stm32f103c8t6flash读写
时间: 2023-06-05 08:02:21 浏览: 468
STM32F103C8T6芯片是一款32位嵌入式微控制器，其内置了64KB的闪存存储器。该存储器可用于程序代码和数据的存储，可以通过串行编程器进行编程，也可以通过该芯片的I/O口进行读写。
在STM32F103C8T6上进行Flash读写操作，需要使用相应的操作函数来进行编程。首先，需要进行Flash解锁操作，将Flash存储器中的保护位清除。然后，可以使用HAL库提供的Flash操作函数来进行读写操作。
常用的Flash读操作函数包括HAL_FLASH_Program()和HAL_FLASH_Read(),其中HAL_FLASH_Program()函数可用于将数据写入Flash存储器中，HAL_FLASH_Read()函数可以从Flash存储器中读取数据。
需要注意的是，在Flash存储器的写入过程中，程序必须要对每个Flash地址执行写入操作。此外，进行Flash写入操作时，还需要进行相关的擦除操作，以确保数据的完整性和准确性。
总之，STM32F103C8T6作为一款先进的嵌入式微控制器，其Flash读写操作需要注意许多细节。只有善于运用STM32F103C8T6相应的Flash操作函数，并注意数据写入和擦除的操作流程，才能高效、准确地进行Flash读写操作。
相关问题
stm32F103C8T6flash读写程序
### STM32F103C8T6 Flash 存储器读写操作
对于STM32F103C8T6微控制器而言，内部FLASH的读写操作涉及多个步骤以及特定函数调用。为了确保这些操作的安全性和可靠性，库文件提供了专门用于管理FLASH的操作接口。
#### 解锁 FLASH 控制寄存器
在执行任何闪存编程之前，必须先解锁FLASH控制寄存器以允许对其进行修改：
```c
HAL_FLASH_Unlock();
```
#### 设置地址和数据准备
定义要写入的数据及其目标位置（即起始地址）。这里假设有一个变量`data_to_write`保存着待写入的内容，并指定一个具体的内存偏移量作为起点:
```c
uint32_t address = ADDR_FLASH_PAGE_27; /* 定义页地址 */
uint64_t data_to_write = 0x123456789ABCDEF0;
```
#### 执行擦除页面命令
由于Flash存储器的特点，在新数据被写入前需先清除原有内容。此过程通过调用`HAL_FLASHEx_Erase()`完成，传入参数包括欲处理区域的信息结构体指针与错误码返回值的位置。
```c
FLASH_EraseInitTypeDef eraseInitStruct;
eraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
eraseInitStruct.PageAddress = address;
eraseInitStruct.NbPages = 1;
if (HAL_FLASHEx_Erase(&eraseInitStruct, &page_error) != HAL_OK){
// 错误处理逻辑...
}
```
#### 编程单字/半字/双字到指定地址
一旦页面已被成功清零，则可以利用`HAL_FLASH_Program()`方法向选定单元格内填充新的二进制序列。注意每次仅能按固定大小单位进行更新——比如一字节、两字节或四字节等。
```c
for(uint32_t i=0;i<sizeof(data_to_write);i+=4){
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,address,*((uint64_t*)&data_to_write+i))!=HAL_OK){
// 处理失败情况...
}
address += sizeof(uint64_t);
}
```
#### 加密锁定保护机制
最后一步是重新加锁FLASH控制寄存器来防止意外更改已编写的程序区段。
```c
HAL_FLASH_Lock();
```
上述流程展示了如何安全有效地对STM32系列MCU内置非易失性存储介质实施基本I/O访问模式[^1]。
stm32f103c8t6flash读写程序
### STM32F103C8T6 Flash 存储器读写程序示例
对于STM32F103C8T6微控制器而言，Flash存储器的操作涉及特定寄存器和函数调用。为了实现对内部Flash的有效访问，通常需要初始化相应的外设并遵循一定的编程流程。
#### 初始化设置
在执行任何Flash操作之前，必须先配置系统时钟以及使能必要的GPIO端口和其他外围设备。这部分可以通过STM32CubeMX工具自动生成大部分代码来简化开发过程[^2]。
#### 编程接口定义
针对STM32的标准外设库提供了用于管理闪存的一系列APIs。这些功能允许开发者轻松地擦除页、写入数据到指定地址等基本操作。下面是一个简单的例子展示如何使用标准外设库来进行Flash的读取和写入：
```c
#include "stm32f1xx_hal.h"
// 定义要使用的扇区编号 (假设为Sector 1)
#define FLASH_USER_START_ADDR ADDR_FLASH_PAGE_1 /* Start @ of user Flash area */
#define DATA_LENGTH 16 /* Number of data bytes */
uint32_t Address = 0;
uint32_t PageError = 0;
void SystemClock_Config(void);
static void MX_GPIO_Init(void);
int main(void){
HAL_Init();
SystemClock_Config(); // 配置系统时钟
__HAL_RCC_FLASH_CLK_ENABLE(); // 启用FLASH时钟
// 解锁flash以准备修改其内容
HAL_FLASH_Unlock();
// 清楚所有待处理位
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGERR);
// 如果目标位置已经被占用，则需先擦除此页面
if(HAL_OK != HAL_FLASHEx_Erase(&PageError, FLASH_USER_START_ADDR, 1)){
Error_Handler();
}
uint8_t DataToWrite[] = {0x12, 0x34, 0x56, 0x78}; // 要写入的数据数组
for(Address = FLASH_USER_START_ADDR; Address < (FLASH_USER_START_ADDR + sizeof(DataToWrite)); Address++){
if(HAL_OK != HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, Address, *(uint8_t*)DataToWrite++)){
Error_Handler();
}
}
// 锁定flash防止意外更改
HAL_FLASH_Lock();
while (1){
}
}
/**
* @brief 系统时钟配置函数.
*/
void SystemClock_Config(void){
}
```
此段代码展示了如何解锁Flash区域以便于后续的编程工作；接着通过`HAL_FLASHEx_Erase()`方法清除已存在的数据；最后利用循环结构逐字节向选定的位置写入新值。完成之后记得再次锁定Flash以防误改。
需要注意的是，在实际应用中应当更加严谨地处理错误情况，并且考虑到不同版本固件之间可能存在差异，因此建议查阅最新的官方文档获取最准确的信息[^1]。
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