stm32h7vbt6 内部flash
时间: 2025-01-23 16:03:46 浏览: 50
### STM32H7VBT6 微控制器内部 Flash 特性和使用
#### 内部 Flash 存储器概述
STM32H7VBT6 配备了大容量嵌入式闪存存储器,其大小可达 1MB 或者更多取决于具体型号。这种非易失性存储介质用于保存程序代码以及静态数据,在断电情况下仍能保持所写入的信息不变[^1]。
#### 主要特性
- **高密度**: 提供高达数兆字节级别的空间来满足复杂应用需求;
- **快速访问速度**: 支持高速读取操作以确保实时性能表现良好;
- **多次编程能力**: 可承受十万次以上的擦除/重写周期而不会损坏硬件结构;
- **低功耗模式支持**: 即使处于待机状态也能维持较低水平的能量消耗[^2].
#### 使用方法
为了有效地利用这些资源并实现最佳效率, 开发人员应当遵循如下建议:
##### 编程接口
通过标准库函数可以方便地完成对内建flash的操作任务,比如执行页级清除(Page Erase),半页或全页的数据烧录(Word Programming)等功能调用[^3]. 下面是一个简单的C语言例子展示如何向指定地址位置写入特定数值:
```c
#include "stm32h7xx_hal.h"
void WriteToFlash(uint32_t address,uint32_t data){
HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁 flash 访问权限
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGERR);
if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,address,data)!= HAL_OK){
Error_Handler();
}
HAL_FLASH_Lock();// 锁定 flash 访问权限
}
```
##### 数据保护机制
考虑到意外情况可能导致重要资料丢失的风险因素,该系列MCU内置有多种防护措施用来防止非法修改动作的发生,例如设置写保护位域阻止未经授权的更改尝试等[^4].
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