需要周期性刷新的存储器是 **DRAM**，这是由于其基于电容存储的特性决定的

以下存储器中，需要周期性刷新的是 DRAM（动态随机存取存储器）。

解析

1. DRAM 的工作原理
   DRAM 使用电容存储信息，电容会因漏电而逐渐失去电荷，导致存储的数据丢失。因此，DRAM 需要定期刷新（即重新充电）以保持数据的准确性。

2. 刷新周期
   DRAM 的刷新周期通常为 8ms 到 16ms，某些器件的刷新周期可能更长（如大于 100ms）。

3. 其他存储器的特性

   • SRAM（静态随机存取存储器）：不需要刷新，只要保持通电，数据即可长期保存。
   • EPROM 和 EEPROM：属于非易失性存储器，断电后数据不会丢失，也不需要刷新。

总结

需要周期性刷新的存储器是 DRAM，这是由于其基于电容存储的特性决定的。

您的描述完全正确！以下是更详细的解释和补充：

1. DRAM 的工作原理

• DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）使用电容存储信息。
• 每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，电容用于存储电荷，电荷的有无分别表示二进制的“1”和“0”。
• 由于电容会因漏电而逐渐失去电荷，导致存储的数据丢失，因此 DRAM 需要定期刷新以保持数据的准确性。

2. DRAM 的刷新机制

• 刷新周期：DRAM 的刷新周期通常为 8ms 到 16ms，某些器件的刷新周期可能更长（如大于 100ms）。
• 刷新方式：
  • 集中刷新：在固定的时间间隔内集中刷新所有存储单元。
  • 分散刷新：将刷新操作分散到多个时间点进行，以减少对系统性能的影响。
• 刷新操作：刷新操作通过读取存储单元的数据并重新写入来实现，以恢复电容的电荷。

3. DRAM 的特点

• 高密度：由于每个存储单元仅由一个晶体管和一个电容组成，DRAM 的存储密度较高，适合大容量存储器。
• 低成本：DRAM 的制造成本较低，广泛应用于计算机的主存储器。
• 易失性：DRAM 是易失性存储器，断电后数据会丢失。

4. 与其他存储器的比较

• SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）：
  • 使用触发器存储信息，不需要刷新。
  • 只要保持通电，数据即可长期保存。
  • 速度快，但存储密度低，成本高，通常用于高速缓存。
• EPROM 和 EEPROM：
  • 属于非易失性存储器，断电后数据不会丢失。
  • 不需要刷新，但写入速度较慢，通常用于固件存储。

5. 总结

需要周期性刷新的存储器是 DRAM，这是由于其基于电容存储的特性决定的。DRAM 的刷新机制确保了数据的准确性，但也带来了额外的系统开销。