ELETRÔNICA ANALÓGICA

AULA 2

Prof. Eng. Viviana Raquel Zurro MSc.

CONVERSA INICIAL

TRANSÍSTORES DE JUNÇÃO

Nesta etapa, estudaremos transístores bipolares de junção (TBJ ou BJT

– Bipolar Junction Transístor, em inglês). Todos os dispositivos eletrônicos,
sejam eles analógicos ou digitais, estão formados por transístores que podem
ser de junção, que serão estudados aqui, ou de efeito de campo. Os transístores
são os elementos ativos que permitem que o circuito faça processamentos de
sinais que seriam impossíveis com dispositivos passivos. Nesta etapa,
estudaremos o TBJ como dispositivo discreto (ele como unidade), mas ele
também é a parte ativa de circuitos integrados, como veremos posteriormente
em outros dispositivos.
Este transístor é usado para aplicações analógicas e digitais. Em
aplicações analógicas eles podem ser usados como amplificadores. Os
amplificadores são circuitos que amplificam (aumentam) um determinado sinal.
Essa amplificação pode ser de tensão, de corrente ou de potência. No geral, os
sensores que captam sinais físicos entregam sinais elétricos muito pequenos
com potência quase nula (de amplitudes entre micro e milivolts). Para que estes
sinais possam ser processados, será necessário amplificá-los para que o
sistema atuador consiga entregar o sinal desejado (por exemplo, um amplificador
de áudio precisa entregar uma determinada potência de áudio para que a gente
consiga escutar o som). Nesta etapa, veremos as configurações de transístores
para circuitos amplificadores de sinais.
Em aplicações digitais, desde o mais simples inversor lógico até o
processador mais complexo são feitos com transístores. Os circuitos digitais se
dividem em diferentes famílias lógicas. Aqui, estudaremos a estrutura básica da
família TTL (Transístor – Transístor Logic, em inglês, Lógica Transístor –
Transístor, em português), a qual correspondem os circuitos digitais compostos
por TBJ.

TEMA 1 – TRANSÍSTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

Este dispositivo é o transístor mais comum que existe. E é chamado de

bipolar porque o processo de condução nele é devido a cargas positivas
(lacunas) e negativas (elétrons). Ele é um amplificador de corrente, no qual a
corrente do coletor é controlada pela corrente da base. Em aplicações analógicas
ele pode ser usado como amplificador de tensão também, e como é um
amplificador de corrente, ele também se comporta como amplificador de
potência. Em aplicações digitais ele é usado como chave eletrônica e compõe
diferentes famílias lógicas (por exemplo, TTL, ECL etc.).

1.1 Estrutura

O transístor de junção (que vamos chamar de TBJ a partir de agora) é um

dispositivo de três terminais. A Figura 1 mostra a estrutura de dois tipos de TBJ,
NPN e PNP. Em circuitos eletrônicos os dois tipos são usados, as características
do circuito vão determinar qual transístor será usado.

Figura 1 – Transístores de junção (a) NPN, (b) PNP

(a) (b)

Fonte: elaborados com base em Boylestad e Nashelsky, 2013.

Os terminais são:

• Emissor (𝑬 na Figura 1): fortemente dopado, emite portadores de carga.

• Base (𝑩): camada muito fina levemente dopada, o material apresenta alta
resistividade e está entre o coletor e o emissor.

3
 • Coletor (𝑪): dopagem aproximadamente dez vezes menor do que a base,
coleta os portadores vindos do emissor e regulados pela base. A
superfície dele é maior devido à grande dissipação de potência.

As setas das correntes da Figura 1 indicam o sentido normal de circulação

para os dois transístores. O terminal do emissor é indicado por uma flecha no
símbolo. No transístor NPN a flecha vai do terminal da base para o terminal de
emissor, e no transístor PNP vai do terminal do emissor para o da base. Essa
flecha indica o sentido da circulação da corrente para o transístor ativo ou
saturado.
O transístor é um dispositivo de três camadas em que o coletor e o
emissor são do mesmo tipo e a base é de um tipo diferente. Por exemplo, no
transístor NPN, o emissor e o coletor são do tipo n (portadores majoritários
elétrons) e a base é do tipo p (portadores majoritários lacunas). No caso do
transístor PNP o emissor e o coletor são do tipo p e a base é do tipo n. A Figura
2 mostra uma estrutura simplificada de um transístor NPN em que o coletor está
construído ao redor da base e do emissor permitindo que praticamente todos os
elétrons injetados na base sejam coletados pelo coletor. Uma pequeníssima
parte destes elétrons será desviada para a base, portanto a corrente de emissor
no modo ativo será praticamente igual à do coletor.

Figura 2 – Seção transversal simplificada de um TBJ NPN planar

Fonte: Zurra, 2022.

Como podemos observar na Figura 2, mesmo o coletor e o emissor sendo

do mesmo material, eles não são simétricos em relação à base. As
características do emissor são muito diferentes das do coletor tanto em tamanho
quanto em dopagem. Por isso, quando formos montar um circuito transístorizado
não podemos trocar o coletor pelo emissor porque o circuito não vai funcionar se
o dispositivo não estiver ligado corretamente. A estrutura interna dele é
4
normalmente otimizada para trabalhar no modo de operação direto (ver Tabela
1). Nas Figura 1 e 2, podemos ver que haverá uma junção p-n entre o emissor e
a base e outra junção entre base e coletor. O segredo do funcionamento do
transístor está nas junções.
Para análise do transístor com grandes sinais, ele pode ser representado
pelo modelo de Ebers-Moll mostrado na Figura 3. Neste modelo, as junções base
emissor (BE) e coletor base (CB) podem ser representadas por diodos e paralelo
com fontes controladas de corrente.
No momento da fabricação do transístor se formam as junções BE e CB
e, portanto, se formarão camadas de depleção com seus correspondentes
potenciais de contato, formando-se assim as barreiras de potencial como já
explicado. A largura das regiões de depleção tanto BE como CB dependerão da
tensão externa aplicada (polarização).

Figura 3 – Modelo de Ebers-Moll de transístores NPN

Fonte: adaptada de Krishnavedala, 2010.

1.2 Parâmetros do transístor

O transístor de junção é um dispositivo cuja corrente de coletor é

controlada pela corrente da base. A eficiência do transístor é determinada pela
quantidade de portadores majoritários do emissor que podem atravessar a base
chegando no coletor. No caso do transístor NPN, elétrons injetados pelo emissor,
e no PNP lacunas injetadas pelo emissor. Existem dois parâmetros que definem
a relação entre as correntes no transístor de junção.

5
 • 𝛽𝐹 (F de forward – direto): chamado ganho de corrente em emissor
comum, também conhecido como ℎ𝐹𝐸 , relaciona a corrente DC do coletor
com a corrente DC da base quando o transístor está na região ativa.
Geralmente, é maior do que 100 vezes (podem chegar a 1000 vezes
dependendo do transístor) para transístores de pequenos sinais, mas
pode ser menor para transístores de potência.
• 𝛼𝐹 : ganho de corrente em base comum que relaciona a corrente DC do
coletor com a corrente DC do emissor, cujo valor está entre 0,990 e 0,998.

A equação (1) mostra os parâmetros e a relação de correntes:

𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝛼𝐹 = 𝛽𝐹 = (1)
𝐼𝐸 𝐼𝐵
Trabalhando com a equação (1) podemos verificar que:
𝛽𝐹 𝛼𝐹
𝛼𝐹 = ⟺ 𝛽𝐹 = (2)
1 + 𝛽𝐹 1 − 𝛼𝐹

1.3 Modos de operação dos transístores

O funcionamento de transístores NPN e PNP é similar. A diferença entre

eles está no sentido das correntes e na polaridade das tensões de polarização.
Aqui, estudaremos o modo de operação de um transístor NPN, mas cabe lembrar
que para o transístor PNP todos os cálculos serão iguais, mas trocando o sinal
de correntes e tensões. A difusão de portadores na base do transístor é a
responsável pelo fluxo de corrente. A corrente do coletor é principalmente devida
ao mecanismo de deriva (fluxo de carga devido à aplicação de um campo elétrico
externo). Os portadores são injetados pelo emissor na base do dispositivo. Como
a base é de um tipo diferente do emissor e coletor, os portadores atravessam a
base pelo mecanismo de difusão até atingir o coletor. Quando o transístor está
polarizado na região ativa, a junção base-emissor está diretamente polarizada e
a junção base-coletor reversamente polarizada. A Figura 4 apresenta o fluxo de
correntes em um transístor NPN na região ativa.

6
Figura 4 – Componentes de corrente em um transístor NPN na região ativa

Fonte: elaborado com base em JP314159, 2019.

É necessário que a base seja extremamente fina (alguns µm) para que
haja mínima recombinação dos portadores que vêm do emissor para o coletor.
A taxa de recombinação na base é baixa devido à sua dopagem ser muito menor
que a do emissor, isto possibilita que a grande maioria dos portadores vindos do
emissor atinja o coletor. Devido a isto, a largura da base deve ser muito menor
que o comprimento de difusão dos portadores majoritários vindos do emissor.
Com a junção do coletor – base está reversamente polarizada, a quantidade de
portadores majoritários injetados do coletor para a base é extremamente
pequena, principalmente devido à temperatura. Os transístores de junção têm
quatro regiões específicas de trabalho, as quais estão representadas da Tabela
1. A Figura 5 mostra as curvas de entrada e saída de um transístor na
configuração emissor comum. Nas curvas de saída, é possível ver as três
principais regiões de operação do transístor (ativo direto, saturado e em corte).

Tabela 1 – Modo de operação de um transístor de junção

Tensão Polarização da junção

Tipo Modo
aplicada BE CB
E<B<C direta reversa Ativo direto
E<B>C direta direta Saturado
NPN
E>B<C reversa reversa Em corte
E>B>C reversa direta Ativo inverso
E>B>C direta reversa Ativo direto
E>B<C direta direta Saturado
PNP
E<B>C reversa reversa Em corte
E<B<C reversa direta Ativo inverso
Fonte: Zurro, 2022.

7
Figura 5 – Transístor na configuração emissor comum: (a) curvas de saída (curva
do coletor), (b) curvas de entrada (diodo base – emissor)

(a) (b)
Fonte: Boylestad e Nashelsky, 2013.

1.3.1 Ativo direto ou simplesmente ATIVO

Nos transístores comuns (sem considerar transístor de entrada de uma

porta TTL), quando o diodo base – emissor está diretamente polarizado, o
transístor pode estar ativo ou saturado. O transístor estará ativo se o diodo
coletor – base está reversamente polarizado. Neste caso, pequenas correntes
da base provocarão grandes correntes de coletor proporcionais às correntes da
base. A Figura 6 mostra graficamente a conexão de um transístor NPN
polarizado na região ativa. Para o transístor PNP, a conexão é igual só
considerando sinais de tensão e corrente trocados.

Figura 6 – Transístor NPN ativo, as setas estão no sentido correto de circulação

da corrente

Fonte: Surra, 2022.

8
 Para que o transístor entre na região ativa, a tensão 𝑉𝐵𝐸 deve ser superior
ao valor mínimo chamado tensão de limiar de condução (ou tensão de corte em
algumas bibliografias) 𝑉𝛾𝐵𝐸 (para o material silício 𝑉𝛾𝐵𝐸 ≅ 0,5𝑉). Esta tensão 𝑉𝐵𝐸
derruba a barreira de potencial da junção base – emissor. Na região ativa 𝑉𝐵𝐸 ≅
0,7𝑉 para o transístor de silício. Neste caso, o campo elétrico na junção coletor
– base permitirá que a maior parte dos portadores provenientes do emissor
atinjam o coletor.

Figura 7 – (a) Transístor NPN em equilíbrio (sem alimentação externa), (b)

Transístor NPN ativo: injeção de portadores na base e sua movimentação no
coletor

(a) (b)
Fonte: elaborado com base em Inductiveload, 2007.

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 (3)

A equação (3) se cumpre em todos os modos de operação do
transístor. Na região ativa (somente nesta região) (Millman; Halkias, 1972):
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (4)
Se 𝛽 ≫ 1:
𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 (5)

1.3.2 Ativo inverso (ou ativo reverso ou invertido)

Este caso se aplica somente ao transístor de entrada de uma lógica TTL

e será analisado em aplicações digitais de transístores de junção. No caso do
transístor como amplificador, consideramos somente três regiões: corte, ativo e
saturado.

1.3.3 Saturação

9
 A saturação acontece quando as duas junções do transístor estão
diretamente polarizadas (fechadas). Neste caso, o transístor se comporta como
um “curto-circuito” (chave fechada “on” em circuitos lógicos) e pode haver grande
circulação de corrente entre coletor e emissor.

1.3.4 Corte

O corte acontece quando as duas junções do transístor estão

reversamente polarizadas (abertas). Neste caso, o transístor se comporta como
um circuito aberto (chave aberta “off” em circuitos lógicos) e não há circulação
de corrente no dispositivo.
A Figura 8 mostra os três modos principais de operação de um transístor.
Mesmo que o transístor mostrado na figura seja um NPN, as mesmas condições
se aplicam ao transístor PNP.

Figura 8 – Modos de operação de um transístor de junção NPN

Fonte: Zurra, 2022.

A Tabela 2 mostra as tensões características de um transístor de silício.

Os valores para o transístor PNP são os mesmos, mas com polaridades
diferentes:

10
Tabela 2 – Tensões características das junções de um transístor NPN de silício
nos principais modos de operação

𝑽𝑩𝑬 [𝑽] 𝑽𝑪𝑬 [𝑽] 𝑽𝑪𝑩 [𝑽]

Depende do
Depende de
Ativo ~0,7 circuito
𝑉𝐶𝐸 e 𝑉𝐵𝐸
externo
Saturado ~0,8 ~0,2 ~0,6
Depende do Depende do Depende do
Em corte circuito circuito circuito
externo externo externo

Fonte: Zurro, 2022.

O limiar de condução 𝑉𝛾 é a tensão para a qual o transístor começa a sair

do corte e entrar na região ativa, para um transístor de silício essa tensão é de
0,5 V. A Tabela 3 mostra a relação de correntes.

Tabela 3 – Relação de correntes de um transístor NPN de silício nos

principais modos de operação

𝑰𝑩 𝑰𝑪 𝑰𝑬
Depende do 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
Ativo circuito 𝛽𝐼𝐵 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
externo ≅ 𝐼𝐶
Depende do Depende do
Saturado circuito circuito 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
externo externo
Em corte 0 0 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 0

Fonte: Zurra, 2022.

TEMA 2 – CONFIGURAÇÕES

Quando trabalhamos com transístores, existem três configurações

básicas que serão usadas no circuito. Emissor Comum (EC), Coletor Comum
(CC) e Base Comum (BC). Cada uma destas configurações tem características
particulares que fazem com que sejam usadas em diferentes aplicações.
Nomenclatura
Os circuitos eletrônicos processam determinados sinais, mas precisam
ser alimentados com fontes de tensão contínua. Para fazer análise de um circuito
eletrônico, é necessário diferenciar os sinais variáveis (que serão processados)

11
dos sinais contínuos da fonte de alimentação. Para isso usaremos a seguinte
nomenclatura.

• Sinais contínuos (alimentação) em letras maiúsculas: 𝑽 (tensão), 𝑰

(corrente), 𝑷 (potência).
• Sinais variáveis (para processamento) em letras minúsculas: 𝒗 (tensão),
𝒊 (corrente), 𝒑 (potência).

As três configurações básicas são mostradas na Figura 9 para um

transístor NPN, para o transístor PNP elas são as mesmas:

Figura 9 – Configurações de transístores de junção: (a) emissor comum, (b)

coletor comum, (c) base comum

(a) (b) (c)

Fonte: Zurro, 2022.

• Emissor comum: neste caso, o emissor é comum às malhas de entrada

e saída e o sinal entra na base do dispositivo e sai no coletor.
• Coletor comum: neste caso, o coletor é comum às malhas de entrada e
saída e o sinal entra na base do dispositivo e sai no emissor.
• Base comum: neste caso, a base é comum às malhas de entrada e saída
e o sinal entra no emissor dispositivo e sai no coletor.

Nota: não existe configuração em que o sinal entre pelo coletor ou saia pela
base.

2.1 Configuração Emissor Comum (EC)

Esta é a configuração mais usada, pois fornece ganho de potência

(ganhos de tensão e de corrente maiores do que 1). O ganho de corrente é
característico do dispositivo e vem especificado na folha de dados (𝛽 do
transístor). O ganho de tensão será determinado pelo projetista do circuito que
determinará o valor deste de acordo com as necessidades do sistema.

12
 A Figura 10 mostra dois tipos de circuitos transistorizados na configuração
emissor comum. Nestes dois circuitos, podemos observar dois tipos de sinal de
tensão, 𝑉𝐶𝐶 , que representa a fonte de tensão contínua que fornecerá a
alimentação do circuito, e 𝑣𝑖 , que representa o sinal variável da entrada. Os
capacitores do circuito servem de bloqueio de contínua entre etapas (desacople
de contínua) para que o ponto de operação da etapa (definido pelos resistores
do 𝑅1 , 𝑅2 , 𝑅𝑐 e 𝑅𝑒 na figura (b) e a fonte de alimentação contínua) não seja
influenciado por etapas anteriores e nem influencie etapas posteriores. Estes
capacitores são calculados para que, mesmo bloqueando o sinal de contínua,
deixem passar o sinal variável da entrada do circuito.
A Figura 10 (a) mostra um transístor na configuração EC, sem resistor de
emissor (EC com emissor aterrado) que apresente um ganho de tensão maior.
A Figura 10 (b) mostra um transístor na configuração EC, com resistor de
emissor. Apesar de apresentar um ganho de tensão menor que o da figura (a),
ele é muito mais estável e, portanto, muito mais usado. O resistor de emissor
introduz realimentação negativa. Esta realimentação negativa funciona da
seguinte maneira.

• Às vezes ruído elétrico ou flutuações da fonte de alimentação podem fazer

variar a corrente de coletor independentemente do sinal de entrada,
aumentando assim a corrente de emissor.
• Com o aumento da corrente de emissor, a tensão em 𝑅𝑒 irá aumentar
diminuindo a tensão base – emissor.
• Esta diminuição da tensão base – emissor obriga a corrente de coletor a
diminuir.
• Este mecanismo permite que o circuito se mantenha em uma região de
operação estável.

13
Figura 10 – Transístor NPN, (a) configuração emissor comum (emissor aterrado),
(b) configuração emissor comum com resistência de emissor

(a) (b)

Fonte: Zurra, 2022.

A configuração EC com resistência de emissor apresenta várias

vantagens que permitem que seja muito mais usada.

• Aumenta a impedância de entrada 𝑅𝑖 .

• Melhora a distorção não linear.
• O ganho de tensão é quase independente do 𝛽.
• Melhora significativamente a resposta em altas frequências (banda
passante mais larga).

As características principais desta configuração são:

• Ganho de tensão 𝐴𝑉 > 1, determinado pelo projetista.

• Ganho de corrente 𝐴𝐼 ≫ 1, dado do fabricante.
• Impedância de entrada relativamente baixa.
• Impedância de saída relativamente alta.
• Banda passante muito larga, dependendo principalmente das
características do dispositivo (dado do fabricante).

Os amplificadores de sinais não são projetados numa única etapa, eles

têm que ter no mínimo três etapas para uma boa amplificação de sinal. A Figura
11 mostra um diagrama de blocos básico de um amplificador de sinais. Cada um
destes blocos tem características específicas.

14
 • Amplificador de entrada: precisa ter alta impedância para isolar
eletronicamente o sensor ou gerador externo (sinal de entrada), sem
puxar demasiada corrente.
• Etapa de processamento: nesta etapa, o projetista tem liberdade de fazer
o que seja necessário para o processamento do sinal.
• Amplificador de saída: precisa ter baixa impedância de saída para ser
capaz de fornecer altas correntes à carga.

Figura 11 – Etapas de um amplificador genérico de sinal

Fonte: Zurra, 2022.

Pelas características de impedância de entrada relativamente baixa e

impedância de saída relativamente alta, esta configuração não é a mais
adequada para estar na entrada ou na saída de circuitos amplificadores. Ela é
adequada para ser projetada como amplificador intermediário pela estabilidade,
ganho de potência e versatilidade que tem.
Os resistores 𝑅𝑐 e 𝑅𝑒 da Figura 10 (b) são adotados pelo projetista e
determinam o ganho de tensão do circuito, como mostra a equação (6). O ganho
de tensão é negativo com módulo maior do que 1 porque nesta configuração o
transístor é um amplificador inversor.
𝑣𝑜 𝑅𝐶
𝐴𝑉 = =− (6)
𝑣𝑖 𝑅𝐸
O ganho de corrente de curto-circuito é dado do fabricante e relaciona a
corrente de coletor com a corrente da base na região ativa como mostra a
equação (7).
𝐼𝐶
𝐴𝐼 = 𝛽 = (7)
𝐼𝐵

2.2 Configuração Coletor Comum (CC)

Esta é a segunda configuração mais usada. Ela oferece ganho de

corrente, alta impedância de entrada, o que permite isolar etapas, e baixa
impedância de saída, o que permite entregar correntes elevadas para as etapas

15
seguintes. Este circuito pode não ter a resistência de coletor 𝑅𝑐 , mas é
conveniente colocar o resistor do coletor para definir o ponto de operação do
transístor. Esta configuração é adequada para as etapas de entrada e saída do
amplificador, e como separador entre etapas. A Figura 12 mostra um transístor
na configuração coletor comum.

Figura 12 – Transístor NPN em configuração coletor comum

Fonte: Zurra, 2022.

As características principais desta configuração são as que se seguem.

• Ganho de tensão 𝐴𝑉 ≅ 1 (< 1).

• Ganho de corrente 𝐴𝐼 ≫ 1.
• Impedância de entrada alta.
• Impedância de saída baixa.
• Banda passante muito larga, dependendo principalmente das
características do dispositivo (dado do fabricante).

O ganho de tensão é ligeiramente menor do que 1:

𝑣𝑜
𝐴𝑉 = ≅ 1 (< 1) (8)
𝑣𝑖
O ganho de corrente de curto-circuito relaciona a corrente de emissor com
a corrente da base na região ativa como mostra a equação (9).
𝐼𝐸
𝐴𝐼 = =𝛽+1 (9)
𝐼𝐵

2.3 Configuração Base Comum

Esta configuração é pouco usada, principalmente em reguladores de

tensão como transístor de passagem com fornecimento de corrente por meio de

16
uma alta impedância de saída. Alguns amplificadores de sensores com baixa
impedância de saída também podem usar esta configuração. Na Figura 13
podemos ver um transístor na configuração base comum. Nesta figura, os
capacitores também são usados para desacople de contínua.

Figura 13 – Transístor NPN em configuração base comum

Fonte: Zurra, 2022.

As características principais desta configuração são as que se seguem.

• Ganho de tensão 𝐴𝑉 ≫ 1, determinado pelo projetista.

• Ganho de corrente 𝐴𝐼 ≅ 1 (< 1).
• Impedância de entrada baixa.
• Impedância de saída alta.
• Banda passante muito larga, dependendo principalmente das
características do dispositivo (dado do fabricante).

A impedância de entrada baixa e de saída alta fazem com que ele seja
adequado para adaptação de impedâncias e para reguladores de fontes de
contínua.
O ganho de tensão é maior do que 1:
𝑣𝑜
𝐴𝑉 = ≫1 (10)
𝑣𝑖
O ganho de corrente de curto-circuito relaciona a corrente de coletor com
a corrente do emissor na região ativa como mostra a equação (11).
𝐼𝐶
𝐴𝐼 = ≅ 1 (< 1) (11)
𝐼𝐸

TEMA 3 – POLARIZAÇÃO

17
3.1 Classes de funcionamento

A classe na qual o circuito vai funcionar depende da polarização do

dispositivo. Mas o que é polarização? Polarizar é colocar o transístor em um
determinado ponto de trabalho. Desse ponto de trabalho depende como o
transístor vai se comportar no circuito. Em diferentes pontos de operação o
funcionamento do transístor será diferente, e vai ser o projetista que vai decidir
como o transístor deve se comportar. O ponto de operação determinará as
diferentes classes de funcionamento:

Tabela 4 – Classes de funcionamento de um circuito

Classe Funcionamento Corrente de saída

Ângulo de condução 360𝑜 , a
corrente de coletor é
A
proporcional à corrente de
entrada no ciclo completo.

Ângulo de condução 180𝑜 , a

corrente de coletor é
B
proporcional à corrente de
entrada em meio ciclo.

Ângulo de condução entre 180𝑜

e 360𝑜 , a corrente de coletor é
AB
proporcional à corrente de
entrada em mais de meio ciclo.
Ângulo de condução menor do
que 180𝑜 , a corrente de coletor
é proporcional à corrente de
C entrada em menos de meio
ciclo, sendo necessário mais um
circuito para recuperar o sinal
(envoltória, no caso).

Fonte: Dias, 2006.

Neste tópico, estudaremos a polarização em Classe A. Quando o

transístor está polarizado em classe A, o sinal entra no circuito e sai inteiro na
saída dele. Quando o transístor está polarizado em outras classes somente uma
porção do sinal sairá na saída do sistema. As classes B, AB, e C são usadas em
circuitos específicos que não serão apresentados nesta nossa caminhada.

3.2 O ponto de operação

18
 Os transístores de junção podem ser usados para aplicações analógicas
e digitais. Nesta seção, falaremos acerca das aplicações analógicas, ou seja, do
transístor como amplificador de tensão, corrente e potência. Quando
trabalhamos com transístores como amplificadores, é necessário colocar ele
num determinado ponto de operação (ponto quiescente) definido por tensões e
correntes contínuas (da fonte de alimentação). O sinal aplicado na entrada do
circuito se “movimentará” ao redor desse ponto. Dependendo da classe, o ponto
de operação poderá estar perto da região de corte, da região ativa ou da região
de saturação. Como nesta etapa falaremos de classe A, esse ponto deverá estar
no meio da região ativa. A Figura 14 mostra as curvas de saída de um transístor
NPN e mostra as quatro regiões principais, região de corte, região ativa, região
de saturação e curva de potência máxima. Na região de corte o transístor se
comporta como chave aberta e na região de saturação como chave fechada. Na
região ativa (região linear) ele se comporta como amplificador, e a curva 𝑃𝐶𝑚á𝑥
indica o limite de dissipação de potência que o coletor do transístor suporta. Além
deste limite, o dispositivo pode vir a queimar.
As regiões de corte e saturação são apropriadas principalmente para o
transístor como dispositivo digital. Na Figura 14 podemos ver três pontos de
operação. O ponto C, mesmo estando dentro da região ativa, está muito perto
das regiões de corte e saturação, o que fará que haja variação pequena da
tensão e corrente de saída. O ponto D está muito perto da curva de potência
máxima, o que pode fazer com que o dispositivo seja danificado se ultrapassar
a máxima dissipação de potência do coletor. O ponto B se encontra no meio da
região ativa, permitindo que o sinal esteja inteiro dentro da região linear; este
seria o ponto de operação para um transístor polarizado em classe A (Boylestad;
Nashelsky, 2013).

19
Figura 14 – Curvas de saída de um transístor NPN com vários pontos de
operação dentro da região ativa

Fonte: Boylestad e Nashelsky, 2013.

Cabe lembrar que é o projetista que decidirá onde deve estar o ponto
de operação de acordo com o tipo de aplicação que o transístor terá dentro do
circuito.

3.3 Tipos de polarização

Para determinar o ponto de operação de um transístor existem várias

configurações de circuitos. Elas são:

• polarização fixa;
• polarização do emissor;
• polarização por divisor de tensão;
• polarização com realimentação do coletor.

Os circuitos que analisaremos nas seções seguintes usam transístores

NPN, para transístores PNP a análise será a mesma, mas com fontes de
alimentação negativas. O mesmo aplica-se a circuitos com mais de um
transístor. Análise de malhas e nós são válidas para qualquer tipo de circuito
eletrônico.

3.3.1 Polarização fixa

20
 A Figura 15(a) apresenta um circuito com transístor NPN em configuração
emissor comum com polarização fixa. Na Figura 15(b) os sinais de entrada e
saída não aparecem (sinais variáveis), é este circuito que usaremos para
determinar o ponto de operação do transístor.

Figura 15 – (a) Transístor NPN com polarização fixa, (b) circuito equivalente para
CC

(a) (b)

Fonte: elaborado com base em Boylestad e Nashelsky, 2013.

Malha de entrada
A junção base emissor está diretamente polarizada, portanto o transístor
pode estar ativo ou saturado. Mas como vamos calcular o ponto de operação
para ele se comportar como amplificador, vamos assumir que ele está ativo.
Aplicando lei de Kirchoff das tensões na malha de entrada:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 (12)
Para o transístor de silício na região ativa 𝑉𝐵𝐸 = 0,7[𝑉].
Portanto,
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (13)
𝑅𝐵
Malha de saída
A malha de saída cumpre com as seguintes equações:
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (14)
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 (15)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (16)
A equação (14) é válida somente para transístores na região ativa. O
ponto de operação de um transístor é definido pela corrente da base 𝐼𝐵 , pela
21
corrente de coletor 𝐼𝐶 e pela tensão de coletor emissor 𝑉𝐶𝐸 . Quem determina o
ponto de operação são os resistores da base 𝑅𝐵 e do coletor 𝑅𝐶 . Quando estes
resistores são dados do problema, os parâmetros do ponto de operação deverão
ser calculados. Caso contrário, o projetista deverá escolher o ponto de operação
do dispositivo de acordo com as necessidades do circuito e calcular os resistores
que cumpram com estas condições.
Análise gráfica por reta de carga
A inclinação da reta de carga do circuito na Figura 16 é definida pelo
resistor do coletor (Lei de Ohm na malha de saída). Na Figura 16 o ponto de
operação definido pelos resistores da base e do coletor está marcado com uma
estrela amarela. Durante o desenvolvimento do circuito eletrônico é o projetista
que define a posição do ponto de operação, geralmente escolhendo a tensão de
coletor emissor de acordo com as necessidades do circuito (para classe A
geralmente escolhemos 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 /2). O ganho de corrente de curto-circuito 𝛽 é
dado do fabricante, o que facilita o cálculo das correntes de coletor e de base.
Conhecendo as correntes, o cálculo dos resistores se reduz a cálculo simples.

Figura 16 – Reta de carga de um transístor com polarização fixa (folha de dados

do transístor)

Na região de saturação 𝑉𝐶𝐸 ≅ 0

portanto:
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 ⇒ 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶
Na região de corte 𝐼𝐶 ≅ 0,
portanto:
𝑉𝐶𝐶 = 0. 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 ⇒ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶

Fonte: Zurra, 2022.

Agora, se os resistores são conhecidos e já estão definidos no circuito,

eles junto com a fonte de alimentação determinarão o ponto de operação do
transístor.

3.3.2 Polarização fixa com resistor de emissor

22
 O circuito da Figura 15 apresenta impedância de entrada relativamente
baixa, o que carrega a etapa anterior. Uma solução é colocar um resistor no
emissor, que, além de aumentar a impedância de entrada, vai proporcionar maior
estabilidade ao circuito (realimentação negativa). Na Figura 17, podemos ver o
circuito com polarização fixa com resistor de emissor. A Figura 17 (a) mostra o
transístor em configuração EC, e a Figura 17 (b) o circuito que será usado para
fazer a análise do ponto de operação.

Figura 17 – (a) Transístor NPN com polarização fixa com resistor de emissor, (b)
circuito equivalente para CC

(a) (b)

Fonte: elaborado com base em Boylestad e Nashelsky, 2013.

Malha de entrada
O diodo base emissor está diretamente polarizado, portanto
consideraremos que o transístor está na região ativa. Considerando a Figura 17
(b) e aplicando Lei de Kirchoff das tensões na malha de entrada:

• Na região ativa 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝑅𝐸 (17)

Portanto,
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (18)
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
Malha de saída

• Na região ativa 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ≅ 𝐼𝐸 sempre que 𝛽 ≫ 1

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (19)

23
 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (20)
Quem determina o ponto de operação especificado por 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 e 𝑉𝐶𝐸 são os
resistores de base e de emissor. Se os resistores (os dois ou um deles) não são
dados do problema, o projetista escolherá a tensão de coletor – emissor 𝑉𝐶𝐸
(geralmente igual a 𝑉𝐶𝐶 /2 para trabalhar em classe A) de acordo com as
necessidades do circuito e calculará os resistores de acordo com ela. Agora, se
os resistores são dados do problema, o ponto de operação deverá ser calculado.
Análise gráfica por reta de carga
Os resistores de coletor e emissor definem a reta de carga do circuito, na
Figura 18 podemos ver a análise gráfica de um transístor com polarização fixa
com resistor de emissor.

Figura 18 – Reta de carga de um transístor com polarização fixa com resistor de

emissor (folha de dados do transístor)

Na região de saturação 𝑉𝐶𝐸 ≅ 0 ,

portanto:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸 ⇒
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
Na região de corte 𝐼𝐶 ≅ 0 ,
portanto:
𝑉𝐶𝐶 = 0. (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸 ⇒ 𝑉𝐶𝐸
= 𝑉𝐶𝐶

Fonte: Zurra, 2022.

A inclinação da reta de carga do circuito na Figura 18 é definida pelos

resistores do coletor e emissor (Lei de Ohm na malha de saída). Na Figura 18, o
ponto de operação definido pelos resistores da base, do coletor e do emissor,
está marcado com uma estrela amarela. Durante o desenvolvimento do circuito
eletrônico é o projetista que define a posição do ponto de operação, geralmente
escolhendo a tensão de coletor emissor de acordo com as necessidades do
circuito (para classe A geralmente escolhemos 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 /2). O ganho de
corrente de curto-circuito 𝛽 é dado do fabricante, o que facilita o cálculo das
correntes de coletor e de base. Conhecendo as correntes, o cálculo dos
resistores se reduz a cálculo simples.

24
3.3.3 Polarização por divisor de tensão

A polarização mais usada é a polarização por divisor de tensão com

resistor de emissor. Ela é a mais estável e as tensões e correntes são
praticamente independentes do 𝛽 do transístor). Na Figura 19 ,podemos ver o
circuito com polarização por divisor de tensão com resistor de emissor. A Figura
19 (a) mostra o transístor em configuração EC, e a Figura 19 (b) o circuito que
será usado para fazer a análise do ponto de operação.

Figura 19 – (a) Transístor NPN com polarização por divisor de tensão, (b) circuito
equivalente para CC

(a) (b)

Fonte: elaborado com base em Boylestad e Nashelsky, 2013.

Malha de entrada
Para analisar a malha de entrada é conveniente aplicar o teorema de
Thevenin na base do transístor. Na Figura 20, podemos ver o equivalente
Thevenin na base do circuito da Figura 19 (b).

Figura 20 – Equivalente Thevenin na base do transístor da Figura 19 (b)

𝑅2
𝑉𝑇ℎ = 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ∥ 𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2

25
Fonte: Zurra, 2022.

Polarização direta da junção base – emissor, aplicando lei de Kirchoff das

tensões na malha de entrada:
𝑉𝑇ℎ = 𝐼𝐵 𝑅𝑇ℎ + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 𝐼𝐵 𝑅𝑇ℎ + 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝑅𝐸 (21)
Portanto,
𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (22)
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝑅𝐸
Este circuito também pode ser analisado aplicando equação de nó na
base do transístor:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 𝑉𝐵
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 ⇒ = + 𝐼𝐵 (23)
𝑅1 𝑅2
Malha de saída e análise gráfica por reta de carga
A análise da malha de saída e a análise gráfica por reta de carga, assim
como as considerações para cálculo dos resistores, são exatamente iguais à do
circuito com polarização fixa com resistência de emissor. O ponto de operação
deste circuito é determinado pelos resistores da base, do coletor e do emissor.

3.3.4 Polarização com realimentação de coletor

Este circuito é um dos menos usados para polarização porque as

correntes dependem ligeiramente do 𝛽 do transístor, fazendo com que ele não
seja muito eficaz. A resistência do coletor junto com a de emissor contribui par a
estabilidade do circuito. A Figura 21 (a) mostra o transístor em configuração EC,
e a Figura 21 (b) o circuito que será usado para fazer a análise do ponto de
operação.
Malha de entrada
Polarização direta da junção base – emissor, aplicando lei de Kirchoff das
tensões na malha de entrada, considerando que 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 :
𝐼𝐶′ = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 (24)
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶′ 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐹 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐹 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
(25)
= (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝐼𝐵 𝑅𝐹 + 𝑉𝐵𝐸
Portanto,
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 ≅ (26)
𝑅𝐹 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

26
Figura 21 – (a) Transístor NPN com polarização com realimentação de coletor,
(b) circuito equivalente para CC

(a) (b)

Fonte: elaborado com base em Boylestad e Nashelsky, 2013.

Malha de saída
A malha do coletor está definida pelas seguintes equações:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶′ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (27)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (28)
Os resistores de realimentação 𝑅𝐹 , de coletor 𝑅𝐶 e de emissor 𝑅𝐸
determinam a posição do ponto de operação. Se eles são dados do problema, o
ponto de operação determinado por 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 e 𝑉𝐶𝐸 deverá ser determinado. Se os
resistores não são dados do problema, o projetista deverá escolher a tensão de
coletor emissor 𝑉𝐶𝐸 , mais adequada para o projeto e calcular os resistores
baseado nela.

TEMA 4 – O TRANSÍSTOR COMO AMPLIFICADOR

Nas seções anteriores, verificamos o ponto de operação de um transístor

de junção. É necessário colocar o transístor em um ponto de trabalho para que
ele possa ser usado como amplificador. Trabalhando com o transístor em classe
A é possível aproveitar ao máximo a região linear do dispositivo, assim o sinal
de entrada 𝑣𝑖 será fielmente reproduzido na saída 𝑣𝑜 . Como vimos no início desta
etapa, os circuitos transistorizados trabalham com tensão e corrente contínua
para polarização, e são amplificadores para sinais variáveis. A análise para
sinais variáveis deve ser realizada separadamente da análise de contínua. Para

27
verificar o funcionamento completo do circuito aplica-se Teorema de
Superposição. A Figura 22 mostra o método de análise de um transístor NPN na
configuração EC. A análise “vertical” é feita para colocar o transístor no ponto de
trabalho. Na análise “horizontal” se analisa o que esse circuito vai fazer com o
sinal que está entrando. Na Figura 22 o capacitor 𝐶1 bloqueia a corrente contínua
de polarização da etapa anterior para que esta corrente não tire o transístor do
ponto de operação determinado para esta etapa. A função do capacitor 𝐶2 é a
mesma, só que para evitar que a corrente de coletor (𝐼𝐶 ) passe para a etapa
seguinte, tirando do ponto de operação ao transístor dessa outra etapa. Para a
análise horizontal, todas as fontes de contínua deverão ser zeradas (teorema de
superposição).

Figura 22 – Esquema de análise vertical e horizontal de um transístor em

configuração emissor comum

Fonte: elaborado com base em Boylestad e Nashelsky, 2013.

4.1 Modelo para pequenos sinais

Na análise horizontal, é possível calcular o ganho de tensão 𝐴𝑉 do circuito

transistorizado. Mas para isto é necessário substituir o transístor pelo seu modelo
de pequenos sinais. Neste caso, o modelo mais adequado é o modelo 𝜋 híbrido
que contempla sinais desde alguns mV até uns poucos Volts. Para facilitar a
análise, podemos representar o transístor como um quadripolo (circuito de duas
portas) com tensões e correntes de entrada e saída. A Figura 23 mostra um
quadripolo ativo (o elemento principal é um dispositivo ativo). A entrada e a saída
estão relacionadas por um sistema de equações.
As equações deste sistema são:
28
 𝑣1 = ℎ11 𝑖1 + ℎ12 𝑣2
(29)
𝑖2 = ℎ21 𝑖1 + ℎ22 𝑣2

Figura 23 – Quadripolo ativo mostrando os sinais de entrada e saída do sistema

Fonte: Zurro, 2022.

Como podemos observar no conjunto de equações (29), a tensão de

entrada 𝑣1 e a corrente de saída 𝑖2 são variáveis independentes. Os transístores
são representados por parâmetros ℎ ou híbridos e têm valores diferentes para
as diferentes configurações. Estes parâmetros são ℎ11 , ℎ12 , ℎ21 e ℎ22 . A Figura
24 apresenta o circuito equivalente de um dispositivo ativo básico de três
terminais trabalhando na região linear, e que cumpre com as equações (29).

Figura 24 – Circuito equivalente de um quadripolo ativo

Fonte: Zurra, 2022.

A notação destes parâmetros está em inglês:

• 𝑖: input – entrada;
• 𝑟: reverse – reverso ou inverso;
• 𝑓: forward – direto; e
• 𝑜: output – saída.
Considerando os parâmetros da Figura 24 e do sistema de equações (29):
• ℎ11 = ℎ𝑖 : impedância de entrada (em );

29
 • ℎ12 = ℎ𝑟 : ganho reverso de tensão (ou relação de transferência inversa de
tensão – parâmetro adimensional);
• ℎ21 = ℎ𝑓 : ganho direto de corrente (ou relação de transferência direta de
corrente – parâmetro adimensional); e
• ℎ22 = ℎ𝑜 : condutância de saída (em S).

A Figura 25 mostra o modelo híbrido para um transístor na configuração

EC. Este modelo é igual para todas as configurações, o que diferencia em do
outro é o segundo subíndice, que indica em que configuração o transístor está,
por exemplo, ℎ𝑖𝑐 , ℎ𝑟𝑐 , ℎ𝑓𝑐 e ℎ𝑜𝑐 indicam configuração coletor comum, e ℎ𝑖𝑏 , ℎ𝑟𝑏 ,
ℎ𝑓𝑏 e ℎ𝑜𝑏 indicam configuração base comum. Para cada uma destas
configurações, estes parâmetros têm valores muito diferentes, o que influencia
diretamente nos ganhos de corrente e tensão e impedâncias de entrada e saída
de cada configuração. Alguns destes parâmetros estão na folha de dados do
fabricante, e os outros podem ser deduzidos a partir daqueles.

Figura 25 – Modelo híbrido de um transístor em emissor comum para análise de

pequenos sinais

Fonte: Zurra, 2022.

Trabalhando com o sistema de equações (29) podemos deduzir os

parâmetros híbridos:
Curto-circuitando a saída:
𝑣1 = ℎ𝑖 𝑖1 + ℎ𝑟 𝑣2 𝑣2 = 0
𝜕𝑣1
ℎ𝑖 = | (30)
𝜕𝑖1 𝑣2 =0
𝑖2 = ℎ𝑓 𝑖1 + ℎ𝑜 𝑣2 𝑣2 = 0
𝜕𝑖2
ℎ𝑓 = | (31)
𝜕𝑖1 𝑣2 =0

Abrindo a entrada:
30
 𝑣1 = ℎ𝑖 𝑖1 + ℎ𝑟 𝑣2 𝑖1 = 0
𝜕𝑣1
ℎ𝑟 = | (32)
𝜕𝑣2 𝑖1=0
𝑖2 = ℎ𝑓 𝑖1 + ℎ𝑜 𝑣2 𝑖1 = 0
𝜕𝑖2
ℎ𝑜 = | (33)
𝜕𝑣2 𝑖1=0

Prestando atenção na equação (1) para a configuração emissor comum:

𝜕𝑖𝑐 𝐼𝐶
ℎ𝑓𝑒 = | 𝛽= ⇒ ℎ𝑓𝑒 = 𝛽 (34)
𝜕𝑖𝑏 𝑣 𝐼𝐵
𝑐𝑒 =0

Quando estamos desenvolvendo projeto de circuitos transistorizados, na

folha de dados do dispositivo o 𝛽 do transístor está identificado como ℎ𝑓𝑒 (Sedra;
Smith, 2000).
A Figura 26 mostra um circuito em configuração EC com seu circuito
equivalente para análise de pequenos sinais.

Figura 26 – (a) Circuito transistorizado em configuração EC (Boylestad;

Nashelsky, 2013), (b) modelo para análise de pequenos sinais

(a) (b)

Fonte: Zurra, 2022.

O circuito da Figura 26 (b) pode ser analisado aplicando Leis de Kirchoff

de malhas e nós e Lei de Ohm. Analisando cuidadosamente o circuito (b),
veremos que é um circuito inversor e que o ganho de tensão depende
exclusivamente de 𝑅𝐶 e de 𝑅𝐸 , independentemente do 𝛽 do transístor sempre
que este último seja muito maior do que 1
𝑣𝑜 𝑅𝐶 𝑖𝑐
𝐴𝑉 = =− 𝐴𝐼 = = ℎ𝑓𝑒 = 𝛽 (35)
𝑣𝑖 𝑅𝐸 𝑖𝑏

31
TEMA 5 – O TRANSÍSTOR COMO DISPOSITIVO DIGITAL

Já falamos acerca de dispositivos para aplicações digitais. Em eletrônica

digital não existem zeros “0” e uns “1”, existem níveis lógicos, nível alto e nível
baixo que podem pertencer a uma lógica positiva ou negativa. Cada família
lógica tem diferentes valores de tensão para os níveis lógicos, e esses níveis
lógicos respeitam uma faixa de tensão correspondente aos níveis alto e baixo. A
Figura 27 mostra os níveis de tensão correspondentes a várias famílias lógicas.

32
Figura 27 – Níveis de tensão para diferentes famílias lógicas

Fonte: Sacco, 2014.

• VOH: Mínima tensão de saída para nível alto.

• VIH: Mínima tensão de entrada reconhecida como nível alto.
• VT: Tensão de limiar (só aparece em algumas tecnologias).
• VIL: Máxima tensão na entrada reconhecida como nível baixo.
• VOL: Máxima tensão de saída para nível baixo.
• GND: Terra.

A família lógica TTL (Transístor – Transistor Logic ou lógica transístor –

transístor) é constituída por transístores de junção e é uma evolução das lógicas
de diodos já apresentadas.
As portas básicas são NOT (NO negador ou inversor lógico), AND (ou
porta E) com sua equivalente NAND (NOT – AND ou porta NE) e OR (ou porta
OU) com sua equivalente NOR (NOT – OR ou porta NOU). Usaremos a
nomenclatura em inglês nesta seção porque estas portas são mundialmente
conhecidas com este nome. As portas que veremos a continuação serão
estudadas considerando lógica positiva. Os transístores em aplicações digitais
trabalham entre corte e saturação a diferença das aplicações analógicas onde
trabalham principalmente na região ativa. Enquanto o transístor para aplicações
analógicas possui uma região ativa grande para permitir a excursão do sinal com
linearidade. O transístor de aplicações digitais possui uma região ativa bem
estreita porque a passagem pela região ativa (quando está chaveando entre
corte e saturação) representa atraso e, nestes casos, o transístor precisa fazer
chaveamento extremamente rápido.

33
5.1 Porta NOT

Circuitos com transístores da configuração EC são inversores, isto aplica-

se também a um transístor digital. A Figura 28 mostra um transístor nesta
configuração. Podemos observar que neste circuito não há resistores de
polarização porque não é necessário colocar o dispositivo num ponto de
operação, já que ele vai funcionar como chave. A Tabela 5 mostra o estado e as
tensões do dispositivo para a operação como dispositivo digital.

Figura 28 - Transístor NPN em configuração EC para atuar como porta NOT

Fonte: Zurra, 2022.

Tabela 5 – Tensões e estados de um transístor de silício durante a operação da

porta

Nível da Estado do
𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑪𝑬 Nível da saída
entrada transístor
Alto Saturado 0,8 [V] 0,2 [V] 0,2 [V] – baixo
Baixo Em corte X 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 – alto
Fonte: Zurra, 2022.

X: a tensão depende do circuito externo

Podemos verificar nesta tabela que este circuito se comporta como um
negador ou porta NOT. Para níveis baixos de entrada, a saída estará no nível
alto, e vice-versa. Ou seja, ele nega a entrada. Mas o circuito da Figura 28 tem
capacidade de carga (fan-out – quantidade de portas que o circuito pode
suportar) baixíssima, por isso é necessário colocar uma saída de potência para
que ele consiga suportar a maior quantidade de portas possível. Uma porta NOT
TTL usa o princípio básico de funcionamento do circuito da Figura 28, mas é
34
montada com circuitos mais complexos, como o da Figura 29. Neste circuito, o
transístor 𝑄1 é um transístor especial que trabalha entre ativo (região ativa) e
ativo inverso (ou ativo reverso). Este tipo de transístor só existe na entrada de
circuitos digitais TTL e é usado somente em aplicações digitais. A saída de
potência composta por 𝑄2 , 𝑄3 , 𝑄4 e 𝐷2 permite um fan-out muito maior.

Figura 29 – Porta lógica NOT com grande capacidade de carga

Fonte: elaborado com base em Kuphaldt.

A Tabela 6 mostra o modo de operação do circuito. Nesta tabela, podemos

ver que o transístor 𝑄1 trabalha entre ativo e ativo inverso, enquanto 𝑄2 , 𝑄3 e 𝑄4
trabalham entre corte e saturação. O diodo 𝐷1 atua como grampeador para
garantir o nível baixo da entrada, e o diodo 𝐷2 tem a função de garantir que o
transístor 𝑄3 entre em corte quando a saída está no nível baixo.
O transístor 𝑄1 trabalha entre ativo e ativo inverso porque desta forma não
entra nem em corte nem em saturação, podendo fazer a transição muito mais
rapidamente de um estado para outro. Na região ativa a junção base – emissor
está diretamente polarizada e a junção coletor base reversamente polarizada. E
no modo ativo inverso a junção base – emissor está reversamente polarizada e
a junção coletor base diretamente polarizada (isso acontece somente com os
transístores especiais de aplicações digitais).

Tabela 6 – Estados dos dispositivos de silício durante a operação da porta

Nível da Nível da
𝑸𝟏 𝑸𝟐 𝑸𝟑 𝑸𝟒 𝑫𝟏 𝑫𝟐
entrada saída
Alto AI Sat Corte Sat off off Baixo
35
 Baixo A Corte Sat Corte on on Alto
Fonte: Zurra, 2022.

Nomenclatura:

• AI: Transístor ativo inverso;

• Sat: Transístor saturado;
• Corte: Transístor em corte;
• off: diodo reversamente polarizado (aberto); e
• on: diodo diretamente polarizado (fechado).

5.2 Porta NAND

A Figura 30 mostra uma porta NAND TTL (lógica positiva). O transístor 𝑄1

é um dispositivo especial que só existe na entrada de porta TTL. Ele é chamado
de transístor multiemissor.

Figura 30 – Porta TTL que será analisada como lógica positiva

Fonte: Millman e Halkias, 1972.

Para fins de estudo da porta este transístor pode ser representado por
diodos como mostrado na Figura 31.

36
Figura 31 – Transístor multiemissor e circuito equivalente com diodos

Fonte: Zurra, 2022.

O princípio de funcionamento desta porta é o seguinte: se qualquer uma

das entradas do transístor 𝑄1 (𝐴, 𝐵 ou 𝐶) está no nível baixo de tensão, ele
entrará na região ativa puxando corrente da base do transístor 𝑄2 levando-o ao
corte, o que levará ao corte o transístor 𝑄3 . Neste caso, a base do transístor 𝑄4
receberá uma grande corrente proveniente da fonte de alimentação, o que levará
ele à saturação. Desta forma, a tensão de saída 𝑣𝑜 será quase igual à tensão da
fonte, levando à saída 𝑌 ao nível alto.
Se as três entradas estiverem no nível alto, o transístor 𝑄1 ficará ativo
inverso injetando corrente da base do transístor 𝑄2 levando-o à saturação, o que
saturará também o transístor 𝑄3 . Neste caso, a base do transístor 𝑄4 não
receberá corrente, o que levará ele ao corte. Como o transístor 𝑄3 está saturado,
a tensão de saída 𝑣𝑜 será quase igual à tensão de coletor emissor de 𝑄3 que é
quase zero, levando à saída 𝑌 ao nível baixo.
Considerando lógica positiva, na Tabela 7 podemos ver as tensões e
estados dos componentes durante a operação da porta e a Tabela 8 representa
a tabela verdade do circuito.

Tabela 7 – Tensões e estados dos componentes durante a operação da porta

Componente Estado 𝑫𝑩𝑬 𝑫𝑪𝑩 𝑽𝑩𝑬 [𝑽] 𝑽𝑪𝑬 [𝑽] 𝑽𝑫 [𝑽]

A on off 0,7 - -
𝑸𝟏 AI off on - - 0,7 (VDCB)
Corte off off - X -
𝑸𝟐 , 𝑸𝟑 e 𝑸𝟒 Sat on on 0,8 (sat) 0,2 (sat) -
Pol. rev. - - - - X
𝑫𝟎 Pol. direta - - - - 0,7

Fonte: Zurra, 2022.

Tabela 8 – Tabela verdade do circuito e estado dos componentes durante a

operação

A B C 𝑸𝟏 𝑸𝟐 𝑸𝟑 𝑸𝟒 𝑫𝟎 Y

37
 “0” “0” “0” A Corte Corte Sat on “1”
“0” “0” “1” A Corte Corte Sat on “1”
“0” “1” “0” A Corte Corte Sat on “1”
“0” “1” “1” A Corte Corte Sat on “1”
“1” “0” “0” A Corte Corte Sat on “1”
“1” “0” “1” A Corte Corte Sat on “1”
“1” “1” “0” A Corte Corte Sat on “1”
“1” “1” “1” AI. Sat Sat Corte off “0”
Fonte: Zurra, 2022.

FINALIZANDO

Nesta etapa, estudamos os transístores bipolares de junção. Atualmente,

praticamente toda a tecnologia que temos depende de diferentes tipos de
transístores. Sem eles o mundo como o conhecemos não existiria, pois eles
estão em todos os dispositivos elétricos e eletrônicos do nosso dia a dia.
Todos os circuitos foram projetados e simulados usando o software on-
line Multisim (National Instruments, 2019).

38
REFERÊNCIAS

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de

circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education, 2013.

DIAS, M. Electrónica II – amplificadores de potência. Faculdade de Ciência

Exatas e da Engenharia - Universidade da Madeira, 2006. Disponivel em:
<http://cee.uma.pt/edu/el2/acetatos/AmpPot.pdf>. Acesso em: 11 mar. 2022.

INDUCTIVELOAD. File: NPN Band Diagram Active.svg. Wikimedia Commons,

2007. Disponível em:
<https://commons.wikimedia.org/wiki/File:NPN_Band_Diagram_Active.svg>.
Acesso em: 07 fev. 2022.

INDUCTIVELOAD. File: NPN Band Diagram Equilibrium.svg. Wikimedia

Commons, 2007. Disponível em:
<https://en.wikipedia.org/wiki/File:NPN_Band_Diagram_Equilibrium.svg>.
Acesso em: 07 fev. 2022.

JP314159. File: NPN BJT Basic Operation (Active) jP.svg. Wikimedia

Commons, 2019. Disponível em:
<https://commons.wikimedia.org/wiki/File:NPN_BJT_Basic_Operation_(Active)_
jP.svg>. Acesso em: 07 fev. 2022.

KRISHNAVEDALA. File: Ebers-Moll Model PNP.PNG. Wikimedia Commons,

2010. Disponível em: <https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Ebers-
Moll_model_schematic_(PNP).svg>. Acesso em: 07 fev. 2022.

KRISHNAVEDALA. File: Ebers-Moll model schematic (NPN).svg. Wikimedia

Commons, 2010. Disponível em: <https://en.wikipedia.org/wiki/File:Ebers-
Moll_model_schematic_(NPN).svg>. Acesso em: 07 fev. 2022.

KUPHALDT, T. R. The NOT Gate. All about circuits. Disponível em:

<https://www.allaboutcircuits.com/textbook/digital/chpt-3/not-gate/>. Acesso em:
2019.

MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Integrated electronics: analog and digital circuits

and systems. International Student Edition. ed. Tokyo: McGraw-Hill, 1972.

NATIONAL INSTRUMENTS. MultisimLive. MultisimLive, 2019. Disponível em:

<https://www.multisim.com/>. Acesso em: 11 mar. 2022.

39
SACCO, F. Níveis e limites de tensões digitais. Embarcados, 2014. Disponível
em: <https://www.embarcados.com.br/niveis-e-limites-de-tensoes-digitais/>.
Acesso em: 11 mar. 2022.

SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 4. ed. São Paulo: Makron Books

do Brasil, 2000.

40