gd32e230 fmc读写flash

### 关于GD32E230 FMC Flash读写实现 在GD32E230系列微控制器中，FMC（Flash Memory Controller）用于管理内部闪存的操作。以下是基于引用中的代码片段以及常见实践整理的完整示例代码和注意事项。 #### 示例代码：FMC Flash 写入数据 以下是一个改进版的 `FMC_FLASH_Write` 函数，解决了可能存在的问题并增加了错误处理逻辑： ```c #include "gd32e230_fmc.h" uint8_t FMC_FLASH_Write(uint32_t addr, uint32_t *data, uint8_t len) { fmc_state_enum FLASHStatus; uint16_t i; /* 解锁 */ fmc_unlock(); /* 清除状态标志 */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_END | FMC_FLAG_WPERR | FMC_FLAG_PGAERR | FMC_FLAG_PGERR); /* Step 1: 擦除目标页 */ FLASHStatus = fmc_page_erase(addr); if (FLASHStatus != FMC_READY) { fmc_lock(); return 1; // 返回错误码表示擦除失败 } /* Step 2: 循环写入数据 */ for (i = 0; i < len; i++) { FLASHStatus = fmc_word_program(addr, *(data + i)); if (FLASHStatus != FMC_READY) { fmc_lock(); return 2; // 返回错误码表示编程失败 } addr += 4; // 地址偏移至下一个字位置 } /* 锁定 */ fmc_lock(); return 0; // 成功返回0 } ``` 此代码实现了以下几个重要特性： - **解锁/锁定机制**：确保每次操作前后都调用了 `fmc_unlock()` 和 `fmc_lock()`[^1]。 - **状态清除**：通过 `fmc_flag_clear()` 清除了所有可能导致干扰的状态标志位[^1]。 - **逐字写入**：支持连续多个字的数据写入，并自动调整地址指针。 - **错误检测**：每一步都有状态检查，如果发生异常会立即退出并返回相应的错误码[^1]。 --- #### 示例代码：FMC Flash 读取数据 对于读取操作相对简单，只需按照指定地址访问即可完成： ```c void FMC_FLASH_Read(uint32_t addr, uint32_t *buffer, uint8_t len) { for (int i = 0; i < len; i++) { buffer[i] = *(volatile uint32_t *)addr; addr += 4; // 增加偏移量以指向下一字节 } } ``` 该函数接受三个参数——起始地址 (`addr`)、缓冲区指针 (`buffer`) 和要读取的字数 (`len`)。它将从给定地址处依次取出所需数量的字并存储到用户提供的缓冲区内[^2]。 --- #### 注意事项与调试建议 当遇到无法正常写入的情况时，请考虑以下几点： 1. **硬件保护触发**：确认当前尝试修改区域未处于只读模式或其他形式的安全防护之下。 2. **地址范围验证**：确保所选地址位于允许改写的范围内；超出有效边界可能会引发不可预期行为[^1]。 3. **电源电压稳定性**：低供电水平下某些敏感指令执行可能出现偏差甚至损坏设备永久性结构[^2]。 4. **固件版本兼容性**：不同修订批次间可能存在细微差异影响具体API表现效果。 ---