stm32f407内部flash按页擦除
时间: 2025-02-21 07:14:47 浏览: 155
### STM32F407 内部 Flash 按页擦除方法
对于STM32F407微控制器而言,在执行任何Flash写入操作之前,必须先擦除目标位置所在的页面。这是因为Flash存储器的工作原理决定了一旦数据被写入后无法直接修改,而只能通过先整体擦除再重新写入的方式实现更新。
#### 准备工作
为了安全有效地完成这一过程,需确保以下几点:
- 停止所有可能影响Flash访问的操作。
- 解锁Flash编程模式以便允许后续的擦除指令被执行 `HAL_FLASH_Unlock()`[^1]。
一旦准备工作就绪,则可以按照如下方式来具体实施按页擦除动作。
#### 实施按页擦除
针对特定扇区或整个芯片范围内的多页连续擦除可以通过调用`HAL_FLASHEx_Erase()`函数并提供相应的参数来进行配置。下面是一个具体的例子展示如何指定单个页面进行擦除:
```c
#include "stm32f4xx_hal.h"
// 定义要擦除的具体地址, 这里假设为第一页起始地址
uint32_t PageError;
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
EraseInitStruct.TypeErase = TYPEERASE_PAGES; // 设置擦除类型为页面擦除
EraseInitStruct.PageAddress = 0x0800C000; // 起始地址指向需要擦除的第一个字节
EraseInitStruct.NbPages = 1; // 只擦除一个页面
if (HAL_OK != HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError))
{
/* 错误处理 */
}
else {
/* 成功擦除了指定页面 */
}
/* 上锁以防止意外写入/擦除 */
HAL_FLASH_Lock();
```
上述代码片段展示了如何利用ST官方提供的硬件抽象层(HAL)库中的API接口对选定的一个Flash页面执行擦除操作,并在完成后立即锁定Flash以防不必要的更改发生[^3]。
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