stm32f103ret6flash
时间: 2025-01-11 15:24:53 浏览: 57
### STM32F103RET6 Flash Specifications
STM32F103RET6配备有512KB的嵌入式Flash存储器,该存储器用于保存应用程序代码以及静态数据[^1]。此Flash具有以下特性:
- **擦除和编程时间**:最大典型时间为2ms(页擦除),25µs(字节或半字写入)。这使得快速更新固件成为可能。
- **耐久性**:支持至少10,000次擦写周期,在整个工作温度范围内保持稳定性能。
- **数据保留能力**:即使在断电情况下也能确保长达20年的数据保存期限。
为了有效地利用这些资源,开发者应当遵循特定的操作指南来执行读取、写入及擦除操作。例如,对于任何修改之前都需先完成相应的扇区或页面擦除过程;而在进行新的数据记录前,则要确认目标地址为空闲状态。
### 使用方法示例
下面是一个简单的例子展示如何通过HAL库函数向指定位置写入数据到内部flash中:
```c
#include "stm32f1xx_hal.h"
void WriteToFlash(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t length){
HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁FLASH以允许访问
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGERR);
for(int i=0; i<length;i++){
if(HAL_OK != HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE,address,data[i])){
// 如果发生错误则处理...
}
address++;
}
HAL_FLASH_Lock(); // 锁定FLASH防止意外更改
}
```
上述代码片段展示了基本的数据写入流程,实际应用时还需要考虑更多细节如校验机制等。
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