.7 - 3 = -È-131'

Si valutano quindi i pot.eiiziaii di giunzione. 1-"`,,,-._-,;;_,~,-:J c 'I--1,,-,:_»;,¢;~_1.. in particolare,
dalle relazioni (1-1.2:) e 3.3), oppoi“tiinainente inodifieate per il trarisistore npn, si
ottiene
_ _ _v,- _..-v__.., _. init si ie" _ ,
i-f,,,,fB._.;~, = if-sia = ae- in t >< iii i[g'ß5_1ü__)2 - etemi.-

_ .v _ . _. i_e'~i ie"`
1-"'s.:sei =i-fi-in _ :zii-in 3 stri (ass 1- ien-
. ¬ -I.\.
_ T20 n'i1v
L

Le izapacitf-i per iiiiitåi d"ai'ea C1-_fssI'i e C1_;'i-,cs 130550110 555515 1`113*"11'*'11f-` 1`1§5i1ifi1131"f"='1111*1f111'1*
dalla 113.141) e dalla (3143), ossia.

C _ tia..-*v'_..,_._i 'I.s - ic-la si i_iisli1ie-“'2i>< ie”

-.avi - - -1 “.'I-.-_f_e i-2;.
= (1I 2 ai 950' 1U¬1
9341 111.-'“111“'

C, _ -* qa..-*¬--*,~_-..i-_« ,.-“_i'.1s_- ie-si si i_esii- ie 12 ss ice

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'i›`_.f

Fig. 3.43 - Transistere usato come interruttore.

La eapacitši. C1;-sg si calcola. rnediarite la (3.'l40:i,

cf,-,.,, .fe ze,-,.,._.J_a.f = z sf. air- ieri' >< 5 - ieri - sar pr

Per la capacita C`,=;,,, sfriitta la (3.1-12), da cui

C1]-ha I _
e.›i,.,.i.T
f"_*f.- - __ ___ _ _ _
io s - io-9 >< 5 - ie-H
- __ _ _ :
¬.___,ƒi l. _ KT,-'11f"'-bi[BEf-'} ¬v-“'11 _ _,*"'[_i.T2

Si valut a quindi il ternpo di transito dei portatori niiiioritari in base dalla [£1.lEi'[J)

ti-;2_ (see - ie-5)”

fr _ _ -`1'- _ = 1.111?
~.i >< i-se "
ei. i_*_É'_e. dalla 1-3.1-1É.l} si ottiene
.|

_ if- __i,
c¬.=_-_f_-=i_i-iIi~ .ie ie *
__í=:_s-¬
___ _ ,___ :¬›< 2____w__, l inf¬

fzii osservi elie la capacita. di dilllisioiie è inolto maggiore delle ca.pa.cita di giiiii-
zione.

3.9.1 Tempi di commutazione

Nelle applicazioni digitali il trarisistore È: fatto lavorare corrie nn iii-

terriit-tore passando, rriediante nn opportuno controllo della corrente- di
base, dalla regione di interdizioiie a quella di saturazione e viceversa. Uiic
sclieina di principio di tale applicazione e niestrate in Fig. 3.43.
ll circuit-o fiinzioria come descritto di seguito. Se la tensione ii; e a 01'.
la corrente -ig e nulla e il transist.or'e si trova nella regione di interdizione.
ln questa condiz-iorie, la connessione tra collettore ed emettitore puo essere

23:2
Ti-.pp1'050111.5†,5 001115 1111 011*01111.0 5,05110 011 11 1.1¬511515t015 1-'10110 1101.1-10 5110115
1;-51110 0 111 515.1-0 di 11fi`. D1 001155g11511511, 15. 00115111-5 1.51 5 111 05,11111.5, 111
-111510115 511 Rf? 50110 1111115 5 15 1511510115 di 1150115, -'1=.ç;1 1151111-5. 555515 111111 5
__ E, ..._

- ì'1'= 01"-
É-'"11:51-151'-55,, 50 -1:; = 1»'Iç__¬_~{;,~ : _¬ 15. 001151115 111 11550 15 5 13511 5 {1/Égfj; -
_ '315,33;1r~;}_,f"I{g H 1f*'.í3,;;__1'R5 = :CJE.¬ 1111.5-_11151.
In 11115515, 5111111510110, 11 1.15,115151015
'j|
1.11 11110 1,1*01-15,151 111 15510115 511.115 11115115.. D1f5,1.t1= 55 0051 111555, íp01.i55511110
': g;1111115g110 11F 111 511, 51 5,1,-'1'01)1;15 -1.5 = _1'ì11-¬¬1 H : 25 111131 0115 g511515151:›b5 11115,
ì;_-111111 111 1011510115 511115, 1'5515101"11:5 pa'-111 5 -1.çR¢_r I 2-5 - 1O"3 11 1 - 103 _ 25 V
'2.5 5 1111 555111110 1151' 1111 01101111-11 5,111110111.510 5 511". L5 155110110 111 0111 51
'?_'1'5 11 1-I'511515101*5 5 q1111'111i q_115115 111 55111111:-11;1110. S1 115, p511.5,111.0, 119 :
" '_--5%, 2 0.2 1,-'T 0 15 00115111-5 111 1:0115r.1.01'5. -ig 5 p511 5 (1fÈ_rgr- 1f}j,fg_.;,¢_,†]_,-*R5 5:
' `--5-|,*"R.f_-; -" L5 111151. 11 115115151-015 1110110 115110 5,0.0.550 0 111 51-510 111 011.
¬-

111151*p1*5†,511<:10 10 13011510111 11105511115 5 UV 001115 11110 'z51'0' 10f1fí1'0 5 01:1-1111

j?'_'›:-1511110 5 51.-'T 001115 1111 *u110* 10g100_._ 11 011011110 111 Fíg. 3.31 L1: f:=. -_~'.Ã*.?';
:L5 1551.1155.-«;1.1'0 11115115, 0115 111 5101.1-1'01'1105, 111g1t515 115115 jr ìrf-_=.. ff-1*:
"1 .1..=51*15-111*).
P010115 11115, 051*5.115115111:5. ì111p0rt5.11t5 di 1515 5ppÃÈ1-:«1_»_É.' ;+ 5 it--:e -_
1-1350115 1151 1-1¬5.1'1515t;111*5 111 0011111111t5,1-0 115 11115 1-0110121-:=:_5 _-'.ÃÃ`_~.'.*:' _'_-
:-'-s51111†.5 555.1111115-15 11 01101111-0 di 3.113 in p1'5551¬_:25 di :1-içiii _ .-.- _ il '-.:__-'-; '
if-115 1011510115 111 1111115550, 05515, 111115515 11 p5555ggì-:¬.- :là ir:-_';_~ii_+-_ ;:+ É.
f-11110115 111 1111-01111210115 5 11110115, di 51-11.1115z10115 5 1-11-5*-.'12-:-5,1
S1 00115111511 11 p11555,gg10 115,115, 1'5g113115 111 1111-51111210115 5 15.11-115, 111 ;¬ì5t'_:1¬=,=,-
:;*110 011, 111 p5rt.ì0015,1'5, 51 555111115, 0115 5,11"ì51.:a,1'1t-0 10. 151511510115 111 111_g_=;1*55511
"'511 15p011t.11151115111.5 p01'151111051 115 O 5 5 V, 001115 11105t1*5.t0 111 F151'. 3.1%
'__=. 001151115 111 11550, 51 p01'1-5, 1515-11t.5n551115.111.5 5.1 5110 1-'5,1015 11111-110 11115,
T1115 1155011110 111 p1'0051151155 E-1 11511 5. 1-†"`[;:fç,,*"R5 = 11,51'11,-'11, 111511115, 1101'
. 12151515, 05115515, 1155111 511'5t1:.i 05p5,01t11-'1, 15 1.5_11_510115 111 1150115, [0 1111111111 15.
'f:1510110 'ug 511*151:~1.11t5 1211+, 5 115,11 5115111110111-5510115, 001115 1110511510 111
ÉÉ-1?. 3.41 (131. 111 11115515 511.115..510110 11 t1'5-1151511115 51 11'0¬'›,-'5, 111 1*5g10115 5,1111-'5.
'_*¬:51-135, 5- 1-*1 p511115.1'1'5. 11110 511115151115 11.
1.'1111',51¬,-'5,110 11115111110 0110 1111-01110115 1.15, 19 5 11 0 1101-10 15-51,310 (111 00.511
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-; ;'515,110111:-115,10 115 1111 5111115111-0 110115- 001151115 111 111111011015 0115 f5, 01111111111110
'._:-. 1511510115 111 1150115, 550011110 15. 1115110 -1.10 1?) = 1'1;7,ç_† - '1(j_†(1) - R,-_ç~. 111 001-
:5110111151155 c15111111111101110 115115 001151115 111 11111101-1015, 51 05551115, 51111115 1111

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“L5 110115 NOT 5 0515,1.t51151::~115,1111 u11"11501t5 111 1151015 10g1›::0 0pp051.0 5 11115110 p1¬5551'1t5
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Fig. 3.44 - Tempi di commutazione.

=.f-.';:'_'5:T 51 115l5 011111-5 11011115 51110005550 111 p011.51,01*1 11111101*1t51'1 5001111111151-1

1:1 115510 001115 1110511151-0 111 Fig. 3.44
-111115151115 11. 11 115115151015 51 1101-'5 1101 pu1110 111 1151151510115 115 15 r0gi0-
115 511115 11115115 5 q110115. di 55.t1115z-101101-3 5 p1'5501^1t-5 11115 1011510115 di 1150115
111 11000 511p01'1015 5 1f“Éf_;.f5_._.;,,L1_ 1-”`=:'»' 0.2 V. C0111,0111p01'51155,11151115, 15 051105 1111-
1115g5551115.t5 111 11555 15ggì1111gj5 11 v5.11_115 111di1:510 0011 ('25 011 1 p011.5.1.111ì
1'1111101¬11.51-1 511 5555 55500.15.1,i 51 11í511011g0110 550011110 11 131101110 1110511510 111
Fig.
1*~10111ì11151¬,-*5110 111 1.011100 0110 11115100115 1-15. 11 5 12 15 1011510115 111 1150115
115.115 111 p00115 11001115 di 11111111-'011 p011.511d051 51 1151010 1111515 111 1/1-i_11;,.-,,;,_1 2
U.2`1.=". CJ01115111p01511551115111-5 15 001151110 111 0011511010 51 111511110115 511 1111
1151010 005151115 5 11511 51 5110 1.-151015 1111515. 05515 1;; 5: 1/11151 ,1”R,;_† = 11111--'-'1.
15
T510 11111110 0 505550 11111105111 0011 1:51-101111110 EOS 1151 1511111115 5.11g105555111'15 E0105-
Uj'-55111-10111111-.

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Fig. 3.45 - Carica immagazzìnata in base.

:Ji centre, la carica. irfl111e.g.j;a.zzi1'1a1-ta in balee. Q;,(_t)_. a.i11'1'1f:1'11:a ef;'-1;äf'r;FÃ::;›';-:LT

:_:-erte.1;1£1eei da Q5 al S110 1-'a.lo1*e. maesilno ed i portat-c:›1*i lliilioriteri
-eeeeeiati ei Lliepüilgütlü eeecìmdo il profilo meSt.1¬at.e in Fig. 3.-L5. É'-ì.:':".~? r
:°_r›t.e. dalle. fig;111'e., la peridellzäl. del profilo dei pO1't-a.t_o1'i agili ieteiii T-_ 'f f;
e preeeüehë cestante in qI_1a11tn preporzionale e. ig (the. eeine derm 1°;-1*ì::°."
:illierie i1111I1ut.ete..
ll mfalfieit-01'iü 12-erniína per tg, mlttavia, da un pllrite di viete delle teli-
ríeiie di uscite... il Bempo int.e1¬co1¬so per port-a.1¬e il traiieístore delle etete di
ei quelle (li Un., e ee-eta.11zia1.lI11e11t.e quelle clic iI1t-e1'eü1*1*e per pert-e.1"e il
fteileietere :lella regieile di intewlizione al pilnte limite tra la eat.111*:~i.zi|::›11e e
1:11 regierie e.-tìiva. di1'<;:tta.. Dife.tLi_._ come detto in p1`e€:ede11ze.. 11ell“i11t.e1*1-'alle
tr.-:-1 il e tg la ten-eie11e di Lieeita- 1'i1':|:1e.I1e p1¬a.tiea.1'1:1e1'1te i1'_r11'r1.L11::&11':e. Di een-
eegiieiiza., il tempo che í11t.ercorre per portare L111 traneietere cla1.lle ete.t.f_:› di
512': egninientü E-1 quelle di E-ieee11sic:›11e 13115) riteniite melte velece e p.=;1.ri
:-;i tempe di clieeesa., 151 - tg.
Le stesse oeeem-'e.zi1:-ni non va-1.lg;o110 per la tranei:zi«:›11e iiiveree.. Si eensi-
jeri il passaggie dalla zena. di ea.t.11razieI1e a. quella. di iI1t.e1'r;lieie11e, eeeie- il
jeeeeggici del tr:~iIieiet.e1'e delle etete di cm. e. quelle di ofi. Si ipetizzi. per-
'entei elie elliietelit-e 153 le. †e11f-:iene to1*11i .:-'-il W-i.ln1'e (li O V come 111eetr.:--ite i11
Fig. (aj. A eeuee degli eífett-i celieeitivi presenti. le. t-eneieiie 1:35: nen
mute. i111II1eclie.teI11eIite I1'1eI1t1'e la ee1're1:1te di beee -si pene iete.i:ite.I1ee.I1'1eIi†.e
el valme -lfT5E_:@i¬f:h.f'rRB. Cont-e111pera.11ee.111e11te la carica imma.gezzi11e.te.
in beee inizriie- e (leereeeere eeine 1110st.r:a.te in Pig. 3.44 C). Tllttefi-fie, ñnteii-
teelie le eeriee. iinniaigezafi-:i11a.ta. in base ië niaggiere di Q5. il t-re.11eietei'e I'1f;:›I1

H-«tb 'Ln
e in grede di e11tre.1'e iri regiene ettive. Clirette- e eeiltiriue. e. pe1'1r1e.riere in
ee..tu1“ez-ierie. l1'1tlit:e11de een ti l'iet.e11te in eui Qh e 1::›e.ri e. Q5? ei pue eeilelu-
clere elie il transistere resta. in regieile. di eettlrerzielie per tutte l'*iI1teI've.llei
di tempe eempreee tre. t-3 e tg.. L*i11t-ert-falle di tempe tri - tg viene (let-te
tempi! di aitrii'ri-egezz-i-n-emente ed È: ee.I'e.tte1'ieee.te da 'eg I lfÉ;_¬E5.;¬; ß 0.2 V e
tg :“«~r:›' lfÉ;.fçfR.g. eeine Ineet-let-e in Fig. 3.44
É\lelliiIit.e1've.lle een11:›reee t.ra til e t-5, il tre.-I1eiet.eI'e entre in zene. lineere
iI1 quente. eeme 11'1eet1'e1;e (lella F'i,§__,†. 3.44 (el e delle Fig. 3.45, le eeriee
irrirnegtie-2-inete in base ie Iniriere (li Q3. In qlleet.*i1”1tert-elle. le. eerreiite
i,;¬;(t] elimiiltlieefe teritleriele ei. zere e_._ peiehé -t¬,;;›[:t:J : l«'fç;g - -í¢;;(ti] - RL-7. le
telieierle eli ueeite, ei perte. e.l}l3e.5La.11za. r'e1Jicla1'r1eI1te el velere finele di l-f“`.};;ff;¬.
Ceriterripereeeamente, eiree. elliieterite tg, la teneierie -113;.-_: scende e. zere
e.rire.1lle.I1de 1:lefi1iitiveirr1er1t.e le. eerrente di base. L-=iI1t.e1've.lle di tempe tg. -t_;
t-'iene elette tem-pe di .sel-tte..
In eenelueietle, qtlericlci il t-ra.11ei5tere passa dalle. regiene di interclizieiie
e. quelle. di ee..t.11raz:ie11e¢ il tre.11SiteI'ie Èr melt-e velece ed e 1::›ri11eipe.l111e-1'1te
dete dal tempe ehe intereerre tre. tg e t_1_, eeeie del teinpe di dieeeee. Viee-
veree._, qua-Ilcle il tre.I1ei-etere passa. delle. 1'e_gier1e di eett11"ee:ierie alle regieiie
eli iriterclizierie. il t-re.11:~3it.e1¬ie eensta'-1. di un iI1t.e1'1-*elle di tempe egg_;i11nti1'e
rieeeeearie elle. riinez-iene della eeriee, irr1rr1ag_1;ezzi1'1ata i11 baee in eeeeeer.
alle ea.rie:-T-J. Q3. Di eeI1ee_g2_;ueI1za lì-tfiettive ten11¬.›e riehieete per “epeg1”1e1*e"
un t1*e11eiete1'e È: claifle dalla eerrirria. del tempe di i111111egaz-z.i11e.1I1ente e dei
teiripe di salite.
li limite di ¬=.'elec:itå impeete dal tempe eli irllrliegezzirierrierite pue essere
;.›erer†e}1ie elevat-e (a.r1ehe un orclíne di g;1*a11dezza 111e.ggìere dei teiripi di
Salite e di dieee:-_=e.;} e 1'a.ppreSeI1ta un fert-e esteeele riella. 1'eelizz.=_1zier1e di
eireuiti i11t.egreti digitali veleei bz1ee.ti eu tre.1'1eieteri |:›i1:›ele.ri. ll prehleree
1-'iene euperete 1*ee.li:.e:e.1'1Cle delle etrutture ehe neri eeneenteiie al tre.11eieter›.=
di e11t›re.re in ee.-t111'e.zier1e. Esse viene qliirldi fe_.tte eeirirriut-ere tra le. regiene
di interdizierie e quella ehe ei t.1*et-fe el limite tre. le- ea-turezierie e le. :ene
e.t-t-itfe. dirette..

3.10 Rettura della giunzierie

Ceei eeme evvieiie nei diedi? erielie il trelleietere bipelare presente dei
feiierrieei eli rettura della giurizielie che eareiine enelixza-et-i nel eeee eli furi-
eienelrierit-e in regiene et-tive dirette. In queeta. regierie, le. giurizierie ehe
pue eubire il feeereerie (li rettura. e la giuriziene beee-eellett-ere in qiierite

E236'
 IH ƒ.«: _;..L _

M;-B
. ,_

Vf-*H
-

I I
(H) (111)
Fig. 3.46 - Rettura della giunziene. (a) Configurazione a base cemune;
Ile) Cenfigerazíene ad emettitore cemune.

e liuniee. ed eeeere pelarizz-2-et-et i11ve1'ea.1'r1e11i.e. Ineltre, peiehé il eellettere

rlel¬.›eln1ent.e dregate. il fenernene predenlineiite che eeuee. le rett-nre, e
:lete delletfette tt-1.le.nge. A cliltererlza. di quente evvieiie nei elieeli. pere. le.
tensiene di rettura dipende fe1¬t.e1nente dalla ce1:1figL1ra.:›:iene ei.-re†:_i*_ ele :tele
quale il t.reneiet.e1'e e pelerizzate.
Per epiegere qua.r1t.e aippena. dette. ei r'ìse.ri¬\.-'e le (f.3.33' _ veiiff- :*+;l':-_;
iittive. elirett.:-1, tenenele eente del fette ehe ag : ep

L;;_":e'.EpIE+I.gBO ¬ :ul

Qiiericle interviene il fenen1e11e di rettura., le eerrente elie :~_«eer:-e etfre-

-:eree la gitlintierle base-eellettere è de-ee1'itta. 1neelie.nt.e il fat-tere eli inelti-
;:f;iee.eie11e M intiedet-te nel pa.ra.grafe 217. E-sea. divente perterite

Ig e:p_-il-ffg -l- il-ffgßg {:3.'l52'}

ieve. per le (2.11T}

1 _. i
.-.lfif = _, - mir.. [3.1-ìr+3}
1 _ Q I..-CH )

Blfeee
Ceine per i diedi. -n.5¬;.-- 1-arie tre. il e 6 e le. teneiene di rett-11r.=3i. i1'1=;liee.-t.e_
'_-en IE'›`l/};;fB@, e cleee1:'itt.e.da.lle (2.1l8)

_ = ._.E2.-
e1.«~.¢B.;,-. ,
13.154)
2-fålflee '

Si e.11e.liz-zi il feneniene di ret.ture.1j1e1* il eireuite in Fig. 3.45 (ei) nel e_11e.le

il terniinele di lneee e peste e. 111eeee., il eellettere e pelaI'i.2r:-rete alle-t.eneie11e

E2 'T
lflfile Il* U e lielnett-it-ere 11en presente. nleiine eenneeeiene elett.1'iee. Peiehe
le. be-lee e e. Inneen. il eirefliite pue eeeere e.en5ider:¢Lte i11 eeiifignle-2-ierie e
betee een1L1ne een une. reeieterlza tre. ernett-it-ere e nieeee eli velere infinite.
.›'3i.ve1'1cle quindi II; I U, le. releziene (3.1-52) ei riclnee e-

fe : Il-IIQBQ (3155

Le rettura delle. giurie-ierle ee.uee.te delliefiiett-e ve.le.nge. ei veriilee queilde

le.. eerrente Ig divente. inl¬inite. e nie ex-fa-fierie per Il-J -› =:-›-::-, eeeie. per D275 -
Blåjggy. Qtlent-e elette gi11et.ifiea il nerne elette alle tensiene di rettnre., in
quente Bll›'};†H.;j;› reppreeeiite. preprie le. tensiene di rett.ura. ed enlettitere
eperle.
Le. E-it-ueiziene e differente ee ei eeneidere. il eireuite eli Fig. 3.115 (li). nei
qnele il te1'Ir1i11ele di en1ei.titere e peste E-1 lneeee., il eellettere e pele..ri;5ee.te
alle teneíene lil;-E `;> U e le. base nen presenta. aleurie eenneeeiene elet.t.1'iee.
In queste eese il eireuite È: ee11figLu'eLt.e eci elnettitere eeniune een une
reeieteilze. tra. bene e lnaeea. di valere infinite. Ce11eider'e.1'1de elie in qtieet-e
e.eritig11ra:›:ie11e IE = Ig, la rela.ziene (3.l-52) fernieee per la eerrente elle
ett1'e1-'e1*ea. le giunziene base-e-ellet.t.eI'e la eeguente eepressiene

= il-'if'fc.'.†nf;›
fe 1-.l-fel;
`:.1f'ß'=
la J

lr; |:i1_;ee.te ease. le rettura delle giunzielle [elie a.¬Wie1'1e qtlellcle Ig ¬r~
|.
"_
-.wfrfiiee ntnaiiei-:;:› .U ---'› 1_,f'e;;.-, eeeie. per una. teI1f_¬'-iene lf};_†_;_; ben più l:::-:iena
Le '_-35;..
-1
_..-
I¬_.n._ "\ ll cireuite present-e. quindi una. terleiene di rettura dit-'eree
eri iilferiere ri:-:perte e. quelle 1'ieave.te. per la eerlfiguraziene ed ernettitere
e-perte.
ll ve.le1'e di tensiene V._«f_-,~,~_v,= per il quale ei :|:11e11ifeet.a. lieí-fette tfelenge ei
ineliee. een Blff-;f_,-_¬çg. Esse pue eeeere ric:e.fi.-"nte irnpenencle l"eg1.1egli.?-111:-«ze tre
le. {3.153) e 1;'e;;.¬, tenende eente elle, quaride qneete emfieile, ei lla li;-;__†_;;.› 2
lfljjg = BV(j;,f¬j(}, (JE-ìälêl

i-“LJ
1 1 _ _ ,__
_ 1 _ (ete;fE@ll)“fi**' : E i~'3'l5“
5V}:.†ee
ele. eui, riselvende per Elfi:-E0 si ettiene.

*
B1-*nen __ B1-feel: (1 - fw) lfn
“ , ,___~ -Blflflßü -¬
(3-lee)
3%
,. l F1 Hi:

238
 É'Lssu1'11e11de _íip = 100 e -1?.. gi: eernprese tre. il e 5. le tensiene Blff_,†Hif.›
risulte eiree 2--3 velte niinere di Bl›*};~5~Q.
Le due eenñg;uresieni eireuiteli enelizzet-e sene peee edeperete nelle
nretine, rne reppresent-ene due eesi lirnite entre i queli e eeniprese le ten-
siene di retture di un t1*e11sistere. per une ee1'1figu1'ee-ierie generiee. Difet-
Ti. si pue dirnestrere ehe per une quelunque e.eni'igu1'ezie11e eireuitele. le
tensiene di ret-ture? BV, essulne *~.el›:'J1'i eernpresi tre Blfggg. e Blåfgg

Hlffijfgg É BV if Blfljgg l:3.l-Öiiìl

Esernpie 3.9 _ __ _
Per un treiisist-ere 111311 ei.-'ente .-"`\];,;¬;- = lU1Hc:1r1_3, 1`~.'T_.-<1 3 = 1017 e111_'i”. _"~.`_-_i{¬ :
1ilL51:r11"3 ed un gueclegne _.-35% = 90, Lreve1*e le tellsieni di retture BT- -1 e
El/'lf_f,5.§:.
.fiissiiniere un eeeflieiente di ret-ture, n. ,-9 1.* = -'L

Eieluzìene
Le tensiene Bi-*i;;:,e.;;› si treve delle ~f_3.15=1) essuinende c¬:›:¬.1_= _~_--_:~:_; - _;`=-_-._-_; _ :_-_-_ :
il eelere. di }:L_¬-,_ = 3 - 10" \~"__›"'r:1n.

HV E_$g§rfi 1.05--1-10-12 >< (za-111312 nr v

" “""'“*' _ 2q_-*\.-'W _ 2 ><ƒ1.e- in-1'='* >< ie'-ff _ '" "
Di eensegue1'1ze._ delle {3.158} per B1--"`¢r_f;¢› si treve
_ _ Bi--'Eventi 2Q.f;`› _ _
B1-eree - = 9.6 K-

3.l1 Dipendenze delle temperature

Le dipendenze delle te1r1pe1'et.ure. pue essere trettete. in Ineniere- seni-

pliee estendende el trensistere bipelere eperente in regiene ett.i¬.-'e dirette.
:;¬~_1e.r1te discusse nel pe.regre.ie 2.5.5 e prepesite dei diedi.
Le eerrente di setureeiene del transistere, T5. ripertete nelle {3.`ì[]O}
per un trensist-ere npn: lie une ferrne siinile e.lle eerrente di seturezie«ne di
':n diede. Esse, quindi, e une funzione delle ternpereture. in quente delle
Ternperet-ilre dipende sie il ec_:›ehÉe:ie1'1i_.-e di difiusiene. DHE, elie {fsep1'e.ttui1-
fel le eeneentresfciene intrinseee di perteteri -1%. E-nipirieernentei I5(T)
:eddeppie egni 10%? di t-einpereture ed il sue e.I1de.-niente e deseritte delle
releziene (2.'.':}[ti}.

23.9
 fcffl

.fgf F) '

tefifi)
l~*c.'.f-ff il
lf'e«(fl + I
em le
+

`”“ T
Fig. 3.4? - Circuito per |`an-:-:lisi di piccolo segnale.

In 1'egier1e attive. dirette, le eerrente di eellettere. Ig. e dete delle

[fi-1.1051) nelle quele, oltre el termine Ig, eornpare esplieiteinente le tensione
terniiee. lfff. La. ferinule e nielte si111ile e quelle di un diodo. quindi eeehe
in questo eese si pue eelieludere elie. i11 presenea di une. eerrente di eellet-
tere eestante e in un interrle delle ten1pere.tu1*e ernliiente (Tg = BUU le
tensiene E dirninuisee di eiree. 2.2 111V per og.j;ni ,grede di tenipereture.
Quindi i11 1*e,ejio11e e.tt.i¬'~.-'e dirette si ee-*1'È1.

e-›. --zzílì feieu

oli *C `

l:; nreniere eqtiíxelente, se l-"'235 E3 lnerlterlute eosteiite. le eerrente di

;_lef†.:-re eiizneiite con le telnperatiire.

3.12 lledelli di pieeele segnale

Lienelisi di pieeele segnale riveste un°in1pert.e.1iz-e. fondernentele nelle

studie delle epplieesieni eireuite-li elle fenne use di transisteri, speeielrnente
per quelle in eui quest”ultin1e e usato eeine e1nplifiee.t.ore.
ll niedelle di pieeele seg11e.le del tra.nsi.stere si riee.-ve. in Ineniere rnelte
siinile e quente fette per il diede nel pe.1_“eg1'efe 2.9.2 e fernisee un le-
genie funzionale di tipe lineare tra le ve1'iezioni delle 1-'e.riel;iili elettrielie
{eorrenti e tensieni inereinenteli e di pieeele segnale) elle ee.re.tte1'izza11o il
eoinpenente rispette al pulite di lavere.
Per quente. teeriea.n1ent.e_. si possa estre1're un niedelle di pieeele see_;nele
per ognuna delle quattro regieiii di funzzzienelnente, nella pretiee ha sense
1'iee.¬~.-†e.1'e il inedelle rele.ti¬i.-fo al sele fuuzzienernente i11 1'e_giene etti¬'~.†e diret-te-
Pertente. nel segiiitci si st-'il1.1ppe1'È1. il Inodelle sele in tele regione.

240
 Utiliz-;*.e.11de le neteeione introdotte nel peregrefo 2.9.2. si consideri il
circuito in Fig. 3.47 nel quale sia le tensione ~e;3›g(t) che -i.=.;;¬;.«_7{t) possono
essere pensate eerne cenipost-c de due cent1'ibut_i. une cestante, V13E e lf".}j; 5.
ed nno increnient-ele. -i:_;,fi(t') e "i_.f,;,š(t). Quindi.

1155 I -it 'Egg (3161)

'tfgjjir = lffiffg + 'E135 [3.1fi1i2)

Cenie esposto nel paragrafo 2.9.2, le tensioni costanti 17;; 5 e lflçg iinpon-
gene che et-tres-'e1*so le base ed il collettore fluiscane due eorrenti costan-
ti denetetc 1'iepettive.rnenl-e ce11 IB e Ig. Pere.llelen1e11te. le coinponenti
increnienteli di tensione. ebgftj e -'i.=.;,,.{:t), feraeno nella base una eerrente
íncrernentele i,;,[t) e nel collettore una coniponente ine1'er:;e:t eda :À T :Le
ai †~.-'enne e so=..-*repporre 1'ispettit-*arnente e IB e Ig- genere.:-1'; Le :í::+;T;
fateli ii-H{:t_] e

'15 I .f_:_; -¦- 'fb _

ig = Ig; + 'Li-f; ff) -

C-enie nel caso del diodo. Tobiettìve delle r:'e†.:e:_ì:_-:'_e 1+ '_:+1'_- fr" ._:-
tn inodello circuit.e.le che Inett-a in relazione ie <;'oi11pe¬.-=;-1'.ti 1:'_~:-:*e:';'_e:'_†ei-
ielle correnti -i_iJ(t] e -i.¬_(t) con le componenti inerernentaii |:_i-:iiile iensi-oni
- .›

3.. (15) e rieti).

3.12.1 Dvíoclelli per bassa frequenza

Prinia di entrare nel 1--ii.-"o delle st-'ililppo del niodelle, cern-'iene appro-
fnidire il concetto di p-u.-nte di le--eo-ro [detto anche bias point o g-e.-ieseeni
jeiritj. 'lele condizione e state già. int1'odet.te. nel pe.re.grefe 2.9.2 releti-
'.'e1ne11t-e el diede ed identifica le stato del dispesitive sette Fazione delle
sele cernpenenti costanti. Esso viene indicato con Q e, nel caso di un
t:en.sistore bipolare e ce.re.tterisze.te della queterne di veleri (Yigg. lie-E.
Q3, .l.;;y:]. Tiittevie.: se il transistere si t1'ot*e i11 regiene et-t.ive dir-etÉe.; pei-
Jlie le tensiene lfig-_.=E pue ritenersi ee-st-ente (circa U.T\-T) e la cerrente In e
ì:uplicit.e1nent.c leget-e elle cerrente Ig delle relazione Ig = _1'3FIB. il pulite
let-'ere viene spesse identificate della sele eeppie di veleri [l«*È.†5, Ig).

an
De un punto di viste grelico. esso si interprete eonie un punto ben preciso
poste sul pieno lfiçgg-If; di Fig. 3.41.
Une volte individuate il punto di lavoro del dispositivo. si pue lirni-
tare lienelisi sele elle variazione delle grandezze elettrielie rispetto e tele
punto. e condizione che il dispesitive pernlenga- 11elle. regiene di funzione-
n1e11te et-tive dirette.. C-ie consente di semplificare notevelrnente l`e.nelisf
di un circuito con coinpenenti non lineari. quali i transistori: e perniet-
te di ridurre il preblenie in due -settoproblenii facilrnente gestibili anche
Incdiente unianelisi certe e penne.
De quanto gia discusso, per ricavare il modello di piccole segnale dei
transistore in Fig. 3.42 si ipotizza che le tensioni VEE e l-*f;_n¬;r sia-no tek
de polerizzere il transistore in regiene attiva dirett a. (e preciselnente in un
certe punto di lavoro Q). lnolt.re_._ si assume che i segnali ternpo-varianti
nte c tfcfiiítl siano sufficicnteinerite piccoli da nientenere il dispositivo nel-
l"'intorno di questo punto e seinpre i11 regione attive dirette.. Cio consente
di nt-ilizzere le equazioni ricevete nel paragrafo 3.6.2.
Ornettende nella t1'e.t-tazione che segue di esplicitare le dipendenze. delle
variabile temporale: t, trernite le rele-zio11i 3.114] e (_3.l15], si puo scrivere
per 'ig la seguente espressione

fa = iis ~".1'.<'1 lt íeiee

le -:_| rrenfe 53 e una fun:-:ione delle ve.rie.l'Jìlc 1:55. Perte.nte_. sviluppan-
ii I:-'_ -5.1126 in serie di 'l`a}'lor erlestete al prirne ordine attorno el valere
i ie:.si=: di j::«ola1'ízzez-ione. l»-235, si ottiene

fs Fee' ä ie flefr) + - fl-'ee _ lfee) iíìltiü

drffßffii l'U.s15=lfif:f: i

Poiclie il termine -'i_5[l«*"'5,g-_:) eltre non È: elie le corrente di base ottenu-

te applicando le sole tensiene di polarizzazione V,r3;;._ c.ioš: la cerrente di
pole.rizze.z-iene Ig, il seconde eddendo el secondo n1e1nl.u"e delliequaziene
(3.l6fi}. e proprio la differenze t-re la corrente tetale -:E5 e le corrente di
polarizzazione Ip. essie le cornponente incrernent-ele ib. .›'31nalegarnente.
115;; l/:gg e le coniponente increnientale -115,6. Inoltre. poiche valutare le
derivet-e delle 3.166) per -1.-'55 = lf"';;,› 1:: equivale a valnt-erle nel punte di
le.voro. Q, -si pue riscrivere le (3166) in forina più coinpette

. il?-e -_ . ...-
fffi : fi ' Wir:
d"=!›'e.ef |Q

2422
clic cspriine il legeine funzionale di tipo lineare che intercorre tra la corrente
incrernentale di base e la tensiene ineren'1ent.ale tra base ed ernettitere.
ovvero la variazione della cerrente di base rispette ad una variazione delle
tensiene tra hase ed ernettitere.
Le corrente di collettore. considerando anche liefietto Ea1*l),-1 ossia la
dipendenza di -ig dalla tensione i.=,;j;~1;. ij: data de.lla (3.l36l. da cui

. _, il-il['Ã'É e
1 et"';"'-'-"ITPT - -¦- _L;_!-1 )

La corrente 'ig e una funzione delle due va-rie.bili fi.-155; e 1.155. Per esse
quindi e possileile operare lo sviluppo in serie di Taylel' per le funzioni a
due variebiliìii

'ici' iiinefi '*l'i';-Usl E if-cf llfff.-in-*i l-""'_cj.†1;,l +

. Ö'íc.? fi-'sei Hr.:-'el

_ __
,-
_ __ 1) _.. _
T-
. _- _ i

É}1_:BE '1`e.e=l_s£ J" _"

"¢`c.¬i:=l cf.:

Öic (Usai vos) _ n

_
_If':' ì
-_ ri _ : _

+ Öe-:.'s 1-B1-_
.¬
1 _,í
i
l ___
-___
I “ '-" --'

L`c1:el›c:

Ovviernente, il terrnine -i¢;_;.-[:V;_;›,r._;, reppresente le eerre:.†.e di =;-._.i-

lettore valutate nel punto di lavoro. ossia la corrente IC- e quindi i due
eddendi e sinistre delle (3169) rappresentano la coniponente increinent ale
1' In particolare. uno dipende linearn:1cnt.e dalla varia.zione di tensione
:lese-e1nett.it.ore, -'ogm : -'i.›,q;.-_ - l--ig gg, e lialtro dalla variazione di tensiene
_¬:illettore-einettitere. -'1.1._¬__.;. = -i_.1gE - E.
Èiotando che entreinbe le derivate delle. 3.169) sono valutate nel punto
lavere: Q, si puo scrivere in ferrne eo1npe.t.te.

_ Öig Öif: _.
EI.: ì i ' Ji ' inf.-'1C_.r_-I + l
ÖTJBE Ö'l_?(jE Q

_'-lie esprirne il legenie funzionale di t-ipe lineare che intercorre tra la corrente
Ieerenientale di collettore c le tensioni increnientali -iibfi e -'i:_.¢,...
_"lData una funzione di due varialìiili, ƒiiir. e possibile scrivere

fi«1eeJ=-“filet-¬yo) i
eie ei- Am -ie en)
eri-.:: -ef mi ~iir-tel
..Ii
| i
U' iù' U *I-'i'-l 'L¬'-"

24
 fa ic _
1- Ö

+ da + ai. ei.
1'?-Öfi I vc-'e' vflß __.-lu- I 111-e I Ter*
dv I E3123: H dv
- Bee - ff-ie

r»-JO-+

Fíg. 3.48 - Schema di principio del modello di piccolo segnale per un transistore
non.

Da un punto di vista eireuitele, la relazione 167') indica che la corrente

iilcrenlentale di base, ib. e la corrente che scorre att-re.¬~.-'erse un generatere
di corrente pilot-ato delle tensione -tim. Siniilniente, la relazione 3.l'FU
indica. che la corrente di c.ollett.orc e forriila dalle. sonnna. delle cerrent
di due generatori di corrente pilot-at-i rispett-ivarncntc delle tensioni *tem L
-'i.=.;.-_. FI- innnediato verificare che quanto detto treve. piena corrisporiderizi-
nel circuit-e di principio niestrate in Fig. 3.48. Si osservi che il circuitc
soddisfa anche la condizione i1'1'1post-e. dalle. legge di líirchoif delle correnti
r
1.
IH;
ì
i _
ii *T __=ri_~Iif_.- di l ig. 3.-le presta ad alcune senlplificazioni. 1 'i puo no ere s*1;
':-`:;.-_:- il generatore pilota-to connesso tra hese ed eniettitore prorliice
-.-1-:-;›:;fe ;n'op›o1'zionele alla tensione ai suoi capi, ovvero. si coniportr
T j :tie '_¬.:°.e re."-=isTenza di valore pari alliopposto della sua trensconduttenza
Tfz; discorso analogo vale anche per uno dei generatori pilotati connessi tra
_ _ d
coilettorc ed crnettitore. Deíinen o pertanto

_ Öig
T.
(3.1-ri
T _ Ötfssi Q

151ni = LU (erre
Öesa Q

-',F"L¬, I ( ii'fi;_« ì -1 _ __
(sai
il-CE Q

si ottiene il circuito di piccole segnale niostrato in Fig. 3.49.

244
 e J -- li Oc
+ -i-

ll-J,':1|,g ) ((3-H?-\'!¬fTÈÈ rl:-" -lflfg

Y if
O
E

Fig. 3.49 - Modello di piccolo segnale per un transistore npn.

Per celnpletare il medelle restano da valutare i pararnetri introdotti

nelle [:3.l'T1)-(3.1T3`). La resistenza 'ri prende il nome di re.si_sten:e di he.-ai
e si valut-a sostituendo le [3.165:l nella [-3.1'71)___ ossia

-.ì __ I

ì ii.
d f_=;.f ._. _,
1'? .|l".'. _.
1,; _
I : IÃEF
l» T ì

(_l"L? ,ig ƒ-_: 1-_-¬ _,_«_:; Ig; E151 - Q

¬-
_.-

= _í3_;_rrèiT _. . ' '__-_

' IS .;~_l-"131:.*' l-11'

Peiche nella fiìlöåšl si ha che -tim; <5. l--fi. il teriniiie al -:ie:°.ì-1:-_:';-_~=.T _:-
;;;:-p1'essin1abile con le corrente di collettore in polarizzazione. ff. :ile e ._

if
e.. = _s,f.~-5
F'

(3_ire_1_
Ig

llte1'rr1ine_r:,i.m. prende il nerne di .ñrr1.nsco-n_.d'uttonze di piccoio ac_g-noie del

*"'i1-esisto-re e si valuta sostituendo le (3168) nella [3.l`T2]. E-sso e pari a

- : Ö IC -UE-E__,. f - - 1 'UHF
_* -, 1

gm Övez-1' E K Va Q
_ Is L»›lffs:;,«"l"7:' (1 + Lf ,_ Ir', i '
___ er, -il __
{3_l_T.ñ)
.-I :

tne. tenendo conto delle (3.1(iEš)_ è possibile riscrivere eonie

eie
 e i H '-in Qc
+ ' -:-
lfi-'nc I'.-†. ®ßFf_f› 'Fs 1"ce

_ gs? _

L _:

Fig. 3.50 - Modello alternativo di piccolo segnale per un transistore npn.

Siinilniente: per il terniine -r.;_ che prende il nerne di -resiste-neo. i'riir'in-ser-.:

di colletto-re ii possibile scrivere

E; __ _ -l
-re = _- L3' e'i'1i1:_-51,? (l -l- H) :
Ö15 [Q E J.--1 Q

lfhi l--"ra , _
[S evita O Ig- gl-"ea,-"' 1-"T

de cui

-rc = l:3.1'I!ÉJ
fo
:feto quindi il punte di polarizzazione di un transist.o1'e, rappresenta-
to dalla coppia. E_ I.-;_¬_)_ i parainetri di piccolo segnale sono univocainentr-
determinati.
Si noti, inoltre_ che, poiche _1f'};.¬ `;>-D 1 e l-'li I>3> VT. ve-le seinpre le seguente
relazione

1_.fg_,,___ fa -i~=._T ef: rc f3.180

e elie, per la (3.1'Tii] e la {3.1T'T_)_ si ha senipre

_fí11z _ _g_mi'¬¢, {3.181

É- utile avere uniidee delliordine di grandezza. dei vari paraniet-ri di pic-

cole segnale. ipotizzando una corrente di collettore Ig; = 100 _u.A, un gua-
dagno __Ö';.¬ = 1[l(} ed una tensiene di Early l--É..-1 : lllll 1-.-1 si ettiene. a ternpe-
rat-ura ambiente [lfi¬ = 26 111V), gm : 3.iš nia/"V, 'rw : 2fi lc-Q ed ri; : 1 ll.-iii.

ai ff:
Conie si neta dallielevato valore assunto da rc, la resistenza intrinseca di
ìrollett-ore puo essere spesso trasc-nre.t.a senza cornrnett-ere grandi errori.

Il rnodello di Fig. 3.49 e rnolt-o usato nella pratica.. Tuttavia non e liunico
possibile. Esistono in particolare altri niedelli cireuitali che descrivono in
:neniera del tutto equivalente il con1portarnent.o del tra.nsistore per piccolo
segnale.
Un prinie nlodello alternativo pue essere ricevete facilniente del circuit-o
Fig. 3.40 osservando che

reg = -zo;-i.,;, (3132)

~;- che

gtttwoe'. : gtitrnfii : ,åfffii

Cio consente di sostituire il generatore di corrente di Fig. 3.-LE* 1-:.

:_'-_'ne1'at-ore di corrente pilotato dalla corrente -"ig, come in Fi;-_* _ E».-É __

Esempio 3.10 _ _
Un transistore npn avente da = ill) e lr'.--1 = 140 \' `e pc~le:'izzat; iz. '__';›_ _ -::-__ - _
celleti.-ore Iig; = 2 rn;-1. Trovare i para-rnetri di piccolo seg1'.a};- Ét: `:_e.+s-1; fr-_ - _ _

Soluzione
Delle. relazioni (3.1T5], (3.1T`f) e (3.1'T9) si ha
is se - ie-*i ,_

Ig' É'~1ll il fi._ ' _. _

_-_<§f-fa 26 `-1ü_3 : 1{¬.~..fl rn_›1l_,_»¬i.__

to 140 _,

3.122 ivíodello per alta frequenza

il niodello per alta frequenza tiene conto degli effetti cepacitivi descritti
:si paragrafo 3.0 che prevedono una capacita. di giunzione connessa tra il
'frrninelc di base e quello di collettore, e due capacita (una di giunzione ed
';;-.e di diffusione] connesse tra il terininale di eese e quello di ernettitore.
Per ragioni storiche la capacita totale connesse tra base ed ernett-it.ore si

sia
 _ c. _
eg ii -“ *fa--Qc
- l +
Vee I';,- CH _ grnlfåe Fe ¬l':.c.'.-*

O»-ai
ru

Fig. 3.51 - Modello di piccolo segnale in alta frequenza per un transistore npn

indica con Cf, inentre quella connesse. tra base e collettore si indice cor.
*C-lg. lncludende questi effetti al circuito di Pig. si ottiene il circuito
equivalente tnestrete in Fig. 3.51
La c.a.pacita Gg e pari e.lle. (É-'J-;,.,, definita nella (3.14-5), ossia.

Jil. -_'
ctu _: Gjhfl : Jbcll BL _ ETH'-HDC

(1 - i-†e;~,f1lliItl.1B@›) t
La capacitii e peri alla sonirna di CJ-bg e Clpbg definite rispettiva1'nente
nella 1113.1-1-il e nella (3.1¢19)_._ cioè

_ _ _ fc -_ _. _
0- I É 5.-5.5 --- Cj',L,,, = ff'-1-g + 'È-CjbeUr"l,:_;E = 'T1¬¬_g;-H -l- È-Cjbggflfgg (3.13-*Li

rio-.-e e stato considerato il fatto che 15,/ : gm. Si noti inoltre che, ad
eccezione del caso di polarizzazione per loessi livelli di corrente, poiche È
Cpig is:- C`_,-;..,,. la capacita CET e spesso approssirnata dalla sola capacita di
diffusione. essia

Ce E 'Tg-¬_§r.m (3.1i"iÉi

Esempio 3.11 _ _
Trovare le capaciti-1. associate al modello di piccolo segnale in alta frequenza per un
tre.nsistore npn polarizzato in regione attiva diretta con una corrente di collettore
I 1;: = 150 ni.-'1 e una tensione l- E-__~,-=_~ = 21-T.
.åssuneere i seguenti para-Inetri: = S0 nF_,-icing, C7'fi¢..;ü = È01iF,r'cn12, _›'-1,~;,r.3 =
ie-'i est, _e_e¢« = is ~ iii-ii eni, ee.. L se e_,,-_i,.. = oss. i»«i,-,M3 = as
1-*ia-frrr:';| = 0.315 1.-", rr- = 0.5

248
 1;.

“fb_ ff 0 g»..¬»f.§ ff g _
B _ l *I jr» O C
Io lo

Fíg. 3.52 - Modello di piccolo segnale per un transistore pnp.

iu.

:oluzìone
Poioho il dispositivo oporo, in rogiono aßtiv-fi f1ire1;l'.a¬ per ri-::a~n¬e.:-1-1 f:~':;=ì.:.-r.e 1 `_=
si puo ossuniezro oho l-'gg L Lffi- E,;U__«`.-I, 2: 0.7 V, da. cui
Voftf = V1=:E - V}_:'F; = l-*',g›,-3;-._«-,-_.¬;; - l-'}_': 1-; = 0.7 - 2 = -I.-'31'
La ~:o..pa.oità. C; si Iioai-'al dalla 1'olozio11e (_ 3.184). osaia
F _ £.-Tvm..-›'1.lf<;› _ :;.›U~'10-f' >< 1f_a-:-:-"- .-
fi x __ _. __ r'.~';.3-5,. . _ ` "Q ___ _ L: ' --- -I
i ll 1-"BU,-'h«.;~:Bc;›) ` E ll --l --1--3'. U--=:_
La cop:=1+:it:-È1 C-'T si rica*-.-'al da-lla {3.'l85) e risillia

_ If: '_ _ _ _. 1.:-.o-1o¬'-"

C'-7 : TF' -F ;£:j':'-°E=U-A-.UE * =.}UO ' lla X

+2 >< an-10* >< 10-É* = 2.sz1;«1n-1** + 160 - in-1* = :a.f_1.lp;

Corno si not:-il il c:.o11†.1*il†›11to della capacità di gi11112ione_, C-"_›,=g¢,E, È* molto minoro di
quello Cioviito alla o.:~:|,pa.c:itÈ1- di dii*i'11:-;ío11e, C-';;.L,F¢.

3.12.13 1\,-*lodelli di piccolo Segnale per il transistore pnp

I moflriolli di piccolo sogiiolo oviluppa.ti nei pamgrafi p1'ocedonti sono oto-1;i

:fi:'o1'E1ti per il L1*-'š11'1SiS,toro npn sulla bose delle equozioiii ¬=.-Hliclo per qiiooto
Tipo di tioiioiotoro.
Poi' ott.oI1oi'o i modelli di piooolo Segnale dol t.ran5iSto1*o pnp È: 13:-oo:-šibilo
';iiiizzeL1'e le oorrispondoiiti oquazioiii di graiicílo Segiialo o prooodoro oiiolo-
;3J:oo1ito za qiioliito già- fat'-Lf_1 per ott-o1'1oI'o lo 1'ol:='1;5ioIii clio logoiio lo oorroriti
;|?1*o1'i1o1it:51.1il -iù o ic, alle tensioni i1'1cre1i:1e11ta.li¬ 215,5 E -115€.
II1 1:u;1.rtioola.i*ol lo oqiiazioiii da 11sa1'o sono

E-H : IEf«|3F) Ei.=,¬:_f;_.-"Lfr 155')

249
 g›'1'r1"f?ÈJ rn
Vhe

C C
(H)
E E
f""" 4"'-~ .H-"'“ '¬--._
Kv|:°F¢I fé vc-3-..¢`\ iififfle' ì ft: -i'i:.\-'sx

B In 1' ,L C B If, il'¢ C

UD)
Fig. 3.53 - Operazioni invarianti sui modelli di pi-::-:olo segnale.

..,¬ 'U , _." , ,_

'?'i{;f : Ig-_? 1?*-i"='-B-"i'-1'" - (1 - J.
ì |:3.låñ
.-

¢ -1
_.

che consentono di ottenere per le coI'rcI1t.i ì11cre1ne11ta.li

oz; 1 _ _
:É : -Qi ' Feb : i ` il--'irab
i-il-É3 rn'

_ 5551* . ~5lÉ(_:.f l ..
if: : .i ' ref? =_ ` 7-'loc : g'rl'1. ' 'Z---ie'É› + 7-lor;
ai-'l`-f H 'ô\'UE{f.-` Q Tir:

dove ie facile ¬.-*e1¬iiiea.1¬e elie r,.,_. gm ed -I-. __ assiiiiiono le stesse espressioni ri-
oon-*o.†e ris1Jet.tiva.me1it.e nella (3.17-5)_._ (3.1'T'Tl e [3.l'T9). Rioordniido inoltre
elie nel iziuinsistoi-e piip le e-o1'1*e.11t.i di liase e -::.ollett.o1~e sono 1:=osi1:i¬i.-fe se
nsooiiti. il modello erqiiii.-'a.loI1l:e di piooolo segnalo risultante il n1os†.ro.t.o ii:
Fig. 3.52.
Si noti olio tale nioclello È: ose.t1:a.111ont.e eq11iva.1oI1to al niodello del tra-n~
sistore npn di Fig. 3.49. Difatti, nullo. oanibio. nel oirouito di Fig. 3.52 se sf
ribnlt-o. il general-ore piloto.t.o di Co1'1*en1:e e. oonto1npo1¬e111ee.I1'1e1;1to, si eein-
biei il segno dello. suo. v.›*=:L1"ie.l:›i1e di cont.1*ollo, come I1'1ost1*ol.o i11 Fig. 3.53
l"'ino.1o_.e;e1rne11te. tutto 1"os†..*f-1. i111-fariaito so si im-'e1'te il ¬'~.-'orso di tiitie le eor-

E250
 _ __ -l'
!_=_af_I`_.| L.

_ .
faifl In È?
l
___l _
`

Fig. 3.54 - Schema di principio del circuito per la valutazione del guadagno
ci corrente '.i.:__.=i-i,¬_-,. al variare della frequenza.

:enti ai ter1:ninali del dispositivo e delle tensioni tra base-eniettitore e t.ra

_:-ase-collettore. come mostrato in 3.53 bl.
Pertanto ii: possibile concludere che i modelli di piccolo segnale del
Transistere piip sono gli stessi del t1*ansisto1*c 11pn.

312.4 Frequenza di transizione del transistore bipolare

È*-Tci paragrafi precedenti il transistore è stato analizzato p:*e*.'s.§s:i†ime:;-

7-: in bassa frcquenzsa. ossia. sotto la sollecitazione di segi:aLi :=. :"_'_;=.';'.;+:;-
:e tali da rendere trascurabili gli effetti cap:-;1.citivi p1'escntì alle giiiiizi-oizi
asc-collctt-ore e bese-e111ettito1'e.
Uno studio del comporta.1'nento del trarisistorc in cui le variazioni in-
':emcnl;a.li di tensione e corrente sono valutate al va.ria.1'c della freqiieiiza.
:ivcla che il guadagno di corrente -;i,_¢_;"ig, non È. cost.a.nt.e c clic esso c pari a
T; solo liiil-s.1:1t-oclié sono trascurabili i suddetti efiett-i capacitivi. In par-
iicolare, per segnali a ti-equeriz-a. superiore di una certa frequenza critica.
11 modulo del rapporto -i,_._,.-"'-i.;, diminuisce e. anment-ande ulteriorinente la
':eq11enza del segrialc: puo anclie diventare minore di uno.
Si definisce ƒreq1v.en.zn. al-:E tron..sizio-rie del trrin.s'.i.sto-re bipolare. e si indice.
3 in ff. quella frequeiiza che rende il g1_1acla.gr1o di corrente -'i,.;_,.="-il., pari allin-
'_.itÈ1. assumendo il transistore nella configtlrasione ad emettitore comune e
_:-n il collettore cort.ocircuit-ato.
È possibile studiare il comportamento del glietriitgrio di co1'1'cnte -'iüf-'ib
1; variare della ii'eqi1cIi:sa c trovare il valore delle. frequenze. di transizione.
_"_†. esaminando lo schema di principio di Fig. 3.54 mediante lianalisi di
;Èccolo segnale.

2.51
 + |
llcil* +
il
if: Wie 1'; CR- T glaliåe rc Vee i

Fig. 3.55 - Modello di piccolo segnale per la valutazione del guadagno di

corrente if/'ib al variare della frequenza.

Per analizzare il circuito di Fig. 3.54 conviene procedere come desc1*ittc

nel paragrafo 2.9.2, annullando inizialmente i ge1'1erat.ori di piccolo segnale e
valutando il punto di lavoro definito da lei;-E e Ig. Ovviamente. la tensione
lfigg e imposta dal generatore di tensione omonimo c. se Ig le U e `l-*EE le
l»-'i;¢fE_.m_¢_, il dispositivo si trova. in regione attiva diretta ed ha una corrente
Cll E1üllCl~i~ü1"l':? ]_')F†L1`i EL. IC = _f3;zI,iI_§.

Una. volta verificato che il dispositivo polarizz-ato in regione attiva

diretta, e possibile procedere allianalisi di piccolo segnale. Per essa. si
annullano tutti i generatori indipendenti c si sostituisce al transistore il
rnodcllo di piccolo segnale. In particola.re_._ il generatore I,13 e rimpiazza-tt
da un circuito aperto. mentre il genera.t.o1'e l«'Ɇ;;¬3 e sostituito da un cortc
ci_¬~cuire. Inoltre. poiche si e i11teressat.i ad nno st.n-dio ad alta frequenza. si
:-= _ sfffiiist-e al dispositivo il modello di Fig. 3.51, che tiene conto degli effetti
. peri-.**-.-ì.
li ci:cuiro ris1_1lta.nt.e e riportato in Fig. 3.55. Si noti clic, in condizione
di piccolo segnale. il collettore risulta. cortocircuit.at.o, come richiesto dalle.
definizione di frequenza di transizione. Dallo schema circuitale e facile
osservare che il condensatore C-'F ha uno dei terminali connesso alla base
e lialtro posto a massa. Esso pert.anto. sott.o liipotesi di pot-cr trascurare
la corrcntc di C1., si puo porre in parallelo al condensatore Ge che si trova
nelle medesime condizioni. Inflnc_._ osservando che la resistenza intrinseca
di collettore e posta in parallelo ad un cor't.cw;:irc¬i1it-ri. È: possibile rimuovere
-:rc senza alcuna conseguenza. Dalle considerazioni fatte, e facile verificare
liequivalenza del circuito di Fig. 3.55 con quello di Fig. 3.55 che sara oggetto
dcllianalisi che segue.

Un primo esame del circuito in Fig. 3.56 consente di scrivere per la

corrente di collettore

25.3
 I L'

l
-l'

il; ` † `l3,§;|._= f"_† C5- _: CU giri-l"."ie

i T I i i
Fig. 3.56 - Modello di piccolo segnale per la valutazione del guadagno di
corrente -:igi-"'-i.;. al variare della frequenza dopo le opportune semplificazioni.

'lc : lll1lr'rz"U›f.›e-. 1

:nentre la tensione -r.›;,.i e data da

'Uf31:_

iove liimpcdcnza Zfi e il parallelo tra la ca.pacitå"-. -fl- '.'e_'_::e fl - __ _

:csist-enza ossia.

“L -..›. "T ; ' _

Éll H- i + J.

Combinando le tre equazioni (3.l93_)

e risolvendo per 7 ~_
ítienc

lc _ 'ri'i'T.-i _ F .
r _ i'.3.19a.`
It sr; LC-'É -. Cp) + 1 .s--rr (C-'GT + (_.-1.) + 1 ` 'l

La e una funzione di trasferimento a singolo polo il cui tipico

:damento del modulo e riportato in Fig. 3.57' in forma di diagranima di
E-ode. Il guadagno di corrente -id"-ib presenta un valore i11 continua pari
'~¬.- cd un polo pari a 1_,="'_'rT;{(f.-E; + (Hill. La frequenza a. cui interviene il
I

¬~.L` indicata con

F'
i_l È data da

1 1
fa = .
En -ra LC; + CH)
iaia:
` il

Oltre questa frequenza il guadagno di corrente inizia a decrescere di

LI- dlå per decade raggiungendo il guadagno unit-ario (ossia U dB) per =
E- possibile determinare ƒq- imponendo che il modulo della sia
peri ad uno alla fr'cs.1uer1za complessa s : j2n Da quanto detto c lecito
_;-_'-rivere

5.3
 'fel' ifìlldlfi L
I:

so- ßf
4c~
"-l.l"l-

20*

1-fe -~i`.3*-
g-.. _IK.: '-:-e T
1m~.›-1 ico.-ft le wo f

Fig. 3.5? - Diagramma di Ešode del modulo del guadagno di corrente -i_:__›-“i.;,.

5 -› _
1: _ -“'" ___ (aias
V' [2i†_f-_i=r_._ (Ca + C..-,___l_' + 1

_e`1ssumendo che il tcrniine in pa1'entesi quadra sia molto maggiore di l.

if? possibile scmplilicare la (3_19(_i) in

:ip .
1 .¬ _ e
2J.I'l__†]"il',;,-
. r__3_1a-T
¦-
_....¬_ |.l1__.'_.

__|. '__a._

__! _

*- = 2:*i le :C
'_
_ 3*" = al gm'
I + Cp) 2--rr (C-*.. + C,_._)
{3_1ss'
'

E istruttivo esprimere la frequenza di transizione in funzione del puntc

di lavoro del transistore. Riprendendo le definizioni di __c;r.m_, di Cn- e (Ia. si
p11-5 scrivere

1 I _-,='ilf" 1 1 _ _
f†=_,,_ I ,, 'if . =____
-H 'oz cvl-*fi* † Cisa + C-ja
_ _ 1
2›'~ ›r¬ + [C-gas † C"_«,«a¬_l if ig. fc'
ci-199
La relazione 3.199] mostra. che la frequenza di transizione del transi-
store bipolare e crescente con la corrente di collettore, Ig, e tende asinto-
t-icamentc a. l H2-z†f_l. Un andamento tipico 5 mostrato in Fig. 3.53. La

1511 medesimo risultato poteva ottcncrsi 11tiliz-za-ndo la prr1p1'iet-5. dei sistemi a singo-
lo polo dove la pulsazione di attraversame.nto puo essere rica.vata come prodotto dei
guadagno per la frequenza. del polo [prodotto bancla-g11aria.gr1ofl.
 fr*

;_._______________
2 'ETF \ _` carnpe name mo
` rca l c
\ \ `/
compa namento \
id cale ¬`
Iv
.lg

Fig_ 3.58 - Frequenza di transizione in funzione della corrente di polarizzazione,

If-1.

:`.¬1rm11la t.uttavia non prevede alcuni effetti di secondo ordine che entrano
ì:1 gioco nel transistore a.d elevate correnti percio. oltre un certo vaiore di
:orrentc di polarizzazione, la frcquerlza di transizione rende 1:-:*.¬_=.:e:Te
diminuire come 1nostra.l_.o dalla linea. tratteggiata in
La frequenza di transizione del transistore `r_iÉp~_'_'_|Ã:¢'=.t¬_- :_Ã}_ ';:; -___ _-___.-_;_ '-
Le s111la massima velocita che un dispositivo puo :e.ggi';;_:_::-L ;_'-_:_-_:_'- :_ L
'_;:1'ampliíieazione di corrente maggiore di nno 1] dB _ I-"`;i;';e t:_'e _: _-_:
ztietro e valutato i11 una coI1figura.zio11e con C-oiidizi-.i_:'_ì _¬-:T-Tnt ;;+-_;
cortocircuito in uscita e generat.ore di corrente ideale 1:. §:'_g¬_'e5_†" _ ';;_
_-ìrcuito reale la Inassima. frequenza del segnale che pi;'~:':1a;-*_†_-_1- -
Ti-:'a.zio11e maggiore di 11no risulta minore rispetto alla ff raicc=ie.re. -;iz'-.Li-_
íilillšll. Si noti inoltre che ff, al suo massimo valore, e inversainente pro-
_:=orzionale al t.empo di transito dei portatori minoritari in base, pa.ramet.ro
_?-ee risulta quindi di fondarnentale in1p1_1ri_a11-za. in fase di progettazioiie del
'iisposit.ivo.
Da un punto di vista della progettazione eireuitale È: possibile osservare
"ee, qualora si richieda al disposit.i*~.-'o la massima prestazione in termini
ii velocita, 5 compito del progettista scegliere il punto di polarizzazione
'pport11no. In particolare di sua. competenza. dirnensioriare la corrente
.ii polarizzazione di collettore, I(_'_r, in modo tale elie il dispositivo si trovi
cella. zona. in cui la frequenza di transizione assuma. il massimo valore
pessibile.

Esempio 3.12 _
Per un transistore npn polarizzato in regione attiva diretta con una cerrente
di collettore If; = 155' ua e una te11sio11e `l«*'i›_-_:;-_- = EV, calcolare la frequenza di

5.1-

l`“~ì`;h tv 'if-Ir
 transizione ff e rallrontarla con il massimo valore teorico della stessa.
,assumere i seguenti paranictriz CT_;1.,.._l;› = -30 nl3"'__r'c1n2- C_.1,,,,;, - 2lIl11F_."'cn1f, _»-15,; =
_ ' _ ¬' Q' ¢ r 1" _r
ill E cmf, .el;;.«_.¬ = id ~ ll] 3 cm*, rn;-5.3 = ll.-rl. ni;-sc = Udo, `l.-*;_..,ç,,r,-,f.,=; = lJ.*II"v,
lr"i,._.;|:,[;.'{_1`_¦ : ivi-_. TF : 115.

Soluzione
Per questo tipo di transistore, le capacita C,__._ e Ce sono gia state calcolate
uclliesempio 3.11 nel quale si era trovato

cf, = zssrr
il _ 3.0-*i pl*

La transcondiittacnza., g._._.,_, e pari a

H fa iso-10-E __ 5 l¬.r --.I M

1'" la ze - 111-H '
I-\'

Di conseguenza, la frequenza di transizione ƒgr, calcolata mediante la relazione

['lti.ll§l5'll, risulta

_ 1 _ 1 5.??-1e'** _ _) ,___ _
ff _ re rc', +e,,;~ _ Qe X 1j3_o4.1o-12 + 225 . 10-1-'=-1 ' 'SLIHÉ
ll 1~na.ssi1'no valore teorico della l'reque.nza. di t.ra.11sizione e pari a.

l 1 1 ._ ._ _
'iT"`“*“` “' 2›.†›.-,-.- 2›.† 3 s1i1111 in-12 : `“3MHZ

3.12.-5 Resistenze distribuite e capacità di substrato

ll transistore bipolare a11alizzat.o sinora. rappresent.a un modello ideale

di q11a.nto concretamente realizzato tramite tecnologie. pie.-nn.-re, c per quesr 1
motivo, viene comunemente chia.mato anche t'rar1.si.sto-r*c prof.otipo.
La realizzazione di un transistore bipolare in tecnologia planare av¬vie-
ne mediante la deposizione di opportuni strati di diverso materiale sulla
superficie di una fetta di silicio detta sabstr-a.to. La. tecnologia. planare
tra.tta.ta con maggiore dettaglio nel capitolo Tuttavia., e da sottolinea:-;
che la realizzazione di un transistore bipolare introduce 11na serie di ele-
menti indesiderati rispetto alla struttura puramente ideale del transistore
prototipo.
in particolare., si consideri il t1"ansist.ore bipolare integrato di tipo np:
realizzato su 11na fetta di .silicio e scherr1at.izzato in Fig. 3.59. ln tale ligure.
e riportata. la vist.a dallialto [detta anche lapo-'a.t") e la vista. in sezione della
fetta.. .analizzando la sezione, si osserva che lieinettitore e la regione 11*
che risiede sotto il co11tatt.o omonimo. La base le la regione di tipo _:

556'
 lagüut substrato QP]

arca E-S, _›i.;¬g[si:1'ato cpitassia le if)

contatto di wmmtü di emettìtmfi c_ü-Htattü di-| contatto di contatto di
suhsrra rp jr ,_____a,,._, , B_E___,1____.,,(',a 1 ha E U,-3 celle ore pr] salus: to1f_,f:›'ft

' = l
_u ._|› -r 5 m arear'
B-C ._ ' _ â
' pg ___..:' pg-1. i I z
_-u.n.-
..M -1
i

ma

SEEIUIIE _ ;

contatto di ,-,,,,¬_.,1¬,,;, contatto di contatto di contatto di Sig contano

substrato ,_f_zL1} emettitore base collettore ° _=.1..iL¬s:*_-ato
1
.._.-:__-.....-_..-_..-_
. 1. """'-'--'-'H-'Â r ..,..,.,..,...,.._...,,.
- - - -1 i' . ¦
. Q-';.:i§.:.fL_iš:_;_;;-;giá?

_ i _-'.. .U '
li Hi ' p' it'
P _' H suato cpitassialc ir -
_ _ ¬\ _
_ _ H* J,-í`*-----'

sul:›stra to p' 1"

_' .*__.--_ :_
_- "“ L

emettitore effettive _* _l . ai
__ "_
base eFFe1ti~.-a *'-'* 3 L iii.
collettore cftinrivo 1* i ir

Fig. 3.59 - Layout e sezione di un transistore bipolare npn.

Lmnediatamente sotto la regione di emettitore ed il collettore 5 compost.o

i"-. una regione di tipo n- detta. anche .stra.to epitass-.inle. La parte att.iva
ie-_. dispositivo, ossia quella pa.rte che eifettivaniente funge da trar1sist.ore,
L _'-omposta dalla regione ni-p-n_ evidenziata in figura e riport.at.a più in
-'-eso, dove 5 anche indicata. la la.rghezza di base, lflfrg.
Liarea a.ttiva del dispositivo, corrispondent.e alliarea che per il t.ransi-
ef .ire prototipo e stata. indicata con AT, coinc.ide con liarea della giunzione
' I-.se-cniettitoretü, indicata in Fig. con A35. Si osservi, inoltre, come
:ennatonel pa.ra.grafo 3.9, che il transistore integrato presenta aree di-
'ilfarea della giunzione base.-emettitore e dett.a a.nche semplicemente area. di
e:s-ttitore e in rnolti testi e indicata con ,el

257
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F' F' 2 P-

inin Éiilf- ff' strato sepolto rt' I substrato p' /" I

giunziotic
collettore.-sttbstrato

Fig. 3.60 - Elementi parassiti in un transistore bipolare integrato di tipo npr

verse per le giu1:1zioni base-en1et.titore e base-collettore. Questa differenza.

5 di fondamentale importanza nella valuta.zione delle ca.pa.cita parassitc del
transist.ore.
lflonie si pub osservare dalla Fig. 3.59, la tecnologia. planare e caratte-
rizzata dal fatto che gli strati interni, Ossia non superficiali, non sono diref-
t.a1ner1te accessibili dalliesterno. In altre parole non possibile coiiiiettersi
elettricamente ad uno strato che non si trovi in superficie. Pertanto, L
cont.att.o elettric.o non puo essere eseguito a ridosso delle eli`et.tive region."
di base e collettore.
ll terminale di emettitore, e liunico direttaniente. accessibile e vic11c c.e1--
tatrato elettricamente deponendo su di esso uno strato di alluminio. La
gi'_1:°_zione al-11". realizza un eont.att.o ohntico come quello esaminato nei
pe_ragrafo 2.5.1. in quanto liemettitore È-¬_= fort.en:1e11te drogato. Di conse-
guenza. rra il contatto di emettitore accessibile dalliesterno e liemettitere
effettivo e presente una resistenza, -r,._,.,-_, detta -res-iste-nza di ce-ntntto di eine?-
titorc come 1nostra_to in Fig. 3.60. La resistenza ':",,.,._ e molto piccola a. caus
del fort-e drogaggio della regione di emettitore ed, in generale, e delliordiiie
di poche decine di Ohm.
Il conta.tto di base non puo essere realizzato deponendo direttamente
lialluminio sulla regione di tipo p, in quanto il drogaggio non e elevato e
si rischierebbe di creare un diodo Schottkv invec.e del dcsiderat.o contatt-_'
olnnico. Pertanto, alliinterno della regione p si crea. una regione di tipo p*
e, sopra questiultima, si depone lialluminio, come mostrato in Fig. 3.55-
Questo tipo di realizzazione crea. un p ercorso resist.ivo tra il contatto di base
accessibile rlalliestcrno e lieifettiva regione. di base, causato principalmente
dalla regione p, come niestrate i11 Fig. 3.60. La resistenza risultante, detta
'rcsftsts-n.za. alistr'ilJ-'a.-ito. di tese, si i11dic.a. con 'rv,f, e, generalmente, e delliordine

258
i_i q.ualche centinaio di Ohm.

. llettor e si realizza creando, alliinterno della regione di

ll contatto di' co
ììlllettore (ovvero dello strato et_.)itas¬siale
_ _ 11-) una regione fortemente dro-
gara. di tipo ri* e deponendo sopra quest' ` u ltima l`alluminio, c.orr1e mostrato
Fig. _e111cl1e in questo caso 5 presente un per*corso iiesistivo tra il
__'-ntatto di collettore accessibile dall"'esterno e leflettivo collettoi'e de.l di-
ej: ositivo. Tuttavia, la presenza delle stra.to sepolto di tipo n+ consente
-'_" ridurre notevollincnte il percorso resistivo creando una strada preferen-
_:lalc a bassa impedenza. La re.sistenza. tra. il contatto e lieffettiva regione
:_: collettore vicnc detta res-isten_._re. ti-ist-r'ib-'u.-ita. di collettore e si indica. con
Clonie n:1ostra.to in Fig. 3.50, r,;,¬_ pub essere scomposta in tre contributi
_T_:'incipali: il primo 11,1) e la resistenza. tra lieffettiva 1'eg_¬lone di collettore
= Io st.ra.to sepolto; il secondo (rar) Ö la resistenza delle sirf-.fi _=-e;::Ã-_?: il
'erzo l'1f'_,._-4.) e la resistenza tra lo .stra.to sepolto c il cont ef'. _ =_' '-essiifie i_=_'-
i`-;=st.erno. La resistenza. rm e ge11era.lrne11te deH`orci:1›:= ;' ' _- ';`__ L
Éiun.

Come si osserva. da.lla. Fig. l`i11tero f:'e;s"_-_1T::- e '_;_-'-:- _-

_-';bst.ra.to drogato di tipo p". Pertanto. la rr-gi_'_:;e fi; ii;-ff 1:- :';:_:- ' _
'__'_:est*1_1lt.imo una. giunzione pn indesiderata ~f_e~T“_e_ " : ~- ' _ '_ -
.T-§'111zione parassita evidenzia.ta. i11 Fig. 3.5) t-¢___'_:'-'- _ * *:'--e:'i-_;;'-
eireuitale di un diodo. di foiidamentaie *;¬.;;'=__r*_>_›_:;: _ _ ` “:*:'_-°-
'__ funzionamento del dispositivo._ che ia gitniziozie pe.:a.ss;te_ 1;~2_-1'. :r_e_i
_? Tiarizzata direttamente. Una sua eventuale pol-arizzazioiie diretta fareb-
-1- fiuire un'elevata. c.orrente tra il substra.t.o ed il colle1.1_.ore rischiando di
_:1'1promct-tere le prestazioni del transist.ore. e a.ddiritt11ra. di danneg_gia.rlo_
i_';.indi, al fine di polarizzare inversamente la giunzione parassita, il te_r1r1i-
:ale di .substrato deve essere connesso al potenziale più ba.sso disponibile
:ei circuito.

Èíonostante la polarizza.zione inversa della giunzione, non ie possibile

='.-ltare la presenza di un accumulo di ca.rica dovtita alle svuotamento della
:L'_u1z.ione tra collettore e substrato. Tale acc1_1m11lo di ca.rica determina
'::¬_ effetto capacitivo indesiderato c.l1e si modella tramite 1111a capacita di
e'.-=_1otan1ento connessa. tra il terminale di collettore e quello di substrat.o.
La capacita. risultante ii detta. anche r:r1pec1itri pa-rassita ai-1 sfa-listrrtto. De-
Larando tale capacita con C_,,__.,, come per tutto le capacita di giunzione, si
j_u5 scrivere

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Fig. 3.61 - Modello di piccolo segnale per un transistore npn integrato.

C-1'ave dr" s _
Ces : “_ F i '_ _' '""rrt-_;'.«:.«.- (`3"2U|*i

ll di liflti-l~`_.f l-"'ai(c.fs))
dove _f'-'l.(__¬_-_g,¬ e l"a.rea della giunzione collettore-substrato, C-'_;,-., _, .f_;. e la capacità
per unita diarea presente in assenza di polarizza.zìone, -inps È: un cpp ortuc;
coefficiente compreso tra 1," 3 e 1__."2 e

11,, = 1311 _--'i`i”“i`*i:ii"fiB (3.-ze;

ri;

Éíei caso di menzione brusca e pa.ri a 1,-"2 e, indicando con _-“`»-",f,_.~,5_-5

la conc-enrrazio11c di drogante del substrato, si ha
.

ge_..\7_ç,†g__f5 . ¬
t Èlia-:(r:.s'}
Poiche liarea di giunzione, A55, è molto elevata, tale ca.pacit.a, pc?
essendo una capac.ita di svuotarnento, potrebbe 11o11 essere trascrnabile.
Da quant.o discusso sinora, è possibile. ultin1a.re il modello di piccoi:
si
t'.-El -:-:gnale
- di un transistore bipola.re rea_le integrando il modello prccedc1'_-
temcnte ricavato per il tra.11sistore prot.otipo con t11t.ti gli effetti parassiti
trat.tat.i. Tale modello, most.rato i11 Fig. 3.61, 5 il modello di Fig. 3.51 i;
cui sono sta.tc inserite le tre resistenze r',.»_._€, -11,3, ed -rp,-_ e la capacita CCS.
Si noti, iuolt.re, c.he si e provveduto a c.a.1nbiare la tensione di controli-;
del generatore pilotato da -11%,., a -'tf,,, intendendo con questiultinta la tensione

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(1))
.:ig. 3.62 - Elementi isolati di un transistore bìpošere :É 1:: ':' e 1':
iisgremma a bande.

fsist-ente tra lietfettive te1¬II'1iI1a,lO di base e l`eti`etTi'fo te:'::'.í¬_'=.=_ie ii §:_-_°.°_.-

tere, in f;111e11t;e da esse clipencle lieffetto tra11'1síst~:_'›r›;_'-. le ff.°` fe
:--:ulliesss tra il c:c;1llett¢1›re ed il s11bst1¬at.0 ma. poiché E-e111e tiisf:-t1sst:- priliis.
il stibstrste deve essere :I1aI1t.e11ut.o ad una tensione eeststite. esse. tie un
pulite di viste del pieeele segllale, eoitieitle C011 il t.e1*mi11s_le di 111s,sss,.

3.13 lx-fledelle a bande di energia del transistere bipolare

In questo 1Je1'sg1'a.te 1-*CITÈ-1. e5a.1'ni11ELt-O il celnpürtsttrlelitü del t-Iensistere

É:-ipülrsre utilissendtl il Itiuclellü dei dia.g1*a1I11_Iìi e bt-1.11+;Tle. Ci si stJtteI'1'I1eI'È1.=
Ls pmtieülaret sulla eotirlisiülle cli equilibrie e sul funsitrrtemente i11 regitilie
.att-ivs di1'ette-.
Censiclerslide le t-re 1'egie11i di un 1:1's.11sist.ere npn iselete tra lere: i
:ispettivi dis,¢e,^I't1-1':1II1i e, lseritle eppe.ia¬.›11o e0111e lnestrstü in Fig. 3.132. I se-
:11it:e11d11tte1*i cli tipe 11 preserlttirw un eee-esse di elettrmli ed i lere livelli
ii Fermi sene prossimi alle b.s..1'1fla di eendtlzietle, b}_;-;. Di ee1'1seg_'ue1:1z-sl, i

261
rispettivi petenziali di Ferrni, ;¬¬fi_h:e ,t¬fi_.gf;_._sene qtiantita riegratitfe. Vice-
versa: il sernieendnt.tere di tipe p elie eernpene la regiene di base; presente
nn eeeesse di laeune ed ha un livelle di Fermi pressiine alla lùanda. di ve-
lensa, EV, eui eerrispende un livelle di Fermi? ;.-W,pesitive. Ineltre, per
la relasiene eerne evidenziate in Fig. 3.62? si ha

|¢í-ir-s.E| È* |f.-Wrpel 3** |€-if-†-ic.'l [3-203

Quande i tre elenienti di seniieendutt-ere sene afifianeati per ferrnare il

transist-ere npn niiestrate in 3.63 si ha, nella eendisiene di equili-
hrie terinedinainiee, un livelle di Fermi univeee per tut-te il dispesitive e
quindi per eiaseun elenflelílte di seIniee11t'lutt.e1'e. ll diagrarnina a bande è
qtiindi eest-rnite segueride i passi di segilite ripertati: 1] si traeeia il livelli
di Fernii eestante lange tutte il dispesitive; 2) per le regieni distanti dali:
ginnzieni, si traeeiane le liande di valenza e di eer1fl1_1;«c.ier1e n1antenenti._
lie1*igina.ria. distan:«ca- dal livelle di Ferrni; 3) si nniseene le bande di valenze
e di eendueiene dei tre elenienti. Il cliagraninia risultante è niestrate ir
Fig. :3.63 (b).
La eurvatura delle bande irnpliea lies-istenza di due petenziali di eentatt;
dati da relazioni sirnili alle 3.2) e ( e valide per un transistere npn.
Il petenziale l-'iiípå-~;, è date dalla diítererisa eanibiata di segne dei pe-
ìeeriaii di Fe:'111i di e;~i1,L_- e O;-pg. Silnilniente, il petenziale lfibííggš, e dan'.
la-.:.'«_'=. -:iif~::-:'›;-:;:a rarnbiata di seglie dei potenziali di Fernli di :ji›1.¬.-mf; e qfippgf.
le .:-=: :;-:iizieiie equilibrie terinedinainiee è direttaniente visibile ne.
a bende. Facendo riferiniente alla giunz'-iene base-en'iettite1'e.
:-T--.;::~.ì.~ degli elettreni in banda di eenduziene elle, rnessi da un gradiente
ei eeizeentrazierie, tendene a passa.re nella base per diffnsiene. Centeni-
peraneainente un ugual nuinere di elet-treni viene spinte nellieniett-itere e
eausa. del petenzr-ziale l*'1x,;{5b-3. Un discerse arialege vale per le laeune ir
pressilnítåi. della st-essa giunziene e per i due tipi di pertateri vieini alle
giunziene base-eellettere.
Qnande il transistere epera i11 regiene attiva dirett-ai la giunziene base-
ernett-itere e pelarissata direttainent-e, nientre quella base-eellett-ere e seg-
getta arl una pela1*iss.a.sie11e inversa. Quest“ultin1a eausa un aurnente delle
eurvatma delle lgxande aurnentande la barriera di petenziale da l›*'}m:,L;,;@j, e
`i«*'iƒ,É{H,_-3;] -l- lfijgg. Vieeversai liapplieafz-iene di una pelarizsasiene dirette alle
giunziene base-en1eLtitere._ eausa una riduxiene della enrvatnra delle ban-
de Faeende dirninnire la l:1arriera di petenziale da l»-:@1551 a lfÉm;E:, 5
eerne rnestrate in Fig. 3.63 (e). L"abl¬_:«assa.1nente di questa barriera di pe

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f. 3.63 - Transistere np n e relativi diagram mi a bande. (a) Dispesitive
:H Equiiibrie terrnedina miee;
' (C) Regiene
I attiva
I CI'ire ÈÈE.

265'
tensiale genera nn flnsse di elettreni dall'en'1ettitere alla base ed un tlnsst
di laeune in tliresiene eppesta.. Il prinie fiusse genera la eerrente IME. :nen-
tre il seeende la eerrente IPE? rninere della prirna. Gli elettreni iniettati i:
base, pertant-ei rie.erdancle lianalegia een il inete di una sfera sn nn plant.
inelinate. “retelaneil verse il eellett-ere ge11e1'ande la eerrente Img; e eaiisa-n-;
llerinai ben nete eitette transistere.. Inline, seinpre per liine.lina-.siene delle
bande. si ha un pieeele tlusse di laeune dal eelle.tt.ere alla base elie eernpene
la eerrente lptir.
anche in queste ease, Tequilibrie terniedinarnice nen esiste più ed 1
livelli di Perini nen devrebbere essere traeeiati. Sernpre per riferirnente.
pere. si traeeiane i quasi-livelli di Fe1'1ni, la eui diíterensa rappresenta le
tensiene applicata alle due 3-;›_;i1_1nsieni.

sa;
-1. Transistere l\/IOS

.M111-11a.ln1ente, la- teenelegie. prevalente1'.'eente utilizzata per la realizza-

:iene di eireuiti integrati fa use del tra.nsistere Il-£iOSF.ET iaereninie dal-
finglese li«i'e.te.i- Ozs-ide-S'ei'e.it:en.-titleter Field-Effifeet Tre.-n.siste-r evvere t--n:1f.-ris-i-
*ere ad efiette di r:e.'m,-pe -m.e.te.iie-esside-seni..-lee-a.-nl-atte-rej e più iJreven1en†.e
' "e--n..s-istere il-fiiUS.
ll tlansistere 1-'IUS ie state realizzate per la prirna. velta nel lšiifiiifl. *.::
I-.nne depe liinisie delliera. dei e.ireuit.i integrati, inizia-ta nel lirl-ìi-.`›' ee: l'“.'.sI
lei transisteri liipelaril. Lienerine sueeesse di tale eenipenente si e
“-:in la Inessa. a. punt.e del preeesse teenelegiee denerninate {."_lIU.Éi ff v-
_*=ie'm,en..te--ry' _-iii'OS elie eensente di realisz-are nelle stesse eireuite integrate
fra-nsisteri lx-'IOS di tipe eelnplenientare in nlaniera. più seinpliee e inene
-='.:«stesa di quante avviene per un preeesse bipelare. il preeesse Clìlíìå
fi prepeste per la prinie. velta nei 1963 e, grazie ad esse, a partire dalla
:eta degli anni settarita, si ie pet-ute preeedere alla realizzaziene di eireuiti
Ltegrati ad eleva-ta. seala diinteggrazierie e VLSI [aereninie dalliiriglese i-""e-
¬'_;-' Le.-rge Seaie ef In-te_r;J-i“rI.t-ie-iz.-:JÈ. Fit-t-ualn1ent.e la teenelegie. VLSI perinett-e
ls eestruziene di niierepreeesseri e di alt-re strutture eernplesse di elatie-
:sziene nurneriea een eui sene realizzati la II1a.ggieI¬ parte delle edierne
1ppareeel1iatt11'e elet-trenielie.
Nel presente eapitele verra trattata inizia.1rnente u11a struttura elie sta
alla base del funz-ienanient-e del transistere 3.-IOS. Tale struttura e il ena-

lln realta. llidea della realizzaziene di un transistere ad eiiet-te di eaníipe e antece-

isrue a quella del transistere bipelare in f.n1ant.e risale al 'li.l3ii. Tuttavia. le liinitazieni
'i-fiielegiehe deillepeea nen ne eensentirene la fablirieazierie e la eenseg-;ue11Le veriiiea
si-erinientale.
*Per detiniziene i eireuiti integrati Vi.-Eli eeritengene più di lüü.üüU transisteri. Le
'-.finali teellelegie ;sul;unieren1et1'ieiie eensentene di realizfizare eireultl illtegrati eentenenti
*_=:-erse deeine di niilieni di transisteri tante elie si anelie llaerenirne Ul'.-SI i Ultra.
L.: See-le ef I-ii.-tegfm-tzfenli.

E65
de-n...se-tere PL-IOS la eui eernprensiene e di fendarnent-ale iinpertansa per i11-
terpretare eerrettarnente il funzienanient-e del eerrispendente transistere.
In seguite, eerne fatte per i diedi ed i transisteri bipelari, si analizzeranne
le earatteristielle del transistere l\.'IOÉ;l een le seepe prineipale di ternire
una inedellistiea adeguata per il pregettista di eireuiti integrati.

4.1 Il eendensatere lt-*IOS

Un eendensatere li.-'IOS e realizzate inserende une strat-e di iselante

tra. un 1na.teria.1e seniieern-:lutt.ere dette sii..b.st-r*a..te, ba-il; e betty {B)_. ed un
rnateriale eenduttere elie prende il nerne di pe-te
La struttura, nelle due versieni eenlplerneiltari. e rnestrata in Fig. 4.1
nel ease in eui il sul::›strate e dregate di tipe p een una eeneentraziene pari
a _-T.-ig - Fig. 4.1 (aj - e di tipe 11 een una eeneentraziene pari a. .-"V55 -
Fig. 4.1 Per rnetivi elie sara-nne elliariti in seguite. la t:tinfigt11'aziq
ne di Fig. 4.1 [al e ehiainata. struttura .-1405* e- eene-le it inent-re quella di
Fig. 4.1 (lil il eliiania-ta .st-ra-ti--a.-re ll-:IOS e. eantde p. Di fatte; entranibe le
strutture sene nielte sirnili ad un eendensatere a taeee piane e parallele
nel quale une dei piatti nletalliei e sest-ituite da un selnieenduttere debel-
inent-e dregate ed il dielettriee e eernpeste da esside di silieie (SiO;_›.l. elie
presenta una eestante dielettriea. em. pa.ri a 34.553 a 1£]"l*'l1-T'_,.-“'eni. Da. eie
eenipre-nde faeilrnente la prevenienza del nelne ee-eden-.se.te-re _-1-4053 nel
quale liaerenirne identiliea. gli elenienti 1-Ietalle, Osside e Ešernieendut-tere.

La seelta. d.i usare liesside di silieie eeine Ina.-t.eria.le dielettriee e pu-

rarnente teenelegiea in quante esse e faeilniente realizzabile een passi di
laveraziene eernpatibili een quelli nerIn.aln1ent.e utilizzati nella talntiriea-
zie11e di un eireuite integrat.e. Éi neti. een'iunque_, elle attualrnente e in
fase di sperirnentaz-iene [e di inseriinente in preeessi industriali avanzati)
liadeziene di inateriali iselant-i een eestanti dielettrielie interieri.
Nelle prinie teenelegie integrate. il terininale di gate era realizzate in
allurninie lati): t1.1t-t-avia. nelle teenelegie attuali, per vantaggi eestruttivi
diseussi sueeessivaniente. si e passati allluse di silieie pelierl-stallineli [dette

3Esistene s1;rut1.nre nelle qua.li il materiale iselante nen e eenipeste da esside di

silieie. In queste ease si preteri-see usare la più eerretla deneininaziene di struttura MIS'
inte-Ilelende een tale aeteninie i rnateriali I\.Ieta-lle. Iselante e Éieniieendnttere.
*Il silieie pelieristalline e una materiale eernplz:-ste da granuli di silieie eristalline
ferterflente dregate. Il sue ee1nperta.rnente e nielte simile a quelle di un t:e11tlul.Lere

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Zig. 4.1 - Cenclensatere M05. (al Struttura M05 a canale n; (ti) Struttura
`.i0S a canale p.

_'-.iiehe prilisilieiej. elle eeniunque nen pue essere eensiderate un eenduttere

:É elevata. qitalita..
Il eendensatere. ll.-IOS presenta- un dielettriee di spessere im. ehe si as-
virne erienta-te lunge liasse rr eerne in Fig. Iƒestensiene lunge liasse ju
letlnisee la lungliezza del dispesitive ed e indieat-a een L: ntentre liesten-
-ffene lunge liasse .:: detlnisee la. largliezza del dispesitive ed e indieata een
ii'. Le spessere delliessid-e: tm., varia. generalinente da 1 a 100 nni ed e

:elie se, evvia1nente_ presenta una inaggiere resistivita rispette a questfultirna elasse di
'eat-e rialí.

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Carieaintletta dal Regiene di

- petenziale r;il¦, _T,., _;., _r._- earlea spaziale
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Fig. 4.2 - Cendensatere M05 in eendiziene di eerte eireuite_

un parainetre staiiilite da.l partieelare preeesse di la-vera-ziene_ Le restanti

due dirnensieni, I-il-“I ed L, sene pararnetri liberi la etti seelta dipende dal-
lluse elie il pregettista int-ende fare del dispesitive. Per lere, il preeesse di
laveraziene stalailisee sele una flilnensiene niinirna al di set-te della quale
nen e pessibile andare.

4.1.1 Petenziale di banda piatta

Si eensideri il eendensatere il.-'IOS niestrate in Fig. 4.1, eernpeste da

ttn st1i;ist1'ate di tipe p_, un dielettriee di esside di silieie ed un eentatte
di gate realizzate niediante un generiee inateriale eenduttere [ad esernpie
al e anelie pelisilieie}_ Si suppenga di eertee.ireuitare i due ternnnali del
dispesitive eennettende tra lete gate e suijstrate ed, in partieelare, per
seniplifieare la tratta.-z-iene, si ipetizzi elie tale eennessieue venga fatta uti-
liz-zande le stesse rnateriale elie eernpene il terininale di gate5_ Il tipe di
intereennessiene e rnestrate i11 fernia liidiinensienale in Fig. 4.2.

DIR el ease di intereertnessierte een un niateriale diverse da quelle een eui e eernpe-
ste il gate i risultati sareliliere gli stessi, nia il ragienarnente sarelilìie leggerJ;e_ent-e più
artieelat e.
 Gentle e erinai l:›en nete dalle atudíe delle giunzieni pn e Seh«:it.tl~;ja la.
eenneeeiene tra fine inateriali nen ieelanti inneeea nn preeeeee di iiliffneie-
ne :li pertateri cia. nn niateriale allialtre elie, in nn interne della zena di
ginne-iene: p-:nrta alla ereaeiene di nna regiene di eariea epazia.le¬ eeeie di
una zena evnetata. di pertateri lil.:«e1'i+ Nell“eee1npie nieetrate in Fig. 42, la
1'e_e;iene di ea-I'iea apaalale al evea. a eauaa. del 1"ne†,e diffiiaifi-'ci degli elettreni
p1:*eaenti nel nietalle vel":-_=.e il eeniieeiißlnttere. Da-l late del nietalle ai eaaen-'a
eniinli una eene-ent1*aeiene di eariea peeit-ii.-fa e, dal late del ae1'nieendn1:tere
:ina eeneení.-raeiene di eariea negativa.. O1-¬fiaII1eIite, la regielie di eati-
ea. apaa'-ial_e ai eatende pi*evalenteInente nel een1iee1n¬lnttere ed int-ereaea la.
regiene nfiet-alliea in i:nanie1'a tra.-aei11'al:›ile.
La regiene di eariea epaz-ia.le, a. ana. 1-'elta._, eanaa. nn eainpe elettrice elie,
Jppelieinleai a.l 1nei.r.:+ Eliffiieii.-'e dei pertateri, niantiene la giunziene in eeni-
Librie ternieclinainieei Di fa.†;.t.e: il ea-nipe elettrice ea-iiea la i"e1'1na?;iene ¬-_:::
çieteiieialee «;e5,fl_¢ÉT;H.,_;,†¢, dette pet.enz-iale di eent.a.t.tei tra la n:=gì;::=:';-::- ::;-::-'_;::ÉÉ*'
ed il aeliiieeiitliittcire.
Tra.laaeia.ncle per il ineinent-e la de-izerininaziene aiialíriffif-. :_ ' _
_~=~i preeti attenziene alle eeneegne1'n:e eauaate dal pi_ie;'-:;:;*ì:eÂ-1- :ii _ _*
nei eenifrenti della et.r11tt.111*a li-'l()S+ Oeee1¬fa11cle f:ì1¬:-';_iT: ii Éi:. 1 L -i
.aeile eenat-atare ehe, ne11 petencle eeerrere =:*e1*1^e1ne a r:-ansa :'e'_'a ;:%;=_;:
íellliaelante, il petenziale ai eapi clellleaaiiìle. lla. le pari ai 1 _-
7-entatte ¢;a_,;,m-_Er;m;,;¬.
l.-"eeia†_..ene-a del petenziale lim; ai eapi della etrntt111'a BIOS. een"_e il;
_'ende11aaI;ere a. faeee piane e parallele, inf:lnee rlne earielie iigiiali in ineclnle
:a di eegiie eppeate ai beitli del _1:I1ate1_*ia.le flìelel-triee. ln partieelare, ee
il pet-eneiale di eentatte ei5.fl_fiEr;m_;_l† E: peeitive, a.ll*interfa.eeia inet-alle-SiOg
-ia late del Ineta.lle} ai lianne delle eariehe. 1_T›eeiti1fe nientre, all'inte1'faeeia.
Ei-Siíffg fclal late del -Sil) ai lianne delle eariehe negat-il-fe, eeine 1neet1*a.te i11
Fig. ill
Veleinile annullare le earielie 1:›1*eeen1:i allliiiterfaeeia Si-Siüg; ai dei-'e
aeplieare al ee11flei1eal_.ere una teneiene eeterna elie annnlla il pe1:enaia.le
'fihri eeine in Figi Tale teneiene eaterna. È": deneniinata el-ijffere-eee. delle
";=n,aiee_.-i di eat-rea-ien.e: e la ai iI1=:lielie1'a een -;I}›1.m.
La tenaiene «:,í›m5 ai 5-:.en1n1a al petenziale ai capi Llellleaaicle elie vede
;;nindi una -:;lifi"e1'enaa di pet-eneiale tetale pari a. <;É›_gü¢fii,,ü;;ä + ›:_e.m.__5. Di een-
_~'egnenza† Fanniillalneiite del petenziale letale al eapl Clell:eaai£le ìinpliea
'-Éie

É'†J'ia : _'$',efiñf:,e'al}c

25.9
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Regie ee di
eanea spaziale
-3-._rn_rnxru-r:- í._-_ -_._._-¢-l
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I = *I-ü_-L ir = U I

Fig. 4.3 - Annulìamente delle carica indette el1'interfaeeia esside-silieie

mediante l'a|:::|:›lif:_aziene di un petenziale esterne.

Si deterinini a. tlueete punte il 1.-¬ale1'e del petenziale di eentatte. Per

q1_1:-:inte analieee_t.e nel pa.ragi*at°e 2.8, e eeeeiìiile eepriniete .fj_-'l~›5,______¢_.___¢_,__;;_. rne-
diaute la diñereilza. dei peteiiaiali di eentatte intrinaeei dei due n1ate1¬ia.li

'7:";.':;f:'_É›'L:l.l~_' : (EG _ @|';It.'.EÈ1

ll petenziale di eentatte int1*iI1aeee del gate ei1'iea¬~.-'a_ Iuediante la Tab. 4.1

(uguale alla Tali. 22.1 e ripert:-ita qui per ee1'nedita]_ ll petenziale di eentat-
te intrineeee del aubat1"a.te_¬ tenende eente elie queate È. eeinpeate da eilieie
dregate, e inveee pari allleppeete del petenziale di Fernii

*'=l9'aa.t = -ai-¬_a..e.¢ tti- 3l

E-aplieitaiide la n'iediant'.e la relaeiene {l.95l_ ai hanne per (TJ,-_,.___;_f;f_. le

aeguenti eapi*eaeie11i

_ _-V
-lay ln aubatrate p-
'í5'a....e.= = _ _. L Â51-51)
_. Èwie _ _ __
lq- ln e-ubet.1'at.e n
~n_;

.¬9“?'{l
 Tab_ 4.1 f F-"etenziale di eentatte intrinseee per diversi materiali.

Materiale e(v)
_a_g ehm
.ilu - ~mm
Cu em
li i :da
al ' :Lee
lì-lg Lu
Pelieilieie n * 0.55
Peliailieie [J -U_5Éi
Si intriueee U [_}.I[l[}
Si dregate -f.5f“F

'ɬ.e, Seat-it1_1ite 11ella Éernieeene il 1:›ete11zia_.le di eeniatf-_' :Lei f-_'_':-5í;'t-

:Tate in funeiene tante del peten:.›:ia.le di eentatte íntTÉ:_5=e 1*; ii. :;'- ' _'
_'__f:a.nte della eeneeutt*a:.:-iene di dregante del at1l;ia1:i'ate

_ _-""\."'.- _
fbg + lf'-;¬ ln .-
:='.11lí›:='.trate ti
_ il-5 ¦-

ü.5.?e{.e. ttul Fa* : YDB _;

eg-eTn(“W ) eiihetrate n`

É:-atituende la. nella 51.1] ai ettiene l`eaplieitti ¬'.-'alere del petenziale

“---__. da applieare per aunulla.1¬e la eariea indetta. nel ai_1hetI'ate

_-"S-'T_,d__B` _
-(155 - lfff ln e1_1líe-¬_.t.rat.e p
:fi _ _
'13'-ri-ie - ___ 1 I __ [5l.[i
-lì.-5: + ln eul›et1*a.te n-
-5?.-1'.

ln Fig. -E II1e:5=t1¬ate il petenziale ef?-ms date dalla relaaiene in

flizieiie della eeneentra:-:iene di dregatite del aulfiatrate =[l'\-T5] e per dit-'erai
' lei di rnateriale.
C-en1bina.ude i due tipi di eul_'=at.1'a.te peaaibili tipep e tipe nl e tra dei
:atetiali più eeinuni per realizzare il gate (peliailieie n¬_ peliailieie 11+ e
_;_li_ ai ettengene ¬'.†alet'i per -:ams elie 5.-*a1¬ia.ne da -1.2 a l_2 V.

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-12'IUI 1a; mi lü'lis' I ill:

dir' I li]d1a' ' `|Uun'. "kia
li]
r¬1E.§am'3;›
Fig. 4.4 - Petenziaie ei.,-__ in furizierie della eeneentraziene di dregente del
sui:-strate per diversi materiali.

Eserneie 4.1 _ _ _
Caleelare la ditfereiiza dei laveri di estraaiene in nn eendensetere BIOS asstunende
un .51_1h_=_†rate di tipe p- een eelle-eutrarfzieue N_.-15 = 5 ~ lüic' ere '5 ed un gate iu
all1_11niI¬_ie_

Éeiezierie
díš"er=-:-:nza dei laveri di est1¬a:-:iene e data ›:iiret1.a.nient-e dalla lfslfij deve per fila:
arierr:-1 il valere in Tab. 51.1
_ N, _._. _ __ a - ie55" _ _
1':-i'2f:.'_-_.a : '-'ipllli _ .llfl ( ______ll_ ) : _ ' 3111 '_ _

.-"

Èíelle strutture 1'eali__ il petenziale di eentatte nen e la sela eausa a. ge-

nerare un aeeuinule di eariea indesiderata in preasinlita della superfieie del
silieie. lnfatti_ durante la eestrue-iene di una. struttura }.-IOS, a eausa. di
t-*ari fenenieni de¬'~.-'ui'.i alla lat-*era.aie1'1e_ aleune earielle riinangeue intra_-ppe-
late nelliinterfsterriti tra il seinieenduttere e l°e.sside_ dande erigine ad una
denaita di eariea. tetale, generalluente di ¬=.ra1eI'e pesitit-'e_ ehe verra iadieata
een Q_._.__.,..
Aaailineiirle la eariea Qm; diapesta alliinunediata sinistra dell“interfaeeia
esside-eilieie (evvere, eenie in Ineatrate in Fig. 51.3:-_ nel punte ai: = il-)_.
la neutralita della eariea induee una eariea pari in Inedule ina di segne

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Cl ari-:..iinirappelaia Carica indetta nei Si

ali interfaccia dalla carica
€10; Si (Qü) iiiirappelata {-Q
xi

I 4.5 - Carica intrappelata ali interfaccia esside-silicic e re 5: .5 15':

"detta nel Si.

ppeate alla siipe.ri'ir*ie del *silieie oseia una cai ica paii a -O _ -_
: = H+.
lii qiiesta situazieiic la ceiidizieiie di equilibrie in cui ai lia una tz in 5
_ .lla alliinterfaccia Si-S103 Hi ettiene applicande una tensieiie esteiiia
_1iipeat.a. dal termine em.. più un terniiiie llp ncceseai ie ad aiinullaie la
5_ica indetta -Qm teiiic iiie~stra.tri iii Pig -1 ti
ll eenrlensatere MCS da. un punte di ¬.i=.ta ele-triire e equiialeiite ad
.:. eeridcriaai;-ere a facce piane e parallele c prceenta una capacita :lie di-
_:-nde dal dielett-rice iiiterceiinesso tra 1 due piatti La caparita efferta
-alla struttura È! quiiidi dircilainciite preperzienale alla eeataiitc dielet-
" -ta. dellleaaide, em; alla :-iipeiiii_ie della struttuia ll L e ini ersairieiite
_::eperzienale alle spcsseie di quest iiltinie. tm Esscnde cent eniente la-
" are een grandezze indipiliidciiti dall area del dispeeitiiife si deíiiiiste la
guente capacita per iiiiità di aupeiiicie

Eee
Car : '_ .-" '¬~.
I-I-=~ ¬.r
1!-e.r

e prende il nenie di reperite dell easide

Llapplicazieiie della teiieiene l p induce nelle due aiiiiiiature della :strut-
'__a_ la deiiieita di carica Cc, l P a. sinistra della :superficie di aecieaa i
 | 'V

__)._I¦l_'-_ -Â. .Ir-.-_ -1.-ii.-459. -.-.-:-:-¦-¦-¦-¦-¦-¦-¦-¦-È:-iii: -:¦: -¦-:__-¦_¦-___-bi. _-¦-_-_-_-_-_-_-_¦_¦;-_-_.-_-_-_?-.I I; .I _-_-r ._-- :___-¬ ...À J_¦-1¬_-.'-¦-¦-¦-¦-¦-¦-¦-¦-¦-¦-:----------¦¦--- -§¦|_;5¦5¦¦¦3¦-_-_-_-_-
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_
'I
Cancaindenu - encainneppnküa' Chfice Cencaindnua 'Ai_

da VP _ alliinterfaecí a indnna nel da 1-f_.¬

(_+ cin: VP) O2" ':Qax_J I. (__ Qv.x'_]' (_C0rL-FP)
_ _. _ _._-_ _ L - -- F,

.X = :_-._._ J: = O I

Fig. 4.6 - Carica indetta dal1'appìicazione dì un petenziale esterne, TL-f';:_›_

-1“-__-,___ e le cleiieità di cen¬ic.e. -Comi-f'}: :_-L destre. delle euperñcie di e_ecieee_

_'f = U. l due <;'c~11t1'ibut-i indct-ti delle tensione if): ec›11c Iiieetrnti in Fig. ='l_Ff«
r_if_:n'e e eineeec il ecgnc delle cariche in que_11t.0 dipendente del ecgnc delle
f›:-:_:=i¬';~›:ie l`_:›_
De ~:;ne11tc (letto, è ovvio che le. carica. totale a.ccuI11i1le†e. ell:i11te1'fe_ccie
ii-1“jiOg È ccI1'1pc11se_.r_e_ con une, tensione

¬-

lfp I -i' {L1_8:|

Q-QE3«TJEH-1
Sc Qfm È pc›eitiv:~1._ le tcneicizie cla e_pplice_1'e e I1cget.i¬»-fe ed induce sul piatte
di gate un ggggggü di eletfggylí clic annullano le carica tetale e_lliinte1'fe_ccie
Si-SiO2 nel punte :ri r 0+ (Fig. 4.7).
Le tensiene che _en1'n1lle_ la ca-1¬ica. presaeiit-e nell*i11te1'fe_ccie Si-S109, nel
piliitc :rr - H+ e che ge_rentiec:.e une, eit.u:£-15:-iciie di nent1"elil.à_ del eelnieen-
clnl.†_-cre_ viene cl:iie.Ine_te_ 1-6.11-5?Ic›W_e n pete-n.eic1.le di bn.n_rln pintvfn. [c_ nee_11fln
le dicitura niiglceeesciie, Fin-È-Bn--nd l--"*0ltn.ge'_)_ Esse ei indice cun l-«Erg e
rieiiltn 1:›.:«1_1'i e_

VF_›':š : 'il-rrz.e _

su
 _ _<i?_-_1_ _ ' ' *'_:;"e'__;›';;_'ì';ìi-_"-É*ššge -'-'-';›È;_§_;›' '-;'_;š*';i2'*':i§i _;;'_'§;';;'›'_;-_~;_'-';;'- '-'egšššìi'-2-_._
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' " '-:L I L _
-In
'r_|?:Ã' -:_

Carica inciotte F3 erica intrappnlata Superfici _. J

i_Qn.1':J' all'i11terFaccia-1 priva di

-u-_11. _.-
Síüz-Si lQ.___) _ _. cari ca
1*
.-1.:i_1†ü_1:

_-_, -.

-fšg. 4.? - Annullamento della carica totale nel Sí e Potenziale [1

..Q-.-._-._-._
_.-E _.:
__. ----:I
____..

1.

._eempio 4.2
._
_ _
Valutare il potenziale di hancle. pianta di un coiideiis-_=n_:›re I.1~¦I;|:_š †::~._:†":_°* _
nn enbet-Into Eli tipo p- con co1'1cer1t-1'e_zio11e _-\f__1__¬.5_› -- -5 - 1U"" C::'_`i- 117. i.5ì_f-_:';
oåeiclo di silicio :ii ;~:~peeeore l-___; = ¢iOn1n_ cd nn gato (ii polisilirio 1' _ _l¢=';;:::
une. deii-sità. di ce_1-ìf;_:e intrnppola_ta_ noll'oeeicìo pari e. Q_____ = 'lü nC_` f::i;'_

Soluzione
Le. differeiizs-L dei leo,-'o1'i di ost-raziolle È: date- dalla dove per fI>_;.- Si Euilott-e il
1:nlo1'e in Tab. ¢i_1

_- .-*_ _› _ _' - in'-5 _

- = -eg' _ Le 1__ -f ._ = -0.56 _ -26-10 3111 _i_f›__ - in = -n.e1_-

Le <_fnp:_n_1i†.¦_`-1 per unità di enperficio clcllioeeido e dele della relazione [=i.T}

_ _ -E' ¦._: rn 53-in-1**i«¬f'_:m

' ' II' _¬| __ 1 ,I 2
Cm = È = _. Sb_3311l*c1n
rÉ_____ 4 - lü¬* cin

Éi noti le. conversione di ¬.f_.____-_ in “c111" in modo da ol'-tenere liniespreeeioiie di Um in

F ," (11112 _
Inline delle (4.91 ei ottiene il valore delle teneione :ii b:-:Lncln piatte.

if' = . - _ _ _
Q0:
= -0.9 _ 10-'D
_ J- F* = 1.01*- 1-*_
FB Dm” cíf______ eene - 10-Q

275
4.2 Effetto della teneione gate-substrato nel contleneatore
MDS

L-iapplicait-ione della tonaione di ljianda piatta ai capi di nn coridenaa-to1't

lì-lO-S irnpone liannnllainento di qua.l1.1nqne t.ipo di carica presente alliin-
l-erno del ee1nicontlut.t.ore che, di tatto, dit-feiita nn rnateriale neutro {;caric_=_
nnlla o potenziale coeta:nte). Di contro, liapplicaaione di una teneionc tra
gate e anlíwat-rat-o different-e da l«"]_f_¬3_ a.llontan_a. il contleiieatore il-IOS dalla
eitnazionc di nelitralita e c:_1.t1:5s.-_¬1., in nianiera eiinile a quanto aififierie in nr.
condeneatorc lineare_._ nn accuniulo di carica nelle tlno regioni ai lati dei
diolct-trico.
Il conder1ea.tore M08, t11t.tavia__ presenta una delle a.rn1a.l.urc coetitnire
da nn acrnicolidnttore d1'oga.l'.o invece che da un inetalle, caratteri.~3tica che
lo rende fo1¬tcrne11t.e differente da un condensatore lineare.
Noi seguito ei iocaliz-2.e1'a lo studio al condenea.torc 3»-'IOS a canale L
[cieeia con enbet-rat.o di tipo p)_ per poi eetenclere i rienltati ottenuti afi
oonde11:aator'c l\›-IOS di tipo c.o1r1pleIne11ta1¬e.
Éipplicantlo una teneionc l/'hg tra i due †_.errninali del coiideneat-ore ik-TOS.
ai capi tlcl clielett-rico ai ai-'il1_1ppa una carica indotta por unita di enperticie
prop oraionale alla capacita offerta dal di_elctt1-ico, C'__;____ ed alla ton.=_ione l»-"_-___
›:1-lìe cade ai capi di qucat'1_1lti111o. Si noti che la tensione l«”f_Ã;,__~ le diversa dalla
f~';=::eì|_?:-:ze e__:¬›p'1i::?e_Ie_. l§;;:;_ Tnt-t-avia.._ la tensione l--"Tm, è crescente con
ai i-_' ;:_'=_:-i zero per l};_5› = l-*'}.¬L;_._ in qnarito questa concliaionc iinpone le
;'_+¬_;t:e_ifite_ ciel eieterria.
T;-;ií~:-aride con Q5; la carica per tinita d°a.rea indotta nel rnetallo e co;
3ia carica per nnita. diarea indotta nel &?_1_1l¬›set-ra.to ei llaü

Qß _ _QB : Crirlilwztf

Facendo riferirnento alla Fig. 4.8, la carica QG eernprc caneata da nnt

epoetanicnto di elettroni liberi, presenti nel 1r1cta_.llo in gr'a1'1tle quantita.
Q_neeti__ sotto liazione di una tensione l-in poeit-iva. ei allontanano dal pnntt
:I: : -t_;_____ causando una carica Q5; poeitii-'a_ mentre, eotto liaeioric di una
teneione l-QI iiegiitii-fa, ai ai-fi-*ic:.ir1ar1o al punto Lc = -tm; canea.ntlo una carica
Qg neg_ativa. Da nn punt-o di vieta gra.[ico_ Q5; puo eeeere rappreeentate
corne nna c.oIic.cr'it1*a.:t-io11e di carica inolto clei_-'ata coniinata in una rcgioiie

ütíån: non co1'npren«:lo la carica ---QUE ìnclotta nel inetalle dalliapplicazione delle
teneione lf'_|.¬H_ in quanto cesa. le gia cornpen:-:ata dalla carica. C_i'___~ intrappolata nellioeeiclc-_

27%?
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1.
1-
g. 4.8 - Densità di carica e potenziale in un condensatore IVIOS sottoposto
5 oolarizzazione generica.

2 spazio niolto ristretta. In una situazione lin1ite__ la carica Q5 pue essere

j -2-nsata eerne tutta. confinata nel pu11t.tii x = -t_-,___,.
La situazione e dilierentc per quanto 1~igjL1ariia la carica Q5 presente
:el seniiconduttore Questa, irifat.ti, a diii`e1'er1z-a. di quanto _a.†~_›'¬'~_-'iei e in un
;etalio_ non e detto che si disponga. in prossiniitiši della superiieie [ossia
:el punto = O), ina, in genere, si si-'iliippa alliinterno del sernicontlutt-e1'e_
ij.-otis-sa_t1tlo elle la carica Q5 sia confiiiat-a in una 1'e_s_"ione di spazio finita
cioe, eonie rnostrato in Fig. cornpresa nciliint-eri.-'allo [O__ eni, si piro

'Da un punto di 1-'iste strettanlente analitico_ la carica Q5; puo essere descritta
Leciiante la iiensit-il di ce_rice_ _f_i___-(:f:`J = Q5- - 5|:-t_-_,__:i_ :love :clÈ: la i`nn;›:-ione di Dirae-_

27?
de:ee1'ivere Etremite une filileiüiie densità di eeriee: pä(;1I): per le qnele
vele le releziene
.ED
QR: /U päije)ee (4.11)
dei-fe lleepree-eieme di pãlìir) per un eeII1ic:c›11cl1it.toi"e di tipo p (._=“\.1;› = U:} È*
deseritte de

ps cfu = Q [11 cm ~ ctr) ~ Ne ml @1211

Delle. eonoeeenz-e. del prefilo pS(:;12) elliiiiteriie del eeinieeiidiitt-e1'e ei piiù
eeetrnire. liai.11d£ii11ent.e del 1:)etenzíe.le V che deve eeeere deseritte de une
full:-iüiie centinue. in f;1ue.nto funzione i1'1teg1'e1e- del eenipü elei:tI'ie.e.
F'eee11dU 1'ife1'i1Tne11t.e elle. Fig. 4.3; si üeee-11-ie elie, per il teereine di Genee.
il eenip-:i elf:tt1'ic:f:1 È peri e. z'-e1'0 nei punti di eeeieee :I: -fi -tw ed :ir È-> Ig.
in queiite 11011 'li prese-Iite. alcfun a1.ec¬i11'I111lo di eeriee. Di eeiieeguenee, il
|:+=:ite1'1zie.l=::_¬ 11ei niecleeirni iiltervelli, essunle un velo1*e eeeteiite.
Éåi penge pertente eonie potenziele di :riferiniente [potenziele nulle) ii
pe-“i':ei'1:iele nei puliti di eeeiese :ir `;:› ::s:g_._ ed in pertieülem, per le eentinnite
di li'

I' *_* = É' {fll.13fj¦

ll pcirenziele nei punti di eeeieee ir -ai -tm; è dete delle t-eneiene e-ppli-
:rete dell`eete1'110. 5, elle qnele bisogna eottie-1¬1"e il poteneiele di lyeride
piett-e, H. Difet.t-il per qiient-0 cliecueee Iiel prefzedente pe.ra1.e[1'efe, le een-
dizeiene lfgg = E-_f:5 1'epp1'*eee11te le co11dizio1'1e di 11e11t.relite [_eeI'iee. mille e
petenziele eGet.ente). Perterito si lie-

V (-75-=;¬›:::} : l“ll'IJ›'-3 _ l""TP`B ìšll

Alllinterne dellioeeide, il cenipe elettrice eoeteiite e dii--eree de :.=.e1*e.

Di euiieegneilz-e.: il pntenziele eeenn'1e un e11derne1'1te lineere eiibende une
cedute 1::-eri el peteiieiele l«"[;,I definite nelle (_f1.lO}.
L-`eI1de-1'i:ien1,e del peteiiziele ell“inte.1'11e del eeiriicfmidiit-t-ere pnù eeeeni-
eeleelet-e Inediente l'eqi_1e?.iene di Peieee1'i

dg ,- :Ue _ -
= (f-l.l›:¬

Èìfãš
een le eendieieni el eenterne I'e.pp1'eeentet.e delle. ¢l.l3l e delle releeiene

Ll , _ .
Elf (efül :U
.-- '
{1l.1ÉJ)

T-lie iinpene lieiniulleniente del eernpe elettriee nel punte :ir = :i:[;,.
Le rieelueiene delle ìeetituieee u11e filnziene V de eui e peeeibi-
le riee¬L.-'ere le eedute di petenziele 11ell“i11t.eiw-'elle [O_, fifiül, indieete. in Fig. el.-il
_-en peri e

= if (U) - Lf {.«f.›U) =i›~'((_1`;› felt)

ll peteneiele e in generele diverse de. zere e. eeine i'er¬:e di;=+:'u:;=-
se in eeguite, I'e.ppreeente un perenietre pe1¬tieele1'1nente '*†¬'_:›-:ef enie _:::*
le definiziene delle 1'e;§ie11í di funezioneliiente del ceiidenseíice l-I'.:,'È. f:_'e
_T.e1¬en1et1'e 1.-'iene det.te pete'e.zifi.le ill-il .Sieve-rfit':'ie e reppre-E-›.ì-:t†_;í-_ il -'11 I T' Â-'-Â
;eteI1eiele 1.-'elutete elle. e11pe1¬fic_ìie del eeinieeiidiittere nel _¬:=';;;T_ ;' : ' ::-
eeette el e›::†tenz:iele di riferiineiite (petenziale nulle 1.-eIL:.:e'_: :.eÃ`.:-. :ely 1 1.;
;=:-utre del eemieeiiduttere.
Lleneliei fin ere et-'elte eensente di mettere in 1'eleziei;e le T-;-¬_;¬_~i_:-_ _-.j_-
_f_ieete een le eedute. di petenziale ei eepi dell"eeeide ed il p=.:-fe;:i-ele
siipertieie. Dife-tt-i. l'eee1ne del petenziele r.1'e.eeiete in lfig. -1.5 iiieetre =:-7;;

vlffš _ LIFE : “l` `l"l:›:L=

Tenende eente delle rele--z-iene (4.10): si pue 1'iee1¬ive1'e le (elëšl nelle.

seguente feinie generele

- . - ' , Q _ .
«Qi.Q
l.-E-JH _ l»-“pg : ¢_f._-':«_.__. -|- -- : (515 - CB
'fl5-; H
l:il.ll=}J]

Si eI1eli.:-:ille e. queste punte le regieni di fiiiizienernente del eendense-

tere B.-'IOS e eenele 1:1 el veI'ie-I'e delle. teneieiie- eeteriie- epplieete.

i.2.1 Regione di fuilzienernente in eeeumuleziene

Nel eese in eui le. teneiene lfhg eie. 1I1ii:1ere del peteneiele di beiide
_í.Éet-lie.. eeeie V133 ei 3,
il eeiideneetere `;\lO-S lei-ere in une 1'ee;iene di
:uneieneniente dette di e-eee-re-'iilfi.ze'.ee.e.

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' Qi: = -Qe

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1|'-ihi111

il e -1'
4 _

Fig. 4.9 - Disposizione delle concentrazioni di carica in regiene efi

accumulazione.

In queste situeeiene le ee1'iee. Qg è une. quei1t.ite iieget-ive e, eeeie di-

seusee in p1*eeedenee, e devute ed un eeeuifnule di elettreni elle. superlieit
del nietelle. eeine niestrete in Fi 4.9.
Nelle stesse eendizieni di pele.1*iezeziene, le. tensiene epplieete induee nel
seniieeildutl'-e1¬e le eeriee peeitive Q5. Queste., peiehe il eenlíeendnttere È
di tipe p, viene generete de- une spesteniente di leeune verse liinterfeeeie
esside-silieie in quente queste tipe di perteteri È presente in meggiiiri1.1'Ee
in un subeti:'e.te dregete een elementi e.eeel3te1'i. Di czerisegueiiee. le enper-
ñeie del silieie presente un e.eee-mele di leeune e si dice ehe il eendensetere
È“-'IUS fnnziene. in †'e_g1ie~r2..e di eee-ilei_.~ele.:iee.e.
ln prinie eppressin'ie.;f:.iene. si pue een-eide1"ere elle il feneinene di ee~
eun'iuleeiene et-"veiige i11 une regiene spe.-ffiele Inelte 1:'iet1*el'.te e ehe. in une
eitueeiene liinite, le eeriee Q H. eeinpeste eeclusi¬'~.-'e1nent.e de leeune, sie tut-

280
if. eenlinete eulle su}:›ertieie nel puriteil 3:? = lf.l_._ eeine inestrete in Fig. 11.9.
:li fette, ii eerne se nelle sclieine di Fig. [deve rispette elle Fig. e.El li-ntte
1+ fune-ieni devene eeeere eenilìiete di segne) il gi;eneriee punte :eg eeineide
..ni il punte di eseisse. 1: : O.
Il eeinpe elettriee e pertente nulle in tutte l“inte1¬.-'elle [Ut e eeei
Li petenziele lfilíefl. In pertieelere. e nulle enelie il peten:«5ie.le di euperl'leie
_' __. ll eendensetere i\-'IOS in regiene di eeetlinuleeiene presente. pertente,
"_†i eernperternente nielte siinile e quelle di un eendensetere lineere et-'e le
_-erielie eene eeneentrete sulle errneture inetellielle e; per le (¢l.l8) ei pue
1 T-ri'~.-'ere

f Qe
lffigg - lf'T;a¬;-3 I i = -†
Qe .
-'-l.-.Èl:|'!
Cei Cm
_-|
¬,-
.-1
4.

Ifelle reelte., le eeriee eeeuinulete non e preprie ce1;e=:;ír;-.T ;-. :'_†:_#. :~';-
_T-í-riieie, ine rirnene eernunque contenute. i11 une 1¬egjie1:='- di 5; :-;i;_ :;;_°__
ii-'ti'et.le.. Queste fe ei ehe il potenziale di eLiperiif;'ie ei-5 .:';'.§-. 2.:. --
;.;geti†~.-'e, rne telniente pieeele de. peter essere ritenute ti¬e:;-;";;:-.`:;1†.

-2.2.2 Regione di funzionamento in svuotamento

Se le tensiene l-'}';g è di peee superiore el vele1'e delle tensiene di ljende

:_ iet-te.. l:l/bp ìI> lfjrg een l"'l';B - l-"].¬B piccole) le eeriee. Q5; È: pesitive e QH
+ ne.g;e.tive.
Cerne iliefzueso. Q5- E:-. ceusete- de une. repulsione di elettreni del punte
_ = -tm., e essurne il preíile nieetrele in Fig. -11.10.
Per quente riguerde le eeriee Q3, lleeeunnile di une -::.e.riee pesitive
_-..l terniinele di gete induee une repulsione di leeune delle s1_11T:›e1"ficie del
rieie. C-enie eerieegtierlze, le leeune respinte le.scier1e el lere peete Line
:;=neent.reziene di ieni riegiitit-fi elie-1 di letto, ereeno une 1*egie11e s*~.-*uetete
1' rive di perteteri lilaeri e 1-*enne e eeetituire le eeriee preeente nel silieie.
O1-ft-=ien1e.nte. le eeriee fornite. delle regiene ei-filet-et-e non pue essere
;-antinete. elle superlie.ie._ rne si eetende in p1*ei`o11dite. nel seniieenduttere.
::›n1e per le regieni di eeriee. speztiele di une giiiiizioiie pn. Quindi. eerne
fette per le giunziene pn. si eeetlnleluä 1) ehe le regiene svuetete. presenti
'iltti gli etenii di dregente ienizzeti (_\“'_;E.. : .~"\"'_,.+ig); 2) elie ei estende

un punto di viste .sL1'ett.eniente enelitieo_ le eeriee Q5 pue deseritte

;ediente le densità. di eeriee e5.If_-.::_l = Qe - ål_U_l. con <il.'i_-il fun:-:iene di Diree.

281'
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rgE-in:;'¦:--ivL.e';-:i3_.E-v|-5';_i._-¦:-ls.fi-;¦¦.E_.¢¦:¦,›.ãi'¦;:,¦¦.ä*-. ›i_-I.'-':I-.n-§:--sšw
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Qi = -Q6 -sfl'-*H
Fig. 4.10 - Disposizione delle concentrazioni di carica in regiene cl
sue eta mente.

nellinterre-lle lO, xdl; che sia prive di perteteri liberig (essie p = -n. = [ll
Le eeriee devute delle regione sx-'L1et.e.te verra. indieete een tf_,?_.; [il pedice
el ste per Finglese nlepletien. _ svuoteniente), eeine niestrate in Fig. 4.lll
Inoltre, si neti ehe il pulite fed he le stesso signilieete del punte :rin d-
Fig. 4.8.
Le ipotesi fette consentono di peter seinplifieere le eeneentreeiene d
eeriee [4.12] eerne segue

,os = -gN_4_5 per O É :I: É .'1:*-nf (4.21

In questa eendisiene si diee elie il eendensetere l\-'TOS opere in regie-

ne di se-u.etei"n.en.te e le eeriee Q3 presente nel seinieenduttere e dete
eseltlsivenlente delle. eeriee devute elle regiene st-'uetete_ essie

llíšueet-ltlltirrie ipotesi è plausibile in quente le lefetirie si sono elleiita-nete e gli elettreni

per un seinicenduttere di tipe p. sene presenti in eeneentraziene treseurebile.

.38.'›-2.*
 Qe = Qe = Â ll ß.=l:;i:) de: - -flilfieeflife '(4-22l

Quindi_ per le (2.2-')_ il eernpe elettrice he eonie seluz-iene generele

Il N.--ie .
= / ds: = -qb.-ic - C1 per U si 1: sí :cd l4_2.i)
es
- e_s `

+_ 1*ie-et-feiitle le eestente C1 irnpenende eonie eendieiene al eenterne llen-

:.ullen1ente del ceinpe elettriee per :if: _ :.i:ü«_. essie

12-'He
--_-:ed-_-01:0
_ .. _
4.24-
55

=í ettiene llespressiene

_ _ N. _ _
Blei) -- -ai lp: - 1rd) per ll É .ir É -.rfd 4 _:
'ì`

Une seeende integrazione perte. e.ll'espressione del p|i';;-ff;-zizig-.Ã~: _ _

Le eerne selusiene generele

_ _ l-'\-"_. _ _ _ _
lfliffl = _ [Elld Clfl! = la: - ;r:d)2 + C2 per U É. .r § .rp

iste le. eest ente C2 e deterininete imponendo nullo il pote1iz.ie.le nel punto
= eci (petenziele di rife1¬i1nento_), de eui

l-"
_. =
~;IN_- .
[et - :tr__.;)"3
- per O É 1: É ;1_†__.,; q LL*lo -¬.|
-H- . "¬¬¬_.-P'
. .
r

ll pet-eneiele di superfieie e quindi dete de

_ I'~.-"_.- . _
e.. = tf un = il
. *l -El;-ilš,
__ ___ (.1_-sel
-. .-

Rie-et-feiide ;I.†,;_.j_ delle e sostituendo il risultete nelle [4.2f2)_ si ettiene

:Â *velere delle eeriee st-'L1et.ete-, Q,;g_ in funzione del potenziale di superlieie

Qe = -tFflfl_fieII?e = rx-f' 3124.5-N.4..s=f_:`ls (4-Till

ie eui risulte. che le eeriee presente in regiene di st-*ueteniente e proper-
:ieeele elle rediee quedrete del potenziale di superficie.

28-5'
 Liespressierie {:4.2!4)) eensent.e di ettenere le releziene elie lege le eeri-
ee Q5 el pet-enziele e.ppl_iee.te lfifie. Basta. sostituire e Q5 nelle il
eelere di Qd espresse de.lle. 4.29)e risolt-'ere un"equeziene di seeende gre-
de in Il potenzia-le di superfieie eesi ottenute puifi essere sestituitt
nuei.-ferneiite nella (4.19) per ettenere le eeriee 5in funzione di lfgg.

Esempio 4.3 _ _
[In eendensetere li.-'IOS een sulnstrete di tipe p (N.-i si = ll' 1015 CII1_'ll È' lliül-?1»I`íE-Eälllü
ed une tensiene l-135 tele elie l-*'i;:e - l--'if--H = ['l.lV. Sapendo elie la eepaeit--ii.
dell`esside e peri e C›'._._-E = L3-UD - 'lü' '*' F,-"'c:rn2_ valutare il petenziale di superfieie e
le eeriee. presente nel sul:›stret.e__ QH.
Selezione
l-*eielie l-"lis - l--"pe :'› ll e le lore diíferen-ze. e pieeele, si pue ritenere di essere in
regione di fuiizieiletnetit-e in svtietemeiit-o vedrà in seguite una ineniere più
rigerese. per peter dire di in tele regiene di l'ui1zieneinent.e}.
ln questa situeziolie. le ee-rice di snbstra.te e pretíeenient-e dete delle eeriee If_.i'._†:
espressa delle Sestituende il velere di questa espressione nelle [4.'lEll.
ettiene le seguente equazione di seconde grede in ft? =
I-_-_ _ -¬._.='2qc-1,,-_-"'~..-'___.1_b-m HÈIB _ H__B .ì : O
(W ,.' ..
.
' . .-

L-'equeziene presente une perinenenze ed una X-'erieziolle di segne. et-Were. he

eerne selu:-:ione une radice positive ed une nege_.tive. Di f_1e1'1seg;11er1se¬ t'H'1ìf.'llÉ
:=› ll. scart ende le radice i1e;=,f,e,t.ii-fe, si ha
_ ¬_ 1È«:;re_=_"~'_.1_5-
s_.=:__- -1._ fi-ll›f“i;;B _ l-'rßeìl
_ - _
_|_ =
la _ v Wi-:=*w.-=li'f`

_ «_ È s: l-E~1Qf_1“ ><1.054-10 '-2 si fi-1015 K

_ 2 >< zen - 10-H il
_ l 2 ><n_i>< (ene-10-se __ _ _ _
K l/l 1_s-ie-"e><1_es4-10 12es›i_e1f=- 1 ü"ll":'l"“
de cui
._2 _?
.__†;-›_. = ~.__.›“._†.&-_._. = eese* = 0.2 V
Le eeric.e Qe e quindi
Q5 : (gd : _ *Ip-"""'2l_l'F-s='“"f'T.-"l H :

: _“~..-'E2 :sí l.lÉi - lil*-iti' le 1.054- lU_13 le G- 1015 K Url-flti = -ll] nlÃ__`-__«"=::rri2
Bi neti el1e_ sest-ituende Fespressiene di nelle. l:4.2El}_ si ettiene le releziene
elie lege- le eeriee eelle tensione epplieete Vi;-;5›._ e¬~.-'¬~.-'e1'e
._ T Ii' E _: _ IF' I
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284
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Zig. 4.11 - Disposizione delle concentrazioni di carica in regione :É `_"..e's :re

debole inversione).

4.2.3 Regione di funzionamento in inversione

.åuineiiteiide iilteriorrnente le tensiene l--'13,-_;3 rispetto alle tensiene di

:›_iiida piette., le eeriee. negative Q5 presente. nel seniieo1:1diitt-ore euinente
2 eonseguenze. Tiitt.ei.fie_ se le tensione epplieete el eendellsetore l"~.-IOS e
'-_'::›lì›esten-ze greride_ insieine e.lle repulsione di leeune (ed e.lle. cziiiiisegiieiite
:'__-rine:.›:ieiie di une regione si.-'uete.t.e.') si os-seri.--e. enehe un evi.†ieiniii'iieiite
il un eerte niiinero di elettroni liberi elle superfieie del silieie. Questi
elettreni liberi eentribuiseone elle forniezione delle eeriee 5seininendesi
alle eeriee gi:-ii esistente, Qür, Le eeriee. dei-*ilte egli elettreni lilieri le si
:d_ieliei'e een Qt.e._ in }_vr'unef epprossinie.z1o1ie_" ` ' . le' ..is pile` pensere eerne
'le densite di eeriee eonfinete in une regiiirie di spezie nielte ristretta in
_T_ressiniiti`-i del punte Lr : O: eonie Iiiest-rete in Fig. 4.11.
Le eeriee Q5 iii quindi dete delle. sernine delle. eeriee Q4 eeiisete del-
fellent-enernelite delle leeune e delle e.eriee QC eeusete dell*e.vi.fieiiieinerito
iegli elettroni liberi, essie-

:'285
 Qe = Qe + Q.: (4.39

In prinie. e.ppressirna.zione_ si pue asserire elie le eeriee QC e proper-

zienele e.lle. eeneentrezieiie degli elettroni liberi e.lle. siiperlie.ie del silieie.
'ri.{[l}. Qiiestlultirne pile essere deteriniiiete feeende use delllequez-iene ei
Beltzinenn per gli elettroni_ essie. facendo uso delle releziene l]_.ÉJ'2}. lr.
pertieelere_ essuinende le regione 1 nel punte :tr = :ng e le regiene 2 nei
punte :tz I U_ le (1.92) pue essere riseritte nella seguente ferine.

_ (ll - V _ _
-rt-(Dl = 'ri(:r:__f)e:›<:p l ' V! "rl-l
_."r -
t=l.3i

de eui_ tenende eente elie

_ -iis'Il' _. _ __
-ri.l_;i_†_g) = (4.3:

if (U) -1»-'teri = se (4.33

si ettiene liespressione delle eoneent-rezione degli elettroni in superfieie ì

funzione del petenziale -og.
_ -1
.¬. " _ J -"sfì
nf - - . * "
._ l__l _ È fr I Ldcitšt
.-.

Le releziene {'_4.3+l:_l eonsente di elterinere elie le eeriee. QC, properz-ienei~;-

5. ri 'fl _ dipende del petenziale di superficie in iiieniere esperienziale.
Per capire eonie le eeriee QR intluisee sulle. eeriee- tetele _¬›_:;,e utile eris-
liz-z-ere in det-teglie le. Si esseri-'e innanzi tutto elie, se il petenziale
di siiperlieie e abbestenze grande e peri e

_ _ N.. _ _
ges = lr-T ln ( Sig) [4.3-:i
I

le eeneentrezieiie di elettreni, -'r.i-(D), e in grede di di¬'~.-'entere peri elle een-

eentraziene intrinseee del silieie.
Ricordando ehe il terinine e dest.re dell"'eque.ziene [4.í:`iel nen e e.ltre elie
il petenziale di Ferini_. p_del sernieenduttere, si pue serivere

e_._ = i;_t›_,f. ~ -«.f_=ì-.› -ri (U) ..-- -ai (4.36

Eolo'
 Continuando llanalisi delle releziene si esserve elie_ se il poteri-
:iele di superiieie ii ineggiore del petenziale di Fernii_ la eeneentraziene di
-_-lettreni liberi in siiperfieie e ineggiore delle eeneentraziene intrinseee del
seniieonduttere. essie

o_._-_ ì› ep -='.=.“'› ri. (U) ia -in [-<1..`3T"]

ln questa situazione, il seniieoiidiitt-ore, in superfieie_ pue essere eensi-

israte di tipe n. Si diee qiiindi ehe il eoiidensatere lt-IOS funziona in re-
:uie dl-ai ifn.i_ier¬.s-ien.e in quante si 1-'iene e ereere iinl-in.-se-rs-ien.e dei pe-rteteri
.-:gg-ie-ritorni alle -superficie del silieie.
Le eeneeiitraziene di elettroni in superficie (elie si ineinffeste per og 3:»
_*_rl e responsabile delle fo1'nieziorie delle eeriee Tiiffe'-.-ie. per :. ¬`_i
:lee superiere e. f_f_-ü;.¬__ il i--'elere di n_.(O] eneere inoito pì;-_?-_ìÃ'_ je: j "Fr
ritenere il velere di QG eenf`rent_e.bi1e con quello di Q5. Pert;-.;.*_ ;_ L; __;+†' :-.
_=ií'=.iezier1e_ deseritte grefieeinente in Fig. -1.11. iio:¬_.e-st:-.:;íe L-_-_ :te_a::_-_'-_ __
;:'.o strato superfieiele di tipo n__ si puo continuare a rita.-:;-;-:' _- -LL __ ' '-_ _--
ii Q.-_ nella l:f'1_3l_l].
Le eeriee dei-'nte egli elettroni liberi divente c~e1ii~.-_-¬;t-_;.`_:ìLs __: __--
.-..-
dei.-*ute elle regiene sviiotata_ quando la eoiieeiitrezf-_i:-:°.=°- iiálf-_ T:-_-;__'-_
_ dit-'ente alnieno pari alle eoiieeiitiezioiie di Qg. Teiientio eoi'_t;_- _?-21+ Q.-_
;_neentraziene di Qg e proporzionale a n.(O) e elie le eeneeiitrezioiie di Q; e
_t::=perziene.le a ."\.'†_.-1_i§,›_ si pile 1'ie.ei.=e1'e il va-le1*e del potenziale per eui questo
¬-:iene iinpenende 'rt{U:} = _.V_s__;3 nella 4.34) e riseli-'ende per da eui

_ .-“Fr” _
os = l »-"i1'¬ ln ( : 2c_.ì'>F l_4.3tl)

Le inestra elie, quando il potenziale di superlieie raggiunge il

"siore di Èei1.-¬_ le. eeneentraziene di elettroni in superficie eguaglie la eon-
:eztrezione di laeune del seinicondiittere neutro. essie

:'35 _ 2i;"L"_ij.¬ *È T1.. (ll) I f\`T__.-15

Di eenseguenza_ un petenziale di superfieie inaggiere di 2r_.-'ip inereniente

iterierniente rispetto a .-"\"__4,e le eeneentraziene di elettreni in siiperlieie_
"¬.
se

es 1?» 2ifi_-iq.¬ <“.=.`>- ri (ll) Ita _-l`\-:gg

28'?
 Qu-:rata nnndiainna frnnanxita di suddividere i1ltn1*inrrr1ant.n la raginna di
ina-'arainna in due ar›ttn1'e-ginrii. Sa il pntniiaiala di anparíinin È: nnniprnan-
tra cap a 21;-ap, ai rlir'.-Tfr. alla il cüridellaature 1-'IOS la.vo1'a. in ragrfn-rr-E air alabnlr
i--a.-aara-inna. Sa: iriv-ann, il pnt-eriaiala di aiiparíinia fi: raagginrn di 2+-ra-.¬i ai
dirà. cha il nnndaiiaatnra MOS l.avnra= in r'a_g~in-n.a dal fa-ria rf-rirflarmlnna. In
antr'arnl;›i i czaai, la. carirza fornita dalla c0ncr.ur1t1*aa-iniia di nlattrniiii QÉ; È
praaalita in una atr'a.1:0 a1_1per'ficia.le dal acrriimnduti-o1'a. Tuttavia, inantra
ir1 ragiona di dabnla ir1ver*ainne qii-nata può essere ritninita traarfiirahila ai
iini rival nniriputcr dalla carina totale? Q5, 11011 ln È: più in rvaginriva di Farhi-
irivaraiüna.
ln 1*agir:.›r1c di forte ír1ve.1'ai01'1c;:F a. causa dal legarr'1e 0apüI1a11aia.ln alla esista
tra. -'rr.-[U] a :ria: ai c1tt.a11gc›r1D g1'c?›s:-se 1-'a.ríaziuI1i della (:.arif;:a. Qi, in Lfü1'rl5pü11rla11-
aa di pinrznli inclrünianti del pütarlzialc di a11pe1'fíc.ía. Di fati-Gi il pütaliaialf
rli aiiparfi-:ria nun varia di rrlnltn riap<;~.tt.-n al *~.-'a.lc›ra di 255;-~ e p11=È`:› r'itnr1araì
pr*a.tìca.1'r1ar1tü cnata.ntc. Currie coI15eg11C11za.._ ancliü la. czarirza Qüq, rlipar1dcf1'1-
ta dalla rarli-:za di gas, non a111?›i:-:cf: grandi 1»-'a.rìa:r›:io11i n pu~:`:› aaa-:r'e ritanura
praaarznizllé cnatarite in questa. regio11c_¬. di fu11zi011a.n1a11to. In altri: parole.
annie nina:-1*a.tn in Fig. 4412, in regio1'1c di forte im--a1¬ain11a, l“ìnnramant.n di
carina nel silicio, Q5? E": anppo1't-a.t-0 escluaivanieiita da un iiicfirniianrn della
carina. QC 1r1nr1t1'e la carica Qd rírnarla irnmutata e ai cateiicla rino al pnntf:
niaaairnn di a.ac:i:-aaa :J: _ :r.f,-,1.,,,mw.
Il *~:al~::›1w.=.1 della rnaaaiiria. crsterisiorie della reggiana av11üt.at.a? -.:†rü¬_mfl_._¢: primi:
-;-.+;sr-in ri-:mato risolvendo la (4.28) ris-;pet.t.o a. .-rc-E e sc›st.it11e11cln :ag = 2¢š›;_
.¬ _. _-I-.-.
f"
_;.¬_¬. '
¬.. -L-

=~ ___.--__ \ ql-Im

S=::›a1:-irnandn la nella [4.2'2)i ai ottinria il niaaainin valnrn alia aaan-

rna la r:arin.a. (lella. rcgíorie svuotata.

Qrlrrin-.ir : _`Vl4f}E.aD'*`Ti4BfÈlF

Alla luci: di quarltü daacritt-O1 ai cUr1airle1*i la. 1¬ela.ziü11c (4.19) 1: la si

rianrii-fa tannridn canto dalla. (4.30)

bag _ 1a¬B : _ Qi : as Qff (aizai

CU;È Cüíi' (ÈUI

Snatitliaridü a Qi il 1-*alare della al.'29`)¬ ai nt-tinria. la ralaaiana vali-:la in

ragiona di im-'araiüria

F285'
 Von 3* Visa
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Qi? = 'Q6 -U-l"i=_E

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Ig. 4.12 - Disposizione delle concentrazioni di carica in regione di inversione

"orte inversione).

«Qil. -V396 ~=Na BG*-1-¬.. «'53

lee _ ivo = f-311:
1
¬''I
1=@,+ "' ^ "T
n gio
9e 9 9P1 si

La afi`er1na. elie, ad un aumento della. teneiorie a.ppliea.i_.-az 5,

ìjrrisporido un auniento di tutti i ter1'nini a destra flell'11gna_g`liar1z-a. In
nfre parole, un aurrierito della carica Q5 È! supportato da un anrnento
'fnreniporaneo ein delia. eariea Qd_ dovuta. allia.llonta.n.a.mon†.o delle laeu-
sia riella eariea Qfl, clovilta. ad un am-'ie.inan1ento degli elot-troni liberi
La enperfieie del ailieio. ln questa- sit-Lia.-zione, il calcolo del potenziale di
¢';j;ier'iieie o della earíea QC non risulta. per nulla banale in quanto non si
:spone rli iirfespreeeiorìe esplicita per QC.
Le eenipliiieaaioni dieoneso in p1*eCe-denza-a consentono di poter rieeri¬i-'ere
in una forma più agevole da 1'r1.=;1.1'1ipol.a,r'e a aeoonda ae liiiivereiorio
sia iìlebole o forte. ln particolare? aasnnieiiclo che in debole inversione la
ì_=._“iea Qi; ei poaea ritenere trascurabile, la ai ric;l1_1ee a

289
 _ _, , ›:'-í¬_f'\"_l-13:'.-"ih
Vos _ lfse Fs' _ -T1 = Cs i il g il i- ' il
.'l- I
[4-45
cf" |
_--nn. CUI

Di oont.ro._ assiinienizilo ehe in forte i11ve1'sione_._ il poi.en?_.ia.lc -:li superfici-1

rinia.1'ie;a pressoché costante e pari a Qsi;-_ la si riduce a

_
VG-B _
_ VFR .
fâ ZQÖF O-.fci_rri.of.I1
_. . Qc.- : . __' - ilrc..-'V
I :-.- .›-LB.eli F Q;= |.k4:._R
, _
CUÉ CFJIF

In conclusione. si a.ssurne.ra che la carica Q.. sia presente solo i11 regíj-
ne di forte ini.«'e1'sionc. ln oiiesto caso, la snperñcie rlel silicio presenta L;
sottile. strato di portatori liberi di tipo opposto a. quelli presenti nel soni-
c.o›n+:;li1ti:o1'e i11 eq1_1ilibr'io. Tale strali-o eonclnttivo prende il nerne di conaff
o, eerne sara analizzato i11 seg1_1i't.o_._ e alla base del fuI1s:ion¬a1r1e1'1i:o del t.I'a:_-
sistore lì-1OÉ›. Si sraiega a questo punto il 11o111e (lato al con-.:lensa.tore lk-'IOS
nel paragrafo ill In un conde1'1sato1¬e li.--IOS con substrato rli tipo p si ere;
un canale di tipo n, c quindi. viene (lot-to a ca.na.le n. X-"irzor-o1*sa. poiché i;
un conrieiisatorc MOS con s1_1bst1*a.t.o di tipo n si forma. un canale di tip.-_
p. esso viene detto a canale p.

Esempio 4.4 _ _ _
ljn condensatore Ti-IOS a canale 11 polaris-za.to i11 forte inversione. Dcterxninare
il potcllziale di silperficio. r__-"is, e la caduta di to-llsiorle ai capi rlelliossido, lffw. nel
caso in cui la tensione applicata sia l-"ha = ll poteimiale di banda piatta e
T.-',~.-_-_¬; = -1 V e la concentrazione di drrigaiite nel substrato e N,-1,3 = 5 ~ 'lU"5 cn1`3.

Soluzione
Poiclio il coridensatore È: pola.rizzat.o i11 forte im-'crsior1e._ il potenziale di sllporfioie
e circa due violte il potenziale di Fermi. ossia.

fw 4;; _3 5 - lil]

Per ona.11to rìguarcle. la eaclut-a cií tenf-:~ione ai Capi clell"ossirio. liisogna ríooriiln-Io
C-lie clolliilltera. rlifierenaa. di ìjot-e-oz-iale che carie ai capi della struttura. li-'É_=; ig -lifp H,
una parte cade ai capi clell'ossiclo ed il resto coinc potere-;iale :li superiicie
I:r_;f=_=i:|. eonie evirienziato in Fig. 4.? e nella -1.2. ln pa.i_"i.icolE1r'e-, Lis. questiiiltiina si
lie.

lia; = l*'i:1:o - lfife " ie = l'i:'.-e _ l-"Pe _ EGP = 5 - (-ll - U.8 = 5.21.-T

2.90
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- -4.13 - Concentrazione dei portatori alla superficie del |--_r

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1.;
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:e potenziale di superficie,
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4.2.-4 Regioni di funzionamento e potenziale di superñcie

:fel paragrafo precedente la regioile di funzionaniento in ì:;°.°-:_-:sí_:;-_-

~-ata. stttirlivisa in due soi:toregionì debole e forte i11†cersio11e_.~ in 'ease al
alore assunto dal potenziale di superfieìo. Le regioni di funzionanienro
_; accuniulazione c in evi_.rot.a1ne11t-o, i11vece_._ sono st.at.c rlefinite in maniera
- iiittosto intuitiva in funzione del valore della tensione esterna a1:›plicat-a.
-:- realta. il valore assnrito dal potenziale di superficie consente rli rleiinire-
; inaniera siateirlatica. anche le ultilne due regioni.
A tale fine e utile fare riferiniente alla Fig. 4.13 che rnoetra, in scala
_; garil'n1iea.. la eoncentrazione dei porta-tori lil:›e.1¬i 'rt({_l] e pill) al variare del
:_=_j:›1_::=tirto f;ìiå_J_.f'¢;ii_,j:. La eonce11tra.zione 'ri.(Uì] 1'no5tra.ta in fignra e data dalla
:elazione {4.34:,l. n1ent1*e- la conc.er1i:razione si ricava. banalrnente cla
" 'fil niedia-nte la legge tlelliazione di massa., ov¬ncr-o

M ~ ...ti _ É 4 “"
"I ì ___ T ifüf. |.l›""_

il fi
Il-1 É*

La regione cli ecc-n.-r'ri..-ii-lr1._zion.e e deiinita con1e quella regione per la quale

à ;2-otenziale di superficie ie rninore di zero. Corna si osserva dalla Fig. 4.13.
al ciirninuire di (situazione alla qua.le corrisponde una cliniirniz-ione rlel

291
potenziale applicato l--È;-E - 1]:5), la concentrazione di laeune aumenta e la
concentrazione di elettroni dirninuisce. Llandarnento esponenziale di plfß
fa si che per pieeele variazioni del potenziale di superficie si ottengani
grandi variazioni nella concentrazione di lacune. Il potenziale di superficie
ie quilldi negativo, ina non si discost-a rnolt-o da zero. Pertanto, in tace
regione si puo ritenere valida liapprossirnazione r_.t›__.; = U, gia discussa
precedenza.
La regione di struota-niente è definita coine. quella regione per la quale il
potenziale di superficie È eolnpreso tra zero ed il potenziale di Perini del st-
rniconduttore. Corne si osserva dalla Fig. 4.13, all'"a.urnent.are di la cor:
centrazione di laeune dirninuisee e la concentrazione di elettroni aurnent;-2-._
Quest`ultirna tuttavia e seinpre rninore della prirna. Inoltre, la.dirni1n1zio1:e
delle la.eune e responsabile della ereazione della regione svuot.at.a.
La regione di inversione e definita eeine quella regione per la quale il
potenziale di supe1'íic.ie e inaggiore del potenziale di Fernii del sernieen-
dutt.ore. ln questo caso la eoneent.ra.zione degli elettroni in superflc.ie s
maggiore di quella delle lacune. Come discusso in precedenza. tale regione
e ulteriorinente suddivisa in due sot.t.o1*egioni. La debole inversione e la fot-
te inversione a seconda sc il poteriziale di superficie sia rninore o rnaggior-_
del valore di Èçâp.
Per quanto riguarda la carica imn1a.gazz-inata. nel semiconduttore, è
istruttivo esan1_inare il grafico riportato in F 4.14 che riporta liarida-
1ne¬_uo tipico del rnodulo di Bal variare del rapporto ›;-'í›_5,f'-:_jIÉ.›_g-¬, in accorti.-
:-~:-¬; quanto discusso in p1'ccedenza. Lo stesso grafico riporta anche i valozi'
:if e :sernpre in modulo) per i;-ü_._. `;> O.
ln regione di a.ceun1ulazione, la ea.rica Q5 presenta grandi variazio:
per pieeele variazioni del potenziale di :superficie elie di fatto puo cesi?-r~
ritenuto costante.
in regione di svuotarnento, la earica Q5 dipende eselusivanlente da
e presenta u11 andanlento elle varia. con la ra.dice r.p_1adrata del potenziale
di superficie.
In regione di debole inversione_. la carica 5e cornpoata dalla sornrna c_
(Ã_,?ü_r e Qin ina, nonostante la presenza delle st-rato di inversione, la carica
is praticarnente trascurabile a ca-usa delliaiidarnento esponenziale di -riti.
e, di fatto, puo essere assunta conte nulla.
In regione di forte inversione. la carica. presenta grandi variazio¬'
in corrispo1'1dor1z-a di piccole variazioni del potenziale di superficie elie. ci
fatto, puo ritenersi costante e pari a 2-op. L-iincreniento di Q3 is quinti
 `iUl}I'i | r i -'C

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Tg. 4.14 - Carica nel semic onduttore in funzione dei potenz ..¬
[32 ._.
L-una
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_-
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5 -¬ ..
-.-...----- _-
_
--

fipportato solo da un inereinento di QC ine iitre QC raggiuiize ì- := : ° _

faassinio.

4 2.5 Tensione di soglia

Si defi_ni.see tc-ns-i.o-ri_.e' nl-i'. soglie di un condensatore l\-IOS quella tensione

esterna. 1-f'-';f¬Hij,. che
. dcvr~ essere _. _ applicata perche si verifichi la foi-iiiaz-ione
"sl canale. ln altre parole essa i'a_.ppi'eeeiit-a quel va.l ore. ininiino di l-*hg the
' la cieaz ione
L;-iiscnte _ della carica. QC.
ll valore di " ` '
HU ricava facilniente ¬ tto l_e ipotesi
so ` ' senip lificative di-
si-usee ne l pi-aragrafo
_. _ _ 4 _ 2.3 che assuiiiorio
" ' Lfl ie la.eai'iea.QCsia.nullaiiireg1oiie
_;
-_' ilebole. inversiiíine
_ _ o elie il potenziale di supe.rficie sia cost-aiite e pari a
1:»F in regione di forte inversione.
Sotto ques te _. _ aseunzioiii.
_ _ ` ' _ la* cari
" 'ea O_
__C e presente solo in regione di ioiie
. _ _ E
:versione ed il leganie funzionale che la inette in ` re l a zione con la teiisioii
'-__í¬ir__~›lii:ata e dato dalla ossia

riilrije zi _-'7\" .-1 H e'J F

i-«as-iIsC=2aF+ `“' " T' 4 I Q” (lisi
529-fi
 Da un punto di vista della inodellistica circuit-ale._ si deñnisce per iz
(-4.48] il seguente parainetro._ r;«_._ detto cr.iejjiciien.te di cfiritto body

H si 1 .Li -
Pi" -H ' `
CUI

che pcrniette di riscrivere la nella seguente foriiia

›-'F
lfgg - lfr'F5 = 2r__J;¬-
:I
_' ^_i-V
~ -"" '
2(_T›1:-¬ QC
- -†- .- l'-"_
{-1.-JL.
con

ltisolvendo la (4.50) per -QC (quantita non negativa in rjliiaiito QC E E

si ottiene

- Q.: = ca. 'pes - (1-«:~B + za + ~.f2a.~)l i_«-1.51

la quale afferiria che la creazione del canale si verifica per una teiisic~
ne lfigg superiore al t.erinine raccliíuso tra parentesi tonde. Tale toi-iniiie
rappresenta proprio la teiis-ione di soglia cercata, ossia.

lfivni = VFB + 'Il'-fiv" + ^.f"vi2f_i'*P (4-5?

Di coiiscguenza, nota la tensione di soglia, la carica nel canale puo essere

-:-íte::1._:t.a dalla iwelazioiio

_ : Col' CB _

Esempio 4-5 _ _ __ _ _ _
Calcolare la tensione di soglia di un condensatore X-'IÖS a canale ii avente gare
realiz-zato iii polisilicio p__._ spessore dellìossido tCC = 35 nrn, concentrazione di
drogante nel substrato _-V__.1_-_; = T - 1015 ein 3 e carica all:iiiLei'i'accia ossido-silicio
QHC = TU iiC__.-"ci'n2.

Soluzione
La capacita delliossido ed il potenziale di Perini della struttura sono dati da

r=C-_.- _ 34.53-1U_H“ _ ,__ _. 2

I:-'CC _ tm: 55 _ 10 9 E 100 _ Elofifi i1F__ir_ii1

. __ .-v_.-la _ _; r- 1015 _ _ _ _.
[.:l1"` : l"T l.Il ( T1--E- ) : ' -È K 111 I 'l_.l.:šrJ

294
 Tenendo conto clie. da Tab. 4.1. il poteiizia.le di coiitatto intrinseco del polisilicio
p† ie *IH-;; = -il.-501-T. il poteri:-ziale di banda piatta risulta

ia.-s T sai - = -«ie - ai - -_ ttss - 0.3.-.i - = -iis t-

e. per la [4.4Q]. il ooefifieieiit.e di eifetto l_iotl_¬_-: e

__I_ T *v«“I3fi1É:=i'\.f_u_ii : ti-›2 :st 1.6 - 10: U-iz X 7. lgis : U-:mg và

,-M; C i_ . I' ' _ "

Quindi. applicando la si trova il valore della tensione di soglia

i-“frrrn = VPS _ 2-=fiI'›*r«¬ _ "ff" 1,.-'IÉÉ F =

=-0.-5 + 2 la 0.35 -i- 0.493 X ¬._»-*'22 >< (1,351 : 0.614 V

Esempio 4.6 __ __ _ _
Lf n coudeiisatorre 11-105.-.`~ a caiia.lc n presenta le seguenti ca.i'at.t.ei*isticlie: concentra-
zione di drogaiite nel substrato .Vari = 5-lilla t:1'ii"3, ca.pa.cita specifica tlcìÉ`r:›ssifi-t~
CCC. = -Fi5fJiiF__.-feing. tensione di banda pia-tt-a 1-'rpg _ -0.131-"_ Éi1_ipp-etici".-.i-.TI f-}.=
sia applicata una tensione 14;; ,e = (1.81-'_ verilicare clic il dispositivo sia _:-i`.-_=.¬:ì:-
zato in forte iiivorsione e valutare la carica Qz pi'esei1l.e nel canale e cr-_:ì†a T _
presente nella regione svuotata..
:elezione
Per verificare che il dispositivo sia in forte inversione. basta ¬.'ei"ìfiea:"s =I;'.~í _;
tensione applicata. l-"i1: tr, sia niaggiere della tensione di soglia l'1-I-_.-.;..
condlz-ioiie. infatti. per la {;4.-53), e equivalente ad affer1'iia.re liosistenza della carica
di canale, QC [condizione_ appunto. per aI't'criiia1*c di essere in forte inversi-oiiefi-.
.iii ricavano pertanto il potenziale di Fermi ed il coefficiente di effetto bodjr

_
ei; = 1-'T in
.-¬~.-°_.__C _ _
= .Zb - 10
___. >< ln
s › 101** _
- 0.3121-
__ _

: ¬._. -='z.:;-5.. -*\.*__i_C : se z i.s-in-19 >< i.0s4- io-J-2 >< s_~iU1-"> : U _HT.___._-E
Il ' -

Di conseguenza. la tensione di soglia È:

l«"i'Hiì| = i"'ii¬¬e + Èfíili-¬ -l- 'ff' \.-*"ii3ij'5r«' =

--«~0.15 + E >< 0.3-42 -|- 0.117 K -ti-'È X 0.342 = 0.51-"

ri.

La tensione tra gate e substrato e cliiaraiiiente inaggiore della tensione di soglia

cio pcrincttc di afferniare che il dispositivo si trova. in forte inversione.
La carica QC presente nel ca.nale puifii ricavare applicando la (4.53), da cui
= -ctu risse _ t-†CCC.} = -aio - ie' ti iz (ns _ iis) = -roiici__.fenii
Per :pianto rigiiarda la eariea presente nella regione svuotata. si se elie essa ie
pari alla QzC-_C._C data dalla Ctiiifroritaiido que-sta relazione con lo relazioni

:29-.fi
 I:4.'-"llånjl-|lf=1..É"f†l.Fl_`], e fertile *ferificzere elie 1-'ele le eegiierite icieritite, rneltü utile in queeti
eeei
Q ri'.-.'r.I. :eu: 1 -

_ - ex = ¬«
rie eni

: ¬V.«”ee,.-
= -mir >›< eee - iu re «V-'Q e ee-12 = _e«1ne_,-Her?

4.2.6 Cüncleneetüre l\-IOS e cenele p

ll ee11+:1er1eet0r'e ll»-IOS e eenele p p1'eeer1te. un eubetrete di tipe n_ cei:

une eer1+::ent1'eziüne di dnigeiite peri e N55 ed È! niüetietü in Fig. ¢1.]_;'É›.
Le -ileeerieierle del fiiileierlelrierit-O di tele diepeeitit-fe può eeeere feeilrrierite
1'iee.¬'~:et.e delle eteeee 1'elez'-io1'1i che eene etete ottenute per il ee1irle11eet:::i*e
lx-l(}È_-È e eenele n, et-'eride cure di eleuni eeee1*gir11er1t;i che l.-eiigeiie eeiilne
delle eeinpleinenterietà. del zílispeeitìx-fo.
Le teneiene di bende. piette rirnene eenipre espresse niecliente le ='l.9fI
per le quele il termine «:,:'ìm_5 deve tenere colite del s1ibst_rete di tipe 11 trernite
le (-11.13).
Feceride r'iferin1erite elle generiee pola.i*izzezic›11e di Fig. 11.15? lieneliei
ev«:ilr.e nel pereg1*e.fo 4.22 che port-e alle rc1a.zio11e gelicrele (=l.1EJ_`}_. 1nentier1f:-
le ene reliclil›e.m.
LE 1”-Feiniii di f1111zic›ne.mento si clietiiigilciiie in beso el *~.-felere ehe il permi-
:iele rii 5L1pe1*fic'ie eeeiinie rispetto el potenziale di Ferrni, r_;É›;¬-. Qi1eet"ult.irr1e.
;:=;-: rn eulzerrerri di tipo n, -fe une quantità. riegetit-'e. peri e

- È\"_ _
tti; : -l-Tln I
_
.
[-¬'l.›;::el}
.-

Le regiene di fnneicnienientü in eeeuniulettiüne È preeente per une ten-

eieiie eeterne epplieete tele che 1--23,9 - l--"ƒrg `;:> U (corrispondente ed un
piìrtenitiele di 2-Siipeiiieie rriatggiere di zere). ln queste eitueeierie, le eeriee
Qt-gf È peeitive e le ee.riee Qg e r1e_g;eti1-'e ed è eeetitnite de un eeeurrnile
di elettreni (perteteri rne-ggierite1'i) elle eiiperlieie del eilieie. Il peteneiele
di eilperíieie, per querite peeitive, riniene ineltü pmeeirrie elle eele ed il
legai1'rie eeietente tre eeriee e teneiene epplieete è e.neere dete delle
lü
D1-fvienieiite le densità di eeriee nel eelnieenduttere nen e più c:lel.er1ninete delle
1 me de ps [5-,II, _
1-l.l2} _ q Le_ (lr)
_. - - vi. lx)
_ + .WEB
,- r+ {:r:)]_
-_

296'
 Vee
.L-
1

- filìf-.=,= ._ ==š==-"-"-=š:':še:.¢--':=:::::::::::::=- = * `
È J-¬*l¬'=~É.-= .. ;És=:=s=:.:=ei-äšäe = "È '
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1u¦¢v.u .I '.l'.l'.I
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l.-”'l.1']I l_:_`I.- I =
Voa -* life ,
lr rn'
fifi :

Zig. -'1i.l5 - Densità di carica e potenziale in un condensatore M05 a canale o

sottoposto a polarizzazione generica.

Le eltre iwsgiolii di fiiiiziorlenielito si ottengorlo per une tensioni; ester-

Le epplioete telo olio i«*É;;-5 - li-"`}¬:;:,,› <1 U. Di eoiiseguerize, il potenziele di
enperfioio essinne un veloro ne-get-it-'o.
Se il potenz-iele di superficie Eìr oolnpreso tre (DF e zoro il oonden;.-¬eto1e
¬

IOS let-'oi*e in reejiorio di sviloterrierito. In queste. condizione le ferite

Q-3'; ii riegetive e QH E1 positive. Qu-estiultilne È. ooniposte delle eeriee Qd
fi-rniete degli ioni positivi delle regione svuetete ehe si 1-'iene e ereere e
eese delliellontenernonto di un certo nuniero di elettroni delle siipeiiieie
iel silicio. lpotizzendo che le regione svuot-ete si estende. fino el punto
: - Ii, lienelisi svolte nel 1;te.t'e.grefo 4.2.2 rner1tior1o le sue velidite e petto

297
di sostituire le densità di ceu¬ice. delle. (4.21) con le relez-ione

,03 I gl-V35 per U É .r É :rd

S¬ifo›l_gerido i eele-oli si ottengono per il cenipo elettrico E[:r) od il potes-

zielo i-f'[:i:} relez-ioni sirnili elle (4.25) e (4.27), ossie

PK? _ _
Ele) I QTDÉ - rrfd) per U É :I: if. :i.†f,_f
É

, N . l- __
ifl:ir} = gg mg (sr :r,.í_)':'l per O ii :ir É :reg (ilo.
1-IEIÉJ'

`l.="elut.endo il potensielc di siiperficic corne = (U)si ottiene le rele-

zione ene.loge elle che niette in releziene quostiultirno con le ceric;
Ori'

_ _ _; _ ,_ '_ '__
Qflf = gi\-5512,; = «vi 2ge_5_-N33 l-gas) l=l.o`.:~

Se il potenz'-iele di superlicie è ininore di eüp, il condensetore E-'IOS lei.-'ore

in regione di inversione. In questo caso c presente nel silicio uno stret_
supcrfici.ele di leeune deto delle roleziorie enelogge elle

. _ ..É
fl-,; _ _' __ _.«' _ , _ _
_e=ìUi = _l*eC”-¬-*T is.e.L~
 oe
Se ii potenziale di superficie e coinprese tre. 2f;'ä;¬¬ e go1.¬, le concentrezior_+
di lecune pl:_U__i e coniprese tre N95 e 'nq-_. ln questo oeso? il condensetore -i
in regione di debole inversione, e le cerice Qt, pur presente, e t.reso1_11*el1-iiie
rispetto elle eeriee. Qd.
Se il potcnziele di superficie e ininorc di 2f_fi'}›,:.¬, le conccntrezziorie di lecu1;:
pill) ie ir1eggioi*e di _.\~'*,f_1H ed il condonsetore 1-'IOS let-*or'e in 1'ez-gione di forte
inversione. Le cerice QC e quindi confrontebile con le cerice Qfg. In quest;
condizione? poiché in corrisponden-.ze di grendi veriezioni di il potensieš
di suporiicie presente piccole i.-ferieziorii, si puo essurncrc de- -*J 2*1È-i`*1¬¬-
Le relesione geiierele per il condcnsetore il-'IOS e ce-nele p. essu-
rne le iforriie

. . Qi-if Qe \..-"""2fIff~†-'“\"TL:›.s Il-fI3"=) Q.: -

Vee _ lflfrs = €31 * = f.-í'>¬ 'U (4-lì
' Q 'fie Ces il Ce.~_- Ces

298
 tenendo conto delle ipotesi se.rriplific.et.i¬i.†e discusse sopre, si riduce e

i“i:“;e _ lee-eU- _ È :. .-_-†;_ . _ *~«"“FÈ"Y*:'~=“'N*'-_"Bl_“7"_*l"*1*"»l leer)

' il Ge I 5 Ces
che 1-'ele in ÉLCCL1 nnllesione ed in debole inversione. ed e

Q ri frH.o.:.r_' QC _
1|;..f::;rlB _ LFF. E (IDF _ _

i _ Il C:-YUIE'

= 2!-ÖF
¬.. -"l4£1_§_«.- Nfie l-(DF) 9
~ _. 1:
ess)
C/Ton ._-E-`1
È-J

che 1.-'ele in regione. di forte

* _. _ int-'e1¬sione
- _ _ _.
enclie in questo ceso e possibile- deñníre le tensione di sogflie. int e1if_ì«:;'-:;f_l-r_'-
T-on esse il ¬..-'elore delle tensione. I-"igm al di sotto del ori-eie š_- prese:;†s :L
¬enele di tipo p. Tre rnite ' ' 1l
' coeí'lic1ent.e
' " di' eif.-t
et o bod:-1'. de'¬l:'_i†.'.
_ _per "_:;
_'-ondensetore IX-'IOS e. cenele p come

"¬'|." ì
~..»“'e --fiif-eiH;oe
il

Corn

si prio riscrivere le [=i.62_)

i-"los - Vee = Ècee - ';f"-.›*"-2<:E>,z† - ,-

Qc
(es.-1)
(wri-

Rísolw.-fen«:lo le {al.6:l) per

*- QC (O_ `.ì>
_ O) si ot.ticno

*:_e stehilisce l=esist.enze. del cenelc per u ne-. tensione

_- _ inferiore. el t.cr
ifi;-;_5›
::;ìnc reccliiuso tre l c p ercntcsi
'i tonde.
' Tele
' ternn
È 'ne e le tensione di soglie
_ ercete

Wen = Vee + 2¢›¬F - iz'“ --É's'ì`*1¬¬ (4.66)

infine, note le tensione di soglie, le cerice. nel cenele risulte

Qi: : Coi: (_l”l.'f-'B + U ij4_fir

29:?
Esempio 4.? __ . _ .
Un condensetore l\-IÖS e cenele p presente lc seguenti czeretteristicliei potenziele
di Fornii del sul:›streto op = ¬-0-4 V, c.oei-liczieiite di effetto bcnijv 1.' = ü.lT"`*v' E 1.

cepecite speciiice dell`ossido C."._._¬; I 5üll1iF_.."t:ni2, tensione di ltende piette livr-

-lllã Snpponendo che sie epplicete une. tensione l---"Ign = -1.51-T, vcriiicere
che il dispositivo sie polerizeeto in forte inversione e velut_.ere le cerice E;l',._ presente
nel cenele e le cerice Qd presente nelle regione svuot.et.e.
Soluzione
Per vorificere che il dispositivo sie in forte inversione, l:›e.ste veriiicere che le
tensione epplicete, ifiçg, sie tele de rendere le {¢1.6T,| positive., ovvero E -sf
l*'ç,†;,fg_ Qtleste condizione, infetti, È eo_uiveleni.e e.d e.ffern1e.re l'esistenIe. delle
cerice di cenele._ Q.,
l.e tensione di soglie, tremite le lf¢l_li6_}, e

l-"trito = -l- 2f.í3*F "_ 'Ér"\,-f'l_3f_.-'51-= =

I-U.l-5 - 212»-f. Usl - [}.`_lT >< ¬,f"2 3›< 0.11 I -1.1%"

Le tensione tre gete e sulistreto e chiere1'nente ininoro delle tensione di soglie e

cio porinette di efiernfiero clic il dispositivo si trova. in forte inversione.
Le cerice Q., presente nel cenele si puo ricevere epplicendo le [4.{iT]|, de cui
9 .f .f -. I ' ' _l:. _ ' P' - - '- .. -' 2
E3,-'_'_ ì C:'.;'_;;;_: l- ì ' l X [__].-\'-J' 1 l-.l.._,l ì I:l.{:l',I"

Per ouento ri guerde le cerica. Qd presente nelle regione svuetete, si se clio esse e
peri elle. Q,,=._.,,_ü,,. dete delle con q.-Ö.. = F.
Coitfrontendo le relezioni :l.'E*i2:}
c [›l.(¬i-1]. E-i iecile verificere che vele le segue.ntc. identità.
r: _f.'a.'1;' _? .
_
f: _. __
,i
1 *Ft*
_.›._
"if ."' '_ '_ C«l'_,_l-I'

- ¦-
.¬._-. .11-
=' C-_..-
_..¬._-.

-ii
_- Iv-'..¬-2
Q:-___.,,,_. I “_-COI ¬.,`,,f'll-É{Il?,.*-¬ I U.l I X. =_`Jl_,lll- lü il 1:11 1,.-'-2 X l_.l.¢l I l'lJl1C_,~'l-CITI

4.3 Il transistore l\/IOS

Le st.rutture di principio inostrete in Fig. e.lG prende il noine di tren si-

sto-re il-ETJS' tt co.-n.e.le tt. o, più brevcinente, t-ro.n.s-istore NMOS. E-sso e coni-
posto de un condcnse.to1'e l\--lO-S e cenele 11, eflienceto de due regioni foitt-
rnente dregete di t.ipo ri* elie prendono il nerne di .soerce lsorgelttej e al-tot.
(posso). Lc regioni forternente dregete sono telvolle denorninete regtor
difiess per il processo di feblarieeztione elie venive useto nelle ree.lieze.sic+r1t
dei prinii dispositivi. per un trensistorc ideele cornc quello retlifu-
reto in Fig. il_l6, presenteno un bordo perfetternente ellineeto con i bord_
del piet-to di get-e.

300
 D
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IH SI03

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Fig. 4.16 - Transistere MOS a canale n

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Fig. 4.17 - Transistere M05 a canale p.

301
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Suhstrelo (_Bull<_)
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Fig. 4.18 - Rappresentazione bidimensionale cli un transistore M05 e canale

n.

Si 11oti clic il dispositivo È siIn1'nct.rico ed, i11 perticolere, che le strutture

non presente elcune distiiizione tra le.regio11e di source e quelle di drein. lr.
ei*l'etti, le denoininezionc dipende esclusivelnente del potensiele eppliceto_
per il quelc si deiiiiisce regione di source quelle sottoposte ed un potenziele
più besse.
Source, gets, drain c suhstreto compongono i quettro terinineli del di-
spositivo eccessiliili delliesterno ei queli si fe.r£ì-1. ritieriniento rispetti¬v.erncnte
con le lettere S, G, D, e B.
Liesse :r: treccieto in Fig. 4.16, per unifor1'r1ite con lo studio otiiottuetc-
nel peregrefo precedente, È orienteto lungo il condensetore ft-'IOS con un
verso che ve del terininale di gete e quello di substreto. Lungo questiesse
le strutture presente uno spessore dcll"ossido pe.ri e tw.
Liesse y È orie.nteto con un verso elie ve delle regione di source alle
regione di drein. Le distenze t.re le regioni di source e di dre.in velutete
lungo questiesse viene indicate con L: esse reppresente le lungliezse del
dispositivo e viene det.t.e enclie leng}t.e.:1se di ce.no.le. Si noti clic esse coincide
con le lunghesse L già. definite nel coiidensetore 1-105.
Liesse s È orient.-a.t.o di conseguenze. rispetto egli eltri due e, lungo que
stiultirno, si deiinisce le lo-rgherre. del d-;ispo.s'it.-i.-t.1o o le-rgl'i.e.s.se dt co.rto.le, lril.

302
peri e.lle lerghezze delle regioni diffuse.. Anche questo pereinetro coincide
con le lergliezze l-il-"T delinite per il condense.t.ore l\-IUS.
Si not.i, infine, che le regioni di source e drein forlneno con le regione di
sui:›st.reto due giunzioni pn che, per consentire il c.orretto lunzioneniento
:lel dispositivo, devono essere seinpre polerizze-te inversen1ent.e. Di con-
seguenze, i terniineli di source e drein presenteno seinpre un potenziele
:neggiore o ugue.lc e quello del sul:›st-reto.
Corno per i t'.rensistori bipoleri, enclie in questo ceso È presente une
strutture cornplcnientere rnostrete in Fig. 4.17. Tele strutture prende il
:iorne di tr¬ert_..sistor'e .MCS e- eene-le p o, più brevernente, tr'o.'ri..srÈ.stor'c P.-'lilUS_
Esse si bese su un condensetore MDS e cenelc p e.fl'ie.nceto de due regioni
:`:.rrten'1ente droget.e (_source e drein) di tipo p+. Èfel t.rensistore Pli.-'IOS le
regione di sourc.e È definite. conte quelle regione sot.t.oposte e potcnziele più
sito.
Anche in questo eese, le regioni diffuse. forrneno con le regione di sub-
streto due giunzioni pn che devono essere- sempre polerizzete inversen'_c:_'_-
Di conseguenze, i terrnineli di source e drei n presentano :=t-'eipre
;:ot.enziele. inferiore o uguele e quello del substrato.

Pertendo dello studio svolto sul condensatore BIOS, È possibile :iz:--_-'.'.'s.:s

le cquezioni che governeno il funzionen'1ento del trensistore }\lO::1 soft.,
fípotcsi di une lunghezze di ce.nele_, non troppo piccole. Teli reiezioni
iescrivono il eoinporteinento di une clesse di trensistori M05, detti o..
¬tno.le lu.-ri_t;o. Une volte esposti e coinpresi i principeli fcnoincni fisici che
í-_vvengo11o elliinterno di un dispositivo E-1 ceiiele lungo, lenelisi svolte ed i
:ele.tivi rnodelli circuiteli serenne estesi per descrivere enche. i trensistori
1105 dct.ti tt ctrrt.e.ls corto che reppresenteno l'°ettuele stete dell`erte“.
Conte fette per i trensistori bipoleri, si solferriiere. l'e.ttenzione e.d uno
:ilo dei disposit.ivi ricevendo in seguito il comport.einento del dispositivo
:-ìiinpleineritere 1nedient.e delle relezioni e coiisiderezioni dueii. l.'ene.li-
=i. pert.ento, verterà. principehnente ello studio del coinporteniento del
*rensistore Fl-"IOS, refdgureto, in forrne lI›iclirnensione.le, in Pig. 4.18.
De.te. le presenze di quettro termineli, si eoiisiderere seinpre il terrninele
ii sulostreto B)coiiiiesso ed un potenzielc di riferimento [potenziele nullo)
e si indiclierenno le tensioni epplicete egli elt.ri terniineli con l{~.;_-, e lrfp
:tendendo con esse le tensioni e-pplicete rispe.t.tiverner1t.e ei rnorsetti di
:=ot11'c.e, gets e drein riferite el pot.e11-ziele di sultst.ret-o. Le tensione l-f“f=,~, per

'll †.rensist.ori llvlüß e. cenele corto. evendo diinensioni s1il:rnicrornet.ric.lie, esibiscoilo

ffzioineni fisici più complessi.

30.3
eeernpio: inrlice le rlifierenre di poterieiele W;-_5 :if; - lfi,-fj,›) epplieefre tre
source e eubetr'et.o.

4.3.1 Principio di funzionamento del transistore DHIOS

Priirle di prooede-re con lo sviluppo erielitieo delle relazioni friiizioiieli

ciel m*eneiSLore 1-IOS: conviene descriveiie, eeppur in nieniere. qlielitetive.
il principio di film:-iorieriieiito.
ln eccorclo con querito di:-;-Leueso sul rzoiideiieetore lx-IOS, ee le terieiorie
epplieeßo E122'-1 gate e :~;11bet.ret.o, VI;-;7 è rninore delle. tensione (li soglie, Vfirgl-;..
elle enpe1*ficíe del eilieie può essere p1¬ef-seiite o un eeeuniulo -:li leeulie r.
11n:~1 regione se-*11ote.t.e fornieta. da ioni accettori. Se: ifirzei-ferea. le Lerieieiir-
eupe1'e le. tensione l---"-'†Hf_;._, elle. zsuperiieie del eilieie si eree nno et1'e.1:L
5igI1i[ie.e.ti1-='o rli elettroni liberi che (li fatto, in p1*oSSiI1iiÈå. del punto rli eecieee
:rr : U, rnute. il 5e1r1ie0I1d11tt.o1*e in 'silicio di tipo n.
ålle luce di cio, ei consideri iI1izaie,11i1e11t.e il ce:-:~<:J in cui le. teneiorie appli-
eeto el get'.e._ VG? eie. 1ni11ore di l--*THQ ed i t.e1'1†I1iI1e.li di source e drein eie-iir
conneeei 1'iepettivar1iení:e za. iiiessa. e ad una tensione po:=_¬'it.i¬:e_¬ if};;«, coni-E
nioetreto in Pig. -1.19. In qileeta. sit-uexioiie, le regioni di source e dreii;
sono ieolete del siiba-strato di tipo p e, di eoneeg1_1e11ze., tra i loro riepet-
tivi 1:er'1r1i1ie.li non puo scorrere alcilria. eerrente. Si noti? inoltre, che noi;
puo scorrere alcune corrente né tra eou1¬ce e eiilietr-e.to fieoiniessi alle ere-ser.
poreiirieleìl iie, ai rneno di una piccola corrente inversa di 2-zzfitiiierioiiel tre
oreiii e eue:strat.o le- cui giuiizione polz1.r-ízzate i11vei*ea.111ente.
ln conclneiorie, ee le tensione e,pplieet.a,- el gate non e eiiíiieieritenieiitri-
elte per ereere un e..-rmele di eler,troni ella eiipeifieie del eilieio, i que1;trc-
terinine-li del tre1ieietor'e possono essere coiieideniti non eoriiie:-:ei eleiìtrice-
niente.
Si eorr~',~ic:le1'i edeeeo il caso in cui al gzate eie epplirzete une Lerieione
r1iege;io1'e di 1-51-HU, eerne iiioetreto in Fig. 4.20. In questa eitiiec-ione: le
superficie del silicio p1'eee.n†.e. uno etreto eigiiificetivo di elettroni liberi che
prende il nonle di orme-le e elie di fatto connette elettriceniente i tcr'roine.lì
(li eoiirce e cirein. In rrieriiere. fsemplieietice. È eonie eo 1-'i eie. une leiinine
r'iietellieo elie interconnette le due regioni. Tele connessione? in presenze
di nrie tensione l-*“}_j› 3- O, originec rnediente 1.111 inoto rli derivaii un flneeo ei
portatori rr1e.g;g;io1'iter'i ('elet'.†,1*oni:), oi-'ver'o une. corrente tre le due regioni
+:;ìiFF1_1ee. Inoltre: poiche tale corrente i11t.ereeee. eec.l11eiv:¢i1'r1e11te i terniirieli oi
eonree e drein, feeendo riferiniente elle Fig. 4.20._ seinpre

3(14
 Vo “-': Vrrre
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_ 0 F... V I) O
-5 :'¬rIf'-..¬~ 1|- D
. - ' ' - " - ._-55: " -. '-L"-5:3:-c-.-.2¦¦-w-:E-:¦:¬:¦:& '55:¦S:t¦:¦:-a-$:J5$$#:¦:i:-:k¦-:¦:5ÈiJ:¦:¬:F$$å¦:¦:¦:¦tt¦':J:¬.i:¬: '-ci
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Sub strato (Bulk)

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Fig. 4.19 - Transistere MOS a canale n con IT; <1 T_- |.¢.

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Substraro (Bulk)
fil Mi B -. _

V
_¢.__
4:- ~f.'I
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_y:[J \.†=L

Fig. 4.20 - Transistere M05 a canale n con Vie 32› T/É_«¬HU

30-5
 G

O\
Vo

5O <9 l O D l

X lr: = fs' =.†l_Vf_?= Vol Val /A

V5 2 VI;
""`* O
B

Fig. 4.21 - Modello del comportamento dl un transistere Il/'IOS a canale n.

ID Z 15 [ass
Si eornprendono a questo punto i nonii di “sorgente” e “pozzo” clari
alle due 1'e_:_e_;io1'ii cliíifilse, in quanto la corrente è ea.usa.t-a. da elettroni che si
spostano dal punto a pot-eriaìalc più basso (source) a quello a potciiaiale
più alto (drain).
La cor1'ente Ip clipeiide fa-*via.II1e11te dalla tensione applicata al drain ec.
in grenerale. È: ereseen†.e con lfi-l. Inoltre. poiché a.ll°a.nrne11tare. cli l-Q; cresce
l"e11tirÈ1 degli elettroni elie conipoiigono il canale, essa È: anelie crescente
E-on la tensione applicata al terniiiiale di ga.t-e.
Quanto detto prio essere sel1en1a.†.izzato con il modello eire1_1itale niostra-
to in Fifj. -1.21. che descrive il coniportaniento del transistore lì-105 a canale;
n. ll niodello consta di un generatore di correilte posto tra i terniinali
drain e source, eont-rollato dalle tensioni l-ff;-. l--“lp e l»-“Ig nieríliante la generica
fiiiie-ioiie non lineare
Si noti che l'°ei*fetto della tensione di elie controlla. la eoneentraeione
degli elettroni in un seniiconduttorc attraverso nno strato di ossido prende
il norne di efiel..Éo ci-i ce.-mpo e spieg;a llaeronirno l\-'IOSFET usato per queste
tipo rli transistori ed introrlotto a.ll°ini;›:io del presente capitolo.

4.4 Relazioni corrente-tensione nel transistore IVIOS

Conie de.sc1'itto nel paragrafo preeeclente_._ una volt-a creato il canale

di eondnaione inediante liapplieaz-ione rli una opportuna tensione di gate.
la corrente alllinterno di quest"ultin1o Ö dal-a. (nel Caso eli un tr'ansistorr-

.fillti
 Ve

=' ' --›' - i' gi ,- ':=: ==:<:<:= :=-

'fififl Vr
3-ø-3 È; ¬›_ È __ i

' ' ' ' _l -1 _ -I-Ln.=:

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.tt.__:::::'..::-:;:;.:;_1_____________ g . " -*f-U
Qt f Ig;-:I
_ iìiffnsa .
superfitis § + 7^*
iris-'cr'tita{:<;l-2.:) / la
-- H- -
regiene
sfliotata
Substrate (_Bulk_) p', .N.13
;- se_ ll'
i›
Fig. 4.22 - Polarizzaziene della regiene diffusa in un transistere l\;l'.*.OE.

È-TÉ\l'OS:l da un nioto di deriva di alcuni elet.t:1~oni dalla rc-gì.;.-:;e ii :_-_:_†

alla regione di drain.
:fel descrivere il fenonieno di formazione del canale. le stars eee ---'_-_
_:er il transistore l-"IOS, una tensione di soglia pari a quella riesi-ste. per
; eondcnsalaare l\-IOS, ossia pari a lf'-ifgü. In erl`et.ti, questo e vero solo in
_::'in1a approssiniazione ed, in particolare. solo filuaiido i terniinali di so1n'ce
e eul:›strato sono eonnessi alle stesso petenziale. Pertanto. per ceinpren-
iere appieno il fuiiizioiaarnento del transistore l\--IOS, deve essere esanlinato
§'eri`etto della polarizzazione delle regioni diffuse. Si proseguirà. in seguito
:;n lianalisi del canale di conduzione, dal q1ia.le si 1`ica1-'e1*a liespressione
Lella corrente di drain. ID.

42.4.1 Effetto della polarizzazione delle regioni diffuse

Una volta polarizzato il sistenia Il-'IOS nella regione di inversione: si ha

_; forrnazione di 11na giunzione pn tra la regione di substrato e la superficie
iel silicio. come mostrato in Fig. 4.22.
Liapplicazione di una tensione positiva. l-«*`._É;, tra la regione n ed il sub-
efrato prot-*oca un incrernento della carica Qd 11ella. regione di svuotaniento
L inaniera del tutto siniile a quanto avvieiie alla carica contenuta nella

307
regione di carica spaziale 1:; 11:1 diodo polarizz-ato inversanienteìf. Contern-
poraneainente. poiche la carica negatit-fa. 5.indotta da lr?-; si ripartisce
tra la regione di sviiotaineiiro e quelle. di in*~.-fersioiie. un aninento della ca~
rica nella regione di svuoranienro iniplica una niinor carica disponibile per
forrnare la regione di inversione a una data. tensione di gate. In altri ter-
Inini. applicando una tensione l-_.. le ll tra la regione diifusa ed il sul:›strate.
e necessario applica-re una tensione di gate inaggiore per indurre lo stesse
nuinere di elettroni nella regione di canale.
.applicando la tensione di polarizzazioiie int-fersa. l--É. il potenziale oi
superficie. in condizione di forte iiiversioiie. diviene ely. -_ Qop + li.. an-
ziche el. = Ze;-. in quanto sonnna. del potenziale superiiciale generare
dalla tensione ll-if; c del potenziale applicato direttainente al canale. Di
conseguenza. la rnassinia arnpiezza della regione svuotata. diventa

255- f2'f~l3'F -l- V-2

lldrrtorírl _ ' ,l _ T l
l' fll'3\.sB

e. la carica Qd raggiuiige il 1-alore

|,__ - _

Qui-rne-.r : _\.f'll2[l"~`5.:¦-"N"-_-=lB 'l' l.4'Tl:*l

Un ulteriore effetto delliìncrernento del potenziale di superficie e la nio

difìca della (_i.¢'1El} che. seinpre in regione di forte iirrersieiie. iI'.l"3-FI! .C-'nie le. :.:.

forina

_G , : tgüüp
.WB . _ +ìJ,_.c_ì
_. + 1. Qt.. 1?( 2 o.f_¬ ~+ to p
C? _
{4__I__l
' .-\ " - r
\.-'

Ultinia conseguenza. della pola.rizza.zione della regione diffusa lo spo

starnento delle regioni di funzionainento della struttura ll-'IOS in funzione
del potenziale di superficie. Ad esempio. sc. senza liapplieazione di une.
tensione esterna. nella regione di debole inversione il potenziale di super-
ficie. f -.;'¬›.. e compreso tra of e 2r_.-"›;:. applicande la tensione li... la stesse.
regione di funzionaniento È. carattcrizzata da un potenziale di supcrlicie
eornpreso tra qåt- + l-" '._¬_ e Edp † l-É.. eva-'e1*o da cip -si ei.. - l-“L ai 2-(af. Si-
rnilniente. la regione di accuniulazioiie si ha per el.. - lf`§_._ <1'. U. la regione di
sriiotanieiito per O -ai «;~.":›. . - l-ff; -si _;:e la restante regione di forte inzersieiie

*fi-ll i.-'eda alle scopo la [2.99} dove alla tensione di polarizzazione diretta. Hai. re
sostitnit-e. la tensione di polarizzazione inversa.. -l="'¢_.

308
fi-er tie - lil.. le F.In queslultinio caso. eonie iinplieitaniente fatto.
per serii.-ere eorrett-arnente le l:=l.69_)-(e1.Tl,l_. assuine ze." 2-of + l»-2.
appare a questo punto ci--'idente eeine la carica del canale. Q... non sia
_:;ii1 proporzionale a efi*-WT. nia piuttosto a el-“È-i_l“"l-*ll-""'l"""`FT. In particolare. le
relazioni c elie forniscono le concentrazioni di portatori in
= :Lperficie. diventano

=:=
_- f.
-._ _ _-" -'.-
|,_.' _|_¬ -_
n.([lj = I e.l~'-3'¬=° lr*-'lf (-»f1.r2l
la-'I J

I-' | _- -. lr _f

: *?\_.-*AB E-l_<ífl.f=-l*f_=.I_.-' lr {ì;L_f3}

e.-1.2 Carica nel canale di conduzione

Liapplicazione di una tensione al terininale di so1.u'ee e di iene; :-

:.~;- lfg al terininale di drain deterniina un potenziale locale. l'._¬ _ :-i-_; j Li _' :-: _
La regione di canale lungo la direzione delliasse y. Q1_iíiidi esfte:_';'
*_ -1-Ãl`ii1tei¬.-*allo lO. L-]. si lia

1-1. (0) = 1.-«ig -i..'-i.

i-1;. gr.) : if.-, {e.zs;~
si alliinterno di tale iritein-'allo il potenziale assuiiie un ¬raloi'e conipreso tra
'-" e l-dc.
Liii'ige la direzione deli`asse zi. il potenzìa.lc e ìnipesto dalla teiisione di
este. l«*".§;;. elie. coine già. descritto per il condensatore ll-IOS. si ripartisce
; una caduta di potenziale ai capi delliossido ed in una caduta di
_:-:íeiiziale nel seinicondiittore. rappresentata. dal potenziale di superficie.
_';;est`ultinio. nell'ipotesi di esistenza del caiia.le. e pari a 2e;.-. Di conse-
:;enza. eonie descritto nel paragrafo 4.4.1. liapplicazione conteniporanea
fila tensione if.-3 e delle tensioni l-'fg e lfifi. deterniina un potenziale di su-
; -;-itlrzie coiiiplcssivo dato dalla soninia dei due poteiizialì lungo i due assi
il riferiniente. ed. in particolare. lungo la superficie posta ad z _ ll. si lia

fa (al = Èee + le (al le-ffil

ll potenziale di superficie dipende. i:_1uindi_. dalla 1-'ai'iabile spaziale -y.
ie. eui dipendono anche la carica presente nella regione svuotata. Qi. e

3£'J.'_5)
la carica presente nel I:-e_:1e.'.e_ Q... Riscrivendo la in funzione ci
un potenziale di superficie -:ai*ialì›ile lungo l'assc y. si ottiene la relazioii-_
generale

- - _ _ _ '
iz: - l«"i¬¬e = ('.y.l ` 'l QC =
C!J.T

_.
zlfílsfyl - . ll-“2«*f-1..-\'
ll _ il lal
62.2.C5-Il
il -_
l:~*-lai.

elie. tenendo coiit-o di quaiito discusso nel paragrafo 4.4.1. della definizione
data dalla (4.49) c della relazione (4.76). (lit-fent.a.

I' z' r - -' r - f _'

'H
-1 'I
. 1.
CLI»

.appare ei-'idcnte elie. una tensione l--"}_;†. il modulo della densitš`-1. ci

carica rappresentata.dal terniine sotto radice) auinenta con l-"",..[-3,: _
ossia .=i*~.¬:it:ii1aiidosi al terniinale di drain. Di contro. le facile pi'oi.-'a.re che
il inodulo di Q...[_-yl diniinuiscc con l-"I.(jg). ossia at-'vicinaiidosi allo stessi
terininale. Di fatto. crea la situazione sclieinatizz-at-a in Fig. 4.2-3.
La (f-íl.T8) consente di ricavare la carica pre-seiit-e nel ea.nale_. Q.._(_j›:;]. Tin-
tavia. la relazione che in questo modo ottieiie È abbastanza complesse
da inanipolarc a causa della dipendenza. della carica Q..1[-y) dalla tensione
l-'Lt Per oto.-fiare a. tale c.o1i1plessità.. si puo seiiiplificta-i'e la. ipotiz-
zando clie Q_.,;[;y_) rnantenga lungo l`asse delle ordinate un valore costante
e pari a quello 1-'ali1ta.to in prossiinita del terininale di source. Qniiidi il
terniinc Q..i_[-ji_,f)..›"C.-`.._... si approssiina

_ l-il . ~. _.
ILLL
: _"If"t-“Gere + le (al e -fr ¬~.**"'3-<;“1›_›~= + iz; le-'f 5*

La conseguenza di questa seinplifìcazione e sclieniatizzata in Fig. -12;.

dot-'e la carica Q.g assurne un valore costante lungo il canale di conduzione.

fìicee.-'aride dalla la carica nel canale. tenendo conto della senipli-

ficazione efiettiiata. si ottiene per Q.;.(-y)

Q.. al _- -Ca la - (ra. + lai- + ¬i.~2f_†1›f+ ef) - 1~;.e.›)l (az

.› ._ ,Pd _
1) I

310
 'II5¦'¦I_'I _" I_"›I'›I
Il 'I '¦E5š=E5E5?g-Ifi :
i ì É e exe ,if È *i
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I.v'.'.\\|.\|›.¢I\¦"ifi":-:-_-_|_|_l_|_l_l_l| ¦-¦-¦-¦-¦-¦-¦- -: -: -: -:« .|.|.|.|.|.|.|.|.\|.\|.\| -:¦ :-_-_"-¦:¦' "~ '¦^':-:-.-:- .HqH"fl:- :- .›¦-. \- :¦ :¦ '<¦:3 |'-'|'.'J.'v.v_.¦._ ""':¦ :¦ :'H~\':¦ :¦ :¦=“= :- :- :- _ -¦ :¦!¦:¦:§:¦;g:¦ :-¦:!-:-¦: ¦: ¦: :¦:¦:¦:¦:¦:¦:¦ :¦ :¦ t¦: |¦'.''.'|' |'¢\'.|.' .'.'.'|\'.\' -:¦:¦:¦:¦:¦:-1¦:;¦]:¦:I!¦I:.¦'r.'-.\'. _|_|_|_|.:|¦¦|.:|¦:¦!¦$:¦:¦ :¦ :¦ :¦ :¦_-. : :¦ i :¦! t¦: ¦:" -:¦ :¦i:¦ F:-_ -_ 2
- “ '| '|l | ¦| | :l| | |\ " I.I.'i:¦¦¦:¦|¦ *aiz iz isä
.vZ¦IIf" :¦:¦:¦:¦:¦:¦:¦E¦i¦i¦:¦|¦5C`~¦E¦EE¦i¦i¦E"'E¦E¦E¦5E¦5-'ɬ'E¦E¦ifl'$¦ ;¦'¦i¦ii¦i¦i¦i¦i¦iic¦iii¦:kiiÉ;EÉii¦E¦E¦ë¦5¦E¦5¦E¦š¦¢¦ii¦:¦¦i¦i¦¦¦i¦E¦E¦i¦E¦E¦E¦E¦E'- ɦ_¦ :-¦ Y 1 I
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Source Qalr) _
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En-'ilotata

1 suea_ai_a f_jBui1<_i pg .m-1...

I _ fl.
I
:1,r:U '¬_,r:L

Fig. 4.23 - Disposizione della carica in un transistore M05 s car-.ele *

ll confronto del terrnine raccliiuso tra le pa.rentesi tonde della relazic-1-.e

-1.8-0:1 con la tensione di soglia. L"-'g¬;;U. definita nella a proposito del
::›ndcnsatore li-IOS. permette di definire la tf_2-ra-.sio-ne di sogi-in del zi-re.-n..s--if-sto-rc
_'-_-'OS' elie *~.-'errši iiidicata. con l-f'7;~;_;

lira = Ve-'a + 2=íì'r¬ + e"+ lf'l_¬* ti-lfill

Éara discussa in seguito la. relazione elie intercorre tra if;-¬;.† e HQ. Per
Q nioniento la definizione consente di riserit-'ere la [4.SU) in forina
~'¬-'-:iiplilieata

Qt [al = -C-la [Vo - l--'zii - l-'Z (ali (4-82)

":_e fornisce la densità. di carica accuniulata nel canale nel generico punto
ii ordinata fa
Oto-fianiente. poiche la carica del canale e coniposta da elettroni. la
5.32). da un punto di vista fisico. rnantiene validità e solo se il *~.-'alore
i QC(-y] e iiegativo. ln caso contrario. la carica Q.;l:;§t;) le nulla. Qniiidi. in
:edo più forinale. si puo riscrit-'ere la (4.52 1

311
 vi.
9
-1_.};, --1-f .- _--:---f:-::_¦--É "'- -'-' |"""'. r_- :¦TiiiFÉFi¦i¦i9'ifi¦iÈiÈiÈi¦š'iÈiÈiÈÉš¦EJiJšF=i1:- i*
';£_:L-32.'-fl',--'-_': '-I='="'-'55-"-'If' ',`-_ -'_ :'5L5E5EEiEE5E5E5E;E5E5E5E5£5E5E5£3E5E5='¦'='¦'¦' ...--_-_---_ 3.; i
V5 ;;.;.-=›_›-Fl, '_,..¢,¦.†---›1ê.¦=-'“ '_I' '-=-I'r_ -'.. .|-'-E-'.==.:i¦'
__'._-!,.,i_!';,,_,_-- J.. -':-:l†:-.'-›-:.',_'§-- -
.-.i-r.¦'__;_-.ki-.I-ij--.¬.1.-¦|
-.- -. .:-|-_.---¬-
12;-"¦:'-f__¦"' '11 §:L~i'-_ _': *_
--›¬-_ .
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=I-'E=E=55?=?=f=?=E=?5E?=5=5=i=i=i-š=
¦."._;='_r-:-_-;-1E-:-;-:-:¦':&L:¦:¦:f:1
'-¦-I-.|.. . ¦13;._:_:§:§:§i§1§:§;§1§é§$"-'-'-'-'
_ .___ .___ __i
" '||_-I-.'-'_ 1-_:E:¦:E:¦:¦!§¦E:§;§:§:§:§:§:§:¦1' 5 *
EE-'-C-'-Ii *ii Q
-I"-|'I'.'¦:¦:
I :;_.`_-_¦_-a¦:¦:¦.¦.-_.¦._-.¦
--Z1:-:E:§:E:E:E:E:E:E:E:§
I-E.i"`.å':†'.¬_-2
'17 5' I'.-'E." -' _ _ _ _'¢2ie;~'=¬'l*+tIšfs':f.=fi.=f=?š.
i3=1'i:"=" - "'-.-_¦.¢._.
“*È*'“*“*-¦'=' '3=EE5;-_ _'==¦_ =5-*E=5=E=E _..
. ___ __ __ __ _ _
A- _ P .. .

_ ' l _ pì -.---- ._ I _ [1

e'
Soerce /1 Q Brain
l ai ' 'n+ E 'ff
canale
anni-u-ui
íì__ín__u_;

regione /
svuotata

Sub strato (Bulk) p`. .-'\l'_.w

_- _ _ u.

,__

1-=
l l _ 'P
J-*=0 r=L
Fig. 4.24 - Disposizione semplificata della carica in un transistore M05 a
canale n.

- ai-.f - 1-fa _ tw* pe - I-aaa) > va

Qc : _ Il _ _ _ (LLS3
U Per lia: - l-"}_¬_ lil) “fi l-"ra

Esempio 4.8 4 4 ai _ _ _ _
Un i-iansistore la-'IOS e. canale n ha le seguenti caratteristiclie: tensione di lianda
piatta 1-"ffa = --- 01.804 V. potenziale di Perini ça 1-- = l§l.4l4\-". coei-licìente di effetto
body ff = [l.t'šUE} É* 2. [`ro1-°ai'e la. tensione di soglia per l-'55 = UE-' e l-"'55 = i_`J.i1o lv'.

Soluzione
La tensione di soglia del transistore 1405 si ricava dalla {fl-É1]. Per lisa = fl. si
lia
ldra* = l-il-¬.n -l- Èfiiie -|- Tf"\_-fil?-E-ÖF + l-""s'n =

= -il_É-U4 + 2 :<1 0.414 + tl.€'š{'l9 >< ~¬.,=”2 :-~< 0.414 I- U = tlfiiì V

Si noti elie. in questo caso. la tensione di soglia. coincide con quella di un con-
densatore l~.'lOS di eqiiiva-leiite fattura. Diinque. se if;-.fp = U allora lfrn = l/ii'¬Ho-
Nel secondo caso. in cui il source e ad un poteiiziale niaggiere. si ha
Vrnf = lfilee r † "_r"*\_.-'l`;'¢'_.*'«1'.›'-' * lee =

= -nana 4 2 z 0.414 esca z ¬...-iz z o..-iis J;e_ss = iv

elie rnostra eonie la tensioiie di soglia aunienti con l-ff..~1.~.

312
4.4.3 Regioni di funzionamento del transistore NNIOS

Le regioni di funzionaincnto del transistore lx--IOS si distinguono in i:›a.se

ela. presenza o nieno della densita di carica di canale in prossiniita delle
regioni diffuse (presenza o ineilo della carica Q.: nei punti : fl e jg : L
Considerando elie

ll/lj;5f = lfl; - lffg = lflj; - l--"ff, (O) (fl.-fi-l

ras = iz f : 1-42:»-.~-eretti_-' "-._ .-“*"¬\

|.[:¬-. -DE:*Ln `¬-¬_-"
I

'.í-. valutata nei punti -y : il c jg : L. diventa

-C-in Wes' _ li-'rall Pf*-1" l-"i:;_s' 3* l--fre

P1*-I' lf"'f;†.s *fi if-i 'H
-Cin l Wire - l-"FTH il Pf?-1' l"}':o ie lffra
em = U
4 ; _
11€*-I' l""c1;f_:› <1 lf"'.r'u _

ln base al i-'alore assunto da lf'2;.<.~ e da l-fm). si possono distinguere t =.

asi cui corrispondono tre dii.-'erse regioni di funzionaniento del dispositivo
_ Reg-io'rLe dif I'n.tc-rd-iz-rÉei'i.e < Erg) In questa regione di funzio-
narnento la deiisita di carica di canale in prossíiníta. della regione di
source e nulla. Inoltre. poiché l-"D 1;' l-"ff-.~. È: facile verificare clic È aiic-lie
lfljgp <1 l-*“7;~;.;. da cui Qctll-:l = O. Sotto queste condizioni. il canale non il.
forinato ed i terniinali di source c drain possono essere considerati ti a
loro elettricaniente sc.oiii1essi. La corrente tra source e drain e pertanto
nulla-_. ossia Ip = U.
__ Reg-io-n_e dif Trzodo o L-netto.-rc 5 .`;=- H e lfigp 3» - - In questa
regione di fniizionarneiito la. densità di carica di canale in prossiinita.
delle regioni diffuse e diversa da zero. Di c_onseguenza_. il canale c pie- 'II

sente lungo tutto liinteis-*allo lO. Li. La corrente ID e dii.-fersa. da zero c

dipende dalle tensioni T.-*'};¬;,f.-,f e l-435.
_'. Reg-:ione ti-:E So_t-i_ir'e_zio~rit-: 3*' l--É;-H e l--"hp <1 l-›"É'H) _ ln questa regione
di lurizionaniento si lia Q...(O) l ."
“i O e Q._.("L`) : U. Di conseguenza. il canale
si estende per un iritcrvallo ll). Lil con L' si L. anche in questo caso. la
corrente Ip e dii-'ersa da zero. ina prescritti un lczanie funzionale con le
" E

tensioni l/".›_;5 e Egg diverso dal caso p1'cccdci'itt¬†.

di
Tab. 4.2 - Regioni di funzionamento del transistore NMO5 in funzione de
valori assunti dalle tensioni ii†;_-;.¬ e l-fÉ~;~p_
Regione Condizione Q...{0) Q.;[L] ID
liiterdizione I if"};_~; -si l%H =U U
Ti* il
... _.I'

T1'iü£lü lffgg la VIII l="i__{;*_;_'.› :ie l--"'-1" H U ai

Satllrazione i-*Éj¬.-5 ì> l-“ij¬H lígp --ai l-'Erg i il :U .ge

Le regioni di fullziona.1"ilcllto del transistore l\--IOS sollo scllenlatizzat-

in Ta.l'.l. 4.2. Si noti clle si esclude a priori la possilililita clle si a.l:+l:~ia cor-
tenlporarlearnellt.e l--'L-.;.g <1 l-*“";rH e l-"ií;D l`> l-'Ép-H. Se cosi fosse al-*r'el3lJ-
llfp -11.' l-"Ig-. ed il transistore l\-'IOS opererebbe in regione di saturaziolle nl.›
con la rcgiolle di drain posta ill -y = O e la regione di source p osta ill -y = L
Il caso quindi ti ricolldllcillile al fll_nz-iollalnellt-o ill regione di sa-turazioll~
coil le regioni diffuse scalllbiate.
Da. un punto di l-'ista eireuitale. rìslllta conlodo rideíillirc ic condizioni c
fnllzionanlento delle regioni di triodo e di satllra-zione tranlitc la tension
lf1;›,5-. piuttosto elie t-lainite lfçp. Quindi. poiclle lffgp = l-2.15.; - l«"';;_ç;. l
colldiziolle lfgp la lfi;=H. per la quale il dispositivo lal-'ol*a ill regiollc c.
triodo. pile essere riscritta collle l--'hg «fi VTH. Di conseguenza. l'
colldizionc l-'p_--3; la l---'bg - l---*TH earattelizza il fullzioilalllent-o del dispositir-
ir; regione di satllraziorle. conle riportato in T.=.l.b.
Cfonle si puo dedurre dalla Tab. 4.3. lilla. volta fissata una tellsioll
li;-.:__«f 3> l-TTH. il t-iallsistore Il-'IOS calnlaia il suo colnportalnellto ill base e.
ralore assllilto dalla tellsiolle V55. In pa.rticola.re. definelldo la te-n.s-ioz
dr'o-tri-soli.-rce di set-n.-l¬u._.eio-ric. eonie

l-tossa: = lf*'t:.s -- l--"inf l rl*oo E".-""

per valori di lffpg bassi ed illferiori a. i-f"'D_5f_.-...,;. il dispositil-'o perlnane iL

regione di triodo. nleiltrc. sllperato tale l.-'a.lorc. esso entra in saturazione.
:fel seguito l--el*l“a det-ernlinata la caratteristica correllte-tcllsione de-
trallsist-ore M05 nel caso ill cui lffp5~ si nialltienc inferiore a lLf;;~...-=;†_.....,.. rica-
vando in llil secondo lllorilellt.o la cara-tterist.ic.a. coi'reilte-tcllsione nel cast
ill clli lfipg supera tale valore..

;ii.l.'f,{
Tail. 4.3 - Regioni di funzionamento del transistore NMOS in Funzione dei
-.falori assunti dalle tensioni l- '”._?;.f.5.~ e lfj;;›5_

Regione Condizione
lnterdizione l--*ip-.g.,† si H
Triodo lfgg le lffg si l/'(_;.~j-.¬ - iti;-H
su-tura:-iüllü lfijgg la if”-T-1";-g l/'rƒ]_f_-; la lf"Éj.†.f§_l -_ H

.._

_sempio 4.9
|_

ll transistore il-'TOS dcllesenlpio 4.5 e polarizzato coil i--'T5 = ii; = il T. li; = 1.2 ii'
e iii = iJ.If`›`i-'_ li-"erifiea_re la regione di filnzionanlcllto In clic _-_-ì 1:.:-.¬..=. se
l-1;. = l 1.-"T
J.
'H-.
--' oluzione
ll trailslstore li-IUS delleselllpio 4.8. per l---'fe : i'.-;_ lla i`_-_:.- = I_"f É ---_-_
e facile i-'erificare elie l«"i;;*_-; fi ll-"if-.-li: 1.2) fa H- .-_;i1:: l:l..'É- _ :T-L1'. :fif-I-::.;"_-_'_'._ Q;
Tab. 4.3. si capisce elle le regioni di funzionalnento possioìií ::.:_? ef-_' ...'_-.:. _ :_-
o il triodo. Poíellc. inoltre. l---É7_-q fi l-'};[= {J.3:l <1 l--};_-.-.-__..,._._› = l`.;.-.- - `-. '_-_:_- = Â ==
senlpre dalla Tab. 4.3. si puo collcludere che il trallsit-ore r¬¬_°.-'-_°.-=. “'12 “-3;; 1' -_ -
triodo.
}~lel caso ill cili l«*',-J = li-F. contilllla. a rinlanere l.-'alida la prilna col;='_iizi-.:~:le
la seconda dii-'ellta l-""rJ.s = l-"`if:«I:= il `.;=- l-"ln_£¬?..=-.1:1 = l-”i::.s¬ - l-"`i'H il-l-lil. lil f_j'_i-este
condiziolle. il trallsistore tlplfia. ill regione di se.tilra_zione.

4.4.4 Transistere Nl\rIOS in regione di triodo

lil regioile di triodo ta.iito la tensione. l-"”ij;_g.† elle la tensione i--"i;-;.r_3 sollo
1-aggiol'i della tensione di soglia. ol-fl-'el¬o l-figg `;> H e l-*fpg <1 l--“f[;›5f...._..
Le. deilsita di carica nel callale. Q,..(-y). descritta dalla rcla.zioilc
Ecresce all*aiil'nclltai'c di l«"f..[jg) (ossia. az.-¬.-'if_1il'la.lldosi al drain] forlnancio
1:. callale coildilttii-eo di elettroni elle pile essere iilllllagillato conlc nella
:sppresentazione tridirnellsioilale di Fig. 4.25.
Gli elettroni lilleri clle conlpollgono il callale llanllo. irl generale. una
Lncentraziolle dipendente dalle coordinate tr e y

ll. = ll. (.l'*-.pl i¦f_4_B9}

_-__lindi. la densit-il. di carica.

¬. puo essere ott.elluta integrando la con-
'elitrazione di elettroni (4.89) lullgo liasse lr. ln particolare. facelldo ri-

31 .fi
 _:'; = (l
bordo del 4?/ .:. = W
area 2 A drain . E

_\ 1 -:L

.r = O _¬ 1
4 if = L
- liti-l = Va

'Jc

bordo del
source
jr = 'U
l4~(U)= l-4:
Fig. 4.25 - Rappresentazione tridimensionale del canale.

fcrinlellto alla Fig. 4.25 ed ipotizzando elle. ill un punto di ordinata -y. Â
canale si estenda lilngo xl: da O a si pile scril-'ere

ir I: 'i.`.'l«' 'I
een = /_.. -ai im) da az
La densità di corrente di deriva elie causa il lnot-o degli clett-rolli nel
callale is orientata lungo liasse -y e. riadattalldo la. (l.t5l_l. puo essere riscrittz'-_
'llfUl'I'l{ii

. - d_l"l-ri .f _

..s-..,.l__;11a_l = en-.f.~li (1-'_ al E., = -«1ln.-.-n-- (II-f. al l_4-'èl-

La c.orreilte di drain. Ip. e otteililta integrando la dellsitil. di corrente
_',i.,._.. sillla superficie iilostrata ill Fig. 4.25

iiiclifl
Ii) : ƒ ¬'¬.fll.'.l.r lift: di-E
. :r=fl'

dol-fe il segno negativo all"iilterno delliilltegrale tiene conto del fatto che I;
scorre in direzione opposta a.l verso delliasse -y. Sostitucndo la nell;-_
(anzi. al ha
.- \_

:l:...tl_ .| 1 .F '_
If. : _p..._iiif' il -pri. (lr. 3.1) dz _.
(4.93
I
.l_-ci Ifl
'I -2
(lil
_

.fil fi'
c. tenendo conto della [-1.90). ottieneiil

_ _ _ di/I_.lj l _
ID : _ll-iii. Qi: lei)

lntegrando la {4.94':} lullgo liassc -y llell“ir'1t.crlfa.llo tra 0 ed L. si ricai-fa

L ..ru _ *

ED'-._.'-`l¦*-._-f
~ :“.f†U dll

lalla quale. dit-*idelldo per L c carnbiande la i-'ariabile di irltegrazione

T.É.(U) = if-'fgr e lfi;(:L:1 = l-'}_-rl. si lla

li'
fa = ~li...ì flVD'._. lo_. = ._ Q.. (i.«›f11-2-..i
_ .
m i.+@:ißl~
L-a. densità di carica del callale e data dalla [:4_ti2fjJ elle. eeei* _
-Liliil fornisce

li..-'fl F ,_ T .i ._ . ._' _ _
ID : PlnCo;l:í J f _ llifli '"“ LITH _ Le 2-1'-
' l-'11 ty] =l*'is

'__-_ cui solnzioile e

1 W r r . _? på _
-E-.l_}' : ›Li"rlC/ozrì lil/È? _ l"'I'II _ N. -I

Tenendo conto elle - = + l--ig) i---'Ip e clic l-È; = 5.-

+ i-'33. la
si pile scriifcrc nella seguente forlna

if' † _
Is = li--..e...ì ~ i›-aa ~ i-se i-1-99)
'.".e lnette in relazione la corrente Ip con le tellsiolli l«*”T.g.†_g_.~ e l»-hg.-. e con i
jsralnetri tecnologici e geollletrici del transist.ol¬el"l.

*La relazione [-1.9-'lìfl rappresellta la legge di Ohnl applicata al l-'olilnle di spessore dp

'_ Éíg. -'i_2e. ai capi del quale cade la tensione infinitesirna. di-il ln particolare. la
'-'-_+i_=tellza infinitesilna del i.-'olilllle ill questione e data da d.l'i'. = d*_i.l__.*i[-,i._f.._..il-"Q.._
*iii noti elle la tensione di soglia l--'H-H dipellde dalla Tellsiorle lffc II: l'l==_.'.s) e elle quindi
iìpcndc anche dalla differenza. di potcllziale esistente tra source e substrato.

fil T
 EUCIU l - -

_ : T, 2 3. :\.^:.-'L';.våš
_' Z I: E eturazi |:|!'=.e
-T: .'.¬¢-f; - :›~
.' V
15Du -

¬.

.|-¬.

É lüüu vG5=1_2 v . _
J;

4-
|
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- `¬-'es= 1.1”-J'
Eüu 1
4-

4
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' v,5-.eo '-:

r

-P

U --_†-- * ! 4 __ I 4
UU Q2 O4- (15 (JB lü
Vos W)
Fig. -4.26 - Curve del transistere NMOS in regione di triodo (p_.,1_C,3I(ll',Lì :
l.2n1À,-"'V3; V7-,Lf = O.$\-T).

La 1*ele.zíu11e nel piano Ip-É-f'p_5~, al 1-*a.ria1*e della. tensìelle H:

{:l«-'hg 3- lf;g¬g). rappresellte. un fascio di parabole czolleãu-'e pm-:saliti pel l :¬-
rígíne degli assi. c:U1I1e n1c:›St1'at0 in Fíg. 4.25. Oglluna dì q1.1ef-ate pe,1a,l:|ü|~
he. il p-111'1t.e di ma.eeí111c› che può essere t1'ova.t.o a11n1_1lle.11do la. clerívem dele.
(4.99) riepette a l-”]g;;f

flfg ll , _ ,¬
= Pfin.C-BLHÉP (V135 _ VTH _ VDS) : U (4 ln*
ÖVD5
e 1¬ìe11l†,e. det.e1"n1í11e.t.0 dal va.l01*e di l--"fmç ugL1a.le alla terlsìülle 1-*'_,1_j;1;_e5,.1_† ci-:*í1111t..
nell E1. Dì Cünãegllerlza. poiché il p1111t-0 dì 111e1e5í1'nc1 delìrllìte. le 1eg_{_1u1;
di fu11z-ìe1'1e.111ent.o di trìeclo e di ee.t.u1'.=:-1.-2-io11e. le. rele.;«;iene ee1're11te-te11e1e1:-
fernít:-1 delle. 4.99) I'app1'esente. il reale a1:1r.fl.:-¬..111+.=-:11t~::› della. eerrente eele pe:
ve.lü1¬ì di l›-"hg Irllnori di l-*hg-,-_.,.l.1_;___._ come evìdem'-lato in Fíg. 4.26.
Il luege dei putrltì di 1'1:1e.s:-sí1110 del fascio di pm-e.l;1üle cleserittev r.'1e.lle (4 Qi*
pllü essere 1;1*m~'e.tc› eeet.ít.11e11do í11 quest-¬L.1lt.i111a. V;,15 al poste: di lf}†;;5, - Hey
ed mitenelldo in qI1est.ü 1110110 il 1*e.111c:› di palebola.

-H. Cima: r'

nJ::E_2__Éf%ås f4iU1
r11ü:=;tre.tü e.I1eh?eeeü in Fíg. 4.25.

31 8
 U

In

GQ RA-fi:r5( Vr;_=;l
'l
V55 :
"_ O
S

Fig. 4.2? - Modello semplificato del transistore Nl\/IOS in regione di triodo.

Per una terieiürle lf']_;-5 piccola 1'iSpett<:› ei lf"}_¬,f,-›3 - l«f'ÉLf¬H, la (4.99) pui`.t›
-_---_-:r'1plìfiee1*ei in

If; 24 H-n.C-'Ue É l -""'c;f._~:: - lf'*1'¬H_) l-“Ds 14.102 1

:Le epprüseilllëi il cOI11pm'te.111e11t-O del transistore l\--IOS 117.011 quella di

:-1-sistemi-e. lí11ee.re c.ü1'1tI'Ulla.ta dalle. terlsiolle l-Q-_,¬_5~ di ve.lc›1*e peri e

_ l
.R.}_,r.f_J¢:
_' - .. (l*”l_"†Ql
:r;.. ,l I - - .- I.. II- l
lu*-H-.coarf ll"C}.S' _ l”'TH

ei il eui medelle eirczuiteile e 1*e-pprese11te.t-0 in Fig. 4.2T.

Le. 1*e_giü1'1e di f1111zi011a.II1c11t0 01:3. descritta prende il 11c11I1e di regie-
:_<?- lineare proprio della 1'ele.zio11e li11ea.1'e (4402) 0, di 1*egic›nr_: rli t1*inflf;›,
__'_'e=::e1'1«:lr:1eí alle-nalogia con le vali-*Ole †.er1110io11i(f.he.

šempie 4.10
Trm†e.1*e la eer1'e11Le di drein per un transistore NOS pele.1~isczl-ita em: lie' = 1.21-"
e l-ig; _ U.3V = l-fl; = UV). Il transistere 1:~reeent-e una tenf.-iiaiiie :li sugli:-1
H-H = [LTE "v". L11151, Capacità Clelliüãeidü (:',;a¬ = 2U31'1l7';"'f1Ir12 ed 111m 1I1cil›ílit:ä.;;._.l =
4fiÉ erng Le sue climelieiclni sono H” = 20 lun ed L = 1 pm.

Èzluziüne
ll t.1'e11eie1.f;›re I1-[OS È: eerieiiiente in 1'egione di trioclci 1':› lf'7l=H e l*'}.›_-=.- '11
i-"1-,›,~3;3,;1¢r}. 'Di +I:0†15£:g1_1en:›'.e., la ecirrente di ciraill è ~:l:~1t.:-1 (lalla-1 [4.É3}i3l}

H-' .
JTD :lle Gem? (lflirs _ l›"'-Tr; _
. ) l-'115' =
-
1 le (ie - e..-6 - ._
:eee >-f 2:13 - 11:1-Q e â >< ee = iee Lu..-4

31.9
 VD.f~.I : Vƒ.1S.wr
I +

ll'.;.1~.' 3' llíze;

| .-. ,- .-. ,_:. .¦. .-. . _-_' H' :¦'..¦'¦:¦¦|¦:¦:¦.¬¦.¬¦r¦:- .'¦. ':'¦.'¦:-"'¦:¦!'¦"¦:¦!'- ':"'-""'-
¬' '- . - ---'.-_..'f5-'..-¦:-E.i--.~:.'_"eI'.~g',._§.¦r-:1.;.. :.'-"-1'fÈ':=:ƒ.-'::§:=:=!5=='¢';
›-:='1-,*_=*.; :'..-.|.fiE.--:|š';¬';¦'¦rgF'
;-;e:.f:~e-:_†ç-¬.¢L_=.;¬.=_.1. '_ ¬4..a~_
¬|-¢',.'-. ..- -ap. .'|r ¬-'_ _ -. 3. - ' _i': -L ='.F-" "- " '-'-ìf¦›."'¢ -šII=EE4.¦-'-'›-I-"'= I!.'=¦ 'jšfì'-===9=fi;.-r:-Eri .-1 .== =?=š›I=š=

1 [5 si S3” _i__O
_.-
fà"

- Seeree - -.D1~eš£1_ _
E -I

nl: Canale pineh-dif _

1" `¬-f:
Q,-:___ [Iv-..|_.
_

Fig. 4.28 - Prüfilo del canale di conduzione in un transistore M05 a canale _'
per lilrlflå' : l”ll1¬É7.er:r.iE-

4.4.5 Transìetore Nl\/IOS in regione di saturazione

C`-enie dea-;f;1'ittrJ nel pe.re,g1*af0 --fl.4.2_._ la preee11za.- di une. tensiüiie l-*hg .`> [_
1'1ell'ip-stesi in cui l«-'};;¬; fi l--1;5¢_.a_f__._ fa. aseurnere alle densità. di eeriee.
Caiiele. QC{-yi), il preiilci Iricistrato iI1 Fig.
lleiireiieiiflo cüeta1'1te la t.e1'1si01'1e di Source, 1111 i11e1`e11'1eI1tU della te1:15i=ì:Le
l-1;._-; eailea- le di111i1111zi(:›I1e del Iriünlulo di C2,:(L) ed E-iceeiitiie. le pe.11de.11:;
del preñle del eei1e_.le di eeiicliiziene ehe ei flette ulteriorniente. Q1_ie.nde 1;.
t.eiif-iiüiie li-*};›_›g;~ raggiuiige l*bg;~_._;m; [_Cündizi0iie- in (torri:-;pc'iIideI1;:EL della quale 5".
ha. l›-'215 = l-fi¬H`), il te1'IiiiIie Qc(L) si allnulla. in prüeeimitii delle regiüiie -___'
di'e,iI'r e le.de11-eità di ee.1'ice di eanaile. Qfl( .=_'1e:5i11'I'1e il prüfilü eelieiiieltizzetì
in Fig. 4.28. Il eeiiale. pertanto, nel pulite di e›rdi1:1e.ta.;g = L-_. preeeiite 1.111?
.ei-rgggg-ing-n.t0 iii cui la- (fa-I'iea. ei e.1'ii11_1lle. elie preiide iiüiiie di piiicrls.-efi.
liiei'eII1eI1ta.11dü ult.e1*iü1*n1ei1te la teIi5ic:›11e l-figgg; ültre il valcire di l-fbgäf.
il transistere eIit1'ii iii I'CgioI1e di eeħiiiezioiie ed il pulito dm-'e le f;:.=_11-ii".-_
Qcl-3;) ei e.111ii1lle. om-ferü.il punte di pincjfli-ülilifl ei eillniit-eiiie. delle regiene -f;
clreiiii i'eggiuI'1gii11tlü il p1_111ti_¬› di e-1¬di11e.t-e. I.-li, eonie iiiüeifi-1.t-D iii Fig. 4.29. l;
qiieete, eitiiaziüiie. 111113, pü1'z;iüne delle teiieiüiie eede ai capi del ee.1ie}I
di eüiidiiziniie lfintervallü
. (l.L"
. e la I'e5t.e_rit1e P omiüne 11ellii11“r,ei¬,-'=_=.L.ll«:1'.› iL",lÉ_.
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340
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+ = * -i
E canale pinch-eff Pf
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l-«.es _ É'I :sa-.-l

Iìg. 4.29 - Profilo del canale di conduzione in un transistere M05 a Ceriale ¬

:Er 3” l'l9'_}5'a-:›:t'.-

É':|iel1e QCI.-i) = U. Ö facile ve1'ifiea.1*e, †.ra.n1ite la. 4.82), elie Lll

e pa.-1'i a
";;- - l›'É-gg. Iiieltre, ee1'.t.1'a.ei1do a. questa relazione la. tensiene l--Tg? ai ettiene

ll: (Lil _ lil; (Ul = Veri; _ l*"'i1¬ƒl = l"'lI›.€e.-a.i. lil-lüill

l._'.;i11di. la. perzieiie di teueie›ue elie cade. ai capi del ea.11a.le di ee1'1r;luzie:r1e e
_f 5-.Ti a. l«"':g5á-al. e di czciueegueiizai. la. teiieione I*i1'na.ue11te, il-41-;5 - l-**:gj;_5gm.;. eede
:::'iuteI¬.-*alle Il. L-l. eeme eel1eII1atizzat.e iii Fig_=;. 4.29.
l_-a ee1*1¬e11t.e ID i11 regiene di eatu1'e.zi0I1e e cleielìmiuata- dalla teueieue
.fi-'.«.~.¢.». felie eade a.i eapi del canale, la. quale iiupeue uu flueee di pertateri
áe†-treriil dal eeuree 1.-'eree il piiute di piiieli-nfii. Queeti, una velta. giunti
.:. 3; = Li. eeeie epiiiti 1.-'eree il dl'-a.iu dallielex-'ate eanipe ele†.t1'iee feruiie
Â."-.lla ea.d11ta. residua.. lf};›_g; - l--f;,1_ç.;~_.,.mf,.
La eerreiite tra draiii e Süuree e dunque i1upee1:a dalla eu1'1:'eute elie
-¬' ürre nel eauale di eeiicluaieiie e pue eeeere 1:-iea.i.-'at_'.a een uu p1*eeedi1ueut-e
'-.:ale_ge a. quelle gia dieeiieee nel pa.1"agrafe preeedeiite a. prcipe-site del Fun-
::uau'1e1it-e iu regieiie di t1¬iede. teiieiide eente però ehe. iii queete eaee. il

.§?ii_-ll
eanale si estende nelliiiirere-a.lle [ll L- f ]= e elie la tensiene ai suei eapi e pa-_.
F'
3» liflåsaii-
L~iespressiene finale della eerreiite si ettiene quindi dalla (4.99) ai.-†e1;i:
eura di ses†.ituire L een L' e l›"'T;:›_ç; een il valere di l-*'115-mi date dalla (4.55

;._Cl-l-l-F., T . __
fe = ll“c::.s _ l--"rfflå iål-1'~l

Set-te liipetefsi di ljransistere a eanale liirige. essia per t1'ar1sisl.eri een li:;-
glie;-Jaa di eauale, L, niaggiere di qualelie 111icre11, il piinte al quale ai-fi.-'ie;+
il fenernerie di pineh-efl' rien si discosta a-pprezzabilrrierite dalla reg_,'iene i.
drain. In questa Situaziene, ai può ritenere valida. lia.pp1'essin1ae¬ie1ie ge:
eui L : Li e riser'i1-'e1"e la [4.1U5')

;.f...._,Cü_.. l-if' _, - _.
“J I Trm-»14l»TH>2 v1.1» =
elie rappresenta liespressiene della cerreiite di drain in 1-egiene di sa†.u:;~
LI:-ieiie per rra.11sis†.e1'i a eauale liiiigri.
La relazione l:4.lU6) rivela elie, in regiene di saturaziene, la eerrer*_+
di drain e in-:lipeiident-e da. l--"D5 ed assume un valere pari a quelle i`er:-;-
te dalliespressieue (4.99) raliit-ata per l«f'§;_5- = lv-"°p,5.†5m-_. pessibile quir.i_
eeiuplerare le curve di Pig. 4.26 eeine mostrate in Fig.

Esempie 4.11 s . . _
Trevare la eerrente di drain per un transisiere BIOS pelarizaaaie een l--ig = 1.2 1°
e l-"'35 = 1\-F (l-'fe = = OR-ii). Il transist.ere presenza una i:.ens-iene di seglia
l--"'«;f¬_e : U.TEi R-". una eaparzila delliessirie (IT.-,I = 203 1iF_.*"c:i'r12 ed una niebiiiia ,f_.r.-fi =
453 L11112 fl-.-"s. Le sue diirieueieui sono l--'l-“_ = 20 um ed L _-- l urn.

Seluziene
ll traiisietere .R-'TLÖÉ È eerlza-irielilze iu regjiorie di Satiirazierie ilfl-3:5 'Je lfil-H e lf':;l_5¬= 12-
l.=";;.;:,=_s..¢:l. Di eensegiienza. per-ende appressiina.re L-l een L. la eerrente di drain e
dal.-a. dalla [4.1ll£i`}
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= 4% X 222 lil e in ;›<(1.e - e.re)- = isa un

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en 0.2 nc ae na r:
Vas (Vi
35g. 4.30 - Curve del transistere NMOS a canale luege rr C ¬ li L =
1.2 11i.4i,l“r\-É; l/Egg = 0.8 V).

4.4.6 lvleclulazieiie della lunghezza di cariale

La een'1plificazie1'ie L- = L' eiie†.tuata. per ettenere la (4106) dalla (4 lílii |

1.' crrnette di ra1_'›p1'e-sen†.a1'e la cerren†.e di drain in niede nielte ~¬enipl1ce ina
fjaecie nella inedellaaiene di circuiti ar1a.lcJgi<:i. peee ade-guata nel de:~.cr1¬~.'e-
:e il reale cen'1perta1'ne1'ite del trarisistere lx--'IOS in 1'e_f;-gieric di sariiiariene
:."ii'a.tti. lenalisi si.-'elt.a nel paragrafe preeederite r1'1estra che l eiiertiia lun-
cnezza del canale. L-l, dirniriuisee. alliaunient-are della iensienr ln., E
;_°iindi__ seeende la (4.10-5), la cer1'ente di drain aunienta (en la tensiene
'Q-;_5~. Tale lfenerncne preride il nerne di rri..ed1f.r.ie.e-if;›ne dr lle lrrrielirnaae di
-rn-ele.
La i-"a.ria.aier1e della cerrente di drain dalla l«"',U5- pue essere ciicleriziata
ie1'i*~.-*a.nde la l O-iill.

315 rr-..Cum _ _ _-7. rl 1 IL; dlll

-- _ _ l-il-"` l-435” _ H
l” _ - _ _ _ -l lil(
ÖVDS 2 L ' dlpglf Lƒdvgg { l

Peiclie la liingheaaa di canale decresce al crescere di lfgç; clßlƒldlflqc

e 1iegai.iva e -:f:ll '_,f_;;"'É:_:ll»""_f_;_-5; r'ieulta pe.siri¬ra. Si neti. ineltrc che eerne ine-
sfrate dalla 114.107), tra.ns.isteri cen liiriglierzr.-a di canale piccela risentene
;:1a.ggier'r1'ierite di queste feneniene.

335'
 Si pile ettenere 11;?-_ Ties-cri;-:ierie analitica dellieffette di 1“nedula-.rier_i-
della luriglireaaa di cane-.ie ;;:e:*ande ceine gia fatte per lieffette E-arl}.-' nei
traiieieteri bipelari. Ei efeeiida pertente in eerie di Tal.-'ler arreetata a
prinie erdine la cerrente I-__. erre-nende

i ÖILJ - _ . _ _
ID : IlJlr.fn_.:1.h_¬¬__ _
C' "1 G IT ¬ _ _
- _ il-*"j_¬;_ß;-_.;_;._¬¢) (4.10-e
L D *_* 2' = fi' .¬¬' fr. .E

ll prirne terrnine dell'espa11siene identifica la cerrente di drain ralutat 1-'_

per l*'];;›_g; = l»-'}_-,;~,5~m,;. essia quande L' = L. Di ce1'isegue1'1za. esse e pari alla
cerrente ID ripertata nella 100). Valutande la (4.l0T) per l=*'f5›_e = l.f",›_;›L_-;___;¢
e eeetituende il risiilta-te nella (4.108)7 si ha

ID If): /\. (lr ' lf"'T]jL§;_5mL_L)l

: il-"'irJ.H=l-"'11 57.5 ar l f ~ ('135

cle¬re. il terrnine À. definite da

1 dl.-
}`i=--_- 'L
L rl lffpg (-1 ll

È: nete eerne ceejjíc›iTen.re dal rr'rod*u.la-.zie-n.e di ce-nale. Tale termine pue eesere
cen:-;iderat.e cestante in un arnpie iritervalle di ¬»-'ariaa-:ierie della tensiene
lf-'bg ed e generican1e1'11:e ceniprese tra 0.1 e 0.01 1-"`"l.
Seetituende la (4106) nella (4.109f) si ettiene la relaziene finale del;
cerrente di drain ceri'1pre11si¬i-'a. dellieíiiet-te di rnedulaziene della lunghezza
di canale

le = _____l'l"nm"' ll-'iesf _ l-'†rH_l2 ll _ À (l"`Te.s _ l-""Ãe.s'.ea_l: l4~1ll

elie nei casi pra.tici in cui lfigg È: Inae;gieI*e di l--'];›_«5,¬¬._._.,.;._É, viene appressiriiañ-_
cen

lg e 4%? Li-;f_~_.5» - :egli ri -›» ,\i..«-rm)

›- _Ct};_ ,. _. _' _ __
rail-_
_ _

ll graiice della (4.111_) è ripertate in Fig. 4.31 dalla quale si neta. :'--
spette alla Fig. 4..ffl0._ l*incr'e1'r'1ente della cerrente di drain cen la tensie:'_=

Da. un punte di vista fisice, liiriverse del ceeificiente di niedulaaiene L

canale: lfli. ha le -steeee signifir:at.e della tene-iene di Ea-r'l}.-* trattata 1+-

324'
 2000 l 1 " - F: 1 I I

nccm.-'s1¢w_-'iivåp
-¦jí---- -
Tri-:ee -
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E-atu.-aziene _
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"-J" ='l.E~l-1" _
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Eri-. l00u _ -- - - Ves=l¬2V -'

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"-"es=l-9 V

0 _...--' I l I l ___

0.0 0.2 0.4 0.6 0.0 1-0

Ves (Vi
ìzig. 4.31 - Curve del transistere Nl\/IOS a canale lunge (;l_.,.C*.lrl"ll`-'L"'l =
1.2 ii1_a__r'¬¬.-'2; l«fi~H = [l.8V; /\ = 0.1 V`i)_

:apitele precedente. Pertantcn le rette di Fig. 4.31 tracciate in regiene di

_=atnrasiene._ si inceiltrane tutte nel punte l«~"];;;~ = -1,.-”)\.
Ceine si esserva dalla (4110), il ra.le1^c di .»\ dipende dalla lunghezza di
'_*a.nale e cresce al ridursi di questiiiltirria.. Per transisteri a canale lunge,
`¬. e nielte piccele (-'¬-« 0.0l_\-"'_1). Di centre, per trarisist-eri cen canale
ii 0.1 uni? À pue essere anclic silperiere a. 0.1 `\-""i_ ll valere di 1,.-U. e
1;uindi gencralrnente ceinprese tra 10 e 100 V, e. nern'ia.ln1ent-e. la cernunque
ìiferiere alle tensieni di Earlj,-' tipiche dei transisteri laipelari {_1_,«'l}\ f-fi

Esem pie 4.12

Tfm-ma la neri-e1ir.c di drain per un transistere fi-105 pelarizaate cen lf'l::.a =
1.2- 1-" e l›f"';;|5 = ll.-T (l-ff; = l-*fe 1 0).?). ll transistere presenta. una tensiene di
seglia. li;-H = 0.T"Ei V. una capacita. delliesside C-'as = 203 nF,-“'r:rn3. una inebilità
,r.f_,. = 401% r:.1112_r""~.-is ed un ceefficienre di nieduiazíene della lurigliessa di canale
A = 0.05 E-"`1- Le sue dinnensieni sene li' = 20 uni ed L = 1 unn.

šeluziene
Il transistere ll.-'IOS e certarnente in regì-3:4 :Z s›:-;:';:*aric›ne- l-iertante. tenende
eente della inedulaziene della lunghezzäa di 'â-_' '-_-T-_ ie. cerrente di drain e data

:f ._ I
r_J¬'L'J'_'
 dalla (4.11`l}

-†1('__-'...,,-l-l _ _ __ ¬ -_ _ ,_ _ ¬_
le = il _ ~___-_' ' _l _ À (lv-“'ri.s _ l«"esa.;.:.'j ¬

40" 2. - `I"" 2'- _ _ _ _

_ (gx gg 1L ;›: _ < 1.2-0.T0)2L1+0.05:><: (1-044)] _189u.4

Crime si neta, il risultate nen e :nelle diverse (errere del 2_'T*}i:l da quelle del-
l'ese1npie 4.11 nel quale la cerrente Ip e stata calcelata senza tenere eente
dell'ei'fette di Inedulaziene della lunghezza. di canale.
Calcelande la cerrente di drain cen la releziene appressirnata- (4112) si ettiene,
.l.ll.`l1"f:"lf_ÉE'

cf _ I-if _. _ _ _. _ _
fe ß gli-L -5 Llfe.s _ l-'"`TH)`3 (l + }\l-“esl "-

"-
eeeil E ii
ee: ›i O -9- se _
>< 1 >< (1.2-0.'í'ti)“(l+il.ilö ><: 1): 10311..-4.
_
1'

1-'a.lere_. anche in queste case. nielte vicine sia a. quelle delläesernpie 4.11 [errere
del 5%) sia a quelle ealcelate c.en la (4_1l1:} (errere del 2.1%).

4.4.7 Dipendenza della tensiene di seglia dalla tensiene di seur-

ee

La relaziene definisce la tensiene di seglia del l.ransistere la-'IOS

l.f;.=¬H. F;_ece W e rnelte siinile alla tensiene l»-"71¬,r.m definita per il eendensetere
'1_

1-'IOS e si riduce a qiiestfiiltinia. per lffg = 0, essia quande la t-ensiers

appliea.ta tra seurce e sul;ist1'ate è nulla.
ll.-'lettende in relaziene la deliniziene di l-f"';_r¬-HU data dalla (4.52) cen :_-_
(4.81) si pue riscrivere la tensiene di seglia. del transistere lx-105:; in lunzienf
della prinie. eerne segue
,ap
. ¬

l-nur = Visae _ ('\--"”2e5+' + Vse _ w'*"24>F) (4-1134

La 1'ela-z-iene (4113) definisce cen l«*':;¬Hg la tensiene di segliri del transi-

stere il-'IOS nel case in cui il terininale di seurce sia alle stesse petenziale
del substrate. Nel ease in cui la tensiene di seurce sia niaggiere di quel;
applicata- al substral_'_-e_. la tensiene di seglia aurnenta cen un andarnent:
che seglie la radice quadrata di ll.-_-5. ln questi11lI_.irr1e case, per ettene:-_;
la ferinazierie del canale di ceiicineierie le necessarie applicare una tensiene
inaggiere al terniinale di g.a_ie_

326
šsempie 4-13 _ _
Un transistere Il-11:15 a canale ri lla le seguenti caratteristiche: tensiene di seglia
1f7;~H'f_~. = 0.25 li-"_, petenziale di Perini 1-= 0.414 V. ceelliciellie di eilette lledj.-'
'fi 1 :P -1 1- 1|' r
'jr L 0.509 1-" '=*. Trei-'are la tensiene Eper la quale si abbia 1»'›;¬_q _- 1.5 if.
,_

:eluzierle
La tensiene 1-'isa per la quale si i-eriiica che UT” : 1.51.-" pue essere ricavata
il'li-'el'tende la (4.1 13). da cui
"J

_ VTH lfefrre - _
1::-Sir? i ( --.' _ + 1l\"'-lllI2{.Él=r'- _ 1

íl.5-0.175
= 'a + \,--”`2 la 0.414 - 2 la 0.414 = 2-5\-"'
0.ë'~š09

4.4.8 Transistere PNIOS

Le relazieni eerrente-tensiene del tI'a-nsistere Pl\--105 pesserle essere ri-

_;=.=.-ate da quelle del transistere NB-IOS sfruttando la dnalità. esistente tra
_ dlle dispesitivi. R.icerdande clic per il transistere Pl\-'103 la regiene di
irain e a petenziale piil basse della r'egieI1e di seurce (essia: li; 11 1-fc).
É-5.-:ellde riferilnente alla Fin). 4.32, la discussione svelta nel paragrafe 4.4.2
1 prepesite del canale di eenduziene continua a 1'na.ntellere la si_la ifa.lidit.e.
ai ill particela.re centinilane a 1-*a.le1*e le relazioni
La relaziene dilale alla (4.78) si 1'ic.ava. questa velta dalla (4.00) per la
:nale

1- =- - 1- Il 5', .__ _ r - C -
l-fe _ l-"Pe = 24-Ue + l-"ks (10 _ V"_ L2(-Dl-¬ + 1.401 _ 1*'-1-lìell
--fell:

-ri. appressilnande Q4(-y:l__.="Clf,.-I; cen Qd(:0)fC-'mf ei.-'re1'e, sestitilellde l--È(-3;)

ian 1-ff; sette il segne di radice)_._ si pile scrii-*ere per

C-la l_l"}; + lere _ Ve llfll PH-I* lfic + l-"ll 01.1 le _ lfra _ _

Qclišll : _ _ l*1~l15*l
U l31'31` _l-"TG + l-21.11 l *fi _l*".f'H

i fire

lfirrr = lfife + Efes _ ijl_(2<'.È>F _ lisl (4-110)

.ic-linisee la tellsielle di seglia. del t-rallsisrere 110.5 a callale p.

321'
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i ' _ regiene /' 0 E
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- 1- 1- .-n.¬
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1|,

1-_n._ _ . 4 in-___<1.
11»
}=0 r=L
._.

Fig. 4.32 - Dispesiziene semplificata della carica in un transistere NIOS s

canale p.

La definiziene delle regielii di funzienalnente si ettiene dalla i-†a.llltaziell-

della densità. di carica data dalla (4115) ill -y = 0 e jr; = L

_l/es _ Viral Per _ -"ie.s 3* -

ec (0) = TH _
(eli._
(:-`vIf.LI. ( I 1 _ _ I

0 1lei› -1-fz.~_+,¬ < -aa

crea: li" lfee
2 + 1'?-Hl
2 Per _l""'r;e
2 3'* _ lr'-ra
T _ _
QC = ' {_4.11`c~
0 P er' _l“l::e si _l5"rr

Si deiiniscene pertante le seguenti regieni:

1. Reg-iene di Iritrfr*d-lele-ll.e 5.;

<1 -l-"Ér-H_) _ }-fell esiste callale e ID = 0
2. Reg-le-nc di Triede e L-ifnerl.-r'e (-l-}_-_-5 _`:=› -l-É;-H e -lflgfggj. ia- -lena) -- l-
canale e presente lurlge tutte l`iilrer¬i'alle L). La eerrerlte Ig e rlii-*erse
da zere e dipende dalle tensieni li;-_-__: c ll;-Li.
3. Regierie di Set-lires~ie*n..e (_-ll;-__-r ì:-=- -1i_,--_,-if e -1/I5;_;5;1 «fi -lfɬfi:l _ Si ll
Q¢(0) % 0 e Q,:(L-) : 0. Il callale si estende per un irltervalle (0, Li] cen
Li -ci L e la cerrente Ip e dilrersa ie. _†;_=:*c-_

"\
Tab. 4.4 - Regioni di _':: :~;*e*:: del transistore PMO5 in funziüne dei
vaåüri asäunti dalle ten5š:"' H -_ 5 fl--_

Regiüne Cündizìüne
II1†_-€?1`£ii;ii~IfI'I';~ -W iìggfg -ii -i--*ɬH
TfíüL1l';'› _:-È' il-'=' -1 i-"ED '111 Vs'-_-ri:›_~m_i
S.-¢1.i:u1':;iziu›ii=e 7.:;-.;; 3:- -i__†H i---fgp 3- 1--"fgygsmg

Tmiciidü cmitü che -H; = Tf_:,f;. -E--"1;;p : ii;-,¢; e -1-11;; = 1% U:

dišzfiiiišiildü la teiisioiie sini1i'c:e-divaiu di si1ti1i'a.z-iülie 001116

1-*”`f:=›¬i:›.i.:i.f. = 1-"'f:;*f;:* _ WII {*¬"1-1153:*

È* facile *~.-'e1*ifif:are. che la defiiiiziciiie delle tre 1'€gi¢3I1i di fi1I1;«5iüI1a.I11(rIii.D Eicipihãi

=';=51:~üsi_-E È: equii-fa.1e1it.e za. qua_1ito 1*ipo1't.atn in Taln.
G:::›n1e: si iiota, la Tab. 4.4 È: fo1'1*11a.1111e11t-e ident.ic.a alla Tab. 4.3 [valida
per il tiflnsistore MO-S al. callale 11) a1. patw di -ai-ri-vc-:r't1if'f;f if-I .si-.f:fl_-:;'i'.r.+:› fini 15-'iiiifz Ecf
_*›:2i'i-.:~.*-ir:1'ri--i- rif-:ff fiisp0.5fi†-if-1.10. Q1_1est'.0 s11gge1*is<¬_.e che aiiche le c.n1*1*e11ti iii regin-
ue di triüdü e di sa.turaizi0I1f: possoiio 05501-C ricfzn-fa.t.c i11vf:1'i_e11do il seglia
riella tensiüiii dalle aiialoglie 1¬ela.zif_›11i va.1id<-3 per il tra11'1sist-aim N11-TIOFS. Tn
_:¬›a.rti-:.ola.re, la (=1.'.1]9] e la 4.111] diveiita-1'1f_i ris1Jett.ivaiII1eI1t.e

H' V5
Im = .@,[_1c*._.,_,;í (M + i»†ia»f_« ~ ”__,”) ww
_.' J'

(M20)
valida privi- la regiüiifi di t1*iodo_, e

" - ›- _ _ » P † _ _
In = U-"'_-§;f_í': + T-"'TH)2 il + À (__V_<;i_i _ 1-""_<;i:›_«m_›s}] {*l+lÈ1}

'.'alifl:~i pi-ii' iz-1 1'egic>I1e di seitiiriiziuiie e (:.ci1'i1pr›;-tfiiieiwi. cieliiefiettü :iii Iiiciiiiilzi-

rione della liliigiiefiza. di cfiiiã-ile. Difaiti, per il t-1^a.11sistm^e PIM-IO-S¬ il c::a_1ia.1i€1
f›;i1'1iia-tü di-1 laciiiiü clic si iiiuüvoiio dal souifc al draiii 1;: la cüimiitei In ha
'.'ers=t:› iigiiale al Iiioto delle cii1'ic1ic.
Ova-fianieiit-eç :-i-iiiclie in qiiestn caso, per la t.e.1i:?¬_io1ie di soglia, vale una
te-laziüiie _=_¬¬i1i1i1e alla. 1 13) clic :ii cittif;-iiie c01'i11'_iiI1a1.I1dü tm lüiü if: u5pressiU1'ii
4.65] E (4.l16fJ

LHTH = 1,»-¢m;, _ _¬_, (,v_--_à;}_%i›}_¬ + f'_2«:›;.¬) {«i_i22j›

_-229
dalla quale ai evinee Cile l7_f-5.; deiiriieee la teneione di eoglia. del t1'a11ai1o:=
l`¬.-*TOS nel oaao i11 eni eon-:ee e eiibatrato al¬.›l1ia11o lo ate:-ai-io potenziale.

Esempio 4.14
lfn transistore lì-'IOS a canale p ha le aoguoiiii earatieiieiiohez t-onaione di ban-
da piatta lf';.›H = EJ.5Ufi K'. potenziale di 1-`o1'n1i cap = -0.3951-Q ooofñoiente di
effetto ho›rlƒ»-' of = 0.558 1%. inobilìia ap .-_ 1552 e111È_.-Wie. una eapaeita de11*oaeí-
do (Tm : É-3U311F_fon12 ed nn eoefiieiente di n1od11la.:›:io11e di luiigheaaa di canale
A = Ií}.ü=5 V 1. Le ene dimensioni sono H--"' = 20 11111 ed L = 1 11111.
Trovare la tenaioiia di 5oglia.po1' a) V53 -' U lx-"_ e b] l'"_;~¬.g = -UJ55 V. T1'o¬~.-'are alt-re-ai
la irorrelite di 1_irain nel Gaaü i11 E-iii 'L- *'15,* = V5 = U \-"___ l--"";;G = 1.2 lx-"_ e. 1:] `l,_____SD : [13 T.
dl lfferi = l V.

Soluzione
La È-ollaiollo (li Soglia del t-1'a11eieto1'e Pl»-IOS, per 3= ill»-'T si t1'1_r~.-*a :lalla
I:-'l.1`l lil
. .F

li-"ìrfr = l-"ìrƒfo = V1-¬11 -l- `2<fi-"'›`F * 'I' 1/ " 'i`2-f.-ÖF ¬'- lie" :

= U.EiU5 - 2 2-<1 0.395 - 0.555-v' 2 >< U.3Él-5 + U = -0.73 V

hl Nel caso in cui V55 = -0.65 V. si può sfruttare la {=1.l22], per la quale

J' F' I' 5 I ." . |¦ .'

V1":-.f = l*"1"Ho _ “fi-" (\,f _2(.TH-¬ + l-"'H.'_¬.' _ 1,»-';_-3-f_F-'I--')

= -ara - 0.5-se >< (Je >< 0.395 + 0.6-5 _ ea -,K r_i_:1a-aj = -o.aa=11.-'
1:} C-alc_:olar1(l«:_1 la 'É-en:'-:done: l--"låëxa-ai = l-"i'5;+f_;* _ l-"if'1:«:| = U.¢l2-'V' È facile verifioa.Te che
il tra-neietore ai trova in regione di trioflo. Pertanto. per la 4.120, ei ha
1-1--' _ _ _
I11 = L1-pc-la-E O-"'e'U + l-“Tri _ l-".:¬'1› =
_ __ 9 >¬~_- T
=1aa><eo:1~w 20 :.~< (1_a-U-.-a--5;)
___ 0.3 ao-.1=:.~.1›.11a
_ _

d} In questo oaao il transistore ai trova in regione di aaturaaioiie. Pertanto, per

la -1.121- ai ha

In l 'upfm llfer; + l--"_TIf_l2 _ À ll"'fi;11 _ lf*'?_¬¬D_¢¬~a1ll I

-| u _ -É! . ij
= .1.5b il 3? lo a EP a :jjia _ arajr [1 + aaa a [1- oaei] = aa aa
èl _

4.5 analogia fluiclodinaniiea del transistore l\ݒ[OS

In qiieeto paragrafo viene j;›reee:;ía†_e '_1:1a11alog;ia i*l11idodi1'1a111i-oa ntif

per rneglio oornp1'e11rlere il fumi-I-:e.:e:í-;'› del cliepoaitii,-'o da nn punto rf.;'
vieta. intuitivo. Lianalogia vi›;-:';~I- :_ -~ì-5:'-titata per 1111 diano:-iitivo ideale pei*
il quale ai alìbia lf”l›¬_B 5;' U. 1:1; 2  1 _ 2 O. Sr1t.to qiieate ipeteei. e. faeile
verilieare elie anche If-`1›¬H 2 1'] e :-ie. per N35 1:- l-*'f§¬H : U, ai ha la preaenaa
di una eorrente.
l`~lell*a1'1alo.e_,*i.~a. in eean-ie. gli elettroni ven,§_=~;o11o ooneiderati eonie un tluido e
la eerrente. di eorieegueiiz-ia. viene a.-?¬:?=11111a eorne la portata di qneeto fluido.
oeaia. la quantità. di fluido elie ee1;1r1-12% attraverso una aeaioiie di eenduttere
nell*unìt-a di teinpo. Le regioni di eouree e drain oorriepoiidono a due
:serbatoi inolto grandi idealnieritedi eeteiiaione iniinit al e11t1'a.1nl1i riempiti
iino ad 1111 eerto livello. Poiehe i aerlvatoi -sono di eat-e11aione infinita.. d11ra11te
n11 ragionevole ternpo di oaeervaaione_._ il nioto di lluido da un aerlaatoio
alllaltro 11o11 earnbia appreazfiabilrrierit-1;: il loro livello. ll livello eoeta.n_te del
íluido rappreeerita il pol_e11zia.le elettrico applicato alle regioni di eoiiree e
1_lra.i11 elie ai niantiene eoeta.11t.e 11o11ost_a.nte il Iaaeeaggio di Corrente. l due
serbatoi aono eeparati da un pìatorie ehe corrisponde al e;a.te_. eerne nioatrato
i11 Fig. -1.33 inentre il poteriaiale di eilljiat-rato eorrieponde a.l “livello di
riferir11entol" della stessa. Figura. I potenziali a.pplica.ti sono quindi n1if_¬¬11rati
ver'-so il ba:-:eo a partire dal livello di riferiniente. In pa1'tieolare_, i pot-e11-aia.li
di aouree. gate e drain rispetto al substrato sono dati dalle. distanze lìfç,-H,
lriìçg e l?”',r;,a i11 valore aaaoliit-o mostrate in Fig. 4.33.
In Fig. ›-1.33 al. l"}†;.v - l*"f;:g - 5 Ö 1111 n111nero neg_;ativo e eo1'1'iepo1'1de
ad avere nel traneietore l--Q;-3 <1' O = l--""1¬H. In questa eituarsione, eo111e ai
oaee1*vafa.eilrnen†_-e, no11 ei ha la fo1'111.a.z-io11e di un “ea.na.1e" e, di e.onee.gg;11e.na11.
i due eerbatoi aono isolati tra loro.
Se ai i11e1'e1ne11ta. i11 Inodo elie líilçg = llbg - llgg diventi 11na r:111a11-
rita poaitiva fiaitilaaione eorriepoiidente ad avere nel tranaiatore l-f"I;:,g `:=› U =
l-'}¬,›†¬r). il eanale ai rietnpie di iinido, eoine rnoe-t1'ato i11 F'ig;. 4.33 (11). ll
eanale adesso eeiete Ina. nel ea-ao Speeifieo di Fig. 4.33 [l1_`J_. 11o11 ei oaeerva
.^\. IH. -P-.
'I'

aneora. aleiin paeeaggio di fluido i11 quanto l-«"]g;3 = l-f'f_=:;B. oaaia l--'gg : (J.
ln qiieeta. ait.11a.ai1::«ne la dietanaa eorriepoiide al potere:-iale di a11pe1*[i1T:ie
del traneietore e la. q11a11t.it.a di fluido presente nel canale e p1'o1:+oraio11a.le
alla distanza. llilj;-5 - Qiieatlilltinia eonaideraaioiie e analoga a eerivere
= C'aa~ll*'l::5 _ per il t1'a.1'1eiat-ore ideale eorieiderato.
Se la dietanza llfg; H viene inerenient-ata i11 inaniera tale elie la diilerenaa
lAfU_e = líilpg - lçfgg diventa una qiiaritita positiva. ai oa-aerva 1_1n paaaaggio
di fluido. eonie n:1oatra.1_o i11 Fig. 11.33 (fel. per il quale la dietanaa ereaee in
maniera nionotoria.. La portata inereinenra aìauinentare di lllng ina eolo
iintantoehe rirnane rriinore di l»-"gg, oaaia :linranroelie l›'}_j;›5f ef. l«*lj;,g;f.
 aerbatoio sorgente ,-,-_.- Vea Canal e serbatoio pozzo
I I I IIII I IIII III I II II
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1 di
Fig 4.33 - Analogia tIuIdoeÉ_'_e_':e :e "enzionamento del transistore NIUE

-u-
 Quando llbp diventa n1a.ggiore 'Ö-_; "_ r _ _ eonie tnostrato
in Fig. 4.33 (til, ogni ulteriore au1¬._¬.e:f_' -'_' '.'_† _; _ :'._'-renierita. la portata.
del fluido ed il flusso presenta tina _=i†'_'__'-_í'_'¬;s i; s_=.T'_::'azio11e. Questo eor-
risponde ad avere I-*'}_j1,g Ia I--'“f;;_5; l7_--_-__- : _.'_j_-_: - _ : li-;;_;-mt nel transist.-ore
ideale eonsitlerato.

4.6 Simboli eircuitali del transistore BIOS

l siinlooli eireuitali eoinunernente usati per il transistore lx-'105 a eanale

n ed a- eanale p so11o 111ostrat.i in Fig. 4.34. Conie si nota. a dillferenza
di t;1ua.11to aeeade per i transistori bipolari. la rapprese-nt.a.zione giaíiea. del
transistore 1-'I()S 11o11 e univoea.
l siinlioli eireuitali che rtieglio rispeeeliiano il reale eo1uporta.111ento del
dispositivo sono quelli niostrati i11 Fig. ln questo easo tutti i quat-
tro terniinali -sono el1ia.1:'a111e11te esplieitati e, per sottolinea-re la. sitnrnetria
eostruttiva del dispositivo rispetto alle regioni di souree e drain, 11o11 vi e
aleun segno graF1eo elie distine_;ue i due terniinali delle regioni diiluse eo-
si eonie aeeade 11el dispositivo reale dove la loro denornin-azione dipende
eselusivaniente dalla polarizzazione applieata. ll dispositivo a eanale 11 si
diilerenzia da quello a 1¬.a11a.le p g;1'a-zie a.l diverso orietitarneiito della f1*e-;¬_.eia
posta al terininale di substrato. Clic indìea il diverso tipo di port.a.1:ori elie
eritrano i11 gitittti nella forrnazione del <:.a.11a.le di conduzione. Questi sini-
boli vengono anipiatnetite utilizzati nella rappresentazioiie di eireuiti nei
inoderrii progrannni di si1'nula.zione.
ll seeondo insieine di sinilaoli cireuitali tttilizz-ati per rapp1¬ese11ta.re i
transistori ll-'IOS e niestrate in Fig. 4.3--1 Essi sono tnolto 11sati 11ella
pratica. i11 quanto inttiitivaniente simili a. quelli utilizzati per i transistori
l_t›ipola.ri. ln aiiibedue i Casi la re_e_;io11e di_ sotiree e eont.rasse_i_.j;11a.I.a_. da 1_111a
freeeia elie i11diea il verso reale della eerrente. Si noti ehe il diverso orien-
tarnento de_i d1_1e dispositivi 1'ispeet:hia qiiello eorniitiernente adottato nelle
rappresentazioni eireuitali dove si ass11n1e geiieralniente elie la eerrente ha
u11 verso tl:«1.ll°a.lt.o verso il bassi). Tali sirnboli. tuttavia. presentano l`ineon-
e;rue11-za di non porre in evidenza la siininetria eostrutt-iva del transistore
3-IOS rispetto alle regioni di souree e drain.
Un terzo insieine di sirnboli Inolto utilizzati ec 1nost1'a.to i11 Fig. 4.34
Questi siniboli sono del tutto siinili a quelli di Fig. 4.34 la).fatta eeeez-ione
per la nianeanza del terininale di substrato. ln ei'fet.t.i. eonie diseusso nel
pa.1'a.grafo 4.3; per evitare la polarizzazione diretta delle gitinzioni D-B e S-

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Fig. 4.34 - Transistori ?.ÈC..E e s _:: : ':_ :sf corrispondentl a S|mme

tri-::o con terminale di soi:_:s:'s:: : -ls __e:'fi::- con terminale d| substrato
(12) Àsirnrnetrieo senza ttt"
-_e___ '_= e_ _¬ _____'_._
= -=- 1" _.*' Simrnetrieo senza terrmnale
di su hstrato.

-1
 __4__O
fa

-.- _' = i +
- ¬-- I
-r I'Ini

': o
Fig. 4.35 - Configurazione a source comune per un transistore NMOS.

B: il substrato deve essere n-1a11te111_1t-o alla tensione più bassa possibile per i
tra1_1sistori_l~ll\-IOS ed a.lla. tensione più alta possibile per it1'a11sistori Plk-IOS.
ln r.1uesta-situaz-ione. liindicazione del ter1ni11ale di siilostrato divent a quindi
una scelta pleoiiastica., che gitistilica la rapp1*esenta.zione di Fig. 4.34 (el.
Un ultirno i11sie1ne di siinboli per i quali si evidenzia. la siintnetricitii. del
dispositivo e dove ri111a.11e iinplicita la connessione del substrato alle linee
di aliinentazione del circuito e inestrate in Fig. dj. Questi ultirui
sono prevaleniternente usati nella rappresent-azío1'1e di circuiti digitali.
Nel corso del presente testo: farà prevalentetnente uso dei sirnlooli in
Fig. 4.34 (cl. usando quelli di Fig. 4.34 (li) solo nel caso i11 cui deblia essere
esplicitato il terininale di stilìistrato.

4.7 Curve caratteristiche nella configurazione a source co-

mune

Le curve preseiitate nel paragra.fo riportano l"andarnento della cor-

rente di drain, Ig? in funzione della tensione I»-"U al variare della tensione
l-"}_-;5. Queste sono niolto siinili alle curve ca.ra.tte1'istiel1e nella configurazio-
ne ad einettitore eo1n11ne ricavate per il tra.nsistore l:›ipolare nel parag1'a.-
io 3.55 e vengono dette c-nr-tie cr1_rot1íe'riat-iclt-e nelle. corijig-11--rea-i.o-n_.e a. ao-arca
corri.-an.e.
Esse i11 particolare si riferiscono alla config1:u'a.ziene eireuitale rnestrata.
per 11n transistore l\l1\=lOS._ in Fig. 4.35 nella qiiale il dispositivo e connesso
in niodo da realizzare 1111a rete due porte con la porta di ingresso cotnposta
dai terrninali di gate e source e la porta di uscita dai terniinali di drain e
source. La coppia tensione-corrente elie caratterizza. la porta di ingresso is-
forrnata da lflçg e If; tlove, ovviarnente. la corrente di gate e 11ulla. La porta
di uscita e invece caratterizzata dalla ceppia l',_r__1__;-ID. Le curve. quindi:
in rnaniera concettua.l111ente sitnile a o1_1a::|:- ff.isc11sso per u11 transist.ore

5'-;i'-5
 ÈUUIJ ' I I' I I
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I. .
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E I/V o1 cir:

“É-_
U ' ' ___ I I I

U_U 0-5 1.0 1.5 2.0 2-5 3-|§i

VosIVl
Fig. 4.35 - Curve caratteristiche di un transistore IVIOS integrato flfifg =
U.'T"-51-"'; ,rr--,1_C:”._;.í. = 95 _L1..›'\J.="'\-Q; l--I-'"' = 40 urn; L = 2 uni). I-~“È;;5_~ = 1.001'
1.i'l5`v'†, 1.1111.-F, 1.1514, 1.2-IIJV.

l;ripola.re: rappresentano la carat-teristica eorrente-teiisione della porta rií

uscita. al variare del parametro della porta di ingresso.
ll11 insieme di curve? per differenti valori di tensione lflfgg. estrapolate per
1111 transistore l`~Il\›lOS integrato. e riportato in Fig. =-'l.3If5. Come si evidenzia
dal graíieo, le curve reali sono molto simili alle curve ideali ot.tenute dei
modelli ricavati per le regioni di triodo e sa.turazione nel paragrafo 4.4.

4.8 Pvlodello di piccolo segnale per bassa frequenza

ll modello di piccolo segriale dei transistore Ik-[OS si ricava seguendo la

si.-essa procedura sviluppata per il transistore bipolare nel paragrafo 3.12'.
e fornisce un legame funzionale «ii Tino 'ineare tra le variazioni delle va-
riabili elettriche (eorrenti e †_e::sì~;:_i í:'_fcren1e11tali o di piccole segnalei che
caratterizzano il co1npo11e1';te :-is;-sti _'_- ai punt o di lavoro.
111 questa sezione si 1'it'a¬-'eni-. il ::.: jiefil-_? ci piccolo segnale del transistore
li.-'IOS i1r regione di saturazi-:¬;s- ssssni: :gesta regione la più significativa
nel caso i11 cui il t1*a1'1sist|_T.:*_e si-'-_ ';'_i_f_*::-_t: per la rea.lizza.zio11e di ampli-
ñca-tori. '1`ut-tavia. sovente É ': __s__¢'_ É-ÃUf:i viene tttilizzato anche ir.
 1:'-;i.=i I
_ _ . - _* ,P.ù|J_{!*J

flTic __' _-' -rT“¬ +

vaari
l«`r'.'_t':fl I V55
\ Ir"-.§_t _: T
K _ I
Fig. 4.37 - Circuito per I'anaIisi di piccolo segnale.

altre regioni di funziona.mento_. corue nei circuiti digitali 11ei qua.li e fatto
cornrnutare tra la re.gior1e di triodo e quella di interdizione) o quando e
111;-iliz-zato come resistere coritrollato in tensione [lavo1'a11do in regione di
triodo come n1ostrat.o in Fig. Poiché i11 questi casi risulta. utile a.vere
un`adeguata modellistica del dispositivo. essa verra discussa nel pa.ra.gra-
fo 4.102. partendo da.lle considerazioni svolte in questa sezione e nella
successiva 4.9.
Utilizzando la riotazioiie ititrodotl-a. per liaiialisi di piccolo segnale e eo11
riferimento al circuito di Fig. 4.3T_. si possono scrivere le relazioni

'E155 lt) I lf"l_';f;-,¬ + 'tigs (--"1.1É3:i

'Uo.slf-l = Vara _'1~*aal_ll (4-124)

'igjiltl = Ip + 'ifgltl [4.1È.=f1:]

con evidente significato della simliologia a.clotta.ta.1”:*.

ll punto di lavoro del transistore Iirnposto nel circ1_1ito in Fig. 4.3? dai
generatori di tensione 1435 e I--119), che indiclieremo c.on Q. e caratterizzato
dalla terna di va.lori (l«-'};_ç;_. I-135, In). Esso. da un punto di vista. grafico,
rapp1'ese11i.'a. un ben preciso punto posto sul piano l“}3_5†-Ii; mostrato in
Fig. 4.36.
1:11:-1 volta individuato il punto di lavoro del dispositivo. si puo limitare
l'analisi solo alla variazione delle grandezze elettriclie rispetto a tale punto.
a condizione che il dispositivo pernianga nella regione di sa-ttrraz-ione. Si

mfii noti cite la corrente 'ig È: nulla., alnieno per quanto riguarda il rriodello di piccolo
segnale a bassa frequenza. Trat-tando gli effetti cepacitivi verlra che la corrente In e
nulla: ma che puo esistere una corrente di piccolo segnale. ti,
diversa da zero.

at
ipotizzi, quindi, clie le ten-si~:~¬_*|i llj,-:_:,; e lf;j›_¢,' siano tali da polarizz-are il trar_-
sistore in regione di saturazione fin 11n punto di lavoro e che i segnali
ternpo-variant.i -1f_,,._,.i,tfJ c 1'g_._- ti siano suflicientemente piccoli da 1na.ntcner=_
il dispositivo ncll`int-orno di questo punto.
Omettendo nella trattazione che segue di esplicitare la dipendenza dall-_=_
variabile temporale, t, si puo riscrivere, trarnite la i:4.l_ 132), la corrente ci
drain

. Gfl_T 11"? _ _, _

l-D : ('I.*.;'_;f,_c - "IL-'-]¬H)2 [1 -.L Àt-'ƒ),<_-;_l t`»“1.12I.i

nella quale la tensione di soglia. 1.111151 dipende da -1_:_g,5› trarnite la 4.113)

¬
,ì-rue la
I' " 1

1-*rif = Ifirae + 'fr (v“`245r¬-¬ + vsa _ ¬~.›f"'f3t-*51~¬) 'Ã4-4?'

La corrent.e di drain e quindi funzione delle t-re va.riabili 1.1,g;f_g,¬, *1.=,†,1_ç; s

-'r.1_«;.~_.g e puo essere sviluppata i11 serie di Tag.-*lor a.1¬rest-ata al primo ordinel?
Pertanto, i11 accordo con quanto disctisso 11el paragrafo 3.12, la corrent=
incrementale di drain assume la forma

_ Öíi Öli ƒ; I _
Gi: ì I ' Tùå ' + ' .Usb (41 1 2 è

ifll.-i[;_5* Q al-ID 5' Q (:I'i`__-'SB I Q

che esprime il lcgarne fL1n_z-ioiiale di tipo linea.re clic intercorre tra la vs-
ria.zio11e della corrente di drain, --id, e le te11sio11i incre_mcuta.li f11,,_.,, 1__1,,i_, +
-1_=_._,[,.
Da un punto di vista eireuitale, la rela.zione indica che la cot-
rente increinentale di drain, -ig, è fornita. da.lla. sentina. delle corre11t.i di tra
generatori di corrente pilot-at.i rispet.tiva.n1e11te. dalle tensioni -'1f__,,._, , -1.=U;,, e -'1_*,;._
come mostrato in Fig. 4_išå~2~. Ovvi_an1ente. da.ll"osservazione del circuito in
Fig. 4.118. risulta anclie = -id.

l“Data. una funzione di tre variabili. __fi:.1¬. 1;. al lo sviluppo in serie di Ta_vlor attorno =_
punto tra, 111;., za) arrestato al primo ordine e:
I _ _ _ _-;r. :`= _. . _
_, |f.z,g,i, m j[:r.U, ya,_za__I † ___" -i___;1* _ ;1'..;ii-r-
- .f

_|_ ålƒi',-_1:,y.z__| _ _ -:-*_* .r._=',f- __ ,__

I 1-1 I -._ _ ._ i F I'-fi' X '-:il-'J
Ölftƒ :=z_ U: ' :r:=;r:.3.
_-__-I l!'=ÈIf_l
3 -:- 3=r;f¦

K
 G O _ 1 _ '_' O D

Fil* -"T __t :tit .t.

- - allris ,E __ avea -fe alisa Q
s O ii '
-I-

l~_.v.ii

BO

Fig. 4.38 - Schema di principio del modello di piccolo segnale per un transistore
NEVIOS.

Poiclie il modello di Fig. 4.38 presenta. un generatore di cor1'ent.e pilot.ato

da.lla t.e11sio11e a.i suoi capi le che quindi si comporta. come una resistenza.
di va.lore pari alliopposto della sua transconduttarizall, e delineiírdo

di- U
af m, : ¢,,_,G5_ Q
,í l .
1 l

ai_, ,_, _1 ,
-ta = -i'
3,955 Q I 4.130 l

di- _ _
1141.1. = - :BO =.1_1:n}

si puo scmplificare lo sclicrna di principio di Pig. 4.35 ;-2'; ;_'_.'†-- ' -'_ Fi;
Éii not.i elie il generatore associato a - 1_..=_..b è stato i1'-.-.-r_-:-'_i*_ *; ;_'; __ -;:-
mjne 1,1-,.,.,._,1, viene definito come de1'ivata. della corrente :__-_- -.:__': _* _-_ ; †-- -.__
ie facile veriiicare che quest.a doppia inversione e 1_1n_ope:'_>.: _ -;--
nei confronti della corrente

ll termine _g,.,., prende il nome di tritrns'e.o'nd-11.tte_.-rtzn ci _ _~ _ _

dal tra-r1.a-iatore e si valuta sostituendo la l_4.l2ti_l nella (_-1.1214 _ 'C__'_'
t1_1t.ta.via., sempliiicare la relazione della corre11t.e di drain ed a.ss1:1:;e:-_- ___
sotto l_'ipotesi di À piccolo._ la. [4.l'2lf›,l_ si approssima con

_ .U1-- C l"l"_ 2 . . . -.
il-l_.? E ltšgg* - "t.?-Tg) lí4.1d2,,|

5'39
 co , 4 E-ti On
-I' -I'

V_g,e L I ,E l † g;'r1i'›l'_aI:' rr." _lf_r1`.~5.'

s ore 4451
+
_'_.1'1"›

B Ö

Fig. 4.39 - Modello di piccolo segnale per un t ransistore NIVTOS.

Qtiiridi, il c.a.lcolo della transc.o11dutta11za di piccolo segnale del transist-ore.

val11t.ata. nel punto di polarizzazione, Q, risulta

_e.¬»,_ = .
ti aiE ci.___ 1
l'1.-*(12.5* _ 'I-TH)
2 -_ _.
= il-a.(__.-.;a.=_ ll"es _ lfirfrl (4-13-il
. _
rZl?J¢j;~_g 2 L- Q L

Generalmente, e più utile esprimere gm in funzione de.lla corrente

drain, Ig. piuttosto che mediante l--'L-.«_g.y-l-“7;†H. Cio si puo` ottei tere valutano:
' n el punto di lavoro, e ricavando l-*"Iç;_g - l-ff;-H
la (4132)

lf"c:.s _ l-“tr-H : xl ,._"_ _ _ (4.13.-;

' -.i r..

che, sostituita nella [11.133), consente di ott.enere

|____

.grrt : ' ." Éil-*_-¬11.(:'To:1:_“*IL} (4.13š

~ L

lulnlulteriore espressione cii _g,~_f_. ricavabile t-rainit-e semplici passaggi sé

gebrici. che talvolta puo risultare utile per la sua forma analoga a. q11e_.I:_
ottenuta per u11 transistore iiìpc-le.:-e.

21;; I -_- _ _
aa* . F _ ` 4.l3c
ì.-"_G'¬E' _
 ll parametro -11,3; prencis L 121;.-_* -.iii res-ister1.zr1. -ir1.t-r¬'irtsr'fcr1. di r1'rr.1:in. e si
valut.a sostituendo la I:-l.lÈ'__1 ;e;:-. 4.130), da c11i si ottiene

l'_ a = ,iu1'c:_-'_r _ I _1 =

l .« _.
: 'i_. _ - - .-1 L4-131')
(Vos _ lra_l`

che, tramite la relazione approssimata della corrente di drain (4132) va-

lut-ata nel pu11t.o di lavoro, risulta

1
_.,. a : MD
____ 4 13%.]
l _ , L, _

Infine. il pa.ra.111etro 3:}mi;. prende il nome di t-ru-n..sco-r1d'u.1Èto.r1ze. ci-i. ejjfetto

andy, che si puo ricavare riscrivcrldo la. (4131) nella forma

at. tir' a _
fl-'rrili : : -Tg _
'-'lfisrs I Q C_l'l«"TH Q Ö1-*.é›' a Q

c risolvendo separa.ta.mente le due derivate.

Usando per la corrente -ip la. (4132), e facile dimostrare che il primo
termine della (4.13iJ) c esattaineiite pari a. gm 1-_'_. ll secondo ter1ni11e si
ottiene tramite la [4.127)._ da cui

(_ WH - 'f (4,140)
€31-*.s"a .e \.f2fÉF _ l-"isa
Quindi, la transcoriduttanza gmb assume la forma.

a ___ a _ _ 'iz-*'2›
_.
-¬,,.f'_'I_§lr,f_"1_g:¬ -l- 1,95
la - iii)
'

Come si evinceriä. dagli esempi numerici, il va.lore della t.ransco11dutta11za

_-,_1,.,,;, _e sempre rr1i11ore di gm ed e, in genere, circa il 10-20% di q1_1esti1_1lti-
ma. Nella pratic.a., sopratt-utto per u11a prima analisi di 11n circuito con

llDeriva11do la [4132] rispetto a 1.1-1-H si ottiene. a meno del segno, lo stesso risultato
:ec si otterrebbe derivando la espressione rispetto a. -t.¬r;;_g.

al 1
t†*a.11His.tnri E-IOS, la traiiscnnnduttaiiiz-a gmi, viene c.üIi1une111i=:nte t1':isi;ui'a1,ta-
11'1::1ltI'Ei per v:-;Llu1'i tipifìi :Sii _f_f¢¬. C111, l--l›"TfL- e À? *mie 5ü1npl¬E la fel:-iziüiiü

a.11alc:›g:›i alla [3.180] 1'ica.¬f:~1ta pc-1* i t1¬a11sistu1'i }:›ipc›1›:í-1.1“i.

Esempio 4.15 __ 1
Un tram-;ifst.f:›rc: NR-'TCJ-S di diiueiisioiii H-"' = 20 iui; eci L = 1 inn, È pr::›la,rizza.t~::« con
if?-:,¬;› 1 11-" ed è niariteiiiito in regiorie fii satura.z.icme da iiiiai cc›1'1¬::11te di =:lr:†ii11
Ii; = Èšlflfl _u.À. Sa-peiidü cliü ƒ.lnG›_-›,›¢ = il-5 1.LA,.-'È-T3. f__üp = U.i11 1-". “_:' = [l.E1"=¬,-"È E
Ji = (M15 V `1, trovare i p:=ira,1i1e.t1*i cli pif.:<:ulo segnale a. frequeliza.
Süluziüne
La. tran:-amiiciuttaiiza. di piccolo segrialc del tra1i5is†.u1"c~. È: data dalla

g',~',~1_ : \(||'II :gƒf--ff.(:'rg;3i-È_l-L] : \"|'.lì'-E K ' -U X TJ .K ' h _

La resistenza iiitriiiscca di cìvaìri, per la (›-1.1158), è

1 1
if'~L=_-_
,UD 0.05 >< 200-10 ., -mom
i
lnfiria, dalla [4.1-*;l1:]. si lla-
¬- s'2 - 10-5 o.:ì1.«'2 _ ,_ ,
,*_fJ"1-nb _ ,I H __. _ lr ` _* Il _ l-I-«L\_.-'i
¬«,_,-""2<É:}'_F` 'i' -l«"',§;[? \_.f'2 X f 1

Si nnti 1:-hu 1.15 l<£'2} -(<1 -r*¢(= 100 l¬:§1)_, conie aEe1'1ua,L0 dalla [=l.1--LE).

4.8.1 lìflodelln di piccolo segnale del transistore PIN-105

Éiiiclie pm' il t1*a11sistc1›i'c P3-'IOS è possibile 1*if;¬.z1.varc† il Iiiüdëlio di pi+:f3r:|ÃT

sei-1_,"Iia.lE pi?-i.rteI1=:lr_:« (lalla studio delle eqiiazioiii di g;1'a.11L'lc Segnale. 111 pa;
tic›:›lai1'e_, iisaiidü la. 1'cl::fi-I-ioiie se1'I1plifii:a.ta. della. [iL.121) per la. cfiürrente f_'
draiii

C5 = ,_ -1 _

lp : ('1'.~=;¬f: + 'I---'-1"H)2 (1 † Msn) (4-1431

e la |f4.122:ì per la, neiisioiie iii soglia
ii.
"L1-1-H' = lfÉ|'¬HQ _ *if (xi-'ƒ_2CJjT _ ì'_;_;'_{-1' _ '\_ -LUF)

ai piiån F~+:1'ive1:'c per la ccrrífiite iii.:-_--:T-::'_%:í.=alE di :im-iii

___
 : É'T'r?'i ' 'Uåg _ .Élr.f;å ' - 'L _

(love e facile oli111oat1'a_¬.¬:-_

af l i2f'_ , _
gm. = = X 2,1-__._f',*;;-1 5 L4.i.fi-ib)

of,D -1 1
= = _ 4.14*
rd (Ö'ì',†D_5' Q ÀID ( l)

Ö-É "1- É _¬
.g?'ri.lr _ _ D _ »- igm _.†
Öfiae Q -v' -Â'-OF + l--"es

C-oatiilciido in tale 111a1'1ie1'a il modello, il 1-'erao della co1're111:e 'i-5; il.: con-
cor-:le con il 1-feiflao della c.or1'iapo11de11te correiite di grailde Segnale: 'iD. La
co1^i*ent.e -id È pe1'ta11to intesa. po.~3it.iva= Se uscente dal terriiiiialc di drain.
111 maiiiera simile. a q11a1'1to discfiisso nel paragrafo 312.3 per il trailai-
atore bipolare pnp: È poaaibile im-*e1'ti1'e il 1-'c1'ao di 1'ife1'in1ento (lella coi'-
reiite id caiiiliiaiido colli;orllporaiieameiite il eegiio dei tcriiiini a f;leat;ra
dell*uguag1ia.nza. {--1.14-iÉ=_)
.-1
_ 1-' "Z" _ -
il-Li = .Q-ni ` 'liga _ .gmb ` "Usb '-' É (ilágl

(love in questo caso "ia if iiileaa. positiva ae e.11t1'a11te al tc1'1i1i11a.le di (lI*a.i11.

È facile fliiiique 1-*eI'ificaI'c clic il modello di piccolo aeg11a.le del t1'aIiaiato1"c
Plì-'IOÉ £leac1¬it.to dalla [f-11.149) coiificiclc con il moclello di Fig. 11.39, 1'ica1-'ato
per il traiiaiat-o1'e Fl-'1OS.
Pertanto, come per i t1'aI1aiat.o1'i li›ipola1*i_._ anche nel caao dei traI1aiatoI'i
fa-'IOS i modelli di piccolo aegrialc per lo due at'.1'i1tU.1re complementari aoiiio
caatizameiite eq11iva.le11t-i.

Esempio 4.16 ai
U11 traiiaiat-ore PHG5 iii iiiiiienaioiii I-ì---" = 20 _ui11 ed L = 1 ore e pola1'iz:.iato con
lffgg = -'E V ed È* 111aI1te1'111t-o iii regioile di aa-Lura'.;:io11c Ela una correlite di -:irairi
Ip = Èüü 1.111. Sapendo che ,:_if.;f,-f11,«,-,- = 32|ii..fii_,"`\-"E, op = -0-39 "M". -1; = L`I.5Ei 1-"È e
.-1 = 11.115 "if-_] , trovare i pa-1'a-met-1“i di piccolo segnale a freqiieriaa.

:Lia
Soluzione
1 parametri di piccolo segnale sono espressi nelle. []1.14fij-{¢1.1¢1E&]. dalle quali si
ha " ' '

-' ti---* _ zo _ _
grrt : xl.-'lgß-FCGIÈIIJ : \||," :Fil ' :ll-_]_h K T fx. ' ].U_ù : l.l›.fi.\.J."f¬l\r"

",r
1-- = _ --
i _ = 1
'- 2.:.. aes s: soa-10--f- DU li-fl'

g__.,.t -- _ . I
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of .åš-UI-¬ -l-lres t-IQ >-¬í 0.39 1 _' "

4.9 Effetti eapacitivi nel transistore NIOS

Gli effetti ea.pa.eitit-fi presenti nel transistore 1\-'IOS sono stretta.n'1ente le-
ga.ti al tipo di lan-'o1*azio11e utilizzata per la eostruz-ione rli questo tipo ci
clispositivo. Un trarisistore r\--IOS t-'iene essenzialrnente realizzato in for-
nra integrat-a. nieriiante liuso della tecnologia. planare, gia esarninata nei
paragrafo 3.125 e che t-'e1*1'à. trattata con maggior dettaglio nel capitolo

4.9.1 Transistere 1»-IOS in tecnologia planare

Éna scl1e1na.ti;›::-zazioiie se.InpliFiea.ta di un transistore l\-'1OS integrato s

niost-rata in Fig. 4.40 (love sono evitleirz-iat.e la. sezione e la vista. tlall'aÃ-
to lago-'at}. In quest"ultirna_. per seniplifieare il disegno, non rnostratli
l“ossi-flo, presente invece nella vista. in sezione.
La struttura e rnolto siinile a quella studiata sinora.. t-1_1t.t-avia si possont
cogliere alcune differenze. Il terrninale di gate. norrrialrnente reali-zz-ato ir;
polisilicio. e i1:1tera1nente ricoperto da1l“ossiclo. E-sso e ae.eessil:›ile r1all'e-
sterno rnefliante un contatto rnetallìco posto al di fuori della regione oi
forrnaz-ione del canale, eonie -si nota nella vista clallalto. Il substrato e
contattato superficia.l1r1ente realiffzzanclo una saeea. di tipo p+ sopra la qua-
le 1.-iene clepositato il contatto rnetallieo. eorne at-'viene per il transistore
bipolare integrato esarninato nel paragrafo 3.12.35.
La eliffer'er1z:-a sostanziale rig`uartla le due regioni diffuse elie. nel transi-
store st-udiato sinora. sono state assunte esattanrente allineate con il piatto
rli gate. In realta_ eonie si osserva dalla sezione di Fig. 4..4[} le regioni tlif-
fuse si insinuano al di sotto del gate per una liinglieszza piccola rna non

344
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. ' I ì _ I I
sezione 5 . . ; . . E 5 .
comano di SED comano di H3 contatto di
I source ' polisilicio /°' É drain m"”£:ll Il sula-su'ato 5
F-¬' f--1: = [-¬ ,-›¬;I/L: /¬¬]š f
_.¦.- .-.-;¦.
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H: _ i r. _.__. -t I._. H+ j I P. I

*_L_:. subsirato p` fñllia eli Siliüiü

Fig. 4.40 - Layout e sezione di un transistore NMOS.

nulla, in=:licata con L-D. Cio crea due leggere sovrapposizioni tra il piatto
tli gate e le regioni di source e drain.
Tale sov1¬apposiz;io11e e un efiet-to indesif_lerat-e ed È: causato dal partieee
lare processo di costruzione ciel dispositivo. Le regioni di sovrapposizione
sono denorninate 'r'e_f;n§o-mi (lt otfrf-r'le.p e, per la sirnrnetria del dispositit-'o, sono
uguali e di area pari a WILD.
La e-oirsegiienza. più evitleirte della er-eaaiorie delle regioni di ot-'erlap e la
diininuzzione =:le1l*eifett.i†~.na lunghe-zz'-a di canale rispetto alfestensione della
lunghezza del piatto di gate. Facendo riferirnento alla Fig. 4.40. indieanrlo
con L la lunghezza del piatto di gate e con Lgg la flistan-.z.a che separa le
due regioni rliifnse [ossia lieffettit-'a lunghezza di canale), si lia

L-gg = L- ÈLD {4.15U}

Qiiiritli. tutte le equasioni sinora ricavate continuano a rnantenere la loro

345
 S llüü _ lliflü __ _(lf`ill jíüz
-.7.77§.i.""""' EEE ' - . - - _. iiiiÈÈ::`:`1:::':':':':': .
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Fig. 4.41 - Sezione di un transistore MOS ed effetti capacitivi.

t*a.1itlit.a,'a. patto di sostituire L con L-gg. Nella pratica, alrneno per una
prirna a.nalisi carta e penna; si puo cornlinque ritenere 1-'a.litla. liapprossirna-
zione

Lgfi ß (41.1-É11:_l

Alla luee di quanto clescritto_, Ö possibile ricavar'e gli effetti capaeitiiri

tlel transistore l\.›lOS† curantlo, i11 particolare_ il funzionantento in regione
di saturazione.

4.9.2 Capacità gate-canale

ln regione di sat.urazione_._ il t.1*ansistore IN-'IOS p1*esent-a. la forrriazione

tli un canale di contluzione che. nel caso tli un transistore a ca.nale 11.
coine trio-strato in 4.4l_ e cornposto cla elettroni. Poiché la carica nei
canale di conduzione varia al variare della tensione eli gate_, esiste un effetto
e.apa.cit.it-'o t.ra il terrninale di gate ed il canale stesso descr'ivilJile rnetliants
un opportuno contlensat-ore. C'_,__«_.__¬_,-._. connesso tra le due regioni [Fig. 4.411.
Indicando la carica totale presente nel canale con si puo definire la
capacita tra gate e canale

fììií-2.~_
Qgßh : _Öv_F _ -_
(4.1-al

La carica totale si pci: -rai-;í=__-:rs ;r_tt=grar1tlo la deirsit-a di carica Q,;[_:;.

lungo la superficie tlel eaiiaie. fs:s¬;=i-:- conto che questiultiino si estenc-_'
fino al punto tli pinch-of"- si 2? 1:? _=:ri*fsrs

_ li-
_-n.
 _ :"
L' ---
TE - I I “ r
Qf: I W' / C-2¢('1f)f1.1-›'= (1-1) ffiflf. 1-11) 14-153)
«'11-U ` _- ='-. I dlfif lyl
dm-'E È stato efiet1':11E1t.c::› 1111 1;-;:;_':_i_ 32:. -.'a11'íabi1f:¬ di ì11teg1¬a2íc›11e.
L*e51':1*E1111:› di intcg;1'11zíu1f ` è ;:-:i lfg. L`est.1'f:1111:1 di int.::~g'ra.11iü11c
lff;[L-" i11ve11:.e1 si p11È1 1*iC1=11'a:*% rì._'.'-; :::';-£::':=:1È1ì1 q11e111t-0 già (lis-:~c:11111-111 nel para.-
grafü 11 p1¬c:>p~:›sitc::› della 1'†::-_¢_'_'i;¬_;¢ ;=.-5.1111'.-51:›1í1;›11e. I11 particolare; t1'1:1111i1.e
111 {fll.1Uil:} sì può scrivere

1-I; (Lf) : 1»-gf; _ 1/3~H {.›1.15f-1)

l11+:1lt1"e, la 1'ela.zí1111e '-L9--l_} CC111.-=_.1=r11T1=_ di 1*ìcaw1.1*e d-g;__..f'dl/f_¬_(-1;)

il 11;) If; I '

1:l1e, sostituita, C011 la. 11ella. 4.153): Cr011se11t_'.e di sc1*í1-*Elf

_ _{_;1__,__I.-71.--ri-:E 'V-E`="_l"'È"H _ _ _,_z _ _ _

c21¬=-_†
D
/la_ là' l =l"".s_ [Q1 mlyln 111:; un 14.1251
S1;1stít111111clf_1 11 Qflfiyj il valore 1*ín¬,a.va†0 (lalla si ot-tíe11e

JU-1.1 la--C _ ll-'TH __- _, - - 2. _, - » . [_ ._,¬1

Q* _ In "c LU,-l: 1,- [lv - WII _ le (1-1)] fìh- (iv) £4+l-11')
la cui soìuz-1111110 €11
I
-' ' ¬-

'-r.I. Grffia: 2 - _- . f ._
QC* Ju lan-› l W'-9_l11"fH)3 141155)
l11fi11r::; t<;:111ì11df;1 Co11t.0 della 1'el:¢1zí01'1e clell.-:<1 c.n1're11te ID data dalla f;4.ì_Ufi},
;'í 11ttíH1'1=?1b
_ _ __ _
Q1; = -šC,;-,;¢-l-'l-"L- (l*'(;†;_f; - l«"-TH) (il.l-'lgl

_'-E1111 rl=:11'ì*~.-'11.1:.€1. 506011110 la ¢l.1-212), f0r11ísce

2 1--1-'_ L
Cm. : šüw , 1
111.160)
HI11 Efiìet-ti saräblüe più Cürlfittü 11551113 la- (-'L.lU5} Elle 1;*-f_1111p1'e11cle l:1e1"l¬e.=t.t11 di 1'111THTl11l1=1.?:ìü11E¦
ialla 11111g}1›;-¬:.¢~::«11=1. di r;a.11alc- "lìlttm-*ia., 11011 si c11111111eLte 1111 g1':111-da errcnre :†11=: si 11:-.1-111.111112
LJ m L-.

341
-4.9.3 Capacità di Dverlap

Sempre een rife1'in1e1'1te~ alla Fig. 4.41. ai eeaervai. elie le due regieni rlf
eaferlap ereane tra il terrrliriale (li gate e le due regieni diflnee clne een-
deneateri a faeee piane e parallele. La e.a.};111eit-a. rli tali eenrleneateri È
rlirettarriente preperaienale alla eeetallte clielettriea dell'ie-elante em).allf;
1-ir:-eeeere cli quest-i11lti1“11e I”.-.1.1-_) ed alla enperfieie delle ar111at11re. lfl-*TLL1. Di
eeneegiienaa. incliea.11de la ea.pa.eità- risultante rlalliefiette di ea-'e1'la.1_1 een
Cf-'...-E, ai ha

Cü1.= : Oria: U ll

Da 1111 purite di 1.-'iela elettrice le due capacita peeeene eeee1*e eer1eirle1'are

eenneeee tra il terrniriale di gate ed i due terniinali di eenree e d1'a.ir|. É.†e111e
i11-:lieate in Fig. 4.41.

4.9.-4 Capacità di gìu11zi0ne

Liiiltirne eentribllte da alializzare quelle date dalle eapaeitåä. di eviie-

tanleiite dea-*1_1t.e alle gi1111z.i011i se111'ee-s1_1bst.ra.te e d1'ai11-eul;1st1'ate. Il le-
re eerrtribilte 1.~'iene eepreeee i11 una í`er1r1a. ei1nile a quella ripe1'tata nella
(2.1lf]'T). Ttittavia. diPferenter11er1te da una giunziene pn. il ealeele dell°a..1'ea
di giunziene rieliiede q1_1aiel1e aceo1~gi111e11t-e in più.
Si eensideri a tal prepeeito il clieegne in Fig. 4.42 deve e 1neetrata. in
fernia eernplifieata.. la gee11'1et.1'ia tridin1enaie11a.1e di una delle due regie11i
(liffnee. app1'ee-5i111at.a mediante 1111 p:.›1.1'allelepipecìle ehe ei eetencle nelle tre
rliriieneieni spaziali per L3- e .rl-.
Cerírie ei neta. tutte le facce della re-gierie cliffiiea. eene a eeiltatte ee:
il enbet.ra.t-e Inene quella e11pe1`ie1¬e. ide11rif1ea.ta (lalla. enperfieie EFGH.
In qneeta eitriaziene liarea di gi1_111ríe11e È eeinpeeta dalla s=.11pe1'fieie della
faeeia inferiere il retta1'1gele _-ÂBCD 1. ed. in prima. analiai, dalle q11a.tt1'e
faeee laterali del 1:›a1'allelepipede. ln realta. la faeeia late1'a-le eetteetante
lieeeicle [il 1*et-l.-a11gele ADHE 111::-1*. -se rennra i11 eeneidera.zie11e r1el eeinput-e
delliarea rli g;in11:»5ie11e i11 q11e1;rf;'- =.-:ra f:-e11ra.1':te een le eariehe libere ehe
ee111pengene il eariale e nen :-:: le ;=eri|:_-É;-:;- .'¬l.-í=.~3e elie ee1r1pe11ge11e la regiene
efi.-'11etata. Le fiaeee laterali :i-2'.-= "e"-_;;ì 3:-¬*=if:_-.erate eene quindi da-te dalle
e11pe1*iìei .4BFE. BCGF e ff`iI='}__.f. -
Da un punte di 1.-fiera rìr-:-Li-_ fi j_.--1:'-1-ris--.ie riiaringiiere il eentribiite ea-
pa.eitive date -:lalla faeeie i:'_f;ri::+ i;-. '__';†:j 'lere dalle tre faeee laterali. ll

"IL
-1
 reglriiie
sie. diffusa
H e

1 L5

'f -†E*'
fee -“-'-^=! _'
_ E- ___

gate 1-__
.' L subsiraie
A B

Fig. 4.42 - Calcolo de||'area della Capacità di giunziene.

ee11t1*il_?111te date dalla faeeia i11fe1'iere 1-'ie11e iricilieate trainite le eapaeita C115
e C5; ,i 111eat1*11te i11 Fig. 4.41. 1¬iepett.ivan1ente per le 1'egie11i di eeu1'ee e ~::lra.i11.
Quelle date dalle faeee lat.e1'ali viene i11clìCat.e t.ra111ite le capacita- C_.j5._5..._. e
C'j5.g__..._._, nelle. quali la rlieitiira. sul eta per liingleee si1le:fa=e.ll ra-¬.-'e1'e **i11eren-
te ai l;:err;li latera.li“_ .-'7i1'1c:l1e qlieete 11lti1ne due capacità. eene nleetrate in
Pig. 4.41.
Le eapaeita Q,-_.. e _.-._;a.=.:=.111n0no quindi la for1'1'1a

C. _ C-':›'fl4f,f _ area.)
~“" «T1 + 1ft.†....«l'1e)"l*1
C.-111-11.-1
ci-_.F›:.E _ (l ___ 1__:_________________,.ì______'_).;r1j l*1-11115)

deve Cjg rappresenta la Capacità. di gi11n?:ie11e per 1111ita (li e11pe1'1*ieie i11
aa?-.e11za. di pe1a1¬ie-aa.aie11e. (valiitata i11 genere t.rar11ite niiaure eperi1r1e11tali]_
_4_;: e lia1'ea della faeeia. BGD della regione rliifnea, lfl.. e il peteriaiale di
eentatte :lella g_;i1111aie11e, ed il pararnetre nr; le nn eppertnne c:11ef1ir:ier1te
elnpiriee ee111preee tra 1,1"? ecl 1_,f'3. Velernle ee¬plieita1*e A3- e lf'l..,- ei ha

aj : ef-'1.;,› (.-1.1fi.1)

if...- = 1.4111
. -“~"*1'.1 1: ' N.4.e
T1-_:
11.1.1155J~

.-mi
 Nel eaee in eui le -iti _:L"'.†i~;¬›1_*|i eiane deee1'i†~.-*il;1ili inediaiite liappreeeì-
n1a..1:ie11e di giilnziene e :_'=_a e peeeibile eeplieitare anelie i rinla-11e11ti
terniini, eeeia

1 _
-111.5. = E {_4.1íjt1

.il _ _-"`\-' ,15 _

C» a 1%; 421.15.
J” \.-' 2115.. , '~
111 inaniera simile le eapaeira C`_;,._,5u. e (È-'J.-di-..k,J. 11111111 eepreeerr da

~- _* .- _
C.1_-HL, = -fr -i'¬"“f ___ {4_1£51:
J 1 (1 + l-“ae .fl-"'11-1.) J
_ G;;':1-4;;_..«_==-.1l.= _ _
(:fj1'.1.e-111 _ -__ 14-1111?-

d_f_r.-*e i terrnini Cin, li. e 1"r1._;,- sono gli stessi di prin1al9 inentre la e11pe1'fieie
.=l_._;__._,.... ii pari a

: (2L_,« iv) (_-›-1.171:

Da 1111p1111le di 1.-'ist-a eire1_1itale. preferibile ri.=3e1¬i¬'~.-*ere le relaeieni eep=re.=-
ee dalle {_4.1tië'š¬]-(4.1(i'å}) i11 f1111zie11e del peri111etre della regierie diffusa

e della eapaeitå-1 per 1111ita di l1111gl1ezza ir1 .aeee11:«1.'a di pela1'ieeaaie11e

'F i ¬ ' .- . _'-

í I _

rla eni

0- .=
_j'S_5“1=L -£___,________3____,-E__,.________:]ì'T1_:,- (.«1.1.'::
l5Q11e1-:te in realta. 111.111 fit del t11t-te 1-'ere i11 quante. nelle niede-1'11e Leenelegie e11h1¬;-
ere-111et1'i1':11e. la ee11ee11r.1'aeie11e di e11l'Jetrate vai-ia l`e1'1.e111e111.e een liaeee .11. 111 rp.1›'..=f=-1
eitilazierie ai pessene tut-tafvia definire tre differeriti pa-1'a.11'1e1ri |:Cjg,5._.¬. lff_..;_ä..- e -m_,.__._
erl ueare questi Llltinli nelle relaizinni [4.1{ÉìÉ~:f| e {4.1ll.CJl.

350
 ff--*'_*,rrl,.1f*11f --_ ___ GÉUPJÃ
________,fì__,E____')'rlf1._,- al
_ , 1111"J

Il vantaggie di tale rapp1'eeenta1›:ie11e e det-'11te al fatte di a.ve1' eeparate i

parar1'1et.ri terznelegiei edi preeeaael da quelli di p1'e,get-te. Al prinle g,'r11ppe
apparterigerle i11fa.tti para1netri quali Cig, l«-“l,,.j, 'rr1._,f e ;1_:__; ehe eene eennlni per
tutti i traneieteri 1'ealiz-z-a.t.i tramite la et.eeea tee11eleg^ia. planare e elie nen
peeeene eeeere n1edil'iea.ti dal pr0gett.ieta di eireiiiti. Al eeeeride g1'11ppe._
appartengene inveee pararnetri quali L, LJ.-, ll--"I ed, in generale, qualu11q11e
dirne11eie1'1e elle ei eat-e11da ltlnge liaeee y (1 2, per le 1:_1uali il p1'e,_e,`ettiata di
eireuiti ha il tetale 1:e1'1t1'elle e 1'eapeneabilit-a. In qtieatiett-iea, C-“ln È: un
pararnetre di preeesse, inentre P3' u11 pa1'a111et.re di p1'egel.le_ i

Esempíe 4.1? _
Un traneietere NEIOS di di111e11sie11i I--I--'I = 20 _u.1n ed L = 1 11111 e pela1¬izzate
een I-'Tag = 11€, l--'LH = 3 V ed è 111a11t.e11ute in 1'egic111e di sa111ra;«-.ãe1:r- cla -.::-.a
eppertuna eerrente di <irai11. Sapendo che il t.1'a11aistere presenta reperite
tlellieeaide C`,,¬-,; = 2l'l31"1l:¬-',-f"f;:111'3 ed una regicnle di e~1.-'erla-p elle si E-ete11ee _". =
`l1'j2n111, tremare il ¬.-ale1*e della capacita gat-e-ea.na.le, della eaparite :li -.:.-.-5:11?-_§~ .=
delle capacita di giuriziorle. .-”\5s111nere le regioni difiiiee caratterizzate I =
2.311.111, ,1= 0.3 _u1n, C-",¬-1. = 45 nl-`__f"c.1112, -m.,- = (_).-111 e l--'§,_,; = [LSI T.

Seluziene
La eapaeita gate-canale e quella. di everlap 1-:~<111111lar.e 1-i1speL1.ixfan1e11t.e dalla [4.1E3ü__:
e dalla {4.1G1l, essia.
T? _. _.
C-*.f....l = š1í?..._-1-1-tr. = _>< 103-10-H >< 20-10-= ›< 1-111'* = 21.11?
= 1--1-'re
= 20:1 - 10-~°* >< 211. 111 1'* >< 1112-111*” = aaere
Le eapaeita di giunziene intere:-.111-11111 le 1'eg;íe11i di aeu1*ee e drain e tengene eente
dei ee11tributi dati dalle faerze inferiori delle giu11;»1ie11i. Cl,-S e £}`_,,,, e di quelli dati
dalle regieni laterali, C,;,.,,.,-.,_., e G,-,=.«.-:,.¬.--1.... Le auperíiei i11tereeeate eene ri5pet.ti=.-'ame11-
te

.a, = 1-1-FL, - a:›-1111-* ›< 2.3-10-'1 = --»11111- *lot* @1112

= a_.,-(rr, +1-1--ij. = e.a»1o'* ›< ( 1~.:.= 1-( _:.::1:.: ._'
_ la .F1 10-* = r:3.a-111-9 af
Per L111a.r1te rigua1'r_la il eelltrilaute date dalle fa.eee i11ferieri, per le (4. 1512:! --|í4.ll-13),
ai 11a
, _.,_ _ C,.-,..fl1,,- _ 45 - 10 *È 11 lee - 113*” _ H L] E
“I ll +la-11__.-"lf~1.1Jlmfi' (1 + 1,-"l1.'1<.1,1“-"*' "
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Fig. 4.43 - Modelle di piccole segnale per alta frequenza di un transistere

M05 in regiene di saturazione.

Cf- A- 4.? -111 9 460- 'fi _

ì ,f _ __r-PE' .'-Pr '.".I'.'.-1 1 F) 2?( ___ _- [1 1 fl":
ll _ l*'1:«_11_." 1-"'1›-al -' ( 1 -|- 3_.-"U.à5l,l '

ll eentrih11te delle fa.eee laterali e, im-"eee, date dalle 4.lÉlS'}-1-f'l.'l 159,1, e*1.¬.=er11

ef-,;._››-1 45-10 “ >< ma-10-1' _

'::'?`e.e-11' = J 'J-D -¬ n _ '_ -. - _' _
*T " {1+ì--'L=111_.-fl---al (1+1__.fl_1.e1')*'~'¬1
. --1.-' ¬ 11_1~f-* -1'
l(_I.i'jn`._=11.' : uit] `I.¦IlI't',,¬-,_ "' I ,U éllü '_ '=
' ll † l~"'11›e.-"lt-12,] "J (1 + 3_.«'U_èšl_'¦- '

lIÉr11ne ai neta, il 1:1111tril.1ute n1aggiore è date dalla capacita gate-ea11a.le, 111e11Lre

le ea-paeitå. di eidewall aerle epeeeo t1`aee11ral_'›ili.

-4.10 lwledelli di pieeele segnale per alta frequenza

4.1U.1 ll-*lodelle in regione di saturazione

lJe.ee1'itt.i i fenerneni fieiei elle eent1*il¬n1i1¬:eer1e alla eree.-:iene elegli 111-

eunuili di earirza nel t1*a.11aiet.ere 11105 e rnedellande tali fene11'1eni een d~
eerldeneateri, ei pue eelnpletare il rnedelle 1'i1If.a..1.-'a.l:.e nel parag1'afe 4.5 inrll -
dende gli effetti eapaeitit-'i. Il 1nedelle di pieeele eeg11a.le rieult-a11te ai rifer -
eee al fu11zie11a.111eI1te i11 1'e_,f_=§ie11e di aat111*a2ie11e ed e r11eatrate in Fig. 4 -1-
E-eee eeinprende quattre eapaeita [C-`,_,_.,, Cyd, CS3, e 0,55] ed ha val_idi1:.È`.1 anel-
per -eegriali ad alta freq11e11.v:a
La eapaeita C_,_,_,,, eenneeea tra i terminali di gate e eeuree, le genelat;
da due eentril:1uti: qilelle eaueate dalla t1a.paeita di en.-'erlap ele*~.f11t-a al_ _
aevrappeeiz-iene tra gate e eeuree e quelle eaueate dalla eapaeita eeieterite
Tra gate e eanale, C,,,,,;,. Da un punte di vieta elettriee, irifatti, lielet-'ata
1-erieentraeiene di pe1't-ateri preeent.i nel eanale fa ai ehe aeuree e ea.11ale
appaiarie eeine uniuniea regierie eq11ipete11aia.leÈ“. La e.apa.eit.a di e¬ee1'l11p
e quella di gat-e~eanale rieultane quindi eenneaae i11 parallele ed il lere
'_-erilrilìiute 1.-fa aennnate nel eerripute della c:apaeita t.et.ale (I.-`,,,_.,

2 _ 2 _
CIÉS : Cg,efi. _ Ger I + Gem UR": šCrJ:r

ie*-.-'e l`a.ppr1_1eein'1azier1e e leeita i11 qliante L ì>,`.> Lp.

La eapaeita CÈ'_,,_;, n1eetrata i11 Fig. e eerlneeea tra i tern1i11ali di gate
L drain, eaueata. dal ee1'1tril111te della eela capacita. di e¬1-'erlap data dalla
†-11¬:1*appeeiaiene della regie11e 111et-alliea een la regiene diffuea. di drain. Si
quindi

e,_,. : [1.1 713"-I

Le reeta-riti ea.paeit.à, (.7_,,r. e (.7,.,.¬_,1,, niestrat-e i11 Fig. 4.43, eene ee111'1eeee
'Ta le 1*iepett.i¬.-'e regieni ditluee. ed il e11lJet.1'ate, e eene eaueate dalle d11e
:1'1r1aie11i pn pelariz.zat.e im-'e1'ea111e11t.e. I11 pa.rtieel-are, la eapaeil.-a C55 e
iata dalla ae11'1111a della eapaeita (ff,-_., e della eer1'iape11de11t-e ea..p:-I1.eit.a. di
si-íewall, CJ,-_,,,,,,,.. In inaniera analege., la eapaeità. C-'gb e data dalla eernrna
ii C',-,g e di eta-e1*e

Call : Cjs 'l' cje,s-11:

Cd-11 : Cjd + Cjd,e-111

1:-re le eep1'eeeie11i di C_,_,., ,-G1,C-'_.;;,_,,,,._..,,,, e C3-,,›_,,,.,.,,_, eene definite nel pa1'agra-

f' -1.9.4.
C-eine ai neta dal 1r1edelle 1'a.rlìg111'ate i11 Fig. 4.43, eltre alle eerreiiti -1,; e
. eene etate ir1dieate anelfle le eernpenellti di pieeele eegnale delle eerrenti
-_; gate e euhatrate, inclieate 1~iepetti¬'.†a111e11t.e een -1'.,-, e -11,. Tali eerrent-i eene
1 '_ 11 nulle eele per eegnali 1.-'aria.bili nel ternpe ed. in partieelare, eele i11 alta
:Que-ate i11 elletli nen È1 vere i11 q11a.11te il petenziale lunge il ea1'1ale 1-'aria da 155' a
E - l«*';1_q_.¢_† [1-'alere aeetinte nel punte di pi111:l¬.-efi'. T111ta†¬.-ia, p11iel1e i11 aat11r11ei1111e la
'+2.-åiene lfl-_1_5_,..,1¢ È". in genere inelte piccela le een1¬_1_†:que traeeilraliile riepette alla eadul-a
'Tale li;-,gl ai pue ritenere 1---"r;_«;_,.,._,; .fe ll e aeeiirnere l`equipc1te11aiali1a del aeuree een il
-__".e.le.

3.5.5'
frequenza i11 quante i; _';_'_:;.=' sìíuaziorie puo seo1'rere una eerrente ne:
traseuraleile 1-1t.tra¬.'e1*.-to È 1:_fie¬'~atr_1ri. Ovviainente ei avra sernpre 1.; = Â
[in quante il gate e e_1etTri:-e;';'_e1'.te ieolatol e, poter1do trae-eurare le pieeele
eorrenti inverse di saturazio-1'_e_ Ig = U.

Esempio 4.18 _ _ _ _
Fa-e-ende riferimento al transistore dellieeeinpio 4.lT, trovare le eapaeita del ino-
dello di pieeele segnale per alta frequenza in regio11e di eatnirazione.

Soluzione
Le eapaeita richieste sono date da.lle relazioni [_4.1'F5]-[4.lT8]. Sì ha pertanto

e,__._. = e_._,._..-. + = 21.1 . 111'” +1155- 10'” = 33.111?

e,_1 = -.
- e_.,-_. + = 1.4.9 - 1e'1="* + 2.3111. 10-15 1 11.3 IF
e__._._. = cf,-_. = 11 - in -' *ff* † 1.16 › 10-li* 4 iaalr

410.2 Nlodelli in regione di interdizione e di triodo

Coine aeeerinato nel paragrafo 4.8, poiehe esistono delle applieazioni do-
ve il transistore l\=lOS e fat-to lavorare in regioni dil'l'e1`enti dalla eat-urazior1e_
e utile avere dei nledelli elie deseriva11o il ee1npo1'ta111e11to del disp¬f.1sit.ivr_
nelle regio11i di interclizio11e e di triodo.
111 regione di ir1terdizione_ dal purnto di vista della eerre11te di drai11, il
transistore 1*.-'IOS puo eeeere ben 1*appresenta.to trainite 1111 eireuito aperte
tra le d11e regio11i dlíluse. Tuttavia, esistono un eerte r1u1nero di efietti
eapaeitivi elle, soprattutto ad alta frequellza., eonviene eonsiderare nella
Ino dellietiea del dispesitive.
Riprende11do quanto disc-tisso nei pa1'ag1:11f11 4.9, la faeile osservare elie le
eapaeita di overlap e di giu11zione eontinuano ad essere presenti indipen~
denternente dalla regione di :`¬_¬-nzi|_¬_~1:1ì-'_111e11to del transistere ll-'IOS Queste
eapaeita sono quindi pre_~Te1'_íi a:'.t-É';e:- 1:; regione di int.e1*dizio1'1e.
La eapaeita. gate-eanale ne: è _: '.".'i1í-_:1;=;'-11fe presente in qua11to, ir1 re.gione
di interdizione, non 1*i;-311111'-_ ::;_:=;† .;;Ã'_~';:; -:'a1;ale eonduttivo. Esiste, inveee,
una eapaeita tra gate 1:- 5'_:':_sf:_-.f_ f;e. .ia :111 pu11to di vista del pieeele
segnale, puo essere deìfa ì-:;e ii-1-:111-.ta della eariea totale di gate
[Q.;;1l'l»*"L-_`} 1*if-:petto alle f_e:'_=i':_; '_: gl-_*-_ -_' s';':|st1¬at-e

_ _ ¬_
 5'Qr.f
cql== Égg+1ait 11.1za)
TI

Per poter valutare la eapaeita C95, si r1'e..se¬=_:i_no effetti della po-

larizzazione delle due regio11i tlifluse e si ipotizzi 1:-'ne il transistore Il-IOS
si eornporl-i eonie 1111 eendensetere BIOS. In regione di aeeuinulaziene
l-'lg -fi li-,e:}, la derivata della (4_1T'9) si ealeola iaeiln1ente dalla '[4320]
e fornisee per C-*gb il valore di Gael-l--"IL_
Pitt frequerite e il ease ir1 eui il eo1'1de1'1satore I\--'IOS si t1*ovi e in regione di
:'v11otarne11to o di debole. i11ve1¬siene_ I11 entrarnbi i easi, la eariea i11'11n.agaz-
:inata nel gate e pari ed opposta alla ea.riea ininiagazzinata nel s11bstrato,
Q5, a sua volta eornpeeta qua=.i esel11siva1'11er1te dalla eariea sv11ota.ta., Qg,
espressa- nella {:4_2l~l). Si l1a. pertanto

ÖQG . ÖQ11 - 5352.4 ci

3_?
sg: ;nz:-_†wL= -†- WL are
(JF Ö'lf"`c; Ö1-"t;' ( il1.12.»-1) (Öl"'t;¬) l Ö 'J
Il tern1ine -É}Q,,r__.f"Éìel_, dinierlsienalniente e 1111a eapaeita elie verra i11di-
'_-ata eo11 C,,f_. Questa rapprese11ta la varia.zio11e della eariea di svuotaniento
rispetto alle variazioni del petenziale di siiperñeie e si valuta derivande la
1.29)

ct.- Ö`lQ.1
_ ;-.- -.f"'3f;'€«.~-"`“-É1 B'
....r__; (1.1a1)
ee. 2vea
Il terniine Ö“e5__1'È}l«-”'_r; si puo valutare dei-iva.11de la (14.-45'), valida i11 regio11e
il svuotarnento eeen buona app1*ossi111azione i11 debole inversioriel, da eui

_ 1 ¬-,ƒ 2Q'E_;1\"I..-1 ,gg ___ crd

-¬-_1+ 'n; _1+¬† (awe
8 'fi' .a Co;1: 2 1,1; oz

íove si e fatto neo della (4.1-tì1l_ lnvertendo la (4182) e sostituendela

;::_=_ie1ne alla {4_1S1) nella (4180). ei ottiene eeine risultate lìlnale per la
:apaeita gate-s1_1bstra.to

55,1, : {C*,,.,,, || C-',,1_)l--l-“IL {4.1Eš3}

La eapaeit-a Cd e 11orn1aln1ente j:.~i¬`_'. pieeele- 1¬1 C',,.,,-- e.d 1'l suo

¬ ta
-' .l ore e`
iorninante nel ealeole del parallele- :`-ela -1-1;-"~_Dl- .Jtd og11i 111odo, i11 regio11e
interdizione, la ea.pa_e.i_la. C-'gb e se-:':*__T 1'; ::'_i:'_?r_e _i= uguale di Carl-l-"IL-_
 e
O

iui [_ _.-
:- -.í.i.nu_ C¬f:
H
._ F211
_.
I

O 0 _ 1:1
P
ff' Cat
Q-111_~
Fig. 4.44 - Modello di piccolo segnale in regione di interdizione.

alla luee di quanto diseusse, si pue r'appr'ese1'1tare il rnedello di pieerìl

segnale del transistore l\--IOS in regione di interdizione trarnite il eireui'__
pura.111e11te eapaeitivo r1'1ostrato in Fig. La eapaeit.-a Ugl, È: quel;
appena trattata.. Le eapaeità. eorrrresse tra il ter-1ni11a_le di gate e le regi-:.*'_
diffuse, C-'gs e C',,,,g, sono date esel11sivar1'1ent.e dalle c.apaeit_a di overlap,
diseusse nel pa1*ag1'a_t'o 4.9.3 e deseritte dalla (4.1ß1). Infine, le eapaeita
Lf. -T_,,.g. e C-",11, sono pari alle eapaeità di gi11n:/.iene diseusse nel paragrafo 4.9.4 e
d.eseritte dalle relazioni 4.177)-(4.178). Il valore assurrto da tali eapaeifì-_
e riportato ir1 sintesi i11 Tab. 4.5.

Il 111odello di pieeele segnale in regione di triodo puo essere rieavaf'

eonie fatto per la regione di saturaziorre avendo eura di utilizzare per la
eerrente di drain la rela.zio1'1e (4.99) inveee della In questo ea:-_=;
si ot te1*1'el;1l'_1e ur1 rnodello rnolto sinrile a quello di Fig. 4.39, dove per:
le espressioni di _g.,,,_, -11,; e g.,,.,_,=, avr'obl'_1er'o u1'1iesp1'e.ssio11e diversa da quel;
nrostrata rispel'.tiva-1'ne1'1te dalle relazioni [-1.135), [4_1§3É~:l e
I11 eltetti, in regione di triodo, il eo11tr'ib11to dorrrinante e dato dalla
resistenza -rd elre, ridueerrdosi rispetto al valore assunto i11 regione di sa-
turazierre, rende trascurabile il eorrtribute dei due generatori pilot-ati. I;
fatto, eerne aeeennato nel paragrafo 4.4.4, questo equivale a eonsidera:%
il transistore lt-IOS eerne in Fig. 4.27, ossia eorne un resi-store eontrollat'
dalla tensione lf'};,c,f. Il valore del resistere ie date dalla relazierre (4103
Noir si eornrnette un grande errore, quindi, se, in regione di triodo, eon;e
rnodello di pieeele segnale del transistore si assume un resist-ore eonrress'
tra seuree e drain del valore pari a
Tab. 4.5 - Capacita di piccolo segnale del transistore IE " :_': :fe :elle
'egioni di funzionamento.
Capacita ' Regione di funzionannerrto
Interdizione Triodo E ai '.1:azÉ o11e
C_,,, C,,.,_. G,,,_. + (_1__.-'2 1C'__._,n 'L C", 4 E 3,1 C,,._,.l-i-E
Cgof Got' Co1¬ + _iCe_rll_L Cor
C-15,1, (C-'ga C',,g)l--l--"L il U
Carr,-. Capaeità di giunzione
C,-,,_1,, , Capa-eita di giunzione

1
'Fd I ì___1___. __
r-isf-le -5 ll-"os -_ l-"irel
Per quanto riguarda la rnodellistiea ad a.lta frequenza lrisogrra eenside-
:are gli effetti eapaeitivi. Anelre in questa situazione sono sernpre presenti
le due ea.paeita di giunzione, C755, e C.-X11., e le due ea.paeità di overlap, C,,.,,.
Éíon e presente la ea.pa.eit C91, in qnarrto, eerne per la regione di saturazio-
:1e, la fornraziorie del earrale elirnina qualunque etIet.to eapaeitivo tra i due
ferrnirrali. Di contro, e presente la e.apaeit.a Cg,_,_¬,-,_ tra il terininale di gate
'-:rl il ea11a.le di conduzione. Questiultirna defrrrita dalla 1elazio11e (-<l.1.=É.›2)
::ella.q11ale, potendo t-1'aseu1*are gli effetti di pola1*iz-.zazione delle due regioni
iiffusegl, la eariea QC assunre la forrna

o,, = L
= c:,,_, ril-11111.; _ laH) L ra. rea]
ia. eui, applieando la [4.1-f1“2_l si ottiene

em. = eeei:
In regione di saturazione la eapaeità.. gate-eana-le e assegnata alla eapa-
:ita gate-seuree in quarrto si ipotizza che il sorrree sia fisiearrrente eo1111esso
al eanale ed elie il drain sia isolato da q11est`11lti111o a causa. del pinelr-off.
I11 regione di triodo, le due regioni diffuse so11o entrarnbe elettriearnerrte
connesse al ea.11ale e si presenta la difficolta di stabilire a- quale delle due
regioni tlilluse vada assoeiata la eapaeita C'_,_,~._. _11leu11i rnodelli ipotizza-
no elre la eapaeitiši C,,,,,¬_;,_ sia ur1a eapaeitå. ~;¬ii;;f:i'tì~'_¬_iT-;=. uniforrnenrerrte lungo

2] É-ltresto eq11iva.le eonsiderare u11 earrale eeei elie '_';:;_'; 1':-_s_=¬.= __'. o'~.¬¬.'ert1 Il."-,l,;I:p:l =

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._._ L -- _______ (,55

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Fig. 4.45 - Medello di piccolo segnale in regione di triede.

liint-era. lizaigilezza del canale fomcndo. c:c›aì_, dei modelli 1ne›ltc:› preeieí nia.
afeI'tu11a1:a,II1e11l'›e poco utili per 11I1'aI1alì5i veloce da avelgel' C?- QD nelle- earta e
pe1111a. Una. pueeìbilitšl a.lt.e1*11:a=t.i1.-ai a11c:l1e se 1110110 p1¬eeíaa, quella, di {a:'-
l;1it.1*a1*ian1e11te] aaseg`I1a1*e 1"11età.- della ca.1'íc:.a di e-a.1'1a.le al t.e1"n:1i11a,ie di +:iraí:.
e l'alt1*a 1T1et.à, al te.1*n°1ìI1ale di :source
i , , .._

il 111-:ìvfiellü rieulta-Ilte è Illoat-rate: in Fig. 4.45 111e11t1'e i valori aaa1111tì fiale

ea.p:£Leít.a sono aílltetízzati ì1ì1 Tai).

4.11 Funzì01'1an1ent-0 sottüsüglia

N ei paI*ag1'af0 4.4 Ö etaìa stilciìata la rela.2-ie›11e c:.ü1'I'eI1te-tensiene eeìeteaì -_

nel t.1'a11aìet.e1¬e MOS eette liìpetesi di fc):-Ixla.-.aielle del -:_:a11ale di e~::›1'1r:luzi«::|¬;e
Tale canale, eìnüra, etatü ipotizzato (ih-'e1'.au da. zere enie per una, i-eilaíe-1%
di gate auperiüre alla te11aìUI1e di efyglìaj l-“71¬¬H, e nulle per 1-'alieri i11fe1'ìe:í
ff-enie emlaeguellaa di Lale aae.1111zíUI1e, la eerrellte di clra.-i11 -É et-ata ipetizzai-,
nulla fírlt;-a.11t-eellé la tellaiüne di gate ha un va,1ere ínferime alla †;e11ei=:›11e j;
aügiìa..
in realta? a.11che qu.-arlfie il cliepüeitivü la.ve1*a in una regiülle di f11I1zie1;a~
111e11i:U al di eette clelia f«:I:~1*†_e im-'ereie-11e, eeiate una q11a11tì1:.É1 aignifieath-'a 5_'
elettroni liberi alla aiiperfieie del eeiiiieonclntrore '-3.; ' ':'_+-L:-_; :_ j; ;._.:e;:-;_;-gi=::=
iii una eoi'I'ente nota. eonie eor'-renie di aofi-o.eog:f;';; 1. '_;+' 111' La *eíninologia
angloeaaaene: anbih.-wesh-old e-iz.-erent. Difatti. ee-Le :_:-i:;:*__ _I:r-.Ia 4.l3¬
la eoneent-razione di eiettrolii ì11 Sllpeifieie e1*e_=|ì-_; ea; :ienzfeinieiire non il
note1'1zia.le di aU.perfieíe ed e Ir'1a,e;gio1'e delle f:-o::ee1'_†razione di laeune in
regione di debole im-*e1'5ione ehe ai ha per og -:É oi «ii Èo1:.
Spo1'irne11ta.in1ente ai oaaewa. ehe la eorreine di eotioaoglia. ha una dip en-
íenza dalle tensioni lfì-;_._ e l-"fç_,' di tipo e.apf1i1"1e11zia.le. Questo e-uggeriaoe
_'-'ne eeea. zia oa.ueafca da un 111eeea11ís1'no di cliíineíoiie piuttoato ehe da un
:noto di de1¬i†~,-fa. Sulla base di questa ciaae1¬.-fazioiie ai puo 1¬iea.¬l-'are la relazio-
ne eoIñ†“ente-teiiaione: ipotiz-z-aiido un moto di deriva dei po1¬ta.to1¬i preeeiiti
nel eanaie.
La t-rat-iazioiie per 1'ioa.va.1`e la e.o1're11te. di d1:'a.in in regione di aoti.fia{:›_e_;lia.
ripei*i.at.a= in nianiera e.on1plet.a nel pa.ragrafo 4.16. In questa. eede ei
_¬:1¬;efe1'iaee preseliiìare aolo l"esp1:'eeSioI1€-. finale
_ S if' _; .;_j -Fi-T A ¬-

IU = Im? (1 _ fa ~~«i ) C H1-T (aiaai

T-Èie lega la eor1'en1:e Ig alle tensioiii appliea†..e l-f'I¢';5† e V;_;›_«j,-, ed alle diiiieneiefi
fiel i-1"a.naiatore, I»-"if" ed L.
Il 1;=a.r.a.niet1¬o Ipg ra.pp1'e-aeiita. un fa.t.t.ore di seala e ai-'olg;e un ruolo di'-'_
fntto eirnile a quello della eo1'1'eI1te di sat-L1I'a.zioI1e del tra-naierore bipolare.
f_.:. La. ana eapreeeiolie è ripo1'†.a†..a nella (4.2TÖ) dove la (ra-pa-:rita C15 e
.Éel-iniia, dalla [4.269].
Il pa.ra1'netro aiiehiesso descritto in ciettagiio nel para_g_,1'afo 4.15. e
riportato nella -*;L.2'-G8) e, 11o1¬n'1al1'ne1'1tcz aseiliiie un valore eoinpreao tita-
'_.5 e E-_ Esso 1'a.ppI'eee11t.a una. grandezza foIida1I1e1"1ta.le nel fiinzionainento
=|_'ir.toeoglia in quanto da. essei dipeiide. la ;fJe'n..(ienze. sottoanyflie- deíinita eoine

Cl ,
-1 _ .
S I [-: log-1(-J {_I_[))i = 'I1.i«"j¬ i11(l{}) (LLIÉSQ)
Iíli-"G _

ffale pendenza ai 1ni-a1n¬a in 111V,fdecade ed indica di «:_|na11ti niilli*~.-'olt dei-'e

1-a1"ia1^e la tensione di gate. affiiieiie, in I'ogione di eottoaoglia, ai oaae1'*~:i una.
'fariazione della. eerrente di una cleeade: oi-¬fe1'cJ, di un ordine di grandezza.
La rappreeenta-zione g1'a.F1oa della pendenza eottoaogiia di un t1'a.neì5†-ore
ÈIOS a eanale n e 1i1oetra.ta in Fig. 4.46 (love e 1*íportat-a, -au seala. logai-ib
:ina: la eoI'I'e1:1to di draìii in funzione della te1"1eione if”};;f5. Il t1*a,neia.tore in
e.-2_a.n1e ha una teneione di soglia di eirea OI-5 T e. eorne :si nota (lalla. iigiira,

5'›.;'í._'%?
 ifilt 1 _

iüüü E .. “Jj

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j- I-v--¬.f¬..---¬..-_.--u

-1n r_- ì

1üQp .. .U 1

¬-

1üp _- 1 1 1 1 _
Q2 Q4 Q6 UE LU L2

VeslV}
Fig. 4.46 - Pendenza setteseglia per un transistere M05 integrate (E1-1; :
{l.'Tff1 V; ,f_;..;.¬__(:',;,w = Q-5 p._'~\;"\-T2; T--'if' = -'10 1,1111; L = 2 run).

per teneioni l»-hg inferiori a tale valore, iiandaniento della eerrente di drain
e di tipo loga1*it1'11íeo. Oltre il valore della tensione di soglia.: la eerrente ei
dra.i 11 a.ee111I1e il ben noto andalnelito q11ad1'atieo 1'ieavat.o 11el paragrafo -¬1.;.
Nel oaeo in eui la tensione. l-"hg sia inaggiore di Lliffib. la (4.1å1S] 1-i
eernpliiiea in

In = Jim f:`="“"“† (e.l91`_=

CD Il

H..-' _ 1-ff H
Ibü = Iaaì e (4191

ehe. a parte la preeenza dei para.n:1etro -rt, e rnoito eiinile alla relazione
eerrente-teneione del traneietore bij;›ela.re.

360
4.12 Effetti di elevato campo nel transistore i\/IOS

4.12.1 Campo verticale e mobilità superficiale

La mobilità., nn, usata nel paragrafo 4.4.4 per ricavare il modello del
transistore MOS a canale n, a dispetto di quanto assunto sinora, non e
la mobilità. degli elettroni misurata ali'interno del cristallo di silicio, deno-
minata mobilità di substrato, quanto piuttosto una rzeobilátri di superfimle.
Quesfiultima presenta un valore più basso rispetto alla mobilità. di substra-
to e tiene conto del fatto che gli elettroni (o, in genere, i portatori volendo
includere anche le lacune nel caso di un transistore PMOS), viaggiando
in una regione prossima alliinterfaccia Si-SiO2, subiscono 11n ulteriore di-
sturbo al loro moto a causa della vicinanza con lo strato di ossido. La
mobilità. di superficie dipende quindi da quanto i portatori interagiscono
con liínterfaccia.
Tale interazione e fortemente dipendente dal campo elettrico verticale,
ovvero dalla componente E1, del campo, che, attirando i portatori verso
liinterfaccia, ne aumenta il disturbo dovuto alla vicinanza. con lo strato di
ossido.
Il fenomeno, da un punto di vista intuitivo, può essere immaginato ana-
logo al moto di un corpo posto su una superficie ruvida. Difatti e come se
il corpo di Fig. 4.47 (i portatori di carica), durante il suo moto lungo l”asse
y provocato da una forza di spinta (il campo elettrico Eu), fosse frenato
da 11na forza di attrito causata dallo sfregamento con la superficie ruvi-
da. Tale “sfregamento” viene rappresentato, nel caso del transistore MOS,
mediante una diminuzione della mobilità. Sempre facendo riferimento alla
Fig. 4.47, la forza di attrito e fortemente dipendente dalla forza di gravita
(il campo elettrico verticale In particolare, un aumento di questiul-
tima aumenta iiinterazione del corpo con la superficie ruvida e causa una
diminuzione della mobilità..
Il campo elettrico verticale, quindi, ostacola il moto delle cariche lungo
liasse y e fa si che il valore reale della corrente sia minore di quello atteso
dalle relazioni ricavate nel paragrafo 4.3.
Esiste una relazione empirica che lega la mobilità. superficiale alliinten-
sita del campo elettrico verticale e può essere rappresentata come

/lfnü
ti1., = í
1 + ea, ( 4.192 )
361
 forza di attrito
*P supe ficie
forza di spinta (E_,.) 4* ( ) É

li.
forza di gravità

1, Et)
›»
Fig. 4.47 - Analogía della riduzione della mobilità come fenomeno dissipa
di attrito.

dove png e il valore che la mobilita di superficie assume in assenza

campo verticale e (-3 e un coefficiente denominato fattore di riduzione d
mobilità. Llordine di grandezza del coefficiente 6 è alliincirca di 1.5
1O`6 cm/V.
Poiché la componente verticale del campo elettrico, E5, è in gene
funzione di :I: e y, non è affatto agevole ricavare la corrente di drain
mendo la (4.192) come espressione della mobilità. a causa della dipend
dalle due coordinate spaziali.
Si può eliminare la coordinata .ar ipotizzando che il campo elettrico
11na media del campo presente nel solo canale conduttivo. Facendo
mento alla sezione di canale mostrata in Fig. 4.25, si puo scrivere Ex
media del campo valutato in :1: = O e in :r = ;r.;(y), cioè in superficie e
punto limite tra la carica di canale e quella di svuotamento. Quindi si

E$_ lau 2e| ,(y) (41

I termini E,r|,,,._g e E,r|,,,_,,,c(y) possono essere ricavati facendo uso

teorema di Gauss, dove la carica associata al primo termine e rappr
tata dalla carica nel substrato, Q5 = QC + Qd, mentre quella a
al secondo termine e solo quella di svuotamento, Qd. Ovviamente
sto accorgimento non elimina la coordinata y che, per chiarezza, vi
esplicitamente riportata nel seguito della trattazione. Si ha, quindi

Emi) _ QB(3J)2:5 Qafy) , Qcfy) ;2Qa('y)

Usando la (4.79) per Qd(y) e la (4.82) per QC(y), la (4.194) diventa

352
 Eafy) = il/G - VTH - l/Ely) + 2%/2¢F + Vs) (4-195)

da c11i si ottiene la mobilita superficiale funzione della sola variabile y

my) - 1 + Q C0;” [VG - VTH _“"° + 27v/2¢'›F + V5

(we
E

Ovviamente anche la relazione (4196) risulta essere particolarmente

complessa da sfruttare per ottenere un°espressione compatta della corren-›
te di drain. Conviene quindi utilizzare 11na mobiiitri saperficiele media.,
indicata da ,ti-5, tale che la corrente ID calcolata tramite la. (4196) sia
uguale alla corrente ID calcolata tramite ns.
Considerando la sezione di canale di lunghezza dy mostrata in Fig. 4.25
e sfruttando la (4.94), la corrente ID valutata usando ns è

Indy = Wiusl-Q¢('y)ldVly) (4197)

mentre la corrente ID valutata usando la mobilità ,n._.,(;.j;) e

I d _ lflienfll-Qc(y)ldV(y)
1 4.198
D y 1 + 9%: [VG ¬ Vira - Va(-y) + 2-'rx/2411? + Vs| ( )
Combinando pertanto la (4.l97) e la (4198), si ottiene facilmente la rela-
zione

“f = 1+ eí (va ~ vai - v.(y> + 2%/2¢F + vs)

T1- COI
(4199)
Assumendo che abbia. un andamento lineare lungo il canale, ov-
vero
V
vie) a -fit + vs (M00)
e possibile integrare ambo i membri della (4,199) l11ngo liintervallo [O,L]
delliasse y. Risolvendo per ,a_.,, si ottiene

Jura *_ * . f e
1 -l- (1/gg - l/TH - + 2^/\/QCÉF -|- V5)

La (4.201) definisce la mobilita superficiale media, ,u.5, in funzione delle

tensioni applicate e mostra, inoltre, come questa muti rispetto al valore

363
png, misurato in assenza di campo verticale. Tale relazione viene spesso
semplificata ulteriormente trascurando sia l°effetto della tensione V95 sia
liinfluenza della carica della regione svuotata rappresentata dal termine
sotto radice. Si ottiene quindi la relazione molto usata nella pratica

.a “W 4.202
Mb 1 + Ö (1/G5 - l/TH) ( )

dove

9 = 9% (4,203)
265

Esempio 4.19 .
Stimare la riduzione della mobilità. dovuta al campo verticale, per un transistore
MOS con spessore delliossido toa = 7.6 nm e tensione di soglia VTH = 0.5 V,
polarizzato ad una tensione gate-substrato Vgg _ 1V. Assumere 9 = 1.5-
1O_6cm/V.

Soluzione
Per la (4203), si ha

e=e CM-.- eam -~ 1.5 - 10-5 X. 34.53- 10-14 ~_0.323v _,

26, 2¢,..;«:..n, 2 >< 1.054 - 10-12 >< 7.6 - 10¬@ >< 100
Tenendo conto della (4202), si può valutare il rapporto

”*' ~ 14 -l- 19 (VG51. - VTH)_»

png
1
1 -|- 0.323 >< (1 _ 0.5)
- 0 D se
cl1e rivela una diminuzione della mobilità. di circa il 14%.

4.12.2 Campo laterale e mobilità effettiva

Tutte le espressioni sinora ricavate sono state dedotte sotto l°ipotesi

semplificativa di una dipendenza lineare tra la velocita di deriva dei por-
tatori ed il campo elettrico applicato. Questa dipendenza lineare, come
gia accennato nel paragrafo 1.2.1, in realta si osserva solo per bassi campi
elettrici.
A campi elettrici elevati, oltre un certo valore critico, EC, la velocita dei
portatori satura raggiungendo un valore massimo denominato velocità. di
saturazione ed indicato con fu,m._,. Per gli elettroni nel silicio la velocita di
saturazione è di circa 107 cm/s.

364
 12 ¬i 1 1 r

,i-if.. = v..t-E,.› /vm...

,O P
I"
_ __ _ _
|

8 1.. _ . . . _ _ . . . . . . . ,. . . . _ . . _ . . _ . . . _ . . . __ . ._ _ ___»-_ _ _ _ _ _ . . _ . . . . _ . __ . . . _ . . . . . . . . . . . . __ . . . . . . _ .._

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cmfs
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6 _._. :II _ . . . . _ . . __ . . . . . . . . _ _ _ . . . ___ . . . _ _ . _ . . . _ . . _ _ _ _ _ _ _ _ . . . . . . . .. . . _ . . _ . . . . . . _ _ _ _ _ . . _ . . . _ . . . _ . . . . . _. _

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11

I
V ¬
I I

Un?-( ,I
I
1

4 .' _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . _ . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...L
I' .
.I
I
I
I
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I
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I
I

2 ofI .. . ......... . . .. ___ ___. ___._.._ ___ ..__ .__..._ _.__. _ _ _ _ _ _ __ _ _ . _ _ _ _ _ _ _ _ _ ___.

E E
0 ci i
0 20 40 60 80 100
-E, >< 103 (v/cm)
Fig. 4.48 - Velocità di deriva degli elettroni in funzione del campo elettrico
applicato (v,,,_,,,,, = 107 cm/s; EC = 10 - 103 V/cm).

Nel caso di un transistore MOS, gli effetti di saturazione della velocita

dei portatori si manifestano in presenza di un elevato campo elettrico la-
terale, Ey, facilmente visibile in prossimità della regione di drain. Difatti,
tenendo conto che di/,,(y)/dy = -Ey, si puo riscrivere la (4.94) come

fa : .v..wo.<y>E. (42041
Essendo la corrente ID costante lungo tutto il canale, e facile osservare che
se QC(y) tende a zero, come accade in prossimità. della regione di drain, il
campo elettrico Ey cresce tendendo ad infinito. In realta il campo laterale
non diventa infinito, ma raggiunge un valore molto elevato che causa la
saturazione della velocita dei portatori.
Con riferimento ad un moto di elettroni lungo liasse y, liandamento della
velocità. di deriva dei portatori in funzione del campo elettrico e riportato
in Fig. 4.48. Come si nota, per bassi campi elettrici, la dipendenza tra la
velocità. degli elettroni, o,,,, ed il campo elettrico -E,, e lineare mentre per
campi elettrici elevati la velocita satura diventando pari a 'o,,,,,,,,. Si osservi
che il grafico di Fig. '4.48 e costruito riportando sulliasse delle ascisse -Ey
anziché Ey in quanto, trattandosi di moto di elettroni, la velocita è positiva
(concorde con l”asse y) se il campo elettrico E3, è negativo.

365
 È conveniente definire il valore critico del campo elettrico, EC, nel punto
dove la retta *on : ,u,.,,(-Ey) si interseca con liimmaginario asintoto oriz-
zontale passante per z=,.,,,,,,,-,,, come mostrato in Fig. 4.48. Questo consente di
definire il campo elettrico critico come

E., = L““*` (4205)

Mn.

e di utilizzare la relazione empirica

_ ( ra
abs?
TF
per descrive la dipendenza di en dal campo Ey.
Riadattando la (4206) al moto di elettroni lungo il canale di un
sistore NMOS, si ha

di/C
ci
c

1 + se
dove è stata sfruttata la (4.205)
E possibile a questo punto utilizzare la (4.207) per ricavare la co
di drain in presenza di elevato campo laterale. Allo scopo, invece di
lizzare per la densità. di corrente nel canale la (4.91), valida in presenza
proporzionalità tra 1),, e Ey, si utilizzerà., riadattandola al caso ir1
la relazione più generale (1.14), ovvero

Jflyfazvy) '-: _qn(3-'":›y)'Un(g) (4208

_ La corrente di drain si trova integrando la (4.208) sulla superficie A

di Fig. 4.25. Applicando quindi la (4.92) e tenendo conto della d ini '
di Q,,(y) data dalla (4.90), si ha

ID = -WQ¢(y)vs(s) (4
Sostituendo alla (4209) la (4.207) si ottiene

ID (1 + EC1 di/L(
dyy ) ) _ /aWQ.«.(y)%
di/C (4.2
 Infine, integrando tra source (y : O) e drain (y : L) si ricava”

V V
ID (L + åg) 1 v..0..W (Vas - vm - %S)1/ss <4-211)
che porta all°espressione finale della corrente di drain

._,.,_, W V K
ID _ H ,_ CUI- (1/G5 _ 1/TH - Dq) 1/D5 (4212)
(1+ L 2
Eñl-0 \-¬___.. /

L°effetto immediato della saturazione della velocita di deriva è quello di

ridurre la corrente di drain rispetto al valore previsto dalla (4.99). Questo
effetto viene spesso modellato tramite una diminuzione della mobilita e
liintroduzione di un nuovo parametro detto nifibtittd efiettiw. defillito dal
termine in parentesi quadra della (4.212).
Combinando gli effetti causati sulla mobilità. tanto dal campo verticale
quanto da quello laterale, è possibile definire la mobilità. effettiva, iiefif,
come

t.,,, : '“i“° 4 8, -
N
(4213)
( vi)
2'*
il iau/GS _ l/_i¬H)l 1 + LLÉ: FI

spesso utilizzata nella modellistica dei transistori MOS.

È da notare che anche la (4.212), nel piano Ip-V35, al variare della
tensione VG5, rappresenta un fascio di curve concave passante per liorigine
degli assi. Ovviamente, le curve non sono più parabole. Il massi111o di
ognuna di queste curve interviene per un valore di i/,gg pari a-23

1/,;;,S,,,,:LE,, \/1+ 2 (GÉE

1/ 41/TH) 1 (4214)

e rappresenta quel p11nto che delimita le regioni di triodo e di saturazio-

ne. facile dimostrare che liespressione di i/1;›,5†5,,,,; definita nella (4.214) e
sempre minore di VG5 - V;._¬H. Come conseguenza, in presenza di elevato
campo laterale, un ulteriore effetto causato dalla saturazione della velocità.
di deriva è quello di ridurre la tensione drain-source di saturazione rispetto
al valore previsto dalla (4.88).
22L`integrazione della parte destra dell'equazione (4210) segue lo stesso procedimento
descritto nel paragrafo 4.4.4.
2311 punto di massimo si trova annullando la derivata della (4212) rispetto a i/pg.

' 367
 Esempio 4.20 - _
Assumendo che il transistore delliesempio 4.19 abbia una lunghezza di canale
L 2 0.6 um, trovare il rapporto tra la mobilità. effettiva e ,Ling per una tensione
i/pg = 1 V. Valutare inoltre la reale tensione di saturazione Vpgsai. Assumere il
campo elettrico critico EC = 26.7V/cm.

Soluzione
Combinando la (4202) con la (4213), si ha
n.,,-f
_ _- ;f%,,-4 . ass -_ 0.53
1/I-;_¢__j,' 1
“'10 1 + I.-E., 1 + o.s›1o-4 ›<2s.'r-1o3
che rivela una diminuzione della mobilità effettiva del 47% rispett.o a.lla mobilità.
di substrato.
La tensione di saturazione si ottiene dalla (4214), ossia.

- .-._ . i
VDSsai:LE¢ \/1+2(VGÈE VIIHJI ¬1 I

_
-as, 10 _., ><2s.r 10 3 >< [\/1+O_6_1O_,,x26_7_1O,
,_ 2><(1-0.5) Q
1 __
=0.44V
e mostra come vi sia u11a riduzione del 12% rispetto a quanto previsto dalla
relEJ.ZiO11e l/D,5¬_§,;,¢ I V55 - l/]¬H(= 0.5

4.13 Effetti di canale corto

Il progetto di circuiti integrati ad alta densità. richiede che il numero

di transistori MOS per unità d”area sia il più alto possibile e che, conse-
guentemente, le dimensioni di u11 singolo transistore MOS siano le minime
possibili. U11 parametro indicativo delle dimensioni di un transistore MOS
e la lunghezza minima di canale consentita da una data tecnologia. Que-
sta lunghezza minima, grazie al continuo avanzamento della tecnologia di
lavorazione dei circuiti integrati, negli ultimi dieci anni si è ridotta di circa
un ordine di grandezza, come evidenziato in Tab. 4.6. Nel seguito verran-
no esaminati gli effetti dello scaling delle dimensioni sul funzionamento del
transistore MOS.

4.13.1 Lo scaling dei dispositivi

La riduzione delle dimensioni di un transistore MOS è comunemente

conosciuta con il termine anglosassone di “scalifrig” e comprende oltre alla
Tab. 4.6 - Riduzione della minima lunghezza di canale nel corso degli anni per
un tipico processo CMOS.

Anno 1989 1991 1993 1995 1997 1999 2001 oggi

Lmin 1.2 1.0 0.8 0.5 0.35 0.25 0.13 <0.09

riduzione delle dimensioni fisiche del dispositivo anche il ridimensionamen-

to di alcune delle principali grandezze elettriche. Le operazioni di scaling
avvengono ogni qual volta si renda necessario il passaggio o la migrazione
verso una tecnologia di minori dimensioni, e possono sempre essere consi-
derate come soluzioni intermedie tra due particolari operazioni di scaling:
lo scaling a campo eiettrico costante e lo scaling a tensione costante.
Nello scaling a campo elettrico costante, riducendo le geometrie del
dispositivo, si cerca di preservare e mantenere inalterate le intensità. dei
Campi elettrici alliinterno del transistore. Ciò al fine di limitare, per quanto
possibile, sia gli eventuali stress cui il dispositivo e sottoposto, sia gli effetti
di elevato campo descritti nel paragrafo 4.12.
A grandi linee, per ottenere uno scaling a campo elettrico costante, la
1`i(i11Z-10110 (ii 1111 fattore S (S 3*› 1) delle tre dimensioni goorrietrielrie deve
essere accompagnata, secondo lo stesso fattore di scala, da un incremento
delle concentrazioni di drogante e da una riduzione di tutti i potenziali
in gioco. Le concentrazioni di drogante sono quindi incrementato di S e
le tensioni applicate, come ad esempio la tensione di alimentazione, sono
ridotte di S.
Questo tipo di scaling presenta come vantaggio principale la riduzione
di un fattore S2 tanto della dissipazione di potenza, quanto dell”area oc-
cupata. Inoltre, le minori dimensioni dei dispositivi consentono maggiori
velocità operative permettendo, ad esempio, il funzionamento dei moderni
microprocessori a frequenze ben oltre il GHz.
Sfortunatamente lo scaling a campo elettrico costante presenta alcuni
inconvenienti pratici. In primo luogo esso influenza anche la tensione di
soglia che, riducendosi di un fattore S, può diventare talmente piccola da
non consentire più un corretto spegnimento del transistore MOS in regione
di interdizione2“1. In secondo luogo, il ridimensionamento delle tensioni può

Min elettronica digitale è di fondamentale importanza poter distinguere chiaramente

la regione di funzionamento che consente il passaggio di corrente (regione di triodo)
da quella in cui il passaggio di corrente è interdetto (regione di interdizione), perché a.

369
scontrarsi con le esigenze di doversi interfacciare con un mondo esterno nel
quale le tensioni di alimentazione e quelle ai terminali non hanno ancora
subito le opportune operazioni di scaling.
Per queste ragioni, spesso si opera lo scaling a tensione costante nel
q11ale, mantenendo inalterate le tensioni, la riduzione di un fattore S (S >
1) delle tre dimensioni geometriche viene accompagnata da un incremento
delle concentrazioni di drogante di S2 in modo da preservare le relazioni
che legano il campo elettrico alla carica.
Anche questo tipo di scaling riduce liarea occupata di un fattore S2. Si
dimostra, tuttavia, che la dissipazione di potenza a.umenta di un fattore S.
La praticità dello scaling a tensione costante è in sostanza pagata con una
maggiore dissipazione di potenza che, a causa anche degli elevati campi
elettrici presenti, compromette le prestazioni del dispositivo in termini di
affidabilità.

I
if

4.13.2 Effetti sulla tensione di soglia

La riduzione delle geometrie tramite i processi si scaling ha portato,

corso degli anni, a.d avere dispositivi di dimensioni sempre più ridotte
quali, tuttavia, le limitazioni fisiche e tecnologiche 11on hanno cor
di poter scalare in maniera accordata t11tte le dimensioni lungo i tre assi di
riferimento. In particolare, le geometrie superficiali (W, L, Lj) sono state
sottoposte ad 11na riduzione relativa maggiore rispetto alle corrispondenti
geometrie verticali (tum, aj) portando cosi alla formazione di un transi-
store MOS che prende il nome di transistore a canale corto, ovvero di
un dispositivo nel quale le dimensioni del canale di co11d11zione diventano
confrontabili con la profondità delle regioni diffuse (L :-':: :rj-).
Uno degli effetti che caratterizzano i transistori a canale corto è la
riduzione della tensione di soglia rispetto al valore previsto dalla relazione
(4.81), valida nel caso di transistori a canale lungo. Per comprendere il
fenomeno, si riscriva la tensione di soglia in funzione della densità di carica
di svuotamento, Qd

queste due regioni sono associati gli stati logici “O” e “li su cui si basa tutta lielabora-
zione digitale. Se la tensione di soglia diventasse particolarmente bassa, in regione di
interdizione esisterebbe una corrente sottosoglia non trascurabile che non consentirebbe
una chiara distinzione dei due stati, e causerebbe 1”errato funzionamento del circuito
progettato.

370
 regione svuotata
associata al gate P*
_`_`I ___-!

†<f.?í+.:-:
2 ai
' - = =-
fil
- -P-f änaaw rana-vcnnanns

I' I I I I`f-`fÈ`5`-'-`ff'2Éf "1-EEfE-E235-E-1-E-E-E-EE-EE-EI-E-EÉE-E-E25

_ __ ___; '_ 1'2.1'í"I';.2I'. 15::_:2;:.;':;:.;':;::;';',.;;:555.531
;:-;;;::::r -jj";j-1;-;_-3;; 1;:':;;::;:';';;;':;;;;;;;
If ""I.í.'ì'E.f ' '221':rI;I=I='='=';':I:;';

regio 111 .rd

svuetate
Substrato (Bulk) p', NAB
(H)
regione svuotata
associata al gate F
~'* 1 È* ___-: so

._.siåi<j§.'EEi=¦'iI<;=
I,s
ia,a._-

LI
` . .
regioni xd
SVl10l£ì[€ '

Substrato (Bulk) p', NAB

(D)
Fig. 4.49 - Distribuzione della carica di svuotamento in un transistore MOS.
(a) Approssimazione a canale lungo; (b) Approssimazione a canale corto.

VTH = VFB + 2<i5F - %£- l'4-215)

dove, per definizione di tensione di soglia, la densità di carica Qd e pari al

suo massimo valore, QG-f_,.,.,,,,,,, ovvero

Qd : Qdmaz : _\/2q€si7VAB(2¢F _l`

Nella trattazione svolta sinora e valida per transistori a canale lungo,

la densità di carica Qd e assunta come disposta in maniera uniforme al di
sotto delliossido di gate in modo da formare la distribuzione rettangolare
che si estende dal source al drain mostrata in Fig. 4.49 (a). In questa
situazione, definendo la carica di svuotamento totale come Q4 I Qdl/VL,
si può esprimere la tensione di soglia mediante la relazione alternativa

371
 l/TH = l/FB + Qáp - (4217)
*oìr

nella quale, il termine Qd rappresenta tutta la carica di svuotamento

generata a causa. dell“applicazione di una opportuna tensione di gate.
In un transistore a canale corto, schematizzato in Fig. 4.49 (b), la pola-
rizzazione delle regioni di source e drain influenza in maniera apprezzabile
la distribuzione della carica Qd, che non può più essere assunta uniforme e
rettangolare come in Fig. 4.49 Difatti, vicino alla superficie ed in pros-
simità delle regioni di source e drain, la carica svuotata non è indotta solo
dalla tensione di gate, ma anche dalla polarizzazione inversa delle due re-
gioni diffuse con il substrato. Come conseguenza, la carica di svuotamento
totale, indicata in Fig. 4.49 (b) da Q4, va calcolata come
A L
od = W /0 od dy (4218)
Non è facile ottenere urfespressione analitica della distribuzione assun-
ta dalla carica Q0; lungo la direzione del canale e, di conseguenza, della
(ff-1.218), anche se un modello semplificato verra fornito tra breve. Per ora
basti osservare che la carica reale presente in un transistore a canale cor-
to è minore di quella stimata mediante i modelli analitici ricavati per il
transistore a canale lungo. In particolare, vale sempre

lQd| S |Qd| (4-219)

Applicando per analogia la (4217), si ottiene la nuova tensione di soglia

per un transistore a canale corto, l/TH
A

VTH = VFB + 2(ÖF _ ' (4220)

Ricordando, inoltre, che

Q
id
CCKJ/VL I ~'wv2<í>F + Vss (4221)
è facile veriiicare che la (4220) può essere riscritta come

WH = VFB + 2eF + åãvw/ 2¢1~¬ + VSB (4222)

ol

372
che, tenendo conto della (4219), mostra come la tensione di soglia di un
transistore a canale corto sia minore di quella prevista dalla teoria del
transistore a canale lungo.
Lo scostamento del valore della tensione di soglia rispetto al valore
previsto dalla teoria del transistore a canale lungo si definisce come

Âl/TH I ÈTH - I/TH (-4.223)

e, confrontando le relazioni (4.81) e (4,222), è pari a

.À

ÂVTH I - (1 _ ^,f'*,/ 2f,'ÖF -|- V55 (4224)

A -_-

La relazione (-1.222), a meno del termine Q,-,q/Q,._;,›_, presenta una forma

molto simile alla definizione della tensione di soglia di un transistore a
canale lungo data dalla (4.81). Ricavare, quindi, un“espressione analitica
della (4219) si riduce ad ottenere un”espressione analitica del rapporto
Qd/Q4 per il quale si puo operare come segue. Si consideri il transistore
a canale corto mostrato in Fig. 4.49 (b), dove si e ipotizzato che source e
drain siano allo stesso potenziale e che i bordi delle regioni diffuse siano
cilindrici e di raggio pari alla profondità. delle regioni stesse, 11:3-. Si trac-
cino, come se non vi fosse alcuna interazione tra loro, la regione svuotata
associata al gate ed in maniera simile, attorno ad ognuna delle due regio-
ni diffuse, le due regioni svuotato associate a source e drain. Nel farlo si
assuma che l°estensione delle tre regioni svuotate sia uguale e pari a :z:d25.
Infine, sfruttando llintersezione formata dalle tre regioni tracciate si ricava
la schematizzazione di Fig. 4.49 (b), dove la carica Qd assume un profilo
trapezoidale.
Sotto queste ipotesi semplificative, il rapporto Q0;/Qd non è altro che il
rapporto tra le corrispondenti aree di Fig. 4.49 (b) e Fig. 4.49 (a), ovvero

@~%$d-14€”-i (4225)
Qd Líd L l

Il termine 3:1; può essere ricavato applicando il teorema di Pitagora

:nd2 + (JJL + 22,)_ 2 _

_ (az,_ + rd)
_ 2 (4,226)
21' . _ . . . . . _ .
“A rigore, le estensioni delle regioni svuotate associate a source e drain sono diverse
da md, tuttavia Terrore che si commette in questo modo e trascurabile.

373
da cui si ottiene

2
:UL = 3;, (, /1 + - 1) (4227),
J'

Sostituendo la (4227) nella (4225) si ha

%=1~%(,/1+%1) (4

dalla quale è facile ottenere tramite la (4.222) e la (4.224), le esp

per VTH e Al/TH. Tali espressioni risultano di difficile manipolazione
cui, spesso, si preferisce semplificare la (4228) assumendo che :Bj >>
ovvero26

Qd~ _ È
-Ö-;~l 51,5 (

dove il termine ,81 rappresenta un parametro correttivo nominalmente

a 1. Di conseguenza, tenendo conto che per definizione di tensione di
:rd e pari al suo massimo valore, zdmm, per la (4.41) si ha

xd : -Tdm.a..'r : 4- V + I/S

dove

263
= ~ ì 4.231
g )/ QNAB (

Sl ha pel' lil/TH 6 Al/TH

vTH = VFB + 2451-7” -|- 'YV 2451? -|- V5' (1 - [8-È/gi! 2451-T' -|- V3) (4232)

Al/TH = _%(2G5F + V5) (4233)

Esplicitando le definizioni di §, 7 e Cox, la variazione della tensione di

soglia si può scrivere come
26Si è utilizzata Fapprossimazione ¬,/1 + 11: ss 1 + šm

374
 .~ L ¬'¬.
Ij F .ITL5 .Igp ¦

.: :assi§=g;=;=§=§§=§={=5:3E-E;§§§&f&fš§§?§=3š3'“f1š_š;š;š:š.š:š;š: â:.2';:;:; : ;=.=,;,:';°%"" " '

" 1 3 1
f _:-
1 _' _ =- -=- =' '- :ij-§_í§_;:;:::_:j;,:;1:;;_;:_:'._'i=§;§I§
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- - -_._._+..:.»=.=.=.=.:<-=.:-:-=-::--;:_-_-':_:;:;;jf;::j:._::
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*Qííí L ii,
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I X40
1

Fig. 4.50 - Distribuzione della carica di svuotamento in un transistore IVIOS a

canale corto per VD :> V5.

ai/TH = ~2ß1-“_í(2@F + VS) S tülb' r

(4234)
Eos:

dalla quale emerge il ruolo fondamentale che svolgono la lunghezza di cana-

le, L, e lo spessore dell“ossido, tm. Difatti, gli effetti di canale corto possono
essere diminuiti o incrementando L o diminuendo tm. In quest°ultimo ca-
si, infatti, il terminale di gate si trova più vicino alla superficie Si~SiO2 ed
è in grado di avere un maggiore controllo della carica indotta nella regione
svuotata.

4.13.3 Effetto della tensione drain-source: DIBL

Il risultato ottenuto nel paragrafo 4.132 è stato ricavato ipotizzando

che la tensione di drain sia pari alla tensione di source o, da un punto
di vista pratico, supponendo che la tensione I/pg sia trascurabile. Per
una tensione V5 fissata, se si incrementa V95 (e quindi VD), la regione
svuotata attorno al terminale di drain si espande aumentando il contributo
di carica associato alle regioni diffuse a scapito del contributo di carica
|Qd| indotto dal terminale di gate. La carica iQdi, quindi, diminuisce ed il
rapporto QC;/Qd è minore rispetto al valore previsto dalla (4228). Come
conseguenza, poiché anche il/'TH e minore del valore previsto dalla (4232),
si può concludere che, nei dispositivi a canale corto, llincremento di Vpg
porta ad una diminuzione della tensione di soglia.
Per descrivere il fenomeno, si può fare riferimento alla Fig. 4.50 nella
quale viene riportata la distribuzione della carica svuotata in un transi-
store a canale corto quando il terminale di drain si trova ad un potenziale
diverso da quello di source. In questa situazione, la carica Qd non assume

375
più una forma trapezoidale ed il suo calcolo non risulta particolarmente
agevole. Tuttavia, seppur in maniera non rigorosa, e possibile ricavare il
rapporto Qd/Qd richiamando il risultato ottenuto nella (4225) nella quale
va sostituita la lunghezza media (:rL5 + :rLD) / 2 al posto del termine 39,15,
da cui

È=1 3235+ mi-UD (4235)

QC, 2L
Le espressioni di :rL,g e :ULD si ricavano come nel paragrafo 4.132 ed
assumono un”espressione simile alla (4227)

jr
2
.ÉCLS = 233' ( 1 + -

2
4;LD=4;- . 14432-1 (4237)

dove le profondità. delle regioni svuotate in prossimità delle regioni diffuse

sono date da

was = Cv 2<I5i«¬ + Vs (4-238)

.íIIdD : 6-1,/ 2651? -|- VD

Infine, sostituendo le (4236)-(4237) nella (4235) si ha

%-1%|:(,/1+~2%l_í-1)+(,l1+%1)J (4240)

dalla quale è facile ottenere tramite la (4222) e la (4224), le espressioni

per il/TH e AVTH.
Anche in questo caso le espressioni di È-¬H e Ai/TH risultano di dif-
ficile manipolazione per cui, spesso, è conveniente semplificare la (4240)
assumendo che 11:3- >> 42,45; > zdg

" , 4 1 _ ß1$dS2L$dD
% + ~1 ,1211€
3 (4/24›,~..¬ + VS + 4/244,4
, + VD) (4,241)

376
 dove è stato ancora. introdotto il termine correttivo 51 nominalmente pari
a. 1.
Riscrivendo la tensione di drain come VD = V5 + l/pg? per piccoli valori
di l/D5, la seconda radice quadrata della (4241) puo essere espansa in serie
di Taylor arrestata al primo ordine attorno al punto l/D5 = O, ottenendo

f"èf1- ãåí (VQQÖF + V5 + (4242)

dove il termine 52 : 1/4 proviene direttamente dall“espansione in serie

di Taylor. Esso, tuttavia, viene introdotto in modo da poter estendere
la regione di validità della (4242) tramite u11 opportuno aggiustainento
empirico dello stesso.
Sostituendo la (4242) nella (4222) si ottiene

VTH = VFB + 2¢9F +

+7 s/-if,
2Q9F+V5 [1 -fil
L ( ai
2¢F+V9+ (4243)

mentre, utilizzando la (4224) ed esplicitando le definizioni di Q, cy e Gm,

si ha per la variazione della tensione di soglia

Â)/Tg = -2_ß1§it% [(2(_;ÖF + V5) + ßgl/D5] (4.2-44)

che mostra in maniera quantitativa, come previsto alliinizio del presente

paragrafo, la diminuzione della tensione di soglia con la tensione Vpg.
L“efTetto dellfinfluenza della tensione V55 sulla tensione di soglia viene
identificato con liacronimo DIBL dall'inglese Drain Izaduced Barrfáer Lowe-
ring (ovvero abbassamento della barriera indotto dal drain), ed è spesso
descritto utilizzando i diagrammi a bande, il concetto di barriera di po-
tenziale ed analizzando Pandamento del potenziale di superficie lungo il
canale di conduzione. La teoria sviluppata sinora per l°analisi del DIBL
non è particolarmente rigorosa, ma consente di avere un modello sufficien-
temente semplice ed efficace da poter essere utilizzato anche per un”analisi
carta e penna.
Il valore di ßg, in genere, varia con la lunghezza di canale, ed una rela-
zione approssimata lo vede proporzionale a 1 /L. Tale dipendenza si spiega
con un”immagine più dettagliata rispetto a quella mostrata in Fig. 4.50,

377
nella quale la tensione di drain controlla non solo la carica di svuotamento
in prossimità. del drain ma anche quella alliinterno del canale stesso. Un ca-
nale corto, quindi, consente di associare a.l drain una maggiore quantita di
carica di svuotamento e di conseguenza consente una maggiore diminuzione
Cli Ai/TH.
È importante notare che lieffetto della tensione di drain sulla carica della
regione svuotata in prossimità. del canale, descritto dalla (4244), continua
a manifestarsi anche oltre il punto di pinch-ofi. Di conseguenza, anche
trascurando l"`effetto di modulazione di lunghezza di canale, si ha che la
corrente ID in regione di “saturazione” di fatto non satura, ma continua. a
crescere con liaurnentare di V95 in quanto fi/TH continua a diminilire. Si
noti, altresì, che un dispositivo portato in regione di interdizione mediante
un abbassamento della tensione l/G5 al di sotto della tensione di soglia-
puo essere riportato in conduzione incrementando opportunamente VD5 e
riducendo in maniera sufñciente la tensione VTH. Questo comportamento
può avere effetti disastrosi in alcune applicazioni digitali qualora non venga
opportunamente considerato.

Esempio 4.21 _
Valutare la variazione della tensione di soglia causata dagli effetti di canale corto
in un transistore MOS con spessore delliossido igm : 7.6 nm, lunghezza di canale
L : 0.6 um, potenziale di Fermi del substrato <_;b1.¬ = 0.3 V. Il transistore e
polarizzato con i/Ig : VB : O e Vos = 1V. Assumere nel calcolo 81 = 1 e
/32 =1/4.

Soluzione
La variazione della tensione di soglia. causata dagli effetti di canale corto è data
dalla (4244), da cui
ti |
Al/'PH = -2.51 *L* i(2<í?F + Vs) + ßzlfosl =

1.054-in-12 >< 600

._-2 >< 34_53_1U_,, 7.6 >< [2 >< o.3+ E1 X 1] _ -savmv

4.14 Modello a bande di energia del condensatore l\/IOS

In questo paragrafo sara esaminato il comportamento del condensatore

MOS utilizzando il modello dei diagrammi a bande. Ci si soffermera, in
particolare, sul condensatore l\|-'IOS a canale n del quale si tratteranno la
tensione di banda piatta e la regione di funzionamento in inversione. Nel

378
 O_ Sioz * Sub strato _O
G T (P: Nas) . B

(H)
EWIF
* era * Evar
EL`fJx q

GWH `
@ qa) Bm , q® B5 Q @
Q @ @ ß
EC.¢

EPM """"""" EG,

EGO', ............................. -.- .....-.†-.ã..... .. Eù

.............................- E,
1
EV:

ooo ooo ooo ooo ooo ooo ooo ooo ooo ooo
oooo oooo
aee e eaeo eeeeae eae eooe a eae ae e ae ea

(b)
Fig. 4.51 - Elementi isolati di un condensatore M05 a canale n e loro
diagramma a bande.

mguito del paragrafo viene assunto per semplicità. che il condensatore l\/IOS
non presenti carica intrappolata nell°ossido di silicio27 (ossia, Qm, = 0).

4.14.1 Creazione del condensatore e potenziale di banda piatta

Gli elementi che compongono il transistore MOS a canale n ed i loro

rispettivi diagrammi a bande sono scliematizzati in Fig. 4.51. Come fatto
nel paragrafo 2.11, questi diagrammi a bande si tracciano assumendo il
livello energetico del vuoto, Ewa, come riferimento.
La regione metallica le caratterizzata dal livello di Fermi, Epm, che va
tracciato distanziato da E.,,,,c di una quantità. pari alla funzione lavoro del
“Questa semplificazione ha effetto solo nella valutazione della tensione di banda
piatta, l/FB.

379
metallo stesso, qcpm. Il semiconduttore va raffigurato ponendo EC, ed EFS
distanti, rispettivamente, qX,, e qcps dal livello del vuoto. Liossido di silicio
può essere caratterizzato tracciando solamente i livelli energetici28 Egm, e
Eva, avendo cura di riportare un°afHnità. elettronica, qxox, di 1eV (vedi
Tab. 2.3) e di tracciare un gap, Egox, di circa 9eV.
In maniera simile a quanto fatto a proposito delle giunzioni metallo-
semiconduttore, q<I>,›3,.,, = qcpm - QXOI definisce la barriera energetica vista
dagli elettroni nel metallo. Tale barriera è costante ed indipendente dalla
polarizzazione applicata. Inoltre, poiche anche qX_-,-, e QXOI non variano né
con la polarizzazione né tantomeno con il drogaggio, anche la barriera di
potenziale vista dagli elettroni nel semiconduttore e costante ed è definita
da qëss = qxs - qxsa-
Ad esempio, ipotizzando di usare Al per la regione di gate e del silicio
drogato che abbia un potenziale di Fermi (qb;.¬) di 400 mV per il substrato.
Epm si trova 4.01 eV al di sotto di Ewa, come riportato dalla Tab. 2.3. e
EC, ed Eps sono distanziati da EW., di 4.05 eV e 5.01 eV, rispettivamen-
te. Inoltre le barriere energetiche q<lf)1;,›,.,., e q<I>,›3_.., valgono, rispettivamente.
3.01 eV e 3.05 eV

Sotto l“ipotesi di Qaa; I 0, quando i tre elementi di Fig. 4.51 vengono

posti a contatto tra loro per realizzare un condensatore MOS, una vol-
ta raggiunto Pequilibrio termodinamico, ossia Fallineamento dei livelli di
Fermi, si crea la situazione descritta in Fig. 4.52 (a). Il diagramma a
bande mostrato va costruito tenendo conto delle considerazioni che seguo-
no: 1) la funzione lavoro del metallo rimane inalterata garantendo che
qfpm = Emc - E1.-~,,.,; 2) liaffinità elettronica del semiconduttore rimane
inalterata garantendo che qxs = Ewa - ECS; 3) liaffinita elettronica del-
l”ossido di silicio rimane inalterata garantendo che qxox - EMC - E001:
4) il piegamento del livello energetico del vuoto induce il piegamento delle
bande di valenza. e di conduzione tanto delliossido di silicio quanto di quella
porzione di semiconduttore prossimo a.lla superficie; 5) il livello energetico
del vuoto deve essere continuo.
Si osservi che la distanza. tra la banda di conduzione dell°ossido di silicio
ed il livello di Fermi del metallo rimane inalterata e pari a qëgm. In
maniera simile, la distanza tra la banda di conduzione delliossido e quella
del semiconduttore rimane pari a qQ5B_.,..

28Non è necessa.rio riportare il livello di Fermi nelliisolante in quanto eventuali movi-

menti di carica interessano solo il metallo ed il semiconduttore attraverso la chiusura di
un circuito simile a quello di Fig. 4.2.

380
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@@@@@ @ ® @®@ @ @ @ @ @ @ä ä fišlåßäfiäßä

(b)
Fig. 4.52 - Diagramma a bande di un condensatore l\/IOS a canale n
(a) Dispositivo non polarizzato; (b) Tensione di banda piatta.

Si noti, inoltre, che il livello energetico del vuoto subisce un piegamento

qqbms, pari alla differenza dei due livelli di Fermi

Q¢rn..s = EFS _ EF-ra = qfpm. _ qfps

A tale piegamento corrisponde una caduta di potenziale tra l°oss1do ed il

381
semiconduttore che, in prossimità della superficie, vede la banda di valenza
allontanarsi dal livello di Fermi.
Continuando Pesempio del condensatore MOS con gate in Al e semi-
conduttore caratterizzato da (bp = 400 inV, si ha qçbms = qcpm - qgos =
4.01 - 5.01 : -1eV. Il livello del vuoto del metallo si trova quindi 1 e'\'
al di sotto del livello del vuoto del semiconduttore, come schematizzato in
Fig. 4.52 (a).
Applicando tra gate e substrato una tensione VGB e possibile variare il
livello di Fermi del metallo rispetto a quello del semiconduttore secondo la
relazione

Erm = EFS _ ql/Gs (4246)

Poiché aumentando Epm si innalza anche il livello del vuoto del metal-
lo, è possibile portare il condensatore l\/IOS nella situazione mostrata il
Fig. 4.52 (b), dove il livello energetico del vuoto e costante lungo
il dispositivo. Questa condizione è detta condizione di banda piatta
e caratterizzata dal fatto che anche le bande di valenza e di cond
tanto delliossido quanto del semiconduttore, assumono un valore c
In particolare, il silicio si trova nella originaria condizione di neutralità
il suo potenziale di Fermi è costante in ogni punto.
La tensione l/Q5 richiesta per ottenere la condizione di banda p
è detta. tensione o potenziale di banda piatta e si indica con VFB. i\
condizioni ipotizzate si ha 29 I/FB = qäms.
Nelliesempio del condensatore MOS con gate in Al e con om, = -1V.
per ottenere un appiattimento del livello energetico del vuoto, bisogna
innalzare il livello di Fermi del metallo di 1eV rispetto a quello del se-
miconduttore. Imponendo, pertanto, Epm - Ep, = 1eV nella (4.246), e
risolvendo quest°ultima per VGB(= I/FB), si ha l/FB = -1 V.

4.14.2 Regioni di funzionamento

Dalla trattazione sinora svolta, l'applicazione di una tensione l/GB ai ca-

pi del dispositivo fa si che i livelli di Fermi del metallo e del semiconduttore
seguano la (4246). Da questa si evince che un aumento di l/Q3 determina
29.. . ..,."Ii
Si ricordi che si e ipotizzato QUI = 0. Nel caso in cui Qow 75 0 si ha l/fm; =
Qávns _ Qoz/Com-

882
 ›l p. Elvac

›-:ri 2%»
Q%~ 9%
1 QV.-...
Voi)
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E1'-1112 ß ® @ L ® @
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------------------------------ ------ E.,
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eese eee eeeeee eee

f""\ G \_-f'

Fig. 4.53 - Diagramma a bande di un condensatore M05 a canale n

(a) Ingresso in regione di inversione; (b) Regione di forte inversione.

888
un abbassamento del livello di Fermi, Epm, ed un conseguente piegamento
verso il basso del livello energetico del vuoto dal lato del metallo. Quindi.
per una tensione di gate, tale che l/'GB - l/FB I> 0, il piegamento del livello
energetico del vuoto tende a disporsi come mostrat.o in Fig. 4.53 (a).

Il piegamento del livello energetico del vuoto, rappresenta proprio la

tensione che cade ai capi della struttura, ovvero I/GB - VFB. Una parte di
questa tensione cade ai capi dell°ossido come lÃ,,_., ed un'altra in prossimità
della superficie del semiconduttore, come potenziale di superficie gbs. Il
piegamento verso il basso delle bande del semiconduttore di una quantità
pari a qçbs fa si che, man mano che ci si a.vvicina alla superficie del semi-
conduttore, E(/_._., si allontana dal livello di Fermi. Liallontanamento di E1.-,.,
da Ep, rappresenta la repulsione delle lacune dalla superficie ossido-silicio
ed il funzionamento della struttura in regione di svuotamento.

Quando la tensione VG,13 è tale da causare un piegamento delle bande del

semiconduttore pari al potenziale di Fermi, qçiäp, si ha esattamente la situa-
zione mostrata in Fig. 4.53 (a). In questo caso, all“interfaccia ossido-silicio.
il livello di Fermi coincide con il livello E,5. In a.ltre parole, all'interfac-
cia ossido-silicio, la concentrazione di lacune (e di elettroni) eguaglia la
concentrazione intrinseca, come previsto dalla (4.36).

Un ulteriore aumento di çbs determina liingresso del dispositivo in regio-

ne di debole inversione. Difatti, in prossimità. dell'interfaccia ossido-silicio.
il livello di Fermi si trova poco al di sotto di E,-,,, rispecchiando cosi una
situazione nella quale la concentrazione di elettroni liberi è maggiore della
concentrazione intrinseca, come descritto dalla (4.37).

Se la tensione applicata aumenta ancora, tanto da piegare le bande del

semiconduttore di una quantita pari a 2qçbp, il dispositivo entra in regione
di forte inversione, come mostratoiin Fig. 4.53 Come si vede dalla
figura, della caduta di tensione totale ai capi della struttura, VGB - I/pg.
solo una quantita pari a 2<;b1.¬ cade nel semiconduttore, mentre la restante
porzione cade ai capi delliossido come VOI. Un ulteriore aumento di I/GB
non modifica apprezzabilmente il potenziale di superficie (che, come è no-
to, resta pressoché costante) ma determina solo la crescita della tensione
Vox. In questo caso, all”interfaccia ossido-silicio, il livello di Fermi si trova
al di sotto del livello Em di una quantita pari a qçbp. Ciò significa che
alliinterfaccia ossido-silicio, la concentrazione di elettroni eguaglia (e su-
pera, per (bs > 2çb;.¬) la concentrazione di lacune del substrato, NAB, come
previsto dalle (4.39)-(4.40).

38.4
 T T T A I var

fi' €91
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@®® @@@® @@@@@@@ @@@%@@@@ ääääåää

4.54 - Diagramma a bande di un transistore MOS a canale n sottoposto

una tensione di polarizzazione di canale VC.

15 Modello a bande di energia del transistore MOS

Per poter costruire il diagramma a bande del transistore MOS, si in-

e l°influenza della polarizzazione introdotta dalle regioni diffuse al
ma a bande del condensatore MOS.
A tale scopo si andrà. a costruire il diagramma a bande della struttura
itata in Fig. 4.22, nella quale, al canale di conduzione gia formato, si
ppone la tensione l/,,, .`> 0. In questa situazione, il canale di conduzione
tipo n) con il substrato del dispositivo (di tipo p_) possono essere
ndotti ad una giunzione pn con un potenziale di conta.tto dato da

0 .v
V,,,=vT1n r'l'()í,***B .ezap (4247)
Q

nb

conseguenza, proseguendo nellianalogia con la giunzione pn, l”applica-

e della tensione VC alla struttura è, di fatto, una polarizzazione esterna

885
che mantiene la regione n al potenziale VC e la regione p a ma.ssa. La giun-
zione risulta, quindi, polarizzata inversamente e, da quanto discusso nel
capitolo 2, ai capi della struttura si ha un potenziale l/2,, + Vc. Come avvie-
ne nel diagramma della giunzione polarizzata inversamente di Fig. 2.32 (ci.
dove il livello di Fermi del semiconduttore si divide in due quasi-livelli di
Fermi distanziati tra loro di un ammontare pari alla tensione esterna, an-
che in questo caso, il livello di Fermi, EFS, si divide in due quasi-livelli
E):-5,, ed EF,,,,, tali che EF,,,., - EFS., = ql/1;, inducendo il piegamento del-
le bande del semiconduttore di una ammonta.re pari al potenziale ai capi
della giunzione, l/},, + VC.
È possibile a questo punto tracciare il diagramma a. bande della struttu-
ra di Fig. 4.22 partendo dal diagramma del condensatore MOS in regione
di forte inversione, Fig. 4.53 (b), e modificando la porzione relativa al se-
miconduttore secondo quanto discusso sinora. Il diagramma risultante È-
niostrato in Fig. 4.54. In esso sono posti in evidenza i due quasi-livelli di
Fermi del semiconduttore, separati da unienergia pari a ql/C, ed il piega-
mento delle bande del semiconduttore, che determina il valore del poten-
ziale di superficie, pari a gb, 2 V5, + l/2, = 2(_b,›v + l/C. Il piegamento delle
bande del semiconduttore, influisce, a sua volta, anche sul piegamento del
livello energetico del vuoto. Come per il condensatore MCS, la caduta di
tensione ai capi della struttura continua ad essere l/gg - VFB, quantità. che.
come mostrato in Fig. 4.54, si ripartisce in una caduta ai capi dell°ossido.
l/IH, ed in una ai capi del semiconduttore, çbs.
Il passaggio dal diagramma a bande della struttura di Fig. 4.22 a quello
di un transistore MOS con polarizzazione generica. delle regioni di source
e drain deve tenere conto del fatto che il potenziale VC è, in realta, un
potenziale variabile lungo l”asse y, dato, cioè, dalla funzione Vc(y), e tale
che l/§,(0) : V53 e l/f;(L) : l/DB. Il diagramma a bande del transistore
l\/IOS assume quindi una forma tridimensionale per il quale il diagramma di
Fig. 4.54, con I/f., : rappresenta una “fotografia” del transistore MOS
in un generico punto di ordinata y alliinterno del canale di conduzione.

4.16 Approfondimenti: Corrente in regione di sottosoglia

Per ricavare liespressione della corrente in regione di sottosoglia bisogna

operare come fatto nel paragrafo 4.4.4 a proposito della corrente in regione
di triodo, partendo però da un°espressione di tipo diffusivo per la densità
di corrente _jny(z, y), ovvero

886'
 _ d
Jay(fU=y) = qDa-@'›'%(1Fiyl (4-248)

La concentrazione di elet.troni ri(:1:,y) è responsabile della densità. di

carica Qc(y) presente nel canale e si lega a quest°ultima tramite la relazione
(4.90) che si riscrive per comodità.

+oo
Q.<y> = :U-<fm(m.y) dz (4249)
Si noti che, a differenza della (4.90), l'estremo di integrazione :r,,,(y) è stato
sostituito da -l-oo. Questiultima formulazione e formalmente più corretta
anche se, da un punto di vista grafico, non consente una visualizzazione
della carica di canale cosi immediata come quella mostrata in Fig. 4.25.
La corrente di drain, I5., si ricava procedendo come già fatto per otte-
la relazione (4.92), ovvero integrando la densità. di corrente j,,y(x, y)
o la superficie ortogonale all°asse y
+00 _
ID = Wƒ 0 -gnyda: (4250)
Ii

Anche in questo caso, il segno negativo all'interno dell'integrale tiene conto

l fatto che ID scorre in direzione opposta al verso dell°asse y. Sostituendo
(4248) nella (4.250) si ottiene

+oo d
ID = l/Vj -qD,,d-_n(z,y) dz' (4251)
- :.I.'.=0 y

tenendo conto della relazione di Einstein e della (4.249), può essere

tta

d
ID = l/l/a.,,VTà-E;-Q_.._,(y) (4252)

Integrando ambo i membri della (4.252) lungo liasse y nell”intervallo

L] e dividendo gli stessi per la lunghezza di canale, si ha

ID : /1'ri%l/T Âío åcgcfy) dy : U1'ri%/'l/T _

Resta a questo punto da determinare la densità. di carica di canale in

ne di debole inversione ed in prossimità. delle regioni di source e di
drain. L'espressione di Q_.,(y), tuttavia, non risulta banale da ricavare e
per ottenerla e necessario risolvere l“equazione di Poisson (4.15).
A tal proposito, si consideri una struttura simile a quella mostrata in
Fig. 4.22, nella quale la tensione di gate sia tale da mantenere il sistema
in regione di debole inversione. In questa situazione, la carica QC, sinora
trascurata, esiste ed e composta da quei pochi elettroni liberi la cui con-
centrazione e legata al potenziale V(.:L') tramite le relazioni di Boltzmann.
Ricordando quanto discusso nel paragrafo 4.4.1, la presenza del poten-
ziale VC applicato alla regione diffusa, altera la relazione di Boltzmann
che assume la forma descritta dalla (4.72). Si puo, pertanto, indicare la
concentrazione di elettroni liberi nel semiconduttore con la relazione

vizi-ve
'rz,(:1:) = Ego VT (4.254)

Tenendo conto che, per definizione di potenziale di Fermi, si ha /NA B =

NAB e"2¢F/VT, la (4.25-4) può essere riscritta

vm;-vc-2sF _
n.(:r:) = NAB e VT (4,255)

L”equazione di Poisson che tiene conto sia delle cariche negative fisse
(con concentrazione NAB), che delle cariche negative libere (con concen-
trazione diventa

d2 QNAB V(e)-Fc-zep
I ãà 'l' € ET )
1

Notando che in generale

šíi/(e) = E([email protected])%::( (4257)

e moltiplicando la (4256) per dl/(ir), si ha

N vrwi-ve-ME.
E(.1;›)dE(e) = ai (1 + e rr )<n/(gt) (4.2ssi›
Integrando la (4258) tra :rd e 0 si ottiene

1 0 N i/(is)-vc-za,-.¬ U
5 rd
= ai [I/(ac) + l/Te VT l (4,259)
5' ggd

888
dalla quale si ricava liespressione del campo elettrico in superficie, E (0),
- 30
ossia

_: e_Vf.¬._l:å_¢'›1«¬ _

2 N h 4'>s_Vc_2¢'
m `/-í-ge
AB (dis + VT efrflì (4.260)

La (4.260) puo essere utilizzata per mettere in relazione la carica indotta

nel semiconduttore, Q3, con il campo elettrico in superficie, E(0), tramite
la legge di Gauss31 applicata ad un volume che si estende nell”intervallo
loi :Edi

G55-vc-ÉÉÖF

es = -€.E(0) = -(/2qf.N...B («/›.. + vfe VT )

V f-i5s-l/¢;_:'¬2€i5E

W -V 2965-Naeflfis (1 + á G VT ) (4-261)

dove è stata usata Fapprossimazione m 1 + alla luce del fatto

che, in regione di debole inversione, poiché çbs < 2çbF + Vs, si ha che il
termine exp e molto minore delliunità..
Sempre tenendo conto del fatto di essere in regione di debole inversione,
la densità. di carica Q0; e molto maggiore di QC, quindi puo essere espressa
tramite la (4.29)

Qa = -V 2q€.gNAs45.@ (4-252)

Sottraendo la (4.262) alla (4,261), si ottiene per la densità di carica di

canale
_ /T “N fa-vs-2ff›F ,
Q.. = os - ed = -gi/T <4.2ßP›)
3USi ricordi che E(:rd) = 0, l/'(:i:d) = 0 e l/(0) = çbs.
31La legge di Gauss stabilisce che la carica contenuta in un volume pari alla
permettività moltiplicata per il campo elettrico uscente da.l volume.

889
 che vale per una struttura MOS come que ll a mostrata
¬ ' Fig
in ` _ 4 . 22 . Volen da
adattare la (4.263) ad un transistore MOS per ricavare le quantità. Q.: 0
e QC ( L ) presenti nell°espressione (4,253), si deve tenere conto del diverSII,
_ <i
valore che assume la tensione l/I, che polarizza le due regioni diffuse. Si h
quindi

__- \/2qe,N,.1
, .B _m*'S¬V
VT*WP
Qc(0) 2% l/Te (4.264

,/2 SN sis-VD-í'¢'>F
(ML) = ge AB l/re Vr (4265
2\/É
Si cerchi a questo punto un”espressione per il potenziale di superficie
lo ponga in relazione alle tensioni applicate. A tal proposito, consider
che in regione di debole inversione la carica QC è trascurabile rispetto
Qd, per la (4.45) si può scrivere

v@= v.»¬B+¢›.- gi- = vFB+¢.+f›««/<>.

011?
(4.26fi
Sviluppando la (4266) in serie di Taylor arrestata al primo termi
attorno al punto gb, : 2çb;.¬ + V5, si ottiene Fespressione

VG = l/FB + 2¢1f>F + Vs + '¬/\/QCÖF + Vs -l- W» ' (455 ¬ 24>F - Vs) (4-267)

dove

o
,,:lz :1+_1_?@ =1+_Cz
925 ¢.=2¢F+VS Cow 5% <i.=2¢s.¬+v.@
(4,268)
Ca
con32

Cd :__ _ V2q5sNAB
- 4.269
ôfifis ¢›_,=2¢F+VS 2x/ 2451? + VS ( )

Ordinando i termini della (4267), si ha

V V
as = wp + VS + fifí (4270)
32 Urfespressione alternativa per ri è ii = 1 + .
2*/ ts ¢..=2<r›.=.¬+vS
890
che sostituita nelle (4,264)-(4265) fornisce

am) e 2¬./2g(-:N
mi jfisvae KG_s-_*”:a
WT (mi)
QC(L) ß ì «./2qesNAB VTeVG§;;fTH E Våa (4272)
2x/-'MF + Vs

dove a11°interno della radice il potenziale di superficie è stato approssiinato

da 2q'›F + V5. Richiarnando, infine, la definizione di Cd si ha

Vgg-VTH
Qc(0) I -Cfdi/T6 “VT (-4.273)

Yes-Va-¬H_ `Èfo.9
Qc(L)=-CdV_1¬e "V1" e VT (4274)

La corrente di drain in regione di sottosoglia si ottiene sostituendo le

relazioni (4273)-(4.274) nella (4253), ottenendo
W' _V- ~ V -V

ID = Ipgí (1 - e e GÉWTTH (4.275)

dove

Im = /ßncavå (4-275)

3.91
5. Tecnologia planare

Il grande successo e sviluppo della moderna elettronica è principal-

mente dovuto alla possibilita di poter costruire un insieme di dispositivi
elettronici (diodi, transistori c componenti passivi) sulla superficie di un
semiconduttore.
La realizzazione di un singolo dispositivo elettronico o di un circuito
integrato (ovvero di un insieme di dispositivi elettronici disposti su una
stessa piastrina di semiconduttore ed opportunamente interconnessi al fine
di implementare un predefinito circuito elettronico) è effettuata tramite
tecnologia planare. La specifica denominazione deriva dalla tipologia della
lavorazione che è tipicamente effettuata sulla superficie del materiale di
partenza.
La tecnologia planare È: composta da una complessa sequenza di di-
versi passi di lavorazione o processi elementari. Tra questi i principali e
prevalentemente utilizzati sono:

o ossidazione termica;
o diffusione termica;
n impiantazione ionica;
ø deposizione di strati sottili;
a fotolitografia.
In generale, i singoli processi elerrientari utilizzati per realizzare corn-
ponenti elettronici tramite tecnologia planare possono suddividersi in due
distinti gruppi. Il primo gruppo include i primi quattro processi sopra men-
zionati (ossidazione terrnica, diffusione termica, impiantazione ionica, de-
posizione di strati sottili), utilizzati per costruire nuovi strati di materiale
omogeneo a partire dalla superficie della fetta, o alterare le caratteristiche
dello strato superficiale gia esistente. Il secondo gruppo include una serie
di processi, riportati sotto l“unica voce di fotolitografia, che consentono di

393
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cilindro di Si purissiino wafer

Fia 5.1 - cilindro di silicio purlssimo

- - dal quale vengono ricavate le fette da
la vorare 'in tecnologia
- p|;mare_

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F58- _5.2 - Foto di una fetta di' S||'

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STM|croelectronics di Catania. 'CIO avorata presso la abbnca della

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'-*'^~-<›->>"*“"~'*›~:W&':'ì-1::

“ .1.1 ' package

Fig. 5.3 - Wafer, die e package

394
rendere selettiva Fazione dei processi del gruppo precedente. A questa ca-
tegoria appartengono i processi di mascherature ed attacco che permettono
di effettuare la lavorazione solo in specifiche regioni ben delimitate.
A quanto già. elencato si aggiungono una serie di passi di lavorazione
che vengono impiegati per migliorare le caratteristiche fisiche ed elettriche
della fetta in lavorazione. Tra questi si ricordano lüznnealing ed il gettefring.
La realizzazione di un singolo componente o di un intero circuito ini-
zia da una fetta di semiconduttore cristallino detta 'wafer (Fig. 5.1-5.2).
Le fette sono ricavate da un cilindro di semiconduttore cristallino la cui
purezza è superiore al 99.9999999% (una impurità ogni 109 atomi).
Lo spessore delle fette è dell“ordine di mezzo millimetro, mentre il dia-
metro è fissato dalla specifica linea di produzione che lavora le fette, ed
e cresciuto con Favanzamento tecnologico. In particolare, da wafer con
diametri di 100 mm (4 pollici) delle prime linee di produzione, si è passati
a quelle di 125 mm (5 pollici) e di 150 mm (6 pollici). Quindi verso la me-
tà. degli anni novanta si sono sviluppate linee di produzione che utilizzano
fette con diametri di 200 mm (8 pollici) sino alle linee attiiali che utilizzano
wafer con diametri di 300 mm (12 pollici).
Su Ciascuna fetta vengono realizzati numerosi componenti (singoli di-
spositivi o circuiti integrati) da decine a migliaia secondo le dimensioni dei
componenti ed il diametro della fetta che si utilizza. Quindi, la fetta deve
essere suddivisa nei singoli chip (denominati anche die o dice), che saran-
no successivamente incapsulati nei loro contenitori (package nella dicitura
anglosassone), come schematizzato in Fig. 5.3.
In linea con qua.nto gia fatto lungo tutto il testo, di seguito si focaliz-
zerà. Fattenzione sulla realizzazione di dispositivi in silicio. Tuttavia., si
ricordi che per la realizzazione di componenti e circuiti implementati con
altri materiali semiconduttori si utilizzano passi di processamento simili e
modalita operative analoghe.

5.1 Ossidazione termica

L°oss1Ida.z2I0'n,e termica e uno dei passi elementari di lavorazione che con-

›no alla realizzazione di un circuito integrato basato sul silicio. Essa
nel far crescere uno strato di ossido di siliciol (SiO2) di spessore
derato sulla superficie di una fetta di semiconduttore puro.

iln maniera più corretta si dovrebbe dire biossido di silicio.

 Fig. 5.4 - Foto di un reattore per ossidazione termica.

L°ossido di silicio è un vetro trasparente ed un eccellente isolante, essen-

do necessari circa 9 eV affinché un elettrone transiti dalla banda di valenza
a quella di conduzione. Per le sue proprietà. elettriche, profondamente dif-
ferenti da quelle del semiconduttore di origine, esso risulta particola.rmerite
adeguato per la realizzazione di strati isolanti (detti anche sttr'etz' di passi-
vcziovie) sulla superficie di silicio. Ifossido in particolare viene utilizzato
per
1 creare delle barriere ai processi di diffusione o di i1npianta.zione ionica
in modo da permettere una lavorazione selettiva di regioni ben definite
sulla fetta di silicio;
n proteggere le giunzioni dall'umidità e da altri agenti contaminanti pre-
) senti ne1l“atmosfera;
o isolare la superficie del dispositivo dai vari strati di interconnessione
metallica;
I realizzare il dielettrico dei condensatori integrati e l°ossido di gate dei
transistori MOS.
Il processo di ossidazione termica avviene a temperature comprese tra
gli 800°C ed i 1200°C all°interno di forni appositi denominati reattori. La
foto di un reattore e la sua schernatizzazione sono mostrate, rispettivamen-
te, in Fig. 5.4 e Fig. 5.5. Tali forni sono riscaldati elettricamente e sono
costituiti da pareti di quarzo purissimo, materiale che consente di mini-
mizzare la contaminazione delle fette che si lavorano. I reattori sono di

396
 reattore _ _ _ _
(qual-Z0) @ È @ Q ® @ @ Supporti In
\_ ... _
gas silicio
reagente navicella
;;:.:;=:.-5;. (quafzü)

_ _ __ ________
šš'
i-3 __ __
I
,__ _
'-' H _ _ _ ---- -- -

E'ålE.`II1BIlI1 I 1 SCEl_i da ITU. -:-:-.-.__¦_.¦:.¦_.-_- _ :-5

-i¦._e¦¦.5 _ : .:-:-:¦- ._._._:¦:_:_: :___:-'-:;:_._' '¦:¦:_-.;:_. _ ___:' -,_ :- ¦:¦. .'9-,_._.
-:_:_:_:_:- -I-:_:-'
\.,g\-¦-_ -¦- ag.,

(resi sten ze)

Fig. 5.5 - Sezione di un reattore per ossidazione termica.

cilindrica. e le due estremità presentano delle apertura che consento-

rispettivainente Pingresso e liuscita dei gas reagenti (ossigeno o vapore
Leo) con flussi tipici di qualche 1/min. All“interno di questi reattori
no piazzate le fette di silicio da lavorare (nell"ordine delle decine)
e verticalmente ed in maniera ordinata nelle apposite fessure (slot)
una navicella di quarzo.
A seconda del gas reagente si possono avere due differenti tipi di processi
ossidazione. Nel caso in cui il gas reagente sia liossigeno (O2) si parla
ossidazione secca (dry), di contro, nel caso in cui il reagente sia l°acqua
20), si parla di ossidazione umida ('wet)_
Le reazioni chimiche che stanno alla base del processo di ossidazione

Si (solido) + O2 (gas) ¬*~ SiO2 (solido) (5.1)

Possidazione secca, e

Si (solido) + 2HgO (gas) ->~ SiO2 (solido) + 2Hg (gas) (5.2)

liossidazione umida.
E da notare come, indipendentemente dal tipo di ossidazione, in en-
i i casi la reazione chimica avviene sulla superficie ossido-silicio. Ciò
ca che, una volta creato uno strato di ossido, le molecole del gas rea-
prima di poter raggiungere la superficie ed interagire con il silicio,
no diffondere attraverso lo strato gia creato. Come conseguenza, il

397
 l

*_ _ __ _ .___ t

superficie 0_54x_, ' _g_._cp.,:p-§h(l!_

._ :È-1 7 ¬

.r = 0-1- - \' --------}- .«3:-L3----'--*}-\-------~-----¬---*H

gi
I 0-46-sv I
, /_ ì _ ,
7 HUDVH
si superfic ie Si

fetta di silicio fetta di silicio

(wafer) _ (wafer)

(H) (b)
Fig. 5.6 - Crescita di uno spessore :tg di SiO2 sulla superficie di una fetta
di silicio. (a) Fetta di silicio prima della crescita; (b) Fetta di silicio dopo la
crescita.

tasso di crescita dello strato di SiO2 diminuisce man mano che lo spesso-
re dell°ossido aumenta. Il tasso di crescita è inoltre fortemente dipendente
dalla temperatura del reattore che, per tale motivo, deve essere controllata..
in maniera estremamente accurata con precisioni di :l:l°C. In aggiunta, il
tasso di crescita è anche differente per i due tipi di ossidazione risultando
più veloce per liossidazione umida.
Dalle relazioni (5.1) e (5.2), risulta evidente che la reazione chimica'
per la generazione di N molecole di ossido avviene a scapito di un egualei|
numero di molecole di silicio. Come conseguenza, uno strato di ossido di
spessore zo, per quasi metà. dello spessore finale, prende il posto del á-
licio e, per l”a1tra metà., cresce al di sopra della superficie originale. Più
esattamente, dell“intero spessore .:i':0, il 46% di SiO2 si piazza al di sotto
della superficie originale ed il restante 54% cresce al di sopra, come Ino-1
strato in Fig. 5.6. L'effetto finale è quindi un abbassamento del livello
dell“interfaccia ossido-silicio rispetto alla superficie originale del silicio.
Lo spessore finale dell°ossido, 11:0, si lega alla durata del processo di.
ossidazione, t, tramite la relazione

zå + Ai: : .ea + T) (ss)

dove A, B e r sono dei parametri dipendenti dalla temperatura e dal
tipo di ossidazione. Tali parametri vengono detti anche costanti di cre-

393
 Tab. 5.1 - Costanti di crescita per ossidazone umida di Si.
Temperatura di A B 1 B /A r
ossidazione (UC) (um) (umz/h) (um/h) _ (h)
1200 0.050 0.720 14.40 I
1100 _ 0.110 0.510 4.640
1000 0.226 0.287 1.270
920 0.500 0.203 0.406 GUGG

scita e, per alcuni valori di temperatura, sono riportati in Tab. 5.1 e 5.2,
rispettivamente per Fossidazione umida e secca.
La risoluzione della (5.3) rispetto allo spessore delliossido porta a

A(/ t+r

che, nel caso in cui il tempo di esposizione è piccolo (ovvero nel caso in cui
132% << 1), si semplifica ing

3:0 "_-2:: â (É -l- T) (5.5)

e mostra come, inizialmente, l°ossido cresce in maniera lineare con il tempo

di esposizione. Alliaumentare del tempo di esposizione, invece, la (5.4)
diventa

330%(/B(t+'T) (5.Ö)

che rivela un andamento con la radice quadrata di t, ovvero più lento.

Questo rallentamento si spiega ricordando che, una volta formato un primo
strato di ossido, la successiva crescita e rallentata dal fatto che le molecole
del gas reagente, per arrivare alla superficie ossido-silicio, devono prima
diffondere attraverso lo strato gia creato. Pertanto, in strati sottili si può
assumere un tasso di crescita lineare col tempo, mentre per strati spessi,
tipicamente superiori a 20 nm, Pincremento dello spessore di ossido diventa
proporzionale alla radice del tempo trascorso.

2 stata usata. Papprossimazione 1/1 -|- :U w 1 +

399
 Tab. 5.2 - Costanti di cresc`ta per ossidazione secca di Si.

Temperatura di A B/A
ossidazione (DC) (um) (um2/h) _ (nm/h) _ (h)
1200 il' . 040 1.' 0450 1.120 0.027
1100 1". C3 ÉD CJ
E _ -r_a 0.300 0.076
1000 31 165
__:_ r_a 0.071 0.370
3
920 235 1 0.021 1.400
800 fa
c:J CAD "H1Ci' 0.003 9.000

Le dimensioni tipiche dell”ossido di silicio cresciuto per ossidazion

mica vanno da qualche nm a qualche um. I limiti inferiori sono gene
te imposti da considerazioni elettriche (ad esempio necessità. di soste
un livello minimo di campo elettrico) e dalla densità. dei difetti. Tanto
dare un°idea si pensi che i moderni processi CMOS richiedono ossidi
gate talvolta inferiori ai 3 nm di spessore. Ossidi con spessori cosi ri
tipicamente inferiori ai 20 nm) vengono generalmente realizzati tr
liossidazione secca, che consente altresì di ottenere un ossido con
proprietà. elettriche. Nel caso in cui lo spessore dell”ossido è ben su
ai 20 nm si utilizza Possidazione umida.
Il limite superiore dello spessore dell°ossido cresciuto terrnicamente
imposto dal tempo necessario per la sua realizzazione. In particolare
viene dettato da considerazioni che derivano dalle difficoltà. che si inco
rebbero nel caso in cui si dovesse attaccare tale ossido per effettuare
successiva lavorazione selettiva dello strato sottostante.

Esempio 5.1 _
Calcolare il tempo che occorre per far crescere uno strato di ossido di 0.5 um dl
spessore in ambiente umido ed alla temperatura di l000°C. Valutare lo spessore
che si otterrebbe, con lo stesso ternpo, nel caso di ossidazione secca.

Soluzione
Le costanti di crescita nel caso di ossidazione umida a 1000°C sono riportate in
Tab 5.1 e risultano A = 0.226 um, B = 0.2sr tim?/11 e T = 011.
Il tempo impiegato per far crescere uno strato di 0.5 um di ossido in ambiente
umido si calcola tramite la (5.3) con le costanti di crescita trovate, ossia

zoz ___ Am ___ 0.5 2 + 0.226 ___ U

“B B fm tm '5'“=1-26h
 Dalla Tab. 5.2, nel caso di ossidazione secca a 1000°C, le costanti di crescita sono
A : 0.165 um, B = 0.0117 umg/h e r = 0.37h. Pertanto, per la 5.4, lo spessore
che si ottiene effettuando unbssidazione- secca per un tempo di 1.26 h, è

__ _ A(\ / 1-l-A2/45
.LU-2
i+† 1)-
_ 0.165
2
1.2s+0.sr
(M1+ 1)-78I1fll
_ _

5.2 Diffusione termica

Il processo di diffusione termica, talvolta denominato semplicemente dif-

fusione, è uno dei due metodi utilizzati per introdurre in modo controllato
atoriii droganti della specie richiesta all°interno di un semiconduttore.
Il processo di diffusione su fette di silicio viene realizzato a teriiperature
comprese tra gli 800'°C ed i 1200°C, in reattori del tutto simili a quelli
utilizzati per Possidazione termica. Il boro (B) è lieleinento maggiormente
usato per introdurre droganti di tipo p mentre arsenico (As) e fosforo (P)
sono usati in maniera pressoché equivalente per introdurre droganti di tipo
n. Questi tre elementi sono, nei confronti del silicio, altamente solubili alle
temperature considerate. Essi, inoltre, possono essere introdotti a partire
dai materiali più disparati potendo scegliere tra sorgenti solide (BN per il
boro, As2O3 per liarsenico e P205 per il fosforo), liquide (BBr3, AsCl3 e
POCI3) e gassose (B2H6, AsH_-3 e PI-I3).

5.2.1 L°equazione di diffusione: legge di Fick

L”equazione che governa il processo di diffusione, ovvero il processo con

cui gli atomi di drogante penetrano alliinterno di un reticolo cristallino, può
essere ricavata seguendo ragionamenti del tutto analoghi a quelli già. svilup-
pati nel Capitolo 1 a proposito delle correnti di diffusione e dell°equazione
di continuità.
L°essenza della diffusione e il moto termico e casuale delle particelle
che prendono parte al processo diffusivo. Si definiscono pertanto il flus-
so F come il numero di atomi di drogantc che attraversa l°unita d°area
nell'unita di tempo e la concentrazione C come il numero di atomi di dro-
gante per unità di volume. Richiamando quanto svolto nel paragrafo 1.7,
si può riadattare la -(1.57) al caso in esame nel quale a C corrisponde la
concentrazione di elettroni, ri, ed al termine D.,, un omologo coefficiente di
diffusione che verrà. denotato semplicemente con D, ossia

401
 dc'
F M -DE (5.7)
Da tale relazione si nota che la forza pilota del processo diffusivo risiede
proprio nel gradiente di concentrazione dC'/dar. Il flusso è quindi propor-
zionale a quest ”ultimo e gli atomi di drogante si muovono (diffondono) dalle
regioni a più alta concentrazione verso quelle a più bassa concentrazione.
Analogamente, si può riadattare al caso in esame anche Fequazione di
continuità. ricavata nel paragrafo 1.8. In particolare, dalla relazione (1.69),
si ha

ÖC ÖF

Si noti che, nello riscrivere la (1.69), al flusso F corrisponde il termi-

ne j,,/(-q) e che si è posto Gg = Rn = 0 in quanto, aliinterno del
semiconduttore, non vi è né formazione né consumo di materiale drogante.
Combinando le relazioni (5.7) e (5.8), si ottiene

ÖO Ö dC
- D 5.9
dt ola: ( dz) ( )
da cui, sotto l°ipotesi di un coefficiente di diffusione D costante, si ha

60 620

che rappresenta llequazione di diffusione cercata, nota come legge di Pick

Il coefficiente di diffusione D è un parametro estremamente importan-
te e dipende fortemente dalla temperatura alla quale avviene il processo
di difiusione e, ovviamente, dal materiale utilizzato. La dipendenza dal-
la temperatura è di tipo esponenziale e può essere descritta tramite la
relazione

D I D0 E3- ìilš” (5.11)

dove D0 è il coefficiente di diffusione estrapolato a temperatura infini-

ta, EG è lienergia di attivazione in eV e le è la costante di Boltzmann
(8617 >< 10"5 eV/ Entrambi i parametri, D0 e Ea, sono costanti per un
determinato materiale ed i loro valori, per gli elementi più comuni, sono
riportati in Tab 5.3. da notare che, a causa della dipendenza esponen-
ziale da T, il processo di diffusione richiede un accurato controllo della
temperatura cosi come avviene nel processo di ossidazione termica.

402
 Tab. 5.3 - Valor` di D0 ed Ea per i più comuni elementi droganti.

D0 I Ea Intervallo
(cm2/s) (eV) di temp. (OC)
P 10.5 3.59 950-1235 I
B 10.5 3.69 950-1275
As 0.32 3.56 1095-1380

Esempio 5.2
Valutare il coefficiente di diffusione, D, per fosforo a 1100°C.
Soluzione
I parametri inerenti il fosforo a 1100°C si ricavano da Tab. 5.3 e risultano DU =
10.5 5512/S e E., = 3.59 ev. Dalia (5.11), si ha
E.. _ 3.55 _
D _ D°eXp (_ er ` mf X expl s.51?- 10-5 >< (1100 + 2'r3.15)l
= 300 - 10-15 cm2/s

5.2.2 Profili di diffusione

Il profilo di diffusione degli atomi droganti è rappresentato dalla funzio-

ne C(:1;', t) che si ottiene dalla soluzione della (5.10). Ovviamente la (5.10)
va risolta tenendo conto delle condizioni iniziali (per t _ 0) e delle opportu-
ne condizioni al contorno. Nel seguito verranno esaminati due importanti
casi rappresentati dalla diffusione a concentrazione superficiale costante e
dalla diffusione a quantita totale di drogante costante. Nel primo caso, gli
atomi di impurità. sono trasportati sulla superficie del semiconduttore e da
li lasciati diffondere al suo interno. In questa situazione, la concentrazione
superficiale viene ma.ntenuta costante. Nel secondo caso, una quantita co-
stante di drogante viene depositata nel semiconduttore e fatta diffondere
alliinterno di esso.
Nella diffusione a concentrazione superficiale costante la condizione
e per t = 0 è

C(a;',0) = 0 (5.12)

quale afferma che alliistante iniziale la concentrazione di drogante al-

terno del semiconduttore 2 0) è nulla. Le condizioni al contorno
SOI10

C(0,È) = C3 (5.13)l

C(oo,t) : O (5.14)

dove C5 è la concentrazione superficiale (a of: = O) mantenuta costante)

durante tutto il processo diffusivo e, pertanto, indipendente dal tempo.
La seconda condizione al contorno afferma che lontano dalla superficie non
vi sono atomi droganti.
La soluzione dell 7 equazione (5.10) con le condizioni iniziali ed al con- |
torno appena esposte risulta

ca-,:) = CS erfc (5.15)

dove erfc(:r) è la funzione dierrofre complemento.re3 e \/ít è la lunghezza

dz' dilfinsione.
Il profilo che si ottiene nel caso di diffusione a concentrazione superfi-
ciale costante è mostrato in Fig. 5.7 e Fig. 5.8. Le due figure riportano.
rispettivamente in scala lineare e logaritmica, le concentrazioni normalizza-
te in funzione della profondità, x, per tre valori di lunghezza di diifusione,
\/ít. Ad una data temperatura e per un coefficiente D fissato, le tre curve
corrispondono a tre istanti consecutivi del processo di diffusione. Si nota
pertanto che, all”aumentare del tempo, gli atomi di drogante penetrano
sempre più in fondo all'interno del semiconduttore.
Il numero totale di atomi droganti per unità di superficie (dose) è dato
dalliintegrale

oe) = [B coat) da (5.16)

Sostituendo la (5.15) nella (5.16) si ottiene

Q(t) = %C,g\/Dt m 1.13 Cgx/Dt (5.17)

7 3 La funzione dienrore complementare è definita come erfc(;r) = 1 _ erf(::r:) dove

erf = É I: e`52 d§ prende il nome di funzione d'e†¬fro're. Valgono le seguenti
proprietà. principali: erf(O) 2 O, e-rf(oo) : 1 ed inoltre ƒüw erfc(:1:)d:;o =

404
 1.0
\FDt=o1 nm?
\for=o5pm
03 7 .`

I
1›

cfcs
l \

¬~~--_
0O '
O
Xulm)
Flg 57 - Prof|l| d| concentrazione normaluzzatl pe r processo dlffuslvo a
concentrazione superf|c|ale costa nte scala lmeare

*-

«fot=o1nmí
«lDt=O5um
` È=1D|.lI'fl

(H

il
l
c/cs l
l
(
l
l
l

Xwm)
F|g 58 - Prof|l| dl concentraz|one normahzzat | per pro cesso dnffusnvo a
concentrazlone superf|c|ale costante scala logantmlca
 Poiché la quantità. Q(t) rappresenta l°area al di sotto di uno dei profili di
diffusione di Fig. 5.7, si possono approssimare i suddetti profili con triangoli
di altezza C5 e base 2\/E. Il numero totale di atomi droganti computato
in questa maniera è pari a Q(t) se C,g\/È, con un errore per difetto del
13% rispetto al risultato esatto riportato dalla (5.17).

Esempio 5.3
Per una diffusione di boro in silicio a 1000°C', la concentrazione superficiale è
mantenuta a 1019 cm_3 e il tempo di diffusione è pari ad un'ora. Trovare il
numero totale di atomi droganti per unità. di superficie nel semiconduttore.

Soluzione
Il tipo di diffusione in corso è chiaramente del tipo a concentrazione superficiale
costante. Pertanto, il numero totale di atomi droganti per unità. di superficie
è espresso dalla (5.17) dove CS = 1019 cm_3 è la concentrazione superficiale e
1; = 1h = 36005 è il tempo di esposizione.
Il coefficiente di diffusione D si trova come nell`esen:1pio 5.2, facendo riferimento
alla Tab. 5.3, da cui

E., __ 3.69 _ _
D` D08” (`fi) _ mf' X exp( 5.617-16-5 >< (1000 + 2?3.15)l
= 25.95- 10-15 Cm?/5
Si può pertanto calcolare la lunghezza di diffusione, che risulta

\/in = \/25.95 - 10-1-5 ›< 3600 = 9.66 - 16-6 em = 96.6616

Infine, per la (5.17), si ha

Q = åom/D6 = % >< 1019 ›< 9.66 - 10'f`* = 1.01 - 1014¢m'2

Nella diffusione a quantità. totale di drogante costante si assumono le

seguenti due condizioni al contorno

/0% c'($.6)6.f1; = S (5.15)

C(oo,t) : O (5.19)

dove S e il numero totale di atomi droganti per unità. diarea (dose) che.
indipendentemente dal tempo, viene mantenuto costante durante tutto il
processo diffusivo. In questo tipo di diffusione si assume, quindi, che sia

406'
stato incorporato all”interno del semiconduttore un ammontare di atomi
droganti pari a S, e che questo non venga ulteriormente modificato.
La soluzione delfequazione (5.10) con le condizioni al contorno appena
esposte è

S I2

Il profilo che si ottiene nel caso di diffusione a quaritita totale di dro-

gante costante è mostrato in Fig. 5.9 e Fig. 5.10. Le due figure riportano,
rispettivamente i11 scala lineare e logaritmica, le concentrazioni normaliz-
zate (C/S) in funzione della profondità, :r, per tre valori di lunghezza di
diffusione, Ad una data temperatura e per un coefficiente D fis-
sato, le tre curve corrispondono a tre istanti consecutivi del processo di
diffusione. Sì nota pertanto che, alfaumentare del tempo, gli atomi di
drogante non aumentano, ma si ridistribuiscono alllinterno del semicon-
duttore penetrando in profondità. e facendo diminuire la concentrazione
superficiale.

Esempio 5.4 . ._ _
Per un processo di diffusione a quantità totale di drogante costante, determinare
la dose, S, e la durata, t, per ottenere una regione con concentrazione superficiale
N5 : 5- 1016 cm_3 e profondità. di giunzione :cd : 2 um. L”clernento in questione
è il fosforo, la temperatura di diffusione è 1100°C ed il drogaggio del substrato è
.f\lr_i1 = IUI5 C-II1_3.

Soluzione
Si sta effettuando una diffusione di fosforo in un substrato uniformemente drogato
di tipo p. La profondità di giunzione rappresenta il punto :rd dove la concentra-
zione di atomi droganti di tipo n (il fosforo) eguaglia quella preesistente di tipo
p. Pertanto, indicando il profilo di concentrazione del fosforo con Cl'(:r), per il
problema. in questione, esso deve soddisfare il seguente sistema

{C(£.E'd) I NA

C(O) = NS
Il profilo di concentrazione C è dato dalla (5.20) per cui, nel caso in questione
il sistema si riduce a

5' 2:2 _ m2 _

1T.Dt exp (_ _ N°4 0VV€I`O NS exp (_ _ NA

s
~/m : NS S
'E = .vs~
407'
 5104 ,
\lDt= 0.1|.lm --
¬lDt = o.6um
QD =-|_ ....... ._
4104. t Om
I

.|_
I
sio*

CIS
}cm 210'*

--..,_._

1 104 t~~~. H.
"'\
\
\
\
In

0100 ' l I _ I ~ J - .._

cf _ _
""""""""--.L_._-
.I _ _- 1.
“_ _' I É ' "*'†¬-----------..........---- 4
O 1 2 3 4
X (um)
Fig. 5.9 - Profili di concentrazione normalizzati per processo diffusivo a
quantità totale di drogante costante (scala lineare).

105
«loi = o.1um à
loi = o.5um ---------
104 JD: = 1.oum ------- --
-.__
....... ,.,_______ -.
' - I - . - ..,1.._
¬ q . _ , _.
I» -.___-
` - ¬ - - _ _ _`
-.
l \ '-.
l›- "\ --` n.,_'~
-,__
1.
\` ""'~.
3 “--..
1-
10 F T \
~~ "-__"

\ -.`.,,

c/s(cnr) 102 ~
" _

10” f- `

\
1.
\
1.
.IUUÉ I I I E, |

o 1 2 3 4
* Klum)
Fig. 5.10 - Profili di concentrazione normalizzati per processo diffusivo a
quantità totale di drogante costante (scala logaritrnica).

408
 Ricordando che il coefficiente di diffusione è lo stesso dell”esempio 5.2, la risolu-
zione della prima equazione consente di trovare t, ovvero

t_ mf, (2-10-6-100)?
_ 85205 = 2.37h
finlnåi 4><300-10-1f›><1n+,ì,'1
e, sostituendo il risultato nella seconda equazione del sistema, si trova la dose

S = N5~\/«E = 5- 1016(/W >< 300 -i0:ì~1-'i >< s5å0 = 4.48 - 1011 em*

5.2.3 Processi di diffusione nei circuiti integrati

Nei processi costruttivi dei circuiti integrati vengono usati entrambi

i processi di diffusione ora descritti. Inizialmente, si avvia un processo
diffusivo a concentrazione superficiale costante che prende il nome di pre-
deposnlzione. In questa fase, il semiconduttore viene esposto per un tempo
il ed alla temperatura T1 ad una diffusione termica nella quale la con-
centrazione superficiale di drogante viene mantenuta inalterata e pari a
C5. Al termine della fase di predeposizione, per la (5.17), l°ammontare
di atomi droganti (per unità. di superficie) immagazzinata alfinterno del
semiconduttore è

Q(É1) I %C5\/ D1É1 (5.21)

'e D1 rappresenta il coefficiente di diffusione valutato alla temperatura

Al processo di predeposizione segue un ulteriore processo diffusivo, del

a quantità. totale di drogante costante, che prende il nome di drifoe-fin.
In questa fase, si mantiene il semiconduttore alla temperatura T2 per un
tempo tg, senza aggiungere ulteriore materiale drogante. Pertanto, nella
fase di drive-in, la quantita totale di drogante, S, è pari a quella deposta
durante la fase di predeposizione, ovvero

5 I C201) (5-22)
Alla fine del processo di drive-in, il profilo degli atomi droganti all1interno
del semiconduttore assume la forma data dalla (5.20) che, tenendo conto
65115 (5.21)~(5.22). divenne
fin realtà, perché il profilo sidisponga esattamente come previsto dalla (5.23), è
necessario che il processo di predeposizione piazzi gli atomi di drogante quanto più vicino

40.9
 20 Dt _i
ore-)= 75 È5 M2 (5.23)

dove, chiaramente, D2 rappresenta il coefficiente di diffusione valutato alla

temperatura Tg alla quale avviene il processo di drive-in.
Sempre in merito alla realizzazione di circuiti integrati, se la fetta è sot-
toposta ad ulteriori trattamenti termici ad elevata temperatura (come ad
esempio un°eventuale successiva ossidazione termica) le impurità di dro-
gante introdotte durante la diffusione continuano a diffondere, modificando
i profili di drogaggio in accordo con quanto previsto dalla 5.20. Ciò ovvia-
mente deve essere tenuto in considerazione nella definizione delle varie fasi
di un processo tecnologico per la realizzazione di componenti elettronici e
circuiti integrati.
Si noti altresì che la diffusione, sia durante la fase di drive-in che duran-
te altre lavorazioni ad elevate temperature, procede non solo in profondità.
della fetta (lungo l°asse nr), ma anche lateralmente debordando dalla
ne in cui si era deposto il drogante durante la fase di predeposizione5
può avere implicazioni rilevanti sulle caratteristiche dei dispositivi l
ti come, ad esempio, la formazione indesiderata delle capacità gate-so
e gate-drain di overlap di un transistore MOS. In genere, come regola p-..
tica, una diffusione che penetra lungo l1asse :L1 con una profondità pari
Lr,-, deborda lateralmente per una larghezza di circa 0.802,-_

Esempio 5.5 -
Il drogaggio di un frammento di silicio di tipo p (N.1 = 1015 cm`3) viene effettuato
tramite una prima fase di predeposizione di fosforo cui viene fatta seguire una
seconda fase di drive-in. La predeposizione avviene a 950°C per mezz°ora e
mantenendo la densità. superficiale di drogante pari a Cf; = 1019 cm_3. La fase
di drive-in avviene, invece, a 1200°C per due ore. -
Determinare la profondità di giunzione, xd, al termine dell”intero processo di
drogaggio.

possibile alla superficie :Jc = 0. Nella pratica questo si ottiene facendo in modo che
lunghezza di diffusione del processo di predeposizione sia molto minore della lu
di diffusione del processo di drive~in, ossia, D1t1 <-'< Dgtg.
5In generale la legge di diffusione andrebbe scritta per uno spazio tridimensionale
andrebbe risolta. tenendo conto delle opportune condizioni al contorno riadattate alle
coordinate spaziali.
 Soluzione
I coefficienti di diffusione per i due processi di predeposizine e di drive-in, sono
rispettivamente dati da

I D1 I Do exp = 10.5 X exp [ I

in 5.617- 10-=›_ 3.69
>< (050 + 273.15) ( =

= 6.55 - 10-11 5511/5

Ea 3.69
D2 I DU Blíp I X EXP ) '11 ~ 1 _.
T2 8.617-10-15 >< (1200 + 273.15)

: 2.49 - 10-12 cmg/s

Le lunghezze di diffusione sono

~./D151 = \/6.55-10-12 >< 1500 = 5.45-1015 cm = 54.5551

¬./Das = ~\/2.40 - 10-12 >< 7200 = 154- 10-6 sm = 1.54 um
Poiché ., / ãfš << 1, il profilo finale di concentrazione è ben approssimabile dalla
(5.23). Considerando, quindi, c.he la profondità di giunzione, Ltd, si trova quando
C(:r,,;) : NA, invertendo la (5.23), si ottiene
1
2
__ 205 lD1f1 _
.1"`I,;g _ 2\/ D252 [111 (TUNTA Dgtg _

1
19 . _ -6 E
=2><134-10111 >< (111(2X10 , 2134310 =
›.† >< 101° 154-10-6
= 605 . 10111 em = 6.05 um

5.3 Impiantazione ionica

L1introduzione di drogante tramite i processi di diffusione descritti nella

sezione 5.2 risulta difficile da controllare specie in quei casi dove si richie-
dono basse concentrazioni di drogante (come ad esempio nella regione di
base di un transistore bipolare o nella regione in cui si forma il canale di
un transistore l\/IOS).
In alternativa al processo di diffusione, un semiconduttore può essere
drogato tramite il processo di irnpiantazfone ionica, realizzato con l”ausilio
di un impiantatore, mostrato in Fig. 5.11 e schematizzato in Fig. 5.12.
Alliinterno delfimpiantatore, il processo inizia con la creazione di gas con-
tenente una mistura di ioni dell°elemento drogante desiderato. Gli ioni

411
Fig. 5.11 -- lmpiantatori ionici installati presso le sedi del CNR di Bologna e
Catania.

vengono quindi accelerati debolmente con unienergia di circa 10-20 keV ed

inviati ad un separatore di massa. Questo, tramite un campo magnetico
deflette gli ioni facendo compiere loro un angolo di circa 90°. In realtà.
il campo magnetico è regolato in modo tale da far compiere un angolo di
90° solamente agli ioni con un desiderato rapporto massa./carica; ioni con
rapporto massa/carica maggiore o inferiore a quello desiderato compiono
angoli rispettivamente minori o maggiori di 90° interrompendo la loro cor-
sa. Il fascio di ioni selezionato viene successivamente accelerato ad energie
che possono essere comprese tra 10 keV ed 250 keV6 e, tramite opportuni
piatti def-lettori, inviato sulle zone della fetta da lavorare.
Uno dei motivi principali che ha contribuito alla grande diffusione del-
Pimpiantazione ionica è il fatto che il numero di atomi di drogante immessi
(dose) puo essere controllato accuratamente tramite una semplice misura
di corrente per un determinato tempo (e quindi di carica). La dose, S.
viene normalmente definita per unità di superficie e la relazione che la lega
alla corrente misurata in fase di impiantazione, ib,,,,,,.,(t), e

1 f _
1
.
S = 'i5beam(T) (li:

5Energie di accelerazione più basse (~ 1keV) o più alte (~ 1MeV) vengono usate
prevalentemente in ambito di ricerca.

412
 -
%,,s&fa021903.
=z›
,_ @ 0 I Z
1
Q I ......i ..fl..... fetta di
acceleratore 3111,30

I: É lenti
(fuoco)

(T3 E, ®,.,, G3 sorgente di

(-11) ioni
5 6-)

Fig. 5.12 - Schema di principio di un impiantatore.

dove A è la superficie lavorata e q, è la carica dello ione.

La corrente di impianto è generalmente compresa tra 0.1 mA e 10 mA
mentre la dose può variare da un ordine di 1011 ioni/ cm2 ad un livello
superiore a 1017 ioni/cm2, come richiesto per la realizzazione di regioni a
bassa resistività come quelle di drain e source di un transistore MOS.

Esempio 5.6 . 5
Una corrente di 1mA di ioni As+ viene impiantata per 285 in una fetta di
diametro ci = 15 cm. Trovare la dose dell“impianto.

Soluzione
La carica dello ione Asi' è qa = q = 1.6 - 10_19 C mentre la superficie della fetta
5 .4 = «(5-1)1 = 176.765€. Perla (5.24) 51115
¬ Ibga-mt __ 7 X : 10 ._ . . 2

S Ag, 176.7 >< 1.6 - 10-19 10m/cm

5.3.1 Profondità di penetrazione

La profondità di penetrazione degli ioni di drogante permessa dalla tec-

nica di impiantazione ionica varia da 0.1 um a valori nell1ordine di qual-
che um. Tale profondità è imposta e regolata dall”energia con la quale
gli ioni vengono accelerati (tipicamente da 10 keV a 250 keV). Chiara-
mente, ad una maggiore energia corrisponde una maggiore profondità di
penetrazione.

413
Tab. 5.4 - Profondità di penetrazione, Rp iARp, per boro, fosforo e arsem
a differenti energie di impianto (dimensioni espresse in um)

Boro Fosforo Arsenico

keV , _, RP ARD RP MARP RP AR , P
f¬
1| LJ 0.0344 10.0156 0.0144 2.0070 0.0096 4.0037
31 LJ “ 169 0.0216 |,,| I '¬ '081
r¬

0.0999 C .I0331 l¬
'-1

0.0375 ulllu
I
"U

5| cl 0.1616 0.0445
'fl
0.0610 1.0259 0.0324 nl
LJ 120
I-ci
I”.

'¬ r¬
7| 0.2202 '..I.0530 0.0855 I
›..1|I›...l 0.0429 .0158
Qi .-¬
v¬

0.2739 0.0593
l"'| I"
L 0.1106 L.-I -I 1...) 0. 3533 IHI194
r¬| If* r¬
111 CJ 0.3238 000641 0.1362 L.-lil' I-.a 0.0635 '229
l..a

131 LJ 0.3714 0.0682 0.1621 '¬ I "I

cl 1 ._. 0.0738 '263
l¬
-L»
«¬ f¬ '_\

15I 0.4165
l'¬
L-I
I 10.0716 0.1883 lu I 0.0840 296
|
-ILJ

.¬

l7I
|P¬

LJ
I 0.4594 0. 0744 0.2146 I -ui l'¬
0.0943 Ii.)
|"'1
329
H r¬
_9.. 0.5000 0.0769
i-¬
'I
0.2407 '¬|
Land
1") 0.1048 I 362LJ

Nel suo viaggio dentro il semiconduttore, il processo di arresto di um

ione è molto simile al processo di perdita di energia di un proiettile all in-
terno di un bersaglio solido. In particolare, nelfapprossimazione di urto tra
due corpi, è possibile descrivere il percorso di uno ione come una sequenm
di collisioni con gli atomi e gli elettroni del cristallo.
Poiché il numero di collisioni per unità di lunghezza e la quantita dl
energia dissipata in ogni collisione sono variabili aleatorie, ioni con uguak
massa ed uguale energia iniziale si dispongono all°interno del semicondut-
tore seguendo una distribuzione spaziale, C(:i:), di tipo gaussiano Tale
distribuzione è caratterizzata da una profondità di penetrazione media.
RP, e da una fluttuazione statistica rappresentata tramite la deviazione
standard della profondità di penetrazione, AR,,,. Di conseguenza, se S e
la dose impiantata, il profilo della concentrazione di drogante si dispo
all'interno del semiconduttore secondo la legge

(-'11“H;Ul2
: L
e_ 2.ùRä
P (5
\/ÉARP
I valori di profondità media RP e le corrispondenti deviazioni stan
AR? ottenute a diverse energie di impianto per immissione su silicio
boro, fosforo e arsenico sono riportati in Tab. 5.4. Si noti come, fino 3

414
 102° -.-
1 As @ Iokev I
1019 P @ 90keV ------- --
B @ `l90keV ------- '-

1018
I J'-'---`\.
/ 's
\ I \.
I
1017 H 1' \
\

1? -"_ ` \
É 1016 __
O ._ I ,
1015 I ~
' I.
\

Il'
I

-I...L LO-DI-
CJÉ
il._-IL *'I í'I-11i-|_-

- \

10 12 ¬ I __ .I I I I I

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

X (um)
FIg 513 - Esempi di profili di concentrazione dovuti a processi di
impiantazione Ionica (Dose S = 10`15 cm`2).

circa 200 keV le profondità di penetrazione non superino la dimensione

del micron
Dalla relazione (5.25), il picco di concentrazione Cp lo si ottiene alla
profondita media, RP, ed è pari a

0,. = _i-
\/2?nR,
(5.26)

Da quanto discusso, nonostante la presenza di una qualche aleatorietà

sulla distribuzione della concentrazione di drogante, è evidente lielevata
accuratezza che si riesce ad ottenere tramite il processo di impiantazio-
ne ionica Difatti, alla profondità RP i 2/SRP, la concentrazione di dro-
gante rispetto al valore di picco si riduce del 90% (C :I: 2ARp)/Cp H
-)
0 1 ed alla profondità RP d: 3ARp risulta pari all'1% del valore di picco
:I: 3./ÀRP)/Cp m 0.01).
Quanto detto trova conferma nei grafici di Fig. 5.13 dove sono mostrati
tre profili di concentrazione per tre differenti impianti su silicio. I grafici
sono stati costruiti facendo uso dei parametri di Tab. 5.4 e riportano,
rispettivamente, un impianto di As a 10 keV, uno di P a 90 keV ed uno di
B a 190 l<eV. In tutti e tre i casi la dose è stata mantenuta inalterata e pari

415
a S : 10_15 cm"2. Come si nota, variando opportunamente le energie in
gioco si riescono ad ottenere sia dei profili molto concentrati e prossimi alla
superficie, sia dei profili più uniformi, ma con un picco di concentrazione
maggiormente distanziato dalla superficie.

Come per il processo diffusivo, anche il processo di impiantazione io-

nica deborda lateralmente, ovvero in direzione perpendicolare al raggio di
incidenza, creando dei fenomeni indesiderati di impiantazione laterale. La
distribuzione lungo gli assi perpendicolari al raggio di incidenza (assi y e
2) è anch°essa di tipo gaussiano e, ad esempio, lungo l°asse y segue un
andamento del tipo exp(-%;_)_ Tuttavia, la penetrazione laterale, rap-
presentata dalla deviazione stalndard ARL, è generalmente molto piccola
rispetto a quella che si otterrebbe in un omologo processo di diffusione
termica.
Il processo di impiantazione ionica presenta ulteriori vantaggi rispetto a
quello di diffusione. Esso, difatti, consente di creare regioni drogate in cui il
livello massimo di concentrazione non è vincolato a giacere sulla superficie
della fetta, non richiede, inoltre, trattamenti ad elevata temperatura che
modificherebbero i profili di drogaggio preesistenti ed, infine, permette una
lavorazione selettiva molto più accurata dei comuni processi diffusivi. Pa:
tutte queste ragioni, nelle tecnologie moderne le operazioni di drogaggio
sono effettuate prevalentemente tramite il processo di impiantazione ionica,
che ha quasi del tutto soppiantato il processo di difiusione termica.
Il processo di impiantazione ionica presenta, però, taluni inconvenien-
ti. infatti difficile realizzare regioni drogato molto profonde, inoltre. la
velocità di lavorazione in una linea produttiva è bassa se comparata con
il processo di diffusionef. Inline il costo dellfimpiantatore ionico è elevato
(superiore a € 2.000.000,00).

5.4 Deposizione di strati sottili

Durante la realizzazione di componenti elettronici si ha spesso Pesigenza

di depositare sulla superficie della fetta strati (film) sottili di materiale
con spessori che variano da pochi nm a qualche |.Lm. I materiali che si
depositano possono essere diversi e con diverse caratteristiche elettriche.
7 P I-

'T
L'operazione di impiantazione ionica consente di lavorare non più di 10 fette alla
volta, contro le 200 che possono essere processate in parallelo con la diffusione termica.

416
 Ad esempio, la deposizione di film di ossido (SiO2) 0 di nitruro di silicio
[Si3N4) è utilizzata per la realizzazione dell”ossido di gate nei transistori
MOS. Le interconnessioni tra i diversi dispositivi si realizzano deponendo
strati conduttivi di alluminio 0, nei processi più evoluti, di rame. Il termi-
nale di gate dei transistori MOS si realizza tramite deposizione di polisilicio
(silicio policristallino fortemente drogato), e la stessa tecnica si usa per la
realizzazione di condensatori di elevata qualita. Infine, la deposizione di
oro (o altri strati metallici) sul retro della fetta è usata per facilitare le
operazioni di chiusura del die all"`interno del package.
Nonostante la variegata diversità dei materiali utilizzati, la deposizione
di strati sottili viene sostanzialmente effettuata sulla base di due processi
fondamentali:
0 deposizione chimica in fase vapore (CVD);
o deposizione fisica in fase vapore (PVD).

5.4.1 Deposizione chimica in fase vapore

Nella deposizione chimica in fase vapore, o brevemente CVD (acronimo

di Chemical Vepor Deposition), si sfrutta la reazione chimica che avviene
trai reagenti in fase gassosa per deporre strati di materiale solido sulla fetta
in lavorazione. Questa tecnica viene in genere usata per deporre ulteriori
strati di silicio, strati sottili di materiale isolante come SiOg o Si3N4, ed
alcuni metalli tipo il tungsteno (W). Generalmente la lavorazione avviene
in reattori simili a quelli usati per Fossidazione termica.
Due variazioni della tecnica CVD sono la LPCVD (Low-Pressure Che-
mical Vapor Deposiltáon), nella quale la deposizione avviene sotto condi-
zioni di bassa pressione, e la PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vopor
Deposition), che avviene a bassa temperatura eccitando i reagenti in fase
gassosa con plasma.
La deposizione di silicio mediante CVD è uno dei metodi per realizzare
la cosiddetta crescita epitassiale. Questa consiste nel far crescere, su una
base di silicio preesistente, un ulteriore strato di silicio cristallino detto,
appunto, strato epitassiale. La crescita epitassiale avviene ad alte tem-
perature ed all”interno di opportuni reattori. Essa sfrutta una delle due
1'E&ZlOI11

Sil-L; (gas) -› Si (solido) + 2H2 (gas) (5.27)

417
 SiH2Cl2 (gas) + 2H2 -:› Si (solido) + 4HCl (gas)

Se la temperatura è abbastanza alta (QUODC-1250°C) gli atomi di

si depositano allineandosi con quelli del cristallo sottostante, continr
cosi la struttura cristallina sopra quella già. esistente. Lo strato epit
inoltre, può essere drogato contemporaneamente alla fase di deposizi
(si parla di drogaggio in sita) introducendo opportune quantità. g
di PH3 (per il drogaggio con fosforo) o BQH6 (per il drogaggio con bo
Di conseguenza, è possibile far crescere su silicio preesistente una regio
cristallina di silicio debolmente drogato, 0 di tipo p, o di tipo n.
In maniera simile, ma sfruttando la LPVCD ed alla temperatura
circa 620°C, avviene la deposizione di polisilicios. Questo può essere
bolmente drogato in sito per ottenere resistori integrati ad alta resisti
o fortemente drogato per realizzare i terminali di gate dei transistori M
Le tecniche di CVD, LPCVD e PECVD sono ampiamente usate an
per la deposizione di dielettrici isolanti. Ad esempio, sfruttando le reazioni

SiH4 (gas) + 202 (gas) -› SiO2 (solido) + 2H2 (53291

3SiH2Cl2 + 4NH3 -› Si3N4 (solido) +

+ 6HCl + 6H2 (5.30

è possibile deporre rispettivamente strati di ossido di silicio o di nitrum

di silicio. Infine, sempre tramite CVD, si possono deporre alcuni met `
come, ad esempio, il tungsteno, lialluminio o il rame. Questi ultimi, in par-
ticolare, vengono usati per la realizzazione delle piste di interconnessione:
dei vari dispositivig.

5.4.2 Deposizione fisica in fase vapore

La deposizione fisica in fase vapore, denominata usualmente PVD (Phy-

sical Vapor Deposition), si effettua portando in fase vapore, tramite op-
8
Silicio policristallino, ovvero, composto da granuli di cristallo ognuno dei quali ha
un diametro di circa 100 nm.
9La deposizione dell°alluminio è più semplice di quella del rame ed e stata usata in
prevalenza sino a pochi anni fa. Ultimamente, le stringenti speciiiche di velocità., hamio
richiesto liuso di materiali a più bassa resistività e, solo da alcuni anni, si è iniziato ad
usare il rame per le interconnesisoni. I

418
portuni processi fisici, il materiale sorgente che si vuole depositare sulla
superficie della fetta. L°evaporazione avviene quando il materiale sorgen-
te viene riscaldato ben oltre il suo punto di fusione (generalmente in una
camera sotto vuoto). La deposizione è quindi ottenuta per assorbimento
degli atomi del materiale sorgente vaporizzato che vengono spinti verso la
fetta con elevata energia cinetica. Tale processo è eseguito sotto vuoto al
fine di garantire agli atomi di materiale sorgente vaporizzato Padeguata
energia cinetica richiesta dal processo.
Le tecniche utilizzate per portare il materiale sorgente alla fase vapore
sono prevalentemente due: lievaporazáonc sotto vuoto e la poliierizzars-eon.e
oatodica.
Con lievaporazione sotto vuoto il materiale sorgente è fatto evaporare
mediante semplice riscaldamento che può essere ottenuto tramite diversi
approcci (effetto Joule, induzione, bombardamento con fascio elettronico,
mediante fascio laser, ecc.).
Nella tecnica della polverizzazione catodica (denominata anche ion.-
beam spatteráng) il materiale sorgente in forma solida (bersaglio) viene
bombardato sotto vuoto con gas inerte (tipicamente argon) allo stato di
plasma, ovvero in stato di forte ionizzazione. Il bersaglio solido colpito
dal plasma espelle grappoli di atomi che si vengono facilmente a trovare
nello stato gassoso. Questi quindi vengono spinti verso la fetta con elevata
energia cinetica in modo da poter essere assorbiti da quest°ultima e creare
lo strato desiderato.
La PVD viene usata ampiamente per la deposizione di metalli e rap-
presenta una valida alternativa alla CVD per la deposizione di alluminio
o rame.

5.5 Trattamenti per migliorare la fetta

5.5.1 Annealing

L”an'acaling e una particolare operazione di cottura, seguita da un raf-

freddamento lento, che viene effettuata sulla fetta in lavorazione, in atmo-
sfera inerte. Tale intervento viene eseguito o per riparare i danni subiti dal
reticolo durante le fasi di impiantazione ionica o per migliorare la qualita
dellfinterfaccia ossido-silicio dopo un processo di ossidazione.
Nel primo caso, infatti, gli ioni di drogante impiantati alliinterno del se-
miconduttore, a causa del forte impatto con la struttura, creano dei danni

41.9
 1 l
all interno del reticolo cristallino. Questo, in particolare, presenta delle
zone di amorfo nelle quali le proprietà elettriche del materiale originale
possono essere sensibilmente degradate (es. riduzione della mobilità. e con-
seguente diminuzione di conducibilità). Per l“utilizzo in microelettronica,
tali danni devono essere necessariamente riparati. In questo caso, lian-
nealing viene effettuato a temperature che vanno dai 60000 ai QOOUC. A
queste temperature gli atomi negli stati superficiali della fetta acquistano
l“energia sufficiente per spostarsi e ricollocarsi correttamente all“ínterno del
reticolo cristallino.
Nel caso in cui si intende migliorare la qualità dell”interfaccia ossido-
semiconduttore, Pannealing `e fatto a temperature generalmente superio-
ri, che possono raggiungere i 1000°C. Tale processo risulta di fatto un
completamento del1”operazione di ossidazione.

5.5.2 Gettering

Il gettervlng è un processo usato spesso per migliorare la qualità. del wa-

fer di silicio durante la sua lavorazione. Esso viene eseguito per rimuovere
quelle impurità indesiderate (tipicamente dovute ai metalli pesanti utiliz-
zati durante la lavorazione quali il rame, lioro, il ferro ed il nickel) che
degradano il tempo di vita medio e la mobilità dei portatori.
Nonostante le diverse tecniche utilizzate per effettuare Poperazione di
gettering, queste hanno il comune obiettivo di rimuovere le impurità. indesi-
dorate dalle regioni che costituiranno le parti attive dei componenti e di im-
mobilizzarle in regioni distanti e quindi poco influenti sul comportamento
dei dispositivi realizzati.

5.6 Fotolitografia

Un singolo dispositivo o un intero circuito integrato può essere scom-

posto nella sovrapposizione di un certo numero di strati omogenei, ognuno
dei quali con una propria geometria prefissata (ad esempio strati di silicio
drogato, strati di isolante, strati di alluminio e strati di polisilicio). La
realizzazione di uno strato con una forma geometrica desiderata richie-
de la possibilità di una lavorazione selettiva sulla superficie della fetta.
Tale obiettivo è ottenuto utilizzando il processo ƒotolitograƒìco (o fotolito-
grafia) che può essere disgiunto in due diverse lavorazioni specifiche: la

420
mascherature e li attacco. Il processo fotolitografico e, quindi, quel passo
di lavorazione che consente di realizzare sulla fetta di silicio uno strato con
la geometria voluta.

5.6. 1 l\/Iascheratura

L°operazione di mascherature e eseguita per definire e selezionare le aree

della fetta di silicio sui cui effettuare le successive lavorazioni. Generalmen-
te la mascherature. è un processo che viene fatto seguire da un°operazioiie
di attacco (descritta in seguito) anche se, per talune lavorazioni come Fini-
piantazione ionica, la sola masclieratura e sufficiente per rendere selettive
le fasi successive.
Lioperazione di mascheratura si esegue stendendo su tutta la fetta uno
strato di materiale denominato resist (o ƒotoresist). Questo è un polimero
organico che gode della proprietà di essere fotosensibile a particolari lun-
ghezze dionda di radiazione elettromagnetica, generalmente comprese tra i
raggi ultravioletti e i raggi X. Il resist viene deposto sulla fetta da lavorare
mettendone una piccola quantità. nel suo centro e facendo quindi ruotare
la fetta a velocità che possono variare tra i 1000 ed i 10000 giri al minuto.
Alla fine del processo, sulla fetta si ha uno strato di resist con spessore
tipicamente compreso tra qualche frazione di um e qualche um.
Successivamente, la fetta viene esposta al tipo di radiazione alla quale e
sensibile il resist utilizzato. Con i processi attuali si utilizza generalmente
la luce ultravioletta (À ~ 0.2-0.4 um). Esistono due tipologie di resist,
quello positivo e quello negativo che differiscono per il comportamento
durante la fase di esposizione. In particolare, nel resist positivo le regioni
esposte alla radiazione diventano maggiormente solubilim e possono essere
facilmente rimosse dalla superficie della fetta. Viceversa, nel resist negativo
le regioni esposte alla radiazione diventano insolubilill rendendo possibile
la rimozione delle regioni non esposte. I resist negativi sono più sensibili di
quelli positivi e quindi consento tempi di lavorazione inferiori. Di contro,
essi permettono una risoluzione inferiore rispetto a quelli positivi che, per
tale motivo, vengono maggiormente utilizzati nelle attuali lavorazioni.

10
Liesposizione alla radiazione rompe le lunghe molecole organiche in catene più corte
rendendo così il materiale maggiormente solubile.
11L°esposizione alla radiazione induce la produzione di catene di molecole organiche
più lunghe, ovvero maggiormente robuste ad un processo di rimozione.

421
 A iii A
sorgente fllìjß flliíjíw fllìãp
luminosa ÈVQ ÈVQ ÈVQ

1:; åš
maschera i i J i
\ L _ ' P L '
i I

\i//¦\
fotoresi si -› I 050 pm; _'
S *ff*

(H)
E _ :i.¦.¦_¦.¦.¦-:-:-:-¦-¦-i¦i-¦:¦:¦s;=i1s;-i;-;-1-1-;-;-1-se-:eni:-¦-¦-isai-=-fe;-s...;..-.-¦..;«.;

(bl
I/
--------111-sr;-ai-..:-.¢-›;+;.;«m†¬

(11)
Fig. 5.14 - Trasferimento di pattern mediante esposizione a raggi ultravioletti.
(a) Esposizione a contatto; (b) Esposizione in prossimità; (c) Esposizione a
proiezione.

L°operazione di esposizione è resa selettiva grazie ad una maschera in-

terposta tra la sorgente di radiazioni e la fetta stessa. Tale maschera consta
di una lastra trasparente sulla quale sono rese opache le zone che sulla fetta
non devono essere colpite dalla radiazione elettromagnetica. L°esposizione
può essere effettuata seguendo tre approcci differenti. Nella metodologia
denominata a contatto, la maschera è posta direttamente a contatto con
la fetta, come in Fig. 5.14 (a). Ciò garantisce unielevata risoluzione, ma
determina un veloce deterioramento della maschera stessa per strofinio.
Nell°approccio in prossimità la maschera è posta a qualche decina di um
dalla superficie della fetta, come illustrato in Fig. 5.14 (b). Ciò allunga di
parecchio la durata della maschera, ma riduce la risoluzione del processo a
livelli non compatibili con i moderni processi di lavorazione. Per ottenere i
vantaggi delle due tecniche precedenti, la tecnica che si utilizza attualmen-
te, denominata a proiezione, mantiene la maschera a diversi centimetri di
distanza dalla fetta e le geometrie in essa presenti vengono focalizzate sulla
fetta tramite un sofisticato sistema ottico posto tra la fetta e la maschera.
come in Fig. 5.14
Conclusa la fase di esposizione, il resist indebolito viene rimosso. ln
particolare, la fetta viene trattata con una soluzione di sviluppo ed even-
tualmente una di fissaggio, e quindi viene lavata. Alla fine di tali operazio-
ni, il resist rimasto sulla fetta riproduce le forme geometriche desiderateu.

12 Nel caso di resist positivo, il disegno che si trasferisce sul resist è lo stesso di quello

422
e quindi scherma dalle lavorazioni successive la superficie della fetta che
ricopre.
Si noti che nei processi moderni, Pesposizione non si effettua contempo-
raneamente su tutta la fetta, ma, tramite apposite macchine che prendono
il nome di wafer stopper, si espone una limitata regione delliintera fetta
per volta13, sino al completamento dell°intero wafer. Tale approccio, pur
aumentando i tempi di lavorazione, consente di ottenere risoluzioni ben
inferiori al um.

5.6.2 Attacco

Lioperazione di attacco (etchirig in lingua anglosassone) serve per cor-

rodere e rimuovere lo strato omogeneo non coperto da resist e posto sulla
superficie della fetta. L°attacco può essere effettuato sia su strati di ma-
teriale isolante (ad esempio per identificare selettivamente sulla superficie
della fetta la zona ove realizzare un componente) che su strati di materia-
le conduttore (ad esempio per definire le interconnessioni tra i dispositivi
presenti nel circuito che si sta realizzando).
Le tecniche di attacco tipicamente utilizzate si dividono in due catego-
rie: attacchi in amido (iiict etchirig) e a secco (dry etching).
Gli attacchi in umido si realizzano inimergendo la fetta in un bagno
di acido (o miscela di acidi) in acqua deionizzata. Gli attacchi a secco si
realizzano in camere a bassa pressione, bombardando la fetta con plasma
di miscele di elementi gassosi. In quest`ultimo caso, liazione di rimozione
puo avvenire o per reazione chimica tra il plasma e lo strato di materiale
da rimuovere, o per asportazione meccanica dovuta alliimpatto tra gli ioni
del plasma con la superficie attaccata.
Nonostante la sua semplicità, l”attacco in umido presenta Finconvenien-
te di essere un attacco isotropo, nel senso che agisce lungo tutte le direzioni
in maniera indistinta. Ad esempio, facendo riferimento alla Fig. 5.15, che
mostra la rimozione selettiva di uno strato di SiO2, si nota come liattac-
eo ideale riportato in Fig. 5.15 (a) avviene, in realtà, come mostrato in
Fig. 5.15 (b), dove viene rimossa anche parte delliossido sottostante lo
strato di resist. Questo effetto è chiaramente indesiderato in quanto crea

èlla maschera. Nel caso di resist nega.tivo, il disegno che si trasferisce è liinverso di
quello della maschera.
13Generalmente prende parte all°esposizione un certo numero intero di die.
 Resist

Ö i

Substrato
(H) (D)
Fig. 5.15 - Attacco per la rimozione selettiva di SiO2 da una fetta di silicio.
(a) Attacco ideale; (b) Attacco in umido.

una perdita di risoluzione rispetto al disegno originale della maschera. Es-

so, tuttavia, può essere tollerato se lo spessore dello strato da rimuovere è
minore di circa 1/3 della risoluzione richiesta dal processo.
A causa delle sue caratteristiche di isotropicità, l”attacco in umido è po-
co sfruttato dai nuovi processi submicrometrici che utilizzano prevalente-
mente l°approccio a secco. Quest”ultimo, difatti, presenta la caratteristica
di possedere uniefficacia di attacco verticale predominante rispetto a quel-
la laterale, consentendo, così, geometrie con risoluzioni migliori rispetto a
quelle che si otterrebbero con un analogo attacco in umido.
Completata la fase di attacco, il resist residuo sulla fetta viene rimos-
so o tramite tecniche in umido che sfruttano bagni opportuni, o tramite
apposite tecniche a secco.

5.6.3 Esempio di una sequenza fotolitografica

In Fig. 5.16 sono illustrati i passi di lavorazione per trasferire un dise-

gno (pattern) dalla maschera ad uno strato isolante di ossido posto sulla
superficie di una fetta di silicio. La lavorazione della fetta avviene in una
camera sotto vuoto (clean room) tipicamente illuminata da luce gialla, in
quanto il resist non e sensibile alla luce con una lunghezza d°onda superio-
re a 0.5 nm. Dopo aver steso il resist in forma liquida sulla fetta, questa
viene posta in un forno a 90-12000, per pochi minuti, in modo da far
ineglio aderire il resist con lo strato sottostante. Il risultato è mostrato in
Fig. 5.16 (a).
La fetta viene allineate. rispetto alla maschera all'interno del disposi-
tivo fotolitografico e viene esposta alla radiazione, come schematizzato in
Fig. 5.16 Se viene usato del resist positivo, la parte irradiata viene

424
 _ 4- Resist
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Fig. 5.16 - Trasferimento di un pattern mediante fotolitografia. (a) Deposi-

zione del resist sulla fetta; (b) Esposizione della fetta alla radiazione; (c) Ri-
mozione dello strato di resist indesiderato; (d) Attacco e rimozione del|'ossido;
(e) Rimozione del resist residuo.

rimossa, come evidenziato a sinistra di Fig. 5.16 (c) e la fetta è sottopo-

sta ad un processo di attacco che rimuove lo strato di ossido non protetto
dal resist, come riportato in Fig. 5.16 Infine, la rimozione del resist
residuo, lascia lo strato finale di ossido con la stessa forma geometrica del
disegno tracciato nella maschera originale, come in Fig. 5.16
Nel caso di resist negativo, la procedura descritta è simile, ma la forma
geometrica che viene trasferita allo strato di isolante è quella mostrata a

425
 destra di Fig. 5.16 (e).
La forma assunta dalliossido puo quindi essere utilizzata per lavorare
selettivamente le regioni della fetta. Un”eventuale impiantazione ionica.
ad esempio, agisce solo sulle regioni non coperte dall°ossido.

5. 7 Processo Bipolare

Al fine di mostrare come si realizzano i dispositivi integrati tramite i

diversi passi di processo precedentemente presentati, di seguito è riportata.
in modo sintetico, la sequenza di lavorazione tipica di un processo bipolare.
Nel successivo paragrafo verrà presentata quella relativa ad una tecnologia
basata su transistori MOS.
È da evidenziare che, a differenza di quanto avviene nei processi MOS
(come verrà mostrato successivamente), le tecnologie tradizionali per la
realizzazione di transistori bipolari non consento la realizzazione di en-
trambi i transistori npn e pnp ad elevate prestazioni. Difatti, ciascuno dei
due transistori necessita di una sequenza dedicata di passi di processamen-
to, non del tutto compatibile con la sequenza necessaria per la realizzazione
del transistore complementare. Tale incompatibilità fa si che la realizza-
zione di transistori ad elevate prestazioni sia npn che pnp, su uno stesso
substrato di semiconduttore, necessita del raddoppio dei passi di lavora-
zione, rispetto a quelli di una tecnologia atta a realizzare un singolo tipo di
transistore, con il conseguente raddoppio dei costi (proporzionali ai passi di
lavorazione). Poiché liaspetto economico non e marginale, anzi è dominan-
te nei reali contesti industriali e produttivi, la soluzione tradizionalmente
adottata è quella di sviluppare tecnologie bipolari che consentano la rea-
lizzazione di transistori npn ad elevate prestazionim, accontentandosi di
dispositivi complementari pnp a basse prestazioni, realizzati, in maniera
non ottimale, sfruttando i medesimi passi di lavorazione del transistore
npn. Tale modalità. permette il contenimento dei costi di produzione al
prezzo delle prestazioni dei transistori pnp che, non essendo realizzati con
passi di processamento ad hoc, presentano caratteristiche degradate (basso
ßp, bassa rc, bassa ƒT, ecc.) e, a volte, risultano estremamente scadenti.

14
Si prediligono i transistori di tipo npn in quanto, la migliore niobilit.à dei portato-
ri minoritari (elettroni) in base, consente di ottenere dispositivi più veloci rispetto ai
dispositivi pnp.

426
 Substrato p'

Fig. 5.17 - Substrato di partenza.

Substrato p'

Fig. 5.18 - Crescita di uno strato di ossido spesso.

| Sub strato p' l

Fig. 5.19 - Apertura mediante fotolitografia ed attacco della regione sepolta

di collettore.

i i i i,iAnüi°m°i i i i i
,,,,, pp
Substrato p-

Fig. 5.20 - lmpiantazione ionica di antimonio per la formazione della regione

sepolta di collettore.

427
 "iêšiišiii--" :É' " M À
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Substrato pr

Fig. 5.21 - Diffusione della regione sepolta di collettore

n-epi
..
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Substrato p-

Fig. 5.22 - Crescita epitassiale di uno strato di silicio debolmente drogato di

tipo n.

SiO2
ri-epi

Substrato p-

Fig. 5.23 - Crescita di uno strato sottile di ossido e deposizione di nitruro ci

silicio.

SiOg

I n_
I
_-:_É*?5'í'f'3"Tìií'ì.í%É: - '3i77í33"'3'i-í'“'5'?- -' -

14* arca attiva *Dl

Substrato [T

Fig. 5.24 - Fotolitografia, definizione dell'area attiva e scavo del e trenches

mediante attacco dello strato epitassiale.

428
 iiiiißimiiiii

S102
n.

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ri
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P P
Substrato pr

Fig. 5.25 - Fotolitografia e creazione del chanstop implant per realizzare le

regioni di isolamento. '

¬ si'N '_¬

n_

E T il _" L___l'

.Op_
Sub strat

Fig. 5.26 - Crescita dell'ossido di isolamento (LOCOS).

Fosforo / Arsenico

W i
Substrato p-

Fig. 5.27 - Rimozione del nitruro di silicio e dello strato di ossido sottile.
Fotolitografia e impiantazione ionica per formare i contatti di collettore n+.

429
 Boro

J.

TE
Substrato ir

Fig. 5.28 - Diffusione dei contatti di collettore, fotolitografia e impiantazione

ionica per realizzare i contatti di base (regioni p+).

p+
ißfiiiii
E P ' p+ il
_ l n- l

l Substrato p-

Fig. 5.29 - lmpiantazione ionica della regione di base (tipo p).

Fo sforo / Arsenico

ni-___-1
ri* W

Substrato p-

Fig. 5.30 - Fotolitografia per definire la regione di emettitore (anche i contatti

di collettore vengono aperti). lmpiantazione ionica delfemettitore e successivo
anneafing.

430
 Collettore
Base
l E mettitšire \
+

I 13| p+

i nm

Substrato p-

Fig. 5.31 - Dispositivo finito senza gli strati di metallizzazione (es. contatti di
collettore, base ed emettitore).

A seguito di quanto discusso, nel seguito si mostrera.nno i passi di lavo-

razione per la fabbricazione di un transistore npn ad elevate prestazioni,
senza soffermarsi sulla realizzazione del transistore pnp.
I passi di lavorazione di un transistore bipolare npn sono mostrati nelle
Fig. 5.17-5.31. La lavorazione inizia da un substrato di partenza debol-
mente drogato (~ 1015 cm*3) di tipo p. Il primo passo di lavorazione e
la creazione dello strato sepolto di tipo n+. Questo viene realizzato fa-
cendo crescere uno strato di ossido spesso (~ 0.5-1 um) sulla superficie
della fetta (Fig. 5.18), aprendo la regione da lavorare tramite fotolitografia
(Fig. 5.19), impiantando l”elemento drogante (Fig. 5.20) e facendo diffon-
dere questiultimo tramite opportuna operazione di drive-in (Fig. 5.21). Lo
strato risultante presenta in questo modo una resistenza. elettrica molto
bassa.
Il secondo passo consiste nella deposizione dello strato epitassiale. La
fetta viene pertanto messa in un apposito reattore all°iriterno del quale
avviene il processo di crescita (Fig. 5.22). Lo spessore e la concentrazione
di drogante dello strato epitassiale dipendono dal tipo di applicazione cui
fe destinato il dispositivo. I circuiti analogici, che in genere presentano
tensioni di lavoro più elevate, richiedono strati più spessi (~ 10 um) e
concentrazioni più basse (~ 5 - 1015 cm"3). Viceversa, i circuiti digitali,
che presentano tensioni più ridotte, richiedono strati più sottili (~ 3 lim)
e concentrazioni più elevate (~ 2 - 1016 cm`3).
Il terzo passo di lavorazione prevede la realizzazione delle regioni di
isolamento elettrico per disaccoppiare il transistore dai dispositivi adia-
centi. Queste regioni sono formate da sacche di ossido e da regioni di

431
 tipo p+, dette chanstop implant (chanstop = channel stop), poste ai lati
del transistore. Inizialmente viene fatto crescere un sottile strato di os-
sido (~ 50 nm) cui segue la deposizione di uno strato di nitruro di silicio
(~ 100 nm), come schematizzato in Fig. 5.23. Successivamente, tramite fo-
tolitografia, si aprono delle finestre e si attacca più della metà dello strato
epitassiale. Questo attacco genera le fosse mostrate in Fig. 5.24 (trench)
e definisce l°area attiva, ovvero la superficie dove sarà. realizzato lieffettivo
transistore. A questo punto, tramite fotolitografia, si impiantano le regioni
p+ di isolamento (Fig. 5.25) e si effettua la crescita dello strato di ossido
di isolamento nelle regioni non coperte dal nitruro di siliciolã. L°ossido di
isolamento viene fatto crescere fino ad uno spessore che riporta ad un unico
livello la superficie della fetta (Fig. 5.26) ed il suo processo di crescita è
chiamato ossidazione locale del silicio (o LOGOS : LOCal Ozidation of
Silicon).

Una volta rimosso il nitruro di silicio e lo strato di ossido superficia-

le, si passa al completamento dei contatti di collettore tramite il processo
fotolitografico e liimpiantazione ionica mostrata in Fig. 5.27 e, successi-
vamente, alla realizzazione dei contatti di base, tramite la fotolitografia
e,l”impiantazione di uniopportuna dose di boro, come schematizzato in
Fig. 5.28.

L”ultimo passo di lavorazione è la creazione delle regioni di base e di

emettitore. La prima viene realizzata tramite liimpiantazione di borolô
mostrata in Fig. 5.29. La regione di emettitore viene realizzata tramite
uniimpiantazione di arsenico (o fosforo) durante la quale vengono esposte
e completate anche le regioni di contatto di collettore, come riportato in
Fig. 5.30.

Il dispositivo finale è mostrato in Fig. 5.31 (senza gli strati di metal-

lizzazione). Come si nota, il contatto di emettitore viene preso in un solo
punto mentre i contatti di base e collettore si trovano sia a destra che a
sinistra del contatto di emettitore. Questa topologia consente di rid1.u°re
ulteriormente le resistenze distribuite di base e di collettore.

is Il nitruro di silicio ha un bassissimo tasso di ossidazione e, pertanto, impedisce la

formazione di ossido nelle regioni sottostanti.
15Dato il basso drogaggio della regione di base, l”entità di boro impiantata non mo-
difica apprezzabilmente le regioni n+ che, di conseguenza, non hanno bisogno di essere
schermate da resist.

432
5.8 Processo CMOS

Il processo o tecnologia CMOS è il processo dominante nella fabbrica-

zione di circuiti integrati. La parola CMOS è l”acronimo di Complemen-
tary MOS e sottolinea la possibilità di realizzare, nello stesso substrato di
silicio, tanto transistori NMOS quanto transistori PMOS.
Storicamente i primi circuiti integrati vennero fabbricati tramite pro-
cessi PMOS, nei quali potevano essere realizzati solo transistori a canale p.
In seguito, la tecnologia PMOS venne soppiantata da quella NMOS (che
consentiva, cioè, di realizzare solo transistori a canale n), per la maggiore
mobilità di cui godono questo tipo di transistori. Infine, liintroduzione
della tecnologia CMOS ha definitivamente rimpiazzato i precedenti tipi di
fabbricazione. Cio perché con quest”ultima, se utilizzata per la realizza-
zione di circuiti digitali, differentemente da quanto avviene con tecnologie
NMOS o PMOS, si possono costruire porte logiche che, grazie alliuso di
entrambi i transistori, presentano una dissipazione di potenza a riposo
idealmente nulla.
Il processo CMOS può essere analizzato esaminando in dettaglio i passi
(step) di lavorazione necessari per la realizzazione di una coppia di tran-
sistori complementari. In tecnologia CMOS i transistori NMOS hanno un
substrato di tipo p mentre i transistori PMOS hanno un substrato di tipo
n. Di conseguenza, se la fetta di silicio di partenza è debolmente drogata
di tipo n, i transistori PMOS possono essere realizzati direttamente sulla
fetta. mentre, per i transistori NMOS, bisogna creare delle regioni apposite.
di tipo p, denominate p-well, che fungono da substrato locale. Viceversa,
se la fetta. di silicio di partenza è debolmente drogata di tipo p, i transistori
NMOS vengono realizzati direttamente sulla fetta mentre, per i transistori
PMOS, si creano delle sacche di tipo n, denominate n-well, che fungono da
substrato locale. Nel primo caso il processo si dice processo a substrato di
tipo n o processo p-well, nel secondo caso si dice processo a substrato cli tipo
p o processo n-well. Nel seguito verranno presentati i passi di lavorazione
di un processo n-well. Si evidenzia inoltre che, a differenza di quanto mo-
strato per la realizzazione dei dispositivi integrati bipolari, la realizzazione
di dispositivi MOS non fa uso del processo di crescita epitassiale.
I passi di fabbricazione di una coppia di transistori integrati in tecno-
logia CMOS sono mostrati nelle Fig. 5.32-5.47. La lavorazione inizia da
un substrato di partenza debolmente drogato (~ 1015 cm_3) di tipo p, sul
quale viene fatto crescere, generalmente tramite ossidazione in umido, uno
strato di ossido spesso (Fig. 5.32 e 5.33). Quindi, tramite fotolitografia,

rss
 l Substrato tipo pr l

Fig. 5.32 - Substrato di partenza.

iiišiiÃìÚíf;fIfI.if ÃÉÈiÉ.É-§.š:šI_

Fig. 5.33 - Crescita di uno strato di ossido spesso.

Fig. 5.34 - Apertura della regione n-well mediante fotolitografia ed attacco.

Fosforo /Arsenico

1 l l i l l i i l
ií*š`f; sltíísíåfvell v

Fig. 5.35 - lmpiantazione ionica di fosforo o arsenico per la formazione della

sacca n-well.

434
 Si3N4

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Sio? n-\vsÈ1Él.:§ÉÉÉ;';)._§Èfȧ

Fig. 5.36 - Rimozione dell'ossido, crescita di un nuovo strato di ossido sottile

e deposizione di nitruro di silicio.

/4 fi . -.?ù*"`
l regioni di oi-scia X Sé o il *J
dell ossido di campo area attiva _

Fig. 5.37 - Fotolitografia per la definizione delle aree attive.

iiiiiiißmiiiiiii
.. _
impianto P
di campo

Fig. 5.38 - Fotolitografia ed impiantazione di boro nelle regioni di campo

attorno al futuro transistore NMOS.

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Fig. 5.39 - Crescita dell'ossido di campo (FOX = Field OXi`de).

435
 “'Wt'l

Fig. 5.40 - Rimozione del nitruro di silicio e del sottile ossido sottostante.

Ossido di gate

Fig. 5.41 - Crescita di un sottile strato di ossido in corrispondenza delle aree

attive.

iiiiiiißmiiiiiii
r . .
i i i i i3

Fig. 5.42 - lmpiantazione di boro per regolare la tensione di soglia del futuro
transistore PMOS.

iiiiiiißmiiiiiii
BMD n well
I __ aggiuntivo E

Fig. 5.43 - Fotolitografia ed impiantazione aggiuntiva di boro per regolare la

tensione di soglia del futuro transistore NMOS. (Lo strato precedente non è
mostrato).

436
 Polisilicio
/ \

H I :fff

Fig. 5.44 - Fotolitografia e deposizione di polisilicio drogato per la formazione

degli elettrodi di gate. (Lo strato precedente non è mostrato).

i i i i i imfimliismi i i i i i
- Z _ ..... .. . . . _.

Fig. 5.45 - Fotolitografia ed impiantazione di fosforo o arsenico per la realiz-

zazione delle regioni di source e drain del transistore NMOS e dei contatto
della sacca n-well.

iiiiiiimilliiil
T _ \ ;-- +.*_.--.;,'__=,:;r.-..fffg '__;j |

Fig. 5.46 - Fotolitografia ed impiantazione di boro per la realizzazione delle

regioni di source e drain del transistore PMOS e del contatto di substrato.

" '
T Substrato p- ' " '/ T

Fig. 5.47 - Deposizione dell'ossido, fotolitografia e apertura in corrispondenza

dei contatti metallici (l'ossido viene rimosso in corrispondenza dei contatti di
source, gate, drain e dei contatti di n-well e substrato); Deposizione delle linee
metalliche tramite processi fotolitografici.

437
in corrispondenza della regione nella quale andrà piazzata la sacca n-Well.
si apre nelliossido una finestra (Fig. 5.34) e si sottopone la fetta ad im-
piantazione ionica di fosforo o arsenico, realizzando la suddetta sacca come
in Fig. 5.35. Si noti che, in quest'ultimo passo di lavorazione, le regioni
sottostanti lo strato di ossido spesso non sono affette dall“impiantazione
ionica.
Una volta realizzata la sacca n-Well, si pulisce la fetta e si procede con
la crescita di un sottile strato di ossido (~ 35 nm) sul quale viene a sua
volta deposto uno strato di nitruro di silicio (~ 150 nm), come in Fig. 5.36-
Entrambi gli strati vengono aperti tramite fotolitografia, definendo così le
regioni di crescita dell°ossido di campo, mostrate in Fig. 5.37. Le regio-
ni che rimangono coperte dallo strato SiOg-Si3N4-resist, costituiscono la
cosiddetta area attiva. Dopo aver protetto la sacca n-well tramite uno
strato di resist, si effettua uniimpiantazione ionica di boro, detta impianto
di campo (Fig. 5.38). In questa fase, Fimpiantazione è resa selettiva tanto
dal resist quanto dal nitruro di silicio. Il resist viene quindi rimosso e la
fetta è posta all°interno di un apposito forno per la crescita dell”ossido â
campo (detto anche FOX = Field OXide). Come si nota dalla Fig. 5.39. in
questo passo di lavorazione, liossido è in grado di crescere solo nelle regiori
non coperte dal nitruro di silicio.
Alla realizzazione delfossido di campo segue la rimozione dello strato
di nitruro di silicio e delliossido sottostante, come mostrato in Fig. 5.40.
Quindi, viene fatto crescere un sottile strato di ossido di spessore
mamente accurato (~ 10 nm), detto ossido di gate (Fig. 5.41), e veng
effettuate due impiantazioni ioniche (generalmente con boro) per la reg
zione della tensione di soglia dei transistori PMOS ed NMOS17, come
niatizzato rispettivamente in Fig. 5.42 e Fig. 5.43. Si noti che lo sp
dell°ossido di gate non e in grado di fermare fimpiantazione di drogante.
Successivamente, vengono realizzati gli elettrodi di gate deponendo 1
strato di polisilicio fortemente drogato, come illustrato in Fig. 5.44.
di, tramite opportune deposizioni di resist, vengono impiantate le sac
n+ (Fig. 5.45) e p`l' (Fig. 5.46) che realizzano le regioni di source e
dei transistori, nonché i contatti di polarizzazione della sacca n-Well e
substrato p_. In queste due fasi, Pimpiantazione non interessa né le
sottostanti il resist, né quelle sottostanti il polisilicio o lo spesso ossido

"Dalle espressioni delle tensioni di soglia per un condensatore NMOS e PM

rispettivamente dalla (4.52) e dalla (4.66), si osserva che uniimpiantazione di B
entrambi i valori. Viceversa, uniimpiantazione di As o P diminuisce entrambi i valori.
campo. Infine, si copre di ulteriore ossido la fetta e, tramite litografia, si
aprono le vie per il piazzamento dei contatti che vengono realizzati tramite
deposizione di metallo, come schematizzato in Fig. 5.47.

439
6. Proprietà quantistiche della materia
di Giuseppe Falci e Elisabetta Paladino

E sorprendente come alcune delle proprietà più comuni della materia,

come liesistenza stessa dei solidi, richiedano per la loro spiegazione concetti
e metodi apparentemente molto lontani dal senso comune, che ricadono nel
dominio della Meccanica Quantistica. Questo aspetto della Fisica del XX
secolo ha fatto si che i molti successi scientifici siano stati accompagnati da
una diffidenza senza precedenti nella storia della scienza. Lfinsoddisfazione
concettuale manifestata nei confronti della Meccanica Quantistica da parte
di alcune delle più brillanti menti del XX secolo ha aperto un dibattito
epistemologico ancora molto vivo, confinato però a materia per iniziati.
Per contro la diffusione nei corsi universitari è limitata ai corsi specializzati,
spesso con un taglio pragmatico che presenta la Meccanica Quantistica
come una serie di ricette “che funzionano”.
Negli ultimi anni questo quadro si sta modificando, essenzialmente sotto
la spinta dei notevoli progressi nel settore delle nuove tecnologie. La Mec-
canica Quantistica è ormai uno strumento di scienze diverse dalla Fisica
di base, insieme a tutta una serie di strumenti interdisciplinari, necessari
ad esempio per la ricerca nel settore delle nanotecnologie. Tra i mol-
ti esempi menzioniamo il fatto che gli enormi progressi nella sintesi e la
progettazione delle proprietà funzionali di strutture molecolari hanno reso
la Chimica Quantistica uno strumento essenziale. La tendenza verso la
miniaturizzazione dei dispositivi, che si accompagna ai progressi nelle tec-
niche di fabbricazione e di crescita, pongono nuovi e interessanti problemi
applicativi nei quali la Meccanica Quantistica gioca un ruolo preminente.
Liintricata trama di problemi tecnici e di interpretazione, la vasta gam-
ma di applicazioni e la sua ricca storia non consentono una trattazione
della Meccanica Quantistica limitata ad un capitolo. Ci limitiamo qui a
focalizzare alcuni fenomeni della Fisica della Materia, che caratterizzano il

441
“comportamento quantistico” di atomi e solidi, e forniscono lo spunto per
introdurre alcuni elementi di linguaggio. opportuno quindi non affron-
tare questa lettura come uno studio atto a formare una visione di insieme,
ma piuttosto cercare di percepire spunti che stimolino liintuizione, come
da poche tessere si immagina un grande puzzle. Le tessere sono impor-
tanti e saranno poste al punto giusto, ma niente di più. A tal fine spesso
si preferirà non dare spiegazioni se si corre il rischio che una esposizione
eccessivamente semplificata porti ad affermazioni non corrette.

6.1 Alcune tessere del puzzle

Le tessere del puzzle sono gli indizi del comportamento qua.ntistico.

Parleremo della presenza di spettri discreti, delle proprietà. di rigidità dello
stato quantistico, della natura ondulatoria della materia e delle proprie-
tà statistiche degli elettroni. La percezione di questi elementi consente
talvolta efficaci intuizioni.

6.1.1 Spettri discreti

r

La misura di spettri discreti è un comune indizio di comportamento

quantistico. Con la parola spettro intendiamo l 'insieme di tutti i valori
che puo assumere una certa grandezza fisica propria di un dato sistema
fisico. Quindi dire che lienergia dell°elettrone di un atomo di idrogeno
ha uno spettro discreto, significa che i suoi possibili valori formano un
insieme iiumerabile, {E1, E2, _ . .}, e che non e possibile che il risultato di
una misura dia un valore diverso da quelli contenuti nella sequenza.
L°esempio dell°atomo di idrogeno non e casuale. La forte motivazio-
ne iniziale che ha portato tra il 1921 e il 1927 alla formulazione teorica
della Meccanica Quantistical è stata la grande massa di dati sperimentali
di spettroscopia atomicaf, che furono classificati assumendo che l'energia
dell”elettrone avesse uno spettro discreto.
A prescindere dalle spiegazioni, è utile accettare la presenza di spettri
discreti delle grandezze fisiche (energia o a.ltre grandezze come liimpulso
Alcuni eventi importanti sono la formulazione dell'ipotesi di De Broglie (1924, pre-
mio Nobel nel 1929), della equazione di Schrödinger (1926, premio Nobel nel 1933).
della equazione di Heisenberg (1928, premio Nobel nel 1933) e della teoria. di Dirac
(1928, prenlio Nobel nel 1933).
2A cominciare dagli esperimenti di Balmer (1895).

442
 Elcllrodo di gato A 5§"“~"_
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ananas sesaaaš _ ea s--“

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Lyman Balmer Rm Brackclt -; s .-_.
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E I= _ 13-5 ev | ui' La 'Pensione di gate (V)

Fig. 6.1 - (a) Lo spettro dell'atomo di idrogeno: l'energia dell'elettrone puo

assumere solo una successione di valori E,-_, e dar luogo solo a determinate righe
spettrali per transizioni nella fluorescenza. (b) La conduttanza di un quantum
point contact (QPC): l'ampiezza della strozzatura, ottenuta per svuotamento
di un gas elettronico bidimensionale (2DEG), è controllata tramite il potenziale
di gate in maniera continua, ma dà luogo a salti nella conduttanza tra multipli
della quantità, 2e2/h, dipendente solo da costanti fondamentali.

o il momento angolare3), come un dato di fatto, spesso osservato negli

esperimenti, e riconducibile al comportamento quantistico della materia.
E bene tuttavia non enfatizzare Pimportanza degli spettri discreti, che
sono solo un indizio e non una prova. Ad esempio, in elettronica digitale
abbiamo variabili con spettro discreto che non hanno niente a che fare
con il comportamento quantistico. Inoltre, la possibilità che gli elettroni
nei solidi abbiano uno spettro energetico discreto è irrilevante per tutti i
fenomeni di trasporto che hanno luogo nei dispositivi microelettronici.

6.1.2 Rigidità dei sistemi quantistìci

L°esistenza di spettri discreti è riconducibile ad un importante tassello

del puzzle, la rigidità dello stato di un sistema quantistico. Intuitivarnente
in un sistema che riusciamo a deformare in maniera continua ci aspettiamo
che il risultato della misura delle grandezze fisiche (dimensioni, energia)

3 ' ' '

Utilizziamo 1' nomi' Ia' E
“impulso” i a
e *momento -
angolare” invece ' ~
che “quantita di- moto” e
"momento della quantità di moto” perché conformi al1'uso della letteratura specializzata.

445'
 .- "¬..,

____________________:____________,
moto di precessione -rñ
_ f

È
corrente _
diamagnetica

"orbita" e elettrone
Y-¬`__________

Fig. 6.2 - Un modello classico per gli elettroni negli atomi li assimila ciascuno
ad una spira rigida percorsa da corrente. La spira è formalmente descritta dal
momento magnetico TTL. In presenza di un campo di induzione magnetica É,
per effetto della forza di Lorentz, la spira ruota attorno ad un asse parallelo
al campo, un moto detto precessione di Larmor, che determina una corrente
ulteriore con effetti diamagnetici.

possa anchiesso variare in maniera continua. Quindi la presenza di spettri

discreti è sintomo di una sorta di rigidità dei sistemi quantistíci.
Questa proprietà può manifestarsi in forme spettacolari, come per il
fenomeno della superconduttività, ma altrettanto importanti sono i casi
in cui essa agisce in maniera meno appariscente. Un esempio sono le pro-
prietà, magnetiche della materia che, sebbene vengano studiate nel corso
di elettromagnetismo classico, sono un fenomeno giustificabile solo a par-
tire da una trattazione quantistica. Infatti la teoria classica microscopico
delfelettromagnetismo, se spinta al massimo dettaglio, prevederebbe la
totale assenza di magnetismo nella materiaá. Per interpretare i fenomeni
magnetici, che sono un dato di fatto sperimentale, la trattazione classica
ricorre ad una giudiziosa fenomenologia, introducendo ipotesi ad hoc, che
in effetti trovano giustificazione solo in una trattazione quantistica.
L°analisi del diamagnetismo di Larmor fornisce un esempio illuminan-
te. Il moto degli elettroni in atomi e molecole è assimilato a correnti che
scorrono in spire microscopiche rigide, ciascuna caratterizzata da un mo-
mento magnetico frfì = 115' ft, dove il è la corrente equivalente all“elettrone
che si muove nella spira di superficie S e ft è la normale al piano della

4Questo risultato è noto come il teorema di Bohr-von Leeuwen.

444
spira. In assenza di campo n1agnetico esterno, Porientazione dei momen-
ti magnetici elementari di ogni elettrone è tale da dare risultante nulla,
e il campo di induzione magnetica generato dal complesso delle correnti
atomiche e anch°esso nullo. In presenza di un campo magnetico esterno
É sulla spira agisce la forza di Lorentz, che ha come effetto quello di far
precedereã la spira attorno alla direzione È del campo. Il moto di preces-
sione determina una corrente, che a sua volta induce una variazione ÖÉ.
Essa si oppone a É, quale che sia l°orientazio1'1e di iii, quindi le correnti
atomiche sono responsabili di una risposta diamagnetica all”applicazione
di É, il risultato corretto. Uapprossimazione di assimilare il moto elettro-
nico ad una corrente che scorre in una spira, equivalente a caratterizzare
la corrente solo tramite fii, è più che accettabile. Liipotesi ad hoc è che
la spira equivalente sia rigida, ossia che l°orbita non vari la sua forma per
effetto del campo magnetico. Questa sembra una innocente ipotesi sempli-
ficatrice, ma se si calcolasse Feffetto della variazione delle dimensioni della
spira, esso cancellerebbe il diamagnetismo di Larmor. La rigidità della
spira equivalente, classicamente ingiustificabile, è corretta alla luce delle
proprietà quantistiche. È sorprendente come con la teoria quantistica, che
costringe a rinunciare a concetti intuitivi come liorbita e la velocità dellie-
lettrone, si pervenga con molta fatica ad una semplificazione di un calcolo
classico, che determina qualitativamente il risultato. In realtà liorbita del-
l°elettrone è un“entità non misurabile. Più correttamente la sua rigidità si
esprime dicendo che il momento di dipolo rñ, che classicamente dipende
dalla forma della spira equivalente, ha uno spettro discreto, quindi il suo
valore rimane invariato sotto Fazione di un debole campo magnetico.

6.1.3 Proprietà ondulatorie

Osserviamo che la rigidità di un sistema quantistico, benché introdotta

in relazione agli spettri discreti, e una proprietà più fondamentale. Puo
cioe essere presente anche se gli spettri delle grandezze non sono discreti,
in quanto conseguenza della natura ondulatorie della materia, il tassello
centrale del puzzle. Le proprietà ondulatorie della materia furono postulate
da De Broglie, che propose di descrivere una particella libera con unionda,

5Il moto di precessione della spira è visualizzabile immaginando che 'ríi ruoti intorno
alla direzione di B, mantenendosi ortogonale alla spira.

445
 E E
(a) 0,, ,_,
0 L X 0 X
Fig. 6.3 - (a) La buca di potenziale è un modello semplice per i metalli che
descrive il fatto che è energeticamente favorevole per gli elettroni trovarsi
nella regione occupata dal solido; per estrarre gli elettroni bisogna fornire
l'energia W; ad esempio applicando un campo elettrico esterno e riscaldando
il campione (Effetto termoionico) o illuminandolo (Effetto fotoelettrico) gli
elettroni possono superare la barriera di potenziale. (b) Nella doppia buca di
potenziale e invece possibile che |'elettrone superi la barriera centrale senza
bisogno di energia, per una proprietà quantistica detta Effetto Tunnel.

la cui lunghezza d“onda À è legata al modulo delliimpulso p dalla relazioneñ

À = h/p. La costante h = 6.626 >< 10“34 .ls è detta costante di Planck.
L°interpretazione e le implicazioni della natura ondulatoria della ma-
teria sono il cuore della Meccanica Quantistica, ma al momento conviene
accettare questo tassello senza chiarimenti. Notiamo però che questa pro-
prietà, se in alcuni casi preclude alla materia comportamenti che la Mecca-
nica Classica consentirebbe (e alla fine semplifica notevolmente i problemi).
in altri casi consente comportamenti classicamente proibiti.
In molti casi è possibile esprimere con semplicità i risultati, anche se la
loro spegazione è molto complessa, come negli esempi che andiamo breve-
mente ad illustrare. Il primo esempio è il legame covalente, noto per la sua
particolare stabilità, ossia per le alte energie di legame, la cui entità non
può essere giustificata su base classica. Essa risulta da effetti tipicamente
ondulatori, quindi liesistenza stessa dei solidi covalenti è profondamente
legata alla natura ondulatoria della materia. Malgrado cio i solidi sono
parte della nostra esperienza ordinaria e possiamo facilmente accettare il
fatto che gli atomi formano un reticolo cristallino senza chiederci cosa li
tenga insieme.
Il secondo esempio è l“effetto tunnel. noto che per estrarre elettroni
da un solido e necessario fornire un”energia, detta potenziale di estrazione
o funzione lavoro, che per i metalli è dell'ordine di qualche eV. In sostanza

BÈ detta relazione di De Broglie, che per questo lavoro ricevette il premio Nobel nd
1929.

445
Penergia totale dell°elettrone nel solido è minore dellienergia potenziale che
lielettrone avrebbe nel vuoto. Secondo la Meccanica Classica è allora im-
possibile trovare l”elettrone fuori dal metallo. Invece secondo la Meccanica
Quantistica ciò può avvenire con una piccola probabilità. Di conseguenza
avvicinando un secondo metallo al primo è possibile un debole passaggio
di elettroni, anche se i metalli non sono a diretto contatto. Questo è l”ef-
fetto tunnel, che nei dispositivi a semiconduttore consente il passaggio di
portatori di carica tra elettrodi separati da sottili barriere isolanti.
Ifieffetto tunnel è inspiegabile dalla Meccanica Classica, in quanto essa
presuppone che lielettrone attraversi la regione tra i due metalli, dove l”e-
nergia potenziale e maggiore dell“energia totale. Spegare Peffetto tunnel
è complicato, ma è possibile formulare i risultati in termini semplici: la
probabilità finita di passare la barriera è espressa dal coefficiente di tra-
smissione T, la probabilità di non passarla è espressa dal coefficiente di
riflessione R = 1 - T. Si noti però che il linguaggio che consente di descri-
vere semplicemente il fenomeno è ora quello della propagazione delle onde
elettromagnetiche alla superficie di separazione tra due dielettrici diversi,
segno della natura ondulatoria della materia.

6.1.4 Proprietà statistiche

L°ultimo tassello che discutiamo è il principio di Pauli, che determina

le proprietà statistiche degli elettroni. Esso afferma che due elettroni non
possono trovarsi nello stesso stato quantistico. Sorvoliamo sull`esatto signi-
ficato di questa affermazione, sottolineando pero che nulla impedisce che
un numero arbitrario di elettroni classici in un solido abbiano, ad esempio,
lo stesso impulso pf Il principio di Pauli proibisce che ciò avvenga, per gli
elettroni descritti dalla Meccanica Quantistica. Questa limitazione sembra
cadere dal cielo, e si potrebbe suggerire di accettarla come un dato di fat-
to. utile sapere che, a dispetto del nome, il principio di Pauli puo essere
ricavato a partire da un postulato più naturale, che afferma che particelle
elementari dello stesso tipo sono indistinguibili tra lorof.
Il principio di Pauli è essenziale per comprendere la struttura atomica,
proprietà come la valenza e la classificazione secondo la tavola periodica

Tln sostanza se si prepara in qualche maniera Pelettrone ci e lielettrone b e dopo

qualche tempo li si rivela, non ciè modo di distinguere se e stato rivelato lielettrone rt o
Felettrone b. Questa impossibilità non è dovuta a limiti dello strumento di rivelazione,
ma è un limite di principio, con clamorose conseguenze sulla fisica.

447
degli elementi. Il principio di Pauli è la proprietà quantistica che più
influenza la fisica dei solidi, determinandone proprietà come quella di essere
un isolante o un conduttore, oltre a tutta la termodinamica. La statistica
di Fermi esprime gli effetti del principio di Pauli nei solidi.

6.1.5 Comportamento quantistico: istruzioni per liuso

Se in un certo fenomeno si manifestano alcuni dei comportamenti cli-

scussi in precedenza, allora si ha un forte indizio, se non una prova, che il
fenomeno ha natura quantistica. In questo caso un buon suggerimento è
quello di non cercare a forza di immaginario in termini classici, in quanto
può non essere possibile. Se la spira equivalente delle correnti atomiche è
rigida, è inutile cercare chi l“ha inamidata: semplicemente perché non c`è.
spiegazione classica del fenomeno.
La Meccanica Quantistica si presenta come una teoria più generale della
Fisica Classica, nel senso che ci si aspetta che il comportamento degli og-
getti macroscopici, ben descritto dalla Fisica Classica, possa essere ricavato
in qualche limite dalla Teoria Quantisticas. La questione è in realtà molto
complicata, e coinvolge aspetti di principio legati al problema della misura
quantz'stz'ca. Dialtronde la questione di comprendere sotto quali condizioni
e in che modo si manifestano i comportamenti quantistici ha importantis-
simi aspetti pratici. Non sarebbe piacevole dover risolvere Pequazione di
Schrödinger per ogni atomo nel descrivere un pallone che finisce in rete!
È già impossibile per un componente elettronico di dimensioni microme-
triche. Per fortuna in oggetti rnacroscopici, ossia sufficientemente grandig,
gli effetti quantistici sono nascosti e trascurabili. In un semiconduttore
bulk gli elettroni di conduzione, a dispetto della loro natura ondulatoria,
si comportano spesso da particelle classichem.
Se cerchiamo di confinorre gli elettroni in una zona di spazio ristretta
le proprietà ondulatorie della materia diventano più evidenti. Gli elettroni

3Questo è quel che accade ad esempio per la Teoria della Relatività ristretta, che si
riduce alla Meccanica Classica se consideriamo oggetti che si muovono a velocità t' << c.
la velocità della luce nel vuoto (c H 3 >< 108 m/s).
9Definire con precisione il regime macroscopico `.`e difficile, benché in genere si riesca
agevolmente a decidere se un dato oggetto è macroscopico o microscopico. Per quannu
ci riguarda diciamo che oggetti di dimensioni lineari (I> 100 nm) sono generalmente
macroscopici.
IDA meno di sottili differenze, come il fatto che la loro massa sembra essere divera
da quella degli elettroni liberi, cosa che non disturba più di tanto.

445'
 gate ( )
gate (C) W \/ìf d

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m? Ei

Fig. 6.4 - (a) Elettroni confinati alla superficie di un p-mos in inversione forma-
no un gas elettronico bidimensionale (QDEG). (b) l\/lacromolecole di Carbonio,
dette nanotubi sono conduttori unidìmensionali, le cui proprietà di trasporto
sono state misurate depositandoli su elettrodi fabbricati con nanolitrografia
elettronica. (c-d) l Dot quantistici sono sistemi zero-dimensionali, che vengo-
no fabbricati in configurazione split-gate (c) 0 laterali oppure risultano da
processi di crescita di materiali.

degli atomi sono fortemente confinati (su scale di lunghezza ~ ed e

per questo che essi mostrano comportamento quantistico. Confmare gli
elettroni è abbastanza semplice anche su scale di lunghezza maggiore. Ad
esempio operando con un potenziale di gate, gli elettroni vengono confinati
alla superficie di un p-MOS in regime di inversione- oggi possibile la
sintesi e la fabbricazione di dot quantistici', strutture a semiconduttore
dove gli elettroni sono confinati in regioni di dimensioni lineari inferiori ai
--› 50 nm. Al diminuire delle dimensioni queste strutture mostrano aspetti
analoghi più agli atomi che ai semiconduttori bulk.
La possibilità di analizzare un fenomeno in termini classici facilita enor-
memente la trattazione di problemi a molti elettroni. Visto che tutti i
problemi pratici in Fisica dei Solidi coinvolgono ~ 1023 elettroni, e con-
fortante sapere che il gioco riesce spesso, e questa è la situazione tipica in
ft-Iicroelettronica. In genere l°analisi richiede che si accettino alcuni piccoli
misteri, come la rigidità delle spire atomiche per il magnetismo o la massa
efficace degli elettroni in un semiconduttore.

6.2 Esperimento di Young

In questo paragrafo si chiarirà un po” meglio cosa si intende per notare

ondulatorie della materia, e su che base essa venga postulata. La pura
natura ondulatoria di un fenomeno ha un quid di sfuggente. Se non stupi-
sce che le onde marine o le onde acustiche abbiano proprietà ondulatorie,

449
 giungere alla stessa conclusione per la luce ha richiesto un epico dibatti-
to scientificoll, alimentato anche dal fatto, allora controverso, che la luce
non ha bisogno di un mezzo materiale per propagarsim. Per il discorso che
svilupperemo è importante tener presente che la proprietà di dar luogo a
fenomeni di interferenze è nel caso della luce una condizione sufficiente a
provarne la natura ondulatoria.

6.2.1 Interferenza di due sorgenti coerenti

L°esempio paradigmatico di fenomeno di interferenza e quello d

nato da due sorgenti coerenti di onde. Esso è detto esperimento di Yo
(1807), e lo illustriamo per onde elettromagnetiche.
Una sorgente puntiforme emette onde elettromagnetiche sferiche,
vengono rilevate in un punto dello spazio F (usiamo un riferimento
alla sorgente) misurando la densità di energia (si veda la Fig. 6.5). La
elettrica dell“`onda ha modulo E(r', t) = EU(r) cos(k:r ~ uit + rpg). L
ha frequenza L» legata alla pulsazione, to = 2m/, e lunghezza dionda
legata al numero d°onda, lc : 2rr/À. La relazione fra numero d”onda
pulsazione è detta relazione di dispersione, e nel vuoto è to _ ck. La
(,00 è una costante arbitraria fissata dalla sorgente. La direzione e il
di E(r, t) variano nello spazio e nel tempo, mantenendosi pero tangenti
fronti dionda, che sono sfere centrate sulla sorgente. La densità di e
dell°onda elettromagnetica in un punto generico è data da I = eg Eã
e non dipende da rpg. Per pervenire a questo risultato, ricordiamo che
densità di energia del campo magnetico è pari a quella del campo el
quindi possiamo calcolare solo quest°ultima. Istante per istante essa è
da (eg /2) |É(r, t)|2, ma ci interessa la sua media su un periodo T = 211/

11 Sin dalliinizio del XVIII secolo si fronteggiarono la teoria ondulatoria di Huygens e

. . . t
teoria corpuscolare di Newton. Nel 1807 Thomas Young scoprì i fenomeni di in
e propose una teoria ondulatoria della luce. Il dibattito fu risolto da un esl:
di Foucault nel 1850, con risultati in contraddizione con la teoria di Newton.
dopo la teoria di Maxwell e la scoperta delle onde elettromagnetiche da parte di
consentirono di comprendere pienamente la luce come un fenomeno elettromagnetico.
“Questa proprietà, suggerita dagli esperimenti di Michelson e Morley (1887)
i quali Michelson fu insignito del premio Nobel nel 1907, e postulata nella teoria
Relatività ristretta di Einstein (1905), è stata definitivamente suffragata dall”esp
condotto da Alvager e collaboratori, nel 1964.
 ( a) schermo fotosensibile (b) \x
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if
-"'
'
r'
1'
.r
-"

' intensita` luminosa -- ' /' /'

immagine sullo schermo '

Fig. 6.5 - (a) Una sorgente puntiforme emette un'onda sferica, che impressione
uno schermo fotosensibile; (b) Due sorgenti puntiformi coerenti danno luogo
sullo schermo fotosensibile ad una figura di interferenza.

che vale (eg/4) /2. Convine usare la notazione complessa per i campi:
Fonda sferica è rappresentato come13

E(r°, t) : E0 eí(kT_°"f+f0) (6.1)

dove e inteso che la parte reale dà il modulo del vettore campo elettrico. La
densità. di energia e data allora dal modulo quadro del campo complesso

1 1 _
I = šeg|E('r,t)|2 : 560 Eå (6.2)

e si misura con uno schermo fotosensibile posto a distanza l dalle sorgenti.

Ogni zona dello schermo è impressionata proporzionalmente a I, che puo
dipendere debolmente da r. Ad esempio se E0 = A/ fr, avremo che I oc 1 /rif
e liimmagine sullo schermo sarà. un cerchio molto sfumato di raggio ~ l.
Si considerino ora due sorgenti puntiformi poste nei punti F1 e F2, a
distanza d : l'F'1 - Fgl. Per il principio di sovrapposizione il campo totale
da essi determinato, É(F', t) = É1(†F`, t) + È2(F', t) e dato dalla somma dei
campi relativi a ciascuna sorgente.
Si supponga per semplicitàm che questi ultimi siano paralleli, per cui il
modulo (F, t) e dato dalla somma dei moduli dei vettori di campo relativi
l3Qui sottintendiamo parti inessenziali della dipendenza da 1".
“Queste semplificazioni sono accettabili se le sorgenti sono vicine, se sono uguali e se
misuriamo in un punto lontano al << r1,'rg_

451
 a ciascuna onda sferica. Si approssimi infine E01 m E02, trascurando la.
loro eventuale dipendenza da F. Usando la notazione complessa scriviamo
alloralã

Emt) : Em eie, [ei(.e|a-i=°1|_ot) + ei(r<|-F-al-o›:+e)] (63)

dove go :-. gag _ (,01 dà lo sfasamento delle sorgenti. La densità di energia è

data da

1 1
I = -ãeg|E(r°,t)|2 = še0Eå ll + e '13'
, 2 = I1cUEã(2 + 2cos <I>) (6.-1)

dove I1 = Ig è Pintensità della singola sorgente e abbiamo definito lo sfa-

samento totale con (I) : k(|fF- Fgl - |F-› 'F1 + go. L”equazione (6_4) esprime
il fenomeno dell°interferenza: a causa della presenza dello sfasamento <1',
Pinteusità I dell°onda composta non è data semplicemente dalla somma
2I1 delle intensità delle onde emesse da ciascuna sorgente, ma è modula-
ta dal terrnzine di interferenze in cos <1). Di conseguenza Pimmagine sullo
schermo non sarà data dalla “somma” delle immagini di ciascuna sorgente,
due cerchi molto sfumati parzialmente sovrapposti, ma da tipiche figure
regolari, ad esempio una serie di anelli concentrici Infatti per ogni punto
dello schermo I dipende fortemente dal termine di interferenza, a causa
della dipendenza spaziale dello sfasamento totale ¢I> = Nel luogo dei
punti tali che ¢> = 0, che è una certa famiglia di circonferenze concentriche,
avremo che I = 4I1 è massimo, e lo schermo risulta fortemente impressio-
nato. Invece nel luogo dei punti tali che *ll* = ir risulta I = 0 e lo schermo
non è impressionato.

6.2.2 Coerenza

La coerenza. è una proprietà caratteristica dei fenomeni ondulatori, in-

timamente legata all'interferenza. Se le due sorgenti nelliesperimento di
Young non fossero coerenti tra loro, non si osserverebbero sullo schermo
figure di interferenza. La coerenza delle sorgenti dipende dalla natura del
loro sfasamento cp.

15È facile rendersi conto che, ancora una volta, basta prendere la parte reale di questa
espressione per trovare il modulo del campo elettrico totale. Infatti Poperazione di
prendere la parte reale e lineare, quindi §R(E1 + E2) = Élì(E1) +

452
 Si osservi anzitutto che se ripetiamo liesperimento cambiando il valore
dello sfasamento cp tra le due sorgenti, liunico effetto è quello di traslare la
figura di interferenza che si forma sullo schermolô. Il persistere delle frange
di interferenza porta a concludere che fin quando Lp si mantiene costante
nel tempo, il segnale delle due sorgenti è coerente.
Non e immediato ottenere questa condizione, che per come è stata de-
scritta richiederebbe liuso di due LASER e non .sorgenti incoerenti, come
tutte le ordinarie sorgenti di luce, a partire dal Sole, fino a.i filamenti caldi
delle lampa.dine. L°emissione di una sorgente incoerente è descritta da

E(T1t) _; EO eilkr-i.ot+99D(t)] (65)

dove cp0(t) è una funzione aleatoria. Infatti in sorgenti incoerenti la luce

proviene dalliemissione di molti atomi distinti al suo interno. Sebbene
gli atomi siano identici, quindi emettano luce della stessa frequenza, le
singole emissioni avvengono in maniera incorrelata_ Ciascun atomo emette
in successione treni di onde descritti da espressioni simili alla (6.1). La
fase totale relativa ad ogni emissione sarà kr - w(t - 150,) + 0:10,-,_ Qui t0_,;
e liistante di emissione e 1,90., la fase iniziale, entrambe quantità aleatorie,
che possiamo raggruppare insieme ridefmendo tutor + 90% -> cp,-,.
Cosa avviene alfinterferenza tra due sorgenti quando almeno una di
esse non è coerente? chiaro che ap diventa una funzione aleatoria del
tempo, costante per brevi intervalli di tempo, durante i quali si produ-
ce una certa figura di interferenza. Ma le diverse figure di interferenza
prodotte al variare di cp danno complessivamente luogo ad una immagine
sfuocata: invece degli anelli osserveremo due cerchi molto sfumati parzial-
mente sovrapposti, la “somma” delle immagini di ciascuna sorgente. Una
maniera più quantitativa per ottenere questo risultato e osservare che se
to fiuttua, la densità di energia è data da una media della equazione (6.11)
sui possibili sfasamenti cp. L°operazione di media sopprime il termine di
interferenza

21? d
<@0S<r›>,, : -å@0S[1¬«_›(|«r-al »- |›f'-a|)+e] =o (as)

l6Questo fenomeno è usato in interferornetria proprio per misurare proprietà fisiche

legate agli sfasamenti, come le variazioni di cammino ottico in presenza di materiali
dielettrici.

453
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Fig. 6.6 - (a) ln una sorgente incoerente i singoli processi di emissione sono
sequenziali e non correlati. La fase dell'onda 501 (t) è una funzione aleatoria.,
che varia in maniera impredicibile ad ogni evento di emissione elementare. (b)
ln una sorgente di luce coerente come il LASER il singolo evento di emissione
è stimolato dal precedente: un atomo colpito dalla radiazione proveniente da
un altro atomo, la assorbe e la riemette amplificata e in fase. La fase gp1(t)
dell'onda emessa dal LASER è costante nel tempo.

Per liosservazione di frange di interferenza è dunque essenziale che lo

sfasamento cp delle sorgenti sia fissato”. In una sorgente coerente, come
i LASER, le singole emissioni sono correlate in fase, in quanto la sin-
gola emissione da parte di ciascun atomo e stimolata da una emissione
precedente, e in fase con essa.
L°osservazione di interferenza è considerata una prova indiscutibilela
della natura ondulatoria di un fenomeno. Essa implica la presenza di
correlazioni tra le sorgenti. Al contrario il caso incoerente può essere ca-
ratterizzato dal fatto che la figura che si ottiene con le due sorgenti accese
contemporaneamente è la stessa che si otterrebbe accendendo una sorgente.
spegnendola e, in seguito, accendendo l”altra_ Ora, se la luce fosse com-
posta da microparticellelg sarebbe naturale ammettere che ogni sorgente
emetta particelle con una certa distribuzione angolare, che non è influen-
zata dalla presenza dell°altra sorgente. In altre parole sarebbe indifferente
bombargdare lo schermo con le due sorgenti contemporaneamente o alter-
nandole, quindi se se la luce fosse composta da microparticelle classiche
non si avrebbe interferenza.
Per osservare llinterferenza non è necessario avere due LASER in rela-
zione di fase. Una maniera meno sofisticata per avere due sorgenti coerenti

Più in generale le sorgenti sono coerenti se f,o(t) `e una funzione ordinaria, incoerenti
se <,o(t) è una funzione aleatoria. In effetti se f,o(t) è una funzione ordinaria nota, sebbene
l'immagine sullo schermo sia sfuocata, potremmo costruire un apparato di misura più
sofisticato e rifocalizzare il segnale. Cio non è possibile se cp(t) è una funzione aleatoria.
mln realtà e un indizio talmente forte da essere in genere accettato come una prova
dalla comunità scientifica.
19Nel senso della teoria di Newton.

454
 schermo schermo
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fa) ” (b) ti ff i
Fig. 6.7 - (a) Una sorgente incoerente può dar luogo a fenomeni di interferenza
nelfesperimento delle due fenditure, i segnali emessi da ciascuna fenditura
sono, istante per istante, in fase. (b) Questa relazione di fase, ed insieme la
figura di interferenza, è distrutta se si cerca di operare una misura presso una
fenditura.

consiste nell”utilizzare una singolo. sorgente, con tempo di coerenza. piccolo

ma non nullo e far passare il segnale attraverso due fenditure di uno scher-
mo. Le due fenditure si comportano come due “sorgenti” con lo stesso fase
ap0(t), in quanto il segnale da loro emesso proviene da una singola sorgente
fisica. Quindi lo sfa.samento delle “sorgenti” to : 4,00 (t) - c,o0(t) = 0 e nullo
istante per istante, anche se la fase della sorgente fisica r,o0(t) e aleatoria.
La figura di interferenza è raccolta su un secondo schermo fotosensibile.
Questo è lo schema dell`esperimento di Young, che consente di affermare
che la luce interferisce con se stessa

6.2.3 Proprietà ondulatorie della materia

Ci domandiamo cosa succede se, invece che con luce, bombardiamo le

due fenditure con un fa.scio di particelle, come gli elettroni. Per micro-
particelle “classiche” ci aspettiamo di raccogliere sullo schermo la “somma”
delle intensità, e invece si osserva una figura di interferenza. Cio implica la
na.tura ondulatoria del moto degli elettroni e di conseguenza la dinamica
non e retta da equazioni “di particella”20 come quelle di Newton, ma da
equazioni d“onda, in qualche misura analoghe alle equazioni di Maxwell,
che descrivono Fevoluzione temporale di un campo.
2UCioe che permettono di trovare lievoluzione temporale del raggio vettore :F'(t)_

455
 Questa conclusione non e semplice da digerire, e in effetti, la ancora
non unanime accettazione delle stupefacenti implicazioni della natura on-
dulatoria della materia ha richiesto decenni di studi teorici, esperimenti da
quello di Davisson e Germer (1927) ai recentissimi di Zeilinger (2002), ed
ha acceso un furibondo annoso dibattito epistemologico_ chiaro che l'evi-
denza sperimentale è un dato di fatto e che non viene spiegata dalla Mecca-
nica Classica. Peraltro la nuova teoria proposta, la Meccanica Quantistica,
“funziona”, ossia permette di formulare predizioni, talvolta controintuitiua
e spettacolari, e finora manifestatesi assolutamente attendibili. L°oggetto
del dibattito riguarda l'interpretazione dei risultati della Meccanica Quan-
tistica, che costringe ad abbandonare idee radicate nell”esperienza come
7

Pevoluzione deterministica, e richiede una profonda revisione del concetto

di rc-:altri oggettiva.

6.2.4 Dualismo onda particella

Un passo decisivo verso la formulazione matematica della corrispon-

denza tra proprietà corpuscolari (impulso, energia) e proprietà ondulatorie
(lunghezza d“onda, frequenza) di particelle materiali, come gli elettroni, si
deve a Louis De Broglie_ Egli propose che una particella libera, ossia una
particella che in un contesto classico si muove di moto rettilineo unifor-
me, con impulso 15' = me' ed energia E = šmfuf = andasse descritta
mediante unionda piana z,b(r', t) = AeiU“'”_"*“), dove la lunghezza d°onda
À (ovvero il modulo del vettore d°onda li : 2T”Ã:, dove it è la direzione di
propagazione) e la frequenza I/ (ovvero la pulsazione w : 2rrr/), sono legate
a impulso ed energia dalle relazioni

a-È . a=h» ma
La prima è detta relazione di De Broglie (1921), la seconda è detta relazio-
ne di Planck-Einstein, e fu proposta circa ventianni prima nel contesto di
studi sulla radiazione di corpo nero e sull°effetto fotoelettrico. Negli anni
che vanno dal 1924 al 1927, grazie al lavoro di Werner Heisenberg, Erwin
Schrödinger e Paul Dirac, la corrispondenza fu generalizzata a moti arbi-
trari, e si ebbe la formulazione della Meccanica Quantistica, che fornisce
gli strumenti di calcolo per investigare la natura odulatoria della materia.
La Meccanica Quantistica è un potente strumento empirico, che può es.-
sere applicato con efficacia, e senza porsi troppe domande, ad una serie di

456
 fenomeni. Questo non è il punto di vista preferito dai fisici, che invece an-
nettono particolare importanza alle teorie che permettono di visualizzare
e comprendere in maniera unificata fenomeni fisici di natura apparente-
mente diversa21_ La Meccanica Quantistica unifica fenomeni corpuscolari
e fenomeni ondulatori, circostanza a cui ci si riferisce quando si parla di
duolisnio onda-particelle.
i Non entreremo nei dettagli del dualismo onda-particella, ma e opportu-
no considerare una situazione concreta, ad esempio liesperimento di Young-
Se illuminiamo o se bombardiamo con elettroni le due fenditure, sullo scher-
mo retrostante si registrerà una figura di interferenza, prova della natura
ondulatoria. Ma gli elettroni sono particelle, e possiamo domandarci cosa
fa un singolo elettrone. Prepariamo un elettrone, ad esempio emesso da un
filamento caldo, con impulso ed energia dati (ad esempio facendolo passare
tra due arma.ture a diversa differenza di potenziale). Esso non darà luogo
ad un un alone diffuso o ad una figura di interferenza, ma andrà ad in-
pressionare un certo punto dello schermo (e possiamo rilevarne la traccia),
comportamento decisamente corpuscolare. Un secondo elettrone, prepa-
rato in maniera identica, sarà rilevato su un°altro punto dello schermo.
E impossibile prevedere dove esso sarà rilevato. Ogni singolo elettrone si
comporta in maniera imprevedibile, anche se la sua preparazione e control-
lata con precisione molto più grande di quella di cui è capace un grande
campione di tennis con racchetta e pallina. Diciamo che Pelettrone e una
particelle quantistico, per sottolineare la possibilità di un comportamento
bizzarro. Se pero continuiamo a mandare elettroni, e ne mandiamo molti,
l“insieme delle tracce da essi lasciate riprodurrà la figura di interferenza che
la Meccanica Quantistica consente di prevedere con assoluta precisione! A
completamento del quadro non stupisce liaffermazione che anche la luce si
comporta a.llo stesso modo. Se infatti proviamo ad eseguire liesperimen-
to di Young con intensità luminose sempre più basse, scopriremo che le
tracce lasciate dalla luce sullo schermo sono punti. Quindi anche la luce e
formata da particelle, dette fotoni, anch°esse sono particelle quantistiche,
che riservano parecchie sorprese.
La conclusione cui siamo pervenuti è che le particelle materiali e la lu-
ce, hanno entrambe comportamenti ondulatori e corpuscolari, a seconda

“1Ad esempio, il grande contributo di Maxwell fu quello di unificare i fenomeni elettrici

e il magnetismo, scoprendo sostanzialmente che essi sono due facce della stessa medaglia.
Infatti il carattere elettrico o magnetico di un fenomeno dipende solo dal riferimento dal
quale lo si osserva.

457
delle circostanzeff. Per chiarire questo punto torniamo alliesperimento
Young con particelle, che dia luogo alla fine ad una figura di interferenza,
e chiediamoci da quale fenditura ogni particella (o fotone) passi. Allo sco=
po possiamo porre un sensore vicino ad una delle due fenditure e ril
Peventuale passaggio della particella. Tuttavia operando in questo modo,
otteniamo sullo schermo la ligure tipica dei processi incoerenti.
visualizzare il motivo nel caso della luce: la rivelazione del passaggio
una fenditura introduce per la luce “riemessa” uno sfasamento cp, alea
che distrugge in media la coerenza di fase con la luce riemessa dall“al
fenditura. Quindi se cerchiamo di misurare una proprietà tipica delle
ticelle, quella di passare doliiono o dollhltro fendittua, forziamo il sis
ad un comportamento corpuscolare e distruggiamo gli aspetti ond
come la figura di interferenza.
La Meccanica Quantistica, grazie soprattutto alla geniale intuizione
De Broglie, stabilisce quindi la corrispondenza tra il “linguaggio” corp
lare e il “linguaggio” ondulatorio per descrivere lo stesso fenomeno (
di elettroni, di fotoni, ecc_). Il passaggio da un linguaggio allialtro è
sorta di trasformazione di dualità ed il punto cruciale delliassunzione
De Broglie è che esiste una simmetria, ossia che la stessa trasformazi
che fa passare dal linguaggio ondulatorio a quello corpuscolare per la luce
faccia anche passare dal linguaggio ondulatorio a quello corpuscolare per
le particelle. In questo senso gli aspetti corpuscolare e ondulatorie sono
unificati dalla teoria.

6.3 Stato di un sistema fisico

L”ipotesi di De Broglie, che fa corrispondere ad una particella libera

un'onda piana, può essere generalizzata dicendo che ogni particella mate-
riale può essere rappresentata dalla funzione dionda 1/›('F', t). Per precisarne
il significato fisico, bisogna specificare le regole che dalla conoscenza di
v,b(F,t) portano a risposte su domande concrete. In questo paragrafo ci
limitiamo a descrivere uno di questi elementi, il concetto di stato. Lo stato
e un oggetto matematico e viene specificato in maniera diversa, al variare
del tipo di trattazione dei fenomeni. Lo stesso oggetto fisico puo essere as-
sociato a stati di tipo diverso in diverse discipline, e al contrario lo stesso
stato puo descrivere sistemi fisici diversi.

“'“Per la precisione, a seconda del tipo di misura che si intende eseguire.

 Un esempio molto familiare di “stato” è quello del registro di un com-
puter. Per un registro a otto bit lo stato specificato da una sequenza di
mi

ot.to cifre binarie23. Notiamo che il registro è implementato in un disposi-

tivo che contiene ~ 1012 elettroni, quindi il linea di principio lo stato del
dispositivo, ossia l”informazione necessaria a rispondere ad ogni domanda
che sul dispositivo possiamo porci, dovrebbe essere descritto da una mi-
riade di variabili. In realtà sappiamo bene che cio non e necessario se ci
limitiamo a chiedere solo Pinformazione su come opera il dispositivo per
certe funzioni specifiche, ad esempio quelle di memoria.
Un altro esempio di “stato” e fornito dalla Meccanica Classica. Lo stato
di una particella materiale è dalla dalla funzione posizione F(t), che dà
informazione diretta sulla posizione della particella ad un dato istante. La
funzione fF'(t) fornisce una descrizione completo della particella. Infatti la
sua conoscenza. consente di rispondere a tutte le domande concrete che
possono essere poste in merito ossia di ottenere informazioni su tutte le
altre grandezze fisiche2“, come velocità, energia, ecc.
Un esempio più elaborato e quello di una corda vibrante di lunghezza
data L, come la corda di una chitarra. Ovviamente essa è composta da
atomi e molecole, quindi dovrebbe essere descritta specificando una miria-
de di variabili. Ma per descrivere il suo comportamento quando produce
una nota serve un°informazione ridotta. Un qualsiasi stato della corda e
descritto da una grandezza u(.r, t), che per semplicità prendiamo scalare,
facendole rappresentare la distanza tra un punto ai della corda in movi-
mento e la sua posizione di riposo. Ora, la corda puo sostenere solo onde
stazionarie, ossia onde la cui semi-lunghezza d°onda e un sottomultiplo di
L, /\.,«, / 2 = L / ri con ri = 1, 2, _ _ _, ciascuna caratterizzata da una frequenza
di oscillazione un = ru/1. Questo vuol dire che in generale

_ 2" «
a(;c, t) = Z An sm + 2m/nt) (6.8)
n TI,

e una sovrapposizione di onde stazionarie, dette modi di vibrazione, ciascu-

na di frequenzaff' un, che interviene con una ampiezza A0. Lo stato della
corda e codificato nelliinsieme di numeri reali (A1, A2, A3, _ _ _}, le ampiezze

“3L“insieme degli stati è in corrispondenza biunivoca. con una struttura matematica,

liinsieme dei numeri binari di otto cifre.
“Questa parte della Meccanica. Classica è detta Cinematica.
25 Ognuna delle frequenze 1/..._ corrisponde alla stessa nota, appartenente ad ottave via
via superiori; liinsieme delle ottave presenti determina il timbro del suono.

459
di ciascun modo componente. Notiamo per inciso che 1.1,., assume valori in
un insieme discreto, quindi possiamo dire che le possibili frequenze 1./ di
una data corda vibrante hanno uno spettro discreto.
Viste le analogie con la Meccanica Quantistica un esempio importan-
te di stato e quello utilizzato in Elettromagnetismo. Lo stato del campo
elettromagnetico è descritto da due funzioni (o meglio campi) vettoriali.
il campo elettrico È(F, t) e il campo di induzione magnetica É('F', t)26, la
cui conoscenza consente di calcolare ogni grandezza elettromagnetica. Se
confiniamo il campo ir1 una cavità saranno importanti le componenti sta-
zionarie. Si viene cosi a creare una situazione analoga a quella. della corda
della chitarra, dove i campi sono sovrapposizioni di modi con frequenze
appartenenti ad uno spettro discreto. Per motivi analoghi la propagazio-
ne dei modi in una guida dionda rettangolare ideale può essere ristretta
ad uno spettro discreto di lunghezze d”onda del campo trasversale. Ad
esempio per un modo TE.m_,-_ il campo di induzione magnetica ha la forma

BZ = A cos LI/“EE cos íršiy- e2”ì§ (6.9)

I if

dove Fonda si propaga in direzione â e la notazione TEW, indica un campo

elettrico trasversale. Gli indici rn. ed n. indicano il numero (intero) di
sernionde nel lato più lungo (Lx) e nel lato più corto (L0) della guida
d'onda_ Qui sottolineiamo che gli stati di unionda elettromagnetica che si
propagano in una guida, sono classificati da due numeri interi rn ed ri, cosa
che si verifica anche per gli elettroni in nanostrutture dette fili quantistici.
Veniamo ora alle onde materiali. Per esse si postula che r,l›(1F', t) rappre-
senti lo stato e contenga liinformazione completa sulle grandezze misura-
bili. L°informazione diretta contenuta in ib(*;F', t) si intuisce dallianalisi del-
Fesperimento di Young. Per la luce Pintensità della traccia sullo schermo
è proporzionale all”intensità dell“onda elettromagnetica, data dal quadrato
dei campi. Analogamente si postula che |r/)(fF', t)l2 sia legato alla intensità
della traccia su una regione dello schermo attorno al punto F', ossia alla
densità di probabilità che una particella, preparata in maniera ben defi-
nita al di qua dello schermo con fenditure, venga rivelata nel punto -F' del
secondo schermo. Come nel caso illustrato delle guide dionda, può acca-
dere che i modi della funzione dionda abbiano uno spettro discreto, ossia
che non tutte le forme di it(fF', t) siano soluzioni del problema.. Anche in

“5Una descrizione più efficiente è operata in termini dei un potenziale scalare e un

potenziale vettore, ossia di un campo vettoriale a quattro componenti.

460
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-v¬›-se 'W - -----------

Fig. 6.8 - (a) Luce naturale analizzata con un prisma, che mostra la presenza
di uno spettro continuo. (b) Luce emessa da un gas atomico analizzata con
un prisma, che mostra la presenza di uno spettro a righe.

questo caso gli stati possibili sono classificabili da insiemi di numeri, detti
numeri genetici. Un esempio ben noto di è l°insieme dei quattro numeri??
l, rn., cr) che descrivono lo stato di moto (ri, numero quantico principale,
I numero quantico secondario ed m numero quantico magnetico) e lo spin
(of T, l) degli elettroni negli atomi.

6.4 Spettri discreti, rigidità

Alla fine del XIX secolo era già nota la presenza di elettroni negli atomi.
A seguite dei risultati di una Serie di esperimenti (190941) Reiner-farne
propose il celebre modello a struttura planetaria. Liatomo viene descritto
come formato da un piccolo nucleo carico positivamente, attorno al quale
orbitano gli elettroni. Niels Bohrfg puntualizzò alcune inconsistenze del
modello di Rutherford e propose nel 1913 un modello col quale si riesce a
giustificare la presenza di spettri discreti. Il modello di Bohr è il “supporto
visivo” che si utilizza nello studio degli elementi chimici.

6.4.1 Spettro delliatomo di idrogeno

Riscaldando fino al bagliore campioni contenenti un solo elemento, ed

analizzando con un prisma la luce emessa, gli scienziati si accorsero della

”?Racchiudere la stringa tra non ha un significato particolare per quello che

ci interessa, ma è una notazione, detta notazione di Dirac, molto usata in Meccanica.
Quantistica, ed estremamente utile.
2“Premio Nobel per la Chimica nel 1908.
- 29Premio Nobel per la Fisica nel 1922.

461
presenza di un insieme discreto di colori, corrispondenti ad un pattern di
linee spettrali. Nello spettro delliatomo di idrogeno sono presenti linee
spettrali corrispondenti a 410 nm, 434 nm, 486 nm, 656 nm. Le conclusioni
cui Einstein giunse nel 1905 sull°effetto fotoelettrico, portavano ad ipotiz-
zare che la luce potesse scambiare energia con la materia solo in pacchetti
E = hi/_ I risultati degli esperimenti di spettroscopia suggeriscono la con-
clusione che gli elettroni orbitanti attorno ai nuclei possano scambiare con
la luce solo le energie AE, : ho/À,, dove è la serie delle lunghezze
d'onda delle righe spettrali, ti è la costante di Planck e c è la velocità della
luce nel vuoto. Balmer 1895)scoprì una formula empirica cui soddisfano
le lunghezze d”onda delle righe spettrali visibili

1 1 1

dove R = 1.097 >< 107 m`1 è detta costante di Rydberg. In seguito Lyman
scopri la presenza di righe spettrali nelfultravioletto, la serie di Lyman
(1914)

1 1 1
, Tl.:2,3,4,...

e furono scoperte anche le serie nell”infrarosso

1 1 1
§ TL=7TL-I-1,i'l'i,-l-2,...

dove per rn. = 3 si ha la serie di Paschen-Ritz (1908), per rn. = 4 quella di

Brackett e per rn. : 5 quella di Pfund.
Il fatto che apparentemente gli elettroni possano scambiare con la luce
energie discrete, implica che essi stessi, nel loro moto orbitale attorno al
nucleo, possono assumere energie discrete. Quindi in realtà solo alcune
orbite sono perrnesse (questa è l'ipotesi di Bohr). Tipicamente le orbite
permessa hanno dimensioni delliordine del reggio di Bohr, rB re 0.53 Le
energie delle orbite di Bohr hanno la forma di uno spettro discreto dato
da

ft R 1.6 V
E.,-_._= - C2-2 3 ge ) , n.=1,2,.._ (6.13)
ri ri

462
quindi la differenza di energia tra due orbite, ad esempio En - Em ripro-
duce le serie spettrali sopra illustrate. Lo spettro dell°atomo di idrogeno e
mostrato schematicamente in Fig. 6.1.a_
Un forte supporto psicologico verso la proposta di Bohr venne dal fatto
che dal calcolo del momento angolare E = 'F' /\ 17 degli elettroni su queste
particolari orbite, risulta che i possibili valori del modulo lobbediscono
alla formula

lL|¬. : %n
11 fa: 1_2,_._ (6.14)
Cio consente di ottenere uniespressione per la costante di Rydberg

.mei
R = -- 6. 15
8ceã h3 ( )

in termini di costanti fondamentali3°. Il fatto che l

sia un multiplo intero
di una costante fondamentale è un fatto talmente importante da giustificare
un nome nuovo, e si dice che il momento angolare è qaontizzo.to_ a
questo punto inutile sottolineare Fimportanza del modello di Bohr nella
formulazione della Meccanica Quantistica, pochi anni dopo.

6.4.2 Confinamento e spettri discreti

La Meccanica Quantistica pone queste osservazioni su base organica. Il

motivo matematico per cui perveniamo agli spettri discreti è il fatto che lo
stato è una funzione 1,i*(F, t) che soddisfa un°equazione dionda con condi-
zioni al contorno specificate31. Se un elettrone è confinato in una regione
di dimensioni lineari32 L, ad esempio in una certa regione metallica di un
dispositivo, la probabilità di trovarlo fuori dalla scatola si annulla, e dovre-
mo imporre condizioni al contorno 1D(0, t) : -1/›(L, t) : 0. Di conseguenza
3”Qui e ed rn sono carica e massa dellielettrone, ed E0 e la. costante dielet.trica del
vuoto. Oggi le misure della costante di Rydberg sono tra le più accurate misure di
costanti fondamentali, con un errore di circa una parte su 1012.
“lll mot.o di una corda vibrante, risolve un”equazione dlonda con condizioni al contorno
u(0,t) : u(L, t) = 0. Di conseguenza solo certe funzioni armoniche (modi) compaiono
nella soluzione generale, Eq. (6.8).
32Per semplicità il modello è unidimensionale, ma le formule per lo spettro e le espres-
sioni dellienergia di confinamento sono facilmente generalizzabili al caso tridimensionale,
con le stesse conclusioni qualitative.

463
 E/ll E F». E T" E .-'i

(C1)
rs te e m “-
._ m.

_ _,.__ __ ___ g)
0 L x O l.. X.

Fig. 6.9 - Spettro (a_c) e densità di stati (b,d) di una particella confinata
in una regione lineare, per due valori delle dimensioni, L. Al crescere di L lo
spettro si addensa e gli effetti di spettro discreto diventano inosservabili_

le possibili lunghezze d”onda elettroniche sono date dalla serie A0 = 2L/ n-

Secondo la relazione di De Broglie ciascuna di esse corrisponde ad un moto
con impulso = h/À., = nh/(2L), e con energia cinetica data da

E., - lIi2 -_ h2 2 6.16

2m smL2 " ( )
Gli effetti di spettro discreto diventano osservabili in situazioni in cui il
confinamento degli elettroni è importante. La (6.16) suggerisce che se L
è piccolo la difierenza tra due energie con indice ri successivo è grande
Per gli elettroni degli atomi il confinamento è dovuto alla forte attrazione
da parte del nucleo, che limita il moto ad una regione limitata a qualche
raggio di Bohr rB. Discuteremo ancora effetti di confmamento e vedrenn
in seguito applicazioni di queste idee a dispositivi.

Densità di stati
Le Fig. 6_9.b,d danno una maniera alternativa di rapprenentare lo spet-
tro. La posizione in energia dei picchi dà la presenza di livelli all°energi.a.
corrispondente. Liarea sottesa da ciascun picco conta la degenerazionefß,
ossia quanti livelli hanno quella certa energia. Nel caso in esame la de-
generazione di ogni livello e pari a due. Per l”atomo idrogenoide, rap-
presentato in Fig. 6_1.b, ogni shell contiene 2, 8, 18,32,. _ _ livelli degeneri..
I dettagli dello spettro sono importanti e osservabili per sistemi micro-
scopici, ma già per campioni di dimensioni lineari di circa 1 um diven-
tano irrilevanti_ La differenza tra due livelli energetici e molto piccola,
”3La funzione che rappresenta il picco `.`e detta funzione ci di Dirac.

454
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3%?

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Fig. 6.10 - Illustrazione schematica di spettri e densità di stati. (a) Di

un sistema atomico, come l'atomo idrogenoide Ec|.(6_18)_ che presenta picchi
stretti ad energie ~ 10 eV. (b) Dì un dot quantistico nanofabbricato; lo spettro
e simile a quello atomico, ma le scale di energia sono di molto inferiori (~
meV)_ (c) Di un metallo, per cui è impossibile risolvere la struttura discreta dei
livelli, e la densità di stati proporzionale a E1/2. (d) Di un semiconduttore, per
cui la densità di stati è nulla per energie all'interno della gap EV < E < EC.

5 ~ 11.2 / (8rnL2) ~ 0.4 ueV, e difficilmente osservabile3“ e in ogni intervallo

di energie AE selezionabíle in un esperimento, diciamo 10 ueV, vi sono
molti livelli energetici. In questo caso le proprietà osservabili dipendono al
più da quanti livelli si trovano in un certo intervallo, informazione convo-
gliata nella funzione densità. di stati, Se N (E , AE) è il numero di
stati possibili nelliintervallo di energie [E, E + AE), essa e definita come

ora) = 5% (air)
Alcuni esempi di spettri e di densità di stati, dal caso atomico ai semi-
conduttori, è illustrata in Fig. 6.10. I picchi, corrispondenti alla presenza
di livelli alla data energia, si irifittiscono man mano che le dimensioni del
campione aumentano. Per contro Paltezza di ogni picco tende ad essere
la stessa, quindi la degenerazione degli stati corrispondenti diventa pari a
due (i due stati di spin).

6.4.3 Rigidità negli atomi

Una caratteristica delle soluzioni di un”equazione dionda e la loro rigidi-

tà per piccole perturbazioni. Chiariamo il senso di questa affermazione con
liesempio della corda vibrante. Se una corda di chitarra fosse sensibile a

““Sarebbe necessario scendere a temperature T5 = 5/k ~ 5 mK_

465
 piccole perturbazioni, darebbe una nota diversa al variare delliumidità del-
l”aria o in presenza di altre onde sonore, ad esempio prodotte da strumenti
che suonano vicino. Queste sono piccole perturbazioni, e in questo senso
le autofrequenze un che danno la nota della corda sono “rigide” rispetto
ad esse. Le lunghezze d'onda ,\,, dipendono solo dalla lunghezza L della
corda. In effetti variazioni di temperatura o Pinvecchiamento della corda
producono variazioni della nota. Ma questo avviene perché le frequenze
U,-, sono legate alla lunghezza d°onda attraverso il modulo di elasticità, che
varia con la temperatura o con liinvecchiamento. Nel caso degli elettroni
la relazione tra le grandezze corrispondenti, ad esempio energia e impul-
so, dipende invece solo da costanti fisiche fondamentali quali la massa o
la carica del1”elettrone, e per questo un atomo è rigido per qualsiasi pic-
cola perturbazione. La proprietà di rigidità viene utilizzata per produrre
standard di altissima precisione, come quelli forniti dagli orologi atomici.

La rigidità degli stati elettronici di un atomo gioca un ruolo fonda-

mentale, in quanto garantisco la stabilità della materia. Infatti una delle
incongruenze del modello di Rutherford è che un elettrone orbitante com-
pie un moto accelerato, quindi secondo Pelettrodinamica classica dovrebbe
emettere onde elettromagnetiche, che fanno diminuire indefinitamente la
sua energia. Il destino di ogni elettrone delliatomo di Rutherford è quello
di collassare sul nucleo, e non si avrebbero in natura atomi stabili. Bohr
nell°enunciare il suo modello, postulò che le poche orbite consentite fossero
stabili, ossia che non emettessero onde elettromagnetiche. Cio in completa
analogia con le onde stazionarie di una corda vibrante, che in assenza di
attriti perdurerebbero indefinitamente. Per completare il quadro occorre
aggiungere che la Meccanica Quantistica35 dice che gli stati eccitati, ossia
per l”atomo di idrogeno quelli aventi energia E,.,_ con n 2 2 hanno una certa
probabilità di decadere a stati di energia più bassa Em 5 E0, emettendo
un fotone di frequenza V data da hi/ = E0 - Em. Tuttavia lo stato di
minima energia, detto stato fondamentale, corrispondente ad n : 1 nella
(6.13), non decade! Visto che E1 è finita, nello stato fondamentale Felet-
trone si trova ad una distanza finita dal nucleo, che per l°atomo di idrogeno
è proprio rp. In in questa configurazione l°elettrone è stabile.

3”Nella parte chiamata Elettrodinamicn. Quantistica, che descrive, tra lialtro, i

fenomeni alla base dei dispositivi optoelettronici.

466
6.4.4 La materia è quantistica, ma a volte non lo dà a vedere

Dal punto di vista fisico si è portati ad affermare che la Meccanica

Quantistica deve valere36 non solo per gli atomi, ma per tutta la materia.
Eppure se scagliamo una sedia contro un muro con due aperture, non ci
aspettiamo certo di osservare un fenomeno di interferenza.
Per sapere sotto quali condizioni gli effetti quantistici sono preminenti,
ricorriamo all”analogia con le onde elettromagnetiche, ricordando che esse
danno luogo a fenomeni di interferenza quando si propagano in strutture
con proprieta geometriche che variano su scale di lunghezza d dell“ordine
della lunghezza d°onda À. La luce visibile non da certo effetti ondulato-
ri passando attraverso una porta, ma dà. luogo a fenomeni di diflrazío-
ne passando attraverso una fenditura con d ~ 500 nm, o a fenomeni di
interferenza in un reticolo con passo dello stesso ordine di grandezza.
Quindi gli effetti quantistici si manifestano se la lunghezza dionda di
De Broglie è confrontabile con le dimensioni tipiche della geometria cir-
costante. Ad esempio una sedia di massa 1 kg che viaggia alla velocita di
1 m/s ha lunghezza dlonda di De Broglie /\ = h/p : h/(me) ~ 10""34 m ed
e impensabile un esperimento di interferenza con una reticolo avente un
passo cosi piccolo. Gli elettroni di un metallo hanno energie E ~ 1 eV e
lunghezze d“onda /\ : h/V 2mE N IÃ. Essi possono dar luogo a fenomeni
di interferenza a causa del reticolo cristallino, che ha un passo reticolare d
delliordine degli Angstrom, e dar luogo alla struttura a bande. Gli elettro-
ni di conduzione nei semiconduttori, che hanno energie ~ 0.03 eV, hanno
invece lunghezza d°onda delliordine dei nanometri. e danno luogo ad effet-
ti quantistici se confinati in regioni namometriche, come nei nanocristalli,
o alla superficie di dispositivi MOS ultrapiccoli. Per contro in dispositi-
vi per la microelettronica le dimensioni tipiche vanno dalle centinaia di
nanometri alle decine di micron, e gli effetti ondulatori sono trascurabili.
Un altro importante parametro che quantifica gli effetti ondulatori e
lienergia di confinamento, ossia l°energia cinetica minima di una particella
confinata. Nel caso delliequazione (6.16) lienergia di confinamento e data
da E1 - h2/(8mL2). Essa diventa rilevante quando risulta confrontabile
con tipiche scale energetiche del problema, come l`energia termica a tem-
peratura ambiente ~ 0.03 eV o l°energia della gap di un semiconduttore
EG N 1eV per il silicio. Ad esempio per un elettrone nella regione di inver-
sione di un MOS ultrapiccolo, ponendo L ~ 1 nm otteniamo E1 ~ 0.3 eV,

35.51 meno di modifiche che inglobino la teoria della relatività.

467
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Fig. 6.11 - (a) Probabilità P,,,,,,(r) di trovare un elettrone in uno stato ln, l, m)
di un atomo idrogenoide ad una data distanza r/rg dal nucleo, per vari orbitali.
(b) Schema di riempimento degli stati per atomi pesanti, che dà luogo alla
tavola periodica degli elementi.

per cui in queste condizioni gli effetti quantistici legati al confinamento

diventano importanti.

6.5 Proprietà statistiche degli elettroni

Le proprietà. statistiche degli elettroni sono determinate dal principio

di Pauli, che afferma che se in un certo sistema sono presenti due o più
elettroni, non più di uno di essi potrà essere rivelato in uno stato con
numeri quantici dati37. Il principio di Pauli può essere ricavato da una
assunzione più fondamentale, ossia che due particelle identiche non pos-
sono essere distinte tramite una misura. Nella filosofia della Meccanica
Quantistica, che si occupa rigorosamente di quantita misurabili, questo
principio di indistinguibilitti delle particelle identiche entra di diritto e le
sue conseguenze sono drastiche. Infatti la struttura della materia è profon-
damente influenzata dal principio di Pauli, a partire dalla classificazione
degli elementi nella tavola periodica e dalla spiegazione della distinzione
tra metalli e isolanti, per arrivare a spettacolari fenomeni di condensazione
come la superconduttivita e la superfluidita.

0 3-? Spesso si dice che non più di un elettrone può occupare un determinato stato, ovvero
che due elettroni non possono avere gli stessi numeri quantici.

468
6.5.1 Il principio di Pauli in azione negli atomi

Consideriamo un atomo pesante come il Silicio (Si). Esso ha numero

atomico Z = 14 (vi sono 14 protoni nel nucleo, la cui carica e compensata
da altrettanti elettroni) e peso atomico A = 28 (il nucleo contiene anche 14
neutroni). Le principali proprieta del silicio sono date dalla sua valenza,
pari a 4, che e a sua volta determinata dal principio di Pauli.
Supponiamo di allontanare tutti gli elettroni dal nucleo di Si e di rein-
trodurli uno per volta. Allora ci domandiamo anzitutto qual è lo spettro
delle energie del primo elettrone38. Esso ha una forma del tutto analoga
a quello dell”atomo di idrogeno, equazioni (6.13) e (6.15), tranne per la
dipendenza da Z

mZ2e4 1
E _ _ =1,2,... eie
H' 8eåh2 -n2 n ( )

Lo spettro è degenere, in quanto esistono più stati con la stessa energia.

In effetti la (6.18) dipende solo dal numero quantico principale n., mentre
gli stati sono classificati in base a quattro numeri quantici ln, l, fm, cr). Il
numero n denota. la shell atomica e nel visualizzare la struttura atomica
e associato con la distanza dell°elettrone dal nucleo. Il numero quantico
secondario l puo assumere valori l = 0,1,. _ . ,ri - 1, e distingue la forma
della densità di probabilità, a simmetria sferica per l _ 0 (orbitali s) o con
simmetrie via via minori per stati con l = 1 (orbitali p), l : 2 (orbitali
cl), l = 3 (orbitali ƒ Fissati 'ri ed l, il numero quantico magnetico in, puo
assumere valori m _ 0, :l:1, . .. :l: l. Ad esempio che per stati p abbiamo
tre possibili valori di m = 0, :l:1, e abbiamo anche tre possibili orientazioni
dell“orbitale p, che si chiamano px, py e pz. Infine, fissati ri, l ed ni,
lielettrone può avere due valori di spin cr =T, l. La forma dello spettro
delllatomo idrogenoide e simile a quella mostrata in Fig. 6.1, e descrive i
possibili stati energetici di un nucleo con un certo Z e di un elettrone. Gli
stati ad energia più bassa, E1 fa -Z2 - 13.6 eV, sono i due stati |1, 0, 0, cr),
corrispondenti ai-due diversi possibili spin cr, usualmente denotati con lsl.
Se ora proviamo ad aggiungere un secondo elettrone, lo stato ad ener-
gia più bassa sarà, quello con entrambi gli elettroni nei due stati |1, 0, 0, cr).
Il principio di Pauli impedisce che i due elettroni abbiano lo stesso spin.
Aggiungendo un altro elettrone, nella configurazione ad energia più bas-
sa esso occuperà. uno stato s della seconda shell, (2, 0, 0, of). Quest°ultima
381./'iene detto spettro dell°atomo idrogenoide.

469
affermazione non è pienamente giustificata dallo spettro (6.18). In effetti
nelfaggiungere elettroni abbiamo ragionato come se ciascuno di essi sen-
tisse solo liinterazione col nucleo, trascurando vari altri effetti, come l°inte-
razione repulsiva con l'altro elettrone. Ora, queste interazioni modificano
l°energia, ma non in maniere drastica. Esse eliminano la degenerazione
degli stati l alliinterno di una shell, nel senso che ad esempio lienergia di
un terzo elettrone nello stato p con numeri quantici l2, 1, 0, cr) e maggiore
di quella che avrebbe nello stato 12, 0, 0, cr). Il risultato e Fimmagine che
conosciamo per la struttura elettronica degli atomi con Z > 1, illustrata
in Fig. 6.11.b39. Determiniamo lo stato fondamentale delliatomo di Si. I
14 elettroni riempiono i due stati con fn. : 0 e gli otto stati con n = 1.
e quattro degli stati con n = 3, il che determina la valenza dell°elemento
e la sua appartenenza al quarto gruppo. Gli stati eccitati si ottengono
spostando un elettrone ai livelli superiori e la relativa differenza di energia
può essere rivelata in spettroscopia.

È utile osservare che lo schema di riempimento è molto simile allo spet-

tro del corrispondente atomo idrogenoide, come se Pinterazione tra elet-
troni non producesse nulla di drastico. Il motivo profondo di tutto ciò è
il principio di Pauli, che, asserendo che due elettroni non possono essere
troppo simili tra loro, implica (per certi versi) che essi sono naturalmente
portati ad occupare posizioni diverse, per cui gli effetti della loro intera-
zione sono attenuati. Grazie al principio di Pauli è possibile analizzare in
buona approssimazione la struttura della materia immaginando di poter
trascurare Pinterazione tra elettroni, che si comportano come oggetti in-
dipendenti4U. Questa circostanza è la chiave di volta che consente spesso
una trattazione semplice dello studio degli atomi, e ancor più dei solidi.

39
È bene tener presente che questa figura, mostra una grandezza differente dallo spet-
tro di Fig. 6.1.a, legata allienergia necessaria ad aggiungere elettroni ad uno ad uno.
ossia allo spettro di addizione. impossibile misurare questa grandezza negli atomi, ma
è perfettamente possibile in nanostrutt-ure come i quantum dot.
40 Questa affermazione qualitativa e le eventuali differenze quantitative dovute all'in-
terazione tra elettroni sono trattate nella cosiddetta teoria di Hartree-Fock, che e imo
degli strumenti più importanti della odierna Chimica Quantistica.

470
6.5.2 Il principio di Pauli in azione nei solidi

Proviamo a procedere nei solidi in maniera analoga al caso degli atomi.

In particolare si suppone di ionizzare gli atomi del reticolo cristallinoiil, di
studiare il moto di u11 elettrone nel potenziale così ottenuto e di trovarne
le possibili energie ed i possibili stati. Allora per tornare al problema con
tutti gli elettroni basta, nei casi semplici, aggiungerli uno per uno in modo
che ognuno abbia diversi numeri quantici.
Per fare un esempio semplice consideriamo i metalli alcalini, ossia i me-
talli formati dagli elementi del primo gruppo (Li, Na, K, Rb, Cs). La
loro struttura elettronica presenta una shell esterna occupata da un solo
elettroneßtg, quindi sono monovalenti. Consideriamo, allora, la semplice
ionizzazione di tutti gli N atomi del reticolo. Risolvendo questo proble-
ma, troviamo che gli stati sono caratterizzati dai numeri quantici |li,cr)
dove Ii è legato alla impulso43, da una relazione del tipo di quella di
De Broglie, pi = hi;/(21r). Per piccoli l”energia ha la forma semplice
EE = li-2k2/(8rr2m) : p2/(2'm,). Bisogna tuttavia ricordare che stiamo
coniinando lielettrone entro il volume del solido, quindi avremo che solo
alcune lunghezze dionda elettroniche À corrispondono a stati possibili, e di
conseguenza liinsieme dei valori permessi di li è discreto. Un altro illgre-
diente importante, che deriva dalle proprieta ondulatorie e che lo spettro
energetico del singolo elettrone si divide in insiemi (bande) di N stati.
Ciascuno stato corrisponde ad un certo valore di li possibile, doppiamen-
te degenere, perché lielettrone puo avere due valori di spin. Quindi ogni
banda può contenere al più 2N elettroni.
Nel caso dei metalli alcalini, dobbiamo piazzare gli N elettroni estratti
ionizzando gli atomi del reticolo. Compatibilmente col principio di Pauli,
otteniamo la configurazione ad energia minima occupando a metà la prima
banda, per meglio dire occupando tutti gli stati con energia inferiore ad
una certa energia massima, detta energia di Fermi, Ep. Per un metallo
alcalino basta considerare i soli elettroni di valenza ed una Sola banda di
energia. Infatti gli elettroni delle shell inferiori sono fortemente legati agli
atomi e quindi “rigidi”, ossia difficilmente hanno un ruolo in qualsiasi feno-

41 Supponiamo di estrarre al più gli elettroni di valenza. degli atomi e assumiamo che cio
11on provochi variazioni strutturali. Questa è una operazione matematicamente lecita,
ma fisicamente impossibile.
42Ad esempio il potassio K ha la struttura di un gas nobile, l'argon, con un elettrone
in più nella quarta shell, [Ar]4s1
“Non e esattamente cosi, ma al momento non importa.

471
menologia, e possiamo scordarli. Quanto ai livelli delle bande ad energia
maggiore, essi non sono occupati, e la loro presenza e irrilevante.

Quello dei metalli alcalini è il caso più semplice di struttura elettro-

nica di un solido. In generale lo spettro dei livelli, pur mantenendo una
struttura a bande, puo diventare molto più complicato, a partire da quel-
lo dei metalli divalenti (o alcalino-terrosi, Be, Mg, Ga, Sr, Ba, Ra), fino
ai semimetalli, ai semiconduttori ed agli isolanti. La situazione e di nuo-
vo abbastanza semplice per isolanti come il carbonio C (Z = 6 struttura
[He]2s22p2 valenza 4). In base al nostro semplice schema, in questo ca-
so dobbiamo piazzare 4N elettroni, che occupano totalmente due bande.
Questa e una situazione di notevole stabilita, analoga a quella che si ve-
rifica nei gas nobili, dove l°ottetto di livelli s e p della shell più esterna
è completamente occupato. In questo caso il materia.le è particolarmente
inerte rispetto a sollecitazioni esterne, ed ha comportamento isolante. Per
ottenere una risposta dal materiale occorrerebbe promuovere un elettrone
dalla banda occupata a più alta energia alla banda non occupata a più
bassa energia. Il costo energetico è la cosiddetta energia di gap EG, che
nel caso del Carbonio vale circa 5.45 eV. Ciò significa che per avere effetti
termici rilevanti di occupazione della banda superiore nel C occorrerebbe-
ro temperature di circa 60000°C, di molto superiori alla temperatura di
fusione TM ~ 4000°G. Tuttavia è importante rilevare che queste consi-
derazioni dipendono fortemente dalla struttura dei legami chimici tra gli
atomi. Si pensi ad esempio alle notevoli differenze, tra grafite e diamante.
Da ricordare anche alcune nanostrutture basate sul carbonio, i nanotubi.
studiate negli ultimi anni perché promettenti per applicazioni tecnologiche.
che possono avere comportamento semiconduttore o additittura metallico.
Altri elementi del quarto gruppo come il Si e il Ge, fondamentali per
le applicazioni, sono caratterizzati da una struttura elettronica molto si-
mile a quella del carbonio. Tuttavia la gap e più piccola (EQ : 1.12 eV
per il Si ed EG : 0.66 eV per il Ge), il che vuol dire che e più semplice
portare un elettrone dalla banda occupata ad energia più alta, la banda
di valenza, alla banda di livelli non occupati ad energia più bassa, la ban-
da di conduzione. Giò puo avvenire per fotoeccitazione nelliinfrarosso, o.
in maniera più eclatante, aggiungendo o togliendo un numero rilevante di
elettroni tramite drogaggio. In definitiva la schematizzazione dello spettro
energetico dei semiconduttori che abbiamo presentato porta a concludere
che dobbiamo prestare particolarmente attenzione a due bande di livelli.
la banda di valenza e la banda di conduzione.

472
 Goncludendo questo paragrafo, sottolineiamo che gli ingredienti essen-
ziali comprendere il comportamento dei solidi sono la struttura a bande
ed il principio di Pauli. A differenza dal caso atomico, lo spettro discre-
to dei livelli 11on è poi cosi importante. Ovviamente è fondamentale che
ogni banda contenga un numero finito di livelli, ma per il resto possiamo
scordare lo spettro discreto in quanto la differenza energetica tra i livelli
diventa rilevante solo per campioni di dimensioni nanometriche.

6.5.3 Il legame covalente

Abbiamo già. descritto gli spettri atomici e rilevato che in genere gli
atomi si trovano nello stato fondamentale, con una data configurazione
elettronica. Per il silicio essa e 1:32 252 2p6 3.92 3p2 = [Ne] 352 3p2. Possiamo
ottenere u11o stato eccitato per fotoeccitazione e risalire dalle frequenze
alle energie di singolo elettrone, che nella versione più semplice sono date
dalla (6.18) rappresentata in Fig. 6.1.a, e più realisticamente sono date
dallo schema in Fig. 6.11.b. Misure analoghe possono essere eseguite su
molecole. In questo caso esse danno informazione sul legame.
Vediamo ora cosa accade allo spettro di singolo elettrone se conside-
riamo due atomi, e per fissare le idee consideriamo il caso della molecola
di idrogeno ionizzata, noto dalla Chimica Inorganica che si forma
un legame covalente. una configurazione particolarmente stabile per il
sistema delle tre cariche, in quanto occorre una certa energia finita, llener-
gia di legame ECW, per separare i componenti. Le proprieta quantistiche
giochano un ruolo fondamentale, in quanto la rigidità, delle configurazioni
fa si che il sistema non abbia molte alternative per configurarsi, e sceglie
quella con energia minima. Questo meccanismo giustifica valori di E,,,,,,
abbastanza grandi (ad esempio circa 2.7eV per H; e circa 4.7 eV per H2)
da resistere all°agitazione termica, che tendcrebbe a rompere il legame.
Un°altra maniera di comprendere le energie di legame è quella di am-
mettere che per effetto tunnel un elettrone localizzato (in uno stato rpm,
con energia Em) vicino uno dei due ioni H+ possa passare sull°altro (in
uno stato 1/A2), con energia E(2)). Possiamo riguardare Em ed EQ) come
energie di conflnamento per l°elettrone localizzato su un solo ione. Se llelet-
trone ha la possibilità. di muoversi in spazi meno ristretti la sua energia di
confinamento diminuisce in misura pari all”energia di legame Ecm.. Il lega-
me cosi descritto è un fenomeno quantistico, in quanto coinvolge le energie
di confinamento e Feffetto tunnel, in virtù del quale Felettrone puo pene-

473
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Fig. 6.12 - (a) Energia potenziale Vaifzr) di un elettrone in un atomo idroge-

noide: le funzioni d'onda degli stati, le cui energie E., sono indicate dalle linee
grige, si estendono anche in regioni dove E., < Vai(:c). (b) Energia potenziale
di un elettrone in una molecola: se le funzioni d'onda 1p(1)(z) di stati
de|l'atomo a sinistra e 1p(2)(:r) di stati delI'atomo a destra si estendono en-
trambe nella regione E, < l/,,,,,,; fino a sovrapporsi, gli stati si ibridizzano e
si forma il legame covalente.

trare la barriera di potenziale tra i due nuclei, una regione “classicamente

proibita”, dove EU) = EQ) < I/,.,,,,;(a:) (si veda la Fig. 6.12).
Una descrizione schematica della formazione del legame covalente parte
dalfammettere che le due funzioni d°onda 1/111) e 1,/A2) si estendano entram-
be nella regione classicamente proibita e che quindi gli stati si si ibridizzino.
Gli stati stabili avranno funzioni rpm + M2) (stato di legame, con energia
Em -Emy) e ibm -ibm (stato di antilegame, con energia El1)+EC,,,,). Per
accettare questo algoritmo, non è necessario ed è anzi sconsigliabile for-
zare immagini basate sulla Meccanica Classica. Ad esempio urfimmagine
spesso usata, quella di un elettrone che “salta” avanti e indietro tra i due
nuclei44, è inadeguata. Essa non spiega come Pelettrone superari la bar-
riera di potenziale tra i due atomi (si veda la Fig. 6.12). Inoltre Pelettrone
si troverà. in uno stato localizzato di volta in volta vicino all°uno o all°altro
nucleo. Avrà. in entrambi i casi la stessa energia E(1) : E (2), che nel caso
della molecola H+ e Penergia dello stato fondamentale di uno atomo di
idrogeno, eventualmente modificata dalla presenza dell°altro nucleo. Non
si vede allora come giustificare le energie di legame.
Il fatto che le righe atomiche si dividano in doppietti trova invece spie-
gazione naturale dalle proprieta ondulatorie. Vi sono ad esempio fenomeni

“In altri contesti della fisica dei solidi questo tipo di processo si chiama hopping ed è
un fenomeno incoerente. Invece il legame chimico e un fenomeno coerente.

474
classici matematicamente analoghi, che avvengono in sistemi oscillanti ac-
coppiati. Per avere anche un°immagine vicina al caso della molecola I-Ig",
consideriamo una cavità risonante di dimensioni L divisa in due parti da
uno strato di materiale con costante dielettrica relativa er, un sistema e
analogo alla doppia buca di potenziale in Fig. 6.3. Se 6,. e molto grande,
lo strato ha comportamento metallico e divide la cavità. in due parti, di
dimensioni L/ 2. In ciascuna possono stabilirsi oscillazioni elettromagne-
tiche, onde stazionarie con lunghezze d°onda /\,, = L / n., con n. = 1, 2, _ ._
Questi sono il corrispondente degli stati atomici 1/Jil) e M2) e le frequen-
ze un : c//\.,, danno le righe spettrali dell°atomo isolato. In ciascuna
parte della cavità lo spettro delle frequenze e lo stesso, e in particolare
1/1 : c/A1 = c/ L. In queste condizioni un“onda stazionaria localizzata
da un lato della cavità non può propagarsi verso l°altro, cosa che invece
diventa possibile se e.. diminuisce. Nel qual caso le righe dello “spettro ato-
mico” si dividono in doppietti, 1/1 -› 1/1 i vm, e la frequenza minima delle
onde stazionarie diminuisce. Ci si può rendere conto di ciò considerando
il caso estremo 6,. : 1, quando la barriera è completamente trasparente.
Il sistema equivale ad una singola cavità di lunghezza L, e il modo a fre-
quenza minima è ul = c/ (2L) : 1./1 /2. Utilizzando per una traduzione al
caso delle molecole la relazione E = In/, abbiamo un°'idea di come lienergia
dello stato fondamentale della molecola (corrispondente al caso E finito)
sia minore dell°energia dello stato fondamentale di uno dei due stati elet-
tronici localizzati vicino ad un nucleo (corrispondente al caso e tendente
ad infinito). La differenza di energia hr/.m è Fenergia di legame E,,,¢,,,.

In conclusione rileviarno che la fisica di un sistema con due stati localiz-

zati che possono ibridizzarsi, e comune in Meccanica Quantistica quanto o
forse più che in Fisica Classica. Essa descrive il legame covalente, ma an-
che fenomeni ottici elementari, aspetti della termodinamica e del trasporto
in semiconduttori, lo spin e tutta la fenomenologia connessa (ad esempio
la risonanza magnetica e le proprietà termiche dei vetri). Essa interviene
nel determinare il funzionamento dei nanodispositivi a semiconduttore e a
superconduttore, dei dispositivi che sfruttano correnti polarizzate in spin,
e naturalmente è un ingrediente fondamentale dei fenomeni di interesse
per lielettronica molecolare.

475
6.5.4 La strada verso i solidi

Lfibridizzazione degli stati di un elettrone tra due ioni fa si che in una

molecola lielettrone di legame sia “condiviso”, cioè possa essere rilevato sia
in prossimità di ciascuno dei due ioni, sia nella regione intermedia classi-
camente proibita. La riga spettrale dell'atomo si divide in due righe vicine
che testimoniano la presenza di due energie permesse per il moto elettroni-
co. Discorso analogo vale per molecole più complesse. Riguardando i solidi
cristallini come gigantesche molecole, formate da N ioni che occupano po-
sizioni fissate di un reticolo regolare, possiamo generalizzare la precedente
conclusione dicendo che ciascun elettrone nel solido può essere rilevato in
regioni del solido prossime ad ogni ione, nonché nelle regioni intermedie
classicamente proibite. Ciascuna riga dello spettro degli N ioni isolati.
che ha degenerazione pari a N, si divide in una successione di N righe
molto vicine tra loro, le bande di energia. Cio spiega perché un solido è
un solido, ossia la sua grande stabilità dovuta alle forti energie di legame.
e perché esso mostra una varietà limitata di comportamenti classificabili.
ad esempio e un metallo, o un isolante o un semiconduttore.
L°affermazione appena fatta è naturalmente qualitativa e una analisi
quantitativa fornisce molte importanti informazioni ulteriori. Ad esempio
il grado di ibridizzazione dipende molto dalla funzione dionda dei livelli
coinvolti. I livelli più profondi, come i livelli 2p del silicio, praticamente
non si ibridizzano, in quanto la barriera di potenziale nella regione classica-
mente proibita è molto grande45. Essi sono praticamente inerti a qualsiasi
sollecitazione, un”altro aspetto della rigidità quantistica, che semplifica
enormemente lo studio dei solidi. Il legame in un solido è quindi mantenu-
to dai soli elettroni di valenza e coinvolge solo la shell più esterna, n : 3
per il Si. Essi si ibridizzano dando luogo alla formazione delle bande.
In conclusione di questo paragrafo menzioniamo due esempi tratti dal-
Pelettromagnetismo classico che hanno forti analogie con la fisica della
struttura a bande. Il primo e quello di una linea di trasmissione formata
da infiniti circuiti LC in serie. Il secondo esempio è quello dei cristalli fo-
tonici, strutture con costante dielettrica e,. che varia in maniera periodica.
I cristalli fotonici sono fabbricati costruendo reticoli regolari di materiali
dielettrici, con passo reticolare N 500 nm, molto più grande di quello tra

“5Le deboli correlazioni che possono stabilirsi tra elettroni profondi di un atomo sono
“sporcate” o, in termini tecnici, defocalizzate dalliinterazione con la miriade di gradi di
libertà presenti in un solido.

476'
 /\ E

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É-'D'

Fig. 6.13 - (a) Origine dello spettro dei solidi: gli stati localizzati si ibridizzano,
dando luogo a stati estesi. (b) La densità di stati presenta bande di energia.
Le più importanti sono quelle parzialmente occupate, ad energia più alta.

gli atomi nei solidi. Essi producono fenomeni di interferenza per la luce
che li attraversa e in particolare sono caratterizzati da uno spettro di fre-
quenze a bande. Ciò vuol dire che esistono delle gap, ossia degli intervalli
di frequenza per cui la luce non si propaga alliinterno del cristallo fotoni-
co. Per contro esistono bande di frequenza per cui il cristallo fotonico e
trasparente.

6.6 Distribuzione di Fermi

6.6.1 Metalli

Consideriamo un metallo alcalino, per il quale lo stato fondamentale ha

tutti i livelli della banda di conduzione con energia inferiore a Ep occupati,
e quelli per cui E > EF non occupati. Questa configurazione puo essere
codificata in forma bina.ria nella maniera seguente

lstato fondamentale) : l 1, 1, 1, 1, . . . , 1, 1,0,0, . . (6.19)

mm "¬--.v¢-í/

EÉEF E§Ep¬

dove ogni posto, occupato (1) o non occupato (0) che sia, indica uno stato
llf, o) e i va.ri stati sono ordinati per energie crescenti.
A temperatura nulla il gas di Fermi si trova nello stato fondamenta-
le (6.19). Possiamo fornire energia per fotoeccitazione, come nel caso
degli atomi, o applicando una forte differenza di potenziale o sempli-
cemente aumentando la temperatura. Se forniamo energia al metallo,

477
la configurazione degli elettroni cambia, quindi gli elettroni del m
lo possono trovarsi in uno stato eccitato. Esempi di stati eccitati
|a) = |1,1,...,1,1,0,1,0,.._) o |b) = |1,1,...,1,0,1,0,1,0,._.) che
feriscono dallo stato fondamentale perche un elettrone vicino al livello
Fermi e stato spostato in uno dei primi stati liberi al di sopra di EF, o
ro |c) = l1,1,._.,0,0,1, 1, 1,0, _ _ dove sono stati spostati due elet
L”energia di questi stati differisce di poco dall”energia dello stato fonda-
mentale: la differenza e data alliincirca dalla spaziatura dei livelli, che
un campione di 1 um3 è piccolissima (vale circa 10_10 eV). Invece per
stato come ld) = |1,0,1...,1,1, 1,0,0, _ _ dove un elettrone “prof
è stato promosso ad energie di poco superiori a Ep, Fincremento di
gia è molto maggiore, per liappunto delliordine di Ep ~ 1eV_ Fo
energia al sistema, ad esempio portandolo a temperatura ambiente (d
ciascun elettrone può ricevere energie dell”ordine di kT,,,,,b ß 0.025 eV)
facile trovare il metallo in una configurazione |a), lb) o lc), ma non
in una configurazione di tipo La distribuzione di Fermi dà la
quantitativa di questo risultato: per un metallo a temperatura finita T
probabilità di trovare un elettrone in uno stato con energia E e

1
fw) T 1+ ela-EF)/(rr) (620)
Questo risultato si ricava massimizza.ndo lientropia del gas di elettroni, os-
sia applicando il secondo Principio della Termodinamica, ma al momento
a noi basta verificare che la distribuzione si comporta nella maniera desi-
derata. Anzitutto per T -> 0 Pesponenziale è nullo o infinito, a seconda
del segno di E - Ep, quindi se E < Ep risulta ƒ : 1, cioè gli sta-
ti in questione sono con certezza occupati, mentre per E > Ep risulta
ƒ = 0, cioè gli stati in questione sono con certezza non occupati. Per
T : 0 otteniamo quindi la certezza che il sistema si trova nel suo stato
fondamentale.
A temperatura finita ƒ non differirà. di molto, tranne che per l°occu-
pazione di stati vicini all”energia di Fermi, |E EFl < kT. Per essi risulta
0 < ƒ <1 1. Lieffetto della temperatura finita e quindi quello di variare
Poccupazione di stati compresi in un intervallo di energie di dimensioni
~ kT attorno all°energia Ep. Il punto importante è che solo questi elet-
troni sono capaci di reagire a sollecitazioni esterne piccole, mentre lo stato
di tutti gli elettroni ad energia inferiore non varia, in quanto richiedereb-
be trasferimenti di energia grandi. Quindi la fisica è determinata da una

478
frazione ÀJT/Ep ~ 10_2 degli elettroni di conduzione“6, mentre tutti gli
altri, rigidamente, non fanno niente. Una ulteriore semplificazione viene
dal fatto che tutte le proprietà. spettrali sono riassunte in un numero, la
densità. di stati al livello di Fermi Ciò consente di caratterizzare
il metallo con G (Ep), e di accedere ad importanti e semplici informazioni,
quali il fatto che tutti gli elettroni di interesse si muovono in ogni direzione
con la stessa velocità., in modulo, detta velocità di Fermi op : 1/2E_g.¬ /rn..
Insieme alla probabilità (6.20) possiamo definire la probabilità di non
trovare alcun elettrone nello stato in questione, data da ) : 1-ƒ
L°integrale dEƒ non riflette alcuna proprietà di normalizzazio-
ne“?, ma integrali simili esprimono le proprietà macroscopiche dei solidi.
Per vedere cio, notiamo preliminarmente che se G(E)AE Te il numero di
stati elettronici in un piccolo intervallo AE attorno all“energia E, allora
ƒ G(E)AE è il numero medio di elettroni con energie comprese nel
suddetto intervallo. Quindi il numero medio48 di elettroni di conduzione
nel metallo e dato da

fi = az G(E) ƒ(E) (6.21)

Questa espressione e facile da comprendere“9 se si ricorda il significato

di ƒ G(E)/LE. Sirnilmente lienergia media (corrispondente in valore
allienergia i11terna termodinamica) del gas elettronico è data da

DC*

U = f az o(z)E f(E) (6.22)

Visto che G è una caratteristica del materiale, ogni sollecitazione pic-

cola varia lo stato solo tramite variazioni della forma di ƒ (E), variazioni
che coinvolgono prevalentemente energia prossime al livello di Fermi. Un

““Ossia ~ 1020 elettroni al cm3 su un totale di ~ 1022.

“Questo integrale non ha alcun significato, essendo per di più diverge11te_
“Si parla di numero medio in quanto il solido e un sistema aperto. In effetti le
fluttuazioni relative del numero di elettroni sono stimate da 1/\/H, quindi in un campione
metallico da 1cm“ le fluttuazioni relative del numero di elettroni rappresentano circa
una parte su 1011.
“QI limiti di integrazione, ossia lienergia minima Ecmrn e massima Egmm, della banda
di conduzione, sono contenuti nella definizione di Peraltro per valori di energia
E ~ E(;f,.,,,,,,, la funzione e quindi liintegrando sono esponenzialmente piccoli, per
cui non si commettono errori nel porre direttamente Egmw -> oo.

479
esempio particolarmente illuminante e quello del calore specifico dei
talli5“. Il calore specifico a volume costante cv e legato alla variazione
della energia interna per variazioni AT di temperatura. Ora, una
zione di temperatura cambia solo ƒ (E), e solo in prossimità dellienergia
Fermi, per cui ci aspettiamo che cv dipenda solo da proprietà. del
all”energia di Fermi. Infatti se scriviamo

a,»=(%%)V=/_: aEG(E)Elå,-,Q (6
e notiamo che la variazione con T della funzione di Fermi e nulla al di
di un intervallo ~ kT attorno ad EF, possiamo approssimare
OO
ôlƒ(E,T)
-oo

Lavorando sull”integrale si trova che esso è proporzionale a kT, in q

Pintegrando e sensibilmente diverso da zero solo in una finestra kT a
ad Ep. Cio spiega gli esperimenti sui metalli. La circostanza da so
neare e che l'unica dipendenza dalle proprietà del materiale, ossia dal
spettro, si riduce alla comparsa della densità di stati all`energia di F
G(E;.¬), cioè ad un solo numero. Questo fatto consente di affermare
tutti i metalli si comportano qualitativamente allo stesso modo, ad
per tutti i metalli cv e proporzionale a T e non a T3, e sono specifi
caratterizzati dal numero G(EF), uniaffermazione non lontana dal vero.

6.6.2 Semiconduttori

La statistica di Fermi si ricava dalla massimizzazione dell'entropia.

dipendentemente dallo spettro del solido. Quindi anche se l°abbiamo
trodotta e giustificata per i metalli, essa vale per tutti i sistemi di el
in particolare per i semiconduttori. In questiultimo caso dobbiamo
derare la presenza di due bande, la banda di valenza (E < EV) e la
di conduzione (E > EC), divise dalla gap EQ = EC - EV. La
zione ƒ (E) dà la probabilità di occupazione di uno stato di energia E.

“°Questo esempio ha anche uniimportanza storica, in quanto il tentativo di

comportamento del calore specifico a basse temP erature D orto Sommerfeld ad
Fuso della statistica di Fermi nei metalli, dando inizio alla moderna teoria
dei solidi.

480
 † " 1 . l - .
r 5 ( a li; . HE., ore; lb '_ fm, ene
_ fc
I". I -¬' - J ›'~_›'~w- _

__I'-.f.~- I - ...r _ G\_(F.)

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4 | _ l _ _ ,_ _
-.I l' IH .H --H -ll l. -|I _~_'| -4-I ,n _|_|

Fig. 6.14 - (a) La distribuzione di Fermi per T << TF; per T = 0 essa ha la
forma di un gradino (linea tratteggiata), che viene smussato a temperatura
finita (linee continue, per due diverse temperature). (b) Il numero di portatori
nei metalli (area della regione grigia) si ottiene dal prodotto di G(E) con la
distribuzione di Fermi, per la quale Ep è ben all'interno della banda. (c) ln
semiconduttori intrinseci numero di portatori (aree nere) e molto minore, in
quanto la funzione di Fermi all'interno delle bande è esponenzialmente piccola.

non va presa. letteralmente se E è un°energia alliinterno della gap, dove

non ci sono stati. A causa di cio, la determinazione di Ep, che e liunico
parametro da specificare, richiede un minimo di attenzione. Notiamo che
la quantità ƒ(E) G(E)AE ha il comportamento che cerchiamo, in quanto
si annulla se E e un°`energia alliinterno della gap.
Determinamo allora Ep per un semiconduttore intrinseco. A T : 0 la
distribuzione deve riprodurre una banda di valenza completamente occu-
pata, = 1 per E < Etf, ed una banda di conduzione senza elettroni,
ƒ : 0 per E > EC. Per far ciò basta prendere per EF un qualsiasi
valore alliinterno della gap, EV < EF < EC. Per specificare meglio EF
dobbiamo andare oltre e vedere cosa succede a temperatura finita.
Consideriamo anzitutto l”espressione generale del numero di elettroni in
banda di conduzione, equazione (6.21). Possiamo scrivere uniespressione
analoga per il numero di lacune in banda di valenza

p= il - nel Gm da sia
Per determinare n. e p occorre conoscere solo Ep, visto che G(E) e una
proprietà del materiale che si suppone nota. L'informazione aggiuntiva che
abbiamo per un semiconduttore intrinseco è che fa _ p. Espressa tramite
le equazioni (6.21) e (6.25), questa uguaglianza diventa un“equazione che
consente di determinare Ep. Il calcolo è in generale molto complicato,

481
 ma si semplifica notevolmente nel caso di semiconduttori non degenerim.
Infatti liespressione (6.20) della distribuzione di Fermi per energie E I:> EC,
che entra nella determinazione di n, nel caso in cui E0 - EF >> k:T può
essere approssimata con Pespressione

_)-*(5) _ 1+ ,EÉEFMÈQ a, E-(E-EF)/(ir) (625)

6

che è la distribuzione di Boltzmann per gli elettroni. Analogamente se

Ep - EV >> k:T, la distribuzione di Fermi per le energie E g EV che
5

entra nelliespressione per p, si può approssimare con la distribuzione di

Boltzmann per le lacune

(E-EF)/(ir) 9 _
1 ` “El _ 1+ @<z_a.¬›/er) i “E Em/Um (627)
Quindi se risulta che EF e ben all'interno della gap, E1/+kT << EF << EC-
kT cosa che si verifica a posteriori, possiamo approssimare le espressioni
l
(6.21,6_25). Ad esempio

n e giace-%f o(E) =
C'

__ECf-EF OO I _å' I __EQ-EE

= e kl"
l dE e ri" G(E0 + E) _ Nge kr (6.28)

L'integrale definisce la nuova quantità NC, del cui significato discutere»

mo oltre, ma che dipende solo da caratteristiche del materiale, tramite
G(E), e dalla temperatura. Essa non dipende da Ep, quindi in particolare
dall'eventuale drogaggio. Per le lacune analogamente otteniamo

E _
p mf vdEeE†=å£ G(E) :

, E1:-EF 00 Fr F -E,
= e vr A dE"e`É G(Ev - E") : NV e_`l%“ (6.29)

Per un semiconduttore intrinseco imponiamo che n = p, ottenendo A

5lUn semiconduttore si dice non degenere quando è possibile approssimare H.
distribuzione di Fermi con la distribuzione di Boltzmann.

482
 EF = EC +2 -EV
_
k.-T 1 NC
2 nM ,r
«
(aac)
Quindi Ep sta a metà della gap, a meno del piccolo fattore correttivo.
Infatti, sebbene in generale NC 75 NV, le differenze, che dipendono dalla
diversa forma di G'(E) in banda di conduzione ed in banda di valenza.,
sono piccole. Per il Si il rapporto NC/NV ß 1.77 indipendente dalla
temperatura) ed la correzione a temperatura ambiente è piccola rispetto a
EG. Cio C)Darantisce che il semiconduttore e non deflrenere.
ci _. e che il nostro

calcolo per determinare EF e corretto.

6.6.3 Altro sulla distribuzione di Fermi in semiconduttori

Nel ricavare le espressioni (6.28) e (6.29) non abbiamo specificato che il

semiconduttore fosse intrinseco, quindi esse valgono anche per semicondut-
tori drogati e consentono di ricava.re importanti relazioni come la legge di
azione di massa. È evidente che nel caso di drogaggio non avremo più che
n _ p per cui EF non si troverà al centro della gap. Per un semicondut-
tore di tipo n il livello di Fermi EF si avvicina alla banda di conduzione,
di modo che EC - EF diminuisce e n, dato dalla (6.28), cresce. Per forti
drogaggi il fattore esponenziale nella (6.28) diventa ~ 1 e allora non e più
possibile approssimare la distribuzione di Fermi con quella di Boltzmann,
per cui il semiconduttore diventa degenere.
Unialtra situazione per cui i semiconduttori sono degeneri si ha a T = 0,
anche per drogaggi arbitrariamente piccoli. Consideriamo un semicondut-
tore di tipo n, ottenuto per sostituzione di alcuni atomi tetravalenti con
atomi pentavalenti, ad esempio Si -› P. In buona sostanza il fosforo si
comporta come il silicio nel realizzare il legame, impegnando quattro dei
suoi cinque elettroni di valenza. L”elettrone in eccesso è soggetto alla forza
attrattiva dello ione P+, e il suc› spettro energetico e simile a quello del-
l°atomo idrogenoide, Eq. (6.18). Esso puo rimanere legato al drogante, ma
con una energia di legame molto ba.ssa Eb, in quanto la forza attrattiva del
drogante e schermata dalle moltissime cariche presenti nel solido. Il livello
energetico corrispondente all“elettrone legato è interno a.lla. gap, ed e dato
da EC - E5, mentre l°elettrone “libero” di vagare in banda di conduzione
avrà energia EC. A T _ 0 lo stato fondamentale e quello in cui l°elettrone
in eccesso è legato all”impurità., quindi tutti gli stati elettronici presenti
con energia E < EC - Eb devono essere occupati. Di conseguenza a T = 0
si deve avere EC - E3, § EF < EC e il livello di Fermi si sposta dal centro

483
 della gap ad un valore prossimo ad EC rendendo non valide le descrizioni
che si riferiscono a semiconduttori non degeneri.
Discutiamo ora il significato delle quantità NC ed NV, che appaiono
nelle (6.28,6.29)_ Esso risulta chiaro se le stimiamo nella maniera seguente

oo r il-:JT
NC = Â azfe-fr G(EC + E') e A az' c:(EC + E') (6.31)
approssimazione che mostra come NC sia alliincirca il numero di livelli in
un intervallo di energia ~ k'T in fondo alla banda di conduzione. Analoga-
mente NV dà. all”incirca il numero di livelli in un intervallo di energia ~ kT
in cima alla banda di valenza. Fisicamente si realizza una situazione ana-
loga a quella dei metalli: le proprietà principali sono determinate da una
frazione ~ l0`2 degli elettroni, relativi a due shell di livelli di dimensioni
~ kT al fondo della banda di conduzione e in cima alla banda di valenza.
Di conseguenza, come per i metalli, la caratterizzazione del materiale non
richiede la conoscenza dettagliata della densità di stati G), ma solo il
suo comportamento per E ~ EC e per E ~ EV.
Il comportamento di agli estremi delle bande è riassunto nei para-
metri NV ed NC. Per una descrizione più generale si usano altri parametri.
detti masse efiicaci, che ancora una volta consentono di convogliare l”in-
formazione relativa a tutto lo spettro nella conoscenza di pochi numeri.
Le masse efficaci sono definite in una maniera formale sulla quale non ci
dilunghiamo, tranne che per sottolineare che esse dipendono dalla forma
delle bande di energia vicino agli estremi, EC ed EV. Quindi esse riflettono
in pieno liesistenza delliinterazione degli elettroni col reticolo.

Equazioni semiclassìche
E invece interessante apprezzare la forma semplice e magica con la quale
la massa efficace si manifesta nelle cosiddette equazioni del moto semiclas-
siche Queste sono le equazioni del moto cui obbediscono gli elettroni nei
solidi macroscopici, almeno fin quando gli effetti ondulatori non diventano
preminenti. In un cristallo ideale esse hanno la forma seguente

nigß agli' : Fåffl (6.32)

.8:$:~y-az

Qui ag è una componente dell°accelerazione dell'elettrone, definita come la

derivata seconda rispetto al tempo del valor medio della sua posizione.

434
 Elfi) e la forza esterna, ad esempio un campo elettrico ottenuto imponendo
una differenza di potenziale ai capi del campione, e mag e detta matrice
di massa eficace Una equazione analoga vale per le lacune, con valori
diversi dei coefficienti m,,_g. L°equazione (6.32) è semplice da interpretare.
Se si avesse -mag = mci,,,,,;› essa avrebbe la stessa forma delfequazione di
Nevvton per particelle classiche, md' _ E, e in questo senso il risultato
(6.32) ottenuto dalla trattazione quantistica52 è terribilmente semplice. Il
fatto di avere un tensore di massa m,,,,g non introduce soverchie difficoltà,
vuol solo dire che il moto in direzioni diverse ha una differente inerzia (se
le rum, sono diverse tra loro) e che una forza in una certa direzione puo
determinare un moto in una direzione diversa (se le map non diagonali
sono non mille). Ciò è accettabile anche da un punto di vista classico,
visto che l°elettrone si muove in un cristallo generalmente anisotropo.
Il magico nell°equazione semiclassica (6.32) è che vi compare solo la for-
za esterna, mentre le equazioni del moto classiche dovrebbero contenere la
forza totale, che include le forze esercitate dagli ioni del reticolo. Dunque
le equazioni semiclassìche esprimono una proprietà assolutamente quanti-
stica, ossia che l'elettrone si propaga in un cristallo perfetto senza risentire
di anti con esso. Attualmente si producono campioni con liberi cammini
medi elettronici (la distanza media che un elettrone percorre senza urtare)
che vanno da.i micron ai centimetri, laddove le distanze reticolarí sono al
più di qualche Angstrom. Lielettrone urta con le deviazioni del potenziale
dalla sua forma periodica, siano esse dovute a difetti, vibrazioni reticola-
ri o impurità, oltre che ad urti con altri elettroni. Cio consente di avere
in semiconduttori mobilità abbastanza alte per le applicazioni, malgrado
il numero contenuto (e proprio per questo controllabile) di portatori di
ca.rica. Questo è il segreto del successo dei dispositivi a semiconduttore.

6.7 Aspetti quantistici nei semiconduttori bulk

In conclusione di questo capitolo vogliamo fare una rapida carrellata

degli aspetti della fisica dei solidi, con uno sguardo particolare a n1a.teria.li
di primario interesse per la microelettronica.

52 Beninteso sotto opportune condizioni, tut.t“a.ltro che generali, ma valide in moltissimi

casi pratici in microelettronica.

485

:-.
 6.7.1 Chimica, Scienza dei Materiali e Chimica Quantistica

La ragione profonda per cui un campione di Si appare, a temperatura

ambiente, allo stato solido è la natura quantistica della materia. Tutta-
via ne1l“esprimere certe proprieta elementari è più facile dare per scontata
l'esistenza di una struttura cristallina ed utilizzare il linguaggio della Chi-
mica Inorganica. Il silicio forma quattro legami covalenti, che coinvolgono
i quattro elettroni della sua shell più esterna, con quattro vicini reticolari.
Per questo il silicio è classificato come un semiconduttore del gruppo IV.
Altri esempi di classi sono semiconduttori binari, formati da due elemen-
ti apparteneti a gruppi diversi. Ad esempio Parseniuro di gallio (GaAs).
utilizzato nei dispositivi optoelettronici, è un semiconduttore III-V.
È facile avere una immagine tridimensionale del reticolo, in quanto la
cristallografia classifica le possibili configurazioni reticolari. Quella del
silicio è detta struttura del diamante ed è identica a quella del GaAs, che
però alterna i due elementi nei siti (è detta struttura della Ztncoblenda.
dal composto ZnS). I materiali subiscono modifiche strutturali durante i
processi di fabbricazione. La conoscenza di queste tr-anstzioni dz' fase è
importantissima per il successo dell”attuale tecnologia planare. Lo studio
di questi fenomeni è dominio della Scienza dei Materiali, che impiega una
impressionante serie di ricette di fabbricazione, per dispositivi efficienti ed
affidabili. La Meccanica Quantistica sta al cuore di questi processi, ma
il loro studio in dettagliato e praticamente impossibile. Per fenomeni che
coinvolgono un numero limitato di atomi (delliordine di cento), ad esempio
alla superficie del campione, esistono oggi metodi di Chimica Quantistica.
che utilizzano sofisticate tecniche numeriche.

6.7.2 Fisica e Tecnologia dei dispositivi

Le proprieta della struttura elettronica, che si traducono nella conoscen-

za della densità di stati, sono alla base delle applicazioni. A prescindere
dall”origine quantistica, la struttura a bande per semiconduttori bulk può
essere assunta come un dato di fatto, insieme alle regole per utilizzarla.
come le equazioni semiclassìche, che trasferiscono nei parametri di mas-
sa efficace rn* tutte le conseguenze dell°interazione col reticolo. Alla fine.
per descrivere il trasporto basta immaginare un solido senza reticolo con
elettroni aventi massa variabile col materiale, sui quali agiscono solo forze
esterne, e che urtano con una certa frequenza ostacoli provenienti da difetti

486
nella periodicità. del potenziale. Un'altra regola di provenienza quantistica
riguarda il concetto di lacuna. La banda di valenza di un semiconduttore
e formata da stati ibridizzati, quindi gli elettroni della banda di valenza
possono liberamente muoversi nel solido. Tuttavia il moto è molto strano
e per capire le conclusioni bisogna ammettere che all”interno di una banda
esistano stati elettronici che al medesimo campo elettrico rispondano con
moti in direzione opposta; ciò a dispetto del fatto che, classicamente, il
moto ha la stessa direzione e verso della forza a.pplicata. Se in più con-
sideriamo che in virtù del principio di Pauli tutti gli stati della banda di
valenza sono occupati, concludiamo che, esercitando una forza sull°i11sie-
rne degli elettroni, il moto collettivo dà luogo ad una corrente nulla. Se
estraiamo elettroni dalla banda di valenza, ad esempio impiantando dro-
ganti del III gruppo come il Boro, il moto collettivo degli elettroni non da
più luogo alla compensazione della corrente totale e appare (ossia sodisfa.
le stesse equazioni del moto) come il moto di un certo numero di cariche
positive, le lacune. Quindi una singola lacuna descrive il moto “vero” di
(1023 - 1) elettroni, interagenti tra loro e con il reticolo. impressionante
come questo sistema talmente complicato possa avere un comportamento
collettivo cosi semplice.
Queste semplificazioni rendono possibile lo sviluppo di dispositivi e ar-
chitetture, utilizzando equazioni per particelle classiche, le equazioni di
Boltzmann. Insieme a poche e semplici (ma sofferte nella loro comprensio-
ne profonda) regole di Meccanica Quantistica elementare, che descrivono i
fenomeni di assorbimento ed emissione di fotoni, è possibile coprire anche
la fenomenologia. rilevante per lloptoelettronica fino ai LASER.

6. 7.3 Futuro quantistico

Llenorme progresso nelle tecnologie tradizionali ha portato ad un punto

tale che ulteriori passi avanti richiedono analisi delle proprietà. dei mate-
riali e del funzionamento dei dispositivi che fanno uso della Meccanica
Quantistica. La tendenza alla miniaturizzazione, che ci si aspetta produca
dispositivi più veloci, più integrati e che consumino meno, sta portando
la ricerca applicata ad occuparsi di sistemi in cui sono importanti gli ef-
fetti ondulatori. Si potrebbe inoltre voler intervenire sulle proprietà. di
un materiale, costringendolo ad essere ciò che non è, varia.ndone la gap,
per meglio integrarlo in sistemi di comunicazione, o rendendo otticamnete
attivo un materiale come il silicio, per potere impiegare i noti processi di

487
per la realizzazione di dispositivi optoelettronici integrati. Si potrebbero
infine esplorare le proprieta di nuovi materiali, scendere al livello molecola-
re e sfruttare le capacita di autoassemblaggio dei nano-elementi cireuitali,
oltre che studiare nuove architetture e nuovi principi di funzionamento,
che sfruttino appieno le caratteristiche puramnete quantistiche. Tutto ciò
richiede uno sforzo che in vari Centri di Ricerca e Sviluppo nel mondo coin-
volge esperti di tutte le Discipline già. menzionate e inoltre, per tutta una
serie di importantissimi aspetti a monte e a valle, e solo in parte intuibili
dalla lettura di questo capitolo, competenze di Ingegneria Elettronica, di
Ingegneria delle Telecomunicazioni, di Matematica nei suoi aspetti di Teo-
ria dellllnformazione e di Teoria dei Numeri. E alla line qualcuno dovrà
pensare a vendere il tutto.

488
7. Verso la Nanoelettronica
di Giuseppe Falci e Elisabetta Paladino

Liinvenzione del transistorl ha aperto l”era moderna dell'Elettronica.

Nato solo come alternativa ai tubi a vuoto, questo dispositivo mostro ben
presto tutte le sue potenzialità. di velocità, miniaturizzazione e affidabilità.
Dallfintroduzione dei circuiti integrati2, il numero di dispositivi integrabi-
li su un singolo chip approssimativamente quadruplica ogni tre annig. Il
numero di dispositivi per cm2, cresce nel tempo in maniera esponenziale,
nm; : agg rniffanni), dove m mf 4 (dopo il 2000 il fattore di crescita si e ri-
dotto a in 2 2) e con l°avvento di materiali controllati, come i monocristalli
di silicio, si raggiungono i valori attuali, nm N 109 cm"2. La miniaturizza-
zione e motivata anzitutto dal fatto che il costo di un chip varia poco, di
generazione in generazione, mentre aumentano le performance e il prezzo
di vendita.. Le attuali generazioni di dispositivi hanno dimensioni mini-
me tipichef F < 100 nm che in prospettiva scenderanno a F <1 45 nm.
Un nanometro (nm) è pari ad un miliardesimo di metro, circa dieci volte
il diametro di un atomo di idrogeno. Si tratta di dimensioni incredibil-
mente piccole, che pongono la Nanoelettronica alla attuale frontiera della
Tecnologia dell”Informazione.
La Nanoelettronica opera in quei contesti che richiedono il controllo di
processi e fenomeni fisici sulla scala di qualche decina di nanometri. Que-
sto limite in molti casi segna Femergenza di una serie di nuovi fenomeni,
aserivibili alla natura quantistica degli elettroni. Nata in un contesto di ri-

1William Shockley, John Bardeen e Walter Brattain (1948) vinsero il premio Nobel
nel 1956.
2Sono stati inventati nel 1958 da Kilby, premio Nobel nel 2000.
3Q.uesto comportamento, già. intuito nella metà degli anni `60 è noto come legge di
Moore, da Gordon Moore, allievo di Shokley e tra i fondatori della Intel.
4In inglese minimum feature size, sono le dimensioni del più piccolo dettaglio
fabbricabile del dispositivo, ad esempio la lunghezza di canale di un MOS.

489
 cerca fondamentale, la Nanoelettronica e oggi una disciplina emergente di
ricerca applicata, principalmente volta allo studio di singoli dispositivi con
prestazioni estreme. Essi possono essere sommariamente suddivisi in tre
classi, i dispositivi ad ejjfetti quantistici, i dispositivi a singolo elettrone e i
dispositivi molecolari, ma in ciascuna di esse si manifestano caratteristiche
e principi di funzionamento molto diversi. Nelle proposte più proiettate al
futuro si studiano sia nuovi principi di funzionamento, sia nuovi materiali.
Inquadriamo alcune tematiche di pertinenza della Nanoelettronica, nel-
l°ambito del problema della gestione della Informazione. Essa viene ac-
quisita, trasmessa, elaborata, conservata e convertita in forma “leggibile”
da un utilizzatore, sia esso umano o meccanico. Ogni fase richiede che si
specifichino codifiche e protocolli, ossia il linguaggio con il quale l°infor-
mazione è rappresentata e le sequenze di operazioni atte ad elaborarla o a
convertirla. Accanto a questo livello astratto di analisi, bisogna specificare
i supporti fisici che implementano le operazioni, e in questo contesto opera
la nanoelettronica. Per Pacquisizione si usano sensori quali tastiere o tele-
camere, ma anche sensori nanometrici quali le sonde a scansione tunnel o
nuovi dispositivi come quelli basati sul Single Electron Ttmneling (SET).
che consentono misure ultrasensibili di carica elettrica. Gli attuatori tra-
sformano l”informazione in un formato “leggibile” da un utilizzatore. In
questo segmento si prevedono progressi nelle prestazioni dei display con
Fuso di materiali non convenzionali, come le macromolecole organiche. La
trasmissione dei segnali puo avvenire tramite vari supporti iisici alle varie
scale, cavi coassiali e fibre ottiche nei tradizionali canali di trasmissione a
distanza, interconnessioni tra i dispositivi e data bus per la trasmissione
on chip. Allinterfaccia tra mezzi diversi, dispositivi elettroluminescen-
ti possono garantire canali di trasmissione. Una. frontiera tecnologica di
primario interesse è costituita ad esempio dalla realizazzione di intercon-
nessioni ottiche on chip, che consentirebbero più alte frequenze di clock e
bassa dissipazione energetica. Il cuore della gestione e delllinformazione
coinvolge processori, memorie RAM e memorie non volatili e le principali
linee di ricerca in nanoelettronica operano in questo segmento.
Nella sezione seguente faremo una rapida carrellata delle problematiche
inerenti fenomeni, principi di funzionamento, materiali e architetture, cui
la nanoelettronica è chiamata a dare prospettive. Nella restante parte del
capitolo descriveremo alcuni fenomeni fisici caratteristici della materia su
scala nanometrica, che sono anche ingredienti essenziali per la analisi dei
principi di funzionamento delle nuove generazioni di nanodispositivi.

490
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Fig. 7.1 - (a) Schema di un transistor tradizionale. (b) La corrente Igjg è

modulabile tramite la tensione V9. (c) Operando con V9 si crea uno strato
di inversione alla superficie del semiconduttore p, che costituisce un canale
elettronico per la conduzione tra S e D. (cl) In IVIOSFET con ossidi sottili
(~ 2nm) la regione di inversione è rappresentata da una buca di potenziale
triangolare, che presenta effetti quantisici di confinamento.

7.1 Verso la ULSI

Il più comune dei transistor oggi in uso e il MOSFET (l\/lctal-OXide-

Semiconductor Field-Effect Transistor5). È un dispositivo a tre terminali:
due elettrodi (Source e Drain) sono connessi ad un canale di materiale
semiconduttore, la cui lunghezza è generalmente la dimensione minima ti-
pica F del dispositivo. La densità. elettronica ri. nel canale e modulabile
applicando un potenziale elettrico V9 ad un terzo elettrodo (Gate), a sua
volta separato dal canale da una barriera isolante. Per variazioni di l/5, di
frazioni di Volt, ri. può variare di parecchi ordini di grandezza, e con esso la
conduttanza del canale, data da o' = e un (pi è la mobilita), che al variare
di Vg passa da valori estremamente piccoli a valori dell“ordine di 1Q"1.
Il dispositivo ha quindi la funzionalità. di un interruttore (switch), oltre
che di un amplificatore, in quanto trasduce piccole variazioni di tensione
in grandi variazioni di conduttività.. Lo stato (la corrente Igp) di ogni
dispositivo puo essere controllato da un altro dispositivo (da un°altra cor-
rente), come nel Bipolar Junction Transistor (BJT), dove realizzata una
dinamica condizionale. Queste caratteristiche dei dispositivi FET devono
anche caratterizzare le generazioni di nuovi dispositivi.
Un parametro importante e la mobilita ue, che deve essere suflicien-
t.emente grande, per dare grandi correnti di canale, che consentono ri-

5Fu introdotto da Shockley nel 1952.

491
levanti effetti di amplificazione (misurati dal rapporto Aigp/(Al/9)), e
piccoli tempi di commutazione “intrinseci”, tm N CgV5D/Imi. Il suc-
cesso dei semiconduttori sta nel fatto che essi consentono di modula-
re facilmente n e nel contempo le moderne tecnologie di crescita danno
campioni sufficientemente puri, per i quali si raggiungono alte mobilita.
Valori di ,ii ì:=> 105 cm2/(Vs) sono stati ottenuti a temperatura ambiente
in Gal-is/GaAlAs e si ritiene che anche in Si drogato (~ 1018 cm_3) sia
possibile ottenere valori non di molto inferiori.
In questo contesto le proprietà. ondulatorie sono irrilevanti, ma è fon-
damentale il ruolo del principio di Pauli e della distribuzione di Fermi nel
limitare, per V < l/th, la densità. di carica alla superficie del MOS e nel
determinare, al contrario, il riempimento dei livelli in regime di inversione.

7.1.1 Miniaturizzazione e i suoi indicatori

Un importante indicatore del grado di integrazione è la grandezza nm.

La crescita nel tempo di n,;,.,;, determina la diminuzione dell”area occupata
da ogni dispositivo. Di conseguenza le dimensioni lineari del singolo dispo-
sitivoô LD diminuiscono, con legge LD oc /2,e naturalmente diminuisce
anche F. Per dare un”idea, la tecnologia a 0.5 Mb (ossia nb,,; = 5- 105 cm_2)
introdotta dalla Hewlett Packard nel 1980 corrisponde a LD ~ 15 um e a
lunghezze di canale F w 1.25 um. La tecnologia a 64 Mb antecedente al
1998 utilizzava dipsositivi CMOS con LD ~ lum e F = 0.35 um. Le
proiezioni per i dieci anni successivi prevedono la produzione di chip con
tecnologia a ~ 4Gb, per cui i dispositivi stessi hanno dimensioni sub-
micrometriche LD ~ 150 nm e lunghezze di canale inferiori ai 100 nm,
dominio della Nanoelettronica. Dispositivi singoli di queste dimensioni,
con lunghezze di canale F ~ 20¬40 nm sono stati già. prodotti negli anni
'90. Il loro comportamento e ancora riconducibile alle normali funzioni
di dispositivi più grandi, ma essi già. mostrano problemi legati alla natura
ondulatoria degli elettroni. Proiezioni su un altro decennio prevedono che
la tecnologia CMOS affronterà il nodo dei 45 nm, e arriverà a lunghezze di
canale F N 7nm, in pieno regime di trasporto quantistico, per il 2019.
Un altro parametro fondamentale è il tempo di ritardo td, che rap-
presenta la durata di un operazione e da la frequenza massima di clock
ƒmm; = ß/td (qui 8 m 0.1~0.3). ln generale td 13 tm. Questiultimo è un
'Hi
|

Öln inglese la cell siae.

492
tempo “intrinseco” del dispositivo senza carico, mentre td si riferisce a con-
dizioni operative, ed è stimato da td ~ GLVSD/Isat, dove GL è una somma
di contributi del dispositivo (G9), delle interconnessioni e del carico.
La miniaturizzazione implica direttamente la diminuzione di Gg e indi-
rettamente? quella di t_,.,,_,. In questo modo sono stati ottenuti valori di tw
inferiori al picosecondo in singoli PET con lunghezze di canale F <1 20 nm.
Al diminuire delle dimensioni, dapprima td diminuisce con tw, finché gli
effetti delle interconnessioni metalliche e del carico diventano dominanti.
A fronte di previsioni per il prossimo decennio di dispositivi con frequenze
intrinseche fino a 1/ts-U, ~ 10 THz, le corrispondenti velocità. effettive di
clock arriveranno a ƒ ~ 50 GHz. Questo limite non può essere aumentato
cambiando liimplementazione del dispositivo.
Un importante indicatore globale, è la Operation Density

OD : (7.1)
ia
che rappresenta il numero di operazioni al secondo per cmg. La OD va
massimizzata in quanto il costo di un chip non aumenta sensibilmente se
Pintegrazione cresce. Visto che, almeno a presente, la diminuzione di Gg
comporta una diminuzione di td, la miniaturizzazione implica un aumento
di OD sia tramite liaumento di nbü, sia tramite la diminuzione di td.
Un altro indicatore è la potenza dissipata per operazione logica

E
P, : T: (72)

dove Ed è lienergia dissipata per operazione, e comprende processi fisici nel

dispositivo, nel circuito e per operazioni accessorie, quali la stabilizzazione
termica. Un indicatore globale è la potenza dissipata al cm2

PD I 'ifitbü Pd : Ed

che mostra come un aumento di OD comporti un aumento i PD e introduca

il nuovo problema della rimozione del calore dissipato da un circuito a forte
integrazione. Valori di PD ~ 100 W'/cm2 sono da considerarsi un limite
compatibile con la realizzazione di sofisticati sistemi di raffreddamento.

?Nello scaling si considerano geometrie di dispositivo c.he mantengano grandi le cor-

renti di saturazione, Imi, ad esempio mantenendo circa costente il rapporto LD/F m
20.

498
 Il regime di miniaturizzazione da F ~ 100 nm a F ~ 10 nm per un chip
e dominato dall“esigenza di mantenere PD costante, e non superiore a
~ 100 W/cmg. Quindi, visto che per la frequenza massima di clock si ha

1 PD
.fmaz N F N 2?
.fi anta

Faumento di ng, deve essere accompagnato da una diminuzione di ƒm,,,,-,,,

che può diventare drastica (fmm oc F_2) se lienergia Ed non dipende dalle
dimensioni del dispositivo, e in particolare da F, se cioè esiste un limite
minimo per Ed legato solo alla funzione che il dispositivo svolge.

7.1.2 L'Informazione è fisica

Lo studio dellimplementazione fisica dei dispositivi che gestiscono l”in-

formazione è l”aspetto più evidente della connessione profonda tra le risorse
di informazione e la loro controparte “materiale”. Questo rapporto si fa
più intimo al crescere del grado di miniaturizzazione, e determina i limiti
fisici dei processi di computazione. Questo è il senso della celebre frase di
Rolf Landauer l' informazione è fisica.
L°elettromagnetismo pone limiti alla velocita di propagazione del se-
gnale, la cui eleborazione su grandi distanze L_,,. può avvenire in tempi non
inferiori a fr ~ \/e_._..L,,,/c dove c è la velocita della luce e 5,. e la costante
dielettrica relativa del materiale che circonda Fintercoiinessione. Questo
problema, trascurabile per una singola interconnessione con L,,, ~ 100 nm,
diventa rilevante per la globalità. delle interconnessioni su un chip.
La termodinamica statistica classica stabilisce un limite minimo per
Penergia dissipata per operazione logica

Ed 2 ÈT lIl2

dove k è la costante di Boltzmann e T è la temperatura assoluta. Questo

limite è legato all”energia necessaria per cancellare una semplice cella di
memoria ed e stato evidenziato e discusso da Feynmann e da Bennett.
Infine la Meccanica Quantistica stabilisce la diseguaglianza AE 2 h/At
tra Pindeterminazione dellienergia e la vita media di uno stato che si
traduce nel limite

Ed 3 li/id (re)

494
 Come gia osservato, un limite fondamentale al valore minimo di Ed
implica che PD o< F 72, per cui è inevitabile entrare nel regime in cui, per
limitare PD bisogna limitare le frequenze di clock.
Il messaggio di principio che è che lo studio Pinformazione e la computa-
zione sono legate all*analisi dei processi fisici che avvengono nei dispositivi
in cui essa è codificata ed elaborata. Il mondo microscopico è descritto
dalla Meccanica Quantistica., quindi Felaboraziioiie dell`informazione va vi-
sta come l°evoluzione temporale controllata di sistemi quantistici aperti.
Questa è una delle argomentazioni che hanno portato a concepire nuove
strade di ricerca che vanno sotto il nome di Informazione Quantistica.

7.1.3 Fisica Mesoscopica e Nanoelettronica

Nata sotto il nome di Fisica Mesoscopica in un contesto di ricerca. fon-

damentale, la Nanoelettronica è oggi una disciplina emergente di ricerca
applicata. Sin dall°'inizio degli anni *S0 sono stati studiati dispositivi che
manifestano effetti quantistici mettendo in luce tutta una serie di fenome-
ni peculiari. Esempi sono gli effetti del rumore quantistico in dispositivi a
superconduttore, l°effetto Hall quantistico, e la scoperta di variabili quan-
tistiche macroscopiche associate a dispositivi di qualche micron. Vennero
fabbricati i dispositivi a singolo elettrone, vennero evidenziati effetti co-
me le correnti persistenti in anelli metallici, le fluttuazioni universali della
conduttanza, e nacque la teoria del trasporto quantistico.
Alcuni di questi fenomeni, che si manifestano attraverso costanti fon-
damentali (come la conduttanza in QPC, quantizzazata in unita di 2e2 /li,
Fig. 6.1), sono stabili per variazioni nella geometria o nelle condizioni
esterne al dispositivo. Questa circostanza, oltre al fatto che oggi la fe-
nomenologia e ben compresa, ha stimolato la ricerca di applicazioni. La
fisica mesoscopica studia singoli dispositivi, con parametrizzazione spinta.
Se lato la strada per llintegrazione è ancora lunga, d“altro canto cio ha
consentito applicazioni in metrologia e in sensoristica.
Una motivazione di questi studi fu l°indagine di regimi fisici incsplorati,
dove comportamenti quantistici si manifestano in sistemi aperti. I sistemi
aperti, in perenne interazione con un ambiente, sono continuamente sog-
getti a rumore prodotto da sorgenti esterne. Questa è la regola nel mondo

495
 inacroscopicog, ma non nel mondo microscopico, dove i comportamenti
quantistici sono netti. I sistemi mesoscopici si trovano in un regime in-
termedio, non facilmente leggibile a causa delle delicate dipendenze dalle
proprieta dei materiali, dalla purezza e dalla geometria dei dispositivi.

7.1.4 Verso la ULSI

L°analisi convenzionale della dinamica dei dispositivi elettronici è basa-

ta sull'equazione di Boltzmann, che nasce in ambito classico per descrivere
la cinetica dei gas. Nei solidi la dinamica quantistica degli elettroni da
luogo a comportamenti relativamente semplici, descritti dalle equazioni
semiclassìche (6.32), ed includendo l”effetto degli urti si perviene appunto
all°equazione di Boltzmann, beninteso a determinate condizioni. Prescin-
dendo da queste, l”analisi convenzionale porta ad limite minimo F ~ 30 nm
perché un FET funzioni nella maniera usuale. Questo limite è dovuto an-
zitutto alla necessità. di mantenere differenze di potenziale ~ 1V su di-
stanze piccole, che implica la presenza di campi forti. Una conseguenza
è lo aoalanclie breakdoion, ossia la presenza di correnti Igp composte da
molti elettroni altamente energetici prodotti per ionizzazione da impatto
nel canale, che progressivamente danneggiano il dispositivo. Inoltre vi è
la possibilita di danneggiare l°ossido di gate, che in dispositivi scalati ha
spessore inferiore ai 2nm. Altri fattori limitanti sono legati alla poten-
za dissipata e al surriscaldamento, nonchè alla scarsa riproducibilità. dei
parametri di dispositivi piccoli fortmente integrati.
Ulteriori limiti vengono dalla natura ondulatoria, che comincia a ma-
nifestarsi gia al di sotto dei 100 nm. Sono stati studiati singoli dispositivi
con lunghezze di canale fino a F ~ 20 nm dove la presenza di ossidi di
gate più sottili (~ 2 nm) determina forti campi elettrici allinterfaccia, e di
conseguenza la regione di inversione è una buca di potenziale (triangolare)
profonda, per la quale lo spettro energetico è discreto.
Riassumiamo di seguito gli aspetti principali della natura degli elettroni,
che diventano importanti in nanodispositivi.

1. Dinamica ondulatoria _ La natura ondulatoria della dinamica de-

gli elettroni in regioni di dimensioni L ridotte, ossia L dell”ordine della
lunghezza d'onda di De Broglie À degli elettroni (al variare dei materiali

SII comportamento classico è proprio indotto dalla forte interazione degli oggetti con
l”ambiente circostante. -

495
Fig. 7.2 - A causa degli urti con le impurità un elettrone ha diverse alter-
native di percorso da source a drain. Esse interferiscono, e il contributo di
interferenza dà luogo a fluttuazioni universali della conduttanza, di ampiezza
eg/li. ln dispositivi molto piccoli questa è una frazione rilevante della con-
duttanza totale, che quindi varia da dispositivo a dispositivo, al variare della
configurazione delle impurità.

va da À ~ 1 nm nei metalli a /\ ~ 100 nm per elettroni di conduzione nei

semiconduttori, a temperatura ambiente) produce effetti spettacolari
in campioni particolarmente puri, ossia con libero cammino medio lg,
suflicientemente lungo.
2. Effetti del disordine ~ Quando L,W ~ À la propagazione elet-
tronica è descritta ora dalla teoria del trasporto quantistico. A scale
di lunghezza cosi piccole un semiconduttore drogato non è più unifor-
me, ma va visto come un sistema disordinato a grande conducibilità, e
il trasporto quantistico è molto sensibile alle diverse configurazioni di
impurità. Le variazioni della conducibilità da dispositivo a dispositivo
limitano fortemente liafiidabilità in caso di forte integrazione.
Ad sempio un canale MOS (L = 50 nm e W = 100 nm) contiene circa
100 elettroni (per densità di 2 - 1012 cm“2). Un drogaggio di 1018 im-
purità per cm3 corrisponde ad una distanza media tra le impurità di
~ 10 nm. Un cubo di 100 nm di lato ne contiene un migliaio e il canale
MOS qualche unità. Le variazioni statistiche da dispositivo a dispo-
sitivo del numerog e della configurazione delle impurità producono, in
presenza di dinamica ondulatoria, fluttuazioni unioersali della condut-
tanza stimabili da e2/h ~ 40 |,iS. Esse sono rilevanti in dispositivi con
conduttanza media di 100 uS (corrispondente a conducibilità di 1 S per
di l/V : 1 mm) e pongono un limite severo all”'integraz-ione.
3. Effetto tunnel - Per effetto tunnel compaiono correnti parassitc.
Infatti le regioni di svuotamento possono essere talmente sottili da non
prevenire il tunneling tra source e drain quando il dispositivo è nello

9Per un insieme di campioni, se numero medio di impurità è N,...,,, le fiuttuazioni

sono date da ~ ¬, /N,,†,,,,. Se N,_m,, = 10, le fluttuazioni sono di circa il 30%.

497
 vu) l" ,_ voi) A ,
Vmax / E :P vmflfi

mar. :F - ;..
a X a K
b li)

Fig. 7.3 - (a) Una barriera di potenziale è una regione classicamente accessibile
da una particella solo se la sua energia cinetica è abbastabza grande, E >
Vmm. (b) Le proprietà ondulatorie della materia consentono ad una particella
con energia E < Vmam di passare la barriera di potenziale per effetto tunnel.

stato off. Inoltre la presenza di ossidi di gate più sottili rende possibile
il tunneling attraverso essi. Nei tradizionali MOSFET il tunneling è un
effetto parassita, ma in vari dispositivi allo studio in nanoelettronica
esso è l“unico meccanismo che garantisce il trasporto di carica.
4. Confinamento _ Diventano importanti gli effetti di spettro discreto
e confinamento. Questo si traduce nella comparsa di una nuova scala di
energia 5, la spaziatura dei livelli energetici o l°energia di confinamen-
to. Tutte le proprietà di trasporto dei nanodispositivi dipenderanno
qualitativamente dallienergia 5.
5. Effetti di charging -_ Sono effetti legati alla forte interazione elet-
trostatica tra elettroni. Per comprenderne liorigine, ricordiamo che le
correnti in un nanodispositivo possono avere valori delliordine del pi-
coampere. Non è più possibile trascurare la natura granulare della ca-
rica, ossia il fatto che tutti i passaggi di carica avvengono per unità
minimali, la carica dell°elettrone e m 1.6 - 10719 C. Caricando regioni
isolate di conduttori, ad e corrisponde una energia elettrostatica minima
U , che può costituire una ulteriore scala nei problemi di trasporto.

7.2 Effetto tunnel

Se lanciamo una pallina contro un°ostacolo essa lo passerà solo se la

sua energia e abbastanza grande (si veda la Fig. 7.3.a). Se la pallina sci-
vola senza rotolare e trascuriamo gli attriti, possiamo affermare che se
E > Vmm la pallina con certezza passerà Postacolo, mentre se E < Vmar
con certezza tornerà indietro. Invece la Meccanica Quantistica, prevede

498
 xruu gi VULI T

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_inDUi - - output

Fig. 7.4 - (a) Tunneling come problema di propagazione di onde. La matrice

di trasferimento T dà la relazione tra i campi dell'onda incidente (vettore
d'onda kl), dell'onda riflessa (-kl) e dell'onda trasmessa Dal rapporto
tra le intensità, legate al quadrato dei campi, si ottengono i coefficienti T
ed R. (b) Più barriere in successione sono descritte dall'algebra delle matrici
e non da quella dei coefficienti. Per il tunneling risonante serve il prodotto
di matrici Tm = EDT; dove si riferisce alla singola barriera e D alla
propagazione nella regione intermedia. ln generale Tm % T1T; e si può anzi
avere T,,,,t(E.,,) :-':: 1, sebbene individualmente T1(E,.,), T2(E,,) << 1.

che la pallina possa passare anche se E <1' l/,,,,,,,,,, (effetto tunnel), con pro-
babilità data dal coefficiente di trasmissione T > 0 e, per contro, che se
E > Vmm, la pallina possa tornare indietro con probabilità data dal coef-
iiciente di riflessione R > 0. Questo è un effetto ondulatorie, che ha forti
analogie con la trasmissione di un segnale elettromagnetico attraverso una
regione a costante dielettrica non uniforme. Entrambi i fenomeni hanno
la rappresentazione “circuitale” mostrata in Fig. 7.4. La corrente incidente
JA dà luogo ad una corrente trasmessa JÃ = TJA e ad una corrente riflessa
JA: = RJA. Il tunneling conserva Penergia E della particella e vale la re-
lazione R = 1 - T. I coefficienti dipendono dall°energia E della particella,
e da caratteristiche della barriera (la sua altezza l/,,,,,,,,,, il suo spessore d,
la sua forma). Per una barriera rettangolare, se E << I/},,,_,,,, si ha che

ris) se @t%~/2r»<rme-Eli (rr)

quindi il tunneling à esponenzialmente soppresso con lo spessore della bar-

riera. facile vedere che, nel caso degli elettroni, barriere di ~ 1 eV danno
valori di T rilevanti solo se d § 1 nm. Per piccoli oggetti comuni, m ~ 1 g
il tunneling si avrebbe su distanze 1013 volte più piccole, e Peífetto tunnel
à di fatto inosservabile.
 La natura ondulatoria degli elettroni si rivela appieno con il fenomeno
del tunneling risonante. Poniamo sul percorso dellielettrone, una seconda
barriera con coefficiente di trasmissione T'. Se il tunneling fosse stocastico.
il coefficiente di trasmissione totale sarebbe T,got : TT' e la probabilità di
trasmissione sarebbe molto bassa, in quanto Tm; < T, T' < 1. Invece in
corrispondenza di certi valori di energia E',,, risulta T,,,,,;(E,.,) m 1, cioè la
trasmissione delle due barriere insieme è molto più grande della trasmissio-
ne delle singole barriere. I valori En corrispondono approssimativamente
ai valori di lunghezza dionda di De Broglie per cui si ha un°onda stazio-
naria nella regione tra le due barriere, n/\/ 2 : L, ed E,., sv.. h,2n2/ (8mL2).
le energie degli stati stazionari di una buca di potenziale di dimensioni L.
Eq. (6.16). Quindi se l°elettrone può “vivere” nella regione intermedia, il
tunneling attraverso le due barriere diventa risonante. Questo risultato è
valido anche per barriere generiche, e costituisce la base del funzionamento
dei dispositivi a tunneling risonante (RTD).
Il tunneling risonante è un fenomeno coerente, che dipende in maniera
cruciale dalla relazione di fase tra onde trasmesse e riflesse da ciascuna bar-
riera. Esse interferiscono, costruttivamente o distruttivamente, a seconda
delle geometrie. Se si avessero forti fluttuazioni di tensione nei circuiti
che definiscono elettrostaticamente la geometria, si avrebbero contributi
aleatori alle fasi che distruggerbbero la coerenza, nel qual caso Tm = TT'_
cioè il tunneling alle due barriere è stocastico e sequenziale.

7.2.1 Giunzioni tunnel

Una giunzione tunnel e costituita da due materiali separati da un sot-

tile strato isolante, generalmente un ossido. Se lo spessore delliossido è
d ~ 10-20A è possibile trasferire elettroni per effetto tunnel. Giunzioni
“grandi” tra metalli hanno superficie affacciata S ~ 1000 um2. Le tecni-
che di litografia elettronica consentono di produrre giunzioni tunnel con
S ~ l0_2-10_4 um2, nelle quali si osservano gli effetti di charging.
La caratteristica I-V di una giunzione tra metalli normali segue la leg-
ge di Ohm, V = Ri I, dove Ri è la resistenza di tunneling. Esiste però
una differenza fondamentale tra un resistore e una giunzione, in quanto
in quest”ultima il trasporto avviene per tunneling di unità discrete di ca-
rica, pari ad e. In giunzioni grandi la differenza si manifesta solo nelle
correlazioni della corrente ad istanti diversi, quantificato dallo spettro di
potenza SI (iu): una giunzione polarizzata in tensione dà luogo a shot noi-

500
 l L"*R° I elettrodi metallici
| L
.. ri»-i -
Li A* Rei
-f isolante _ ,xiv giunzione

Fig. 7.5 - Schema di giunzione tunnel “overlap", con elettrodi metallici. Il

tunneling elettronico ha luogo attraverso la parte sottile dello strato isolante.
Materiali impiegati per gli elettrodi sono tipicamente Al, Nb, Au, Pb. Lo
strato isolante è il relativo ossido. ll substrato e in genere SiOg.

se, S;(0) : 2e I, mentre un semplice resistore R dà luogo a rumore di

Nyquist,

' to KT
: iãi COÈll( ) (gf-1 T

dipendente dalla temperature T e non dalla corrente I del dispositivo.

Tunneling in giunzioni
Diamo ora un°idea della maniera in cui si ricava la caratteristica I-V di
un contatto tunnel. Una giunzione (Fig. 7.5.a) può essere riguardata come
un pezzo materiale diviso da una barriera di potenziale. Se il tunneling
e debole il sistema e costituito da due parti quasi isolate, dove il quasi si
riferisce alla possibilità che un elettrone dalllelettrodo di sinistra (L) passi
all°elettrodo di destra Globalmente il sistema passa da un certo stato
iniziale ll) ad uno stato finale |F) e la meccanica quantistica dà modo di
calcolare il tasso relativo a questo processow

2 lii,~.¬,l2(>(vif,.¬»i/io)
rp, = 7:- - (rs)
Il processo puo essere impossibile, se viola leggi di conservazione, nel qual
caso può risultarell AF; _ 0. La legge di conservazione delllenergia appare
nella (7.9) tramite la funzione ö(l/VF - WI). Bisogna identificare l/VF - WI,
tenendo conto che ad essa possono contribuire diversi fattori, dal materiale
wii tasso à la probabilità per unità. di tempo che il processo avvenga. Questa formula
è det.ta. regola d°oro di Fermi.
llQueste relazioni si chiamano regole di selezione.

501
 ial' (hl li-il
.G-'|l'El " E E' {].',{E*,1 † 5
E I l l l .-' l
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_\I': I “"'"'r/_'_";\'l"" 4

:šfllf/'I 'l' -"~.§_%f'l"l' -l*~.q\_ll-E/'I 'l'

Fig. 7.6 - Descrizione microscopica del tunneling in giunzioni metalliche di-

rettamente polarizzate. (a) un elettrone passa dallo stato li di L allo stato
fidi R; il processo è istantaneo e incrementa sia l'energia configurazionale di
E',_;›¬- EE sia l'energia elettrostatica; (b) un altro elettrone lascia |'elettrodo R
e attraverso il circuito giunge all'elettrodo L, ristabilendo l'equilibrio di carica
e cancellando la variazione di energia elettrostatica; nel passaggio, il genera-
tore compie istantaneamente il lavoro Wg = el/2,; (c) Rimane nell'elettrodo
R una eccitazione, che decade per emissione spontanea di fononi, dissipando
l'energia pompata dal generatore e riportando il sistema allo stato iniziale; il
processo ha luogo su tempi più lunghi e non va considerato in Eq. (7.11)-

alla struttura dell°elettrodo, e il fatto che la giunzione è connessa ad un

circuito, e i generatori compiono lavoro durante il processo.
Analizziamo allora un processo di trasferimento di un elettrone da uno
stato da L ad uno stato lrƒ) in R. La conservazione dell°energia
impone che la variazione di energia microscopica del sistema sia pari al
lavoro l/V5, fatto dai generatori, A5 = Wg. Ciò consente di identificare la
quantità che deve annullarsi

VVF - W; I A8 - l/V5. (7.10)

Questa espressione generale si applica ad una grande varietà di situazioni.

ma è opportuno anzitutto esaminare un caso semplice, quello una giunzione
tunnel tra due elettrodi con spettro continuo, polarizzata direttamente.
Le fasi del processo di tunneling sono illustrate in Fig. 7.6. Un elettrone
passa da uno stato di energia EE delllelettrodo L ad uno stato di energia
E5 delllelettrodo R. Istantaneamente il generatore riporta un elettrone
all°elettrodo L, compiendo un lavoro l/V9. : el/,,. e ristabilendo la neutralità
di carica. La conservazione delllenergia è allora espressa come

WF » W; : E5- 12,; - eV,,` (7.11)

592
 í

(ii'E-1;.) *_ E: G{i'5'l-fiël G(E_Ec) ›E_ E E ,

R_,,ƒ 1 GU? -E J
u .. - .- -- - .........:...
nei
. . _.....›................. ...._

i. _

'E
. C irc:i E
° l..

, Eƒcì

Fig. 7.7 - (a) Processi L -› R e R -› L che conservano l'e-nergia, e inter-

vengono nei tassi totali (7.14) e (7.15). (b) Una rappresentazione alternativa:
traslando GR(E") della quantità el/,E e definendo i potenziali elettrochimici
ug, : il e ug = ,u - el/3,, si ottengono i tassi nella forma dell'equazione
(7.22); i processi che conservano l'energia sono "orizzontali", E = E”.

La caratteristica I-V si ottiene sommando il contributo di tuttii possibili

processi. Ad esempio il ta.sso totale di tunneling di elettroni L -> R è

1¬L_›R = 2_/1¬Ef<»-E fffE _ /~1«lGL(E _ EC) dEl'

{l1 - f(E' - /«i)lGR(E' - E5) dE'} (7-12)

Abbiamo supposto che i tassi elementari FF; Eq. (7.9) dipendano solo
dalle energie E (iniziale delllelettrone in L) e E' (finale dell°elettrone in
R). Il fattore due conta lo spin. Compare la distribuzione di Fermi (6.20)

ffffl : T (7-13)

Qui G,§,(E -EQ) e la densità di stati delllelettrodo L, che è una funzione no-
ta. Qui ƒ (E - ii) GL(E -EQ) dE è il numero di stati occupati delllelettrodo
L con energie in (E, E+dE]. Analogamente [1-ƒ(E'-)u.)] GR(E'-Eå.) dE"
si riferisce agli stati non occupati delllelettrodo R. chiaro allora il si-
gnificato dell°integrale che dà I`L_,R. Per procedere scriviamo i tassi ele-
mentari usando la (7.11), nella forma I`E«,_E -° 2'rrlA|2/ñ 5(E' - E - el/1,),
ossia trascurando la dipendenza dalle energiem delle App Otteniamo

12Questa semplificazione perde di validità per sistemi nanometrici.

508
un'espressione trasparente, rappresentata in Fig. 7.7.a

tua = 4-”',1,fif «IE fw - metta - Ea

ll t- f(E - ii + eVellGa(E + el/fa - E5) (7-14)

che consente anche di scrivere facilmente il tasso totale R -fi L

1¬R-›L = dEl1-ffE_/~f›llGr.(E¬Eol

ƒ(E - u + eV,,)GR(E + el/,_., - (7.15)

e un'espressione generale per la corrente totale I = e[I`L_,R - l¬R_.L]

2
I = ilåíf di: GL(E _ EC) GR(E + ev, _ E5)
(7.16)
lf(E - H) - .f(E - ti + ci/all
Come applicazione studiamo il caso semplice del tunneling tra due me-
talli normali. A causa delle funzioni di Fermi, llintegrando della (7.16)
è circa uguale ad uno nell°intervallo E E lu - el/3,, /1.] e sostanzialmen-
te nullo altrove. Per metalli normali la dipendenza delle densità. di sta-
ti dall`energia in questo intervallo è debole, per cui si può approssimare
GR(E + el/`_.,,. - ß GR(,uR - e analogamente GL e scrivere

I = ƒ
«IE ifiß - ti - fw - il + ti/.ii rr-11)
Ii
R - F f f f ~
* riif-2214112 Gio - EC) Gav - Ea l 7.18 l
A temperatura nulla llintegrando nella (7.17) e la combinazione di due fun-
zioni gradino ed è facile vedere che llintegrale vale elå. Lo stesso risultato
si ottiene anche a temperatura finita. Abbiamo dunque ottenuto la legge
di Ohm nella forma I : l/1,/R4.

504
 I tassi parziali l¬L_.R e l¬R_.L si possono ottenere calcolando diretta-
mente gli integrali o utilizzando il principio del bilancio dettagliato, che
illustreremo più avanti. Essi consentono di trattare il tunneling come un
processo stocastico, e di calcolare proprietà. come il rumore di corrente.

7.2.2 Proprietà generali del tunneling

Qualche commento sui risultati. Il tunneling per giunzioni direttamente

polarizzate tra metalli normali, semiconduttori, superconduttori o metal-
li con densità spettrali più complicate (ad esempio i ferromagneti), puo
essere studiato a partire dalle (7.16). Per il tunneling tra quantum dotlg
e tra strutture molecolari è necessaria qualche modifica, perché bisogna
considerare nuove scale di energia, perché le quantità Ap1| hanno una di-
pendenza rilevante dallo stato iniziale e finale, e per il fatto che lo spettro
è discreto.
Il fatto che per polarizzazione diretta la conservazione dell°energía (7.11)
esclude lienergia elettrostatica, è indicato col nome di global rule, e cor-
risponde alla descrizione microscopica in Fig. 7.6. Essa deriva dalla defi-
nizione di generatore ideale, capace cioe di asportare istantaneamente la
carica appare su R e di portarla ad L attraverso il circuito, ripristinando la
configurazione di carica iniziale, per cui la variazione di energia elettrosta-
tica e nulla, AULLR : 0. Un generatore reale è descritto aggiungendo una
resistenza R in serie ed è possibile scrivere un modello di circuito quanti-
stico dissipativo. L°analisi richiede un trattamento complesso che, a meno
di effetti legati al rumore di Nyquist di R Eq. (7.8), conferma i risultati
ottenuti solo nel caso in cui R << RK << Ri, dove

h
RK _ ~ 12 l«:Q (7.19)
_ 2e2 N
è il cosiddetto quanto di resistenza o resistenza di Klitzinglfi.

Potenziale chimico, potenziale elettrochimico, energia di Gibbs

Facciamo a questo punto una precisazione sulla distribuzione di Fermi.
gia Ep che compare nella (6.20) ha un significato fisico in termo-
feriamo mantenere le espressioni inglesi quantum dot di punto quantico, quantum
14 di filo quant-ico e quantum well di pozzo quantico, perchè comuni in letteratura.
La resistenza RK caratterizza l”effetto Hall quantistico intero, scoperto da Klitzing,
che ebbe il premio Nobel nel 1985, Dorda e Pepper.

505
dinamica, e per questo nella sezione precedente à stata indicata con ii, il
potenziale chimico. In effetti il principio di Pauli permette solo di ottenere
una forma generica della distribuzione di Fermi, ƒ (E - ii.) dove ƒ è data
dalla (7.13). Il potenziale chimico ,ii e legato al numero medio di parti-
celle15. Precisamente ii è la variazione del valor medio dell°energia degli
elettroni (ossia delllenergia interna configurazionale) per Paggiunta di
una particella, mantenendo volume e temperatura costantilfi. Usiamo il
termine particella e non elettrone perché l°'energia interna cui ci riferiamo
è quella di un elettrone senza carica, ossia esclude l'energia elettrostatica,.
Rappresentiamo ora le formule per il tunneling per polarizzazione di-
retta in modo che esse siano generalizzabili al tunneling attraverso le na-
nostrutture. conveniente misurare le energie a partire da ii, ad esempio
per llelettrodo R si può porre E5 = c@›+ pi. Operando questo cambio di
variabili per entrambi gli elettrodi nella formula dei tassi (7.12) otteniamo

rL_.R = 4 A2 dE¢iE*'5(€'-r- ev,,)

(7.20)
f(f) ll - f(f')l Gr(fi + ri) GR(fi' + ri)

E utile studiare questa relazione a T = 0, dove la presenza delle funzioni

di Fermi implica che il tasso è non nullo solo se e < 0 e c" > 0, per cui il
processo avviene solo se V2, > 0. Questa condizione evidente va riformulata.

“Esso va determinato imponendo che riproduca il numero medio di particelle, ossia

che risolva Pequazione

1
N = ƒaEo(E) 1 + e(E_,,,,,,,,,,

Invertendo Pequazione si trova ,ri : ,u(V, T, N) per lo specifico materiale. Per il fat-
to che esprime una media, ,a ha un significato macroscopico, quindi è una grandezza
termodinamica.
15Per provare questa asserzione basta calcolare

a(E) _ ƒdeßecßiiåfie-viiev. _ ƒdfleieiiå,-f(E-vi]ire-v>+vi _

.::~.N VT ƒdeeceiigfie-viiev ƒ-:isf:-'ieiiåfiß-vi] _”

dove si trascurano variazioni di G(E) per E ai ,ii e si utilizza il fatto che lå ƒ (E -

à simmetrica in E - ii.

l 506
per future generalizzazioni, introducendo l'energia libera di Gibbs"

AGL_..R = -eV,,, 5 0 (7.21)

Una ulteriore forma della condizione per il tunneling ( 7.21 ) si ottiene

H__ I d
partendo dalla (7.20), cambiando variabile E _ E - eV,,,, e riscriven o

FL__,R = ƒdEdE,0(Eii _ E) _ p'.L)

ii - fia” -vaiGH<E" +61/a ii-22)

dove abbiamo introdotto i potenziali elettrochimici ,uL = ii e ii); = u - eV_,.,,.
In questa forma, llintegrale che dà il tasso è rappresentato in Fig. 7.7.b e
la condizione termodinamica per il tunneling (7.21) diventa

lit 2 /in (7-23l

Principio del bilancio dettagliato

Nelllintegrando di I`R_.L, Eq. (7.15) compare la quantità

ll _ f(€)lf(fi + €Vr) = flfilll _ fls + €V«:)l e_@V.=/U<=T) (7-24)

Questa trasformazione consente di ricavare il principio del bilancio detta-

gliato, una relazione generale tra i tassi in verso opposto

l.¬R__,L I e_eV“/(kim PL_›R (7.25)

Esso vale, in realtà, per ogni processo elementare, energia per energia.
Esso consente inoltre di scrivere la relazione I/ e = P ,;_,Rl1 - e_EV=”/(fTll e
di ricavare i tassi parziali dalla caratteristica I-V
_ . . . . . . . .
ln questo caso si descrive il circuito come un sistema termodinamico complesso le
cui variabili termodinamiche sono, oltre a T e al volume V, la tensione del generatore
V1.. Essa gioca un ruolo analogo a quello della pressione (è una variabile intensiva) e
la variabile coniugata (estensiva) è la carica che passa attraverso il generatore. Liener-
gia libera che utilizziamo è l'energia di Gibbs G(T, V, VE). Il secondo principio della
termodinamica assicura che un sistema a T,V e l/fa costanti si configura in modo da
minimizzare G(T, V, l/ID).

507
 I VI ""°\.
I V3,
FL_,R I è I Il(-€l/3;) , IlR_,L I *gigi I Il(€l/I) (7.26)
1 - e" ìãlfse efi* - 1

Generalizzazioni
Nel caso generale di un dispositivo mesosocopico con isole, che possono
avere uno spettro discreto, bisogna partire dalla regola dioro di Fermi
Eq. (7.9) e dalla conservazione dellienergia nella forma generale, Eq. (7.10).
Wp - W; = A5 - Wg. La determinazione esatta dell“energia AE è un
problema che richiede tecniche numeriche sofisticate, applicabili per sistemi
con al più un centinaio di elettronils. In molti casi sono però possibili
delle approssimazionilg. .Si assume anzitutto che l'energia A5 possa essere
scomposta in una parte configurazionale ed una parte elettrostatica

ne = 5.32. _ 5,5 + sg, I 5:2 + num, QR) (7.27)

Si ammette cioè che a seguito del processo di tunneling, l°elettrodo L
passi da una configurazione globale -› ln' ), e similmente Felet-
trodo R. Ciò in generale cambia anche lienergia elettrostatica U della
configurazione delle cariche nei vari elettrodi/ isole, ad esempio le cari-
che totali varierannom (qL,qR) ~› (qfyqfq). In più abbiamo assunto che
AUL_,R = AUL_,R(qL,qR), cioè che l”energia elettrostatica dipenda solo
dalle cariche totali contenute negli elettrodi”. Infine osseviamo che gli elet-
troni negli elettrodi interagiscono in virtù dellienergia elettrostatica, quindi
se essa puo essere considerata separatamente, la variazione della restante
energia configurazionale per un singolo processo di tunneling è dovuta es-
senzialmente alla variazione di configurazione di un singolo elettrone. Ad
18Si studiano così i dispositivi per lielettronica molecolare.
19Notevoli eccezioni nelle quali questo procedimento va rivisto sono i casi in cui vi è
forte ibridazione tra gli stati di isole diverse o tra stati delle isole e stati degli elettrodi
di Source e Drain, come in alcuni esperimenti con i quantum dot, o quando Pinterazione
elettrone-elettrone ha carattere unidimensionale, come può avvenire nei quantum wire.
2UNel caso di giunzioni polarizzate direttamente, il modello microscopico di Fig. 7.5
implica che la configurazione iniziale e finale delle cariche siano identiche, per cui AU =
O. chiaro che questo modello microscopico non è applicabile tout cour al caso in cui
il tunneling avviene da un elettrodo ad un°isola, e il generatore non riesce a riportare la
configurazione di carica a quella iniziale.
“Questo e vero, ad esempio, per due elettrodi metallici, per cui Penergia elettro-
statica è una forma quadratica delle cariche totali dei conduttori, con coefficienti che
definiscono la matrice di capacita. In generale corrisponde ad un”approssimazione, detta
di monopolo. In pratica liinformazione necessaria sull”elettrostatica si estrae, almeno in
casi semplici, da misure sperimentali.
esempio nel processo L -› R si avrà. 57%, - fâ I - EE. Le semplificazioni
sopra descritte consentono di scrivere per un processo L -› R

W); - vr/I = E5- E, + nG,;z,R ; nGL_.R = AUER - W, (ms)

Dalla sua definizione si riconosce che AGL_.R è la differenza di energia di
Gibbs per variazioni di configurazioni di carica nel sistema.
La (7.28) consente di generalizzare alcuni risultati ottenuti in preceden-
za. Dalla relazione Eã- ¬ EE + AGL__,R = 0 per ogni /Ii, (7 si ottiene

AGMR + min(E,,› _ EE) g 0 (729)

che generalizza la (7.21). Sostituendo i potenziali elettrochimici, si ottiene

invece AU;-›R + /LR - ,ML + min(e§› - e § O, che scriviamo come

Il-L E MR + AUL_›R + mín(e,; - eg) (7.30)

in modo da generalizzare la (7.23). Queste relazioni caratterizzano rigoro-

samente i processi permessi a T _ O. A temperatura finita sono possibili
processi che violano queste relazioni, che tuttavia caratterizzano ancora
efficacemente i processi dominanti a basse temperature.
Infinc diamo una versione più generale del principio del bilancio detta-
gliato, notando che la (7.28) differisce dalla (7.11) solo per la sostituzione
-el/5, -› AGL_.R- Ripetendo gli stessi passaggi otteniamo la generalizza-
zione della (7.25), che esprime il principio del bilancio dettagliato

I¬R_,.L I €AGL¬'R/WT) PL_,R (7.31)

Nella sezione 7.3.1 vedremo come questa relazione consente di calcolare

facilmente i tassi in situazioni generali.

7.3 Effetti di Charging

Il single-electron transistor” (SET) è uno switch basato su un nuovo

principio di funzionamento. La principale differenza tra il MOSFET e il

22 Il SET fu idea.to presso l°Università. di Mosca nel 1985, da.1 gruppo di Konstantin
Likharev e rea.lizzato nel 1989 presso i Bell Labs, da Theodore Fulton e Gerald Dolan.

509
 (a) (b) simflßflß ,__ _ _ _ _ ..D
l._"

lr-
›«*'¦a 'FU¬ _<:
R; ,17 ci R 3 (Ig

È G/D : ? I ?

Fig. 7.8 - (a) Nel sistema metallico costituito dall'eIettrodo di sinistra

detto source (L), dall'ele1:trodo di destra detto drain., e dall'isola centrale
(D), il trasporto avviene per effetto tunnel. (b) ll circuito equivalente è dato
da due giunzioni tunnel con capacità finita, poste in serie. La caratteristica
di questo circuito è che la regione tra le capacità può contenere un numero
intero q qualsiasi di elettroni.

SET originario è che qucst“ultimo impiega materiali metallici. La funziona-

lità. richiesta va allora ottenuta con una modifica del design, segnatamente
il canale (che indichiamo con D come dot, ma chiamiamo “Isola”) è ora
isolato elettricamente da tutti e tre gli elettrodi. Il trasporto tra source e
drain avviene per effetto tunnel, mentre tra gate e isola si usa uno strato
isolante spesso che garantisce l°assenza di correnti di gate parassitc.
L”ingrediente principale del SET è il fatto che la carica Q trasferita
attraverso la barriera È: quantizzata, Q I -qc dove q è un numero intero.
Ciò determina i cosiddetti efietti di chargáng, comprensibili se si conside-
ra la natura dei processi che determinano il trasporto tra source e drain
(L -› R), illustrati in Fig. 7.8.a. Il trasporto in giunzioni tunnel tra metalli
(non superconduttivi) è dovuto ai processi più semplici, quelli di tunneling
stocastico di singolo elettrone (processi L <-:› D e D <-› R), che si alternano
in maniera non correlata. In uno stadio intermedio del trasporto L -› R
gli elettroni devono occupare l”isola. In dispositivi fabbricati con litografia
ottica il numero di elettroni q nell”isola centrale oscilla con Ag ~ 106. Essi
generano un campo elettrico che polarizza gli elettrodi circostanti e la cui
energia e data da U : q2EC. Qui EC : e2/2C e una nuova scala energe-
tica, detta energia di charging, corrispondente ad un singolo elettrone in
eccesso nell“isola e C e una tipica capacità. dell”isola verso altri conduttori
vicini e verso terra. Un processo che preveda stati dell°isola con -ge gran-
de (in valore assoluto), sono energeticamente sfavorevoli. In nanocircuiti
vi sono giunzioni con C' <1 1O`15 F, corrispondenti ad energie di carica che
consentono al più ad un elettrone in eccesso di occupare l°isola. Allora il

510
 21- 5
FU U
EC 4

\ 3
\
\2l
\£
\
\& \`

. . |"'¢ln" _.. __. “II

-4 -2 2 4 A G

EC

Fig. 7.9 - ll tasso di tunneling per una giunzione tra metalli normali, in funzione
della variazione di energia libera AG. Le curve sono per valori di EC/(kT) :
10, 2, 1, 0.7. A basse temperature il tasso è non nullo solo se AG <1 O.

trasporto avviene prevalentemente attraverso processi (stocastici correlati)

di tunneling sequenziale: un elettrone attraversa la prima barriera (L -› D)
e successivamente la seconda (D -› R). Perché ciò avvenga è necessaria
lienergia minima EC, fornita dai generatori di tensione. Visto che il lavoro
compiuto dai generatori è una funzione lineare crei/Q + ßel/2,, il trasporto
avviene solo se le tensioni sono sufficientemente grandi. In particolare se
V9 = U si ha trasporto solo se V1; assume un valore finito, al di sotto del
quale il dispositivo è isolante. Questo fenomeno e detto Coulomb blociracle
del tunneling. La tensione l/2 di soglia può essere modulata attraverso l/9.,
realizzando un dispositivo a tre terminali con funzionalità di switch.
Un aspetto eclatante degli effetti di charging in giunzioni metalliche, è
il fatto che un“isola metallica di ~ 1 um3 contiene ~ 1010 elettroni (per
tipiche densità. nei metalli di n, ~ 1O`22 cm_3), eppure si puo aggiungere o
togliere esattamente un elettrone, e se ne può misurare l”effetto.

7.3.1 Esempi di dispositivi: la Single electron box e il SET

Accenniamo ora lianalisi quantitativa del tunneling in un dispositivo

a singolo elettrone, avente varie giunzioni e varie isole. Limitandoci a
processi di tunneling sequenziale, dobbiamo valutare i tassi di tunneling
attraverso le barriere23. Allo scopo è usiamo il principio del bilancio detta-
gliato (7.31) per scrivere la corrente totale attraverso Pinterfaccia, dovuta
a processi di tunneling A <-› B IO(-AGA_,B/e) = e(I`A_,,~5› - I`5-__,A) :
23 - - . . . . . . .
Questa affermazione corrisponde ad assumere che 1 singoli processi di tunneling
segua.no una statistica di Poisson con tassi dipendenti dallo stato globale del dispositivo.

511
 C; QI

I ”'°"

Q, C
“ Q8 tici ø
+

I (1) @
(2)?_ I (1) (me- (2) ?
Fig. 7.10 - Circuiti equivalenti: (a) della single electron box; (b) del SET.

eI`A_,B (1 - e“5^GA¬H/(km), per cui

1 IQ(-AG,4_›B/6)
l¬A_›B : : 6 1_eAGA_+H/(ÈT)

dove Ig(..¬:) e una caratteristica dell°interfaccia e AG è la differenza di ener-

gia libera nel processo. Per determinare IU(:r) notiamo che la (7.32) vale
in particolare per un processo A -› B, quando Finterfaccia e direttamente
polarizzata. In questo caso AGA_.B = -ei/'z e riconosciamo in I0(i/Q3) la
caratteristica I-V delfinterfaccia in polarizzazione diretta. Per giunzioni
tra metalli normali Ig(:r) = :r/R) e I`(AG) e graficata in Fig. 7.9.
Liequazione (7.32) consente di intuire la forma delle caratteristiche I -V
di dispositivi complessi a basse temperature, senza fare molti calcoli. In-
fatti, come abbiamo gia sottolineato, a basse temperature la (7.32) implica
che un processo avviene solo se AG < 0.

La Single Electron Box

La single electron box e costituita da un'isola connessa al circuito tra-

mite una giunzione e una o più capacità. (Fig. 7.10.a). La presenza della
giunzione consente di variare lo stato dell”isola, mentre i controlli per ope-
rare sul dispositivo sono connessi tramite le capacita. Per analizzare il
dispositivo dobbiamo trovare lienergia di Gibbs, data da

~ ci
Gfvzlfll :U I Qi/z _ E + E _ Qi/iz
Qš ~ (7-33)

512 `
dove U è la parte elettrostatica dell”energia interna (è l”ene_rgia elettro-
statica dei capacitori, incluse le capacita delle giunzioni), Q è la carica
che passa dal generatore, quindi Ö Va, è il lavoro fatto dal generatore nel
processo. In pratica l`energia di Gibbs valuta il costo energetico di un
processo con AU se il generatore viene in aiuto fornendo l”energia i/,,,AQ,
ed e espressa in funzione delle variabili24 V3, e q. Quindi scriviamo

V, marg; Q1= %;~(q@~0.i/.J

-qa = Q1 + Q9 => Q9: ~%š(qe + C11/gi (7.34)
Q : - iQ..cq.v,,) - Q.,<0.v;.>1 ó = åqe
dove C; : C1 + C9. Sostituendo, otteniamo l°energia libera

C
Ge/gig) = 71; nie» 0.1/..iz« + È<q@+Cu/;.)2
C . C
~ öå-gel/... =
c- 2 C C C
v ci qßlê + ìicå V,-,2 = Ec (<1 ~ figìg (7-35)

dove abbiamo trascurato un termine irrilevante dipendente solo da V9.,

introdotto il parametro qg - C91/9 /e e definito l“energia di carica EQ :
eg/(2Gg). In funzione di qg l“energia G è data da un insieme di parabole,
ciascuna relativa ad un certo q (Fig. 7.11.a). Se V9 : 0 l`energia dello stato
q = 1 è EC, corrispondente alle due capacità. in parallelo. Al variare di
qg lo stato stabile è quello ad energia minore, per cui q varia in maniera
discreta (Fig. 7.11.b), ogni qual volta qg : 1 /2 + 'ri dove n è un numero
intero. Il primo elettrone entra se qg 2 1 / 2 ossia serve una tensione minima
Våh = e/C9. Per C9 ~ 10-17 F, abbiamo l/gh ~ 10 mV. Lieffetto scompare
a temperature T ~ EC/lc.

Il SET
Il SET e mostrato in (circuito equivalente in Fig. 7.10.b) differisce dalla
box per la possibilità. di condurre corrente attraverso le giunzioni (1) e
Le capacita, che prendiamo entrambe uguali a Ci ~ 10_15 F sono molto più
24 Il secondo principio della termodinamica dice che se esprimiamo G solo in termini
delle variabili Vw e del numero di elettroni in eccesso nell”isola q, G = G(V,¬,, q), allora
lo stato di equilibrio sara dato dal minimo di G rispetto a q. Inoltre a noi interessano ie
variazioni di G al variare di q, quando manteniamo Va. costante.

513
 lì tgfsel °12=1"'2 l 1/R ul
li / I / ß
iigzo ),

_: 1 , , gg” / / . .../I
.,_.,-q`_,..., / 4( / (c) J) U
“ii II /
/ > ¬ lß
z J .J .,
“if l V, in 3/2 5/2 qg
Fig. 7.11 - (a) L'energia di Gibbs perla single-electron-box. (b) ll numero me-
dio di elettroni nell'isola al variare di qg: aumentando qg si estraggono elettroni
dall'isola; a basse temperature è possibile gli elettroni sono estratti ad uno ad
uno; per temperatura finita il sistema può avere valori di q diversi da quello
stabile, con probabilità or eXp[-G(qg|q)/(kT)], e il profilo della funzione viene
smussato. (c) La caratteristica IV del SET, la Cou/omb staircase, presenta
anomalie per certi valori di V, (le frecce indicano le anomalie per qg : 0);
la Coulomb staircase è modulabile con qg, che modifica la tensione di soglia
i/,th e la conduttanza 1/R = (dI,/di/,)v_,=U; (d) La struttura a picchi della
conduttanza 1/R del SET, in funzione di qg: i picchi sono più pronunciati a
bassa temperatura e si smussano per temperature crescenti.

grandi di C9. La scala rilevante è è EC = e2/ (202), dove Gg = 2G + Gg ß

2C' descrive le tre capacità. in parallelo. Per V9. : 0 Pelettrostatica è quella
della box, con il ramo (2) come ramo di gate. Per immettere nell”isola
un elettrone attraverso (1) e necessaria la tensione minima l/,ih = e/ C.
tipicamente ~ 100 uV. Per l/2 < e/E0 nessun elettrone entra dal ramo
(1) e il sistema è non conduce (questa è la Goulomb blockade, evidente nella
caratteristica I - V per gg = 0, Fig. 7.11.b.). Per V; > e/G un elettrone
può entrare nell'isola, e immediatamente uscirne attraverso la giunzione
(2), quindi il sistema conduce. Al crescere di l/2 il lavoro del generatore
cresce ed e in grado di innescare l”entrata di due o più elettroni insieme.
che produce anomalie nella caratteristica.
l\-'Iantenendo V) << lffh, si può operare aumentando l/9.. Per i/1,, < e/C9 il
tunneling e bloccato (la parabola stabile in Fig. 7.11.a è quella per q = 0) e
la conduttanza 1 /R di source-drain è praticamente nulla. Se IQ, : e/ (209)
un elettrone può entrare nelliisola attraverso (1) e immediatamente uscirne
attraverso Se aumentiamo ancora V9 il dispositivo è stabile con carica
q : 1. Condizioni favorevoli al trasporto si ripresentano se 1% = 3e/(2Gg),
e in generale si ha trasporto avviene per valori di V9 regolarmente spazia-
ti, Al/É, : e/Gg. Di conseguenza la 1 /R presenta una serie di picchi in

51.4
funzione di l/:,. A temperatura finita ma bassa, T << EQ, i picchi sono
smussati ed esistono regioni in cui una piccola variazione di V5, produce
grandi variazioni di 1/R. La sensibilità di 1 /R verso V9 è utilizzata in
elettrometria, quella verso T trova applicazioni in termometria.

7.3.2 Limiti dei dispositivi SET

Le condizioni per cui gli effetti di charging sono osservabili rivelano i

limiti dei dispositivi SET per applicazioni in elettronica digitale. Nono-
stante lo sforzo per realizzare porte logiche e memorie a singolo elettrone,
questi dispositivi non sembrano competitivi per le suddette applicazioni.
Le ragioni sono principalmente tre: Faccuratezza del controllo di carica
richiede unienergia EQ molto grande, le resistenze in gioco devono essere
grandi e quindi questi dispositivi sono abbastanza lenti e infine essi so-
no soggetti agli effetti del rumore, che sono un formidabile ostacolo per
Fintegrazione.
Liessenza degli effetti di charging è la comparsa della scala energetica
EQ, che risulta dominante sui processi di eccitazione termica se

T << EC : E2/20 , (rss)

cioe servono piccole capacità. e basse temperature. La nanofabbricazione

con litografia elettronica consente di produrre giunzioni con strato isolante
di spessore d ~ IOÃ e area affacciata A ~ 0.01 um2. Quindi G ~ 10-15 F
che da EC ~ 10_4 eV ~ 1 K. Gli esperimenti sono condotti a basse tempe-
rature T ~ 20+200 mK, che costituisce un notevole limite alliapplicazione.
Per raggiungere temperatira ambiente servono capacità. minori di 10-17 F
e dimensioni delle giunzioni inferiori ai 10 nm. Osservazioni di questo tipo
sono state fatte recentemente in vari sistemi e, in prospettiva, si guarda
con interesse ai sistemi molecolari.
Un”altra condizione essenziale per osservare i charging effect è che la
carica sia localizzata nelle isole (ossia deve essere un buon numero quan-
tico). Cio richiede giunzioni con piccolo coefficiente di trasmissione. La
condizione si esprime tramite la resistenza di tunneling R). Gli effetti di
charging si manifestano quando le fluttuazioni di energia associate alla vi-
ta media di un elettrone in eccesso ~ fi/(RÉC) sono più piccole di Eg,
ii./(RÉC) << e2/(20), che si traduce nella Rf; >> h/(ECG) = 223./eg. In

515
 sostanza si hanno effetti di charging se la resistenza della giunzione è più
grande della resistenza di Klitzing RK, Eq. (7.19).
Resistenze così grandi limitano le frequenze di clock. A presente di-
spositivi con metalli normali arrivano a frequenze di clock 5 10 MHz e in
prospettiva non sembra possibile andare oltre valori delliordine del GHz.
Non e semplice, a parità. di area, produrre giunzioni con R, più piccole.
In in ogni caso si favorirebbero processi di turmeling di ordine superio-
re (fluttuazioni quantistiche) che indebolirebbero gli effetti di charging. I
processi termicamente attivati (fluttuazioni classiche) hanno lo stesso ef-
fetto. Unialtra sorgente di fluttuazioni e la presenza di impurità cariche
presso la barriera, che danno luogo ad una polarizzazione parassita, che
varia in maniera aleatoria nel tempo (rumore telegrafico e rumore 1/ƒ).
Le fluttuazioni determinano a presente alti tassi di errore nelle operazioni
logiche, e ciò sembra escludere prospettive applicative dei SET nel seg-
mento dei circuiti integrati. Inoltre il rumore di carica fa si che in un
circuito integrato i dispositivi funzionino in maniera diversa, ad esempio le
iQ, che danno i massimi di conduttanza saranno distribuite. La sensibilità.
a fluttuazioni locali del potenziale, problema comune che si accompagna
alla miniaturizzazione per praticamente tutte le tecnologie a stato solido,
rende anche i SET inaffidabili per Pintegrazione su larga scala.

7.3.3 Interesse e applicazioni

L”interesse nello studio dei charging effect va al di la della loro diretta

applicazione nei circuiti logici. Anzitutto la presenza di charging effect è
necessariamente associata alla miniaturizzazione, per cui la comprensione
della loro fisica è essenziale, indipendentemente dal fatto che essi siano
utilizzabili come principio funzionale. Inoltre è interessante in prospetti-
va applicativa studiare i charging effect in sistemi di natura diversa, ed
eventualmente combinarli con altri effetti. Infine la sensibilità. di questi
dispositivi alle fluttuazioni può essere utilizzata per realizzare strumenti
di misura.
I charging effect, molto comuni nel trasporto in materiali granulari,
si osservarono sin dagli anni “(50 in film metallici sottili, ma per il loro
controllo si e dovuto attendere lo sviluppo della nanolitografia elettronica.
I primi effetti di charging in semiconduttori sono osservazioni accidentali
di M. Kastner su transistor di Si con canale molto sottile (W ~ 20-30 nm,
L ~ 1|.Lm) a basse temperature, T ~ 100 mK. Si osservarono variazioni

516'
della conduttanza in funzione di Vg che, sebbene apparentemente aleatorie,
all1analisi di Fourier rivelavano una periodicità. con V9. L1effetto si spiega
assumendo che nel canale siano presenti impurità. che agiscono come centri
di potenziale creando barriere spurie, e in definitiva la geometria del SET.

Successivamente sono stati fabbricati quantum dot in GaAs, definiti

con nanolitografia a partire da un gas bidimensionale di elettroni. Le di-
mensioni richieste sono meno proibitive che in metalli (S ~ 100 nm >< 1 um,
densità. elettroniche superficiali ri., ~ 1-5 - 1011 cm_2, circa N N 100-500
elettroni nel dot) ed è possibile andare oltre. Riducendo ancora le dimen-
sioni si evidenzia lo spettro discreto delle energie del dot, e si arriva a
lavorare con un numero di elettroni di conduzione di poche unita- Questi
dot sono atomi artificiali, sui quali si opera in una maniera impensabile
nel caso degli atomi autentici: è possibile far variare il numero degli clet-
troni nel dot di una unità. far passare correnti che forniscono informazioni
sullo spettro. Questa spettroscopia tunnel di singola isola permette oggi
di studiare sistemi come i nanotubi di carbonio, o le fasi quasi ordinate
di superconduttori e magneti itineranti in regime di forte confinamento.
La flessibilità. di questi dispositivi consente infine di ricreare e modula-
re effetti molto drastici delfiriterazioiie elettronica, come Peffetto Kond,
che in metalli con impurità. magnetiche è responsabile di anomalie nella
resistività..
La sensibilità. dei dispositivi SET alle fluttuazioni permette di realizzare
elettrometri con sensibilità. inferiore alla carica elettronica e. Il principio
di funzionamento consiste nel valutare variazioni di conducibilità del SET
dovute alla polarizzazione extra della carica da misurare, polarizzando il
dispositivo nel punto di massima pendenza della curva G (V9). Questi elet-
trometri, o versioni più sofisticate, sono oggi impiegati per effettuare misu-
re su nanodispositivi coerenti. Analogamente la sensibilità. alle variazioni
di temperatura offre l1opportunità. di realizzare termometri ultrasensibili,
da utilizare a temperature inferiori al grado Kelvin. Si cerca attualmente
di sviluppare dispositivi per misure di rumore ad altissima frequenza o per
misure di carica elettrica con larga banda passante, che si realizzano con
double quantum dot o con dispositivi nanoelettromeccanici.

Combinando i charging effects con le proprieta di materiali magnetici,

è possibile controllare correnti di spin. Questo nuovo settore, chiamato
spintronica, puo offrire alternative interessanti alla tecnologia tradizionale.

Uno sforzo particolare è rivolto alla dimostrazione di effetti di charging

51 7
 ad alta temperatura. Nel 1998 sono stati prodotti due SET transistorfö da
un FET con canale da 16 nm. Il processo di fabbricazione genera imperfe-
zioni nel canale, col risultato di formare varie isole. Dalla conduttanza in
funzione di l/:Q si identifica EC ~ 100 meV ~ 900°C, un valore però ancora
troppo piccolo per applicazioni di elettrometria a temperatura ambiente.
Valori Eg ~ 250 meV sono stati ottenuti in un SET metallico fabbricato
da uno strato sottile di niobio25. Le giunzioni sono state create ossidando
piccole regioni della superficie con la punta di un microscopio a scansione
(SEM), di dimensioni pressocché atomiche, che ha consentito di creare bar-
riere di superficie molto piccola tra l1iso1a e il Source. Sebbene i charging
effects a temperatura ambiente siano evidenti, le barriere hanno resistenza
talmente alta da limitare l1uso del dispositivo anche per Pelettrometria.
Una applicazione dei charging effect a temperatura ambiente è quella
alle memorie non volatili. Nell1ossido di gate in una geometria FET ven-
gono fatti crescere nanocrisialli di Si di dimensioni ridottissime (~ 20 nm),
il cui stato di carica può essere controllato. La carica nei nanocristalli de-
termina un potenziale aggiuntivo che può aprire o chiudere il canale. La
corrente nel canale legge Pinformazione codificata nello stato di carica.

7 .4 Effetti di dimensionalità

Le moderne tecniche di crescita epitassiale integrate dalla litografia elet-

tronica, permettono di fabbricare strutture a dimensionalita ridotta, nelle
quali gli elettroni sono vincolati a muoversi in due dimensioniff (quantum
Well) in una dimensione (quantum Wire) o in zero dimensioni (quantum
dot). Alcuni esempi gia menzionati sono i 2DEG, i nanotubi unidimensio-
nali di carbonio, e i quantum dot split-gate e laterali (si veda la Fig. 6.4).
Considereremo dispositivi che, come il SET e il MOSFET, possono essere
schematizzati da una regione “mesoscopica” connessa a due “serbatoi” di
elettroni. Se la regione mesoscopica centrale è una struttura a dimensio-
nalità ridotta, compaiono effetti legati allo spettro discreto, come quello

25Lei Zhuang and Lingjie, Università. del Minnesota e Stephen Chou, Università. di
Princeton.
211Jun-ichi Shirakashi e collaboratori, presso lo Electrotechnical Laboratory e il Tokyo
Institute of Technology.
21Preferiamo mantenere le espressioni inglesi quantum dot di punto quantico, quantum
wire di filo quantico e quantum well di pozzo quantico, perchè comuni in letteratura.

518
della buca unidimensionale (6.16). Per la discussione che segue conviene
generalizzare questa formula al caso tridimensionale

h2 ni nf, ri?
=% +E + (wr)
Qui (L_,,,Ly,L,) sono le dimensioni lineari del campionefg. Uno stato
il›,.,,,.,»,y,,_, descrive un elettrone che si muove con impulso con componenti
quantizzate, : fin/(2L,,,), lpyl = hn/(2Ly_) e lpz| = hn/(2L,,_.).

7.4.1 Scale energetiche rilevanti

Nei sistemi a dimensionalità. ridotta compare la nuova scala energetica 5,

che può essere l1energia di confinamento min,,,,,,,,,y,,,z E,,,,,,y,,z o la spaziatura
tra livelli successivi, E.,,mn,y,,z+1 - E,,_,,,,,,,,z. L1equazione (7.37) suggerisce
che ci oc L_2, dove L è la più piccola delle tre dimensioni del campione.
L1altra scala rilevante e EQ. Nel caso in cui essa venga dalla capacità. di
conduttori isolati verso terra, per essa si avra EC oc: R_1, dove R e la più
grande delle dimensioni del campione29. Per conduttori non isolati, come
quelli connessi ad un circuito tramite un contatto (e non una giunzione
tunnel), EC : 0 perché la carica in eccesso sfugge attraverso il circuito.
In conduttori isolati di grandi dimensioni (R, L- :> 1 um) si ha che k;T >>
EC, ri, cioè gli effetti connessi a EQ e 6 sono trascurabili. Al diminuire delle
dimensioni fisiche EC può diventare dominante (Eg >> k1T,5) in certe
geometrie, ma una ulteriore diminuzione delle dimensioni rende 5 lienergia
dominante (Ei >> EC >> kT).

7.4.2 Sistemi tridimensionali

Un campione macroscopico e tridimension.ale, cioè ha tutte le dimen-

sioni (L_,.,, Ly, Lg) molto grandi. I valori di impulso consentiti sono molti,
e praticamente esso può assumere tutti i valori reali. Il moto e quindi
possibile in ogni direzione, senza restrizioni. Una grandezza importante e
28
Questo spettro vale per un sistema chiuso. Se il campione è a contatto con elettrodi,
lo spettro ha una forma diversa, ma ciò non modifica le conclusioni cui perverrerno.
211Questo perché EQ proviene dall1energia coulobiana tra gli elettroni, che fà
proporzionale all1inverso della loro distanza.

519
 la densità di stati, Eq. (6.17), legata al numero di stati (7.37) con energia
in (E, E + AE). Per calcolarla rappresentiamo geometricamente la (7.37),
come un reticolo di punti di coordinate nm, ny, ng nel primo ottante di uno
spazio a tre dimensioni. Consideriamo per semplicità il caso Lx, Ly, Lg. Al-
lora gli stati con energia minore di E sono rappresentati da punti interni
alla sfera ni + + 'ng = 8mEL2/hf e il loro numero è dato approssimati-
vamente da 1 / 8 del volume della sfera311, (4'ir/3)(8mEL11/h2)3/2. Il numero
di stati possibili nell'intervallo di energie lE, E + AE] è

14rr 8mL2 3/2 3/2 AE 3/2

N(E,AE) 28 3 ( h2) E [(1+í) -lla...

e_ai I
smi? 3/23-E1/ME rss
3( 212 l 2 ( )
dove il fattore 2 a moltiplicare conta lo spin e dove abbiamo supposto
AE << E e sviluppato in serie di AE/ E. Confrontando con la (6.17)
troviamo che per un campione tridimensionale la densità di stati è

cms) = ii-fv(È,;'-f,"ì)3/2\/E (7.39)

dove V = L3 è il volume del campione31. La densità di stati cresce debol-
mente con E (Fig. 6.18.c) perché, dato un certo intervallo [E, E + AE), ò
tanto più facile, giocando con tre numeri, trovare valori interi di nm, ny, ng
tali che E,-_.,,,-,,,,,,,›~_.,_, G (E, E + AE], quanto maggiore è E. Con considerazioni
analoghe si trova la densità di stati dei semiconduttori (Fig. 6.l8.d).
Ci chiediamo ora entro quali limiti l1energia ci è trascurabile in campio-
ni tridimensionali. Nei metalli tutti i livelli energetici sono occupati fino
ad EF ~ 1 eV. L°energia per introdurre un elettrone può dipendere dalla
spaziatura dei livelli a quell°energia quindi stimiamo ci ~ 1/G3p(Ep) ed e
facile verificare che â è trascurabile rispetto ad ogni temperatura concepi-
bile, a meno di non avere L < 5 nm. Anche per i semiconduttori gli effetti
di spettro discreto sono trascurabili, a meno che L < 100 nm.
In campioni tridimensionali anche l1energia EC è trascurabile (EC <<
l<:T), ma diventa rilevante per campioni di dimensioni ~ lum in matrici

1111Ogni sito del reticolo corrisponde ad una cella primitiva di “volume” unitario.
111Questo risultato è valido anche se il campione non e cubico.

520
isolanti, a temperature sperimentalmente accessibili T < 100 mK. In que-
sto regime si classificano i dispositivi SET metallici discussi in precedenza
e i dispositivi con semiconduttori come i dot di Fig. 6.4.c.

7.4.3 Sistemi bidimensionali e unidimensionali

Un campione bidimensionale e confinato in una direzione, cioè ad esem-

pio L; << L~_,,,L,,. In questo caso la (7.37) mostra che l°impulso lpzl non
può assumere tutti i valori reali, come per una particella classica. Ciò
ovviamente limita il moto in direzione 2. Per sottolineare questo fatto
riscriviaine lo spettro (7.37) nella forma

h2 TL2 P2 P2
Enaniinß
. = -
8m -Z
Lg + -'li
2m + I”
2m ( 7.40 )

che ricorda che il moto sul piano :cy è praticamente libero. Invece in di-
rezione z la quantizzazione implica che |pZ] abbia un valore minimo h./Lx,
ottenuto per ng = 1. Visto che pg, e py possono assumere valori arbitra-
riamente piccoli, l'energia minima per il moto in direzione 2 rappresen-
ta l1energia di confinamento, ed è opportuno identificarla con Ö, per cui
5 = hf/(8mLš). Esempi di gas elettronici bidimensionali (2DEG) sono gli
strati di forte inversione in MOS con isolante sottile, o lo strato elettroni-
co indotto in eterostrutture ottenute per epitassia, tecnica utilizzata per
fabbricare le quantum Well utilizzate nei dispositivi a tunneling risonante.
La forma dello spettro (7.40) consiste in una successione di sottobande,
ciascuna corrispondente ad un valore di ng. Gli stati all“interno di ogni
sottobanda sono distinti da px e py e le loro spaziature di livelli sono
piccole. Invece le differenze tra i minimi di ciascuna sottobanda, dati da
nšã, possono diventare rilevanti, ossia si può avere 6 >> kT. Possiamo
trovare la densità. di stati di una sottobanda in maniera analoga a quanto
fatto in tre dimensioni e risulta indipendente da E

4 h2 2
cime) = 5% is-›(E 4 gg (7.41)
dove S e la superficie del campione. La funzione gradino assicura
che la densità di stati di una certa sottobanda denotata da nz e nulla per
energie inferiori al valore minimo E0,0,,,, = nšö. La densità di stati totale,
illustrata in Fig. 7.12.a, si ottiene sommando su tutte le sottobande

521
 _,-'-'~"“'f;$í::>r __________=___l

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..;;;;;_=.:;.__._
=
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všššíåíe..
.hšmÉM
._ _ _ _ -...».;;-.;;;_. _ _
-E

, E<ev› i E(ev>
Fig. 7.12 - Densità di stati per sistemi a dimensionalità ridotta: (a) sistemi
bidimensionali; (b) sistemi unidimensionali.

Gg!) = S(4'm/h2) É tl(E - (7.42)

nz=1

Il concetto di dimensionalità assume un significato netto solo in un so-

lido quantistico. Infatti per elettroni classici la condizione Lg << L$,Ly,
implica al più che i campi lungo 2 sono uniformi, ma non limita il moto
elettronico. Invece il trattamento quantistico consente di stabilire quanti-
tativamente il concetto di confinarnento in una direzione: se il campione
contiene pochi elettroni essi occuperanno la prima sottobanda, e se k:T << 5
(cioè Lg << h/\/ 8mkT) non si avranno transizioni alla seconda. Quindi
tutti gli elettroni avranno lo stesso |pzl.
Un campione unidimensionale ha L2, Ly << Lx, quindi e confinato in
due direzioni. Solo Pimpulso lpa,| assume valori arbitrari e lo spettro è

_ på
E_(,$,›,_,____.,,,_, _ 5?: + % *L2 “É + nš (7.43)

L°energia di confinamento si ottiene ponendo px = 0 e le energie delle sot-

tobande al valore minimo, ottenuto per ny : ng : 1. Essa e allora data da
5 : h,2/(8mLå) + 112 / (8mLš). Lo spettro e composto da sottobande uni-
dirnensionali, ciscuna denotata dagli indici ny e fnz. Ciascuna sottobanda
ha densità, di stati tradizionalmente espressa come

2m 1/2 1
amis) = 21:(É) E (7.44)
dove E è calcolato a partire dal valore minimo della sottobanda E0_ny_nz.
La corrispondente densità di stati totale (Fig. 7.12.b) è allora data da

522
 2 1” W HE-Enn
ny,nz=1 _ O,n.,,,-ns,

Riguardo ai sistemi unidimensionali e bidimensionali, è opportuno os-

servare che in presenza di almeno una dimensione non confinata EQ diven-
ta piccola, per cui in molte geometrie il comportamento del dispositivo È:
determinato solo da Ö e dalla densità di stati delle sottobande.

7.4.4 Sistemi zero-dimensionali

In un campione zero-dimensionale tutte le dimensioni (Lx, Ly, Lz) sono

piccole, e si ha confincmento in tre direzioni; Lo spettro è dato da

hg nf, H2 11%
,rn .

Sistemi zero-dimensionali sono i quantum dot laterali (Fig. 6.4.d), o strut-

ture i11 cui liisola e costituita da una molecola, ad esempio una parte di un
nanotubo di carbonio, compresa tra due imperfezioni. La densità di stati
di un sistema zero-dimensionale ha llaspetto illustrato in Fig. 6.10.b.
Lienergia di confinamento si ottiene ponendo 11.1, =- ny = uz = 1, ed
e data da (5 = h2/(8m.)[L,",2 + Lf + L;2]. Talvolta è meglio scegliere la
Ö ala <5 come la differenza energetica tra due particolari livelli, che tuttavia
dello stesso ordine di grandezza dell°energia di confinamento. In un
C`D*'fJ'3

sistema zero-dimensionale possono essere rilevanti entrambe le scale di E0

e 5, con quest-'ultima prevalente al diminuire delle dimensioni.
La zero-dìmensionalità può modificare in maniera profonda le proprietà
caratteristiche del materiale. Ad esempio illuminando un semiconduttore
bulk, e possibile creare una coppia elettrone-lacuna se la frequenza della
luce ha valore minimo z/0 dove hi/0 = E9, l'energia di gap. ln un campione
unidimensionale per creare un elettrone o una lacuna è necessario fornire
anche l°energia di confinamento, stimabile nella quantità 25 (trascuriamo
quì effetti dovuti alla massa efficace), per cui la fotoeccitazione avviene a
frequenze superiori a U, dove hi/ : E9 + 25. In questo caso si parla di
modulazione della gap per effetto della dimensionalità.

523
 In ____H 1; |_| J: ____________ ._

___ yi L 1- il R' .;-¦;-=:-- jjjj-j'j _ .;,. ;; -:- ;; ....... ..

W 1 . ._ il il 'E """"

T gg _` E iiiiififiliiiíiji':i """"

Fig. 7.13 - Potenziaii elettrochim`ci per un quantum dot.

7.-4.5 Esempi di dispositivi

Quantum dot

I quantum dot sono dispositivi in cui la regione mesoscopica è otte-

nuta da materiale semiconduttore. Consideriamo un quantum dot zero-
dimensionale (D), connesso tramite barriere tunnel agli elettrodi di source
(L) e drain con un generatore che stabilisce la differenza di potenziale
Vf. Il gate e accoppiato capacitivamente al dot, ed è connesso a terra trami-
te un generatore I/2,. Studiamo il tunneling sequenziale L -> D e D -› R.
Il lavoro del generatore per il processo complessivo L -› R è Wš¬R = el/,L
e la variazione di energia elettrostatica AUL_.R = O, come per polarizza-
zione diretta. I processi L -› D caricano il dot, per cui AUL_.D(q) = U ,
dove la dipendenza dal numero di elettroni q inizialmente presenti nel dot
tiene traccia del fatto che nel processo q -› q + 1. Per questi processi i
generatori compiono il lavoro I/Vgf'¬D : e (o:I/} + ßl/9), in quanto il tun-
neling L -› D induce un passaggio di carica nel circuito. Esso è legato
alla caduta di potenziale tra il dot e Pelettrodo L, che dipende dalle ca-
pacità delle giunzioni e del gate. Naturalmente W£¬R = el/ff ~ Wå¬D e
AUD_,R(q+ 1) = ~ U , in quanto nel processo g + 1 -› q. Conviene definire
le energie a partire da it, ossia E = e + it e introdurre i potenziali elet-
trochimici nl, = iz., ap : ,u - I/Vš_°`D e /LR = p. - VVÉHR : psp - 1/V,“,D¬R.
Le possibili configurazioni dei potenziali elettrochimici al variare di V9 e
per Vi > C* sono rappresentate in Fig. 7.13. Dalla (7.28) ricaviamo che i
processi elementari cl1e portano u11 elettrone da uno stato if di L allo stato
il del dot conservano Penergia se -E,;+ E, + AG,g_.D (q) = 0, che possiamo
riscrivere come -ei; - nf, + ci + /.LD + U = 0. A T _ O, quando 6;; §_ O, ciò
implica che i processi permessi sodisfano la condizione

ML 2 ,up + U + ci (7.47)

524
dove e, È: l°energia di un qualsiasi livello libero del dot con q elettroni,
misurata a partire dal potenziale chimico u del sistema alfequilibrio.
Il processo ditunneling dallo stato j del dot allo stato q" di R si analizza
analogamente, partendo da -E9 + E9-+ AGD_,H(q - 1) = O, riscritta come
O: -E9 -,u-+c9~+u~-U- i€V†.-l/Vå_›Dl = *€j*£LD+Eq*+U«R"'U- A
T = 0, quando E9* 2 O, i processi permessi sodisfano la condizione

HD + U + Ej È HR (7-48)

Per V9 non eccessivamente grandi il tunneling coinvolge un solo livello

fi : j del dot. Le (7.47)-(7.48) possono essere visualizzate insieme: u11a
volt.a determinato da considerazioni elettrosta.tiche il potenziale chimico
ag, bisogna trovare il livello del dot c, appena superiore e aggiungere U;
ee Penergia così ottenuta è compresa tra nf, e ,u.R, allora i due processi
sequenziali sono entrambi possibili, e il dispositivo conduce. Negli altri
casi si ha conducibilità nulla a T = O e molto bassa a temperature finite.
Per V9 più grandi il tunneling coinvolge vari livelli del dot, e si crea una
situazione analoga, ma ben più articolata, al caso della Coulomb stair-
case nel SET. Una importante differenza tra i dot zero-dimensionali e il
SET metallico è il destino delllenergia totale eV; pompata dal generatore
per il processo sequenziale. Essa viene dissipata per emissione di fononi
(Fig. 7.6), ma in isole mesoscopiche questi processi possono essere talmente
lenti, che lo stato eccitato del dot risultante dal tunneling sequenziale non
decade prima delliinncsco di un nuovo processo di tunneling. Queste possi-
bilità si riflettono nel dettaglio delle caratteristiche I : I (W, V9) e costitui-
scono un formidabile strumento di analisi spcttroscopica dei nanosistemi.
Infine dal punto di vista funzionale, rileviamo che i dot zero-dimensionali
sono atomi artificiali che offrono, in linea di principio, la possibilità di
implementare sistemi a molti stati.
Concludiamo questo paragrafo esaminando la risposta del dot operan-
do solo con V9, e mantenendo V, praticamente nullo. In questo caso
ir; - ,ag = ,a e il tunneling sequenziale avviene solo se ap + U + e, : ii..
Esplicitando ag e scrivendo questa relazione come fc ßi/9 + U + E, : O ci
accorgiamo che il sistema ha conduttanza non nulla solo per alcuni valori
di V9, che soddisfano la condizione sopra scritta. Come per il SET, la con-
dutta.nza presenta picchi per valori determinati di V9. Per il SET metallico
e, : O (la spaziatura dei livelli è praticamente nulla), e si hanno picchi per
V9 = fa U/ (ße), dove n è il numero di elettroni che progressivamente entra.-
no nell“isola al crescere di V9. Per un dot e,; ;é 0 e il primo picco si osserva

525
 fil]

f ,V
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Fig. 7.14 - Trasporto in un quantum point contact. (a) Trasporto attraverso

una singola sottobanda. (b) Trasporto attraverso tre sottobande.
,

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a V91 : (U+r-3,)/(ßc). Il secondo si osserva a V92 : (2U+s,)/(ße), perchè

lielettrone introdotto può occupare lo stesso livello 5.,-9 con spin opposto, ma
paga l'energia U. Il terzo picco si ha per V93 = (3U+e, +5)/(ße), dove ci è
la spaziatura dei livelli, e il quarto a V94 : (4U +69 +f5)/ (ße). Allora le dif-
ferenze tra le tensioni sono V92 - V91 = U/(Øe), V93 - V92 : (U + 5)/(,86),
V94 - V93 : U/ (ße), e cosi via. In definitiva le spaziature tra i picchi
della conduttanza si alternano con due periodi, e rivelano separatamente
Pencrgia di carica U e lo spettro del dot.

Quantum point contact

Il quantum point contact (QPC) offre una alternativa per operare con
un elettrodo di gate su una nanostruttura. La regione mesoscopica del
QPC è un canale unidimensionale di lunghezza L la cui larghezza I/V può
essere modulata con V9 (Fig. 6.1). Il canale è connesso a source e drain,
che un generatore mantiene alla differenza di potenziale I/2. Il trasporto tra
source e drain avviene se un elettrone da L penetra nel canale (elettroni
right mover), fenomeno compensato dalla penetrazione nel canale di elet-
troni da R (left mover). I right mover hanno componente pm > 0, mentre
per i left movers pm. < O. Il canale è un sistema aperto, quindi l°energia
elettrostatica U e trascurabile. Lo spettro del canale è unidimensionale,
Eq. (7.43), con L : L9 >> L9 _ W > L9 e si suddivide in sottobande,
ciascuna descritta dalla densità di stati (7.44). Ad ogni energia corrispon-
dono due valori di impulso ztpx (right e left mover, rispettivamente). I
livelli hanno una ulteriore degenerazione dovuta allo spin.
Una differerenza di potenziale Vt tra drain e source determina una dif-
ferenza tra i potenziali elettrochimici, ,uL - ,ug = el/9, che favorisce il tra-
sporto. I right mover riempiono il canale fino all°energia massima ,uL, e in
assenza di meccanismi di urto, la velocità” di ciascuno di essi si mantiene

32Questo è un processo coerente e lielettrone si comporta come un'onda, per cui 1:9 è
costante e pari a 119 = pa,/(2'm.), dando un contributo eo9 /L alla corrente
L -> R. Analogamente i left mover riempiono il canale fino allienergia ,u_7:,›_.
La corrente totale per una sottobanda è ottenuta sommando i contributi
elementari tramite la densità di stati (7.44)

“L 1 eo9 “R I eo9
1:2] dE9Gn.›(E)T+2/0 aE9G1D(E)(~T):

: 28 'N' ƒHrJdE _ E0,'nyiflz) pl' _

h 99 /E _ E'01_ny,nz 2m

2e “L
:= f dEe(1-3-E0
h -R 1y1Z
) (7.49)_
iu

I fattori 2 nella prima linea contano lo spin, e i fattori 1/2 tengono conto
del fatto che una sola specie (right o left mover) interviene nei rispettivi
integrali. Se ,LLL < E0,,,9_.9z la funzione theta si annulla e la sottobanda
non contribuisce alla corrente. Invece se )u.L, un > E0,.9_9,,,, la corrente per
sottobanda è data da I = (2e/h) (ul, - pag) = (2e/h) I/2. La conduttanza
di una sottobanda, ottenuta dalla corrente per ul, m ,uR, vale allora

G = 242/71 = R,:_.1 (7.50)

o si annulla se ,u.L, ,ug < E0,.,,9,,,,. Se V9 è grande e negativo, il canale e
chiuso, in quanto W 2. 0 e lienergia di confinamento Eg,1,1 e molto grande.
Se V9 aumenta (iV9i diminuisce) I/V cresce, finché E0,1,1 < /ilL,p.R. La
prima sottobanda può allora contribuire al trasporto, e la conduttanza
vale 2c2/h.. Un ulteriore aumento di V9 fa si che anche E092; < ,u.L, _u.R
e anche la seconda sottobanda contribuisce al trasporto. La conduttanza
totale vale allora 4e2/h. Al crescere di V9 si ottiene, in definitiva, la curva
di quantizzazione della conduttanza mostrata in Fig. 6.1.

Dispositivi a tunneling risonante

I dispositivi a tunneling risonante (RTD), scoperti33 all°inizio degli anni
°70, hanno un°isola centrale costituita da un semiconduttore unidimensio-
nale o bidimensionale a gap piccola (es. GaAs), separata dal resto del cir-
cuito da due barriere composte da un materiale a grande gap (es. AlAs). In
in effetti ia velocità di gruppo, 'ug = ÖE/ôpm.
33'Esaki ha vinto il premio Nobel nel 1973.

527
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Fig. 7.15 - Trasporto in un quantum point contact. (a) Trasporto attraverso

una singola sottobanda. (b) Trasporto attraverso tre sottobande.

genere almeno una delle dimensioni delliisola è talmente grande da rendere

trascurabile U, mentre la più piccola dimensione è di circa 5-10 nm.
La configurazione a due terminali degli RDT può essere migliorata ag-
giungendo un elettrodo di gate accoppiato capacitivamente, e ottenendo
un transistor a tunneling risonante (RTT) (si veda la Fig. 7.15.a).
Nei RTD e possibile il tunneling sequenziale, analogamente a quanto
avviene nei dot zero-dimensionali. I processi dominanti sono però quelli
di tunneling risonante, per i quali il coefiicente di trasmissione attraverso
l”intera zona dell°isola può essere Tm fa 1, quando ii); 2 ,up + 6,; 2 ,ug (si
confronti con le (7.47) e seguente, per U _ O). Ottimizzando la geometria si
osservano risonanze separate, operando sia con V), che con V9 (Fig. 7.15.b).
La caratteristica principale dei RTD è il fatto che possono avere con-
duttanza differenziale negativa (Fig. 7.15.c), per cui essi possono funzio-
nare come dispositivi multistato. Inoltre il tunneling risonante aggira il
problema delle grandi resistenze di tunneling dei SET, permettendo po-
tenzialmente di ottenere piccoli tempi di commutazione tm. Per contro la
sensibilità a dettagli della geometria pone problemi di riproducibilità dei
dispositivi in un circuito integrato.

7.5 Conclusioni

La Fisica dei sistemi mesoscopici mostra una varietà di nuovi fenomeni,

che si manifestano quando le dimensioni dei dispositivi si riducono al di
sotto dei 100 nm. Essi sono intimamente connessi alla natura quantistica
della materia, e per questo il loro studio riveste carattere fondamentale.

528
La comprensione di questa fenomenologia ha portato negli ultimi anni a
formulare proposte di nuovi meccanismi di funzionamento per i nanodi-
spositivi, dando origine a quel complesso di indagini che oggi costituiscono
la Nanoelettronica. Non è chiaro se le nuove proposte possano rivelar-
si competitive rispetto alla tecnologia CMOS tradizionale, per motivi in
parte specifici ai dispositivi proposti (la necessità di temperature criogeni-
che, o la difficoltà di controllo dei processi di fabbricazione per prevenire
contaminazioni dei materiali con la stessa accuratezza oggi possibile per il
silicio). Altre limitazioni per i nanodispositivi sono invece comuni anche
alla via tradizionale verso la miniaturizzazione. Esse vengono dalla pre-
senza di correnti parassitc (valley current) quando il dispositivo dovrebbe
essere spento, dalla grande sensibilità dei dispositivi a fluttuazioni di cor-
rente e di tensione, dalle fluttuazioni indotte da impurità degli ossidi e dei
substrati e dalla estrema sensibilità. delle correnti tunnel derivante dalla
dispendenza esponenziale dai parametri geometrici delle barriere.
Le fluttuazioni da dispositivo a dispositivo indotte da variazioni della
geometria e della configurazione microscopica delle impurità, rappresenta-
no un problema serio. Il disordine su scala atomica è legato alla presenza.
di droganti e a. fattori incontrollati del processo di fabbricazione. allora
necessario che alla miniaturizzazione si accompagni un progresso nel con-
trollo della struttura del dispositivo, al livello atomico. Alcune possibilità
sono eliminare il drogaggio, o drogare in maniera regolare il campione. Cio
ha stimolato la ricerca di nuovi meccanismi, funzionalità e materiali, al-
ternativi alla tecnologia CMOS. In particolare Pelettronica molecolare puo
essere riguardata come un modo per percorrere la strada del drogaggio
regolare. Essa mira a trarre vantaggio combinando la stabilità strutturale
delle molecole, che garantisce la riproducibilità del dispositivo, ed il fatto
che le dimensioni contenute implicano un migliore isolamento dal rumo-
re esterno. Inoltre le proprietà. di autoassemblaggio al livello molecolare
potrebbe fornire una alternativa ai processi di nanofabbricazione. Recen-
temente sono stati fatti notevoli passi in avanti in questa direzione, con
Posservazione della Coulomb Blockade in nanotubi di carbonio34. Il prin-
cipale problema. pratico è, a presente, quello di connettere agli elettrodi
le molecole. Inoltre i meccanismi di trasporto molecolare non sono anco-
ra ben compresi e, a dispetto delle stime teoriche, si osservano mobilità
troppo basse per le applicazioni, presumibilmente a causa dei contatti. In
generale il prezzo da pagare per i dispositivi molecolari è la difficoltà ad

“Gees Dekker presso l°Università di Delft e Richard Smalley alla Rice University.

529
 operare controlli esterni.
Sfruttare appieno le opportunità di controllo della dinamica quantistica
è il punto di partenza di una serie di proposte che costituiscono il nuovo
settore delliinformazione quantistica. In questo caso si sfrutta la proprietà
di un sistema quantistico complesso di operare in sovrapposizioni di stati
(come quelle che descrivono il legame covalente). Il singolo dispositivo è
allora in grado di realizzare algoritmi paralleli. Ciò rende possibile ridurre
alcuni problemi esponenziali a problemi po1inomiali35. Tra i dispositivi
a stato solido, quelli che combinano superconduttività e effetti di char-
ging sono al momento gli unici a mostrare spettacolari effetti di dinamica
coerente, analoghi a. quelli degli atomi in un campo elettromagnetico. An-
che queste proposte devono però fronteggiare ostacoli, che vengono dalla
perdita di coerenza quantistica, che a presente appaiono formidabili.
In conclusione è opportuno sottolineare che sebbene le problematiche
che ostacolano l”uso di dispositivi nanoelettronici nel segmento dei proces-
sori non consentano di elaborare una roadmap che preveda il loro uso in
alternativa ai tradizionali CMOS, la ricerca in questo settore ha gia otte-
nuto risultati nel segmento delle memorie e portato a spettacolari progressi
nel settore degli strumenti di misura ultrasensibili, che ormai si avvicinano
ai limiti ultimi imposti dalla Meccanica Quantistica.

3511 numero di operazioni N99 richieste per eseguire un dato algoritmo è una funzione
della lunghezza dell'input L99. Problemi attaccabili con successo sono polinomiali, ossia
N99 oc Lf., mentre i problemi esponenziali, per i quali N99 oc ef*-“ possono richiedere
capacità di calcolo al di fuori della portata di un qualsiasi computer tradizionale. Un
tipico problema esponenziale in computer classici e quello della fattorizzazione in nu-
meri primi, mentre esistono algoritmi (Shor) che lo rendono polinomiale su computer
quantistici.

530
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533
A. Costanti

Descrizione Simbolo Valore Unità

Costanti Fisiche
Permettività del vuoto E0 5554 >< 10-14 F/cm
Carica dell'elettrone 9 1.502 >< 10-1'-9 C
Costante di Boltzmann It 1.351 >< 10-23 J/K
Costante di Planck h. 6.626 >< 1C"34 Js
.mo ks
1

Massa dell“elettrone libero 9.109 ><X 10'”_

Tensione termica (T = 300 K) VT 25.55 107-5 V

Proprietà del Si a T : 300K

Permettività Es 1.054 >< 10-12 F/cm
Concentrazione intrinseca T2.«_g_ 9.55 >< 109 cm¬l
Mobilità degli elettroni li-77. 1450 cmf /V s
Mobilità delle lacune 505 cing /V s
Ma.ssa efficace dellielettrone ` 1: 2.37 ›< 10-31 ks
Massa. efficace della lacuna *sìsšr
*sì* 0.29 >< 10-31 ks
Densità degli stati
in banda di conduzione Ec 2.86 >< 1019 cm"3
Densità degli stati
in banda di valenza EV 2.55 >< 1019 cin¬-i
Energia di bandga.p EG 1.12 eV
Affinità elettronica X5 4.05 eV

Proprietà del SiO2 a T = 300K

Permettività «€99 34.53 >< 1044 F / cm
Energia di bandgap EG99 9 eV
Aifinità elettronica X011? 1 eV

535
Gianluca Giustolisi e nato a Catania nel 1971. Ha conseguito la laurea in
Ingegneria Elettronica con 110/ 110 e lode nel 1995 e, nel 1999, ha acquisito il
titolo di Dottore di Ricerca in Ingegneria Elettrotecnica. Dal 2002 al 2005 ha
ricoperto il ruolo di Ricercatore Universitario e dal 2005 è Professore Associato
di Elettronica presso l”Università degli Studi di Catania.
Dal 1998 ha tenuto svariati corsi inerenti le discipline elettroniche. All”Università
di Catania ha insegnato Il/Iicroelettronica ed Elettronica II ed, attualmente, à
titolare dei corsi di Dispositivi Elettronici e di Laboratorio di Microelettroni-ca,
presso la Facoltà di Ingegneria, e di Tecnologie Biomediche, presso la Scuola di
Specializzazione in Chirurgia dell*Apparato Digerente. Tiene inoltre il corso di
Elettronica per le Telecomunicazioni presso l*Università Kore di Enna.
Llattività di ricerca riguarda l`analisi, la modellistica e la progettazione di disposi-
tivi e di circuiti analogici lineari e nonlineari. E autore di oltre 60 lavori scientifici
su riviste e conferenze internazionali.
Gaetano Palumbo e nato a Catania nel 1964. Si e laureato in Ingegneria
E-lettrotecnica nel 1988, e nel 1993 ha acquisito il titolo di Dottore di Ricerca.
Dal 2000 è Professore Ordinario di Elettronica presso l”Università di Catania..
Sin da.l 1993, ha tenuto numerosi corsi del settore scientifico elettronico sia alllin-
terno dei corsi di laurea della Facoltà di Ingegneria, tra cui Elettronico. dei sistemi
digitali, Elettronica I, Dispositivi Elettronici, che in Master e corsi di forrnazione
universitari, presso la SISSIS e l°azienda STMicroelectronics.
La sua attività di ricerca è svolta prevalentemente nelllambito della Microelettro-
nica ed in particolare riguarda i circuiti ed i sistemi analogici e digitali.
È autore di altri tre libri, dal titolo: Model and Design of Bipolar and MOS
Cnrre-nt-Mode Logic (Oli/IL, ECL and SCL Digital Circuits), Feedback Ainpilƒlers:
Analysis and Design e CMOS Current-Mode _/lrnplifier pubblicati dalla Klutver
Acca.demic Publisher rispettivamente nel 2004, 2002 1999. Inoltre, e autore
di oltre 300 lavori scientifici, di cui circa oltre 130 su riviste internazionali, ed è
anche autore di 5 brevetti.
Per il biennio 2008-2009 è stato incarica.to di ricoprire il ruolo di Associate Editor
per la rivista IEEE Transaction on Circuits and Systems-I, posizione che ha
già ricoperto nei bienni 1999-2001 e 2003-2005. Nel biennio 2006-2007 è stato
Associate Editor della rivista IEEE Transaction on Circuits and Systems-II.
Fa parte delle Technical Committe della IEEE Circuits and Systems Society: Ana-
log Signal Processing e VLSI systems and applications. Inoltre nel 2003 ha ricevu-
to il premio Darlington per il lavoro “Charge Pump Circuits: Power Consurnption
Optiniization”.
E stato componente del panel per llarea 09 _ Ingegneria industriale e iiell”in.ƒor-
mazione del CIVR (Comitato di Indirizzo per la Valutazione della Ricerca), che
ha avuto il compito di valutare la ricerca scientifica italiana nel suddetto settore
per il triennio 2001-2003. Ha fatto parte, inoltre, di diversi comitati di revisione
e comitati scientifici per di conferenze internazionali.
È Felloiv IEEE.