stm32f407 内部flash的读写
时间: 2025-02-25 20:01:14 浏览: 72
### 对STM32F407微控制器内部Flash进行读写操作
#### 使用HAL库实现闪存编程功能
对于STM32系列MCU而言,访问内部Flash存储器通常通过调用硬件抽象层(HAL)函数来完成。这些API提供了简单易用的方法来进行擦除、编程以及验证等基本操作。
为了执行具体的读写任务,在程序初始化阶段应当先开启FLASH接口时钟并解锁用于修改的保护机制:
```c
// 解锁flash以允许对其进行更改
if (HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK){
Error_Handler();
}
```
当准备完毕之后就可以利用`HAL_FLASH_Program()`方法向指定地址写入单字节或多字节的数据[^1]。需要注意的是每次写之前都需要确保目标位置已经被适当清零(即执行过擦除动作),因为闪存不允许覆盖写入。
针对批量处理的需求还可以考虑采用页级或半页级别的高效模式;而在实际应用中往往还需要加入错误检测逻辑以便及时发现可能存在的问题。
最后不要忘记在所有变更完成后重新锁定该区域防止意外发生:
```c
// 锁定flash以防后续误改
HAL_FLASH_Lock();
```
#### Flash读取过程
由于大多数情况下CPU可以直接寻址到内置ROM空间,因此从Flash里获取信息就如同普通的内存加载指令一样便捷无需特别设置额外参数即可完成相应工作。
不过出于安全性和稳定性的考量建议开发者依旧遵循官方文档给出的最佳实践指南实施必要的权限管理措施从而保障系统的整体可靠性[^2]。
#### 示例代码片段展示完整的读写流程
下面是一段综合上述要点编写的示范性源码供参考学习之用:
```c
#include "stm32f4xx_hal.h"
void WriteToFlash(uint32_t address, uint64_t data){
// ...省略前面提到过的解锁步骤...
/* 清楚原有内容 */
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
uint32_t PageError=0;
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress = address & (~((uint32_t)(FLASH_PAGE_SIZE-1)));
EraseInitStruct.NbPages = 1;
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError)!= HAL_OK){
while(1);
}
/* 开始写入新数据 */
for(int i=0;i<sizeof(data);i++){
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE,address,(data>>(8*i))&0xFF)!= HAL_OK){
while(1);
}
address++;
}
// ...同样也不要忘了最终要再次上锁...
}
uint64_t ReadFromFlash(uint32_t addr,uint8_t length){
volatile uint64_t result=0;
for(int idx=length-1;idx>=0;--idx){
*(volatile char*)&result |= ((*(volatile unsigned char*)addr++)<<(idx*8));
}
return result;
}
```
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