flash_atten cu118

时间: 2025-03-26 12:20:21 浏览: 50
### Flash Attention CUDA 11.8 兼容性和安装指南 Flash Attention 是一种优化注意力机制计算的方法,在处理大规模数据集时能够显著提高效率并减少内存占用。对于希望在特定版本的 CUDA 上部署该技术的研究人员和开发者来说,了解其兼容性至关重要。 #### 安装环境准备 为了确保 Flash Attention 能够顺利运行于 CUDA 11.8 环境下,建议先确认系统已正确配置如下依赖项: - NVIDIA 驱动程序:至少支持 CUDA 11.0 的驱动版本 - Python 版本:推荐使用 Python 3.7 或更高版本 - PyTorch 库:需匹配所使用的 CUDA 版本,通常可通过 `torch.utils.collect_env()` 函数来验证当前环境中PyTorch 和 CUDA 是否适配[^1] #### 安装步骤概述 针对 CUDA 11.8 用户,可以通过 pip 工具直接安装预编译好的二进制包,这通常是最快捷的方式之一。命令如下所示: ```bash pip install flash-attn==<latest_version> -f https://download.pytorch.org/whl/cu118/torch_stable.html ``` 上述命令中的 `<latest_version>` 表示应替换为实际发布的最新稳定版号;而 `-f` 参数指定了一个额外索引链接地址,用于获取与指定 CUDA 版本相适应的 PyTorch 扩展库文件[^2]。 如果遇到任何问题或者需要更详细的定制化构建过程,则可以考虑从源码开始编译。此时需要注意的是,除了常规开发工具链外,还需要安装 cuDNN SDK 及其他可能涉及的第三方依赖库。 #### 性能调优提示 成功完成安装之后,可以根据具体应用场景调整一些参数以获得更好的性能表现。例如设置合适的 batch size、sequence length 等超参,并利用混合精度训练 (Mixed Precision Training) 技术进一步加速模型收敛速度而不损失太多准确性[^3]。
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class LSTM_Atten(nn.Module): """搭建Decoder结构""" def init(self, look_back, pre_len): super(LSTM_Atten, self).init() self.lstm = nn.LSTM(input_size=1, # 1个输入特征 hidden_size=128, # 隐状态h扩展为为128维 num_layers=1, # 1层LSTM batch_first=True, # 输入结构为(batch_size, seq_len, feature_size). Default: False ) self.lstmcell = nn.LSTMCell(input_size=128, hidden_size=128) self.drop = nn.Dropout(0.2) # 丢弃率 self.fc1 = nn.Linear(256, 128) self.fc2 = nn.Linear(128, 1) self.look_back = look_back self.pre_len = pre_len self.Softmax = nn.Softmax(dim=1) def forward(self, x): H, (h, c) = self.lstm(x.float(), None) # 编码 h = h.squeeze(0) c = c.squeeze(0) H_pre = torch.empty((h.shape[0], self.pre_len, 128 * 2)).to(device) for i in range(self.pre_len): # 解码 h_t, c_t = self.lstmcell(h, (h, c)) # 预测 H = torch.cat((H, h_t.unsqueeze(1)), 1) h_atten = self.Atten(H) # 获取结合了注意力的隐状态 H_pre[:, i, :] = h_atten # 记录解码器每一步的隐状态 h, c = h_t, c_t # 将当前的隐状态与细胞状态记录用于下一个时间步 return self.fc2(self.fc1(H_pre)).squeeze(2) def Atten(self, H): h = H[:, -1, :].unsqueeze(1) # [batch_size,1,128] H = H[:, -1 - self.look_back:-1, :] # [batch_size,look_back,128] atten = torch.matmul(h, H.transpose(1, 2)).transpose(1, 2) # 注意力矩阵 atten = self.Softmax(atten) atten_H = atten * H # 带有注意力的历史隐状态 atten_H = torch.sum(atten_H, dim=1).unsqueeze(1) # 按时间维度降维 return torch.cat((atten_H, h), 2).squeeze(1) 这段代码如何改能实现多特征的输入

#include "Arduino.h" #include "core/options.h" #include "core/config.h" #include "core/telnet.h" #include "core/player.h" #include "core/display.h" #include "core/network.h" #include "core/netserver.h" #include "core/controls.h" #include "core/mqtt.h" #include "core/optionschecker.h" #ifdef BATT_ADC #include "driver/adc.h" #include "esp_adc_cal.h" #endif extern __attribute__((weak)) void yoradio_on_setup(); #ifdef BATT_ADC static esp_adc_cal_characteristics_t *adcChar; float LastBATVoltage[10] = {0, 0, 0, 0, 0}; int LastBATVoltageCount = 0; bool BATVoltageReady = false; float GetBATVoltage() { uint32_t readRaw; uint32_t read_voltage; float retr; readRaw = adc1_get_raw(ADC1_CHANNEL_3); read_voltage = esp_adc_cal_raw_to_voltage(readRaw, adcChar); retr = read_voltage; retr /= 1000; retr -= 0.02; LastBATVoltage[LastBATVoltageCount++] = retr * 2; if (LastBATVoltageCount == 10) { LastBATVoltageCount = 0; BATVoltageReady = true; } if (!BATVoltageReady) { return retr * 2; } else { retr = 0; for (int i = 0; i < 10; i++) { retr += LastBATVoltage[i]; } retr /= 10; } return retr; } #endif void setup() { Serial.begin(115200); WRITE_PERI_REG(RTC_CNTL_BROWN_OUT_REG, 0); pinMode(4, OUTPUT); digitalWrite(4, HIGH); pinMode(2, OUTPUT); digitalWrite(2, HIGH); setCpuFrequencyMhz(240); adc1_config_width(ADC_WIDTH_BIT_12); adc1_config_channel_atten(ADC1_CHANNEL_3, ADC_ATTEN_DB_11); adcChar = (esp_adc_cal_characteristics_t *)calloc(1, sizeof(esp_adc_cal_characteristics_t)); esp_adc_cal_value_t cal_mode = esp_adc_cal_characterize(ADC_UNIT_1, ADC_ATTEN_DB_11, ADC_WIDTH_BIT_12, 1100, adcChar); if (LED_BUILTIN != 255) pinMode(LED_BUILTIN, OUTPUT); if (yoradio_on_setup) yoradio_on_setup(); config.init(); display.init(); player.init(); network.begin(); if (network.status != CONNECTED && network.status != SDREADY) { netserver.begin(); initControls(); display.pu

I (622281) MPlayTAG: 未充电 I (622581) MPlayTAG: 电池: 1.00 V I (622581) MPlayTAG: battery_voltage_adc: 1856 // 读取电池电压 uint32_t adc_sum = 0; for (int i = 0; i < 5; i++) { uint32_t battery_voltage_adc = adc1_get_raw(BATTERY_VOLTAGE_ADC_PIN); adc_sum += battery_voltage_adc; } uint32_t average_battery_voltage_adc = adc_sum / 5; uint32_t battery_voltage = 3.3 * average_battery_voltage_adc / 4096; // 将ADC值转换为电压值,假设ADC分辨率为4096,参考电压为3.3V if (fabs(battery_voltage - last_battery_voltage) > VOLTAGE_CHANGE_THRESHOLD) { // 电压波动较大,重置滤波数组 for (int i = 0; i < FILTER_WINDOW_SIZE; i++) { voltage_filter[i] = battery_voltage; } filter_index = 0; } float filtered_voltage = moving_average_filter(battery_voltage); #endif // battery_level = battery_value_to_phone_level(2); ESP_LOGI("MPlayTAG", "电池: %.2f V", filtered_voltage); ESP_LOGI("MPlayTAG", "battery_voltage_adc: %d", average_battery_voltage_adc); 代码部分是这样的void checkio() { if(first) { // 配置充电检测引脚为输入模式,启用上拉电阻 gpio_config_t charge_detect_config = { .pin_bit_mask = (1ULL << CHARGE_DETECT_PIN), .mode = GPIO_MODE_INPUT, .pull_up_en = GPIO_PULLUP_ENABLE, .pull_down_en = GPIO_PULLDOWN_DISABLE, .intr_type = GPIO_INTR_DISABLE }; gpio_config(&charge_detect_config); // 配置充满检测引脚为输入模式 gpio_config_t full_charge_detect_config = { .pin_bit_mask = (1ULL << FULL_CHARGE_DETECT_PIN), .mode = GPIO_MODE_INPUT, .pull_up_en = GPIO_PULLUP_DISABLE, .pull_down_en = GPIO_PULLDOWN_DISABLE, .intr_type = GPIO_INTR_DISABLE }; gpio_config(&full_charge_detect_config); // 配置耳机接入检测引脚为输入模式 gpio_config_t headphone_detect_config = { .pin_bit_mask = (1ULL << HEADPHONE_DETECT_PIN), .mode = GPIO_MODE_INPUT, .pull_up_en = GPIO_PULLUP_DISABLE , .pull_down_en = GPIO_PULLDOWN_DISABLE, .intr_type = GPIO_INTR_DISABLE }; gpio_config(&headphone_detect_config); // 配置ADC通道 adc1_config_width(ADC_WIDTH_BIT_12); adc1_config_channel_atten(BATTERY_VOLTAGE_ADC_PIN, ADC_ATTEN_DB_11); // 校准电池电压 ADC esp_adc_cal_value_t battery_val_type = esp_adc_cal_characterize(ADC_UNIT_1, ADC_ATTEN_DB_11, ADC_WIDTH_BIT_12, 3300, &battery_adc_chars); if (battery_val_type == ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_VREF) { ESP_LOGI("MPlayTAG", "Battery ADC using eFuse Vref"); } else if (battery_val_type == ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_TP) { ESP_LOGI("MPlayTAG", "Battery ADC using Two Point values"); } else { ESP_LOGI("MPlayTAG", "Battery ADC using Default Vref"); } // 初始化移动平均滤波数组 for (int i = 0; i < FILTER_WINDOW_SIZE; i++) { voltage_filter[i] = 0; } first = false; }

static void check_efuse(void) { #if CONFIG_IDF_TARGET_ESP32 //Check if TP is burned into eFuse if (esp_adc_cal_check_efuse(ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_TP) == ESP_OK) { printf("eFuse Two Point: Supported\n"); } else { printf("eFuse Two Point: NOT supported\n"); } //Check Vref is burned into eFuse if (esp_adc_cal_check_efuse(ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_VREF) == ESP_OK) { printf("eFuse Vref: Supported\n"); } else { printf("eFuse Vref: NOT supported\n"); } #elif CONFIG_IDF_TARGET_ESP32S2 if (esp_adc_cal_check_efuse(ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_TP) == ESP_OK) { printf("eFuse Two Point: Supported\n"); } else { printf("Cannot retrieve eFuse Two Point calibration values. Default calibration values will be used.\n"); } #else #error "This example is configured for ESP32/ESP32S2." #endif } static void print_char_val_type(esp_adc_cal_value_t val_type) { if (val_type == ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_TP) { printf("Characterized using Two Point Value\n"); } else if (val_type == ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_VREF) { printf("Characterized using eFuse Vref\n"); } else { printf("Characterized using Default Vref\n"); } } void app_main(void) { //Check if Two Point or Vref are burned into eFuse check_efuse(); //Configure ADC if (unit == ADC_UNIT_1) { adc1_config_width(width); adc1_config_channel_atten(channel, atten); } else { adc2_config_channel_atten((adc2_channel_t)channel, atten); } //Characterize ADC adc_chars = calloc(1, sizeof(esp_adc_cal_characteristics_t)); esp_adc_cal_value_t val_type = esp_adc_cal_characterize(unit, atten, width, DEFAULT_VREF, adc_chars); print_char_val_type(val_type); //Continuously sample ADC1 while (1) { uint32_t adc_reading = 0; //Multisampling for (int i = 0; i < NO_OF_SAMPLES; i++) { if (unit == ADC_UNIT_1) { adc_reading += adc1_get_raw((adc1_channel_t)channel); } else { int raw; adc2_get_raw((adc2_channel_t)channel, width, &raw); adc_reading += raw; } } adc_reading /= NO_OF_SAMPLES; //Convert adc_reading to voltage in mV uint32_t voltage = esp_adc_cal_raw_to_voltage(adc_reading, adc_chars); printf("Raw: %d\tVoltage: %dmV\n", adc_reading, voltage); vTaskDelay(pdMS_TO_TICKS(1000)); } }

class MBWTConv2d(nn.Module): def __init__(self, in_channels, out_channels, kernel_size=5, stride=1, bias=True, wt_levels=1, wt_type='db1',ssm_ratio=1,forward_type="v05",): super(MBWTConv2d, self).__init__() assert in_channels == out_channels self.in_channels = in_channels self.wt_levels = wt_levels self.stride = stride self.dilation = 1 self.wt_filter, self.iwt_filter = create_wavelet_filter(wt_type, in_channels, in_channels, torch.float) self.wt_filter = nn.Parameter(self.wt_filter, requires_grad=False) self.iwt_filter = nn.Parameter(self.iwt_filter, requires_grad=False) self.wt_function = partial(wavelet_transform, filters=self.wt_filter) self.iwt_function = partial(inverse_wavelet_transform, filters=self.iwt_filter) self.global_atten =SS2D(d_model=in_channels, d_state=1, ssm_ratio=ssm_ratio, initialize="v2", forward_type=forward_type, channel_first=True, k_group=2) self.base_scale = _ScaleModule([1, in_channels, 1, 1]) self.wavelet_convs = nn.ModuleList( [nn.Conv2d(in_channels * 4, in_channels * 4, kernel_size, padding='same', stride=1, dilation=1, groups=in_channels * 4, bias=False) for _ in range(self.wt_levels)] ) self.wavelet_scale = nn.ModuleList( [_ScaleModule([1, in_channels * 4, 1, 1], init_scale=0.1) for _ in range(self.wt_levels)] ) if self.stride > 1: self.stride_filter = nn.Parameter(torch.ones(in_channels, 1, 1, 1), requires_grad=False) self.do_stride = lambda x_in: F.conv2d(x_in, self.stride_filter, bias=None, stride=self.stride, groups=in_channels) else: self.do_stride = None def forward(self, x): x_ll_in_levels = [] x_h_in_levels = [] shapes_in_levels = [] curr_x_ll = x for i in range(self.wt_levels): curr_shape = curr_x_ll.shape shapes_in_levels.append(curr_shape) if (curr_shape[2] % 2 > 0) or (curr_shape[3] % 2 > 0): curr_pads = (0, curr_shape[3] % 2, 0, curr_shape[2] % 2) curr_x_ll = F.pad(curr_x_ll, curr_pads) curr_x = self.wt_function(curr_x_ll) curr_x_ll = curr_x[:, :, 0, :, :] shape_x = curr_x.shape curr_x_tag = curr_x.reshape(shape_x[0], shape_x[1] * 4, shape_x[3], shape_x[4]) curr_x_tag = self.wavelet_scale[i](self.wavelet_convs[i](curr_x_tag)) curr_x_tag = curr_x_tag.reshape(shape_x) x_ll_in_levels.append(curr_x_tag[:, :, 0, :, :]) x_h_in_levels.append(curr_x_tag[:, :, 1:4, :, :]) next_x_ll = 0 for i in range(self.wt_levels - 1, -1, -1): curr_x_ll = x_ll_in_levels.pop() curr_x_h = x_h_in_levels.pop() curr_shape = shapes_in_levels.pop() curr_x_ll = curr_x_ll + next_x_ll curr_x = torch.cat([curr_x_ll.unsqueeze(2), curr_x_h], dim=2) next_x_ll = self.iwt_function(curr_x) next_x_ll = next_x_ll[:, :, :curr_shape[2], :curr_shape[3]] x_tag = next_x_ll assert len(x_ll_in_levels) == 0 x = self.base_scale(self.global_atten(x)) x = x + x_tag if self.do_stride is not None: x = self.do_stride(x) return x逐行分析这个代码

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标题中的“周立功ARM (magicarm2410) 高级实验”指明了文档内容涉及周立功品牌下的ARM9 2410开发板的高级使用实验。ARM9 2410是基于ARM920T内核的处理器,广泛应用于嵌入式系统开发。周立功是一家在电子与嵌入式系统领域内具有影响力的公司,提供嵌入式教学和开发解决方案。MagicARM2410是该公司的某型号开发板,可能专为教学和实验设计,携带了特定的实验内容,例如本例中的“eva例程”。 描述提供了额外的背景信息,说明周立功ARM9 2410开发板上预装有Windows CE 5.0操作系统,以及该开发板附带的EVA例程。EVA可能是用于实验教学的示例程序或演示程序。文档中还提到,虽然书店出售的《周立功 ARM9开发实践》书籍中没有包含EVA的源码,但该源码实际上是随开发板提供的。这意味着,EVA例程的源码并不在书籍中公开,而是需要直接从开发板上获取。这对于那些希望深入研究和修改EVA例程的学生和开发者来说十分重要。 标签中的“magicarm2410”和“周立功ARM”是对文档和开发板的分类标识。这些标签有助于在文档管理系统或资料库中对相关文件进行整理和检索。 至于“压缩包子文件的文件名称列表:新建文件夹”,这表明相关文件已经被打包压缩,但具体的文件内容和名称没有在描述中列出。我们仅知道压缩包内至少存在一个“新建文件夹”,这可能意味着用户需要进一步操作来查看或解压出文件夹中的内容。 综合以上信息,知识点主要包括: 1. ARM9 2410开发板:一款基于ARM920T内核的处理器的嵌入式开发板,适用于教学和项目实验。 2. Windows CE 5.0系统:这是微软推出的专为嵌入式应用设计的操作系统,提供了一个可定制、可伸缩的、实时的操作环境。 3. EVA例程:一个嵌入式系统开发的教学或实验示例程序。它可能被设计用于演示特定功能或技术,如显示、控制或通信。 4. 开发实践书籍与源码提供:《周立功 ARM9开发实践》一书可能详细介绍了ARM9 2410开发板的使用方法,但书中的内容不包含EVA例程的源码,源码需要通过其他途径获得。 5. 文件打包压缩:文档可能以压缩包的形式存在,包含了需要的内容,但具体内容未知,需要解压缩之后才能查看。 了解这些知识点后,对于从事嵌入式系统开发的工程师或者学生来说,可以更好地利用周立功 ARM9 2410开发板进行学习和实验,尤其是可以进行更深入的研究和实验设计,通过EVA例程的源码来理解嵌入式系统的运行机制和程序结构。同时,也能够使用Windows CE 5.0系统环境来开发相应的应用程序。
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【ANSA网格生成手册】:创建高效高质量网格的6个技巧

# 摘要 ANSA软件作为一款强大的前处理工具,在工程仿真领域扮演着重要角色。本文首先概述了ANSA软件的基本功能以及网格生成技术的基础知识。接着深入探讨了不同网格类型的选择及其优缺点,同时强调了网格密度与质量控制的重要性。文中详细介绍了高级网格生成技巧,包括自适应网格技术和多重网格以及混合网格技术的应用。此外,本文还提供了网格生成在实际应用中的前处理