两个mos管增强驱动能力原理图
时间: 2025-01-25 11:12:42 浏览: 69
两个MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)通常用于增强驱动电路中,目的是提供更大的驱动电流或改善开关速度。这种配置称为源跟随器或达林顿结构(Darlington Pair)。基本原理如下:
1. **基本原理**:第一只MOS管作为小信号驱动器,控制第二只大尺寸、高增益的MOS管。当小信号MOS管导通时,它会将较小的电压拉低到第二只MOS管的栅极,使其也导通。由于第二只MOS管的内阻较低,可以处理较大的负载。
2. **驱动能力增强**:通过这种方式,第二只MOS管能够承受更高的电流,并能更有效地驱动外部负载。这种组合提升了整个电路的驱动能力,使得电路在保持低功耗的同时也能有较高的电流传输。
3. **应用场合**:常见于需要大电流驱动负载的应用,如电机控制、功率放大等。
下面是简化的源跟随器原理图示意图:
```
+---------+ +-------+
| Vcc |-------| M1 (驱动)|
| | | Gate |
| [S]---->|-------| Source|
| | | Drain |
| |-------|-------|
| | +-------+
| | | R1 |
| | |-------+
| | | [D]---->
| | | |
| |-------| M2 (负载)|
| Vss | Source| Gate |
+---------+-------| Drain |
|-------+
```
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