Eletrônica Geral 1 – Aula 3

Prof. César M. Vargas Benítez

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Agenda I

1 Transistores bipolares – Introdução

Definições
Tipos
Polarização

2 Operação do transistor

3 Análise de circuitos: Configuração Emissor-comum

4 Aplicação básica: o transistor como chave eletrônica

5 Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)

6 Tipos e encapsulamentos
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Definições

Inventado nos laboratórios Bell por PhD John Bardeen,

PhD William Shockley e PhD Walter Houser → Nobel de
Física 1956.
O transistor é considerado o principal elemento building
block na eletrônica;
Basicamente, há 2 tipos principais: o transistor de junção
bipolar (Bipolar Junction Transistor–BJT) e o transistor de
efeito de campo (Field Effect Transistor–FET);
Nesta aula, estudaremos o BJT.
O BJT é um dispositivo semicondutor de três terminais. Há
dois tipos de BJT:
NPN
PNP

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Tipos

O BJT possui duas junções (entre materiais n e p). As

junções são semelhantes às junções nos diodos.
Os três terminais do BJT são chamados de Base (B),
Coletor (C) e Emissor (E).
Tipos: NPN e PNP
Junções: Base-Emissor, Base-Coletor
A seta no símbolo define o sentido (convencional) da corrente de emissor.

Figura: Tipos de BJT, simbologia e e estrutura: (a) Transistor NPN (b) Transistor PNP
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Polarização

A diferença entre transistores NPN e PNP é a polaridade

das junções;
→ O sentido das correntes e polaridade das tensões para
os transistores NPN e PNP são opostos(as).
Transistores bipolares operam como reguladores de
corrente controlada por corrente;
→ As correntes IC e IE são controladas pela corrente IB .

Figura: Sentido das correntes e polaridades das tensões: (a) Transistor NPN (b)
Transistor PNP

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Polarização
As correntes (CC) de base e coletor estão relacionadas da seguinte maneira:

IC = βIB (1)

Onde, β é o ganho de corrente.

Nos datasheets, o β é geralmente representado por hF E . Onde, ’h’ é derivado
de um circuito equivalente CA híbrido (veremos nas próximas aulas). As letras
FE derivam da amplificação de corrente direta (forward) e da configuração
emissor-comum, respectivamente.
Aplicando a 1a Lei de Kirchhoff temos,

IE = IC + IB = (1 + β)IB ≈ βIB (2)

β
IC = IE = αIE (3)
1+β
P.ex.: para β = 100, α = 0, 99

IE ≈ IC (4)

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Polarização
Há três tipos de tensão utilizados na descrição de circuitos transistorizados:
Fontes de alimentação: VCC , VBB , VEE ;
Tensões nos terminais do transistor: VB (tensão de Base),
VE (tensão de Emissor), VC (tensão de Coletor).
Tensão nas junções: VBE (tensão Base-Emissor).
VBE = 0, 7V, VCE (tensão Coletor-Emissor), VCB (tensão
Coletor-Base).

Figura: Tensões (CC) em um circuito transistorizado

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Operação do transistor
A operação do transistor pode ser definida a partir da polarização: Corrente de
coletor (IC ) e a tensão Coletor-Emissor (VCE );
Regiões de operação: Saturação, Ativa, corte e Breakdown.
Curva característica: apresenta as regiões de operação do transistor;

A operação do transistor pode ser definida a partir da corrente de coletor (IC ) e

a tensão Coletor-Emissor (VCE );
Regiões de operação: Saturação, Ativa, corte e Breakdown.

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Operação do transistor

Região de saturação:
Junção Base-Emissor polarizada diretamente;
Junção Coletor-Base polarizada diretamente;
IC atinge o valor máximo possível (independente da IB e
do β).
O valor máximo possível é determinado pelo resistor de
coletor RC e pela fonte de alimentação VCC
VCE ≈ 0, 2V
Idealmente, VCE = 0V
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Operação do transistor

Região Ativa:
Junção Base-Emissor polarizada diretamente;
Junção Coletor-Base polarizada reversamente;
IC controlada por IB . IC = βIB
VBE < VCE < VCC
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Operação do transistor

Região de corte:
Junção Base-Emissor polarizada reversamente;
IC = 0A
Terminais Coletor-Emissor “em aberto”.
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Operação do transistor

Região de Breakdown:
IC e VCE excedem as especificações do fabricante.
→ Danifica o transistor!

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Operação do transistor

Ponto de Operação (ponto quiescente) Q:

Quiescente significa repouso (imóvel);
O ponto de operação do circuito transistorizado é definido
pelo circuito de polarização (em CC).
O ponto Q corresponde a um ponto específico na Reta de
Carga;
Um amplificador transistorizado opera no ponto Q quando
amplitude do sinal é zero.
→ Veremos nas próximas aulas

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Operação do transistor

O ponto Q é escolhido de acordo com a aplicação do

circuito.
Por exemplo, uma chave eletrônica (ou um circuito
acionador de relé) deve trabalhar nas regiões de corte e
saturação. Por outro lado, um pré-amplificador de áudio
(p.ex.: de microfone) deve trabalhar na região ativa (para
amplificar os semi-ciclos positivo e negativo do sinal
recebido na entrada do circuito).
*Estudaremos nas próximas aulas...

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Análise de circuitos: Configuração Emissor-comum

Exemplo de análise de circuitos transistorizados:

configuração Emissor-comum:
Junção Base-Emissor polarizada diretamente;
Junção Coletor-Base polarizada reversamente;

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Análise de circuitos: Configuração Emissor-comum

Circuito de Base-Emissor Aplicando a 2a Lei de

– Malha Base-Emissor: Kirchhoff, temos:

−VBB + VRB + VBE = 0 (5)

−VBB + RB IB + VBE = 0 (6)

VBB − VBE
IB = (7)
RB

VBE = 0, 7V (8)

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Análise de circuitos: Configuração Emissor-comum

Circuito de
Coletor-Emissor – Malha
Coletor-Emissor:
−VCC + RC IC + VCE = 0 (10)

VCE = VCC − RC IC (11)

IC = βIB (12)

VCE = VC − VE (13)

Como VE = 0V, VCE = VC

VCB = VC − VB (14)

Potência dissipada pelo transistor

(Potência de coletor):
Aplicando a 2a Lei de
Kirchhoff, temos: PC = VCE IC (15)

−VCC + VRC + VCE = 0 (9)

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Exemplo de reta de carga

ICsat ?
VCE no estado de corte?

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Exemplo de reta de carga

Determinando a Corrente Máxima de Coletor possível

(ICsat ):
Se IC > ICsat → O transistor está em saturação.

IC :
VCC − VCE
IC = (16)
RC
Idealmente: VCE = 0V
VCC
∴ ICsat = (17)
RC
Valor típico: VCE = 0, 2V
VCC − 0, 2
∴ ICsat = (18)
RC

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Exemplo de reta de carga

Determinando a tensão VCE em estado de corte:

→Transistor em corte.
IC = 0A

VCE = VC − VE (19)

VC = VCC − VRC (20)

VE = 0V (21)

∴ VCE = VCC − VRC (22)

VCE = VCC − IC RC (23)

Como IC = 0A, temos

VCE = VCC (24)

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Exemplo 1

Determine IB , IC , VB , VC , VE , VCE e VBC

Desenhe a reta de carga, incluindo o ponto de operação Q
(corte, saturação ou região ativa?).
Considere:
RB = 220kΩ
RC = 2, 2kΩ
VCC = VBB = 12V β = 50

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Exemplo 2

Determine IB , IC , VB , VC , VE , VCE e VBC

Considere:
RB = 470kΩ
RC = 2, 7kΩ
VCC = 16V
β = 90

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Exemplo 3

Determine IC , RC , RB e VCE
Considere:
VCC = 12V
β = 80
IB = 40µA
VC = 6V

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Exemplo 4

Determine IC , β, RB e VCC
Considere:
VCE = 7, 2V
IB = 20µA
IE = 4mA
RC = 2, 2kΩ

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Aplicação básica: o transistor como chave eletrônica

Chave eletrônica (regiões de corte e saturação)

→ Inversor (Not)

Regra de projeto:
Calcular RB e RC para que a IC seja maior que a ICsat .
Na prática podemos utilizar a seguinte simplificação de projeto para a
construção de um circuito que trabalhe nas regiões de saturação e corte
(transistor como chave eletrônica):

RB = 10 ∗ RC (25)
P.ex.: Transistor BC548 e RB = 4, 7kΩ, RC = 470Ω.
Transistor BC548 e RB = 10kΩ, RC = 1kΩ.
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Driver de relé

Exemplo de resistor de base: R = 4, 7kΩ

Tensão na bobina do relé: vL (t) = LdiL /dt
mudança rápida de iL (t) → vL (t) elevada! → pode danificar o transistor!!!
Diodo de Roda-Livre: proteção do transistor
Ex.: Diodo 1N4148 ou diodos Schottky (p.ex.: 1N5818).

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Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)

Inversor (not) (regiões de corte e saturação)

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Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)

Operação NÃO E (NAND)

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Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)

Operação E (AND)

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Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)

Operação NÃO OU (NOR)

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Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)

Operação OU (OR)

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Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)

Exercício: projete e desenhe um circuito DTL que realize a

operação XOR

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Tipos e encapsulamentos

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Tipos e encapsulamentos

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Tipos e encapsulamentos
Tipos especiais:
Par Darlington: amplificação de corrente;
UJT (transistor de unijunção): osciladores de baixa
frequência, Geradores de onda dente de serra, etc.
Fototransistor: circuitos de comunicação IR
(infravermelho), etc.;
Optoacoplador: isolamento elétrico com acoplamento
óptico.

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