DRAM中的CAL是什么意思
时间: 2023-09-20 17:05:29 浏览: 152
DRAM中的CAL是CAS (Column Address Strobe) Latency的缩写,指的是列地址延迟。CAS Latency是一个重要的DRAM参数,表示了读取数据所需的延迟时间,通常以数字表示,如CL16或CL18。它与内存时钟频率一起影响内存带宽和性能。较低的CAS Latency通常意味着更快的内存性能,但也可能增加成本。
相关问题
Dram PU-CAL
我不太确定您想要什么样的回答。Dram PU-CAL可能指DRAM(动态随机存取存储器)的PU-CAL(Power-Up Calibration,上电校准)功能。在DRAM芯片上电时,PU-CAL功能可以帮助校准DRAM内部的时钟和电压。这样可以确保DRAM芯片在正常工作之前达到最佳性能和稳定性。
如果您有任何特定的问题或者需要更详细的解释,请告诉我。
static int get_mdl_mr_only(void) { DRAM_INFO_BY_MRR_T DramInfo; DRAM_DRAM_TYPE_T Dis_DramType; DRAM_CBT_MODE_EXTERN_T DramMode; static char init_done = 0; if (init_done) return -1; dramc_crit(“[DRAMC] combo_mcp_mr_only\n”); #if DUAL_FREQ_K || FLASH_TOOL_DA Dis_DramType = mt_get_dram_type_for_dis(); #if SUPPORT_SAVE_TIME_FOR_CALIBRATION if (!u1IsLP4Family(Dis_DramType) || read_offline_dram_mdl_data(&DramInfo)<0) { #endif if (u1IsLP4Family(Dis_DramType)) DramMode = CBT_BYTE_MODE1; else DramMode = CBT_NORMAL_MODE; Init_DRAM(Dis_DramType, DramMode, &DramInfo, GET_MDL_USED); #if SUPPORT_SAVE_TIME_FOR_CALIBRATION if (u1IsLP4Family(Dis_DramType)) write_offline_dram_mdl_data(&DramInfo); } #endif #endif update_default_emi_setting(&DramInfo); init_done = 1; return -1; // use default_emi_setting } static int get_mdl_mr_only(void) { DRAM_INFO_BY_MRR_T DramInfo; DRAM_DRAM_TYPE_T Dis_DramType; DRAM_CBT_MODE_EXTERN_T DramMode; static char init_done = 0; if (init_done) return -1; clean_dram_calibration_data(); dramc_crit(“[DRAMC] combo_mcp_mr_only\n”); #if DUAL_FREQ_K || FLASH_TOOL_DA Dis_DramType = mt_get_dram_type_for_dis(); if (u1IsLP4Family(Dis_DramType)) DramMode = CBT_BYTE_MODE1; else DramMode = CBT_NORMAL_MODE; Init_DRAM(Dis_DramType, DramMode, &DramInfo, GET_MDL_USED); DramInfo.mr_only_cal = 1; #endif update_default_emi_setting(&DramInfo); init_done = 1; return -1; // use default_emi_setting }详细解释一下这两段代码,并对两段代码进行比较
这两段代码都是用于初始化 DRAM 控制器以及相关的内存设置。它们的功能类似,但在细节上存在差异。以下是逐行解析和对比:
---
### **第一段代码**
```c
static int get_mdl_mr_only(void)
{
DRAM_INFO_BY_MRR_T DramInfo;
DRAM_DRAM_TYPE_T Dis_DramType;
DRAM_CBT_MODE_EXTERN_T DramMode;
static char init_done = 0;
if (init_done) // 检查是否已经初始化过
return -1; // 已经初始化则直接返回
dramc_crit("[DRAMC] combo_mcp_mr_only\n"); // 输出调试信息
#if DUAL_FREQ_K || FLASH_TOOL_DA // 条件编译块
Dis_DramType = mt_get_dram_type_for_dis(); // 获取当前使用的 DRAM 类型
#if SUPPORT_SAVE_TIME_FOR_CALIBRATION // 子条件编译块
if (!u1IsLP4Family(Dis_DramType) || read_offline_dram_mdl_data(&DramInfo) < 0) {
// 判断 DRAM 是否属于 LP4 家族 或者 加载离线数据失败
#endif
if (u1IsLP4Family(Dis_DramType)) // 如果是 LP4 系列
DramMode = CBT_BYTE_MODE1; // 设置为字节模式 1
else
DramMode = CBT_NORMAL_MODE; // 否则设置为普通模式
Init_DRAM(Dis_DramType, DramMode, &DramInfo, GET_MDL_USED); // 初始化 DRAM
#if SUPPORT_SAVE_TIME_FOR_CALIBRATION
if (u1IsLP4Family(Dis_DramType))
write_offline_dram_mdl_data(&DramInfo); // 将配置保存到离线存储中(仅针对 LP4)
#endif
#endif
update_default_emi_setting(&DramInfo); // 更新默认 EMI 配置
init_done = 1; // 标记已初始化完成
return -1; // 返回值表示使用默认 EMI 设置
}
```
#### 功能说明:
1. 这是一个静态函数 `get_mdl_mr_only`,主要用于初始化 DRAM 和更新默认的 EMI(External Memory Interface)设置。
2. 函数通过变量 `init_done` 实现单次执行机制——如果已经初始化,则直接返回 `-1`。
3. 根据不同的宏定义 (`DUAL_FREQ_K`, `FLASH_TOOL_DA`) 和条件判断,动态选择合适的 DRAM 初始化方式。
4. 对于支持快速校准的设备(如 LP4 内存),尝试加载预设的离线数据;如果没有成功加载,则继续正常初始化。
5. 最终会将初始化后的 DRAM 参数保存回离线存储(如果有对应的宏定义)。
---
### **第二段代码**
```c
static int get_mdl_mr_only(void)
{
DRAM_INFO_BY_MRR_T DramInfo;
DRAM_DRAM_TYPE_T Dis_DramType;
DRAM_CBT_MODE_EXTERN_T DramMode;
static char init_done = 0;
if (init_done) // 检查是否已经初始化过
return -1; // 已经初始化则直接返回
clean_dram_calibration_data(); // 清理之前的 DRAM 校准数据
dramc_crit("[DRAMC] combo_mcp_mr_only\n"); // 输出调试信息
#if DUAL_FREQ_K || FLASH_TOOL_DA // 条件编译块
Dis_DramType = mt_get_dram_type_for_dis(); // 获取当前使用的 DRAM 类型
if (u1IsLP4Family(Dis_DramType)) // 如果是 LP4 系列
DramMode = CBT_BYTE_MODE1; // 设置为字节模式 1
else
DramMode = CBT_NORMAL_MODE; // 否则设置为普通模式
Init_DRAM(Dis_DramType, DramMode, &DramInfo, GET_MDL_USED); // 初始化 DRAM
DramInfo.mr_only_cal = 1; // 设置标志位 MR_ONLY 计算启用
#endif
update_default_emi_setting(&DramInfo); // 更新默认 EMI 配置
init_done = 1; // 标记已初始化完成
return -1; // 返回值表示使用默认 EMI 设置
}
```
#### 功能说明:
1. 第二段代码同样是静态函数 `get_mdl_mr_only`,功能类似于第一段代码,但有显著的区别。
2. 引入了新的操作:**清理旧的 DRAM 校准数据**(`clean_dram_calibration_data()`)。
3. 删除了与读取/写入离线数据有关的部分逻辑,减少了复杂度。
4. 新增了一个标志位 `mr_only_cal` 的赋值操作,明确指定了该模式下的特殊计算需求。
---
### **两段代码的主要区别**
| 特性 | 第一段代码 | 第二段代码 |
|---------------------------|---------------------------------------------|-----------------------------------------|
| **离线数据管理** | 支持从离线存储读取 DRAM 数据,并在必要时保存回去 | 不涉及离线数据的读取或保存 |
| **额外的操作** | 缺乏显式的“清理旧数据”动作 | 明确调用了 `clean_dram_calibration_data()` |
| **MR ONLY 标志设置** | 未单独设置 | 添加了 `DramInfo.mr_only_cal = 1;` |
| **复杂程度** | 较高 | 更加简洁 |
---
### **总结**
- **第一段代码**更适用于需要频繁切换工作状态、依赖历史数据优化性能的场景,例如高性能嵌入式系统中的 DRAM 初始化;
- **第二段代码**适合一次性启动环境或者不需要保留历史记录的情况,简化了流程并专注于当前状态的初始化。
这种设计体现了灵活性和针对性的选择,开发者可以根据实际需求选用适配版本。
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