stm32f407内部flash擦除 hal
时间: 2025-02-16 19:06:24 浏览: 77
### 使用 HAL 库对 STM32F407 内部 Flash 进行擦除
#### 准备工作
为了确保安全并正确执行Flash擦除操作,建议先了解STM32F407的Flash结构及其分区情况。根据编程手册上的描述,在仅针对Main Memory的操作场景下,可以按照特定扇区来规划要擦除的数据范围[^2]。
#### 初始化设置
在开始任何Flash操作之前,必须初始化必要的硬件资源以及配置好中断优先级分组等参数。这通常涉及到调用`HAL_Init()`函数完成系统时钟树配置等工作。
#### 执行擦除操作
对于具体的Flash擦除过程而言,可以通过调用`HAL_FLASH_Unlock()`解锁Flash访问权限;之后利用`HAL_FLASHEx_Erase()`接口指定待擦除的地址区间(即起始页码和结束页码),从而实现对该范围内所有数据的一次性清除动作。需要注意的是,在实际应用过程中应当谨慎处理这些API调用,以免误删重要信息造成不可逆损害。
下面给出一段基于上述流程编写的简单示例代码:
```c
#include "stm32f4xx_hal.h"
// 定义需要被擦除的第一个sector编号(假设为第1个sector)
#define SECTOR_START_ADDR FLASH_SECTOR_0
int main(void){
uint32_t PAGEError = 0;
/* 初始化 */
HAL_Init();
// 解锁Flash控制寄存器以便修改其内容
HAL_FLASH_Unlock();
// 设置FLASH EraseInitStruct用于定义将要擦除的具体位置
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
EraseInitStruct.TypeErase = TYPEERASE_SECTORS;
EraseInitStruct.VoltageRange= VOLTAGE_RANGE_3;
EraseInitStruct.Sector = SECTOR_START_ADDR;
EraseInitStruct.NbSectors = 1;
// 创建变量用来接收可能发生的错误状态报告
HAL_StatusTypeDef status;
// 开始执行擦除指令
status = HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError);
// 锁定Flash再次保护它免受意外更改的影响
HAL_FLASH_Lock();
while (1);
}
```
此段代码展示了如何通过调用ST官方提供的HAL库中的相关API来进行单个Sector级别的Flash擦除操作。其中涉及到了几个重要的概念如电压等级的选择(`VoltageRange`)、目标Sector的位置(`Sector`)等都需要依据具体应用场景灵活调整[^3]。
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