【ARMv8 SIMD和浮点指令编程】编程基础

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本文详细介绍了ARMv8的AArch64架构下的NEON和浮点指令特性,包括浮点和NEON的新功能、架构、指令格式等。在AArch64中,NEON寄存器数量翻倍,浮点和SIMD成为必需,支持双精度浮点和完整的IEEE 754操作。文章还探讨了浮点数和NEON的并行处理能力,以及浮点参数在函数调用中的传递方式。

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ARM 高级 SIMD 架构、相关的实现和支持软件通常被称为 NEON 技术。AArch32(相当于 ARMv7 的 NEON 指令)和 AArch64 都有 NEON 指令集。两者都可以显著加速在大型数据集上的重复操作。这在媒体编解码器等应用中很有用。AArch64 的 NEON 架构使用 32 × 128 位寄存器,是 ARMv7 的两倍。这些寄存器与浮点指令使用的寄存器相同。

浮点和 NEON 在所有标准 ARMv8 实现中都是必需的。然而,针对特定市场的实现可能支持以下组合:

  • 没有 NEON 和浮点数。
  • 完整的浮点和 SIMD,支持异常捕获。
  • 完整的浮点和 SIMD,不支持异常捕获。

一、AArch64 NEON 和浮点新特性

AArch64 NEON 基于现有的 AArch32 NEON,并进行了以下更改:

  1. 现在有 32 个 128 位寄存器,而 ARMv7 只有 16 个。
  2. 较小的寄存器不再打包到较大的寄存器中,而是一对一地映射到 128 位寄存器的低阶位。单精度浮点数使用低 32 位,而双精度浮点数使用 128 位寄存器的低 64 位。
  3. ARMv7-A 中的 NEON 指令中的 V 前缀已经被删除。
  4. 向向量寄存器写入 64 位或更少的数据会导致更高的位被置零。
  5. 在 AArch64 中,没有在通用寄存器上操作的 S
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